TW202109577A - 複合組件以及包括其之電子裝置 - Google Patents

複合組件以及包括其之電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202109577A
TW202109577A TW109109540A TW109109540A TW202109577A TW 202109577 A TW202109577 A TW 202109577A TW 109109540 A TW109109540 A TW 109109540A TW 109109540 A TW109109540 A TW 109109540A TW 202109577 A TW202109577 A TW 202109577A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
discharge
component
electrode
external electrode
overvoltage protection
Prior art date
Application number
TW109109540A
Other languages
English (en)
Inventor
鄭俊鎬
李東錫
金兌潤
Original Assignee
南韓商摩達伊諾琴股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商摩達伊諾琴股份有限公司 filed Critical 南韓商摩達伊諾琴股份有限公司
Publication of TW202109577A publication Critical patent/TW202109577A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/75—Electrodes comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

根據示例性實施例，一種複合組件包括：過電壓保護部件，在層疊體中與電容器部件間隔開，且包括放電電極層，所述放電電極層具有彼此隔開以在同一平面上彼此面對的一對放電電極，其中在與所述一對放電電極的排列方向交叉的方向上設置且層疊有三個放電電極層；以及第一外部電極及第二外部電極，形成於層疊體的兩個外側上以彼此面對，且連接至電容器部件及過電壓保護部件。因此，根據示例性實施例，複合組件可對過電壓具有改善的抵抗性。因此，複合組件的質量可改善。此外，具有不同功能的電容器部件與過電壓保護部件可藉由耦合部件來耦合。

Description

複合組件以及包括其之電子裝置
本揭露是有關於一種複合組件以及一種包括所述複合組件的電子裝置，且更具體而言有關於一種包括電容器部件及過電壓保護部件的複合組件以及一種包括所述複合組件的電子裝置。
電子電路需要例如變阻器及抑制器等過電壓保護組件，以保護電子裝置免受自電子裝置的外部施加的例如靜電放電（electrostatic discharge，ESD）等過電壓。即，對於防止自外部施加等於或大於電子裝置的驅動電壓的過電壓，過電壓保護組件是必要的。舉例而言，變阻器被廣泛用作用於保護電子組件及電路免受過電壓影響的組件，此乃因變阻器的電阻隨著所施加的電壓而變化。即，儘管電流在正常時間不流經設置於電路中的變阻器，然而由於當因大於崩潰電壓（breakdown voltage）或閃電（lighting）的過電壓而使過電壓施加至變阻器的兩端時變阻器的電阻顯著減小，因此幾乎所有電流均流經變阻器，且因此，電流不流經其他組件以保護電路或裝設至電路的電子組件免受過電壓影響。
近年來，製造出其中層疊有具有不同功能或特性的至少兩個組件的複合組件，以與電子裝置的小型化對應地減少由電子裝置的組件所佔用的面積。即，參照圖8，複合組件包括：電容器部件2000，包括多個內部電極210至270及設置於其間的多個介電片材111至118；過電壓保護部件3000，包括多個放電片材121、122及123以及多個放電電極312及322；以及一對外部電極5100及5200，形成於電容器部件2000及過電壓保護部件3000中的每一者的一個側表面及另一側表面上。
由於電容器部件2000及過電壓保護部件3000被層疊於一個晶片中以達成複合組件，因此可達成高變阻器電壓及高電容。此處，過電壓保護部件3000的崩潰電壓由放電片材121至123中的每一者的厚度決定。為達成高崩潰電壓，相對地減小過電壓保護部件3000的電容，且為補償此種限制，層疊由具有高介電常數的材料製成的電容器部件以改善或維持電容。
此外，過電壓保護部件具有其中多個放電電極形成於同一平面上且形成為兩個層以具有300伏特或大於300伏特的崩潰電壓的雙浮點型結構（double floating type structure）。即，具有雙浮點型結構的過電壓保護部件包括：多個放電片材121、122及123，在垂直方向上進行層疊；多個下部放電電極312，形成於第一放電片材121上以設置於同一平面上，且排列成在第一放電片材121上彼此間隔開；以及多個上部放電電極322，形成於第二放電片材122上以在下部放電電極312上方設置於同一平面上，且排列成在第二放電片材122上彼此間隔開。
此處，下部放電電極312與上部放電電極322彼此重疊以確保對過電壓的抵抗性。此外，所述多個下部放電電極312與所述多個上部放電電極322之間的所有間隔距離之和（C1+C2+C3+C4）必然等於或大於200微米以具有300伏特或大於300伏特的崩潰電壓。
然而，由於電容器部件2000及過電壓保護部件3000被層疊於一個組件（即晶片組件）中，因此過電壓保護部件3000的尺寸受到限制。此外，由於所述多個下部放電電極312與所述多個上部放電電極322之間的所述所有間隔距離之和（C1+C2+C3+C4）必然等於或大於200微米具有300伏特或大於300伏特的崩潰電壓，因此放電片材121、122及123中的每一者不可避免地具有小的厚度。隨著放電片材121、122及123中的每一者的厚度減小，當位於最上層及最下層處的放電片材具有小的厚度時，最外片材可能不會保護組件免受高溫及水分的影響，且組件可能在環境可靠性方面劣化。
此外，由於過電壓保護部件3000的尺寸在層疊電容器部件2000及過電壓保護部件3000的結構中受到限制，因此當如上所述在垂直方向上層疊時，放電電極可被最大程度地層疊多達兩個層。因此，由於過電壓的移動或行進路徑是短的，因此對過電壓的抵抗性是易受影響的。[ 相關技術文獻 ] [ 專利文獻 ] （專利文獻1）韓國註冊專利第10-0638802號
本揭露提供一種包括電容器部件及過電壓保護部件的複合組件以及一種包括所述複合組件的電子裝置。
本揭露提供一種對過電壓具有改善的抵抗性的複合組件以及一種包括所述複合組件的電子裝置。
根據示例性實施例，一種複合組件包括：層疊體；電容器部件，設置於所述層疊體中；過電壓保護部件，在所述層疊體中與所述電容器部件間隔開，且包括放電電極層，所述放電電極層具有彼此間隔開以在同一平面上彼此面對的一對放電電極，其中在與所述一對放電電極的排列方向交叉的方向上設置且層疊有三個放電電極層；以及第一外部電極及第二外部電極，形成於所述層疊體的兩個外側上以彼此面對，且連接至所述電容器部件及所述過電壓保護部件。
所述一對放電電極之間的間隔距離A可為100微米至500微米。
所述一對放電電極之間的所述間隔距離A可為200微米至400微米。
所述過電壓保護部件可包括在所述放電電極層的排列方向上層疊的四個或更多個放電片材，且所述放電電極層可形成於所述四個放電片材中的至少三個放電片材中的每一者的一個表面上。
所述一對放電電極之間的間隔距離A可大於相對於所述放電電極層的層疊方向連續排列的兩個放電電極之間的間隔距離B。
相對於所述放電電極層的所述層疊方向連續排列的所述兩個放電電極之間的所述間隔距離B可為1微米至100微米。
所述電容器部件可包括在一個方向上層疊的多個介電片材。
所述電容器部件可包括形成於多個介電片材中的至少兩個介電片材上的二或更多個內部電極。
所述複合組件可更包括耦合部件，所述耦合部件設置於所述電容器部件與所述過電壓保護部件之間，以耦合所述電容器部件與所述過電壓保護部件。
所述複合組件可更包括表面改質構件，所述表面改質構件形成於所述層疊體的表面的至少一部分上，且由與所述層疊體的所述表面不同的材料製成。
所述第一外部電極及所述第二外部電極可各自在所述層疊體的最上片材及最下片材中的至少一者上延伸，且所述表面改質構件可設置於所述第一外部電極及所述第二外部電極中的每一者的延伸區域與所述層疊體之間。
所述複合組件可更包括形成於所述電容器部件與所述第一外部電極之間的第三外部電極、形成於所述電容器部件與所述第二外部電極之間的第四外部電極、形成於所述過電壓保護部件與所述第一外部電極之間的第五外部電極以及形成於所述過電壓保護部件與所述第二外部電極之間的第六外部電極。
所述電容器部件可包括至少一個介電片材而不包括內部電極。
根據另一示例性實施例，一種電子裝置包括使用者可接觸的導體以及內部電路，且如請求項1至請求項13中任一項所述的複合組件設置於所述導體與所述內部電路之間。
所述複合組件可藉由所述內部電路來旁通藉由所述導體自外部施加的過電壓，阻斷藉由所述內部電路洩露的漏電流，且傳輸通訊訊號。
藉由結合附圖閱讀以下說明可更詳細地理解示例性實施例。
在下文中，將參照附圖詳細闡述具體實施例。然而，本發明可實施為不同形式，且不應被視為僅限於本文中所述的實施例。確切而言，提供該些實施例是為使此揭露內容將透徹及完整並將向熟習此項技術者充分傳達本發明的範圍。
圖1是示出根據示例性實施例的複合組件的立體圖。圖2是示出根據示例性實施例的複合組件且沿線A-A'截取的橫截面圖，且圖3的(a)、圖3的(b)及圖3的(c)是示出根據示例性實施例的複合組件的表面的至少一部分的示意圖。
參照圖1至圖3的(a)、圖3的(b)及圖3的(c)，根據示例性實施例的複合組件包括：層疊體1000，包括多個片材100；電容器部件2000及過電壓保護部件3000，設置於層疊體1000中且在垂直方向上層疊；以及外部電極5000（5100、5200），設置於層疊體1000外部的彼此面對的兩個側表面中的每一者上。此外，複合組件可更包括：耦合部件4000，設置於電容器部件2000與過電壓保護部件3000之間，以耦合電容器部件2000與過電壓保護部件3000；以及表面改質構件6000，形成於層疊體1000的至少一個表面上。
此處，作為提供不同功能的二或更多個功能部件的電容器部件2000及過電壓保護部件300各自被燒結，且然後藉由耦合部件4000耦合。即，電容器部件2000的一個表面與過電壓保護部件3000的一個表面可藉由耦合部件4000耦合。
此外，電容器部件2000是藉由層疊各自具有預定介電常數的多個片材來製造，且過電壓保護部件3000是藉由層疊各自具有變阻器特性的多個片材來製造。
在下文中，電容器部件2000的所述多個片材被稱為介電片材110（111至118），過電壓保護部件3000的所述多個片材被稱為放電片材120（121至125），且包括介電片材110及放電片材120在內的所有片材被稱為片材100。
此外，在層疊體1000內部形成於電容器部件2000中的電極被稱為內部電極200（210至270），且在層疊體1000內部形成於過電壓保護部件3000中的電極被稱為放電電極310（311至318）。
下面將參照圖1至圖3的(a)、圖3的(b)及圖3的(c)詳細闡述根據示例性實施例的複合組件的上述配置。1. 疊層體
層疊體1000是藉由層疊多個片材100（即多個介電片材110（111至118））及多個放電片材120（121至125）而形成。即，層疊體1000被形成為使得藉由層疊其間形成有內部電極200的所述多個介電片材110而形成的第一層疊體與藉由層疊其間形成有放電電極310的所述多個放電片材120而形成的第二層疊體藉由耦合部件4000耦合。上述層疊體1000可具有近似六面體形狀，所述近似六面體形狀在一個方向（例如，X方向）及垂直於所述一個方向的另一方向（例如，Y方向）中的每一者上具有預定長度，且在垂直方向（例如，Z方向）上具有預定高度。此處，當外部電極5000的形成方向被定義為X方向時，在水平方向上垂直於X方向的方向可被定義為Y方向，且X方向的垂直方向可被定義為Z方向。
此處，X方向上的長度可大於Y方向上的長度及Z方向上的長度中的每一者，且Y方向上的長度可等於或不同於Z方向上的長度。當Y方向上的長度與Z方向上的長度彼此不同時，Y方向上的長度可大於或小於Z方向上的長度。舉例而言，X方向上的長度、Y方向上的長度及Z方向上的長度的比率可為2至5:1:0.5至1。即，相對於Y方向上的長度，X方向上的長度可較Y方向上的長度大2倍至5倍，且Z方向上的長度可較Y方向上的長度大0.5倍至1倍。然而，X方向上的長度、Y方向上的長度及Z方向上的長度僅為實例。舉例而言，X方向上的長度、Y方向上的長度及Z方向上的長度可根據電子裝置的與複合組件連接的內部結構以及複合組件的內部結構及形狀而以不同方式變化。此外，層疊體1000中可設置有至少一個電容器部件2000及至少一個過電壓保護部件3000。舉例而言，電容器部件2000及過電壓保護部件3000可在片材的層疊方向（即Z方向）上設置。
此外，所述多個片材（即介電片材110及放電片材120中的所有者）可具有相同的厚度，或者至少一個片材所具有的厚度可大於或小於其他片材中的每一者的厚度。舉例而言，過電壓保護部件300的放電片材120所具有的厚度可不同於電容器部件2000的介電片材110，即放電片材120可厚於介電片材110。即，放電片材120中的每一者所具有的厚度可大於介電片材110中的每一者的厚度。然而，放電片材120中的每一者所具有的厚度可大於、小於或等於介電片材110中的每一者的厚度。此外，放電片材120中的至少一者所具有的厚度可大於另一放電片材120的厚度，且介電片材110中的至少一者所具有的厚度可大於另一介電片材110的厚度。此處，厚度大於另一介電片材110的厚度的介電片材110所具有的厚度可大於具有小厚度的放電片材120的厚度。即，所述多個介電片材110及所述多個放電片材120中的至少一個片材100所具有的厚度可不同於其他片材100中的每一者的厚度。
此處，所述多個介電片材110中的每一者可具有1微米至150微米的厚度，且所述多個放電片材120中的每一者可具有1微米至100微米的厚度。此外，所述多個放電片材120中的最外放電片材111及118中的每一者可具有5微米至100微米的厚度。
此處，電容器部件2000與過電壓保護部件3000可具有相同的厚度或不同的厚度。即，其中層疊有電容器部件2000的所述多個介電片材110的第一疊層與其中層疊有過電壓保護部件3000的所述多個放電片材120的第二疊層具有相同的厚度或不同的厚度。舉例而言，過電壓保護部件3000所具有的厚度可等於或大於電容器部件2000的厚度，即過電壓保護部件3000所具有的厚度可較電容器部件2000的厚度大1倍至2倍。即，當電容器部件2000具有為100的厚度時，過電壓保護部件3000可具有為100至200的厚度。此外，電容器部件2000的經層疊的介電片材110的數目可等於或不同於過電壓保護部件3000的經層疊的放電片材120的數目。舉例而言，經層疊的放電片材120的數目可小於經層疊的介電片材110的數目。作為具體實例，放電片材120中的每一者所具有的厚度可大於介電片材110中的每一者的厚度，且當放電片材120以與介電片材110的數目相等或不同的數目被層疊時，其中層疊有放電片材120的第二層疊體所具有的厚度可等於或大於其中層疊有介電片材110的第一層疊體的厚度。此外，介電片材110中的每一者所具有的厚度可大於放電片材120中的每一者的厚度，且當介電片材110以與放電片材120的數目相等或不同的數目被層疊時，其中層疊有介電片材110的第一層疊體所具有的厚度可等於或大於其中層疊有放電片材120的第二層疊體的厚度。然而，由於介電片材110中的每一者所具有的厚度與放電片材120中的每一者的厚度相同，且經層疊的介電片材110的數目等於或不同於經層疊的放電片材120的數目，因此第一層疊體與第二層疊體可具有相同的厚度或不同的厚度。
此處，層疊體1000可更包括分別設置於底表面及頂表面上的下部覆蓋層（未示出）及上部覆蓋層（未示出）。即，層疊體1000可更包括設置於電容器部件2000的下部部分及過電壓保護部件3000的上部部分上的下部覆蓋層（未示出）及上部覆蓋層（未示出）。此處，層疊體1000的最下片材可用作下部覆蓋層，且最上片材可用作上部覆蓋層。即，電容器部件2000的最下介電片材（即第一介電片材111）可用作下部覆蓋層，且過電壓保護部件3000的最上放電片材（即第五放電片材125）可用作上部覆蓋層。單獨地設置的下部覆蓋層與上部覆蓋層可具有相同的厚度且藉由層疊多個磁性片材來提供。作為另一選擇，下部覆蓋層與上部覆蓋層可具有不同的厚度。舉例而言，上部覆蓋層所具有的厚度可大於下部覆蓋層的厚度。此處，例如由玻璃材料製成的片材等非磁性片材可進一步設置於由磁性片材形成的下部覆蓋層及上部覆蓋層的最外部分（即，覆蓋層中的每一者的底表面及頂表面）上。此外，下部覆蓋層及上部覆蓋層中的每一者所具有的厚度可大於設置於其間的絕緣片材中的每一者的厚度。因此，當最下絕緣片材及最上絕熱片材用作下部覆蓋層及上部覆蓋層時，最下絕緣片材及最上絕熱片材中的每一者所具有的厚度可大於其間的絕熱片材中的每一者的厚度。此外，下部覆蓋層及上部覆蓋層可由玻璃片材形成，而不再於層疊體1000的表面的至少一部分上形成表面改質構件，且層疊體1000的表面可塗佈有聚合物或玻璃材料。然而，當層疊體1000的表面由玻璃片材形成時，玻璃片材可能吸收水分從而使組件的可靠性劣化。因此，形成玻璃片材並非較佳的。2. 電容器部件
電容器部件2000可設置於過電壓保護部件3000下方或上方。電容器部件2000可包括至少兩個內部電極200及設置於其間的至少兩個介電片材110。舉例而言，如圖2中所示，電容器部件2000可包括第一介電片材至第八介電片材110（111至118）及第一內部電極至第七內部電極200（210至270）。
在示例性實施例中，儘管形成多個內部電極200，且介電片材110的數目較電容器部件2000中的內部電極200的數目大一，然而電容器部件2000可包括二或更多個內部電極200及三或更多個介電片材110。
介電片材110（111至118）可由介電材料製成。介電材料可為例如具有約5至約20000的介電常數的高介電材料，例如多層陶瓷電容器（multi-layer ceramic condenser，MLCC）、低溫共燒陶瓷（low temperature co-fired ceramic，LTCC）及高溫共燒陶瓷（high temperature co-fired ceramic，HTCC）。此處，MLCC介電材料可被製備成使得BaTiO3 及NdTiO3 中的至少一者用作主要組分，且添加有Bi2 O3 、SiO2 、CuO、MgO及ZnO中的至少一者，且LTCC介電材料可包含Al2 O3 、SiO2 及玻璃材料。此外，除MLCC、LTCC及HTCC以外，介電片材110可由包含BaTiO3 、NdTiO3 、Bi2 O3 、BaCO3 、TiO2 、Nd2 O3 、SiO2 、CuO、MgO、ZnO及Al2 O3 中的至少一者的材料製成。舉例而言，介電片材110可包含BaTiO3 、NdTiO3 、Bi2 O3 、ZnO、TiO2 、SiO2 、Al2 O3 及B2 O3 ，以藉由調節其含量來調節介電常數。因此，介電片材110可根據包含的材料而具有預定的介電常數，例如為5至20,000的介電常數、較佳為7至4000的介電常數、更佳為100至3,000的介電常數。舉例而言，當介電片材110包含BaTiO3 、NdTiO3 、Bi2 O3 、ZnO、TiO2 、SiO2 、Al2 O3 及B2 O3 時，介電常數可藉由增加BaTiO3 的含量而增加，且介電常數可藉由增加NdTiO3 及SiO2 的含量而減小。介電片材110可藉由將介電材料與過電壓保護材料（例如變阻器材料）混合來形成。即，介電片材110可主要由介電材料製成，且部分地由變阻器材料製成。過電壓保護材料可包括稍後將闡述的過電壓保護部件300的材料，例如過電壓保護部件3000的放電片材的材料。過電壓保護材料可包括變阻器材料，且變阻器材料可包括ZnO、Bi2 O3 、Pr6 O11 、Co3 O4 、Mn3 O4 、CaCO3 、Cr2 O3 、SiO2 、Al2 O3 、Sb2 O3 、SiC、Y2 O3 、NiO、SnO2 、CuO、TiO2 、MgO及AgO中的至少一者。舉例而言，電容器部件2000中所包含的變阻器材料可為ZnO。此處，以平均顆粒分佈（D50）計，ZnO顆粒可具有小於1微米的尺寸。此外，電容器部件2000中所包含的變阻器材料的量可為0.2重量%（wt%）至10重量%。即，以100重量%的介電材料與變阻器材料的混合材料計，電容器單元2000的介電片材110可包含0.2重量%至10重量%的變阻器材料。較佳地，以電容器材料與變阻器材料的混合材料計，變阻器材料可以2重量%至5重量%的量被包含。此處，當以大於10重量%包含過電壓保護材料（即變阻器材料）時，電容器部件2000的電容可減小，或者放電電壓的至少一部分可流經電容器部件2000。所述多個內部電極200（210至270）可由導電材料（例如包含Ag、Au、Pt、Pd、Ni及Cu中的至少一種成分的金屬或其合金）形成。舉例而言，所述合金可包括Ag與Pd的合金。此外，內部電極200可具有例如0.5微米至10微米的厚度。此處，內部電極200可具有連接至在X方向上彼此面對的外部電極5000（5100與5200）的一側以及與外部電極5000（5100與5200）間隔開的另一側。即，第一內部電極210、第三內部電極230、第五內部電極250及第七內部電極270被形成為分別在第一介電片材111、第三介電片材113、第五介電片材115及第七介電片材117上具有預定面積。此外，第一內部電極210、第三內部電極230、第五內部電極250及第七內部電極270中的每一者具有連接至第一外部電極5100的一側及與第二外部電極5200間隔開的另一側。第二內部電極220、第四內部電極240及第六內部電極260被形成為分別在第二介電片材112、第四介電片材114及第六介電片材116上具有預定面積。此外，第二內部電極220、第四內部電極240及第六內部電極260中的每一者可具有連接至第二外部電極5200的一側及與第一外部電極5100間隔開的另一側。即，內部電極200交替地連接至外部電極5000中的一者，且在有介電片材110介於內部電極200之間的情況下彼此重疊。此處，內部電極200中的每一者所具有的面積為介電片材110中的每一者的面積的10%至85%。此外，兩個相鄰的內部電極（例如，第一內部電極210與第二內部電極220）可以其中的每一者的面積計重疊10%至85%。內部電極200中的每一者可具有例如正方形形狀、矩形形狀、預定圖案形狀及具有預定寬度及間隙的螺旋形狀等各種形狀。電容器部件2000可具有形成於內部電極200之間的電容，且電容可根據相鄰的內部電極200的重疊面積、介電片材110中的每一者的厚度等來調節。舉例而言，電容器部件2000可具有等於或大於0.01微微法拉（pF）且等於或小於20微法拉（µF）的電容。3. 過電壓保護部件
過電壓保護部件3000可設置於電容器部件2000上方。過電壓保護部件3000包括多個放電片材120及多個放電電極層310a、310b、310c及310d，所述多個放電電極層310a、310b、310c及310d包括在同一平面上在第一外部電極5100及第二外部電極5200的排列方向上彼此間隔開且在垂直方向上層疊的多個放電電極。舉例而言，如圖2中所示，過電壓保護部件300可包括分別形成於第一放電片材121至第四放電片材124的一個表面上的第一放電片材至第五放電片材120（121至125）及第一放電電極層310a、第二放電電極層310b、第三放電電極層310c及第四放電電極層310d。
放電片材120（121至125）可由變阻器材料製成。變阻器材料可包括ZnO、Bi2 O3 、Pr6 O11 、Co3 O4 、Mn3 O4 、CaCO3 、Cr2 O3 、SiO2 、Al2 O3 、Sb2 O3 、SiC、Y2 O3 、NiO、SnO2 、CuO、TiO2 、MgO及AgO中的至少一者。舉例而言，其中主要成分ZnO與上述材料中的至少一者混合的材料可用作所述變阻器材料。此外，除上述材料以外，變阻器材料可包括Pr系材料、Bi系材料及SiC系材料。放電片材120可由變阻器材料與介電材料的混合材料製成。即，放電片材120可藉由將具有變阻器特性的材料與電容器部件2000的材料（即介電材料）混合來形成。放電片材120中的每一者可主要包含變阻器材料且部分地包含電容器材料。混合於變阻器材料中的介電材料可包括電容器部件2000的介電片材110的主要材料。即，具有為約5至20000的介電常數的介電材料（例如MLCC、LTCC及HTCC）可混合至變阻器材料中。舉例而言，包括BaTiO3 、NdTiO3 、Bi2 O3 、BaCO3 、TiO2 、Nd2 O3 、SiO2 、CuO、MgO、ZnO及Al2 O3 中的至少一者的材料可混合至變阻器材料中。舉例而言，過電壓保護部件3000中所包含的電容器材料（即介電材料）可為BaTiO3 及NdTiO3 中的至少一者。此處，過電壓保護部件3000中所包含的電容器材料（即介電材料）的量可為0.2重量%至10重量%。即，以100重量%的放電片材材料與介電片材材料的混合材料計，介電片材材料可以0.2重量%至10重量%被包含。較佳地，以100重量%的放電片材材料與介電片材材料的混合材料計，介電片材材料可以2重量%至5重量%被包含。此處，當以大於10重量%包含電容器材料（即介電片材材料）時，過電壓保護部件300的特性可能劣化。即，由於過電壓保護部件的崩潰電壓可有所改變，或者過電壓保護部件可完全改變成非導體而不使過電壓放電，因此過電壓保護部件3000可能失去自身的功能。根據示例性實施例的過電壓保護部件3000包括四個放電電極層，即第一放電電極層310a、第二放電電極層310b、第三放電電極層310c及第四放電電極層310d，且所述四個放電電極層310a、310b、310c及310d可在垂直方向上彼此間隔開。第一放電電極層310a、第二放電電極層310b、第三放電電極層310c及第四放電電極層310d中的每一者包括一對放電電極，所述一對放電電極在同一平面上在第一外部電極5100及第二外部電極5200的排列方向（即X方向）上彼此間隔開。更具體而言，第一放電電極層310a包括一對放電電極（下文稱為第一放電電極311及第二放電電極312），所述一對放電電極在第一放電片材121上在第一外部電極5100及第二外部電極5200的排列方向上彼此間隔開，且第二放電電極層310b包括一對放電電極（下文稱為第三放電電極313及第四放電電極314），所述一對放電電極在第二放電片材122上在第一外部電極5100及第二外部電極5200的排列方向上彼此間隔開且分別面對第一放電電極311及第二放電電極312。此外，第三放電電極層310c包括一對放電電極（下文稱為第五放電電極315及第六放電電極316），所述一對放電電極在第三放電片材123上在第一外部電極5100及第二外部電極5200的排列方向上彼此間隔開，且第四放電電極層310d包括一對放電電極（下文稱為第七放電電極315及第八放電電極316），所述一對放電電極在第四放電片材124上在第一外部電極5100及第二外部電極5200的排列方向上彼此間隔開，且分別面對第五放電電極315及第六放電電極316。此處，第一放電電極311與第二放電電極312如上所述形成於第一放電片材121上，以在同一平面上彼此面對，第三放電電極313與第四放電電極314如上所述形成於第二放電片材122上，以在同一平面上彼此面對，第五放電電極315與第六放電電極316如上所述形成於第三放電片材121上，以在同一平面上彼此面對，且第七放電電極317與第八放電電極318如上所述形成於第四放電片材124上，以在同一平面上彼此面對。
此外，形成於同一平面上的放電電極分別連接至不同的外部電極，且相對於垂直方向彼此面對的放電電極連接至相同的外部電極。即，第一放電電極311、第三放電電極313、第五放電電極315及第七放電電極317中的每一者具有連接至同一第一外部電極5100的一側及連接至同一第二外部電極5200的另一側。此外，第二放電電極312、第四放電電極314、第六放電電極316及第八放電電極318中的每一者具有連接至同一第二外部電極5200的一側及連接至同一第一外部電極5100的另一側。
在放電電極層310a、310b、310c及310d中的每一者中，在同一平面上彼此面對的一對放電電極之間的間隔距離A（X方向距離）可大於在垂直方向上層疊的放電電極之間的間隔距離B。更具體而言，在放電電極層310a、310b、310c及310d中的每一者中，在同一平面上彼此面對的一對放電電極之間的間隔距離A（X方向距離）可為100微米至500微米（等於或大於100微米且等於或小於500微米）。更較佳地，一對放電電極之間的間隔距離A（X方向距離）可為200微米至400微米（等於或大於200微米且等於或小於400微米）。即，較佳地，第一放電電極311與第二放電電極312之間的間隔距離A、第三放電電極313與第四放電電極314之間的間隔距離A、第五放電電極315與第六放電電極316之間的間隔距離A以及第七放電電極317與第八放電電極318之間的間隔距離A中的每一者為200微米至400微米。
當在同一平面上彼此面對的一對放電電極之間的間隔距離A小於100微米時，崩潰電壓可降低至小於300伏特，或者對過電壓的抵抗性可能不足。相反，當在同一平面上彼此面對的一對放電電極之間的間隔距離A大於500微米時，崩潰電壓大於400伏特，此是極高的從而使小於崩潰電壓的過電壓無法旁通或通過。
因此，根據示例性實施例，在同一平面上彼此面對的一對放電電極之間的間隔距離A是在介於200微米至400微米的範圍內形成。
此外，相對於放電電極層的層疊方向，在垂直方向上排列的連續兩個放電電極之間的間隔距離B可為1微米至100微米。較佳地，在垂直方向上排列的連續兩個放電電極之間的間隔距離B可為1微米至50微米，且更佳為3微米至40微米。
此外，放電電極層設置有多個，且所述多個放電電極層在垂直方向上層疊以使過電壓的移動通路（旁通路徑）延伸，藉此改善對過電壓的抵抗性。在示例性實施例中，放電電極層的數目為3至20（等於或大於3且等於或小於20）。
由於當設置三或更少個放電電極層時，過電壓的移動通路為短的，因此過電壓的分佈程度可能為小的，從而由於過電壓而導致損壞（breakage）。換言之，當放電電極層的數目小於三時，對過電壓的抵抗性可小於相關技術對過電壓的抵抗性。此外，在其中層疊有電容器部件2000及過電壓保護部件3000的複合組件中，過電壓保護部件3000的厚度不可避免地具有限制。當放電電極層的數目超過20時，放電電極之間的放電片材必然具有小的厚度而導致製造困難。
因此，在示例性實施例中，設置且在垂直方向上層疊有三或更多個及二十或更少個放電電極層。此處，放電片材120的數目可根據需要等於或大於4且等於或小於21。
此外，在垂直方向上排列的所述多個放電電極較佳地具有彼此相同的長度。當在垂直方向上排列的所述多個放電電極具有相同的長度時，其間的重疊面積增加，且對過電壓的抵抗性改善。
所述多個放電電極310（311至318）可由導電材料（例如包含Ag、Au、Pt、Pd、Ni及Cu中的至少一種成分的金屬或其合金）製成。舉例而言，所述合金可包括Ag與Pd的合金。此處，放電電極310可由與電容器單元2000的內部電極200的材料相同的材料製成。此外，放電電極310中的每一者可具有例如0.5微米至10微米的厚度。即，放電電極310所具有的厚度可與內部電極200中的每一者的厚度相同。然而，放電電極310所具有的厚度可小於或大於內部電極200中的每一者的厚度。舉例而言，放電電極310所具有的厚度可為內部電極200中的每一者的厚度的10%至90%。
放電電極310可具有小於內部電極200的X方向長度的X方向長度以及等於、大於或小於內部電極200的Y方向長度的Y方向長度。此外，放電電極310所具有的面積可等於或小於內部電極200的面積。
過電壓保護部件3000所具有的預定電容小於或大於電容器部件2000的預定電容。即，電容器部件2000可具有各種電容，且複合組件的總電容可根據需要調節。
此外，過電壓保護部件3000的崩潰電壓可等於或大於300伏特且小於電容器部件2000的絕緣崩潰電壓。即，過電壓保護部件3000的崩潰電壓可等於或大於300伏特且小於電容器部件2000的絕緣崩潰電壓。當崩潰電壓小於絕緣崩潰電壓時，電容器部件2000可在絕緣損壞之前對過電壓進行放電。
表1示出根據第一實驗實例至第四實驗實例的複合組件中的過電壓保護部件的崩潰電壓減小率（breakdown voltage decreasing rate）。
此處，根據第一實驗實例的複合組件包括雙浮點型過電壓保護部件3000（參照圖9）。此外，根據第二實驗實例至第四實驗實例的複合組件包括根據示例性實施例的過電壓保護部件3000。此處，根據第二實驗實例的複合組件的過電壓保護部件3000具有三層式放電電極層，根據第三實驗實例的複合組件的過電壓保護部件3000具有四層式放電電極層，且根據第四實驗實例的複合組件的過電壓保護部件3000具有五層式放電電極層。此外，根據第一實驗實例至第四實驗實例的複合組件的電容器部件2000與圖1中的電容器部件相同。
當提供根據第一實驗實例至第四實驗實例的複合組件時，藉由施加+10千伏特的過電壓及-10千伏特的過電壓中的每一者100次且然後計算崩潰電壓降低率（breakdown voltage reduction rate）來評估對過電壓的抵抗性。此處，崩潰電壓降低率表示在施加過電壓100次之後的崩潰電壓相對於初始崩潰電壓的降低率。 [表1]
分類 第一實驗實例 第二實驗實例 第三實驗實例 第四實驗實例
放電電極層的數目 （雙浮點型） 3層式 4層式 5層式
崩潰電壓降低率 20% 18% 16% 14%
參照表1，儘管在根據第一實驗實例的複合組件中過電壓保護部件的崩潰電壓降低率為20%，然而在根據第二實驗實例至第四實驗實例的複合組件中過電壓保護部件的崩潰電壓降低率小於20%，此小於第一實驗實例的崩潰電壓降低率。因此，根據示例性實施例的複合組件中的過電壓保護部件的過電壓電阻大於相關技術的雙浮點型過電壓保護部件3000的過電壓電阻。4. 耦合部件
耦合部件4000可設置於層疊體1000中的電容器部件2000與過電壓保護部件3000之間。此處，電容器部件2000與過電壓保護部件3000可藉由不同的製程製造，且然後藉由耦合部件4000耦合。耦合部件4000可包含能夠耦合由電容器部件2000形成的第一層疊體與由過電壓保護部件3000形成的第二層疊體的材料。為此，耦合部件4000可由例如玻璃膏體、聚合物膏體及寡聚物膏體等具有黏合力的膏體形成。即，耦合部件4000可由包含玻璃的膏體、包含聚合物的膏體及包含寡聚物的膏體形成。玻璃膏體可包含SiO2 、BiO2 、B2 O3 、BaO及Al2 O3 中的至少一者，且聚合物膏體可包含Si樹脂及合成樹脂。此外，寡聚物膏體可包含環氧樹脂，且環氧樹脂可包括酚醛清漆系環氧樹脂、雙酚系環氧樹脂、胺系環氧樹脂、脂環族系環氧樹脂及溴系環氧樹脂。
下面將闡述使用上述耦合部件4000來耦合電容器部件2000與過電壓保護部件3000的方法。藉由在所述多個介電片材110中的每一者上形成內部電極200且然後層疊及燒結所述多個介電片材110來製造電容器部件2000。藉由分別在所述多個放電片材120上形成所述多個放電電極層310a、310b、310c及310d（即所述多個放電電極310（311至318））且然後層疊及燒結所述多個放電片材120來製造過電壓保護部件3000。此後，藉由在電容器部件2000的一個表面上形成耦合部件4000且然後將過電壓保護部件3000耦合至耦合部件400來製造層疊體。為此，將電容器部件2000對準至夾具，然後將黏合膏體施加至電容器部件2000的所述一個表面，且然後將過電壓保護部件3000對準並壓縮於其上。此處，在片材100的層疊方向上層疊電容器部件2000及過電壓保護部件3000，以使內部電極200及放電電極310分別暴露至層疊體1000的兩個相對表面。此外，可在電容器部件2000與過電壓保護部件3000耦合之後在預定溫度下執行熱處理。舉例而言，當使用玻璃膏體時，可在小於電容器部件2000及過電壓保護部件3000中的每一者的燒結溫度的溫度下執行熱處理，且當使用聚合物膏體時，可在10℃至300℃的溫度下執行熱處理。
耦合部件4000可更包含電磁波屏蔽及吸收材料。電磁波屏蔽及吸收材料可包括鐵氧體、氧化鋁等，且以0.01重量%至50重量%包含於耦合部件4000中。即，以100重量%的耦合部件4000的材料計，可以0.01重量%至50重量%包含電磁波屏蔽及吸收材料。當電磁波屏蔽及吸收材料小於0.01重量%時，電磁波屏蔽及吸收特性可能降低，且當電磁波屏蔽及吸收材料大於50重量%時，使用耦合部件4000的結合特性可能劣化。由於耦合部件4000中進一步包含有電磁波屏蔽及吸收材料，因此耦合部件4000可屏蔽或吸收電磁波。在上文中，闡述電容器部件2000與過電壓保護部件3000藉由耦合部件4000耦合。然而，電容器部件2000與過電壓保護部件3000可藉由其他單元及方法耦合。5. 外部電極
外部電極5000（5100及5200）可分別設置於層疊體1000的彼此面對的兩個側表面上。外部電極5000（5100及5200）連接至形成於層疊體1000中的內部電極200及放電電極310。即，外部電極5000可設置於彼此面對的兩個側表面（例如，第一側表面與第二側表面）中的每一者上，或者二或更多個外部電極5000可設置於所述兩個側表面中的每一者上。
在下文中，設置於層疊體1000的一個側表面上且連接至第一內部電極210、第三內部電極230、第五內部電極250及第七內部電極270以及第一放電電極311、第三放電電極313、第五放電電極315及第七放電電極317的外部電極被稱為第一外部電極5100，且設置於層疊體1000的另一側表面上以面對第一外部電極5100且連接至第二內部電極220、第四內部電極240及第六內部電極260以及第二放電電極312、第四放電電極314、第六放電電極316及第八放電電極318的外部電極被稱為第二外部電極5200。
此處，第一外部電極5100及第二外部電極5200中的一者可連接至電子裝置中的例如印刷電路板（printed circuit board，PCB）等內部電路，且另一者可連接至電子裝置的外部，例如金屬殼體。舉例而言，第一外部電極5100可連接至內部電路，且第二外部電極5200可連接至金屬殼體。此外，第二外部電極5200可藉由導電構件（例如，接觸器或導電墊圈）連接至金屬殼體。
外部電極5000可藉由各種方法形成。即，外部電極5000可藉由使用導電膏體的浸漬或印刷方法形成，或者藉由例如沈積、濺鍍及鍍覆等各種方法形成。外部電極5000可在Y方向及Z方向上的平面上延伸。即，外部電極5000可自在X方向上相對的兩個表面延伸至與其相鄰的四個表面。舉例而言，當浸沒於導電膏體中時，外部電極5000可形成於在X方向上相對的所述兩個側表面上、Y方向上的前表面及後表面上以及Z方向上的頂表面及底表面上。另一方面，當藉由例如印刷、沈積、濺鍍及鍍覆等方法形成時，外部電極5000可形成於X方向上的所述兩個側表面上。即，根據形成方法或製程條件，外部電極5000可形成於裝設至印刷電路板的一個側表面上、連接至金屬殼體的另一側表面上以及其他區域上。外部電極5000可由例如選自由金、銀、鉑、銅、鎳、鈀及其合金組成的群組的至少一者等導電金屬製成。此處，外部電極5000的連接至內部電極200及放電電極310的至少一部分（即外部電極5000的形成於層疊體1000的至少一個表面上且連接至內部電極200及放電電極310的一部分）可由與內部電極200及放電電極310相同的材料製成。舉例而言，當連接電極由銅形成時，外部電極500的接觸連接電極200的區域的至少一部分可由銅形成。此處，如上所述，銅可藉由使用導電膏體的上述浸漬或印刷方法形成或者藉由例如沈積、濺鍍及鍍覆等方法形成。較佳地，外部電極5000可藉由鍍覆形成。外部電極5000可藉由以下方式形成：在層疊體1000的頂表面及底表面上形成晶種層且然後自晶種層形成鍍覆層，以便藉由鍍覆製程形成外部電極5000。此處，外部電極5000的連接至內部電極200及放電電極310的至少一部分可為層疊體1000的上面形成有外部電極5000的整個側表面或者其部分區域。外部電極5000可由例如Cu及Ag等金屬層形成，且至少一個鍍覆層可形成於金屬層上。舉例而言，外部電極5000可藉由層疊銅層、Ni鍍覆層及Sn或Sn/Ag鍍覆層來形成。作為另一選擇，鍍覆層可藉由層疊Cu鍍覆層及Sn鍍覆層或藉由層疊Cu鍍覆層、Ni鍍覆層及Sn鍍覆層來形成。此外，外部電極5000可藉由將例如主要成分為0.5%至20%的Bi2 O3 或SiO2 的多成分玻璃熔塊（glass frit）與金屬粉末混合來形成。此處，玻璃熔塊與金屬粉末的混合物可以膏體型製備，且施加至層疊體1000的兩個表面。由於如上所述玻璃熔塊包含於外部電極5000中，因此外部電極5000與層疊體1000之間的黏合力可改善，且層疊體1000中的內部電極之間的接觸反應可改善。此外，可施加包含玻璃的導電膏體，且然後可在其上形成至少一個鍍覆層以形成外部電極5000。即，外部電極5000可藉由形成包含玻璃的金屬層且在其上形成至少一個鍍覆層來形成。舉例而言，外部電極5000可藉由形成包含玻璃熔塊、Ag及Cu中的至少一者的層且然後藉由電鍍或無電鍍覆依序形成Ni鍍覆層及Sn鍍覆層來形成。此處，Sn鍍覆層所具有的厚度可等於或大於Ni鍍覆層的厚度。作為另一選擇，外部電極5000可僅藉由至少一個鍍覆層來形成。即，外部電極5000可在不施加膏體的條件下藉由使用鍍覆製程將具有至少一個層的鍍覆層形成至少一次來形成。此外，外部電極5000可具有2微米至100微米的厚度，Ni鍍覆層可具有1微米至10微米的厚度，且Sn或Sn/Ag鍍覆層可具有2微米至10微米的厚度。6. 表面改質構件
表面改質構件6000可形成於層疊體1000的表面的至少一部分上。即，表面改質構件6000可設置於層疊體1000的整個表面上或僅設置於與層疊體1000的外部電極5000接觸的區域上。即，設置於層疊體1000的所述表面的一部分上的表面改質構件6000可設置於層疊體1000與外部電極5000之間。此處，表面改質構件6000可接觸外部電極5000的延伸區域。即，表面改質構件6000可設置於外部電極5000的延伸至層疊體1000的頂表面及底表面的一個區域與層疊體1000之間。此外，表面改質構件6000所具有的長度可與設置於其上的外部電極5000的長度相等或不同。舉例而言，表面改質構件6000所具有的面積可對應於外部電極5000的延伸至層疊體1000的頂表面及底表面的一部分的面積的50%至150%。即，表面改質構件6000所具有的尺寸可小於或大於外部電極5000的延伸區域的尺寸，或者具有與外部電極5000相同的尺寸。作為另一選擇，表面改質構件6000可設置於在層疊體1000的側表面上設置的外部電極5000與層疊體1000之間。表面改質構件6000可包含玻璃材料。舉例而言，表面改質構件6000可包含能夠在預定溫度（例如950℃或小於950℃的溫度）下塑化的非硼矽酸鹽玻璃（SiO2 -CaO-ZnO-MgO系玻璃）。此外，表面改質構件6000可更包含磁性材料。即，當上面形成有表面改質構件6000的區域由磁性片材形成時，磁性材料可部分地包含於表面改質構件6000中，以容易地將表面改質構件6000與磁性片材耦合。此處，磁性材料可包括例如NiZnCu系磁性粉末，且以100重量%的玻璃材料計，磁性材料可以1重量%至15重量%的含量被包含。表面改質構件6000的至少一部分可形成於層疊體1000的表面上。此處，如圖3的(a)中所示，玻璃材料的至少一部分可均勻地分佈於層疊體1000的表面上，或者如圖3的(b)中所示，玻璃材料的至少一部分可以不同的尺寸非均勻地設置。作為另一選擇，表面改質構件6000可連續地形成於層疊體1000的表面上，以具有層形狀。此外，如圖3的(c)中所示，在層疊體1000的表面的至少一部分中可界定有凹陷部分。即，可形成氧化物以形成突起部件，且上面未形成氧化物的區域的至少一部分可進行凹陷以形成凹陷部件。此處，玻璃材料可自層疊體1000的表面以預定高度形成，且因此玻璃材料的至少一部分可被形成為高於層疊體1000的表面。即，表面改質構件6000的至少一部分可形成與層疊體100的表面相同的平面，且表面改質構件6000的至少一部分可維持高於層疊體1000的表面。如上所述，由於表面改質構件6000是在形成外部電極5000之前藉由將玻璃材料分佈於層疊體1000的部分區域上來形成，因此層疊體1000的表面可被改質，且因此所述表面可具有均勻的電阻。因此，可控制外部電極的形狀，且因此可容易地形成外部電極。表面改質構件6000可藉由將包含玻璃材料的膏體印刷或施加於預定片材的預定區域上而形成於層疊體1000的表面的預定區域上。舉例而言，表面改質構件6000可藉由以下方式來形成：將玻璃膏體施加至第五放電片材125的頂表面的至少兩個區域及第一介電片材111的底表面的至少兩個區域，且然後固化所施加的玻璃膏體。此外，表面改質構件6000可使用氧化物來形成。即，表面改質構件6000可使用玻璃材料及氧化物中的至少一者來形成，且可藉由進一步包含磁性材料來形成。此處，在表面改質構件6000中，呈結晶狀態或非晶狀態的氧化物可分佈且分散於層疊體1000的表面上。此處，分佈於表面上的氧化物的至少一部分可熔化。此處，氧化物亦可如圖3的(a)至圖3的(c)中所示般形成。此外，即使當表面改質構件6000由氧化物製成時，氧化物亦可彼此間隔開且以島形狀分佈，且可在至少一個區域上形成為層形狀。此處，呈顆粒狀態或熔融狀態的氧化物可使用Bi2 O3 、BO2 、B2 O3 、ZnO、Co3 O4 、SiO2 、Al2 O3 、MnO、H2 BO3 、Ca(CO3 )2 、Ca(NO3 )2 及CaCO3 中的至少一者。如上所述，根據示例性實施例的複合組件可包括藉由耦合部件4000耦合的至少一個電容器部件2000與至少一個過電壓保護部件300。因此，可製備其中在垂直方向上層疊有二或更多個功能部件的複合組件。此處，由於複合組件的功能部件藉由相應製程製造及燒結且然後彼此耦合，因此不同功能部件的材料不會彼此擴散，從而不會使功能部件的相應功能劣化。當製備複合組件的過電壓保護部件3000時，放電電極層被形成為使得一對放電電極在同一平面上彼此面對，且此處，所述一對放電電極之間的間隔距離A可為100微米至500微米。此外，放電電極層被層疊成具有三個層或大於三個層。因此，可製備具有等於或大於300伏特、更具體而言等於或大於300伏特且等於或小於400伏特的崩潰電壓且具有相關技術的對過電壓的改善的抵抗性的複合組件。圖4是示出根據另一示例性實施例的複合組件的示意性橫截面圖。在上述示例性實施例中，電容器部件2000包括至少兩個內部電極200及設置於其間的至少兩個介電片材110。
然而，示例性實施例不限於此。舉例而言，電容器部件可具有包括至少一個介電片材而不包括內部電極200的結構。此處，可提供一個介電片材或者可提供並層疊多個介電片材。根據另一示例性實施例的上述電容器部件2000可具有0.01微微法拉至5.0微微法拉的電容。
圖5是示出根據又一示例性實施例的複合組件的示意性橫截面圖。
當如示例性實施例中般形成第一外部電極5100及第二外部電極5200時，可以浸漬或印刷方法將導電膏體施加至層疊體1000的側表面，且然後在300℃或大於300℃的溫度下執行熱處理，即燒結。
當耦合部件4000由聚合物膏體製成時，電容器部件2000與過電壓保護部件3000藉由施加聚合物膏體且然後在10℃至300℃的溫度下執行熱處理來耦合。
然而，當第一外部電極5100及第二外部電極5200在耦合部件形成之後藉由包括烘焙製程（baking process）的方法來形成時，耦合部件4000可由於烘焙溫度而碳化，且因此電容器部件2000與過電壓保護部件3000之間的耦合或結合效能可能劣化。
因此，當使用聚合物膏體形成耦合部件4000時，根據圖5中的又一示例性實施例，在電容器部件2000與過電壓保護部件3000之間形成耦合部件4000之前，可在介電片材110的兩個側表面上形成外部電極（下文稱為第三外部電極5300及第四外部電極5400），可在放電片材120的兩個側表面上形成外部電極（下文稱為第五外部電極5500及第六外部電極5600），然後可在第三外部電極5300及第五外部電極5500的外表面上形成第一外部電極5100，且然後可在第四外部電極5400及第六外部電極5600的外表面上形成第二外部電極5200。
即，單獨地製備電容器部件2000與過電壓保護部件3000，且然後在電容器部件2000的兩個相對側表面上形成第三外部電極5300及第四外部電極5400，且在過電壓保護部件3000的兩個相對側表面上形成第五外部電極5500及第六外部電極5600。此處，第三外部電極5300、第四外部電極5400、第五外部電極5500及第六外部電極5600中的每一者可藉由烘焙製程形成。
此後，將聚合物膏體施加於電容器部件2000與過電壓保護部件3000之間的位置處，且然後藉由在10℃至300℃的溫度下執行熱處理來固化以形成耦合部件4000。
因此，電容器部件2000與過電壓保護部件3000藉由耦合部件4000耦合，第三外部電極5300及第五外部電極5500在垂直方向上排列，且第四外部電極5400及第六外部電極5600在垂直方向上排列。
此處，第三外部電極5300及第四外部電極5400中的每一者的垂直延伸長度可大於電容器部件2000的高度，且第三外部電極5300及第四外部電極5400中的每一者可具有在電容器部件2000上方及下方突起的上部端部及下部端部。此外，第五外部電極5500及第六外部電極5600中的每一者的垂直延伸長度可大於過電壓保護部件3000的高度，且第五外部電極5500及第六外部電極5600中的每一者可具有在過電壓保護部件3000上方及下方突起的上部端部及下部端部。
此外，第三外部電極5300與第四外部電極5400直接連接至電容器部件2000的內部電極200且彼此面對。第三外部電極5300連接至第一內部電極210、第三內部電極230、第五內部電極250及第七內部電極270，且第四外部電極5400連接至第二內部電極220、第四內部電極240及第六內部電極260。
此外，第五外部電極5500與第六外部電極5600直接連接至過電壓保護部件3000的放電電極且彼此面對。第五外部電極5500連接至第一放電電極311、第三放電電極313、第五放電電極315及第七放電電極317，且第六外部電極5600連接至第二放電電極312、第四放電電極314、第六放電電極316及第八放電電極318。
此後，在第三外部電極5300及第五外部電極5500的外表面上形成第一外部電極5100，且在第四外部電極5400及第六外部電極5600的外表面上形成第二外部電極5200。此處，第一外部電極5100及第二外部電極5200以藉由調節材料或形成方法中的至少一者來排除烘焙製程的方法形成，所述方法為例如使用金屬膏體進行固化（在10℃至300℃的溫度下固化）的浸漬方法。
如上所述，在不進行烘焙製程的條件下形成第三外部電極5300至第六外部電極5600，且然後使用聚合物膏體形成耦合部件。由於第一外部電極5100及第二外部電極5200是藉由排除烘焙製程的方法形成，因此可防止耦合部件4000的碳化。因此，可防止由外部電極的形成引起的耦合部件4000的碳化以及由碳化引起的耦合效能的降低。
根據示例性實施例的複合組件可設置於包括例如智慧型電話等可攜式電子裝置在內的電子裝置中。舉例而言，如圖6中所示，包括電容器部件及過電壓保護部件的複合組件可設置於內部電路20（例如，PCB）與可由電子裝置的使用者接觸的導體（即金屬殼體10）之間。在圖6中，電容器部件由參考符號C表達，且過電壓保護部件由參考符號V表達。即，在複合組件中，外部電極5000中的一者可接觸金屬殼體10，且外部電極5000中的另一者可接觸內部電路20。此處，在內部電路20中可設置有接地端子。即，外部電極5000中的一者可接觸金屬殼體10，且另一者可連接至接地端子。
此外，如圖7中所示，金屬殼體10與複合組件之間可設置有電性連接金屬殼體10且具有彈力的接觸部件30。即，接觸部件30及根據示例性實施例的複合組件可設置於電子裝置的金屬殼體10與內部電路20之間。此處，在複合組件中，外部電極5000中的一者可接觸接觸部件30，且另一者可藉由內部電路20連接至接地端子。接觸部件30可具有彈力以當外力自外部施加至電子裝置時減輕衝擊。接觸部件30可由包含導電材料的材料製成。接觸部件30可具有夾子形狀且為導電墊圈。此外，接觸部件30的至少一個區域可裝設至例如PCB等內部電路20。如上所述，複合組件可設置於金屬殼體10與內部電路20之間以阻斷自內部電路20引入的漏電流。此外，複合組件可將例如ESD等過電壓旁通至接地端子，且由於絕緣不會被過電壓損壞因而連續地阻斷漏電流。即，在根據示例性實施例的複合組件中，電流可不由於漏電流而在額定電壓及電擊電壓下在外部電極5000之間流動，且電流可在例如ESD等過電壓下流經過電壓保護部件3000，以使過電壓旁通至接地端子。
此處，複合組件可具有大於額定電壓且小於例如ESD等過電壓的崩潰電壓或放電起始電壓（discharge inception voltage）。舉例而言，複合組件可具有100伏特至240伏特的額定電壓，電擊電壓可等於或大於操作電壓，由外部靜電產生的過電壓可大於電擊電壓，且崩潰電壓或放電起始電壓可為300伏特至15千伏特。
此外，通訊訊號可藉由電容器部件2000在內部電路20與外部之間傳輸。即，來自外部的通訊訊號（例如，射頻（radio frequency，RF）訊號）可藉由電容器部件2000傳輸至內部電路20，且來自內部電路20的通訊訊號可藉由電容器部件2000傳輸至外部。因此，即使當金屬殼體10被用作天線而非提供單獨的天線時，亦可使用電容器部件2000將通訊訊號傳輸至外部及自外部接收通訊訊號。因此，根據示例性實施例的複合組件可阻斷自內部電路的接地端子引入的漏電流，且將自外部施加的過電壓旁通至接地端子，以在外部與電子裝置之間傳輸通訊訊號。
此外，根據示例性實施例的複合組件可用作設置於金屬殼體10與內部電路20之間的電擊防止組件；藉由層疊具有高耐壓性的多個絕緣片材以維持絕緣電阻狀態來形成電容器部件2000，當例如300伏特的電擊電壓由於有缺陷的充電器而自內部電路施加至金屬殼體時，絕緣電阻狀態會防止漏電流流動；且形成過電壓防止部件以當過電壓自金屬殼體施加至內部電路時，藉由旁通過電壓來維持高絕緣電阻狀態而不損害組件。因此，複合組件可具有甚至不會被過電壓損壞的絕緣，且設置於包括金屬殼體的電子裝置中，以連續地防止自有缺陷的充電器產生的漏電流藉由電子裝置的金屬殼體傳輸至使用者。
此外，如下所述，將在特性上對根據示例性實施例的複合組件與具有電容器或過電壓保護功能的組件進行比較。此種特性比較確定當在電子裝置的金屬殼體與內部電路之間設置每一組件時的漏電流（即電擊電壓或電流）保護特性、過電壓（例如ESD）保護特性及通訊頻率干擾特性。
首先，在電容器的情形中，即在根據示例性實施例僅包括電容器部件而不包括過電壓保護部件及耦合部件的情形中，所述組件可具有漏電流保護特性。此外，儘管不產生通訊頻率干擾，然而由於所述組件不具有過電壓保護特性，因此所述組件可能被過電壓（例如ESD）損害。此外，在所述組件被過電壓損害之後，漏電流阻斷功能不發揮作用。
當電容等於或大於20微微法拉以防止通訊頻率干擾時，瞬態電壓抑制器（transient voltage suppressor，TVS）二極體可能無法以小尺寸達成300伏特或大於300伏特的放電起始電壓從而無法獲得漏電流阻斷特性。此外，當達成用於電擊保護的300伏特或大於300伏特的放電起始電壓時，可能無法以小尺寸獲得等於或大於20微微法拉的電容。即，儘管瞬態電壓抑制器二極體可具有過電壓保護特性，然而獲得電擊保護特性會使得產生通訊頻率干擾限制，且防止通訊頻率干擾會使得無法獲得電擊保護特性。
在變阻器的情形中，即在根據示例性實施例的僅包括過電壓保護部件而不包括電容器部件及耦合部件的情形中，由於當達成20微微法拉或大於20微微法拉的電容以防止通訊頻率干擾時，無法以小尺寸達成300伏特或大於300伏特的放電起始電壓，因此無法獲得漏電流阻斷特性。此外，當達成用於電擊保護的300伏特或大於300伏特的放電起始電壓時，無法以小尺寸獲得等於或大於20微微法拉的電容。即，儘管變阻器可具有過電壓保護特性，然而獲得電擊保護特性會使得產生通訊頻率干擾限制，且防止通訊頻率干擾會使得無法獲得電擊保護特性。
在其中電容器部件與過電壓保護部件被同時燒結的組件的情形中，即在當電容器部件與過電壓保護部件被層疊且然後被同時燒結的情形中，所述組件可旁通等於或大於所述組件的放電起始電壓的ESD電壓（例如2千伏特或大於2千伏特的過電壓），但是可能不旁通等於或小於放電起始電壓的過電壓（例如2千伏特）。即，同時燒結的組件具有過電壓保護效能劣化的限制。
然而，在根據示例性實施例的複合組件中，即在其中電容器部件與過電壓保護部件被單獨地製造且然後使用耦合部件耦合的複合組件中，過電壓保護部件可獲得300伏特至500伏特的放電起始電壓。因此，所述組件可旁通等於或大於300伏特的過電壓。此外，儘管放電起始電壓為低的，所述組件亦具有會防止通訊頻率干擾的等於或大於0.5微微法拉的電容，較佳地具有20微微法拉至200微微法拉的電容。
根據示例性實施例，相較於相關技術，複合組件可具有300伏特或大於300伏特的崩潰電壓以及對過電壓的改善的抵抗性。因此，複合組件表現出質量改善的效果。
此外，具有不同功能的電容器部件與過電壓保護部件可藉由耦合部件耦合。由於具有不同功能的電容器部件與過電壓保護部件使用耦合部件耦合，因此可防止由於複合組件的收縮率的不同而引起的畸變（distortion）、分層（delamination）及開裂（crack）。
此外，由於電容器部件及過電壓保護部件是藉由相應的製程製造及燒結，且然後藉由耦合部件耦合，因此可防止電容器部件的材料與過電壓保護部件的材料彼此擴散，且因此可防止相應功能部件的功能的劣化。
然而，本發明可實施為不同形式，且不應被視為僅限於本文中所述的實施例。確切而言，提供該些實施例是為使此揭露內容將透徹及完整並將向熟習此項技術者充分傳達本發明的範圍。此外，本發明僅由申請專利範圍的範圍來界定。
10:金屬殼體 20:內部電路 30:接觸部件 100:片材 110:介電片材 111:介電片材/第一介電片材 112:介電片材/第二介電片材 113:介電片材/第三介電片材 114:介電片材/第四介電片材 115:介電片材/第五介電片材 116:介電片材/第六介電片材 117:介電片材/第七介電片材 118:介電片材/第八介電片材 120:放電片材 121:放電片材/第一放電片材 122:放電片材/第二放電片材 123:放電片材/第三放電片材 124:放電片材/第四放電片材 125:放電片材/第五放電片材 200:內部電極 210:內部電極/第一內部電極 220:內部電極/第二內部電極 230:內部電極/第三內部電極 240:內部電極/第四內部電極 250:內部電極/第五內部電極 260:內部電極/第六內部電極 270:內部電極/第七內部電極 310:放電電極 310a:放電電極層/第一放電電極層 310b:放電電極層/第二放電電極層 310c:放電電極層/第三放電電極層 310d:放電電極層/第四放電電極層 311:放電電極/第一放電電極 312:放電電極/下部放電電極/第二放電電極 313:放電電極/第三放電電極 314:放電電極/第四放電電極 315:放電電極/第五放電電極 316:放電電極/第六放電電極 317:放電電極/第七放電電極 318:放電電極/第八放電電極 322:放電電極/上部放電電極 1000:層疊體 2000、C:電容器部件 3000、V:過電壓保護部件 4000:耦合部件 5000:外部電極 5100:外部電極/第一外部電極 5200:外部電極/第二外部電極 5300:第三外部電極 5400:第四外部電極 5500:第五外部電極 5600:第六外部電極 6000:表面改質構件 A、B、C1、C2、C3、C4:間隔距離 A-A':線 X、Y、Z:方向
圖1是示出根據示例性實施例的複合組件的立體圖。 圖2是示出根據示例性實施例的複合組件且沿線A-A'截取的橫截面圖。 圖3的(a)、圖3的(b)及圖3的(c)是示出根據示例性實施例的複合組件的表面的至少一部分的示意圖。 圖4是示出根據另一示例性實施例的複合組件的示意性橫截面圖。 圖5是示出根據又一示例性實施例的複合組件的示意性橫截面圖。 圖6及圖7是示出根據示例性實施例的複合組件的排列形狀的方塊圖。 圖8是示出包括過電壓保護部件的典型複合組件的橫截面圖。
100:片材
110:介電片材
111:介電片材/第一介電片材
112:介電片材/第二介電片材
113:介電片材/第三介電片材
114:介電片材/第四介電片材
115:介電片材/第五介電片材
116:介電片材/第六介電片材
117:介電片材/第七介電片材
118:介電片材/第八介電片材
120:放電片材
121:放電片材/第一放電片材
122:放電片材/第二放電片材
123:放電片材/第三放電片材
124:放電片材/第四放電片材
125:放電片材/第五放電片材
200:內部電極
210:內部電極/第一內部電極
220:內部電極/第二內部電極
230:內部電極/第三內部電極
240:內部電極/第四內部電極
250:內部電極/第五內部電極
260:內部電極/第六內部電極
270:內部電極/第七內部電極
310:放電電極
310a:放電電極層/第一放電電極層
310b:放電電極層/第二放電電極層
310c:放電電極層/第三放電電極層
310d:放電電極層/第四放電電極層
311:放電電極/第一放電電極
312:放電電極/下部放電電極/第二放電電極
313:放電電極/第三放電電極
314:放電電極/第四放電電極
315:放電電極/第五放電電極
316:放電電極/第六放電電極
317:放電電極/第七放電電極
318:放電電極/第八放電電極
1000:層疊體
2000:電容器部件
3000:過電壓保護部件
4000:耦合部件
5100:外部電極/第一外部電極
5200:外部電極/第二外部電極
A、B:間隔距離

Claims (15)

  1. 一種複合組件，包括： 層疊體； 電容器部件，設置於所述層疊體中； 過電壓保護部件，在所述層疊體中與所述電容器部件間隔開，且包括放電電極層，所述放電電極層具有彼此間隔開以在同一平面上彼此面對的一對放電電極，其中在與所述一對放電電極的排列方向交叉的方向上設置且層疊有三個放電電極層；以及 第一外部電極及第二外部電極，形成於所述層疊體的兩個外側上以彼此面對，且連接至所述電容器部件及所述過電壓保護部件。
  2. 如請求項1所述的複合組件，其中所述一對放電電極之間的間隔距離（A）為100微米至500微米。
  3. 如請求項2所述的複合組件，其中所述一對放電電極之間的所述間隔距離（A）為200微米至400微米。
  4. 如請求項1所述的複合組件，其中所述過電壓保護部件包括在所述放電電極層的排列方向上層疊的四個或更多個放電片材，且 所述放電電極層形成於所述四個放電片材中的至少三個放電片材中的每一者的一個表面上。
  5. 如請求項1所述的複合組件，其中所述一對放電電極之間的間隔距離（A）大於相對於所述放電電極層的層疊方向連續排列的兩個放電電極之間的間隔距離（B）。
  6. 如請求項5所述的複合組件，其中相對於所述放電電極層的所述層疊方向連續排列的所述兩個放電電極之間的所述間隔距離（B）為1微米至100微米。
  7. 如請求項1所述的複合組件，其中所述電容器部件包括在一個方向上層疊的多個介電片材。
  8. 如請求項7所述的複合組件，其中所述電容器部件包括形成於多個介電片材中的至少兩個介電片材上的二個或更多個內部電極。
  9. 如請求項1所述的複合組件，更包括耦合部件，所述耦合部件設置於所述電容器部件與所述過電壓保護部件之間，以耦合所述電容器部件與所述過電壓保護部件。
  10. 如請求項1所述的複合組件，更包括表面改質構件，所述表面改質構件形成於所述層疊體的表面的至少一部分上，且由與所述層疊體的所述表面不同的材料製成。
  11. 如請求項10所述的複合組件，其中所述第一外部電極及所述第二外部電極各自在所述層疊體的最上片材及最下片材中的至少一者上延伸，且所述表面改質構件設置於所述第一外部電極及所述第二外部電極中的每一者的延伸區域與所述層疊體之間。
  12. 如請求項1所述的複合組件，更包括形成於所述電容器部件與所述第一外部電極之間的第三外部電極、形成於所述電容器部件與所述第二外部電極之間的第四外部電極、形成於所述過電壓保護部件與所述第一外部電極之間的第五外部電極以及形成於所述過電壓保護部件與所述第二外部電極之間的第六外部電極。
  13. 如請求項1所述的複合組件，其中所述電容器部件包括至少一個介電片材而不包括內部電極。
  14. 一種電子裝置，包括使用者可接觸的導體以及內部電路， 其中如請求項1至請求項13中任一項所述的複合組件設置於所述導體與所述內部電路之間。
  15. 如請求項14所述的電子裝置，其中所述複合組件藉由所述內部電路來旁通藉由所述導體自外部施加的過電壓，阻斷藉由所述內部電路洩露的漏電流，且傳輸通訊訊號。
TW109109540A 2019-04-05 2020-03-23 複合組件以及包括其之電子裝置 TW202109577A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0040416 2019-04-05
KR20190040416 2019-04-05
KR10-2020-0015799 2020-02-10
KR1020200015799A KR102335084B1 (ko) 2019-04-05 2020-02-10 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202109577A true TW202109577A (zh) 2021-03-01

Family

ID=72847274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109109540A TW202109577A (zh) 2019-04-05 2020-03-23 複合組件以及包括其之電子裝置

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102335084B1 (zh)
TW (1) TW202109577A (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100638802B1 (ko) 2003-07-30 2006-10-25 주식회사 이노칩테크놀로지 다양한 커패시턴스 값을 갖는 적층 칩 소자
US8885324B2 (en) * 2011-07-08 2014-11-11 Kemet Electronics Corporation Overvoltage protection component
KR102073726B1 (ko) * 2016-12-29 2020-02-05 주식회사 모다이노칩 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR102136150B1 (ko) * 2017-05-02 2020-07-21 주식회사 아모텍 복합형 감전방지소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200117844A (ko) 2020-10-14
KR102335084B1 (ko) 2021-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI648752B (zh) 複合構件以及具有該構件的電子裝置
US8847726B2 (en) Method for manufacturing ESD protection device and ESD protection device
KR102084737B1 (ko) 복합 소자의 제조 방법, 이에 의해 제조된 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR101462798B1 (ko) 외부 전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자 부품
US10446322B2 (en) Composite electronic component and board having the same mounted thereon
KR101565651B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
KR20200132687A (ko) 전자부품의 실장 구조체 및 그 제조 방법
KR20190126610A (ko) 적층형 커패시터
WO2005088654A1 (ja) 静電気対策部品
KR102076152B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터 실장 기판
KR20170135146A (ko) 감전 방지 컨택터
US20160056627A1 (en) Esd protection device
KR102053356B1 (ko) 복합 소자의 제조 방법, 이에 의해 제조된 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR102076148B1 (ko) 적층형 커패시터
TW202109577A (zh) 複合組件以及包括其之電子裝置
KR102145311B1 (ko) 세라믹 전자 부품
KR102053355B1 (ko) 적층형 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR100691156B1 (ko) 적층형 유전체 필터
WO2020204415A1 (ko) 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
WO2018124492A1 (ko) 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR101842211B1 (ko) 감전 방지 컨택터 및 이를 구비하는 전자기기
TWI781418B (zh) 具有低電容及改良耐用性的陶瓷過電壓保護裝置及其製造方法
US20230283253A1 (en) Notch filter
KR101963294B1 (ko) 복합 전자부품 및 그 실장 기판
KR20220098507A (ko) 내충격성이 향상되는 적층 세라믹 콘덴서