JPWO2009096438A1 - 導電パターンの作製方法 - Google Patents

Abstract

（ａ）表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（ｂ）アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、（ｃ）回路パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）エッチング工程をこの順に含み、該アルカリ水溶液が無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液である導電パターンの作製方法、または、（ａ′）孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（ｉ）孔上のみ又は孔上とその周囲部の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、（ｂ′）アルカリ水溶液によって未硬化部の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、（ｃ）回路パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）エッチング工程をこの順に含み、該アルカリ水溶液が無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液である導電パターンの作製方法。

Description

本発明は、サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法に関する。

プリント配線板やリードフレームの製造方法として、表面に導電層を設けた絶縁性基板あるいは導電性基板の回路部にエッチングレジスト層を設け、露出している非回路部の導電層をエッチング除去して導電パターンを形成するサブトラクティブ法がある。また、絶縁性基板の回路部にメッキ法で導電層を設けていくアディティブ法やセミアディティブ法がある。
さて、近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、機器内部に使用されるプリント配線板やリードフレームも高密度化や導電パターンの微細化が進められており、サブトラクティブ法により、現在では導体幅が５０〜８０μｍ未満、導体間隙が５０〜８０μｍの導電パターンが製造されている。また、さらなる高密度化、微細配線化が進み、導体幅あるいは導体間隙５０μｍ未満の超微細な導電パターンが求められるようになってきている。それに伴って、導電パターンの精度やインピーダンスの要求も高くなっている。このような微細な導電パターンを形成するため、従来から、サブトラクティブ法に代わり、セミアディティブ法が検討されているが、製造工程が大幅に増加するという問題や電解メッキ銅の接着強度不足等の問題があった。そのため、サブトラクティブ法でプリント配線板やリードフレームを製造するのが主流となっている。
サブトラクティブ法において、エッチングレジスト層は、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、スクリーン印刷法、インクジェット法等によって形成される。この中でも、フォトファブリケーション法におけるネガ型のドライフィルムレジストと呼ばれるシート状の光架橋性樹脂層を用いた方法は、取り扱い性に優れ、テンティングによるスルーホールの保護が可能なことから好適に用いられている。
光架橋性樹脂層を用いた方法では、基板上に光架橋性樹脂層を形成し、露光現像工程を経てエッチングレジスト層が形成される。微細な導電パターンを形成するためには、微細なエッチングレジスト層を形成させることが必要不可欠である。このために、できる限りレジスト膜厚を薄くする必要がある。光架橋性樹脂層として一般的なドライフィルムレジストでは、例えば、１０μｍ以下の膜厚にすると、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性の低下が原因となり、レジスト層の剥がれや断線が発生するという問題があり、微細なエッチングレジスト層を形成させることは困難であった。
このような問題を解決すべく、基板上に２５μｍ以上の厚みのドライフィルムレジストを貼り付け、次に、アルカリ水溶液を用いてドライフィルムレジストを１０μｍ程度まで薄膜化した後、回路パターンの露光、現像を行ってエッチングレジスト層を形成する方法が提案されている（例えば、特開２００４−２１４２５３号公報参照）。
しかしながら、特開２００４−２１４２５３号公報の方法にはいくつかの問題があった。第１の問題は、薄膜化が不均一になる場合や安定した連続薄膜化処理が行えない場合があることである。特開２００４−２１４２５３号公報に記載されているように、炭酸ナトリウムを１質量％含むアルカリ水溶液を用いてドライフィルムレジストの薄膜化を行うと、基板の面内で液流れの違いによるドライフィルムレジストの溶解速度差が大きく、ドライフィルムレジストを均一に薄膜化することが難しく、エッチング後に面内で導体幅のばらつきが発生する場合があった。また、溶解したドライフィルムレジストがこのアルカリ水溶液中に溶け込むため、連続処理を行うと、アルカリ水溶液の溶解性が変化してしまい、安定した連続薄膜化処理が行えなくなる問題があった。
第２の問題は、スルーホールやブラインド・ビア・ホールと呼ばれる貫通孔や非貫通孔（以下、孔という）を有するプリント配線板を作製する場合に孔内部の導電層が保護できない場合があることである。サブトラクティブ法では、ドライフィルムレジストによるテンティング法で、エッチング液が孔内に入り込まないようにして、孔内に設けられた導電層を保護する。しかしながら、特開２００４−２１４２５３号公報のように、全面にわたって薄膜化処理されたドライフィルムレジストでは、孔上にテンティングしたドライフィルムレジストが破れ、孔内部の導電層がエッチング時に腐食されるという問題が発生することがあった。
第２の問題を解決するために、例えば、感度の異なる第１感光性樹脂層と第２感光性樹脂層が積層したドライフィルムレジストを用いて、第２感光性樹脂層を架橋させるために必要な光量を所定のパターンに照射し、第１感光性樹脂層と第２感光性樹脂層とを共に架橋させるために必要な光量を孔上及びその周囲部に照射し、それによって、導電層表面の導電パターン形成領域と孔上及びその周囲部とで、厚みの異なるエッチングレジスト層を形成する回路基板の作製方法が提案されている（例えば、特開２００５−１３６２２３号公報参照）。しかしながら、特開２００５−１３６２２３号公報に記載の方法においては、感度の異なる２種類の感光性樹脂層を有する特殊なドライフィルムレジストが必要となり、アルカリ現像性や塗布性等の調整が困難であるという問題があった。
第３の問題は、露光に関する問題である。回路パターンの露光方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、露光用マスクを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が知られている。レーザー走査露光方式では、レーザーのビーム径が大きく、高解像度に対応することが困難な場合がある。また、レーザー光源に固有の波長に感度を有する特殊なドライフィルムレジストを使用する必要があるため、一般的ではない。プロキシミティ方式、プロジェクション方式は、露光用マスクとドライフィルムレジストの間に空間があり、露光の回折光により、解像度が低下することがあるため、これも一般的でない。一方、密着露光方式では、露光用マスクとドライフィルムレジストの間の空間は実質ゼロであり、平行光光源を用いれば、最も高解像度に対応した露光方式であると言える。
しかしながら、特開２００４−２１４２５３号公報において、ドライフィルムレジストを薄膜化した後、密着露光方式を用いて回路パターンの露光を行うと、基材表面で反射した光が未露光部に散乱し（ハレーション）、パターンの解像度が悪化するという問題があった。この基材表面のハレーションによる悪影響は、レジストの膜厚が厚い場合には無視できるほど小さいが、厚み１０μｍ以下の極薄膜になるとより顕著に発生し、現像工程後において、２０μｍ以下の狭スペースを解像することが困難であり、さらなる改良が必要であった。
第４の問題も露光工程に関するものである。特開２００４−２１４２５３号公報において、ドライフィルムレジストを薄膜化した後、ドライフィルムレジストの光架橋性樹脂層表面は剥き出しになっているため、このまま露光用マスクと強く真空密着すると、光架橋性樹脂層表面に異物による打痕や傷が発生しやすい。また、光架橋性樹脂層が剥き出しの状態では、搬送工程や投入及び受け取り工程等において、異物の付着や傷による欠陥が発生しやすい。さらに、ドライフィルムレジストの光架橋性樹脂層表面にタック性がある場合には、真空密着時、光架橋性樹脂層表面と露光用マスク表面との滑りが悪くなり、局所的に真空密着不良が発生し、光漏れによるレジスト欠陥が発生しやすくなる。また、光架橋性樹脂層が転写して露光用マスクを汚染したり、レジスト層の剥離等が発生したりする場合があり、余計なクリーニング作業が必要になるという問題があった。

本発明の課題は、サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、表面に導電層を設けた基板上に光架橋性樹脂層を形成し、アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行った後、回路パターンの露光、現像、エッチング処理を行う導電パターンの作製方法において、光架橋性樹脂層を均一に薄膜化することができ、さらに、安定した連続薄膜化処理ができる方法を提供することである。
また、特殊なドライフィルムレジストを必要とせずに、テンティングによる孔内導電層の保護と薄膜化処理による微細な導電パターンの作製とを両立することができる導電パターンの作製方法を提供することである。
さらに、薄膜化処理後の光架橋性樹脂層の厚みが１０μｍ以下の極薄膜になっても、ハレーションによる悪影響をほとんど受けない導電パターンの作製方法を提供することである。
そして、搬送工程や投入及び受け取り工程等において、光架橋性樹脂層上に異物や傷による欠陥が非常に少なく、密着露光時の光架橋性樹脂層による露光用マスクの汚染、レジスト層の剥離等が起こらず、さらに、真空密着不良による光漏れレジスト欠陥が発生しない導電パターンの作製方法を提供することである。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、
（１）サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、（ａ）表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（ｂ）アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、（ｃ）回路パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）エッチング工程をこの順に含み、該アルカリ水溶液が無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液であることを特徴とする導電パターンの作製方法、
（２）サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、（ａ′）孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（ｉ）孔上のみ又は孔上とその周囲部の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、（ｂ′）アルカリ水溶液によって未硬化部の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、（ｃ）回路パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）エッチング工程をこの順に含み、該アルカリ水溶液が無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液であることを特徴とする導電パターンの作製方法、
（３）無機アルカリ性化合物が、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種である上記（１）または（２）記載の導電パターンの作製方法、
（４）アルカリ水溶液が、さらに、硫酸塩、亜硫酸塩から選ばれる少なくとも１種を含む上記上記（１）〜（３）のいずれか記載の導電パターンの作製方法、
（５）光架橋性樹脂層の薄膜化処理が、（ｂ１）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含み、さらに、硫酸塩、亜硫酸塩から選ばれる少なくとも１種を含むアルカリ水溶液で処理する工程、（ｂ２）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を含むｐＨ５〜１０の水溶液で処理する工程を含む上記（１）または（２）記載の導電パターンの作製方法、
（６）（ｂ２）において、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を含むｐＨ５〜１０の水溶液の供給流量が、光架橋性樹脂層１ｃｍ^２当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎである上記（５）記載の導電パターンの作製方法、
（７）光架橋性樹脂層が、（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマー、（Ｂ）分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤及び（Ｄ）重合禁止剤を含有してなり、光架橋性樹脂層に対する（Ｄ）成分の含有量が０．０１〜０．３質量％であることを特徴とする上記（１）または（２）記載の導電パターンの作製方法、
（８）光架橋性樹脂層に対する（Ｂ）成分の含有量が、３５〜５５質量％である上記（７）記載の導電パターンの作製方法、
（９）工程（ｂ）と工程（ｃ）の間に（ｆ）光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層する工程を含み、工程（ｃ）と工程（ｄ）工程の間に（ｇ）透明性フィルムを除去する工程を含む上記（１）記載の導電パターンの作製方法、
（１０）工程（ｂ′）と工程（ｃ）の間に（ｆ）光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層する工程を含み、工程（ｃ）と工程（ｄ）の間に（ｇ）透明性フィルムを除去する工程を含む上記（２）記載の導電パターンの作製方法、
を見出した。

本発明の導電パターンの作製方法（１）においては、表面に導電層を設けられている基板上に光架橋性樹脂層を貼り付けた後、無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含むアルカリ水溶液によって所望の厚みまで光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う。薄膜化処理を行わずに、直接所望の厚みの薄い光架橋性樹脂層を貼り付けると、基板への凹凸追従性不良、レジスト剥がれ等の問題が発生する。しかしながら、本発明では、厚い光架橋性樹脂層を貼り付けるため、基板への凹凸追従性、密着性は極めて良好で、薄膜化処理を行った後においても、その性質は損なわれることはなく、レジスト剥がれ等の問題が発生しにくいという効果が得られる。また、一般的に、光架橋性樹脂層は、厚いもののほうが製造しやすいというメリットもある。
光架橋性樹脂層は、カルボキシル基を含むポリマーなどのアルカリ水溶液に可溶な成分（溶解成分）と光重合性不飽和化合物や光重合開始剤などのアルカリ水溶液に溶解しない成分（不溶解成分）を含有している。光架橋性樹脂層の薄膜化処理に低濃度のアルカリ水溶液を用いた場合には、不溶解成分を中心とし、その周囲に界面活性剤機能を有する溶解成分が存在するミセルを形成し、このミセルがエマルジョン状態でアルカリ水溶液中に分散することによって、光架橋性樹脂層が薄膜化する。アルカリ水溶液中のミセルは、処理液の圧力や流れに対応して移動するため、スプレー等で液流れを作ることによって、光架橋性樹脂層上のミセルが洗い流される。そのため、処理液の液流れがよいところでは光架橋性樹脂層の溶解が進行しやすく、液流れが悪いところでは光架橋性樹脂層上にミセルが残り、光架橋性樹脂層の溶解が遅くなる。そのため、光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、基板面内にむらが発生する。
これに対し、本発明の導電パターンの作製方法（１）においては、光架橋性樹脂層の薄膜化処理に、無機アルカリ性化合物の濃度が５〜２０質量％である高濃度のアルカリ水溶液を使用する。高濃度のアルカリ水溶液中では、光架橋性樹脂層成分のミセルは一旦不溶化され、アルカリ水溶液中に溶解拡散しにくくなる。そのため、スプレー等で処理液の液流れがよいところでも悪いところでも、同じように光架橋性樹脂層上にミセルが残り、光架橋性樹脂層の溶解が遅くなるため、光架橋性樹脂層が略均一に薄膜化され、むらが発生しないという効果が得られる。
また、光架橋性樹脂層の薄膜化処理を連続して行う場合、水平搬送方式のスプレー処理装置が好適に用いられる。水平搬送方式であるため、上下にスプレーノズルを配置すれば、両面一括処理を連続的に行って、基板両面に導電パターンを作製することができる。水平搬送方式で上下両面処理を実施した場合、処理上面は、スプレーによって噴射した処理液が排除され難く、処理基板上に処理液が溜まることによって浸漬状態に近い処理になる。一方、処理下面では、スプレーによって噴射された処理液が速やかに排除され、基板上の処理面は常にスプレーにより噴射された処理液によって処理される。そのため、処理上面と処理下面で液流れが異なり、薄膜化が不均一になる。しかしながら、本発明の導電パターンの作製方法（１）では、処理液の液流れが異なっていても、上下両面共に略均一に薄膜化処理を行うことができる。
さらに、無機アルカリ性化合物の濃度が５〜２０質量％である高濃度のアルカリ水溶液を使用すると、光架橋性樹脂層のミセルはアルカリ水溶液に拡散しにくくなって、光架橋性樹脂層に残る。そして、水洗すると一挙にミセルが除去される。つまり、高濃度のアルカリ水溶液に光架橋性樹脂層が溶解し難いので、アルカリ水溶液の溶解性が変化しにくく、連続薄膜化処理を安定して行うことができる。
本発明の導電パターンの作製方法（２）においては、孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成した後、あらかじめ孔上のみ又は孔上とその周囲部の光架橋性樹脂層を硬化させてから、未硬化部の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う。これにより、孔上のみ又は孔上とその周囲部にはテンティング強度を有する厚いエッチングレジスト層を形成することができ、エッチング工程でテンティング膜が破れにくくなり、孔内導電層がエッチングされにくくなる。さらに、テンティングに必要のない部分は、薄膜化処理を施した後に回路パターンの露光やエッチングを施すことによって、微細な導電パターンの作製が可能となる。この方法（２）によれば、特殊なドライフィルムレジストを必要とせずに、テンティングによる孔内導電層の保護と薄膜化処理による微細な導電パターンの作製とを両立することができる。
本発明の導電パターンの作製方法（３）においては、無機アルカリ性化合物として、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩のうち少なくともいずれか１種を含む。これらの化合物で処理された光架橋性樹脂層は、一旦不溶化され溶解拡散しにくくなったミセルの再分散性が良く、短時間で均一な薄膜化処理を行うことができる。
本発明の導電パターンの作製方法（４）においては、アルカリ水溶液として、さらに、硫酸塩または亜硫酸塩のうち少なくともいずれか１種を含む。これにより、硫酸イオンまたは亜硫酸イオンが塩析による水和を引き起こし、より一層ミセルの溶解拡散を抑制し、均一な薄膜化処理が達成できる。
本発明の導電パターンの作製方法（５）においては、光架橋性樹脂層の薄膜化処理が、（ｂ１）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を５〜２０質量％含み、さらに、硫酸塩または亜硫酸塩のうち少なくともいずれか１種を含むアルカリ水溶液で処理する工程、（ｂ２）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むｐＨ５〜１０の水溶液で処理する工程からなる。工程（ｂ１）では光架橋性樹脂層成分のミセルを一旦不溶化させ、溶解拡散を抑制し、工程（ｂ２）では、このミセルを再分散させて、溶解除去する。このように、工程（ｂ１）と工程（ｂ２）を分けることで、工程（ｂ１）では光架橋性樹脂層は処理液中にほとんど溶け込まないため、処理液の溶解性変化が少なく、安定した連続薄膜化処理ができるという利点がある。また、工程（ｂ２）において、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩はいずれもアルカリ領域に優れた緩衝能力を有するため、工程（ｂ１）から高濃度のアルカリ水溶液の一部が混入した場合においても、急激なｐＨの上昇を防止することができ、局所的な処理液の攪拌むら及びスプレーむら、光架橋性樹脂層の溶解むらに起因するｐＨ変化を最小限まで抑制することができる。さらに、ｐＨ５〜１０の水溶液を使用することにより、（ｂ２）における光架橋性樹脂層成分の再分散性を一定に保つことができ、安定した連続薄膜化処理ができる。
本発明の導電パターンの作製方法（６）では、上記方法（５）の工程（ｂ２）において、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むｐＨ＝５〜１０の水溶液の供給流量が、光架橋性樹脂層１ｃｍ^２当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎである。工程（ｂ２）において、供給流量が不足すると、不溶化された光架橋性樹脂層成分の再分散性が悪くなり、溶解不良が起こりやすくなる。その結果、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面に不溶解成分の析出が見られ、タック性が問題になる場合がある。本発明の導電パターンの作製方法（６）においては、供給流量が十分に大きく、不溶化された光架橋性樹脂層成分を迅速に再分散させることができ、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面に不溶解成分を残すことなく、面内略均一に薄膜化処理を行うことができる。
本発明の導電パターンの作製方法（７）においては、光架橋性樹脂層が、（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマー、（Ｂ）分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤及び（Ｄ）重合禁止剤を含有してなり、光架橋性樹脂層に対する（Ｄ）成分の含有量が０．０１〜０．３質量％である。図４は、回路パターンの露光工程を示した概略断面図である。基板２上に形成した光架橋性樹脂層１に対して、露光用マスク３を介して露光を行っている。露光された光架橋性樹脂層１は架橋部４となるが、その周囲にある未露光部の光架橋性樹脂層１もハレーションによって光架橋がすすみ、半架橋部５となる。
図５は、光架橋性樹脂層のレジスト特性曲線の一例である。Ｘ軸は露光量（ｍＪ／ｃｍ^２）、Ｙ軸はレジスト硬化度（％）を表す。図５（ａ）において、点線Ａで示されるレジスト特性を有する光架橋性樹脂層の場合、露光量α_Ａから光架橋し始める。露光量β^１ _Ａ〜β^２ _Ａで露光されると、光架橋が不十分な半架橋領域（網点部）となる。露光量α_Ａ〜β^１ _Ａで露光された光架橋性樹脂層の光架橋も不十分であるが、レジスト硬化度が低いため、現像工程で未露光部と一緒に除去することができる。本発明（７）に係わる光架橋性樹脂層は、（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマー、（Ｂ）分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤及び（Ｄ）重合禁止剤を必須成分として含有し、（Ｄ）成分が光架橋性樹脂層に対して０．０１〜０．３質量％含有させている。この（Ｄ）成分によって、光架橋が始まるのに必要な露光量が多くなる（α′_Ａ）。そのため、図５（ｂ）で示したように、露光開始から露光量α′_Ａまでは、発生したラジカルが実質的に架橋に関与せず、レジスト硬化度がゼロの状態が続き、露光量がα′_Ａを超えた後に架橋が進行し始める。よって、半架橋領域が小さくなるため、未露光部の半架橋部が発生しにくくなり、高解像度のエッチングレジストパターンが可能になっていると考えられる。
本発明の導電パターンの作製方法（８）においては、光架橋性樹脂層に対する（Ｂ）成分の含有量が、３５〜５５質量％である。図６は、光架橋性樹脂層のレジスト特性曲線の一例である。レジスト特性曲線の傾きは「γ値」と呼ばれている。点線Ａと実線Ｂのγ値はそれぞれｔａｎθ_Ａとｔａｎθ_Ｂであり、ｔａｎθ_Ａ＜ｔａｎθ_Ｂの関係となっている。高γ値である実線Ｂの半架橋領域は、低γ値である点線Ａの半架橋領域よりも狭く、高γ値の光架橋性樹脂層を用いると半架橋部の少ない高解像度のエッチングレジストパターンが得られる。本発明では、光架橋性樹脂層に対する（Ｂ）成分の含有量が３５〜５５質量％とすることで光架橋性樹脂層のγ値が高くなり、その結果、高解像度のエッチングレジストパターンが可能となっていると考えられる。
本発明の導電パターンの作製方法（９）では、本発明の導電パターンの作製方法（１）における工程（ｂ）と工程（ｃ）の間に、（ｆ）光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層する工程を含み、工程（ｃ）と工程（ｄ）の間に（ｇ）透明性フィルムを除去する工程を含む。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層が剥き出しの状態では、光架橋性樹脂層表面はタック性がある場合があるが、透明性フィルムを積層した後の表面は完全なタックフリー状態になる。よって、光架橋性樹脂層の転写による露光用マスクの汚染も起こらない。また、異物による打痕や傷の欠陥を抑制することができ、高解像度に有利な密着露光方式を用いる場合でも、真空密着不良による光漏れレジスト欠陥が発生しない。
本発明の導電パターンの作製方法（１０）においては、本発明の導電パターンの作製方法（２）における工程（ｂ′）と工程（ｃ）の間に（ｆ）光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層する工程を含み、工程（ｃ）と工程（ｄ）の間に（ｇ）透明性フィルムを除去する工程を含む。これにより、孔上のみ又は孔上とその周囲部にはテンティング強度を有する厚いエッチングレジスト層を形成することができ、さらに、回路パターンの露光において、光架橋性樹脂層表面を完全なタックフリー状態にすることができるため、光架橋性樹脂層の転写による露光用マスクの汚染や異物による打痕や傷の欠陥を抑制することができる。

図１は本発明の導電パターンの作製方法（１）の一例を示す断面工程図である。
図２は本発明の導電パターンの作製方法（２）の一例を示す断面工程図である。
図３は本発明の導電パターンの作製方法（２）の一例を示す断面工程図である。
図４は回路パターンの露光工程を示した概略断面図である。
図５は光架橋性樹脂層のレジスト特性曲線の一例である。
図６は光架橋性樹脂層のレジスト特性曲線の一例である。
図１〜図４中の符号を以下に説明する。

１ 光架橋性樹脂層（未架橋部）
２ 基板
３ 露光用マスク
４ 光架橋性樹脂層の架橋部
５ 光架橋性樹脂層の半架橋部
６ 導電層
７ 絶縁性基板
８ 孔

以下、本発明の導電パターンの作製方法について詳細に説明する。
図１は、本発明の導電パターンの作製方法（１）の一例を示す断面工程図である。基板２としては、片表面に導電層６を設けた絶縁性基板７を使用している。工程（ａ）では、基板２の導電層６上に光架橋性樹脂層１を形成する。工程（ｂ）では、アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層１の薄膜化処理を行う。アルカリ水溶液としては、無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液を用いる。工程（ｃ）では、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層１を露光し、架橋部４を形成する。工程（ｄ）では、光架橋性樹脂層（未架橋部）１を現像により除去する。工程（ｅ）では、光架橋性樹脂層の架橋部４で覆われていない導電層６をエッチングし、導電パターンを得る。
図２及び３は、本発明の導電パターンの作製方法（２）の一例を示す断面工程図である。基板２としては、孔８を有し、表面及び孔内部に導電層６が設けられている絶縁性基板７を使用している。工程（ａ′）では、孔８を塞ぐような状態で、基板２の表面の導電層６上に光架橋性樹脂層１を形成する。工程（ｉ）では、孔８上及びその周囲部の光架橋性樹脂層１を露光して架橋させ、架橋部４を形成する。工程（ｂ′）では、光架橋性樹脂層（未架橋部）１の薄膜化処理を行う。工程（ｃ）では、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層１を露光し、架橋部４を形成する。工程（ｄ）では、光架橋性樹脂層（未架橋部）１を現像により除去する。工程（ｅ）では、光架橋性樹脂層の架橋部４で覆われていない導電層６をエッチングし、導電パターンを得る。
＜工程（ａ）及び（ａ′）＞
工程（ａ）では、表面に導電層が設けられている基板の少なくとも片面に光架橋性樹脂層を形成する。工程（ａ′）では、孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板の少なくとも片面に光架橋性樹脂層を形成する。光架橋性樹脂層の形成には、例えば、加熱したゴムロールを加圧して押し当てる熱圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。加熱温度は１００℃以上であることが好ましい。基板には、アルカリ脱脂、酸洗等の前処理を施してもよい。
表面に導電層を設けた基板としては、プリント配線板またはリードフレーム用基板が挙げられる。プリント配線板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。フレキシブル基板の絶縁性基板の厚さは５〜１２５μｍで、その両面もしくは片面に１〜３５μｍの金属箔層が導電層として設けられており、可撓性が大きい。絶縁性基板の材料には、通常、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等が用いられる。絶縁性基板上に金属箔層を有する材料は、接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に絶縁性基板材料である樹脂の液を塗布するキャスト法、スパッタリングや蒸着法で絶縁性基板である樹脂フィルム上に形成した厚さ数ｎｍの薄い導電層（シード層）の上に電解メッキで金属箔層を形成するスパッタ／メッキ法、熱プレスで貼り付けるラミネート法等のいかなる方法で製造したものを用いてもよい。金属箔層の金属としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、あるいはそれらの合金等のいかなる金属を用いることができるが、銅が一般的である。
リジッド基板としては、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂等を浸漬させた紙基材またはガラス基材を重ねて絶縁性基板とし、その片面もしくは両面に金属箔を導電層として載置し、加熱及び加圧により積層して、金属箔層が設けられたものが挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは６０μｍ〜３．２ｍｍであり、プリント基板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属箔層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金等が挙げられるが、銅が最も一般的である。これらプリント基板の例は、「プリント回路技術便覧」（（社）日本プリント回路工業会編、１９８７年刊行、（株）日刊工業新聞社刊）や「多層プリント回路ハンドブック」（Ｊ．Ａ．スカーレット編、１９９２年刊行、（株）近代化学社刊）に記載されている。リードフレーム用基板としては、鉄ニッケル合金、銅系合金等の基板が挙げられる。
孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板は、例えば、絶縁性基板表面に金属箔層を有する基板に対して、ドリルやレーザによって孔を形成し、次に、無電解めっき、電解めっき等のめっき処理を施して、孔内部を含む表面にめっき金属層を形成することによって作製される。
光架橋性樹脂層とは露光部が架橋して現像液に不溶化する樹脂層であり、回路形成用として、ネガ型のドライフィルムレジストが一般的に使用されている。市販のドライフィルムレジストは、少なくとも光架橋性樹脂層を有していて、ポリエステル等の支持層フィルム上に光架橋性樹脂層を設け、場合によってはポリエチレン等の保護フィルムで光架橋性樹脂上を挟んだ構成となっているものが多い。本発明において、光架橋性樹脂層として使用できる市販のドライフィルムレジストとしては、例えば、サンフォートシリーズ（商品名、旭化成エレクトロニクス社製）、フォテックシリーズ（商品名、日立化成工業社製）、リストンシリーズ（商品名、デュポンＭＲＣドライフィルム社製）、ＡＬＰＨＯシリーズ（商品名、ニチゴー・モートン社製）等を挙げることができる。
光架橋性樹脂層の厚みは、１５〜１００μｍであることが好ましく、２０〜５０μｍであることがより好ましい。この厚みが１５μｍ未満では、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性不良によって、レジスト剥がれや断線が発生する場合があり、１００μｍを超えると、薄膜化で溶解除去される量が多くなって薄膜化処理時間が長くなり、生産性が悪くなる場合がある。また、連続処理において安定した品質を維持するのが難しくなる場合がある。
＜工程（ｉ）＞
本発明の導電パターンの作製方法（２）において、工程（ｉ）では、孔上のみ又は孔上とその周囲部の光架橋性樹脂層を硬化させるために、孔上のみ又は孔上とその周囲部に対してのみ選択的に露光を行う。周囲部への露光は必須ではない。しかし、通常、露光時には位置ずれが発生し、光架橋性樹脂層によるテンティングができなくなることがあるため、孔の周囲部にも露光することが好ましい。周囲部の大きさは、特に限定されず、露光時に位置ずれに応じて適宜設定することができる。露光方式としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、露光用マスクを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が挙げられる。
＜工程（ｂ）及び工程（ｂ′）＞
工程（ｂ）と工程（ｂ′）では、アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う。光架橋性樹脂層上に支持層フィルムが設けられている場合には、剥がしてから薄膜化処理を実施する。薄膜化処理とは、光架橋性樹脂層の厚みを略均一に薄くする処理のことであり、詳しくは、薄膜化処理を施す前の厚みの０．０５〜０．９倍の厚みまで薄くすることを言う。
アルカリ水溶液は、無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含有する。５質量％未満では、ミセルが不溶化し難く溶解除去途中で可溶化されたミセルが溶解拡散して、薄膜化処理で面内むらが発生する。また、２０質量％を超えると、無機アルカリ性化合物の析出が起こりやすく、液の経時安定性、作業性に劣る。溶液のｐＨは９〜１２の範囲とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜少量添加することもできる。
無機アルカリ性化合物としては、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの炭酸塩または重炭酸塩等のアルカリ金属炭酸塩、カリウム、ナトリウムのリン酸塩等のアルカリ金属リン酸塩、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの水酸化物等のアルカリ金属水酸化物、カリウム、ナトリウムのケイ酸塩等のアルカリ金属ケイ酸塩、カリウム、ナトリウムの亜硫酸塩等のアルカリ金属亜硫酸塩を使用することができる。このうち、本発明の導電パターンの作製方法（３）のように、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むことが好ましい。これらのうち、アルカリ金属炭酸塩が、光架橋性樹脂層の溶解能力、処理液のｐＨを維持する緩衝能力、装置のメンテナンス性等の点から特に好ましい。
さらに、本発明の導電パターンの作製方法（４）のように、アルカリ水溶液が硫酸塩、亜硫酸塩から選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。硫酸塩または亜硫酸塩としては、リチウム、ナトリウムまたはカリウムなどのアルカリ金属硫酸塩または亜硫酸塩、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属硫酸塩または亜硫酸塩が挙げられる。このうちアルカリ金属硫酸塩または亜硫酸塩が特に好適に用いられる。硫酸塩または亜硫酸塩に含まれる硫酸イオンまたは亜硫酸イオンは塩析効果が大きい。塩析効果による水和度が大きくなり、ミセルの溶解拡散がさらに強く抑制され、略均一な薄膜化処理が可能となる。
硫酸塩及び／または亜硫酸塩の含有量（モル濃度）としては、０．０５〜１．０モル／Ｌが好ましい。０．０５モル／Ｌ未満では、塩析力が弱く水和度が小さいため、液流れにより溶解拡散速度に差が生じて薄膜化処理の均一化を高める効果が弱くなることがある。１．０モル／Ｌ以上になると、過度の水和が起こり、ミセルの溶解拡散が阻害されるために、溶解不良が起こりやすくなる場合がある。その結果、薄膜化処理後の光架橋性樹脂表面上に不溶解成分の析出が見られ、タック性が問題になる場合がある。
薄膜化処理の方法として、ディップ方式、バトル方式、スプレー方式、ブラッシング、スクレーピング等があり、スプレー方式が光架橋性樹脂層の溶解速度の点からは最も適している。スプレー方式の場合、処理条件（温度、時間、スプレー圧）は、使用する光架橋性樹脂層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は１０〜５０℃が好ましく、より好ましくは１５〜４０℃、さらに好ましくは１５〜３５℃である。また、スプレー圧は０．０１〜０．５ＭＰａとするのが好ましく、さらに好ましくは０．０２〜０．３ＭＰａである。
本発明の導電パターンの作製方法（５）のように、光架橋樹脂層の薄膜化処理である工程（ｂ）及び工程（ｂ′）は、少なくとも２つの工程、工程（ｂ１）及び工程（ｂ２）に分離して処理されることが好ましい。まず、工程（ｂ１）において、高濃度のアルカリ水溶液を過剰に供給することにより、溶解途中でミセル化された光架橋性樹脂層成分を一旦不溶化し、処理液中への溶解拡散を抑制する。次いで、工程（ｂ２）では、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むｐＨ５〜１０の水溶液を供給し、工程（ｂ１）で不溶化された光架橋性樹脂層成分を再分散させて溶解除去する。工程（ｂ２）において、水溶液のｐＨが５未満では、再分散により溶け込んだ光架橋性樹脂成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって薄膜化した光架橋性樹脂層表面に付着する恐れがある。一方、水溶液のｐＨが１０を超えると、光架橋性樹脂層の溶解拡散が促進され、面内で膜厚ムラが発生しやすくなることがあるため好ましくない。また、工程（ｂ２）の処理液は、硫酸、リン酸、塩酸等を用いて、液のｐＨを調整した後に使用してもよい。
本発明の導電パターンの作製方法（６）のように、工程（ｂ２）において、前記ｐＨ＝５〜１０の水溶液の供給流量は、光架橋性樹脂層１ｃｍ^２当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎが好ましい。０．０５０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがより好ましく、０．１０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがさらに好ましい。供給流量がこの範囲であると、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面に不溶解成分を残すことなく、面内略均一に薄膜化処理を行うことができる。光架橋性樹脂層１ｃｍ^２当たりの供給流量が０．０３０Ｌ／ｍｉｎ未満では、不溶化した光架橋性樹脂層成分の溶解不良が起こる場合がある。一方、供給流量が１．０Ｌ／ｍｉｎを超えると、供給のために必要なポンプ等の部品が巨大になり、大がかりな装置が必要になる場合がある。さらに、１．０Ｌ／ｍｉｎを超えた供給流量では、光架橋性樹脂層成分の溶解拡散に与える効果が変わらなくなることがある。
工程（ｂ２）における液供給方法としては、光架橋性樹脂層の溶解速度と液供給の均一性の点からスプレー方式が最も好ましい。さらに、スプレーの方向は、光架橋性樹脂層表面に効率よく液流れを作るために、光架橋性樹脂層表面に垂直な方向に対して傾いた方向から噴射するのがよい。
工程（ｂ）または工程（ｂ′）において、アルカリ水溶液で薄膜化処理を行った後、水によって十分に基板を洗浄する必要がある。この水による基板洗浄により、アルカリ水溶液で不溶化された光架橋性樹脂層のミセルを速やかに再分散させて溶解除去する。水洗処理の方法として、ディップ方式、バトル方式、スプレー方式等があり、光架橋性樹脂層の溶解速度と均一性の点からスプレー方式が最も適している。
＜工程（ｃ）＞
工程（ｃ）では、回路パターンの露光を行う。回路パターンの露光方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、露光用マスクを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が挙げられるが、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とし、露光用マスクを用いた片面、両面密着露光が好適に用いられる。
回路パターンの露光の際に基材表面で起こるハレーションによる悪影響を抑制するため、本発明の導電パターンの作製方法（７）のように、光架橋性樹脂層は、（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマー、（Ｂ）分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤、及び光架橋性樹脂層に対して０．０１〜０．３質量％の（Ｄ）重合禁止剤を含有してなることが好ましい。
（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマーとしては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂の有機高分子が挙げられる。これらは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いてもよい。アルカリ水溶液への溶解性が高いことから、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。アクリル系樹脂としては、（メタ）アクリレートを主成分とし、これにエチレン性不飽和カルボン酸及びその他の共重合可能なエチレン性不飽和基を有する単量体（以下、重合性単量体という）を共重合させてなるアクリル系重合体であればよい。
上記（メタ）アクリレートとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、２−（ジメチルアミノ）エチル（メタ）アクリレート、２−（ジエチルアミノ）エチル（メタ）アクリレート、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
上記エチレン性不飽和カルボン酸として、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸が好適に用いられ、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸や、それらの無水物やハーフェステルを用いることもできる。これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸が特に好ましい。
上記その他の重合性単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−エトキシスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−ブロモスチレン、（メタ）アクリロニトリル、（メタ）アクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、ビニルトルエン、酢酸ビニル、ビニル−ｎ−ブチルエーテル等が挙げられる。
（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマーにおいて、２種類以上を組み合わせて用いる場合のポリマーの組み合わせとしては、例えば、異なる共重合成分を有する２種類以上のポリマーの組み合わせ、異なる質量平均分子量を有する２種類以上のポリマーの組み合わせ、異なる分散度（質量平均分子量／数平均分子量）を有する２種類以上のポリマーの組み合わせが挙げられる。
（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマーの酸価は、５０〜３５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、１００〜３００ｍｇＫＯＨ／ｇであることがさらに好ましい。薄膜化処理においてアルカリ水溶液を用いる場合、この酸価が、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満では溶解までの時間が長くなるだけでなく、溶解不良が発生しやすい傾向があり、一方、３５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、アルカリ溶液に対する溶解拡散が速すぎて、薄膜化処理における膜厚制御が困難になる傾向がある。また、光架橋した部分の現像液に対する耐久性が低下する場合があり、工程（ｃ）で光架橋させた部分が工程（ｄ）で溶解してしまうことがある。
（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマーの質量平均分子量は、１０，０００〜１５０，０００であることが好ましく、１０，０００〜１００，０００であることがより好ましい。質量平均分子量が、１０，０００未満ではアルカリ水溶液に対する耐久性が低下する傾向があり、一方、１５０，０００を超えると溶解までの時間が長くなりすぎる傾向がある。
（Ａ）成分の配合量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量に対して４０〜６５質量％であることが好ましく、４５〜５５質量％であることがより好ましい。（Ａ）成分の配合量が、４０質量％未満では光架橋した部分の化学的強度、機械的強度が低くなる傾向がある。また、被膜性が悪くなるという問題がある。（Ａ）成分の配合量が、６５質量％を超えると光架橋性が低下することがある。
（Ｂ）分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物としては、例えば、多価アルコールにα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；ビスフェノールＡ系（メタ）アクリレート化合物；グリシジル基含有化合物にα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；分子内にウレタン結合を有する（メタ）アクリレート化合物等のウレタンモノマー；ノニルフェノキシポリエチレンオキシアクリレート；γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β′−（メタ）アクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート、β−ヒドロキシアルキル−β′−（メタ）アクリロイルオキシアルキル−ｏ−フタレート等のフタル酸系化合物；（メタ）アクリル酸アルキルエステル、ＥＯ、ＰＯ変性ノニルフェニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。ここで、ＥＯ及びＰＯは、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドを示し、ＥＯ変性された化合物は、エチレンオキサイド基のブロック構造を有するものであり、ＰＯ変性された化合物は、プロピレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。これらの光重合性化合物は単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
本発明の導電パターンの作製方法（８）のように、（Ｂ）成分の配合量は、光架橋性樹脂層に対して３５〜５５質量％であることが好ましく、４０〜５０質量％であることがより好ましい。（Ｂ）成分の配合量が、３５質量％未満では、基材表面のハレーションによる影響で、未露光部において半架橋領域が発生しやすくなって、解像度が悪化することがあり、一方、５５質量％を超えると、膜表面のタック性が顕著になることがあるだけでなく、硬化後の光架橋性樹脂層が脆くなることがある。
（Ｃ）光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′−テトラメチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノ−プロパノン−１等の芳香族ケトン；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン類；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物等が挙げられる。
また、ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９′−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体；Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物等が挙げられる。上記２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体における２つの２，４，５−トリアリールイミダゾールのアリール基の置換基は、同一な置換基であって対称な化合物を与えてもよいし、相違する置換基であって非対称な化合物を与えてもよい。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と３級アミン化合物とを組み合わせてもよい。これらは単独で、または２種類以上を組み合わせて使用される。
（Ｃ）成分の配合量は、光架橋性樹脂層に対して、１〜１０質量％であることが好ましく、２〜８質量％であることがより好ましい。配合量が、１質量％未満では光架橋性が不十分となる傾向があり、一方、１０質量％を超えると、露光の際に光架橋性樹脂層の表面で吸収が増大して、樹脂層内部の光架橋が不十分となる傾向がある。
（Ｄ）重合禁止剤としては、ハイドロキノン、ｐ−メトキシフェノール、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ピロガロール、β−ナフトール、フェノチアジン等が挙げられる。これらは単独で、または２種類以上を組み合わせて使用される。
（Ｄ）成分の配合量は、光架橋性樹脂層に対して、０．０１〜０．３質量％が好ましく、０．０３〜０．２質量％がより好ましい。０．０１質量％未満では、重合反応の抑制効果が小さく、薄膜化後の光架橋性樹脂層において、未露光部の半架橋部が発生しやすくなることがある。一方、０．３質量％を超えると、光架橋性樹脂層の感度低下が著しくなり、露光部においても架橋が不十分になることがある。
さらに、光架橋性樹脂層に（Ｅ）ハレーション防止剤を添加してもよい。（Ｅ）成分を含有させると、基材表面の反射による散乱光を吸収し、未露光部の半架橋領域の発生を抑制することができる。（Ｅ）ハレーション防止剤としては、２８０〜４３０ｎｍ領域に吸収波長領域を持つものであればよく、アクリジン染料、アニリン黒、アントラキノン染料、アジン染料、アゾ染料、アゾメチン染料、ベンゾキノン染料、ナフトキノン染料、インジゴイド染料、インドフェノール、インドアニリン、インダミン、ナフトールイミド染料、ニグロシン及びインジュリン、ニトロ及びニトロソ染料、オキサジン及びオキサジン染料、酸化染料、フタロシアニン染料、ポリメチン染料、キノフタロン染料、硫化染料、トリアリールメタン及びジアリールメタン染料、チアジン染料、チアゾール染料、キサンテン染料等のハレーション防止用染料や無機及び有機顔料、サリチル酸フェニル系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系及びアクリレート系紫外線吸収剤等が挙げられる。
（Ｅ）成分の配合量は、光架橋性樹脂層に対して０．０５〜０．５質量％であればよい。０．０５質量％未満では、基材表面のハレーションの防止効果が不十分な場合があり、一方、０．５質量％を超えると、光架橋性樹脂層の感度低下が著しくなり、露光部においても架橋が不十分になることがある。
＜工程（ｄ）＞
工程（ｄ）では、光架橋していない光架橋性樹脂層を現像液で除去して、エッチングレジスト層を形成する。現像方法としては、使用する光架橋性樹脂層に見合った現像液を用い、基板の上下方向から基板表面に向かってスプレーを噴射して、エッチングレジストパターンとして不要な部分を除去し、回路パターンに相当するエッチングレジスト層を形成する。一般的には、０．３〜２質量％の炭酸ナトリウム水溶液が使用される。
＜工程（ｅ）＞
工程（ｅ）では、エッチングレジスト層以外の露出した導電層をエッチングすることにより、微細な導電パターンを作製する。エッチング工程では、「プリント回路技術便覧」（（社）日本プリント回路工業会編、１９８７年刊行、（株）日刊工業新聞社刊）記載の方法等を使用することができる。エッチング液は金属箔層を溶解除去できるもので、また、少なくともエッチングレジスト層が耐性を有しているものであればよい。一般に導電層に銅を使用する場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液等を使用することができる。
＜工程（ｆ）及び（ｇ）＞
本発明の導電パターンの作製方法（９）または（１０）において、工程（ｆ）では光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層し、工程（ｇ）では透明性フィルムを除去する。光架橋性樹脂層に含まれる単量体やオリゴマー等の低分子量成分によって、薄膜化処理後の光架橋性樹脂層はタック性を有する場合があるが、工程（ｆ）によって完全なタックフリー状態が得られる。薄膜化処理直後に透明性フィルムを積層すれば、異物や傷による欠陥が非常に少なくなり好ましい。
本発明に係わる透明性フィルムは、薄膜化後の光架橋性樹脂層上に積層でき、現像直前に剥離が可能で、短波長可視光線やそれに近い近紫外線の透過率が高いフィルムであればいずれのフィルムでも使用できる。例えば、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム等が挙げられるが、ポリエステルフィルムが好ましい。ポリエステルとは、芳香族ジカルボン酸または脂肪族ジカルボン酸とジオールを主たる構成成分とする単量体との重縮合体である。
ポリエステルフィルムを構成するポリエステルには、ジカルボン酸成分として、テフレタル酸、イソフタル酸、フタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族カルボン酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、デカンジカルボン酸等の脂肪族カルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環族ジカルボン酸を用いることができ、ジオール成分としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール等の脂肪族ジオール、シクロヘキサンジメタノール等の脂環族ジオールを用いることができる。
透明性フィルムとしては、ポリエステルフィルムの中でも、特に、テレフタル酸とエチレングリコールの脱水重合により作られるポリエチレンテレフタレートを主成分とするフィルムを用いることが好ましい。ポリエチレンテレフタレートフィルムは、耐溶剤性、機械的強度があり、ラミネート適性、剥離適性に優れている。また、光学用フィルムとして、透過率、屈折率も優れ、経済的にも有利なことから利用しやすい。
また、透明性フィルムは、そのヘイズ値Ｈが１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましく、１．５％以下であることがさらに好ましい。ヘイズ値Ｈとは濁度を表す値であり、光源により照射され、試料中を透過した光の全透過率Ｔと試料中で拡散され散乱した光の透過率Ｄより、Ｈ（％）＝（Ｄ／Ｔ）×１００として求められる。これは、ＪＩＳ−Ｋ−７１０５により規定されており、市販のヘイズメーター（例えば、商品名：ＮＤＨ−５００、日本電色工業社製）により容易に測定可能である。ヘイズ値が１０％を超えると、透過性が低くなり、光架橋を阻害することがある。ヘイズ値が１０％以下の透明性フィルムとしては、例えば、テイジンテトロンフィルム（商品名、帝人デュポンフィルム社製）、及びマイラー（商品名、帝人デュポンフィルム社製）、メリネックス（商品名、帝人デュポンフィルム社製）、ダイアホイル（商品名、三菱樹脂社製）、ルミラー（商品名、東レフィルム加工社製）等が挙げられる。
透明性フィルムの厚みは、１０〜２５μｍであることが好ましく、１２〜２５μｍであることがより好ましい。２５μｍを超えると、解像度が低下したり、経済的に不利となることがある。一方、１０μｍ未満では、機械的強度が不足し、剥離時に破れが発生しやすくなることがある。
薄膜化後の光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層する方法としては、光架橋性樹脂層と透明性フィルムの間に隙間を生じさせることなく、空気や異物をかむことなく、波打ちなく、略均一に光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層できればいずれの方法でもよい。例えば、ゴムロールを加圧して押し当てる圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。この際、ゴムロールは加熱してもしなくてもよいが、基板と透明性フィルムの間から光架橋性樹脂層がはみ出して流れ出ないように、圧力や搬送速度、ゴムロールの加熱温度を調節する必要がある。

以下実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
実施例１
＜工程（ａ）＞
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２５５ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．１ｍｍ、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０、三菱ガス化学社製）上に、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度１００℃、エアー供給圧力０．３０ＭＰａ、ラミネート速度０．５０ｍ／ｍｉｎにて、ドライフィルムレジスト（商品名：サンフォートＡＱ２５７５、厚み２５μｍ、旭化成エレクトロニクス社製）をラミネートした。
＜工程（ｂ）＞
支持層フィルムを剥離した後、表１に示すアルカリ水溶液Ａを用いて、光架橋性樹脂層の厚みが平均１０μｍになるように、表２に記載の処理時間処理を行い（液温度２５℃、スプレー圧０．０５ＭＰａ）、十分な水洗処理、冷風乾燥により薄膜化された光架橋性樹脂層を得た。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。結果を表２に示す。

＜工程（ｃ）＞
ライン／スペース＝２０／２０μｍのパターンが描画された露光用マスクを用い、出力３ｋｗの超高圧水銀灯（商品名：ＵＲＭ−３００、ウシオライティング社製）を光源に備えた真空密着露光装置で密着露光を行った。
＜工程（ｄ）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて現像処理を行い、エッチングレジスト層を形成した。得られたエッチングレジスト層を光学顕微鏡で観察した結果、ライン／スペース＝２０／２０μｍのパターンにおいて、線細りや断線あるいは線太りやショート等の欠陥は見られなかった。
＜工程（ｅ）＞
エッチングレジスト層を形成した基板を塩化第二鉄溶液（液温度４０℃、スプレー圧０．２０ＭＰａ）で処理し、エッチングレジスト層以外の銅箔を除去することでエッチングを実施した。続いて、４０℃の３質量％水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層を除去し、導電パターンを得た。得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
実施例２〜１０
アルカリ水溶液Ａの代わりに表１に記載のアルカリ水溶液Ｂ〜Ｈ、ＡＨ、ＡＩを用いた以外は、実施例１と同じ方法で導電パターンの作製を行った。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。結果を表２に示す。実施例２〜１０において、標準偏差の値は小さく、良好な面内均一性が得られた。さらに、得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。無機アルカリ性化合物として亜硫酸ナトリウムを用いた実施例９〜１０では、面内の膜厚のばらつきは良好だったが、薄膜化処理後の光架橋性樹脂表面に不溶解成分の析出による弱いタック性が認められた。得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
比較例１〜５
表３に示すアルカリ水溶液ＡＡ〜ＡＥを用いた以外は実施例１と全く同じ方法で導電パターンを作製した。それぞれの比較例において、表４に示す処理時間で薄膜化処理を行った後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。結果を表４に示す。アルカリ水溶液中の無機アルカリ性化合物の含有量が少ない比較例１〜５では、標準偏差の値が大きくなり、面内の膜厚のばらつきが顕著であった。さらに、得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、ライン＆スペース２０μｍの部分において、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。

比較例６〜７
表３に示すアルカリ水溶液ＡＦ〜ＡＧを調製したが、２５℃において１０日以上放置すると、析出物が発生した。さらに、薄膜化処理の際、この析出物がポンプ内の詰まりを引き起こす等の問題が発生した。
実施例１１〜２８
アルカリ水溶液Ａの代わりに表５に記載のアルカリ水溶液Ｉ〜Ｚを用い、薄膜化処理として、スプレー圧０．０５ＭＰａで噴射するスプレー処理の他にアルカリ水溶液に浸漬するディップ処理を行い、十分な水洗処理、冷風乾燥により薄膜化処理を行った以外は、実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。薄膜化後の光架橋性樹脂層の厚みが平均１０μｍになるように、浸漬時間及びスプレー噴射時間を調整した。

実施例１１〜２８において、薄膜化処理に要した処理時間及び浸漬処理のスプレー処理に対する必要処理時間の割合を表６に示す。水平搬送方式の連続処理装置を使用し、上下にスプレーノズルを配置して、両面一括処理を連続的に行った場合、処理上面は、スプレーによって噴射した処理液が排除され難く、処理基板上に処理液が溜まることによって浸漬状態に近い処理になる。一方、処理下面では、スプレーによって噴射された処理液が速やかに排除され、基板上の処理面は常にスプレーにより噴射された処理液によって処理される。浸漬処理のスプレー処理に対する必要処理時間の割合が１に近いほど、浸漬処理とスプレー処理の薄膜化状態の差が小さいことを表しており、水平搬送式連続処理装置を使用した場合においても、上下両面内で略均一に薄膜化処理が可能である。

実施例１１〜２８では、全てのアルカリ水溶液において、必要処理時間は１．１〜１．４倍であり、浸漬処理とスプレー処理の間で、処理時間の格差は小さく、水平搬送方式の連続処理装置を使用した場合においても、上下両面内で略均一に処理できることが確認された。亜硫酸ナトリウムが多く含まれる実施例２０においては、薄膜化処理後の光架橋性樹脂表面にわずかに不溶解成分の析出箇所が見られ、弱いタック性が認められた。
薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。結果を表６に示す。それぞれのアルカリ水溶液において、浸漬処理とスプレー処理との間の標準偏差の差は小さく、良好な面内均一性が得られた。さらに、得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
比較例８〜１０
表７に示すアルカリ水溶液ＡＪ〜ＡＬを用いた以外は実施例１１に記載と同じ方法で導電パターンを作製した。それぞれの比較例において、要した処理時間、及び浸漬処理のスプレー処理に対する必要処理時間の割合を表８に示した。いずれのアルカリ水溶液においても、必要処理時間の割合は２倍以上となり、処理方法の違いで処理時間に大きな格差が発生した。つまり、例えば、水平搬送方式の連続処理装置を使用した場合、上下両面内で略均一に処理することが困難であることが示された。また、薄膜化処理後のドライフィルムレジストの膜厚のばらつきを表８に示した。浸漬処理に比べスプレー処理では、標準偏差の値が大きく、面内の膜厚のばらつきが顕著であった。さらに、浸漬処理とスプレー処理で得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、比較例１０において、ライン＆スペース２０μｍの部分において、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。

比較例１１
表７に示すアルカリ水溶液ＡＭを調製したが、２５℃において１０日以上放置すると、析出物が発生した。さらに、薄膜化処理の際、この析出物がポンプ内の詰まりを引き起こす等の問題が発生した。
実施例２９〜５４
光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、表９に示すアルカリ水溶液（ｂ１）Ａ〜Ｚを用いて処理を行った後、表９に示す液供給流量で処理液（ｂ２）Ａ〜Ｚを供給し、十分に洗浄を行い、その後、冷風乾燥によって薄膜化した以外は実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。また、処理液（ｂ２）Ａ〜ＺのｐＨは硫酸を添加することによって調整した。光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。結果を表１０に示す。処理液（ｂ２）のｐＨが大きい実施例３３と処理液（ｂ２）の液供給量が少ない実施例４１、４２において、標準偏差がやや大きく、さらに、実施例４１では、薄膜化処理後の光架橋性樹脂表面に不溶解成分の析出による弱いタック性が認められた。その他の実施例においては、（ｂ２）のｐＨと液供給流量を適切に調整することにより、良好な面内均一性が得られた。さらに、得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。

実施例５５、５６、比較例１２
光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、表１１に示すアルカリ水溶液（ｂ１）ＡＡ〜ＡＣを用いて処理を行った後、表１１に示す液供給流量で処理液（ｂ２）ＡＡ〜ＡＣを供給し、十分に洗浄を行い、その後、冷風乾燥によって薄膜化した以外は実施例２９と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。また、処理液（ｂ２）ＡＡ〜ＡＣのｐＨは硫酸を添加することによって調整した。光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。結果を表１２に示す。処理液（ｂ２）のｐＨが５より小さい実施例５５では、処理液（ｂ２）中に光架橋性樹脂層の不溶解成分の凝集物が発生することがあり、薄膜化処理後に凝集物が再付着することがあったが、標準偏差の値は小さかった。一方、処理液（ｂ２）のｐＨが１０より大きい実施例５６において、不溶化した光架橋性樹脂層成分の再分散と同時に処理液（ｂ２）が光架橋性樹脂層を溶解させるため、標準偏差の値が大きくなる傾向が見られた。比較例１２においては、アルカリ水溶液（ｂ１）の無機アルカリ性化合物濃度が低いため、面内の膜厚のばらつきが顕著だった。さらに、得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、ライン＆スペース２０μｍの部分において、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。

比較例１３
表１１に示すアルカリ水溶液（ｂ１）ＡＤを調製したが、２５℃において１０日以上放置すると、析出物が発生した。さらに、薄膜化処理の際、この析出物がポンプ内の詰まりを引き起こす等の問題が発生した。
実施例５７〜６０、比較例１４
連続薄膜化処理の安定性を調べるため、光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、表１３に示すアルカリ水溶液（ｂ１）ＡＡＡ〜ＡＡＥを用いて処理を行った後、表１３に示す液供給流量で処理液（ｂ２）ＡＡＡ〜ＡＡＥを供給し、十分に洗浄を行い、その後、冷風乾燥によって薄膜化した以外は実施例２９と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。また、１枚目薄膜化処理前に処理液（ｂ２）ＡＡＡ〜ＡＡＥのｐＨは、硫酸を添加することにより調整した。連続薄膜化処理中、１枚処理ごとに処理液（ｂ２）ＡＡＡ〜ＡＡＥのｐＨは調整せず、薄膜化処理１枚目と薄膜化処理５枚目及び１０枚目において、光架橋性樹脂層の膜厚をそれぞれ１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。また、連続薄膜化処理１０枚後におけるアルカリ水溶液（ｂ１）中への光架橋性樹脂層の溶け込みを調べるため、液の濁りを目視で観察した。連続薄膜化処理１０枚後のアルカリ水溶液（ｂ１）の濁り、処理液（ｂ２）ＡＡＡ〜ＡＡＥのｐＨ、膜厚のばらつき（標準偏差σ）の結果を表１４に示す。
アルカリ水溶液（ｂ１）の無機アルカリ性化合物濃度が本発明の範囲外である比較例１４では、連続薄膜化処理５枚目及び１０枚目においても、処理液（ｂ２）のｐＨの上昇は小さかったが、１枚目処理後から標準偏差の値は大きく、薄膜化処理枚数によらず膜厚のばらつきが顕著だった。また、１０枚処理後、アルカリ水溶液（ｂ１）中への光架橋性樹脂層の溶け込みによる濁りが観察され、処理枚数の増加によるアルカリ水溶液の溶解性の悪化が懸念された。さらに、それぞれの薄膜化処理枚数後の基板で得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、ライン＆スペース２０μｍの部分において、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。処理液（ｂ２）に水を用いた実施例５７では、５枚、１０枚と薄膜化処理枚数が増えるにつれ処理液（ｂ２）のｐＨに上昇傾向が認められた。１０枚処理後、処理液（ｂ２）のｐＨが１０を超え、標準偏差の値が大きく顕著な膜厚のばらつきが見られた。さらに、得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、５枚処理後の基板では、ライン／スペース＝２０μｍ／２０μｍの部分において、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかったが、１０枚処理後の基板では、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。処理液（ｂ２）に緩衝能力を有する水溶液を用いた実施例５８〜６０では、５枚処理後と１０枚処理後において、処理液（ｂ２）のｐＨの上昇は小さく、ともに１０未満に抑制されており、膜厚のばらつきは良好だった。さらに、５枚処理後、１０枚処理後の基板で得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。また、実施例５７〜６０において、１０枚処理後、アルカリ水溶液（ｂ１）中への光架橋性樹脂層の溶け込みによる濁りは見られず、アルカリ水溶液の連続処理安定性が示唆された。

実施例６１〜７２、比較例１５
（光架橋性樹脂組成物溶液の調液）
表１５及び表１６に示す各成分を混合し、光架橋性樹脂組成物溶液を得た。表１５及び表１６における各成分配合量の単位は、質量部を表す。なお、（Ａ）成分について、表１５及び表１６中の数字は、溶液の質量部を表す。また、表１７及び表１８は、光架橋性樹脂層に対する（Ｂ）成分及び（Ｄ）成分の含有量（単位：質量％）である。
表１５及び表１６において、（Ａ）成分は以下の通りである。
（Ａ−１）成分；メチルメタクリレート／ｎ−ブチルアクリレート／メタクリル酸を質量比６４／１５／２１で共重合させた共重合樹脂（１−メトキシ−２−プロパノールを溶剤とした４０質量％溶液）
表１５及び表１６において、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分は以下の通りである。
（Ｂ−１）成分；２，２′−ビス（４−メタクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン（商品名：ＢＰＥ−５００、新中村化学工業（株）製）
（Ｂ−２）成分；トリメチロールプロパントリアクリレート（商品名：ＴＭＰ−Ａ、共栄社化学（株）製）
（Ｃ−１）成分；２−（２′−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体
（Ｃ−２）成分；４，４′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン
表１５及び表１６において、（Ｄ）成分は以下の通りである。
（Ｄ−１）成分；ｐ−メトキシフェノール

（ドライフィルムレジストの作製）
ポリエステルフィルムからなる支持層フィルム（膜厚２５μｍ）上に、スリットダイコーターを用いて上記光架橋性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥させた後、ポリエチレンフィルムからなる保護フィルム（膜厚３０μｍ）をラミネートして、膜厚２５μｍの光架橋性樹脂層を有するドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）Ａ〜Ｋ及びＡＡ〜ＡＢを作製した。
ドライフィルムレジスト（商品名：サンフォートＡＱ２５７５、旭化成エレクトロニクス社製、厚み２５μｍ）の代わりにドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）Ａ〜Ｋ及びＡＡ〜ＡＢを用い、薄膜化後の光架橋性樹脂層の厚みが平均１０μｍ及び平均５μｍになるように表１に示すアルカリ処理液Ａを用いて薄膜化処理を行い、続く回路パターンの露光において、ライン／スペース＝１０／１０、１５／１５、２０／２０、３０／３０、５０／５０μｍのパターンが描画された露光用マスクを用いた以外は、実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。
光学顕微鏡を用いて得られたエッチングレジスト層の最小解像スペース幅を測定した。レジスト層のボトム部に裾引きが発生している場合には、その裾引き領域を差し引いた値を最小解像スペース幅とした。最小解像スペース幅の測定結果を表１９に示す。実施例６１〜７１では、基材表面のハレーションによる未露光部の半架橋領域の発生が効果的に抑制されており、薄膜化後の光架橋性樹脂層の厚みが１０μｍ以下の極薄膜においても、レジスト層のボトム部の裾引きが抑えられていて、狭スペース幅のレジスト解像が可能であった。光架橋性樹脂層に対する（Ｂ）成分の含有量が３５〜５５質量％である実施例６１〜６９は、含有量が３４質量％の実施例７０と比較して、裾引きが抑えられていた。（Ｂ）成分の含有量が５６質量％である実施例７１においては、薄膜化処理後、露光工程において、僅かに露光用マスクとのタック性が認められた。解像された狭スペース幅のエッチングレジスト層を用い、エッチング処理後に得られた各ライン／スペースの導電パターンにおいて、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。

実施例７２では、重合禁止剤の配合量が少なすぎるため、ハレーションによる未露光部の半架橋領域の発生が顕著で、レジスト層のボトム部に大量の裾引き領域が発生した。また、実施例７２では、エッチング処理後、ライン／スペース＝５０／５０μｍを除き、３０／３０μｍ以下の導電パターンに複数箇所でショート及び断線が発生していた。比較例１５では、ドライフィルムレジストＡＢにおける重合禁止剤の配合量が多すぎたことから、感度が低下して露光工程で架橋することができなかった。すなわち、ドライフィルムレジストＡＢは光架橋性がなかった。そのため、現像処理において基板からドライフィルムレジストが剥離してしまい、エッチングレジスト層を形成させることができなかった。
実施例７３
＜工程（ａ′）＞
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板に、ドリルを用いて直径２００μｍ及び５００μｍの貫通孔を１００穴ずつ形成した後、貫通孔内部と銅箔上に１０μｍ厚のめっき銅層を形成した孔あり銅張積層板にドライフィルムレジスト（商品名：サンフォートＡＱ２５７５、旭化成エレクトロニクス社製、厚み２５μｍ）をラミネートした。
＜工程（ｉ）＞
光架橋性樹脂層を薄膜化する前に、各孔に対して、貫通孔上とその周囲部のみが描画された露光用マスク（直径２００μｍの貫通孔に対して直径４００μｍの円形パターン、直径５００μｍの貫通孔に対して直径８００μｍの円形パターン）を用い、出力３ｋｗの超高圧水銀灯（商品名：ＵＲＭ−３００、ウシオライティング社製）を光源に備えた真空密着露光装置で密着露光を行った。
＜工程（ｂ′）＞
貫通孔上とその周囲部の光架橋性樹脂層を硬化させた後、支持層フィルムを剥離し、貫通孔上とその周囲部以外の未硬化の光架橋性樹脂層の厚みが平均１０μｍになるように、表１に示すアルカリ処理液Ａを用いて薄膜化処理を行い、十分な水洗処理、冷風乾燥により薄膜化された光架橋性樹脂層を得た。
薄膜化処理後、実施例１と同様に、工程（ｃ）、工程（ｄ）、工程（ｅ）処理を行い、導電パターンを作製した。エッチングレジスト層を剥離する前に、貫通孔上にテンティングされた光架橋性樹脂層を観察したところ、１００個全ての孔において光架橋性樹脂層に破れや剥離の発生はなく、エッチングレジスト層剥離後においても、孔内部の金属層に腐食は見られなかった。さらに、得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
（比較例１６）
薄膜化処理を行わない以外は実施例７３と全く同じ方法で導電パターンを作製した。得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、孔内部の金属層に腐食は見られなかったが、ライン／スペース＝２０μｍ／２０μｍパターンにおいて、断線またはショート欠陥が発生していた。
（比較例１７）
薄膜化処理前に貫通孔上とその周囲部の露光を行わない以外は実施例７３と全く同じ方法で導電パターンを作製した。得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、ライン／スペース＝２０μｍ／２０μｍパターンにおいて、断線またはショート欠陥は発生しておらず、良好な微細パターンを作製できた。しかしながら、エッチングレジスト層剥離前において、孔上のドライフィルムレジストを観察したところ、直径５００μｍの孔上のドライフィルムレジスト全てにテント破れが発生していた。また、直径２００μｍでは、５０箇所以上にテント破れが発生していた。さらに、エッチングレジスト層剥離後において、孔内部を観察したところ、孔内部の金属層の腐食が認められた。
実施例７４〜８１
ドライフィルムレジスト（商品名：サンフォートＡＱ２５７５、旭化成エレクトロニクス社製、厚み２５μｍ）の代わりにドライフィルムレジストＣを用い、薄膜化後の光架橋性樹脂層の厚みが平均１０μｍになるように表１に示すアルカリ処理液Ａを用いて薄膜化処理を行った後、下記（ｆ）工程によりポリエチレンテレフタレートフィルムを積層し、続く回路パターンの露光において、ライン／スペース＝１５／１５、２０／２０、３０／３０、５０／５０、７０／７０μｍのパターンが描画された露光用マスクを用いて密着露光を行い、次に、積層したポリエチレンテレフタレートフィルムを除去してから現像した以外は、実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。
＜工程（ｆ）＞
平均１０μｍに薄膜化処理された光架橋性樹脂層上に、表２０に示す物性値（膜厚、ヘイズ値）のポリエチレンテレフタレートフィルムＡ〜Ｈを、ロール温度８０℃、エアー供給圧力０．３０ＭＰａ、ラミネート速度０．５０ｍ／ｍｉｎにてラミネートにより積層した。ポリエチレンテレフタレートフィルムを積層した後、光架橋性樹脂層との間に空気や異物の混入は見られなかった。

現像後、得られたエッチングレジスト層に線細りや断線、または、線太りやショート等の欠陥がないか光学顕微鏡観察により評価した。評価の基準は以下の通りであり、評価結果を表２１に示す。また、得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られず、エッチングレジスト層の密着不良によって起こる断線欠陥も認められなかった。
○：線細りや断線、または、線太りやショート欠陥がない
△：線細り、または、線太り欠陥があるが、実用上問題ないレベル
×：断線、または、ショート欠陥があり、実用上問題があるレベル

実施例８２
薄膜化処理後、透明性フィルムをラミネートせずに光架橋性樹脂層が剥き出しの状態で密着露光を行った以外は実施例７４と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。結果、ライン／スペース＝２０／２０μｍ以下のパターンで、真空密着不良による光漏れや異物や傷が原因のエッチングレジスト層の線太りやショート欠陥が見られた。エッチング工程後、得られた導電パターンには、全面で実用上問題となるショート欠陥が多発していた。評価結果を表２１に示す。
実施例８３
薄膜化処理後、ポリエチレンテレフタレートフィルムＡをラミネートせずに、光架橋性樹脂層上に載置した状態で密着露光を行った以外は実施例７４と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。光架橋性樹脂層とポリエチレンテレフタレートフィルムの間には隙間が生じて空気が混入し、多数の気泡が確認された。密着露光、現像処理後、ライン／スペース＝３０／３０μｍ以下のパターンで、気泡の混入よる光漏れ起因のエッチングレジスト層の線太りやショート欠陥が見られた。エッチング処理後、得られた導電パターンには、全面で実用上問題となるショート欠陥が多発していた。評価結果を表２１に示す。

本発明は、サブトラクティブ法を用いた微細な導電パターンの作製に広く利用され、実施例で説明したプリント配線板のほか、リードフレームの製造方法にも利用することができる。

本発明は、サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法に関する。

プリント配線板やリードフレームの製造方法として、表面に導電層を設けた絶縁性基板あるいは導電性基板の回路部にエッチングレジスト層を設け、露出している非回路部の導電層をエッチング除去して導電パターンを形成するサブトラクティブ法がある。また、絶縁性基板の回路部にメッキ法で導電層を設けていくアディティブ法やセミアディティブ法がある。

さて、近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、機器内部に使用されるプリント配線板やリードフレームも高密度化や導電パターンの微細化が進められており、サブトラクティブ法により、現在では導体幅が５０〜８０μｍ未満、導体間隙が５０〜８０μｍの導電パターンが製造されている。また、さらなる高密度化、微細配線化が進み、導体幅あるいは導体間隙５０μｍ未満の超微細な導電パターンが求められるようになってきている。それに伴って、導電パターンの精度やインピーダンスの要求も高くなっている。このような微細な導電パターンを形成するため、従来から、サブトラクティブ法に代わり、セミアディティブ法が検討されているが、製造工程が大幅に増加するという問題や電解メッキ銅の接着強度不足等の問題があった。そのため、サブトラクティブ法でプリント配線板やリードフレームを製造するのが主流となっている。

サブトラクティブ法において、エッチングレジスト層は、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、スクリーン印刷法、インクジェット法等によって形成される。この中でも、フォトファブリケーション法におけるネガ型のドライフィルムレジストと呼ばれるシート状の光架橋性樹脂層を用いた方法は、取り扱い性に優れ、テンティングによるスルーホールの保護が可能なことから好適に用いられている。

光架橋性樹脂層を用いた方法では、基板上に光架橋性樹脂層を形成し、露光現像工程を経てエッチングレジスト層が形成される。微細な導電パターンを形成するためには、微細なエッチングレジスト層を形成させることが必要不可欠である。このために、できる限りレジスト膜厚を薄くする必要がある。光架橋性樹脂層として一般的なドライフィルムレジストでは、例えば、１０μｍ以下の膜厚にすると、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性の低下が原因となり、レジスト層の剥がれや断線が発生するという問題があり、微細なエッチングレジスト層を形成させることは困難であった。

このような問題を解決すべく、基板上に２５μｍ以上の厚みのドライフィルムレジストを貼り付け、次に、アルカリ水溶液を用いてドライフィルムレジストを１０μｍ程度まで薄膜化した後、回路パターンの露光、現像を行ってエッチングレジスト層を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、特許文献１の方法にはいくつかの問題があった。第１の問題は、薄膜化が不均一になる場合や安定した連続薄膜化処理が行えない場合があることである。特許文献１に記載されているように、炭酸ナトリウムを１質量％含むアルカリ水溶液を用いてドライフィルムレジストの薄膜化を行うと、基板の面内で液流れの違いによるドライフィルムレジストの溶解速度差が大きく、ドライフィルムレジストを均一に薄膜化することが難しく、エッチング後に面内で導体幅のばらつきが発生する場合があった。また、溶解したドライフィルムレジストがこのアルカリ水溶液中に溶け込むため、連続処理を行うと、アルカリ水溶液の溶解性が変化してしまい、安定した連続薄膜化処理が行えなくなる問題があった。

第２の問題は、スルーホールやブラインド・ビア・ホールと呼ばれる貫通孔や非貫通孔（以下、孔という）を有するプリント配線板を作製する場合に孔内部の導電層が保護できない場合があることである。サブトラクティブ法では、ドライフィルムレジストによるテンティング法で、エッチング液が孔内に入り込まないようにして、孔内に設けられた導電層を保護する。しかしながら、特許文献１のように、全面にわたって薄膜化処理されたドライフィルムレジストでは、孔上にテンティングしたドライフィルムレジストが破れ、孔内部の導電層がエッチング時に腐食されるという問題が発生することがあった。

第２の問題を解決するために、例えば、感度の異なる第１感光性樹脂層と第２感光性樹脂層が積層したドライフィルムレジストを用いて、第２感光性樹脂層を架橋させるために必要な光量を所定のパターンに照射し、第１感光性樹脂層と第２感光性樹脂層とを共に架橋させるために必要な光量を孔上及びその周囲部に照射し、それによって、導電層表面の導電パターン形成領域と孔上及びその周囲部とで、厚みの異なるエッチングレジスト層を形成する回路基板の作製方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。しかしながら、特許文献２に記載の方法においては、感度の異なる２種類の感光性樹脂層を有する特殊なドライフィルムレジストが必要となり、アルカリ現像性や塗布性等の調整が困難であるという問題があった。

第３の問題は、露光に関する問題である。回路パターンの露光方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、露光用マスクを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が知られている。レーザー走査露光方式では、レーザーのビーム径が大きく、高解像度に対応することが困難な場合がある。また、レーザー光源に固有の波長に感度を有する特殊なドライフィルムレジストを使用する必要があるため、一般的ではない。プロキシミティ方式、プロジェクション方式は、露光用マスクとドライフィルムレジストの間に空間があり、露光の回折光により、解像度が低下することがあるため、これも一般的でない。一方、密着露光方式では、露光用マスクとドライフィルムレジストの間の空間は実質ゼロであり、平行光光源を用いれば、最も高解像度に対応した露光方式であると言える。

しかしながら、特許文献１において、ドライフィルムレジストを薄膜化した後、密着露光方式を用いて回路パターンの露光を行うと、基材表面で反射した光が未露光部に散乱し（ハレーション）、パターンの解像度が悪化するという問題があった。この基材表面のハレーションによる悪影響は、レジストの膜厚が厚い場合には無視できるほど小さいが、厚み１０μｍ以下の極薄膜になるとより顕著に発生し、現像工程後において、２０μｍ以下の狭スペースを解像することが困難であり、さらなる改良が必要であった。

第４の問題も露光工程に関するものである。特許文献１において、ドライフィルムレジストを薄膜化した後、ドライフィルムレジストの光架橋性樹脂層表面は剥き出しになっているため、このまま露光用マスクと強く真空密着すると、光架橋性樹脂層表面に異物による打痕や傷が発生しやすい。また、光架橋性樹脂層が剥き出しの状態では、搬送工程や投入及び受け取り工程等において、異物の付着や傷による欠陥が発生しやすい。さらに、ドライフィルムレジストの光架橋性樹脂層表面にタック性がある場合には、真空密着時、光架橋性樹脂層表面と露光用マスク表面との滑りが悪くなり、局所的に真空密着不良が発生し、光漏れによるレジスト欠陥が発生しやすくなる。また、光架橋性樹脂層が転写して露光用マスクを汚染したり、レジスト層の剥離等が発生したりする場合があり、余計なクリーニング作業が必要になるという問題があった。

特開２００４−２１４２５３号公報 特開２００５−１３６２２３号公報

本発明の課題は、サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、表面に導電層を設けた基板上に光架橋性樹脂層を形成し、アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行った後、回路パターンの露光、現像、エッチング処理を行う導電パターンの作製方法において、光架橋性樹脂層を均一に薄膜化することができ、さらに、安定した連続薄膜化処理ができる方法を提供することである。

また、特殊なドライフィルムレジストを必要とせずに、テンティングによる孔内導電層の保護と薄膜化処理による微細な導電パターンの作製とを両立することができる導電パターンの作製方法を提供することである。

さらに、薄膜化処理後の光架橋性樹脂層の厚みが１０μｍ以下の極薄膜になっても、ハレーションによる悪影響をほとんど受けない導電パターンの作製方法を提供することである。

そして、搬送工程や投入及び受け取り工程等において、光架橋性樹脂層上に異物や傷による欠陥が非常に少なく、密着露光時の光架橋性樹脂層による露光用マスクの汚染、レジスト層の剥離等が起こらず、さらに、真空密着不良による光漏れレジスト欠陥が発生しない導電パターンの作製方法を提供することである。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、
（１）サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、（ａ）表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（ｂ）アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、（ｃ）回路パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）エッチング工程をこの順に含み、該アルカリ水溶液が無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液であることを特徴とする導電パターンの作製方法、
（２）サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、（ａ′）孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（ｉ）孔上のみ又は孔上とその周囲部の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、（ｂ′）アルカリ水溶液によって未硬化部の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、（ｃ）回路パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）エッチング工程をこの順に含み、該アルカリ水溶液が無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液であることを特徴とする導電パターンの作製方法、
（３）無機アルカリ性化合物が、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種である上記（１）または（２）記載の導電パターンの作製方法、
（４）アルカリ水溶液が、さらに、硫酸塩、亜硫酸塩から選ばれる少なくとも１種を含む上記上記（１）〜（３）のいずれか記載の導電パターンの作製方法、
（５）光架橋性樹脂層の薄膜化処理が、（ｂ１）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含み、さらに、硫酸塩、亜硫酸塩から選ばれる少なくとも１種を含むアルカリ水溶液で処理する工程、（ｂ２）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を含むｐＨ５〜１０の水溶液で処理する工程を含む上記（１）または（２）記載の導電パターンの作製方法、
（６）（ｂ２）において、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を含むｐＨ５〜１０の水溶液の供給流量が、光架橋性樹脂層１ｃｍ^２当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎである上記（５）記載の導電パターンの作製方法、
（７）光架橋性樹脂層が、（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマー、（Ｂ）分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤及び（Ｄ）重合禁止剤を含有してなり、光架橋性樹脂層に対する（Ｄ）成分の含有量が０．０１〜０．３質量％であることを特徴とする上記（１）または（２）記載の導電パターンの作製方法、
（８）光架橋性樹脂層に対する（Ｂ）成分の含有量が、３５〜５５質量％である上記（７）記載の導電パターンの作製方法、
（９）工程（ｂ）と工程（ｃ）の間に（ｆ）光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層する工程を含み、工程（ｃ）と工程（ｄ）工程の間に（ｇ）透明性フィルムを除去する工程を含む上記（１）記載の導電パターンの作製方法、
（１０）工程（ｂ′）と工程（ｃ）の間に（ｆ）光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層する工程を含み、工程（ｃ）と工程（ｄ）の間に（ｇ）透明性フィルムを除去する工程を含む上記（２）記載の導電パターンの作製方法、
を見出した。

本発明の導電パターンの作製方法（１）においては、表面に導電層を設けられている基板上に光架橋性樹脂層を貼り付けた後、無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含むアルカリ水溶液によって所望の厚みまで光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う。薄膜化処理を行わずに、直接所望の厚みの薄い光架橋性樹脂層を貼り付けると、基板への凹凸追従性不良、レジスト剥がれ等の問題が発生する。しかしながら、本発明では、厚い光架橋性樹脂層を貼り付けるため、基板への凹凸追従性、密着性は極めて良好で、薄膜化処理を行った後においても、その性質は損なわれることはなく、レジスト剥がれ等の問題が発生しにくいという効果が得られる。また、一般的に、光架橋性樹脂層は、厚いもののほうが製造しやすいというメリットもある。

光架橋性樹脂層は、カルボキシル基を含むポリマーなどのアルカリ水溶液に可溶な成分（溶解成分）と光重合性不飽和化合物や光重合開始剤などのアルカリ水溶液に溶解しない成分（不溶解成分）を含有している。光架橋性樹脂層の薄膜化処理に低濃度のアルカリ水溶液を用いた場合には、不溶解成分を中心とし、その周囲に界面活性剤機能を有する溶解成分が存在するミセルを形成し、このミセルがエマルジョン状態でアルカリ水溶液中に分散することによって、光架橋性樹脂層が薄膜化する。アルカリ水溶液中のミセルは、処理液の圧力や流れに対応して移動するため、スプレー等で液流れを作ることによって、光架橋性樹脂層上のミセルが洗い流される。そのため、処理液の液流れがよいところでは光架橋性樹脂層の溶解が進行しやすく、液流れが悪いところでは光架橋性樹脂層上にミセルが残り、光架橋性樹脂層の溶解が遅くなる。そのため、光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、基板面内にむらが発生する。

これに対し、本発明の導電パターンの作製方法（１）においては、光架橋性樹脂層の薄膜化処理に、無機アルカリ性化合物の濃度が５〜２０質量％である高濃度のアルカリ水溶液を使用する。高濃度のアルカリ水溶液中では、光架橋性樹脂層成分のミセルは一旦不溶化され、アルカリ水溶液中に溶解拡散しにくくなる。そのため、スプレー等で処理液の液流れがよいところでも悪いところでも、同じように光架橋性樹脂層上にミセルが残り、光架橋性樹脂層の溶解が遅くなるため、光架橋性樹脂層が略均一に薄膜化され、むらが発生しないという効果が得られる。

また、光架橋性樹脂層の薄膜化処理を連続して行う場合、水平搬送方式のスプレー処理装置が好適に用いられる。水平搬送方式であるため、上下にスプレーノズルを配置すれば、両面一括処理を連続的に行って、基板両面に導電パターンを作製することができる。水平搬送方式で上下両面処理を実施した場合、処理上面は、スプレーによって噴射した処理液が排除され難く、処理基板上に処理液が溜まることによって浸漬状態に近い処理になる。一方、処理下面では、スプレーによって噴射された処理液が速やかに排除され、基板上の処理面は常にスプレーにより噴射された処理液によって処理される。そのため、処理上面と処理下面で液流れが異なり、薄膜化が不均一になる。しかしながら、本発明の導電パターンの作製方法（１）では、処理液の液流れが異なっていても、上下両面共に略均一に薄膜化処理を行うことができる。

さらに、無機アルカリ性化合物の濃度が５〜２０質量％である高濃度のアルカリ水溶液を使用すると、光架橋性樹脂層のミセルはアルカリ水溶液に拡散しにくくなって、光架橋性樹脂層に残る。そして、水洗すると一挙にミセルが除去される。つまり、高濃度のアルカリ水溶液に光架橋性樹脂層が溶解し難いので、アルカリ水溶液の溶解性が変化しにくく、連続薄膜化処理を安定して行うことができる。

本発明の導電パターンの作製方法（２）においては、孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成した後、あらかじめ孔上のみ又は孔上とその周囲部の光架橋性樹脂層を硬化させてから、未硬化部の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う。これにより、孔上のみ又は孔上とその周囲部にはテンティング強度を有する厚いエッチングレジスト層を形成することができ、エッチング工程でテンティング膜が破れにくくなり、孔内導電層がエッチングされにくくなる。さらに、テンティングに必要のない部分は、薄膜化処理を施した後に回路パターンの露光やエッチングを施すことによって、微細な導電パターンの作製が可能となる。この方法（２）によれば、特殊なドライフィルムレジストを必要とせずに、テンティングによる孔内導電層の保護と薄膜化処理による微細な導電パターンの作製とを両立することができる。

本発明の導電パターンの作製方法（３）においては、無機アルカリ性化合物として、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩のうち少なくともいずれか１種を含む。これらの化合物で処理された光架橋性樹脂層は、一旦不溶化され溶解拡散しにくくなったミセルの再分散性が良く、短時間で均一な薄膜化処理を行うことができる。

本発明の導電パターンの作製方法（４）においては、アルカリ水溶液として、さらに、硫酸塩または亜硫酸塩のうち少なくともいずれか１種を含む。これにより、硫酸イオンまたは亜硫酸イオンが塩析による水和を引き起こし、より一層ミセルの溶解拡散を抑制し、均一な薄膜化処理が達成できる。

本発明の導電パターンの作製方法（５）においては、光架橋性樹脂層の薄膜化処理が、（ｂ１）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を５〜２０質量％含み、さらに、硫酸塩または亜硫酸塩のうち少なくともいずれか１種を含むアルカリ水溶液で処理する工程、（ｂ２）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むｐＨ５〜１０の水溶液で処理する工程からなる。工程（ｂ１）では光架橋性樹脂層成分のミセルを一旦不溶化させ、溶解拡散を抑制し、工程（ｂ２）では、このミセルを再分散させて、溶解除去する。このように、工程（ｂ１）と工程（ｂ２）を分けることで、工程（ｂ１）では光架橋性樹脂層は処理液中にほとんど溶け込まないため、処理液の溶解性変化が少なく、安定した連続薄膜化処理ができるという利点がある。また、工程（ｂ２）において、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩はいずれもアルカリ領域に優れた緩衝能力を有するため、工程（ｂ１）から高濃度のアルカリ水溶液の一部が混入した場合においても、急激なｐＨの上昇を防止することができ、局所的な処理液の攪拌むら及びスプレーむら、光架橋性樹脂層の溶解むらに起因するｐＨ変化を最小限まで抑制することができる。さらに、ｐＨ５〜１０の水溶液を使用することにより、（ｂ２）における光架橋性樹脂層成分の再分散性を一定に保つことができ、安定した連続薄膜化処理ができる。

本発明の導電パターンの作製方法（６）では、上記方法（５）の工程（ｂ２）において、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むｐＨ＝５〜１０の水溶液の供給流量が、光架橋性樹脂層１ｃｍ^２当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎである。工程（ｂ２）において、供給流量が不足すると、不溶化された光架橋性樹脂層成分の再分散性が悪くなり、溶解不良が起こりやすくなる。その結果、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面に不溶解成分の析出が見られ、タック性が問題になる場合がある。本発明の導電パターンの作製方法（６）においては、供給流量が十分に大きく、不溶化された光架橋性樹脂層成分を迅速に再分散させることができ、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面に不溶解成分を残すことなく、面内略均一に薄膜化処理を行うことができる。
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本発明の導電パターンの作製方法（７）においては、光架橋性樹脂層が、（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマー、（Ｂ）分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤及び（Ｄ）重合禁止剤を含有してなり、光架橋性樹脂層に対する（Ｄ）成分の含有量が０．０１〜０．３質量％である。図４は、回路パターンの露光工程を示した概略断面図である。基板２上に形成した光架橋性樹脂層１に対して、露光用マスク３を介して露光を行っている。露光された光架橋性樹脂層１は架橋部４となるが、その周囲にある未露光部の光架橋性樹脂層１もハレーションによって光架橋がすすみ、半架橋部５となる。

図５は、光架橋性樹脂層のレジスト特性曲線の一例である。Ｘ軸は露光量（ｍＪ／ｃｍ^２）、Ｙ軸はレジスト硬化度（％）を表す。図５（ａ）において、点線Ａで示されるレジスト特性を有する光架橋性樹脂層の場合、露光量α_Ａから光架橋し始める。露光量β^１ _Ａ〜β^２ _Ａで露光されると、光架橋が不十分な半架橋領域（網点部）となる。露光量α_Ａ〜β^１ _Ａで露光された光架橋性樹脂層の光架橋も不十分であるが、レジスト硬化度が低いため、現像工程で未露光部と一緒に除去することができる。本発明（７）に係わる光架橋性樹脂層は、（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマー、（Ｂ）分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤及び（Ｄ）重合禁止剤を必須成分として含有し、（Ｄ）成分が光架橋性樹脂層に対して０．０１〜０．３質量％含有させている。この（Ｄ）成分によって、光架橋が始まるのに必要な露光量が多くなる（α′_Ａ）。そのため、図５（ｂ）で示したように、露光開始から露光量α′_Ａまでは、発生したラジカルが実質的に架橋に関与せず、レジスト硬化度がゼロの状態が続き、露光量がα′_Ａを超えた後に架橋が進行し始める。よって、半架橋領域が小さくなるため、未露光部の半架橋部が発生しにくくなり、高解像度のエッチングレジストパターンが可能になっていると考えられる。

本発明の導電パターンの作製方法（８）においては、光架橋性樹脂層に対する（Ｂ）成分の含有量が、３５〜５５質量％である。図６は、光架橋性樹脂層のレジスト特性曲線の一例である。レジスト特性曲線の傾きは「γ値」と呼ばれている。点線Ａと実線Ｂのγ値はそれぞれｔａｎθ_Ａとｔａｎθ_Ｂであり、ｔａｎθ_Ａ＜ｔａｎθ_Ｂの関係となっている。高γ値である実線Ｂの半架橋領域は、低γ値である点線Ａの半架橋領域よりも狭く、高γ値の光架橋性樹脂層を用いると半架橋部の少ない高解像度のエッチングレジストパターンが得られる。本発明では、光架橋性樹脂層に対する（Ｂ）成分の含有量が３５〜５５質量％とすることで光架橋性樹脂層のγ値が高くなり、その結果、高解像度のエッチングレジストパターンが可能となっていると考えられる。

本発明の導電パターンの作製方法（９）では、本発明の導電パターンの作製方法（１）における工程（ｂ）と工程（ｃ）の間に、（ｆ）光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層する工程を含み、工程（ｃ）と工程（ｄ）の間に（ｇ）透明性フィルムを除去する工程を含む。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層が剥き出しの状態では、光架橋性樹脂層表面はタック性がある場合があるが、透明性フィルムを積層した後の表面は完全なタックフリー状態になる。よって、光架橋性樹脂層の転写による露光用マスクの汚染も起こらない。また、異物による打痕や傷の欠陥を抑制することができ、高解像度に有利な密着露光方式を用いる場合でも、真空密着不良による光漏れレジスト欠陥が発生しない。

本発明の導電パターンの作製方法（１０）においては、本発明の導電パターンの作製方法（２）における工程（ｂ′）と工程（ｃ）の間に（ｆ）光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層する工程を含み、工程（ｃ）と工程（ｄ）の間に（ｇ）透明性フィルムを除去する工程を含む。これにより、孔上のみ又は孔上とその周囲部にはテンティング強度を有する厚いエッチングレジスト層を形成することができ、さらに、回路パターンの露光において、光架橋性樹脂層表面を完全なタックフリー状態にすることができるため、光架橋性樹脂層の転写による露光用マスクの汚染や異物による打痕や傷の欠陥を抑制することができる。

本発明の導電パターンの作製方法（１）の一例を示す断面工程図である。 本発明の導電パターンの作製方法（２）の一例を示す断面工程図である。 本発明の導電パターンの作製方法（２）の一例を示す断面工程図である。 回路パターンの露光工程を示した概略断面図である。 光架橋性樹脂層のレジスト特性曲線の一例である。 光架橋性樹脂層のレジスト特性曲線の一例である。

以下、本発明の導電パターンの作製方法について詳細に説明する。
図１は、本発明の導電パターンの作製方法（１）の一例を示す断面工程図である。基板２としては、片表面に導電層６を設けた絶縁性基板７を使用している。工程（ａ）では、基板２の導電層６上に光架橋性樹脂層１を形成する。工程（ｂ）では、アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層１の薄膜化処理を行う。アルカリ水溶液としては、無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液を用いる。工程（ｃ）では、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層１を露光し、架橋部４を形成する。工程（ｄ）では、光架橋性樹脂層（未架橋部）１を現像により除去する。工程（ｅ）では、光架橋性樹脂層の架橋部４で覆われていない導電層６をエッチングし、導電パターンを得る。

図２及び３は、本発明の導電パターンの作製方法（２）の一例を示す断面工程図である。基板２としては、孔８を有し、表面及び孔内部に導電層６が設けられている絶縁性基板７を使用している。工程（ａ′）では、孔８を塞ぐような状態で、基板２の表面の導電層６上に光架橋性樹脂層１を形成する。工程（ｉ）では、孔８上及びその周囲部の光架橋性樹脂層１を露光して架橋させ、架橋部４を形成する。工程（ｂ′）では、光架橋性樹脂層（未架橋部）１の薄膜化処理を行う。工程（ｃ）では、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層１を露光し、架橋部４を形成する。工程（ｄ）では、光架橋性樹脂層（未架橋部）１を現像により除去する。工程（ｅ）では、光架橋性樹脂層の架橋部４で覆われていない導電層６をエッチングし、導電パターンを得る。

＜工程（ａ）及び（ａ′）＞
工程（ａ）では、表面に導電層が設けられている基板の少なくとも片面に光架橋性樹脂層を形成する。工程（ａ′）では、孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板の少なくとも片面に光架橋性樹脂層を形成する。光架橋性樹脂層の形成には、例えば、加熱したゴムロールを加圧して押し当てる熱圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。加熱温度は１００℃以上であることが好ましい。基板には、アルカリ脱脂、酸洗等の前処理を施してもよい。

表面に導電層を設けた基板としては、プリント配線板またはリードフレーム用基板が挙げられる。プリント配線板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。フレキシブル基板の絶縁性基板の厚さは５〜１２５μｍで、その両面もしくは片面に１〜３５μｍの金属箔層が導電層として設けられており、可撓性が大きい。絶縁性基板の材料には、通常、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等が用いられる。絶縁性基板上に金属箔層を有する材料は、接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に絶縁性基板材料である樹脂の液を塗布するキャスト法、スパッタリングや蒸着法で絶縁性基板である樹脂フィルム上に形成した厚さ数ｎｍの薄い導電層（シード層）の上に電解メッキで金属箔層を形成するスパッタ／メッキ法、熱プレスで貼り付けるラミネート法等のいかなる方法で製造したものを用いてもよい。金属箔層の金属としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、あるいはそれらの合金等のいかなる金属を用いることができるが、銅が一般的である。

リジッド基板としては、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂等を浸漬させた紙基材またはガラス基材を重ねて絶縁性基板とし、その片面もしくは両面に金属箔を導電層として載置し、加熱及び加圧により積層して、金属箔層が設けられたものが挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは６０μｍ〜３．２ｍｍであり、プリント基板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属箔層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金等が挙げられるが、銅が最も一般的である。これらプリント基板の例は、「プリント回路技術便覧」（（社）日本プリント回路工業会編、１９８７年刊行、（株）日刊工業新聞社刊）や「多層プリント回路ハンドブック」（Ｊ．Ａ．スカーレット編、１９９２年刊行、（株）近代化学社刊）に記載されている。リードフレーム用基板としては、鉄ニッケル合金、銅系合金等の基板が挙げられる。

孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板は、例えば、絶縁性基板表面に金属箔層を有する基板に対して、ドリルやレーザによって孔を形成し、次に、無電解めっき、電解めっき等のめっき処理を施して、孔内部を含む表面にめっき金属層を形成することによって作製される。

光架橋性樹脂層とは露光部が架橋して現像液に不溶化する樹脂層であり、回路形成用として、ネガ型のドライフィルムレジストが一般的に使用されている。市販のドライフィルムレジストは、少なくとも光架橋性樹脂層を有していて、ポリエステル等の支持層フィルム上に光架橋性樹脂層を設け、場合によってはポリエチレン等の保護フィルムで光架橋性樹脂上を挟んだ構成となっているものが多い。本発明において、光架橋性樹脂層として使用できる市販のドライフィルムレジストとしては、例えば、サンフォートシリーズ（商品名、旭化成エレクトロニクス社製）、フォテックシリーズ（商品名、日立化成工業社製）、リストンシリーズ（商品名、デュポンＭＲＣドライフィルム社製）、ＡＬＰＨＯシリーズ（商品名、ニチゴー・モートン社製）等を挙げることができる。

光架橋性樹脂層の厚みは、１５〜１００μｍであることが好ましく、２０〜５０μｍであることがより好ましい。この厚みが１５μｍ未満では、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性不良によって、レジスト剥がれや断線が発生する場合があり、１００μｍを超えると、薄膜化で溶解除去される量が多くなって薄膜化処理時間が長くなり、生産性が悪くなる場合がある。また、連続処理において安定した品質を維持するのが難しくなる場合がある。

＜工程（ｉ）＞
本発明の導電パターンの作製方法（２）において、工程（ｉ）では、孔上のみ又は孔上とその周囲部の光架橋性樹脂層を硬化させるために、孔上のみ又は孔上とその周囲部に対してのみ選択的に露光を行う。周囲部への露光は必須ではない。しかし、通常、露光時には位置ずれが発生し、光架橋性樹脂層によるテンティングができなくなることがあるため、孔の周囲部にも露光することが好ましい。周囲部の大きさは、特に限定されず、露光時に位置ずれに応じて適宜設定することができる。露光方式としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、露光用マスクを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が挙げられる。

＜工程（ｂ）及び工程（ｂ′）＞
工程（ｂ）と工程（ｂ′）では、アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う。光架橋性樹脂層上に支持層フィルムが設けられている場合には、剥がしてから薄膜化処理を実施する。薄膜化処理とは、光架橋性樹脂層の厚みを略均一に薄くする処理のことであり、詳しくは、薄膜化処理を施す前の厚みの０．０５〜０．９倍の厚みまで薄くすることを言う。

アルカリ水溶液は、無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含有する。５質量％未満では、ミセルが不溶化し難く溶解除去途中で可溶化されたミセルが溶解拡散して、薄膜化処理で面内むらが発生する。また、２０質量％を超えると、無機アルカリ性化合物の析出が起こりやすく、液の経時安定性、作業性に劣る。溶液のｐＨは９〜１２の範囲とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜少量添加することもできる。

無機アルカリ性化合物としては、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの炭酸塩または重炭酸塩等のアルカリ金属炭酸塩、カリウム、ナトリウムのリン酸塩等のアルカリ金属リン酸塩、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの水酸化物等のアルカリ金属水酸化物、カリウム、ナトリウムのケイ酸塩等のアルカリ金属ケイ酸塩、カリウム、ナトリウムの亜硫酸塩等のアルカリ金属亜硫酸塩を使用することができる。このうち、本発明の導電パターンの作製方法（３）のように、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むことが好ましい。これらのうち、アルカリ金属炭酸塩が、光架橋性樹脂層の溶解能力、処理液のｐＨを維持する緩衝能力、装置のメンテナンス性等の点から特に好ましい。

さらに、本発明の導電パターンの作製方法（４）のように、アルカリ水溶液が硫酸塩、亜硫酸塩から選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。硫酸塩または亜硫酸塩としては、リチウム、ナトリウムまたはカリウムなどのアルカリ金属硫酸塩または亜硫酸塩、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属硫酸塩または亜硫酸塩が挙げられる。このうちアルカリ金属硫酸塩または亜硫酸塩が特に好適に用いられる。硫酸塩または亜硫酸塩に含まれる硫酸イオンまたは亜硫酸イオンは塩析効果が大きい。塩析効果による水和度が大きくなり、ミセルの溶解拡散がさらに強く抑制され、略均一な薄膜化処理が可能となる。

硫酸塩及び／または亜硫酸塩の含有量（モル濃度）としては、０．０５〜１．０モル／Ｌが好ましい。０．０５モル／Ｌ未満では、塩析力が弱く水和度が小さいため、液流れにより溶解拡散速度に差が生じて薄膜化処理の均一化を高める効果が弱くなることがある。１．０モル／Ｌ以上を超えると、過度の水和が起こり、ミセルの溶解拡散が阻害されるために、溶解不良が起こりやすくなる場合がある。その結果、薄膜化処理後の光架橋性樹脂表面上に不溶解成分の析出が見られ、タック性が問題になる場合がある。

薄膜化処理の方法として、ディップ方式、パトル方式、スプレー方式、ブラッシング、スクレーピング等があり、スプレー方式が光架橋性樹脂層の溶解速度の点からは最も適している。スプレー方式の場合、処理条件（温度、時間、スプレー圧）は、使用する光架橋性樹脂層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は１０〜５０℃が好ましく、より好ましくは１５〜４０℃、さらに好ましくは１５〜３５℃である。また、スプレー圧は０．０１〜０．５ＭＰａとするのが好ましく、さらに好ましくは０．０２〜０．３ＭＰａである。

本発明の導電パターンの作製方法（５）のように、光架橋樹脂層の薄膜化処理である工程（ｂ）及び工程（ｂ′）は、少なくとも２つの工程、工程（ｂ１）及び工程（ｂ２）に分離して処理されることが好ましい。まず、工程（ｂ１）において、高濃度のアルカリ水溶液を過剰に供給することにより、溶解途中でミセル化された光架橋性樹脂層成分を一旦不溶化し、処理液中への溶解拡散を抑制する。次いで、工程（ｂ２）では、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むｐＨ５〜１０の水溶液を供給し、工程（ｂ１）で不溶化された光架橋性樹脂層成分を再分散させて溶解除去する。工程（ｂ２）において、水溶液のｐＨが５未満では、再分散により溶け込んだ光架橋性樹脂成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって薄膜化した光架橋性樹脂層表面に付着する恐れがある。一方、水溶液のｐＨが１０を超えると、光架橋性樹脂層の溶解拡散が促進され、面内で膜厚ムラが発生しやすくなることがあるため好ましくない。また、工程（ｂ２）の処理液は、硫酸、リン酸、塩酸等を用いて、液のｐＨを調整した後に使用してもよい。

本発明の導電パターンの作製方法（６）のように、工程（ｂ２）において、前記ｐＨ＝５〜１０の水溶液の供給流量は、光架橋性樹脂層１ｃｍ^２当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎが好ましい。０．０５０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがより好ましく、０．１０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがさらに好ましい。供給流量がこの範囲であると、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面に不溶解成分を残すことなく、面内略均一に薄膜化処理を行うことができる。光架橋性樹脂層１ｃｍ^２当たりの供給流量が０．０３０Ｌ／ｍｉｎ未満では、不溶化した光架橋性樹脂層成分の溶解不良が起こる場合がある。一方、供給流量が１．０Ｌ／ｍｉｎを超えると、供給のために必要なポンプ等の部品が巨大になり、大がかりな装置が必要になる場合がある。さらに、１．０Ｌ／ｍｉｎを超えた供給流量では、光架橋性樹脂層成分の溶解拡散に与える効果が変わらなくなることがある。

工程（ｂ２）における液供給方法としては、光架橋性樹脂層の溶解速度と液供給の均一性の点からスプレー方式が最も好ましい。さらに、スプレーの方向は、光架橋性樹脂層表面に効率よく液流れを作るために、光架橋性樹脂層表面に垂直な方向に対して傾いた方向から噴射するのがよい。

工程（ｂ）または工程（ｂ′）において、アルカリ水溶液で薄膜化処理を行った後、水によって十分に基板を洗浄する必要がある。この水による基板洗浄により、アルカリ水溶液で不溶化された光架橋性樹脂層のミセルを速やかに再分散させて溶解除去する。水洗処理の方法として、ディップ方式、パトル方式、スプレー方式等があり、光架橋性樹脂層の溶解速度と均一性の点からスプレー方式が最も適している。

＜工程（ｃ）＞
工程（ｃ）では、回路パターンの露光を行う。回路パターンの露光方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、露光用マスクを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が挙げられるが、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とし、露光用マスクを用いた片面、両面密着露光が好適に用いられる。

回路パターンの露光の際に基材表面で起こるハレーションによる悪影響を抑制するため、本発明の導電パターンの作製方法（７）のように、光架橋性樹脂層は、（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマー、（Ｂ）分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤、及び光架橋性樹脂層に対して０．０１〜０．３質量％の（Ｄ）重合禁止剤を含有してなることが好ましい。

（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマーとしては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂の有機高分子が挙げられる。これらは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いてもよい。アルカリ水溶液への溶解性が高いことから、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。アクリル系樹脂としては、（メタ）アクリレートを主成分とし、これにエチレン性不飽和カルボン酸及びその他の共重合可能なエチレン性不飽和基を有する単量体（以下、重合性単量体という）を共重合させてなるアクリル系重合体であればよい。

上記（メタ）アクリレートとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、２−（ジメチルアミノ）エチル（メタ）アクリレート、２−（ジエチルアミノ）エチル（メタ）アクリレート、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

上記エチレン性不飽和カルボン酸として、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸が好適に用いられ、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸や、それらの無水物やハーフエステルを用いることもできる。これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸が特に好ましい。

上記その他の重合性単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−エトキシスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−ブロモスチレン、（メタ）アクリロニトリル、（メタ）アクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、ビニルトルエン、酢酸ビニル、ビニル−ｎ−ブチルエーテル等が挙げられる。

（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマーにおいて、２種類以上を組み合わせて用いる場合のポリマーの組み合わせとしては、例えば、異なる共重合成分を有する２種類以上のポリマーの組み合わせ、異なる質量平均分子量を有する２種類以上のポリマーの組み合わせ、異なる分散度（質量平均分子量／数平均分子量）を有する２種類以上のポリマーの組み合わせが挙げられる。

（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマーの酸価は、５０〜３５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、１００〜３００ｍｇＫＯＨ／ｇであることがさらに好ましい。薄膜化処理においてアルカリ水溶液を用いる場合、この酸価が、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満では溶解までの時間が長くなるだけでなく、溶解不良が発生しやすい傾向があり、一方、３５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、アルカリ溶液に対する溶解拡散が速すぎて、薄膜化処理における膜厚制御が困難になる傾向がある。また、光架橋した部分の現像液に対する耐久性が低下する場合があり、工程（ｃ）で光架橋させた部分が工程（ｄ）で溶解してしまうことがある。

（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマーの質量平均分子量は、１０，０００〜１５０，０００であることが好ましく、１０，０００〜１００，０００であることがより好ましい。質量平均分子量が、１０，０００未満ではアルカリ水溶液に対する耐久性が低下する傾向があり、一方、１５０，０００を超えると溶解までの時間が長くなりすぎる傾向がある。

（Ａ）成分の配合量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量に対して４０〜６５質量％であることが好ましく、４５〜５５質量％であることがより好ましい。（Ａ）成分の配合量が、４０質量％未満では光架橋した部分の化学的強度、機械的強度が低くなる傾向がある。また、被膜性が悪くなるという問題がある。（Ａ）成分の配合量が、６５質量％を超えると光架橋性が低下することがある。

（Ｂ）分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物としては、例えば、多価アルコールにα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；ビスフェノールＡ系（メタ）アクリレート化合物；グリシジル基含有化合物にα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；分子内にウレタン結合を有する（メタ）アクリレート化合物等のウレタンモノマー；ノニルフェノキシポリエチレンオキシアクリレート；γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β′−（メタ）アクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート、β−ヒドロキシアルキル−β′−（メタ）アクリロイルオキシアルキル−ｏ−フタレート等のフタル酸系化合物；（メタ）アクリル酸アルキルエステル、ＥＯ、ＰＯ変性ノニルフェニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。ここで、ＥＯ及びＰＯは、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドを示し、ＥＯ変性された化合物は、エチレンオキサイド基のブロック構造を有するものであり、ＰＯ変性された化合物は、プロピレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。これらの光重合性化合物は単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。

本発明の導電パターンの作製方法（８）のように、（Ｂ）成分の配合量は、光架橋性樹脂層に対して３５〜５５質量％であることが好ましく、４０〜５０質量％であることがより好ましい。（Ｂ）成分の配合量が、３５質量％未満では、基材表面のハレーションによる影響で、未露光部において半架橋領域が発生しやすくなって、解像度が悪化することがあり、一方、５５質量％を超えると、膜表面のタック性が顕著になることがあるだけでなく、硬化後の光架橋性樹脂層が脆くなることがある。

（Ｃ）光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′−テトラメチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノ−プロパノン−１等の芳香族ケトン；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン類；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物等が挙げられる。

また、ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９′−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体；Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物等が挙げられる。上記２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体における２つの２，４，５−トリアリールイミダゾールのアリール基の置換基は、同一な置換基であって対称な化合物を与えてもよいし、相違する置換基であって非対称な化合物を与えてもよい。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と３級アミン化合物とを組み合わせてもよい。これらは単独で、または２種類以上を組み合わせて使用される。

（Ｃ）成分の配合量は、光架橋性樹脂層に対して、１〜１０質量％であることが好ましく、２〜８質量％であることがより好ましい。配合量が、１質量％未満では光架橋性が不十分となる傾向があり、一方、１０質量％を超えると、露光の際に光架橋性樹脂層の表面で吸収が増大して、樹脂層内部の光架橋が不十分となる傾向がある。

（Ｄ）重合禁止剤としては、ハイドロキノン、ｐ−メトキシフェノール、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ピロガロール、β−ナフトール、フェノチアジン等が挙げられる。これらは単独で、または２種類以上を組み合わせて使用される。

（Ｄ）成分の配合量は、光架橋性樹脂層に対して、０．０１〜０．３質量％が好ましく、０．０３〜０．２質量％がより好ましい。０．０１質量％未満では、重合反応の抑制効果が小さく、薄膜化後の光架橋性樹脂層において、未露光部の半架橋部が発生しやすくなることがある。一方、０．３質量％を超えると、光架橋性樹脂層の感度低下が著しくなり、露光部においても架橋が不十分になることがある。

さらに、光架橋性樹脂層に（Ｅ）ハレーション防止剤を添加してもよい。（Ｅ）成分を含有させると、基材表面の反射による散乱光を吸収し、未露光部の半架橋領域の発生を抑制することができる。（Ｅ）ハレーション防止剤としては、２８０〜４３０ｎｍ領域に吸収波長領域を持つものであればよく、アクリジン染料、アニリン黒、アントラキノン染料、アジン染料、アゾ染料、アゾメチン染料、ベンゾキノン染料、ナフトキノン染料、インジゴイド染料、インドフェノール、インドアニリン、インダミン、ナフトールイミド染料、ニグロシン及びインジュリン、ニトロ及びニトロソ染料、オキサジン及びオキサジン染料、酸化染料、フタロシアニン染料、ポリメチン染料、キノフタロン染料、硫化染料、トリアリールメタン及びジアリールメタン染料、チアジン染料、チアゾール染料、キサンテン染料等のハレーション防止用染料や無機及び有機顔料、サリチル酸フェニル系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系及びアクリレート系紫外線吸収剤等が挙げられる。

（Ｅ）成分の配合量は、光架橋性樹脂層に対して０．０５〜０．５質量％であればよい。０．０５質量％未満では、基材表面のハレーションの防止効果が不十分な場合があり、一方、０．５質量％を超えると、光架橋性樹脂層の感度低下が著しくなり、露光部においても架橋が不十分になることがある。

＜工程（ｄ）＞
工程（ｄ）では、光架橋していない光架橋性樹脂層を現像液で除去して、エッチングレジスト層を形成する。現像方法としては、使用する光架橋性樹脂層に見合った現像液を用い、基板の上下方向から基板表面に向かってスプレーを噴射して、エッチングレジストパターンとして不要な部分を除去し、回路パターンに相当するエッチングレジスト層を形成する。一般的には、０．３〜２質量％の炭酸ナトリウム水溶液が使用される。

＜工程（ｅ）＞
工程（ｅ）では、エッチングレジスト層以外の露出した導電層をエッチングすることにより、微細な導電パターンを作製する。エッチング工程では、「プリント回路技術便覧」（（社）日本プリント回路工業会編、１９８７年刊行、（株）日刊工業新聞社刊）記載の方法等を使用することができる。エッチング液は金属箔層を溶解除去できるもので、また、少なくともエッチングレジスト層が耐性を有しているものであればよい。一般に導電層に銅を使用する場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液等を使用することができる。

＜工程（ｆ）及び（ｇ）＞
本発明の導電パターンの作製方法（９）または（１０）において、工程（ｆ）では光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層し、工程（ｇ）では透明性フィルムを除去する。光架橋性樹脂層に含まれる単量体やオリゴマー等の低分子量成分によって、薄膜化処理後の光架橋性樹脂層はタック性を有する場合があるが、工程（ｆ）によって完全なタックフリー状態が得られる。薄膜化処理直後に透明性フィルムを積層すれば、異物や傷による欠陥が非常に少なくなり好ましい。

本発明に係わる透明性フィルムは、薄膜化後の光架橋性樹脂層上に積層でき、現像直前に剥離が可能で、短波長可視光線やそれに近い近紫外線の透過率が高いフィルムであればいずれのフィルムでも使用できる。例えば、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム等が挙げられるが、ポリエステルフィルムが好ましい。ポリエステルとは、芳香族ジカルボン酸または脂肪族ジカルボン酸とジオールを主たる構成成分とする単量体との重縮合体である。

ポリエステルフィルムを構成するポリエステルには、ジカルボン酸成分として、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族カルボン酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、デカンジカルボン酸等の脂肪族カルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環族ジカルボン酸を用いることができ、ジオール成分としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール等の脂肪族ジオール、シクロヘキサンジメタノール等の脂環族ジオールを用いることができる。

透明性フィルムとしては、ポリエステルフィルムの中でも、特に、テレフタル酸とエチレングリコールの脱水重合により作られるポリエチレンテレフタレートを主成分とするフィルムを用いることが好ましい。ポリエチレンテレフタレートフィルムは、耐溶剤性、機械的強度があり、ラミネート適性、剥離適性に優れている。また、光学用フィルムとして、透過率、屈折率も優れ、経済的にも有利なことから利用しやすい。

また、透明性フィルムは、そのヘイズ値Ｈが１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましく、１．５％以下であることがさらに好ましい。ヘイズ値Ｈとは濁度を表す値であり、光源により照射され、試料中を透過した光の全透過率Ｔと試料中で拡散され散乱した光の透過率Ｄより、Ｈ（％）＝（Ｄ／Ｔ）×１００として求められる。これは、ＪＩＳ−Ｋ−７１０５により規定されており、市販のヘイズメーター（例えば、商品名：ＮＤＨ−５００、日本電色工業社製）により容易に測定可能である。ヘイズ値が１０％を超えると、透過性が低くなり、光架橋を阻害することがある。ヘイズ値が１０％以下の透明性フィルムとしては、例えば、テイジンテトロンフィルム（商品名、帝人デュポンフィルム社製）、及びマイラー（商品名、帝人デュポンフィルム社製）、メリネックス（商品名、帝人デュポンフィルム社製）、ダイアホイル（商品名、三菱樹脂社製）、ルミラー（商品名、東レフィルム加工社製）等が挙げられる。

透明性フィルムの厚みは、１０〜２５μｍであることが好ましく、１２〜２５μｍであることがより好ましい。２５μｍを超えると、解像度が低下したり、経済的に不利となることがある。一方、１０μｍ未満では、機械的強度が不足し、剥離時に破れが発生しやすくなることがある。

薄膜化後の光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層する方法としては、光架橋性樹脂層と透明性フィルムの間に隙間を生じさせることなく、空気や異物をかむことなく、波打ちなく、略均一に光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層できればいずれの方法でもよい。例えば、ゴムロールを加圧して押し当てる圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。この際、ゴムロールは加熱してもしなくてもよいが、基板と透明性フィルムの間から光架橋性樹脂層がはみ出して流れ出ないように、圧力や搬送速度、ゴムロールの加熱温度を調節する必要がある。

以下実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。

実施例１
＜工程（ａ）＞
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板（面積１７０ｍｍ×２５５ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．１ｍｍ、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０、三菱ガス化学社製）上に、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度１００℃、エアー供給圧力０．３０ＭＰａ、ラミネート速度０．５０ｍ／ｍｉｎにて、ドライフィルムレジスト（商品名：サンフォートＡＱ２５７５、厚み２５μｍ、旭化成エレクトロニクス社製）をラミネートした。

＜工程（ｂ）＞
支持層フィルムを剥離した後、表１に示すアルカリ水溶液Ａを用いて、光架橋性樹脂層の厚みが平均１０μｍになるように、表２に記載の処理時間処理を行い（液温度２５℃、スプレー圧０．０５ＭＰａ）、十分な水洗処理、冷風乾燥により薄膜化された光架橋性樹脂層を得た。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。結果を表２に示す。

＜工程（ｃ）＞
ライン／スペース＝２０／２０μｍのパターンが描画された露光用マスクを用い、出力３ｋｗの超高圧水銀灯（商品名：ＵＲＭ−３００、ウシオライティング社製）を光源に備えた真空密着露光装置で密着露光を行った。

＜工程（ｄ）＞
１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰａ）を用いて現像処理を行い、エッチングレジスト層を形成した。得られたエッチングレジスト層を光学顕微鏡で観察した結果、ライン／スペース＝２０／２０μｍのパターンにおいて、線細りや断線あるいは線太りやショート等の欠陥は見られなかった。

＜工程（ｅ）＞
エッチングレジスト層を形成した基板を塩化第二鉄溶液（液温度４０℃、スプレー圧０．２０ＭＰａ）で処理し、エッチングレジスト層以外の銅箔を除去することでエッチングを実施した。続いて、４０℃の３質量％水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層を除去し、導電パターンを得た。得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。

実施例２〜１０
アルカリ水溶液Ａの代わりに表１に記載のアルカリ水溶液Ｂ〜Ｈ、ＡＨ、ＡＩを用いた以外は、実施例１と同じ方法で導電パターンの作製を行った。薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。結果を表２に示す。実施例２〜１０において、標準偏差の値は小さく、良好な面内均一性が得られた。さらに、得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。無機アルカリ性化合物として亜硫酸ナトリウムを用いた実施例９〜１０では、面内の膜厚のばらつきは良好だったが、薄膜化処理後の光架橋性樹脂表面に不溶解成分の析出による弱いタック性が認められた。得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。

比較例１〜５
表３に示すアルカリ水溶液ＡＡ〜ＡＥを用いた以外は実施例１と全く同じ方法で導電パターンを作製した。それぞれの比較例において、表４に示す処理時間で薄膜化処理を行った後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。結果を表４に示す。アルカリ水溶液中の無機アルカリ性化合物の含有量が少ない比較例１〜５では、標準偏差の値が大きくなり、面内の膜厚のばらつきが顕著であった。さらに、得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、ライン＆スペース２０μｍの部分において、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。

比較例６〜７
表３に示すアルカリ水溶液ＡＦ〜ＡＧを調製したが、２５℃において１０日以上放置すると、析出物が発生した。さらに、薄膜化処理の際、この析出物がポンプ内の詰まりを引き起こす等の問題が発生した。

実施例１１〜２８
アルカリ水溶液Ａの代わりに表５に記載のアルカリ水溶液Ｉ〜Ｚを用い、薄膜化処理として、スプレー圧０．０５ＭＰａで噴射するスプレー処理の他にアルカリ水溶液に浸漬するディップ処理を行い、十分な水洗処理、冷風乾燥により薄膜化処理を行った以外は、実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。薄膜化後の光架橋性樹脂層の厚みが平均１０μｍになるように、浸漬時間及びスプレー噴射時間を調整した。

実施例１１〜２８において、薄膜化処理に要した処理時間及び浸漬処理のスプレー処理に対する必要処理時間の割合を表６に示す。水平搬送方式の連続処理装置を使用し、上下にスプレーノズルを配置して、両面一括処理を連続的に行った場合、処理上面は、スプレーによって噴射した処理液が排除され難く、処理基板上に処理液が溜まることによって浸漬状態に近い処理になる。一方、処理下面では、スプレーによって噴射された処理液が速やかに排除され、基板上の処理面は常にスプレーにより噴射された処理液によって処理される。浸漬処理のスプレー処理に対する必要処理時間の割合が１に近いほど、浸漬処理とスプレー処理の薄膜化状態の差が小さいことを表しており、水平搬送式連続処理装置を使用した場合においても、上下両面内で略均一に薄膜化処理が可能である。

実施例１１〜２８では、全てのアルカリ水溶液において、必要処理時間は１．１〜１．４倍であり、浸漬処理とスプレー処理の間で、処理時間の格差は小さく、水平搬送方式の連続処理装置を使用した場合においても、上下両面内で略均一に処理できることが確認された。亜硫酸ナトリウムが多く含まれる実施例２０においては、薄膜化処理後の光架橋性樹脂表面にわずかに不溶解成分の析出箇所が見られ、弱いタック性が認められた。

薄膜化処理後、光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。結果を表６に示す。それぞれのアルカリ水溶液において、浸漬処理とスプレー処理との間の標準偏差の差は小さく、良好な面内均一性が得られた。さらに、得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。

比較例８〜１０
表７に示すアルカリ水溶液ＡＪ〜ＡＬを用いた以外は実施例１１に記載と同じ方法で導電パターンを作製した。それぞれの比較例において、要した処理時間、及び浸漬処理のスプレー処理に対する必要処理時間の割合を表８に示した。いずれのアルカリ水溶液においても、必要処理時間の割合は２倍以上となり、処理方法の違いで処理時間に大きな格差が発生した。つまり、例えば、水平搬送方式の連続処理装置を使用した場合、上下両面内で略均一に処理することが困難であることが示された。また、薄膜化処理後のドライフィルムレジストの膜厚のばらつきを表８に示した。浸漬処理に比べスプレー処理では、標準偏差の値が大きく、面内の膜厚のばらつきが顕著であった。さらに、浸漬処理とスプレー処理で得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、比較例１０において、ライン＆スペース２０μｍの部分において、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。

比較例１１
表７に示すアルカリ水溶液ＡＭを調製したが、２５℃において１０日以上放置すると、析出物が発生した。さらに、薄膜化処理の際、この析出物がポンプ内の詰まりを引き起こす等の問題が発生した。

実施例２９〜５４
光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、表９に示すアルカリ水溶液（ｂ１）Ａ〜Ｚを用いて処理を行った後、表９に示す液供給流量で処理液（ｂ２）Ａ〜Ｚを供給し、十分に洗浄を行い、その後、冷風乾燥によって薄膜化した以外は実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。また、処理液（ｂ２）Ａ〜ＺのｐＨは硫酸を添加することによって調整した。光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。結果を表１０に示す。処理液（ｂ２）のｐＨが大きい実施例３３と処理液（ｂ２）の液供給量が少ない実施例４１、４２において、標準偏差がやや大きく、さらに、実施例４１では、薄膜化処理後の光架橋性樹脂表面に不溶解成分の析出による弱いタック性が認められた。その他の実施例においては、（ｂ２）のｐＨと液供給流量を適切に調整することにより、良好な面内均一性が得られた。さらに、得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。

実施例５５、５６、比較例１２
光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、表１１に示すアルカリ水溶液（ｂ１）ＡＡ〜ＡＣを用いて処理を行った後、表１１に示す液供給流量で処理液（ｂ２）ＡＡ〜ＡＣを供給し、十分に洗浄を行い、その後、冷風乾燥によって薄膜化した以外は実施例２９と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。また、処理液（ｂ２）ＡＡ〜ＡＣのｐＨは硫酸を添加することによって調整した。光架橋性樹脂層の膜厚を１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。結果を表１２に示す。処理液（ｂ２）のｐＨが５より小さい実施例５５では、処理液（ｂ２）中に光架橋性樹脂層の不溶解成分の凝集物が発生することがあり、薄膜化処理後に凝集物が再付着することがあったが、標準偏差の値は小さかった。一方、処理液（ｂ２）のｐＨが１０より大きい実施例５６において、不溶化した光架橋性樹脂層成分の再分散と同時に処理液（ｂ２）が光架橋性樹脂層を溶解させるため、標準偏差の値が大きくなる傾向が見られた。比較例１２においては、アルカリ水溶液（ｂ１）の無機アルカリ性化合物濃度が低いため、面内の膜厚のばらつきが顕著だった。さらに、得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、ライン＆スペース２０μｍの部分において、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。

比較例１３
表１１に示すアルカリ水溶液（ｂ１）ＡＤを調製したが、２５℃において１０日以上放置すると、析出物が発生した。さらに、薄膜化処理の際、この析出物がポンプ内の詰まりを引き起こす等の問題が発生した。

実施例５７〜６０、比較例１４
連続薄膜化処理の安定性を調べるため、光架橋性樹脂層の薄膜化処理において、表１３に示すアルカリ水溶液（ｂ１）ＡＡＡ〜ＡＡＥを用いて処理を行った後、表１３に示す液供給流量で処理液（ｂ２）ＡＡＡ〜ＡＡＥを供給し、十分に洗浄を行い、その後、冷風乾燥によって薄膜化した以外は実施例２９と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。また、１枚目薄膜化処理前に処理液（ｂ２）ＡＡＡ〜ＡＡＥのｐＨは、硫酸を添加することにより調整した。連続薄膜化処理中、１枚処理ごとに処理液（ｂ２）ＡＡＡ〜ＡＡＥのｐＨは調整せず、薄膜化処理１枚目と薄膜化処理５枚目及び１０枚目において、光架橋性樹脂層の膜厚をそれぞれ１０点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。また、連続薄膜化処理１０枚後におけるアルカリ水溶液（ｂ１）中への光架橋性樹脂層の溶け込みを調べるため、液の濁りを目視で観察した。連続薄膜化処理１０枚後のアルカリ水溶液（ｂ１）の濁り、処理液（ｂ２）ＡＡＡ〜ＡＡＥのｐＨ、膜厚のばらつき（標準偏差σ）の結果を表１４に示す。

アルカリ水溶液（ｂ１）の無機アルカリ性化合物濃度が本発明の範囲外である比較例１４では、連続薄膜化処理５枚目及び１０枚目においても、処理液（ｂ２）のｐＨの上昇は小さかったが、１枚目処理後から標準偏差の値は大きく、薄膜化処理枚数によらず膜厚のばらつきが顕著だった。また、１０枚処理後、アルカリ水溶液（ｂ１）中への光架橋性樹脂層の溶け込みによる濁りが観察され、処理枚数の増加によるアルカリ水溶液の溶解性の悪化が懸念された。さらに、それぞれの薄膜化処理枚数後の基板で得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、ライン＆スペース２０μｍの部分において、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。処理液（ｂ２）に水を用いた実施例５７では、５枚、１０枚と薄膜化処理枚数が増えるにつれ処理液（ｂ２）のｐＨに上昇傾向が認められた。１０枚処理後、処理液（ｂ２）のｐＨが１０を超え、標準偏差の値が大きく顕著な膜厚のばらつきが見られた。さらに、得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、５枚処理後の基板では、ライン／スペース＝２０μｍ／２０μｍの部分において、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかったが、１０枚処理後の基板では、一部でショート欠陥が発生しており、面内略均一な導電パターンを作製することはできなかった。処理液（ｂ２）に緩衝能力を有する水溶液を用いた実施例５８〜６０では、５枚処理後と１０枚処理後において、処理液（ｂ２）のｐＨの上昇は小さく、ともに１０未満に抑制されており、膜厚のばらつきは良好だった。さらに、５枚処理後、１０枚処理後の基板で得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。また、実施例５７〜６０において、１０枚処理後、アルカリ水溶液（ｂ１）中への光架橋性樹脂層の溶け込みによる濁りは見られず、アルカリ水溶液の連続処理安定性が示唆された。

実施例６１〜７２、比較例１５
（光架橋性樹脂組成物溶液の調液）
表１５及び表１６に示す各成分を混合し、光架橋性樹脂組成物溶液を得た。表１５及び表１６における各成分配合量の単位は、質量部を表す。なお、（Ａ）成分について、表１５及び表１６中の数字は、溶液の質量部を表す。また、表１７及び表１８は、光架橋性樹脂層に対する（Ｂ）成分及び（Ｄ）成分の含有量（単位：質量％）である。

表１５及び表１６において、（Ａ）成分は以下の通りである。
（Ａ−１）成分；メチルメタクリレート／ｎ−ブチルアクリレート／メタクリル酸を質量比６４／１５／２１で共重合させた共重合樹脂（１−メトキシ−２−プロパノールを溶剤とした４０質量％溶液）
表１５及び表１６において、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分は以下の通りである。
（Ｂ−１）成分；２，２′−ビス（４−メタクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン（商品名：ＢＰＥ−５００、新中村化学工業（株）製）
（Ｂ−２）成分；トリメチロールプロパントリアクリレート（商品名：ＴＭＰ−Ａ、共栄社化学（株）製）
（Ｃ−１）成分；２−（２′−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体
（Ｃ−２）成分；４，４′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン
表１５及び表１６において、（Ｄ）成分は以下の通りである。
（Ｄ−１）成分；ｐ−メトキシフェノール

（ドライフィルムレジストの作製）
ポリエステルフィルムからなる支持層フィルム（膜厚２５μｍ）上に、スリットダイコーターを用いて上記光架橋性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥させた後、ポリエチレンフィルムからなる保護フィルム（膜厚３０μｍ）をラミネートして、膜厚２５μｍの光架橋性樹脂層を有するドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）Ａ〜Ｋ及びＡＡ〜ＡＢを作製した。

ドライフィルムレジスト（商品名：サンフォートＡＱ２５７５、旭化成エレクトロニクス社製、厚み２５μｍ）の代わりにドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）Ａ〜Ｋ及びＡＡ〜ＡＢを用い、薄膜化後の光架橋性樹脂層の厚みが平均１０μｍ及び平均５μｍになるように表１に示すアルカリ処理液Ａを用いて薄膜化処理を行い、続く回路パターンの露光において、ライン／スペース＝１０／１０、１５／１５、２０／２０、３０／３０、５０／５０μｍのパターンが描画された露光用マスクを用いた以外は、実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。

光学顕微鏡を用いて得られたエッチングレジスト層の最小解像スペース幅を測定した。レジスト層のボトム部に裾引きが発生している場合には、その裾引き領域を差し引いた値を最小解像スペース幅とした。最小解像スペース幅の測定結果を表１９に示す。実施例６１〜７１では、基材表面のハレーションによる未露光部の半架橋領域の発生が効果的に抑制されており、薄膜化後の光架橋性樹脂層の厚みが１０μｍ以下の極薄膜においても、レジスト層のボトム部の裾引きが抑えられていて、狭スペース幅のレジスト解像が可能であった。光架橋性樹脂層に対する（Ｂ）成分の含有量が３５〜５５質量％である実施例６１〜６９は、含有量が３４質量％の実施例７０と比較して、裾引きが抑えられていた。（Ｂ）成分の含有量が５６質量％である実施例７１においては、薄膜化処理後、露光工程において、僅かに露光用マスクとのタック性が認められた。解像された狭スペース幅のエッチングレジスト層を用い、エッチング処理後に得られた各ライン／スペースの導電パターンにおいて、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。

実施例７２では、重合禁止剤の配合量が少なすぎるため、ハレーションによる未露光部の半架橋領域の発生が顕著で、レジスト層のボトム部に大量の裾引き領域が発生した。また、実施例７２では、エッチング処理後、ライン／スペース＝５０／５０μｍを除き、３０／３０μｍ以下の導電パターンに複数箇所でショート及び断線が発生していた。比較例１５では、ドライフィルムレジストＡＢにおける重合禁止剤の配合量が多すぎたことから、感度が低下して露光工程で架橋することができなかった。すなわち、ドライフィルムレジストＡＢは光架橋性がなかった。そのため、現像処理において基板からドライフィルムレジストが剥離してしまい、エッチングレジスト層を形成させることができなかった。

実施例７３
＜工程（ａ′）＞
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板に、ドリルを用いて直径２００μｍ及び５００μｍの貫通孔を１００穴ずつ形成した後、貫通孔内部と銅箔上に１０μｍ厚のめっき銅層を形成した孔あり銅張積層板にドライフィルムレジスト（商品名：サンフォートＡＱ２５７５、旭化成エレクトロニクス社製、厚み２５μｍ）をラミネートした。

＜工程（ｉ）＞
光架橋性樹脂層を薄膜化する前に、各孔に対して、貫通孔上とその周囲部のみが描画された露光用マスク（直径２００μｍの貫通孔に対して直径４００μｍの円形パターン、直径５００μｍの貫通孔に対して直径８００μｍの円形パターン）を用い、出力３ｋｗの超高圧水銀灯（商品名：ＵＲＭ−３００、ウシオライティング社製）を光源に備えた真空密着露光装置で密着露光を行った。

＜工程（ｂ′）＞
貫通孔上とその周囲部の光架橋性樹脂層を硬化させた後、支持層フィルムを剥離し、貫通孔上とその周囲部以外の未硬化の光架橋性樹脂層の厚みが平均１０μｍになるように、表１に示すアルカリ処理液Ａを用いて薄膜化処理を行い、十分な水洗処理、冷風乾燥により薄膜化された光架橋性樹脂層を得た。

薄膜化処理後、実施例１と同様に、工程（ｃ）、工程（ｄ）、工程（ｅ）処理を行い、導電パターンを作製した。エッチングレジスト層を剥離する前に、貫通孔上にテンティングされた光架橋性樹脂層を観察したところ、１００個全ての孔において光架橋性樹脂層に破れや剥離の発生はなく、エッチングレジスト層剥離後においても、孔内部の金属層に腐食は見られなかった。さらに、得られた導電パターンに、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。

（比較例１６）
薄膜化処理を行わない以外は実施例７３と全く同じ方法で導電パターンを作製した。得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、孔内部の金属層に腐食は見られなかったが、ライン／スペース＝２０μｍ／２０μｍパターンにおいて、断線またはショート欠陥が発生していた。

（比較例１７）
薄膜化処理前に貫通孔上とその周囲部の露光を行わない以外は実施例７３と全く同じ方法で導電パターンを作製した。得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察した結果、ライン／スペース＝２０μｍ／２０μｍパターンにおいて、断線またはショート欠陥は発生しておらず、良好な微細パターンを作製できた。しかしながら、エッチングレジスト層剥離前において、孔上のドライフィルムレジストを観察したところ、直径５００μｍの孔上のドライフィルムレジスト全てにテント破れが発生していた。また、直径２００μｍでは、５０箇所以上にテント破れが発生していた。さらに、エッチングレジスト層剥離後において、孔内部を観察したところ、孔内部の金属層の腐食が認められた。

実施例７４〜８１
ドライフィルムレジスト（商品名：サンフォートＡＱ２５７５、旭化成エレクトロニクス社製、厚み２５μｍ）の代わりにドライフィルムレジストＣを用い、薄膜化後の光架橋性樹脂層の厚みが平均１０μｍになるように表１に示すアルカリ処理液Ａを用いて薄膜化処理を行った後、下記（ｆ）工程によりポリエチレンテレフタレートフィルムを積層し、続く回路パターンの露光において、ライン／スペース＝１５／１５、２０／２０、３０／３０、５０／５０、７０／７０μｍのパターンが描画された露光用マスクを用いて密着露光を行い、次に、積層したポリエチレンテレフタレートフィルムを除去してから現像した以外は、実施例１と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。

＜工程（ｆ）＞
平均１０μｍに薄膜化処理された光架橋性樹脂層上に、表２０に示す物性値（膜厚、ヘイズ値）のポリエチレンテレフタレートフィルムＡ〜Ｈを、ロール温度８０℃、エアー供給圧力０．３０ＭＰａ、ラミネート速度０．５０ｍ／ｍｉｎにてラミネートにより積層した。ポリエチレンテレフタレートフィルムを積層した後、光架橋性樹脂層との間に空気や異物の混入は見られなかった。

現像後、得られたエッチングレジスト層に線細りや断線、または、線太りやショート等の欠陥がないか光学顕微鏡観察により評価した。評価の基準は以下の通りであり、評価結果を表２１に示す。また、得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られず、エッチングレジスト層の密着不良によって起こる断線欠陥も認められなかった。
○：線細りや断線、または、線太りやショート欠陥がない
△：線細り、または、線太り欠陥があるが、実用上問題ないレベル
×：断線、または、ショート欠陥があり、実用上問題があるレベル

実施例８２
薄膜化処理後、透明性フィルムをラミネートせずに光架橋性樹脂層が剥き出しの状態で密着露光を行った以外は実施例７４と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。結果、ライン／スペース＝２０／２０μｍ以下のパターンで、真空密着不良による光漏れや異物や傷が原因のエッチングレジスト層の線太りやショート欠陥が見られた。エッチング工程後、得られた導電パターンには、全面で実用上問題となるショート欠陥が多発していた。評価結果を表２１に示す。

実施例８３
薄膜化処理後、ポリエチレンテレフタレートフィルムＡをラミネートせずに、光架橋性樹脂層上に載置した状態で密着露光を行った以外は実施例７４と全く同じ方法で導電パターンの作製を行った。光架橋性樹脂層とポリエチレンテレフタレートフィルムの間には隙間が生じて空気が混入し、多数の気泡が確認された。密着露光、現像処理後、ライン／スペース＝３０／３０μｍ以下のパターンで、気泡の混入よる光漏れ起因のエッチングレジスト層の線太りやショート欠陥が見られた。エッチング処理後、得られた導電パターンには、全面で実用上問題となるショート欠陥が多発していた。評価結果を表２１に示す。

本発明は、サブトラクティブ法を用いた微細な導電パターンの作製に広く利用され、実施例で説明したプリント配線板のほか、リードフレームの製造方法にも利用することができる。

図１〜図４中の符号を以下に説明する。
１ 光架橋性樹脂層（未架橋部）
２ 基板
３ 露光用マスク
４ 光架橋性樹脂層の架橋部
５ 光架橋性樹脂層の半架橋部
６ 導電層
７ 絶縁性基板
８ 孔

Claims (10)

1. サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、（ａ）表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（ｂ）アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、（ｃ）回路パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）エッチング工程をこの順に含み、該アルカリ水溶液が無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液であることを特徴とする導電パターンの作製方法。
2. サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、（ａ′）孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（ｉ）孔上のみ又は孔上とその周囲部の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、（ｂ′）アルカリ水溶液によって未硬化部の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、（ｃ）回路パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）エッチング工程をこの順に含み、該アルカリ水溶液が無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含む水溶液であることを特徴とする導電パターンの作製方法。
3. 無機アルカリ性化合物が、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種である請求項１または２記載の導電パターンの作製方法。
4. アルカリ水溶液が、さらに、硫酸塩、亜硫酸塩から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１〜３のいずれか記載の導電パターンの作製方法。
5. 光架橋性樹脂層の薄膜化処理が、（ｂ１）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を５〜２０質量％含み、さらに、硫酸塩、亜硫酸塩から選ばれる少なくとも１種を含むアルカリ水溶液で処理する工程、（ｂ２）アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を含むｐＨ５〜１０の水溶液で処理する工程を含む請求項１または２記載の導電パターンの作製方法。
6. （ｂ２）において、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機アルカリ性化合物を含むｐＨ５〜１０の水溶液の供給流量が、光架橋性樹脂層１ｃｍ^２当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎである請求項５記載の導電パターンの作製方法。
7. 光架橋性樹脂層が、（Ａ）カルボキシル基を含有するポリマー、（Ｂ）分子内に少なくとも１個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤及び（Ｄ）重合禁止剤を含有してなり、光架橋性樹脂層に対する（Ｄ）成分の含有量が０．０１〜０．３質量％であることを特徴とする請求項１または２記載の導電パターンの作製方法。
8. 光架橋性樹脂層に対する（Ｂ）成分の含有量が、３５〜５５質量％である請求項７記載の導電パターンの作製方法。
9. 工程（ｂ）と工程（ｃ）の間に（ｆ）光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層する工程を含み、工程（ｃ）と工程（ｄ）の間に（ｇ）透明性フィルムを除去する工程を含む請求項１記載の導電パターンの作製方法。
10. 工程（ｂ′）と工程（ｃ）の間に（ｆ）光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層する工程を含み、工程（ｃ）と工程（ｄ）の間に、（ｇ）透明性フィルムを除去する工程を含む請求項２記載の導電パターンの作製方法。

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