TWI445473B - 導電圖型之製作方法 - Google Patents

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Yuji Toyoda
Yasuo Kaneda
Kunihiro Nakagawa
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Mitsubishi Paper Mills Ltd
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Description

導電圖型之製作方法
本發明係關於一種藉由減色法進行之導電圖型之製作方法。
作為印刷電路板或引線框架之製造方法，有將蝕刻阻劑層設置於表面設置有導電層之絕緣性基板或導電性基板之電路部分，將露出之非電路部分之導電層蝕刻除去而形成導電圖型之減色法。另外還有藉鍍敷法將導電層設置於絕緣性基板之電路部分之加成法或半加成法。
且說到近年來伴隨著電子機器之小型、多功能化，機器內部所使用之印刷電路板或引線框架正往高密度化或導電圖型之微細化進展著，藉由減色法，現在正製造出導體寬度未滿50～80μm、導體間隙50～80μm之導電圖型。另外，進一步高密度化、微細配線化正在進展，逐漸需要導體寬度或導體間隙未滿50μm之超微細導電圖型。伴隨如此，導電圖型之精密度或阻抗之要求亦變高。為了形成如此的微細的導電圖型，過去以來，正檢討著半加成法用以代替減色法，然而卻會有製造步驟大幅增加的問題或電鍍銅之接著強度不足等問題。因此，以減色法製造印刷電路板或引線框架逐漸變成主流。
在減色法之中，蝕刻阻劑層，係藉由具有使用感光性材料之曝光顯像步驟之光電製造法、絲網印刷法、噴墨法等而形成。其中尤其使用在光電製造法中被稱為負型之乾式薄膜光阻之薄片狀之光交聯性樹脂層之方法，由於使用性優異、可保護由蓋孔(tenting)形成之貫通孔，因此可適合使用。
在使用光交聯性樹脂層之方法中，於基板上形成光交聯性樹脂層，經過曝光顯像步驟而形成蝕刻阻劑層。為了形成微細的導電圖型，必定要形成微細的蝕刻阻劑層。為此，有儘可能使光阻膜厚變薄的必要。就光交聯性樹脂層而言，在一般的乾式薄膜光阻之情況，若製成例如10μm以下之膜厚，則因為以塵埃為核之氣泡之混入或凹凸追隨性之降低，有發生光阻層之剝落或斷線的問題，難以使微細的蝕刻阻劑層形成。
欲解決如此的問題，提出了於基板上貼附厚度25μm以上之乾式薄膜光阻，接著，使用鹼水溶液，使乾式薄膜光阻薄膜化至10μm程度之後，進行電路圖型之曝光、顯像，形成蝕刻阻劑層之方法(例如特開2004-214253號公報參照)。
然而，於特開2004-214253號公報之方法會有幾個間題。第1個問題為，有薄膜化成為不均勻之情況或安定之連續薄膜化處理無法進行之情況。如特開2004-214253號公報所記載般，若使用含碳酸鈉1質量%之鹼水溶液，進行乾式薄膜光阻之薄膜化，則在基板之面內液流之不同造成之乾式薄膜光阻之溶解速度差大，難以將乾式薄膜光阻均勻地薄膜化，在蝕刻後，會有發生在面內導體寬度之變異的情況。另外，由於溶解之乾式薄膜光阻溶於此鹼水溶液中，因此若進行連續處理，則鹼水溶液之溶解性產生變化，會有不能進行安定之連續薄膜化處理的問題。
第2個問題為在製作具有被稱為貫通孔或盲孔之貫通孔或非貫通孔(以下稱為孔)之印刷電路板之情況下，有無法保護孔內部之導電層之情況。在減色法之中，藉著以乾式薄膜光阻進行之蓋孔法，以不使蝕刻液進入孔內之方式，保護設置於孔內之導電層。然而，如特開2004-214253號公報般，在經過薄膜化處理之乾式薄膜光阻，遍及全面會有於孔上經過蓋孔之乾式薄膜光阻破裂，孔內部之導電層在蝕刻時被腐蝕的問題發生。
為了解決第2個問題，而提出了使用層合了例如敏感度相異之第1感光性樹脂層與第2感光性樹脂層之乾式薄膜光阻，將為了使第2感光性樹脂層交聯所必要的光量照射於既定之圖型，將為了使第1感光性樹脂層與第2感光性樹脂層一起交聯所必要的光量照射至孔上及其周圍部分，藉此，在導電層表面之導電圖型形成區域與孔上及其周圍部分，形成厚度相異之蝕刻阻劑層之電路基板之製作方法(例如特開2005-136223號公報參照)。然而，特開2005-136223號公報所記載之方法中，會有具有敏感度相異的2種感光性樹脂層的特殊乾式薄膜光阻成為必要，鹼顯像性或塗佈性等調整為困難的問題。
第3個問題為關於曝光的問題。就電路圖型之曝光方法而言，已知有以氙燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、超高壓水銀燈、UV螢光燈作為光源之反射影像曝光、使用曝光用光罩之單面或兩面密著曝光方式、接近方式、投影方式或雷射掃描曝光方式等。在雷射掃描曝光方式中，有雷射之光束直徑大，對應於高解像度為困難的情況。另外，由於有使用對雷射光源所固有之波長具有敏感度之特殊的乾式薄膜光阻的必要，因此並非一般的。接近方式、投影方式，有因為曝光用光罩與乾式薄膜光阻之間有空間，以及曝光之折射光，而造成解像度降低之情形，此情形亦並非一般的。另一方面，在密著曝光方式中，曝光用光罩與乾式薄膜光阻間之空間實質上為零，只要使用平行光光源，可說是即為對應於最高解像度之曝光方式。
然而，在特開2004-214253號公報之中，若將乾式薄膜光阻薄膜化之後，使用密著曝光方式，進行電路圖型之曝光，則會有在基材表面反射之光線散射(暈光)至未曝光部，圖型之解像度惡化的問題。此基材表面之暈光造成之不良影響，在光阻之膜厚為厚的之情況下，小到可忽視的程度，而由成為厚度10μm以下之極薄膜，顯著地發生，在顯像步驟後，難以將20μm以下之狹間距解像，有更進一步改良的必要。
第4個問題亦關於曝光步驟。在特開2004-214253號公報之中，將乾式薄膜光阻薄膜化之後，由於乾式薄膜光阻之光交聯性樹脂層表面成為露出狀態，因此直接與曝光用光罩強力地真空密著，則於光交聯性樹脂層表面容易發生異物造成之撞擊痕或損傷。另外，在光交聯性樹脂層露出之狀態下，於搬運步驟或投入及接受步驟等之中，容易發生異物之附著或損傷造成之缺陷。再者，於乾式薄膜光阻之光交聯性樹脂層表面有黏著性之情況下，真空密著時、光交聯性樹脂層表面與曝光用光罩表面之滑順度變差、局部地發生真空密著不良，漏光造成之光阻缺陷成為容易發生。另外還有光交聯性樹脂層轉印而污染曝光用光罩，光阻層之剝離等發生之情況，會有額外的清潔作業成為必要之問題。
本發明之課題係提供一種藉由減色法進行之導電圖型之製作方法，係於表面設置有導電層之基板上，形成光交聯性樹脂層，藉由鹼水溶液進行光交聯性樹脂層之薄膜化處理之後，進行電路圖型之曝光、顯像、蝕刻處理之導電圖型之製作方法之中，可將光交聯性樹脂層均勻地薄膜化，進一步，可進行安定的連續薄膜化處理之方法。
另外提供一種導電圖型之製作方法，不須要特殊的乾式薄膜光阻，可兼顧蓋孔造成之孔內導電層之保護與薄膜化處理造成之微細的導電圖型之製作。
進一步提供一種導電圖型之製作方法，即使薄膜化處理後之光交聯性樹脂層之厚度成為10μm以下之極薄膜，也幾乎不會受到暈光造成之不良影響。
然後還提供一種導電圖型之製作方法，在搬運步驟或投入及接受步驟等之中，於光交聯性樹脂層上異物或損傷造成之缺陷非常少，不會引起密著曝光時之光交聯性樹脂層造成之曝光用光罩之污染、光阻層之剝離等，進一步，不會發生真空密著不良造成之漏光光阻缺陷。
本發明人等，為了解決上述課題專心檢討之結果，發現了：
(1)一種導電圖型之製作方法，係藉由減色法進行之導電圖型之製作方法，其特徵為依序包含(a)於表面設置有導電層之基板上形成光交聯性樹脂層之步驟、(b)藉由鹼水溶液進行光交聯性樹脂層之薄膜化處理之步驟、(c)電路圖型之曝光步驟、(d)顯像步驟、(e)蝕刻步驟，而該鹼水溶液係含無機鹼性化合物5～20質量%之水溶液，
(2)一種導電圖型之製作方法，係藉由減色法進行之導電圖型之製作方法，其特徵為依序包含(a')於具有孔、表面及孔內部設置有導電層之基板上形成光交聯性樹脂層之步驟、(i)僅使孔上或使孔上與其周圍部分之光交聯性樹脂層硬化之步驟、(b')藉由鹼水溶液進行未硬化部之光交聯性樹脂層之薄膜化處理之步驟、(c)電路圖型之曝光步驟、(d)顯像步驟、(e)蝕刻步驟，而該鹼水溶液含無機鹼性化合物5～20質量%之水溶液，
(3)如上述(1)或(2)記載之導電圖型之製作方法，其中無機鹼性化合物係選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬矽酸鹽至少1種，
(4)如上述上述(1)～(3)之任一者所記載之導電圖型之製作方法，其中鹼水溶液進一步含有選自硫酸鹽、亞硫酸鹽至少1種，
(5)如上述(1)或(2)記載之導電圖型之製作方法，其中光交聯性樹脂層之薄膜化處理包含(b1)以含有選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬矽酸鹽至少1種之無機鹼性化合物5～20質量%，進一步含有選自硫酸鹽、亞硫酸鹽至少1種之鹼水溶液進行處理之步驟、(b2)以含有選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬矽酸鹽至少1種之無機鹼性化合物之pH5～10之水溶液進行處理之步驟，
(6)如上述(5)記載之導電圖型之製作方法，其係在(b2)中，含有選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬矽酸鹽至少1種之無機鹼性化合物之pH5～10之水溶液之供給流量為，每1cm2 光交聯性樹脂層為0.030～1.0L/min，
(7)如上述(1)或(2)記載之導電圖型之製作方法，其中光交聯性樹脂層係含有(A)含有羧基之聚合物、(B)於分子內具有至少1個可聚合之乙烯性不飽和基之光聚合性化合物、(C)光聚合起始劑及(D)聚合抑制劑而成，而相對於光交聯性樹脂層之(D)成分之含量為0.01～0.3質量%，
(8)如上述(7)記載之導電圖型之製作方法，其中相對於光交聯性樹脂層之(B)成分之含量為35～55質量%，
(9)如上述(1)記載之導電圖型之製作方法，其中於步驟(b)與步驟(c)之間，包含(f)於光交聯性樹脂層上層合透明性薄膜之步驟，於步驟(c)與步驟(d)步驟之間，包含(g)除去透明性薄膜之步驟，
(10)如上述(2)記載之導電圖型之製作方法，其中於步驟(b')與步驟(c)之間，包含(f)於光交聯性樹脂層上層合透明性薄膜之步驟，於步驟(c)與步驟(d)之間，包含(g)除去透明性薄膜之步驟。
在本發明之導電圖型之製作方法(1)之中，於表面設置有導電層之基板上貼附光交聯性樹脂層之後，藉由含有無機鹼性化合物5～20質量%之鹼水溶液，至所希望之厚度進行光交聯性樹脂層之薄膜化處理。不進行薄膜化處理而直接貼附所希望之厚度之薄的光交聯性樹脂層，則發生對基板之凹凸追隨性不良、光阻剝落等問題。然而，在本發明中，由於貼附了厚的光交聯性樹脂層，因此對基板的凹凸追隨性、密著性極為良好而可得到即使在進行薄膜化處理之後，不會損及其性質，光阻剝落等問題難以發生之效果。另外，一般而言、光交聯性樹脂層亦有厚者容易製造之優點。
光交聯性樹脂層，係含有可溶於含羧基之聚合物等鹼水溶液之成分(溶解成分)與不會溶解於光聚合性不飽和化合物或光聚合起始劑等鹼水溶液之成分(不溶解成分)。在光交聯性樹脂層之薄膜化處理使用低濃度之鹼水溶液之情況下，以不溶解成分為中心，在其周圍形成具有界面活性劑機能之溶解成分存在之微胞，藉由此微胞以乳膠狀態分散於鹼水溶液中，光交聯性樹脂層發生薄膜化。由於鹼水溶液中之微胞係對應於處理液之壓力或流動而移動，因此藉由噴霧等製造液流，光交聯性樹脂層上之微胞被沖洗。因此，在處理液之液流良好時，容易進行光交聯性樹脂層之溶解，在液流不佳時，微胞殘留於光交聯性樹脂層上，光交聯性樹脂層之溶解變遲。因此，在光交聯性樹脂層之薄膜化處理之中，於基板面內產生不均勻。
相對於此，本發明之導電圖型之製作方法(1)之中，於光交聯性樹脂層之薄膜化處理，使用無機鹼性化合物之濃度為5～20質量%之高濃度鹼水溶液。在高濃度之鹼水溶液中，光交聯性樹脂層成分之微胞暫時受到不溶解化，變為難以溶解擴散於鹼水溶液中。因此，無論以噴霧等處理液之液流良好或差，相同地，由於微胞殘留於光交聯性樹脂層上，光交聯性樹脂層之溶解變遲，因此可得到光交聯性樹脂層大致均勻地被薄膜化、不會產生不均勻之效果。
另外，連續進行光交聯性樹脂層之薄膜化處理之情況，係適合使用水平搬運方式之噴霧處理裝置。由於為水平搬運方式，因此只要於上下配置噴霧噴嘴，則可兩面一起連續進行處理，於基板兩面製作導電圖型。以水平搬運方式實施上下兩面處理之情況下，處理上方表面因為由噴霧所噴射之處理液難以被排除，處理液累積於處理基板上而成為接近於浸漬狀態之處理。另一方面，在處理下方表面，由噴霧所噴射之處理液迅速地被排除，於基板上之處理面係經常藉著由噴霧所噴射之處理液進行處理。因此，在處理上方表面與處理下方表面液流為相異，薄膜化成為不均勻的。然而，本發明之導電圖型之製作方法(1)中，即使處理液之液流為相異，可於上下兩面一起大致均勻地進行薄膜化處理。
再者，若使用無機鹼性化合物之濃度為5～20質量%之高濃度鹼水溶液，則光交聯性樹脂層之微胞變為難以擴散至鹼水溶液，而殘留於光交聯性樹脂層。然後若加以水洗，則可一舉將微胞除去。此即，光交聯性樹脂層難以溶解於高濃度之鹼水溶液，故鹼水溶液之溶解性不易變化，可安定進行連續薄膜化處理。
在本發明之導電圖型之製作方法(2)之中，於具有孔、表面及孔內部設置有導電層之基板上形成光交聯性樹脂層之後，預先僅使孔上或使孔上與其周圍部分之光交聯性樹脂層硬化之後，進行未硬化部之光交聯性樹脂層之薄膜化處理。藉此，僅於孔上或孔上與其周圍部分，可形成具有蓋孔強度之厚的蝕刻阻劑層，於蝕刻步驟蓋孔膜變為不易破裂、孔內導電層成為難以被蝕刻。進一步，蓋孔所不必要的部分，係藉由在施行薄膜化處理之後，施行電路圖型之曝光或蝕刻，而可製作微細的導電圖型。依照此方法(2)，不需要特殊的乾式薄膜光阻，可兼顧蓋孔造成之孔內導電層之保護與薄膜化處理造成之微細的導電圖型之製作。
在本發明之導電圖型之製作方法(3)之中，無機鹼性化合物而言，含有鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬矽酸鹽之中至少任何1種。經過該等化合物處理之光交聯性樹脂層，係暫時受到不溶解化而難以溶解擴散之微胞之再分散性良好，可短時間進行均勻的薄膜化處理。
本發明之導電圖型之製作方法(4)之中，鹼水溶液而言，係進一步含有硫酸鹽或亞硫酸鹽之中至少任何1種。藉此，硫酸離子或亞硫酸離子引起鹽析造成之水合，更進一步抑制微胞之溶解擴散，可達成均勻的薄膜化處理。
在本發明之導電圖型之製作方法(5)之中，光交聯性樹脂層之薄膜化處理，由(b1)以含有選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬矽酸鹽之無機鹼性化合物之中至少任何1種5～20質量%，進一步含有硫酸鹽或亞硫酸鹽之中至少任何1種之鹼水溶液進行處理之步驟，(b2)以含有選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬矽酸鹽之無機鹼性化合物之中至少任何1種之pH5～10之水溶液進行處理之步驟所構成。在步驟(b1)中，使光交聯性樹脂層成分之微胞暫時受到不溶解化而抑制溶解擴散，並在步驟(b2)中，使此微胞再分散而溶解除去。如此，藉著分成步驟(b1)與步驟(b2)，步驟(b1)之中，由於光交聯性樹脂層幾乎不會溶入於處理液中，因此有處理液之溶解性變化少，可進行安定之連續薄膜化處理之優點。另外，在步驟(b2)之中，碳酸鹽、磷酸鹽、矽酸鹽任一者皆於鹼區域具有優異之緩衝能力，因此即使在由步驟(b1)混入高濃度之鹼水溶液之一部份之情況下，亦可防止急劇的pH上昇，並可抑制起因於局部性的處理液之攪拌不均勻及噴霧不均勻，光交聯性樹脂層之不均勻地溶解之pH變化至最小限度。進一步，藉由使用pH5～10之水溶液，可使(b2)中之光交聯性樹脂層成分之再分散性保持一定，可進行安定之連續薄膜化處理。
在本發明之導電圖型之製作方法(6)中，上述方法(5)之步驟(b2)之中，含有選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬矽酸鹽之無機鹼性化合物之中至少任何1種之pH=5～10之水溶液之供給流量為每1cm2 光交聯性樹脂層0.030～1.0L/min。在步驟(b2)之中，若供給流量不足，則受到不溶解化之光交聯性樹脂層成分之再分散性變差，成為容易引起溶解不良。其結果，於薄膜化後之光交聯性樹脂層表面觀察到不溶解成分之析出，而有黏著性成為問題之情況。在本發明之導電圖型之製作方法(6)之中，供給流量夠大，可使不溶解化之光交聯性樹脂層成分迅速地再分散，薄膜化後之光交聯性樹脂層表面不會殘留不溶解成分，可於面內大致均勻地進行薄膜化處理。
在本發明之導電圖型之製作方法(7)之中，光交聯性樹脂層係含有(A)含有羧基之聚合物、(B)於分子內具有至少1個之可聚合的乙烯性不飽和基之光聚合性化合物、(C)光聚合起始劑及(D)聚合抑制劑而成，而相對於光交聯性樹脂層之(D)成分之含量為0.01～0.3質量%。圖4係表示電路圖型之曝光步驟之概略剖面圖。對形成於基板2上之光交聯性樹脂層1，以穿透曝光用光罩3進行曝光。經過曝光之光交聯性樹脂層1成為交聯部4，而在其周圍之未曝光部之光交聯性樹脂層1亦藉由暈光進行光交聯而成為半交聯部5。
圖5係光交聯性樹脂層之光阻特性曲線之一例。X軸係表示曝光量(mJ/cm2 )、Y軸係表示光阻硬化度(%)。在圖5(a)之中，以虛線A所表示之具有光阻特性之光交聯性樹脂層之情況，由曝光量αA 開始光交聯。若以曝光量β1 A ～β2 A 曝光，則成為光交聯不充分之半交聯區域(網點部)。以曝光量αA ～β1 A 曝光之光交聯性樹脂層之光交聯亦為不充分，而由於光阻硬化度低，可於顯像步驟與未曝光部一起除去。本發明(7)所關連之光交聯性樹脂層係含有(A)含有羧基之聚合物、(B)於分子內具有至少1個可聚合之乙烯性不飽和基之光聚合性化合物、(C)光聚合起始劑及(D)聚合抑制劑作為必須成分，而係以相對於光交聯性樹脂層為0.01～0.3質量%含有(D)成分。藉由此(D)成分，開始光交聯所必要的曝光量變多(α'A )。因此，如於圖5(b)所表示般，由曝光開始至曝光量α'A ，產生的自由基實際上不會影響交聯，而持續光阻硬化度為零的狀態，曝光量超過α'A 之後，開始進行交聯。因此認為，由於半交聯區域變小，故未曝光部之半交聯部為難以發生，高解像度之蝕刻阻劑圖型成為可能。
在本發明之導電圖型之製作方法(8)之中，相對於光交聯性樹脂層(B)成分之含量為35～55質量%。圖6係光交聯性樹脂層之光阻特性曲線之一例。光阻特性曲線之傾斜度被稱為「γ值」。虛線A與實線B之γ值分別為tanθA 與tanθB ，並成為tanθA <tanθB 之關係。
高γ值之實線B之半交聯區域，相較於低γ值之虛線A之半交聯區域更為狹窄，若使用高γ值之光交聯性樹脂層，則可得到半交聯部少的高解像度之蝕刻阻劑圖型。在本發明中，藉著將相對於光交聯性樹脂層之(B)成分之含量定為35～55質量%，光交聯性樹脂層之γ值變高，其結果，認為高解像度之蝕刻阻劑圖型成為可能。
本發明之導電圖型之製作方法(9)中，在本發明之導電圖型之製作方法(1)中之步驟(b)與步驟(c)之間，包含(f)於光交聯性樹脂層上層合透明性薄膜之步驟，步驟(c)與步驟(d)之間，包含(g)除去透明性薄膜之步驟。薄膜化處理後，光交聯性樹脂層露出之狀態之中，有光交聯性樹脂層表面具有黏著性之情況，而層合透明性薄膜之後，表面成為完全的不黏著狀態。因此，亦不會引起光交聯性樹脂層之轉印造成之曝光用光罩之污染。另外，可抑制異物造成之撞擊痕或損傷之缺陷，即使使用在高解像度方面有利的密著曝光方式之情況下，不會發生真空密著不良造成之漏光光阻缺陷。
在本發明之導電圖型之製作方法(10)之中，在本發明之導電圖型之製作方法(2)中之步驟(b')與步驟(c)之間，包含(f)於光交聯性樹脂層上層合透明性薄膜之步驟，於步驟(c)與步驟(d)之間，包含除去(g)透明性薄膜之步驟。藉此，於使孔上或於孔上與其周圍部分，可形成具有蓋孔強度之厚的蝕刻阻劑層，進一步，在電路圖型之曝光之中，由於可使光交聯性樹脂層表面成為完全的不黏著狀態，因此可抑制光交聯性樹脂層之轉印造成之曝光用光罩之污染或異物造成之撞擊痕或損傷之缺陷。
以下，對於本發明之導電圖型之製作方法作詳細地說明。
圖1係表示本發明之導電圖型之製作方法(1)之一例剖面工程圖。就基板2而言，係使用在單一表面設置導電層6之絕緣性基板7。在步驟(a)中，係於基板2之導電層6上形成光交聯性樹脂層1。在步驟(b)中，藉由鹼水溶液進行光交聯性樹脂層1之薄膜化處理。就鹼水溶液而言，係使用含無機鹼性化合物5～20質量%之水溶液。在步驟(c)中，將相當於電路圖型部分之光交聯性樹脂層1曝光，形成交聯部4。在步驟(d)中，將光交聯性樹脂層(未交聯部)1藉由顯像除去。在步驟(e)中，將並未被光交聯性樹脂層之交聯部4覆蓋之導電層6加以蝕刻，得到導電圖型。
圖2及3係表示本發明之導電圖型之製作方法(2)之一例之剖面工程圖。就基板2而言，係使用具有孔8，且於表面及孔內部設置導電層6之絕緣性基板7。在步驟(a')中，在將孔8塞住之狀態下，於基板2之表面之導電層6上形成光交聯性樹脂層1。在步驟(i)中，係使孔8上及其周圍部分之光交聯性樹脂層1曝光而交聯，形成交聯部4。在步驟(b')中，進行光交聯性樹脂層(未交聯部)1之薄膜化處理。在步驟(c)中，使相當於電路圖型之部分之光交聯性樹脂層1曝光而形成交聯部4。在步驟(d)中，將光交聯性樹脂層(未交聯部)1藉由顯像除去。在步驟(e)中，將並未被光交聯性樹脂層之交聯部4覆蓋之導電層6加以蝕刻，得到導電圖型。
〈步驟(a)及(a')〉
在步驟(a)中，於表面設置有導電層之基板之至少單面形成光交聯性樹脂層。在步驟(a')中，於具有孔、於表面及孔內部設置導電層之基板之至少單面形成光交聯性樹脂層。光交聯性樹脂層之形成方面，可使用例如將加熱之橡膠輥加壓而按押上之熱壓著方式之層壓機裝置。加熱溫度係以100℃以上為佳。亦可於基板施行鹼脫脂、酸洗等前處理。
就於表面設置有導電層之基板而言，可列舉印刷電路板或引線框架用基板。就印刷電路板而言，可列舉例如撓性基板、剛性基板。撓性基板之絕緣性基板之厚度係5～125μm，並且於其兩面或單面，設置有1～35μm之金屬箔層作為導電層，可撓性大。絕緣性基板之材料而言，通常可使用聚醯亞胺、聚醯胺、聚苯硫、聚對苯二甲酸乙二酯、液晶聚合物等。於絕緣性基板上具有金屬箔層之材料，係使用接著劑貼合之接著法，於金屬箔上塗佈絕緣性基板材料之樹脂液之鑄造法、於以濺鍍或蒸鍍法於絕緣性基板之樹脂薄膜上所形成之厚度數nm之薄導電層(種子層)之上以電鍍形成金屬箔層之濺鍍/鍍敷法、以熱壓延貼附之層合法等各種方法製造者皆可。就金屬箔層之金屬而言，可使用銅、鋁、銀、鎳、鉻、或該等合金等各種金屬，而銅為一般的。
剛性基板而言，可列舉使環氧樹脂或酚樹脂等浸漬之紙基材或玻璃基材重疊，製成絕緣性基板，於其單面或兩面載置金屬箔作為導電層，藉由加熱及加壓而層合，設置金屬箔層者。另外，亦可列舉內層配線圖型加工後，預浸滲、層合金屬箔等而製作之多層用之屏蔽板、具有貫通孔或非貫通孔之多層板。厚度為60μm～3.2mm，藉由作為印刷基板之最終使用形態選定其材質與厚度。就金屬箔層之材料而言，可列舉銅、鋁、銀、金等，而銅為最一般的。該等印刷基板之例，係記載於「印刷電路技術便覽」日本印刷電路工業會公司編、1987年出版，日刊工業新聞股份有限公司社刊)或「多層印刷電路手冊」(J-A.Scarlett編，1992年出版，近代化學股份有限公司社刊)。就引線框架用基板而言，可列舉鐵鎳合金、銅系合金等基板。
具有孔，且於表面及孔內部設置有導電層之基板，係藉由例如對絕緣性基板表面具有金屬箔層之基板，藉由鑽或雷射形成孔，接著，施行無電解鍍、電鍍等鍍敷處理，於含孔內部之表面形成鍍敷金屬層而製作。
光交聯性樹脂層係指曝光部交聯，不溶於顯像液之樹脂層，作為電路形成用而言，一般而言使用負型之乾式薄膜光阻。市售之乾式薄膜光阻，係至少具有光交聯性樹脂層，於聚酯等支持層薄膜上設置光交聯性樹脂層，依照情況大多成為以聚乙烯等保護薄膜將光交聯性樹脂上包夾而構成者。在本發明中，作為光交聯性樹脂層可使用之市售之乾式薄膜光阻而言，可列舉例如SUNFORT series(商品名，旭化成ELECTRONICS公司製)、PHOTEC series(商品名，日立化成工業公司製)、RISTON series(商品名，DuPont MRC乾式薄膜公司製)、ALPHO series(商品名，NICHIGO-MORTON公司製)等。
光交聯性樹脂層之厚度係以15～100μm為佳，20～50μm為較佳。此厚度未滿15μm時，有由於以塵埃為核之氣泡混入或凹凸追隨性不良，而發生光阻剝落或斷線之情況，若超過100μm，則有因為薄膜化而被溶解除去之量變多，薄膜化處理時間變長、生產性變差之情況。另外，有在連續處理之中維持安定之品質變難的情況。
〈步驟(i)〉
在本發明之導電圖型之製作方法(2)之中，於步驟(i)，為了僅使孔上或使孔上與其周圍部分之光交聯性樹脂層硬化，僅對孔上或僅對孔上與其周圍部分選擇性地進行曝光。對周圍部分之曝光並非必須。但是，通常曝光時發生位置偏移，有變為無法以光交聯性樹脂層進行蓋孔之情形，因此係以亦於孔之周圍部分曝光為佳。周圍部分之大小並未特別受到限定，曝光時可適當地因應位置偏移而設定。就曝光方式而言，可列舉以氙燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、超高壓水銀燈、UV螢光燈作為光源之反射影像曝光、使用曝光用光罩之單面或兩面密著曝光方式、接近方式、投影方式或雷射掃描曝光方式等。
〈步驟(b)及步驟(b')〉
在步驟(b)與步驟(b')中，係藉由鹼水溶液進行光交聯性樹脂層之薄膜化處理。於光交聯性樹脂層上設置支持層薄膜之情況下，在剝離之後實施薄膜化處理。使薄膜化處理係指光交聯性樹脂層之厚度大致均勻地變薄之處理，詳細而言係意指變薄至施行薄膜化處理之前的厚度之0.05～0.9倍之厚度。
鹼水溶液係含有無機鹼性化合物5～20質量%。在未滿5質量%時，微胞不溶解化困難，於溶解除去途中經可溶化之微胞溶解擴散，於薄膜化處理產生面內不均勻。另外，若超過20質量%，則容易引起無機鹼性化合物之析出，液體之經時安定性、作業性差。溶液之pH係以定為9～12之範圍為佳。另外，亦可適當地少量添加界面活性劑、消泡劑、溶劑等。
就無機鹼性化合物而言，可使用鋰、鈉或鉀之碳酸鹽或重碳酸鹽等鹼金屬碳酸鹽、鉀、鈉之磷酸鹽等鹼金屬磷酸鹽、鋰、鈉或鉀之氫氧化物等鹼金屬氫氧化物、鉀、鈉之矽酸鹽等鹼金屬矽酸鹽、鉀、鈉之亞硫酸鹽等鹼金屬亞硫酸鹽。其中，如本發明之導電圖型之製作方法(3)般，含選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬矽酸鹽之無機鹼性化合物之中至少任何1種為佳。該等之中，鹼金屬碳酸鹽，係由光交聯性樹脂層之溶解能力、維持處理液pH之緩衝能力、裝置之維護性等優點看來為特佳。
進一步，如本發明之導電圖型之製作方法(4)般，鹼水溶液係以含有選自硫酸鹽、亞硫酸鹽之至少1種為佳。就硫酸鹽或亞硫酸鹽而言，可列舉鋰、鈉或鉀等鹼金屬硫酸鹽或亞硫酸鹽、鎂、鈣等鹼土類金屬硫酸鹽或亞硫酸鹽。其中鹼金屬硫酸鹽或亞硫酸鹽為特別適合使用。硫酸鹽或亞硫酸鹽所含之硫酸離子或亞硫酸離子，係鹽析效果大。鹽析效果造成之水合度變大，微胞之溶解擴散進一步強烈受到抑制，大致均勻的薄膜化處理成為可能的。
就硫酸鹽及/或亞硫酸鹽之含量(莫耳濃度)而言，係以0.05~1.0莫耳/L為佳。在未滿0.05莫耳/L時，由於鹽析力弱，水合度小，因此由於液流造成溶解擴散速度產生差異，而有提高薄膜化處理之均勻化之效果變弱之情形。
若超過1.0莫耳/L時，則由於發生過度之水合，微胞之溶解擴散受到阻礙，有容易引起溶解不良之情況。其結果觀察到在薄膜化處理後之光交聯性樹脂表面上會有不溶解成分之析出，有黏著性成為問題之情況。
就薄膜化處理之方法而言，有浸泡方式、攪拌方式、噴霧方式、洗刷、刮削等，而噴霧方式由光交聯性樹脂層之溶解速度之優點看來，為最適合。噴霧方式之情況、處理條件(溫度、時間、噴霧壓力)係對應於所使用之光交聯性樹脂層之溶解速度適當地調整。具體而言，處理溫度係以10～50℃為佳，較佳為15～40℃、更佳為15～35℃。另外，噴霧壓力係以定為0.01～0.5MPa為佳，更佳為0.02～0.3MPa。
如本發明之導電圖型之製作方法(5)般，光交聯樹脂層之薄膜化處理之步驟(b)及步驟(b')，係以分離為至少2個步驟、步驟(b1)及步驟(b2)進行處理為佳。首先，在步驟(b1)之中，藉由過剩地供給高濃度之鹼水溶液，使在溶解途中經過微胞化之光交聯性樹脂層成分暫時不溶解化，抑制往處理液中之溶解擴散。接著，在步驟(b2)之中，供給含選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬矽酸鹽之無機鹼性化合物之中至少任何1種之pH5～10之水溶液，在步驟(b1)中，使經過不溶解化之光交聯性樹脂層成分再分散而溶解除去。在步驟(b2)之中，在水溶液之pH未滿5時，因為再分散而溶入之光交聯性樹脂成分凝集成為不溶性之污泥，而有附著於薄膜化之光交聯性樹脂層表面之虞。另一方面，水溶液之pH若超過10，則有光交聯性樹脂層之溶解擴散受到促進，於面內容易成為發生膜厚不均勻之情形，因此為不佳。另外，步驟(b2)之處理液係使用硫酸、磷酸、鹽酸等，亦可在將液體pH調整之後使用。
如本發明之導電圖型之製作方法(6)般，在步驟(b2)之中，前述pH=5～10之水溶液之供給流量係以每1cm2 光交聯性樹脂層為0.030～1.0L/min為佳。0.050～1.0L/min為較佳，0.10～1.0L/min為更佳。若供給流量在此範圍，則於薄膜化後之光交聯性樹脂層表面不會殘留不溶解成分，可進行面內大致均勻地薄膜化處理。在每1cm2 光交聯性樹脂層之供給流量未滿0.030L/min時，有引起不溶解化之光交聯性樹脂層成分之溶解不良之情況。另一方面，若供給流量超過1.0L/min，則為了供給所必要的泵等零件變為巨大，有大規模裝置成為必要之情況。再者，在超過1.0L/min之供給流量時，有對光交聯性樹脂層成分之溶解擴散影響之效果成為不變之情形。
就步驟(b2)中之液體供給方法而言，由光交聯性樹脂層之溶解速度與液體供給之均勻性之點看來，係以噴霧方式為最佳。進一步，噴霧之方向，為了在光交聯性樹脂層表面效率良好地製作出液流，係以由對垂直於光交聯性樹脂層表面之方向傾斜之方向噴射為佳。
在步驟(b)或步驟(b')之中，以鹼水溶液進行薄膜化處理之後，有必要藉由水充分地洗淨基板。藉由此水造成之基板洗淨，使以鹼水溶液經過不溶解化之光交聯性樹脂層之微胞迅速地再分散而溶解除去。就水洗處理之方法而言，有浸泡方式、爭戰方式、噴霧方式等，光交聯性樹脂層之溶解速度與均勻性之觀點看來，以噴霧方式為最適合。
〈步驟(c)〉
在步驟(c)中進行電路圖型之曝光。就電路圖型之曝光方法而言，可列舉以氙燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、超高壓水銀燈、UV螢光燈作為光源之反射影像曝光、使用曝光用光罩之單面或兩面密著曝光方式、接近方式、投影方式或雷射掃描曝光方式等，而以氙燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、超高壓水銀燈、UV螢光燈作為光源，使用曝光用光罩之單面、兩面密著曝光為適合使用。
在電路圖型曝光時，為了抑制於基材表面發生的暈光造成之不良影響，如本發明之導電圖型之製作方法(7)般，光交聯性樹脂層係以含有(A)含有羧基之聚合物、(B)於分子內具有至少1個之可聚合之乙烯性不飽和基之光聚合性化合物、(C)光聚合起始劑、及相對於光交聯性樹脂層為0.01～0.3質量%之(D)聚合抑制劑而成為佳。
就(A)含有羧基之聚合物而言，可列舉例如丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、環氧系樹脂、醯胺系樹脂、醯胺環氧系樹脂、醇酸系樹脂、酚系樹脂之有機高分子。該等係單獨1種或組合2種以上使用皆可。由於對鹼水溶液之溶解性高，因此以使用丙烯酸系樹脂為佳。就丙烯酸系樹脂而言，只要為以(甲基)丙烯酸酯作為主成分，於此使乙烯性不飽和羧酸及具有其他可共聚合的乙烯性不飽和基之單體(以下稱為聚合性單體)進行共聚合而成之丙烯酸系聚合物即可。
就上述(甲基)丙烯酸酯而言，可列舉例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸四氫呋喃甲酯、(甲基)丙烯酸2-(二甲基胺基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(二乙基胺基)乙酯、(甲基)丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、(甲基)丙烯酸2,2,3,3-四氟丙酯等。
就上述乙烯性不飽和羧酸而言，適合使用丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等單羧酸，亦可使用馬來酸、富馬酸、伊康酸等二羧酸，或該等無水物或半酯。該等中尤其以丙烯酸、甲基丙烯酸為特佳。
就上述其他聚合性單體而言，可列舉例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、p-甲基苯乙烯、p-乙基苯乙烯、p-甲氧基苯乙烯、p-乙氧基苯乙烯、p-氯苯乙烯、p-溴苯乙烯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺、二丙酮丙烯醯胺、乙烯基甲苯、醋酸乙烯基、乙烯基-正丁基醚等。
在(A)含有羧基之聚合物之中，就組合2種以上使用之情況之聚合物之組合而言，可列舉例如具有相異共聚合成分之2種以上之聚合物之組合、具有相異質量平均分子量之2種以上之聚合物之組合、具有相異分散度(質量平均分子量/數平均分子量)之2種以上之聚合物之組合。
(A)含有羧基之聚合物之酸價係以50～350mgKOH/g為佳，100～300mgKOH/g為更佳。在薄膜化處理使用鹼水溶液之情況下，在此酸價未滿50mgKOH/g時不僅至溶解之時間變長，有溶解不良容易發生的傾向，而另一方面，若超過350mgKOH/g，則對鹼溶液之溶解擴散過為快速，有薄膜化處理中之膜厚控制成為困難的傾向。另外，有對光交聯部分的顯像液之耐久性降低之情況下，有在步驟(c)受到光交聯之部分在步驟(d)溶解之情形。
(A)含有羧基之聚合物之質量平均分子量係以10,000～150,000為佳，10,000～100,000為較佳。質量平均分子量，在未滿10,000，有對鹼水溶液之耐久性降低的傾向，另一方面，若超過150,000，則有達到溶解的時間變為過長之傾向。
(A)成分之配合量係以相對於(A)成分及(B)成分之總量為40～65質量%為佳，45～55質量%為較佳。在(A)成分之配合量在未滿40質量%，有光交聯之部分的化學強度、機械強度變低之傾向。另外還有被膜性變差的問題。(A)成分之配合量若超過65質量%，則有光交聯性降低之情形。
就(B)於分子內具有至少1個可聚合的乙烯性不飽和基之光聚合性化合物而言，可列舉例如於多價醇使α,β-不飽和羧酸反應所得到之化合物；雙酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物；於縮水甘油基含有化合物使α,β-不飽和羧酸反應所得到之化合物；於分子內具有胺甲酸乙酯結合之(甲基)丙烯酸酯化合物等胺甲酸乙酯單體；壬基苯氧基聚乙烯氧丙烯酸酯；γ-氯-β-羥丙基-β'-(甲基)丙烯醯基氧乙基-o-酞酸酯、β-羥烷基-β'-(甲基)丙烯醯基氧烷基-o-酞酸酯等苯二甲酸系化合物；(甲基)丙烯酸烷基酯、EO、PO變性壬基苯基(甲基)丙烯酸酯等。此處，EO及PO係表示，環氧乙烷及環氧丙烷，經過EO變性之化合物，係具有環氧乙烷基之區塊構造者，經過PO變性之化合物，係具有環氧丙烷基之區塊構造者。該等光聚合性化合物係可單獨或組合2種以上使用。
如本發明之導電圖型之製作方法(8)般，(B)成分之配合量係以相對於光交聯性樹脂層為35～55質量%為佳，40～50質量%為較佳。(B)成分之配合量，而未滿35質量%時，有因為基材表面之暈光造成之影響而在未曝光部半交聯區域變為容易發生，解像度惡化之情形，另一方面，若超過55質量%，則不僅有膜表面之黏著性變為顯著之情形，還有硬化後之光交聯性樹脂層變脆之情形。
就(C)光聚合起始劑而言，可列舉二苯甲酮、N,N'-四甲基-4,4'-二胺基二苯甲酮(米其勒酮)、N,N'-四乙基-4,4'-二胺基二苯甲酮、4-甲氧基-4'-二甲基胺基二苯甲酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉代苯基)-丁酮-1,2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-嗎啉代-丙酮-1等芳香族酮；2-乙基蒽醌、菲醌、2-第三丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基-1,4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等醌類；安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香苯基醚等安息香醚化合物等。
另外可列舉，安息香、甲基安息香、乙基安息香等安息香化合物；苄基二甲基縮酮等苄基衍生物；2-(o-氯苯基)-4,5-二苯咪唑二聚物、2-(o-氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(o-氟苯基)-4,5-二苯咪唑二聚物、2-(o-甲氧基苯基)-4,5-二苯咪唑二聚物、2(p-甲氧基苯基)-4,5-二苯咪唑二聚物等2,4,5-三芳香基咪唑二聚物；9-苯基吖啶、1,7-雙(9,9'-吖啶基)庚烷等吖啶衍生物；N-苯基甘胺酸、N-苯基甘胺酸衍生物、香豆素系化合物等。上述2,4,5-三芳香基咪唑二聚物中之2個2,4,5-三芳香基咪唑之芳香基之取代基為相同的取代基並且供給對稱的化合物，或為相異之取代基並且供給非對稱的化合物皆可。另外，如二乙基噻噸酮與二甲基胺基安息香酸之組合般，亦可組合噻噸酮系化合物與3級胺化合物。該等可單獨或組合2種以上使用。
(C)成分之配合量係以相對於光交聯性樹脂層為1～10質量%為佳，2～8質量%為較佳。配合量在未滿1質量%時，有光交聯性變為不充分之傾向，另一方面，若超過10質量%，則有在曝光時於光交聯性樹脂層之表面吸收增大，樹脂層內部之光交聯成為不充分之傾向。
就(D)聚合抑制劑而言，可列舉氫醌、p-甲氧基酚、第三丁基一兒茶酚、2,6-二第三丁基-p-甲酚、五倍子酚、β-萘酚、吩噻嗪等。該等可單獨或組合2種以上使用。
(D)成分之配合量，係相對於光交聯性樹脂層為0.01～0.3質量%為佳，0.03～0.2質量%為較佳。在未滿0.01質量%時，聚合反應之抑制效果小，在薄膜化後之光交聯性樹脂層之中，有未曝光部之半交聯部變為容易發生之情形。另一方面，若超過0.3質量%，則有光交聯性樹脂層之敏感度降低變成顯著，即使在曝光部亦有交聯不充分之情形。
進一步，亦可於光交聯性樹脂層添加(E)暈光防止劑。若使其含有(E)成分，則可吸收基材表面之反射造成之散射光，抑制未曝光部之半交聯區域之發生。就(E)暈光防止劑而言，只要為在280～430nm區域具有吸收波長區域者即可，可列舉吖啶染料、苯胺黑、蒽醌染料、吖嗪染料、偶氮染料、甲亞胺染料、苯醌染料、萘醌染料、靛染料、吲哚酚、吲哚苯胺、吲達胺、萘酚醯亞胺染料、苯胺黑及引杜林、硝基及亞硝基染料、噁嗪及噁嗪染料、氧化染料、酞花青染料、聚甲炔染料、喹啉黃染料、硫化染料、三芳香基甲烷及二芳香基甲烷染料、噻嗪染料、噻唑染料、呫噸染料等暈光防止用染料或無機及有機顏料、水楊酸苯酯系、二苯甲酮系、苯并三唑系及丙烯酸酯系紫外線吸收劑等。
(E)成分之配合量只要為相對於光交聯性樹脂層為0.05～0.5質量%即可。在未滿0.05質量%時，有基材表面之暈光之防止效果不充分之情況，另一方面，若超過0.5質量%，則有光交聯性樹脂層之敏感度降低變為顯著，即使在曝光部亦有交聯變為不充分之情形。
〈步驟(d)〉
在步驟(d)中，將並未發生光交聯之光交聯性樹脂層以顯像液除去，形成蝕刻阻劑層。就顯像方法而言係使用，與所使用之光交聯性樹脂層相配合之顯像液，由基板之上下方向向著基板表面噴射噴霧，除去作為蝕刻阻劑圖型所不要的部分，形成相當於電路圖型之蝕刻阻劑層。一般而言，使用0.3～2質量%之碳酸鈉水溶液。
〈步驟(e)〉
在步驟(e)中，藉由將露出蝕刻阻劑層以外之導電層蝕刻，製作微細的導電圖型。在蝕刻步驟之中，可使用「印刷電路技術便覽」(日本印刷電路工業會(公司)編，1987年出版，日刊工業新聞社刊股份有限公司)所記載之方法等。蝕刻液只要為可將金屬箔層溶解除去者並且另外，至少蝕刻阻劑層具有耐性者即可。一般而言，在導電層使用銅之情況下，可使用氯化亞鐵水溶液、氯化亞銅水溶液等。
〈步驟(f)及(g)〉
本發明之導電圖型之製作方法(9)或(10)之中，在步驟(f)中，將透明性薄膜層合於光交聯性樹脂層上，在步驟(g)中，將透明性薄膜除去。藉由光交聯性樹脂層所含之單體或寡聚物等低分子量成分，有薄膜化處理後之光交聯性樹脂層具有黏著性之情況，而藉由步驟(f)可得到完全不黏著之狀態。只要在剛進行薄膜化處理之後層合透明性薄膜，異物或損傷造成之缺陷成為非常少因此為佳。
本發明所關連之透明性薄膜，係可層合於薄膜化後之光交聯性樹脂層上，由於可在即將顯像之前剝離，因此只要是短波長可見光或與其相近的近紫外線之穿透率高的薄膜，任一薄膜皆可使用。可列舉例如聚酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚氯乙烯基薄膜、聚丙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜等，而以聚酯薄膜為佳。聚酯係指芳香族二羧酸或脂肪族二羧酸與以二醇為主要構成成分之單體之重縮合體。
構成聚酯薄膜之聚酯之中，就二羧酸成分而言，可使用對苯二甲酸、異苯二甲酸、苯二甲酸、萘二羧酸等芳香族羧酸、已二酸、壬二酸、癸二酸、癸烷二羧酸等脂肪族羧酸、環己烷二羧酸等脂環族二羧酸，就二醇成分而言，可使用乙二醇、二乙二醇、丁烷二醇、戊烷二醇、己烷二醇等脂肪族二醇、環己烷二甲醇等脂環族二醇。
就透明性薄膜而言，在聚酯薄膜之中尤其特別以使用藉由對苯二甲酸與乙二醇之脫水聚合所製作之聚對苯二甲酸乙二酯作為主成分之薄膜為佳。聚對苯二甲酸乙二酯薄膜係具有耐溶劑性、機械強度，並且層合適性、剝離適性優異。另外，作為光學用薄膜，穿透率、折射率亦優異，由於經濟方面的為有利的而容易利用。
另外，透明性薄膜係以其模糊度值H係以10%以下為佳，5%以下為較佳，1.5%以下為更佳。模糊度值H係指表示濁度之值，藉由光源而照射，由穿透試樣中之光線之全穿透率T與於試樣中擴散而散射之光線之穿透率D以H(%)=(D/T)×100之形式求得。此為，由JIS-K-7105所規定，藉由市售之模糊度計(例如商品名：NDH-500、日本電色工業公司製)可容易地測定。模糊度值若超過10%，則穿透性變低，有阻礙光交聯之情形。就模糊度值10%以下之透明性薄膜而言，可列舉例如TEIJINTETORON薄膜(商品名，帝人dupont薄膜公司製)、及MYLAR(商品名，帝人dupont薄膜公司製)、MELINEX(商品名，帝人dupont薄膜公司製)、DIAFOIL(商品名，三菱樹脂公司製)、LUMIRROR(商品名，東麗薄膜加工公司製)等。
透明性薄膜之厚度係以10～25μm為佳，12～25μm為較佳。若超過25μm，則有解像度降低，經濟方面成為的不利之情形。另一方面，在未滿10μm時，有成為機械強度不足，剝離時容易發生破裂之情形。
就於薄膜化後之光交聯性樹脂層上層合透明性薄膜之方法而言，只要光交聯性樹脂層與透明性薄膜之間不會產生間隙，沒有空氣或異物混入、沒有波動、可大致均勻地於光交聯性樹脂層上層合透明性薄膜，任一方法皆可。可使用例如將橡膠輥加壓而按押上之壓著方式之層壓機裝置。此時，橡膠輥加熱或不加熱皆可，而有以光交聯性樹脂層不會由基板與透明性薄膜之間外露而流出之方式調節壓力或搬運速度、橡膠輥的加熱溫度之必要。
[實施例]
藉由以下實施例，對本發明作進一步詳細地說明，而本發明並非受到此實施例所限定者。
實施例1
〈步驟(a)〉
於玻璃基材環氧樹脂覆銅箔層合板(面積170mm×255mm、銅箔厚度12μm、基材厚度0.1mm、商品名：CCL-E170、三菱氣體化學公司製)上，使用具備經過耐熱矽橡膠襯料表面處理之層合輥之乾式薄膜用層壓機，剝去保護薄膜，同時以輥溫度100℃、空氣供給壓力0.30MPa、層合速度0.50m/min，層合乾式薄膜光阻(商品名：SUNFORTAQ2575、厚度25μm、旭化成ELECTRONICS公司製)。
〈步驟(b)〉
將支持層薄膜剝離之後，使用揭示於表1之鹼水溶液A，光交聯性樹脂層之厚度成為平均10μm之方式，表2所記載之處理時間進行處理(液溫25℃，噴霧壓力0.05MPa)，藉由充分之水洗處理、冷風乾燥，得到經過薄膜化之光交聯性樹脂層。薄膜化處理後，測定10個點的光交聯性樹脂層之膜厚，以標準偏差σ之值評估膜厚之變異。將結果表示於表2。
〈步驟(c)〉
使用描繪有導線寬度/間距：20/20μm之圖型之曝光用光罩，以具備輸出3kw之超高壓水銀燈(商品名：URM-300、USHIOLIGHTING公司製)作為光源之真空密著曝光裝置進行密著曝光。
〈步驟(d)〉
使用1質量%之碳酸鈉水溶液(液溫30℃、噴霧壓力0.15MPa)進行顯像處理，形成蝕刻阻劑層。以光學顯微鏡觀察所得到之蝕刻阻劑層之結果，在導線寬度/間距=20/20μm之圖型之中並未發現線細或斷線或者線粗或短路等缺陷。
〈步驟(e)〉
藉著對形成蝕刻阻劑層之基板以氯化亞鐵溶液(液溫40℃，噴霧壓力0.20MPa)進行處理，除去蝕刻阻劑層以外之銅箔實施了蝕刻。接下來，以40℃之3質量%氫氧化鈉溶液將殘存之蝕刻阻劑層除去，得到導電圖型。於所得到之導電圖型並未發現實用上成為問題之斷線或短路缺陷。
實施例2～10
除了使用表1所記載之鹼水溶液B～H、AH、AI代替鹼水溶液A以外，係以與實施例1相同的方法，進行導電圖型之製作。薄膜化處理後，測定10個點的光交聯性樹脂層之膜厚，以標準偏差σ之值評估膜厚之變異。將結果表示於表2。在實施例2～10之中，標準偏差之值小，可得到良好的面內均勻性。再者，於所得到之導電圖型，並未發現實用上成為問題之斷線或短路缺陷。在使用亞硫酸鈉作為無機鹼性化合物之實施例9～10之中，面內之膜厚之變異為良好的，而認為於薄膜化處理後之光交聯性樹脂表面有不溶解成分之析出造成之弱黏著性。在所得到之導電圖型中，並未發現實用上成為問題之斷線或短路缺陷。
比較例1～5
使用揭示於表3之鹼水溶液AA～AE以外，係以與實施例1完全相同的方法製作導電圖型。在各個比較例之中，以表4所表示之處理時間，進行薄膜化處理之後，測定10個點的光交聯性樹脂層之膜厚，以標準偏差σ之值評估膜厚之變異。將結果表示於表4。在鹼水溶液中之無機鹼性化合物含量少之比較例1～5中，標準偏差之值變大，面內之膜厚之變異為顯著。進一步以光學顯微鏡觀察所得到之導電圖型之結果，在導線寬度＆間距20μm之部分中，於一部份發生短路缺陷，無法製作面內大致均勻的導電圖型。
比較例6～7
調製揭示於表3之鹼水溶液AF～AG，而若在25℃放置10天以上，則析出物發生。進一步薄膜化處理時，發生此析出物引起泵內之堵塞等的問題。
實施例11～28
除了使用表5所記載之鹼水溶液I～Z代替鹼水溶液A，以噴霧壓力0.05MPa噴射之噴霧處理作為薄膜化處理，此外還藉由進行浸漬於鹼水溶液之浸泡處理，充分之水洗處理、冷風乾燥而進行薄膜化處理以外，係以與實施例1完全相同的方法進行導電圖型之製作。以薄膜化後之光交聯性樹脂層之厚度成為平均10μm之方式，調整浸漬時間及噴霧噴射時間。
將在實施例11～28之中，薄膜化處理所需要之處理時間及對浸漬處理之噴霧處理之必要處理時間之比例揭示於表6。使用水平搬運方式之連續處理裝置，於上下配置噴霧噴嘴，連續地兩面一起進行處理之情況下，處理上方表面，係由噴霧所噴射之處理液難以被排除，於處理基板上，由於處理液累積而成為接近於浸漬狀態之處理。另一方面，在處理下方表面，係由噴霧所噴射之處理液迅速地被排除，基板上之處理面，係經常藉著由噴霧所噴射之處理液而進行處理。顯示出對浸漬處理之噴霧處理而言必要的處理時間之比例離1愈近浸漬處理與噴霧處理之薄膜化狀態之差愈小，即使在使用水平搬運式連續處理裝置之情況下，於上下兩面內大致均勻地薄膜化處理亦為可能。
在實施例11～28之中，確認了全部之鹼水溶液中，必要處理時間為1.1～1.4倍，於浸漬處理與噴霧處理之間，處理時間之差距小，即使在使用水平搬運方式之連續處理裝置之情況下，可於上下兩面內大致均勻地處理。於多量含有亞硫酸鈉之實施例20之中，於薄膜化處理後之光交聯性樹脂表面觀察到稍微不溶解成分之析出處，認為是弱黏著性。
在薄膜化處理後，測定10個點的光交聯性樹脂層之膜厚，以標準偏差σ之值評估膜厚之變異。將結果表示於表6。在各個鹼水溶液之中，浸漬處理與噴霧處理之間的標準偏差之差小，可得到良好的面內均勻性。再者，於所得到之導電圖型，並未發現實用上成為問題之斷線或短路缺陷。
比較例8～10
除了使用揭示於表7之鹼水溶液AJ～AL以外，係以與實施例11所記載相同的方法製作導電圖型。將在各個比較例之中所需要之處理時間、及對浸漬處理之噴霧處理之必要處理時間之比例揭示於表8。在任何一個鹼水溶液之中，必要處理時間之比例皆成為2倍以上，由於處理方法的不同，處理時間方面發生大的差別。此即顯示出，使用例如水平搬運方式之連續處理裝置之情況下，難以在上下兩面內大致均勻地進行處理。另外，將薄膜化處理後之乾式薄膜光阻之膜厚之變異揭示於表8。與浸漬處理相比，在噴霧處理之情況下標準偏差之值大，面內之膜厚之變異為顯著的。進一步以光學顯微鏡觀察以浸漬處理與噴霧處理所得到之導電圖型之結果，在比較例10之中，導線寬度&間距20μm的部分之中，於一部份發生有短路缺陷，無法製作面內大致均勻的導電圖型。
比較例11
調製揭示於表7之鹼水溶液AM，而若在25℃放置10日以上，則發生析出物。再者，薄膜化處理時，發生此析出物引起泵內之堵塞等的問題。
實施例29～54
在光交聯性樹脂層之薄膜化處理之中，使用揭示於表9之鹼水溶液(b1)A～Z進行處理之後，以揭示於表9之液體供給流量供給處理液(b2)A～Z，進行充分地洗淨，其後，藉由冷風乾燥薄膜化以外，係以與實施例1完全相同的方法進行導電圖型之製作。另外，處理液(b2)A～Z之pH係藉由添加硫酸進行調整。測定10個點的光交聯性樹脂層之膜厚，以標準偏差σ之值評估膜厚之變異。將結果表示於表10。在處理液(b2)之pH大之實施例33與處理液(b2)之液體供給量少之實施例41、42之中，標準偏差稍大，進一步在實施例41之中，於薄膜化處理後之光交聯性樹脂表面，認為有不溶解成分之析出造成之弱的黏著性。在其他實施例之中，係藉由適當地調整(b2)之pH與液體供給流量，可得到良好的面內均勻性。再者，於所得到之導電圖型，並未發現實用上成為問題之斷線或短路缺陷。
實施例55、56、比較例12
光交聯性樹脂層之薄膜化處理之中，使用揭示於表11之鹼水溶液(b1)AA～AC進行處理之後，以揭示於表11之液體供給流量供給處理液(b2)AA～AC，充分地進行洗淨，其後藉由冷風乾燥而薄膜化以外，係以與實施例29完全相同的方法進行導電圖型之製作。另外，處理液(b2)AA～AC之pH係藉由添加硫酸作調整。測定10個點的光交聯性樹脂層之膜厚，以標準偏差σ之值評估膜厚之變異。將結果表示於表12。在處理液(b2)之pH小於5之實施例55之中，於處理液(b2)中有產生光交聯性樹脂層之不溶解成分之凝集物之現象，於薄膜化處理後會有凝集物再附著之情形，而標準偏差之值小。另一方面，處理液(b2)之pH大於10之實施例56之中，不溶解化之光交聯性樹脂層成分之再分散，同時由於使處理液(b2)溶解於光交聯性樹脂層，因此觀察到標準偏差之值變大之傾向。在比較例12之中，由於鹼水溶液(b1)之無機鹼性化合物濃度低，因此面內之膜厚之變異顯著。進一步，以光學顯微鏡觀察所得到之導電圖型之結果，在導線寬度&間距20μm之部分中，於一部份發生了短路缺陷，無法製作面內大致均勻的導電圖型。
比較例13
調製揭示於表11之鹼水溶液(b1)AD，而若在25℃放置10天以上，則產生析出物。再者，薄膜化處理時，發生此析出物引起泵內之堵塞等的問題。
實施例57～60、比較例14
為了調查連續薄膜化處理之安定性，在光交聯性樹脂層之薄膜化處理之中，使用揭示於表13之鹼水溶液(b1)AAA～AAE進行處理之後，以揭示於表13之液體供給流量供給處理液(b2)AAA～AAE，進行充分地洗淨，其後藉由冷風乾燥薄膜化以外，係以與實施例29完全相同的方法進行導電圖型之製作。
另外，在第1枚薄膜化處理前處理液(b2)AAA～AAE之pH係藉由添加硫酸而調整。連續薄膜化處理中，在每1枚處理不調整處理液(b2)AAA～AAE之pH，在薄膜化處理第1枚與薄膜化處理第5枚及第10枚之中，分別測定10個點的光交聯性樹脂層之膜厚，以標準偏差σ之值評估膜厚之變異。
另外，為了調查在連續薄膜化處理10枚後光交聯性樹脂層往鹼水溶液(b1)中之溶入，以目視觀察液體之混濁。將連續薄膜化處理10枚後之鹼水溶液(b1)之混濁、處理液(b2)AAA～AAE之pH、膜厚之變異(標準偏差σ)之結果表示於表14。
鹼水溶液(b1)之無機鹼性化合物濃度在本發明之範圍外之比較例14之中，在連續薄膜化處理第5枚及第10枚，處理液(b2)之pH之上昇皆小，而自第1枚處理後標準偏差之值大，與薄膜化處理枚數無關地膜厚之變異為顯著。另外，觀察到10枚處理後光交聯性樹脂層溶入鹼水溶液(b1)中造成之混濁，有處理枚數之增加造成之鹼水溶液之溶解性之惡化的顧慮。進一步，以光學顯微鏡觀察在各個薄膜化處理枚數後之基板所得到之導電圖型之結果，在導線寬度＆間距20μm之部分，於一部份發生短路缺陷，無法製作面內大致均勻的導電圖型。在使用水為處理液(b2)之實施例57中，隨著薄膜化處理枚數5枚、10枚地增加，認為於處理液(b2)之pH是上昇的傾向。10枚處理後，觀察到處理液(b2)之pH超過10，標準偏差之值大，顯著的膜厚之變異。進一步，以光學顯微鏡觀察所得到之導電圖型之結果，在5枚處理後之基板，導線寬度/間距=20μm/20μm之部分中，並未發現實用上成為問題之斷線或短路缺陷，而在10枚處理後之基板，於一部份發生了短路缺陷，無法製作面內大致均勻的導電圖型。在使用具有緩衝能力之水溶液為處理液(b2)之實施例58～60中，於5枚處理後與10枚處理後，處理液(b2)之pH之上昇小，同時抑制在未滿10，膜厚之變異為良好。進一步，在5枚處理後、10枚處理後之基板所得到之導電圖型，並未發現實用上成為問題之斷線或短路缺陷。另外，在實施例57～60之中，10枚處理後，並未觀察到光交聯性樹脂層溶入鹼水溶液(b1)中造成之混濁，暗示了有鹼水溶液之連續處理安定性。
實施例61～72、比較例15
(光交聯性樹脂組成物溶液之調液)
將揭示於表15及表16之各成分混合，得到光交聯性樹脂組成物溶液。在表15及表16中之各成分配合量之單位係表示質量份。另外，關於(A)成分，表15及表16中之數字係表示溶液之質量份。另外，表17及表18係相對於光交聯性樹脂層之(B)成分及(D)成分之含量(單位=質量%)。
在表15及表16之中，(A)成分係如以下所述。
(A-1)成分；使甲基甲基丙烯酸酯/正丁基丙烯酸酯/甲基丙烯酸以質量比64/15/21進行共聚合之共聚合樹脂(以1-甲氧基-2-丙醇作為溶劑之40質量%溶液)
在表15及表16之中，(B)成分及(C)成分係如以下所述。
(B-1)成分；2,2'-雙(4-甲基丙烯羰氧基五乙氧基苯基)丙烷(商品名：BPE-500、新中村化學工業股份有限公司製)
(B-2)成分；三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(商品名：TMP-A、共榮社化學股份有限公司製)
(C-1)成分；2-(2'-氯苯基)-4,5-二苯咪唑二聚物
(C-2)成分；4,4'-雙(二乙基胺基)二苯甲酮
在表15及表16之中，(D)成分係如以下所述。
(D-1)成分；p-甲氧基酚
(乾式薄膜光阻之製作)
在由聚酯薄膜所構成之支持層薄膜(膜厚25μm)上，使用縫模塗佈器塗佈上述光交聯性樹脂組成物溶液，使其乾燥之後，層合由聚乙烯薄膜所構成之保護薄膜(膜厚30μm)，製作具有膜厚25μm之光交聯性樹脂層之乾式薄膜光阻(DFR)A～K及AA～AB。
除了使用乾式薄膜光阻(DFR)A～K及AA～AB代替乾式薄膜光阻(商品名：SUNFORTAQ2575，旭化成ELECTRONICS公司製、厚度25μm)，薄膜化後之光交聯性樹脂層之厚度成為平均10μm及平均5μm之方式，使用揭示於表1之鹼處理液A進行薄膜化處理，接著，在電路圖型之曝光中，使用描繪有導線寬度/間距=10/10、15/15、20/20、30/30、50/50μm之圖型之曝光用光罩以外，係以與實施例1完全相同的方法進行導電圖型之製作。
使用光學顯微鏡，測定所得到之蝕刻阻劑層之最小解像空間寬度。
在光阻層之底部發生拖尾(「a residue」：「a train」)之情況下，以減去此拖尾區城之值作為最小解像空間寬度。將最小解像空間寬度之測定結果表示於表19。在實施例61~71中，基材表面之暈光造成之未曝光部之半交聯區域之發生有效地受到抑制，即使在薄膜化後之光交聯性樹脂層之厚度為10μm以下之極薄膜，光阻層之底部之拖尾被抑制，狹小空間寬度之光阻解像為可能的。相對於光交聯性樹脂層之(B)成分之含量為35~55質量%之實施例61~69與含量為34質量%之實施例70相比，拖尾被抑制。在(B)成分之含量為56質量%之實施例71之中，認為薄膜化處理後，在曝光步驟中稍微有與曝光用光罩之黏著性。在使用經過解像之狹小空間寬度之蝕刻阻劑層進行蝕刻處理後所得到之各導線寬度/間距之導電圖型中，並未發現實用上成為問題之斷線或短路缺陷。
在實施例72之中，由於聚合抑制劑之配合量過少，因此暈光造成之未曝光部之半交聯區域之發生顯著，並且於光阻層之底部，發生大量的拖尾區域。另外，在實施例72之中，於蝕刻處理後，除了導線寬度/間距=50/50μm，在30/30μm以下之導電圖型於複數處發生了短路及斷線。在比較例15之中，因為乾式薄膜光阻AB中之聚合抑制劑之配合量過多，故敏感度降低，於曝光步驟無法交聯。亦即，乾式薄膜光阻AB沒有光交聯性。因此，在顯像處理之中，乾式薄膜光阻由基板剝離，無法形成蝕刻阻劑層。
實施例73
〈步驟(a')〉
對玻璃基材環氧樹脂覆銅箔層合板使用鑽，形成直徑200μm及500μm之貫通孔各100孔之後，於貫通孔內部與銅箔上形成有10μm厚之鍍銅層之有孔覆銅箔層合板層合乾式薄膜光阻(商品名：SUNFORTAQ2575、旭化成ELECTRONICS公司製、厚度25μm)。
〈步驟(i)〉
使用在將光交聯性樹脂層薄膜化之前，僅對各孔貫通孔上與其周圍部分經過描繪之曝光用光罩(對直徑200μm之貫通孔為直徑400μm之圓形圖型、對直徑500μm之貫通孔為直徑800μm之圓形圖型)，以具備輸出3kw之超高壓水銀燈(商品名：URM-300、USHIOLIGHTING公司製)作為光源之真空密著曝光裝置進行密著曝光。
〈步驟(b')〉
使貫通孔上與其周圍部分之光交聯性樹脂層硬化之後，將支持層薄膜剝離，貫通孔上與其周圍部分以外之未硬化之光交聯性樹脂層之厚度成為平均10μm之方式，使用揭示於表1之鹼處理液A進行薄膜化處理，藉由充分之水洗處理、冷風乾燥，得到經過薄膜化之光交聯性樹脂層。
薄膜化處理後，與實施例1相同地進行步驟(c)、步驟(d)、步驟(e)處理，製作出導電圖型。觀察在將蝕刻阻劑層剝離之前於貫通孔上經過蓋孔之光交聯性樹脂層之結果，全部100個的孔之中，於光交聯性樹脂層沒有破裂或剝離之發生，在蝕刻阻劑層剝離後，於孔內部之金屬層亦並未發現腐蝕。進一步，於所得到之導電圖型並未發現實用上成為問題之斷線或短路缺陷。
(比較例16)
除了不進行薄膜化處理以外，係以與實施例73完全相同的方法製作導電圖型。以光學顯微鏡觀察所得到之導電圖型之結果，於孔內部之金屬層並未發現腐蝕，而在導線寬度/間距=20μm/20μm圖型發生了斷線或短路缺陷。
(比較例17)
除了於薄膜化處理前不進行貫通孔上與其周圍部分之曝光以外，係以與實施例73完全相同的方法製作導電圖型。以光學顯微鏡觀察所得到之導電圖型之結果，在導線寬度/間距=20μm/20μm圖型並未發生斷線或短路缺陷，可製作良好的微細圖型。然而，在蝕刻阻劑層剝離前，觀察孔上之乾式薄膜光阻之結果，於直徑500μm之孔上之乾式薄膜光阻全部，發生了篷蓋破裂。另外，在直徑200μm時，於50處以上發生了篷蓋破裂。再者，在蝕刻阻劑層剝離後，觀察孔內部之結果，認為有孔內部金屬層之腐蝕。
實施例74～81
除了使用乾式薄膜光阻C代替乾式薄膜光阻(商品名：SUNFORTAQ2575、旭化成ELECTRONICS公司製，厚度25μm)，薄膜化後之光交聯性樹脂層之厚度成為平均10μm之方式，使用揭示於表1之鹼處理液A進行薄膜化處理之後，藉由下述(f)步驟層合聚對苯二甲酸乙二酯薄膜，接著在電路圖型之曝光中，使用描繪有導線寬度/間距=15/15、20/20、30/30、50/50、70/70μm之圖型之曝光用光罩進行密著曝光，接著在除去層合之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜之後進行顯像以外，係以與實施例1完全相同的方法進行導電圖型之製作。
〈步驟(f)〉
於經過平均10μm薄膜化處理之光交聯性樹脂層上，將揭示於表20之物性值(膜厚、模糊度值)之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜A～H藉由以輥溫度80℃、空氣供給壓力0.30MPa、層合速度0.50m/min之層合進行層合。層合聚對苯二甲酸乙二酯薄膜之後，與光交聯性樹脂層之間，並未發現空氣或異物之混入。
對於顯像後所得到之蝕刻阻劑層是否有線細或斷線，或線粗或短路等缺陷，藉由光學顯微鏡觀察進行評估。評估之基準係如以下所述，將評估結果表示於表21。另外，於所得到之導電圖型，沒有觀察到實用上成為問題之斷線或短路缺陷，亦並未認為有由於蝕刻阻劑層之密著不良所引起之斷線缺陷。
○：沒有線細或斷線，或線粗或短路缺陷
△：有線細，或線粗之缺陷，然而實用上沒有問題的等級
╳：有斷線，或短路缺陷，實用上有問題的等級
實施例82
除了薄膜化處理後，不層合透明性薄膜，以光交聯性樹脂層露出之狀態進行密著曝光以外，係以與實施例74完全相同的方法進行導電圖型之製作。結果，在導線寬度/間距=20/20μm以下之圖型，觀察到真空密著不良造成之漏光或異物或損傷為原因之蝕刻阻劑層之線粗或短路缺陷。蝕刻步驟後，於所得到之導電圖型，於全面多處發生實用上成為問題之短路缺陷。將評估結果表示於表21。
實施例83
薄膜化處理後，不層合聚對苯二甲酸乙二酯薄膜A，以載置於光交聯性樹脂層上之狀態進行密著曝光以外，係以與實施例74完全相同的方法進行導電圖型之製作。在光交聯性樹脂層與聚對苯二甲酸乙二酯薄膜之間，產生間隙而混入空氣，確認了有多數氣泡。密著曝光、顯像處理後，於導線寬度/間距=30/30μm以下之圖型，觀察到氣泡混入造成之漏光所引起之蝕刻阻劑層的線粗或短路缺陷。蝕刻處理後，於所得到之導電圖型，於全面多處發生實用上成為問題之短路缺陷。將評估結果表示於表21。
 [產業上之利用可能性]
本發明係廣泛利用於使用減色法之微細的導電圖型之製作，除了以實施例說明之印刷電路板之外，亦可利用於引線框架之製造方法。
於以下對圖1～圖4中之符號作說明。
1．．．光交聯性樹脂層(未交聯部)
2．．．基板
3．．．曝光用光罩
4．．．光交聯性樹脂層之交聯部
5．．．光交聯性樹脂層之半交聯部
6．．．導電層
7．．．絕緣性基板
8．．．孔
圖1係表示本發明之導電圖型之製作方法(1)之一例之剖面工程圖。
圖2係表示本發明之導電圖型之製作方法(2)之一例之剖面工程圖。
圖3係表示本發明之導電圖型之製作方法(2)之一例之剖面工程圖。
圖4係表示電路圖型之曝光步驟之概略剖面圖。
圖5係光交聯性樹脂層之光阻特性曲線之一例。
圖6係光交聯性樹脂層之光阻特性曲線之一例。
1．．．光交聯性樹脂層(未交聯部)
2．．．基板
4．．．光交聯性樹脂層之交聯部
6．．．導電層
7．．．絕緣性基板

Claims (10)

  1. 一種導電圖型之製作方法，其係藉由減色法進行之導電圖型之製作方法，其特徵為依序包含：(a)於表面設置有導電層之基板上形成光交聯性樹脂層之步驟、(b)藉由鹼水溶液進行光交聯性樹脂層之薄膜化處理之步驟、(c)電路圖型之曝光步驟、(d)顯像步驟、(e)蝕刻步驟，而該鹼水溶液係含有無機鹼性化合物5～20質量%之水溶液。
  2. 一種導電圖型之製作方法，其係藉由減色法進行之導電圖型之製作方法，其特徵為依序包含：(a')於具有孔且表面及孔內部設置有導電層之基板上形成光交聯性樹脂層之步驟、(i)僅使孔上或使孔上與其周圍部分之光交聯性樹脂層硬化之步驟、(b')藉由鹼水溶液進行未硬化部之光交聯性樹脂層之薄膜化處理之步驟、(c)電路圖型之曝光步驟、(d)顯像步驟、(e)蝕刻步驟，而該鹼水溶液係含有無機鹼性化合物5～20質量%之水溶液。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之導電圖型之製作方法，其中無機鹼性化合物係選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬矽酸鹽之至少1種。
  4. 如申請專利範圍第1或2項記載之導電圖型之製作方法，其中鹼水溶液係進一步含有選自硫酸鹽、亞硫酸鹽之至少1種。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之導電圖型之製作方法，其中光交聯性樹脂層之薄膜化處理係包含：(b1)以含有選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬矽酸鹽之至少1種之無機鹼性化合物5～20質量%，進一步含有選自硫酸鹽、亞硫酸鹽之至少1種之鹼水溶液進行處理之步驟、(b2)以含有選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬矽酸鹽之至少1種之無機鹼性化合物之pH5～10之水溶液進行處理之步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項之導電圖型之製作方法，其係在(b2)中，含有選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬矽酸鹽之至少1種之無機鹼性化合物之pH5～10之水溶液之供給流量為，每1cm2 光交聯性樹脂層為0.030～1.0L/min。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之導電圖型之製作方法，其中光交聯性樹脂層係含有：(A)含有羧基之聚合物、(B)於分子內具有至少1個可聚合之乙烯性不飽和基之光聚合性化合物、(C)光聚合起始劑及(D)聚合抑制劑而成，而相對於光交聯性樹脂層之(D)成分含量為0.01～0.3質量%。
  8. 如申請專利範圍第7項之導電圖型之製作方法，其中相對於光交聯性樹脂層之(B)成分含量為35～55質量%。
  9. 如申請專利範圍第1項之導電圖型之製作方法，其中在步驟(b)與步驟(c)之間，包含(f)於光交聯性樹脂層上層合透明性薄膜之步驟，於步驟(c)與步驟(d)之間，包含(g)除去透明性薄膜之步驟。
  10. 如申請專利範圍第2項之導電圖型之製作方法，其中於步驟(b')與步驟(c)之間，包含(f)於光交聯性樹脂層上層合透明性薄膜之步驟，於步驟(c)與步驟(d)之間，包含(g)除去透明性薄膜之步驟。
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