CN101933408A - 导电图形的制作方法 - Google Patents

导电图形的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101933408A
CN101933408A CN200980103759XA CN200980103759A CN101933408A CN 101933408 A CN101933408 A CN 101933408A CN 200980103759X A CN200980103759X A CN 200980103759XA CN 200980103759 A CN200980103759 A CN 200980103759A CN 101933408 A CN101933408 A CN 101933408A
Authority
CN
China
Prior art keywords
reaction resin
resin bed
photocrosslinking reaction
conductive pattern
alkali
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200980103759XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101933408B (zh
Inventor
入泽宗利
丰田裕二
金田安生
中川邦弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Paper Mills Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Paper Mills Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Paper Mills Ltd filed Critical Mitsubishi Paper Mills Ltd
Publication of CN101933408A publication Critical patent/CN101933408A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101933408B publication Critical patent/CN101933408B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/064—Photoresists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/093—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antistatic means, e.g. for charge depletion
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0094—Filling or covering plated through-holes or blind plated vias, e.g. for masking or for mechanical reinforcement
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0505—Double exposure of the same photosensitive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0756—Uses of liquids, e.g. rinsing, coating, dissolving
    • H05K2203/0769—Dissolving insulating materials, e.g. coatings, not used for developing resist after exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0793—Aqueous alkaline solution, e.g. for cleaning or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1377—Protective layers
    • H05K2203/1394—Covering open PTHs, e.g. by dry film resist or by metal disc
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1476—Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
    • H05K3/427—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in metal-clad substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

导电图形的制作方法，其依次含有(a)在表面设置有导电层的基板上形成光交联性树脂层的工序、(b)利用碱水溶液进行光交联性树脂层的薄膜化处理的工序、(c)电路图形的曝光工序、(d)显影工序、(e)蚀刻工序，该碱水溶液是含有5～20质量％无机碱性化合物的水溶液；或者导电图形的制作方法，其依次含有(a′)在基板上形成光交联性树脂层的工序，所述基板具有孔，且在表面和孔内部设置有导电层、(i)使仅仅孔上或者孔上与其周围部的光交联性树脂层固化的工序、(b′)利用碱水溶液进行未固化部的光交联性树脂层的薄膜化处理的工序、(c)电路图形的曝光工序、(d)显影工序、(e)蚀刻工序，该碱水溶液是含有5～20质量％无机碱性化合物的水溶液。

Description

导电图形的制作方法
技术领域
本发明涉及利用减成法(subtractive method)的导电图形的制作方法。
背景技术
印制电路布线板或引线框的制造方法有减成法，该减成法是在表面设置了导电层的绝缘性基板或导电性基板的电路部上，设置抗蚀层，将露出的非电路部的导电层蚀刻除去而形成导电图形的方法。另外，还有在绝缘性基板的电路部用镀敷法设置导电层的加成法或半加成法。
伴随近年来电子设备的小型、多功能化，设备内部使用的印制电路布线板或引线框也在推进高密度化或导电图形的微细化，通过减成法，目前可以制造导体宽度小于50～80μm、导体间隙为50～80μm的导电图形。另外，人们正在推进进一步的高密度化、微细布线化，开始要求导体宽度或导体间隙小于50μm的超微细的导电图形。与之相伴，导电图形的精度或阻抗的要求也在变高。为了形成这种微细的导电图形，以往研究了利用半加成法来代替减成法，但存在制造工序大幅增加的问题或电解电镀铜的粘合强度不足等问题。因此，用减成法制造印制电路布线板或引线框成为主流。
在减成法中，抗蚀层可以通过具有使用感光性材料的曝光显影工序的光电制造法、丝网印刷法、喷墨法等形成。其中，对于光电制造法中的、使用称作为负型干膜抗蚀剂的片状光交联性树脂层的方法，由于其操作性优异，能够利用盖孔(tenting)进行通孔的保护，因此可以优选使用。
在使用光交联性树脂层的方法中，在基板上形成光交联性树脂层，经过曝光显影工序而形成抗蚀层。为了形成微细的导电图形，必须形成微细的抗蚀层。因此需要尽可能地使抗蚀剂膜厚变薄。对于作为光交联性树脂层的一般干膜抗蚀剂，例如当为10μm以下的膜厚时，成为混入以尘土为核的气泡或凹凸追随性下降的原因，存在发生抗蚀剂层剥落或断线的问题，难以形成微细的抗蚀层。
为了解决这种问题，提出了下述方法，即，在基板上贴合厚度为25μm以上的干膜抗蚀剂，然后使用碱水溶液将干膜抗蚀剂薄膜化，直至达到10μm左右，然后进行电路图形的曝光、显影，形成抗蚀层(例如参考特开2004-214253号公报)。
但是，特开2004-214253号公报的方法有几个问题。第1个问题是有时薄膜化变得不均一或不能进行稳定的连续薄膜化处理。如特开2004-214253号公报中记载的那样，当使用含有1质量％碳酸钠的碱水溶液进行干膜抗蚀剂的薄膜化时，有时在基板的面内由液体流动的不同导致的干膜抗蚀剂的溶解速度差异大，难以将干膜抗蚀剂均一地进行薄膜化，蚀刻后在面内产生导体宽度的差异。另外，由于溶解的干膜抗蚀剂溶入该碱水溶液中，因此当进行连续处理时，存在碱水溶液的溶解性变化，不能进行稳定的连续薄膜化处理的问题。
第2个问题是在制作具有称作为通孔或盲导孔(blind via hole)的贯穿孔或非贯穿孔(以下称作孔)的印制电路布线板时，有时不能保护孔内部的导电层。在减成法中，对于利用干膜抗蚀剂的盖孔法，使蚀刻液不进入孔内，来保护在孔内设置的导电层。但是，如特开2004-214253号公报所述的那样，对于在整个面进行了薄膜化处理的干膜抗蚀剂，有时发生盖在孔上的干膜抗蚀剂破裂，孔内部的导电层在蚀刻时被腐蚀的问题。
为了解决第2个问题，例如提出了一种电路基板的制作方法，其使用将灵敏度不同的第1感光性树脂层和第2感光性树脂层层合而成的干膜抗蚀剂，对于规定的图形照射使第2感光性树脂层交联所需要的光量，并对于孔上和其周围部照射使第1感光性树脂层和第2感光性树脂层一起交联所需要的光量，由此，在导电层表面的导电图形形成区域、和孔上及其周围部，形成厚度不同的抗蚀层(例如参考特开2005-136223号公报)。但是，在特开2005-136223号公报所述的方法中，存在需要具有灵敏度不同的2种感光性树脂层的特殊的干膜抗蚀剂，难以进行碱显影性或涂布性等的调节的问题。
第3个问题是涉及曝光的问题。作为电路图形的曝光方法，已知有以氙灯、高压水银灯、低压水银灯、超高压水银灯、UV荧光灯为光源的反射图像曝光、使用曝光用掩模的单面或双面密合曝光方式、邻近方式(proximity method)、投射方式或激光扫描曝光方式等。对于激光扫描曝光方式，激光的光束直径大，有难以与高析像度相对应的情况。另外，需要使用对于激光光源的固有波长具有灵敏度的特殊干膜抗蚀剂，因此是不常见的。邻近方式、投射方式在曝光用掩模与干膜抗蚀剂之间具有空间，由于曝光的衍射光有时导致析像度下降，因此其也是不常见的。另一方面，对于密合曝光方式，曝光用掩模与干膜抗蚀剂之间的空间实质为零，如果使用平行光光源，可以说是最与高析像度相对应的曝光方式。
但是，在特开2004-214253号公报中，将干膜抗蚀剂薄膜化后，当使用密合曝光方式进行电路图形的曝光时，在基材表面反射的光向未曝光部散射(晕光)，存在图形的析像度变差的问题。由该基材表面的晕光导致的不良影响，在抗蚀剂的膜厚较厚的情况下，小到可以忽视的程度，但当形成厚度为10μm以下的极薄膜时，上述不良影响较为显著地发生，在显影工序后，难以将20μm以下的窄间隔进行析像，需要进一步改良。
第4个问题也涉及曝光工序。在特开2004-214253号公报中，在将干膜抗蚀剂薄膜化后，干膜抗蚀剂的光交联性树脂层表面露出，因此如果直接与曝光用掩模较强地进行真空密合，则在光交联性树脂层表面易于产生由异物导致的瘪痕或伤痕。另外，在光交联性树脂层露出的状态下，在搬运工序或投入和收取工序等中，易于产生异物附着或伤痕所带来的缺陷。进而，在干膜抗蚀剂的光交联性树脂层表面具有粘性(tacking)的情况下，在真空密合时、光交联性树脂层表面与曝光用掩模表面的滑动变差，局部产生真空密合不良，易于产生由光泄漏导致的抗蚀剂缺陷。另外，有光交联性树脂层转印而污染曝光用掩模，或者发生抗蚀剂层剥离等的情况，从而存在需要多余的清洗操作的问题。
发明内容
本发明的课题在于提供利用了减成法的导电图形的制作方法，其是在表面设置了导电层的基板上形成光交联性树脂层，利用碱水溶液进行光交联性树脂层的薄膜化处理后，进行电路图形的曝光、显影、蚀刻处理的导电图形的制作方法，其中，可以将光交联性树脂层均匀地薄膜化，进而能够进行稳定的连续薄膜化处理。
另外，提供导电图形的制作方法，其在不需要特殊的干膜抗蚀剂的情况下，可以兼顾利用盖孔的孔内导电层的保护和利用薄膜化处理进行的微细导电图形的制作。
进而，提供导电图形的制作方法，其中，即使薄膜化处理后光交联性树脂层为厚度10μm以下的超薄膜，也几乎不会受到晕光带来的不良影响。
提供导电图形的制作方法，其中，在搬运工序或投入和收取工序等中，光交联性树脂层上由杂质或伤痕导致的缺陷非常少，不会产生密合曝光时由光交联性树脂层导致的曝光用掩模的污染、抗蚀剂层的剥离等，进而，不发生由真空密合不良导致的光泄漏抗蚀剂缺陷。
本发明人为了解决上述课题而进行了努力研究，结果发现，
(1)导电图形的制作方法，其特征在于，在利用减成法的导电图形的制作方法中，依次含有(a)在表面设置了导电层的基板上形成光交联性树脂层的工序、(b)利用碱水溶液进行光交联性树脂层的薄膜化处理的工序、(c)电路图形的曝光工序、(d)显影工序、(e)蚀刻工序，该碱水溶液是含有5～20质量％无机碱性化合物的水溶液；
(2)导电图形的制作方法，其特征在于，在利用减成法的导电图形的制作方法中，依次含有(a′)在基板上形成光交联性树脂层的工序，所述基板具有孔，且在表面和孔内部设置有导电层、(i)使仅仅孔上或者孔上与其周围部的光交联性树脂层固化的工序、(b′)利用碱水溶液进行未固化部的光交联性树脂层的薄膜化处理的工序、(c)电路图形的曝光工序、(d)显影工序、(e)蚀刻工序，该碱水溶液是含有5～20质量％无机碱性化合物的水溶液；
(3)根据上述(1)或(2)所述的导电图形的制作方法，其中，无机碱性化合物是选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐的至少1种；
(4)根据上述(1)～(3)中任一项所述的导电图形的制作方法，其中，碱水溶液进而含有选自硫酸盐、亚硫酸盐的至少1种；
(5)根据上述(1)或(2)所述的导电图形的制作方法，其中，光交联性树脂层的薄膜化处理包括(b1)用碱水溶液进行处理的工序，所述碱水溶液含有5～20质量％选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐的至少1种的无机碱性化合物，进而含有选自硫酸盐、亚硫酸盐的至少1种、(b2)用pH5～10的水溶液进行处理的工序，所述pH5～10的水溶液含有选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属硅酸盐的至少1种的无机碱性化合物；
(6)根据上述(5)所述的导电图形的制作方法，其中，在(b2)中，pH5～10的水溶液的供给流量是每1cm2光交联性树脂层为0.030～1.0L/min，所述pH5～10的水溶液含有选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属硅酸盐的至少1种的无机碱性化合物；
(7)根据上述(1)或(2)所述的导电图形的制作方法，其特征在于，光交联性树脂层含有(A)含有羧基的聚合物、(B)在分子内具有至少1个可聚合的乙烯性不饱和基团的光聚合性化合物、(C)光聚合引发剂和(D)聚合抑制剂，(D)成分相对于光交联性树脂层的含量为0.01～0.3质量％；
(8)根据上述(7)所述的导电图形的制作方法，其中，(B)成分相对于光交联性树脂层的含量为35～55质量％；
(9)根据上述(1)所述的导电图形的制作方法，其中，在工序(b)和工序(c)之间含有(f)在光交联性树脂层上层合透明性薄膜的工序，在工序(c)和工序(d)之间含有(g)除去透明性薄膜的工序；
(10)根据上述(2)所述的导电图形的制作方法，其中，在工序(b′)和工序(c)之间含有(f)在光交联性树脂层上层合透明性薄膜的工序，在工序(c)和工序(d)之间含有(g)除去透明性薄膜的工序。
在本发明的导电图形的制作方法(1)中，在表面设置了导电层的基板上贴合光交联性树脂层后，利用含有5～20质量％无机碱性化合物的碱水溶液进行光交联性树脂层的薄膜化处理，直至达到期望的厚度。如果不进行薄膜化处理，而直接贴合期望厚度的薄的光交联性树脂层，则产生对于基板的凹凸追随性不良、抗蚀剂剥落等问题。但是，在本发明中，由于贴合了厚的光交联性树脂层，因此可以得到下述效果，即，对于基板的凹凸追随性、密合性极为良好，即使在进行薄膜化处理后，其性质也不会被损害，难以产生抗蚀剂剥落等问题。另外，一般来说，对于厚的光交联性树脂层，还有易于制造的优点。
光交联性树脂层含有：含有羧基的聚合物等对于碱水溶液可溶的成分(溶解成分)和光聚合性不饱和化合物或光聚合引发剂等对于碱水溶液不溶解的成分(不溶解成分)。当在光交联性树脂层的薄膜化处理中使用低浓度的碱水溶液时，形成以不溶解成分为中心、在其周围存在具有表面活性剂功能的溶解成分的胶束(micelles)，该胶束以乳液状态分散到碱水溶液中，由此光交联性树脂层进行薄膜化。碱水溶液中的胶束根据处理液的压力或流动而移动，因此通过用喷雾器等形成液体流动，光交联性树脂层上的胶束被冲走。因此，在处理液的液体流动好的地方，易于进行光交联性树脂层的溶解，在液体流动差的地方，光交联性树脂层上残留有胶束，光交联性树脂层的溶解变慢。因此，在光交联性树脂层的薄膜化处理中，在基板面内产生不均。
相对于此，在本发明的导电图形的制作方法(1)中，对于光交联性树脂层的薄膜化处理，使用无机碱性化合物的浓度为5～20质量％的高浓度的碱水溶液。在高浓度的碱水溶液中，光交联性树脂层成分的胶束暂时不溶，变得难以在碱水溶液中溶解扩散。因此，不管是用喷雾器等使处理液的液体流动好的地方还是差的地方，光交联性树脂层上同样残留有胶束，光交联性树脂层的溶解变慢，因此可以得到光交联性树脂层可以大致均匀地薄膜化，不会发生不均的效果。
另外，当连续进行光交联性树脂层的薄膜化处理时，优选使用水平搬运方式的喷雾处理装置。由于是水平搬运方式，因此如果在上下配置喷射喷嘴，则可以连续地将两面一起进行处理，能够在基板两面制作导电图形。当以水平搬运方式实施上下两面处理时，处理上面难以排除通过喷雾器喷射的处理液，由于在处理基板上积存处理液而形成接近于浸渍状态的处理。另一方面，在处理下面，由喷雾器喷射的处理液迅速被排除，基板上的处理面始终通过由喷雾器喷射的处理液来处理。因此，在处理上面和处理下面液体流动不同，薄膜化变得不均匀。但是，在本发明的导电图形的制作方法(1)中，即使处理液的液体流动不同，也可以在上下两面均进行大致均一的薄膜化处理。
进而，当使用无机碱性化合物的浓度为5～20质量％的高浓度的碱水溶液时，光交联性树脂层的胶束变得难以扩散到碱水溶液中，而残留在光交联性树脂层上。当进行水洗时，可以一下除去胶束。即，由于光交联性树脂层难以溶解在高浓度的碱水溶液中，因此碱水溶液的溶解性难以变化，可以稳定地进行连续薄膜化处理。
在本发明的导电图形的制作方法(2)中，在具有孔、且在表面和孔内部设置了导电层的基板上形成光交联性树脂层，然后，预先使仅孔上或者孔上与其周围部的光交联性树脂层固化，然后进行未固化部的光交联性树脂层的薄膜化处理。由此，可以仅在孔上或者孔上和其周围部形成具有盖孔强度的厚的抗蚀层，在蚀刻工序中盖孔膜变得难以破裂，孔内导电层难以被蚀刻。进而，不需要盖孔的部分通过在实施了薄膜化处理后进行电路图形的曝光或蚀刻，从而可以制作微细的导电图形。根据该方法(2)，不需要特殊的干膜抗蚀剂，而可以兼顾利用盖孔的孔内导电层的保护和利用薄膜化处理的微细导电图形的制作。
在本发明的导电图形的制作方法(3)中，作为无机碱性化合物，含有碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐中的至少任意1种。对于用这些化合物处理的光交联性树脂层，暂时不溶且变得难以溶解扩散的胶束的再分散性良好，能够在短时间进行均匀的薄膜化处理。
在本发明的导电图形的制作方法(4)中，碱水溶液进而含有硫酸盐或亚硫酸盐中的至少任意1种。由此，硫酸离子或亚硫酸离子引起由于盐析导致的水合，进一步抑制胶束的溶解扩散，可以实现均匀的薄膜化处理。
在本发明的导电图形的制作方法(5)中，光交联性树脂层的薄膜化处理包括：(b1)用碱水溶液进行处理的工序，所述碱水溶液含有5～20质量％选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐的至少1种的无机碱性化合物，进而含有选自硫酸盐、亚硫酸盐的至少1种、(b2)用pH5～10的水溶液进行处理的工序，所述pH5～10的水溶液含有选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属硅酸盐的至少1种的无机碱性化合物。在工序(b1)中，使光交联性树脂层成分的胶束暂时不溶化，抑制溶解扩散，在工序(b2)中，使该胶束再分散，进行溶解除去。这样，通过将工序(b1)和工序(b2)分开，在工序(b1)中光交联性树脂层几乎不溶入处理液中，因此有处理液的溶解性变化少，可以进行稳定的连续薄膜化处理的优点。另外，在工序(b2)中，碳酸盐、磷酸盐、硅酸盐在碱性区域均具有优异的缓冲能力，因此对于从工序(b1)混入一部分高浓度碱水溶液的情况，也可以防止pH急剧的升高，能够将由于局部的处理液的搅拌不均和喷雾不均、光交联性树脂层的溶解不均导致的pH变化抑制到最小限度。进而，通过使用pH5～10的水溶液，可以将(b2)的光交联性树脂层成分的再分散性保持为恒定，能够进行稳定的连续薄膜化处理。
在本发明的导电图形的制作方法(6)中，对于上述方法(5)的工序(b2)，pH＝5～10的水溶液的供给流量是每1cm2光交联性树脂层为0.030～1.0L/min，所述pH＝5～10的水溶液含有选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属硅酸盐的无机碱性化合物中的至少任意1种。在工序(b2)中，当供给流量不足时，不溶化的光交联性树脂层成分的再分散性变差，易于产生溶解不良。结果有时在薄膜化后的光交联性树脂层表面发现不溶解成分的析出，粘性产生问题。在本发明的导电图形的制作方法(6)中，供给流量足够大，可以使不溶化的光交联性树脂层成分迅速地再分散，在薄膜化后的光交联性树脂层表面不会残留有不溶解成分，可以面内大致均匀地进行薄膜化处理。
在本发明的导电图形的制作方法(7)中，光交联性树脂层含有：(A)含有羧基的聚合物、(B)在分子内具有至少1个可聚合的乙烯性不饱和基团的光聚合性化合物、(C)光聚合引发剂和(D)聚合抑制剂，(D)成分相对于光交联性树脂层的含量为0.01～0.3质量％。图4是表示电路图形的曝光工序的示意性截面图。对于在基板2上形成的光交联性树脂层1，通过曝光用掩模3进行曝光。曝光的光交联性树脂层1成为交联部4，其周围未曝光部的光交联性树脂层1也由于晕光而进行光交联，成为半交联部5。
图5是光交联性树脂层的抗蚀剂特性曲线的一个例子。X轴表示曝光量(mJ/cm2)，Y轴表示抗蚀剂固化度(％)。在图5(a)中，具有用虚线A表示的抗蚀剂特性的光交联性树脂层时，从曝光量αA开始进行光交联。当用曝光量β1 A～β2 A进行曝光时，光交联为不充分的半交联区域(网点部)。用曝光量αA～β1 A曝光的光交联性树脂层的光交联也不充分，但由于抗蚀剂固化度低，因此可以在显影工序中与未曝光部一起除去。本发明(7)的光交联性树脂层含有(A)含有羧基的聚合物、(B)在分子内具有至少1个可聚合的乙烯性不饱和基团的光聚合性化合物、(C)光聚合引发剂和(D)聚合抑制剂作为必须成分，(D)成分相对于光交联性树脂层含有0.01～0.3质量％。由于该(D)成分，导致引发光交联所需要的曝光量变多(α′A)。因此，如图5(b)所示，从曝光开始至曝光量α′A，产生的自由基实质上不参与交联，抗蚀剂固化度持续处于零的状态，曝光量超过α′A后开始进行交联。由此认为，由于半交联区域变小，难以产生未曝光部的半交联部，高析像度的抗蚀图形成为可能。
在本发明的导电图形的制作方法(8)中，(B)成分相对于光交联性树脂层的含量为35～55质量％。图6是光交联性树脂层的抗蚀剂特性曲线的一个例子。抗蚀剂特性曲线的斜率称为“γ值”。虚线A和实线B的γ值分别为tanθA和tanθB，为tanθA＜tanθB的关系。作为高γ值的实线B的半交联区域与作为低γ值的虚线A的半交联区域相比窄，当使用高γ值的光交联性树脂层时，可以得到半交联部少的高析像度的抗蚀图形。认为在本发明中，通过使(B)成分相对于光交联性树脂层的含量为35～55质量％，光交联性树脂层的γ值变高，结果是可形成高析像度的抗蚀图形。
在本发明的导电图形的制作方法(9)中，在本发明的导电图形的制作方法(1)的工序(b)和工序(c)之间含有(f)在光交联性树脂层上层合透明性薄膜的工序，在工序(c)和工序(d)之间含有(g)除去透明性薄膜的工序。薄膜化处理后，在光交联性树脂层露出的状态下，光交联性树脂层表面有时具有粘性，但层合了透明性薄膜后的表面形成完全无粘性的状态。由此，不会引起由光交联性树脂层的转印导致的曝光用掩模的污染。另外，可以抑制由杂质导致的瘪痕或伤痕的缺陷，即使使用对于高析像度有利的密合曝光方式，也不会发生由真空密合不良导致的光泄漏抗蚀剂缺陷。
在本发明的导电图形的制作方法(10)中，在本发明的导电图形的制作方法(2)的工序(b′)和工序(c)之间含有(f)在光交联性树脂层上层合透明性薄膜的工序，在工序(c)和工序(d)之间含有(g)除去透明性薄膜的工序。由此，可以仅仅在孔上或在孔上和其周围部形成具有盖孔强度的厚的抗蚀层，进而，在电路图形的曝光中，由于可以使光交联性树脂层表面为完全无粘性的状态，因此可以抑制由光交联性树脂层的转印导致的曝光用掩模的污染或由杂质导致的瘪痕或伤痕的缺陷。
附图说明
图1是表示本发明的导电图形的制作方法(1)的一例的截面工序图。
图2是表示本发明的导电图形的制作方法(2)的一例的截面工序图。
图3是表示本发明的导电图形的制作方法(2)的一例的截面工序图。
图4是表示电路图形的曝光工序的示意性截面图。
图5是光交联性树脂层的抗蚀剂特性曲线的一个例子。
图6是光交联性树脂层的抗蚀剂特性曲线的一个例子。
以下说明图1～图4中的符号。
1 光交联性树脂层(未交联部)
2 基板
3 曝光用掩模
4 光交联性树脂层的交联部
5 光交联性树脂层的半交联部
6 导电层
7 绝缘性基板
8 孔
具体实施方式
以下，对于本发明的导电图形的制作方法进行详细地说明。
图1是表示本发明导电图形的制作方法(1)的一例的截面工序图。基板2使用在单表面上设置了导电层6的绝缘性基板7。在工序(a)中，在基板2的导电层6上形成光交联性树脂层1。在工序(b)中，利用碱水溶液进行光交联性树脂层1的薄膜化处理。碱水溶液使用含有5～20质量％无机碱性化合物的水溶液。在工序(c)中，将相当于电路图形的部分的光交联性树脂层1曝光，形成交联部4。在工序(d)中，通过显影除去光交联性树脂层(未交联部)1。在工序(e)中，将没有用光交联性树脂层的交联部4覆盖的导电层6进行蚀刻，得到导电图形。
图2和3是表示本发明导电图形的制作方法(2)的一例的截面工序图。基板2使用具有孔8、在表面和孔内部设置有导电层6的绝缘性基板7。在工序(a′)中，以堵塞孔8的状态，在基板2的表面的导电层6上形成光交联性树脂层1。在工序(i)中，将孔8上和其周围部的光交联性树脂层1进行曝光并使其交联，形成交联部4。在工序(b′)中，进行光交联性树脂层(未交联部)1的薄膜化处理。在工序(c)中，将相当于电路图形的部分的光交联性树脂层1曝光，形成交联部4。在工序(d)中，通过显影除去光交联性树脂层(未交联部)1。在工序(e)中，将没有用光交联性树脂层的交联部4覆盖的导电层6进行蚀刻，得到导电图形。
<工序(a)和(a′)>
在工序(a)中，在表面设置有导电层的基板的至少一个面上形成光交联性树脂层。在工序(a′)中，在具有孔、在表面和孔内部设置有导电层的基板的至少一个面上形成光交联性树脂层。对于光交联性树脂层的形成，例如可以使用将加热的橡胶辊加压而进行按压的热压合方式的层压装置。加热温度优选为100℃以上。在基板上也可以实施碱脱脂、酸洗等前处理。
作为在表面设置了导电层的基板，可以列举印制电路布线板或引线框用基板。印制电路布线板可以列举例如柔性基板、刚性基板。柔性基板的绝缘性基板的厚度为5～125μm，在其双面或单面上可以设置1～35μm的金属箔层作为导电层，可挠性大。绝缘性基板的材料通常可以使用聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯硫醚、聚对苯二甲酸乙二醇酯、液晶聚合物等。绝缘性基板上具有金属箔层的材料也可以使用利用下述的任意方法制造的材料，所述方法有用粘合剂贴合的粘合法，在金属箔上涂布作为绝缘性基板材料的树脂的液体的铸造法，用溅射或蒸镀法在作为绝缘性基板的树脂薄膜上形成厚度为数nm的薄导电层(种子层)、在其上用电镀形成金属箔层的溅射/镀敷法，用热压进行贴附的层压法等。金属箔层的金属可以使用铜、铝、银、镍、铬、或者它们的合金等的任何金属，一般使用铜。
刚性基板可以列举如下述那样制备的基板，即，将浸渍了环氧树脂或酚醛树脂等的纸基材或玻璃基材叠合制成绝缘性基板，在其单面或双面上放置金属箔作为导电层，利用加热和加压来层合，从而设置有金属箔层的基板。另外，还可以列举在内层配线图形加工后，将半固化片、金属箔等层合而制作的多层用的密封板、具有贯穿孔或非贯穿孔的多层板。厚度为60μm～3.2mm，根据作为印刷基板的最终使用形态，来选定其材质和厚度。金属箔层的材料可以列举铜、铝、银、金等，但最一般使用的是铜。这些印刷基板的例子记述在“プリント回路技术便览”((社)日本プリント回路工业会编、1987年发行、(株)日刊工业新闻社发行)或“多层プリント回路ハンドブツク”(J.A.スカ一レツト编、1992年发行、(株)近代化学社发行)中。引线框用基板可以列举铁镍合金、铜系合金等基板。
具有孔、并在表面和孔内部设置有导电层的基板可以如下述那样制作，例如对于在绝缘性基板表面具有金属箔层的基板，利用钻或激光形成孔，接着进行无电解电镀、电解电镀等镀敷处理，在包括孔内部的表面形成镀金属层。
光交联性树脂层是指曝光部发生交联，不溶于显影液的树脂层，作为电路形成用，一般使用负型的干膜抗蚀剂。市售的干膜抗蚀剂至少具有光交联性树脂层，在聚酯等支持层薄膜上设置光交联性树脂层，根据情况，多形成用聚乙烯等保护膜夹持光交联性树脂上的构成。在本发明中，可作为光交联性树脂层使用的市售干膜抗蚀剂可以列举例如，サンフオ一ト系列(商品名、旭化成エレクトロニクス社制)、フオテツク系列(商品名、日立化成工业社制)、リストン系列(商品名、デユポンMRC ドライフイルム社制)、ALPHO系列(商品名、ニチゴ一·モ一トン社制)等。
光交联性树脂层的厚度优选为15～100μm，更优选20～50μm。该厚度小于15μm时，由于以尘土为核的气泡的混入或凹凸追随性不良，而有时产生抗蚀剂剥落或断线，超过100μm时，有时在薄膜化中溶解除去的量变多，薄膜化处理时间变长，生产率变差。另外，有时在连续处理中难以维持稳定的品质。
<工序(i)>
在本发明的导电图形的制作方法(2)中，对于工序(i)，为了使仅仅孔上或者孔上和其周围部的光交联性树脂层固化，仅对于孔上或者孔上和其周围部进行选择性曝光。对于周围部的曝光不是必须的。但是，通常在曝光时会发生位置错位，有时不能利用光交联性树脂层进行盖孔，因此优选在孔的周围部也进行曝光。周围部的大小没有特别地限定，可以在曝光时根据位置错位而适当设定。曝光方式可以列举以氙灯、高压水银灯、低压水银灯、超高压水银灯、UV荧光灯为光源的反射图像曝光、使用曝光用掩模的单面或双面密合曝光方式、邻近方式、投射方式或激光扫描曝光方式等。
<工序(b)和工序(b′)>
在工序(b)和工序(b′)中，利用碱水溶液进行光交联性树脂层的薄膜化处理。在光交联性树脂层上设置有支持层薄膜时，剥离后实施薄膜化处理。薄膜化处理是指使光交联性树脂层的厚度以大致均匀的方式变薄的处理，详细地说，是使其薄至实施薄膜化处理前厚度的0.05～0.9倍的厚度。
碱水溶液含有5～20质量％的无机碱性化合物。小于5质量％时，胶束难以不溶化，在溶解除去过程中可溶化的胶束溶解扩散，在薄膜化处理中产生面内不均。另外，超过20质量％时，易于引起无机碱性化合物的析出，液体的经时稳定性、作业性差。溶液的pH优选在9～12的范围。另外，还可以适当少量添加表面活性剂、消泡剂、溶剂等。
无机碱性化合物可以使用锂、钠或钾的碳酸盐或碳酸氢盐等碱金属碳酸盐，钾、钠的磷酸盐等碱金属磷酸盐，锂、钠或钾的氢氧化物等碱金属氢氧化物，钾、钠的硅酸盐等碱金属硅酸盐，钾、钠的亚硫酸盐等碱金属亚硫酸盐。其中，如本发明的导电图形的制作方法(3)那样，优选含有选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐的无机碱性化合物中的至少任意1种。其中，从光交联性树脂层的溶解能力、维持处理液的pH的缓冲能力、装置的维护性等角度考虑，特别优选碱金属碳酸盐。
进而，如本发明的导电图形的制作方法(4)那样，碱水溶液优选含有选自硫酸盐、亚硫酸盐的至少1种。硫酸盐或亚硫酸盐可以列举锂、钠或钾等的碱金属硫酸盐或亚硫酸盐、镁、钙等的碱土类金属硫酸盐或亚硫酸盐。其中，特别优选使用碱金属硫酸盐或亚硫酸盐。硫酸盐或亚硫酸盐中所含的硫酸离子或亚硫酸离子的盐析效果大。由盐析效果导致的水合度变大，胶束的溶解扩散进而较强地被抑制，从而可以进行大致均匀的薄膜化处理。
硫酸盐和/或亚硫酸盐的含量(摩尔浓度)优选为0.05～1.0摩尔/L。小于0.05摩尔/L时，盐析力弱，水合度小，因此有时由于液体流动导致溶解扩散速度产生差异，提高薄膜化处理的均匀化的效果变弱。为1.0摩尔/L以上时，产生过度的水合，阻碍了胶束的溶解扩散，因此有时易于引起溶解不良。其结果是有时在薄膜化处理后的光交联性树脂表面上发现不溶解成分的析出，粘性产生问题。
薄膜化处理的方法有浸渍方式、叶片(paddle)方式、喷射方式、刷洗(brushing)、刮擦等，喷射方式从光交联性树脂层的溶解速度的角度考虑是最优选的。对于喷射方式的情况，处理条件(温度、时间、喷射压)可以根据使用的光交联性树脂层的溶解速度进行适当调节。具体来说，处理温度优选为10～50℃，更优选15～40℃，进而优选15～35℃。另外，喷射压优选为0.01～0.5MPa，进而优选0.02～0.3MPa。
如本发明的导电图形的制作方法(5)那样，作为光交联树脂层的薄膜化处理的工序(b)和工序(b′)优选分成至少2个工序、工序(b1)和工序(b2)来进行处理。首先，在工序(b1)中，通过过量供给高浓度的碱水溶液，使在溶解过程中胶束化的光交联性树脂层成分暂时不溶化，抑制其向处理液中的溶解扩散。接着，在工序(b2)中，供给pH5～10的水溶液，该水溶液含有选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属硅酸盐的无机碱性化合物中的至少任意1种，使工序(b1)中不溶化的光交联性树脂层成分再分散，并溶解除去。在工序(b2)中，当水溶液的pH小于5时，有可能通过再分散溶解的光交联性树脂成分凝聚，形成不溶性的淤浆而附着于薄膜化的光交联性树脂层表面上。另一方面，当水溶液的pH超过10时，可以促进光交联性树脂层的溶解扩散，在面内易于产生膜厚不均，因此不是优选的。另外，工序(b2)的处理液也可以在使用硫酸、磷酸、盐酸等调节液体的pH后来使用。
如本发明的导电图形的制作方法(6)那样，在工序(b2)中，上述pH＝5～10的水溶液的供给流量优选每1cm2光交联性树脂层为0.030～1.0L/min。更优选0.050～1.0L/min，进而优选0.10～1.0L/min。当供给流量在该范围时，在薄膜化后的光交联性树脂层表面不会残留有不溶解成分，可以面内大致均匀地进行薄膜化处理。当每1cm2光交联性树脂层的供给流量小于0.030L/min时，有时引起不溶化光交联性树脂层成分的溶解不良。另一方面，当供给流量超过1.0L/min时，用于供给的泵等部件变得巨大，有时需要大规模装置。进而，对于超过1.0L/min的供给流量，使光交联性树脂层成分溶解扩散的效果不会变化。
从光交联性树脂层的溶解速度和液体供给的均匀性的角度考虑，工序(b2)的液体供给方法最优选喷射方式。进而，为了在光交联性树脂层表面高效地制作液体流动，喷射的方向从相对于与光交联性树脂层表面垂直的方向为倾斜的方向进行喷射即可。
在工序(b)或工序(b′)中，在用碱水溶液进行薄膜化处理后，需要用水充分洗涤基板。通过该利用水的基板洗涤，使在碱水溶液中不溶化的光交联性树脂层的胶束迅速再分散，并溶解除去。水洗处理的方法有浸渍方式、叶片方式、喷射方式等，从光交联性树脂层的溶解速度和均匀性的角度考虑，最优选喷射方式。
<工序(c)>
在工序(c)中，进行电路图形的曝光。作为电路图形的曝光方法，可以列举以氙灯、高压水银灯、低压水银灯、超高压水银灯、UV荧光灯作为光源的反射图像曝光、使用曝光用掩模的单面或双面密合曝光方式、邻近方式、投射方式或激光扫描曝光方式等，优选使用以氙灯、高压水银灯、低压水银灯、超高压水银灯、UV荧光灯作为光源、使用曝光用掩模的单面、双面密合曝光。
为了抑制在电路图形的曝光时由在基材表面引起的晕光所导致的不良影响，如本发明的导电图形的制作方法(7)那样，优选光交联性树脂层含有：(A)含有羧基的聚合物、(B)在分子内具有至少1个可聚合的乙烯性不饱和基团的光聚合性化合物、(C)光聚合引发剂、和相对于光交联性树脂层为0.01～0.3质量％的(D)聚合抑制剂。
(A)含有羧基的聚合物可以列举例如丙烯酸系树脂、甲基丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、环氧系树脂、酰胺系树脂、酰胺环氧系树脂、醇酸系树脂、酚系树脂的有机高分子。它们可以单独使用1种，也可以将2种以上组合使用。从对碱水溶液的溶解性高的角度考虑，优选使用丙烯酸系树脂。丙烯酸系树脂只要是丙烯酸系聚合物即可，所述丙烯酸系聚合物是以(甲基)丙烯酸酯为主成分，并将乙烯性不饱和羧酸和其他具有可共聚的乙烯性不饱和基团的单体(以下称为聚合性单体)与其共聚而成。
上述(甲基)丙烯酸酯可以列举例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、(甲基)丙烯酸-2-(二甲基氨基)乙酯、(甲基)丙烯酸-2-(二乙基氨基)乙酯、(甲基)丙烯酸-2，2，2-三氟乙酯、(甲基)丙烯酸-2，2，3，3-四氟丙酯等。
上述乙烯性不饱和羧酸优选使用丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等单羧酸，也可以使用马来酸、富马酸、衣康酸等二羧酸，还可以使用它们的酐或半酯。其中，特别优选丙烯酸、甲基丙烯酸。
上述其他的聚合性单体可以列举例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、对乙基苯乙烯、对甲氧基苯乙烯、对乙氧基苯乙烯、对氯苯乙烯、对溴苯乙烯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺、二丙酮丙烯酰胺、乙烯基甲苯、乙酸乙烯基酯、乙烯基-正丁基醚等。
在(A)含有羧基的聚合物中，将2种以上组合使用时的聚合物的组合可以列举例如具有不同共聚成分的2种以上聚合物的组合、具有不同质均分子量的2种以上聚合物的组合、具有不同分散度(质均分子量/数均分子量)的2种以上聚合物的组合。
(A)含有羧基的聚合物的酸价优选为50～350mgKOH/g，进而优选100～300mgKOH/g。在薄膜化处理中使用碱水溶液时，如果该酸价小于50mgKOH/g，则不仅溶解的时间变长，而且有易于产生溶解不良的倾向，另一方面，如果超过350mgKOH/g，则对于碱溶液的溶解扩散过快，有难以进行薄膜化处理中的膜厚控制的倾向。另外，有光交联的部分对于显影液的耐久性下降的情况，有时工序(c)中光交联的部分在工序(d)中发生溶解。
(A)含有羧基的聚合物的质均分子量优选为10,000～150,000，更优选10,000～100,000。当质均分子量小于10,000时，有对于碱水溶液的耐久性下降的倾向，另一方面，当超过150,000时，有溶解的时间变得过长的倾向
(A)成分的配合量相对于(A)成分和(B)成分的总量，优选为40～65质量％，更优选45～55质量％。(A)成分的配合量小于40质量％时，有光交联的部分的化学强度、机械强度变低的倾向。另外，有被膜性变差的问题。(A)成分的配合量超过65质量％时，有时光交联性降低。
(B)在分子内具有至少1个可聚合的乙烯性不饱和基团的光聚合性化合物可以列举例如，使α，β-不饱和羧酸与多元醇反应得到的化合物；双酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物；使α，β-不饱和羧酸与含有缩水甘油基的化合物反应得到的化合物；在分子内具有氨基甲酸酯键的(甲基)丙烯酸酯化合物等的氨基甲酸酯单体；壬基苯氧基聚氧乙烯丙烯酸酯；γ-氯-β-羟丙基-β′-(甲基)丙烯酰氧基乙基邻苯二甲酸酯、β-羟基烷基-β′-(甲基)丙烯酰氧基烷基邻苯二甲酸酯等邻苯二甲酸系化合物；(甲基)丙烯酸烷基酯、EO、PO改性壬基苯基(甲基)丙烯酸酯等。其中，EO和PO表示环氧乙烷和环氧丙烷，EO改性的化合物具有环氧乙烷基的嵌段结构，PO改性的化合物具有环氧丙烷基的嵌段结构。这些光聚合性化合物可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。
如本发明的导电图形的制作方法(8)那样，(B)成分的配合量相对于光交联性树脂层优选为35～55质量％，更优选40～50质量％。(B)成分的配合量小于35质量％时，由于基材表面的晕光的影响，有时在未曝光部易于产生半交联区域，析像度变差，另一方面，超过55质量％时，不仅有时膜表面的粘性变得显著，而且有时固化后的光交联性树脂层变脆。
(C)光聚合引发剂可以列举苯甲酮、N，N′-四甲基-4，4′-二氨基苯甲酮(米蚩酮)、N，N′-四乙基-4，4′-二氨基苯甲酮、4-甲氧基-4′-二甲基氨基苯甲酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁酮-1、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基-丙酮-1等芳香族酮；2-乙基蒽醌、菲醌、2-叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1，2-苯并蒽醌、2，3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2，3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1，4-萘醌、9，10-菲醌、2-甲基-1，4-萘醌、2，3-二甲基蒽醌等醌类；安息香甲醚、安息香乙醚、安息香苯醚等安息香醚化合物等。
另外，苯偶姻、甲基苯偶姻、乙基苯偶姻等苯偶姻化合物；苄基二甲基缩酮等苄基衍生物；2-(邻氯苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻氯苯基)-4，5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚体、2-(邻氟苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体、2-(对甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体等2，4，5-三芳基咪唑二聚体；9-苯基吖啶、1，7-双(9，9′-吖啶基)庚烷等吖啶衍生物；N-苯基甘氨酸、N-苯基甘氨酸衍生物、香豆素系化合物等。上述2，4，5-三芳基咪唑二聚体中的2个2，4，5-三芳基咪唑的芳基的取代基可以是相同的取代基而形成对称的化合物，也可以是不同的取代基而形成非对称的化合物。另外，如二乙基噻吨酮和二甲基氨基安息香酸的组合那样，也可以将噻吨酮系化合物和叔胺化合物组合。它们可以单独使用，或者也可以将2种以上组合使用。
(C)成分的配合量相对于光交联性树脂层，优选为1～10质量％，更优选2～8质量％。当配合量小于1质量％时，有光交联性变得不充分的倾向，另一方面，当超过10质量％时，在曝光时，在光交联性树脂层的表面吸收增大，有树脂层内部的光交联变得不充分的倾向。
(D)聚合抑制剂可以列举对苯二酚、对甲氧基苯酚、叔丁基-邻苯二酚、2，6-二叔丁基对甲酚、邻苯三酚、β-萘酚、吩噻嗪等。它们可以单独使用，或者将2种以上组合使用。
(D)成分的配合量相对于光交联性树脂层，优选为0.01～0.3质量％，更优选0.03～0.2质量％。当小于0.01质量％时，聚合反应的抑制効果小，在薄膜化后的光交联性树脂层中，有时易于产生未曝光部的半交联部。另一方面，当超过0.3质量％时，光交联性树脂层的灵敏度显著下降，即使在曝光部，有时交联也变得不充分。
进而，光交联性树脂层中也可以添加(E)晕光防止剂。当含有(E)成分时，可以吸收由基材表面的反射导致的散射光，能够抑制未曝光部的半交联区域的产生。(E)晕光防止剂只要是在280～430nm区域具有吸收波长区域的物质即可，可以列举吖啶染料、苯胺黑、蒽醌染料、吖嗪染料、偶氮染料、甲亚胺染料、苯醌染料、萘醌染料、靛系染料、靛酚、靛苯胺、吲哒胺、萘酰亚胺染料、苯胺黑和对氮蒽蓝、硝基和亚硝基染料、嗪和
Figure BPA00001188373900182
嗪染料、氧化染料、酞菁染料、多甲川染料、喹酞酮染料、硫化染料、三芳基甲烷和二芳基甲烷染料、噻嗪染料、噻唑染料、占顿染料等晕光防止用染料或无机和有机颜料、水杨酸苯酯系、苯甲酮系、苯并三唑系和丙烯酸酯系紫外线吸收剂等。
(E)成分的配合量相对于光交联性树脂层为0.05～0.5质量％即可。当小于0.05质量％时，有基材表面的晕光的防止效果不充分的情况，另一方面，当超过0.5质量％时，光交联性树脂层的灵敏度显著降低，即使在曝光部，有时交联也变得不充分。
<工序(d)>
在工序(d)中，用显影液除去没有光交联的光交联性树脂层，形成抗蚀层。作为显影方法，使用与所用的光交联性树脂层相合适的显影液，从基板的上下方向朝向基板表面喷射，制成抗蚀图形而除去不要的部分，形成相当于电路图形的抗蚀层。一般来说，使用0.3～2质量％的碳酸钠水溶液。
<工序(e)>
在工序(e)中，通过对除抗蚀层以外的露出的导电层进行蚀刻，制作微细的导电图形。在蚀刻工序中，可以使用“プリント回路技术便览”((社)日本プリント回路工业会编、1987年发行、(株)日刊工业新闻社发行)记载的方法等。蚀刻液可以溶解除去金属箔层，因此，只要至少抗蚀层具有耐性即可。一般地，当导电层使用铜时，可以使用氯化铁水溶液、氯化铜水溶液等。
<工序(f)和(g)>
在本发明的导电图形的制作方法(9)或(10)中，在工序(f)中，在光交联性树脂层上层合透明性薄膜，在工序(g)中，除去透明性薄膜。由于光交联性树脂层中所含的单体或低聚物等的低分子量成分，有时薄膜化处理后的光交联性树脂层具有粘性，但通过工序(f)，可以得到完全无粘性的状态。如果在刚薄膜化处理后层合透明性薄膜，则由杂质或伤痕导致的缺陷变得非常少，因此是优选的。
本发明的透明性薄膜可以层合在薄膜化后的光交联性树脂层上，可以在刚好显影之前进行剥离，只要是短波长可见光或接近于其的近紫外线的透射率高的薄膜，可以使用任意的薄膜。可以列举例如聚酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜等，优选聚酯薄膜。聚酯是指芳香族二羧酸或脂肪族二羧酸与以二醇为主要构成成分的单体的缩聚物。
在构成聚酯薄膜的聚酯中，二羧酸成分可以使用对苯二甲酸、间苯二甲酸、邻苯二甲酸、萘二羧酸等芳香族羧酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、癸二羧酸等脂肪族羧酸、环己烷二羧酸等脂环族二羧酸，二醇成分可以使用乙二醇、二甘醇、丁二醇、戊二醇、己二醇等脂肪族二醇、环己烷二甲醇等脂环族二醇。
作为透明性薄膜，在聚酯薄膜中特别优选使用以由对苯二甲酸和乙二醇的脱水聚合制成的聚对苯二甲酸乙二醇酯为主成分的薄膜。聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜具有耐溶剂性、机械强度，且层压适性、剥离适性优异。另外，作为光学用薄膜，其透射率、折射率也优异，经济上也是有利的，因此易于使用。
另外，透明性薄膜优选其浊度值H为10％以下，更优选5％以下，进而优选1.5％以下。浊度值H是表示浊度的数值，其通过利用光源进行照射、在试样中透过的光的总透射率T和试样中扩散、散射的光的透射率D，由H(％)＝(D/T)×100求得。该浊度值根据JI S-K-7105来规定，利用市售的浊度计(例如商品名：NDH-500、日本电色工业社制)可以容易地进行测定。当浊度值超过10％时，透射性变低，有时阻碍光交联。作为浊度值为10％以下的透明性薄膜，可以列举テイジンテトロン薄膜(商品名、帝人デユポンフイルム社制)、和マイラ一(商品名、帝人デユポンフイルム社制)、メリネツクス(商品名、帝人デユポンフイルム社制)、ダイアホイル(商品名、三菱树脂社制)、ルミラ一(商品名、东レフイルム加工社制)等。
透明性薄膜的厚度优选为10～25μm，更优选12～25μm。当超过25μm时，有时析像度降低，或者经济上不利。另一方面，当小于10μm时，有时机械强度不足，剥离时易于产生破裂。
作为在薄膜化后的光交联性树脂层上层合透明性薄膜的方法，只要是能够以在光交联性树脂层和透明性薄膜之间不产生间隙、不侵入空气或杂质、没有起伏、且大致均匀的方式在光交联性树脂层上层合透明性薄膜的方法即可，可以使用任意的方法。例如，可以使用将橡胶辊加压进行按压的压合方式的层压装置。此时，橡胶辊可以进行加热，也可以不加热，但需要调节压力或传送速度、橡胶辊的加热温度，以使光交联性树脂层不会从基板与透明性薄膜之间渗出并流出。
实施例
以下通过实施例进而详细地说明本发明，但本发明不限于该实施例。
实施例1
<工序(a)>
在玻璃基材环氧树脂镀铜层压板(面积170mm×255mm、铜箔厚度12μm、基材厚度0.1mm、商品名：CCL-E170、三菱ガス化学社制)上，使用干膜用层压机，一边剥离保护膜，一边利用辊温度为100℃、空气供给压力为0.30MPa、层压速度为0.50m/min的条件，将干膜抗蚀剂(商品名：サンフオ一トAQ2575、厚度25μm、旭化成エレクトロニクス社制)进行层压，所述干膜用层压机具有进行了耐热硅橡胶衬垫表面处理的层压辊。
<工序(b)>
将支持层薄膜剥离后，使用如表1所示的碱水溶液A，进行如表2所述的处理时间的处理(液体温度25℃、喷射压0.05MPa)，以使光交联性树脂层的厚度平均为10μm，通过充分的水洗处理、冷风干燥，得到薄膜化的光交联性树脂层。薄膜化处理后，测定10处的光交联性树脂层的膜厚，用标准偏差σ的值来评价膜厚的不均。结果示于表2。
表1
Figure BPA00001188373900211
表2
Figure BPA00001188373900221
<工序(c)>
使用描绘了线路/间隔＝20/20μm的图形的曝光用掩模，用具有功率为3kw的超高压水银灯(商品名：URM-300、ウシオライテイング社制)作为光源的真空密合曝光装置进行密合曝光。
<工序(d)>
使用1质量％的碳酸钠水溶液(液体温度30℃、喷射压0.15MPa)进行显影处理，形成抗蚀层。用光学显微镜观察得到的抗蚀层，结果，在线路/间隔＝20/20μm的图形中，观察不到细线、断线或粗线、短路等缺陷。
<工序(e)>
用氯化铁溶液(液体温度40℃、喷射压0.20MPa)处理形成了抗蚀层的基板，通过除去除抗蚀层以外的铜箔，来实施蚀刻。接着，用40℃的3质量％氢氧化钠溶液除去残留的抗蚀层，得到导电图形。所得的导电图形观察不到成为实用性问题的断线或短路缺陷。
实施例2～10
除了使用表1所述的碱水溶液B～H、AH、AI来代替碱水溶液A以外，其他用与实施例1同样的方法来进行导电图形的制作。薄膜化处理后，测定10处光交联性树脂层的膜厚，用标准偏差σ的值来评价膜厚的不均。结果示于表2。在实施例2～10中，标准偏差的值小，可以得到良好的面内均匀性。进而，得到的导电图形观察不到成为实用性问题的断线或短路缺陷。对于使用亚硫酸钠作为无机碱性化合物的实施例9～10，面内膜厚的不均性良好，但在薄膜化处理后的光交联性树脂表面有由不溶解成分的析出导致的弱粘性。得到的导电图形观察不到成为实用性问题的断线或短路缺陷。
比较例1～5
除了使用表3所示的碱水溶液AA～AE以外，其他用与实施例1完全同样的方法来制作导电图形。在各个比较例中，在用表4所示的处理时间进行薄膜化处理后，测定10处光交联性树脂层的膜厚，用标准偏差σ的值来评价膜厚的不均。结果示于表4。对于碱水溶液中无机碱性化合物的含量少的比较例1～5，标准偏差的值变大，面内膜厚的不均性显著。进而，用光学显微镜观察所得的导电图形，结果，在线路&间隔为20μm的部分，一部分产生短路缺陷，不能制作面内大致均匀的导电图形。
表3
Figure BPA00001188373900231
表4
Figure BPA00001188373900241
比较例6～7
调制如表3所示的碱水溶液AF～AG，如果在25℃放置10天以上，则产生析出物。进而，在薄膜化处理时，有该析出物引起泵内的堵塞等问题发生。
实施例11～28
使用如表5所述的碱水溶液I～Z来代替碱水溶液A，作为薄膜化处理，除了进行用0.05MPa的喷射压喷射的喷射处理，还进行在碱水溶液中浸渍的浸渍处理，并通过充分的水洗处理、冷风干燥进行薄膜化处理，除上述以外，用与实施例1完全相同的方法进行导电图形的制作。调节浸渍时间和喷射时间，以使薄膜化后的光交联性树脂层厚度平均为10μm。
表5
Figure BPA00001188373900251
在实施例11～28中，薄膜化处理所需要的处理时间和浸渍处理相对于喷射处理的需要处理时间的比例示于表6。使用水平搬运方式的连续处理装置并在上下配置喷射喷嘴，连续地将两面一起进行处理时，处理上面难以排除由喷雾器喷射的处理液，在处理基板上由于处理液滞留而导致接近于浸渍状态的处理。另一方面，在处理下面，由喷雾器喷射的处理液迅速被排除，基板上的处理面始终利用由喷雾器喷射的处理液进行处理。浸渍处理相对于喷雾处理的需要处理时间的比例越接近于1，表明浸渍处理和喷雾处理的薄膜化状态的差异越小，即使使用水平搬运式连续处理装置的情况，在上下两面内也可以大致均匀地进行薄膜化处理。
表6
Figure BPA00001188373900271
在实施例11～28中，对于所有的碱水溶液，需要处理时间为1.1～1.4倍，在浸渍处理和喷射处理间，处理时间的差异小，即使使用水平搬运方式的连续处理装置的情况下，也可以在上下两面内大致均匀地进行处理。在较多含有亚硫酸钠的实施例20中，在薄膜化处理后的光交联性树脂表面有少许不溶解成分的析出处，具有弱的粘性。
在薄膜化处理后，测定10处光交联性树脂层的膜厚，用标准偏差σ的值来评价膜厚的不均。结果示于表6。对于各种碱水溶液，浸渍处理和喷射处理之间的标准偏差的差异小，可以得到良好的面内均匀性。进而，在所得的导电图形中，观察不到成为实用性问题的断线或短路缺陷。
比较例8～10
除了使用如表7所示的碱水溶液AJ～AL以外，用与实施例11同样的方法制作导电图形。在各个比较例中，所需要的处理时间、和浸渍处理相对于喷射处理的需要处理时间的比例示于表8。对于任一种碱水溶液，需要处理时间的比例为2倍以上，由于处理方法的不同，处理时间产生较大的差别。即，例如使用水平搬运方式的连续处理装置时，显示难以在上下两面内进行大致均匀的处理。另外，薄膜化处理后的干膜抗蚀剂的膜厚的不均示于表8。与浸渍处理相比，喷射处理的标准偏差的值大，面内膜厚的不均显著。进而，用光学显微镜观察浸渍处理和喷射处理得到的导电图形，结果在比较例10中，在线路&间隔为20μm的部分，一部分产生短路缺陷，不能制作面内大致均匀的导电图形。
表7
表8
Figure BPA00001188373900291
比较例11
调制如表7所示的碱水溶液AM，当在25℃放置10天以上时，产生析出物。进而，在薄膜化处理时，有该析出物引起泵内的堵塞等问题发生。
实施例29～54
在光交联性树脂层的薄膜化处理中，使用如表9所示的碱水溶液(b 1)A～Z进行处理后，以表9所示的液体供给流量供给处理液(b2)A～Z，充分进行洗涤，然后利用冷风干燥进行薄膜化，除此以外，用与实施例1完全同样的方法进行导电图形的制作。另外，处理液(b2)A～Z的pH通过添加硫酸进行调节。测定10处光交联性树脂层的膜厚，用标准偏差σ的值来评价膜厚的不均。结果示于表10。在处理液(b2)的pH大的实施例33和处理液(b2)的液体供给量少的实施例41、42中，标准偏差稍大，进而在实施例41中，在薄膜化处理后的光交联性树脂表面上有由不溶解成分的析出导致的弱粘性。在其他实施例中，通过适当地调节(b2)的pH和液体供给流量，可以得到良好的面内均匀性。进而，得到的导电图形观察不到成为实用性问题的断线或短路缺陷。
表9
Figure BPA00001188373900301
表10
Figure BPA00001188373900311
实施例55、56、比较例12
在光交联性树脂层的薄膜化处理中，使用表11所示的碱水溶液(b 1)AA～AC进行处理后，以表11所示的液体供给流量供给处理液(b2)AA～AC，进行充分的洗涤，然后利用冷风干燥进行薄膜化，除此以外，用与实施例29完全相同的方法进行导电图形的制作。另外，处理液(b2)AA～AC的pH通过添加硫酸进行调节。测定10处光交联性树脂层的膜厚，用标准偏差σ的值来评价膜厚的不均。结果示于表12。在处理液(b2)的pH比5小的实施例55中，有时在处理液(b2)中产生光交联性树脂层的不溶解成分的凝聚物，在薄膜化处理后凝聚物再附着，但标准偏差的值小。另一方面，在处理液(b2)的pH比10大的实施例56中，由于在不溶化的光交联性树脂层成分再分散的同时，处理液(b2)使光交联性树脂层溶解，因此可以观察到标准偏差的值增大的倾向。在比较例12中，由于碱水溶液(b1)的无机碱性化合物浓度低，因此面内的膜厚不均显著。进而，用光学显微镜观察所得的导电图形，结果在线路&间隔为20μm的部分，一部分产生短路缺陷，不能制造面内大致均匀的导电图形。
表11
表12
Figure BPA00001188373900322
比较例13
调制表11所示的碱水溶液(b1)AD，在25℃放置10天以上时，产生析出物。进而，在薄膜化处理时，有该析出物引起泵内堵塞等问题发生。
实施例57～60、比较例14
为了研究连续薄膜化处理的稳定性，在光交联性树脂层的薄膜化处理中使用如表13所示的碱水溶液(b1)AAA～AAE进行处理后，以表13所示的液体供给流量供给处理液(b2)AAA～AAE并进行充分的洗涤，然后利用冷风干燥进行薄膜化，除此以外，用与实施例29完全相同的方法进行导电图形的制作。另外，在第1块薄膜化处理前，处理液(b2)AAA～AAE的pH通过添加硫酸来调节。在连续薄膜化处理中，每1块处理都不调节处理液(b2)AAA～AAE的pH，在薄膜化处理第1块和薄膜化处理第5块以及第10块中，分别测定10处光交联性树脂层的膜厚，用标准偏差σ的值评价膜厚的不均。另外，为了研究连续薄膜化处理10块后的光交联性树脂层向碱水溶液(b1)中的溶解，目测观察溶液的混浊。连续薄膜化处理10块后的碱水溶液(b1)的混浊、处理液(b2)AAA～AAE的pH、膜厚的不均(标准偏差σ)的结果示于表14。
在碱水溶液(b1)的无机碱性化合物浓度为本发明范围以外的比较例14中，即使连续薄膜化处理第5块和第10块，处理液(b2)pH的上升也小，但从第1块处理后，标准偏差的值大，不论薄膜化处理块数，膜厚的不均都显著。另外，在10块处理后，观察到由光交联性树脂层向碱水溶液(b1)中的溶解导致的混浊，有由处理块数的增加导致碱水溶液的溶解性变差的担心。进而，用光学显微镜观察在各个薄膜化处理块数后的基板上得到的导电图形，结果，在线路&间隔为20μm的部分，一部分产生短路缺陷，不能制作面内大致均匀的导电图形。在处理液(b2)使用水的实施例57中，随着薄膜化处理块数增加到5块、10块，处理液(b2)的pH有上升的倾向。在10块处理后，处理液(b2)的pH超过10，标准偏差的值大，有显著的膜厚的不均。进而，用光学显微镜观察得到的导电图形，结果在5块处理后的基板，在线路/间隔＝20μm/20μm的部分，观察不到成为实用性问题的断线或短路缺陷，但在10块处理后的基板，一部分产生短路缺陷，不能制作面内大致均匀的导电图形。在处理液(b2)使用具有缓冲能力的水溶液的实施例58～60，在5块处理后和10块处理后，处理液(b2)pH的上升小，都抑制在小于10，膜厚的不均良好。进而，在5块处理后、10块处理后的基板上得到的导电图形中，观察不到成为实用性问题的断线或短路缺陷。另外，在实施例57～60中，在10块处理后，没有由光交联性树脂层向碱水溶液(b1)中的溶解导致的浑浊，暗示了碱水溶液的连续处理稳定性。
表13
表14
Figure BPA00001188373900342
实施例61～72、比较例15
(光交联性树脂组合物溶液的调制)
将如表15和表16所示的各成分混合，得到光交联性树脂组合物溶液。表15和表16中各成分配合量的单位表示为质量份。并且，对于(A)成分，表15和表16中的数字表示溶液的质量份。另外，表17和表18是(B)成分和(D)成分相对于光交联性树脂层的含量(单位：质量％)。
在表15和表16中，(A)成分如下所示。
(A-1)成分；将甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸正丁酯/甲基丙烯酸以64/15/21的质量比共聚而成的共聚树脂(以1-甲氧基-2-丙醇作为溶剂的40质量％溶液)
在表15和表16中，(B)成分和(C)成分如下所述。
(B-1)成分；2，2′-双(4-甲基丙烯酰氧基五乙氧基苯基)丙烷(商品名：BPE-500、新中村化学工业(株)制)
(B-2)成分；三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(商品名：TMP-A、共荣社化学(株)制)
(C-1)成分；2-(2′-氯苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体
(C-2)成分；4，4′-双(二乙基氨基)苯甲酮
在表15和表16中，(D)成分如下所示。
(D-1)成分；对甲氧基苯酚
表15
表16
表17
表18
Figure BPA00001188373900362
(干膜抗蚀剂的制作)
在聚酯薄膜形成的支持层薄膜(膜厚25μm)上，使用狭缝口模涂布机涂布上述光交联性树脂组合物溶液，使其干燥后，层压聚乙烯薄膜形成的保护膜(膜厚30μm)，制作具有膜厚25μm的光交联性树脂层的干膜抗蚀剂(DFR)A～K和AA～AB。
使用干膜抗蚀剂(DFR)A～K和AA～AB代替干膜抗蚀剂(商品名：サンフオ一トAQ2575、旭化成エレクトロニクス社制、厚度25μm)，使用表1所示的碱处理液A进行薄膜化处理，以使薄膜化后的光交联性树脂层的厚度平均为10μm和平均为5μm，接着在电路图形的曝光中，使用描绘了线路/间隔＝10/10、15/15、20/20、30/30、50/50μm图形的曝光用掩模，除此以外，用与实施例1完全相同的方法进行导电图形的制作。
使用光学显微镜测定所得抗蚀层的最小析像间隔宽度。当在抗蚀剂层的底部产生残留时，以减去残留区域的值作为最小析像间隔宽度。最小析像间隔宽度的测定结果示于表19。在实施例61～71，可以有效地抑制由基材表面的晕光导致的未曝光部的半交联区域的产生，即使是薄膜化后的光交联性树脂层的厚度为10μm以下的超薄膜，也可以抑制抗蚀剂层底部的残留，可以进行窄间隔宽度的抗蚀剂析像。(B)成分相对于光交联性树脂层的含量为35～55质量％的实施例61～69，与含量为34质量％的实施例70相比，可以抑制残留。在(B)成分的含量为56质量％的实施例71中，薄膜化处理后，在曝光工序中，稍有与曝光用掩模的粘性。使用析像的窄间隔宽度的抗蚀层，蚀刻处理后得到的各线路/间隔的导电图形中，观察不到成为实用性问题的断线或短路缺陷。
表19
Figure BPA00001188373900371
在实施例72中，由于聚合抑制剂的配合量过少，因此由晕光导致的未曝光部的半交联区域的产生显著，在抗蚀剂层的底部产生大量的残留区域。另外，在实施例72中，在蚀刻处理后，在除线路/间隔＝50/50μm、为30/30μm以下的导电图形中，多处发生短路和断线。在比较例15中，干膜抗蚀剂AB中的聚合抑制剂的配合量过多，因此灵敏度降低，在曝光工序中不能进行交联。即，干膜抗蚀剂AB没有光交联性。因此，在显影处理中，干膜抗蚀剂从基板上剥离，不能形成抗蚀层。
实施例73
<工序(a′)>
在玻璃基材环氧树脂镀铜层压板上，使用钻形成直径为200μm和500μm的贯穿孔各100孔后，在镀铜层压板上层压干膜抗蚀剂(商品名：サンフオ一トAQ2575、旭化成エレクトロニクス社制、厚度25μm)，所述镀铜层压板在贯穿孔内部和铜箔上形成厚度为10μm的镀铜层并具有孔。
<工序(i)>
在将光交联性树脂层薄膜化之前，对于各孔，使用仅描绘了贯穿孔上和其周围部的曝光用掩模(对于直径为200μm的贯穿孔是直径为400μm的圆形图案、对于直径为500μm的贯穿孔是直径为800μm的圆形图案)，用具有功率为3kw的超高压水银灯(商品名：URM-300、ウシオライテイング社制)作为光源的真空密合曝光装置进行密合曝光。
<工序(b′)>
在使贯穿孔上和其周围部的光交联性树脂层固化后，剥离支持层薄膜，使用表1所示的碱处理液A进行薄膜化处理，以使贯穿孔上和其周围部以外的未固化的光交联性树脂层的厚度平均为10μm，通过充分的水洗处理、冷风干燥得到薄膜化的光交联性树脂层。
在薄膜化处理后，与实施例1同样，进行工序(c)、工序(d)、工序(e)处理，制作导电图形。在剥离抗蚀层之前，观察盖在贯穿孔上的光交联性树脂层，结果，对于全部100个孔，在光交联性树脂层没有破裂或剥离的发生，在抗蚀层剥离后，孔内部的金属层也未见腐蚀。进而，在得到的导电图形，观察不到成为实用性问题的断线或短路缺陷。
(比较例16)
除了不进行薄膜化处理以外，用与实施例73完全同样的方法制作导电图形。用光学显微镜观察得到的导电图形，结果孔内部的金属层未见腐蚀，但在线路/间隔＝20μm/20μm的图形中，发生断线或短路缺陷。
(比较例17)
除了在薄膜化处理前不进行贯穿孔上和其周围部的曝光以外，用与实施例73完全相同的方法制作导电图形。用光学显微镜观察所得的导电图形，结果，在线路/间隔＝20μm/20μm的图形中，没有发生断线或短路缺陷，可以制作良好的微细图形。但是，在抗蚀层剥离前，观察孔上的干膜抗蚀剂，结果，在直径为500μm的孔上的干膜抗蚀剂全部发生盖破裂。另外，在直径200μm，有50处以上发生了盖破裂。进而，在抗蚀层剥离后，观察孔内部，结果可以确认孔内部的金属层腐蚀。
实施例74～81
使用干膜抗蚀剂C代替干膜抗蚀剂(商品名：サンフオ一トAQ2575、旭化成エレクトロニクス社制、厚度25μm)，使用表1所示的碱处理液A进行薄膜化处理，以使薄膜化后的光交联性树脂层厚度平均为10μm，然后利用下述(f)工序将聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜层合，接着在电路图形的曝光中，使用描绘了线路/间隔＝15/15、20/20、30/30、50/50、70/70μm的图形的曝光用掩模进行密合曝光，接着除去层合的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜后，进行显影，除此以外，用与实施例1完全同样的方法进行导电图形的制作。
<工序(f)>
在薄膜化处理成平均10μm的光交联性树脂层上，以辊温度为80℃、空气供给压力为0.30MPa、层压速度为0.50m/min的条件通过层压将表20所示物性值(膜厚、浊度值)的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜A～H进行层合。在将聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜层合后，其与光交联性树脂层之间未见空气或杂质的混入。
表20
Figure BPA00001188373900401
显影后，对于得到的抗蚀层，利用光学显微镜观察来评价有无细线或断线、或粗线、短路等缺陷。评价的基准如下所示，评价结果示于表21。另外，所得的导电图形观察不到成为实用性问题的断线或短路缺陷，也没有由抗蚀层的密合不良引起的断线缺陷。
○：没有细线或断线、粗线或短路缺陷
△：有细线或粗线缺陷，但实用上没有问题的水平
×：有断线或短路缺陷，且实用性有问题的水平
表21
Figure BPA00001188373900411
实施例82
除了在薄膜化处理后，不层压透明性薄膜，在光交联性树脂层露出的状态进行密合曝光，除此以外，用与实施例74完全相同的方法进行导电图形的制作。结果，在线路/间隔＝20/20μm以下的图形，发现由真空密合不良导致的光泄漏、杂质或伤痕所引起的抗蚀层的粗线或短路缺陷。蚀刻工序后，在得到的导电图形，在整个面上多发成为实用性问题的短路缺陷。评价结果示于表21。
实施例83
除了在薄膜化处理后，不层压聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜A，以放置于光交联性树脂层上的状态进行密合曝光，除此以外，用与实施例74完全相同的方法进行导电图形的制作。在光交联性树脂层和聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜之间产生间隙而混入空气，可以确认多个气泡。在密合曝光、显影处理后，在线路/间隔＝30/30μm以下的图形，发现由气泡混入导致的光泄漏所引起的抗蚀层的粗线或短路缺陷。蚀刻处理后，在得到的导电图形中，在整个面上多发成为实用性问题的短路缺陷。评价结果示于表21。
工业实用性
本发明广泛用于使用了减成法的微细导电图形的制作，除了实施例中说明的印制电路布线板以外，还可以用于引线框的制造方法。

Claims (10)

1.导电图形的制作方法，其特征在于，在利用减成法的导电图形的制作方法中，依次含有：(a)在表面设置有导电层的基板上形成光交联性树脂层的工序、(b)利用碱水溶液进行光交联性树脂层的薄膜化处理的工序、(c)电路图形的曝光工序、(d)显影工序、(e)蚀刻工序，该碱水溶液是含有5～20质量％无机碱性化合物的水溶液。
2.导电图形的制作方法，其特征在于，在利用减成法的导电图形的制作方法中，依次含有：(a′)在基板上形成光交联性树脂层的工序，所述基板具有孔，且在表面和孔内部设置有导电层、(i)使仅仅孔上或者孔上与其周围部的光交联性树脂层固化的工序、(b′)利用碱水溶液进行未固化部的光交联性树脂层的薄膜化处理的工序、(c)电路图形的曝光工序、(d)显影工序、(e)蚀刻工序，该碱水溶液是含有5～20质量％无机碱性化合物的水溶液。
3.根据权利要求1或2所述的导电图形的制作方法，其中，无机碱性化合物是选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐的至少1种。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电图形的制作方法，其中，碱水溶液进而含有选自硫酸盐、亚硫酸盐的至少1种。
5.根据权利要求1或2所述的导电图形的制作方法，其中，光交联性树脂层的薄膜化处理含有(b 1)用碱水溶液进行处理的工序，所述碱水溶液含有5～20质量％选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐的至少1种的无机碱性化合物，进而含有选自硫酸盐、亚硫酸盐的至少1种、(b2)用pH5～10的水溶液进行处理的工序，所述pH5～10的水溶液含有选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属硅酸盐的至少1种的无机碱性化合物。
6.根据权利要求5所述的导电图形的制作方法，其中，在(b2)中，pH5～10的水溶液的供给流量是每1cm2光交联性树脂层为0.030～1.0L/min，所述pH5～10的水溶液含有选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属硅酸盐的至少1种的无机碱性化合物。
7.根据权利要求1或2所述的导电图形的制作方法，其特征在于，光交联性树脂层含有(A)含有羧基的聚合物、(B)在分子内具有至少1个可聚合的乙烯性不饱和基团的光聚合性化合物、(C)光聚合引发剂和(D)聚合抑制剂，(D)成分相对于光交联性树脂层的含量为0.01～0.3质量％。
8.根据权利要求7所述的导电图形的制作方法，其中，(B)成分相对于光交联性树脂层的含量为35～55质量％。
9.根据权利要求1所述的导电图形的制作方法，其中，在工序(b)和工序(c)之间含有(f)在光交联性树脂层上层合透明性薄膜的工序，在工序(c)和工序(d)之间含有(g)除去透明性薄膜的工序。
10.根据权利要求2所述的导电图形的制作方法，其中，在工序(b′)和工序(c)之间含有(f)在光交联性树脂层上层合透明性薄膜的工序，在工序(c)和工序(d)之间含有(g)除去透明性薄膜的工序。
CN200980103759XA 2008-01-30 2009-01-22 导电图形的制作方法 Expired - Fee Related CN101933408B (zh)

Applications Claiming Priority (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008018995 2008-01-30
JP2008-018995 2008-01-30
JP2008107372 2008-04-17
JP2008-107372 2008-04-17
JP2008-146770 2008-06-04
JP2008146770 2008-06-04
JP2008151218 2008-06-10
JP2008-151218 2008-06-10
JP2008288335 2008-11-11
JP2008-288335 2008-11-11
PCT/JP2009/051401 WO2009096438A1 (ja) 2008-01-30 2009-01-22 導電パターンの作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101933408A true CN101933408A (zh) 2010-12-29
CN101933408B CN101933408B (zh) 2013-03-06

Family

ID=40912789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980103759XA Expired - Fee Related CN101933408B (zh) 2008-01-30 2009-01-22 导电图形的制作方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8546066B2 (zh)
EP (1) EP2247170B1 (zh)
JP (1) JP5339626B2 (zh)
KR (1) KR101333974B1 (zh)
CN (1) CN101933408B (zh)
TW (1) TWI445473B (zh)
WO (1) WO2009096438A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102695369A (zh) * 2011-03-22 2012-09-26 财团法人工业技术研究院 软性线路基板的制造方法
CN103535120A (zh) * 2011-07-22 2014-01-22 Dic株式会社 导电性图案及其制造方法
US8828245B2 (en) 2011-03-22 2014-09-09 Industrial Technology Research Institute Fabricating method of flexible circuit board
CN106900141A (zh) * 2015-10-08 2017-06-27 三菱制纸株式会社 抗蚀层的薄膜化装置
CN107093494A (zh) * 2017-03-22 2017-08-25 中山大学 一种可转移图案化的导电薄膜结构及其图案化方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5249890B2 (ja) * 2009-09-25 2013-07-31 三菱製紙株式会社 ソルダーレジストの形成方法
JP5255545B2 (ja) * 2009-09-29 2013-08-07 三菱製紙株式会社 ソルダーレジストの形成方法
JP5416595B2 (ja) * 2010-01-06 2014-02-12 三菱製紙株式会社 段差レジスト樹脂層の形成方法
JP5485713B2 (ja) * 2010-01-07 2014-05-07 三菱製紙株式会社 光架橋性樹脂組成物
JP5403072B2 (ja) * 2010-01-25 2014-01-29 東亞合成株式会社 導電性高分子を含む基材上のフォトレジスト用現像液、およびパターン形成方法
JP5503322B2 (ja) * 2010-02-15 2014-05-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5455696B2 (ja) * 2010-02-10 2014-03-26 三菱製紙株式会社 ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
JP5520140B2 (ja) * 2010-06-15 2014-06-11 三菱製紙株式会社 ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
JP5498871B2 (ja) * 2010-06-22 2014-05-21 三菱製紙株式会社 光架橋性樹脂層の薄膜化処理方法
JP5650951B2 (ja) * 2010-08-18 2015-01-07 三菱製紙株式会社 レジストパターンの作製方法
JP5444172B2 (ja) * 2010-09-06 2014-03-19 三菱製紙株式会社 ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
KR101891840B1 (ko) * 2010-09-28 2018-08-24 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법
JP2012073424A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Mitsubishi Paper Mills Ltd ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
JP5627404B2 (ja) * 2010-11-15 2014-11-19 三菱製紙株式会社 ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
JP5588380B2 (ja) * 2011-03-10 2014-09-10 三菱製紙株式会社 ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
ITVI20110122A1 (it) * 2011-05-13 2012-11-14 St Microelectronics Srl Metodo e apparato per la fabbricazione di lead frames
JP5723259B2 (ja) * 2011-11-17 2015-05-27 三菱製紙株式会社 ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
JP3182371U (ja) 2012-02-10 2013-03-21 三菱製紙株式会社 レジスト層の薄膜化処理装置
JP5907788B2 (ja) * 2012-04-11 2016-04-26 株式会社図研 情報処理装置、情報処理方法、プログラムおよび基板製造システム
CN103533763A (zh) * 2012-07-05 2014-01-22 昆山联滔电子有限公司 非导电基板上形成导体线路的制造方法
JP3186533U (ja) 2012-09-25 2013-10-10 三菱製紙株式会社 レジスト層の薄膜化装置
EP2765456B1 (en) * 2013-02-08 2016-05-04 ams AG Masking method for semiconductor devices with high surface topography
JP2014187352A (ja) 2013-02-22 2014-10-02 Mitsubishi Paper Mills Ltd レジスト層の薄膜化装置
KR101698524B1 (ko) 2014-09-17 2017-01-20 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
JP3201110U (ja) 2014-09-19 2015-11-19 三菱製紙株式会社 レジスト層の薄膜化装置
TWM527151U (zh) 2014-12-25 2016-08-11 三菱製紙股份有限公司 阻障層之薄膜化裝置
TWI619415B (zh) * 2016-05-19 2018-03-21 Method for making printed circuit board by semi-additive method
CN106132104A (zh) * 2016-07-05 2016-11-16 浙江近点电子股份有限公司 一种软性线路板的生产工艺
JP2018084620A (ja) 2016-11-21 2018-05-31 三菱製紙株式会社 レジスト層の薄膜化装置
JP2018128482A (ja) 2017-02-06 2018-08-16 三菱製紙株式会社 レジスト層の薄膜化装置
JP2018200392A (ja) 2017-05-26 2018-12-20 三菱製紙株式会社 レジスト層の薄膜化装置
CN113437504B (zh) * 2021-06-21 2023-08-01 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 基于菲林光刻工艺的透明天线制备方法及透明天线

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0689285B2 (ja) * 1985-07-04 1994-11-09 株式会社アサヒ化学研究所 ソルダ−レジストインキ用硬化性樹脂組成物
EP0207188B1 (en) * 1985-06-29 1996-06-19 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Resin composition for solder resist ink
JP2540921B2 (ja) * 1988-11-15 1996-10-09 東亞合成株式会社 硬化性組成物
JPH02254456A (ja) * 1989-03-29 1990-10-15 Orc Mfg Co Ltd フォトレジスト露光方法およびその装置
JPH05273766A (ja) * 1992-03-26 1993-10-22 Matsushita Electric Works Ltd 回路板
US6110624A (en) * 1999-01-04 2000-08-29 International Business Machines Corporation Multiple polarity mask exposure method
US7520284B2 (en) * 2000-06-30 2009-04-21 Lam Research Corporation Apparatus for developing photoresist and method for operating the same
JP2004214253A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Mitsubishi Paper Mills Ltd 金属パターンの形成方法
JP4325210B2 (ja) * 2003-02-14 2009-09-02 凸版印刷株式会社 感光性樹脂組成物用現像処理液及びそれを用いたプリント配線板
EP1489460A3 (en) * 2003-06-20 2008-07-09 FUJIFILM Corporation Light-sensitive sheet comprising support, first light-sensitive layer and second light-sensitive layer
JP2005208559A (ja) * 2003-06-20 2005-08-04 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性シート、感光性積層体、画像パターン形成方法、および配線パターン形成方法
CN1573545A (zh) * 2003-06-20 2005-02-02 富士胶片株式会社 感光性转印片、感光性层合体、图像花样的形成方法以及布线花样的形成方法
JP2005136223A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Fuji Photo Film Co Ltd プリント配線板の製造方法
US20060063110A1 (en) * 2004-09-20 2006-03-23 Mitsubishi Paper Mills Limited Process for preparing light-sensitive lithographic printing plate and method for processing the same
JP4912180B2 (ja) * 2006-09-15 2012-04-11 東京エレクトロン株式会社 露光・現像処理方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102695369A (zh) * 2011-03-22 2012-09-26 财团法人工业技术研究院 软性线路基板的制造方法
US8828245B2 (en) 2011-03-22 2014-09-09 Industrial Technology Research Institute Fabricating method of flexible circuit board
CN102695369B (zh) * 2011-03-22 2014-12-10 财团法人工业技术研究院 软性线路基板的制造方法
CN103535120A (zh) * 2011-07-22 2014-01-22 Dic株式会社 导电性图案及其制造方法
CN103535120B (zh) * 2011-07-22 2016-09-07 Dic株式会社 导电性图案及其制造方法
CN106900141A (zh) * 2015-10-08 2017-06-27 三菱制纸株式会社 抗蚀层的薄膜化装置
CN106900141B (zh) * 2015-10-08 2020-11-17 三菱制纸株式会社 抗蚀层的薄膜化装置
CN107093494A (zh) * 2017-03-22 2017-08-25 中山大学 一种可转移图案化的导电薄膜结构及其图案化方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101333974B1 (ko) 2013-11-27
TW200939920A (en) 2009-09-16
CN101933408B (zh) 2013-03-06
WO2009096438A1 (ja) 2009-08-06
KR20100116585A (ko) 2010-11-01
EP2247170A1 (en) 2010-11-03
TWI445473B (zh) 2014-07-11
JPWO2009096438A1 (ja) 2011-05-26
EP2247170B1 (en) 2014-10-22
US8546066B2 (en) 2013-10-01
EP2247170A4 (en) 2012-12-26
JP5339626B2 (ja) 2013-11-13
US20100330504A1 (en) 2010-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101933408B (zh) 导电图形的制作方法
CN1940723B (zh) 感光性树脂组合物及其层合体
KR200487199Y1 (ko) 레지스트층의 박막화 장치
CN104536266A (zh) 一种干膜抗蚀剂层压体
KR20130004980U (ko) 레지스트층의 박막화 처리 장치
JP3207408U (ja) レジスト層の薄膜化装置
KR200494122Y1 (ko) 레지스트층의 박막화 장치
CN203587965U (zh) 抗蚀剂层的薄膜化装置
JP5485713B2 (ja) 光架橋性樹脂組成物
KR200492081Y1 (ko) 레지스트층의 박막화 장치
JP5520140B2 (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
KR200491908Y1 (ko) 레지스트층의 박막화 장치
JP3186478U (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理装置
JP3225660U (ja) レジスト層の薄膜化装置
JP2011222888A (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理装置
CN203825368U (zh) 抗蚀剂层的薄膜化装置
JP5455696B2 (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
JP2012008194A (ja) 光架橋性樹脂層の薄膜化処理方法
KR20160001020U (ko) 레지스트층의 박막화 장치
JP2012189750A (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
JP2011060983A (ja) 導電パターンの作製方法
JP2004079669A (ja) 基板接続用テープ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130306