CN103109588B - 阻焊图案的形成方法 - Google Patents

Abstract

阻焊图案的形成方法，其特征在于，依次含有在具有连接焊盘的电路基板的表面形成阻焊层的步骤、利用碱水溶液进行薄膜化，直至阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的步骤，其中，相互相邻的半导体连接用的连接焊盘间不存在焊料导致的电短路，连接焊盘上不残留阻焊剂残渣。

Description

阻焊图案的形成方法

技术领域

涉及阻焊图案的形成方法。

背景技术

为了使焊料不附着于不需要焊接的布线图案，各种电气仪器内部的电路基板的阻焊图案被覆形成于进行焊接的部分之外的部分整面，另外，还发挥防止导体的氧化、导体的电绝缘和保护导体不受外部环境损害的功能。

电路基板上搭载了半导体芯片等电子部件的半导体组件中，利用倒装芯片(フリップチップ、Flip Chip)连接的搭载在实现高速化、高密度化方面是有效的方法。倒装芯片连接中，将电路基板的导体布线的一部分作为倒装芯片连接用的连接焊盘，例如，将配设于该连接焊盘上的焊料凸点与半导体芯片的电极端子接合。

图1～图5是将电路基板上进行焊接的部分（例如，连接焊盘）之外用阻焊层被覆的阻焊图案的截面结构简图。图1是阻焊层限定（Solder Mask Defined，SMD）结构的截面结构简图，其特征在于，阻焊层3的开口部比连接焊盘6小。图2～图5是非阻焊层限定（NonSolder Mask Defined，NSMD）结构的截面结构简图，其特征在于，阻焊层3的开口部为连接焊盘6以上。

作为形成阻焊图案的方法，通常已知的是光刻法方式。光刻法方式中，在绝缘性基板1上具有连接焊盘6和导体布线2的电路基板上形成阻焊层3后，进行曝光、显影，由此将连接焊盘6周边的阻焊层3完全除去而设置开口部。该光刻法方式中，迄今为止只能制作图1、图2和图3的结构。

如图2所示，连接焊盘6间完全不存在阻焊层时，若连接焊盘间发生窄间距化，则在焊接之前进行的非电解镀镍/金之际，在连接焊盘间发生镀覆的短路。即使是连接焊盘6间存在阻焊层3时，也如图1和图3所示，在阻焊层3厚的情形中，它们会成为障碍而发生不能正确搭载电子部件的不良情况。另外，随着近年来电子仪器的小型化、多功能化，连接焊盘间小于50μm时，则从曝光位置偏移的观点出发，用光刻法方式制作图1和图3的结构非常困难。基于这样的原因，需求如图4和图5所示，连接焊盘6间的阻焊层3的厚度为连接焊盘6的厚度以下的结构。

图4的结构是下述结构，其中，通过湿式喷砂法形成有具有狭缝状开口的阻焊图案，大量并设的连接焊盘6露出的同时，在狭缝状的开口内露出的相互相邻的连接焊盘6间填充有与连接焊盘6高度相同的阻焊层3。该结构如下形成：在绝缘性基板1上具有连接焊盘6和导体布线2的电路基板上涂布阻焊层3后，在实施了紫外线固化、加热固化的阻焊层3上，设置用于形成湿式喷砂用掩模的树脂层，然后进行曝光、显影，由此形成图案状的湿式喷砂用掩模，接着进行湿式喷砂，由此在阻焊层形成狭缝状的开口，除去湿式喷砂用掩模（例如，参照专利文献1）。

另外，还公开有下述结构，其中，相对于具有连接焊盘与高度比连接焊盘低的导体布线的电路基板，连接焊盘露出，导体布线被阻焊层所被覆，连接焊盘间填充有与连接焊盘高度相同的阻焊层（例如，参照专利文献2）。该结构如下形成：在具有连接焊盘与高度比连接焊盘低的导体布线的电路基板上涂布阻焊层后，进行研磨直至连接焊盘的上面露出。作为研磨方法，可以采用机械研磨方法或激光划片法。

图5的结构中，连接焊盘6间存在阻焊层3，但连接焊盘6的外周面露出。图5的结构如下形成：将连接焊盘6整体进行非电解镀镍而用镍层被覆，在导体布线上涂布阻焊层3后，实施紫外线固化、加热固化，对阻焊层3进行喷砂研磨，由此使镍层的上面露出，之后通过蚀刻除去镍层（例如，参照专利文献3）。

专利文献1～3的方法中，为了形成阻焊层的开口部，使用湿式喷砂、机械研磨等研磨方法，但该方法中，难以使面内的研磨量均一，进而在连接焊盘上残留阻焊层的残渣，使其上面完全露出的高精度加工极其困难。另外，虽然容易使阻焊层和连接焊盘的高度相同，但要使阻焊层的高度比连接焊盘低时，研磨处理中有时发生损害包括连接焊盘的其它部分，或产生缺损的问题。

作为除去阻焊层的方法，也存在通过激光照射来使不需要的阻焊剂分解的方法，但是存在步骤繁杂、生产率差等问题（例如，参照专利文献2和4）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-300691号公报

专利文献2：日本特开2006-344664号公报

专利文献3：日本特开2009-253118号公报

专利文献4：日本特开2010-034414号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的课题在于，提供阻焊图案的形成方法，其中，不存在相互相邻的半导体连接用的连接焊盘间的焊料导致的电短路，连接焊盘上不残留阻焊剂残渣。

用于解决技术问题的方法

本发明人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现通过下述发明可以解决上述课题。

（1）阻焊图案的形成方法，其特征在于，依次含有：

（A1）在具有连接焊盘的电路基板的表面形成阻焊层的步骤，

（B1）利用碱水溶液进行薄膜化，直至阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的步骤。

（2）阻焊图案的形成方法，其特征在于，含有：

（A2）在具有连接焊盘和导体布线的电路基板的表面形成阻焊层的步骤，

（C）将进行薄膜化直至阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的区域之外的部分曝光的步骤，

（B2）利用碱水溶液对阻焊层进行薄膜化，直至非曝光部的阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的步骤。

（3）权利要求2所述的阻焊图案的形成方法，其中，在（A2）步骤与（C）步骤之间，含有（D）利用碱水溶液对阻焊层整面进行薄膜化的步骤。

（4）阻焊图案的形成方法，其特征在于，依次含有：

（A3）在具有连接焊盘和高度比连接焊盘低的导体布线的电路基板的表面形成阻焊层的步骤，

（B3）利用碱水溶液进行薄膜化，直至阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下、且较导体布线的厚度厚的步骤。

（5）（1）～（4）中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱水溶液为含有无机碱性化合物的水溶液，该无机碱性化合物的含量为3～25质量%。

（6）（5）所述的阻焊图案的形成方法，其中，无机碱性化合物为选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐中的至少任意1种。

（7）（5）所述的阻焊图案的形成方法，其中，无机碱性化合物为碱金属硅酸盐。

（8）（7）所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱金属硅酸盐为偏硅酸钠。

（9）（5）所述的抗蚀图案的形成方法，其中，无机碱性化合物为碱金属磷酸盐。

（10）（9）所述的抗蚀图案的形成方法，其中，碱金属磷酸盐为选自磷酸三钠、磷酸三钾中的至少1种。

（11）（5）所述的抗蚀图案的形成方法，其中，无机碱性化合物为碳酸钾。

（12）（1）～（4）中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱水溶液为含有有机碱性化合物的水溶液。

（13）（12）所述的阻焊图案的形成方法，其中，有机碱性化合物的含量为5～25质量%。

（14）（1）～（13）中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱水溶液的pH为12.5以上。

（15）（1）～（14）中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，在利用碱水溶液对阻焊层进行薄膜化的步骤之后，含有（E）用含有碱性化合物且该碱性化合物的含量较碱水溶液少、pH为5.0～10.0、温度为22～50℃的水溶液进行处理的步骤。

（16）（1）～（15）中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，利用碱水溶液对阻焊层进行薄膜化的步骤是利用浸渍处理进行的。

发明效果

通过本发明中的阻焊图案的形成方法（1）～（4）中的任一方法，可以实现下述效果：相互相邻的半导体连接用的连接焊盘间不存在焊料导致的电短路，连接焊盘上不残留阻焊剂残渣。

附图说明

[图1] 阻焊图案的截面结构简图。

[图2] 阻焊图案的截面结构简图。

[图3] 阻焊图案的截面结构简图。

[图4] 阻焊图案的截面结构简图。

[图5] 阻焊图案的截面结构简图。

[图6] 表示本发明的阻焊图案的形成方法（1）的一例的截面步骤图。

[图7] 表示本发明的阻焊图案的形成方法（2）的一例的截面步骤图。

[图8] 表示本发明的阻焊图案的形成方法（3）的一例的截面步骤图。

[图9] 表示本发明的阻焊图案的形成方法（4）的一例的截面步骤图。

[图10] 简要显示利用本发明的阻焊图案的形成方法（1）制作的电路基板的连接焊盘附近的立体说明图。

[图11] 简要显示利用本发明的阻焊图案的形成方法（2）制作的电路基板的连接焊盘附近的立体说明图。

[图12] 简要显示利用本发明的阻焊图案的形成方法（3）制作的电路基板的连接焊盘附近的立体说明图。

[图13] 简要显示利用本发明的阻焊图案的形成方法（4）制作的电路基板的连接焊盘附近的立体说明图。

[图14] 简要显示利用本发明的阻焊图案的形成方法（4）制作的电路基板的连接焊盘附近的立体说明图。

[图15] 简要显示利用现有技术制作的电路基板的连接焊盘附近的立体说明图。

[图16] 简要显示利用现有技术制作的电路基板的连接焊盘附近的立体说明图。

具体实施方式

以下，对本发明的阻焊图案的形成方法进行详细说明。

图6是表示本发明的阻焊图案的形成方法（1）的一例的截面步骤图。准备在绝缘性基板1上形成有连接焊盘6的电路基板。连接焊盘6的形成可以采用减成法、半加成法、加成法等。在步骤（A1）中，以被覆基板整面的方式进行来形成阻焊层3。在步骤（B1）中，利用碱水溶液对阻焊层3进行薄膜化。图10是简要显示利用本发明的阻焊图案的形成方法（1）制作的电路基板的连接焊盘附近的立体说明图，其中，形成有连接焊盘6自阻焊层3露出的形状的抗蚀图案。应予说明，本发明中的阻焊层3的厚度是指，以绝缘性基板1的表面为基点，测定直至阻焊层表面的厚度而得的值。

图7是表示本发明的阻焊图案的形成方法（2）的一例的截面步骤图。准备在绝缘性基板1上形成有连接焊盘6和导体布线2的电路基板。在步骤（A2）中，以被覆基板整面的方式进行来形成阻焊层3。在步骤（C）中，将进行薄膜化直至阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的区域之外的部分通过活性光线5曝光。图7中是通过光掩模4进行曝光，但也可以通过直接描画方式进行。步骤（B2）中是利用碱水溶液对非曝光部的阻焊层3进行薄膜化。图11是简要显示利用本发明的阻焊图案的形成方法（2）制作的电路基板的连接焊盘附近的立体说明图，其中，形成有连接焊盘6自阻焊层3露出的形状的阻焊图案。

图8是表示本发明的阻焊图案的形成方法（3）的一例的截面步骤图。准备在绝缘性基板1上形成有连接焊盘6和导体布线2的电路基板。在步骤（A2）中，以被覆基板整面的方式进行来形成阻焊层3。步骤（D）中是利用碱水溶液，在较连接焊盘6的厚度厚的范围内将阻焊层3薄膜化至所期望的厚度。由于是将阻焊层3薄膜化至所期望的厚度后进行曝光，因而可减轻曝光时的光散射，实现更加高精细的图案化。在步骤（C）中，将进行薄膜化直至阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的区域之外的部分通过活性光线5曝光。步骤（B2）中是利用碱水溶液对非曝光部的阻焊层3进行薄膜化。图12是简要显示利用本发明的阻焊图案的形成方法（3）制作的电路基板的连接焊盘附近的立体说明图，其中，形成有导体布线2被阻焊层3所被覆、连接焊盘6自阻焊层3露出的形状的阻焊图案。

图9是表示本发明的阻焊图案的形成方法（4）的一例的截面步骤图。首先，准备在绝缘性基板1上形成有连接焊盘6和高度比连接焊盘6低的导体布线2的电路基板。在步骤（A3）中，以被覆基板整面的方式进行来形成阻焊层3。在步骤（B3）中，利用碱水溶液对阻焊层3进行薄膜化，直至阻焊层3的厚度为连接焊盘6的厚度以下、且较导体布线2的厚度厚。图13和14是简要显示利用本发明的阻焊图案的形成方法（4）制作的电路基板的连接焊盘附近的立体说明图，其中，形成有高度比连接焊盘6低的导体布线2被阻焊层3被覆、连接焊盘6自阻焊层3露出的形状的阻焊图案。

本发明中的具有连接焊盘的电路基板是指，在绝缘性基板上形成有用于连接由铜等金属构成的半导体芯片等电子部件的连接焊盘的电路基板。本发明中的在基板上具有连接焊盘和导体布线的电路基板是指，在绝缘性基板上形成有用于连接由铜等金属构成的半导体芯片等电子部件的连接焊盘和导体布线的电路基板。在基板上形成有连接焊盘、导体布线的基板的制作方法可举出例如：减成法、半加成法、加成法。减成法中，例如，在将铜箔贴合于玻璃基材环氧树脂而成的覆铜层叠板上打开被称为通孔的贯穿孔，通过电解镀铜处理，使镀铜析出至包含贯穿孔内壁的表面。接着，在电路部形成防蚀刻层，通过蚀刻处理除去非电路部的铜。然后，除去电路部的防蚀刻层而制作电路基板。另外，半加成法中，例如，在将极薄的铜箔贴合于玻璃基材环氧树脂而成的覆铜层叠板上打开通孔，将非电解镀铜层设置于包含贯穿孔内壁的表面。接着，在非电路部形成防镀覆层，通过电解镀铜处理在非电解镀铜层露出的部分的表面形成电解镀铜层。之后，除去非电路部的防镀覆层，通过快速蚀刻除去防镀覆层下部的非电解镀铜层而制作电路基板。

本发明中的在基板上具有连接焊盘和高度比连接焊盘低的导体布线的电路基板是指，在绝缘性基板上形成有用于连接由铜等金属构成的半导体芯片等电子部件的连接焊盘与高度比连接焊盘低的导体布线的电路基板。在基板上具有连接焊盘与高度比连接焊盘低的导体布线的基板的制作方法可举出例如：半加成法、加成法。半加成法中，例如，在将铜箔贴合于玻璃基材环氧树脂而成的覆铜层叠板上打开被称为通孔的贯穿孔，将非电解镀铜层设置于包含贯穿孔内壁的表面。接着，在非电路部形成防镀覆层，通过电解镀铜处理在非电解镀铜层露出的部分的表面形成电解镀铜层（连接焊盘前体与导体布线）。接着，以使连接焊盘前体部分露出的方式再次形成防镀覆层，通过电解镀铜处理在露出的连接焊盘前体部分的表面形成电解镀铜层。之后，除去防镀覆层，通过快速蚀刻除去防镀覆层下部的非电解镀铜层而制作电路基板。

电路基板可以是单面板、双面板、多层板的任一者，只要是形成阻焊图案所需要的，可以对任何电路基板适用本发明的阻焊图案的形成方法。

作为本发明所述的阻焊剂，只要是可以利用碱水溶液使阻焊层表面溶解或膨润而除去阻焊层，则均可使用。另外，可以是1液性、2液性、任一液状抗蚀剂，也可以是干膜状抗蚀剂。阻焊剂含有例如：碱可溶性树脂、多官能丙烯酸单体、光聚合引发剂、环氧树脂、无机填料等。作为碱可溶性树脂，可举出具有光固化性和热固化性两种特性的碱可溶性树脂，例如，在酚醛清漆型环氧树脂中加成丙烯酸进行环氧丙烯酸酯化，并向所得树脂的仲羟基加成酸酐而成的树脂。作为多官能丙烯酸单体，可举出例如：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯等。作为光聚合引发剂，可举出2−甲基−1−（4−甲基硫苯基）−2−吗啉代丙烷−1−酮等。环氧树脂可用作固化剂。碱可溶性树脂通过与羧酸反应，进行交联，实现了耐热性、耐化学品性的特性提高，由于羧酸和环氧基在常温下也进行反应，因而保存稳定性差，碱显影型阻焊剂多数情况下通常采用在使用前进行混合的2液性的形式。作为无机填料，可举出例如：滑石、二氧化硅、硫酸钡、氧化钛、氧化锌等。

步骤（A1）中，在具有连接焊盘的电路基板的表面形成阻焊层。步骤（A2）中，在具有连接焊盘和导体布线的电路基板的表面形成阻焊层。步骤（A3）中，在具有连接焊盘和高度比连接焊盘低的导体布线的电路基板的表面形成阻焊层。在阻焊层的形成中，例如，若为液状抗蚀剂，则可使用丝网印刷法、辊涂法、喷雾法、浸渍法、幕帘涂布法、棒涂法、气刀法、热熔法、凹版印刷涂布法、刷涂法、胶版印刷法。另外，若为干膜形状的阻焊剂，则可使用层叠法或真空层叠法。

步骤（C）中，对被薄膜化的区域之外的部分的阻焊层选择性地照射活性光线使之固化。作为曝光方式，可举出：以氙灯、高压水银灯、低压水银灯、超高压水银灯、UV荧光灯为光源的反射图像曝光方式、使用光掩模的单面或双面密接曝光方式、接近方式、投影方式或激光扫描曝光方式等。“被薄膜化的区域”是指，例如，包含连接焊盘上、连接焊盘间的连接焊盘周围的区域。“被薄膜化的区域之外的区域”是指，例如，包含导体布线上、导体布线间的导体布线周围的区域。

在步骤（B1）、（B2）、（B3）中，利用碱水溶液进行阻焊层的薄膜化处理，直至为连接焊盘的厚度以下。在步骤（D）中，利用碱水溶液，在比连接焊盘6的厚度厚的范围内进行阻焊层的薄膜化处理。具体地，利用碱水溶液使阻焊层表面溶解或膨润，除去非曝光部的阻焊层表面。干膜形状的情形中，在阻焊层上设置有支持层膜时，将支持层膜剥离后实施薄膜化处理。

本发明的阻焊图案的形成方法中，根据阻焊层形成后的厚度与利用碱水溶液处理将非曝光部的阻焊层薄膜化的量，来决定连接焊盘周围的阻焊层的厚度。另外，本发明的阻焊图案的形成方法中，可以在0.01～500μm的范围适当调整薄膜化量。薄膜化后的阻焊层表面至连接焊盘表面的高度根据之后所需的焊料量适当调整。

在步骤（B1）、（B2）、（B3）中，进行薄膜化处理，直至薄膜化处理后的阻焊层的厚度与连接焊盘的厚度相同，或者变得比其薄，薄膜化后的阻焊层的厚度过薄时，连接焊盘间的电绝缘变得不充分，有时发生非电解镀镍/金的短路、或在连接焊盘间发生焊料导致的短路。因此，薄膜化后的阻焊层的厚度优选为连接焊盘的厚度的1/2以上、更优选2/3以上。

利用碱水溶液的薄膜化处理中，作为前处理可以实施水洗处理。通过前处理水洗，阻焊层中的羧基等亲水基发生再取向，层表面的亲水性得到均一化。进而，还可以去除存在于阻焊层上的污染物、杂质。作为前处理水洗中使用的水，可举出工业用水、自来水、离子交换水、蒸馏水等。作为前处理水洗的方法，有浸渍处理、搅打处理、喷雾处理、擦刷、刮削等，但考虑阻焊层上的污染物、杂质的除去性则优选喷雾处理。喷雾条件（温度、喷雾压力、时间）可以适当调整，具体地，温度优选为15～30℃，更优选为20～25℃。另外，喷雾压力优选为0.02～0.5MPa，更优选为0.05～0.3MPa。

进而，前处理水洗水中也可以含有表面活性剂。表面活性剂的使用可以使阻焊层表面更加迅速地稳定而实现亲水化。作为表面活性剂，可以使用：烷基硫酸酯盐、聚氧乙烯烷基醚硫酸酯盐、烷基苯磺酸盐、脂肪酸盐等阴离子系表面活性剂；聚氧乙烯烷基醚、聚氧亚烷基衍生物、失水山梨糖醇脂肪酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯、甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯氢化蓖麻油、聚氧乙烯烷基胺、烷基烷醇酰胺、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯−聚氧丙烯嵌段共聚物（即、Pluronic系表面活性剂）、脂肪酸季戊四醇酯、乙炔乙二醇(acetylene glycol)等非离子系表面活性剂；烷基胺盐、季铵盐等阳离子系表面活性剂；烷基甜菜碱等两性表面活性剂。前处理水洗处理中，只要不损害阻焊层的品质，则使用任意种类的表面活性剂都没有问题，但阴离子系、阳离子系和两性表面活性剂有时会特异性吸附于抗蚀剂表面、或取决于种类而部分地侵害抗蚀剂表面，因而优选使用非离子系的表面活性剂。作为非离子系表面活性剂的更优选的具体实例，可举出乙烯二醇，可使用日信化学工业（株）制的サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）465、サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）485、サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）82等。

添加至前处理水洗水中的表面活性剂量根据各种表面活性剂的特性而改变，除阻焊层表面的亲水化之外，考虑到前处理水洗中发泡少、以及表面活性剂引起的附着于阻焊层上的污染物或杂质的除去效率，优选0.001～0.1质量%的范围，更优选0.001～0.05质量%的范围，进一步优选0.01～0.05质量%的范围。

本发明所述的碱水溶液可举出：碱金属硅酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属磷酸盐、碱金属碳酸盐、磷酸铵盐、碳酸铵盐等无机碱性化合物的水溶液；单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基胺、二甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、环己基胺、四甲基氢氧化铵（TMAH）、四乙基氢氧化铵、三甲基−2−羟基乙基氢氧化铵（胆碱）等有机碱性化合物的水溶液。作为碱金属，可举出锂、钠、钾等。上述无机碱性化合物和有机碱性化合物可以单独使用，也可以多种组合使用。还可以将无机碱性化合物和有机碱性化合物组合使用。

使用钠盐作为无机碱性化合物的碱金属时，可以混有钾盐。例如，使用碳酸钠、偏硅酸钠时，有时成分中的碳酸离子、硅酸离子与水中所含的钙、镁形成不溶性的盐，在碱水溶液中发生凝集分离。钾与钠相比，在水中的溶解性大，而且与其它化合物的反应性高，因而和与钙、镁反应相比，认为碳酸离子、硅酸离子会优先与钾反应，由此妨碍不溶性的盐的形成。

另外，为了将阻焊层表面更均一地薄膜化，也可以在碱水溶液中添加硫酸盐、亚硫酸盐。作为硫酸盐或亚硫酸盐，可举出锂、钠或钾等的碱金属硫酸盐或亚硫酸盐、镁、钙等的碱土类金属硫酸盐或亚硫酸盐。

碱水溶液为含有无机碱性化合物的水溶液时，无机碱性化合物优选为选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐中的至少任一种。另外，无机碱性化合物的含量优选为3～25质量%。无机碱性化合物的含量小于3质量%的碱水溶液是以往在利用光刻法方式的曝光后的显影中使用的溶液，在完全除去未被曝光的阻焊层时有效，但在不将阻焊层完全除去而以面内均一的厚度进行薄膜化的处理中，有时容易发生厚度的不均。另外，超过25质量%时，有时容易发生无机碱性化合物的析出，溶液的经时稳定性、操作性差。无机碱性化合物的含量更优选为5～20质量%、进一步优选为7～15质量%。另外，也可以适当添加表面活性剂、消泡剂、溶剂等。

阻焊层的薄膜化处理中，不能忽视阻焊层中所含的不溶于碱水溶液的无机填料的存在。无机填料的尺寸取决于其种类，从被称为纳米填料的亚微米级别的填料至大尺寸的数十微米的填料，具有一定程度的粒度分布，在层中以30～70质量%的含量存在。薄膜化处理是在碱性化合物浸透至阻焊层中后、通过溶解扩散来进行，但不溶性的无机填料的存在使得碱性化合物的浸透受到抑制，有时薄膜化速度变慢。

对于这种无机填料导致的浸透抑制，可以使碱水溶液的pH为12.5以上，进一步优选为13.0以上。碱水溶液的pH越高，则碱性化合物浸透时的阻焊层的膨润越大，越难受到无机填料导致的浸透抑制的影响。

在步骤（B1）、（B2）、（B3）中，通过薄膜化处理使连接焊盘表面露出。通常，在具有连接焊盘和导体布线的电路基板上形成阻焊层时，考虑导体布线和阻焊层的密合性，与导体布线相同将连接焊盘表面也通过各种研磨处理进行表面粗糙化。由表面粗糙化获得的锚效果使得导体布线与阻焊层的密合性提高，可长时间维持高绝缘可靠性。以往，除去阻焊层而将连接焊盘表面露出时，通常使用分散能力优异的低浓度碳酸钠水溶液作为显影液，连接焊盘表面基本不发生阻焊剂的残渣残留。但是，使用低浓度碳酸钠水溶液进行薄膜化处理时，不能均一地处理阻焊层表面，发生面内不均。

因此，作为将面内均一地薄膜化，同时在经表面粗糙化的连接焊盘表面不残留阻焊剂残渣的碱水溶液，可举出含有碱金属硅酸盐的碱水溶液。碱金属硅酸盐与其它无机碱性化合物相比，阻焊层的溶解扩散能力优异，连接焊盘表面难以发生残渣残留。碱金属硅酸盐的通式示于下述式（i）。碱金属硅酸盐是3种成分以各种比率连续变化而形成的化学药品的总称，名称根据由摩尔比算出的质量比（钠盐的情形的质量比＝摩尔比×1.032、钾盐的情形的质量比＝摩尔比×1.568）而改变。例如，钠盐的情形，质量比为0.5的称为原硅酸钠，质量比为1.0的称为偏硅酸钠，质量比为1.3～4的通常称为硅酸钠。质量比为1以下的称为结晶性硅酸钠，质量比大于1的为非结晶性，可以使质量比连续变化。另外，硅酸钠的溶液取决于质量比、浓度、温度等，粘度显著变化。即，质量比越大，浓度越高，或温度越低，则溶液的粘度越高。硅酸钠的溶液中，含有硅酸离子单体、聚硅酸离子、胶体状的硅酸离子胶束等，取决于质量比和浓度而呈现各种形态。质量比为1以下的，主要存在硅酸离子单体，高质量比的溶液中，除了硅酸离子单体之外还含有二聚体、聚硅酸离子胶束，随着质量比的增加，聚硅酸离子胶束的浓度增加。该聚硅酸离子胶束的增加使得溶液的质量平均分子量增加，粘度上升。通常，质量比大于2时，需要注意粘度的上升。因此，钠盐的情形中，从水溶液的稳定性、操作性的方面出发，最适宜使用偏硅酸钠。另外，钾盐与钠盐相比，在水中的溶解性高，因而水溶液不容易发生凝固、分离，可以使用各种溶液。碱金属硅酸盐的含量更优选为5～25质量%，进一步优选为7～20质量%。

M₂O・nSiO₂・xH₂O　　　（i）

［M：钠或钾，n：摩尔比（SiO₂/M₂O）］。

继碱金属硅酸盐之后，作为具有阻焊层的溶解扩散能力的无机碱性化合物，可举出含有碱金属磷酸盐的碱水溶液。作为碱金属磷酸盐，可适宜地使用碱金属进行了3原子配位而得的强碱性的磷酸三钠或磷酸三钾。碱金属磷酸盐的含量更优选为5～20质量%，进一步优选为7～15质量%。

另外，含有作为无机碱性化合物的碳酸钾的水溶液也可以使阻焊层基本良好地溶解扩散。碳酸盐与硅酸盐、磷酸盐相比水合力大，但作为碱金属的钾与钠相比，水溶液中的离子化倾向大，对阻焊层的溶解扩散产生有利作用。碳酸钾的含量更优选为3～15质量%，进一步优选为5～10质量%。

碱水溶液为含有无机碱性化合物的水溶液时，作为碱水溶液中所含的有机碱性化合物，优选含有选自四甲基氢氧化铵（TMAH）、三甲基−2−羟基乙基氢氧化铵（胆碱）中的至少任1种。另外，可以适宜地使用有机碱性化合物的含量为5～25质量%的碱水溶液。小于5质量%则有时在薄膜化处理中容易发生面内不均。另外，超过25质量%时，薄膜化速度有时变慢。有机碱性化合物的含量更优选为7～20质量%、进一步优选为10～20质量%。另外，也可以适当添加表面活性剂、消泡剂、溶剂等。使用含有碱金属盐的碱水溶液时，取决于使用的阻焊剂的组成，有时阻焊层中会进入碱金属离子，绝缘可靠性降低，但使用含有有机碱性化合物的碱水溶液时，可获得绝缘可靠性降低得到抑制的效果。

碱水溶液的温度优选为15～35℃，进一步优选为20～30℃。温度过低时，碱性化合物对阻焊层的浸透速度有时变慢，薄膜化所期望的厚度则需要长时间。另一方面，温度过高时，由于溶解扩散与碱性化合物对阻焊层的浸透同时进行，因而有时容易在面内发生膜厚不均，故不优选。

在阻焊层的薄膜化处理中，作为碱水溶液的溶液管理方法，可使用中和滴定法。即，为了将碱水溶液的薄膜化能力保持恒定，作为溶液管理的指标，可以进行基于浓度的管理。作为溶液管理的指标，也考虑基于pH的管理，但阻焊层中所含的具有羧酸基等酸基末端的碱可溶性树脂会与高浓度的碱水溶液接触、发生反应，相比于以实际浓度测定而得的值，pH被较低地观测到，因而难以通过pH严格地进行溶液管理。另外，利用中和滴定法的浓度管理中，作为补充液，可以补充与初始浓度同浓度的碱水溶液。通常，利用光刻法的阻焊图案形成中的利用低浓度碱水溶液的显影处理等中，通常补充与初始浓度相比浓度高的处理液，本发明所述的阻焊层的薄膜化中，碱水溶液的浓度变化对薄膜化的影响大，需要更加严格的浓度管理。具体地，利用光刻法的阻焊图案形成中的利用低浓度碱水溶液的显影处理的情形中，以阻焊层被全部溶出的时间的1.5～2.0倍左右的时间来实施显影处理，与之相对，本发明所述的阻焊层的薄膜化中，重要的是面内均一地进行仅期望量的薄膜化。因此，需要更加严格的浓度管理。另外，补充高浓度的碱水溶液时，通常以使槽内的溶液浓度瞬间达到目标浓度的方式进行机械搅拌等操作，但碱水溶液有时发泡，产生膜厚不均一，因而从该点出发，也优选补充与初始浓度同浓度的碱水溶液。

作为利用中和滴定法的浓度管理的方法，具体地，从连续运转的薄膜化处理装置采集规定量的碱水溶液，测定pH的同时滴加盐酸或硫酸，由直至达到中和点所添加的酸的量求出碱性化合物的浓度。通过所得滴定曲线计算碱性化合物的浓度，但在酸性区域中由于阻焊层中所含酸基的影响，滴定曲线发生偏移，有时无法估算准确的浓度。因此，需要在碱区域计算浓度。该浓度偏离至碱水溶液的规定范围外时，添加补充与初始浓度相同浓度的碱水溶液。“规定范围”是指相对于初始浓度为−5%～＋5%的浓度范围，以下也称为“目标浓度”。通过每规定时间进行这种利用中和滴定的碱性化合物浓度的测定和碱水溶液的添加补充的操作，可以将薄膜化能力保持在恒定范围内。

从中和滴定直至碱水溶液的添加补充也可以自动地进行。作为自动系统，可举出例如包含下述的系统：至少自动地每规定时间测量碱水溶液同时进行采样的功能（定量泵、测量管等）、pH计、搅拌溶液的功能（磁力搅拌器等）、滴加滴定液（酸性液）的功能（脉冲电动机驱动的泵等）、设定预测中和点pH、一达到该pH则停止滴定液的滴加的功能、计算滴定液的滴加量的功能、由该滴加量计算碱性化合物的浓度的功能、设定目标浓度的功能、供给按照［（目标浓度−测定浓度）×碱水溶液罐容积/目标浓度］计算的量的与初始浓度同浓度的碱水溶液的功能（定量泵等）、在一系列滴定测定结束后洗涤滴定容器等的功能。补充溶液时的计算式是以上述为基础，但优选参照实际工艺进行各种修正。

上述的实例中，设定预测中和点pH，由直至该pH所滴加的酸的量计算碱性化合物的浓度，为了提高测定精度，作为滴定结束pH，设定为超过中和点pH的pH（中和点若为pH8则设定为7～6左右），求出从酸滴加开始至滴加结束期间pH变化率最大的酸滴加量，以该点作为中和点，由直至该中和点所滴加的酸的量计算碱性化合物的浓度是优选的。

利用碱水溶液的薄膜化处理可以使用浸渍处理、搅打处理、喷雾处理、擦刷、刮削等方法，但优选浸渍处理。浸渍处理之外的处理方法在碱水溶液中容易产生气泡，该产生的气泡在薄膜化处理中有时会附着于阻焊层表面、使膜厚变得不均一。使用喷雾处理等的情形中，优选尽量减小喷雾压力以不产生气泡。

在步骤（B1）、（B2）、（B3）和（D）之后，可以利用水充分地洗涤电路基板。通过该利用水的电路基板洗涤，将应除去的阻焊层完全溶解除去。作为水洗处理的方法，有浸渍处理、搅打处理、喷雾处理等，从阻焊层的溶解扩散速度和溶液供给的均一性的观点出发，最适宜的是喷雾处理。另外，水洗水的温度更优选为25～45℃，进一步优选为27～40℃。

如本发明的阻焊图案的形成方法（15）所示，在对阻焊层进行薄膜化的步骤（B1）、（B2）、（B3）或（D）之后，优选包含（E）用含有碱性化合物且该碱性化合物的含量比碱水溶液少、pH为5.0～10.0、温度为22～50℃的水溶液进行处理的步骤。应予说明，步骤（E）在利用水的洗涤之前进行。步骤（E）中，含有碱性化合物的水溶液在碱区域具有优异的缓冲能力，因而可以防止急剧的pH上升，对维持优异的面内均一性有用。另外，通过使用pH5.0～10.0的水溶液，可以恒定地保持阻焊层的溶解扩散性，可以进行稳定的连续薄膜化处理。进而，通过使水溶液的温度为22～50℃，可获得能够对经表面粗糙化的连接焊盘表面进行处理而不会残留阻焊剂残渣的效果。

作为步骤（E）的水溶液中的碱性化合物，可举出碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐等无机碱性化合物，四甲基氢氧化铵（TMAH）、三甲基−2−羟基乙基氢氧化铵（胆碱）等有机碱性化合物。在步骤（E）之前进行的步骤（B1）、（B2）、（B3）或（D）中使用的碱水溶液中的碱性化合物与在步骤（E）中使用的碱性化合物可以相同或不同，但通常，考虑到2个步骤连续进行、从前一步骤进入后一步骤之际，有时会混入碱性化合物时，则通常是含有相同的碱性化合物。

步骤（E）的水溶液中的碱性化合物的含量比步骤（B1）、（B2）、（B3）或（D）中使用的碱水溶液中的含量少。即，在步骤（E）中使用比步骤（B1）、（B2）、（B3）或（D）中使用的碱水溶液更稀释的水溶液。步骤（E）的水溶液比步骤（B1）、（B2）、（B3）或（D）中使用的碱水溶液浓时，发生阻焊层的薄膜化量的控制变难的问题。

步骤（E）的水溶液的pH小于5.0时，则溶于水溶液中的阻焊剂成分有可能凝集，形成不溶性的淤渣而附着于薄膜化后的阻焊层表面。另一方面，步骤（E）的水溶液的pH超过10.0时，有时会促进阻焊层的溶解扩散，变得容易在面内发生膜厚不均。另外，水溶液的pH可以使用硫酸、磷酸、盐酸等进行调整。

应予说明，碱水溶液和步骤（E）的水溶液的pH具有温度依存性，但本发明所述的pH是指溶液温度22℃下的值。通过使用具备对应于pH玻璃电极的温度特性的温度补偿功能（对pH玻璃电极因温度导致的性质的变化进行修正的功能）与对应于水溶液的温度特性的温度换算功能（换算为恒定温度下的pH值的功能）的pH计来进行测定，可以调查22℃下的水溶液的pH值。

步骤（E）中，水溶液的温度更优选为25～45℃，进一步优选为27～40℃。步骤（E）中的水溶液的温度会影响阻焊层的溶解扩散效率，小于22℃则有时引起阻焊层成分的溶解不良，容易在经表面粗糙化的连接焊盘表面残留阻焊剂残渣。另一方面，超过50℃时，则有时发生水溶液的蒸发或连续运转中的温度管理的问题、装置设计上的制约，故不优选。

进而，可以在步骤（E）的水溶液中添加对消泡（抑泡、破泡）有效的消泡剂。连续地实施阻焊层的薄膜化处理、阻焊剂成分大量溶于水溶液中时，发泡变得剧烈，成为无法连续运转的状态。消泡剂是可以抑制这种发泡的物质，大致分为硅氧烷系消泡剂和有机系消泡剂。

硅氧烷系消泡剂在消泡的速效性方面优异，但在消泡能力的持续性、相溶性、润湿性方面差，容易引起凹坑、陷坑的缺陷。另一方面，有机系消泡剂有表面活性剂系、石蜡系、矿物油系等，对于水性发泡液的消泡，与硅氧烷系消泡剂相比，显示优异的持续性。作为表面活性剂系消泡剂，多使用的是利用乳化剂将HLB低的表面活性剂乳化分散而成的消泡剂，这种类型的消泡剂多数较为具有持续性，但消泡效果与其它相比小。其中，具有以乙炔基为中央左右而对称的非常稳定的分子结构的下述式1或式2所示的表面活性剂的分子量也小，具有大大降低表面张力的效果，发挥不仅消泡性、分散性等作用，而且润湿性、相溶性也优异的性能。

[化1]

式1和式2中，m和n为0或1以上的整数，且0≤m＋n≤30。

作为这种表面活性剂，可举出例如：日信化学工业社制的サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）104、サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）DF110D、サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）MD−20、サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）420、サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）440、サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）465、サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）485、オルフィン（OLFINE）（注册商标）AF−103、オルフィン（OLFINE）（注册商标）E1004等。特别是从消泡性的观点出发，优选サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）104、オルフィン（OLFINE）（注册商标）AF−103，从水溶性的观点出发，优选サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）465、サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）485、オルフィン（OLFINE）（注册商标）E1004等，但除上述之外，考虑相溶性、消泡效果的持续性、伴随溶解量增加的油状浮渣的分散性时，最优选使用サーフィノール（SURFYNOL）（注册商标）MD−20。

这些表面活性剂相对于溶解分散的阻焊剂量1g，优选添加0.01～5.0g，进一步优选0.05～2.0g。小于0.01g时，有时对发泡的消泡效果变得不充分。超过5.0g时，有可能发生表面活性剂的层分离。另外，表面活性剂通过以分散于水溶液的状态进行添加，迅速扩散而发挥消泡效果。

进而，链烷烃系消泡剂是使用乳化剂将石蜡或其改性物乳化分散而成的消泡剂，是含有矿物油作为成分的消泡剂，可适宜地使用。通过矿物油的含量、其它所含的成分，可以兼具消泡效果与持续性。作为所用的矿物油，可举出：主要由石油原油或其加工物所得的链烷烃系或环烷烃系的饱和烃，例如，液体石蜡、润滑油、汽油、灯油、轻油、重油、机油等。矿物油系消泡剂是以矿物油为主要消泡成分的消泡剂，也有为了提高消泡效果而混合了金属皂、二氧化硅等的消泡剂。以矿物油为主要消泡成分的消泡剂在水中的分散性极差，存在下述问题：在水面分离的油成分浮游，或该分离的油成分附着于阻焊层表面，或进而严重污染浴槽。

含有矿物油的消泡剂的矿物油含量可以为20质量%以下。矿物油通常被认为抑泡效果大但不具有持续性，通过含有20质量%以下的矿物油，并用其它成分补充持续性，可以兼具抑泡效果与持续性。消泡剂中所含的矿物油的含量更优选为10～20质量%，进一步优选为15～20质量%。作为矿物油的含量为20质量%以下的消泡剂，通常可以使用市售品，但具体可举出栗田工业（株）制的クリレス（KURILESS）（注册商标）505、514、521等。消泡剂的添加量没有特别限制，浓度优选为1～10000ppm，更优选为10～1000ppm。

本发明所述的阻焊层的薄膜化处理中，通过薄膜化除去的阻焊剂成分在步骤（E）的水溶液中的溶解浓度优选为0.5质量%以下，更优选为0.3质量%以下，进一步优选为0.2质量%以下。通过连续薄膜化处理，阻焊剂成分在步骤（E）的水溶液中的溶解量增多时，进行了薄膜化处理的阻焊剂表面发生糊斑（曇りムラ），在该部分产生膜厚不均一。糊斑的原因被认为是在薄膜化处理中阻焊层的分散性变差，发生溶解不良，并由其引起不溶解成分的析出，但具体尚不明确。另外，溶于步骤（E）水溶液中的阻焊剂成分可以通过在过滤器中循环而随时除去。过滤器的种类可以没有特别限制地使用，例如，可以使用アドバンテック（ADVANTEC）东洋（株）制的深层滤芯过滤器或绕线滤芯过滤器等。使用的过滤器的根数、孔径等可根据需要自由选择。

作为阻焊剂成分在步骤（E）的水溶液中的溶解浓度的测定方法，可以以绝对干燥质量的差值的形式来进行测定。具体地，例如，将溶有阻焊剂成分的水溶液10g采集至皿中，放入温度100℃的干燥机，使水分完全蒸发。接着，通过测定蒸发后的质量，可以计算在溶解液10g中所溶解的阻焊剂成分的量（质量%）。

作为步骤（E）中的溶液供给方法，从阻焊层的溶解扩散速度与溶液供给的均一性的观点出发，最优选喷雾处理。另外，喷雾压力优选为0.01～0.5MPa，进一步优选为0.02～0.3MPa。进而，对于喷雾的方法，为了在阻焊层表面效率良好地制造液流，可以从偏向阻焊层表面的垂直方向的方向进行喷射。

从步骤（B1）、（B2）、（B3）或（D）的结束至利用水的洗涤开始为止的时间和从步骤（B1）、（B2）、（B3）或（D）的结束至步骤（E）的开始为止的时间可以优选为6秒以下，更优选为4秒以下。阻焊层的薄膜化量根据从步骤（B1）、（B2）、（B3）或（D）的开始至利用水的洗涤或步骤（E）即将开始前为止的总时间来决定。即，从步骤（B1）、（B2）、（B3）或（D）的结束至利用水的洗涤或步骤（E）的开始为止的时间也会影响薄膜化量。这里，使用薄膜化处理装置进行薄膜化处理时，即使考虑搬运速度也基本不可能将从步骤（B1）、（B2）、（B3）或（D）过渡至步骤（E）的时间设为零。从步骤（B1）、（B2）、（B3）或（D）的结束至步骤（E）的开始为止的时间增长时，碱水溶液在阻焊层中的膨润、浸透的进行程度变得不均一，有时在面内发生膜厚的不均。

实施例

以下，通过实施例进一步详细说明本发明，但本发明不受该实施例限定。

（实施例1）

＜步骤（A1）＞

对覆铜层叠板（面积170mm×200mm、铜箔厚18μm、基材厚度0.4mm）使用减成法，制作具有布线宽度50μm、布线间隔50μm的连接焊盘的电路基板。接着，使用真空层合机，将厚度30μm的阻焊膜（太阳インキ（太阳油墨）制造（株）制、商品名：PFR−800 AUS410）真空热压合于上述电路基板上（层合温度75℃，抽吸时间30秒，加压时间10秒）。由此形成从绝缘性基板表面至阻焊层表面的膜厚为38μm的阻焊层。

＜步骤（B1）＞

使用表1记载的碱水溶液（液温25℃），利用浸渍方式以表1中记载的时间进行薄膜化处理，以使从绝缘性基板表面起的阻焊层的厚度平均为12μm，经过充分的水洗处理（液温25℃）、冷风干燥，得到经薄膜化的阻焊层。薄膜化处理后，对进行了薄膜化的部分的阻焊层的厚度进行10点测定，求出最大值和最小值。结果示于表1。膜厚最大值与膜厚最小值之差足够小，得到了良好的面内均一性。

[表1]

表1

接着，为了使阻焊层固化，以曝光量500mJ/cm²进行整面曝光，然后在150℃实施60分钟热固化处理，形成阻焊图案。形成的阻焊图案为图10所示的结构，通过光学显微镜对其进行观察，结果厚度18μm的连接焊盘6的金属表面露出，相邻的连接焊盘6间嵌入了厚度12μm的阻焊层3。

（实施例2）

＜步骤（A2）＞

对覆铜层叠板（面积170mm×200mm、铜箔厚18μm、基材厚度0.4mm）使用减成法，制作具有布线宽度50μm、布线间隔50μm的导体布线的电路基板。接着，使用真空层合机，将厚度30μm的阻焊膜（太阳インキ（太阳油墨）制造（株）制、商品名：PFR−800 AUS410）真空热压合于上述电路基板上（层合温度75℃，抽吸时间30秒，加压时间10秒）。由此形成从绝缘性基板表面至阻焊层表面的膜厚为38μm的阻焊层。

＜步骤（C）＞

将导体布线的一部分作为连接焊盘，为了使从该连接焊盘的端部至50μm之外的区域的阻焊层固化，以曝光量300mJ/cm²实施利用光掩模的密接曝光。

＜步骤（B2）＞

使用表1记载的碱水溶液（液温25℃），利用浸渍方式以表1中记载的时间进行薄膜化处理，以使从非曝光部的绝缘性基板表面起的阻焊层的厚度平均为12μm，经过充分的水洗处理（液温25℃）、冷风干燥，得到经薄膜化的阻焊层。薄膜化处理后，对进行了薄膜化的部分的阻焊层的厚度进行10点测定，求出最大值和最小值。结果示于表1。膜厚最大值与膜厚最小值之差足够小，得到了良好的面内均一性。

接着，为了使阻焊层固化，以曝光量500mJ/cm²进行整面曝光，然后在150℃实施60分钟热固化处理。形成的阻焊图案为图11所示的结构，通过光学显微镜对其进行观察，结果厚度18μm的导体布线2被厚度38μm的阻焊层3所被覆，厚度18μm的连接焊盘6的金属表面露出，相邻的连接焊盘6间嵌入了厚度12μm的阻焊层3。

（实施例3）

＜步骤（A2）＞

对覆铜层叠板（面积170mm×200mm、铜箔厚18μm、基材厚度0.4mm）使用减成法，制作具有布线宽度50μm、布线间隔50μm的导体布线的电路基板。接着，使用真空层合机，将厚度30μm的阻焊膜（太阳インキ（太阳油墨）制造（株）制、商品名：PFR−800 AUS410）真空热压合于上述电路基板上（层合温度75℃，抽吸时间30秒，加压时间10秒）。由此形成从绝缘性基板表面至阻焊层表面的膜厚为38μm的阻焊层。

＜步骤（D）＞

使用表1记载的碱水溶液（液温25℃），利用浸渍方式进行薄膜化处理，使从绝缘性基板表面起的阻焊层的厚度平均为28μm，经过充分的水洗处理（液温25℃）、冷风干燥，得到经薄膜化的阻焊层。

＜步骤（C）＞

将导体布线的一部分作为连接焊盘，为了使从该连接焊盘的端部至50μm之外的区域的阻焊层固化，以曝光量300mJ/cm²实施利用光掩模的密接曝光。

＜步骤（B2）＞

使用表1记载的碱水溶液（液温25℃），利用浸渍方式以表1中记载的时间进行薄膜化处理，以使从非曝光部的绝缘性基板表面起的阻焊层的厚度平均为12μm，通过充分的水洗处理（液温25℃）、冷风干燥，得到经薄膜化的阻焊层。薄膜化处理后，对进行了薄膜化的部分的阻焊层的厚度进行10点测定，求出最大值和最小值。结果示于表1。膜厚最大值与膜厚最小值之差足够小，得到了良好的面内均一性。

接着，为了使阻焊层固化，以曝光量500mJ/cm²进行整面曝光，然后在150℃实施60分钟热固化处理。形成的阻焊图案为图12所示的结构，通过光学显微镜对其进行观察，结果厚度18μm的导体布线2被厚度28μm的阻焊层3所被覆，厚度18μm的连接焊盘6的金属表面露出，相邻的连接焊盘6间嵌入了厚度12μm的阻焊层3。

（实施例4）

＜步骤（A3）＞

对覆铜层叠板（面积170mm×200mm、基材厚度0.4mm）使用半加成法，制作具有厚度25μm、布线宽度50μm、布线间隔50μm的连接焊盘与厚度15μm、布线宽度50μm、布线间隔50μm的导体布线的电路基板。接着，使用真空层合机，将厚度30μm的阻焊膜（太阳インキ（太阳油墨）制造（株）制、商品名：PFR−800 AUS410）真空热压合于上述电路基板上（层合温度75℃，抽吸时间30秒，加压时间10秒）。由此形成从绝缘性基板表面至阻焊层表面的膜厚为38μm的阻焊层。

＜步骤（B3）＞

使用表1记载的碱水溶液（液温25℃），利用浸渍方式以表1中记载的时间进行薄膜化处理，以使从绝缘性基板表面起的阻焊层的厚度平均为20μm，经过充分的水洗处理（液温25℃）、冷风干燥，得到经薄膜化的阻焊层。薄膜化处理后，对进行了薄膜化的部分的阻焊层的厚度进行10点测定，求出最大值和最小值。结果示于表1。膜厚最大值与膜厚最小值之差足够小，得到了良好的面内均一性。

接着，为了使阻焊层固化，以曝光量500mJ/cm²进行整面曝光，然后在150℃实施60分钟热固化处理。形成的阻焊图案为图13所示的结构，厚度15μm的导体布线2被完全被覆于厚度20μm的阻焊层3中，厚度25μm的连接焊盘6的金属表面露出，相邻的连接焊盘6间嵌入了厚度20μm的阻焊层3。

（实施例5）

＜步骤（A3）＞

对覆铜层叠板（面积170mm×200mm、基材厚度0.4mm），使用半加成法，制作布线宽度50μm、布线间隔50μm，各布线上阶梯状地形成有厚度25μm的连接焊盘与厚度15μm的导体布线的电路基板。接着，使用真空层合机，将厚度30μm的阻焊膜（太阳インキ（太阳油墨）制造（株）制、商品名：PFR−800 AUS410）真空热压合于上述电路基板上（层合温度75℃，抽吸时间30秒，加压时间10秒）。由此形成从绝缘性基板表面至阻焊层表面的膜厚为38μm的阻焊层。

＜步骤（B3）＞

使用表1记载的碱水溶液（液温25℃），利用浸渍方式以表1中记载的时间进行薄膜化处理，以使从绝缘性基板表面起的阻焊层的厚度平均为20μm，经过充分的水洗处理（液温25℃）、冷风干燥，得到经薄膜化的阻焊层。薄膜化处理后，对进行了薄膜化的部分的阻焊层的厚度进行10点测定，求出最大值和最小值。结果示于表1。膜厚最大值与膜厚最小值之差足够小，得到了良好的面内均一性。

接着，为了使阻焊层固化，以曝光量500mJ/cm²进行整面曝光，然后在150℃实施60分钟热固化处理。形成的阻焊图案为图14所示的结构，厚度15μm的导体布线2被完全被覆于厚度20μm的阻焊层3中，厚度25μm的连接焊盘6的金属表面露出，相邻的连接焊盘6间嵌入了厚度20μm的阻焊层3。

（比较例1）

对覆铜层叠板（面积170mm×200mm、铜箔厚18μm、基材厚度0.4mm）使用减成法，制作具有布线宽度50μm、布线间隔50μm的导体布线的电路基板。接着，使用真空层合机，将厚度30μm的阻焊膜（太阳インキ（太阳油墨）制造（株）制、商品名：PFR−800 AUS410）真空热压合于上述电路基板上（层合温度75℃，抽吸时间30秒，加压时间10秒）。由此形成从绝缘性基板表面至阻焊层表面的膜厚为38μm的阻焊层。

将导体布线的一部分作为连接焊盘，为了使从该连接焊盘的端部至50μm之外的区域的阻焊层固化，以曝光量300mJ/cm²实施利用光掩模的密接曝光。

接着，使用1质量%的碳酸钠水溶液（液温30℃），通过显影处理将非曝光部的阻焊层全部除去，在150℃实施60分钟热固化处理。形成的阻焊图案为图15所示的结构，厚度18μm的导体布线2被厚度38μm的阻焊层3所被覆。图15所示的结构中，由于相邻的连接焊盘6间没有阻焊层3，因而在实装步骤中发生由焊料跨接引起的连接不良。

（比较例2）

对覆铜层叠板（面积170mm×200mm、铜箔厚18μm、基材厚度0.4mm）使用减成法，制作具有布线宽度50μm、布线间隔50μm的导体布线的电路基板。接着，使用真空层合机，将厚度30μm的阻焊膜（太阳インキ（太阳油墨）制造（株）制、商品名：PFR−800 AUS410）真空热压合于上述电路基板上（层合温度75℃，抽吸时间30秒，加压时间10秒）。由此形成从绝缘性基板表面至阻焊层表面的膜厚为38μm的阻焊层。

将导体布线的一部分作为连接焊盘，为了使从该连接焊盘的端部至50μm之外的区域、和相邻的连接焊盘间的中间点至宽度20μm的区域的阻焊层固化，以曝光量300mJ/cm²实施利用光掩模的密接曝光。

接着，使用1质量%的碳酸钠水溶液（液温30℃），通过显影处理将非曝光部的阻焊层全部除去，在150℃实施60分钟热固化处理。形成的阻焊图案为图16所示的结构，厚度18μm的导体布线2被厚度38μm的阻焊层3所被覆，相邻的连接焊盘6间的中间点至宽度20μm的部分具有厚度38μm的阻焊层3。但是，取决于观察位置，曝光步骤中的位置偏移使得绝缘性基板1上的阻焊层3与连接焊盘6发生接触。由于这种状态，无法确保用于保证电极端子与连接焊盘的电连接的焊料量，接合时引起连接不良，位置偏移的阻焊层3妨碍部件实装。

（比较例3）

对覆铜层叠板（面积170mm×200mm、铜箔厚18μm、基材厚度0.4mm）使用减成法，制作具有布线宽度50μm、布线间隔50μm的导体布线的电路基板。接着，使用真空层合机，将厚度30μm的阻焊膜（太阳インキ（太阳油墨）制造（株）制、商品名：PFR−800 AUS410）真空热压合于上述电路基板上（层合温度75℃，抽吸时间30秒，加压时间10秒）。由此形成从绝缘性基板表面至阻焊层表面的膜厚为38μm的阻焊层。

以曝光量1000mJ/cm²对阻焊层整面进行曝光，之后，在150℃实施60分钟热固化处理。在热固化处理后的阻焊层表面形成湿式喷砂用的图案，将其作为掩模，进行湿式喷砂处理，直至连接焊盘表面露出。之后，除去掩模图案。形成的阻焊图案为图11所示的结构，通过光学显微镜对其进行观察，结果厚度18μm的导体布线2被厚度38μm的阻焊层3所被覆，厚度18μm的连接焊盘6的金属表面露出，相邻的连接焊盘6间嵌入了阻焊层3。但是，相邻的连接焊盘6间嵌入的阻焊层的厚度存在偏差，存在连接焊盘6的金属表面未完全露出而残留阻焊层的部位。另外，表面露出的连接焊盘6上，大量确认到喷砂处理所形成的损伤。

（实施例6～27）

使用表1记载的碱水溶液，以与实施例2相同的方法进行阻焊图案的形成。薄膜化处理后，对进行了薄膜化的部分的阻焊层的厚度进行10点测定，求出最大值和最小值。结果示于表1。在实施例2、6～27中，在使用无机碱性化合物的含量为3～25质量%的水溶液的情形（实施例2、7～27）中，形成了膜厚最大值与膜厚最小值之差足够小，薄膜化后的面内均一性非常良好的阻焊图案。在无机碱性化合物的含量为1质量%的实施例6中，确认到膜厚最大值与膜厚最小值之差稍大、薄膜化后的面内均一性变差的倾向。对于薄膜化速度，实施例2、6～12的比较中浓度为7质量%的情形，实施例13～18的比较中浓度为20质量%的情形中，薄膜化速度最大，较之高浓度的情形中，薄膜化速度有降低的倾向。另外，根据无机碱性化合物的种类，薄膜化处理所需的时间不同，特别是使用偏硅酸钠时，可得到非常快的薄膜化速度。

（实施例28～41）

对覆铜层叠板使用减成法制作具有导体布线的电路基板后，通过化学研磨处理对导体电路表面进行表面粗糙化，除了分别使用表2中记载的碱水溶液来作为碱水溶液之外，以与实施例2相同的方法进行阻焊图案的形成。为了调查通过薄膜化处理所露出的连接焊盘的表面粗糙化表面有无阻焊剂残渣，对露出的铜表面进行了非电解镀镍处理。另外，根据需要进行镀覆前处理，具有残渣时，对其除去性也进行调查。评价基准如下所述。结果示于表2。特别是使用含有偏硅酸钠的碱水溶液时，在表面粗糙化表面上也没有确认到阻焊剂成分的残渣。

○：没有阻焊剂成分的残渣

△：有极微量的残渣，但为容易通过镀覆前处理除去的水平

×：有大量的残渣，为不容易通过镀覆前处理除去的水平

[表2]

（实施例42～55）

除了使用表3中记载的碱水溶液之外，以与实施例2相同的方法进行阻焊图案的形成。薄膜化处理后，对进行了薄膜化的部分的阻焊层的厚度进行10点测定，求出最大值和最小值。结果示于表3。在使用有机碱性化合物的含量为5～25质量%的水溶液的情形中，形成了膜厚最大值与膜厚最小值之差足够小、薄膜化后的面内均一性非常良好的阻焊图案。在有机碱性化合物的含量为3质量%以下的实施例42、实施例43中，确认到膜厚最大值与膜厚最小值之差稍大、薄膜化后的面内均一性变差的倾向。

[表3]

(注)TMAH：四甲基氢氧化铵。

（实施例56～63）

对覆铜层叠板使用减成法制作具有导体布线的电路基板后，通过化学研磨处理对导体电路表面进行表面粗糙化，除了分别使用表4中记载的碱水溶液来作为碱水溶液之外，以与实施例2相同的方法进行阻焊图案的形成。为了调查通过薄膜化处理所露出的连接焊盘的表面粗糙化表面有无阻焊剂残渣，对露出的铜表面进行了非电解镀镍处理。另外，根据需要进行镀覆前处理，具有残渣时，对其除去性也进行调查。评价基准如下所述。结果示于表4。即使是使用有机碱性化合物时，也为表面粗糙化表面上的阻焊剂成分的残渣可容易通过镀覆前处理除去的水平，在实用上没有问题。

[表4]

(注)TMAH：四甲基氢氧化铵。

＜钠离子浓度的测定＞

将实施例1、实施例2、实施例19、实施例47、实施例53、比较例1中制作的阻焊图案分别用100℃的热水进行离子提取后，通过离子色谱法从提取液测定钠离子浓度。结果示于表5。使用含有有机碱性化合物的碱水溶液时，基本没有钠离子在阻焊层中的混入。另一方面，使用含有无机碱性化合物的碱水溶液时，确认到与比较例1中的显影处理相同程度的钠离子在阻焊层中的混入。但在实施例1中，使用无机碱性化合物对阻焊层整面进行薄膜化处理时，钠离子的混入量少。由此可知，钠离子的混入主要在存在阻焊层的曝光部时有增大的倾向。

[表5]

(注)TMAH：四甲基氢氧化铵。

（实施例64～91）

在阻焊层的薄膜化处理中，除了使用表6记载的碱水溶液（液温25℃），并且在水洗处理之前使用表7所示步骤（E）的水溶液进行喷雾处理（喷雾压力0.20MPa）之外，以与实施例28相同的方法进行阻焊图案的形成。另外，步骤（E）的水溶液的pH通过添加稀浓度的硫酸来进行调整。薄膜化处理后，对进行了薄膜化的部分的阻焊层的厚度进行10点测定，求出最大值和最小值。结果示于表7。步骤（E）的水溶液的pH为5.0～10.0时，膜厚最大值与膜厚最小值之差小、薄膜化后的面内均一性良好。步骤（E）的水溶液的pH为10.3的实施例67中，确认到膜厚最大值与膜厚最小值之差稍大、薄膜化后的面内均一性变差的倾向。

进而，为了调查通过薄膜化处理所露出的连接焊盘的表面粗糙化表面有无阻焊剂残渣，对露出的铜表面进行了非电解镀镍处理。另外，根据需要进行镀覆前处理，具有残渣时，对其除去性也进行调查。结果示于表7。步骤（E）的水溶液的液温为22～50℃时，存在温度上升的同时阻焊剂成分的残渣残留变得难以发生的倾向，27℃以上则未确认到残渣残留。步骤（E）的水溶液的液温为20℃的实施例68、实施例76、实施例86中，确认到阻焊剂成分的残渣变得容易残留的倾向。

[表6]

(注)TMAH：四甲基氢氧化铵。

[表7]

（实施例92～93）

为了调查连续薄膜化处理的稳定性，在阻焊层的薄膜化处理中，除了使用表8记载所示的碱水溶液（25℃），并且在水洗处理之前使用表8所示步骤（E）的水溶液进行喷雾处理（喷雾压力0.20MPa）之外，以与实施例2相同的方法进行阻焊图案的形成。连续薄膜化处理中，不在每1张处理调整步骤（E）的水溶液的pH，薄膜化处理第1张与薄膜化处理第10张中，对进行了薄膜化的部分的阻焊层的厚度进行10点测定，调查最大值和最小值。结果与步骤（E）的水溶液的pH值一起示于表9。利用碱水溶液的处理之后，利用水洗处理进行薄膜化的实施例2、实施例20中，存在随着薄膜化处理张数的增加，膜厚最大值与膜厚最小值之差变大，薄膜化后的面内均一性变差的倾向。水洗处理之前进行了步骤（E）的实施例92、实施例93中，步骤（E）的水溶液具有缓冲能力，因而10张薄膜化处理后的该水溶液的pH小于10，膜厚最大值与膜厚最小值之差也小，薄膜化后的面内均一性良好。

[表8]

[表9]

（实施例94）

除了在阻焊层的薄膜化处理中，进行以喷雾压力0.1MPa喷射碱水溶液的喷雾处理之外，以与实施例2相同的方法进行阻焊图案的形成。调整喷雾喷射时间，以使薄膜化后的阻焊层的厚度平均为12μm。通过喷雾喷射供给碱水溶液时，碱水溶液中大量产生的气泡附着于待薄膜化的阻焊层表面，局部未薄膜化的厚膜部分作为膜厚不均而被确认到。因此，将喷雾压力降低至0.03MPa，以使气泡不发生，在碱水溶液喷射后的溶液的回收通路也配置泡捕集用的过滤器，结果将如上所述产生的局部膜厚不均降低至实用上没有问题的水平。

产业实用性

本发明的阻焊图案的形成方法可适用于，例如，在具备倒装芯片连接用的连接焊盘的电路基板中形成阻焊图案的用途。

符号说明

1　绝缘性基板

2　导体布线

3　阻焊层

4　光掩模

5　活性光线

6　连接焊盘

Claims (28)

1.阻焊图案的形成方法，其特征在于，依次含有：

（A1）在具有连接焊盘的电路基板的表面形成阻焊层的步骤，

（B1）不进行阻焊层的曝光工序，利用碱水溶液进行薄膜化，直至没有固化的阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的步骤。

2.阻焊图案的形成方法，其特征在于，含有：

（A2）在具有连接焊盘和导体布线的电路基板的表面形成阻焊层的步骤，

（C）将进行薄膜化直至阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的区域之外的部分曝光的步骤，

（B2）利用碱水溶液对阻焊层进行薄膜化，直至没有照射活性光线进行固化的非曝光部的阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的步骤。

3.权利要求2所述的阻焊图案的形成方法，其中，在（A2）步骤与（C）步骤之间，含有（D）利用碱水溶液对没有曝光的阻焊层整面进行薄膜化的步骤。

4.阻焊图案的形成方法，其特征在于，依次含有：

（A3）在具有连接焊盘和高度比连接焊盘低的导体布线的电路基板的表面形成阻焊层的步骤，

（B3）利用碱水溶液进行薄膜化，直至没有曝光的阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下、且较导体布线的厚度厚的步骤。

5.权利要求1～4中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱水溶液为含有无机碱性化合物的水溶液，该无机碱性化合物的含量为3～25质量%。

6.权利要求5所述的阻焊图案的形成方法，其中，无机碱性化合物为选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐中的至少任意1种。

7.权利要求5所述的阻焊图案的形成方法，其中，无机碱性化合物的含量为5～20质量%。

8.权利要求5所述的阻焊图案的形成方法，其中，无机碱性化合物的含量为7～15质量%。

9.权利要求5所述的阻焊图案的形成方法，其中，无机碱性化合物为碱金属硅酸盐。

10.权利要求9所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱金属硅酸盐的含量为5～25质量%。

11.权利要求9所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱金属硅酸盐的含量为7～20质量%。

12.权利要求9所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱金属硅酸盐为偏硅酸钠。

13.权利要求5所述的阻焊图案的形成方法，其中，无机碱性化合物为碱金属磷酸盐。

14.权利要求13所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱金属磷酸盐的含量为5～20质量%。

15.权利要求13所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱金属磷酸盐的含量为7～15质量%。

16.权利要求13所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱金属磷酸盐为选自磷酸三钠、磷酸三钾中的至少1种。

17.权利要求5所述的阻焊图案的形成方法，其中，无机碱性化合物为碳酸钾。

18.权利要求17所述的阻焊图案的形成方法，其中，碳酸钾的含量为3～15质量%。

19.权利要求17所述的阻焊图案的形成方法，其中，碳酸钾的含量为5～10质量%。

20.权利要求1～4中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱水溶液为含有有机碱性化合物的水溶液。

21.权利要求20所述的阻焊图案的形成方法，其中，有机碱性化合物的含量为5～25质量%。

22.权利要求21所述的阻焊图案的形成方法，其中，有机碱性化合物的含量为7～20质量%。

23.权利要求21所述的阻焊图案的形成方法，其中，有机碱性化合物的含量为10～20质量%。

24.权利要求20所述的阻焊图案的形成方法，其中，有机碱性化合物为选自四甲基氢氧化铵、三甲基−2−羟基乙基氢氧化铵中的至少任1种。

25.权利要求1～4中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱水溶液的pH为12.5以上。

26.权利要求25所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱水溶液的pH为13.0以上。

27.权利要求1～4中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，在利用碱水溶液对阻焊层进行薄膜化的步骤之后，含有（E）用含有碱性化合物且该碱性化合物的含量较碱水溶液少、pH为5.0～10.0、温度为22～50℃的水溶液进行处理的步骤。

28.权利要求1～4中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，利用碱水溶液对阻焊层进行薄膜化的步骤是利用浸渍处理进行的。