KR101385284B1 - 에칭액, 에칭액에 첨가되는 첨가제 및 에칭액을 사용하는 기판의 제조 방법 - Google Patents

에칭액, 에칭액에 첨가되는 첨가제 및 에칭액을 사용하는 기판의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

에칭 가공능력을 향상시킨 에칭액에 관하여 개시된다. 게시된 에칭액은 용매와 염화구리를 포함하는 에칭 성분과 첨가제를 포함하고, 상기 첨가제는 하기 화학식 1에 의해 나타낸 단량체 단위를 포함하는 분산제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure 112012046754542-pat00010

상기 식에서, 단량체 단위의 n과 m의 조성비는 2:8 내지 6:4이고, n 또는 m은 1 내지 1000의 수이다.
상기 구성을 갖는 본 발명에 따른 에칭액은 용액의 젖음성이 좋고, 에칭의 균일도, 직전성 및 에칭 가공능력이 향상되는 효과가 있다.

Description

에칭액, 에칭액에 첨가되는 첨가제 및 에칭액을 사용하는 기판의 제조 방법{ETCHANT AND ADDITIVES FOR ETCHANT AND SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD USING ETCHANT}
본 발명은 에칭액에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 효율적으로 금속층을 에칭할 수 있는 에칭액, 에칭액에 첨가되는 첨가제 및 에칭액을 사용하는 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 COF(Chip On Film) 기판 또는 PCB(Printed Circuit Board) 기판 등의 전자 부품의 에칭가공에 사용되는 에칭액에 관한 것으로, 보다 상세하게는 첨가제를 혼합하여 미세에칭 가공능력을 향상시킨 에칭액, 에칭액에 첨가되는 첨가제, 에칭액을 사용하는 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 COF(Chip On Film) 기판 또는 PCB(Printed Circuit Board) 기판 등의 전자 부품은 에칭 가공에 의해 제조된다. 상기 에칭 가공은 소재의 표면에 소정의 감광 물질을 도포하고, 필름이나 유리 등으로 만들어진 패턴(Pattern)을 그 위에 부착한 상태에서 노광을 한 후, 현상 및 에칭과정을 포함한다.
상세하게 설명하면, 소재의 불순물을 세정하는 전처리단계와, 감광성 수지막인 포토레지스트를 소재의 표면에 균일하게 도포하는 포토레지스트 도포단계와, 포토레지스트를 도포한 소재를 제작하고자 하는 형상과 동일하게 패턴이 형성된 상하의 필름 사이에 삽입하여 광을 조사함으로써 제품형상을 제본하는 노광단계와, 비노광부를 소정의 세척액에 의해 세척하고 노광부의 포토레지스트막을 경화시키는 현상단계와, 에칭액을 소재의 양면에 분무시킴으로써 화학적 식각에 의해 소정 형태의 제품형상을 형성하는 에칭단계와, 잔존하는 포토레지스트를 제거하는 박리단계 및 그 이후의 후공정단계 등을 거치게 된다.
상기 에칭액은 염화구리(CuCl2)와 같은 에칭 성분에 염산 등의 첨가물과 물을 일정한 분율로 혼합한 것을 사용하게 된다. 상기 에칭액에는 첨가제로서 계면활성제 등이 사용될 수 있다. 따라서 에칭액을 조절하는 공정변수로는 에칭액의 이온 농도, 염산 농도, 에칭액의 비중 등이 관련된다.
이러한 통상의 에칭액의 경우, 온도 및 공정 조건에 따라 유기물의 안정성이 떨어지고, 이로 인해 제품의 배선 형성시 직진성 및 쇼트 불량이 발생한다. 구체적으로 보면, 물 내에서 유기물과 물의 결합은 수소결합이다. 반면에, 물 내에 Cu, Fe, SO4, Cl 등의 이온은 물과 이온결합을 형성하게 되는데, 상기 유기물의 수소결합은 이온결합보다 약한 결합을 형성하여, 온도에 따라 수소결합이 떨어지고 유기물이 부유된다.
따라서, 공정 탱크 내부 히터에서 국부적인 열이 가해지고 45℃에서는 바닥에서 용출현상이 발생하고 액이 불투명해지며, 50℃에서는 부유물이 발생하고 이 이상의 온도에서는 부유물 발생이 더 많아진다. 온도 및 공정조건에 따라 유기물의 안정성이 떨어지는바 제품 배선 형성시 직진성 및 쇼트 불량이 발생하고, 미세 에칭 가공이 곤란한 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 에칭액에 특정 성분의 첨가제를 함유시켜, 미세에칭 가공능력을 향상시킨 에칭액, 에칭액에 첨가되는 첨가제 및 에칭액을 사용하는 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 에칭액은 용매와 염화구리를 포함하는 에칭 성분과 첨가제를 포함하고, 상기 첨가제는 하기 화학식 1에 의해 나타낸 단량체 단위를 포함하는 분산제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 에칭액에 첨가되는 첨가제는 계면활성제를 포함하고, 상기 계면활성제는 하기 화학식 1에 의해 나타낸 단량체 단위를 포함하는 분산제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 에칭액을 사용하는 기판의 제조 방법은 기판 상에 식각 대상층을 형성하는 단계와; 상기 식각 대상층 상에 마스크를 패터닝하는 단계와; 에칭액을 기판 상에 분무시킴으로써 식각하는 단계를 포함하고, 상기 식각하는 단계에서 사용되는 에칭액은, 용매와 염화구리를 포함하는 에칭 성분과 첨가제를 포함하고, 상기 첨가제는 하기 화학식 1에 의해 나타낸 단량체 단위를 포함하는 분산제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure 112012046754542-pat00001
상기 식에서, 단량체 단위의 n과 m의 조성비는 2:8 내지 6:4이고, n 또는 m은 1 내지 1000의 수이다.
본 발명에 따른 에칭액, 에칭액에 첨가되는 첨가제 및 에칭액을 사용하는 기판의 제조 방법은 에칭후의 잔사제거, 거품제거에 효과가 있는 PO와 수용성에 가깝고 용액을 안정화시키는데 효과가 있는 EO를 포함하고, 용액의 젖음성이 좋고, 에칭의 균일도, 직전성 및 에칭 가공능력이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 EO-PO 비율에 따른 실험 결과에 대한 사진이다.
도 2는 실험예 3의 실험 결과에 대한 사진이다.
도 3은 실험예 4의 실험 결과에 대한 사진이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 에칭액은 용매와 염화구리를 포함하는 에칭 성분 및 첨가제를 포함한다.
상기 용매는 유기용매 또는 무기용매일 수 있으며, 더 자세하게는 물일 수 있다.
상기 에칭 성분은 기판의 식각 대상층과 화학 반응하여 식각하는 물질로 염화철 및/또는 구리를 더 포함할 수 있다. 상기 염화구리는 30~300g/L, 염화철은 200~300g/L, 자세하게는 220~260g/L, 더 자세하게는 240g/L이고, 구리는 5~20g/L, 자세하게는 10~15g/L, 더 자세하게는 13g/L일 수 있다. 상기 염화구리는 염화철 및/또는 구리와 함께 사용될 경우 자세하게는 50~60g/L, 더 자세하게는 53g/L일 수 있으며, 단독으로 사용될 경우 자세하게는 200~300g/L, 더 자세하게는 220g/L일 수 있다. 상기 염화철은 제이염화철(FeCl3)이 포함될 수 있으며, 상기 제이염화철의 함량이 증가하면 식각속도를 올릴 수 있다.
상기 첨가제는 하기 화학식 1에 의해 나타낸 단량체 단위를 포함하는 분산제를 포함한다. 상기 분산제의 농도는 2~20g/L 이고, 자세하게는 2~5g/L이고, 더 자세하게는 4g/L일 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112012046754542-pat00002
상기 분산제는 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 공중합체(이하 "EO-PO"라 한다.)일 수 있으며, 상기 화학식 1은 프로필렌 옥사이드와 에틸렌 옥사이드가 결합하여 형성될 수 있고, 이 때 사용되는 촉매는 KOH 또는 붕산일 수 있다. 상기 화학식 1의 말단에는 하기 화학식 2로 종결될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112012046754542-pat00003
상기 화학식 2의 R은 알킬 알콜류일 수 있으며, 자세하게는 알킬 알코올, 알킬 다이올, 알킬 트리올 또는 알킬 테트라올 일 수 있고, 더 자세하게는 상기 알킬은 C1~10일 수 있다. 상기 n은 1 내지 1000의 수일 수 있고, 자세하게는 1 내지 200의 수일 수 있고, 더 자세하게는 55일 수 있다. 상기 m은 1 내지 1000의 수일 수 있고, 자세하게는 1 내지 300의 수일 수 있고, 더 자세하게는 129일 수 있다. 상기 공중합체의 중량 평균 분자량은 6000 내지 10000일 수 있고, 자세하게는 8000내지 9000일 수 있고, 더 자세하게는 8740일 수 있다. 상기 n과 m의 조성비는 2:8 내지 6:4일 수 있고, 자세하게는 3:7 내지 6:4이고, 더 자세하게는 5:5일 수 있다. 이에 따라 직진성과 에칭 팩터가 향상되고 쇼트현상이 감소한다. 그 실험 결과는 도 1과 같다.
상기 공중합체에서 PO의 비율이 80~90%이면, 거품을 제거하는데 효과가 있다. 또한, PO의 비율이 50% 이상이면 에칭 후의 잔사제거에 대해 효과가 있다. 상기 공중합체에서 EO의 비율이 높으면 상대적으로 수용성에 가까운 부분의 함량증가로 용액을 안정화시킬 수 있다.
상기 EO-PO는 용액의 분산성을 좋게하며, 배선의 상면을 증가시켜 에칭 팩터를 향상시킨다. 에칭 팩터란, 식각 대상층의 두께를 H, 기판 측의 배선패턴폭(이하 "하면 배선폭"이라 한다.)을 B, 식각 대상층 표면 측의 배선패턴폭(이하 "상면 배선폭"이라 한다.)을 T로 했을 경우 이하와 같이 나타낼 수 있다.
에칭 팩터 = 2×H/(B-T)
T의 값이 B의 값에 가까울수록 수직에 가까운 상태로 에칭을 하는 것이 되므로, 에칭팩터가 클수록 양호한 배선패턴을 형성하고 있는 것이 된다. 상기 EO-PO는 안정적인 용제로서 배선의 상면을 보호하여 에칭 팩터를 향상시키고 미세패턴의 구현이 가능하며, 에칭 균일도를 높일 수 있다.
상기 첨가제에는 포스페이트계 계면활성제가 더 포함될 수 있다. 상기 포스페이트계 계면활성제는 자세하게는 알킬 포스페이트이고, 더 자세하게는 C1~30 알킬 포스페이트계이다. 포스페이트계 계면활성제는 음이온 계면활성제로 용액의 젖음성을 좋게할 수 있다. 특히, COF 기판의 경우 기판 상에 시드층과 금속층으로 이루어지는 식각 대상층이 형성되고, 마스크가 패터닝된 후, 에칭액이 분사되어 식각 단계가 이루어지는데, 상기 시드층이 Ni-Cr 합금층으로 형성될 경우, 하면 배선부에 용액 젖음성이 좋아지고, 에칭 팩터를 향상시키며, Ni-Cr 합금층의 잔류를 낮게할 수 있다.
상기 에칭액에는 용매, 에칭성분 및 첨가제 외에 수용성 글리콜류, Amine-EO-PO, 인산 및 염산이 더 포함될 수 있다. 상기 수용성 글리콜류는 자세하게는 에틸렌 글리콜 또는 프로필렌 글리콜일 수 있다. 수용성 글리콜류의 농도는 5~50g/L, 자세하게는 10~20g/L, 더 자세하게는 14g/L 일 수 있다. 상기 Amine-EO-PO는 강산과 함께 혼합되더라도 안정성이 있으며 2~10g/L, 더 자세하게는 6g/L 일 수 있다. 상기 인산은 인산염과 비교하여 쇼트현상을 줄이고, 용액을 안정화한다. 인산의 농도는10~50g/L, 자세하게는 25~35g/L, 더 자세하게는 31g/L일 수 있다. 염산의 농도는 10~50g/L, 자세하게는 30~40g/L, 더 자세하게는 33g/L일 수 있다.
상기 에칭액을 사용하여 COF 기판 또는 PCB 기판을 제조한다.
COF 기판의 경우, 기판 상에 시드층과 금속층으로 이루어진 식각 대상층을 형성한다. 상기 기판은 폴리이미드 필름일 수 있다. 상기 시드층은 자세하게는 합금층, 더 자세하게는 Ni-Cr 합금층으로 스퍼터링법에 의해 형성될 수 있다. 상기 시드층 상에 형성되는 금속층은 더 자세하게는 구리층으로 스퍼터링법에 의해 형성될 수 있다. 나아가, 상기 구리층 상에 습식도금법에 의해 구리층을 더 형성하였다. 스퍼터링법에 의해 형성한 구리층의 박막은 습식 전기도금을 행하기 위한 금속층이다. 상기 식각 대상층 상에 제작하고자 하는 형상과 동일하게 마스크를 패터닝한다. 상기 마스크는 포토레지스트로 형성될 수 있으며, 노광 및 현상 공정을 거쳐 형성될 수 있다. 상기 마스크가 형성된 기판 상에 상기 에칭액을 스프레이 분사시킴으로써 화학적 식각에 의해 패턴을 식각하여 형성한다. 이 후, 잔존하는 마스크를 제거하는 공정을 진행한다. 이 때, 공정온도는 38~50℃일 수 있다.
PCB 기판의 경우, 기판 상에 식각 대상층을 형성한다. 상기 기판은 절연필름인 폴리이미드 필름 일 수 있다. 상기 식각 대상층은 구리층으로 형성될 수 있다. 상기 노광 및 현상 공정을 통해 마스크를 패터닝 한다. 상기 마스크는 DFR층일 수 있다. 상기 마스크가 형성된 기판 상에 상기 에칭액을 스프레이 분사시킴으로써 화학적 식각에 의해 패턴을 식각하여 형성한다. 이 후, 잔존하는 마스크를 제거하는 공정을 진행한다. 이 때, 공정온도는 38~50℃일 수 있다.
상기 COF 기판 또는 PCB 기판을 제조하는 공정에서 상기 에칭액을 스프레이 분사시킴으로써 화학적 식각에 의해 패턴을 식각하는 단계는, Inline TOC(total organic carbon) 장비의 적용을 통해 유기물 함량관리가 가능할 수 있다.
Organic + S2O8 -2 + heat + pressure → CO2 + H2O + SO4 -2
상기 화학식에 따라 Inline TOC 장비를 통해 유기물의 농도의 변화를 지속적으로 모니터링하고 유지할 수 있다. 에칭액 내의 유기물은 쇼트 불량을 유발할 수 있는 물질로 실시간 모니터링이 필요하다.
따라서, 본 발명에서는 에칭후의 잔사제거, 거품제거에 효과가 있는 PO와 수용성에 가깝고 용액을 안정화시키는데 효과가 있는 EO를 포함하고, 용액의 젖음성이 좋고, 에칭의 균일도, 직전성 및 에칭 가공능력이 향상되는 효과가 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
실험예 1: 첨가제
에칭 가공능력을 향상시키기 위해 포스페이트계 계면활성제와 분산제를 포함하여 첨가제를 제조하였다.
EO(Ethylene Oxide)/PO(Propylene Oxide) 부가반응은 다음과 같은 순서로 요약할 수 있다. 반응기와 응축기, 알킬아민을 고온(오븐기 사용)에서 dehydration 시킨다. 반응기를 설치한 후 알킬아민을 투입한다. 적당한 온도에서 알킬아민을 천천히 교반한다. 반응기내의 산소를 제거한다. 응축기의 온도를 충분히 냉각 -10 ℃ 이하로 유지시키고, 촉매로서 알카리화합물 1.5wt%을 투입한다. 혼합물의 온도를 EO부가가 가능한 정도까지 상승시킨다. 이때 교반 속도는 촉매가 날리지 않도록 서서히 교반한다. 반응물 내부 온도가 EO부가 가능 온도 70~75℃에 도달하면, EO를 천천히 투입하면서 EO부가를 시작한다. 이때, 반응온도는 적정의 범위를 갖으며, 반응온도 이하로 하락할 경우 반응기 내부에 EO의 축적을 의미하므로 즉시 EO의 공급을 중단한다. 반응기내에 미반응 EO의 농도가 상승할 경우 부반응물의 생성 및 폭발의 가능성이 높아지므로 반드시 반응온도를 유지하여야 한다. 합성 후 30 분간 질소 퍼지를 통해 반응기 내의 미반응 EO를 제거한다. EO부가가 완료되면, PO를 천천히 투입하면서 PO부가를 시작한다. 이때, 반응온도는 70~75℃ 적정의 범위를 갖으며, 반응온도 이하로 하락할 경우 반응기 내부에 PO의 축적을 의미하므로 즉시 PO의 공급을 중단한다. 반응기내에 미반응 PO의 농도가 상승할 경우 부반응물의 생성 및 폭발의 가능성이 높아지므로 반드시 반응온도를 유지하여야 한다. 합성 후 30 분간 질소 퍼지를 통해 반응기 내의 미반응 PO를 제거한다. 60℃정도에서 샘플링한 뒤 FTIR 정성분석, GPC 분자량 분석, NMR EO/PO비율 분석을 진행하였다.
중합성 단량체인 프로필렌 옥사이드(Propylene Oxide) 220g과 에틸렌 옥사이드(Ethylene Oxide) 516g과 1,2-디아미노에탄 240g을 혼합하여 1,2-디아미노에탄 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 공중합체를 형성했다. 하기 반응식 1과 같이 프로필렌 옥사이드와 에틸렌 옥사이드가 반응하여 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 공중합체가 형성되었다.
[반응식 1]
Figure 112012046754542-pat00004
이 때, 촉매는 KOH가 사용되며, n과 m은 55과 129로 형성되고, 분자량은 8740으로 형성되었다. 상기 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 공중합체 말단에 1,2-디아미노에탄이 형성되어 중합이 종결되었다.
상기 포스페이트계 계면활성제는 알킬 포스페이트로 구체적으로는 포스페이트(한농화성, L-565P)가 사용되었다. 상기 첨가제는 포스페이트 0.5g/L, 분산제 4g/L를 혼합하여 제조하였다.
실험예 2: 에칭액
[베이스 용액의 합성 1]
베이스 용액은 에칭 성분인 염화구리 53g/L, 염화철 240g/L, 구리 13g/L와 기타 첨가물인 수용성 글리콜류(한농화성 뷰틸트리글리콜) 14g/L, 1,2-디아미노에탄 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 6g/L, 인산 31g/L을 염산 33g/L을 혼합하여 베이스 용액 1을 제조했다.
[베이스 용액의 합성 2]
베이스 용액은 에칭 성분인 염화구리 220g/L와 기타 첨가물인 수용성 글리콜류(한농화성 뷰틸트리글리콜) 14g/L, 1,2-디아미노에탄 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 6g/L, 인산 31g/L을 염산 33g/L을 혼합하여 베이스 용액 2를 제조했다.
[에칭액의 합성]
상기 실험예 1에서 제조된 첨가제에 용매인 물과 상기 베이스 용액 1 또는 베이스 용액 2를 혼합하여 제조했다.
이 때, 공정 조건은 압력 0.2kgf/cm2, 온도 45℃와 같다.
실험예 3 : COF 기판의 제조 방법
막두께 18um의 절연필름인 폴리이미드필름(도레이, F-grade) 상에 시드층과 금속층으로 이루어진 식각대상층을 형성했다. 시드층으로 두께 250um의 Ni-Cr 합금층을 스퍼터링법에 의해 형성하고, 상기 시드층 상에 두께 1um의 구리층을 스퍼터링법에 의해 형성하였다. 나아가, 상기 구리층 상에 습식도금법에 의해 두께 8um의 구리층을 형성하였다. 스퍼터링법에 의해 형성한 구리층의 박막은 습식 전기도금을 행하기 위한 금속층이다. 상기 구리층 상에 포토레지스트를 사용하여 마스크를 패터닝했다.
이 후, 상기 기판에 대해 실험예 2에서 형성한 에칭액으로 식각하여 COF 기판을 제조했다. 온도 45℃, 에칭압력 0.5kgf/cm2, Oscillation 40Hz, 에칭속도는 0.62m/min의 공정 조건에서 상기 에칭액을 상기 기판에 스프레이 분사를 했다. 하기 반응식2, 반응식 3에 의해 상기 식각 대상층이 식각되었다.
[반응식 2]
CuCl2 + Cu → 2CuCl
[반응식 3]
Cu + FeCl3 → 2FeCl2
이로써, 상면 배선폭이 8.2um, 하면 배선폭이 9.5um의 배선 패턴을 제작했다. 형성된 패턴은 에칭팩터가 13.3이고, 잔류물도 없고 양호한 배선을 형성하였다. 또한, 결과를 도 2에 나타낸다.
실험예 4 : PCB 기판의 제조 방법
막두께 18um의 절연필름인 폴리이미드필름(도레이, F-grade) 상에 두께 18um의 구리층을 스퍼터링법에 의해 형성하고, 상기 구리층 상에 습식도금법에 의해 두께 20um의 DFR을 형성하였다. 상기 DFR을 현상하고 노광하여 마스크를 패터닝 했다.
이 후, 상기 기판에 대해 실험예 2에서 형성한 에칭액으로 식각하여 PCB 기판을 제조했다. 온도 50℃, 에칭 압력 2.0kgf, Oscillation 45Hz, 시간 85초의 공정 조건에서 기판 상에 상기 에칭액을 스프레이 분사하여 구리층을 식각하였다. 상면 배선폭이 40±3um, 하면 배선폭이 50±5um이고 에칭팩터가 평균 4.0인이며 그 균일도가 ±20% 이내로 쇼트 문제가 발생하지 않고 양호한 배선을 형성하였다. 또한, 결과를 도 3에 나타낸다.

Claims (15)

  1. 용매와 염화구리를 포함하는 에칭 성분과 첨가제를 포함하고,
    상기 첨가제는 하기 화학식 1에 의해 나타낸 단량체 단위를 포함하는 분산제를 포함하고, 상기 화학식 1을 포함하는 분산제의 말단은 하기 화학식 2인 것을 특징으로 하는 에칭액:
    [화학식 1]
    Figure 112013102937976-pat00014

    [화학식 2]
    Figure 112013102937976-pat00015

    상기 식에서,
    단량체 단위의 n과 m의 조성비는 2:8 내지 6:4이고,
    n 또는 m은 1 내지 1000의 수이고,
    R은 알킬 알콜, 알킬 다이올, 알킬 트리올 또는 알킬 테트라올이다.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 단량체 단위의 n과 m의 조성비는 3:7 내지 6:4 인 것을 특징으로 하는 에칭액.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 첨가제는 포스페이트계 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭액.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 에칭 성분은 염화철 및 구리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭액.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 염화철은 제이염화철(FeCl3)인 것을 특징으로 하는 에칭액.
  7. 계면활성제를 포함하고,
    상기 계면활성제는 하기 화학식 1에 의해 나타낸 단량체 단위를 포함하는 분산제를 포함하고, 상기 화학식 1을 포함하는 분산제의 말단은 하기 화학식 2인 것을 특징으로 하는 에칭액에 첨가되는 첨가제:
    [화학식 1]
    Figure 112013102937976-pat00016

    [화학식 2]
    Figure 112013102937976-pat00017

    상기 식에서,
    단량체 단위의 n과 m의 조성비는 2:8 내지 6:4이고,
    n 또는 m은 1 내지 1000의 수이고,
    R은 알킬 알콜, 알킬 다이올, 알킬 트리올 또는 알킬 테트라올이다.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 단량체 단위의 n과 m의 조성비는 3:7 내지 6:4 인 것을 특징으로 하는 에칭액.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 첨가제는 포스페이트계 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭액.
  11. 기판 상에 식각 대상층을 형성하는 단계와;
    상기 식각 대상층 상에 마스크를 패터닝하는 단계와;
    에칭액을 기판 상에 분무시킴으로써 식각하는 단계를 포함하고,
    상기 식각하는 단계에서 사용되는 에칭액은,
    용매와 염화구리를 포함하는 에칭 성분과 첨가제를 포함하고,
    상기 첨가제는 하기 화학식 1에 의해 나타낸 단량체 단위를 포함하는 분산제를 포함하고, 상기 화학식 1을 포함하는 분산제의 말단은 하기 화학식 2인 것을 특징으로 하는 에칭액을 사용하는 기판 제조 방법:
    [화학식 1]
    Figure 112013102937976-pat00018

    [화학식 2]
    Figure 112013102937976-pat00019

    상기 식에서,
    단량체 단위의 n과 m의 조성비는 2:8 내지 6:4이고,
    n 또는 m은 1 내지 1000의 수이고,
    R은 알킬 알콜, 알킬 다이올, 알킬 트리올 또는 알킬 테트라올이다.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 식각 대상층을 형성하는 단계는,
    기판 상에 시드층 및 금속층을 형성하고,
    상기 시드층은 Ni-Cr 합금층인 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 식각 대상층을 형성하는 단계는,
    기판 상에 금속층을 형성하고,
    상기 금속층은 구리층인 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    공정 온도는 38~50℃인 것을 특징으로 하는 에칭액을 사용하는 기판의 제조 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    에칭액을 기판 상에 분무시킴으로써 식각하는 단계는,
    Inline TOC(Total Organic Carbon) 장비를 이용하여 상기 에칭액의 유기물이 일정 농도를 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법.


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