KR20150084206A - 패키지용 기판 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 패키지용 기판 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 하나의 실시예에 따라, 상부에 전극패드들이 형성된 미피복 기판 상에 전극패드들을 커버하도록 솔더레지스트층을 형성하는 단계; 솔더레지스트층을 전극패드들의 일부 또는 전부를 커버하는 제1 영역과 제1 영역 외에 형성된 제2 영역을 포함하는 영역들로 나누어 일부 영역을 노광시키는 단계; 및 노광 영역과 비노광 영역을 포함하는 솔더레지스트층을 고에너지 광을 이용하여 현상하되, 제1 영역의 잔여 높이가 제2 영역보다 낮고 제1 영역 내의 전극패드들의 적어도 상부면이 노출되도록 고에너지 광으로 현상하는 단계;를 포함하는 패키지용 기판 제조방법이 제안된다.
Description
본 발명은 패키지용 기판 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는 플라즈마 에칭, 박막화 약품 또는 현상액을 사용하지 않는 패키지용 기판 제조방법에 관한 것이다.
인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 제작시, 솔더레지스트(SR, Solder Resist) 공정에 있어서 솔더레지스트(SR) 오프닝은 패키징될 칩과 전기적 연결을 하는 통로를 확보하기 위해 필요한 작업이다. 최근 3D 패키징(packaging)이 각광받고 있고, 해당하는 기술적 요구조건을 충족시키기 위해 SR의 다층화가 요구되고 있다. 그 중 Cu 패턴 혹은 Cu 패드가 노출되도록 솔더레지스트를 형성시키는데, 이를 구현하기 위해서는 버핑(Buffing)을 이용하는 방법, 플라즈마 에칭(Plasma etching)을 이용하는 방법, 박막화 약품을 이용하는 방법, 그리고 일반적인 현상약품을 이용하는 방법 등이 알려져 있다. 여기서 버핑이나 플라즈마 에칭은 일단 SR을 경화시킨 후 물리적 혹은 물리화학적인 방법으로 SR을 Cu 높이 이하로 만드는 방법이고, 박막화 약품 방식 또는 현상약품 방식은 SR의 비노광부위(미경화부위)에 박막화 화학약품을 이용하거나 또는 기존의 현상액의 농도 또는 현상시간을 조절하여 SR을 Cu 높이 이하로 만드는 화학적 방법이다. 버핑이나 플라즈마 에칭 방식에 비하여 박막화 약품 또는 현상약품 방식이 공정이 단순하고 물리적 타력을 쓰지 않기 때문에 품질적 리스크가 작으나, 박막화 약품은 다양한 SR에 대한 적용에 한계가 있고, 기존 현상약품을 이용하는 방법은 SR의 불균일한 용해에 따라 두께 조절을 하는데 한계가 있다.
전술한 문제를 해결하고자, 고에너지 광을 이용해 노광 및 비노광 부위를 선택적으로 현상하여 패키징 기판을 제조하는 방법을 제시하고자 한다.
전술한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 하나의 모습에 따라, 상부에 전극패드들이 형성된 미피복 기판 상에 전극패드들을 커버하도록 솔더레지스트층을 형성하는 단계; 솔더레지스트층을 전극패드들의 일부 또는 전부를 커버하는 제1 영역과 제1 영역 외에 형성된 제2 영역을 포함하는 영역들로 나누어 일부 영역을 노광시키는 단계; 및 노광 영역과 비노광 영역을 포함하는 솔더레지스트층을 고에너지 광을 이용하여 현상하되, 제1 영역의 잔여 높이가 제2 영역보다 낮고 제1 영역 내의 전극패드들의 적어도 상부면이 노출되도록 고에너지 광으로 현상하는 단계;를 포함하는 패키지용 기판 제조방법이 제안된다.
이때, 하나의 예에서, 고에너지 광으로 현상하는 단계에서는 노광 영역과 비노광 영역에서의 솔더레지스트층의 내부 결합 강도 차이에 따라 제1 영역의 현상 깊이가 제2 영역보다 깊게 형상될 수 있다.
이때, 또 하나의 예에서, 일부 영역을 노광시키는 단계에서, 네거티브 타입의 솔더레지스트층의 제1 영역 이외의 영역을 광경화반응 파장대역의 광(光)으로 노광시켜 광경화시키고, 고에너지 광으로 현상하는 단계에서, 광경화반응 파장대역 외의 고에너지 광으로 현상시킬 수 있다.
또는, 다른 하나의 예에서, 일부 영역을 노광시키는 단계에서, 포지티브 타입의 솔더레지스트층의 제1 영역을 노광시킬 수 있다.
또 하나의 예에 따르면, 고에너지 광으로 현상하는 단계에서, 고에너지 광으로 적외선 광 또는 자외선 광이 사용될 수 있다.
또한, 하나의 예에서, 고에너지 광으로 현상하는 단계에서, 제1 영역의 솔더레지스트층의 높이가 제1 영역 내의 전극패드들의 상부면보다 낮게 현상될 수 있다.
또 하나의 예에서, 일부 영역을 노광시키는 단계에서, 제2 영역은 제1 영역의 외곽에 형성될 수 있다.
게다가, 하나의 예에서, 패키지용 기판 제조방법은 고에너지 광으로 현상된 솔더레지스트층을 포스트 경화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
이때, 또 하나의 예에서, 포스트 경화된 솔더레지스트층의 제1 영역과 제2 영역의 표면특성이 다르게 형성될 수 있다.
또한, 이때, 하나의 예에서, 포스트 경화된 솔더레지스트층의 제1 영역의 표면조도는 제2 영역보다 크게 형성될 수 있다.
또한, 하나의 예에 따르면, 일부 영역을 노광시키는 단계에서, 솔더레지스트층은 제1 영역, 제2 영역 및 제1 및 제2 영역의 외곽에 형성된 제3 영역을 포함하는 영역들로 나눠지고, 제1 노광 영역, 제2 노광 영역 및 비노광 영역이 형성되도록 일부 영역에 대하여 노광에너지를 달리하여 순차 노광될 수 있다. 또한, 고에너지 광으로 현상하는 단계에서, 제1 및 제2 노광 영역 및 비노광 영역은 고에너지 광을 이용하여 현상되되 제1 영역의 잔여 높이가 제2 영역보다 낮고 제1 영역 내의 전극패드들의 적어도 상부면이 노출되고 제2 영역의 잔여 높이가 제3 영역보다 낮도록 현상될 수 있다.
이때, 또 하나의 예에서, 포스트 경화된 솔더레지스트층의 제1 영역의 표면조도는 제2 및 제3 영역의 표면조도보다 크게 형성될 수 있다.
또 하나의 예에 따르면, 일부 영역을 노광시키는 단계에서 제2 영역은 제1 영역의 외곽에 형성되고, 패키지용 기판 제조방법은: 포스트 경화된 솔더레지스트층 상에 추가 솔더레지스트를 도포하고 부분 노광하고 현상하여 제2 영역의 가장자리 영역에서 돌출된 제3 영역을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이때, 또 하나의 예에서, 제3 영역이 형성 후 경화된 솔더레지스트층의 표면조도의 크기는 제1 영역이 상기 제2 및 제3 영역 보다 크게 형성될 수 있다.
게다가, 하나의 예에 있어서, 고에너지 광으로 현상하는 단계에서, 엑시머 UV를 이용하여 광현상이 수행될 수 있다.
이때, 또 하나의 예에서, 엑시머 UV의 파장은 300㎚ 이하일 수 있다.
본 발명의 하나의 실시예에 따라, 고에너지 광을 이용해 노광 및 비노광 부위를 선택적으로 현상하여 패키징 기판을 제조할 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 에칭, 박막화 약품 또는 현상액을 사용하지 않고서도 일부 영역의 전극패드를 노출시키는 패키징 기판을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 하나의 실시예에 따르면, 종래의 버핑 방식이나 플라즈마 에칭 방식에 비해 공정수가 줄어들고, 종래의 박막화 약품 방식과 달리 약품 소모가 없으며, 종래의 현상액 방식보다 현상깊이의 산포제어에 유리할 수 있다.
게다가, 본 발명의 또 하나의 예에 따라, 솔더레지스트 표면을 개질시켜 패키징 특성을 좋게 만들 수 있다. 예컨대, 기존 대비 SR 표면 개질의 효과를 줄 수도 있어 복합적인 목적이 필요할 경우 더 유용할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따라 직접적으로 언급되지 않은 다양한 효과들이 본 발명의 실시예들에 따른 다양한 구성들로부터 당해 기술분야에서 통상의 지식을 지닌 자에 의해 도출될 수 있음은 자명하다.
도 1a 내지 1d는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 패키지용 기판 제조방법에서 각 단계별 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
전술한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 설명될 것이다. 본 설명에 있어서, 동일부호는 동일한 구성을 의미하고, 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 이해를 도모하기 위하여 부차적인 설명은 생략될 수도 있다.
본 명세서에서 하나의 구성요소가 다른 구성요소와 연결, 결합 또는 배치 관계에서 '직접'이라는 한정이 없는 이상, '직접 연결, 결합 또는 배치'되는 형태뿐만 아니라 그들 사이에 또 다른 구성요소가 개재됨으로써 연결, 결합 또는 배치되는 형태로도 존재할 수 있다.
본 명세서에 비록 단수적 표현이 기재되어 있을지라도, 발명의 개념에 반하거나 명백히 다르거나 모순되게 해석되지 않는 이상 복수의 구성 전체를 대표하는 개념으로 사용될 수 있음에 유의하여야 한다. 본 명세서에서 '포함하는', '갖는', '구비하는', '포함하여 이루어지는' 등의 기재는 하나 또는 그 이상의 다른 구성요소 또는 그들의 조합의 존재 또는 부가 가능성이 있는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 참조되는 도면들은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 예시로써, 모양, 크기, 두께 등은 기술적 특징의 효과적인 설명을 위해 과장되게 표현된 것일 수 있다.
본 발명의 하나의에 따른 패키지용 기판 제조방법을 도면을 참조하여 구체적으로 살펴볼 것이다. 이때, 참조되는 도면에 기재되지 않은 도면부호는 동일한 구성을 나타내는 다른 도면에서의 도면부호일 수 있다.
도 1a 내지 1d는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 패키지용 기판 제조방법에서 각 단계별 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1a 내지 1c를 참조하면, 하나의 예에 따른 패키지용 기판 제조방법은 솔더레지스트층 형성 단계(도 1a 참조), 일부 영역 노광 단계(도 1b 참조) 및 고에너지 광 현상 단계(도 1c 참조)를 포함하여 이루어진다. 또한, 도 1d를 참조하면, 하나의 예에서, 패키지용 기판 제조방법은 포스트 경화 단계(도 1d 참조)를 더 포함할 수 있다.
도 1a를 참조하면, 솔더레지스트층 형성 단계에서, 상부에 전극패드들(30)이 형성된 미피복 기판(10) 상에 전극패드들(30)을 커버하도록 솔더레지스트층(50')이 형성된다. 본 발명에서 미피복 기판(10)이란, 솔더레지스트층(50')이 피복되기 전의 기판을 말한다.
다음, 도 1b를 참조하면, 일부 영역 노광 단계에서, 솔더레지스트층(50')이 노광된다. 도 1b에서 도면부호 50'b는 도 1a의 솔더레지스트층 형성단계에서 형성된 솔러레지스트층(50')이 노광된 영역, 예컨대 제2 영역(50'b)을 나타낸다. 먼저, 솔더레지스트층(50')이 영역들로 나뉘고, 이중 일부 영역이 노광된다. 솔더레지스트층(50')의 영역들은 전극패드들(30)의 일부 또는 전부를 커버하는 제1 영역(50'a)과 제1 영역(50'a) 외에 형성된 제2 영역(50'b)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 영역(50'a)과 제2 영역(50'b) 중 일부 영역이 노광될 수 있다. 도시되지 않았으나, 포토마스크를 이용하여 일부 영역이 노광되도록 할 수 있다. 예컨대, 네거티브 방식의 경우, 추후 현상으로 제거되지 않을 제2 영역(50'b)에 대하여 노광이 수행될 수 있다. 예컨대, 일부 영역 노광 단계에서의 노광은 광반응 파장대역의 광(光), 예컨대, 자외선 광, 가시광 또는/및 적외선 광을 사용하여 이루어질 수 있다. 이때, 광반응 파장대역은 솔더레지스트(SR)에 포함된 광개시제에 따라 결정될 수 있다.
예컨대, 하나의 예에서, 일부 영역 노광 단계에서, 제2 영역(50'b)은 제1 영역(50'a)의 외곽에 형성되도록 솔더레지스트층(50')의 영역들이 나뉠 수 있다.
예컨대, 하나의 예에서, 일부 영역 노광 단계에서, 네거티브 타입의 솔더레지스트층(50')의 제1 영역(50'a) 이외의 영역을 광경화반응 파장대역의 광(光)으로 노광시켜 광경화시킬 수 있다. 예컨대, 일부 영역 노광 단계에서의 노광은 광경화반응 파장대역의 광(光), 예컨대, 자외선 광, 가시광 또는/및 적외선 광을 사용하여 이루어질 수 있다. 즉, 솔더레지스트(SR)에 포함된 광개시제의 반응 파장 대역의 자외선 광, 가시광 또는/및 적외선 광을 사용하여 노광 영역을 광경화시킬 수 있다. 예를 들면, 365㎚, 405㎚, 436㎚의 3개 파장을 주축으로 하는 광대역램프를 광원으로 하여 광경화시킬 수 있다.
네거티브 솔더레지스트(SR)의 경우, 광경화반응 파장대역의 광(光)이 조사되면 광경화반응을 일으켜 솔더레지스트(SR)의 단분자 내지 고분자간 가교결합(Crosslinking)이 이루어진다. 가교(Crosslinked)된 부분은 원소들간의 공유결합이나 이온결합 등의 분자내결합(Intramolecular bonding)과 같은 화학결합이 이루어져 단분자가 거의 없는 고분자 상태로 되고, 노광되지 않은 영역의 단분자 내지 고분자 상호 간에 분자간결합(Intermolecular bonding) 상태로 유지된다.
또는, 도시되지 않았으나, 다른 하나의 예에서, 일부 영역 노광 단계에서, 포지티브 타입의 솔더레지스트층의 제1 영역을 노광시킬 수 있다. 이때, 포지티브 광반응을 일으키는 파장대역의 광(光)을 조사시켜 제1 영역이 포지티브 노광되도록 할 수 있다. 이때, 포지티브 솔더레지스트의 경우, 네거티브 솔더레지스트와 달리 가교의 정도가 변화되는 것이 아니라, 솔더레지스트가 광반응 파장대역의 광(光) 조사에 따라 분자조성이 현상이 가능한 조성으로 변하게 된다.
다음으로, 도 1c를 참조하면, 고에너지 광 현상 단계에서, 고에너지 광이 사용되어, 노광 영역과 비노광 영역을 포함하는 솔더레지스트층(50')이 현상된다. 이때, 제1 영역(50'a)의 잔여 높이가 제2 영역(50'b)보다 낮고 제1 영역(50'a) 내의 전극패드들(30)의 적어도 상부면이 노출되도록 고에너지 광으로 솔더레지스트층(50')이 현상된다. 예컨대, 파장대역과, 노광량 또는/및 노광시간을 조절하여 고에너지 광이 조사되도록 할 수 있다.
예컨대, 고에너지 광 현상 단계에서, 고에너지 광으로 자외선 광 또는 적외선 광이 사용될 수 있다. 예컨대, 고에너지 광으로 자외선(UV) 광이 사용될 수 있다. 고에너지 광의 파장대역은 일부 영역 노광 단계(도 1b 참조)에서 사용된 광(光)의 광반응 파장대역을 고려하여 결정될 수 있다. 예컨대, 광반응 파장대역 외의 단파장의 고에너지 광을 조사시키면, 솔더레지스트층(50') 내부로의 투과도가 좋지 않아 표면 근처에서만 물리화학적 변화를 일으키며 광분해 또는 광현상될 수 있다. 예컨대, 솔더레지스트층(50')의 경화영역과 미경화 또는 반경화 영역에 고에너지 광(光)이 조사되면 미경화 또는 반경화 영역 표면은 경화영역 표면보다 상대적으로 광분해 반응이 더 많이 일어나고 이러한 광분해 반응이 연속적으로 진행되어 제1 영역(50'a)과 제2 영역(50'b) 간 단차를 형성시킬 수 있다.
예컨대, 솔더레지스트(SR)가 네거티브 광반응하는 경우, 고에너지 광 현상 단계에서, 광경화반응 파장대역 외의 고에너지 광으로 솔더레지스트층(50')이 현상될 수 있다. 예컨대, 광경화반응 파장대역보다 작은 파장대역의 고에너지 광으로 솔더레지스트층(50')이 현상될 수 있다. 예를 들면, 일부 영역 노광 단계(도 1b 참조)에서 예컨대, 365 ~ 436㎚ 파장대역의 광(光)으로 노광시킨 경우 이보다 작은 파장대역인, 예컨대 300㎚ 이하의 파장대를 갖는 고에너지 UV 광으로 솔더레지스트층(50')이 현상될 수 있다.
또는, 솔더레지스트(SR)가 포지티브 광반응하는 경우, 고에너지 광 현상 단계에서, 솔더레지스트층(50')이 광반응 파장대역 외의 고에너지 광 또는 포지티브 광반응 파장대역의 고에너지 광으로 포지티브 광분해 또는 광현상될 수 있다. 이때, 예컨대 포토마스크(도시되지 않음)를 이용하여 분자 조성이 변화된 포지티브 노광영역, 예컨대 제1 영역(50'a)의 표면에 대해서만 광조사시켜 광분해할 수 있다.
도 1c를 참조하여 하나의 예에 따르면, 고에너지 광 현상 단계에서, 노광 영역과 비노광 영역에서의 솔더레지스트층(50')의 내부 결합 강도 차이에 따라 제1 영역(50'a)의 현상 깊이가 제2 영역(50'b)보다 깊게 형상될 수 있다. 솔더레지스트의 노광 영역과 비노광 영역의 결합강도 차이를 이용해서 광화학분해(Photo-chemical decomposition)를 통한 현상 깊이가 영역별로 선택적으로 조절될 수 있다.
통상적으로, 네거티브 솔더레지스트(SR)를 예컨대 자외선(UV) 노광하면 광경화반응을 일으켜 분자간 가교결합(Crosslinking)이 이루어지고, 가교(Crosslinked)된 영역은 원소들간의 공유결합이나 이온결합 등의 분자내결합(Intramolecular bonding)과 같은 화학결합이 이루어지게 된다. 반면, 가교결합되지 않은 단분자 내지 고분자는 상호 간에 분자간결합(Intermolecular bonding)을 형성하고 있다. 단위분자 내의 원소들간 또는 가교(Crosslinked)된 고분자들 간에 이루어진 분자내결합(Intramolecular bonding)의 대표적인 예는 공유결합(Covalent bonding) 등이 있고, 분자간결합(Intermolecular bonding)의 대표적인 예는 반데르발스결합(Van der Waals bonding), 수소결합(Hydrogen bonding) 등이 있다. 일반적으로 분자내결합(Intramolecular bonding)이 분자간결합(Intermolecular bonding)에 비해 아주 강한 것으로 알려져 있다. 즉, 외부로부터 에너지를 받으면, 분자간결합(Intermolecular bonding) 영역이 분자내결합(Intramolecular bonding) 영역보다 상대적으로 분해 반응이 쉽게 일어난다. 종래의 현상액, 박막화 약품 등을 이용한 현상반응(분해)이 그 예인데, 예컨대 네거티브 타입의 경우, 노광되지 않은 영역은 광경화되어 있지 않으므로 분자들간 분자간결합(Intermolecular bonding)을 이루고 있어 광경화에 의해 가교결합된 영역보다 결합력이 약하므로 현상되기 쉽다. 결합강도(Bonding strength)를 나타내는 해리에너지(Dissociation energy)를 결합형태별로 살펴보면, 예컨대 분자내결합인 공유결합의 해리에너지는 개략적으로 400 kcal/mol 정도인 반면, 분자간 결합인 수소결합은 대략 12-16 kcal/mol 정도, 쌍극자-쌍극자 결합은 0.5-2 kcal/mol 정도, 반데르발스 결합은 대략 1 kcal/mol 미만으로, 분자내결합(Intramolecular bonding)보다 분자간결합(Intermolecular bonding)을 쉽게 해리할 수 있다.
포지티브 솔더레지스트(SR)의 경우, 고에너지 광 현상 단계에서, 광반응 파장대역의 고에너지 광을 분자 조성이 변화된 포지티브 광반응 영역에 대해서만 조사시켜 광분해 반응이 일어나도록 할 수도 있다.
또한, 도 1c를 참조하면 하나의 예에서, 고에너지 광 현상 단계에서, 제1 영역(50'a)의 솔더레지스트층(50')의 높이가 제1 영역(50'a) 내의 전극패드들(30)의 상부면보다 낮게 현상될 수 있다.
예컨대, 또 하나의 예에서, 고에너지 광 현상 단계에서는, 자외선(UV) 광, 예컨대, 엑시머 UV를 이용하여 광현상이 수행될 수 있다.
예컨대, 이때, 엑시머 UV의 파장은 300㎚ 이하일 수 있다.
다음으로, 도 1d를 참조하면, 하나의 예에 따른 패키지용 기판 제조방법은 포스트 경화 단계를 더 포함할 수 있다. 이때, 포스트 경화 단계에서는, 고에너지 광으로 현상된 솔더레지스트층(50')이 포스트 경화된다. 도 1d에서 도면부호 50은 포스트 경화된 솔더레지스트층을 나타낸다.
예컨대, 이때, 포스트 경화된 솔더레지스트층(50)의 제1 영역(50a)과 제2 영역(50b)의 표면특성이 다르게 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 영역(50a)과 제2 영역(50b)의 표면조도, 표면에너지, 젖음성(Wettability) 또는 표면색상(광택)이 다르게 형성될 수 있다.
도 1d에서, 하나의 예에 따르면, 포스트 경화된 솔더레지스트층(50)의 제1 영역(50a)의 표면조도는 제2 영역(50b)보다 크게 형성될 수 있다. 도 1d에서, 도면부호 50a는 포스트 경화된 솔더레지스트층의 제1 영역이고, 도면부호 50b는 포스트 경화된 솔더레지스트층의 제2 영역이다.
도시되지 않았으나, 또 하나의 예에 따른 패키지용 기판 제조방법을 살펴본다. 하나의 예에 따르면, 일부 영역 노광 단계(도 1b 참조)에서, 도시되지 않았으나, 솔더레지스트층(50')이 제1 영역(50'a), 제2 영역(50'b) 및 제1 및 제2 영역(50'b)의 외곽에 형성된 제3 영역(도시되지 않음)을 포함하는 영역들로 나눠질 수 있다. 이때, 제1 노광 영역, 제2 노광 영역 및 비노광 영역이 형성되도록 일부 영역에 대하여 노광에너지를 달리하여 순차 노광될 수 있다.
또한, 직접 도시되지 않았으나 도 1c를 참조하면, 고에너지 광 현상 단계에서, 제1 및 제2 노광 영역 및 비노광 영역은 고에너지 광을 이용하여 현상될 수 있다. 이때, 제1 영역(50'a)의 잔여 높이가 제2 영역(50'b)보다 낮고 제1 영역(50'a) 내의 전극패드들(30)의 적어도 상부면이 노출되고 제2 영역(50'b)의 잔여 높이가 제3 영역보다 낮도록 현상될 수 있다.
예컨대, 솔더레지스트층(50)에서 잔여 높이가 가장 높은 영역의 표면조도, 표면에너지 또는 젖음성(Wettability)이 상대적으로 가장 낮을 수 있다. 또한, 하나의 예에서, 솔더레지스트층(50)에서 잔여 높이가 가장 낮은 영역의 표면조도, 표면에너지 또는 젖음성(Wettability)이 상대적으로 가장 높을 수 있다.
예컨대, 하나의 예에서, 포스트 경화된 솔더레지스트층(50)의 제1 영역(50a)의 표면조도는 제2 및 제3 영역의 표면조도보다 크게 형성될 수 있다.
또한, 도시되지 않았으나, 다른 하나의 예에 따르면, 패키지용 기판 제조방법은 도 1d의 포스트 경화 단계 이후에 제3 영역 형성 단계를 더 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 우선, 도 1b의 일부 영역 노광 단계에서, 제2 영역(50'b)은 제1 영역(50'a)의 외곽에 형성될 수 있다. 또한, 도 1d의 포스트 경화 단계 이후 제3 영역 형성 단계에서는, 포스트 경화된 솔더레지스트층(50) 상에 추가 솔더레지스트를 도포하고 부분 노광하고 현상하여 제2 영역(50b)의 가장자리 영역에서 돌출된 제3 영역(도시되지 않음)이 형성될 수 있다.
예컨대, 이때, 제3 영역(도시되지 않음)이 형성 후 경화된 솔더레지스트층(50)의 표면조도의 크기는 제1 영역(50a)이 상기 제2 및 제3 영역 보다 크게 형성될 수 있다.
전술한 본 발명의 실시예들 중 하나에 따르면, 종래의 솔더레지스트 1차 경화후 버핑(Buffing)을 통해 전극패드를 노출시키고 2차로 솔더레지스트를 도포하고 노광/현상하는 버핑 방식이나 솔더레지스트 도포 후 플라즈마 에칭을 통해 전극패드를 노출시키는 플라즈마 방식에 비해 공정수가 줄어든다. 또한, 본 발명의 하나의 예에 따라, 종래의 버핑 방식에 비해 전극패드가 들리는 리프트 리스크(Lift Risk)가 줄어든다. 또한, 종래의 버핑 방식에 비해 기계적 마모가 아니므로 솔더레지스트 표면의 상처가 줄어든다. 게다가, 종래의 버핑 방식에 비해 솔더레지스트의 높이를 비교적 자유롭게 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 하나의 예에 따르면, 종래에 박막화 약품을 사용하여 전극패드를 노출시키는 박막화 방식은 젖음 공정(Wet process)으로 약품이 필요한 반면, 본 발명의 예에서는 약품 소모가 없다.
또한, 본 발명의 하나의 예에 따르면, 종래의 현상액을 사용하여 전극패드를 노출시키는 방식보다 현상깊이의 산포제어에 유리하다.
게다가, 본 발명의 또 하나의 예에 따라, 솔더레지스트 표면을 개질시켜 패키징 특성을 좋게 만들 수 있다.
이상에서, 전술한 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 범주를 제한하는 것이 아니라 본 발명에 대한 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자의 이해를 돕기 위해 예시적으로 설명된 것이다. 또한, 전술한 구성들의 다양한 조합에 따른 실시예들이 앞선 구체적인 설명들로부터 당업자에게 자명하게 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명의 다양한 실시예는 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 범위는 특허청구범위에 기재된 발명에 따라 해석되어야 하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의한 다양한 변경, 대안, 균등물들을 포함하고 있다.
10: 기판
30: 전극패드
50, 50': 솔더레지스트층 50a, 50'a: 제1 영역
50b, 50'b: 제2 영역
50, 50': 솔더레지스트층 50a, 50'a: 제1 영역
50b, 50'b: 제2 영역
Claims (16)
- 상부에 전극패드들이 형성된 미피복 기판 상에 상기 전극패드들을 커버하도록 솔더레지스트층을 형성하는 단계;
상기 솔더레지스트층을 상기 전극패드들의 일부 또는 전부를 커버하는 제1 영역과 상기 제1 영역 외에 형성된 제2 영역을 포함하는 영역들로 나누어 일부 영역을 노광시키는 단계; 및
노광 영역과 비노광 영역을 포함하는 상기 솔더레지스트층을 고에너지 광을 이용하여 현상하되, 상기 제1 영역의 잔여 높이가 상기 제2 영역보다 낮고 상기 제1 영역 내의 상기 전극패드들의 적어도 상부면이 노출되도록 상기 고에너지 광으로 현상하는 단계;를 포함하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 고에너지 광으로 현상하는 단계에서는 상기 노광 영역과 상기 비노광 영역에서의 상기 솔더레지스트층의 내부 결합 강도 차이에 따라 상기 제1 영역의 현상 깊이가 상기 제2 영역보다 깊게 형상되는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 2에 있어서,
상기 일부 영역을 노광시키는 단계에서, 네거티브 타입의 상기 솔더레지스트층의 상기 제1 영역 이외의 영역을 광경화반응 파장대역의 광(光)으로 노광시켜 광경화시키고,
상기 고에너지 광으로 현상하는 단계에서, 상기 광경화반응 파장대역 외의 상기 고에너지 광으로 현상하는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 일부 영역을 노광시키는 단계에서, 포지티브 타입의 상기 솔더레지스트층의 상기 제1 영역을 노광시키는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 고에너지 광으로 현상하는 단계에서, 상기 고에너지 광으로 자외선 광 또는 적외선 광을 사용하는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 고에너지 광으로 현상하는 단계에서, 상기 제1 영역의 상기 솔더레지스트층의 높이가 상기 제1 영역 내의 상기 전극패드들의 상부면보다 낮게 현상되는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 일부 영역을 노광시키는 단계에서, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역의 외곽에 형성되는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 1 내지 7 중의 어느 하나에 있어서,
상기 고에너지 광으로 현상된 상기 솔더레지스트층을 포스트 경화시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 8에 있어서,
상기 포스트 경화된 상기 솔더레지스트층의 상기 제1 영역과 제2 영역의 표면특성이 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 9에 있어서,
상기 포스트 경화된 상기 솔더레지스트층의 상기 제1 영역의 표면조도는 상기 제2 영역보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 8에 있어서,
상기 일부 영역을 노광시키는 단계에서, 상기 솔더레지스트층은 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제1 및 제2 영역의 외곽에 형성된 제3 영역을 포함하는 영역들로 나눠지고, 제1 노광 영역, 제2 노광 영역 및 상기 비노광 영역이 형성되도록 상기 일부 영역에 대하여 노광에너지를 달리하여 순차 노광되고,
상기 고에너지 광으로 현상하는 단계에서, 상기 제1 및 제2 노광 영역 및 상기 비노광 영역은 상기 고에너지 광을 이용하여 현상되되 상기 제1 영역의 잔여 높이가 상기 제2 영역보다 낮고 상기 제1 영역 내의 상기 전극패드들의 적어도 상부면이 노출되고 상기 제2 영역의 잔여 높이가 상기 제3 영역보다 낮도록 현상되는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 11에 있어서,
상기 포스트 경화된 상기 솔더레지스트층의 상기 제1 영역의 표면조도는 상기 제2 및 제3 영역의 표면조도보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 8에 있어서,
상기 일부 영역을 노광시키는 단계에서 상기 제2 영역은 상기 제1 영역의 외곽에 형성되고,
상기 패키지용 기판 제조방법은: 상기 포스트 경화된 상기 솔더레지스트층 상에 추가 솔더레지스트를 도포하고 부분 노광하고 현상하여 상기 제2 영역의 가장자리 영역에서 돌출된 제3 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 13에 있어서,
상기 제3 영역이 형성 후 경화된 상기 솔더레지스트층의 표면조도의 크기는 상기 제1 영역이 상기 제2 및 제3 영역 보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 8에 있어서,
상기 고에너지 광으로 현상하는 단계에서, 엑시머 UV를 이용하여 광현상하는 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
- 청구항 15에 있어서,
상기 엑시머 UV의 파장은 300㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 패키지용 기판 제조방법.
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X601 | Decision of rejection after re-examination |