JPWO2009054076A1 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 61
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 47
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 27
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 79
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 36
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 29
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 silver ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/96—Porous semiconductor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
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Abstract
Description
本発明にかかる実施の形態1の太陽電池の製造方法を説明する。図1は、本実施の形態の製造方法を説明するフローチャートである。以下に、図1のフローチャートに従って本実施の形態の太陽電池の製造方法を説明する。
次に、本発明者は、金属イオン濃度を変えて多孔質層を形成したシリコン基板を用いて太陽電池の作製を行い、金属イオン濃度が太陽電池の特性に与える影響を調べたので、実施の形態2として以下に詳細に説明する。
Claims (6)
- シリコン基板の表面にテクスチャーを有する太陽電池の製造方法であって、
金属イオンを含有する酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液にシリコン基板を浸漬して当該シリコン基板表面に多孔質層を形成する第一工程と、
前記第一工程を経たシリコン基板表面をフッ化水素酸及び硝酸を主とした混酸に浸漬してエッチングしてテクスチャーを形成する第二工程と、
を備えることを特徴とした太陽電池の製造方法。 - 前記第二工程において使用される前記混酸は、50%フッ化水素酸の容量を1とした場合、60%硝酸の容量を6以上で混合された混酸である、
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記第二工程を経たシリコン基板をアルカリ薬液にてエッチングする第三工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第二工程は、前記混酸を循環または攪拌させながら前記第一工程を経たシリコン基板のエッチングを行う、
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記第一工程および/または前記第二工程において、前記シリコン基板を水平に設置、もしくは水平に搬送しながら浸漬する場合、上になった面を太陽電池の受光面とする、
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記第一工程に使用される金属イオンを含有する酸化剤とフッ化水素酸の前記混合水溶液における金属イオン濃度は、1E−4M以上かつ8E−4M未満である、
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2007/071172 WO2009054076A1 (ja) | 2007-10-24 | 2007-10-24 | 太陽電池の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010163724A Division JP2010245568A (ja) | 2010-07-21 | 2010-07-21 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4610669B2 JP4610669B2 (ja) | 2011-01-12 |
JPWO2009054076A1 true JPWO2009054076A1 (ja) | 2011-03-03 |
Family
ID=40579186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009506461A Expired - Fee Related JP4610669B2 (ja) | 2007-10-24 | 2007-10-24 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8119438B2 (ja) |
EP (1) | EP2182556B1 (ja) |
JP (1) | JP4610669B2 (ja) |
KR (1) | KR101088280B1 (ja) |
CN (1) | CN101573801B (ja) |
WO (1) | WO2009054076A1 (ja) |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8815104B2 (en) * | 2008-03-21 | 2014-08-26 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Copper-assisted, anti-reflection etching of silicon surfaces |
US8729798B2 (en) | 2008-03-21 | 2014-05-20 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Anti-reflective nanoporous silicon for efficient hydrogen production |
WO2009137241A2 (en) | 2008-04-14 | 2009-11-12 | Bandgap Engineering, Inc. | Process for fabricating nanowire arrays |
SG178834A1 (en) * | 2009-09-21 | 2012-04-27 | Basf Se | Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates |
US9034216B2 (en) | 2009-11-11 | 2015-05-19 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Wet-chemical systems and methods for producing black silicon substrates |
US8349626B2 (en) * | 2010-03-23 | 2013-01-08 | Gtat Corporation | Creation of low-relief texture for a photovoltaic cell |
CN102222722B (zh) * | 2010-04-14 | 2014-06-18 | 圆益Ips股份有限公司 | 太阳能电池元件的制备方法及利用该方法制备的太阳能电池元件 |
KR101052059B1 (ko) * | 2010-04-14 | 2011-07-27 | 김병준 | 태양전지용 결정계 실리콘 기판의 표면처리방법 및 태양전지 제조방법 |
US8828765B2 (en) | 2010-06-09 | 2014-09-09 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Forming high efficiency silicon solar cells using density-graded anti-reflection surfaces |
JP5459566B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2014-04-02 | 株式会社村田製作所 | 紫外線センサの製造方法 |
SG187756A1 (en) * | 2010-09-01 | 2013-03-28 | Basf Se | Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturizing surface of single crystal and polycrystal silicon substrates |
TWI447925B (zh) * | 2010-09-14 | 2014-08-01 | Wakom Semiconductor Corp | 單晶矽太陽能電池製造方法以及適用於單晶矽太陽能電池製造方法的蝕刻方法 |
CN104992990B (zh) * | 2010-12-30 | 2018-05-11 | 深圳市石金科技股份有限公司 | 一种降低硅片表面光反射率的方法 |
JP5703780B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2015-04-22 | 株式会社Sumco | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
CN103493214B (zh) * | 2011-01-26 | 2016-01-20 | 胜高股份有限公司 | 太阳能电池用晶片及其制备方法 |
JP2014512673A (ja) * | 2011-03-08 | 2014-05-22 | アライアンス フォー サステイナブル エナジー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 向上された青色感度を有する効率的なブラックシリコン光起電装置 |
CN102732969B (zh) * | 2011-04-11 | 2015-07-08 | 昆山中辰矽晶有限公司 | 晶棒表面纳米化制程及其晶圆制造方法 |
DE102011115532A1 (de) * | 2011-04-18 | 2012-10-18 | Sovello Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines texturierten Siliziumsubstrats |
JP5295437B2 (ja) * | 2011-05-02 | 2013-09-18 | 三菱電機株式会社 | シリコン基板の洗浄方法および太陽電池の製造方法 |
WO2012150627A1 (ja) * | 2011-05-02 | 2012-11-08 | 三菱電機株式会社 | シリコン基板の洗浄方法および太陽電池の製造方法 |
JP5880055B2 (ja) * | 2012-01-12 | 2016-03-08 | 株式会社Sumco | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
JP5724614B2 (ja) * | 2011-05-17 | 2015-05-27 | 株式会社Sumco | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
JP5724718B2 (ja) * | 2011-07-25 | 2015-05-27 | 株式会社Sumco | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
US8883543B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-11-11 | Sumco Corporation | Method of producing wafer for solar cell, method of producing solar cell, and method of producing solar cell module |
JP2013012705A (ja) * | 2011-06-01 | 2013-01-17 | Sumco Corp | 太陽電池用ウェーハ、太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
JP5957835B2 (ja) | 2011-09-28 | 2016-07-27 | 株式会社Sumco | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
CN102544199A (zh) * | 2011-12-15 | 2012-07-04 | 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 | 一种晶体硅电池酸制绒蜂窝结构的方法 |
TWI474392B (zh) * | 2012-03-03 | 2015-02-21 | Production method of silicon solar cell substrate | |
CN102637774A (zh) * | 2012-04-01 | 2012-08-15 | 吉阳设备(海安)有限公司 | 一种全自动化se电池量产腐蚀装置及加工方法 |
CN103390688A (zh) * | 2012-05-11 | 2013-11-13 | 华中科技大学 | 一种太阳能电池表面覆膜结构的制备方法 |
DE102012213793B3 (de) | 2012-08-03 | 2013-10-24 | Solarworld Innovations Gmbh | Untersuchung eines Siliziumsubstrats für eine Solarzelle |
WO2015055259A1 (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Classification of detected network anomalies using additional data |
CN104576830B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-02-22 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液、制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用 |
CN104962998A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-10-07 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 基于金刚线切割的硅片的制绒预处理方法及硅片制绒方法 |
CN104966762B (zh) * | 2015-07-09 | 2018-03-09 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法 |
CN104993019A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-10-21 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种局部背接触太阳能电池的制备方法 |
CN105220235B (zh) * | 2015-10-12 | 2017-12-08 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种单多晶制绒方法 |
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2007
- 2007-10-24 CN CN2007800493952A patent/CN101573801B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-24 EP EP07830906A patent/EP2182556B1/en not_active Not-in-force
- 2007-10-24 WO PCT/JP2007/071172 patent/WO2009054076A1/ja active Application Filing
- 2007-10-24 US US12/519,406 patent/US8119438B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-24 KR KR1020097013864A patent/KR101088280B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-24 JP JP2009506461A patent/JP4610669B2/ja not_active Expired - Fee Related
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EP2182556A1 (en) | 2010-05-05 |
EP2182556B1 (en) | 2013-01-16 |
KR20090087113A (ko) | 2009-08-14 |
CN101573801B (zh) | 2011-04-20 |
WO2009054076A1 (ja) | 2009-04-30 |
US8119438B2 (en) | 2012-02-21 |
US20100029034A1 (en) | 2010-02-04 |
EP2182556A4 (en) | 2011-05-18 |
CN101573801A (zh) | 2009-11-04 |
KR101088280B1 (ko) | 2011-11-30 |
JP4610669B2 (ja) | 2011-01-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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