JPWO2006132418A1 - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2006132418A1 JPWO2006132418A1 JP2007520206A JP2007520206A JPWO2006132418A1 JP WO2006132418 A1 JPWO2006132418 A1 JP WO2006132418A1 JP 2007520206 A JP2007520206 A JP 2007520206A JP 2007520206 A JP2007520206 A JP 2007520206A JP WO2006132418 A1 JPWO2006132418 A1 JP WO2006132418A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field plate
- electrode
- insulating film
- effect transistor
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 100
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 96
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 92
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 31
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 130
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 42
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 34
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 13
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- -1 SiON Chemical compound 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/404—Multiple field plate structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/802—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with heterojunction gate, e.g. transistors with semiconductor layer acting as gate insulating layer, MIS-like transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/812—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造と、
該III族窒化物半導体層構造上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域において、前記III族窒化物半導体層構造の上部に設けられるとともに、前記III族窒化物半導体層構造と絶縁された第一フィールドプレートと、
前記III族窒化物半導体層構造の上部に設けられるとともに、前記III族窒化物半導体層構造および前記第一フィールドプレートと絶縁された第二フィールドプレートと、
を含み、
前記第二フィールドプレートが、前記第一フィールドプレートと前記ドレイン電極との間の領域にあって前記第一フィールドプレートを前記ドレイン電極から遮蔽する遮蔽部を含み、
前記遮蔽部の上端が、前記第一フィールドプレートの上面よりも上部に位置しており、
ゲート長方向における断面視において、前記第一フィールドプレートと前記ゲート電極とから構成される構造体の上部に前記第二フィールドプレートがオーバーラップするオーバーラップ領域のゲート長方向の長さをLolとし、ゲート長をLgとしたときに、
0≦Lol/Lg≦1
である電界効果トランジスタが提供される。
0≦Lol/Lg≦1
となっている。
110 基板
111 窒化物半導体
112 ソース電極
113 ゲート電極
114 ドレイン電極
115 第1の絶縁膜
116 第1のフィールドプレート電極
117 第2の絶縁膜
118 第2のフィールドプレート電極
119 遮蔽部
131 AlNバッファ層
132 GaN層
133 AlGaN層
図1は、本実施の形態の窒化物半導体電界効果トランジスタの構成を示す断面図である。図1に示した電界効果トランジスタ100は、窒化物半導体を用いたHJFETであって、デュアルフィールドプレート構造を有するトランジスタである。
0≦Lol/Lg≦1
である。例えば、Lol=0、つまりLol/Lg=0とすることができる。
また、ゲート電極113の側面を被覆する第2の絶縁膜117に接して第2のフィールドプレート電極118が設けられ、ゲート長方向の断面視において、ゲート電極113端部からドレイン電極114に向かう第1のフィールドプレート電極116のゲート長方向の延出幅をLfp1、第2のフィールドプレート電極118の下面のゲート長方向の長さをLfp2、ゲート電極113とドレイン電極114との距離をLgd、第1のフィールドプレート電極116の側面における第2の絶縁膜117の厚さをd3、としたときに、
下記式(1)および式(2)を満たすように構成されていてもよい。
Lfp1+Lfp2+d3≦3/5×Lgd (2)
また、ゲート長方向の断面視において、第2のフィールドプレート電極118の下面のゲート長方向の長さをLfp2、第1のフィールドプレート電極116とゲート電極113との間の領域における第2のフィールドプレート電極118の遮蔽部119の下面と、窒化物半導体111との距離をd2、としたときに、下記式(3)を満たすように構成されていてもよい。
第1の絶縁膜115は、窒素を含む膜である。
(i)Lol=0、または
(ii)0<Lol/Lg≦1
が成り立つ構成となっている。
Lg:ゲート長、
Lfp1:ゲート電極113のドレイン側端部から第1のフィールドプレート電極116のドレイン電極114側端部までの長さ、
Lfp2:第2のフィールドプレート電極118の下面のゲート長方向の長さ、つまり、遮蔽部119のゲート側端部から第2のフィールドプレート電極118のドレイン側端部までの第2のフィールドプレート118下面のゲート長方向の長さ、
Lfd:第1のフィールドプレート電極116とゲート電極113とから構成される構造体と第2のフィールドプレート電極118の第2の絶縁膜117を挟んでの交差量、
Lgd:ゲート電極113とドレイン電極114との間の距離、
Lfg:第1のフィールドプレート電極116とゲート電極113とから構成される構造体および第2の絶縁膜117と第2のフィールドプレート電極118の第2の絶縁膜117を挟んでの交差量、Lfg=Lol+d3である、
d1:第1のフィールドプレート電極116の底面と窒化物半導体111との距離。図2では、第1の絶縁膜115の厚さに対応する。
d2:第2のフィールドプレート電極118の底面(遮蔽部119の下面)と窒化物半導体111との距離。図2では、第1の絶縁膜115の厚さと第2の絶縁膜117の厚さの和に対応する。
d3:第1のフィールドプレート電極116(その側面)と第2のフィールドプレート電極118に挟まれた絶縁膜の厚さ。図2においては、第2の絶縁膜117のゲート長方向の厚さに対応する。
Lol:ゲート電極113と第1のフィールドプレート電極116とから構成される構造体と第2のフィールドプレート電極118とのオーバーラップ領域のゲート長方向の長さ。
ゲート長方向の長さLfp2は、例えば、
0.5×Lfp1≦Lfp2 (1)
とすることができる。こうすることにより、第1のフィールドプレート電極116とドレイン電極114との間の電気力線をさらに充分に遮断することができる。
Lfp1+Lfp2+d3≦3/5×Lgd (2)
を満たす構成とすることができる。こうすることにより、より一層ゲート耐圧を向上させることができる。また、上記式(1)および式(2)をともに満たす構成とすることがさらに好ましい。
d2≦0.5×Lfp2 (3)
とすることができる。上記構成は、例えば、第1の絶縁膜115の厚さおよび第2の絶縁膜117の厚さを、上記式(3)を満たす厚さになるよう調節することにより得られる。こうすれば、第1のフィールドプレート電極116とドレイン電極114間の電気力線をより一層充分に遮断することができる。
第1の実施の形態においては、第1のフィールドプレート電極116の下面(下端)が、遮蔽部119の下面(下端)よりも窒化物半導体111の側に位置する構成の場合について説明した。第1および以下の実施の形態に記載の電界効果トランジスタにおいて、遮蔽部119の下面(下端)が、第1のフィールドプレート電極116の下面(下端)よりも下部、すなわち窒化物半導体11側に位置する構成とすることもできる。本実施の形態では、このようなトランジスタについて、説明する。
以上の実施の形態においては、ゲート電極113と第1のフィールドプレート電極116が連続一体に形成された一体型の構成に関して説明したが、ゲート電極113と第1のフィールドプレート電極116が別個の部材に構造的に分離され、素子のアイソレーション領域(不図示)で電気的に接続する構成とすることもできる。本実施の形態は、こうした構成の電界効果トランジスタに関する。
本実施例では図3に示す電界効果トランジスタを作成し、従来のトランジスタと比較した。図3は、本実施例の電界効果トランジスタの構成を示す断面図である。図3に示した電界効果トランジスタにおいて、基板110として高抵抗SiC基板を用いた。
0≦Lol/Lg≦1
を満たす構成とすることにより、転換点を高周波数側に好適に維持することが可能であることが明らかになった。
以下の実施例においては、実施例1と異なる点を中心に説明する。
本実施例では、図3に示した電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極113と第1のフィールドプレート電極116とから構成される構造体と第2のフィールドプレート電極118の第2の絶縁膜117を挟んでの交差量Lfdの遮蔽効果への影響に関して調べた。各部材の構成は以下の通りである。なお、本明細書において、積層構造は、下層側(基板110に近い側)から順に、「下層/(中層/)上層」のように記載する。
基板110:高抵抗SiC基板
窒化物半導体111に対応する層:AlNバッファ層131(厚さ4nm)、GaN層132(厚さ2000nm)、AlGaN層133(Al組成比0.25、厚さ30nm)
第1の絶縁膜115:SiN膜、膜厚100nm
ソース電極112、ドレイン電極114:Ti/Al電極
ゲート電極113:ゲート長Lg=0.5μm
第1のフィールドプレート電極116:Ni/Au電極、Lfp1=0.5μm、ゲート電極113との一体型電極
第2の絶縁膜117:SiN膜、膜厚150nm
第2のフィールドプレート電極118:Ti/Pt/Au電極、Lfp2=1.0μm
Lfd=−0.5μm、−0.25μm、+0.25μm、+0.5μm、+0.75μm、+1.0μm
上記のように交差量Lfdの異なった素子を作製した。なお、Lfd=0において、第2の絶縁膜117と第2のフィールドプレート118の側面とが接し、Lfd<0では、これらが離隔している(図8)。また、配線工程において、第2のフィールドプレート電極118とソース電極112とを動作層領域にて電気的に接続した電界効果トランジスタ(図6)を作製した。図6に示した電界効果トランジスタにおいて、ソース・ドレイン間の距離Lsd=1.0μm、Lfd=1.5μmとした。
本実施例では、図3に示した電界効果トランジスタにおいて、第1のフィールドプレート電極116の長さLfp1と第2のフィールドプレート電極118の長さLfp2との関係について調べた。各部材の構成は以下の通りである。
基板110:高抵抗SiC基板
窒化物半導体111に対応する層:AlNバッファ層131(厚さ4nm)、GaN層132(厚さ2000nm)、AlGaN層133(Al組成比0.25、厚さ30nm)
第1の絶縁膜115:SiN膜、膜厚100nm
ソース電極112、ドレイン電極114:Ti/Al電極
ゲート電極113:ゲート長Lg=0.5μm
第1のフィールドプレート電極116:Ni/Au電極、Lfp1=0.5μm、ゲート電極113との一体型電極
第2の絶縁膜117:SiN膜、膜厚200nm(d3=0.2μm)
第2のフィールドプレート電極118:Ti/Pt/Au電極、Lfd=+0.75μm
Lfp2=0μm、0.1μm、0.25μm、0.5μm、0.75μm、1μm
得られたトランジスタ(図3)について、動作周波数5GHzでのパワー特性評価結果より求めた線形利得のLfp2依存性を評価した。図9は、結果を示す図である。
本実施例では、図3に示した電界効果トランジスタにおいて、第2のフィールドプレート電極118の長さLfp2の最大値について調べた。各部材の構成は以下の通りである。
基板110:高抵抗SiC基板
窒化物半導体111に対応する層:AlNバッファ層131(厚さ4nm)、GaN層132(厚さ2000nm)、AlGaN層133(Al組成比0.25、厚さ30nm)
第1の絶縁膜115:SiN膜、膜厚100nm
ソース電極112、ドレイン電極114:Ti/Al電極
ゲート電極113:ゲート長Lg=0.5μm
第1のフィールドプレート電極116:Ni/Au電極、Lfp1=0.3μm、ゲート電極113との一体型電極
第2の絶縁膜117:SiN膜、膜厚200nm(d3=0.2μm)
第2のフィールドプレート電極118:Ti/Pt/Au電極、Lfd=+0.75μm
Lfp2=0μm、0.3μm、0.9μm、1.7μm、および2.3μm
Lgd=3.5μm
また、Lfp1=0μm、Lfp2=0μmとしたトランジスタも比較のため作製した。
Lfp1+Lfp2+d3≦3/5×Lgd (2)
を満たす構成とすることにより、耐圧をさらに向上させることができる。
本実施例では、図3に示した電界効果トランジスタにおいて、第2のフィールドプレート電極118の長さLfp2と第2の絶縁膜117の厚さd2に関して調べた。各部材の構成は以下の通りである。
基板110:高抵抗SiC基板
窒化物半導体111に対応する層:AlNバッファ層131(厚さ4nm)、GaN層132(厚さ2000nm)、AlGaN層133(Al組成比0.25、厚さ30nm)
第1の絶縁膜115:SiN膜、膜厚100nm
ソース電極112、ドレイン電極114:いずれもTi/Al電極
ゲート電極113:ゲート長Lg=0.5μm
第1のフィールドプレート電極116:Ni/Au電極、Lfp1=0.5μm、ゲート電極113との一体型電極
第2の絶縁膜117:SiO2膜、膜厚0.1μm、0.3μm、0.5μm、および0.7μm
第2のフィールドプレート電極118:Ti/Pt/Au電極、Lfp2=1.0μm
また、第2の絶縁膜117のSiO2膜の厚さを0.1μmとした装置の一部を分割してSiO2膜をエッチング除去した装置を作成した。また、第2の絶縁膜117のSiO2膜の厚さを0.1μmとし、第1の絶縁膜115の厚さ100nmのうち50nm分をエッチング除去した後、その上層に第2のフィールドプレート電極118として、Lfp2=1.0μmのTi/Pt/Au電極を蒸着リフトオフにより形成した試料も作製した(図11)。
これより、
d2≦0.5×Lfp2 (3)
を満たす構成とすることにより、利得をさらに著しく向上させることができた。
図13は、本実施例の電界効果トランジスタの構成を示す断面図である。図13に示した電界効果トランジスタにおいて、基板110として高抵抗SiC基板を用いた。
以下の実施例では、実施例6と異なる点を中心に説明する。
本実施例では、図13に示したトランジスタについて、実施例2と同様に第1のフィールドプレート電極116と第2のフィールドプレート電極118の絶縁膜を挟んでの交差量Lfdの遮蔽効果に関して調べた。各部材の構成は以下の通りである。
基板110:高抵抗SiC基板
窒化物半導体111に対応する層:AlNバッファ層131(厚さ4nm)、GaN層132(厚さ2000nm)、AlGaN層133(Al組成比0.25、厚さ30nm)
第1の絶縁膜115:SiN膜、膜厚100nm
ソース電極112、ドレイン電極114:Ti/Al電極
ゲート電極113:ゲート長Lg=0.5μm、Pt/Au電極
第1のフィールドプレート電極116:Ti/Pt/Au電極、Lfg=0.5μm、Lfp1=0.8μm
Lfd=−0.5μm、−0.25μm、+0.25μm、+0.5μm、+0.75μm、+1.0μm
なお、ゲート長Lg=0.5μmのゲート電極113は、第1の絶縁膜115に0.2μm乗り上げる構造で形成した。また、Lfgは、ゲート長方向の断面視におけるゲート電極113の端部と第1のフィールドプレート電極116を被覆する第2の絶縁膜117の端部との距離であり、Lfg=Lfp1+d3である。
本実施例では、図13に示したトランジスタについて、第3の実施例と同様に第1のフィールドプレート電極116の長さLfp1と第2のフィールドプレート電極118の長さLfp2の関係について調べた。各部材の構成は以下の通りである。なお、本実施例においても、ゲート長Lg=0.5μmのゲート電極113を、第1の絶縁膜115に0.2μm乗り上げる構造で形成した。
基板110:高抵抗SiC基板
窒化物半導体111に対応する層:AlNバッファ層131(厚さ4nm)、GaN層132(厚さ2000nm)、AlGaN層133(Al組成比0.25、厚さ30nm)
第1の絶縁膜115:SiN膜、膜厚100nm
ソース電極112、ドレイン電極114:Ti/Al電極
ゲート電極113:ゲート長Lg=0.5μm、Pt/Au電極、Lgd=4.0μm
第1のフィールドプレート電極116:Ti/Pt/Au電極、Lfg=0.5μm、Lfp1=0.3μm
第2の絶縁膜117:SiN膜、膜厚200nm(d3=0.2μm)
第2のフィールドプレート電極118:Ti/Pt/Au電極
Lfp2=0μm、0.1μm、0.25μm、0.5μm、0.75μm、1μm
得られたトランジスタの動作周波数5GHzでのパワー特性を評価し、線形利得のLfp2依存性を求めた。その結果、本実施例においても、実施例3と同様に、第1のフィールドプレート電極116の長さLfp1と第2のフィールドプレート電極118の長さLfp2の比に関して、0.5≦Lfp2/Lfp1で、電気力線の遮断による遮蔽効果がより一層高まり、ゲート−ドレイン電極間の帰還容量が低減して利得の著しい向上が可能であった。
本実施例では、図13に示したトランジスタについて、実施例4と同様に第2のフィールドプレート電極118の長さLfp2の最大値について調べた。各部材の構成は以下の通りである。なお、本実施例においても、ゲート長Lg=0.5μmのゲート電極113を第1の絶縁膜115に0.2μm乗り上げる構造で形成した。
基板110:高抵抗SiC基板
窒化物半導体111に対応する層:AlNバッファ層131(厚さ4nm)、GaN層1
32(厚さ2000nm)、AlGaN層133(Al組成比0.25、厚さ30nm)
第1の絶縁膜115:SiN膜、膜厚100nm
ソース電極112、ドレイン電極114:Ti/Al電極
ゲート電極113:ゲート長Lg=0.5μm、Pt/Au電極、Lgd=4.0μm
第1のフィールドプレート電極116:Ti/Pt/Au電極、Lfg=0.5μm、Lfp1=0.3μm
第2の絶縁膜117:SiN膜、膜厚200nm(d3=0.2μm)
第2のフィールドプレート電極118:Ti/Pt/Au電極、Lfd=+0.75μm
Lfp2=0μm、0.3μm、0.9μm、1.7μm、および2.3μm
得られたトランジスタの耐圧の評価の結果、実施例4と同様な傾向の結果が得られた。
Lfp1+Lfp2+d3≦3/5×Lgdを満たす構成とすることにより、耐圧をより一層向上させることが可能であった。これは、Lfp1+Lfp2+d3がLgd(=4.0μm)に対して3/5×Lgd以下の範囲では、3/5×Lgdより大きい範囲に比べて第2のフィールドプレート電極118のドレイン側端の電界集中がさらに抑制されて、耐圧が向上したものと考えられる。
本実施例では、図13に示したトランジスタについて、実施例5と同様に第2のフィールドプレート電極118の長さLfp2と第2の絶縁膜117の厚さd2に関して調べた。各部材の構成は以下の通りである。なお、本実施例においても、ゲート長Lg=0.5μmのゲート電極113を第1の絶縁膜115に0.2μm乗り上げる構造で形成した。
基板110:高抵抗SiC基板
窒化物半導体111に対応する層:AlNバッファ層131(厚さ4nm)、GaN層1
32(厚さ2000nm)、AlGaN層133(Al組成比0.25、厚さ30nm)
第1の絶縁膜115:SiN膜、膜厚100nm
ソース電極112、ドレイン電極114:Ti/Al電極
ゲート電極113:ゲート長Lg=0.5μm、Pt/Au電極
第1のフィールドプレート電極116:Ti/Pt/Au電極、Lfp1=0.8μm
第2の絶縁膜117:SiO2膜、膜厚0.1μm、0.3μm、0.5μm、および0.7μm
第2のフィールドプレート電極118:Ti/Pt/Au電極、Lfp2=1.0μm
また、第2の絶縁膜117のSiO2膜の厚さを0.1μmとした装置の一部を分割して、SiO2膜をエッチング除去した装置を作成した。また、第2の絶縁膜117のSiO2膜の厚さを0.1μmとし、第1の絶縁膜115の厚さ100nmのうち50nm分をエッチング除去した後、その上層に第2のフィールドプレート電極118としてLfp2=1.0μmのTi/Pt/Au電極を蒸着リフトオフにより形成した試料も作製した(図15)。
Claims (15)
- ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造と、
該III族窒化物半導体層構造上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域において、前記III族窒化物半導体層構造の上部に設けられるとともに、前記III族窒化物半導体層構造と絶縁された第一フィールドプレートと、
前記III族窒化物半導体層構造の上部に設けられるとともに、前記III族窒化物半導体層構造および前記第一フィールドプレートと絶縁された第二フィールドプレートと、
を含み、
前記第二フィールドプレートが、前記第一フィールドプレートと前記ドレイン電極との間の領域にあって前記第一フィールドプレートを前記ドレイン電極から遮蔽する遮蔽部を含み、
前記遮蔽部の上端が、前記第一フィールドプレートの上面よりも上部に位置しており、
ゲート長方向における断面視において、前記第一フィールドプレートと前記ゲート電極とから構成される構造体の上部に前記第二フィールドプレートがオーバーラップするオーバーラップ領域のゲート長方向の長さをLolとし、ゲート長をLgとしたときに、
0≦Lol/Lg≦1
である
ことを特徴とする、電界効果トランジスタ。 - 前記遮蔽部の下端が、前記第一フィールドプレートの下端よりも前記III族窒化物半導体層構造の側に位置する
ことを特徴とする、請求項1に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域において、前記III族窒化物半導体層構造の表面を被覆する第一絶縁膜を有し、
前記第一フィールドプレートと前記ドレイン電極との間の領域において、前記第一絶縁膜に凹部が設けられ、
前記第一フィールドプレートが、前記第一絶縁膜上に接して設けられているとともに、前記遮蔽部の下端が前記凹部内に位置する
ことを特徴とする、請求項2に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記第一フィールドプレートの下端が、前記遮蔽部の下端よりも前記III族窒化物半導体層構造の側に位置する
ことを特徴とする、請求項1に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域において、前記III族窒化物半導体層構造の表面を被覆する第一絶縁膜と、
前記第一フィールドプレートと前記ドレイン電極との間の領域において、前記第一絶縁膜上に設けられた第二絶縁膜と、
を有し、
前記第一フィールドプレートが、前記第一絶縁膜上に接して設けられているとともに、
前記遮蔽部の下端が前記第二絶縁膜上に接している
ことを特徴とする、請求項4に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記第一フィールドプレートが、前記ゲート電極と同電位となっている
ことを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記第二フィールドプレートが、前記ソース電極と同電位となっている
ことを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記第一フィールドプレートが、前記ゲート電極と連続一体に構成されている
ことを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記第一フィールドプレートが、前記ゲート電極から離隔して設けられた電界制御電極を含む
ことを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。 - Lol=0
である
ことを特徴とする、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記第二フィールドプレートと前記第一フィールドプレートとがオーバーラップしているとともに、前記第二フィールドプレートと前記ゲート電極とはオーバーラップしていない
ことを特徴とする、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。 - ゲート長方向の断面視において、
前記ゲート電極端部から前記ドレイン電極に向かう前記第一フィールドプレートのゲート長方向の延出幅をLfp1、
前記第二フィールドプレートの下面のゲート長方向の長さをLfp2、
としたときに、下記式(1):
0.5×Lfp1≦Lfp2 (1)
を満たすように、構成されている
ことを特徴とする、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記第一フィールドプレートの側面を被覆する絶縁膜に接して、前記第二フィールドプレートが設けられ、
ゲート長方向の断面視において、
前記ゲート電極端部から前記ドレイン電極に向かう前記第一フィールドプレートのゲート長方向の延出幅をLfp1、
前記第二フィールドプレートの下面のゲート長方向の長さをLfp2、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との距離をLgd、
前記第一フィールドプレートの側面における前記絶縁膜の厚さをd3、
としたときに、下記式(1)および式(2):
0.5×Lfp1≦Lfp2 (1)
Lfp1+Lfp2+d3≦3/5×Lgd (2)
を満たすように、構成されている
ことを特徴とする、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。 - ゲート長方向の断面視において、
前記第二フィールドプレートの下面のゲート長方向の長さをLfp2、
前記第一フィールドプレートと前記ゲート電極との間の領域における前記第二フィールドプレートの下面と、前記III族窒化物半導体層構造との距離をd2、
としたときに、下記式(3):
d2≦0.5×Lfp2 (3)
を満たすように、構成されている
ことを特徴とする、請求項1乃至13のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の領域において、前記III族窒化物半導体層構造の表面を被覆する第一絶縁膜を有し、
前記第一絶縁膜が窒素を含む膜である
ことを特徴とする、請求項1乃至14のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007520206A JP4968067B2 (ja) | 2005-06-10 | 2006-06-12 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005171706 | 2005-06-10 | ||
JP2005171706 | 2005-06-10 | ||
PCT/JP2006/311745 WO2006132418A1 (ja) | 2005-06-10 | 2006-06-12 | 電界効果トランジスタ |
JP2007520206A JP4968067B2 (ja) | 2005-06-10 | 2006-06-12 | 電界効果トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006132418A1 true JPWO2006132418A1 (ja) | 2009-01-08 |
JP4968067B2 JP4968067B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=37498600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007520206A Active JP4968067B2 (ja) | 2005-06-10 | 2006-06-12 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7863648B2 (ja) |
EP (1) | EP1901341A4 (ja) |
JP (1) | JP4968067B2 (ja) |
CN (2) | CN101976686A (ja) |
WO (1) | WO2006132418A1 (ja) |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2267784B1 (en) | 2001-07-24 | 2020-04-29 | Cree, Inc. | INSULATING GATE AlGaN/GaN HEMT |
US7501669B2 (en) | 2003-09-09 | 2009-03-10 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistor devices with field plates |
US7550783B2 (en) * | 2004-05-11 | 2009-06-23 | Cree, Inc. | Wide bandgap HEMTs with source connected field plates |
US7573078B2 (en) * | 2004-05-11 | 2009-08-11 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistors with multiple field plates |
US9773877B2 (en) | 2004-05-13 | 2017-09-26 | Cree, Inc. | Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates |
US11791385B2 (en) | 2005-03-11 | 2023-10-17 | Wolfspeed, Inc. | Wide bandgap transistors with gate-source field plates |
EP1938385B1 (en) | 2005-09-07 | 2014-12-03 | Cree, Inc. | Transistors with fluorine treatment |
JP2008034522A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
EP1921669B1 (en) * | 2006-11-13 | 2015-09-02 | Cree, Inc. | GaN based HEMTs with buried field plates |
US7692263B2 (en) | 2006-11-21 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | High voltage GaN transistors |
US8878245B2 (en) | 2006-11-30 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Transistors and method for making ohmic contact to transistors |
US8021904B2 (en) | 2007-02-01 | 2011-09-20 | Cree, Inc. | Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN |
US8212290B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-07-03 | Cree, Inc. | High temperature performance capable gallium nitride transistor |
JP2008244001A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Sanken Electric Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
JP2008244002A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Sanken Electric Co Ltd | 電界効果半導体装置 |
JP2008277604A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
US7800132B2 (en) * | 2007-10-25 | 2010-09-21 | Northrop Grumman Systems Corporation | High electron mobility transistor semiconductor device having field mitigating plate and fabrication method thereof |
US8368100B2 (en) | 2007-11-14 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same |
JP5388514B2 (ja) * | 2008-09-09 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5595685B2 (ja) * | 2009-07-28 | 2014-09-24 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP2011249728A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP5776217B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-09-09 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置 |
US20120248533A1 (en) * | 2011-04-04 | 2012-10-04 | Rob Van Dalen | Field plate and circuit therewith |
EP2525524B1 (en) | 2011-05-12 | 2016-08-10 | Nxp B.V. | Transponder, reader and methods for operating the same |
JP5845638B2 (ja) * | 2011-06-02 | 2016-01-20 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JP5596636B2 (ja) * | 2011-07-15 | 2014-09-24 | シャープ株式会社 | 電界効果トランジスタ |
WO2013027722A1 (ja) | 2011-08-22 | 2013-02-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2013182992A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2013183060A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2013183062A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2013183061A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US9024324B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-05-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | GaN dual field plate device with single field plate metal |
US9847411B2 (en) * | 2013-06-09 | 2017-12-19 | Cree, Inc. | Recessed field plate transistor structures |
US9755059B2 (en) | 2013-06-09 | 2017-09-05 | Cree, Inc. | Cascode structures with GaN cap layers |
US9679981B2 (en) * | 2013-06-09 | 2017-06-13 | Cree, Inc. | Cascode structures for GaN HEMTs |
US9905658B2 (en) * | 2013-11-26 | 2018-02-27 | Nxp Usa, Inc. | Transistors with field plates resistant to field plate material migration and methods of their fabrication |
US9673286B2 (en) * | 2013-12-02 | 2017-06-06 | Infineon Technologies Americas Corp. | Group III-V transistor with semiconductor field plate |
WO2015097581A1 (en) * | 2013-12-23 | 2015-07-02 | Hkg Technologies Limited | Power semiconductor devices having semi-insulating field plate |
JP2015177016A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9559161B2 (en) * | 2014-11-13 | 2017-01-31 | Infineon Technologies Austria Ag | Patterned back-barrier for III-nitride semiconductor devices |
US9590087B2 (en) | 2014-11-13 | 2017-03-07 | Infineon Technologies Austria Ag | Compound gated semiconductor device having semiconductor field plate |
JP2016152255A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9580304B2 (en) * | 2015-05-07 | 2017-02-28 | Texas Instruments Incorporated | Low-stress low-hydrogen LPCVD silicon nitride |
US9911817B2 (en) | 2015-07-17 | 2018-03-06 | Cambridge Electronics, Inc. | Field-plate structures for semiconductor devices |
WO2017069462A1 (ko) * | 2015-10-23 | 2017-04-27 | (주)기가레인 | 고전자이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
JP2017107942A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US10014401B2 (en) * | 2016-01-25 | 2018-07-03 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Semiconductor device with passivation layer for control of leakage current |
US9660134B1 (en) * | 2016-04-08 | 2017-05-23 | Palo Alto Research Center Incorporated | Nitride semiconductor polarization controlled device |
EP3834233A1 (en) * | 2018-08-06 | 2021-06-16 | MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | Extrinsic field termination structures for improving reliability of high-voltage, high-power active devices |
JP2020113625A (ja) * | 2019-01-10 | 2020-07-27 | 富士通株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び増幅器 |
US11127847B2 (en) * | 2019-05-16 | 2021-09-21 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor devices having a gate field plate including an extension portion and methods for fabricating the semiconductor device |
JP7368107B2 (ja) * | 2019-05-22 | 2023-10-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN112103337B (zh) * | 2019-06-18 | 2022-02-08 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法 |
US11855198B2 (en) | 2020-04-09 | 2023-12-26 | Qualcomm Incorporated | Multi-gate high electron mobility transistors (HEMTs) employing tuned recess depth gates for improved device linearity |
US11848371B2 (en) | 2020-07-02 | 2023-12-19 | Xerox Corporation | Polarization controlled transistor |
US20220376058A1 (en) * | 2020-07-07 | 2022-11-24 | Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
US11749726B2 (en) | 2020-10-27 | 2023-09-05 | Wolfspeed, Inc. | Field effect transistor with source-connected field plate |
US11658234B2 (en) * | 2020-10-27 | 2023-05-23 | Wolfspeed, Inc. | Field effect transistor with enhanced reliability |
US11502178B2 (en) | 2020-10-27 | 2022-11-15 | Wolfspeed, Inc. | Field effect transistor with at least partially recessed field plate |
US11923424B2 (en) * | 2020-12-31 | 2024-03-05 | Nxp B.V. | Semiconductor device with conductive elements formed over dielectric layers and method of fabrication therefor |
TW202236396A (zh) * | 2021-02-16 | 2022-09-16 | 美商高效電源轉換公司 | 閘極金屬層-絕緣體層-場板金屬層積體電路電容器及其形成方法 |
WO2023240491A1 (en) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2024092720A1 (en) * | 2022-11-04 | 2024-05-10 | Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57104259A (en) | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Hitachi Ltd | Metal oxide semiconductor device |
JPH0196966A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ |
JP3111985B2 (ja) * | 1998-06-16 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP3180776B2 (ja) | 1998-09-22 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP2001118122A (ja) | 1999-10-22 | 2001-04-27 | Toppan Printing Co Ltd | 視覚復号型暗号を利用した記録媒体 |
JP3353764B2 (ja) * | 1999-11-12 | 2002-12-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2002118122A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Nec Corp | ショットキゲート電界効果トランジスタ |
JP2001230263A (ja) | 2001-01-29 | 2001-08-24 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ |
JP3744381B2 (ja) | 2001-05-17 | 2006-02-08 | 日本電気株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP2002353444A (ja) | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP4385205B2 (ja) | 2002-12-16 | 2009-12-16 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP4385206B2 (ja) * | 2003-01-07 | 2009-12-16 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP2004221344A (ja) | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6933544B2 (en) * | 2003-01-29 | 2005-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power semiconductor device |
CN100388509C (zh) | 2003-01-29 | 2008-05-14 | 株式会社东芝 | 功率半导体器件 |
JP2004327919A (ja) | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP3940699B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | 電力用半導体素子 |
US7501669B2 (en) * | 2003-09-09 | 2009-03-10 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistor devices with field plates |
CN100541745C (zh) * | 2003-09-09 | 2009-09-16 | 加利福尼亚大学董事会 | 单个或多个栅极场板的制造 |
JP4417677B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-02-17 | 株式会社東芝 | 電力用半導体装置 |
US7573078B2 (en) * | 2004-05-11 | 2009-08-11 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistors with multiple field plates |
US9773877B2 (en) * | 2004-05-13 | 2017-09-26 | Cree, Inc. | Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates |
US7800131B2 (en) * | 2005-06-10 | 2010-09-21 | Nec Corporation | Field effect transistor |
EP1938385B1 (en) * | 2005-09-07 | 2014-12-03 | Cree, Inc. | Transistors with fluorine treatment |
-
2006
- 2006-06-12 WO PCT/JP2006/311745 patent/WO2006132418A1/ja active Application Filing
- 2006-06-12 JP JP2007520206A patent/JP4968067B2/ja active Active
- 2006-06-12 US US11/921,854 patent/US7863648B2/en active Active
- 2006-06-12 EP EP06766607A patent/EP1901341A4/en not_active Withdrawn
- 2006-06-12 CN CN2010105043537A patent/CN101976686A/zh active Pending
- 2006-06-12 CN CN2006800291922A patent/CN101238561B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101238561A (zh) | 2008-08-06 |
JP4968067B2 (ja) | 2012-07-04 |
US20090230429A1 (en) | 2009-09-17 |
CN101976686A (zh) | 2011-02-16 |
US7863648B2 (en) | 2011-01-04 |
WO2006132418A1 (ja) | 2006-12-14 |
EP1901341A1 (en) | 2008-03-19 |
EP1901341A4 (en) | 2009-07-15 |
CN101238561B (zh) | 2011-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4968067B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP4968068B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
US10109713B2 (en) | Fabrication of single or multiple gate field plates | |
JP4385205B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP6124511B2 (ja) | ゲート−ソースフィールドプレートを含むワイドバンドギャップトランジスタ | |
US7573078B2 (en) | Wide bandgap transistors with multiple field plates | |
US7550783B2 (en) | Wide bandgap HEMTs with source connected field plates | |
US8637905B2 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
JP4385206B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP5125512B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
US8338862B2 (en) | Semiconductor device | |
TW201511261A (zh) | 凹入式場板電晶體結構 | |
US20220189953A1 (en) | Nitride semiconductor device | |
US11594625B2 (en) | III-N transistor structures with stepped cap layers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120306 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120319 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4968067 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |