JPWO2006009123A1 - ポリカルボシラン及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

汎用有機溶媒に対する溶解性及び耐熱性に優れるポリカルボシラン及びその製造方法を提供する。本発明のポリカルボシランは、下記繰返単位[1]を含む。更に、下記繰返単位[2]を含んでも良く、その場合は、[1]の含有割合が、[1][2]の合計100モル%に対し、好ましくは20モル%以上である。式中、R1は炭素数1〜6のアルキル基、R2は炭素数2以上のアルキル基、Meはメチル基を表し、R1及びR2は同一でも異なっていても良い。

Description

本発明は、汎用有機溶媒に対する溶解性及び耐熱性に優れるポリカルボシラン及びその製造方法に関する。
高分子主鎖がケイ素原子及び芳香族環を含む繰り返し構造からなるポリ(ジメチルシリレンフェニレン)は、耐熱性材料として知られている(例えば、山口ら、高分子化学[29]p.546及びp.665(1972) 社団法人高分子学会編)。
また、ポリ(ジメチルシリレンフェニレン)の製造方法は、例えば、特開昭58−55007号に開示されている。
ポリ(ジメチルシリレンフェニレン)のような耐熱性材料を電子材料へ積極的に展開するためには、汎用有機溶媒に対する溶解性が高いことが必要である。
しかし、ポリ(ジメチルシリレンフェニレン)は、剛直な主鎖を有するため結晶性が高く、クロロホルムのような塩素系溶媒にのみ溶解性を示し、汎用有機溶媒に対する溶解性が乏しいという問題がある。また、より優れた耐熱性を有する材料が求められている。
本発明者らは、ポリシリレンフェニレンの繰り返し単位において、比較的炭素数の大きいアルキル基がSiに結合したシリレンフェニレン基を存在させることにより、汎用有機溶媒に対する溶解性及び耐熱性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明は以下の通りである。
1.下記繰り返し単位[1]を含むことを特徴とするポリカルボシラン。
Figure 2006009123
(式中、Rは、炭素数1から6のアルキル基を表し、Rは、炭素数が2以上のアルキル基を表し、R及びRは同一でも異なっていてもよい。)
2.更に、下記繰り返し単位[2]を含み、上記繰り返し単位[1]の含有割合が、上記の繰り返し単位[1]及び繰り返し単位[2]の合計100モル%に対し、20モル%以上である上記1に記載のポリカルボシラン。
Figure 2006009123
(式中、Meはメチル基を表す。)
3.下記一般式(1)で表されるジアルキルジハロゲノシランと、下記一般式(3)で表されるハロゲン化アリールとを反応させる工程を備えることを特徴とするポリカルボシランの製造方法。
Figure 2006009123
(式中、Xはハロゲン原子を表し、2つのXは同一でも異なっていてもよい。Rは、炭素数1から6のアルキル基を表し、Rは、炭素数が2以上のアルキル基を表し、R及びRは同一でも異なっていてもよい。)
Figure 2006009123
(式中、X及びXは、ハロゲン原子を表し、同一でも異なっていてもよく、Xの置換位置は、Xに対しオルト、メタ及びパラのいずれでもよい。)
4.更に、ポリカルボシランを有機溶媒により溶かした溶液をイオンフィルターにより濾過する工程を備える上記3に記載のポリカルボシランの製造方法。
5.上記ジアルキルジハロゲノシランを、下記一般式(2)で表されるジメチルジハロゲノシランと併用し、該ジアルキルジハロゲノシランの反応仕込み比が、該ジアルキルジハロゲノシラン及び該ジメチルジハロゲノシランの合計量を基準として、0.2(モル/モル)以上となるようにして反応させる上記3に記載のポリカルボシランの製造方法。
Figure 2006009123
(式中、Meはメチル基を表し、Xはハロゲン原子を表し、2つのXは同一でも異なっていてもよい。)
6.更に、ポリカルボシランを有機溶媒により溶かした溶液をイオンフィルターにより濾過する工程を備える上記5に記載のポリカルボシランの製造方法。
本発明のポリカルボシランは、特定の繰り返し単位を有することにより、汎用の有機溶媒に対する溶解性に優れるため、耐熱性材料として各種用途への応用が容易である。また、耐熱性にも優れるため、繊維、熱硬化性樹脂組成物等に好適である。特に、繰り返し単位[1]の含有割合が、上記の繰り返し単位[1]及び繰り返し単位[2]の合計100モル%に対し、20モル%以上である場合には、窒素雰囲気下における5%重量損失温度(Td5)を350℃以上とすることができ、耐熱性に一段と優れる。
本発明のポリカルボシランの製造方法によれば、上記ポリカルボシランを容易に製造することができる。よって、安価で且つ汎用の有機溶媒に対する溶解性及び耐熱性に優れるポリカルボシランが提供される。
また、ポリカルボシランを有機溶媒により溶かした溶液をイオンフィルターにより濾過する工程を備える場合には、金属成分の濃度を容易に5ppb以下に低減することができ、絶縁性材料として特に有用である。
実施例1で得られたカルボシランのH−NMRスペクトルを示す。
1.ポリカルボシラン
本発明のポリカルボシランは、下記繰り返し単位[1]を含む。
Figure 2006009123
(式中、Rは、炭素数1から6のアルキル基を表し、Rは、炭素数が2以上のアルキル基を表し、R及びRは同一でも異なっていてもよい。)
上記繰り返し単位[1]において、Rとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基が挙げられる。また、Rとしては、炭素数が、通常、2〜6のアルキル基である。
上記の置換基R及びRは、同一でも異なっていてもよく、同一である場合には、プロピル基等が好ましい。
本発明のポリカルボシランは、繰り返し単位[1]の1種のみからなる重合体であってよいし、2種以上を含む重合体であってもよい。
本発明のポリカルボシランは、更に、下記繰り返し単位[2]を含んでもよい。
Figure 2006009123
(式中、Meはメチル基を表す。)
本発明のポリカルボシランが、繰り返し単位[1]及び[2]の両方を含む場合、両者の構成割合は特に限定されない。繰り返し単位[1]の含有割合は、上記の繰り返し単位[1]及び繰り返し単位[2]の合計100モル%に対し、好ましくは20モル%以上、より好ましくは30モル%以上100モル%未満、更に好ましくは50モル%以上100モル%未満である。繰り返し単位[1]の含有割合が多いほど、耐熱性に優れ、また、汎用の有機溶媒、例えば、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジメチルエーテル、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン等に対する溶解性に優れ、高濃度溶液を調製することもできるため、広い用途に好適となる。
尚、本発明のポリカルボシランが、繰り返し単位[1]及び[2]の両方を含む場合、重合体構造は、ランダム型及びブロック型のいずれでもよい。
上記ポリカルボシランは、繰り返し単位[1]及び[2]の各1種からなる重合体であってよいし、いずれか一方が2種以上を含む重合体であってよいし、両方が2種以上を含む重合体であってもよい。
本発明のポリカルボシランの重量平均分子量Mwは、通常、2,000〜10,000である。このMwが小さすぎると、耐熱性に劣る傾向がある。
また、このMwと、数平均分子量Mnとの比Mw/Mn(多分散度)は、1.5〜5である。
尚、Mw及びMnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定することができる。
2.ポリカルボシランの製造方法
本発明のポリカルボシランの製造方法は、下記一般式(1)で表されるジアルキルジハロゲノシランと、下記一般式(3)で表されるハロゲン化アリールとを反応させる工程(以下、「反応工程」ともいう。)を備える。
Figure 2006009123
(式中、Xはハロゲン原子を表し、2つのXは同一でも異なっていてもよい。Rは、炭素数1から6のアルキル基を表し、Rは、炭素数が2以上のアルキル基を表し、R及びRは同一でも異なっていてもよい。)
Figure 2006009123
(式中、X及びXは、ハロゲン原子を表し、同一でも異なっていてもよく、Xの置換位置は、Xに対しオルト、メタ及びパラのいずれでもよい。)
上記一般式(1)におけるR及びRは、上記繰り返し単位[1]におけるR及びRをそのまま適用することができる。
また、上記一般式(1)におけるXは、ハロゲン原子であり、塩素原子、臭素原子及び沃素原子が挙げられる。尚、2つのXは同一でも異なっていてもよい。
上記一般式(1)で表されるジアルキルジハロゲノシランとしては、メチルプロピルジクロロシラン、メチルイソプロピルジクロロシラン、ジプロピルジクロロシラン、メチルブチルジクロロシラン、ジブチルジクロロシラン、ジt−ブチルジクロロシラン、メチルペンチルジクロロシラン、ジペンチルジクロロシラン、メチルヘキシルジクロロシラン、メチル(2−エチルブチル)ジクロロシラン、エチル(2−エチルブチル)ジクロロシラン、ジヘキシルジクロロシラン等が挙げられる。これらのうち、下記式(5)で表されるメチルプロピルジクロロシランが好ましい。また、これらは、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
Figure 2006009123
(式中、Meはメチル基を表し、Prはプロピル基を表す。)
反応工程において、上記一般式(1)で表されるジアルキルジハロゲノシランのみを用いた場合には、上記繰り返し単位[1]のみを含むポリカルボシランが得られる。
本発明においては、上記一般式(1)で表されるジアルキルジハロゲノシランと、下記一般式(2)で表されるジメチルジハロゲノシランとを併用することにより、上記繰り返し単位[1]及び[2]を含むポリカルボシランを得ることができる。
Figure 2006009123
(式中、Meはメチル基を表し、Xはハロゲン原子を表し、2つのXは同一でも異なっていてもよい。)
上記一般式(2)で表されるジメチルジハロゲノシランとしては、ジメチルジクロロシラン、ジメチルジブロモシラン等が挙げられる。これらのうち、下記式(4)で表されるジメチルジクロロシランが好ましい。また、これらは、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
Figure 2006009123
(式中、Meはメチル基を表す。)
上記一般式(1)で表されるジアルキルジハロゲノシランと、上記一般式(2)で表されるジメチルジハロゲノシランとを併用する場合には、該ジアルキルジハロゲノシランの反応仕込み比が、該ジアルキルジハロゲノシラン及び該ジメチルジハロゲノシランの合計量を基準として、好ましくは0.2(モル/モル)以上、より好ましくは0.3(モル/モル)以上、更に好ましくは0.5(モル/モル)以上となるように用いる。
次に、上記一般式(3)におけるX及びXは、ハロゲン原子であり、塩素原子、臭素原子及び沃素原子が挙げられる。尚、X及びXは同一でも異なっていてもよく、Xの置換位置は、Xに対しオルト、メタ及びパラのいずれでもよい。
上記一般式(3)で表されるハロゲン化アリールとしては、1,2−ジクロロベンゼン、1,3−ジクロロベンゼン、1,4−ジクロロベンゼン、1,2−ジブロモベンゼン、1,3−ジブロモベンゼン、1,4−ジブロモベンゼン、1,2−ジヨードベンゼン、1,3−ジヨードベンゼン、1,4−ジヨードベンゼン等が挙げられる。これらのうち、下記式(6)で表されるジブロモベンゼンが好ましい。また、これらは、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
Figure 2006009123
上記反応工程における好ましい製造方法は、以下の4段階のプロセスからなる。
プロセス〔1〕:反応容器にマグネシウム及び有機溶媒を加え、例えば、ジブロモエタンにより活性化させた後、別途調製した溶液〔上記一般式(1)、(2)及び(3)で表された化合物を有機溶媒中で混合液としたもの〕を反応容器内の活性化溶液に滴下し、グリニャール反応を行わせる。
プロセス〔2〕:反応終了後、エーテル類及び水を加え、生成したマグネシウム塩を水に溶かし、2層(有機層/水層)の溶液とする。
プロセス〔3〕:塩酸等の酸の水溶液で有機層を洗浄後、水層が中性となるまで水洗し、有機層を乾燥させる。
プロセス〔4〕:有機溶媒を脱溶後、オリゴマー(低分子量成分)をカットし、ポリカルボシランを得る。
上記プロセス〔1〕において用いる有機溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル類等が挙げられる。これらのうち、反応制御のし易さから、テトラヒドロフランが最も好ましい。また、これらは、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
このプロセス〔1〕により、上記一般式(1)、(2)及び(3)で表された化合物から、ポリシリレンフェニレンの主鎖骨格を構築することができる。
上記プロセス〔2〕において用いるエーテル類としては、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等が挙げられる。これらのうち、ジイソプロピルエーテルが好ましい。
上記プロセス〔3〕において用いる塩酸水溶液等は、通常、その濃度が、0.1〜3Nであるものを用いる。
上記プロセス〔4〕においてオリゴマーカット(低分子量成分除去)を行う場合には、反応生成物の溶液を、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、ブタノール等のアルコール類;ペンタン、n−ヘキサン等の炭化水素系溶媒中に投入して、低分子量成分を溶解させ、目的とするポリカルボシランと分離する。
上記プロセス〔4〕の後得られたポリカルボシランは、通常、Na、Mg、Al、K等の金属成分を、それぞれ、10〜100質量ppbの濃度で含む。従って、上記プロセス〔4〕の直前及び/又は直後に、得られたポリカルボシランを、プロピレングリコールジメチルエーテル等の有機溶媒に溶かして調製された溶液を、イオンフィルターにより濾過する工程(以下、「濾過工程」ともいう。)を備えることが好ましい。
このイオンフィルターとしては、市販のものを用いることができる。この濾過工程により、金属成分の濃度を容易に5ppb以下に低減することができる。金属成分濃度の低いポリカルボシランは、絶縁性材料として特に有用である。
本発明のポリカルボシランは、前記一般式(1)で表されるジアルキルジハロゲノシラン、又は、該ジアルキルジハロゲノシラン及び前記一般式(2)で表されるジメチルジハロゲノシラン、並びに前記一般式(3)で表されるハロゲン化アリールを、前記ジアルキルジハロゲノシランの反応仕込み比が、前記ジアルキルジハロゲノシラン及び前記ジメチルジハロゲノシランの合計量を基準として、0.2(モル/モル)以上となるようにして反応させて得られた、前記繰り返し単位[1]又は該繰り返し単位[1]及び前記繰り返し単位[2]からなるものとすることができる。該ポリカルボシランの製造方法は、前記記載を適用することができる。
以下、実施例によって、本発明を具体的に説明するが、本発明は、これら実施例のみに限定されるものではない。
1.ポリカルボシランの製造
実施例1(メチルプロピルジクロロシラン:ジメチルジクロロシラン=10:0)
滴下ロート、磁気撹拌子及び冷却管を備えた反応容器に、36.0gのマグネシウム(1,480mmol)と、120gのテトラヒドロフランとを仕込み、室温で攪拌した。その後、反応容器に1.0ミリリットルの1,2−ジブロモエタンを加えてマグネシウムを活性化させた。次いで、別途調製した溶液(160.4gの1,4−ジブロモベンゼン(680mmol)及び106.8gのメチルプロピルジクロロシラン(680mmol)を280gのテトラヒドロフランに溶解させたもの)を滴下ロートから、ゆっくり滴下した。発熱を確認し、滴下が終了したところで、オイルバス(100℃)をセットし、加熱還流を3時間行った。その後、ガスクロマトグラフィーにて原料が消失していることを確認した。
窒素雰囲気中、室温で一晩熟成後、反応液に400gのジイソプロピルエーテル及び400gの純水を加え、マグネシウム塩を溶解させ、反応液全量を分液ロートに移した。次いで、水層を分離し、有機層を400gの1N−HCl水溶液で洗浄した。その後、有機層を400gの純水で5回洗浄した。水層が中性になるまで水洗した。
有機層を回収し、無水硫酸マグネシウムを加え脱水した。その後、減圧下で、溶媒を留去し、反応生成物(樹脂)を40gのテトラヒドロフランに溶かした。次いで、この溶液を、800gのイソプロピルアルコールに滴下し、オリゴマー成分を除去し、淡黄色の粘性物を得た。収率は73%であった。
この淡黄色粘性物について、H−NMR(270MHz)の測定を行ったところ、図1に示すスペクトルが得られ、下記繰り返し単位を有する高分子化合物であることが分かった。図1のスペクトルにおけるδ値及びその帰属を、表1に示す。
また、GPCにより、Mw=3,900及びMw/Mn=2.3を得た。
Figure 2006009123
Figure 2006009123
実施例2(メチルプロピルジクロロシラン:ジメチルジクロロシラン=10:0)
実施例1における原料の仕込みにおいて、46.8gのマグネシウム(1,925mmol)、210.0gの1,4−ジブロモベンゼン(890mmol)及び139.8gのメチルプロピルジクロロシラン(890mmol)とした以外は、実施例1と同様な方法で合成した。収率は80%であった。
得られた高分子化合物について、Mw=4,000及びMw/Mn=1.9を得た。
実施例3(メチルプロピルジクロロシラン:ジメチルジクロロシラン=7:3)
実施例1における原料の仕込みにおいて、9.0gのマグネシウム(370mmol)、40.0gの1,4−ジブロモベンゼン(170mmol)、18.7gのメチルプロピルジクロロシラン(119mmol)及び6.6gのジメチルジクロロシラン(51mmol)とした以外は、実施例1と同様な方法で合成した。収率は38%であった。
得られた高分子化合物について、Mw=5,400及びMw/Mn=1.9を得た。
実施例4(メチルプロピルジクロロシラン:ジメチルジクロロシラン=3:7)
実施例1における原料の仕込みにおいて、9.0gのマグネシウム(370mmol)、40.0gの1,4−ジブロモベンゼン(170mmol)、8.0gのメチルプロピルジクロロシラン(51mmol)、15.4gのジメチルジクロロシラン(119mmol)とした以外は、実施例1と同様な方法で合成した。収率は58%であった。
得られた高分子化合物について、Mw=5,500及びMw/Mn=1.9を得た。
比較例1(メチルプロピルジクロロシラン:ジメチルジクロロシラン=0:10)
滴下ロート、磁気撹拌子及び冷却管を備えた反応容器に、9.0gのマグネシウム(370mmol)と、30gのテトラヒドロフランとを仕込み、室温で攪拌した。その後、反応容器に0.25ミリリットルの1,2−ジブロモエタンを加えてマグネシウムを活性化させた。次いで、別途調製した溶液(40.0gの1,4−ジブロモベンゼン(170mmol)及び21.8gのジメチルジクロロシラン(170mmol)を70gのテトラヒドロフランに溶解させたもの)を滴下ロートから、ゆっくり滴下した。発熱を確認し、滴下が終了したところで、オイルバス(100℃)をセットし、加熱還流を3時間行った。その後、ガスクロマトグラフィーにて原料が消失していることを確認した。
一晩熟成後、反応液に100gのジイソプロピルエーテル及び100gの純水を加え、マグネシウム塩を溶解させ、反応液全量を分液ロートに移した。次いで、水層を分離し、有機層を100gの1N−HCl水溶液で洗浄した。その後、有機層を100gの純水で5回洗浄した。水層が中性になるまで水洗した。
有機層を回収し、無水硫酸マグネシウムを加え脱水した。その後、減圧下で、溶媒を留去し、反応生成物(樹脂)を40gのテトラヒドロフランに溶かした。次いで、この溶液を、800gのイソプロピルアルコールに滴下し、オリゴマー成分を除去し、淡黄色の粘性物を得た。収率は20%であった。
得られた高分子化合物について、Mw=3,300及びMw/Mn=3.5を得た。
比較例2(メチルプロピルジクロロシラン:ジメチルジクロロシラン=1:9)
滴下ロート、磁気撹拌子及び冷却管を備えた反応容器に、9.0gのマグネシウム(370mmol)と、30gのテトラヒドロフランとを仕込み、室温で攪拌した。その後、反応容器に0.25ミリリットルの1,2−ジブロモエタンを加えてマグネシウムを活性化させた。次いで、別途調製した溶液(40.0gの1,4−ジブロモベンゼン(170mmol)、2.67gのメチルプロピルジクロロシラン(17mmol)及び19.8gのジメチルジクロロシラン(153mmol)を70gのテトラヒドロフランに溶解させたもの)を滴下ロートから、ゆっくり滴下した。発熱を確認し、滴下が終了したところで、オイルバス(100℃)をセットし、加熱還流を3時間行った。ガスクロマトグラフィーにて原料が消失していることを確認した。
一晩熟成後、反応液に100gのジイソプロピルエーテル及び100gの純水を加え、マグネシウム塩を溶解させ、反応液全量を分液ロートに移した。次いで、水層を分離し、有機層を100gの1N−HCl水溶液で洗浄した。その後、有機層を100gの純水で5回洗浄した。水層が中性になるまで水洗した。
有機層を回収し、無水硫酸マグネシウムを加え脱水した。その後、減圧下で、溶媒を留去し、反応生成物(樹脂)を40gのテトラヒドロフランに溶かした。次いで、このお湯液を、800gのイソプロピルアルコールに滴下し、オリゴマー成分を除去し、淡黄色の粘性物を得た。収率は20%であった。
得られた高分子化合物について、Mw=3,900及びMw/Mn=1.8であった。
2.ポリカルボシランの評価
実施例5(有機溶媒への溶解性評価)
上記の実施例1〜4及び比較例1〜2で得られたポリカルボシラン10mgを各種有機溶媒90mgと混合し、25℃における溶解性を肉眼で観察して評価した。
結果を以下の表2にまとめた。尚、有機溶媒を表す略号の意味は、以下の通りである。
THF:テトラヒドロフラン
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
PGDM:プロピレングリコールジメチルエーテル
MIBK:メチルイソブチルケトン
MEK:メチルエチルケトン
Figure 2006009123
実施例6
上記実施例1で得られた生成物をPGDMに溶解させて濃度20重量%とし、これを0.2μmメンブレンフィルターで濾過した後、イオンフィルターで濾過した。各段階におけるNa、Mg、Al及びKの濃度をICP−MSにより測定し、その結果を表3に示した。
Figure 2006009123
表3から明らかなように、イオンフィルターを用いたことにより、Na、Mg、Al及びKの各金属の濃度を5重量ppb未満に低減できた。
実施例7
上記実施例1で得られた生成物について熱重量分析を行い、初期重量の5%が損失する温度(5%重量損失温度 Td5)を、窒素雰囲気及び空気雰囲気のもとで測定した。尚、このTd5は、熱重量/示差熱分析装置(セイコーインスツルメンツ社製)を用い、昇温速度10℃/分で室温から昇温することにより測定した。
その結果、窒素雰囲気下では、377℃であり、空気中では378℃であった。
実施例8
上記実施例4で得られた生成物について熱重量分析を行い、初期重量の5%が損失する温度(5%重量損失温度 Td5)を測定した。
その結果、窒素雰囲気下では、375℃であり、空気中では347℃であった。
上記実施例7及び8の結果から明らかなように、本発明のポリカルボシランは、優れた耐熱性を有する。

Claims (6)

  1. 下記繰り返し単位[1]を含むことを特徴とするポリカルボシラン。
    Figure 2006009123
    (式中、Rは、炭素数1から6のアルキル基を表し、Rは、炭素数が2以上のアルキル基を表し、R及びRは同一でも異なっていてもよい。)
  2. 更に、下記繰り返し単位[2]を含み、上記繰り返し単位[1]の含有割合が、上記の繰り返し単位[1]及び繰り返し単位[2]の合計100モル%に対し、20モル%以上である請求項1に記載のポリカルボシラン。
    Figure 2006009123
    (式中、Meはメチル基を表す。)
  3. 下記一般式(1)で表されるジアルキルジハロゲノシランと、下記一般式(3)で表されるハロゲン化アリールとを反応させる工程を備えることを特徴とするポリカルボシランの製造方法。
    Figure 2006009123
    (式中、Xはハロゲン原子を表し、2つのXは同一でも異なっていてもよい。Rは、炭素数1から6のアルキル基を表し、Rは、炭素数が2以上のアルキル基を表し、R及びRは同一でも異なっていてもよい。)
    Figure 2006009123
    (式中、X及びXは、ハロゲン原子を表し、同一でも異なっていてもよく、Xの置換位置は、Xに対しオルト、メタ及びパラのいずれでもよい。)
  4. 更に、ポリカルボシランを有機溶媒により溶かした溶液をイオンフィルターにより濾過する工程を備える請求項3に記載のポリカルボシランの製造方法。
  5. 上記ジアルキルジハロゲノシランを、下記一般式(2)で表されるジメチルジハロゲノシランと併用し、該ジアルキルジハロゲノシランの反応仕込み比が、該ジアルキルジハロゲノシラン及び該ジメチルジハロゲノシランの合計量を基準として、0.2(モル/モル)以上となるようにして反応させる請求項3に記載のポリカルボシランの製造方法。
    Figure 2006009123
    (式中、Meはメチル基を表し、Xはハロゲン原子を表し、2つのXは同一でも異なっていてもよい。)
  6. 更に、ポリカルボシランを有機溶媒により溶かした溶液をイオンフィルターにより濾過する工程を備える請求項5に記載のポリカルボシランの製造方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7838626B2 (en) * 2005-04-08 2010-11-23 Toagosei Co., Ltd. Polycarbosilane and method for producing same
US9080018B2 (en) * 2012-03-07 2015-07-14 Nippon Soda Co., Ltd. Method for producing polydialkylsilane
CN104662068A (zh) * 2012-08-02 2015-05-27 汉高股份有限公司 聚碳硅烷和包含其的用于led封装剂的可固化组合物
JP7366421B2 (ja) * 2020-03-27 2023-10-23 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ポリカルボシランの合成法
CN112062967B (zh) * 2020-08-05 2022-08-30 福建立亚化学有限公司 一种聚碳硅烷陶瓷先驱体材料制备方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6225744A (ja) * 1985-07-26 1987-02-03 Hitachi Ltd 複合レジスト層の形成方法
JPH03198061A (ja) * 1989-12-27 1991-08-29 Konica Corp 電子写真感光体
JPH04318821A (ja) * 1991-04-18 1992-11-10 Mitsui Petrochem Ind Ltd 非線形光学材料、非線形光学素子、透明光学材料および薄膜
JPH04342726A (ja) * 1991-05-20 1992-11-30 Showa Denko Kk シリコン含有重合体およびその製造方法
JPH05323330A (ja) * 1992-05-20 1993-12-07 Showa Denko Kk 液晶配向膜
JPH08125249A (ja) * 1994-10-27 1996-05-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機光伝導体および素子
JPH1180362A (ja) * 1997-08-29 1999-03-26 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シルフェニレンシルアルキレンポリマーの製造方法
JPH11131023A (ja) * 1997-10-31 1999-05-18 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd コーティング材
JPH11199676A (ja) * 1997-12-29 1999-07-27 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シルフェニレン系ポリマーおよびその製造方法
JPH11199778A (ja) * 1997-12-29 1999-07-27 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 硬化性シルフェニレン系ポリマー組成物

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2628243A (en) * 1950-01-09 1953-02-10 Dow Corning Preparation of organochlorosilanes
US4100233A (en) * 1975-04-25 1978-07-11 The Research Institute For Iron, Steel And Other Metals Of The Tohoku University Silicon carbide fibers having a high strength and a method for producing said fibers
JPS5929095B2 (ja) * 1975-12-29 1984-07-18 トウホクダイガクキンゾクザイリヨウケンキユウシヨチヨウ 耐熱性超硬複合材料およびその製造方法
JPS5855007A (ja) 1981-09-29 1983-04-01 Mitsubishi Chem Ind Ltd 気体分離膜
US5039593A (en) * 1986-10-31 1991-08-13 Zeigler John K Poly(silyl silane) homo and copolymers
US4820788A (en) * 1986-10-31 1989-04-11 John M. Zeigler Poly(silyl silane)homo and copolymers
FR2617854B1 (fr) * 1987-07-10 1989-10-27 Rhone Poulenc Chimie Composition a base d'un nouveau polycarbosilane, sa preparation et son application a la fabrication de produits et articles ceramiques a base de carbure de silicium
DE4313130C1 (de) * 1993-04-22 1994-05-26 Goldschmidt Ag Th Verfahren zur Herstellung von Silanen bzw. Organosiliciumhydriden durch Reduktion der entsprechenden Siliciumhalogenide bzw. Organosiliciumhalogenide
JP2970391B2 (ja) * 1994-03-08 1999-11-02 信越化学工業株式会社 導電性重合体組成物
US5500127A (en) * 1994-03-14 1996-03-19 Rohm And Haas Company Purification process
US5578103A (en) * 1994-08-17 1996-11-26 Corning Incorporated Alkali metal ion migration control
US6072016A (en) * 1997-12-29 2000-06-06 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Silphenylene polymer and composition containing same
US6225238B1 (en) * 1999-06-07 2001-05-01 Allied Signal Inc Low dielectric constant polyorganosilicon coatings generated from polycarbosilanes
US6761975B1 (en) * 1999-12-23 2004-07-13 Honeywell International Inc. Polycarbosilane adhesion promoters for low dielectric constant polymeric materials
JP3715500B2 (ja) 2000-03-09 2005-11-09 株式会社東芝 自動改札システムと自動復帰方法
US6596833B2 (en) * 2000-03-14 2003-07-22 Chisso Corporation Carbosilane and polycarbosilane
JP3886779B2 (ja) * 2001-11-02 2007-02-28 富士通株式会社 絶縁膜形成用材料及び絶縁膜の形成方法
JP2006002125A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd カルボシラン系ポリマーを含んでなる被膜形成用組成物、および該組成物から得られた被膜
JP2006323180A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd シリルフェニレン系ポリマー含有中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6225744A (ja) * 1985-07-26 1987-02-03 Hitachi Ltd 複合レジスト層の形成方法
JPH03198061A (ja) * 1989-12-27 1991-08-29 Konica Corp 電子写真感光体
JPH04318821A (ja) * 1991-04-18 1992-11-10 Mitsui Petrochem Ind Ltd 非線形光学材料、非線形光学素子、透明光学材料および薄膜
JPH04342726A (ja) * 1991-05-20 1992-11-30 Showa Denko Kk シリコン含有重合体およびその製造方法
JPH05323330A (ja) * 1992-05-20 1993-12-07 Showa Denko Kk 液晶配向膜
JPH08125249A (ja) * 1994-10-27 1996-05-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機光伝導体および素子
JPH1180362A (ja) * 1997-08-29 1999-03-26 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シルフェニレンシルアルキレンポリマーの製造方法
JPH11131023A (ja) * 1997-10-31 1999-05-18 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd コーティング材
JPH11199676A (ja) * 1997-12-29 1999-07-27 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シルフェニレン系ポリマーおよびその製造方法
JPH11199778A (ja) * 1997-12-29 1999-07-27 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 硬化性シルフェニレン系ポリマー組成物

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