JPH08125249A - 有機光伝導体および素子 - Google Patents
有機光伝導体および素子Info
- Publication number
- JPH08125249A JPH08125249A JP6263529A JP26352994A JPH08125249A JP H08125249 A JPH08125249 A JP H08125249A JP 6263529 A JP6263529 A JP 6263529A JP 26352994 A JP26352994 A JP 26352994A JP H08125249 A JPH08125249 A JP H08125249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- organic
- aromatic ring
- organic photoconductor
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 30
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 5
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 229920001558 organosilicon polymer Polymers 0.000 claims description 30
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical compound C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 2
- -1 polysilylene Polymers 0.000 description 24
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 18
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QFMZQPDHXULLKC-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QFMZQPDHXULLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ALGJMXMTFNSYAH-UHFFFAOYSA-N CC[SiH2][Si](CC)(CC)CC Chemical compound CC[SiH2][Si](CC)(CC)CC ALGJMXMTFNSYAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KOTUGSLCRXSSLR-UHFFFAOYSA-N CC[SiH](C1=CC=C(S1)Br)[Si](CC)(CC)CC Chemical compound CC[SiH](C1=CC=C(S1)Br)[Si](CC)(CC)CC KOTUGSLCRXSSLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- WUOIAOOSKMHJOV-UHFFFAOYSA-N ethyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(CC)C1=CC=CC=C1 WUOIAOOSKMHJOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- KBVDUUXRXJTAJC-UHFFFAOYSA-N 2,5-dibromothiophene Chemical compound BrC1=CC=C(Br)S1 KBVDUUXRXJTAJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYTMVABTDYMBQK-UHFFFAOYSA-N 2-benzothiophene Chemical compound C1=CC=CC2=CSC=C21 LYTMVABTDYMBQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- KZVHAABXBRGGQW-UHFFFAOYSA-N Cl[Si](C=1SC(=CC=1)[Si](CC)(CC)Cl)(CC)CC Chemical compound Cl[Si](C=1SC(=CC=1)[Si](CC)(CC)Cl)(CC)CC KZVHAABXBRGGQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003747 Grignard reaction Methods 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLMNJLPCCGEMTD-UHFFFAOYSA-N anthracene;pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1.C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 YLMNJLPCCGEMTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
り、ケイ素と芳香環の結合部位を少なくとも一つ以上有
する有機ケイ素高分子からなる有機光伝導体。 【効果】 本発明の有機光伝導体は、可視光の照射によ
って効率良くキャリアを発生することができる。
Description
素子、太陽電池等に用いられる光伝導体に関するもので
ある。さらに詳しくは骨格内にケイ素を含む有機光伝導
体およびそれを用いた素子に関するものである。ここで
光伝導体とは、単独あるいは他の材料と組み合わせ、そ
れに光を照射することによって電気的応答を示すものを
言う。
素結合で主鎖骨格が構成された高分子であるポリシリレ
ン(通称ポリシラン)は、ケイ素−ケイ素結合が単結合
(σ結合)であるにもかかわらず、主鎖のケイ素−ケイ素
結合のσ電子が高分子鎖内でも、ある程度自由に動きσ
電子共役を形成する。このため、ポリシリレンは、炭素
−炭素二重結合によるπ電子共役物質と類似した性状を
有し、低次元半導体としての電子・光物性を示す。これ
により、ポリシリレンは光照射によるキャリア(自由電
荷)の発生能や高いキャリア輸送能を有している。特
に、高いキャリア輸送能を持つことを利用して電子写真
感光体や有機電界発光素子のキャリア輸送材料として用
いるための研究がなされている(「有機ケイ素ポリマーの
合成と応用」シーエムシー発行、桜井英樹監修、138
頁,1989年出版)。
リレン)にクラスター状炭素の一つであるフラーレン(C
60)をドープすることによって、光照射によるキャリア
発生能を改善する試みがなされ、電子写真感光体用の光
伝導体として期待されれている(Y.Wang et.al.,
J.Am.Chem.Soc.,115,3844(1993);
R.G.Kepler et.al.,Appl.Phys.Lett.,6
3,1552(1993))。また、一般式(B):
いる。以上のように、これまで骨格内にケイ素−ケイ素
結合を含む化合物の中でもポリシリレンとそれにドーピ
ング処理を施したものを光伝導体として用いることが試
みられてきた。
射によるキャリア発生能を有する。しかし、一般にポリ
シリレンはエネルギーの高い光、即ち紫外光しか吸収し
ないため、紫外光の照射によってのみキャリアが発生す
る。またその量子効率(照射光子数に対する発生キャリ
ア数の比率)も低い。例えば、一般式(A)で示されるポ
リメチルフェニルシリレンでは、225nmおよび335
nmの紫外光照射時における量子効率は各々1.8%、0.
5%である。また、一般式(B)で示されるポリジ−n−
ヘキシルシリレンでは、220nmおよび355nmの紫外
光照射時の量子効率はそれぞれ0.5%、0.04%であ
る。この様に従来のポリシリレンは光照射によるキャリ
ア発生能を有するものの、紫外光の照射によってしかキ
ャリアは発生しないうえにキャリア発生の量子効率も1
%程度と低いという問題を持っており、光伝導体として
は実用に供することができない。
チルフェニルシリレンにフラーレンやクロラニル等の有
機化合物をドープすることによって紫外光照射時の量子
効率の向上や可視光でのキャリア発生を実現する試みが
なされている。しかし、これらにおいては、紫外光での
量子効率の向上はみられるが、可視光照射によるポリシ
リレンにおけるキャリア発生は実現していない。
で効率良くキャリアを発生させる光伝導体を得ることに
ある。本発明は、繰返し単位内にケイ素と芳香環を含ん
でなり、ケイ素と芳香環の結合部位を少なくとも一つ以
上有する有機ケイ素高分子からなる有機光伝導体を提供
する。
般式(1):
または異なって、水素原子または炭化水素基であり、mお
よびnは1以上の整数である。]で示される繰返し単位
を有することが好ましい。さらに、本発明は、前記有機
光伝導体を、金属、金属酸化物、無機半導体、有機半導
体のいずれか少なくとも1つ以上と組み合わせてなるこ
とを特徴とする素子をも提供する。
リシリレンは光照射によるキャリア発生能を有するが、
一般に370nm付近より短波長の紫外光しか吸収しない
ため、紫外光の照射によってしかキャリアを発生しな
い。そこで、可視光の照射によってキャリアを発生させ
るためにはポリシリレンの構造を変えて可視光を吸収す
る様にする必要がある。一方、主鎖骨格内にπ電子系を
含むジシラニレンポリマーでは、相当するモノマーの紫
外吸収スペクトルを比較すると、ポリマー鎖を形成する
ことによりσ−πの共役がのびるため、吸収波長が長波
長側にシフトすることが知られている(石川満夫「高分
子」、37巻6号456頁)。
電子系である芳香環を含み、ケイ素と芳香環との直接結
合を少なくとも一つ以上有する構造とすることにより、
ポリシリレンより長波長側の可視光域に吸収を持つ高分
子を得ることができる。
R1,R2は水素原子または炭素水素基であり、m,nは1以
上の整数である。Ar(芳香族基)としては、ベンゼン;
ナフタレンやアントラセン等の縮合芳香環;ピリジン,
チオフェン,ピロール,イソチアナフテン等のヘテロ環な
どが挙げられ、安定なπ電子系の芳香環であれば何らの
制限もない。芳香環の炭素原子が直接にケイ素原子また
は他の芳香環に結合している。芳香環は、炭化水素また
はハロゲン原子などで置換されていても置換されていな
くてもよい。R1およびR2は独立的に水素原子、直鎖ま
たは分岐の1〜18、好ましくは1〜15の炭素原子を
有するアルキル基、6〜18個の炭素原子を有するアリ
ール基、7〜24個の炭素原子を有するアラルキル基、
あるいは炭素原子数1〜6のアルコキシ基である。
有機ケイ素高分子としての特長を持たせ、またσ共役が
広がり、芳香環のπ電子と効果的にσ−πの共役を得る
ためにはmは2以上であることが望ましい。mは2〜5
0、より好ましくは2〜10であることが好ましい。n
の値についても特に制限はなく、この値をかえることに
よっても吸収波長を変えることができる。nの値は通常
1以上、好ましくは2〜5である。有機ケイ素高分子
は、通常1,000〜10,000,000、好ましくは
1,000〜1,000,000の重量平均分子量を有す
る。
一般式(2):
R4は水素または炭化水素基である。]で示される繰返し
単位を持つ有機ケイ素高分子が好ましい。R3およびR4
の炭化水素基は、R1およびR2で規定したのと同様に、
アルキル基、アリール基、アラルキル基またはアルコキ
シ基であってよい。チオフェン環を有する有機ケイ素高
分子では、チオフェン環自体に歪が少なく、π共役がき
れいに広がるとともに、ケイ素のσ共役と効果的に繋が
るので、可視域の高い吸収を持たせるとが可能となる。
って可視光域に吸収を有する高分子が得られ、これに可
視光を照射することによってキャリアが発生し、本発明
の目的とする可視光に応答する有機光伝導体が得られ
る。
で可視光の照射でキャリアを発生し、光伝導体となる
が、有機ケイ素高分子にキャリア発生を増大させ得る様
な他材料を組み合わせることによって、量子効率をさら
に高めることができる。例えば、有機ケイ素高分子に他
材料をドープすることができる。有機ケイ素高分子に組
み合わせる材料としては電子吸引性物質であれば特に限
定されるものではない。電子吸引性物質のイオン化ポテ
ンシャルが有機ケイ素高分子のイオン化ポテンシャルよ
りも大きいことが好ましい。一般に炭素材料は両性物質
であり電子吸引性物質となり得る。さらに、通常雰囲気
では水または酸素等との反応は起こりにくく極めて安定
な物質である。炭素材料の中でもCx(x=60〜960)
で表記される閉殻構造を有するクラスター状炭素[(通
称)フラーレン:C60,C70,C84など]は電子吸引能に優
れ、大きなイオン化ポテンシャルを持ち、かつ安定であ
るだけでなく有機溶媒にも可溶であり、性能、取扱いに
優れた電子吸引性物質であるため、本発明の電子吸引性
物質として特に好ましい材料である。
み合わせる方法は、特に限定されるものではない。例え
ば、有機ケイ素高分子と電子吸引性物質を有機溶媒中に
溶解せしめ、その後、有機溶媒を除去する方法;有機溶
媒を用いた有機ケイ素高分子の溶液と電子吸引性物質の
溶液を混合し、その後、有機溶媒を除去する方法;有機
ケイ素高分子を電子吸引性物質の蒸気に曝すことによっ
て、電子吸引性物質を有機ケイ素高分子に拡散せしめる
方法;有機ケイ素高分子のフイルムを形成した後、フイ
ルム表面に電子吸引性物質を塗布乾燥により両者を積層
させる方法;有機ケイ素高分子のフイルムを形成した後
フイルム表面と電子吸引性物質を蒸着せしめ積層させる
方法などが挙げられる。有機溶媒としては、例えば、ベ
ンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン、クロロホル
ム、ジクロロメタンなどが用いられる。
する場合において、電子吸引性物質の量は、有機ケイ素
高分子100重量部当たり、通常0.001〜100重
量部、好ましくは0.01〜50重量部である。有機ケ
イ素高分子のフイルムおよび電子吸引性物質のフイルム
を形成する場合において、有機ケイ素高分子のフイルム
の厚みは通常0.01〜100μm、好ましくは0.05
〜10μm、電子吸引性物質のフイルムの厚みは通常
0.01〜100μm、好ましくは0.05〜10μmで
ある。本発明の有機ケイ素高分子と電子吸引性物質を組
み合わせることによって可視光に対しより高い量子効率
を示す様になり、より優れた光伝導体を得ることができ
る。
金、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム合
金、銅合金など)、金属酸化物(例えば、酸化インジウ
ム、酸化スズ、酸化鉛、酸化銀、酸化インジウムと酸化
スズの化合物)、半導体[無機半導体(例えば、シリコ
ン、ゲルマニウム、ガリウム・ヒ素、インジウム・リン
など)または有機半導体(例えばアントラセン、金属フタ
ロシアニン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェ
ニレンビニレン、ポリビニルカルバゾール)]等と組み
合わせることによって光伝導素子および光起電力素子等
の素子を構成することが可能となる。
に形成された金属、金属酸化物または半導体上に塗布乾
燥することによって有機光伝導体のフイルムを形成せし
める方法;有機光伝導体フイルム上に、金属、金属酸化
物または半導体を蒸着することなどによって有機光伝導
体のフイルムと、金属、金属酸化物または半導体のフイ
ルムを積層する方法などによって素子が得られる。有機
光伝導体のフイルムの厚みは通常0.01〜100μ
m、好ましくは0.05〜10μm、金属、金属酸化物
または半導体のフイルムの厚みは通常0.01〜100
μm、好ましくは0.05〜10μmである。
具体的に説明するが、本発明は実施例によって限定され
るものではない。
芳香族基がチオフェン環である式(3):
成した。合成方法は石川らがAppl. Organomet. Che
m.,7,269(1993)および日本化学会第66秋
季年会講演予稿集4A128(1993)に記載されて
いる。
リウム縮合反応によって合成した。縮合反応において
は、溶媒として、トルエンを用い、反応温度は110
℃、反応時間は3時間であった。収率50%。
ジシラン(n=2の場合)または1,2−ビス[5−(5'
−ブロモジチエニル)]テトラエチルジシラン(n=4の
場合)と1当量のマグネシウム金属より調製したグリニ
ャール試薬のニッケル錯体触媒によるカップリング反応
によって合成した。カップリング反応においては、溶媒
として、テトラヒドロフランを用い、ニッケル錯体触媒
として、ジクロロ(ジフェニルホスフィノエタン)ニッ
ケル(II)(dppe:diphenylphosphinoethane)をモ
ノマーに対して1mol%の量で用いた。n=2の場
合、反応温度は200℃、反応時間は100時間であっ
た。収率81%。n=4の場合、反応温度230℃、反
応時間100時間、収率97%。
ジシラン(n=3の場合)または1,2−ビス[5−(5'
−ブロモジチエニル)]テトラエチルジシラン(n=5の
場合)と2当量のマグネシウム金属より調製したグリニ
ャール試薬と1当量の2,5−ジブロモチオフェンをニ
ッケル錯体触媒によりカップリング反応させることによ
って合成した。グリニャール反応においては、溶媒とし
て、テトラヒドロフランを用いた。カップリング反応に
おいては、ニッケル錯体触媒として、ジクロロ(ジフェ
ニルホスフィノエタン)ニッケル(II)(dppe:dip
henylphosphinoethane)をモノマーに対して1mol%
の量で用いた。n=3の場合、反応温度は150℃、反
応時間は100時間であった(収率78%)。n=5の
場合、反応温度100℃、反応時間48時間、収率78
%。
ン環である有機ケイ素高分子の平均分子量、分散、およ
び最も長波長側の吸収極大波長を下表に示す。 n Mw Mw/Mn λmax 1 20,000 4.0 270nm 2 24,000 3.1 343nm 3 35,000 4.4 389nm 4 30,000 3.8 415nm 5 17,000 2.1 420nm
が3つ以上)で可視光に吸収ピークを持つものが得られ
ることがわかる。なお、n=2の場合でも可視光域に弱
いながらも吸収を持つ。このことから、可視光で利用可
能な本発明の光伝導体となる高分子を合成できたことが
わかる。
トルエン950mgに溶かした後、インジウム・スズ酸化
物導電体(ITO)を蒸着した石英基板上にスピンコート
によって厚さ1μmのフイルムを形成した後、フイルム
上に金を200Åの厚みで蒸着した。金とITOを電極
として用い、金側を正バイアスとしてフイルムに5×1
05V/cmの電界を印加した状態で金側より光を照射し
た。この時、光電流が観測された。360nmより短波長
の紫外光照射によって多くのキャリアが発生し、330
nm光照射での量子効率は0.6%であった。
クラスター状炭素であるC600.8mgをトルエン950m
gに溶かしたものを用いた以外は比較例1と同様にし
た。この時にも光電流が観測された。400nmより短波
長の紫外光照射によって多くのキャリアが発生し、33
0nm光照射での量子効率は9%であった。
ラニレンテトラチエニレン50mgをトルエン950mgに
溶かしたものを用いITOが蒸着された石英基板上にス
ピンコートによって厚さ2μmのフイルムを形成した
後、フイルム上に金を200Åの厚みで蒸着した。金と
ITOを電極として用い金側を正バイアスとしフイルム
に3×105V/cmの電界を印加した状態で金側より光
を照射した。この時、光電流が観測された。440nm〜
540nmの波長の可視光の照射によって多くのキャリア
が発生し、480nm光の照射における量子効率は0.5
%であった。このことからこの高分子が可視光で利用可
能な光伝導体であることが示された。
るポリテトラエチルジシラニレンテトラチエニレン50
mgとクラスター状炭素であるC600.8mgをトルエン9
50mgに溶かしたものを用い、実施例1と同様にして9
μmの厚みのフイルムを形成し、その上に金電極を蒸着
した。金を正バイアスとして6×104V/cmの電界を
印加した状態で金側より光を照射した。その結果550
nmより短波長の光の照射によって多くのキャリアが発生
した。470nmの光の照射における量子効率は11.5
%であった。このことから、可視光から紫外光の広い範
囲の光に対し利用可能な光伝導体であることが示され
た。
るポリテトラエチルジシラニレンテトラチエニレン50
mgをトルエン950mgに溶かしたものを用いITOが蒸
着された石英基板上にスピンコートによって厚さ2μm
のフイルムを形成した後、フイルム上に金を200Åの
厚みで蒸着した。これによって有効面積0.02cm2の素
子を構成した。この素子において金電極とITO電極の
間に50Vを印加した。この時素子を流れる電流は30
nAであった。この素子に480nmの光を照射した時電
流は56nAまで増大し、電流量が約2倍となった。こ
のことから本素子が光伝導素子となることが示された。
るポリテトラエチルジシラニレンテトラチエニレン50
mgとクラスター状炭素であるC600.8mgをトルエン9
50mgに溶かしたものを用い、実施例1と同様にして9
μmの厚みのフイルムを形成し、その上に金電極を蒸着
し、有効面積0.02cm2の素子を製作した。この素子に
金電極を正バイアスとして50Vを印加した。この時素
子に流れる電流は1nAであった。この素子に470nm
の光を照射した時、電流は670nAに増大し、電流量
は670倍となり電導度が光照射によって約3桁変化し
た。このことから本素子が光伝導素子となることが示さ
れた。
によって効率良くキャリアを発生することができ、電子
写真感光体、受光素子、太陽電池等に用いられる光伝導
体として利用できる。
Claims (5)
- 【請求項1】 繰返し単位内にケイ素と芳香環を含んで
なり、ケイ素と芳香環の結合部位を少なくとも一つ以上
有する有機ケイ素高分子からなる有機光伝導体。 - 【請求項2】 有機ケイ素高分子が、一般式(1): 【化1】 [式中、Arは芳香族基であり、 R1およびR2は、同一または異なって、水素原子または
炭化水素基であり、mおよびnは1以上の整数である。]
で示される繰返し単位を有する請求項1に記載の有機光
伝導体。 - 【請求項3】 有機ケイ素高分子と電子吸引性物質とを
組み合わせてなる請求項1または2に記載の有機光伝導
体。 - 【請求項4】 電子吸引性物質が、閉殻構造を有し、C
xで標記されるクラスター状炭素である請求項3に記載
の有機光伝導体。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の有機光
伝導体を、金属、金属酸化物、無機半導体、有機半導体
のいずれか少なくとも1つ以上と組み合わせてなること
を特徴とする素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26352994A JP3870424B2 (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 有機光伝導体および素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26352994A JP3870424B2 (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 有機光伝導体および素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08125249A true JPH08125249A (ja) | 1996-05-17 |
JP3870424B2 JP3870424B2 (ja) | 2007-01-17 |
Family
ID=17390808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26352994A Expired - Fee Related JP3870424B2 (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 有機光伝導体および素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3870424B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001055447A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | アリールシラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子 |
JP2003347565A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Toray Ind Inc | 光起電力素子 |
JP2005072410A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池及びその製造方法 |
WO2006009123A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Toagosei Co., Ltd. | ポリカルボシラン及びその製造方法 |
WO2009021639A1 (de) * | 2007-08-14 | 2009-02-19 | Bayer Technology Services Gmbh | Verfahren zur herstellung von thiophenoligomeren |
JP2009528396A (ja) * | 2006-02-16 | 2009-08-06 | ユニバーシティ オブ コネチカット | 前駆体ポリマからの導電性ポリマ、その作製方法およびその使用 |
-
1994
- 1994-10-27 JP JP26352994A patent/JP3870424B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4512217B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2010-07-28 | 富士フイルム株式会社 | アリールシラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子 |
JP2001055447A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | アリールシラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子 |
JP2003347565A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Toray Ind Inc | 光起電力素子 |
JP2005072410A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池及びその製造方法 |
WO2006009123A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Toagosei Co., Ltd. | ポリカルボシラン及びその製造方法 |
JPWO2006009123A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2008-05-01 | 東亞合成株式会社 | ポリカルボシラン及びその製造方法 |
JP5223193B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2013-06-26 | 東亞合成株式会社 | ポリカルボシラン及びその製造方法並びに絶縁性材料 |
US7652118B2 (en) | 2004-07-16 | 2010-01-26 | Toagosei Co., Ltd. | Polycarbosilane and method for producing same |
JP2009528396A (ja) * | 2006-02-16 | 2009-08-06 | ユニバーシティ オブ コネチカット | 前駆体ポリマからの導電性ポリマ、その作製方法およびその使用 |
US9127121B2 (en) | 2006-02-16 | 2015-09-08 | The University Of Connecticut | Conductive polymers from precursor polymers, method of making, and use thereof |
JP2010535823A (ja) * | 2007-08-14 | 2010-11-25 | バイエル・テクノロジー・サービシズ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | チオフェンオリゴマーの製造法 |
US8394916B2 (en) | 2007-08-14 | 2013-03-12 | Bayer Technology Services Gmbh | Method for the production of thiophene oligomers |
WO2009021639A1 (de) * | 2007-08-14 | 2009-02-19 | Bayer Technology Services Gmbh | Verfahren zur herstellung von thiophenoligomeren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3870424B2 (ja) | 2007-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4291973B2 (ja) | 光電変換材料および光電池 | |
Grazulevicius et al. | Carbazole-containing polymers: synthesis, properties and applications | |
KR101361312B1 (ko) | 광기전력 소자용 전자 공여성 유기 재료, 광기전력 소자용 재료 및 광기전력 소자 | |
JP6149856B2 (ja) | 有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池 | |
JP5566890B2 (ja) | 有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイ | |
KR100857670B1 (ko) | 광전변환소자 | |
KR20100130623A (ko) | 전자 공여성 유기 재료, 광 기전력 소자용 재료 및 광 기전력 소자 | |
TW200408658A (en) | Dendritic polymer and electronic device element employing the polymer | |
JPWO2007015503A1 (ja) | 光電変換素子 | |
JP6090166B2 (ja) | 有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池 | |
Halls et al. | Organic photovoltaic devices | |
Ohshita et al. | Synthesis of polymers with alternating organosilanylene and oligothienylene units and their optical, conducting, and hole-transporting properties | |
JP3157589B2 (ja) | テトラアリールジアミン化合物 | |
JP6135668B2 (ja) | タンデム型有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池 | |
JP2007531286A (ja) | トリメタスフェアを備える光起電装置 | |
JP3870424B2 (ja) | 有機光伝導体および素子 | |
Kakimoto et al. | Visible light photoconduction of poly (disilanyleneoligothienylene) s and doping effect of C60 | |
Kimoto et al. | Synthesis and electroluminescence properties of novel main chain poly (p-phenylenevinylene) s possessing pendant phenylazomethine dendrons as metal ligation sites | |
Haga et al. | Photovoltaic characteristics of phthalocyanine-polysilane composite films | |
Gratt et al. | The role of ordered block copolymer morphology in the performance of organic/inorganic photovoltaic devices | |
JP4465282B2 (ja) | 有機デバイスとその製造方法 | |
Grazulevicius et al. | Charge-transporting polymers and molecular glasses | |
Grova et al. | Synthesis and photovoltaic performance of a fluorene-bithiophene copolymer | |
JP2006073900A (ja) | 光電変換素子 | |
JP4928533B2 (ja) | 光電変換材料および光電池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051028 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060926 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061009 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101027 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |