JP4379637B1 - 有機ケイ素化合物の製造方法 - Google Patents
有機ケイ素化合物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4379637B1 JP4379637B1 JP2009081032A JP2009081032A JP4379637B1 JP 4379637 B1 JP4379637 B1 JP 4379637B1 JP 2009081032 A JP2009081032 A JP 2009081032A JP 2009081032 A JP2009081032 A JP 2009081032A JP 4379637 B1 JP4379637 B1 JP 4379637B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- compound
- general formula
- carbon atoms
- organosilicon compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
- C07F7/1872—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20
- C07F7/188—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-O linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
- C07F7/1872—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20
- C07F7/1876—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
Abstract
【解決手段】一般式(1)で表される有機ケイ素化合物を、一般式(2)で表される金属化合物と反応させて、一般式(3)で表される有機ケイ素化合物を得る。R2 nXmSi−R1−SiXmR3 n・・・・・(1)(式中、R1はメチレン基、アルキレン基、アリーレン基を示し、R2およびR3は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、またはアリール基を示し、Xは水素原子またはハロゲン原子を示し、mおよびnは0〜3の整数を示し、m+n=3である。)M(OR4)r・・・・・(2)(式中、Mは金属元素を示し、rは金属元素の価数を示し、R4は同アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、またはアリール基を示す。)R2 n(OR4)mSi−R1−Si(OR4)mR2 n・・・・・(3)
【選択図】なし
Description
下記一般式(1)で表される有機ケイ素化合物を、下記一般式(2)で表される金属化合物と反応させて、下記一般式(3)で表される有機ケイ素化合物を得る工程を含む。
上記有機ケイ素化合物の製造方法では、上記一般式(1)および上記一般式(2)において、R1がメチレン基であることができる。
1.1.有機ケイ素化合物の製造方法
本発明の一実施形態にかかるケイ素化合物の製造方法は、下記一般式(1)で表される有機ケイ素化合物(以下、「化合物1」ともいう。)を、下記一般式(2)で表される金属化合物(以下、「化合物2」ともいう。)を反応させて、下記一般式(3)で表される有機ケイ素化合物(以下、「化合物3」ともいう。)を得る工程を含む。
化合物3の製造において、化合物1の使用量に対する化合物2の使用量(モル比)は通常1〜10である。また、化合物3の製造における反応温度は通常0〜100℃であり、反応時間は通常1〜10時間である。
本実施形態に係る有機ケイ素化合物の製造方法において、下記一般式(4)で表される少なくとも1種の化合物(以下「化合物4」ともいう。)を、下記一般式(5)で表される化合物(以下「化合物5」ともいう。)とを反応させて、上記一般式(1)で表される化合物を得る工程をさらに含むことができる。
本実施形態にかかる有機ケイ素化合物の製造方法において、最終生成物である化合物3は例えば、ケイ素、炭素、酸素、および水素を含む絶縁膜を形成するために用いることができる。このような絶縁膜は、半導体製造工程中の洗浄工程で汎用されているフッ酸系の薬液に対して高い耐性を有するため、加工耐性が高いという特徴を有する。
本実施形態に係る有機ケイ素化合物の製造方法によれば、化合物1と化合物2との反応において、化合物1においてXで表される基を一括してOR4基に変換することにより化合物3を得ることができる。これにより、短い工程で効率的に化合物3を収率良く合成することができるという特有の作用効果を有する。例えば、化合物1がXで表される基を複数含む場合において、かかるXで表される複数の基が水素原子およびハロゲン原子の両方である場合、水素原子およびハロゲン原子を同時にOR4基に変換することができるため、簡便な工程にて化合物3を収率良く得ることができる。なお、化合物1がXで表される基が水素原子またはハロゲン原子のみである場合においても、Xで表される基をOR4基に効率良く変換できる。
以下、本発明を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例中の「%」は特記しない限り、それぞれ重量%であることを示している。
精製後の有機シラン化合物の純度は、ガスクロマトグラフ(装置本体:Agilent technologies社製6890N、カラム:Supelco社製SPB−35)を使用して同定した。また、精製した有機シラン化合物中の水分量および不純物含有量は、カールフィッシャー水分計(平沼産業社製、微量水分測定装置AQ−7)および原子吸光分光光度計(日立ハイテク社製、偏光ゼーマン原子吸光分光光度計Z−5700)を用いて測定した。
2.2.1.合成例1
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた3つ口フラスコを60℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた3つ口フラスコを60℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた3つ口フラスコを60℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた3つ口フラスコを60℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた3つ口フラスコを60℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた3つ口フラスコを60℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた3つ口フラスコを50℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。
Claims (7)
- 下記一般式(4)で表される化合物と下記一般式(5)で表される化合物とを反応させて、下記一般式(1)で表される化合物を得る工程と、
前記工程で得られた下記一般式(1)で表される有機ケイ素化合物を、下記一般式(2)で表される金属化合物と反応させて、下記一般式(3)で表される有機ケイ素化合物を得る工程と、
を含む、有機ケイ素化合物の製造方法。
R2 nXmSi−R1−SiXmR 2 n ・・・・・(1)
(式中、R1はメチレン基、炭素原子数2〜10のアルキレン基、炭素原子数6〜12のアリーレン基を示し、R2はそれぞれ同一または異なり、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数2〜10のアルケニル基、炭素原子数2〜10のアルキニル基、または炭素原子数6〜12のアリール基を示し、Xは同一または異なり、水素原子またはハロゲン原子を示し、mおよびnは同一または異なり、0〜3の整数を示し、m+n=3である(ただし、2つあるmのうち少なくとも一つは1以上である。)。)
M(OR4)r ・・・・・(2)
(式中、Mは金属元素を示し、rは金属元素の価数を示し、R4は同一または異なり、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数2〜10のアルケニル基、炭素原子数2〜10のアルキニル基、または炭素原子数6〜12のアリール基を示す。)
R2 n(OR4)mSi−R1−Si(OR4)mR2 n ・・・・・(3)
(式中、R1、R2、mおよびnは上記一般式(1)で定義されたとおりであり、R4は上記一般式(2)で定義されたとおりである。)
Y−R 1 −Y ・・・・・(4)
(式中、Yはハロゲン原子を示し、R 1 は上記一般式(1)で定義されたとおりである。)
SiX m+1 R 2 n ・・・・・(5)
(式中、X、R 2 、mおよびnは上記一般式(1)で定義されたとおりである。) - 上記一般式(1)および上記一般式(2)において、R1がメチレン基である、請求項1に記載の有機ケイ素化合物の製造方法。
- 上記一般式(2)において、Mがアルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素から選ばれる少なくとも1種である、請求項1または2に記載の有機ケイ素化合物の製造方法。
- 上記一般式(2)において、Mがナトリウムである、請求項3に記載の有機ケイ素化合物の製造方法。
- 上記一般式(1)において、R 2 がそれぞれ同一または異なり、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数2〜10のアルケニル基、または炭素原子数6〜12のアリール基である、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の有機ケイ素化合物の製造方法。
- 上記一般式(1)において、R 2 がそれぞれ同一または異なり、炭素原子数1〜10のアルキル基または炭素原子数2〜10のアルケニル基である、請求項5に記載の有機ケイ素化合物の製造方法。
- 上記一般式(1)において、R 2 がそれぞれ同一または異なり、炭素原子数1〜10のアルキル基である、請求項6に記載の有機ケイ素化合物の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009081032A JP4379637B1 (ja) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
TW099109196A TWI409271B (zh) | 2009-03-30 | 2010-03-26 | Method for producing organic silicon compounds |
KR1020100027711A KR100994637B1 (ko) | 2009-03-30 | 2010-03-29 | 유기규소 화합물의 제조 방법 |
US12/749,735 US8097745B2 (en) | 2009-03-30 | 2010-03-30 | Method of producing organosilicon compound |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009081032A JP4379637B1 (ja) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4379637B1 true JP4379637B1 (ja) | 2009-12-09 |
JP2010229115A JP2010229115A (ja) | 2010-10-14 |
Family
ID=41459743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009081032A Active JP4379637B1 (ja) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8097745B2 (ja) |
JP (1) | JP4379637B1 (ja) |
KR (1) | KR100994637B1 (ja) |
TW (1) | TWI409271B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012532927A (ja) * | 2009-07-13 | 2012-12-20 | サムソン ファイン ケミカルズ カンパニー リミテッド | 有機クロロヒドロシラン及びその製造方法 |
US8932674B2 (en) | 2010-02-17 | 2015-01-13 | American Air Liquide, Inc. | Vapor deposition methods of SiCOH low-k films |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104136501B (zh) * | 2012-03-07 | 2016-08-24 | 日本曹达株式会社 | 聚二烷基硅烷的制造方法 |
US9879340B2 (en) * | 2014-11-03 | 2018-01-30 | Versum Materials Us, Llc | Silicon-based films and methods of forming the same |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2574403B2 (ja) | 1988-06-13 | 1997-01-22 | 富士通株式会社 | 有機ケイ素重合体及びその製法ならびにそれを使用した半導体装置 |
JP2511244B2 (ja) | 1993-12-22 | 1996-06-26 | 財団法人韓国科学技術研究院 | トリス(シリル)アルカンとその製造方法 |
US5430168A (en) | 1994-10-27 | 1995-07-04 | Dow Corning Corporation | Alumimum trichloride catalyzed hydrogenation of high-boiling residue from direct process |
JP2002167438A (ja) | 2000-11-29 | 2002-06-11 | Jsr Corp | ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
KR101227664B1 (ko) | 2002-01-31 | 2013-01-29 | 도소 가부시키가이샤 | 유기실란화합물을 포함하여 구성되는 절연막용 재료, 그 제조방법 및 반도체장치 |
JP4438385B2 (ja) | 2002-11-28 | 2010-03-24 | 東ソー株式会社 | 絶縁膜用材料、有機シラン化合物の製造方法、絶縁膜、及びそれを用いた半導体デバイス |
TWI282124B (en) | 2002-11-28 | 2007-06-01 | Tosoh Corp | Insulating film material containing an organic silane compound, its production method and semiconductor device |
JP2005047852A (ja) | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 1−オルガノキシテトラシロキサンの製造方法 |
US7462678B2 (en) | 2003-09-25 | 2008-12-09 | Jsr Corporation | Film forming composition, process for producing film forming composition, insulating film forming material, process for forming film, and silica-based film |
JP2005175060A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Jsr Corp | 絶縁膜およびその形成方法、ならびに膜形成用組成物 |
JP4737361B2 (ja) | 2003-12-19 | 2011-07-27 | Jsr株式会社 | 絶縁膜およびその形成方法 |
WO2005068538A1 (ja) | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Jsr Corporation | ポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、および絶縁膜 |
WO2005068541A1 (ja) | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Jsr Corporation | 有機シリカ系膜の形成方法、有機シリカ系膜、配線構造体、半導体装置、および膜形成用組成物 |
EP1719793A4 (en) | 2004-02-26 | 2009-05-20 | Jsr Corp | POLYMER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, COMPOSITION FOR FORMING AN INSULATING FILM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR |
JP5110239B2 (ja) | 2004-05-11 | 2012-12-26 | Jsr株式会社 | 有機シリカ系膜の形成方法、膜形成用組成物 |
WO2005108469A1 (ja) | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Jsr Corporation | 有機シリカ系膜の形成方法、有機シリカ系膜、配線構造体、半導体装置、および膜形成用組成物 |
JP5110238B2 (ja) | 2004-05-11 | 2012-12-26 | Jsr株式会社 | 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法 |
EP1615260A3 (en) | 2004-07-09 | 2009-09-16 | JSR Corporation | Organic silicon-oxide-based film, composition and method for forming the same, and semiconductor device |
JP4355939B2 (ja) | 2004-07-23 | 2009-11-04 | Jsr株式会社 | 半導体装置の絶縁膜形成用組成物およびシリカ系膜の形成方法 |
EP1947135A4 (en) | 2005-11-11 | 2012-12-26 | Jsr Corp | POLYCARBOSILAN, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, SILICON DIOXIDE COMPOSITION FOR COATING APPLICATION AND SILICON DIOXIDE FILM |
EP1981074B1 (en) * | 2006-02-02 | 2011-06-22 | JSR Corporation | Organic silica film and method for forming same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing same, wiring structure and semiconductor device |
JP5365785B2 (ja) | 2008-05-30 | 2013-12-11 | Jsr株式会社 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
-
2009
- 2009-03-30 JP JP2009081032A patent/JP4379637B1/ja active Active
-
2010
- 2010-03-26 TW TW099109196A patent/TWI409271B/zh active
- 2010-03-29 KR KR1020100027711A patent/KR100994637B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-03-30 US US12/749,735 patent/US8097745B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012532927A (ja) * | 2009-07-13 | 2012-12-20 | サムソン ファイン ケミカルズ カンパニー リミテッド | 有機クロロヒドロシラン及びその製造方法 |
US8932674B2 (en) | 2010-02-17 | 2015-01-13 | American Air Liquide, Inc. | Vapor deposition methods of SiCOH low-k films |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI409271B (zh) | 2013-09-21 |
JP2010229115A (ja) | 2010-10-14 |
US8097745B2 (en) | 2012-01-17 |
KR100994637B1 (ko) | 2010-11-15 |
US20110082309A1 (en) | 2011-04-07 |
KR20100109443A (ko) | 2010-10-08 |
TW201038585A (en) | 2010-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4379637B1 (ja) | 有機ケイ素化合物の製造方法 | |
US9181283B2 (en) | Methods of preparing low molecular weight carbosilanes and precursors thereof | |
JP5115729B2 (ja) | トリアルキルシリル基で保護されたアセト酢酸エステル基含有有機ケイ素化合物及びその製造方法 | |
JP5348373B2 (ja) | ポリカルボシランの製造方法 | |
JP5365785B2 (ja) | 有機ケイ素化合物の製造方法 | |
JP5234909B2 (ja) | アルコキシル基含有籠型シロキサン化合物及びシラノール基含有籠型シロキサン化合物並びにこれらの製造方法 | |
CN110759938B (zh) | 一种含杂原子羟烃基二硅氧烷及其制备方法与应用 | |
KR101249352B1 (ko) | 에테르 그룹과 디알킬아미노 그룹이 동시에 포함된 알킬알콕시실란 화합물과 이의 제조방법 | |
JP2012077008A (ja) | ケイ素系材料およびその製造方法 | |
EP1149837A2 (en) | Organosilicon compounds | |
US7402648B2 (en) | Method for producing cyclic organic silicon compound and organic silicon resin having alcoholic hydroxyl group | |
JP5062231B2 (ja) | アルコール性水酸基を有する有機ケイ素樹脂及びその製造方法 | |
JP2007051122A (ja) | ω−[2−(ポリアルキレンオキシ)エチルチオ]アルキルアルコキシシラン誘導体とその製造方法 | |
JP6685386B2 (ja) | (メタ)アクリレート基を有する有機ケイ素化合物およびその製造方法 | |
WO2005077960A1 (ja) | 新規な有機ケイ素化合物及びジオールを有する有機ケイ素樹脂並びにそれらの製造方法 | |
JP7350253B2 (ja) | ビスハロアルキルシロキサン化合物及びその製造方法、並びに、両末端官能性のシロキサン化合物の製造方法 | |
JP6826351B2 (ja) | オルガノシロキサン及びその製造方法 | |
JP2002012597A (ja) | 有機ケイ素化合物 | |
JP2008239634A (ja) | アルコール性水酸基を有する有機ケイ素樹脂及びその製造方法 | |
JPH0813825B2 (ja) | エポキシ基含有有機ケイ素化合物 | |
JP5057309B2 (ja) | ジアルキルシラン化合物およびその製造方法 | |
JP4891536B2 (ja) | アミノアリール基含有有機ケイ素化合物の製造方法、並びに、その中間体の製造方法 | |
JP2022172690A (ja) | 化合物及びその製造方法 | |
JP2009227595A (ja) | 有機ケイ素化合物 | |
JPH06321960A (ja) | 新規な有機ケイ素化合物およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090826 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090908 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4379637 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131002 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |