JP5110238B2 - 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法 - Google Patents
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Description
(B)成分;主鎖が−(Si−CH2)x−で表される構造からなり、かつ、下記一般式(4)で表される構造、下記一般式(5)で表される構造、下記一般式(6)で表される構造および下記一般式(7)で表される構造を有するポリカルボシランの存在下、
(A)成分;下記一般式(1)〜(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、
有機溶媒と、を含む。
RaSi(OR1)4−a ・・・・・(1)
(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R1は1価の有機基を示し、aは1〜2の整数を示す。)
Si(OR2)4 ・・・・・(2)
(式中、R2は1価の有機基を示す。)
R3 b(R4O)3−bSi−(R7)d−Si(OR5)3−cR6 c ・・・(3)
(式中、R3〜R6は同一または異なり、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7は酸素原子、フェニレン基または−(CH2)m−で表される基(ここで、mは1〜6の整数である)を示し、dは0または1を示す。)
(式中、R8は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシロキシ基からなる群より選ばれる基を示す。)
(式中、R9およびR10は、同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシロキシ基からなる群より選ばれる基を示す。)
(式中、R11〜R13は、同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシロキシ基からなる群より選ばれる基を示す。)
(X1X2X3X4N)aY ・・・・・(8)
(式中、X1,X2,X3,X4は同一または異なり、それぞれ水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アリール基、およびアリールアルキル基からなる群より選ばれる基を示し、Yはハロゲン原子または1〜4価のアニオン性基を示し、aは1〜4の整数を示す。)
(B)成分;主鎖が−(Si−CH2)x−で表される構造からなり、かつ、下記一般式(4)で表される構造、下記一般式(5)で表される構造、下記一般式(6)で表される構造および下記一般式(7)で表される構造を有するポリカルボシランの存在下、
(A)成分;下記一般式(1)〜(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を加水分解縮合して前記加水分解縮合物を得る工程を含む。
RaSi(OR1)4−a ・・・・・(1)
(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)
Si(OR2)4 ・・・・・(2)
(式中、R2は1価の有機基を示す。)
R3 b(R4O)3−bSi−(R7)d−Si(OR5)3−cR6 c ・・・(3)
(式中、R3〜R6は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7は酸素原子、フェニレン基または−(CH2)m−で表される基(ここで、mは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。)
(式中、R8は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシロキシ基からなる群より選ばれる基を示す。)
(式中、R9およびR10は、同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシロキシ基からなる群より選ばれる基を示す。)
(式中、R11〜R13は、同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシロキシ基からなる群より選ばれる基を示す。)
(X1X2X3X4N)aY ・・・・・(8)
(式中、X1,X2,X3,X4は同一または異なり、それぞれ水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アリール基、およびアリールアルキル基からなる群より選ばれる基を示し、Yはハロゲン原子または1〜4価のアニオン性基を示し、aは1〜4の整数を示す。)
上記本発明の絶縁膜形成用組成物を基板に塗布し、塗膜を形成する工程と、
前記塗膜について、加熱、電子線照射、紫外線照射、および酸素プラズマから選ばれる少なくとも1種の硬化処理を行なう工程と、を含む。
本発明に係る膜形成用組成物(絶縁膜形成用組成物)は、(A)成分を、(B)成分の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物(以下、「特定加水分解縮合物」という)と、有機溶媒とを含む。以下、各成分について説明する。
(A)成分は、下記一般式(1)で表される化合物(以下、「化合物1」という)、下記一般式(2)で表される化合物(以下、「化合物2」という)および下記一般式(3)で表される化合物(以下、「化合物3」という)の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物である。
RaSi(OR1)4−a ・・・・・(1)
(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R1は1価の有機基を示し、aは1〜2の整数を示す。)
Si(OR2)4 ・・・・・(2)
(式中、R2は1価の有機基を示す。)
R3 b(R4O)3−bSi−(R7)d−Si(OR5)3−cR6 c・・・(3)
(式中、R3〜R6は同一または異なり、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7は酸素原子、フェニレン基または−(CH2)m−で表される基(ここで、mは1〜6の整数である)を示し、dは0または1を示す。)
前記一般式(1)において、R,R1で表される1価の有機基としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基、などを挙げることができる。ここで、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数1〜5であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐していてもよい。前記一般式(1)において、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基などが挙げられる。また、前記一般式(1)において、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。
一般式(2)において、R2の1価の有機基としては、前記一般式(1)においてR,R1として例示した1価の有機基と同様の基を挙げることができる。
一般式(3)において、R3〜R6の1価の有機基としては、前記一般式(1)においてR,R1として例示した1価の有機基と同様の基を挙げることができる。
次に(B)成分について説明する。(B)成分は、主鎖が−(Si−CH2)x−で表される構造(ここで、xは2以上の数である)からなり、かつ、下記一般式(4)で表される構造、下記一般式(5)で表される構造、下記一般式(6)で表される構造および下記一般式(7)で表される構造を有するポリカルボシラン(以下「化合物4」という)である。(B)成分は、前記(A)成分と縮合して、Si−O−Si結合を形成することができる。
(式中、R8は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシロキシ基からなる群より選ばれる基を示す。)
(式中、R9およびR10は、同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシロキシ基からなる群より選ばれる基を示す。)
(式中、R11〜R13は、同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシロキシ基からなる群より選ばれる基を示す。)
R8〜R13において、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などを挙げることができ、アシロキシ基としては、アセトキシ基、ベンジルオキシ基などを挙げることができる。
本発明の膜形成用組成物に含まれる加水分解縮合物を製造する際、(C)塩基性触媒を使用することにより、得られる加水分解縮合物の分子構造に存在する分子鎖の分岐度を高くすることができ、かつ、その分子量をより大きくすることができる。これにより、上述した構造を有する加水分解縮合物を得ることができる。
(X1X2X3X4N)a’ Y・・・・・(8)
前記一般式(8)において、X1,X2,X3,X4は同一または異なり、それぞれ水素原子、炭素数1〜20のアルキル基(好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基など)、ヒドロキシアルキル基(好ましくはヒドロキシエチル基など)、アリール基(好ましくはフェニル基など)、アリールアルキル基(好ましくはフェニルメチル基など)を示し、Yはハロゲン原子(好ましくはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子など)、1〜4価のアニオン性基(好ましくはヒドロキシ基など)を示し、a’は1〜4の整数を示す。
特定加水分解縮合物は、上記(B)成分および(C)塩基性触媒の存在下に、上記(A)成分を加水分解縮合することにより得られる。
本発明の絶縁膜形成用組成物に含まれる有機溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒および含ハロゲン溶媒の群から選ばれた少なくとも1種が挙げられる。
エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、2,4−ペンタンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、2,5−ヘキサンジオール、2,4−ヘプタンジオール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価アルコール系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多価アルコール部分エーテル系溶媒;などを挙げることができる。これらのアルコール系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
本発明の絶縁膜形成用組成物には、さらに有機ポリマーや界面活性剤などの成分を添加してもよい。また、これらの添加物は、(A)成分および(B)成分を混合する前の各成分が溶解もしくは分散された溶剤中に添加されていてもよい。
有機ポリマーとしては、例えば、糖鎖構造を有する重合体、ビニルアミド系重合体、(メタ)アクリル系重合体、芳香族ビニル化合物系重合体、デンドリマー、ポリイミド,ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポリアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体などを挙げることができる。
−(X′)l−(Y′)m’ −(X′)n−
(式中、X′は−CH2CH2O−で表される基を、Y′は−CH2CH(CH3)O−で表される基を示し、lは1〜90、m’は10〜99、nは0〜90の数を示す。)
これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げることができる。前述の有機ポリマーは、1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
界面活性剤としては、たとえば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ(メタ)アクリレート系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げることができる。
本発明の膜(絶縁膜)の形成方法は、膜形成用組成物を基材に塗布し、塗膜を形成する工程と、前記塗膜に加熱処理を行なう工程と、を含む。
本発明のシリカ系膜は、低誘電率であり、かつ表面平坦性に優れるため、LSI、システムLSI、DRAM、SDRAM、RDRAM、D−RDRAMなどの半導体素子用層間絶縁膜として特に優れており、かつ、エッチングストッパー膜、半導体素子の表面コート膜などの保護膜、多層レジストを用いた半導体作製工程の中間層、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示素子用の保護膜や絶縁膜などに好適に用いることができる。
以下、本発明を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例中の「部」および「%」は、特記しない限り、それぞれ重量部および重量%であることを示している。
各種の評価は、次のようにして行った。
8インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて膜形成用組成物を塗布し、ホットプレート上にて90℃で3分間、次いで窒素雰囲気下200℃で3分間乾燥し、さらに50mTorrの減圧下(真空雰囲気)420℃の縦型ファーネスで1時間焼成した。得られた膜に、蒸着法によりアルミニウム電極パターンを形成し、比誘電率測定用サンプルを作成した。該サンプルについて、周波数100kHzの周波数で、横河・ヒューレットパッカード(株)製、HP16451B電極およびHP4284AプレシジョンLCRメータを用いてCV法により当該膜の比誘電率を測定した。
MTS社製超微少硬度計(Nanoindentator XP)にバーコビッチ型圧子を取り付け、得られた絶縁膜のユニバーサル硬度を求めた。また、弾性率は連続剛性測定法により測定した。
40℃で30日保存した膜形成用組成物を、スピンコート法を用いて基材に塗布し、ホットプレート上にて90℃で3分間、次いで窒素雰囲気下200℃で3分間基板を乾燥し、さらに50mTorrの減圧下にて420℃の縦型ファーネスで1時間焼成した。このようにして得られた塗膜の膜厚を、光学式膜厚計(Rudolph Technologies社製、Spectra Laser200)を用いて塗膜面内で50点測定した。得られた膜の膜厚を測定し、下式により求めた膜厚増加率により、保存安定性を評価した。
膜厚増加率(%)=((保存後の膜厚)−(保存前の膜厚))÷(保存前の膜厚)×100
A:膜厚増加率が4%以下である。
B:膜厚増加率が4%を超える。
シリカ系膜が形成された8インチウエハを、室温で0.2%の希フッ酸水溶液中に1分間浸漬し、浸漬前後のシリカ系膜の膜厚変化を観察した。下記に定義する残膜率が99%以上であれば、薬液耐性が良好であると判断する。
残膜率(%)=(浸漬後の膜の膜厚)÷(浸漬前の膜の膜厚)×100
A:残膜率が99%以上である。
B:残膜率が99%未満である。
絶縁膜の断面を、集束イオンビーム法で観察用に加工し、TEMを用いて18000倍にて外観を調べた。判断結果を以下のようにして示す。
A:断面の形状観察では、均一な塗膜が得られている。
B:塗膜に海島状のドメイン相分離が確認される。
4.2.1.実施例1
コンデンサーを備えた石英製フラスコ中に、40%メチルアミン水溶液2.58g、超純水178.16g、およびエタノール435.34gを秤取り、60℃で攪拌した。次いで、メチルトリメトキシシラン41.07g、テトラエトキシシラン26.92g、および下記表1に示される各構造を下記の割合で有するポリカルボシラン(9)(Mw=1,300)15.93gを加えた後、60℃で6時間攪拌し、ポリスチレン換算重量平均分子量45,000の加水分解縮合物を含む反応液を得た。反応液を室温に冷却後、プロピレングリコールモノプロピルエーテル613.50gおよび20%酢酸水溶液22.96gを加えた。この反応液を固形分濃度が10%となるまで減圧下で濃縮し、膜形成用組成物1を得た。
コンデンサーを備えた石英製フラスコ中に、20%水酸化テトラプロピルアンモニウム水溶液52.15g、超純水81.5g、およびイソプロパノール470.36gを秤取り、60℃で攪拌した。次いで、メチルトリメトキシシラン26.24g、テトラプロポキシシラン50.93g、および下記表2に示される各構造を下記の割合で有するポリカルボシラン(10)(Mw=840)18.82gを加えた後、60℃で4時間攪拌し、ポリスチレン換算重量平均分子量55,000の加水分解縮合物を含む反応液を得た。反応液を室温に冷却後、プロピレングリコールモノプロピルエーテル551.86gおよび20%酢酸水溶液35.42gを加えた。この反応液を固形分濃度が10%となるまで減圧下で濃縮し、膜形成用組成物2を得た。
コンデンサーを備えた石英製フラスコ中に、25%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液5.80g、超純水110.30g、およびエタノール548.08gを秤取り、60℃で攪拌した。次いで、ジメチルジメトキシシラン5.70g、メチルトリメトキシシラン16.15g、テトラメトキシシラン10.83g、および下記表3に示される各構造を下記の割合で有するポリカルボシラン(11)(Mw=1,050)3.14gを連続的に1時間かけて加えた後、さらに60℃で2時間攪拌し、ポリスチレン換算重量平均分子量40,000の加水分解縮合物を含む反応液を得た。反応液を室温に冷却後、プロピレングリコールモノプロピルエーテル658.38gおよび20%酢酸水溶液10.98gを加えた。この反応液を固形分濃度が10%となるまで減圧下で濃縮し、膜形成用組成物3を得た。
コンデンサーを備えた石英製フラスコ中で、メチルトリメトキシシラン58.04g、テトラメトキシシラン16.22g、および下記表4に示される各構造を下記の割合で有するポリカルボシラン(12)(Mw=1,480)95.27gを、プロピレングリコールモノエチルエーテル425.50gに溶解させた後、スリーワンモーターで攪拌して溶液の温度を55℃に安定させた。次に、シュウ酸0.44gを溶解させたイオン交換水104.83gを1時間かけて溶液に添加した。その後、55℃で3時間反応させ、ポリスチレン換算重量平均分子量2,400の加水分解縮合物を含む反応液を得た後、プロピレングリコールモノエチルエーテル528.59gを加え、反応液を室温まで冷却した。この反応液を固形分濃度が10%となるまで減圧下で濃縮し、膜形成用組成物4を得た。
コンデンサーを備えた石英製フラスコ中で、メチルトリメトキシシラン82.14g、テトラメトキシシラン38.34g、および下記表5に示される各構造を下記の割合で有するポリカルボシラン(13)(Mw=840)25.10gをプロピレングリコールモノエチルエーテル385.65gに溶解させた。次に、イオン交換水89.85gを溶液に加え、室温で1時間攪拌した。その後テトラキス(アセチルアセトナート)チタン0.071gをプロピレングリコールモノエチルエーテル42.85gに溶解したものを添加し、温度50℃で3時間反応させ、ポリスチレン換算重量平均分子量1,650の加水分解縮合物を含む反応液を得た後、プロピレングリコールモノエチルエーテル518.35gを加え、反応液を室温まで冷却した。この反応液を固形分濃度が10%となるまで減圧下で濃縮し、膜形成用組成物5を得た。
コンデンサーを備えた石英製フラスコ中に、40%メチルアミン水溶液2.36g、超純水162.57g、およびエタノール459.29gを秤取り、80℃で攪拌した。次いで、メチルトリメトキシシラン41.07g、テトラエトキシシラン26.92g、および下記表6に示される各構造を下記の割合で有するポリカルボシラン(14)(Mw=1,200)2.36gを加えた後、80℃で8時間攪拌し、ポリスチレン換算重量平均分子量48,000の加水分解縮合物を含む反応液を得た。反応液を室温に冷却後、プロピレングリコールモノプロピルエーテル621.86gおよび20%酢酸水溶液20.95gを加えた。この反応液を固形分濃度が10%となるまで減圧下で濃縮し、膜形成用組成物6を得た。
コンデンサーを備えた石英製フラスコ中に、20%水酸化テトラプロピルアンモニウム水溶液58.75g、超純水91.82g、およびイソプロパノール439.2gを秤取り、60℃で攪拌した。次いで、メチルトリメトキシシラン37.48gおよびテトラプロポキシシラン72.75gを加えた後、60℃で6時間攪拌し、ポリスチレン換算重量平均分子量60,000の加水分解縮合物を含む反応液を得た。反応液を室温に冷却後、プロピレングリコールモノプロピルエーテル531.02gおよび20%酢酸水溶液39.90gを加えた。この反応液を固形分濃度が10%となるまで減圧下で濃縮し、膜形成用組成物7を得た。
コンデンサーを備えた石英製フラスコ中で、下記表7に示される各構造を下記の割合で有するポリカルボシラン(15)(Mw=840)125.49gを、プロピレングリコールモノエチルエーテル487.33gに溶解させた後、スリーワンモーターで攪拌して溶液の温度を55℃に安定させた。次に、シュウ酸0.36gを溶解させたイオン交換水88.63gを1時間かけて溶液に添加した。その後、55℃で3時間反応させ、ポリスチレン換算重量平均分子量2,800の加水分解縮合物を含む反応液を得た後、プロピレングリコールモノエチルエーテル572.70gを加え、反応液を室温まで冷却した。この反応液を固形分濃度が10%となるまで減圧下で濃縮し、膜形成用組成物8を得た。
比較例2で得られた固形分濃度10%の絶縁膜形成用組成物70gに、比較例3で得られた固形分濃度10%の絶縁膜形成用組成物30gを加え、25℃で1時間攪拌した。これにより、膜形成用組成物9を得た。
実施例1〜5および比較例1〜4で得られた膜形成用組成物1〜9を用いて、比誘電率、弾性率、硬度、薬液耐性、保存安定性および断面観察結果について評価を行った。評価結果を表8に示す。
Claims (11)
- (B)成分;主鎖が−(Si−CH2)x−で表される構造からなり、かつ、下記一般式(4)で表される構造、下記一般式(5)で表される構造、下記一般式(6)で表される構造および下記一般式(7)で表される構造を有するポリカルボシランの存在下、
(A)成分;下記一般式(1)〜(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、
有機溶媒と、を含み、
前記(B)成分のポリスチレン換算重量平均分子量が700〜10,000であり、
前記加水分解縮合物のポリスチレン換算重量平均分子量が1,500〜500,000であり、
前記(A)成分を(A)成分の完全加水分解縮合物に換算した100重量部に対して、前記(B)成分が1〜1000重量部である、絶縁膜形成用組成物。
RaSi(OR1)4−a ・・・・・(1)
(式中、Rは水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルケニル基またはアリール基を示し、R1はアルキル基、アルケニル基またはアリール基を示し、aは1〜2の整数を示す。)
Si(OR2)4 ・・・・・(2)
(式中、R2はアルキル基、アルケニル基またはアリール基を示す。)
R3 b(R4O)3−bSi−(R7)d−Si(OR5)3−cR6 c ・・・(3)
(式中、R3〜R6は同一または異なり、それぞれアルキル基、アルケニル基またはアリール基を示し、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7は酸素原子、フェニレン基または−(CH2)m−で表される基(ここで、mは1〜6の整数である)を示し、dは0または1を示す。)
(式中、R8は、アルコキシ基またはアシロキシ基を示す。)
(式中、R9およびR10は、同一または異なり、アルコキシ基またはアシロキシ基を示す。)
(式中、R11〜R13は、同一または異なり、アルコキシ基またはアシロキシ基を示す。) - 請求項1において、
前記(B)成分の分子中において、下記一般式(4)で表される構造が5〜20モル%であり、下記一般式(5)で表される構造が5〜20モル%であり、下記一般式(6)で表される構造が20〜50モル%であり、下記一般式(7)で表される構造が30〜60
モル%である、絶縁膜形成用組成物。 - 請求項1または2において、
前記(B)成分が、前記一般式(4)〜(7)で表される構造に存在するケイ素原子以外のケイ素原子を分子中に含まない、絶縁膜形成用組成物。 - 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記加水分解縮合は、塩基性触媒、酸性触媒、または金属キレート触媒の存在下で行なわれる、絶縁膜形成用組成物。 - 請求項4において、
前記塩基性触媒は、下記一般式(8)で表される含窒素化合物である、絶縁膜形成用組成物。
(X1X2X3X4N)a’Y ・・・・・(8)
(式中、X1,X2,X3,X4は同一または異なり、それぞれ水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アリール基、およびアリールアルキル基からなる群より選ばれる基を示し、Yはハロゲン原子または1価のアニオン性基を示し、a’は1の整数を示す。) - 加水分解縮合物および有機溶媒を含む絶縁膜形成用組成物の製造方法であって、
(B)成分;主鎖が−(Si−CH2)x−で表される構造からなり、かつ、下記一般式(4)で表される構造、下記一般式(5)で表される構造、下記一般式(6)で表される構造および下記一般式(7)で表される構造を有するポリカルボシランの存在下、
(A)成分;下記一般式(1)〜(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を加水分解縮合して前記加水分解縮合物を得る工程を含み、
前記(B)成分のポリスチレン換算重量平均分子量が700〜10,000であり、
前記加水分解縮合物のポリスチレン換算重量平均分子量が1,500〜500,000であり、
前記(A)成分を(A)成分の完全加水分解縮合物に換算した100重量部に対して、前記(B)成分が1〜1000重量部である、絶縁膜形成用組成物の製造方法。
RaSi(OR1)4−a ・・・・・(1)
(式中、Rは水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルケニル基またはアリール基を示し、R1はアルキル基、アルケニル基またはアリール基を示し、aは1〜2の整数を示す。)
Si(OR2)4 ・・・・・(2)
(式中、R2はアルキル基、アルケニル基またはアリール基を示す。)
R3 b(R4O)3−bSi−(R7)d−Si(OR5)3−cR6 c ・・・(3)
(式中、R3〜R6は同一または異なり、それぞれアルキル基、アルケニル基またはアリール基を示し、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7は酸素原子、フェニレン基または−(CH2)m−で表される基(ここで、mは1〜6の整数である)を示し、dは0または1を示す。)
(式中、R8は、アルコキシ基またはアシロキシ基を示す。)
(式中、R9およびR10は、同一または異なり、アルコキシ基またはアシロキシ基を示す。)
(式中、R11〜R13は、同一または異なり、アルコキシ基またはアシロキシ基を示す。) - 請求項6において、
前記(B)成分の分子中において、前記一般式(4)で表される構造が5〜20モル%であり、前記一般式(5)で表される構造が5〜20モル%であり、前記一般式(6)で
表される構造が20〜50モル%であり、前記一般式(7)で表される構造が30〜60モル%である、絶縁膜形成用組成物の製造方法。 - 請求項6または7において、
前記加水分解縮合は、塩基性触媒、酸性触媒、または金属キレート触媒の存在下で行なわれる、絶縁膜形成用組成物の製造方法。 - 請求項8において、
前記塩基性触媒は、下記一般式(8)で表される含窒素化合物である、絶縁膜形成用組成物の製造方法。
(X1X2X3X4N)a’Y ・・・・・(8)
(式中、X1,X2,X3,X4は同一または異なり、それぞれ水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アリール基、およびアリールアルキル基からなる群より選ばれる基を示し、Yはハロゲン原子または1価のアニオン性基を示し、a’は1の整数を示す。) - 請求項1ないし5のいずれかに記載の絶縁膜形成用組成物を基板に塗布し、塗膜を形成する工程と、
前記塗膜について、加熱、電子線照射、紫外線照射、および酸素プラズマから選ばれる少なくとも1種の硬化処理を行なう工程と、を含む、シリカ系絶縁膜の形成方法。 - 請求項10に記載のシリカ系絶縁膜の形成方法により得られる、シリカ系絶縁膜。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005040460A JP5110238B2 (ja) | 2004-05-11 | 2005-02-17 | 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法 |
PCT/JP2005/008222 WO2005108516A1 (ja) | 2004-05-11 | 2005-04-28 | 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法 |
CN2005800146286A CN1950473B (zh) | 2004-05-11 | 2005-04-28 | 绝缘膜形成用组合物和其制法及二氧化硅系绝缘膜和其形成法 |
EP05737241A EP1746139A4 (en) | 2004-05-11 | 2005-04-28 | COMPOSITION FOR FORMING INSULATING FILM, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, SILICA INSULATING FILM, AND PROCESS FOR PREPARING THE SAME |
KR1020067025860A KR101168452B1 (ko) | 2004-05-11 | 2005-04-28 | 절연막 형성용 조성물, 그의 제조 방법, 실리카계 절연막및 그의 형성 방법 |
TW094115013A TW200610793A (en) | 2004-05-11 | 2005-05-10 | Composition for forming insulating film, method for producing the same, silica-based insulating film and method for forming the same |
US11/580,959 US7736748B2 (en) | 2004-05-11 | 2006-10-16 | Insulating-film-forming composition, method of producing the same, silica-based insulating film, and method of forming the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004141200 | 2004-05-11 | ||
JP2004141200 | 2004-05-11 | ||
JP2005040460A JP5110238B2 (ja) | 2004-05-11 | 2005-02-17 | 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005350651A JP2005350651A (ja) | 2005-12-22 |
JP5110238B2 true JP5110238B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=35320218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005040460A Active JP5110238B2 (ja) | 2004-05-11 | 2005-02-17 | 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7736748B2 (ja) |
EP (1) | EP1746139A4 (ja) |
JP (1) | JP5110238B2 (ja) |
KR (1) | KR101168452B1 (ja) |
TW (1) | TW200610793A (ja) |
WO (1) | WO2005108516A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005068541A1 (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Jsr Corporation | 有機シリカ系膜の形成方法、有機シリカ系膜、配線構造体、半導体装置、および膜形成用組成物 |
KR20070010011A (ko) * | 2004-02-26 | 2007-01-19 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 중합체 및 그의 제조 방법, 절연막 형성용 조성물, 및절연막 및 그의 형성 방법 |
JP5120547B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2013-01-16 | Jsr株式会社 | 有機シリカ系膜およびその形成方法、半導体装置の絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびに配線構造体および半導体装置 |
JP5099302B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2012-12-19 | Jsr株式会社 | 絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 |
JP5099301B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2012-12-19 | Jsr株式会社 | 絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 |
US7927664B2 (en) * | 2006-08-28 | 2011-04-19 | International Business Machines Corporation | Method of step-and-flash imprint lithography |
JPWO2008096656A1 (ja) * | 2007-02-07 | 2010-05-20 | Jsr株式会社 | ケイ素含有ポリマーおよびその合成方法、膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法 |
US20100174103A1 (en) * | 2007-02-14 | 2010-07-08 | Jsr Corporation | Material for forming silicon-containing film, and silicon-containing insulating film and method for forming the same |
JP5267460B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2013-08-21 | 富士通株式会社 | 絶縁膜材料、多層配線基板及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
WO2009008041A1 (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-15 | Fujitsu Limited | 絶縁膜材料、多層配線基板及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
WO2009008424A1 (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Jsr Corporation | ケイ素化合物の製造方法 |
JP5365785B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2013-12-11 | Jsr株式会社 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
JP4379637B1 (ja) | 2009-03-30 | 2009-12-09 | Jsr株式会社 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
KR101036803B1 (ko) | 2009-07-20 | 2011-05-25 | 서울대학교산학협력단 | 전자빔 리소그라피용 레지스트 및 전자빔 리소그라피용 레지스트 현상방법 |
US11164739B2 (en) * | 2018-02-08 | 2021-11-02 | Versum Materials Us, Llc | Use of silicon structure former with organic substituted hardening additive compounds for dense OSG films |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5461299A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-17 | Tokushiyu Muki Zairiyou Kenkiy | Polycarbosilane partially containing siloxane linkage and method of making same |
JPS6169836A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-04-10 | Chisso Corp | けい素含有ステツプラダ−ポリマ−及びその製造方法 |
JPH04233732A (ja) | 1990-08-16 | 1992-08-21 | Motorola Inc | 半導体の製造工程で使用するスピン・オン誘電体 |
JP3296440B2 (ja) * | 1991-10-17 | 2002-07-02 | 鐘淵化学工業株式会社 | ケイ素系ハイブリッド材料 |
JP3320440B2 (ja) | 1992-03-17 | 2002-09-03 | 触媒化成工業株式会社 | 被膜形成用塗布液およびその製造方法 |
JP3073313B2 (ja) | 1992-05-12 | 2000-08-07 | 触媒化成工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
EP0851463A1 (en) | 1996-12-24 | 1998-07-01 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for realizing an intermediate dielectric layer for enhancing the planarity in semiconductor electronic devices |
US6207266B1 (en) | 1997-06-03 | 2001-03-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electromagnetically shielding bonding film |
JP4473352B2 (ja) | 1998-05-26 | 2010-06-02 | 東京応化工業株式会社 | 低比誘電率シリカ系被膜、それを形成するための塗布液、その塗布液の調製方法 |
JPH11340220A (ja) | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ系被膜形成用塗布液及びその製造方法 |
US6204202B1 (en) | 1999-04-14 | 2001-03-20 | Alliedsignal, Inc. | Low dielectric constant porous films |
JP4305587B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2009-07-29 | Jsr株式会社 | 半導体装置用の層間絶縁膜形成用材料 |
US6225238B1 (en) * | 1999-06-07 | 2001-05-01 | Allied Signal Inc | Low dielectric constant polyorganosilicon coatings generated from polycarbosilanes |
AU6993600A (en) * | 1999-08-20 | 2001-03-19 | Bayer Aktiengesellschaft | Inorganic coating composition, a method for producing same and the use thereof |
JP4756526B2 (ja) * | 1999-10-25 | 2011-08-24 | 富士通株式会社 | 多孔質化低誘電率絶縁膜の形成方法及び該方法で形成された多孔質化低誘電率絶縁膜及び該多孔質化低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置 |
US6761975B1 (en) * | 1999-12-23 | 2004-07-13 | Honeywell International Inc. | Polycarbosilane adhesion promoters for low dielectric constant polymeric materials |
JP3941327B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2007-07-04 | Jsr株式会社 | シリカ系膜の製造方法、シリカ系膜、絶縁膜および半導体装置 |
JP3604007B2 (ja) | 2000-03-29 | 2004-12-22 | 富士通株式会社 | 低誘電率被膜形成材料、及びそれを用いた被膜と半導体装置の製造方法 |
JP4117436B2 (ja) * | 2000-04-10 | 2008-07-16 | Jsr株式会社 | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 |
DE10041417A1 (de) | 2000-08-23 | 2002-03-21 | Beru Ag | Elektronische Ansteuerung für Heizelemente |
JP4655343B2 (ja) * | 2000-08-28 | 2011-03-23 | Jsr株式会社 | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
JP2002129103A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-05-09 | Jsr Corp | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
JP4545973B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2010-09-15 | 富士通株式会社 | シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法 |
KR100451044B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2004-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기실리케이트 중합체의 제조방법, 및 이를 이용한절연막의 제조방법 |
JP2003115482A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-04-18 | Asahi Kasei Corp | 絶縁膜形成用組成物 |
JPWO2003087228A1 (ja) * | 2002-04-12 | 2005-08-18 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | ケイ素含有共重合ポリマー組成物、溶剤可溶性架橋ケイ素含有共重合ポリマー及びこれらの硬化物 |
EP1495066B1 (en) | 2002-04-18 | 2008-07-16 | LG Chem, Ltd. | Organic silicate polymer and insulation film comprising the same |
US6844568B2 (en) * | 2002-04-25 | 2005-01-18 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device and manufacturing process thereof |
KR100515583B1 (ko) | 2002-06-27 | 2005-09-20 | 주식회사 엘지화학 | 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막 |
US6809041B2 (en) * | 2002-07-01 | 2004-10-26 | Rensselaer Polytechnic Institute | Low dielectric constant films derived by sol-gel processing of a hyperbranched polycarbosilane |
US20040109950A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-06-10 | Shipley Company, L.L.C. | Dielectric materials |
KR20050024721A (ko) * | 2003-09-01 | 2005-03-11 | 삼성전자주식회사 | 신규 실록산계 수지 및 이를 이용한 반도체 층간 절연막 |
US7462678B2 (en) | 2003-09-25 | 2008-12-09 | Jsr Corporation | Film forming composition, process for producing film forming composition, insulating film forming material, process for forming film, and silica-based film |
JP2005175060A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Jsr Corp | 絶縁膜およびその形成方法、ならびに膜形成用組成物 |
JP4737361B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2011-07-27 | Jsr株式会社 | 絶縁膜およびその形成方法 |
KR20060123549A (ko) * | 2004-01-16 | 2006-12-01 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 중합체의 제조 방법, 중합체, 절연막 형성용 조성물,절연막의 제조 방법, 및 절연막 |
WO2005068541A1 (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Jsr Corporation | 有機シリカ系膜の形成方法、有機シリカ系膜、配線構造体、半導体装置、および膜形成用組成物 |
KR20070010011A (ko) * | 2004-02-26 | 2007-01-19 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 중합체 및 그의 제조 방법, 절연막 형성용 조성물, 및절연막 및 그의 형성 방법 |
JP5110239B2 (ja) * | 2004-05-11 | 2012-12-26 | Jsr株式会社 | 有機シリカ系膜の形成方法、膜形成用組成物 |
EP1746123A4 (en) * | 2004-05-11 | 2012-03-21 | Jsr Corp | PROCESS FOR FORMING ORGANIC SILICA FILM, ORGANIC SILICA FILM, WIRING STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPOSITION FOR FILM FORMATION |
DE102005017427A1 (de) * | 2005-04-15 | 2006-10-19 | Zimmer Ag | Verfahren zur Aufbereitung von Kondensaten aus der Polykondensation |
EP1615260A3 (en) | 2004-07-09 | 2009-09-16 | JSR Corporation | Organic silicon-oxide-based film, composition and method for forming the same, and semiconductor device |
JP4355939B2 (ja) | 2004-07-23 | 2009-11-04 | Jsr株式会社 | 半導体装置の絶縁膜形成用組成物およびシリカ系膜の形成方法 |
US7358317B2 (en) * | 2004-09-22 | 2008-04-15 | Jsr Corporation | Polycarbosilane and method of producing the same |
JP2006152063A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Jsr Corp | 新規ポリカルボシランおよびその製造方法、膜形成用組成物、ならびに膜およびその形成方法 |
-
2005
- 2005-02-17 JP JP2005040460A patent/JP5110238B2/ja active Active
- 2005-04-28 EP EP05737241A patent/EP1746139A4/en not_active Withdrawn
- 2005-04-28 WO PCT/JP2005/008222 patent/WO2005108516A1/ja active Application Filing
- 2005-04-28 KR KR1020067025860A patent/KR101168452B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-05-10 TW TW094115013A patent/TW200610793A/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-10-16 US US11/580,959 patent/US7736748B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7736748B2 (en) | 2010-06-15 |
WO2005108516A1 (ja) | 2005-11-17 |
TWI326701B (ja) | 2010-07-01 |
KR101168452B1 (ko) | 2012-07-25 |
JP2005350651A (ja) | 2005-12-22 |
EP1746139A4 (en) | 2011-07-13 |
KR20070010080A (ko) | 2007-01-19 |
US20070031687A1 (en) | 2007-02-08 |
TW200610793A (en) | 2006-04-01 |
EP1746139A1 (en) | 2007-01-24 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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