JPS62129318A - 両性ポリイミド前駆体およびその製法 - Google Patents

両性ポリイミド前駆体およびその製法

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JPS62129318A
JPS62129318A JP61168796A JP16879686A JPS62129318A JP S62129318 A JPS62129318 A JP S62129318A JP 61168796 A JP61168796 A JP 61168796A JP 16879686 A JP16879686 A JP 16879686A JP S62129318 A JPS62129318 A JP S62129318A
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JP
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formula
carbon atoms
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JP61168796A
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Masakazu Kamikita
正和 上北
Hiroshi Awaji
弘 淡路
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Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
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  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Moulding By Coating Moulds (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 主且上二且且五旦 本発明は両性ポリイミド前駆体、さらに詳しくはラング
ミュア・プロジェット法(以下、LB法という)で製膜
し得るように1コ飾された両性ポリイミド前駆体および
その製法に関する。
′冶、の士ご’?=−Pが解1;シレう する^1占す
でに1930年代1.文楽原子数16〜22くらいの脂
肪酸が水面上に里分子膜をつくり、それを基質上に累積
し得ることがラングミュアとプロジェフトにより見出さ
れているが、この累積膜の応用について検討が行われは
じめたのは最近のことである。しかし直鎖飽和脂肪酸の
ラングミニア・プロジェット膜(以下、LBlliとい
う)は、実際に応用するには耐熱性や■械的強度が充分
でなく、そのままでは使用し得ないという問題がある。
これらの問題を改善するものとして、例えばω−トリコ
セン酸、ω−ベプタデセン酸あるいはα−オククデシル
アクリル酸などの不飽和脂肪酸やステアリン酸ビニルや
オクタデシルアクリレートなどの不飽和の脂肪酸エステ
ルなどから形成した膜を重合させた膜が研究されている
が、耐熱性などが充分とはいえない。
一方、耐熱性フィルムとしてポリイミドフィルムがある
が、スピンコードなどの方法にる場合には膜厚がせいぜ
い1ooo八以上、通常は1μm以上のものしか得られ
ず、1000人未満の膜厚のピンホールのない耐熱性薄
膜を作製するのは非常に困難である。
本発明は、5f熱性や接着力などの機械的特性やテ薬品
性などが改善されたLBmを得るためになされたもので
あり、耐熱性の超薄膜材料を提供し得る材料を得ること
を目的とするものである。
、5判占廖”ン   ための工 本発明は、ボリアミンク酸単位に疎水性を付与するため
の1換基を導入し得ることが見出されtことによってな
されたものであり、一般式(1):(式中、R1は少な
くとも2個の炭素原子を含有する4gfJの基、R2は
少なくとも2個の炭素原子を含有する2価の基、R3、
R4、R5およびR6はいずれも炭素原子数1〜30の
1rfiの脂肪族の基、1価の環状脂肪族の基、芳香族
の基と脂肪族の基との拮合し’t1価の基、それらの基
がハロゲン原子、二“トロ基、7ミノ基、シアノ基、メ
トキシ基、アセトキシ基で置換された基または水素原子
であり、R3、R4、R5およびR6の1個が炭素原子
数1〜11の前記の基または水素原子ではない)で表さ
れる繰返し単位を有する両性ポリイミド前駆体、および
一般式(4): (式中、R1前記と間じ)で表されるテトラカルボン酸
ジ無水物に、R30HおよびR40H(式中、R3,R
4は前記と同じ)を反応させて得られる一般式(5):
(式中、R1、R3、R4は前記と同じ)で表される化
合物を、実質的に無水の極性有機ン容媒中、−10℃以
上で酸ハライドにし、これと一般式(6):%式% (式中、R2、R5、R6は前記と同じ)で表される化
合物を一10℃以上で反応させて、一般式(11で表さ
れる繰返し単位を有する両性ポリイミド前駆体を製造す
る方法、さらには一般式(4)で表されるテトラカルボ
ン酸ジ酸無水物と、一般式(7):%式%(71 (式中、R2は少なくとも21゛1のPfi原子を含有
する2(′i!Eiの基、R7あるい:=R8は炭素原
子数12〜30の1(ヨの月旨見方族の基、1価の環イ
犬指可方族の基、芳香族の基と脂肪族の基との結合した
1価の基、またはそれらの基がハロゲン原子、ニトロ基
、7ミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基で=
摸された基である)で表される化合物を50℃以下で反
応させて、一般式(3); (式中、R1、R2、R7、R8は前記と同じ)で表さ
れる繰返し単位を有する両性ポリイミド前駆体を製造す
る方法に関する。
本発明の両性ポリイミド前駆体は、一般式(1):で表
される繰り返し単位を有する数平均分子量が2.000
〜300,000、好ましくは10゜000〜150.
000のものである。数平均分子量が2,000〜30
0,000の範囲をはずれると、膜を作製したときの強
度が低すぎたり、粘度が高すぎて膜の作製がうまくいか
ないなどの傾向が生ずる。
一般式(1)におけるR’ !’ニー少なくとも2個の
炭素原子を含有する、好ましくは5〜20(11i1の
炭素原子を含有する4価の基であり、芳香族の基であっ
てもよく、環状脂肪族の基であってもよく、芳香族の基
と脂肪族の基との結合した基であってもよく、さらには
これらの基が炭素数1〜30の脂肪族の基、環状脂肪族
の基あるいは芳香族の基と脂肪族の基とが結合した基、
それらの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シア
ノ基、メトキシ基、アセトキシ基などの1価の基で、あ
るいは咳1価の基が、−0+、 −coo +、 −N
HCO−、−Co−。
−s +、  −CSS +、 =NHCS−,−CS
−などに結合した基で置換され誘導体となった基であっ
てもよに1.シかし、R1が少なくともsk!Jlの炭
素原子数を有するベンゼノイド不飽和によって特徴づけ
られた基である場合には、耐熱性、■薬品性や機械的特
性などの点から好ましい。
前記のごときR1の具体ffiとしては、例えば、など
が挙げられる。また 本明細書にいうベンゼノイド不飽和とは、炭素環式化合
物の構造に関してキノイド構造と対比して用いられる術
語で、普」の芳香族化合物に含まれる炭素環と同し形の
F’A”xをいう。
R1の4個の結合手、すなわち一般式(1)で表される
ミ返し単位において 結合する手の位置に1よ特に曜定:;ないが、4個の結
合手の各2(囚づつがR1を溝底する隣接する2(固の
炭素原子に存在する場合にiよ、両性ポリイミド前駆体
を用いて形成した襖などをポリイミド化する際に5員環
を形成しゃすくイミド化しやすいため好ましい。
前記のごときR1の好ましい具体例としては、例えば、 などが挙げられる。また も好ましい。
一般式(1)におけるR2は、少なくとも2個の炭素原
子を含有する2価の基であり、芳香族の基であってもよ
く、脂肪族の基であってもよく、環状脂肪族の基であっ
てもよく、芳香族の基と脂肪族の基との結合した基であ
ってもよく、さらにはこれらの2(石の基が炭素数1〜
30の脂肪族の基、環状脂肪族の基あるいは芳香族の基
と脂肪族の基とが結合した基、それらの基がハロゲン原
子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセ
トキン墓などの1価の基で、あるいはこれらの1価の基
が、−0−、COO−、:1HCO、CO。
−5+、−css+、−NHC5−、C3−thC,、
rapした基で置換された基であってもよい、しかし、
R2が少なくとも6個の炭素原子数を有するベンゼメイ
ド不飽和によって特数づけろれた基である場合には、耐
熱性、耐薬品性や機械的特性などの点から好ましい。
前記のごときR2の具体例としては、 ここでR9は H3 −(CHz) ta −(m −1〜3の整数> 、 
 −C+。
富 C)Iコ F3 −C−、−0−、−Co −、、−3+、  −3O2
+。
C,R3 −だ −N−,−5i−、−0−5i−0−。
R1OR1口                R11
OQ BmおよびRuはいずれも炭素原子数1〜30のアルキ
ルまたはアリール基 C)!3 【 し83    L;82 C685C5Hg n=2〜15 等である。
前記のごときR2の好ましい具体例としては、例えば (式中、R9は1C)l Zアミ−(n−1〜3の整数
)。
−5−、−5o2.     NR’ウー。
R1ff1およびRLIはいずれも炭素原子数1〜30
のアルキルまたはアリール基 等があげられる。
一般式(11におけるR3、R4、R5およびR6はい
ずれも炭素原子数1〜30、好ましくは1〜22の1酒
の脂肪族の基、1価の環状脂肪族の基、芳暑族の基と脂
肪族の基との結合した1価の基、それらの基がハロゲン
原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、ア
セトキシ基などで置換され、それらの基の誘導体とtっ
た基または水素原子である。なお一般式(1)において
R3、R4、R5およびR6はいずれも一般式(8): (式中、R1、R2は前記と同じ)で表されるポリアミ
”/り酸単位に疎水性を付与し、安定な凝縮膜を得るた
めに導入される基であり、R3、R4、R5、R6のう
ちの1個が炭素原子数1−11、好ましくは1〜15の
前記の基あるいは水素原子でないことが、水面上に安定
な凝縮膜が形成され、それがLB法により基板上に累積
されるために必要である。
前記のごときR3、R4、R5、R6の水素原子以外の
具体例としては、例えば CH3(CHz′″Fr、    (CHs)zCH(
CHdir。
(以上のnはいずれも12〜30、好ましくは16〜2
2)などがあげられる、ただ本発明の目的を達成するた
めには、C罰(C)!2″/n−1で表される直鎖アル
キル基を利用するのが、性能的にもコスト的にも最も望
ましい、前述したようなハロゲン原子、ニトロ基、アミ
ン基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基などは必須
ではない、しかしフッ素原子により疎水性は水素原子と
比べ飛′In的に改善されるので、フッ素原子を含むも
のを使用するのが好ましい。
R3、R4、R5、R6のうちの3個が水素原子の場合
の本発明の両性ポリイミド前駆体の繰返し単位の具体例
としては、一般式(2): (式中、R1、R2、R3、R4;=前記と同じ、ただ
しR3あるいはR4は、爽素原子数1〜110基または
水素原子ではない)で表される盪返し単位や、一般式(
3): (式中、R1、R2、R5、R6は前記と司じ、ただし
R5あるいはR6は炭素原子数1〜11の基または水手
原子ではない)で表される繰返し工位などがあげられる
0本発明の両性ポリイミド前駆体の繰返ソエ位が一般式
(2)や一般式(3)で表されるものである場合には、
製造が2易である、コスト的にも安価であるなどの点か
ら好ましい。
一般式fl)〜(3)で示される繰返し単位を有する本
発明2の両性ポリイミド前駆体の具体例としては、例え
ば (式中のR3の具体f/IIとしては、CH3(CH2
)  u  −1CI(3(CHz)  rコ −、 
CH3(CHz)  rs  −、CHz(CHz) 
17−1CH3(CH2) rs−1CH3(CH2)
 21−1CFs(CHz) 15−など、Rの具体例
としては、H,CHI。
CH3CH2,CHs(CH2) 2 など)(式中の
R5の具体例としては、 CH3(C)+2) u−1CH3(CHl) L)−
1C)+3(CI(Z) 5s−1CH3(C)12)
 +7−1CH3(CHl) ts−2CH3(CHz
) 21−1CF:+(CHz) ts−など、Rの具
体例としては、H,CH3゜CH3CH2,CH:(C
)12) Zなど)(式中のR3の具体例としては、 C)Iコ(CH2)  11 −2 CH3(CH2)
13 −1 CH3(CH2)ts  −1CHs(C
Hz) IT−1C)Is(CHz) sツー、CHs
(C)fz) u −1CF3(CH2) ts−など
)、Rの具体Vりとしては、H2CO2−1CHコ(C
H2)2 −1 CH3(CH2)3 −1CHコ(C
Hz)s−など)、 (式中のR3の具体例としては、 CH3(CH2) 1l−1C)I:+(CHz) t
ツー、C1(3(CH2) ts−1Cl(コ(CH2
)+7 − 、 CHs(CHz)  ls  −、C
H:1(CH2)21 −1CF:1(C)+2) +
s−など、Rの具体例としては、H,CHコニ−CH3
(C)I2) −、C)+3(CH2)!−など)等の
繰返し単位を含むものがあげられる。
式中−は異性を表す0例を次式 で説明すれば および を表す。
本発明!: +a+ 、 (blが単独である場合、(
at 、 fblが共存する場合を含んでいる。
一般式(1)で表される罎返し単位をもつ両性ポリイミ
ド前駆体には、種々の共重合体が含まれることを次に述
べる。
一般式(1)において、R’、 R2,R3,R’、 
R’、 R6の少なくとも一つが先に挙げられたR1.
 R2,R3、R4゜R5,R6のそれぞれの具体例か
ら選ばれた少なくとも2旧からなることによって種々の
共重合体が提(共される。
例えばR1として2種選ばれたとき x、 yは比率を表し、Q<x<1.0<3’<1x+
y=1である。(以下間し) などで、以上の例はほんの一例であり、またR3゜R4
,R5,R6についてはこれまでの説明でいくつもなど
である。
前記のごとき本発明の両性ポリイミド前駆体は、一般に
N、N−ジメチルアセトアミド、N + ”、+−ジメ
チルホルムアミド、N、N−ジエチルホルムアミド、ヘ
キサメチルホスホルアミドなどの有機極性溶剤に易溶、
上記有機極性溶剤とクロロホルムなどの通常の有機溶剤
などの混合溶マ1に溶、通常の育艮ン容剤、たとえばベ
ンゼン、エーテル、クロロホルム、アセトン、メタノー
ルなどにH溶〜不溶で、赤外線吸収スペクトル分析でア
ミド、カルボン酸(場合によって:=カルボン酸エステ
ル)および長鎖アルキル基の特徴的な吸収が存在する。
熱分析結果にも特徴があり、約200℃で重量の急激な
減少がはじまり、約400℃で完結する。完皓巳たのち
には、アミド、カルボン酸く場合二二よってはカルボン
酸エステル)および長鎖アルキル基の吸収が消失し、イ
ミド環の吸収が表れる。
前記説明において;よ、本発明の前駆体のミ返し単位は
すべて一般式(1)で表される繰返し虚位である場合に
ついて説明したが、繰返し単位のうちの30%以下の範
囲であれば、一般式(9);(式中、R1、R1;;前
記と間じ、Rは炭素原子数1〜11の1価の脂肪族の基
、1価の環伏脂肪族の基、芳番族の基と脂肪族の基が結
合した1酒の基、これらの基がハロゲン原子、ニトロ基
、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基など
で置換された基または水素原子であり、4個のRR2同
じでもよく、異なっていてもよい)で表される繰返し単
位が含まれていてもよい。
次に本発明の前駆体の製法について説明する。
一般式(1)で表される繰返し単位を宵する本発明の前
駆体は、まず一般式(4): (式中、R1は前記と同じ)で表されるテトラカルボン
酸ジ無水物に、R301(およびI’2’0)1 (R
3δよびR4は前記と同じ)を反応させて得ろれる一1
式(5):(式中、II、 R3,R4は前記に同じ)
で表される化合物を裂遷し、実質的に無水の極性有機溶
媒中、−10℃以上、好ましくはO〜40℃程度でチオ
ニルクロライド、五塩化リン、ベンゼンスルホニルクロ
ライドなどを用いて酸ハライドにし、さらに一般式(6
): %式%(63 (式中、R2,、R5,R6は前記と同じ)で表される
化合物を反応させるときは−10”C以上、好ましくは
O〜+10℃で反応させるが、反応を完結させるために
は20℃以上で反応させてもよい。
一般式(5)の酸ハライドに一般式(6)で表される化
合物を添加してもまた、その逆に一般式(6)で表され
る化合物に一般式(5)の酸ハライドを添加してもよい
本発明の前駆体を合成する場合、上記−二説明された一
般的な反応温度以外を使用する必要がある場合がある。
部ち、R5あるいはR6が文楽原子81〜11の前記の
基または水素原子ではない場合には、一般式(6)で表
される化合物を均一系で反応させるために、その50〜
60℃の溶液に一般式(5)の酸ハライドを添加する方
、去が採用される。
一般式(4)で表される化合物の具体列としては、たと
えば υ          し門         Uなど
があげられる。
また、R30)1およびR40Hの具体例として:よ、
たとえばC1(30H,C)I:+CHzOt(、Cl
コ(C)lz) 20H。
CH3(CH2)30H,CH:(C)lx)s OH
,CH3(CH2)70H。
CH3(CHz)s  Q)i、  C4(3(CHz
)  110)1.  C)I 3((jlz)  1
コ01(。
C)+3(C!’、Z) +5O)1.、 CH3(C
H2) +vO)1. (j(3(CHz) tpOH
Cll5(fjlz) 210111 Clコ(CH2
) 2:OH,CF:(C)!=) :sOH。
H(CFz)z(Ijlz)  150H,)l  (
CF2)4(C)+2)  1コOH。
F(CF:)a(CHz)zOH,F(CF2)B(C
H2)40H。
一般式(4)で表されるテトラカルボン酸ジ無水1カと
p3oHおよびR40)1とから一般式(5)で表され
る化合物を製造する際の反Z条件などにはとくに工定は
なく、例えば約100℃で窒素気流下、型押を数時間統
一することによっても得られるし、ヘキサメチルホスホ
ルアミドのような溶剤中、室温で約4ε間農拌を続ける
というような一般的な条件が探用され得る。
前記反応を約100℃、窒素気流下で攪痒しながら3時
間加熱することによって行い、冷却後へキサメチルホス
ホルアミドに7・容解し、引き摂き行わしめる酸ハライ
ド化を行うのが反2時間の%Has化、すなわち生変性
の向上などの点から好ましい。
前記酸ハライド化を行う際の極性溶媒の具体例としては
、たとえばヘキサメチルホスホル7ミド、N、N−ジメ
チルアセトアミド、NJ−ジメチルホルムアミドなどが
あげられ、これらの溶媒を実質的に無水の状態、すなわ
ち酸ハライド化の際に用いるチオニルクロライド、五塩
化リン、ベンゼンスルホニルクロライドなどが分解せず
、定量的に近い状態で酸ハライド化反応が行わしめられ
る。
酸ハライド化の際の温度が、−10℃未満になると、長
鎖アルキル基の影響による凍結固化のため反応が不均一
系となるため好ましくないが、それ以上であれば酸ハラ
イドの沸点程度の温度までとくに固定されることなく用
いることができることが明らかになった0通常は0〜4
0℃程度が好ましい。
このようにして製造された酸ハライドにさらに一般式(
6)で表される化合物が反応せしめられ、本発明の前駆
体が製造される。
この際使用れる酸ハライドは、製造されたのちそのまま
用いるのが作業性などの面で好ましい。
さらに咳酸ハライドと一般式(6)で表される化合物と
を反応させる際には、それらの化合物に存在するR3.
 R4,Rj R6などにより反応物および生成物のい
ずれも′a這固化する傾向があるなどするために、N、
N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジメチルボルムア
ミドなどの溶媒を用いるのが一般的であり、反EIX度
としては−lO℃〜+20℃。
好ましくはO〜+10℃である0反応温度が一10℃未
満になると凍結固化により反応が不均一系となり、+2
0℃をこえると望ましくない反応がおこりやすくなると
考えられ、いずれも好ましくない、しかし反応を完結さ
せ、完結まで均一系の反応を行うには添加後20℃以上
の温度で引続いて反応を行うことが好ましいことが明ら
かになった。
前記一般式!61で表される化合物の具体例としては、
例えば NIG (式中のR5あるいはReの具体(列としては、C)l
コ −、  CHzCH2+、   CH3(CHz)
z +、   CHz(CHz)z  +。
CH3(CHz)s +、  CH:+(C)12) 
u +、  CHs(CI4z) lツー。
C)is(C)lz) y +、  CH3(CH2)
 !7 +、  CH3(C)12) +s +。
CHコ(C)12)  21 − 、   CH3(C
Hz)  2コ −、   CFs(C)Iz)   
1s  +。
H(CF2)z(CHz)  ls  +、   H(
CFz)a(CHz)  1コ −。
F(CF:)=(CM::): +、  F(CF:)
s(C!(z)a−など)などがあげられる。
前記酸ハライドと一般式(6)で表される化合物との反
応比は、得られる本発明の前駆体の分子量などを所望の
値にするために適宜選択すればよいが、通常フィルム用
のポリアミック酸を作成する際には襄分子量のものを得
るために化学量論の精製したモノマーと絹製した溶剤と
を用いる。
しかしながら本発明の前駆体のように基板に累積する際
には必ずしも高分子量のものでなくても十分な特性を発
揮できることがわかっており、モル比は化学量論からず
れていてもよい、  110.8〜l/1.2程度でも
問題ないことが明らかになった。
−1般式(4)で表されるテトラカルボン酸ジ酸無水物
に反応させるR”01(およびR40HのR3あるい1
よR4が炭素原子数1〜11の基または水素原子でない
場合には、一般式(6)で表される化合物のR5および
R6がいずれも水素原子であってもよく、この場合には
一般式パ2)で表される繰返し単位を有する本発明の前
駆体が得られる。
一般式(6)で表される化合物のR5およびR6がいず
れも水素原子の場合には、反応性が良好であり、原料コ
ストも安価となり好ましい、また得みれる前駆体もカル
ボン酸のところがエステルとなっているため熱的に安定
で、単離乾燥という操作により反応がすすまないので面
体粉末として分離でき、またこれにより積層も容易であ
るという特徴を有するものとなる。
以上説明したような方法により本発明の前駆体が製造さ
れるが、一般式(1)で表される繰返し単位のR3およ
びR4がいずれも水素原子の場合には、前記のごとき方
法によらずに直接一般式(4)で表されるテトラカルボ
ン酸ジ酸無水物に、一般式(7):%式%(7) (式中、R7,R8は前記と同じ)で表される化合物を
反応させることにより、一般式(3)で表される繰返し
単位を有する本発明の前駆体が得られる。
勿論一般式(4)で示されるテトラカルボン酸ジ酸無水
物に一般式(7)で表される化合物を添加してもよいし
、その逆に一般式(7)で表される化合物に一般式(4
)で示されるテトラカルボン酸ジ酸無水物を添加しても
本発明の前駆体が得られる。
前記一般式(7)で表される化合物の具体列としては、
たとえば NHR’ (前記式中のR7あるいはR8の具体例としては、CH
コ(CHz)n−1−(n  m12〜30)   %
  CF:+(CHz)  +5−  、)+(CF2
)2(CH2) ts −1Fl(CF2)4 (CH
z) +3−1H(CF2)8 (C)4z)z−1H
(CF2)I (CHz)a−など)などがあげられる
一般式(4)で表されるテトラカルボン酸ジ酸無水物と
一般式(7)で表される化合物とを反応させる際の条件
は、通常のポリアミック酸を製造する際の条件とほぼ間
様でよく、たとえばN、N−ジメチルアセトアミド、N
、N−ジメチルホルムアミドなどの実質的に無水の有機
極性溶媒中、反応温度50℃以下、好ましくは室温で、
一般式(4)で表されるテトラカルボン酸ジ酸無水物1
モルに対して一般式(7)で表される化合物を0.8〜
1.2モル使用して反応せしめられる。この場合にも化
学量論よりはずれていても本発明の前駆体は十分な特性
を発揮できる。
このようにして得られる一般式(3)で表される盪返し
単位を有する本発明の前駆体は、製造が容易であるだけ
でなく、LB法で製膜でき、加熱によりポリイミドを与
えるという特徴を有するものである。
つぎに本発明の前駆体を用いたLB膜について説明する
本発明の前駆体を用いたLB膜の製法としては、該前駆
体を水面上に展開し、一定の表面圧で圧縮して単分子膜
を形成し、その膜を基板上にうつしとる方法であるLB
法のほか、水平付着法、回転円筒法などの方法(新実験
化学講座第13巻、界面とコロイド、498〜508頁
)などがあげられ、通杢行われている方法であれば特に
湿定されることなく使用し得る。
一般にLB膜を形成させる物質を水面上に展開する際に
、水に:=解けないで気相中に蒸発してしまうベンゼン
、クロロホルムなどの溶媒が使用されるが、本発明の前
駆体の場合には、f4解度をあげるために有機極性溶媒
を併用することが望ましい、このような有機極性溶媒と
しては、たとえばN、N−ジメチルホルムアミド、N、
N−ジメチルアセトアミド、!j 、IJ−ジエチルホ
ルムアミド、N、N−ジエチルアセトアミド、N、N−
ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド
、N−メチル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルス
ルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレン
スルホン、ジメチルテトラメチレンスルホンなどがあげ
られる。
ベンゼン、クロロホルムなどと*i極性溶媒とを併用す
る場合には、水面上へ展開するとベンゼン、クロロホル
ムなどは気相中に蒸発し、有機極性溶媒は大量の水に溶
解すると考えられる。
本発明の前駆体を水面上に展開する際に使用する溶液の
濃度には特に湿定はないが、通常2〜5XIO−37I
程度が用いられる。
本発明の前駆体を用いたLB膜を形成する基板には特に
躍定はなく、形成されたLB腰の用途に応じて選択すれ
ばよいが、LsHlを加熱してボ°Jイミドにして用い
る場合には5+熱性が良好であることが必要である。
前記のごとき基板の具体例としては、ガラス、アルミナ
、石英などのような無機の基板のほか金属製やプラスチ
ック製の基板、さらにはSi。
GaAs、Zr+Sのような■族、m−v族、n−vi
族などの半導体、PbTi0コ、BaTiO3、LiM
bO:、LiTaO5などのような強誘電体製の基板あ
るいは磁性体基板などがあげられる。これらの基板は通
常行われるような表面処理を施して用いてもよいことは
勿論である。
本発明の前駆体を用いるとLB法で基板上に欠陥の少な
い、耐熱性の良好な薄膜を形成することができ、さらに
この薄膜を部分的にあるいは完全にイミド化させること
によってさらに耐熱性の優れた薄膜を得ることができる
イミド化の方法については特に限定はないが、300〜
400℃近辺の温度で加熱するのが一般的であり、レー
ザー光などを用いて行うてもよい。
たとえば一般式(2)で表される繰返し単位の場合には
、 なる反応がおこり、また一般式(3)で表される繰返し
単位の場合には、 なる反応が起こってポリイミド化物となる。勿論一般式
(8)で表されるポリアミ7り酸単位の場合にもHzO
が生成してポリイミド化物となるが、この場合にはLB
I用としての材料とはなり14ない。
、$1:発明の前駆体は通常のLB膜より耐熱性、耐薬
品性が改善されているので、本発明の前駆体のLB膜を
そのままデバイスなどの用途に使用することもできる。
先の述べたように得られるポリイミド″7#膜は、冴熱
性、耐薬品性に擾れ、機械的特性も良好で、そのうえ1
0000Å以下という非常に薄い膜であり、望むなら1
0〜100OAにもし得る。それ故、ICやLSIなど
の絶縁膜のみならず、キャパシター、MIS、MIMな
どの構造をt寺つ種々の電気電子素子中の絶縁層などと
してエレクトロニクス分野に使用することができ、電界
効果トランジスタ、光電変換素子、受光素子、発光素子
、光検出素子、熱電子トランジスタなどに使用し得る。
 JJ (ジッセフソン ジャンクション)への応用も
考えられる。そのほかウニイブガイド用クラフト材、光
学回路成分などとしても利用可能であり、保護用などを
含めたコーティング材料としても好適に使用し得る。ま
たエネルギー変換や物質分離などの分野にも使用し得る
つぎに本発明の前駆体およびその製法を実施例に基づき
説明する。
実施例1 ピロメリット酸ジ無水物2.18 g (0,01モル
)とステアリルアルコール2.70 g (0,01モ
ル)とをフラスコ中、乾燥チッ素流通下、約100℃で
3時間反応させた。
得られた反応物をヘキサメチルホスホルアミド40’c
cにン容解して0〜5℃に冷袖してチオニルクロライド
1.19 gを約5℃で滴下し、ンN下後豹5℃で1時
間保持し、反応を終了させた。
そののちジメチルアセトアミド50ccに溶解させたジ
アミノジフェニルエーテル2g(0,01モル)を0〜
5℃で滴下し、滴下後約1時間反応させたのち、反E?
&を蒸留水600 cc中に注いで反応生成物を析出さ
せた。Fr出物を濾過し、約40℃で減圧乾燥して約6
gの淡黄色粉末を得た。
得られた粉末について!Rスペクトル分析、GPCによ
る分子量測定を行った。
IRスペクトル分析 IRスペクトルにはエステル、カルボン酸、アミドl吸
収帯、■吸収帯、■吸収帯、アルキル鎖およびエーテル
の特徴的な吸収があられれている。
cpcによる分子量測定 N、N−ジメチルアセトアミド溶媒で測定されたGPC
の結果をポリスチレン標準サンプルと比較することによ
って算出された数平均分子量は約3o、oooであった
実施例2 実施例1の生成物5 S、 1 rrgを蒸留したクロ
ロホルム/ジメチルアセトアミド−8/2(W量比)の
混合液に溶解して25献の溶液にしたLB膜用展開液を
調製した。
得られた展開液を用いて再蒸留水上、20℃で表蘭圧を
’l 5 dyne/ allに保って累積速度10n
/ll1nでLB法でアルミニウム蒸着ガラス基板上に
15原累積させた。
面積一時間曲線からY型膜であることが確認された。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式(1): ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中、R^1は少なくとも2個の炭素原子を含有する
    4価の基、R^2は少なくとも2個の炭素原子を含有す
    る2価の基、R^3、R^4、R^5およびR^6はい
    ずれも炭素原子数1〜30の1価の脂肪族の基、1価の
    環状脂肪族の基あるいは芳香族の基と脂肪族の基とが結
    合した1価の基、それらの基がハロゲン原子、ニトロ基
    、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基で置
    換された基または水素原子であり、R^3、R^4、R
    ^5およびR^6の1個が炭素原子数1〜11の前記の
    基または水素原子ではない)で表される繰返し単位を有
    する両性ポリイミド前駆体。
  2. (2)R^3、R^4、R^5およびR^6がいずれも
    炭素原子数1〜22の前記の1価の基または水素原子で
    あり、R^3、R^4、R^5およびR^6の1個が炭
    素原子数1〜15の基または水素原子ではない特許請求
    の範囲第1項記載の前駆体。
  3. (3)R^1およびR^2のいずれか一方または両方が
    少なくとも6個の炭素原子数を有するベンゼノイド不飽
    和によって特徴づけられた基である特許請求の範囲第1
    項記載の前駆体。
  4. (4)R^1に結合しているR^3OCO−、R^4O
    CO−、−NR^5−CO−および−CO−NR^6−
    R^2の4個の基の各2個づつが、それぞれ5員環を形
    成するようにR^1を構成する隣接する2個の炭素原子
    に結合している特許請求の範囲第1項記載の前駆体。
  5. (5)一般式(1)で表される繰返し単位が一般式(2
    ):▲数式、化学式、表等があります▼(2) (式中、R^1、R^2、R^3、R^4は前記と同じ
    、ただしR^3あるいはR^4は炭素原子数1〜11の
    基または水素原子ではない)である特許請求の範囲第1
    項記載の前駆体。
  6. (6)一般式(1)で表される繰返し単位が一般式(3
    ):▲数式、化学式、表等があります▼(3) (式中、R^1、R^2、R^5、R^6は前記と同じ
    、ただしR^5原子ではない)である特許請求の範囲第
    1項記載の前駆体。
  7. (7)一般式(4): ▲数式、化学式、表等があります▼(4) (式中、R^1は少なくとも2個の炭素原子を含有する
    4価の基である)で表されるテトラカルボン酸ジ酸無水
    物に、R^3OHおよびR^4OH(式中、R^3およ
    びR^4はいずれも炭素原子数1〜30の1価の脂肪族
    の基、1価の環状脂肪族の基、芳香族の基と脂肪族の基
    との結合した1価の基、それらの基がハロゲン原子、ニ
    トロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ
    基で置換された基または水素原子である)を反応させて
    得られる一般式(5):▲数式、化学式、表等がありま
    す▼(5) (式中、R^1、R^3、R^4は前記と同じ)で表さ
    れる化合物を、実質的に無水の極性有機溶媒中、−10
    ℃以上で酸ハライドにし、これと一般式(6):R^5
    −NH−R^2−NH−R^6(6)(式中、R^2は
    少なくとも2個の炭素原子を含有する2価の基、R^5
    およびR^6はいずれもR^3およびR^4で定義され
    た基に同じ)で表される化合物を−10℃以上で反応さ
    せて一般式(1): ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中、R^1、R^2、R^3、R^4、R^5、R
    ^6は前記と同じであり、R^3、R^4、R^5、R
    ^6の1個が炭素原子数1〜11の基または水素原子で
    はない)で表される繰返し単位を有する両性ポリイミド
    前駆体を製造する方法。
  8. (8)一般式(6)で表される化合物のR^5およびR
    ^6がいずれも水素原子である特許請求の範囲第7項記
    載の方法。
  9. (9)一般式(4): ▲数式、化学式、表等があります▼(4) (式中、R^1は少なくとも2個の炭素原子を含有する
    4価の基である)で表されるテトラカルボン酸ジ無水物
    と、一般式(7): R^7−NH−R^2−NH−R^8(7)(式中、R
    ^2は少なくとも2個の炭素原子を含有する2価の基、
    R^7あるいはR^8は炭素原子数12〜30の1価の
    脂肪族の基、1価の環状脂肪族の基、芳香族の基と脂肪
    族の基との結合した1価の基、またはそれらの基がハロ
    ゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基
    、アセトキシ基で置換された基である)で表される化合
    物を50℃以下で反応させて、一般式(3): ▲数式、化学式、表等があります▼(3) (式中、R^1、R^2、R^7、R^8は前記と同じ
    )で表される繰返し単位を有する両性ポリイミド前駆体
    を製造する方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6372375A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 両性高分子化合物およびその製造法
JPS63218728A (ja) * 1985-11-20 1988-09-12 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 両性高分子化合物およびその製造法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173365A (en) * 1985-03-25 1992-12-22 Nanofilm Corporation Ultra-thin molecular film
US5106561A (en) * 1989-03-09 1992-04-21 Nanofilm Corporation Method of making film
JPS62129316A (ja) * 1985-07-16 1987-06-11 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド前駆体を部分的に閉環させた薄膜
US4988570A (en) * 1985-09-11 1991-01-29 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Process for forming a film
JP2625689B2 (ja) * 1985-11-18 1997-07-02 淑夫 今井 単分子又は単分子累積膜の製造方法
DE3751502T2 (de) * 1986-03-11 1996-02-15 Kanegafuchi Chemical Ind Elektrische oder elektronische Anordnung mit einer dünnen Schicht aus Polyimid.
EP0239980A3 (en) * 1986-04-01 1990-04-11 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Electric-electronic device including polyimide thin film
CA1294731C (en) * 1986-04-25 1992-01-21 Masakazu Uekita Copolymeric and amphiphilic polyimide precursor, process for preparing the same and thin film
US5171829A (en) * 1986-04-25 1992-12-15 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Copolymeric and amphiphilic polyimide precursor, process for preparing the same and thin film
US4943471A (en) * 1986-05-20 1990-07-24 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Patterned thin film and process for preparing the same
JPH0727966B2 (ja) * 1986-07-04 1995-03-29 日立化成工業株式会社 半導体装置
JPH0749487B2 (ja) * 1986-07-11 1995-05-31 宇部興産株式会社 芳香族ポリイミドフィルムの製造法
EP0262446B1 (en) * 1986-09-04 1993-07-21 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Photosensitive amphiphilic high polymers and process for their production
JPH01101330A (ja) * 1987-10-14 1989-04-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 機能性両性高分子化合物およびその製造法
JPH01103629A (ja) * 1987-10-15 1989-04-20 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 機能性両性高分子化合物およびその製造法
JPH06100756B2 (ja) * 1988-01-07 1994-12-12 日産化学工業株式会社 液晶セル用配向処理剤
US4985297A (en) * 1988-04-30 1991-01-15 Daikin Industries, Inc. Composite materials
JPH0731326B2 (ja) * 1988-06-01 1995-04-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
JPH0243221A (ja) * 1988-06-10 1990-02-13 Occidental Chem Corp 新規可溶性ポリイミドシロキサン及びその製法及び用途
US5135678A (en) * 1988-10-05 1992-08-04 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Liquid crystal device
US5229039A (en) * 1988-11-11 1993-07-20 International Business Machines Corporation Color liquid crystal display and method of manufacture
US5024873A (en) * 1988-12-05 1991-06-18 At&T Bell Laboratories Composite films with Langmuir-Blodgett component
CA2010169A1 (en) * 1989-02-21 1990-08-21 Masakazu Uekita Multi-layer resist
JPH02235936A (ja) * 1989-03-09 1990-09-18 Nanofilm Corp 自己集合性極薄分子フィルム,並びにそれを作製するための,及びそれを表面に施すための装置と方法
CA2020970A1 (en) * 1989-07-21 1991-01-22 Masakazu Uekita Liquid crystal display element
DE3927498C2 (de) * 1989-08-21 2002-01-17 Merck Patent Gmbh Polyamidester, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung zur Herstellung von Polyimiden
US4962985A (en) * 1989-10-02 1990-10-16 At&T Bell Laboratories Protective coatings for optical devices comprising Langmuir-Blodgett films
DE4012750A1 (de) * 1990-04-21 1991-10-24 Hoechst Ag Ferroelektrisches fluessigkristalldisplay mit hohem kontrast und hoher helligkeit
DE4006646A1 (de) * 1990-03-03 1991-09-05 Basf Ag Polyperylen
JP2830328B2 (ja) * 1990-03-23 1998-12-02 松下電器産業株式会社 光導電性高分子の製造方法
JPH0415226A (ja) * 1990-05-10 1992-01-20 Chisso Corp ヒドロキシフェニル基を有する感光性耐熱重合体
DE69128187T2 (de) * 1990-09-28 1998-03-26 Toshiba Kawasaki Kk Fotoempfindliche Harzzusammensetzung zum Herstellen eines Polyimidfilmmusters und Verfahren zum Herstellen eines Polyimidfilmmusters
US5143828A (en) * 1991-12-31 1992-09-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method for synthesizing an enzyme-catalyzed polymerized monolayer
US5333806A (en) * 1992-06-03 1994-08-02 Verbatim Corporation Magnetic tape cartridge
KR20010087502A (ko) 2000-03-07 2001-09-21 윤종용 광학용 폴리이미드 단량체, 폴리이미드 화합물 및 그 제조방법
US7627382B2 (en) * 2005-05-25 2009-12-01 Lake Region Manufacturing, Inc. Medical devices with aromatic polyimide coating
EP2662151B1 (en) * 2012-03-20 2018-08-29 IMEC vzw Method for pore sealing of porous materials using polyimide langmuir-blodgett film
JP6663320B2 (ja) * 2016-07-25 2020-03-11 信越化学工業株式会社 テトラカルボン酸ジエステル化合物、ポリイミド前駆体の重合体及びその製造方法、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び硬化被膜形成方法
JP6663380B2 (ja) * 2017-03-22 2020-03-11 信越化学工業株式会社 ポリイミド前駆体の重合体、ポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品
JP7145126B2 (ja) * 2018-08-01 2022-09-30 信越化学工業株式会社 ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド構造を含む重合体、感光性樹脂組成物、パターン形成方法、感光性ドライフィルム及び電気・電子部品保護用皮膜
US11333975B2 (en) * 2020-04-14 2022-05-17 International Business Machines Corporation Polymer, photosensitive resin composition, patterning method, method of forming cured film, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic component

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60157354A (ja) * 1984-01-26 1985-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 通信制御装置
JPS60210630A (ja) * 1984-04-05 1985-10-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリアミド酸溶液の製法
JPS62143929A (ja) * 1985-07-16 1987-06-27 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド前駆体薄膜

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3312663A (en) * 1963-06-17 1967-04-04 Du Pont Polyamide esters
US3282897A (en) * 1963-09-25 1966-11-01 Du Pont Process for preparing a polyamide-ester
US3282898A (en) * 1963-11-21 1966-11-01 Du Pont Treatment of aromatic polyamide-acids with carbodiimides
US3326851A (en) * 1963-12-23 1967-06-20 Du Pont Process for producing aromatic polyamide-esters
US3349061A (en) * 1964-01-10 1967-10-24 Du Pont Amide-ester isomers
US3376260A (en) * 1965-11-26 1968-04-02 Du Pont Process for preparing polyimides from diamines and dianhydrides in the presence of abasic catalyst
GB1215481A (en) * 1967-04-13 1970-12-09 Nat Res Dev Improvements in or relating to manufacture of aromatic polyimides
US3551383A (en) * 1967-06-30 1970-12-29 Du Pont Aromatic polyamide-esters and a process for preparing them
US4022732A (en) * 1974-06-24 1977-05-10 Nashua Corporation Poly(amide acids) release agents for pressure-sensitive adhesive tapes
US4022723A (en) * 1975-04-14 1977-05-10 Velsicol Chemical Corporation Pressure-sensitive adhesive compositions
JPS5952822B2 (ja) * 1978-04-14 1984-12-21 東レ株式会社 耐熱性感光材料
JPS54153899A (en) * 1978-05-23 1979-12-04 Nitto Electric Ind Co Ltd Slurry composition
JPS5839437B2 (ja) * 1978-08-24 1983-08-30 岩崎通信機株式会社 ボタン電話装置における本電話機接続方式
WO1980000706A1 (en) * 1978-09-29 1980-04-17 Hitachi Ltd Light-sensitive polymer composition
GB2075999B (en) * 1980-05-19 1985-01-23 Gen Electric Improved polyamide acid polymer coating composition and bondable substrate
JPS5887129A (ja) * 1981-11-19 1983-05-24 Nitto Electric Ind Co Ltd ポリイミド粉体の製造方法
CA1195039A (en) * 1982-01-04 1985-10-08 David L. Goff Radiation-sensitive polyimide precursor composition derived from a diaryl fluoro compound
US4430418A (en) * 1982-09-30 1984-02-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Radiation-sensitive polyimide precursor composition derived from a diaryl fluoronated diamine compound
US4416973A (en) * 1982-01-04 1983-11-22 E. I. Du Pont De Nemours & Co. Radiation-sensitive polyimide precursor composition derived from a diaryl fluoro compound
US4454276A (en) * 1982-01-08 1984-06-12 Kanegafuchi Chkagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Polyamide acid composition for preparing polyimide and process for preparing polyimide from the same
JPS58153541A (ja) * 1982-03-08 1983-09-12 Nitto Electric Ind Co Ltd イオン交換樹脂
US4579809A (en) * 1982-10-22 1986-04-01 Ciba-Geigy Corporation Positive image formation
JPS60197730A (ja) * 1984-03-21 1985-10-07 Ulvac Corp ポリイミド膜の形成方法
US4687836A (en) * 1984-10-15 1987-08-18 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Polyimide adhesives, coats and prepreg
JPS61168795A (ja) * 1985-01-18 1986-07-30 Toyo Radiator Kk 熱交換器用グリツド
JPS61168794A (ja) * 1985-01-23 1986-07-30 Hitachi Ltd 熱交換器
US4551522A (en) * 1985-04-26 1985-11-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making photopolymerizable aromatic polyamic acid derivatives
US4880699A (en) * 1986-10-10 1989-11-14 Hoechst Celanese Corporation Ultrathin polyimide polymer films and their preparation
JP2558919B2 (ja) * 1990-04-23 1996-11-27 松下電子工業株式会社 マグネトロン用排気装置
JPH0446631A (ja) * 1990-06-12 1992-02-17 Nippon Light Metal Co Ltd 形材整直方法とその装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60157354A (ja) * 1984-01-26 1985-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 通信制御装置
JPS60210630A (ja) * 1984-04-05 1985-10-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリアミド酸溶液の製法
JPS62143929A (ja) * 1985-07-16 1987-06-27 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド前駆体薄膜

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63218728A (ja) * 1985-11-20 1988-09-12 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 両性高分子化合物およびその製造法
JPS6372375A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 両性高分子化合物およびその製造法

Also Published As

Publication number Publication date
CA1269795C (en) 1990-05-29
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US4897461A (en) 1990-01-30

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