JPH03121127A - ポリイミド単分子薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 崖１」１１月１氷訪 本発明はポリイミド単分子薄膜、さらに詳しくはラング
ミュア・プロジェット（以下、ＬＢ法という）で製膜さ
れ部分的あるいは完全にイミドに変換したポリイミド単
分子薄膜あるいは累積膜に関する。

の　　・　　　　”′　しよ゛と　る　　占すでに１９
３０年代、炭素数１６〜２２ぐらいの脂肪酸が水面上に
単分子膜をつくり、それを基質上に累積しうろことがラ
ングミュアとプロジェットにより見出されているが、こ
の累積膜の応用について検討が行われはじめたのは最近
のことである。しかし直鎖飽和脂肪酸のラングミュア・
プロジェット膜（以下、ＬＢ膜という）は、実際に応用
するには耐熱性や機械的強度が充分でなく、そのままで
は使用しえないという問題がある。

これらの問題を改善するものとして、たとえばω−トリ
コセン酸、ω−へブタデセン酸あるいはα−オクタデシ
ルアクリル酸などの不飽和脂肪酸や、ステアリン酸ビニ
ルやオクタデシルアクリレートなどの不飽和の脂肪酸エ
ステルなどから形成した膜を重合させた膜が研究されて
いるが、耐熱性などが充分とはいえない。

一方、耐熱性フィルムとしてポリイミドフィルムがある
が、スピンコードなどの方法による場合には、膜厚がせ
いぜい１０００Å以上、通常は１μｍ以上のものしかえ
られず、１０００人未満の膜厚のピンホールのない耐熱
性薄膜を作製するのは非常に困難である。

本発明者らは耐熱性や接着力などの機械的特性や耐薬品
性などが改善された耐熱性の超薄膜材料を提供しうる材
料を特開昭６２−１２９３１７に提案した。

しかし、製膜方法によっては、欠陥のないポリイミド薄
膜を作製するのが難しいことがあった。

占　　′　るための 本発明はポリアミック酸単位に特別なジアミン成分を用
いることによってなされたものであり、（以下余白） 一般式（２）： （式中、Ｒ１は少なくとも２個の炭素原子を含有する４
価の基、Ｒ２は は１４〜２２の基である。〕で表わされる繰返し単位を
有する両性ポリイミド前駆体を用い該前駆体をラングミ
ュア・プロジェット法により基板上に形成し、部分的あ
るいは完全にイミドに変換することによってなされた。

ス星■ 本発明の両性ポリイミド前駆体は、一般式（２）：〔Ｒ
３、Ｒ４、Ｒ１およびＲ６は脂肪族、環状脂肪族あるい
は芳香族（これらが相互に組合わさっていてもよい）の
炭素数１〜３０の１価の基（これらの基がハロゲン原子
、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセト
キシ基で置換されていてもよい）または水素原子であり
、Ｒ２、Ｒ４，１１％およびＲ−の少なくとも１個は炭
素数１２〜３０、好ましくで表わされる繰返し単位を有
する数平均分子量が２．０００〜３００，０００　、好
ましくは１０．０００〜１５０．０００のものである。

数平均分子量が２．０００〜３００．０００の範囲をは
ずれると、膜を作製したときの強度が低すぎたり、粘度
が高すぎて膜の作製がうまくいきにくくなるなどの傾向
が生ずる。

一般式（２）におけるＲ’＆よ少なくとも２個の炭素原
子を含有する、好ましくは５〜２０個の炭素原子を含有
する４価の基であり、芳香族の基であってもよ（、脂肪
族の基であってもよく、環状脂肪族の基であってもよく
、これらの基が組合わさった基であってもよく、さらに
はこれらの基が脂肪族、環状脂肪族あるいは芳香族（こ
れらが相互に組合わさっていてもよい）の炭素数１〜３
０の１価の基の（これらの基がハロゲン原子、ニトロ基
、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基など
の基で置換されていてもよい）あるいは該基が−０−１
−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯ−１−ＣＯ−１−ｓ−、−ｃｓ
ｓ−−ＮＨＣ５−１−Ｃ８−などに結合した基で置換さ
れ誘導体となった基であってもよい。しかし、Ｒ１が少
なくとも６個の炭素数を有するベンゼノイド不飽和によ
って特徴づけられた基である場合には、耐熱性、耐薬品
性および機械的特性などの点から好ましい。

前記のごときＲ１の具体例としては、たとえば、（以下
余白） などがあげられる。

本明細書にいうベンゼノイド不飽和とは、炭素環式化合
物の構造に関してキノイド構造と対比して用いられる術
語で、普通の芳香族化合物に含まれる炭素環と同じ形の
構造をいう。

接合する手の位置には特に限定はないが、４個の結合手
の各２個づつがＩＩを構成する隣接する２個の炭素原子
に存在する場合は、両性ポリイミド前駆体を用いて形成
した膜などをポリイミド化する際に５員環を形成しやす
く、イミド化しやすいため好ましい。

前記ごときＲ１の好ましい具体例としては、たとえば ｐ−キノイド ベンゼノイド不飽和 Ｒ′の４個の結合手、すなわち一般式（２）で表わされ
る繰返し単位において １０ ＲＩＧ ＲＩＧ （前記式中のＲＩＯ およびＲ目 はいずれも炭素数１ 〜３０のアルキル基またはアリール基）〕 ＣＨ。

ＣＨＩ−Ｃ−ＣＨ３ Ｒ１は、 ２価の基である であるが、 その１０〜２０％程度であれば次のよ うな２価の基を混合して用いてもよい。

〔式中、 Ｒ９は− （ＣＨｚ）　ｒ　　〜。

ＣＨ。

ＣＦ。

１１１ ＲＩＧ ＲＩＧ −（ＣＨｚ）Ｔ〜鳳・ ＣＨ８ （ＣＨり　ａ　　ＣＨ（Ｃ）ｌり　ｔ−−（ｃｕｔ）　
ｔ。ＣＩ（（Ｃｔｌｓ）　−ＣＨ，０ （ＣＬ）ｓ　　ＣＨ（ＣＯりｚ− −（ＣＨｇ）ｓ−０ （ＣＨｚ）　ｚ　　Ｏ （ＣＨｚ）ｓ＝ ＣＩ。

ＣＨ。

ＣＩ。

Ｃ，Ｈ。

Ｃ，ＨＳ Ｈｚ Ｃ，Ｈ。

Ｃ，ＨＳ などがあげられる。

一般式（２）におけるＲ３、Ｒ４、Ｒ５，Ｒ６は脂肪族
、環状脂肪族、芳香族（それらが相互に組合わさってい
てもよい）の炭素数１〜３０、好ましくは１〜２２の１
価の基（それらの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ
基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基などで置換さ
れ、誘導体となっていてもよい）または水素原子である
。

ナオｆＱ式（２）　ニオｌ、ｖテＲ３、Ｒ４、Ｒ’オヨ
ヒＲ’はいずれも一般式（５）： ％式％） （式中、Ｒ１，Ｒ１は前記と同じ）で表わされるポリア
ミック酸単位に疎水性を付与し、安定な凝縮膜をうるた
めに導入される基であり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６のう
ち少な（とも１個、好ましくは２個が炭素原子数１２〜
３０、好ましくは１４〜２２の前記の基であることが、
水面上に安定な凝縮膜が形成され、それがＬＢ法により
基板上に累積されるために必要である。

前記ごときＲ３、Ｒ４、Ｒ５，Ｒ６の具体例としては、
たとえば ＣＨ，（ＣＨけＴ了、　　（ＣＨ３）　ｚｃＨ（Ｃｌけ
７ゴ、５） （以上のｎはいずれも１２〜３０、好ましくは１６〜２
２）などがあげられる。本発明の両性ポリイミド前駆体
がＬＢ法で製膜できるためには、前記の基はＣＨａ　（
Ｃｌ　ｔＦ；７７であられされる直鎖アルキル基である
が、性能的にもコスト的にももっとも望ましい。前述の
ごときハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、
メトキシ基、アセトキシ基などは必須ではないが、フッ
素原子を導入すると疎水性が水素原子とくらべて飛躍的
に改善されるので、フッ素原子を含むものを使用するの
は好ましい。

Ｒ３、Ｒ４，２％、　Ｒ６のうちの２個の水素原子の場
合の本発明の両性ポリイミド前駆体の繰返し単位の具体
例としては、一般式（３）： ％式％） （式中、Ｒ′、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は前記と同じ、ただし
Ｒ３およびＲ４は炭素数１２〜３００基である）で表わ
される繰返し単位や、一般式（４）： 式（４）で表わされるものである場合には、製造が容易
である、コスト的にも安価であるなどの点から好ましい
。

一般式（２）〜（４）で示される繰返し単位を有する本
発明の両性ポリイミド前駆体の具体例としては、たとえ
ば （式中、Ｒ１，Ｒ２、Ｒ’、　Ｒ−は前記と同じ、ただ
し戸およびＲ６は炭素数１２〜３００基）で表わされる
繰返し単位などがあげられる。本発明の両性ポリイミド
前駆体の繰返し単位が一般式（３）や一般（式中のＲ３
、Ｒ４の具体例としては、Ｃ）Ｉｓ（ＣＨｇ）＋＋＝、
ＣＨ３（ＣＨｚ）　ｔ　５−１Ｃ）Ｉｓ（Ｃ１ｈ）＋５
ＣＨｓ　（Ｃ４ｂ）　ｌ　？−１ＣＨｓ　（ＣＪ）　ｒ
　ｖ−１ＣＨｓ（Ｃ）Ｉｔ）ｚ＋−ＣＦｓ（ＣＨｚ）＋
ｓ−など、Ｒ５，Ｒ６の具体例としては、Ｃ１，−１Ｃ
Ｈｓ　（ＣＨｘ）　ｚ−１ＣＨｓ（ＣＨｚ）ｓ−ＣＨｓ
　（ＣＬ）　ｓ−など）、 （以下余白） などがあげられる。式中の→は異性を表わす。

異性とは、たとえば一般式： （式中の８３、Ｒ４の具体例としては、ＣＨ３（Ｃ１ｌ
オ）、ｌ−１ＣＨｓ（ＣＨｇ）＋５−１ＣＩ！　（ＣＨ
ｔ）　＋５−ＣＨｘ（ＣＬ）＋ｙ−１ＣＨｓ（ＣＨｘ）
＋＊−１ＣＨｓ（ＣＩ（ｚ）ｚ＋−ＣＦｓ（ＣＨｇ）Ｉ
ｓ−など） に基づき説明すると、上式は （式中のＲ１，Ｒ＆の具体例としては、ＣＨｘ（ＣＨｔ
）ｚ−１ＣＨｓ（ＣＨｚ＞＋５−１ＣＨｓ（ＣＨｔ）ｌ
ｓ−ＣＨ３（ＣＨｚ）＋ｙ−５ＣＨｓ（Ｃｔｂ）＋ｗ−
１ＣＨｓ（Ｃ４１ｚ）ｕ−１ＣＦｓ（ＣＨｇ）＋ｓ−な
ど）などの繰返し単位を含むものおよび の２つの式を１つの式で表わしたものであり、このよう
な場合に異性を表わす→が用いられる。

本明細書における異性は、（ａ）式、（ｂ）式で表わさ
れる部分が単独で含有されている場合、（ａ）式、０）
）式で表わされる部分が共存する場合のいずれの場合を
も表わす。

一般式（２）で表わされる繰返し単位をもつ両性ポリイ
ミド前駆体は、単一の繰返し単位からなっていてもよく
、異なった繰返し単位からなる共重合体であってもよい
。

一般式（２）において、Ｒ１−Ｒ６の少なくとも１つが
先に説明したＲ１−Ｒ６のそれぞれの具体例から選ばれ
た少なくとも２種の基にすることによって種々の共重合
体が提供される。

（式中、ｘ、ｙは比率を表わし、Ｑ＜ｘ＜１．０〈ｙく
１、ｘ＋ｙ＝１である）で表わされる。

さらにＲ２として の２種が選ばれると、両性ポリイミド前駆体の繰返し単
位は一般式： は一般式： （以下余白） で表わされる。以上の例はほんの一例である。また、Ｒ
１、Ｒ４、Ｒ１１、Ｒ＆についても多数の例をあげうる
が、繰返し単位として記載すると、たとえば＼　／ （以下余白） ＼　／ し−一車」 ＼　／ ／　　＼ ＼−／ ／　＼ 口、Ｑ　　　ωテロ ？ ＼−７ などである。

前記のごとき本発明の両性ポリイミド前駆体は、一般に
Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、ヘキサメチ
ルホスホルアミドなどの有機極性溶剤に溶、上記有機極
性溶剤とクロロホルムなどの通常の有機溶剤などの混合
溶剤に溶、通常の有機溶剤、たとえばベンゼル、エーテ
ル、クロロホルム、アセトン、メタノールなどに難溶〜
不溶で、赤外（ＩＲ）吸収スペクトル分析でアミド、カ
ルボン酸（場合によってはカルボン酸エステル）および
長鎖アルキル基の特徴的な吸収が観察される。耐熱性が
よいように選ばれた両性ポリイミド前駆体は熱分析の結
果にも特徴があり、約２００　’Ｃで重量の急激な減少
がはじまり、約４００°Ｃで完結する。重量の減少が完
結したのちは、ＩＲ吸収スペクトル分析でのアミド、カ
ルボン酸（場合によってはカルボン酸エステル）および
長鎖アルキル基の吸収が消失し、イミド環の吸収があら
れれる。

前記説明においては、本発明の前駆体の繰返し単位はす
べて一般式（２）で表わされる繰返し単位である場合に
ついて説明したが、繰返し単位のうちの３０％以下の範
囲であれば、一般式（６）：〔式中、ＲＩＳＲ２は前記
と同じ、Ｒは炭素数１〜１１の１価の脂肪族、環状脂肪
族、芳香族（これらが相互に組合わさっていてもよい）
の基、これらの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基
、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基などで置換され
た基または水素原子であり、４個のＲは同じでもよく異
なっていてもよい〕で表わされる繰返し単位が含まれて
いてもよい。

つぎに本発明の前駆体を用いたＬＢ膜について説明する
。

本発明の前駆体を用いたＬＢ膜の製法としては、該前駆
体を水面上に展開し、一定の表面圧で圧縮して単分子膜
を形成し、その膜を基板上にうつしとる方法であるＬＢ
法のほか、水平付着法、回転円筒法などの方法（新実験
化学講座　第１８巻界面とコロイド、４９８〜５０８頁
）などがあげられ、通常行われている方法であれば特に
限定されることなく使用しうる。

一般にＬＢ膜を形成させる物質を水面上に展開する際に
、水には溶けないで気相中に蒸発してしマウベンゼン、
クロロホルムなどの溶媒が使用されるが、本発明の前駆
体の場合には、溶解度をあげるために有機極性溶媒を併
用するのが望ましい。

このような有機極性溶媒としては、たとえばＮ、　Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド
、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルア
セトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルメトキシアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルア
ミド、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレ
ンスルホンなどがあげられる。

ベンゼン、クロロホルムなどと有機極性溶剤とを併用す
る場合には、水面上へ展開するとベンゼン、クロロホル
ムなどは気相中に蒸発し、有機極性溶媒は大量の水に溶
解すると考えられる。

本発明の前駆体を水面上に展開する際に使用する溶液の
濃度には特に限定はないが、通常２〜５ＸＩＯ−３Ｍ程
度が用いられる。

本発明の前駆体を用いたＬＢ膜を形成する基板には特に
限定はなく、形成されたＬＢ膜の用途に応じて選択すれ
ばよいが、ＬＢ膜を加熱してポリイミドにして用いる場
合には耐熱性が良好であることが必要である。

前記のごとき基板の具体例としては、ガラス、アルミナ
、石英などのような無機の基板のほか金属製やプラスチ
ック製の基板、さらにはＳｔ、ＧａＡｓ、ＺｎＳのよう
な■族、■−Ｖ族、Ｊ−■族などの半導体、Ｐ　ｂ　Ｔ
　ｉ　Ｏ３、Ｂ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏｙ、ＬｉＮｂ０．　、
ＬｉＴａＯ３のような強誘電体製の基板あるいは磁性体
基板などがあげられる。これらの基板は通常行われるよ
うな表面処理を施して用いてもよいことはもちろんのこ
とである。

本発明の前駆体を用いるとＬＢ法で基板上に欠陥の少な
い、耐熱性の良好な薄膜を形成することができ、さらに
この薄膜を部分的にあるいは完全にイミド化させること
によって、さらに耐熱性の優れた薄膜をうることができ
る。

イミド化の方法については特に限定はないが、２００〜
４００℃近辺の温度で加熱するのが一般的であり、レー
ザー光などを用いて行ってもよい。

もちろんポリアミック酸のイミド化の際に使用される無
水酢酸やピリジンを使ってもよいし、またそれらと熱反
応とを併用してもよい、たとえば−般式（３）で表わさ
れる繰返し単位の場合には、なる反応がおこり、また一
般式（４）で表わされる繰返し単位の場合には、 なる反応がおこってポリイミド化物となる。もちろん一
般式（５）で表わされるポリアミック酸単位の場合にも
ＨｚＯが生成してポリイミド化物となるが、この場合に
はＬＢ膜用としての材料とはなりえない。

本発明の前駆体は通常のＬＢ膜より耐熱性、耐薬品性が
改善されているので、本発明の前駆体のＬＢ膜をそのま
まデバイスなどの用途に使用することができる。

先に述べたようにえられるポリイミド薄膜は、耐熱性、
耐薬品性に優れ、機械的特性も良好で、そのうえ１００
０Å以下という非常に薄い膜であり、望む・なら５〜１
０００人にもしうる。それゆえ、ＩＣやＬＳＩなどの絶
縁膜のみならず、キャパシター、ＭＩＳＳＭＩＭなどの
構造をもつ種々の電気電子素子中の絶縁層などとしてエ
レクトロニクス分野に使用することができ、電界効果ト
ランジスタ、光電変換素子、受光素子、発光素子、光検
出素子、熱電子トランジスタなどに使用しうる。　ＪＪ
　（ジョセフソン　ジャンクション）への応用も考えら
れる。そのほかウニイブガイド用クラッド材、光学回路
成分などとしても利用可能であり、保護用などを含めた
コーティング材料としても好適に使用しうる。またエネ
ルギー変換や物質分離などの分野にも使用しうる。

つぎに本発明の単分子膜あるいは累積膜およびその製法
を実施例にもとづき説明する。

実施例１ ピロメリット酸二無水物２．１８ｇ（０，０１モル）と
ステアリルアルコール５．４０ｇ（０，０２モル）とを
フラスコ中、乾燥窒素流通下、約１００°Ｃで３時間反
応させ、エタノールで再結精製した。

えられたハーフエステル２．２８ｇ（３ミリモル）にチ
オニルクロライド６ｒｄを加え、約７０°Ｃ，１時間ア
シル化した。そののち過剰のチオニルクロライドを留去
した。

生成した酸クロライドをヘキサメチルホスホルアミド４
０ｃｃに溶解し、これにジメチルアセトアミド２０ｃｃ
に溶かした２、２”−ビス（４−アミノフェノキシフェ
ニル）プロパン１．２３ｇ（３ミリモル）を０〜５℃で
滴下し、滴下後約１時間反応させたのち、さらに室温４
０°Ｃで１時間づつ反応継続した。反応液を蒸留水２５
０ｃｃ中に注いで反応生成物を析出させた。析出物を濾
過し、約４０℃で減圧乾燥させて約３ｇの淡黄色粉末を
えた。

えられた粉末についてＩＲスペクトル分析、ＮＭＲ分析
、ＧＰＣ法による分子量測定を行い、目的のポリイミド
前駆体であることを確認した。

（ＩＲスペクトル分析） ＫＢｒディスク法で測定した分析結果を第１図に示す。

チャートにはエステル、アミド■吸収帯、■吸収帯、■
吸収帯、アルキル鎖およびエーテルの特徴的な吸収があ
る。

（ＧＰＣ法による分子量測定） Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド溶媒で測定した数平均分
子量は、ポリスチレン換算で約ｓｏ、ｏｏｏであった。

実施例２ 実施例１の生成物５５．１■を蒸留したクロロホルム／
ジメチルアセトアミド＝８／２　（容量比）の混合液に
溶解して２５−の溶液にしたＬＢ膜用展開液を調製した
。

えられた展開液を用いて再蒸留水上、２０°Ｃで表面圧
πと繰返し単位（ｕｎｉｔ）当りの面積との関係を測定
したところ、第２図に示す結果かえられた。約１０５人
”　／　ｕ　ｎ　ｉ　ｔから表面圧はたちあがり、良好
な凝縮膜を形成した。極限面積は７２人”／ｕｎｉｔで
あり、崩壊圧力も４０ｄｙｎｅ／　ｃｍと高分子膜とし
ては非常に高い値を示した。

また表面圧を２５ｄｙｎｅ／ｃｍに保って膜を水面上に
保持しても、２時間にわたって面積の減少がみとめられ
ない安定な膜であった。

次に水面上の膜の表面圧を２０°Ｃで２５ｄｙｎｅ／１
に保って累積速度１０■／＋ｌｌ１ｎでＬＢ法でガラス
基板あるいはシリコン板上に６０層累積させた。

シリコン板上に形成された膜にＦＴ−Ｉ　Ｒ分析法によ
り分析すると、第１図と同じ吸収ピークをもつスペクト
ルかえられ、実施例１でえられた化合物の累積膜であり
、面積−時間曲線からＹ型膜であることが確認された。

ジアミンとしてジアミノジフェニルエーテルを用いた累
積膜に比較してノマルスキー顕微鏡観察により欠陥の少
ない膜が観察された。

さらに該累積膜を４００°Ｃで１時間加熱することによ
って、α、β−不飽和５員環イミドが生成していること
が、ＦＴ−ＩＲ分析法の分析結果の１７９０ｃｍ−’　
　１７１０ｃｍ−’のピークにより確認された。

えられたポリイミドの薄膜も欠陥が少ない良好な膜であ
った。

光尻□□□四果 本発明の前駆体を用いるとＬＢ法により欠陥の少ない薄
膜を形成することができ、えられたＬＢ膜を加熱するこ
とにより、耐熱性および電気特性がきわめて良好で、欠
陥が少なく耐薬品性、機械的特性のよい、しかも厚さ１
００００Å以下、要すれば５〜１０００人のポリイミド
超薄膜かえられる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１においてえられた物質のＩＲスペクト
ル図であり、第２図は実施例２のＬＢ膜展開液の表面圧
と繰返し単位当りの面積の関係を示すグラフである。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ラングミュア・プロジェット法により形成した一
   般式（１）の繰返し単位を主としてもつポリイミド単分
   子薄膜あるいは累積膜 ▲数式、化学式、表等があります▼（１）
2. （２）一般式（２）の繰返し単位をもつ両性ポリイミド
   前駆体をラングミュア・プロジェット法により基板上に
   形成し、部分的にあるいは完全にイミド環に変換したポ
   リイミド単分子薄膜あるいは累積▲数式、化学式、表等
   があります▼（２） 〔式中、Ｒ＾１は少なくとも２個の炭素原子を含有する
   ４価の基、Ｒ＾２は ▲数式、化学式、表等があります▼ Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５およびＲ＾６は脂肪族、環状脂
   肪族あるいは芳香族（これらが相互に組合わさっていて
   もよい）の炭素数１〜３０の１価の基（これらの基がハ
   ロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ
   基、アセトキシ基で置換されていてもよい）または水素
   原子であり、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５およびＲ＾６の少
   なくとも１個は炭素数１２〜３０の基である。〕