JPH118218A - 洗浄・乾燥処理方法及びその装置 - Google Patents
洗浄・乾燥処理方法及びその装置Info
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- JPH118218A JPH118218A JP9175134A JP17513497A JPH118218A JP H118218 A JPH118218 A JP H118218A JP 9175134 A JP9175134 A JP 9175134A JP 17513497 A JP17513497 A JP 17513497A JP H118218 A JPH118218 A JP H118218A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 乾燥効率の向上及び乾燥ガスの消費量の低減
を図れるようにすること。 【解決手段】 洗浄液を貯留すると共に、洗浄液を下部
から排出する洗浄槽２２の上方に乾燥室２３を配置し、
洗浄槽２２と乾燥室２３との間で半導体ウエハＷを移動
するウエハボート２４を設ける。乾燥室２３内に乾燥ガ
ス供給ノズル３７を配設し、洗浄槽２２と乾燥室２３と
の間に、洗浄槽２２と乾燥室２３を遮断し得るシャッタ
３６を設け、これら乾燥ガス供給ノズル３７とシャッタ
３６の駆動手段５２をＣＰＵ６０からの制御信号に基づ
いて制御する。これにより、洗浄槽２２内で洗浄処理し
た後、洗浄液を下部から排出すると共に乾燥ガス供給ノ
ズル３７から乾燥ガスを供給して、乾燥ガスを半導体ウ
エハＷ表面及び洗浄液の表面に接触させて、一次乾燥
し、その後、半導体ウエハの表面の洗浄液と乾燥ガスの
凝縮により二次乾燥を行う。
を図れるようにすること。 【解決手段】 洗浄液を貯留すると共に、洗浄液を下部
から排出する洗浄槽２２の上方に乾燥室２３を配置し、
洗浄槽２２と乾燥室２３との間で半導体ウエハＷを移動
するウエハボート２４を設ける。乾燥室２３内に乾燥ガ
ス供給ノズル３７を配設し、洗浄槽２２と乾燥室２３と
の間に、洗浄槽２２と乾燥室２３を遮断し得るシャッタ
３６を設け、これら乾燥ガス供給ノズル３７とシャッタ
３６の駆動手段５２をＣＰＵ６０からの制御信号に基づ
いて制御する。これにより、洗浄槽２２内で洗浄処理し
た後、洗浄液を下部から排出すると共に乾燥ガス供給ノ
ズル３７から乾燥ガスを供給して、乾燥ガスを半導体ウ
エハＷ表面及び洗浄液の表面に接触させて、一次乾燥
し、その後、半導体ウエハの表面の洗浄液と乾燥ガスの
凝縮により二次乾燥を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体を薬液やリンス
液等の洗浄液に浸漬して洗浄した後、乾燥する洗浄・乾
燥処理方法及びその装置に関するものである。
エハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体を薬液やリンス
液等の洗浄液に浸漬して洗浄した後、乾燥する洗浄・乾
燥処理方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の被処理体
（以下にウエハ等という）を薬液やリンス液（洗浄液）
等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄を行
う洗浄処理方法が広く採用されている。また、このよう
な洗浄処理装置においては、洗浄後のウエハ等の表面に
例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の揮発性を
有する有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させて、
乾燥ガスの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハ等の
水分の除去及び乾燥を行う乾燥処理装置が装備されてい
る。
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の被処理体
（以下にウエハ等という）を薬液やリンス液（洗浄液）
等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄を行
う洗浄処理方法が広く採用されている。また、このよう
な洗浄処理装置においては、洗浄後のウエハ等の表面に
例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の揮発性を
有する有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させて、
乾燥ガスの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハ等の
水分の除去及び乾燥を行う乾燥処理装置が装備されてい
る。
【０００３】従来のこの種の洗浄・乾燥処理方法とし
て、特開平２−２９１１２８号公報又は特公平６−１０
３６８６号公報に記載の技術が知られている。このう
ち、特開平２−２９１１２８号公報に記載の技術は、洗
浄液例えば純水をオーバーフローする処理槽内に被処理
体例えばウエハを浸漬して洗浄した後、チャック等の搬
送手段によってウエハを処理槽の上方にゆっくり引き上
げると共に、処理室内に例えばＩＰＡ（イソプロピルア
ルコール）等の揮発性を有する有機溶剤の蒸気からなる
乾燥ガスを供給し、この乾燥ガスを洗浄されたウエハ及
び洗浄液表面に接触させることにより、マランゴニー効
果によりウエハの水分の除去及び乾燥を行うようにした
ものである。また、特公平６−１０３６８６号公報に記
載の技術は、処理室内に洗浄液例えば純水を供給してウ
エハを洗浄処理した後、乾燥蒸気を供給して純水又は乾
燥蒸気が液滴の蒸気により実質的に除去されないよう
な、十分に遅い水洗流体の乾燥蒸気による置換速度で純
水をウエハの表面から直接除去置換することによりウエ
ハの水分の除去及び乾燥を行うようにしたものである。
て、特開平２−２９１１２８号公報又は特公平６−１０
３６８６号公報に記載の技術が知られている。このう
ち、特開平２−２９１１２８号公報に記載の技術は、洗
浄液例えば純水をオーバーフローする処理槽内に被処理
体例えばウエハを浸漬して洗浄した後、チャック等の搬
送手段によってウエハを処理槽の上方にゆっくり引き上
げると共に、処理室内に例えばＩＰＡ（イソプロピルア
ルコール）等の揮発性を有する有機溶剤の蒸気からなる
乾燥ガスを供給し、この乾燥ガスを洗浄されたウエハ及
び洗浄液表面に接触させることにより、マランゴニー効
果によりウエハの水分の除去及び乾燥を行うようにした
ものである。また、特公平６−１０３６８６号公報に記
載の技術は、処理室内に洗浄液例えば純水を供給してウ
エハを洗浄処理した後、乾燥蒸気を供給して純水又は乾
燥蒸気が液滴の蒸気により実質的に除去されないよう
な、十分に遅い水洗流体の乾燥蒸気による置換速度で純
水をウエハの表面から直接除去置換することによりウエ
ハの水分の除去及び乾燥を行うようにしたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の洗浄・乾燥処理方法においては、いずれも乾燥
ガスをウエハ等及び洗浄液表面に接触させることによ
り、マランゴニー効果や直接置換を利用してウエハ等の
水分を完全に除去し乾燥する方法であるため、純水、ウ
エハ等と乾燥ガスとの接触時間を長くする方法があっ
た。しかし、この方法では、乾燥処理に多くの時間を要
し乾燥効率の低下を招くという問題があり、また、多量
の乾燥ガスを消費するという問題がある。
この種の洗浄・乾燥処理方法においては、いずれも乾燥
ガスをウエハ等及び洗浄液表面に接触させることによ
り、マランゴニー効果や直接置換を利用してウエハ等の
水分を完全に除去し乾燥する方法であるため、純水、ウ
エハ等と乾燥ガスとの接触時間を長くする方法があっ
た。しかし、この方法では、乾燥処理に多くの時間を要
し乾燥効率の低下を招くという問題があり、また、多量
の乾燥ガスを消費するという問題がある。
【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、乾燥効率の向上及び乾燥ガスの消費量の低減を図れ
るようにした洗浄・乾燥処理方法及び装置を提供するこ
とを目的とするものである。
で、乾燥効率の向上及び乾燥ガスの消費量の低減を図れ
るようにした洗浄・乾燥処理方法及び装置を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は以下のように構成する。
に、この発明は以下のように構成する。
【０００７】（１）請求項１記載の洗浄・乾燥処理方法
は、洗浄室内に貯留された洗浄液に浸漬された被処理体
を、上記洗浄室の上方に配置された乾燥室内に移動し
て、乾燥室内で乾燥する洗浄・乾燥処理方法において、
洗浄完了後、上記洗浄室に向けて乾燥ガスを供給する
工程と、 上記被処理体を上記洗浄室内に固定した状態
で洗浄液を下方へ排出すると共に、上記乾燥ガスを被処
理体に接触させて一次乾燥（粗乾燥）する工程と、 一
次乾燥後、上記被処理体を上記乾燥室に移動し、乾燥室
内に乾燥ガスを供給して、被処理体を二次乾燥する工程
と、を有することを特徴とする。この場合、被処理体の
乾燥室への移動は、洗浄液を排出した後、あるいは、洗
浄液面が被処理体より下がった後行うことができる（請
求項２，３）。
は、洗浄室内に貯留された洗浄液に浸漬された被処理体
を、上記洗浄室の上方に配置された乾燥室内に移動し
て、乾燥室内で乾燥する洗浄・乾燥処理方法において、
洗浄完了後、上記洗浄室に向けて乾燥ガスを供給する
工程と、 上記被処理体を上記洗浄室内に固定した状態
で洗浄液を下方へ排出すると共に、上記乾燥ガスを被処
理体に接触させて一次乾燥（粗乾燥）する工程と、 一
次乾燥後、上記被処理体を上記乾燥室に移動し、乾燥室
内に乾燥ガスを供給して、被処理体を二次乾燥する工程
と、を有することを特徴とする。この場合、被処理体の
乾燥室への移動は、洗浄液を排出した後、あるいは、洗
浄液面が被処理体より下がった後行うことができる（請
求項２，３）。
【０００８】請求項１記載の洗浄・乾燥処理方法によれ
ば、洗浄処理後の被処理体に乾燥ガスを接触させて一次
乾燥した後、被処理体を乾燥室に移動し、被処理体を再
び乾燥ガスと接触させて乾燥することにより、乾燥室内
に移動された被処理体には多量の水分の付着がなく、乾
燥室内に供給される極少量の乾燥ガスとの接触によって
確実に乾燥することができる。したがって、上記２ステ
ップの乾燥プロセスを用いれば一度に多量の乾燥ガスを
使用することなく少量の乾燥ガスを有効に利用すること
ができ、乾燥ガスの消費量の低減と乾燥効率の向上を図
ることができる。
ば、洗浄処理後の被処理体に乾燥ガスを接触させて一次
乾燥した後、被処理体を乾燥室に移動し、被処理体を再
び乾燥ガスと接触させて乾燥することにより、乾燥室内
に移動された被処理体には多量の水分の付着がなく、乾
燥室内に供給される極少量の乾燥ガスとの接触によって
確実に乾燥することができる。したがって、上記２ステ
ップの乾燥プロセスを用いれば一度に多量の乾燥ガスを
使用することなく少量の乾燥ガスを有効に利用すること
ができ、乾燥ガスの消費量の低減と乾燥効率の向上を図
ることができる。
【０００９】（２）請求項４記載の洗浄・乾燥処理方法
は、請求項１記載の洗浄・乾燥処理方法において、 上
記洗浄室と乾燥室の間にこれら室を遮断する開閉手段を
設け、上記乾燥室内での乾燥中は上記開閉手段を閉状態
とする、ことを特徴とする。
は、請求項１記載の洗浄・乾燥処理方法において、 上
記洗浄室と乾燥室の間にこれら室を遮断する開閉手段を
設け、上記乾燥室内での乾燥中は上記開閉手段を閉状態
とする、ことを特徴とする。
【００１０】請求項４記載の洗浄・乾燥処理方法によれ
ば、開閉手段を閉状態とした状態で二次乾燥を行うこと
ができる。したがって、乾燥ガスの消費量を更に少なく
することができる。また、乾燥室での二次乾燥中に洗浄
室内の洗浄液の交換が可能となり、二次乾燥処理後直ち
に次の被処理体の洗浄処理を行うことができる。
ば、開閉手段を閉状態とした状態で二次乾燥を行うこと
ができる。したがって、乾燥ガスの消費量を更に少なく
することができる。また、乾燥室での二次乾燥中に洗浄
室内の洗浄液の交換が可能となり、二次乾燥処理後直ち
に次の被処理体の洗浄処理を行うことができる。
【００１１】（３）請求項５記載の洗浄・乾燥処理方法
は、請求項４記載の洗浄・乾燥処理方法において、 上
記被処理体が洗浄室と乾燥室を移動中以外は開閉手段を
閉状態とする、ことを特徴とする。請求項５記載の洗浄
・乾燥処理方法によれば、開閉手段を閉状態にして一次
乾燥を行うことができるので、一次乾燥における乾燥ガ
スの消費量を少なくすることができる。
は、請求項４記載の洗浄・乾燥処理方法において、 上
記被処理体が洗浄室と乾燥室を移動中以外は開閉手段を
閉状態とする、ことを特徴とする。請求項５記載の洗浄
・乾燥処理方法によれば、開閉手段を閉状態にして一次
乾燥を行うことができるので、一次乾燥における乾燥ガ
スの消費量を少なくすることができる。
【００１２】（４）請求項６記載の洗浄・乾燥処理方法
は、請求項１記載の洗浄・乾燥処理方法において、 上
記被処理体が洗浄室から乾燥室へ移動中において被処理
体に乾燥ガスを吹き付ける、ことを特徴とする。請求項
５記載の洗浄・乾燥処理方法によれば、被処理体への乾
燥ガスの接触時間を多くすることができるので、更に乾
燥効率の向上を図ることができる。
は、請求項１記載の洗浄・乾燥処理方法において、 上
記被処理体が洗浄室から乾燥室へ移動中において被処理
体に乾燥ガスを吹き付ける、ことを特徴とする。請求項
５記載の洗浄・乾燥処理方法によれば、被処理体への乾
燥ガスの接触時間を多くすることができるので、更に乾
燥効率の向上を図ることができる。
【００１３】（５）請求項７記載の洗浄乾燥処理方法
は、請求項１又は５記載の洗浄・乾燥処理方法におい
て、 上記被処理体の一次乾燥中に乾燥室内に乾燥ガス
を供給して、乾燥室内を乾燥ガス雰囲気にする、ことを
特徴とする。請求項７記載の洗浄・乾燥処理方法によれ
ば、乾燥室内に移動された被処理体を乾燥ガス雰囲気下
におくため、二次乾燥時間を短縮することができると共
に、乾燥ガスの消費量を少なくすることができる。
は、請求項１又は５記載の洗浄・乾燥処理方法におい
て、 上記被処理体の一次乾燥中に乾燥室内に乾燥ガス
を供給して、乾燥室内を乾燥ガス雰囲気にする、ことを
特徴とする。請求項７記載の洗浄・乾燥処理方法によれ
ば、乾燥室内に移動された被処理体を乾燥ガス雰囲気下
におくため、二次乾燥時間を短縮することができると共
に、乾燥ガスの消費量を少なくすることができる。
【００１４】（６）請求項８記載の洗浄・乾燥処理装置
は、洗浄液を貯留すると共に、洗浄液を下部から排出す
る洗浄室と、 上記洗浄室の上方に配置される乾燥室
と、上記洗浄室と乾燥室との間で被処理体を移動する移
動手段と、 上記乾燥室内に配設される乾燥ガス供給ノ
ズルと、 上記洗浄室と乾燥室との間に配設されて洗浄
室と乾燥室を遮断し得る開閉手段と、 上記乾燥ガス供
給ノズルと開閉手段の動作を制御する制御手段と、を具
備することを特徴とする。請求項８記載の洗浄・乾燥処
理装置によれば、上記請求項１又は４記載の洗浄・乾燥
処理方法を具現化することができ、乾燥ガスを有効に利
用して乾燥効率の向上が図れる。また、乾燥室を小容量
にすることができるので、装置の小型化を図ることがで
きる。
は、洗浄液を貯留すると共に、洗浄液を下部から排出す
る洗浄室と、 上記洗浄室の上方に配置される乾燥室
と、上記洗浄室と乾燥室との間で被処理体を移動する移
動手段と、 上記乾燥室内に配設される乾燥ガス供給ノ
ズルと、 上記洗浄室と乾燥室との間に配設されて洗浄
室と乾燥室を遮断し得る開閉手段と、 上記乾燥ガス供
給ノズルと開閉手段の動作を制御する制御手段と、を具
備することを特徴とする。請求項８記載の洗浄・乾燥処
理装置によれば、上記請求項１又は４記載の洗浄・乾燥
処理方法を具現化することができ、乾燥ガスを有効に利
用して乾燥効率の向上が図れる。また、乾燥室を小容量
にすることができるので、装置の小型化を図ることがで
きる。
【００１５】（７）請求項９記載の洗浄・乾燥処理装置
は、洗浄液を貯留すると共に、洗浄液を下部から排出す
る洗浄室と、 上記洗浄室の上方に配置される乾燥室
と、上記洗浄室と乾燥室との間で被処理体を移動する移
動手段と、 上記乾燥室内に配設される第１の乾燥ガス
供給ノズルと、 上記洗浄室と乾燥室との間に配設され
て洗浄室と乾燥室を遮断し得る開閉手段と、 上記洗浄
室内に配設される第２の乾燥ガス供給ノズルと、を具備
することを特徴とする。請求項９記載の洗浄・乾燥処理
装置によれば、上記請求項４記載の洗浄・乾燥処理方法
を具現化することができ、乾燥ガスを有効に利用して乾
燥効率の向上が図れると共に、洗浄・乾燥処理の効率の
向上が図れる。また、乾燥室を小容量にすることができ
るので、装置の小型化を図ることができる。
は、洗浄液を貯留すると共に、洗浄液を下部から排出す
る洗浄室と、 上記洗浄室の上方に配置される乾燥室
と、上記洗浄室と乾燥室との間で被処理体を移動する移
動手段と、 上記乾燥室内に配設される第１の乾燥ガス
供給ノズルと、 上記洗浄室と乾燥室との間に配設され
て洗浄室と乾燥室を遮断し得る開閉手段と、 上記洗浄
室内に配設される第２の乾燥ガス供給ノズルと、を具備
することを特徴とする。請求項９記載の洗浄・乾燥処理
装置によれば、上記請求項４記載の洗浄・乾燥処理方法
を具現化することができ、乾燥ガスを有効に利用して乾
燥効率の向上が図れると共に、洗浄・乾燥処理の効率の
向上が図れる。また、乾燥室を小容量にすることができ
るので、装置の小型化を図ることができる。
【００１６】（８）請求項１０記載の洗浄・乾燥処理装
置は、請求項９記載の洗浄・乾燥処理装置において、
上記第１及び第２の乾燥ガス供給ノズルと開閉手段の動
作を制御する制御手段を具備することを特徴とする。請
求項１０記載の洗浄・乾燥処理装置によれば、上記請求
項４ないし７記載の洗浄・乾燥処理方法を具現化するこ
とができ、乾燥ガスを有効に利用して乾燥効率の向上が
図れると共に、洗浄・乾燥処理の効率の向上が図れる。
置は、請求項９記載の洗浄・乾燥処理装置において、
上記第１及び第２の乾燥ガス供給ノズルと開閉手段の動
作を制御する制御手段を具備することを特徴とする。請
求項１０記載の洗浄・乾燥処理装置によれば、上記請求
項４ないし７記載の洗浄・乾燥処理方法を具現化するこ
とができ、乾燥ガスを有効に利用して乾燥効率の向上が
図れると共に、洗浄・乾燥処理の効率の向上が図れる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説
明する。
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説
明する。
【００１８】図１はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置
を適用した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図、
図２はその概略側面図である。
を適用した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図、
図２はその概略側面図である。
【００１９】上記洗浄処理システムは、被処理体である
半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を水平状態に収
納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出するための搬
送部２と、ウエハＷを薬液、洗浄液等の液処理すると共
に乾燥処理する処理部３と、搬送部２と処理部３との間
に位置してウエハＷの受渡し、位置調整及び姿勢変換等
を行うインターフェース部４とで主に構成されている。
半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を水平状態に収
納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出するための搬
送部２と、ウエハＷを薬液、洗浄液等の液処理すると共
に乾燥処理する処理部３と、搬送部２と処理部３との間
に位置してウエハＷの受渡し、位置調整及び姿勢変換等
を行うインターフェース部４とで主に構成されている。
【００２０】上記搬送部２は、洗浄処理システムの一側
端部に併設して設けられる搬入部５と搬出部６とで構成
されている。また、搬入部５及び搬出部６のキャリア１
の搬入口５ａ及び搬出口６ｂには、キャリア１を搬入部
５、搬出部６に出入れ自在のスライド式の載置テーブル
７が設けられている。また、搬入部５と搬出部６には、
それぞれキャリアリフタ８が配設され、このキャリアリ
フタ８によって搬入部間又は搬出部間でのキャリア１の
搬送を行うことができると共に、空のキャリア１を搬送
部２上方に設けられたキャリア待機部９への受け渡し及
びキャリア待機部９からの受け取りを行うことができる
ように構成されている（図２参照）。
端部に併設して設けられる搬入部５と搬出部６とで構成
されている。また、搬入部５及び搬出部６のキャリア１
の搬入口５ａ及び搬出口６ｂには、キャリア１を搬入部
５、搬出部６に出入れ自在のスライド式の載置テーブル
７が設けられている。また、搬入部５と搬出部６には、
それぞれキャリアリフタ８が配設され、このキャリアリ
フタ８によって搬入部間又は搬出部間でのキャリア１の
搬送を行うことができると共に、空のキャリア１を搬送
部２上方に設けられたキャリア待機部９への受け渡し及
びキャリア待機部９からの受け取りを行うことができる
ように構成されている（図２参照）。
【００２１】上記インターフェース部４は、区画壁４ｃ
によって搬入部５に隣接する第１の室４ａと、搬出部６
に隣接する第２の室４ｂとに区画されている。そして、
第１の室４ａ内には、搬入部５のキャリア１から複数枚
のウエハＷを取り出して搬送する水平方向（Ｘ，Ｙ方
向），垂直方向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウ
エハ取出しアーム１０と、ウエハＷに設けられたノッチ
を検出するノッチアライナー１１と、ウエハ取出しアー
ム１０によって取り出された複数枚のウエハＷの間隔を
調整する間隔調整機構１２を具備すると共に、水平状態
のウエハＷを垂直状態に変換する第１の姿勢変換装置１
３が配設されている。
によって搬入部５に隣接する第１の室４ａと、搬出部６
に隣接する第２の室４ｂとに区画されている。そして、
第１の室４ａ内には、搬入部５のキャリア１から複数枚
のウエハＷを取り出して搬送する水平方向（Ｘ，Ｙ方
向），垂直方向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウ
エハ取出しアーム１０と、ウエハＷに設けられたノッチ
を検出するノッチアライナー１１と、ウエハ取出しアー
ム１０によって取り出された複数枚のウエハＷの間隔を
調整する間隔調整機構１２を具備すると共に、水平状態
のウエハＷを垂直状態に変換する第１の姿勢変換装置１
３が配設されている。
【００２２】また、第２の室４ｂ内には、処理済みの複
数枚のウエハＷを処理部３から垂直状態のまま受け取っ
て搬送するウエハ受渡しアーム１４と、ウエハ受渡しア
ーム１４から受け取ったウエハＷを垂直状態から水平状
態に変換する第２の姿勢変換装置１３Ａと、この第２の
姿勢変換装置１３Ａによって水平状態に変換された複数
枚のウエハＷを受け取って搬出部６に搬送された空のキ
ャリア１内に収納する水平方向（Ｘ，Ｙ方向），垂直方
向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウエハ収納アー
ム１５が配設されている。なお、第２の室４ｂは外部か
ら密閉されており、図示しない不活性ガス例えば窒素
（Ｎ2 ）ガスの供給源から供給されるＮ2ガスによって
室内が置換されるように構成されている。
数枚のウエハＷを処理部３から垂直状態のまま受け取っ
て搬送するウエハ受渡しアーム１４と、ウエハ受渡しア
ーム１４から受け取ったウエハＷを垂直状態から水平状
態に変換する第２の姿勢変換装置１３Ａと、この第２の
姿勢変換装置１３Ａによって水平状態に変換された複数
枚のウエハＷを受け取って搬出部６に搬送された空のキ
ャリア１内に収納する水平方向（Ｘ，Ｙ方向），垂直方
向（Ｚ方向）及び回転（θ方向）可能なウエハ収納アー
ム１５が配設されている。なお、第２の室４ｂは外部か
ら密閉されており、図示しない不活性ガス例えば窒素
（Ｎ2 ）ガスの供給源から供給されるＮ2ガスによって
室内が置換されるように構成されている。
【００２３】一方、上記処理部３には、ウエハＷに付着
するパーティクルや有機物汚染を除去する第１の処理ユ
ニット１６と、ウエハＷに付着する金属汚染を除去する
第２の処理ユニット１７と、ウエハＷに付着する酸化膜
を除去すると共に乾燥処理する洗浄・乾燥処理ユニット
であるこの発明の洗浄・乾燥処理装置１８及びチャック
洗浄ユニット１９が直線状に配列されており、これら各
ユニット１６〜１９と対向する位置に設けられた搬送路
２０に、Ｘ，Ｙ方向（水平方向）、Ｚ方向（垂直方向）
及び回転（θ）可能なウエハ搬送アーム２１が配設され
ている。
するパーティクルや有機物汚染を除去する第１の処理ユ
ニット１６と、ウエハＷに付着する金属汚染を除去する
第２の処理ユニット１７と、ウエハＷに付着する酸化膜
を除去すると共に乾燥処理する洗浄・乾燥処理ユニット
であるこの発明の洗浄・乾燥処理装置１８及びチャック
洗浄ユニット１９が直線状に配列されており、これら各
ユニット１６〜１９と対向する位置に設けられた搬送路
２０に、Ｘ，Ｙ方向（水平方向）、Ｚ方向（垂直方向）
及び回転（θ）可能なウエハ搬送アーム２１が配設され
ている。
【００２４】次に、この発明に係る洗浄・乾燥処理装置
について説明する。
について説明する。
【００２５】◎第一実施形態 図３はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第一実施形
態の断面図、図４はその要部の側断面図である。
態の断面図、図４はその要部の側断面図である。
【００２６】上記洗浄・乾燥処理装置１８は、例えばフ
ッ化水素酸等の薬液や純水等の洗浄液を貯留（収容）
し、貯留した薬液、洗浄液にウエハＷを浸漬する洗浄槽
２２（洗浄室）と、洗浄槽２２の上部に位置する乾燥室
２３と、複数例えば５０枚のウエハＷを保持してこのウ
エハＷを洗浄槽２２内及び乾燥室２３内に移動する移動
手段例えばウエハボート２４とで主に構成されている。
ッ化水素酸等の薬液や純水等の洗浄液を貯留（収容）
し、貯留した薬液、洗浄液にウエハＷを浸漬する洗浄槽
２２（洗浄室）と、洗浄槽２２の上部に位置する乾燥室
２３と、複数例えば５０枚のウエハＷを保持してこのウ
エハＷを洗浄槽２２内及び乾燥室２３内に移動する移動
手段例えばウエハボート２４とで主に構成されている。
【００２７】この場合、洗浄槽２２は、例えば石英製部
材やポリプロピレンにて形成される内槽２２ａと、この
内槽２２ａの上端部外側に配設されて内槽２２ａからオ
ーバーフローした洗浄液を受け止める外槽２２ｂとで構
成されている。また、内槽２２ａの下部両側には洗浄槽
２２内に位置するウエハＷに向かって洗浄液を噴射する
洗浄液供給ノズル２５が配設され、この洗浄液供給ノズ
ル２５に接続する図示しない薬液供給源及び純水供給源
から切換弁によって薬液又は純水が供給されて洗浄槽２
２内に薬液又は純水が貯留されるようになっている。ま
た、内槽２２ａの底部には排出口が設けられており、こ
の排出口に排出バルブ２６ａを介設するドレン管２６が
接続されている。外槽２２ｂの底部に設けられた排出口
にも排出バルブ２７ａを介設するドレン管２７が接続さ
れている。なお、外槽２２ｂの外側には排気ボックス２
８が配設されており、この排気ボックス２８に設けられ
た排気口にバルブ２９ａを介設する排気管２９が接続さ
れている。
材やポリプロピレンにて形成される内槽２２ａと、この
内槽２２ａの上端部外側に配設されて内槽２２ａからオ
ーバーフローした洗浄液を受け止める外槽２２ｂとで構
成されている。また、内槽２２ａの下部両側には洗浄槽
２２内に位置するウエハＷに向かって洗浄液を噴射する
洗浄液供給ノズル２５が配設され、この洗浄液供給ノズ
ル２５に接続する図示しない薬液供給源及び純水供給源
から切換弁によって薬液又は純水が供給されて洗浄槽２
２内に薬液又は純水が貯留されるようになっている。ま
た、内槽２２ａの底部には排出口が設けられており、こ
の排出口に排出バルブ２６ａを介設するドレン管２６が
接続されている。外槽２２ｂの底部に設けられた排出口
にも排出バルブ２７ａを介設するドレン管２７が接続さ
れている。なお、外槽２２ｂの外側には排気ボックス２
８が配設されており、この排気ボックス２８に設けられ
た排気口にバルブ２９ａを介設する排気管２９が接続さ
れている。
【００２８】上記のように構成される洗浄槽２２と排気
ボックス２８は、有底筒状のボックス３０内に配設され
ており、ボックス３０を水平に仕切る仕切板３１によっ
て洗浄槽側の上部室３２ａと内槽２２ａ及び外槽２２ｂ
に接続するドレン管２６，２７及び排気管２９の排液口
及び排気口側の下部室３２ｂとが区画されている。それ
によって、下部室３２ｂの雰囲気、排液の飛散が上部室
３２ａ内に入り込むことを防ぎ、上部室３２ａ内が清浄
に保たれる。なお、上部室３２ａの側壁には排気窓３３
が設けられ、下部室３２ｂの上部側壁に排気窓３４が、
下部側壁には排液口３５が設けられている。
ボックス２８は、有底筒状のボックス３０内に配設され
ており、ボックス３０を水平に仕切る仕切板３１によっ
て洗浄槽側の上部室３２ａと内槽２２ａ及び外槽２２ｂ
に接続するドレン管２６，２７及び排気管２９の排液口
及び排気口側の下部室３２ｂとが区画されている。それ
によって、下部室３２ｂの雰囲気、排液の飛散が上部室
３２ａ内に入り込むことを防ぎ、上部室３２ａ内が清浄
に保たれる。なお、上部室３２ａの側壁には排気窓３３
が設けられ、下部室３２ｂの上部側壁に排気窓３４が、
下部側壁には排液口３５が設けられている。
【００２９】一方、上記乾燥室２３は、洗浄槽２２の開
口部２２ｃとの間にシャッタ３６を介して連通する開口
部２３ａを有する断面略逆Ｕ字状の石英製部材に形成さ
れており、その内方の上部両側に乾燥ガス供給ノズル３
７が配設されている。乾燥ガス供給ノズル３７は、供給
管３８を介して乾燥ガス発生器３９に接続されており、
乾燥ガス発生器３９には乾燥ガス用液体例えばＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）の供給源（図示せず）とキ
ャリアガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの供給源（図示せ
ず）が接続されている。また、供給管３８には開閉弁４
０が介設されており、開閉弁４０の開閉動作によって乾
燥ガス発生器３９によって生成された乾燥ガス（ＩＰＡ
＋Ｎ2）を乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥室２３内に
供給し得るように構成されている。なお、ＩＰＡの供給
を停止することによってＮ2ガスのみを乾燥ガス供給ノ
ズル３７から乾燥室２３内に供給することができる。な
おこの場合、開閉弁４０は制御手段例えば中央演算処理
装置（ＣＰＵ）６０からの信号に基づいて開閉動作し得
るように構成されている。使用する乾燥ガスとしてはＩ
ＰＡ等のアルコールケトン類，エーテル類，多価アルコ
ール等の有機溶剤を用いることができる。
口部２２ｃとの間にシャッタ３６を介して連通する開口
部２３ａを有する断面略逆Ｕ字状の石英製部材に形成さ
れており、その内方の上部両側に乾燥ガス供給ノズル３
７が配設されている。乾燥ガス供給ノズル３７は、供給
管３８を介して乾燥ガス発生器３９に接続されており、
乾燥ガス発生器３９には乾燥ガス用液体例えばＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）の供給源（図示せず）とキ
ャリアガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの供給源（図示せ
ず）が接続されている。また、供給管３８には開閉弁４
０が介設されており、開閉弁４０の開閉動作によって乾
燥ガス発生器３９によって生成された乾燥ガス（ＩＰＡ
＋Ｎ2）を乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥室２３内に
供給し得るように構成されている。なお、ＩＰＡの供給
を停止することによってＮ2ガスのみを乾燥ガス供給ノ
ズル３７から乾燥室２３内に供給することができる。な
おこの場合、開閉弁４０は制御手段例えば中央演算処理
装置（ＣＰＵ）６０からの信号に基づいて開閉動作し得
るように構成されている。使用する乾燥ガスとしてはＩ
ＰＡ等のアルコールケトン類，エーテル類，多価アルコ
ール等の有機溶剤を用いることができる。
【００３０】上記シャッタ３６は、図４に示すように、
上部シャッタ体３６ａと下部シャッタ体３６ｂに分割さ
れており、両シャッタ体３６ａ，３６ｂ間に介設（内
蔵）される複数例えば８個のシリンダ５０によって接離
方向への間隔調節可能に形成されている。このようにシ
ャッタ３６を上部シャッタ体３６ａと下部シャッタ体３
６ｂとに分割し、シリンダ５０を介して接離方向の間隔
調節可能に形成することにより、シャッタ３６を閉じた
状態で洗浄槽２２と乾燥室２３に密接することができる
ので、洗浄槽２２と乾燥室２３の遮断性を確実にするこ
とができる。
上部シャッタ体３６ａと下部シャッタ体３６ｂに分割さ
れており、両シャッタ体３６ａ，３６ｂ間に介設（内
蔵）される複数例えば８個のシリンダ５０によって接離
方向への間隔調節可能に形成されている。このようにシ
ャッタ３６を上部シャッタ体３６ａと下部シャッタ体３
６ｂとに分割し、シリンダ５０を介して接離方向の間隔
調節可能に形成することにより、シャッタ３６を閉じた
状態で洗浄槽２２と乾燥室２３に密接することができる
ので、洗浄槽２２と乾燥室２３の遮断性を確実にするこ
とができる。
【００３１】また、シャッタ３６の下部シャッタ体３６
ｂにおける開閉移動方向に沿う両側には断面略逆ハット
状の翼片５１が突設されており、その一方がシャッタ３
６の開閉駆動手段５２（以下に駆動手段という）と連結
されている。この場合、駆動手段５２は例えばボールね
じ機構にて形成されており、ボールねじ機構を収容する
ケーシング内に不活性ガス例えばＮ2ガスが供給されて
いる。また、両翼片５１の一部の屈曲部５１ａが洗浄槽
２２の上部に設けられた樋状槽５３内に貯留された水等
のシール用液体５４に浸漬された状態で移動可能に配設
されている。
ｂにおける開閉移動方向に沿う両側には断面略逆ハット
状の翼片５１が突設されており、その一方がシャッタ３
６の開閉駆動手段５２（以下に駆動手段という）と連結
されている。この場合、駆動手段５２は例えばボールね
じ機構にて形成されており、ボールねじ機構を収容する
ケーシング内に不活性ガス例えばＮ2ガスが供給されて
いる。また、両翼片５１の一部の屈曲部５１ａが洗浄槽
２２の上部に設けられた樋状槽５３内に貯留された水等
のシール用液体５４に浸漬された状態で移動可能に配設
されている。
【００３２】このようにシャッタ３６の両側に突出する
翼片５１の屈曲部５１ａを移動可能に収容すると樋状槽
５３と、この樋状槽５３内に貯留されて翼片５１の屈曲
部５１ａを浸漬するシール用液体５４とで液体シール機
構５５を形成する。このように形成される液体シール機
構５５によって洗浄槽２２と、洗浄槽２２の外部｛具体
的にはシャッタ３６の駆動手段５２及び洗浄槽２２に関
して駆動手段５２と反対側｝とを気水密にシールするこ
とができる。なお、図示しないが、樋状槽５３の下部に
設けられた供給口から常時シール用液体５４が供給され
ると共に、上部側部に設けられた排液口から常時排出し
て絶えず樋状槽５３内にシール用液体５４が充満されて
いる。
翼片５１の屈曲部５１ａを移動可能に収容すると樋状槽
５３と、この樋状槽５３内に貯留されて翼片５１の屈曲
部５１ａを浸漬するシール用液体５４とで液体シール機
構５５を形成する。このように形成される液体シール機
構５５によって洗浄槽２２と、洗浄槽２２の外部｛具体
的にはシャッタ３６の駆動手段５２及び洗浄槽２２に関
して駆動手段５２と反対側｝とを気水密にシールするこ
とができる。なお、図示しないが、樋状槽５３の下部に
設けられた供給口から常時シール用液体５４が供給され
ると共に、上部側部に設けられた排液口から常時排出し
て絶えず樋状槽５３内にシール用液体５４が充満されて
いる。
【００３３】また、洗浄槽２２と駆動手段５２は区画壁
５６によって区画されており、更に区画壁５６の下端部
が樋状槽５３内における翼片５１の屈曲部５１ａ内方で
シール用液体５４に浸漬されている。したがって、洗浄
槽２２側の処理部と駆動手段５２側との雰囲気を確実に
遮断することができる。
５６によって区画されており、更に区画壁５６の下端部
が樋状槽５３内における翼片５１の屈曲部５１ａ内方で
シール用液体５４に浸漬されている。したがって、洗浄
槽２２側の処理部と駆動手段５２側との雰囲気を確実に
遮断することができる。
【００３４】なおこの場合、上記駆動手段５２及びシリ
ンダ５０は上記制御手段すなわちＣＰＵ６０からの信号
に基づいて駆動してシャッタ３６を開閉し得るように構
成されている。
ンダ５０は上記制御手段すなわちＣＰＵ６０からの信号
に基づいて駆動してシャッタ３６を開閉し得るように構
成されている。
【００３５】次に、上記洗浄・乾燥処理装置の実施例の
動作態様について図５ないし図８を参照して説明する。
動作態様について図５ないし図８を参照して説明する。
【００３６】洗浄処理 図５（ａ）に示すように、シャッタ３６を開状態にし
て、洗浄槽２２内にウエハＷを収容した状態で薬液又は
洗浄液例えば純水Ｌを貯留しオーバーフローして洗浄処
理を施すか、あるいは、図５（ｂ）に示すように、シャ
ッタ３６を閉状態にして、洗浄槽２２内にウエハＷを収
容した状態で薬液又は洗浄液例えば純水Ｌを貯留しオー
バーフローして洗浄処理を施す。薬液処理と洗浄処理を
連続して行う場合は、薬液処理後薬液をドレンした後、
洗浄液をノズルより供給してもよいし、また薬液処理後
薬液を洗浄液により置換してもよい。
て、洗浄槽２２内にウエハＷを収容した状態で薬液又は
洗浄液例えば純水Ｌを貯留しオーバーフローして洗浄処
理を施すか、あるいは、図５（ｂ）に示すように、シャ
ッタ３６を閉状態にして、洗浄槽２２内にウエハＷを収
容した状態で薬液又は洗浄液例えば純水Ｌを貯留しオー
バーフローして洗浄処理を施す。薬液処理と洗浄処理を
連続して行う場合は、薬液処理後薬液をドレンした後、
洗浄液をノズルより供給してもよいし、また薬液処理後
薬液を洗浄液により置換してもよい。
【００３７】一次乾燥 洗浄処理が完了した後、図６に示すように、洗浄槽２２
内の純水Ｌを洗浄槽２２の下部から排出（ドレン）する
と共に、乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥室２３内に乾
燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給すると、乾燥ガスはウエ
ハＷの表面に接触すると共に、純水Ｌの表面に接触し
て、マランゴニー効果によりウエハ上の多量の水分の低
減を図り、一次乾燥（粗乾燥）を行う。この一次乾燥で
は水分を完全に除去するに至らなくて済むため、乾燥ガ
スの供給は少量でよい。
内の純水Ｌを洗浄槽２２の下部から排出（ドレン）する
と共に、乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥室２３内に乾
燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給すると、乾燥ガスはウエ
ハＷの表面に接触すると共に、純水Ｌの表面に接触し
て、マランゴニー効果によりウエハ上の多量の水分の低
減を図り、一次乾燥（粗乾燥）を行う。この一次乾燥で
は水分を完全に除去するに至らなくて済むため、乾燥ガ
スの供給は少量でよい。
【００３８】一次乾燥後、図７（ａ）に示すように、乾
燥ガス供給ノズル３７から乾燥ガスを供給し続けるか、
あるいは、図７（ｂ）に示すように、乾燥ガス供給ノズ
ル３７からの乾燥ガスの供給を停止する。
燥ガス供給ノズル３７から乾燥ガスを供給し続けるか、
あるいは、図７（ｂ）に示すように、乾燥ガス供給ノズ
ル３７からの乾燥ガスの供給を停止する。
【００３９】二次乾燥 一次乾燥後、図示しないウエハボートを上昇させてウエ
ハＷを乾燥室２３内に移動し、シャッタ３６を閉状態に
して乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥ガスを供給し、ウ
エハＷの表面に残留する純水Ｌと乾燥ガスの凝縮により
ウエハＷに残留する水分の除去及び二次乾燥を行う。こ
の二次乾燥においては、既に一次乾燥によって余分な水
分が除去されているため、乾燥ガスの供給量は少なくで
きると共に、乾燥時間を短縮することができる。したが
って、乾燥効率の向上が図れると共に、乾燥ガスの消費
量を少なくすることができる。また、二次乾燥中に洗浄
槽２２内の洗浄液を交換することにより、以後の洗浄処
理の開始時間を早めることができる。なお、二次乾燥
後、乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥室２３内にＮ2ガ
スを供給して乾燥処理を完了する。
ハＷを乾燥室２３内に移動し、シャッタ３６を閉状態に
して乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥ガスを供給し、ウ
エハＷの表面に残留する純水Ｌと乾燥ガスの凝縮により
ウエハＷに残留する水分の除去及び二次乾燥を行う。こ
の二次乾燥においては、既に一次乾燥によって余分な水
分が除去されているため、乾燥ガスの供給量は少なくで
きると共に、乾燥時間を短縮することができる。したが
って、乾燥効率の向上が図れると共に、乾燥ガスの消費
量を少なくすることができる。また、二次乾燥中に洗浄
槽２２内の洗浄液を交換することにより、以後の洗浄処
理の開始時間を早めることができる。なお、二次乾燥
後、乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥室２３内にＮ2ガ
スを供給して乾燥処理を完了する。
【００４０】◎第二実施形態 図９はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第二実施形
態の断面図である。第二実施形態は、更に乾燥効率の向
上を図れるようにした場合である。すなわち、洗浄槽２
２の上部の開口部２２ｃ内方に第２の乾燥ガス供給ノズ
ル４２を配設して、洗浄槽２２内への乾燥ガスの供給を
上記乾燥ガス供給ノズル３７（第二実施形態においては
第１の乾燥ガス供給ノズルという）とは別の供給系から
供給するようにした場合である。この場合、第２の乾燥
ガス供給ノズル４２は第１の乾燥ガス供給ノズル３７に
接続する供給管３８から分岐された分岐管４１を介して
乾燥ガス発生器３９に接続されている。また、分岐管４
１には開閉弁４３が介設されている。この開閉弁４３は
上記開閉弁４０と同様ＣＰＵ６０からの信号に基づいて
開閉動作し得るように構成されている。
態の断面図である。第二実施形態は、更に乾燥効率の向
上を図れるようにした場合である。すなわち、洗浄槽２
２の上部の開口部２２ｃ内方に第２の乾燥ガス供給ノズ
ル４２を配設して、洗浄槽２２内への乾燥ガスの供給を
上記乾燥ガス供給ノズル３７（第二実施形態においては
第１の乾燥ガス供給ノズルという）とは別の供給系から
供給するようにした場合である。この場合、第２の乾燥
ガス供給ノズル４２は第１の乾燥ガス供給ノズル３７に
接続する供給管３８から分岐された分岐管４１を介して
乾燥ガス発生器３９に接続されている。また、分岐管４
１には開閉弁４３が介設されている。この開閉弁４３は
上記開閉弁４０と同様ＣＰＵ６０からの信号に基づいて
開閉動作し得るように構成されている。
【００４１】なお、第二実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。
【００４２】次に、第二実施形態における洗浄・乾燥処
理装置の実施例の動作態様について図１０ないし図１４
を参照して説明する。
理装置の実施例の動作態様について図１０ないし図１４
を参照して説明する。
【００４３】洗浄処理 図１０に示すように、シャッタ３６を閉状態にして、洗
浄槽２２内にウエハＷを収容した状態で薬液又は洗浄液
例えば純水Ｌを貯留しオーバーフローして洗浄処理を施
す。このようにシャッタ３６を閉状態にして洗浄処理を
行うことにより、洗浄槽２２内の雰囲気の乾燥室２３へ
の飛散等を阻止することができ、上部乾燥室の内壁が洗
浄雰囲気で汚染されるのを防止し、乾燥室２３の雰囲気
を維持することができる。これは特に洗浄槽２２内で薬
液処理を行う場合有効である。なお、薬液処理と洗浄処
理を連続して行う場合は、薬液処理後薬液をドレンした
後、洗浄液をノズルより供給してもよいし、また薬液処
理後薬液を洗浄液により置換してもよい。
浄槽２２内にウエハＷを収容した状態で薬液又は洗浄液
例えば純水Ｌを貯留しオーバーフローして洗浄処理を施
す。このようにシャッタ３６を閉状態にして洗浄処理を
行うことにより、洗浄槽２２内の雰囲気の乾燥室２３へ
の飛散等を阻止することができ、上部乾燥室の内壁が洗
浄雰囲気で汚染されるのを防止し、乾燥室２３の雰囲気
を維持することができる。これは特に洗浄槽２２内で薬
液処理を行う場合有効である。なお、薬液処理と洗浄処
理を連続して行う場合は、薬液処理後薬液をドレンした
後、洗浄液をノズルより供給してもよいし、また薬液処
理後薬液を洗浄液により置換してもよい。
【００４４】一次乾燥 洗浄処理が完了した後、図１１に示すように、洗浄槽２
２内の純水Ｌを洗浄槽２２の下部から排出（ドレン）す
ると共に、第２の乾燥ガス供給ノズル４２から洗浄槽２
２内に乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給すると、乾燥ガ
スはウエハＷの表面に接触すると共に、純水Ｌの表面に
接触して、マランゴニー効果によりウエハの水分の除去
及び一次乾燥を行う。この一次乾燥では水分を完全に除
去するに至らなくて済むため、乾燥ガスの供給は少量で
よい。
２内の純水Ｌを洗浄槽２２の下部から排出（ドレン）す
ると共に、第２の乾燥ガス供給ノズル４２から洗浄槽２
２内に乾燥ガス（ＩＰＡ＋Ｎ2）を供給すると、乾燥ガ
スはウエハＷの表面に接触すると共に、純水Ｌの表面に
接触して、マランゴニー効果によりウエハの水分の除去
及び一次乾燥を行う。この一次乾燥では水分を完全に除
去するに至らなくて済むため、乾燥ガスの供給は少量で
よい。
【００４５】一次乾燥後、図１２（ａ）に示すように、
第２の乾燥ガス供給ノズル４２からの乾燥ガスの供給を
停止する。図１２（ｂ）に示すように、第２の乾燥ガス
供給ノズル４２から乾燥ガスを供給し続ける。図１２
（ｃ）に示すように、第２の乾燥ガス供給ノズル４２か
らの乾燥ガスの供給を停止するが、第１の乾燥ガス供給
ノズル３７から乾燥室２３内に乾燥ガスを供給して乾燥
室２３内を乾燥ガス雰囲気下にする。あるいは、図１２
（ｄ）に示すように、第２の乾燥ガス供給ノズル４２か
ら乾燥ガスを供給し続けると共に、第１の乾燥ガス供給
ノズル３７から乾燥室２３内に乾燥ガスを供給して乾燥
室２３内を乾燥ガス雰囲気下にする。このうち、図１２
（ｃ）及び（ｄ）に示すように、乾燥室２３内を乾燥ガ
ス雰囲気におくことによって以後の二次乾燥における乾
燥ガスの供給量を少なくすることができると共に、乾燥
時間の短縮を図ることができる。この場合、一次乾燥中
に乾燥室２３内を乾燥ガス雰囲気にしておいてもよい。
第２の乾燥ガス供給ノズル４２からの乾燥ガスの供給を
停止する。図１２（ｂ）に示すように、第２の乾燥ガス
供給ノズル４２から乾燥ガスを供給し続ける。図１２
（ｃ）に示すように、第２の乾燥ガス供給ノズル４２か
らの乾燥ガスの供給を停止するが、第１の乾燥ガス供給
ノズル３７から乾燥室２３内に乾燥ガスを供給して乾燥
室２３内を乾燥ガス雰囲気下にする。あるいは、図１２
（ｄ）に示すように、第２の乾燥ガス供給ノズル４２か
ら乾燥ガスを供給し続けると共に、第１の乾燥ガス供給
ノズル３７から乾燥室２３内に乾燥ガスを供給して乾燥
室２３内を乾燥ガス雰囲気下にする。このうち、図１２
（ｃ）及び（ｄ）に示すように、乾燥室２３内を乾燥ガ
ス雰囲気におくことによって以後の二次乾燥における乾
燥ガスの供給量を少なくすることができると共に、乾燥
時間の短縮を図ることができる。この場合、一次乾燥中
に乾燥室２３内を乾燥ガス雰囲気にしておいてもよい。
【００４６】乾燥室への移動 一次乾燥が終了した後、図示しないウエハボートの上昇
によって乾燥室２３へウエハＷを移動するのであるが、
この際、図１３（ａ）に示すように、第１及び第２の乾
燥ガス供給ノズル３７，４２からの乾燥ガスの供給を停
止する。あるいは、図１３（ｂ）に示すように、第１の
乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥ガスを供給して乾燥ガ
スをウエハＷに吹き付けて、移動中におけるウエハＷの
乾燥を行う。あるいは、図１３（ｃ）に示すように、第
１の乾燥ガス供給ノズル３７及び第２の乾燥ガス供給ノ
ズル４２から乾燥ガスを供給して乾燥ガスをウエハＷに
吹き付けて、移動中におけるウエハＷの乾燥を行う。な
お、移動開始は、ドレンされる洗浄液面がウエハＷより
下がったとき行ってもよい。
によって乾燥室２３へウエハＷを移動するのであるが、
この際、図１３（ａ）に示すように、第１及び第２の乾
燥ガス供給ノズル３７，４２からの乾燥ガスの供給を停
止する。あるいは、図１３（ｂ）に示すように、第１の
乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥ガスを供給して乾燥ガ
スをウエハＷに吹き付けて、移動中におけるウエハＷの
乾燥を行う。あるいは、図１３（ｃ）に示すように、第
１の乾燥ガス供給ノズル３７及び第２の乾燥ガス供給ノ
ズル４２から乾燥ガスを供給して乾燥ガスをウエハＷに
吹き付けて、移動中におけるウエハＷの乾燥を行う。な
お、移動開始は、ドレンされる洗浄液面がウエハＷより
下がったとき行ってもよい。
【００４７】二次乾燥 ウエハＷを乾燥室２３内に移動した後、シャッタ３６を
閉状態にして第１の乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥ガ
スを供給し、ウエハＷの表面に残留する純水Ｌと乾燥ガ
スの凝縮によりウエハＷに残留する水分の除去及び二次
乾燥を行う。この二次乾燥においては、既に一次乾燥に
よって余分な水分が除去され、また移動中に乾燥ガスを
吹き付ける場合には更に余分な水分が除去されているた
め、乾燥ガスの供給量は少なくできると共に、乾燥時間
を短縮することができる。したがって、乾燥効率の向上
が図れると共に、乾燥ガスの消費量を少なくすることが
できる。なお、二次乾燥中に洗浄槽２２内の洗浄液を交
換することにより、以後の洗浄処理の開始時間を早める
ことができる。また、二次乾燥後、乾燥ガスに代えてＮ
2ガスを供給して乾燥処理を完了する。
閉状態にして第１の乾燥ガス供給ノズル３７から乾燥ガ
スを供給し、ウエハＷの表面に残留する純水Ｌと乾燥ガ
スの凝縮によりウエハＷに残留する水分の除去及び二次
乾燥を行う。この二次乾燥においては、既に一次乾燥に
よって余分な水分が除去され、また移動中に乾燥ガスを
吹き付ける場合には更に余分な水分が除去されているた
め、乾燥ガスの供給量は少なくできると共に、乾燥時間
を短縮することができる。したがって、乾燥効率の向上
が図れると共に、乾燥ガスの消費量を少なくすることが
できる。なお、二次乾燥中に洗浄槽２２内の洗浄液を交
換することにより、以後の洗浄処理の開始時間を早める
ことができる。また、二次乾燥後、乾燥ガスに代えてＮ
2ガスを供給して乾燥処理を完了する。
【００４８】なお、上記実施形態では、この発明の洗浄
・乾燥処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適
用した場合について説明したが、洗浄処理以外の処理シ
ステムにも適用できることは勿論であり、また、半導体
ウエハ以外のＬＣＤ用ガラス基板等にも適用できること
は勿論である。
・乾燥処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適
用した場合について説明したが、洗浄処理以外の処理シ
ステムにも適用できることは勿論であり、また、半導体
ウエハ以外のＬＣＤ用ガラス基板等にも適用できること
は勿論である。
【００４９】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の洗浄
・乾燥処理装置によれば、上記のように構成されている
ので、以下のような優れた効果が得られる。
・乾燥処理装置によれば、上記のように構成されている
ので、以下のような優れた効果が得られる。
【００５０】（１）請求項１，８又は９記載の発明によ
れば、洗浄処理後の被処理体に乾燥ガスを接触させて一
次乾燥した後、被処理体を乾燥室に移動し、被処理体を
再び乾燥ガスと接触させて乾燥することにより、乾燥室
内に移動された被処理体には多量の水分の付着がなく、
また、乾燥室内に多量の水分の持ち込みも防げる。その
ため、乾燥室内に供給される乾燥ガスとの接触によって
確実に乾燥することができる。したがって、一度に多量
の乾燥ガスを使用することなく少量の乾燥ガスを有効に
利用することができると共に、乾燥効率の向上を図るこ
とができる。また、乾燥室の容積を小さくすることがで
きるので、装置の小型化を図ることができる。
れば、洗浄処理後の被処理体に乾燥ガスを接触させて一
次乾燥した後、被処理体を乾燥室に移動し、被処理体を
再び乾燥ガスと接触させて乾燥することにより、乾燥室
内に移動された被処理体には多量の水分の付着がなく、
また、乾燥室内に多量の水分の持ち込みも防げる。その
ため、乾燥室内に供給される乾燥ガスとの接触によって
確実に乾燥することができる。したがって、一度に多量
の乾燥ガスを使用することなく少量の乾燥ガスを有効に
利用することができると共に、乾燥効率の向上を図るこ
とができる。また、乾燥室の容積を小さくすることがで
きるので、装置の小型化を図ることができる。
【００５１】（２）請求項４，８又は９記載の発明によ
れば、開閉手段を閉状態とした状態で二次乾燥を行うこ
とができるので、乾燥ガスの消費量を更に少なくするこ
とができる。また、乾燥室での二次乾燥中に洗浄室内の
洗浄液の交換が可能となり、二次乾燥処理後直ちに次の
被処理体の洗浄処理を行うことができる。
れば、開閉手段を閉状態とした状態で二次乾燥を行うこ
とができるので、乾燥ガスの消費量を更に少なくするこ
とができる。また、乾燥室での二次乾燥中に洗浄室内の
洗浄液の交換が可能となり、二次乾燥処理後直ちに次の
被処理体の洗浄処理を行うことができる。
【００５２】（３）請求項５記載の発明によれば、開閉
手段を閉状態にして一次乾燥を行うことができるので、
一次乾燥における乾燥ガスの消費量を少なくすることが
できる。したがって、上記（２）に加えて乾燥ガスの消
費量の低減を図ることができる。
手段を閉状態にして一次乾燥を行うことができるので、
一次乾燥における乾燥ガスの消費量を少なくすることが
できる。したがって、上記（２）に加えて乾燥ガスの消
費量の低減を図ることができる。
【００５３】（４）請求項６記載の発明によれば、洗浄
室から乾燥室へ移動中の被処理体に乾燥ガスを吹き付け
ることにより、被処理体への乾燥ガスの接触時間を多く
することができるので、上記（１）に加えて更に乾燥効
率の向上を図ることができる。
室から乾燥室へ移動中の被処理体に乾燥ガスを吹き付け
ることにより、被処理体への乾燥ガスの接触時間を多く
することができるので、上記（１）に加えて更に乾燥効
率の向上を図ることができる。
【００５４】（５）請求項７記載の発明によれば、乾燥
室内に移動された被処理体を乾燥ガス雰囲気下におくた
め、上記（１）に加えて二次乾燥時間を短縮することが
できると共に、乾燥ガスの消費量を少なくすることがで
きる。
室内に移動された被処理体を乾燥ガス雰囲気下におくた
め、上記（１）に加えて二次乾燥時間を短縮することが
できると共に、乾燥ガスの消費量を少なくすることがで
きる。
【図１】この発明の洗浄・乾燥処理装置を適用した洗浄
処理システムの概略平面図である。
処理システムの概略平面図である。
【図２】上記洗浄処理システムの概略側面図である。
【図３】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第一実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図４】図３の要部の側断面図である。
【図５】第一実施形態における洗浄処理の状態の２つの
例を示す概略断面図である。
例を示す概略断面図である。
【図６】第一実施形態における一次乾燥の状態を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図７】第一実施形態における一次乾燥後の状態の２つ
の例を示す概略断面図である。
の例を示す概略断面図である。
【図８】第一実施形態における二次乾燥の状態を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図９】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第二実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図１０】第二実施形態における洗浄処理の状態を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１１】第二実施形態における一次乾燥の状態を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１２】第二実施形態における一次乾燥後の状態の４
つの例を示す概略断面図である。
つの例を示す概略断面図である。
【図１３】第二実施形態における被処理体の移動状態の
３つの例を示す概略断面図である。
３つの例を示す概略断面図である。
【図１４】第二実施形態における二次乾燥の状態を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ２２ 洗浄槽（洗浄室） ２３ 乾燥室 ２４ ウエハボート（移動手段） ３６ シャッタ（開閉手段） ３７ 乾燥ガス供給ノズル（第１の乾燥ガス供給ノズ
ル） ４０，４３ 開閉弁 ４２ 第２の乾燥ガス供給ノズル ５２ 駆動手段（開閉駆動手段） ６０ ＣＰＵ（制御手段）
ル） ４０，４３ 開閉弁 ４２ 第２の乾燥ガス供給ノズル ５２ 駆動手段（開閉駆動手段） ６０ ＣＰＵ（制御手段）
Claims (10)
- 【請求項１】 洗浄室内に貯留された洗浄液に浸漬され
た被処理体を、上記洗浄室の上方に配置された乾燥室内
に移動して、乾燥室内で乾燥する洗浄・乾燥処理方法に
おいて、 洗浄完了後、上記洗浄室に向けて乾燥ガスを供給する工
程と、 上記被処理体を上記洗浄室内に固定した状態で洗浄液を
下方へ排出すると共に、上記乾燥ガスを被処理体に接触
させて一次乾燥する工程と、 一次乾燥した後、上記被処理体を上記乾燥室に移動し、
乾燥室内に乾燥ガスを供給して、被処理体を二次乾燥す
る工程と、を有することを特徴とする洗浄・乾燥処理方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の洗浄・乾燥処理方法にお
いて、 上記被処理体の乾燥室への移動は、洗浄液を排出した後
であることを特徴とする洗浄・乾燥処理方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の洗浄・乾燥処理方法にお
いて、 上記被処理体の乾燥室への移動は、洗浄液面が被処理体
より下がった後であることを特徴とする洗浄・乾燥処理
方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の洗浄・乾燥処理方法にお
いて、 上記洗浄室と乾燥室の間にこれら室を遮断する開閉手段
を設け、上記乾燥室内での乾燥中は上記開閉手段を閉状
態とする、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の洗浄・乾燥処理方法にお
いて、 上記被処理体が洗浄室と乾燥室を移動中以外は開閉手段
を閉状態とする、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理方
法。 - 【請求項６】 請求項１記載の洗浄・乾燥処理方法にお
いて、 上記被処理体が洗浄室から乾燥室へ移動中において被処
理体に乾燥ガスを吹き付ける、ことを特徴とする洗浄・
乾燥処理方法。 - 【請求項７】 請求項１又は５記載の洗浄・乾燥処理方
法において、 上記被処理体の一次乾燥中に乾燥室内に乾燥ガスを供給
して、乾燥室内を乾燥ガス雰囲気にする、ことを特徴と
する洗浄・乾燥処理方法。 - 【請求項８】 洗浄液を貯留すると共に、洗浄液を下部
から排出する洗浄室と、 上記洗浄室の上方に配置される乾燥室と、 上記洗浄室と乾燥室との間で被処理体を移動する移動手
段と、 上記乾燥室内に配設される乾燥ガス供給ノズルと、 上記洗浄室と乾燥室との間に配設されて洗浄室と乾燥室
を遮断し得る開閉手段と、 上記乾燥ガス供給ノズルと開閉手段の動作を制御する制
御手段と、を具備することを特徴とする洗浄・乾燥処理
装置。 - 【請求項９】 洗浄液を貯留すると共に、洗浄液を下部
から排出する洗浄室と、 上記洗浄室の上方に配置される乾燥室と、 上記洗浄室と乾燥室との間で被処理体を移動する移動手
段と、 上記乾燥室内に配設される第１の乾燥ガス供給ノズル
と、 上記洗浄室と乾燥室との間に配設されて洗浄室と乾燥室
を遮断し得る開閉手段と、 上記洗浄室内に配設される第２の乾燥ガス供給ノズル
と、を具備することを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。 - 【請求項１０】 請求項９記載の洗浄・乾燥処理装置に
おいて、 上記第１及び第２の乾燥ガス供給ノズルと開閉手段の動
作を制御する制御手段を具備することを特徴とする洗浄
・乾燥処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17513497A JP3151613B2 (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 洗浄・乾燥処理方法及びその装置 |
| US09/097,097 US6375758B2 (en) | 1997-06-17 | 1998-06-12 | Cleaning and drying method and apparatus for objects to be processed |
| EP98110974A EP0886301B1 (en) | 1997-06-17 | 1998-06-16 | Cleaning and drying method for objects to be processed |
| KR10-1998-0022475A KR100411366B1 (ko) | 1997-06-17 | 1998-06-16 | 세정 건조처리 방법 및 그 장치 |
| DE69838273T DE69838273T2 (de) | 1997-06-17 | 1998-06-16 | Verfahren zum Reinigen und Trocknen von zu verarbeitenden Objekte |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17513497A JP3151613B2 (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 洗浄・乾燥処理方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118218A true JPH118218A (ja) | 1999-01-12 |
| JP3151613B2 JP3151613B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=15990891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17513497A Expired - Lifetime JP3151613B2 (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 洗浄・乾燥処理方法及びその装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6375758B2 (ja) |
| EP (1) | EP0886301B1 (ja) |
| JP (1) | JP3151613B2 (ja) |
| KR (1) | KR100411366B1 (ja) |
| DE (1) | DE69838273T2 (ja) |
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