JPH11503489A - ナノ結晶Mg基−材料及びその水素輸送と水素貯蔵への利用 - Google Patents

ナノ結晶Mg基−材料及びその水素輸送と水素貯蔵への利用

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JPH11503489A JP8523134A JP52313496A JPH11503489A JP H11503489 A JPH11503489 A JP H11503489A JP 8523134 A JP8523134 A JP 8523134A JP 52313496 A JP52313496 A JP 52313496A JP H11503489 A JPH11503489 A JP H11503489A
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Abstract

(57)【要約】 良好な速度で可逆的に水素を貯蔵することができる軽量のMg基材料が開示されている。この材料は、式(Mg1-xx)Dyで示され、Aは、Li,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu、Zn,Al,Y,Zr,Nb,Mo,In,Sn,O,Si,B,C,Fからなる一群から選択される少なくとも一つの元素であり、Dは、Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Ir,Ptからなる一群から構成される少なくとも一つの金属であり、xは、0〜0.3の範囲の数であり、yは、0〜0.15の範囲の数である。この材料は、平均粒径0.1から100μmで、それぞれ平均サイズが3〜100nmのナノ結晶粒子、又は層間隔3〜100nmのナノ層構造を有したMg1-xxで示される粒子を有している。上記粒子のうちのいくつかには、平均サイズが2〜200nmの金属Dのクラスタが付着している。また、非常に高い水素吸蔵能力を有する上記材料の製造方法、様相における上記増量の利用方法及び/又は水素の貯蔵方法及び/又は熱エネルギーの貯蔵方法が開示されている。

Description

【発明の詳細な説明】 ナノ結晶Mg基−材料及びその水素輸送と水素貯蔵への利用 発明の背景 a)発明の分野 本発明は、良好な速度で可逆的に水素の貯蔵が可能な、特定組成及び特定構造 を有する軽量Mg基−材料に関するものである。 本発明はまた、これらの材料の製造方法及び、これらの材料の水素輸送及び/ 又は熱エネルギーとしての水素貯蔵への利用に関するものである。 b)従来技術の説明 ある種の金属合金では、可逆的に水素を吸蔵することができることが知られて いる。可逆的に水素を発生させることができる合金の例としては、FeTi,L aNi5,Mg2Niを挙げることができる。 これらの水素吸蔵性のため、これらの合金は特に、水素貯蔵に好適とされるが 、この理由としては、以下に示す理由を挙げることができる。 (1)液体水素よりも高くすることもできる大きな水素吸蔵容量があること、 を挙げることができる。これは、液体水素よりも小さな水素−水素間距離の金属 −水素結合が形成されるので、水素化物 内において容量密度を高くすることができることによるものである。 (2)水素形成の可逆性があること、 (3)上記合金から吸熱的に水素が放出されるので、安全性が改善されること 、 (4)上記合金を形成させるのに技術開発が必要とされないこと、 を挙げることができる。 これらの利点があるにも拘わらず、これまで知られている可逆的に水素を吸収 できる合金は、下記に示すような問題があり、これまで工業的スケールでは用い られてこなかった。 (1)まず、Mg2Niのようないくつかの合金では、それらの相図からみる と、それらの構成金属の溶融混合物を単に冷却しただけでは直接合金を形成でき ないことである。 (2)第2には、空気と接触している間にそれらの表面に酸化物が形成される ので、これまで知られていた合金は、水素を吸蔵させるために活性化してやらな ければならないことである。この活性化処理は、上記合金を真空化及び/又は高 圧の水素下で高温で何回か処理することによるものである。この様な処理は、上 記合金が空気に晒される度に行う必要がある。 (3)さらに、上記吸蔵/放出サイクルの間に、従来の結晶性合金は、微細な 粒子へと細分化され、それらの構造的一体性が失われてしまうことである。この 結果、水素吸蔵速度の劣化を引き起こすと共に、熱伝導性にも問題を生じていた 。 可逆的に水素を貯蔵することができる特性を有する上述の合金の中で、マグネ シウム基合金は、水素貯蔵及びエネルギー貯蔵の観点 から有力な候補とされている。実際には、純粋なマグネシウムは、理論上水素化 物MgH2の形態において、大量の水素(7.6wt%)を貯蔵することができ る。この量は、水素貯蔵においては魅力的な量であり、本願明細書において上述 した他の合金よりも遥かに高い量であるが、この理由は、上述した他の合金に比 べ、マグネシウムが極めて軽量だからである。さらに、水素化マグネシウムの形 成は、反応熱が大きい(75kcal/mol)。上記反応の可逆性のため、M g−水素システムは、エネルギー貯蔵及びハイドライドヒートポンプと言った、 これに関連した用途に有効に利用できるものである。 しかしながら、マグネシウムは容易に酸化され、その表面のMgOコーティン グが水素の吸収を妨げてしまうので、通常の条件ではマグネシウムは水素と反応 しない。つまり、マグネシウムは、活性化させ、水素化させるるのが極めて困難 である。例えば、水素化マグネシウムを形成させるため、水素圧150atm, 300℃,150時間の処理が必要とされる。 水素吸収の大きな公称値(7.6wt%)及びマグネシウムの低コストのため 、上記した欠点を克服する努力、より具体的には上記水素化速度を向上させるた めの努力が引き続いてなされている。近年、マグネシウムの水素化特性を改善す る研究においては、2つの主要なトレンドがある。 これらのトレンドのうち、第1のものは、In,Ni,Y又は希土類元素等の Laと言った他の元素をMg−Al合金に添加、又は遷移金属をMg−Ni合金 に添加するものである。これらは、この 様にして製造された合金の上記水素化速度を著しく向上させるが、この速度向上 は、最大水素化容量の減少という代償と引き替えに得られるものである(最大で も3〜5wt%まで減少する)。さらには、多くのMg基合金について言えば、 適切な速度を得るための水素化/脱水素化温度は依然として約350℃〜400 ℃である。 研究におけるこれとは別のトレンドとしては、有機酸化物によってマグネシウ ムを改質し、活性を向上させようとするものである。例えば、水素化を、可溶性 の有機−遷移金属触媒を用いて、典型的にはテトラヒドロフラン(THF)とい った有機溶媒内で行うか、又はMg原子と、有機化合物(テトラヒドロフラン、 ペリレン)と、を共に凝縮させる。化学的な方法によって改質されたマグネシウ ム粉体は、通常では水素容量の著しい低減を引き起こさずに活性を高めることが 可能であるが、これらを製造するためデバイス化するに際してこの方法には欠点 がある。これらは、コストが高く(例えばこれらのもののうちの一つには、粉体 の77Kにおける凝縮操作に必要な高真空システムが含まれている。)、又これ らは複雑なことである。これらは、又、揮発性、かつ、毒性ある有機金属触媒を 用いるので、大スケールへと拡大させるには安全性が低く、環境的にも問題が多 い。さらには、この様にして製造される上記粉体は、通常では燃焼性があり、取 り扱いに際して保護環境を設けてやらねばならない。 本願と同一の出願人による1994年3月7日に出願のカナダ国公開特許第C A−A−2,117,158号においては、Ni基合金が開示されており、これ らは特に可逆的水素貯蔵に効果を有して いる。 これらの合金は、Niと、Mg,La,Be,Liから選択される別の金属か ら製造されている。これらは、好ましくは、Mg2-xNi1+xの組成を持ち、xは 、−0.3〜+0.3の範囲の数であるか、又はLaNi5である。 このカナダ国特許に開示の発明に従えば、上記合金は、100nmよりも小さ な、より好ましくは30nmよりも小さな粒径の結晶を有する粉末として製造す る必要がある。実際的には、上記の様に選択された合金が上記のような極めて小 さな粒径の結晶を有していれば、水素吸蔵は、吸蔵速度を低減させる外部層を除 去することで活性化された同様の多結晶合金よりもずっと早くすることができる 。 言い換えれば、水素吸蔵合金のナノ結晶粉末、例えばMg2Ni(FeTiに 比して極めて軽量であると言う別の利点を有する)を用いれば、水素を吸蔵させ るために上記粉体を活性化する必要がない。最悪でも低温で一回だけ活性化処理 を行えばよい。さらには、吸蔵速度(表面を通過して上記合金内部にまで拡散す る速度)は、上記ナノ結晶合金が、極めて多くの粒界と表面欠陥を有しているの でより高められることとなる。さらに、又上記ナノ結晶合金は、上記吸蔵−放出 サイクルに晒されても、それらの構造的一体性は保持される。これは、上記結晶 サイズは、すでに水素吸蔵後に細分化される典型的な寸法よりも小さくされてい るためである。 従って、本願で開示の上記ナノ結晶化合金は、水素貯蔵及び/又は水素輸送に おいて特に有用であると考えられる。実際、これらの合金は、それらに対応した 多結晶合金に比較して以下の利点を有し ている。 これらの合金は、いかなる活性化をも必要とせずに200℃よりも低い温度で 水素を吸蔵することが可能である(比較のため、通常の結晶性マグネシウム−ニ ッケル合金は、何回か活性化処理を施した後に、水素と250℃以上の温度でし か反応しない): また、これらの活性化は、容易に行うことが可能である(従来のMg2Ni合 金では、高温高圧下での通常数回のサイクルの後、300℃以上の温度で水素吸 蔵が開始される); さらに、細分化され難くなること(より良好な構造的一体性を有するためであ る)である。 カナダ国特許CA−A−2,117,158号では、また、極めて簡単ではあ るが効率的な、上記合金を形成する金属粉体から直接上述のナノ結晶合金を製造 するプロセスが開示されている。この直接製造は、単に、室温、不活性雰囲気中 でNi粉体と、所望する組成を与えるような合金用の他の金属粉体と、の混合物 を混合することによってなされる。効率化のため、この混合は強力に行う必要が あり、又不活性雰囲気中で行う必要がある。この様にすることによって、Ni粉 体と別の金属の粉体と、を機械的に合金化させることができ、同時に必要とされ るまで上記結晶サイズを低減できることとなる。 実際的な観点からは、混合は、高エネルギーボールミル装置によって行われる 。例えば、上記ボールミル装置としては、商標SPEC8000又はFRITC Hとして販売されている装置を挙げることができる。 上述した上記ナノ結晶合金の品質と効果をさらに改善するために、カナダ国特 許出願第2,117,158号は、さらに、例えばパラジウムと言った、水素分 子の解離に対して触媒となる材料を、上記結晶性粒子の表面に加えることを開示 している。この材料は、予め製造しておいたナノ結晶粒子と、上記触媒材料粉体 とを、短時間混合することによる、極めて簡単な方法によって添加することがで きる。従って、上記ナノ結晶合金粒子とPd粉末とを、所定時間混合することに よって上記ナノ結晶合金粒子の表面に付着させることができる。 本カナダ国特許出願によって開示の上記ナノ結晶合金は、水素貯蔵のための吸 収媒質として極めて効率的であるが、これらは用いられる用途を考慮すれば、依 然として重すぎるという欠点を有している。例えば、Mg2Niでは、密度が3 .46g/cm3であるが、これは、気体状又は液体状水素の密度に比べてかな り高く、単位重量あたりの水素吸蔵容量(吸蔵媒体の単位重量あたりに吸蔵され た水素の重量)は、3.8に等しい。しかしながら、特に上記合金が輸送用乗用 車の「貯蔵手段」として用いられる場合を考慮すると、依然として低いものであ る。現実的な問題として、上述の用途では、吸蔵容量が6又はそれ以上であるこ とが究極的に望まれている。 発明の目的及び要約 本発明の目的は、少なくともカナダ国特許CA−A−2,117,158号に 開示されたNi基合金の可逆的水素貯蔵性と同程度に効 率的で、水素化物の形態として貯蔵する吸蔵媒体として用いられた場合に、水素 貯蔵能力を著しく向上させることのできる新規材料を提供することにある。 より詳細には、本発明は、非常に良好な速度で可逆的に水素の貯蔵を行うこと ができる新規な軽量材料を提供するものである。上記新規材料は、下記式、 (Mg1-xx)Dy によって表すことができる。 上式中Aは、Li,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu, Zn,Al,Y,Zr,Nb,Mo,In,Sn,O,Si,B,C,Fからな る一群から選択された少なくとも一つの元素(Zr,Ti,Niが好ましい)で あり、 Dは、Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Ir,Ptからなる一群から選 択された少なくとも一つの金属であり(Pdが好ましい)、 xは、数(原子としての比)で、0〜0.3の範囲であり、 yは、数(原子としての比)であり、0〜0.15の範囲(好ましくは、0〜 0.02)である。 この材料は、式Mg1-xxで示され、平均粒径が0.1〜100μmの粉体粒 子から形成される。それぞれの粒子は、平均サイズが3〜100nmのナノ結晶 粒子からなる。これとは別に、それぞれの粒子は、面間隔3〜100nmのナノ 層構造を有していても良い。 上記粒子のいくつかには、少なくとも一つの上記金属Dのクラスタが付着してお り、それぞれのクラスタは、平均サイズが、2〜200nmとされているもので ある。 本発明はまた、上述した新規材料の製造方法及び可逆的水素貯蔵及び又は可逆 的エネルギー貯蔵のために上記新規材料を用いる方法を提供するものである。 発明の詳細な説明 上述したように、上式中、xは、0とすることもできる。この場合には、上記 粒子は、純粋なMgのみから構成される。 xが0に等しくない場合には、元素Aは、上記粒子内に下記形態で存在する。 −Mg内で固溶体(平衡にある固溶体又は過飽和の固溶体、又はアモルファス 固溶体、又はスピノーダル分離した固溶体)として存在するか、 −Mgと化合した析出体、又は粒界層(平行又は準安定層であっても良い)と して存在するか、 −又は、分離したクラスター、粒子、又は層として存在するものであっても良 い。 元素Dは、式Mg1-xxの上記粒子上にクラスター形態で付着している。上述 の元素Dは、本質的に水素分解触媒であり、その目的は、吸蔵速度を高めるため である。実際には、元素Dは、上記材料表面に機械的又は化学的に付着される。 この付着はゆるく行われて いても良いが、ゆるく付着させることが好ましいわけではない。 本発明の上記材料は、機械的混合又は機械的合金化によるのが好ましく、これ は、上記特許出願CA−A−2,117,158号に開示されていると同様であ る。このプロセスは、ボールミルの鉄、又はタングステンカーバイド製のるつぼ 内で、基本的にはMgの粉体を、上記結晶の粒子径が所定の値となるまで強く混 合するか、又はMgと、別の金属Aの粉体の混合物を強く混合するプロセスを有 している。当然のことながら、Mgと、元素Aのそれぞれの量は、所望する化学 的組成及び上記粒子の微細構造を与えるように選択される。上記混合は、金属M と元素Aの粉体から、機械的方法により所望の粒子を製造するものである。この 様にすることによって、また、上記粒子の粒子径を所定の値とすることができる 。このプロセスは、極めて簡単で、大気圧下、室温で行うことができるので特に 効果的である。しかしながら、上記混合ステップは、上記のように形成される合 金の酸化を避けるため、不活性雰囲気中で、酸化が生じないように行うこともで きるし、又必要な別の気体により処理することもできる(元素Aの定義参照。A は、金属にのみ限定されるものではない。)。一度主混合ステップが完了し、所 望する粒子が得られると、所定量の水素分解触媒Dが、上記粒子へと添加され、 得られた混合物がさらに混合されて、上記粒子上に、上記触媒材料のクラスター 処理を施すことができる。上記触媒材料は、好ましくは、パラジウム、白金、イ リジウム、ルテニウム又はロジウムであり、より好ましくはパラジウムである。 以下に、本発明の材料を製造するために用いることができる別の プロセスについて述べる。これらのプロセスとしては、 低エネルギーボールミル法、 エーロゾルプロセス、 気相凝縮法、 スパッタリング法、又は上記2つあるいはそれ以上の技術を組み合わせたも のを挙げることができる。 製造後、上記粉体を圧縮して、材料密度を高める(ペレット又はバルクサンプ ルの形成)。 本発明者らが行った試験においては、本発明の上記材料は、優れた水素化挙動 を示した。より詳細には、上記材料は、可逆的に水素の吸蔵放出を、吸着圧数バ ールからより高圧において、室温から高温にいたるまで、良好な速度をもって行 うことが可能であった。可逆的な水素吸蔵容量は、7wt%程度にまで高められ た。 また、本発明の上記材料は、活性化させる必要が無く、汚染や酸化に対して敏 感ではない。加えて、本材料は、サイクルを重ねても機械的に劣化することが無 く、微細化は生じない。 上述したように、本発明の新規材料は、特に水素吸蔵媒体として有用であるが 、この理由として、上述のように6よりも大きな水素吸蔵容量があることを挙げ ることができる。実際、xが、0であり、従って上記粒子が純粋なナノ結晶Mg から構成されている場合には、水素吸収容量はMgの7.6%が達成される。 これは、当然のことながら、本発明の上記材料が極めて有用であること、特に 重量が極めて重要な因子とされる輸送乗用車への使用という水素貯蔵手段にあっ ては有効である。 さらに、本発明の材料の水素化物の形成は、可逆的な方法である一般には熱に より行われ、従ってまた、熱貯蔵及びこれに関連した用途において極めて有用で ある。 図面の簡単な説明 図1は、本発明の式Mg1-xxの粉末粒子の走査型電子顕微鏡(SEM)写真 であり、上式中xは、0であり(純粋なMg粉体)、この粒子にPdクラスタが 付着しているのが示されている。 図2は、図1の粉体の高倍率写真である。 図3は、図1及び図2の粉体の透過型電子顕微鏡(TEM)写真であり、上記 粒子のナノ結晶構造が示されている。 図4は、図2の同様の顕微鏡写真であり、粒子とPdクラスタが、水素化によ っても変化していないことを示している。 図5は、図1から図4に示した粉体の圧力10barsでの230℃〜300 ℃における水素吸着速度を示した曲線である。 図6は、図1から図4に示した粉体の230℃〜300℃、10barsでの 水素吸着速度と、330℃、1barsでの水素放出速度と、を示した曲線であ る。 図7は、パラジウムクラスタを有するMg0.960.04の粉体粒子の吸蔵速度向 上を、同様のMg粒子と300℃、10barsにおいて比較して示した図であ る。 実施例 1 本発明の式(Mg1-xx)Dyの複合材料を製造した。ここで、xは、0であ り、Dは、Pdである。このナノ結晶Mg粉体を、高エネルギーボールミル(衝 撃混合)によって製造し、触媒として1.5wt%のPd(元素D)を添加した 。 得られた上記粒子の微細構造は、X旋回折法、走査型電子顕微鏡(SEM)、 透過型電子顕微鏡(TEM)によって検査した。図1は、Mg粉体粒子のSEM 顕微鏡写真である。より高倍率では、図2に示すように、Pd粒子が上記Mg粉 体の表面にあるのがわかる。Mgの上記ナノ結晶構造は、また、図3のようにT EM顕微鏡写真においても見られる。水素化の後、上記Pd粒子は、図4の様に 変化していない。 製造後、上記サンプルは、自動化ガス滴定装置のサンプルホルダに設置した。 その後、上記サンプルホルダを排気し、同時に300℃に加熱して水素ガスを1 0barsで接触させた。上記材料の水素吸蔵速度を、図5に示すが、吸蔵時間 の半値(t1/2)は、1.4minである。同様の実験を230℃においても実 施し、その結果を図5に示してある。図5に示されているように、230℃では 、 水素吸蔵速度は僅かに遅く、半反応時間(t1/2)は、6.4minであった。 最大吸蔵水素量は、図6に示されるように、6.6wt%である。又、1bar ,330℃における水素放出速度を測定 実施例 2 本発明の式(Mg1-xx)Dyで示されるナノ結晶材料を製造した。ここで、 Mは、マグネシウムであり、Aは、バナジウムであり、Dは、パラジウムであり 、x=0.04(4at%)、y=1wt%である。このナノ結晶粉体は、高エ ネルギーボールミルによって製造した。上述したように1wt%のPdが、触媒 として添加されている(元素D)。 実施例1と同様にして水素化プロセスを行った。上記材料は、上記バナジウム を添加していない検体に比較して、水素化特性が向上していた。その吸蔵速度は 、より良好であった。半反応時間は、29sであり、これは、バナジウムが添加 されていない試料に比べて3倍程度良好な値であった。 図7は、この様にして得たバナジウム添加による吸蔵速度の向上を示した図で ある(水素圧10bars、300℃における吸蔵)。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】1996年10月3日 【補正内容】 【図7】 【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】1997年2月6日 【補正内容】 発明の目的及び要約 本発明の目的は、少なくともカナダ国特許CA−A−2,117,158号に 開示されたNi基合金の可逆的水素貯蔵性と同程度に効率的で、水素化物の形態 として貯蔵する吸蔵媒体として用いられた場合に、水素貯蔵能力を著しく向上さ せることのできる新規材料を提供することにある。 より詳細には、本発明は、非常に良好な速度で可逆的に水素の貯蔵を行うこと ができる新規な軽量材料を提供するものである。上記新規材料は、下記式、 (Mg1-xx)Dy によって表すことができる。 上式中、 xは、数(原子としての比)で、0〜0.3の範囲であり、 xが、0でない場合には、Aは、Li,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Fe, Co,Ni,Cu,Zn,Al,Y,Zr,Nb,Mo,In,Sn,O,Si ,B,C,Fからなる一群から選択された少なくとも一つ又はそれ以上の元素( Zr,Ti,Niが好ましい)であり、 yは、数(原子としての比)であり、0〜0.15の範囲(好ましくは、0〜 0.02)であり、 yが0でない場合には、Dは、Fe,Co,Ni,Ru,Rh, Pd,Ir,Ptからなる一群から選択された少なくとも一つの金属である(P dが好ましい)。 この材料は、式Mg1-xxで示され、平均粒径が0.1〜100μmの粉体粒 子から形成される。それぞれの粒子は、平均サイズが3〜100nmのナノ結晶 粒子からなる。これとは別に、それぞれの粒子は、面間隔3〜100nmのナノ 層構造を有していても良い。上記粒子のいくつかには、少なくとも一つの上記金 属Dのクラスタが付着しており、それぞれのクラスタは、平均サイズが、2〜2 00nmとされているものである。 本発明はまた、上述した新規材料の製造方法及び可逆的水素貯蔵及び又は可逆 的エネルギー貯蔵のために上記新規材料を用いる方法を提供するものである。 このナノ結晶Mg粉体を、高エネルギーボールミル(衝撃混合)に %)(元素D)を添加した。 得られた上記粒子の微細構造は、X旋回折法、走査型電子顕微鏡(SEM)、 透過型電子顕微鏡(TEM)によって検査した。図1は、Mg粉体粒子のSEM 顕微鏡写真である。より高倍率では、図2に示すように、Pd粒子が上記Mg粉 体の表面にあるのがわかる。Mgの上記ナノ結晶構造は、また、図3のようにT EM顕微鏡写真においても見られる。水素化の後、上記Pd粒子は、図4の様に 変化していない。 製造後、上記サンプルは、自動化ガス滴定装置のサンプルホルダに設置した。 その後、上記サンプルホルダを排気し、同時に300℃に加熱して水素ガスを1 0barsで接触させた。上記材料の水素吸蔵速度を、図5に示すが、吸蔵時間 の半値(t1/2)は、1.4minである。同様の実験を230℃においても実 施し、その結果を図5に示してある。図5に示されているように、230℃では 、水素吸蔵速度は僅かに遅く、半反応時間(t1/2)は、6.4minであった 。最大吸蔵水素量は、図6に示されるように、6.6wt%である。又、1ba r,330℃における水素放出速度を測定 実施例 2 本発明の式(Mg1-xx)Dyで示されるナノ結晶材料を製造し た。ここで、Mは、マグネシウムであり、Aは、バナジウムであり、Dは、パラ ジウムである。上式中、x=0.04(4at%)である。このナノ結晶粉体は 、高エネルギーボールミルによって製造し 媒として添加した(元素D)。 実施例1と同様にして水素化プロセスを行った。上記材料は、上記バナジウム を添加していない検体に比較して、水素化特性が向上していた。その吸蔵速度は 、より良好であった。半反応時間は、29sであり、これは、バナジウムが添加 されていない試料に比べて3倍程度良好な値であった。 請求の範囲 1. 一般式 (Mg1-xx)Dy で表される材料であって、 前記材料は、平均粒子径が0.1〜100μmであり、それぞれの粒子が平均 サイズ3〜100nmのナノ結晶粒子、又は層間隔が3〜100nmのナノ層構 造から構成され、式Mg1-xxの粉体粒子形状とされており、さらに上記粒子の 幾つかには少なくとも一つの金属Dのクラスタが付着され、前記それぞれのクラ スタは、平均サイズが、2〜200nmであることを特徴とする材料。 (上式中、 xは、数(原子としての比)で、0〜0.3の範囲であり、 xが、0でない場合には、Aは、Li,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Fe, Co,Ni,Cu,Zn,Al,Y,Zr,Nb,Mo,In,Sn,O,Si ,B,C,Fからなる一群から選択された少なくとも一つ又はそれ以上の元素( Zr,Ti,Niが好ましい)であり、 yは、数(原子としての比)であり、0〜0.15の範囲であり、 yが0でない場合には、Dは、Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Ir, Ptからなる一群から選択された少なくとも一つの金属である。) 2. Aは、V,Zr,Ti,Niからなる群から選択されることを特徴とする 請求項1に記載の材料。 3. Dは、Pdであることを特徴とする請求項1又は2に記載の材料。 4. xは、0であることを特徴とする請求項1に記載の材料。 5. yは、0〜0.02の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の材料 。 6. Aは、V,Zr,Ti,Niから構成される群から選択され、 Dは、Pdであり、 yは、0〜0.02の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の材料 。 7. 請求項1に記載の材料に、可逆的に水素を吸蔵させることから構成される 水素貯蔵及び/又は水素輸送のための方法。 8. 請求項6に記載の材料に、可逆的に水素を吸蔵させることから構成される 水素貯蔵及び/又は水素輸送のための方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ストロム−オルセン,ジョン カナダ,ケベック エイチ3ワイ 2ヴィ 4,ヴェストムン,ランスドウン 443 (72)発明者 ザルスキ,レスゼク カナダ,ケベック エイチ4イー 3イー 1,モントリオール,ハミルトン 7242

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 一般式 (Mg1-xx)Dy で表される材料であって、 前記材料は、平均粒子径が0.1〜100μmであり、それぞれの粒子が平均 サイズ3〜100nmのナノ結晶粒子、又は層間隔が3〜100nmのナノ層構 造から構成され、式Mg1-xxの粉体粒子形状とされており、さらに上記粒子の 幾つかには少なくとも一つの金属Dのクラスタが付着され、前記それぞれのクラ スタは、平均サイズが、2〜200nmであることを特徴とする材料。 (上式中、Aは、Li,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu 、Zn,Al,Y,Zr,Nb,Mo,In,Sn,O,Si,B,C,Fから なる一群から選択される少なくとも一つの元素であり、 Dは、Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Ir,Ptからなる一群から選 択される少なくとも一つの金属であり、 xは、0〜0.3の範囲の数であり、 yは、0〜0.15の範囲の数である。) 2. Aは、V,Zr,Ti,Niからなる群から選択されることを特徴とする 請求項1に記載の材料。 3. Dは、Pdであることを特徴とする請求項1又は2に記載の材料。 4. xは、0であることを特徴とする請求項1に記載の材料。 5. yは、0〜0.02の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の材料 。 6. Aは、V,Zr,Ti,Niから構成される群から選択され、 Dは、Pdであり、 yは、0〜0.02の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の材料 。 7. 請求項1に記載の材料に、可逆的に水素を吸蔵させることから構成される 水素貯蔵及び/又は水素輸送のための方法。 8. 請求項6に記載の材料に、可逆的に水素を吸蔵させることから構成される 水素貯蔵及び/又は水素輸送のための方法。 9. a)金属Mg粉体及び請求項1に記載の前記金属元素Aから選択され、式 (Mg1-xx)で示される粒子を得るに必要な量の少なくとも一つの金属の粉末 混合物と、を不活性雰囲気中で混合し、前記混合により、前記複数の粉体から機 械的に前記粒子を形成させるステップと、 b)前記ステップa)が完了した後、前記粒子を得、これに少なくとも1つの 所定量の前記金属Dを添加して得られた混合物をさらに最初の前記混合よりも短 時間だけ混合して前記材料Dのクラスタを少なくとも前記粒子上に施すステップ と、を有することを特徴とする請求項1に記載の材料の製造方法。 10. Aは、V,Zr,Ti,Niから構成される群から選択され、 Dは、Pdであることを特徴とする請求項9に記載のプロセス。
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