JPH09507607A - 集積回路デバイスの製造方法及び製造装置 - Google Patents
集積回路デバイスの製造方法及び製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
三次元方向に延びる表面と感光性コーティングとを有する基体(44)を与える工程と、マスクを介して該表面に対して垂直でない角度にて該表面上に光を衝突させることで該基体を照射する工程と、を含む三次元リソグラフィ方法。
Description
【発明の詳細な説明】
集積回路デバイスの製造方法及び製造装置
発明の分野
本発明は、集積回路デバイス製造方法及び製造装置に関する。
発明の背景
すべての集積回路デバイスの製造における基本的な工程は「パッケージング」
として知られており、集積回路の心臓部であるシリコンチップ並びに該シリコン
チップ上の所定の配置及び外部電極の間の電気的相互連結の機械的及び環境的保
護を含む。
現在の三つの基本的な技術、つまりワイヤボンディング、テープキャリアボン
ディング(TAB)及びフリップチップボンディングは、半導体をパッケージン
グするために用いられている。
ワイヤボンディングは、熱超音波エネルギを用いて、チップ上のボンドパッド
及びパッケージの接点との間を金ボンドワイヤで溶接する。
テープキャリアボンディング(TAB)は、ボンディグワイヤの代わりに銅箔
テープを用いる。銅箔テープは、各特定のダイ及びパッケージの組み合わせに合
うように形状化されており、それに適合する銅トレースパターンを含む。個々の
リード線は、チップ上の種々のボンドパッドに対して独立して又はグループとし
て連結されてもよい。
フリップチップは、ボンディングパッドの頂部上に形成されたはんだバンプを
有する集積回路ダイであるので、ダイをひっくり返して「フリップした」回路側
部を下にして、基体に直接はんだつけすることができる。ワイヤボンドは必要で
はなく、パッケージスペース内にかなりの空きが認められる。
上述の技術はそれぞれ、ある制限を有する。ワイヤボンディング及びTABボ
ンディングは、劣悪な結合を形成する傾向があり、ダイを比較的高温にさらしあ
るいは機械的圧力にさらすことになる。ワイヤボンデイング及びTAB技術は、
約10%から60%の範囲のダイをパッケージする領域割合を有する集積回路デ
バイスを製造するに際して、パッケージサイズの観点から問題がある。
フリップチップは、パッケージングを与えず、むしろ相互連結するだけである
。相互連結は、はんだバンプ並びに熱膨張による不調和の不均質問題を引き起こ
し、シリコン又はシリコンと同様の熱膨張特性を有する物質に対する入手可能な
基体の使用を制限する。
発明の概要
本発明は、上述の制限の問題を解決して、電気特性を発揮し比較的小型軽量の
集積回路を提供することができる集積回路デバイスの製造装置及び技術を提供す
ることを目的とする。
出願人の係属中のPCT/EP92/02134「集積回路デバイスの製造方
法及び装置」1992年9月14日PCT出願は、平坦な表面及びエッジ表面の
両者を覆うように延びるパッドを有するデバイスを含む集積回路デバイスの種々
のタイプを開示する。
本発明は、マスク技術を用いて上述の集積回路デバイスを製造するために特に
適する三次元フォトリソグラフィのための方法及び装置を提供することを目的と
する。
ゆえに、本発明の好ましい実施形態によれば、三次元方向に延びる表面と感光
性コーティングとを有する基体を与える工程と、マスクを介して該表面に対して
垂直でない角度にて光を衝突させることで該基体を照射する工程と、を備える三
次元リソグラフィが提供される。
本発明の実施形態によれば、さらに、三次元方向に延びる表面と感光性コーテ
ィングとを有する集積回路デバイス基体を与える工程と、マスクを介して該表面
に対して垂直でない角度にて光を衝突させる照射工程と、を備える集積回路デバ
イス上に金属領域をフォトリソグラフィにより形成する方法が提供される。
また本発明の好ましい実施形態によれば、三次元方向に延びる表面と感光性コ
ーティングとを有する基体に、マスクを介して、該表面に対して垂直でない角度
にて光を衝突させることで、光を照射するための光源を含む三次元リソグラフィ
装置が提供される。
さらに本発明の実施形態によれば、三次元方向に延びる表面と感光性コーティ
ングとを有する集積回路デバイス基体に、マスクを介して、該表面に対して垂直
でない角度にて光を衝突させるための光源を含み、集積回路デバイス上に金属領
域をフォトリソグラフィにより形成するための装置が提供される。
本発明の好ましい実施形態によれば、マスクは基体と近接露光関係に配置され
てもよい。
あるいは、マスクは基体から離隔していてもよく、光学機器要素が該マスク及
び該基体の間に配置されていてもよい。
さらに本発明の好ましい実施形態によれば、照射前及び照射中に、基体を視察
するためのカメラを備えていてもよい。
照射は、光源からの光を複数の相互に離隔されたミラー上に反射し、次いで反
射された光を基体のエッジ上に反射する四角錐プリズムを用いて行われてもよい
。
あるいは、マスクは複数のレチクルを備え、光学機器システムが複数のレチク
ルからの光を受け入れる複数の凸レンズと、該複数の凸レンズからの光を受け入
れて基体のエッジ上に方向付けるフォールディングミラーと、を備える。
本発明の好ましい実施形態によれば、基体のマスク露光は、ウェハ様に行われ
る。あるいは、個々のダイ上で行われてもよい。また別に、複数の個々のダイを
ウェハ上のダイの列と同様な列に配列してもよく、ウェハと同様の方法で一緒に
露光してもよい。
異なるマスクを個々の露光に用いることもできる。あるいは、同じマスクをマ
ルチプル露光又は全露光のために用いてもよく、マスクは各露光方向に適するよ
うに回転させられる。
図面の簡単な説明
本発明は、図面を参照することで以下の詳細な説明により、より完全に理解さ
れるであろう。
図1は、本発明の好ましい実施形態による三次元方向に延びる半導体デバイス
の表面上に形成されたパターン化された金属層を有する半導体デバイス等の対象
物を示す説明図である。
図2は、本発明の好ましい実施形態によるマスクを通じて被覆された金属基体
の表面上に光がある角度で衝突する様子の説明図である。
図3は、本発明の一実施形態による基体を照射する装置の簡略化された断面説
明図である。
図4は、図3の矢印IVにより示された方向で切り取った図3の装置の平面図で
ある。
図5は、本発明の別の実施形態による基体を照射する装置の簡略化された断面
説明図である。
図6は、本発明のさらに別の実施形態による基体を照射する装置の簡略化され
た断面説明図である。
図7Aは、本発明の好ましい実施形態により製作されたウェハベアリングマル
チプル集積回路ダイの簡略化された説明図である。
図7Bは、図7Aのウェハの一部拡大説明図である。
図8Aは、図7A及び図7Bのウェハを製作するために用いられるマスクの簡
略化された説明図である。
図8Bは、図8Aのマスクの一部拡大説明図である。
図9は、本発明の好ましい実施形態による図7A及び図7Bのウェハを製作す
るための技術を簡略化して示す説明図である。
図10A、図10B、図10C及び図10Dは、図9に示す技術において、4
段階の各露光工程により露光されたフォトレジスト領域を示す図7A及び図7B
のウェハの一部を示す説明図である。
好ましい実施形態の詳細な説明
さて、図1を参照すれば、対象物10の一例が示されている。該対象物10は
、好ましくは、その表面上にパターン化された金属コーティング12を有する集
積回路デバイスであるが、これに限定されるものではない。本発明の好ましい実
施形態において、対象物10は、一対の対向して面する平坦な表面14及び該平
坦な表面14と結合する複数のエッジ表面16を含む。
本発明の好ましい実施形態によれば、パターン化された金属コーティングは、
少なくとも1の平坦な表面14及び少なくとも1のエッジ表面16上に同時に形
成される。好ましくは、金属コーティング12は、三次元方向に延びる両方の平
坦な表面14及び複数のエッジ表面16上に同時に形成される。
さて、図2を参照すれば、金属コーティング層20を覆って形成された電着フ
ォ
トレジスト等の感光性コーティングレイヤー18が示されている。フォトレジス
トレイヤー18は、マスクを介して表面14及び16のいずれにも垂直でないあ
る角度で衝突する光によって露光されることが好ましい。好ましくは、光は、表
面14及び16に対する垂直方向に関してほぼ10〜80度の角度で、表面14
及び16に衝突する。より好ましい衝突角度は、30〜45度である。最も好ま
しい衝突角度は、30度及び45度である。
さて、図3及び図4を参照すれば、図2で説明した照射装置が示されている。
キセノン又は水銀ランプ等の光源30は、金属で被覆された四角錐プリズム32
上に衝突するほぼ平行な光線を与える。プリズム32の4面は、光源30からの
光を4つのミラー34上に反射し、次いで、支持板38内の孔36を通してマス
ク40上に光を反射する。
マスク40は、図3に最もよく示されているように、光をして基体44の種々
の表面との係合部を近接露光しながら通過可能とするパターンニング孔42を含
む。ここで、「近接露光」とは、接触又はほぼ接触した状態での露光をいう。
図5を参照すれば、本発明の別の実施形態が示されている。ここで、イメージ
源及び光学機器50によって、角錐プリズム52上に4つのイメージが投射され
る。角錐プリズム52は、4つのイメージのそれぞれを分離した方向に同時に4
つの各フォールディングミラー54上に反射する。該フォールデイングミラー5
4は、ベース56上に載置されていてもよい。
4つのフォールディングミラー54は、それぞれ、光線を対応する孔58を通
して、集束光学機器60を通して対象物62の異なるエッジ表面上にまた該エッ
ジ表面に隣接する平坦な表面の一部に方向付ける。
CCDセンサ64等のセンサは、視察光学機器66を通して対象物62を視察
して、対象物上に4つのイメージがそれぞれ正確に登録されたことを示すフィー
ドバックを与える。センサ出力は、自動視診デバイス又はシステムとして用いら
れても、あるいは観察者が目視することができる可視出力として与えられてもよ
い。
さて、図6を参照すれば、本発明のさらなる実施形態が示される。ここで、ア
メリカ、カリフォルニア州のサンジョーズ(San Jose,California,U.S.A)に
あるJerry Bachur and Associates(JBA)から市販されている130mm角UV光源
等の照射装置70は、好ましくはやはりJBAから市販されているピーク透過36
5ミクロンのUVフィルタ72を介して、空間的に均一な高強度UV光出力を与
える。
フィルタを通されたUV光は、4つの分離したレチクル74を通過する。該レ
チクル74はそれぞれ、レチクルステージサポート76上に規定された矩形の側
部に沿って、レチクルステージ75上に配設されている。レチクルは、スコット
ランドのCompugraphicsから市販されており、レチクルステージ75は、アメリ
カのNewport Corp.から市販されている。
パターン化された光は、各レチクル74から、好ましくはアメリカ、バーモン
ト州のタウンゼント(Townsend,Vt.U.S.A.)にあるJanos Technology Inc.から
市販されている1:1倍率を有するf/22凸レンズ78を通過する。各レンズ
78からの光は、対象物82の異なるエッジ表面及び該エッジ表面に隣接する平
坦な表面の一部に衝突するように、フォールディングミラー80によって反射さ
れる。
パターン化された光が対象物82上へ正確に登録されたか否かは、1以上の顕
微鏡84を用いて観察してもよい。該顕微鏡の一つは、対象物の1つのコーナー
を観察することが好ましい。
さて、図7A〜図10Dを参照すれば、本発明の好ましい実施形態によるウェ
ハ様三次元リソグラフィが示されている。
集積回路が形成されており且つ個々の集積回路ダイを描くためにノッチ付けさ
れているウェハ100は、図7A及び図7Bに示されている。あるいは、図7A
及び図7Bは、接触関係又はほぼ接触して並んだ関係に配列された分離されたダ
イの一列を表現していてもよい。各ダイは、ほぼ矩形頂部ファセット102及び
4つの傾斜側部ファセット104、106、108及び110を有するように見
える。
ウェハ100は、最初に慣用の技術により金属デポジットされる。その後、好
ましくは電気泳動技術によって、フォトレジストレイヤーが該金属を覆うように
形成される。
フォトレジストレイヤーの形成に引き続き、図8A及び図8Bに示すような、
頂部ファセット102及び隣接する側部ファセットの1つのエッジに沿う所望の
パッドに対応する長手方向開口122を有するマスク120が、開口122の長
手方向軸にほぼ平行に向けられた光で露光される。
露光工程は、異なるマスクを用いるか又は90度ずつの連続的な回転それぞれ
に対応する異なるマスクパターンを有する単一のマスクを用いるかのいずれかに
よって、3つの連続的な90度ずつの回転の間、繰り返される。単一のマスクを
用いる場合には、光は所望の照射角度に対応するマスク開口を通過する。;光は
、連続的な回転の間に後程照射される別のマスク開口に入射しないようにされて
いる。
フォトレジストで被覆されたダイの連続的な露光は、図10A、図10B、図
10C及び図10Dに示されている。
この方法において、すべての4つの側部ファセット104、106、108及
び110並びに隣接する頂部ファセット102のエッジは露光されて、所望によ
ってその上にパッドを形成する。
露光後、フォトレジストは現像され、ダイがもしまだ分離されていないならば
分離される。
当業者であれば、本発明は、上述された実施形態に限定されないことは理解で
きるであろう。むしろ、添付の請求の範囲によってのみ本発明は限定されるもの
である。
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フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE,
DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M
C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG
,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN,
TD,TG),AP(KE,MW,SD),AM,AT,
AU,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,C
Z,DE,DK,EE,ES,FI,GB,GE,HU
,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LK,LR,
LT,LU,LV,MD,MG,MN,MW,NL,N
O,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE,SI
,SK,TJ,TT,UA,US,UZ,VN
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.三次元方向に延びる表面と感光性コーティングとを有する基体を与える工程 と、 マスクを介して該表面に対して垂直でない角度にて該表面上に光を照射するこ とで、該基体を照射する工程と、 を備えることを特徴とする三次元リソグラフィ方法。 2.請求項1の方法であって、前記基体は、間に形成されたノッチを有する複数 の集積回路ダイを備えることを特徴とする方法。 3.請求項2の方法であって、前記ノッチは、前記基体を通して延び、且つ前記 ダイを分離することを特徴とする方法。 4.請求項1の方法であって、前記基体は、相互に離隔された集積回路の列を有 することを特徴とする方法。 5.請求項1〜4のいずれかの方法であって、前記照射する工程は、複数の異な るパターンとされたマスクを介して、前記基体を照射する工程を含むことを特徴 とする方法。 6.請求項5の方法であって、前記照射する工程は、複数の異なるパターンとさ れたマスクを連続的に介して、前記基体を照射する工程を含むことを特徴とする 方法。 7.請求項6の方法であって、前記異なるパターンとされたマスクのそれぞれが 複数の集積回路ダイを同時に照射するために用いられることを特徴とする方法。 8.請求項7の方法であって、前記異なるパターンとされたマスクのそれぞれが 前記複数の集積回路ダイのそれぞれの複数の表面を同時に照射するために用いら れることを特徴とする方法。 9.請求項1〜4のいずれかの方法であって、前記照射する工程は、前記基体に 対して複数の異なる方向にあるパターン化されたマスクを介して該基体を照射す る工程を含むことを特徴とする方法。 10.請求項9の方法であって、前記照射する工程は、前記基体に対して複数の 異なる方向にあるパターン化されたマスクを連続的に介して、該基体を照射する 工程を含むことを特徴とする方法。 11.請求項10の方法であって、前記異なるパターンとされたマスクのそれぞ れが複数の集積回路ダイを同時に照射するために用いられることを特徴とする方 法。 12.請求項11の方法であって、前記パターン化されたマスクは、前記複数の 集積回路ダイのそれぞれの複数の表面を同時に照射するために用いられることを 特徴とする方法。 13.三次元方向に延びる表面と感光性コーティングとを有する基体を与える工 程と、 マスクを介して該基体の相互に平行でない少なくとも2つの表面上に光を衝突 させることで、該基体を照射する工程と、 を備えることを特徴とする三次元リソグラフィ方法。 14.三次元方向に延びる表面と感光性コーティングとを有する集積回路デバイ ス基体を与える工程と、 マスクを介して該基体に対して垂直でない角度にて該基体上に光を衝突させる ことで、該基体を照射する工程と、 を備えることを特徴とする集積回路デバイス上に金属領域をフォトリソグラフィ により形成する方法。 15.三次元方向に延びる表面と感光性コーティングとを有する集積回路デバイ ス基体を与える工程と、 マスクを介して該表面に対して垂直でない角度にて該表面上に光を衝突させる ことで、該集積回路デバイスを照射する工程と、 を備えることを特徴とする集積回路デバイス上に金属領域をフォトリソグラフィ により形成する方法。 16.三次元方向に延びる表面と感光性コーティングとを有する基体をマスクを 介して、該表面に対して垂直でない角度にて光を衝突させることで照射する照射 装置を備えることを特徴とする三次元リソグラフィ装置。 17.三次元方向に延びる表面と感光性コーティングとを有する集積回路デバイ ス基体をマスクを介して、該表面に対して垂直でない角度にて光を衝突させるこ とで照射するための照射装置を含むことを特徴とする集積回路デバイス上に金属 領域をリソグラフィによって形成するための装置。 18.請求項1〜15のいずれかの方法であって、前記マスクは、前記基体に対 して近接露光関係に配置されていることを特徴とする方法。 19.請求項1〜15のいずれかの方法であって、前記マスクは、前記基体から 離隔されており、また光学機器要素が該マスク及び該基体の間に配置されている ことを特徴とする方法。 20.請求項16又は17のいずれかの装置であって、前記マスクは、前記基体 に対して近接露光関係に配置されていることを特徴とする装置。 21.請求項16又は請求項17のいずれかの装置であって、前記マスクは前記 基体から離隔されており、また光学機器要素が該マスク及び該基体の間に配置さ れていることを特徴とする装置。 22.請求項16、請求項17、請求項20又は請求項21のいずれかの装置で あって、さらに、前記基体を照射する前及び照射中に、該基体を視察するための カメラを備えることを特徴とする装置。 23.請求項16、請求項17、請求項20、請求項21又は請求項22のいず れかの装置であって、前記照射装置は、光発生装置からの光を複数の相互に離隔 されたミラー上に反射し、次いで該反射光を基体のエッジ上に反射する四角錐プ リズムを備えることを特徴とする装置。 24.請求項1〜15又は請求項18のいずれかの方法であって、前記照射する 工程において、照射装置からの光を複数の相互に離隔されたミラー上に反射して 、次いで該反射光を基体のエッジ上に反射する四角錐プリズムを用いることを特 徴とする方法。 25.請求項16、請求項17又は請求項20〜23のいずれかの装置であって 、前記マスクは複数のレチクルを備え、前記照射装置は、該複数のレチクルから の光を受け入れる複数の凸レンズと該複数の凸レンズからの光を受け入れ且つ前 記基体のエッジ上に向ける複数のフォールディングミラーとを備えることを特徴 とする装置。 26.請求項1〜15、請求項18又は請求項24のいずれかの方法であって、 前記照射する工程は、光を受け入れ且つ前記基体のエッジ上に光を向ける複数の フォールディングミラー上に光を向けるために複数の凸レンズを用いることを特 徴とする方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016206398A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 株式会社サーマプレシジョン | 露光装置 |
JP2016206399A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 株式会社サーマプレシジョン | 露光装置 |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0171984B1 (ko) * | 1995-12-11 | 1999-03-30 | 김주용 | 박막 트랜지스터의 자기 정렬 노광 방법 |
JP4000609B2 (ja) * | 1995-12-22 | 2007-10-31 | イビデン株式会社 | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 |
IL123207A0 (en) * | 1998-02-06 | 1998-09-24 | Shellcase Ltd | Integrated circuit device |
WO2000003296A1 (en) * | 1998-07-10 | 2000-01-20 | Ball Semiconductor, Inc. | A reflection system for imaging on a nonplanar substrate |
IL133453A0 (en) * | 1999-12-10 | 2001-04-30 | Shellcase Ltd | Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby |
US8614768B2 (en) * | 2002-03-18 | 2013-12-24 | Raytheon Company | Miniaturized imaging device including GRIN lens optically coupled to SSID |
US20060146172A1 (en) * | 2002-03-18 | 2006-07-06 | Jacobsen Stephen C | Miniaturized utility device having integrated optical capabilities |
US7591780B2 (en) * | 2002-03-18 | 2009-09-22 | Sterling Lc | Miniaturized imaging device with integrated circuit connector system |
US7787939B2 (en) * | 2002-03-18 | 2010-08-31 | Sterling Lc | Miniaturized imaging device including utility aperture and SSID |
JP2005523466A (ja) * | 2002-04-16 | 2005-08-04 | エクスルーム フォトニクス リミテッド | 集積コネクタを有する電気光学回路およびその製造方法 |
US20040021214A1 (en) * | 2002-04-16 | 2004-02-05 | Avner Badehi | Electro-optic integrated circuits with connectors and methods for the production thereof |
US6908791B2 (en) * | 2002-04-29 | 2005-06-21 | Texas Instruments Incorporated | MEMS device wafer-level package |
ATE493760T1 (de) * | 2002-05-20 | 2011-01-15 | Imagerlabs Inc | Bilden einer integrierten mehrsegmentschaltung mit isolierten substraten |
US7033664B2 (en) | 2002-10-22 | 2006-04-25 | Tessera Technologies Hungary Kft | Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby |
JP4093018B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2008-05-28 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004165191A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法及びカメラシステム |
US6864116B1 (en) * | 2003-10-01 | 2005-03-08 | Optopac, Inc. | Electronic package of photo-sensing semiconductor devices, and the fabrication and assembly thereof |
US6943423B2 (en) * | 2003-10-01 | 2005-09-13 | Optopac, Inc. | Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof |
WO2005036226A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-21 | Xloom Photonics Ltd. | Electro-optical circuitry having integrated connector and methods for the production thereof |
US7122874B2 (en) * | 2004-04-12 | 2006-10-17 | Optopac, Inc. | Electronic package having a sealing structure on predetermined area, and the method thereof |
US6943424B1 (en) | 2004-05-06 | 2005-09-13 | Optopac, Inc. | Electronic package having a patterned layer on backside of its substrate, and the fabrication thereof |
US20060043513A1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-02 | Deok-Hoon Kim | Method of making camera module in wafer level |
KR100498708B1 (ko) * | 2004-11-08 | 2005-07-01 | 옵토팩 주식회사 | 반도체 소자용 전자패키지 및 그 패키징 방법 |
US7566853B2 (en) * | 2005-08-12 | 2009-07-28 | Tessera, Inc. | Image sensor employing a plurality of photodetector arrays and/or rear-illuminated architecture |
KR100823179B1 (ko) * | 2006-06-21 | 2008-04-18 | 오에프티 주식회사 | 기판 엣지 노광 장치 |
US7361989B1 (en) | 2006-09-26 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Stacked imager package |
US7901989B2 (en) | 2006-10-10 | 2011-03-08 | Tessera, Inc. | Reconstituted wafer level stacking |
US7829438B2 (en) * | 2006-10-10 | 2010-11-09 | Tessera, Inc. | Edge connect wafer level stacking |
US8513789B2 (en) | 2006-10-10 | 2013-08-20 | Tessera, Inc. | Edge connect wafer level stacking with leads extending along edges |
US7759166B2 (en) * | 2006-10-17 | 2010-07-20 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages fabricated at the wafer level and methods therefor |
US7807508B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-10-05 | Tessera Technologies Hungary Kft. | Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating |
US7935568B2 (en) * | 2006-10-31 | 2011-05-03 | Tessera Technologies Ireland Limited | Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating |
US7952195B2 (en) * | 2006-12-28 | 2011-05-31 | Tessera, Inc. | Stacked packages with bridging traces |
EP2135280A2 (en) | 2007-03-05 | 2009-12-23 | Tessera, Inc. | Chips having rear contacts connected by through vias to front contacts |
KR100847520B1 (ko) | 2007-03-19 | 2008-07-22 | 오에프티 주식회사 | 기판의 엣지노광장치 |
TW200842998A (en) * | 2007-04-18 | 2008-11-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI331371B (en) * | 2007-04-19 | 2010-10-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7777172B2 (en) * | 2007-06-01 | 2010-08-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Methods for reducing cross talk in optical sensors |
US7835074B2 (en) | 2007-06-05 | 2010-11-16 | Sterling Lc | Mini-scope for multi-directional imaging |
TWI473183B (zh) * | 2007-06-19 | 2015-02-11 | Invensas Corp | 可堆疊的積體電路晶片的晶圓水平表面鈍化 |
WO2008157779A2 (en) * | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Vertical Circuits, Inc. | Three-dimensional circuitry formed on integrated circuit device using two- dimensional fabrication |
EP2186134A2 (en) * | 2007-07-27 | 2010-05-19 | Tessera, Inc. | Reconstituted wafer stack packaging with after-applied pad extensions |
US8551815B2 (en) | 2007-08-03 | 2013-10-08 | Tessera, Inc. | Stack packages using reconstituted wafers |
US8043895B2 (en) * | 2007-08-09 | 2011-10-25 | Tessera, Inc. | Method of fabricating stacked assembly including plurality of stacked microelectronic elements |
WO2009035849A2 (en) | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Vertical Circuits, Inc. | Semiconductor die mount by conformal die coating |
US20090093137A1 (en) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Xloom Communications, (Israel) Ltd. | Optical communications module |
US7969659B2 (en) * | 2008-01-11 | 2011-06-28 | Sterling Lc | Grin lens microscope system |
US20100053407A1 (en) | 2008-02-26 | 2010-03-04 | Tessera, Inc. | Wafer level compliant packages for rear-face illuminated solid state image sensors |
TWI515863B (zh) | 2008-03-12 | 2016-01-01 | 英維瑟斯公司 | 載體安裝式電氣互連晶粒組成件 |
US20090287048A1 (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Sterling Lc | Method and apparatus for imaging within a living body |
US9153517B2 (en) | 2008-05-20 | 2015-10-06 | Invensas Corporation | Electrical connector between die pad and z-interconnect for stacked die assemblies |
US7863159B2 (en) * | 2008-06-19 | 2011-01-04 | Vertical Circuits, Inc. | Semiconductor die separation method |
US8680662B2 (en) * | 2008-06-16 | 2014-03-25 | Tessera, Inc. | Wafer level edge stacking |
CN102137616B (zh) | 2008-06-18 | 2014-09-10 | 雷神公司 | 确定焦距的透明内窥镜头 |
WO2010014792A2 (en) | 2008-07-30 | 2010-02-04 | Sterling Lc | Method and device for incremental wavelength variation to analyze tissue |
US9060704B2 (en) | 2008-11-04 | 2015-06-23 | Sarcos Lc | Method and device for wavelength shifted imaging |
TWI446498B (zh) * | 2009-03-13 | 2014-07-21 | Tessera Inc | 具有延伸穿越銲墊之通孔的堆疊微電子總成 |
US9661996B2 (en) | 2009-10-01 | 2017-05-30 | Sarcos Lc | Needle delivered imaging device |
US9144664B2 (en) | 2009-10-01 | 2015-09-29 | Sarcos Lc | Method and apparatus for manipulating movement of a micro-catheter |
US8717428B2 (en) | 2009-10-01 | 2014-05-06 | Raytheon Company | Light diffusion apparatus |
TWI520213B (zh) | 2009-10-27 | 2016-02-01 | 英維瑟斯公司 | 加成法製程之選擇性晶粒電絕緣 |
US8828028B2 (en) | 2009-11-03 | 2014-09-09 | Raytheon Company | Suture device and method for closing a planar opening |
US20110221053A1 (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | Qualcomm Incorporated | Pre-processing to reduce wafer level warpage |
US9825002B2 (en) | 2015-07-17 | 2017-11-21 | Invensas Corporation | Flipped die stack |
US9871019B2 (en) | 2015-07-17 | 2018-01-16 | Invensas Corporation | Flipped die stack assemblies with leadframe interconnects |
US9490195B1 (en) | 2015-07-17 | 2016-11-08 | Invensas Corporation | Wafer-level flipped die stacks with leadframes or metal foil interconnects |
US9508691B1 (en) | 2015-12-16 | 2016-11-29 | Invensas Corporation | Flipped die stacks with multiple rows of leadframe interconnects |
US10566310B2 (en) | 2016-04-11 | 2020-02-18 | Invensas Corporation | Microelectronic packages having stacked die and wire bond interconnects |
US9595511B1 (en) | 2016-05-12 | 2017-03-14 | Invensas Corporation | Microelectronic packages and assemblies with improved flyby signaling operation |
US9728524B1 (en) | 2016-06-30 | 2017-08-08 | Invensas Corporation | Enhanced density assembly having microelectronic packages mounted at substantial angle to board |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1658509A (en) * | 1925-10-07 | 1928-02-07 | Wadsworth Watch Case Co | Surface-ornamenting process and apparatus |
US2507956A (en) * | 1947-11-01 | 1950-05-16 | Lithographic Technical Foundat | Process of coating aluminum |
NL81501C (ja) * | 1952-04-03 | |||
US2796370A (en) * | 1955-03-04 | 1957-06-18 | Charles W Ostrander | Composition and method for producing corrosion resistant protective coating on aluminum and aluminum alloys |
DE1591105A1 (de) * | 1967-12-06 | 1970-09-24 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Herstellen von Festkoerperschaltungen |
US3623961A (en) * | 1968-01-12 | 1971-11-30 | Philips Corp | Method of providing an electric connection to a surface of an electronic device and device obtained by said method |
US3644801A (en) * | 1971-01-21 | 1972-02-22 | Gary S Sheldon | Semiconductor passivating process and product |
US3719981A (en) * | 1971-11-24 | 1973-03-13 | Rca Corp | Method of joining solder balls to solder bumps |
DE2341154C2 (de) * | 1973-08-14 | 1975-06-26 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung einer Zweiphasen-Ladungsverschiebeanordnung |
DE2851101C2 (de) * | 1978-11-25 | 1980-09-18 | Ulrich 7110 Oehringen Wagner | Verfahren zum Gravieren von Werkstückflachen durch Ätzen |
JPS5784135A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor element |
JPS5895862A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 積層構造半導体装置 |
DE3381187D1 (de) * | 1983-11-07 | 1990-03-08 | Irvine Sensors Corp | Detektoranordnungsstruktur und -herstellung. |
GB8519373D0 (en) * | 1985-08-01 | 1985-09-04 | Unilever Plc | Encapsulation of fet transducers |
IT1186165B (it) * | 1985-12-20 | 1987-11-18 | Sgs Microelettronica Spa | Dispositivo a semiconduttore di tipo eprom cancellabile con raggi ultravioletti e suo processo di fabbricazione |
US4900695A (en) * | 1986-12-17 | 1990-02-13 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same |
US5171716A (en) * | 1986-12-19 | 1992-12-15 | North American Philips Corp. | Method of manufacturing semiconductor device with reduced packaging stress |
US4862249A (en) * | 1987-04-17 | 1989-08-29 | Xoc Devices, Inc. | Packaging system for stacking integrated circuits |
JPH0193149A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US4794092A (en) * | 1987-11-18 | 1988-12-27 | Grumman Aerospace Corporation | Single wafer moated process |
US4904610A (en) * | 1988-01-27 | 1990-02-27 | General Instrument Corporation | Wafer level process for fabricating passivated semiconductor devices |
US4784721A (en) * | 1988-02-22 | 1988-11-15 | Honeywell Inc. | Integrated thin-film diaphragm; backside etch |
JPH0217644A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Hitachi Ltd | 集積回路 |
US4933898A (en) * | 1989-01-12 | 1990-06-12 | General Instrument Corporation | Secure integrated circuit chip with conductive shield |
JP2829015B2 (ja) * | 1989-01-19 | 1998-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体素子の加工方法 |
US4984358A (en) * | 1989-03-10 | 1991-01-15 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of assembling stacks of integrated circuit dies |
US5135890A (en) * | 1989-06-16 | 1992-08-04 | General Electric Company | Method of forming a hermetic package having a lead extending through an aperture in the package lid and packaged semiconductor chip |
US5104820A (en) * | 1989-07-07 | 1992-04-14 | Irvine Sensors Corporation | Method of fabricating electronic circuitry unit containing stacked IC layers having lead rerouting |
US4992908A (en) * | 1989-07-24 | 1991-02-12 | Grumman Aerospace Corporation | Integrated circuit module |
JP2768988B2 (ja) * | 1989-08-17 | 1998-06-25 | 三菱電機株式会社 | 端面部分コーティング方法 |
US5043251A (en) * | 1989-11-29 | 1991-08-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Process of three dimensional lithography in amorphous polymers |
US5147815A (en) * | 1990-05-14 | 1992-09-15 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a multichip semiconductor device having two interdigitated leadframes |
JPH07120646B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1995-12-20 | 株式会社東芝 | メサ型半導体ペレットの製造方法 |
US5140469A (en) * | 1990-10-03 | 1992-08-18 | Raytheon Company | Illumination apparatus for semiconductor fabrication including conical optical means |
US5126286A (en) * | 1990-10-05 | 1992-06-30 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacturing edge connected semiconductor die |
FR2670323B1 (fr) * | 1990-12-11 | 1997-12-12 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'interconnexion de circuits integres en trois dimensions. |
US5270485A (en) * | 1991-01-28 | 1993-12-14 | Sarcos Group | High density, three-dimensional, intercoupled circuit structure |
US5269882A (en) * | 1991-01-28 | 1993-12-14 | Sarcos Group | Method and apparatus for fabrication of thin film semiconductor devices using non-planar, exposure beam lithography |
US5106455A (en) * | 1991-01-28 | 1992-04-21 | Sarcos Group | Method and apparatus for fabrication of micro-structures using non-planar, exposure beam lithography |
JP2769748B2 (ja) * | 1991-05-13 | 1998-06-25 | 株式会社オーク製作所 | 画像形成用露光装置 |
JPH04346231A (ja) * | 1991-05-23 | 1992-12-02 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
US5292686A (en) * | 1991-08-21 | 1994-03-08 | Triquint Semiconductor, Inc. | Method of forming substrate vias in a GaAs wafer |
JP2967621B2 (ja) * | 1991-08-27 | 1999-10-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置用パッケージの製造方法 |
JP2769753B2 (ja) * | 1991-08-28 | 1998-06-25 | 株式会社オーク製作所 | 画像形成用露光装置 |
US5266833A (en) * | 1992-03-30 | 1993-11-30 | Capps David F | Integrated circuit bus structure |
FR2691836B1 (fr) * | 1992-05-27 | 1997-04-30 | Ela Medical Sa | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs comportant au moins une puce et dispositif correspondant. |
MX9305603A (es) * | 1992-09-14 | 1994-05-31 | Pierre Badehi | Metodo y aparato para producir dispositivos de circuito integrado. |
US5376235A (en) * | 1993-07-15 | 1994-12-27 | Micron Semiconductor, Inc. | Method to eliminate corrosion in conductive elements |
-
1993
- 1993-09-02 IL IL106892A patent/IL106892A0/xx unknown
-
1994
- 1994-08-30 ZA ZA946593A patent/ZA946593B/xx unknown
- 1994-09-01 WO PCT/EP1994/002908 patent/WO1995006899A1/en active Application Filing
- 1994-09-01 US US08/602,853 patent/US5716759A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-01 JP JP7507954A patent/JPH09507607A/ja active Pending
- 1994-09-01 AU AU75376/94A patent/AU7537694A/en not_active Abandoned
- 1994-09-02 SV SV1994000042A patent/SV1994000042A/es not_active Application Discontinuation
- 1994-09-02 TW TW083108069A patent/TW288183B/zh active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016206398A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 株式会社サーマプレシジョン | 露光装置 |
JP2016206399A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 株式会社サーマプレシジョン | 露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU7537694A (en) | 1995-03-22 |
SV1994000042A (es) | 1996-10-16 |
IL106892A0 (en) | 1993-12-28 |
TW288183B (ja) | 1996-10-11 |
ZA946593B (en) | 1995-04-03 |
WO1995006899A1 (en) | 1995-03-09 |
US5716759A (en) | 1998-02-10 |
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---|---|---|
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