JPH07245187A - ストロボ装置 - Google Patents
ストロボ装置Info
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- JPH07245187A JPH07245187A JP6035563A JP3556394A JPH07245187A JP H07245187 A JPH07245187 A JP H07245187A JP 6035563 A JP6035563 A JP 6035563A JP 3556394 A JP3556394 A JP 3556394A JP H07245187 A JPH07245187 A JP H07245187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- light emission
- switching element
- igbt
- strobe device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/30—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp
- H05B41/32—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp for single flash operation
Landscapes
- Stroboscope Apparatuses (AREA)
- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、発光の立上りの遅れやＩＧＢＴの破
壊を防止する共に製造コストを押さえつつ配置スペース
の制約を受けない簡易な回路構成で、ゲート制御型スイ
ッチング素子を制御して発光制御するストロボ装置を提
供することを目的とする。 【構成】本発明は、回路全体を制御するＣＰＵ１には、
電源フィルタ回路２と、電源電池Ｅ1 と、メインコンデ
ンサＣ5 と、ストロボの昇圧電源回路３と、上記メイン
コンデンサＣ5 の充電々圧を検出する電圧検出回路４
と、トリガ回路５と、閃光放電管（Ｘｅ管）６及びダイ
オードＤ5 、ゲート制御型スイッチング素子となるＩＧ
ＢＴ７の直列回路とが並列に接続して構成され、トリガ
回路５に入力される発光開始信号より所定時間遅れて、
ＩＧＢＴ７がオンされるストロボ装置である。
壊を防止する共に製造コストを押さえつつ配置スペース
の制約を受けない簡易な回路構成で、ゲート制御型スイ
ッチング素子を制御して発光制御するストロボ装置を提
供することを目的とする。 【構成】本発明は、回路全体を制御するＣＰＵ１には、
電源フィルタ回路２と、電源電池Ｅ1 と、メインコンデ
ンサＣ5 と、ストロボの昇圧電源回路３と、上記メイン
コンデンサＣ5 の充電々圧を検出する電圧検出回路４
と、トリガ回路５と、閃光放電管（Ｘｅ管）６及びダイ
オードＤ5 、ゲート制御型スイッチング素子となるＩＧ
ＢＴ７の直列回路とが並列に接続して構成され、トリガ
回路５に入力される発光開始信号より所定時間遅れて、
ＩＧＢＴ７がオンされるストロボ装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ゲート制御型スイッチ
ング素子を有するストロボ装置に係り、特にゲート制御
型スイッチング素子の破壊を防止するストロボの発光制
御回路に関する。
ング素子を有するストロボ装置に係り、特にゲート制御
型スイッチング素子の破壊を防止するストロボの発光制
御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、カメラ本体に内蔵される、若し
くはカメラと共に使用されている公知のストロボ装置に
は、ゲート制御型スイッチング素子、例えばＩＧＢＴが
多く使用されている。例えば、特開昭６４−１７０３３
号公報には、発光命令でＩＧＢＴをオンし、発光停止指
令でＩＧＢＴをオフする構成のＩＧＢＴを用いたストロ
ボ装置が開示されている。この公報に記載されるストロ
ボ装置ではゲート制御型スイッチング素子のゲート制御
用にゲート制御用電源回路を必要としているため、製造
コストの上昇につながると共に、カメラ内に収納するス
ペースの上でも制約を受けている。
くはカメラと共に使用されている公知のストロボ装置に
は、ゲート制御型スイッチング素子、例えばＩＧＢＴが
多く使用されている。例えば、特開昭６４−１７０３３
号公報には、発光命令でＩＧＢＴをオンし、発光停止指
令でＩＧＢＴをオフする構成のＩＧＢＴを用いたストロ
ボ装置が開示されている。この公報に記載されるストロ
ボ装置ではゲート制御型スイッチング素子のゲート制御
用にゲート制御用電源回路を必要としているため、製造
コストの上昇につながると共に、カメラ内に収納するス
ペースの上でも制約を受けている。
【０００３】このような問題点を考慮したストロボ装置
としては、本出願人が提案した特願平０５−８９９９２
号には、ゲート制御型スイッチング素子のゲート制御を
ＣＰＯ等のＩＣより直接制御する事により上記ゲート制
御用電源回路を不要としたストロボ装置が記載してい
る。
としては、本出願人が提案した特願平０５−８９９９２
号には、ゲート制御型スイッチング素子のゲート制御を
ＣＰＯ等のＩＣより直接制御する事により上記ゲート制
御用電源回路を不要としたストロボ装置が記載してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した特願
平０５−８９９９２号に開示されている構成のストロボ
装置を実用化するにあたっては、改善すべき問題も発生
した。すなわち、発光開始時のトリガ回路によるトリガ
ノイズにより、ＩＧＢＴのゲート電位が変動した場合、
ゲート制御電圧が４Ｖ程度の低電圧ドライブＩＧＢＴを
使用している為、ゲート制御電圧が、１２Ｖ〜３０Ｖ程
度の中電圧ドライブＩＧＢＴに比較して小さなゲート電
位変動でも、ＩＧＢＴのオンスレッシュゲート電圧を下
回ってしまい、発光の立上りが遅れることや不充分なゲ
ート電圧（低ゲート電圧）で閃光発光管の発光電流を流
すことがあり、その結果、ＩＧＢＴを破壊してしまう恐
れがあった。
平０５−８９９９２号に開示されている構成のストロボ
装置を実用化するにあたっては、改善すべき問題も発生
した。すなわち、発光開始時のトリガ回路によるトリガ
ノイズにより、ＩＧＢＴのゲート電位が変動した場合、
ゲート制御電圧が４Ｖ程度の低電圧ドライブＩＧＢＴを
使用している為、ゲート制御電圧が、１２Ｖ〜３０Ｖ程
度の中電圧ドライブＩＧＢＴに比較して小さなゲート電
位変動でも、ＩＧＢＴのオンスレッシュゲート電圧を下
回ってしまい、発光の立上りが遅れることや不充分なゲ
ート電圧（低ゲート電圧）で閃光発光管の発光電流を流
すことがあり、その結果、ＩＧＢＴを破壊してしまう恐
れがあった。
【０００５】この問題点を解決するために、例えばＩＧ
ＢＴのゲートラインをトリガ回路から大きく離したり、
トリガ回路とゲートラインの間にシールドを設けたりし
てトリガノイズを受けにくくしたり、新たにゲート制御
回路を設けてゲートラインのインピーダンスを下げて、
トリガノイズの影響を小さくすること等が考えられる
が、いずれも製造コストの上昇や配置するスペースの制
約を受ける。
ＢＴのゲートラインをトリガ回路から大きく離したり、
トリガ回路とゲートラインの間にシールドを設けたりし
てトリガノイズを受けにくくしたり、新たにゲート制御
回路を設けてゲートラインのインピーダンスを下げて、
トリガノイズの影響を小さくすること等が考えられる
が、いずれも製造コストの上昇や配置するスペースの制
約を受ける。
【０００６】そこで本発明は、発光の立上りの遅れやＩ
ＧＢＴの破壊を防止する共に製造コストを押さえつつ配
置スペースの制約を受けない簡易な回路構成で、ゲート
制御型スイッチング素子を制御し、発光制御するストロ
ボ装置を提供することを目的とする。
ＧＢＴの破壊を防止する共に製造コストを押さえつつ配
置スペースの制約を受けない簡易な回路構成で、ゲート
制御型スイッチング素子を制御し、発光制御するストロ
ボ装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、メインコンデンサの放電ループ中に介挿さ
れた閃光放電管とゲート制御型スイッチング素子を含む
回路と、トリガ信号を受け、上記閃光放電管を励起する
ためのトリガ手段と、上記トリガ信号より遅延して上記
ゲート制御型スイッチング素子を導通させる制御信号を
出力する発光制御手段とで構成されたストロボ装置を提
供する。
するために、メインコンデンサの放電ループ中に介挿さ
れた閃光放電管とゲート制御型スイッチング素子を含む
回路と、トリガ信号を受け、上記閃光放電管を励起する
ためのトリガ手段と、上記トリガ信号より遅延して上記
ゲート制御型スイッチング素子を導通させる制御信号を
出力する発光制御手段とで構成されたストロボ装置を提
供する。
【０００８】さらに上記発光制御手段は、上記閃光放電
管の消イオン時間以内に上記制御信号を出力し、また、
上記発光制御手段はマイクロコンピュータであり、マイ
クロコンピュータの出力端子が直接、上記ゲート制御型
スイッチング素子のゲート端子に接続されるストロボ装
置を提供する。
管の消イオン時間以内に上記制御信号を出力し、また、
上記発光制御手段はマイクロコンピュータであり、マイ
クロコンピュータの出力端子が直接、上記ゲート制御型
スイッチング素子のゲート端子に接続されるストロボ装
置を提供する。
【０００９】
【作用】以上のような構成のストロボ装置は、トリガ回
路に入力される発光開始信号より所定時間遅れて、ゲー
ト制御型スイッチング素子がオンされ、発光のタイミン
グが制御される。
路に入力される発光開始信号より所定時間遅れて、ゲー
ト制御型スイッチング素子がオンされ、発光のタイミン
グが制御される。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明による第１実施例としての
ストロボ装置の構成を示す図である。
に説明する。図１は、本発明による第１実施例としての
ストロボ装置の構成を示す図である。
【００１１】このストロボ装置において、回路全体を制
御するＣＰＵ１には、電源フィルタ回路２と、電源電池
Ｅ1 と、メインコンデンサＣ5 と、ストロボの昇圧電源
回路３と、上記メインコンデンサＣ5 の充電々圧を検出
する電圧検出回路４と、トリガ回路５と、閃光放電管
（Ｘｅ管）６及びダイオードＤ5 、ゲート制御型スイッ
チング素子となるＩＧＢＴ７の直列回路と、が並列に接
続されている。
御するＣＰＵ１には、電源フィルタ回路２と、電源電池
Ｅ1 と、メインコンデンサＣ5 と、ストロボの昇圧電源
回路３と、上記メインコンデンサＣ5 の充電々圧を検出
する電圧検出回路４と、トリガ回路５と、閃光放電管
（Ｘｅ管）６及びダイオードＤ5 、ゲート制御型スイッ
チング素子となるＩＧＢＴ７の直列回路と、が並列に接
続されている。
【００１２】上記電源フィルタ回路２は、電源電池Ｅ1
と並列に接続されたコンデンサＣ1と、このコンデンサ
Ｃ1 の正電極側と上記電源電池Ｅ1 との正電極側との間
に順方向に接続されたダイオードＤ1 とで構成される。
と並列に接続されたコンデンサＣ1と、このコンデンサ
Ｃ1 の正電極側と上記電源電池Ｅ1 との正電極側との間
に順方向に接続されたダイオードＤ1 とで構成される。
【００１３】上記昇圧電源回路３は、電源電圧Ｅ1 と、
上記電源電圧Ｅ1 にエミッタを接続するトランジスタＱ
1 と、該トランジスタＱ1 のベースに駆動電圧を与える
ようにＣＰＵ１のＣＨＧ端を介して接続する抵抗Ｒ2 及
び、そのベース・エミッタ間に接続される抵抗Ｒ1 と、
上記トランジスタＱ1 のコレクタに電流通路を構成する
ようにエミッタを接続するトランジスタＱ2 と、上記電
源電圧Ｅ1 に一次側の一端を接続し、他端をトランジス
タＱ3 の電流通路を介して基準電位に接続するトランス
Ｔ1 と、上記トランジスタＱ2 のコレクタと基準電位と
を接続する抵抗Ｒ4 と、上記抵抗Ｒ4 とトランジスタＱ
3 のベースに接続し、駆動電位を与える抵抗Ｒ3 と、上
記トランジスタＱ2 のベースと電源電圧Ｅ1 にそれぞれ
接続するダイオードＤ2 及びコンデンサＣ2 と、上記ト
ランジスタＱ2 のベース及び基準電位に接続する抵抗Ｒ
5 と二次側の他一端を接続する上記トランスＴ1 と、そ
の他端に順方向に接続するダイオードＤ3 とで成され
る。
上記電源電圧Ｅ1 にエミッタを接続するトランジスタＱ
1 と、該トランジスタＱ1 のベースに駆動電圧を与える
ようにＣＰＵ１のＣＨＧ端を介して接続する抵抗Ｒ2 及
び、そのベース・エミッタ間に接続される抵抗Ｒ1 と、
上記トランジスタＱ1 のコレクタに電流通路を構成する
ようにエミッタを接続するトランジスタＱ2 と、上記電
源電圧Ｅ1 に一次側の一端を接続し、他端をトランジス
タＱ3 の電流通路を介して基準電位に接続するトランス
Ｔ1 と、上記トランジスタＱ2 のコレクタと基準電位と
を接続する抵抗Ｒ4 と、上記抵抗Ｒ4 とトランジスタＱ
3 のベースに接続し、駆動電位を与える抵抗Ｒ3 と、上
記トランジスタＱ2 のベースと電源電圧Ｅ1 にそれぞれ
接続するダイオードＤ2 及びコンデンサＣ2 と、上記ト
ランジスタＱ2 のベース及び基準電位に接続する抵抗Ｒ
5 と二次側の他一端を接続する上記トランスＴ1 と、そ
の他端に順方向に接続するダイオードＤ3 とで成され
る。
【００１４】上記電圧検出回路４は、上記ダイオードＤ
3 のカソードと基準電位間にそれぞれ接続される、直列
接続する抵抗Ｒ6 ，Ｒ7 、及びコンデンサＣ4 と、該コ
ンデンサＣ4 とメインコンデンサＣ5 との間に接続され
たダイオードＤ4 とで構成される。
3 のカソードと基準電位間にそれぞれ接続される、直列
接続する抵抗Ｒ6 ，Ｒ7 、及びコンデンサＣ4 と、該コ
ンデンサＣ4 とメインコンデンサＣ5 との間に接続され
たダイオードＤ4 とで構成される。
【００１５】更に、上記トリガ回路５は、上記ダイオー
ドＤ4 のカソードと抵抗Ｒ10を介してアノードに接続
し、且つカソードが基準電位に接続するサイリスタＳＣ
Ｒ1 と、上記サイリスタＳＣＲ1 のゲートと基準電位と
の間に接続される抵抗Ｒ9 、同様に該ゲートとＣＰＵ１
のＳＴＲＧ端に接続される抵抗Ｒ8 と、上記サイリスタ
ＳＣＲ1 のアノード側からコンデンサＣ6 を介して一端
に接続され、他端が閃光放電管（Ｘｅ管）６に接続する
トリガトランスＴ2 と、閃光放電管６の他端（基準電位
側）に、直列接続するコンデンサＣ7 及び抵抗Ｒ11とで
構成される。
ドＤ4 のカソードと抵抗Ｒ10を介してアノードに接続
し、且つカソードが基準電位に接続するサイリスタＳＣ
Ｒ1 と、上記サイリスタＳＣＲ1 のゲートと基準電位と
の間に接続される抵抗Ｒ9 、同様に該ゲートとＣＰＵ１
のＳＴＲＧ端に接続される抵抗Ｒ8 と、上記サイリスタ
ＳＣＲ1 のアノード側からコンデンサＣ6 を介して一端
に接続され、他端が閃光放電管（Ｘｅ管）６に接続する
トリガトランスＴ2 と、閃光放電管６の他端（基準電位
側）に、直列接続するコンデンサＣ7 及び抵抗Ｒ11とで
構成される。
【００１６】上記閃光放電管６の一端は、メインコンデ
ンサＣ5 に接続され、他端は、ダイオードＤ5 を介し
て、ＩＧＢＴ７のカソードに接続し、そのゲートはＣＰ
Ｕ１のＳＣＯＮＴ端に接続される。
ンサＣ5 に接続され、他端は、ダイオードＤ5 を介し
て、ＩＧＢＴ７のカソードに接続し、そのゲートはＣＰ
Ｕ１のＳＣＯＮＴ端に接続される。
【００１７】このトリガトランスＴ2 は、閃光放電管６
にトリガを引加するものである。また上記ＩＧＢＴ７
は、この閃光放電管６の発光電流をスイッチングし、発
光量の制御を行うもので、ＣＰＵ１からのＳＣＯＮＴ信
号の状態に応じて動作する。
にトリガを引加するものである。また上記ＩＧＢＴ７
は、この閃光放電管６の発光電流をスイッチングし、発
光量の制御を行うもので、ＣＰＵ１からのＳＣＯＮＴ信
号の状態に応じて動作する。
【００１８】またＣＰＵ１には、パワースイッチＳＷ
１、レリーズスイッチＳＷ２が接続されている。このＣ
ＰＵ１からは、ＩＧＢＴ７に供給されるＳＣＯＮＴ信号
の他、昇圧電源回路３にはＣＨＧ信号が、トリガ回路５
にはＳＴＲＧ信号が、それぞれ供給されるようになって
おり、電圧検出回路４からＶＳＴ信号が供給される。
１、レリーズスイッチＳＷ２が接続されている。このＣ
ＰＵ１からは、ＩＧＢＴ７に供給されるＳＣＯＮＴ信号
の他、昇圧電源回路３にはＣＨＧ信号が、トリガ回路５
にはＳＴＲＧ信号が、それぞれ供給されるようになって
おり、電圧検出回路４からＶＳＴ信号が供給される。
【００１９】ここで、本実施例の回路の動作の説明に先
立ち、回路に用いられているＩＧＢＴについて説明す
る。図２は、本実施例に用いているＩＧＢＴの断面構造
の一例を示す図である。このＩＧＢＴは、コレクタ電極
１１の上側に、Ｐ層１２、Ｎ層１３が順に形成されてい
る。そして、上記Ｎ層１３の表面には、Ｐ層１２より不
純物濃度の低いＰ層１４、及びＮ層１３より不純物濃度
の高いＮ層１５が形成される。上記Ｎ層１３とＮ層１５
とに挟まれたＰ層１４の表面が、チャネル領域となる。
立ち、回路に用いられているＩＧＢＴについて説明す
る。図２は、本実施例に用いているＩＧＢＴの断面構造
の一例を示す図である。このＩＧＢＴは、コレクタ電極
１１の上側に、Ｐ層１２、Ｎ層１３が順に形成されてい
る。そして、上記Ｎ層１３の表面には、Ｐ層１２より不
純物濃度の低いＰ層１４、及びＮ層１３より不純物濃度
の高いＮ層１５が形成される。上記Ｎ層１３とＮ層１５
とに挟まれたＰ層１４の表面が、チャネル領域となる。
【００２０】このチャネルの領域上には、ゲート酸化膜
１６を介してゲート電極１７が形成される。また、この
ゲート電極１７の上には、絶縁膜１８を介してエミッタ
電極１９が形成される。
１６を介してゲート電極１７が形成される。また、この
ゲート電極１７の上には、絶縁膜１８を介してエミッタ
電極１９が形成される。
【００２１】このように構成されたＩＧＢＴにおいて、
エミッタに対して正となる電圧をゲート電圧としてゲー
ト電極１７に与えると、Ｐ層１４の表面にチャネル領域
が形成され、コレクタ−エミッタ間に電流が流れる。こ
のゲート電圧は、通常１０Ｖ〜４０Ｖ程度の電圧が必要
であるが、ゲート酸化膜１６の薄膜化や微細化設計ルー
ルを採用することで、ゲートに印加する電圧が４Ｖでも
十分なコレクタ−エミッタ間に電流を流すことができ
る。
エミッタに対して正となる電圧をゲート電圧としてゲー
ト電極１７に与えると、Ｐ層１４の表面にチャネル領域
が形成され、コレクタ−エミッタ間に電流が流れる。こ
のゲート電圧は、通常１０Ｖ〜４０Ｖ程度の電圧が必要
であるが、ゲート酸化膜１６の薄膜化や微細化設計ルー
ルを採用することで、ゲートに印加する電圧が４Ｖでも
十分なコレクタ−エミッタ間に電流を流すことができ
る。
【００２２】本実施例は、このような低電圧ゲートドラ
イブＩＧＢＴを採用してストロボ装置の発光制御回路を
構成させる。次に、図３に示すタイミングチャートを参
照して、このストロボ装置の動作について説明する。
イブＩＧＢＴを採用してストロボ装置の発光制御回路を
構成させる。次に、図３に示すタイミングチャートを参
照して、このストロボ装置の動作について説明する。
【００２３】まず、ここで図３（ａ）に示すように、Ｃ
ＨＧをロー（Ｌｏｗ）レベル（以下、Ｌレベルと称す
る）にすると、昇圧電源回路３が作動して昇圧された電
圧が、図３（ｂ）に示すようにメインコンデンサＣ5 に
充電される。この充電々圧は、図３（ｃ）に示すよう
に、電圧検出回路４によってモニタされ、所定充電々圧
に達したら、ＣＨＧをハイ（Ｈｉ）レベル（以下、Ｈレ
ベルと称する）にして昇圧動作を止める。
ＨＧをロー（Ｌｏｗ）レベル（以下、Ｌレベルと称す
る）にすると、昇圧電源回路３が作動して昇圧された電
圧が、図３（ｂ）に示すようにメインコンデンサＣ5 に
充電される。この充電々圧は、図３（ｃ）に示すよう
に、電圧検出回路４によってモニタされ、所定充電々圧
に達したら、ＣＨＧをハイ（Ｈｉ）レベル（以下、Ｈレ
ベルと称する）にして昇圧動作を止める。
【００２４】次に発光させる場合に、発光開始信号に応
答して、図３（ｅ）に示すように、ＳＴＲＧがＨレベル
になって、サイリスタＳＣＲ1 がオンする。まだ、この
時には、図３（ｄ）に示すように、ＳＣＯＮＴはＬレベ
ルであり、ＩＧＢＴ７はオフしている。
答して、図３（ｅ）に示すように、ＳＴＲＧがＨレベル
になって、サイリスタＳＣＲ1 がオンする。まだ、この
時には、図３（ｄ）に示すように、ＳＣＯＮＴはＬレベ
ルであり、ＩＧＢＴ７はオフしている。
【００２５】そしてＳＣＲ1 がオンすると、トリガ回路
５によって閃光放電管６は励起され、管内がイオン化さ
れる。この時、ＩＧＢＴはオフしているため発光しな
い、若しくは発光しても、図３（ｆ）のＡに示すような
コンデンサＣ7 をチャージする分だけ微小に発光するの
みである。
５によって閃光放電管６は励起され、管内がイオン化さ
れる。この時、ＩＧＢＴはオフしているため発光しな
い、若しくは発光しても、図３（ｆ）のＡに示すような
コンデンサＣ7 をチャージする分だけ微小に発光するの
みである。
【００２６】次に図３（ｄ）に示すように、ＳＴＲＧが
Ｈレベルなった時点（図３（ｅ））から時間ｔ1 遅れ
て、ＳＣＯＮＴをＨレベルにし、ＩＧＢＴをオンさせ
る。この時に、閃光放電管内は、まだイオン化状態であ
るため、再度トリガをかけなくても、ＩＧＢＴをオンさ
せ、閃光放電管両端に電圧をかけるだけで発光を開始す
る（図３（ｆ））。
Ｈレベルなった時点（図３（ｅ））から時間ｔ1 遅れ
て、ＳＣＯＮＴをＨレベルにし、ＩＧＢＴをオンさせ
る。この時に、閃光放電管内は、まだイオン化状態であ
るため、再度トリガをかけなくても、ＩＧＢＴをオンさ
せ、閃光放電管両端に電圧をかけるだけで発光を開始す
る（図３（ｆ））。
【００２７】例えば、キセノンガスを封入したキセノン
管の場合は、上記イオン化している時間は、数μｓ〜数
百μｓである。すなわち、時間ｔ1 内であれば、放電管
はトリガを再引加しなくても発光を開始することができ
る。
管の場合は、上記イオン化している時間は、数μｓ〜数
百μｓである。すなわち、時間ｔ1 内であれば、放電管
はトリガを再引加しなくても発光を開始することができ
る。
【００２８】その後、発光中にＳＣＯＮＴをＬレベルに
すると、ＩＧＢＴ７はオフし、発光を停止する。次に前
述した本実施例におけるＳＴＲＧよりＳＣＯＮＴを遅ら
せて、Ｈレベルにする理由を図６、図７を参照して説明
する。
すると、ＩＧＢＴ７はオフし、発光を停止する。次に前
述した本実施例におけるＳＴＲＧよりＳＣＯＮＴを遅ら
せて、Ｈレベルにする理由を図６、図７を参照して説明
する。
【００２９】図６は、従来のようにＳＴＲＧより前にＳ
ＣＯＮＴをＨレベルにした例である。ＳＴＲＧのＨレベ
ルになると、トリガ回路によりトリガ電圧が発生する。
トリガ電圧は、数ＫＶの非常に高い電圧値であり、この
ノイズがＳＣＯＮＴに乗った場合、ＳＣＯＮＴの波形は
図示するように振れ、ＩＧＢＴのオンスレッシュゲート
電圧を下回ってしまう場合があり、発光の立上りが遅れ
たり、又、不充分なゲート電圧（低ゲート電圧）で閃光
発光管の発光電流を流す事で、ＩＧＢＴが破壊されてし
まう恐れがある。
ＣＯＮＴをＨレベルにした例である。ＳＴＲＧのＨレベ
ルになると、トリガ回路によりトリガ電圧が発生する。
トリガ電圧は、数ＫＶの非常に高い電圧値であり、この
ノイズがＳＣＯＮＴに乗った場合、ＳＣＯＮＴの波形は
図示するように振れ、ＩＧＢＴのオンスレッシュゲート
電圧を下回ってしまう場合があり、発光の立上りが遅れ
たり、又、不充分なゲート電圧（低ゲート電圧）で閃光
発光管の発光電流を流す事で、ＩＧＢＴが破壊されてし
まう恐れがある。
【００３０】また図７は、本実施例によるＳＴＲＧ立上
りより、所定時間だけ遅らせてＳＣＯＮＴをＨレベルに
した例であるが、ＳＣＯＮＴはトリガ波形がおさまって
からＨレベルにしているので当然、Ｈレベル部分にはト
リガノイズが乗る事はなく、前述した発光の立上り遅
れ、ＩＧＢＴ破壊の問題は発生しない。
りより、所定時間だけ遅らせてＳＣＯＮＴをＨレベルに
した例であるが、ＳＣＯＮＴはトリガ波形がおさまって
からＨレベルにしているので当然、Ｈレベル部分にはト
リガノイズが乗る事はなく、前述した発光の立上り遅
れ、ＩＧＢＴ破壊の問題は発生しない。
【００３１】またＳＣＯＮＴがＬレベル時のトリガノイ
ズによる電圧変動は、Ｈレベルのそれより非常に小さ
く、このノイズによりＩＧＢＴがＯＮする事はない。そ
の理由を以下に示す。一般的にＣＰＵ等の出力ポート
は、図８、図４に示すような構成になっている。
ズによる電圧変動は、Ｈレベルのそれより非常に小さ
く、このノイズによりＩＧＢＴがＯＮする事はない。そ
の理由を以下に示す。一般的にＣＰＵ等の出力ポート
は、図８、図４に示すような構成になっている。
【００３２】図８に示す出力ポートは、ナンド回路３
１、Ｎチャネル（Ｎ−ｃｈ）トランジスタ３２、数百Ｋ
Ωのプルアップ抵抗３３により構成されており、Ｎ−ｃ
ｈトランジスタのオンの場合には、ＳＣＯＮＴにはグラ
ンドレベルの電圧を出力し、Ｎ−ｃｈトランジスタオフ
の場合には、ＶDDの電圧を出力するプルアップ付オープ
ンドレインポートである。
１、Ｎチャネル（Ｎ−ｃｈ）トランジスタ３２、数百Ｋ
Ωのプルアップ抵抗３３により構成されており、Ｎ−ｃ
ｈトランジスタのオンの場合には、ＳＣＯＮＴにはグラ
ンドレベルの電圧を出力し、Ｎ−ｃｈトランジスタオフ
の場合には、ＶDDの電圧を出力するプルアップ付オープ
ンドレインポートである。
【００３３】同様に図４に示す出力ポートは、ナンド回
路２０、ノア回路２１、インバータ２２、Ｐチャネル
（Ｐ−ｃｈ）トランジスタ２３及びＮチャネル（Ｎ−ｃ
ｈ）トランジスタ２４で、図示の如く構成されている。
路２０、ノア回路２１、インバータ２２、Ｐチャネル
（Ｐ−ｃｈ）トランジスタ２３及びＮチャネル（Ｎ−ｃ
ｈ）トランジスタ２４で、図示の如く構成されている。
【００３４】この出力ポートは、トランジスタ２３のオ
ン及び、トランジスタ２４のオフの場合に、ＣＯＮＴに
はＶDDの電圧を出力し、逆に、トランジスタ２３がオ
フ、トランジスタ２４がオンの場合には、グランドレベ
ルの電圧を出力するコンプリポートである。
ン及び、トランジスタ２４のオフの場合に、ＣＯＮＴに
はＶDDの電圧を出力し、逆に、トランジスタ２３がオ
フ、トランジスタ２４がオンの場合には、グランドレベ
ルの電圧を出力するコンプリポートである。
【００３５】図８に示すようなオープンドレインポート
の場合、Ｈレベル時の出力インピーダンスは比較的高
く、前述したトリガノイズの影響を受けやすく、Ｌレベ
ル時はＮ−ｃｈトランジスタＯＮにより出力インピーダ
ンスは低く、トリガノイズの影響を受けにくい。
の場合、Ｈレベル時の出力インピーダンスは比較的高
く、前述したトリガノイズの影響を受けやすく、Ｌレベ
ル時はＮ−ｃｈトランジスタＯＮにより出力インピーダ
ンスは低く、トリガノイズの影響を受けにくい。
【００３６】一方、図４に示すようなコンプリポートの
場合、Ｈレベルの出力インピーダンスはオープンドレイ
ンポート程高くはないが、一般的にＨレベルの電流ソー
ス能力よりもＬレベルの電流シンク能力の方が大きい
為、やはりＨレベル時に比較してＬレベル時の方がトリ
ガノイズの影響を受けにくい。
場合、Ｈレベルの出力インピーダンスはオープンドレイ
ンポート程高くはないが、一般的にＨレベルの電流ソー
ス能力よりもＬレベルの電流シンク能力の方が大きい
為、やはりＨレベル時に比較してＬレベル時の方がトリ
ガノイズの影響を受けにくい。
【００３７】次に、図５のフローチャートを参照して、
本実施例におけるＣＰＵ１によるストロボ制御動作を説
明する。まず、パワースイッチＳＷ１がオンされると
（ステップＳ１）、ＣＰＵ１は、ＣＨＧ信号をＬレベル
とし、昇圧電源回路３によりメインコンデンサＣ5 の充
電が開始される（ステップＳ２）。そして、ＶＳＴしん
ごうにより充電々圧を検出し、設定された充電々圧に達
すると（ステップＳ３）、ＣＨＧ信号をＨレベルにし、
メインコンデンサＣ5 の充電が停止される（ステップＳ
４）。その後、レリーズスイッチＳＷ2 がオンされると
（ステップＳ５）、被写体距離情報若しくは測光情報等
に基づいて、ストロボの光量を決定する発光時間ｔ2 が
決定される（ステップＳ６）。
本実施例におけるＣＰＵ１によるストロボ制御動作を説
明する。まず、パワースイッチＳＷ１がオンされると
（ステップＳ１）、ＣＰＵ１は、ＣＨＧ信号をＬレベル
とし、昇圧電源回路３によりメインコンデンサＣ5 の充
電が開始される（ステップＳ２）。そして、ＶＳＴしん
ごうにより充電々圧を検出し、設定された充電々圧に達
すると（ステップＳ３）、ＣＨＧ信号をＨレベルにし、
メインコンデンサＣ5 の充電が停止される（ステップＳ
４）。その後、レリーズスイッチＳＷ2 がオンされると
（ステップＳ５）、被写体距離情報若しくは測光情報等
に基づいて、ストロボの光量を決定する発光時間ｔ2 が
決定される（ステップＳ６）。
【００３８】次にタイマをスタートさせ（ステップＳ
７）、ＳＴＲＧをＬレベルからＨレベルにし、サイリス
タＳＣＲ1 をオンとさせることにより、Ｘｅ管６にトリ
ガをかける。（ステップＳ８）。そして、タイマによる
時間ｔ0 が経過した後（ステップＳ９）、ＳＴＲＧをＬ
レベルにする（ステップＳ１０）。
７）、ＳＴＲＧをＬレベルからＨレベルにし、サイリス
タＳＣＲ1 をオンとさせることにより、Ｘｅ管６にトリ
ガをかける。（ステップＳ８）。そして、タイマによる
時間ｔ0 が経過した後（ステップＳ９）、ＳＴＲＧをＬ
レベルにする（ステップＳ１０）。
【００３９】そしてタイマによる時間ｔ1 が経過した後
（ステップＳ１１）、タイマをリセットし、再スタート
させる（ステップＳ１２）、それと共に、ＳＣＯＮＴを
Ｈレベルにし、ＩＧＢＴをオンさせ、発光を開始させる
（ステップＳ１３）。この発光の後、タイマによる時間
ｔ2 が経過したならば（ステップＳ１４）、ＳＣＯＮＴ
をＬレベルに下げ、ＩＧＢＴ７はオフさせ、発光を停止
させる（ステップＳ１５）。
（ステップＳ１１）、タイマをリセットし、再スタート
させる（ステップＳ１２）、それと共に、ＳＣＯＮＴを
Ｈレベルにし、ＩＧＢＴをオンさせ、発光を開始させる
（ステップＳ１３）。この発光の後、タイマによる時間
ｔ2 が経過したならば（ステップＳ１４）、ＳＣＯＮＴ
をＬレベルに下げ、ＩＧＢＴ７はオフさせ、発光を停止
させる（ステップＳ１５）。
【００４０】なお、以上の説明した本実施例では、発光
制御のスイッチング素子としてＩＧＢＴを用いたが、そ
の他のゲート制御形素子、例えばパワーＭＯＳＦＥＴ
や、ＭＣＴ（ＭＯＳ ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＤ ＴＨＹＲ
ＩＳＴＯＲ）等でも、同様の回路、動作が実現可能であ
る。
制御のスイッチング素子としてＩＧＢＴを用いたが、そ
の他のゲート制御形素子、例えばパワーＭＯＳＦＥＴ
や、ＭＣＴ（ＭＯＳ ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＤ ＴＨＹＲ
ＩＳＴＯＲ）等でも、同様の回路、動作が実現可能であ
る。
【００４１】なお、本発明の上記実施態様によれば、以
下のごとき構成が得られる。 （１）ストロボの閃光発光管を発光させるための電荷を
保持するメインコンデンサと、このメインコンデンサの
放電ループ内にて、上記閃光発光管と直列に接続された
ゲート制御型スイッチング素子と、上記閃光発光管を励
起し、発光を開始させるトリガ回路と、上記ゲート制御
型スイッチング素子のオンオフを制御するゲート制御回
路と、を有するストロボ装置において、発光開始命令に
応答して上記トリガ回路に入力される発光開始信号より
遅れて上記ゲート制御回路に上記ゲート制御型スイッチ
ング素子をオンするためのオン信号を入力することを特
徴とするストロボ装置が提供される （２）閃光発光管と、この閃光発光管と直列に接続され
たゲート制御型スイッチング素子と、上記閃光発光管を
励起するトリガ信号より遅れて上記ゲート制御型スイッ
チング素子をオンするためのオン信号を出力する発光制
御手段と、を具備したことを特徴とするストロボ装置が
提供される。 （３）上記ゲート制御型スイッチング素子はＩＧＢＴで
あることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の
ストロボ装置が提供される。 （４）上記ゲート制御型スイッチング素子はＭＣＴ（Ｍ
ＯＳ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）で
あることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の
ストロボ装置が提供される。 （５）上記ゲート制御型スイッチング素子はパワーＭＯ
Ｓ ＦＥＴであることを特徴とする上記（１）または
（２）に記載のストロボ装置が提供される。 （６）メインコンデンサの放電ループ中に介挿された閃
光放電管とスイッチング素子を含む直列回路と、トリガ
信号を受け、上記閃光放電管を励起するためのトリガ手
段と、上記トリガ信号より遅延して上記スイッチング素
子を導通させる導通制御信号を出力する発光制御手段
と、を具備したことを特徴とするストロボ装置が提供さ
れる。 （７）上記発光制御手段は、マイクロコンピュータであ
ることを特徴とする上記（６）に記載のストロボ装置が
提供される。 （８）上記マイクロコンピュータの出力端子は、オープ
ンドレイン端子またはコンプリポートであることを特徴
とする上記（７）に記載のストロボ装置が提供される。 （９）上記マイクロコンピュータの出力端子が上記スイ
ッチング素子のゲート端子に接続されていることを特徴
とするストロボ装置が提供される。 （１０）上記発光制御手段は、上記閃光放電管の消イオ
ン時間以内に上記導通制御信号を出力することを特徴と
する上記（６）乃至（９）に記載のストロボ装置が提供
される。 （１１）上記スイッチング素子は、ゲート制御を低電圧
で駆動可能なゲート制御型スイッチング素子であること
を特徴とする上記（６）乃至（１０）に記載のストロボ
装置が提供される。
下のごとき構成が得られる。 （１）ストロボの閃光発光管を発光させるための電荷を
保持するメインコンデンサと、このメインコンデンサの
放電ループ内にて、上記閃光発光管と直列に接続された
ゲート制御型スイッチング素子と、上記閃光発光管を励
起し、発光を開始させるトリガ回路と、上記ゲート制御
型スイッチング素子のオンオフを制御するゲート制御回
路と、を有するストロボ装置において、発光開始命令に
応答して上記トリガ回路に入力される発光開始信号より
遅れて上記ゲート制御回路に上記ゲート制御型スイッチ
ング素子をオンするためのオン信号を入力することを特
徴とするストロボ装置が提供される （２）閃光発光管と、この閃光発光管と直列に接続され
たゲート制御型スイッチング素子と、上記閃光発光管を
励起するトリガ信号より遅れて上記ゲート制御型スイッ
チング素子をオンするためのオン信号を出力する発光制
御手段と、を具備したことを特徴とするストロボ装置が
提供される。 （３）上記ゲート制御型スイッチング素子はＩＧＢＴで
あることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の
ストロボ装置が提供される。 （４）上記ゲート制御型スイッチング素子はＭＣＴ（Ｍ
ＯＳ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）で
あることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の
ストロボ装置が提供される。 （５）上記ゲート制御型スイッチング素子はパワーＭＯ
Ｓ ＦＥＴであることを特徴とする上記（１）または
（２）に記載のストロボ装置が提供される。 （６）メインコンデンサの放電ループ中に介挿された閃
光放電管とスイッチング素子を含む直列回路と、トリガ
信号を受け、上記閃光放電管を励起するためのトリガ手
段と、上記トリガ信号より遅延して上記スイッチング素
子を導通させる導通制御信号を出力する発光制御手段
と、を具備したことを特徴とするストロボ装置が提供さ
れる。 （７）上記発光制御手段は、マイクロコンピュータであ
ることを特徴とする上記（６）に記載のストロボ装置が
提供される。 （８）上記マイクロコンピュータの出力端子は、オープ
ンドレイン端子またはコンプリポートであることを特徴
とする上記（７）に記載のストロボ装置が提供される。 （９）上記マイクロコンピュータの出力端子が上記スイ
ッチング素子のゲート端子に接続されていることを特徴
とするストロボ装置が提供される。 （１０）上記発光制御手段は、上記閃光放電管の消イオ
ン時間以内に上記導通制御信号を出力することを特徴と
する上記（６）乃至（９）に記載のストロボ装置が提供
される。 （１１）上記スイッチング素子は、ゲート制御を低電圧
で駆動可能なゲート制御型スイッチング素子であること
を特徴とする上記（６）乃至（１０）に記載のストロボ
装置が提供される。
【００４２】上記（１）〜（１１）に記載の実施態様に
よれば、スイッチング素子をオンさせる制御信号を送信
するに当たって、ノイズの影響を受けることがなく、ス
イッチング素子が破壊されることがない。上記（７）〜
（９）の態様によれば、マイクロコンピュータによって
直接スイッチング素子を制御することができ、構成が簡
単になる。上記（８）の態様によればインピーダンスが
低い等の理由により更にノイズに強い構成となる。上記
（１０）の態様によれば、消イオン時間以内にスイッチ
ング素子をオンとするために導通制御信号を送信される
ので、確実にスイッチング素子を導通させることができ
る。また本発明は、前述した実施例に限定されるもので
はなく、他にも発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
形や応用が可能であることは勿論である。
よれば、スイッチング素子をオンさせる制御信号を送信
するに当たって、ノイズの影響を受けることがなく、ス
イッチング素子が破壊されることがない。上記（７）〜
（９）の態様によれば、マイクロコンピュータによって
直接スイッチング素子を制御することができ、構成が簡
単になる。上記（８）の態様によればインピーダンスが
低い等の理由により更にノイズに強い構成となる。上記
（１０）の態様によれば、消イオン時間以内にスイッチ
ング素子をオンとするために導通制御信号を送信される
ので、確実にスイッチング素子を導通させることができ
る。また本発明は、前述した実施例に限定されるもので
はなく、他にも発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
形や応用が可能であることは勿論である。
【００４３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ト
リガ信号より遅らせてゲート制御型スイッチング素子を
オンさせ、トリガノイズによる発光の立上りの遅れやゲ
ート制御型スイッチング素子の破壊を防止する共に製造
コストを押さえつつ、収納する配置スペースの制約を受
けない簡易な回路構成で、ゲート制御型スイッチング素
子を制御して発光制御するストロボ装置を提供すること
ができる。
リガ信号より遅らせてゲート制御型スイッチング素子を
オンさせ、トリガノイズによる発光の立上りの遅れやゲ
ート制御型スイッチング素子の破壊を防止する共に製造
コストを押さえつつ、収納する配置スペースの制約を受
けない簡易な回路構成で、ゲート制御型スイッチング素
子を制御して発光制御するストロボ装置を提供すること
ができる。
【図１】本発明による第１実施例としてのストロボ装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図２】第１実施例に用いているＩＧＢＴの断面構造の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図３】図１に示すストロボ装置の動作について説明す
るためのタイミングチャートである。
るためのタイミングチャートである。
【図４】ＣＰＵ等の出力ポートとなるコンプリポートの
構成例を示す図である。
構成例を示す図である。
【図５】図１に示すストロボ装置におけるＣＰＵによる
ストロボ制御動作を説明するためのフローチャートであ
る。
ストロボ制御動作を説明するためのフローチャートであ
る。
【図６】従来のストロボ装置による発光を行うためのＳ
ＴＲＧとＳＣＯＮＴの信号のタイミングを示す図であ
る。
ＴＲＧとＳＣＯＮＴの信号のタイミングを示す図であ
る。
【図７】本発明のストロボ装置による発光を行うための
ＳＴＲＧとＳＣＯＮＴの信号のタイミングを示す図であ
る。
ＳＴＲＧとＳＣＯＮＴの信号のタイミングを示す図であ
る。
【図８】ＣＰＵ等の出力ポートとなるプルアップ付オー
プンドレインポートの構成例を示す図である。
プンドレインポートの構成例を示す図である。
１…ＣＰＵ、２…電源フィルタ回路、３…昇圧電源回
路、４…電圧検出回路、５…トリガ回路、Ｅ1 …電源電
池、Ｃ5 …メインコンデンサ。
路、４…電圧検出回路、５…トリガ回路、Ｅ1 …電源電
池、Ｃ5 …メインコンデンサ。
Claims (3)
- 【請求項１】 メインコンデンサの放電ループ中に介挿
された閃光放電管とゲート制御型スイッチング素子とを
含む回路と、 トリガ信号を受け、上記閃光放電管を励起するためのト
リガ手段と、 上記トリガ信号より遅延して上記ゲート制御型スイッチ
ング素子を導通させる制御信号を出力する発光制御手段
と、を具備したことを特徴とするストロボ装置。 - 【請求項２】 上記発光制御手段は、上記閃光放電管の
消イオン時間以内に上記制御信号を出力することを特徴
とする上記請求項１に記載のストロボ装置。 - 【請求項３】 上記発光制御手段は、マイクロコンピュ
ータであり、マイクロコンピュータの出力端子が直接、
上記ゲート制御型スイッチング素子のゲート端子に接続
されていることを特徴とする請求項１または請求項２に
記載のストロボ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6035563A JPH07245187A (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | ストロボ装置 |
| US08/391,730 US5532555A (en) | 1994-03-07 | 1995-02-21 | Electronic flash apparatus using gate controlled switching device directly driven by CPU |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6035563A JPH07245187A (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | ストロボ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245187A true JPH07245187A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12445223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6035563A Withdrawn JPH07245187A (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | ストロボ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5532555A (ja) |
| JP (1) | JPH07245187A (ja) |
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| JP4604644B2 (ja) * | 2004-10-21 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 撮影用照明装置およびカメラ |
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| US9307912B2 (en) | 2012-08-08 | 2016-04-12 | Welch Allyn, Inc. | Temperature measurement system |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5532555A (en) | 1996-07-02 |
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