JPH05107606A

JPH05107606A - ストロボ装置

Info

Publication number: JPH05107606A
Application number: JP26790691A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yamada; 浩山田
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1991-10-16
Filing date: 1991-10-16
Publication date: 1993-04-30

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】電圧制御型スイッチング素子のバイアス電圧を
検出する特別な回路を必要とせずとも、該電圧制御型ス
イッチング素子の破損を防ぐことのできるストロボ装置
を提供する。【構成】昇圧電源回路１と、その出力により充電される
メインコンデンサＣ１と、このメインコンデンサと並列
に接続された閃光放電管Ｘ１と、この閃光発光動作を制
御する、閃光放電管と直列に接続された電圧制御型スイ
ッチング素子２を有する光量制御回路と、閃光放電管に
閃光発光動作を開始させるためのトリガーコンデンサを
有するトリガー回路３と、電圧制御型スイッチング素子
２にバイアス電圧を印加するツェナーダイオードＺＤ１
と、トリガー信号生成手段５からのトリガー信号ＴＲＧ
の受信時に、上記ツェナーダイオードに流れるツェナー
電流Ｉｚに基づいて、該トリガー信号による発光動作を
許可する発光許可手段４とを具備したことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ストロボ装置、詳し
くは、電圧制御型スイッチング素子を用いた閃光発光制
御手段を有するストロボ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ストロボ装置内の閃光発光制御手
段には、周知のように種々のものが提供されている。

【０００３】そして、上記閃光発光制御のためのスイッ
チング手段として、特開昭６１−５０１２５号公報，特
開昭６４−１７０３３号公報等に示されているように、
近年、ＩＧＢＴ（ゲート絶縁型バイポーラトランジス
タ）等の電圧制御型スイッチング素子が使用されてい
る。また、本出願人も、特開平２−２００００号公報、
特願平２−１４７６００号等に示されているように、こ
のＩＧＢＴを上記スイッチング手段として用いた閃光発
光装置を提案している。

【０００４】ところで、これらの従来の閃光発光制御回
路では、トリガー電極にトリガー電圧を印加するのに先
立ち、予め上記電圧制御型スイッチング素子のゲートに
ゲート電圧を印加するようにしている。このとき、該電
圧制御型スイッチング素子内部において、ゲートとＧＮ
Ｄとの間の絶縁抵抗による漏れ電流が生じるため、同電
圧制御型スイッチング素子のゲート電圧が降下するとい
う現象が起きる。すると、メインコンデンサの充電完了
後、上記漏れ電流により該メインコンデンサの蓄積電荷
が放電することとなる。

【０００５】この放電量は、上記電圧制御型スイッチン
グ素子のゲートに接続されているゲート抵抗の抵抗値を
大きくすることにより、ある程度無視できるレベルまで
は抑えることが可能である。ところが、該電圧制御型ス
イッチング素子のゲートには無視できない容量成分があ
るため、上記ゲート抵抗の抵抗値を大きくすると、この
容量成分と前記抵抗値とで形成される時定数により、上
記電圧制御型スイッチング素子のゲート電圧の立ち上が
りが遅くなる。したがって、速い周期の連続パルス放電
発光を要求される場合、上記ゲート抵抗の抵抗値を大き
くすることができない。

【０００６】このゲート抵抗の抵抗値を大きくできない
場合、たとえば、速い周期の連続パルス放電発光を要求
される場合等においては、上記メインコンデンサの充電
終了後、長期間にわたりこの状態を放置しておくと、上
記電圧制御型スイッチング素子における上記蓄積電荷の
放電により、この電圧制御型スイッチング素子のゲート
電圧が降下してしまう。

【０００７】また、上述の場合以外でも、メインコンデ
ンサの充電電圧が低下してしまうことも考えられ、この
とき、すなわち、上記電圧制御型スイッチング素子のゲ
ート電圧が所定の電圧値以外にあるときに、閃光発光動
作を行うと、この発光の際に流れる発光電流により該電
圧制御型スイッチング素子が破損してしまう結果とな
る。

【０００８】図５に示すストロボ装置内の閃光発光制御
回路は、上述の問題点を解消する手段として特開昭６３
−１２９３２７号公報に開示されている回路である。

【０００９】図に示すように、この閃光発光制御回路
は、閃光放電管Ｘ２１に直列に接続されている発光制御
用の電圧制御型スイッチング素子Ｔｒ２２と、この電圧
制御型スイッチング素子Ｔｒ２２のゲート電圧のバイア
ス用コンデンサであって、昇圧電源回路２１内のトラン
ス２次巻線のｌｓからダイオーＤ２１を介して充電され
るバイアス電源用コンデンサＣ２１と、このバイアス電
源用コンデンサＣ２１の充電電圧Ｖｃを検出するバイア
ス電圧検出回路２２と、このバイアス電圧検出回路２２
の出力により上記電圧制御型スイッチング素子へのバイ
アス電圧の供給を制御する、バイアス電圧供給制御回路
２３およびバイアス電圧制御トランジスタＴｒ２１とを
具備しており、上記バイアス電圧検出回路２２内のコン
パレータ３１で上記バイアス電源用コンデンサＣ２１の
充電電圧を監視して、該充電電圧が上記電圧制御型スイ
ッチング素子Ｔｒ２２を正常に動作させ得るゲート電圧
以下になったときに、上記バイアス電圧制御トランジス
タＴｒ２１をオフさせて該電圧制御型スイッチング素子
Ｔｒ２２をオフさせ閃光発光を禁止するようになってい
る。これにより、該電圧制御型スイッチング素子Ｔｒ２
２の破損が防止されることとなる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のストロボ装置では、バイアス電源用コンデン
サのバイアス電圧検出回路を設ける必要が有り、近年、
特に小型化が要求されるストロボ内蔵型のカメラ等にお
いてはスペースの増大という問題が生じる。また、コス
トの増大も招き、好ましいことではない。

【００１１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであり、電圧制御型スイッチング素子のバイアス電圧
を検出する特別な回路等を必要とせずに、該電圧制御型
スイッチング素子の破損を防ぐことのできるストロボ装
置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明によるストロボ装置は、図１の概念図に示す
ように、電源電池の低電圧を昇圧する昇圧電源回路１
と、この昇圧電源回路１の出力により充電されるメイン
コンデンサＣ１と、このメインコンデンサＣ１と並列に
接続された閃光放電管Ｘ１と、この閃光放電管Ｘ１の閃
光発光動作を制御する、上記閃光放電管Ｘ１と直列に接
続された電圧制御型スイッチング素子２を有する光量制
御回路と、上記昇圧電源回路１の出力により充電される
とともに、上記閃光放電管Ｘ１に閃光発光動作を開始さ
せるためのトリガーコンデンサを有するトリガー回路３
と、上記電圧制御型スイッチング素子２のゲート端子に
接続され、該電圧制御型スイッチング素子２にバイアス
電圧を印加するツェナーダイオードＺＤ１と、トリガー
信号生成手段５からのトリガー信号ＴＲＧの受信時に、
上記ツェナーダイオードＺＤ１に流れるツェナー電流Ｉ
ｚに基づいて、該トリガー信号ＴＲＧによる発光動作を
許可する発光許可手段４とを具備したことを特徴とす
る。

【００１３】

【作用】本発明においては、上記発光許可手段４が、上
記ツェナーダイオードＺＤ１のツェナー電流Ｉｚに基づ
いて上記電圧制御型スイッチング素子２のゲート電圧を
検出し、該ゲート電圧が、該電圧制御型スイッチング素
子２を正常に動作させる範囲にあるときにのみ、上記閃
光放電管Ｘ１の閃光発光を許可する。

【００１４】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。

【００１５】図２は、本発明の第１実施例であるストロ
ボ装置の構成を示す電気回路図である。

【００１６】この電気回路は、直流電源Ｅ１の低電圧を
直流高電圧に昇圧させるＤＣ／ＤＣコンバータからなる
昇圧電源回路１１と、この昇圧電源回路１１に並列に接
続され、電圧制御型スイッチング素子２（図１参照）で
あるＩＧＢＴ７のバイアス用電荷を蓄えるバイアスコン
デンサＣ３と、該昇圧電源回路１１に、逆流防止用ダイ
オードＤ２を介して並列に接続されたメインコンデンサ
Ｃ１と、該メインコンデンサＣ１に並列に接続された閃
光放電管Ｘ１，上記ＩＧＢＴ７を有する光量制御回路１
２からなる直列回路と、上記昇圧電源回路１１内の上記
直流電源Ｅ１に対して並列に接続されたトランジスタＴ
ｒ４，抵抗Ｒ１０，Ｒ１１からなる直列回路を有して、
上記メインコンデンサＣ１に並列に接続されたトリガー
回路１３と、上記昇圧電源回路１１および上記バイアス
コンデンサＣ３の正極側の出力端子より抵抗Ｒ１５を介
してカソードが接続され、このカソードに生じるツェナ
ー電圧Ｖｚにより上記ＩＧＢＴ７のゲート電圧を生成す
るツェナーダイオードＺＤ１と、該ツェナーダイオード
ＺＤ１のアノードと上記トランジスタＴｒ４のコレクタ
間に接続され、該ツェナーダイオードＺＤ１のツェナ電
流Ｉｚの電流値の大きさにより上記トリガー回路１３の
動作を制御する発光許可回路１４と、上記昇圧電源回路
１１，上記トリガー回路１３，上記光量制御回路１２と
に対してそれぞれ制御信号を送信するコントロール回路
１５とで、その主要部が構成されている。

【００１７】上記昇圧電源回路１１は、電池等の低電圧
の直流電源Ｅ１と、この直流電源Ｅ1 の両端に並列に接
続された、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，抵抗Ｒ４，Ｒ
３からなる直列回路と、同じく上記直流電源Ｅ１と並列
に接続された、昇圧トランスＴ１の１次巻線とトランジ
スタＴｒ３とからなる直列回路と、整流用ダイオードＤ
１と上記昇圧トランスＴ１の２次巻線および抵抗Ｒ５と
からなる直列回路と、上記トランジスタＴｒ１のベース
−エミッタ間に接続された抵抗Ｒ１とが図示のように接
続されて構成されている。なお、上記トランジスタＴｒ
１のベースは抵抗Ｒ２を介して上記コントロール回路１
５の制御信号出力端子Ｐ１に接続され、同コントロール
回路１５からの制御信号ＣＨＧを受けるようになってい
る。

【００１８】上記メインコンデンサＣ１は、上記昇圧電
源回路１１から逆流防止用ダイオードＤ２を介して供給
される直流高電圧によって充電され、この直流高電圧を
閃光放電管Ｘ１に印加するようになっていて、この閃光
放電管Ｘ１は、上記トリガー回路１３からトリガー電極
Ｘ１ｔにトリガー電圧が印加されることにより、キセノ
ンガス等を封入した放電管内がイオン化され、瞬時に放
電発光するようになっている。

【００１９】上記トリガー回路１３は、上記昇圧電源回
路１１の出力端に並列に接続された抵抗Ｒ１２とトリガ
ーサイリスタＳＣＲ１とからなる直列回路と、このトリ
ガーサイリスタＳＣＲ１に並列に接続されたトリガーコ
ンデンサＣ２とトリガートランスＴ２の１次巻線とから
なる直列回路と、上記トリガー電極Ｘ１ｔに接続された
上記トリガートランスＴ２の２次巻線と、上記昇圧電源
回路１１内の上記直流電源Ｅ１に並列に接続されたトラ
ンジスタＴｒ４，抵抗Ｒ１０，Ｒ１１からなる直列回路
とが図示のように接続されて構成されている。なお、上
記トランジスタＴｒ４のベースが抵抗Ｒ６を介して上記
コントロール回路１５の制御信号出力端子Ｐ２に接続さ
れ、同コントロール回路１５からの制御信号ＴＲＧを受
けるようになっている。

【００２０】上記光量制御回路１２は、発光電流ループ
に対して直列に接続されるとともに、ゲートが上記ツェ
ナーダイオードＺＤ１のカソードに接続され、上記閃光
放電管Ｘ１の発光光量の制御を行うＩＧＢＴ７と、該Ｉ
ＧＢＴ７のゲート−エミッタ間に接続されたトランジス
タＴｒ８と、該トランジスタＴｒ８のバイアス電圧を生
成する抵抗Ｒ１３とが図示のように接続されて構成され
ている。上記ＩＧＢＴ７は、上記ツェナーダイオードＺ
Ｄ１のツェナー電圧をゲート電圧としており、したがっ
て、このツェナー電圧が所定値以下になると該ＩＧＢＴ
７はオフするようになっている。なお、上記トランジス
タＴｒ８のベースが抵抗Ｒ１４を介して上記コントロー
ル回路１５の制御信号出力端子Ｐ３に接続され、同コン
トロール回路１５よりの制御信号ＳＴＰを受けるように
なっている。

【００２１】上記コントロール回路１５は、その制御信
号出力端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３がそれぞれ上記昇圧電源回
路１１，トリガー回路１３，光量制御回路１２に接続さ
れていて、該コントロール回路１５内にあるＣＰＵから
の各出力信号（ＣＨＧ，ＴＲＧ，ＳＴＰ）により種々の
制御を行うようになっている。

【００２２】上記発光許可回路１４は、前記トランジス
タＴｒ４のコレクタに接続され、前記抵抗Ｒ１０，Ｒ１
１からなる直列回路に並列に接続された、抵抗Ｒ７，Ｒ
８からなる直列回路と、この抵抗Ｒ８に並列にエミッタ
接地で接続され、ベースが上記ツェナーダイオードＺＤ
１のアノードに接続されたトランジスタＴｒ６と、この
トランジスタＴｒ６のバイアス電圧を生成する抵抗Ｒ９
と、ベースが該トランジスタＴｒ６のコレクタに接続さ
れ、エミッタ接地されているトランジスタＴｒ５とが図
示のように接続されて構成されている。また、上記トラ
ンジスタＴｒ５のコレクタは上記トリガーサイリスタＳ
ＣＲ１のゲートに接続されていて、該トランジスタＴｒ
５および上記トランジスタＴｒ４の動作により該サイリ
スタＳＣＲ１のオン・オフを制御するようになってい
る。

【００２３】なお、図中、符号Ｖｓ，Ｖｇ，Ｉｚはそ
れぞれ、バイアスコンデンサＣ３の充電電圧，ＩＧＢＴ
７のゲート電圧，ツェナーダイオードＺＤ１のツェナー
電流を示す。上記ゲート電圧Ｖｇは、実際には上記ツェ
ナーダイオードＺＤ１のツェナー電圧Ｖｚと、前記トラ
ンジスタＴｒ６のベース−エミッタ間電圧ＶBEの和とな
っている。

【００２４】次に、このように構成された本第１実施例
の各部の動作を、図３のタイムチャートとともに説明す
る。

【００２５】前記コントロール回路１５が前記昇圧電源
回路１１に、“Ｌ”レベルの制御信号ＣＨＧを送信する
と（ステップＳ１）、トランジスタＴｒ１のエミッタ−
コレクタ間〜トランジスタＴｒ２のエミッタ−ベース間
〜抵抗Ｒ５に対して電流が流れ、トランジスタＴｒ２に
コレクタ電流が流れる。このトランジスタＴｒ２のコレ
クタ電流はトランジスタＴｒ３のベース電流となって同
トランジスタＴｒ３にコレクタ電流を流す。すると、昇
圧トランスＴ１の１次巻線に電流が流れ、このとき発生
する、上記１次巻線の２次巻線に対する鎖交磁束によっ
て上記２次巻線には高電圧が誘起される。

【００２６】これにより、バイアスコンデンサＣ３に充
電電流が流れるとともに、ダイオードＤ２，トリガー回
路３内の抵抗Ｒ１２を介して該トリガー回路３内のトリ
ガーコンデンサＣ２に、また、ダイオードＤ２を介して
メインコンデンサＣ１にも、ともに充電電流が流れる。
これらの充電電流は、上記トランジスタＴｒ３のベース
電流が増加するのにともない増加して上記コンデンサＣ
１〜Ｃ３を充電する。そして、この正帰還作用によって
上記トランジスタＴｒ３は飽和状態となる。

【００２７】すると、昇圧トランスＴ１の１次側の電流
変化がなくなるために、２次側の磁束変化もなくなる。
よって、昇圧トランスＴ１の２次側には、ダイオードＤ
１に対して逆電圧をかけるような電圧が生じ、トランジ
スタＴｒ２を逆バイアスすることにより、トランジスタ
Ｔｒ２のコレクタ電流が止まりトランジスタＴｒ３もオ
フする。ここで、昇圧トランスＴ１の２次巻線には振動
が起こり、トランジスタＴｒ２を正バイアスする半波の
ときに上記トランジスタＴｒ２が再びオンとなり、前記
の初期状態に戻り次の１サイクルの動作を開始する。そ
して、このような発振動作を繰り返し行うことにより、
バイアスコンデンサＣ３，トリガーコンデンサＣ２，メ
インコンデンサＣ１とが所定の電圧まで充電されること
になる。

【００２８】さて、上記トリガーコンデンサＣ２には、
昇圧電源回路１１〜抵抗Ｒ１２〜トリガーコンデンサＣ
２〜トリガートランスＴ２の１次巻線〜昇圧電源回路１
１という閉ループで充電電流が流れるため、このトリガ
ーコンデンサＣ２は、メインコンデンサＣ１と同じ電圧
まで充電されることになる。

【００２９】また、前記光量制御回路１２において、コ
ントロール回路１５からの制御信号ＳＴＰがオフのとき
は、同コントロール回路１５からは“Ｌ”レベルの制御
信号ＣＨＧが前記昇圧電源回路１１に対して送信されて
いるので、昇圧電源回路１１〜抵抗Ｒ１５〜ＩＧＢＴ７
のゲート−エミッタ間〜昇圧電源回路１１の閉ループに
沿って電流が流れ、上記ＩＧＢＴ７のゲート−エミッタ
間にある容量分が充電される。この充電電圧は、ツェナ
ーダイオードＺＤ１によって上記ＩＧＢＴ７のゲート電
圧Ｖｇに必要な電圧に保たれる。ここで、該ＩＧＢＴ７
のゲート電圧Ｖｇは、ツェナーダイオードＺＤ１のツェ
ナー電圧Ｖｚと上記トランジスタＴｒ６のベース−エミ
ッタ間電圧ＶBEの和となっている。

【００３０】Ｖｇ＝Ｖｚ＋ＶBE いま、たとえば、Ｖｚ＝３６Ｖ，ＶBE＝０．６Ｖであるとすると、Ｖｇ＝Ｖｚ＋ＶBE＝３６＋０．６＝３６．６Ｖとなる。一般にＩＧＢＴは、そのゲート電圧Ｖｇが約２
０Ｖ〜４０Ｖにあるときに正常な動作を保証されている
ので、該ＩＧＢＴ７を正常に動作させる範囲であるな
ら、上記ツェナー電圧Ｖｚと上記ベース−エミッタ間電
圧ＶBEとを適当値に設定することができる。

【００３１】ここで、上記バイアスコンデンサＣ３の充
電電圧Ｖｓが所定の電圧、すなわち、上記ＩＧＢＴ７の
ゲート電圧Ｖｇ（＝Ｖｚ＋ＶBE）以上に保たれていると
き（ステップＳ２）には、上記ツェナーダイオードＺＤ
１には所定の電流値のツェナー電流Ｉｚが流れている。
そして、このツェナー電流Ｉｚにより前記発光許可回路
１４内のトランジスタＴｒ６がオンすることにより、同
回路１４内のトランジスタＴｒ５がオフする。

【００３２】このときに、上記コントロール回路１５か
ら“Ｌ”レベルの制御信号ＴＲＧが上記トリガー回路１
３に送信されると（ステップＳ３）、該トリガー回路１
３内のトランジスタＴｒ４がオンする。このときに、上
述したように上記トランジスタＴｒ５はオフしているの
で、前記トリガーサイリスタＳＣＲ１がオンすることに
なる。これにより、上記トリガーコンデンサＣ２に蓄え
られた電荷は、トリガーコンデンサＣ２〜トリガーサイ
リスタＳＣＲ１〜トリガートランスＴ２の１次巻線〜ト
リガーコンデンサＣ２による閉ループに沿って流れ、上
記トランスの１次巻線の２次巻線に対する鎖交磁束が生
じるため２次巻線には高電圧が誘起され、トリガー電圧
としてトリガー電極Ｘ１ｔに印加されて、閃光放電管Ｘ
１が発光するに至る。

【００３３】この後、コントロール回路１５より前記光
量制御回路１２に対して“Ｈ”レベルのＳＴＰ信号が出
力されると、トランジスタＴｒ８がオンする。これによ
り上記ＩＧＢＴ７のゲート容量に充電されていた電荷は
上記トランジスタＴｒ８を流れ、ＩＧＢＴ７のゲート−
エミッタ間電圧は０Ｖとなり、該ＩＧＢＴ７がオフし、
閃光放電管Ｘ１の発光が停止する。

【００３４】次に、上記バイアスコンデンサＣ３の充電
電圧Ｖｓが、たとえば、上記ＩＧＢＴ７のゲート−エミ
ッタ間の絶縁抵抗による漏れ電流により低下したときの
本第１実施例の動作について説明する。

【００３５】上述のような要因により上記バイアスコン
デンサＣ３の充電電圧Ｖｓが低下して、ツェナーダイオ
ードＺＤ１がツェナー電圧Ｖｚを生じうるだけのツェナ
ー電流Ｉｚを流せなくなると、該ツェナー電流Ｉｚは瞬
時にゼロ付近まで下がってしまい（ステップＳ４）、上
記トランジスタＴｒ６はオフする。この状態のときに、
上記コントロール回路１５がトリガー電圧を生成すべく
“Ｌ”レベル制御信号ＴＲＧをトリガー回路１３に送信
すると（ステップＳ５）、上述したように上記トランジ
スタＴｒ６はオフしているため、トランジスタＴｒ４が
オンすることよりトランジスタＴｒ５はオンすることに
なる。したがって、トリガーサイリスタＳＣＲ１のゲー
トには電圧が印加されず該サイリスタＳＣＲ１はオンで
きない。これにより、上記制御信号ＴＲＧが送信されて
いるにもかかわらず上記閃光放電管Ｘ１は閃光発光せ
ず、上記ＩＧＢＴ７にも発光電流は流れない。

【００３６】上述したように、該ＩＧＢＴ７のゲート
に、該ＩＧＢＴ７を充分に飽和させうるだけのゲート電
圧Ｖｇ（＝Ｖｚ＋ＶBE）が印加されているときは、発光
許可回路１４によって上記閃光放電管Ｘ１の閃光発光を
許可し、該ゲート電圧Ｖｇが低下したときは、該閃光放
電管Ｘ１の閃光発光を禁止して、該ＩＧＢＴ７のゲート
電圧不足による破損を防ぐことができる。

【００３７】なお、本第１実施例においては、電圧制御
型スイッチング素子２（図１参照）として、ＩＧＢＴを
使用した例を挙げたが、このＩＧＢＴ以外の、たとえ
ば、ＦＥＴ等の電圧制御型スイッチング素子でも同様な
効果が得られる。

【００３８】図４は、本発明の第２実施例であるストロ
ボ装置の構成を示す電気回路図である。

【００３９】この第２実施例の上記第１実施例との相違
点は、上記第１実施例では、前記発光許可手段４（図１
参照）である発光許可回路１４がトリガー回路１３の動
作を制御していたのに対して、本第２実施例では、該発
光許可手段４である発光許可回路が、電圧制御型スイッ
チング素子２（図１参照）であるＩＧＢＴを直接制御す
る点にある。

【００４０】図４に示すように、本第２実施例は、上記
第１実施例における発光許可回路１４に代わりに、発光
許可手段４である発光許可回路１４ａがＩＧＢＴ７のゲ
ートとツェナーダイオードＺＤ１のカソードとの間に挿
入されている以外は、上記第１実施例と同様な構成，作
用を有する。

【００４１】上記発光許可回路１４ａは、光量制御回路
１２内のトランジスタＴｒ８に並列に接続されたトラン
ジスタＴｒ９と、該トランジスタＴｒ９のバイアス電圧
を生成する抵抗Ｒ１６と、上記トランジスタＴｒ９のベ
ースにコレクタが接続され、エミッタ接地となってい
て、ベースがツェナーダイオードＺＤ１のアノードに接
続されたトランジスタＴｒ１０と、該トランジスタＴｒ
１０のバイアス電圧を生成する抵抗Ｒ１８とが図示のご
とく接続され構成されている。また、上記トランジスタ
Ｔｒ９のベースは抵抗Ｒ１７を介して、トリガー回路１
３内のトランジスタＴｒ４のコレクタに接続されてい
る。

【００４２】本第２実施例においても、上記第１実施例
と同様にバイアスコンデンサＣ３の充電電圧Ｖｓが充分
に高いとツェナーダイオードＺＤ１にツェナー電流Ｉｚ
が流れる。このツェナー電流Ｉｚにより、トランジスタ
Ｔｒ１０がオンするので、トランジスタＴｒ９はオフし
たままである。したがって、ＩＧＢＴ７には充分なゲー
ト電圧Ｖｇが印加されているので、該ＩＧＢＴ７はオン
しており、コントロール回路１５からの制御信号ＳＴＰ
によってのみ、その動作が制御されることになる。

【００４３】このときに、コントロール回路１５から
“Ｌ”レベルの制御信号ＴＲＧがトリガー回路１３に送
信されると、該トリガー回路１３が動作して閃光放電管
Ｘ１が閃光発光することとなる。

【００４４】次に、上記バイアスコンデンサＣ３の充電
電圧Ｖｓが低下して、上記ツェナーダイオードＺＤ１の
ツェナー電流Ｉｚの電流値がゼロ付近まで下がると、上
記トランジスタＴｒ１０がオフする。

【００４５】このときに、上記コントロール回路１５か
ら“Ｌ”レベルの制御信号ＴＲＧがトリガー回路１３に
送信されると、該トリガー回路１３内のトランジスタＴ
ｒ４がオンするため上記トランジスタＴｒ９がオンし
て、瞬時に上記ＩＧＢＴ７のゲート電圧ＶｇがＧＮＤレ
ベルまで低下し該ＩＧＢＴ７はオフすることになる。こ
のとき、該ＩＧＢＴ７のコレクタ−エミッタ間は絶縁状
態にあるので、上記閃光放電管Ｘ１は閃光発光するに至
らない。したがって、該ＩＧＢＴ７には発光電流は流れ
ることはなく、上記第１実施例と同様に該ＩＧＢＴ７の
破損を防ぐことができる。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、バ
イアス回路を形成する定電圧素子を巧みに利用して、発
光の許可，禁止を制御するようにしたので、従来のもの
のように電圧制御型スイッチング素子のバイアス電圧を
検出する特別な回路を設けることなく、該電圧制御型ス
イッチング素子の破損を防ぐことができ、さらにスペー
スやコストの減少を図れるという効果も得られるストロ
ボ装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の概念を示したストロボ装置の構成ブロ
ック図。

【図２】本発明の第１実施例を示すストロボ装置の電気
回路構成図。

【図３】上記第１実施例のストロボ装置の動作を示すタ
イムチャート。

【図４】本発明の第２実施例を示すストロボ装置の電気
回路構成図。

【図５】従来のストロボ装置の１例を示す電気回路図。

【符号の説明】

１…昇圧電源回路２…電圧制御型スイッチング素子３…トリガー回路４…発光許可手段５…トリガ信号生成回路Ｃ１…メインコンデンサＸ１…閃光放電管ＺＤ１…ツェナーダイオード

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】メインコンデンサの放電ループ中に介挿さ
れた、閃光放電管と電圧制御型スイッチング素子とから
なる直列回路と、上記電圧制御型スイッチング素子の制御端子に接続さ
れ、該電圧制御型スイッチング素子にバイアス電圧を印
加するツェナーダイオードと、トリガー信号の受信時に、上記ツェナーダイオードに流
れるツェナー電流に基づいて、該トリガー信号による発
光動作を許可する発光許可手段と、を具備したことを特徴とするストロボ装置。