JP2722574B2 - 電子閃光装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、閃光放電管の発光と発光停止とを制御する
スイッチング素子として電圧制御型スイッチング素子例
えば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT:Insul
ated Gate Bipolar Transistor）を用いた電子閃光装置
に関する。

B.従来の技術 従来の電子閃光装置においては、閃光放電管と直列に
サイリスタを接続するのが一般的である。しかし、サイ
リスタを用いる場合は、閃光放電管の発光を途中で停止
させるために周知の転流回路が必要であり、コストおよ
び電気回路を収納するスペースの点で問題があった。

このような問題を解決するためサイリスタに代えてゲ
ートターンオフスイッチング素子を用いた特公昭49−39
416号公報の装置や、大電流用バイポーラトランジスタ
を用いた特開昭58−197694号あるいは特開昭58−197695
号公報の装置などが提案されている。しかし、これらの
装置は形状が大きく実装上の問題があり実用に至ってな
い。また、制御端子（ゲート）に印加する電圧によって
オン・オフを制御するFETを発光制御素子として用いた
ものは特開昭61−50125号公報で提案されているが、FET
内部での損失が多く、効率上の問題があった。

ところで、近年開発された絶縁ゲート型バイポーラト
ランジスタ（以下、IGBTと呼ぶ）は大きさも小さく、低
損失であることで電子閃光装置の発光制御用スイッチン
グ素子（以下、発光制御素子と呼ぶ）として理想的なも
のであり、最近、電子閃光装置の発光制御素子として使
用されはじめた。このIGBTは、ゲート，コレクタ，エミ
ッタの３端子を有し、コレクタとエミッタ間の導通，非
導通がゲート・エミッタ間に印加する電圧によって制御
するFETと同様の電圧制御型のスイッチング素子であ
る。

IGBTを導通するには、通常、エミッタが接地電位とす
ればゲート（制御端子）に20〜40ボルトの中電圧を印加
し、非導通にするにはゲートとエミッタを同電位にす
る。したがってIGBTをオン・オフするため制御端子に印
加する駆動電圧は、電源電圧（通常のストロボでは３〜
12ボルト程度）では低すぎ、閃光放電管の放電電荷を蓄
える主コンデンサの電圧（通常300〜500ボルト）では高
すぎる。そのため、IGBTを制御する電源を別途設けなく
てはならず、コストおよびその設置スペースの点で難が
あった。

C.発明が解決しようとする課題 そこで、特開昭58−197695号あるいは、特開昭60−50
125号公報の装置のように、主コンデンサを充電するDC
−DCコンバータのトランスの２次巻線に中間タップを設
けて必要な電圧源を確保することも考えられる。しか
し、発光直後にDC−DCコンバータの負荷としての主コン
デンサの電圧が降下すると中間タップから取り出す電圧
も変動してしまい、次の発光に際して必要な電圧が得ら
れないおそれがある。また、主コンデンサを所定の電圧
まで充電完了した後はDC−DCコンバータを停止させ、こ
れによりDC−DCコンバータのアイドリング電流を無く
し、エネルギーの浪費を防ぐようにした電子閃光装置に
おいては、トランスの２次巻線に中間タップを設けても
必要な電圧が得られないという問題が生ずる。

本発明の技術的課題は、IGBTのような電圧制御型の発
光制御用スイッチング素子の駆動電圧を特別の駆動回路
を設けることなく簡単な回路構成で取り出すことにあ
る。

D.課題を解決するための手段 一実施例を示す第１図により説明すると、本発明は、
電源ラインl6と接地ラインGNDとの間に介装された閃光
放電管Ｘと、電源Ｅにより昇圧充電されて閃光放電管Ｘ
を発光させる電荷を蓄積する主コンデンサMCと、発光開
始用のトリガコンデンサC2、トリガトランスＴの働きで
閃光放電管Ｘにトリガ電圧を印加するトリガ回路TCと、
該トリガ回路TCの作動を指令する第１のスイッチング素
子SCRと、閃光放電管Ｘを流れる放電電流を流通・遮断
する第２のスイッチング素子Q2とを具備する電子閃光装
置に適用される。

そして、次の構成により上述の技術的課題が解決され
る。

第２のスイッチング素子Q2を、制御端子に印加される
電圧によりオン・オフする電圧制御型のスイッチング素
子（例えば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）とす
る。また、電源ラインl6と接地ラインGNDとの間に介装
され、主コンデンサMCの充電時に充電されるコンデンサ
C2とインダクタL2とから成り第１のスイッチング素子SC
Rがオンすると発振するLC共振回路と、このLC共振回路
の発振電圧を第２のスイッチング素子Q2の制御電圧に適
した値にクランプするクランプ回路CCとを設ける。さら
に、このクランプ回路CCの出力電圧を第２のスイッチン
グ素子Q2の制御端子に接続する。

E.作用 LC共振回路のコンデンサC2は主コンデンサMC充電時に
充電される。第１のスイッチング素子SCRがオンするとL
C共振回路が発振し、このLC共振回路の発振電圧がクラ
ンプ回路CCにより第２のスイッチング素子Q2の制御電圧
に適した値にクランプされる。このクランプ電圧は、電
圧制御型のスイッチング素子、例えば絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタIGBT（Q2）の制御端子に印加され、
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBT（Q2）がオン
して閃光放電管Ｘが発光を開始する。絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタIGBT（Q2）の制御電圧が零ボルトに
するとトランジスタIGBT（Q2）が非導通となり閃光放電
管Ｘの発光が停止する。

以上のＤ項およびＥ項では発明を判りやすくするため
に実施例の図面と符号を用いたが、これにより本発明が
実施例に限定されるものではない。

F.実施例 −第１の実施例− 第１図および第２図により本発明の電子閃光装置の第
１の実施例を説明する。

第１図において、Ｅは電池等から成る電子閃光装置の
低圧電源、SW1は電源スイッチ、１はDC−DCコンバータ
であり、電源スイッチSW1を開閉するとDC−DCコンバー
タ１は昇圧動作を開始し、その高電圧出力がダイオード
D1,D2を介しインダクタL1を通って主コンデンサMCに流
れ、それにより閃光発光のためのエネルギーを充電する
とともに、小容量のコンデンサC1も充電される。

充電電圧検知回路２は、電源ラインl7と接地ラインGN
D間が所定の電圧（V_CM）に達するとそれを検知し、DC−
DCコンバータ１の昇圧動作の停止をその入力１−２を介
して指令する。充電電圧検知回路２はまた、充電完了後
所定の時間が経過すると、定期的にDC−DCコンバータ１
を再起動させ、主コンデンサMCの充電電圧を常に一定電
圧（V_CM）に保つように動作する。主コンデンサMCに並
列に接続されるその他の回路は待機状態においては、直
流的な放電ループがなく、主コンデンサMCの電荷は長時
間保持される。

電源ラインl6と接地GNDとの間には閃光放電管Ｘが接
続され、これに直列に電圧制御型スイッチング素子とし
て絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT:第２の
スイッチング素子）Q2が接続されている。

トリガ回路TCは、抵抗R2,トリガコンデンサC2,サイリ
スタSCR,トリガトランスＴで構成され、トリガトランス
Ｔの２次巻線の両端は、閃光放電管Ｘのトリガ電極とカ
ソード電極間に接続されている。トリガコンデンサC2は
主コンデンサMCのプラス電極から→抵抗R2→トリガコン
デンサC2→トリガトランスＴの１次巻線L2→主コンデン
サMCのマイナス電極のループで予め充電される。

CCはクランプ回路であり、ダイオードD4、コンデンサ
C3、抵抗４、ツェナダイオードD5から構成され、トリガ
コンデンサC2とトリガトランスＴの１次巻線L2で構成さ
れ、LC共振回路の出力電圧のピーク値をコンデンサC3で
ホールドし、ツェナダイオードD5で所定値、例えば40V
にクランプする。このクランプ電圧はIGBT（Q2）のゲー
トに印加される。

３はTTLカメラ５とのインタフェース回路であり、カ
メラ５のレリーズ動作に連動して入力３−３〜３−５を
介してカメラ５側から各種信号を受け、その出力３−1,
3−2,3−６に各種信号を出力する。出力３−１は閃光開
始を指令する信号、出力３−２は閃光停止を指令する信
号、出力３−６は充電電圧検知回路２を介してDC−DCコ
ンバータ１に昇圧動作の再起動を指令する信号を出力す
るものである。

TTL調光可能なカメラ５は、レリーズされるとシンク
ロスイッチSW2が閉成して発光開始信号を電子閃光装置
との接点３−４へ出力し、電子閃光装置の照射光による
被写体からの反射光を撮影レンズ６を介して測光回路４
内の受光素子４−１で測光し、所定の光量に至ると発光
停止信号を接点３−５へ出力する。

インタフェース回路３は、接点３−４から発光開始信
号を受けると、出力３−２をハイレベルからローレベル
に変化させるとともに出力３−１をハイレベルにする。
これにより、トリガ回路TCのサイリスタSCR（第１のス
イッチング素子）のゲートを抵抗R1を介してハイレベル
にしサイリスタSCRを導通する。また、接点３−５より
発光停止信号を受けると出力３−２をハイレベルにし、
抵抗R3を介して発光停止用トランジスタQ1のベースに電
流を注入してトランジスタQ1を導通させ、IGBT（Q2）の
ゲートをローレベルにしてIGBT（Q2）をオフして発光を
停止させる。

第２図のタイミングチャートを用いて発光動作を説明
する。主コンデンサMC,トリガコンデンサC2は予め充電
されているとする。

インタフェース回路３の出力３−１が時点t0でハイレ
ベルになると（第２図:3−１参照）サイリスタSCRが導
通し、トリガコンデンサC2が急放電を開始する（第１
図，第２図:l1参照）。トリガコンデンサC2の放電電流
はサイリスタSCRを介してトリガトランスＴの１次巻線L
2からトリガコンデンサC2の閉ループを流れ、１次巻線L
2とトリガコンデンサC2によるLC共振回路が減衰振動を
発生する（第１図，第２図:l2参照）。その振動周波数
ｆは、 ただし、L2:トリガトランスＴの１次巻線L2のインダク
タンス,C2:トリガコンデンサC2の容量 となる。時点t0でオンしたサイリスタSCRは、点l1の電
圧が負になる時点t2までの1/2周期の間 はオンを維持し、時点t2以後、サイリスタSCRのアノー
ド電位（第１図の点l1の電位）が約マイナスV_CMとなる
過程でサイリスタSCRがオフする。また、時点t0→t1ま
での放電サイクルの間にトリガトランスＴの２次巻線に
は数キロボルトの高電圧が発生し、トリガ電極TGを介し
て閃光放電管Ｘに放電起動がかかる。しかし、この時点
ではIGBT（Q2）がオフしているから、閃光放電管Ｘはま
だ発光を開始せず、閃光放電管Ｘのアノード・カソード
間の抵抗が下がっていき導通が開始され、微小電流が流
れ出した状態でありl8の電位は上昇する（第１図，第２
図:l8参照）。

点l2の電位は、時点t0でマイナスV_CM（V_CMは主コンデ
ンサMCの充電電圧）からスタートし、時点t2でほぼプラ
スV_CMに復帰した後、減衰振動を繰り返す。この点l2に
現れる電圧は、ダイオードD4を介してコンデンサC3にピ
ークホールドされ、点l3の電圧V3は点l2の電圧に対し
て、V3≒V2となる。発明者の実験によれば、V3＝1/2V_CM
〜2/3V_CMの高電圧を得ることができた。

つまり、時点t1〜t2においてコンデンサC3が充電され
る。このコンデンサC3に充電された電荷は抵抗R4を介し
てツェナダイオードD5が流れ、ツェナダイオードD5のカ
ソード端子の点l4には第２図l4に示すようにツェナ電圧
（数十ボルト）が発生する。このツェナ電圧がIGBT（Q
2）のゲートに印加されてIGBT（Q2）が導通する。した
がってIGBT（Q2）は時点t1〜t2の間に導通する。

ここで、閃光放電管Ｘは時点t0〜t1の間に起動がかか
っているので、閃光放電管Ｘのカソード電位を示す点l8
の電圧は上昇を開始しており、点l4に電圧が発生してIG
BT（Q2）が導通すると、第２図の時点t1〜t2の間で点l8
の電圧が降下する。IGBT（Q2）と閃光放電管Ｘとがこの
ように導通すると、閃光放電管Ｘ内の希ガスは急速にそ
のインピーダンスが低下し、第２図の時点t2〜t3の間で
放電発光を開始する（第２図:X参照）。

時点t3においてインターフェース回路３の出力３−２
がハイレベルとなり発光停止信号が出力されると、トラ
ンジスタQ1が導通してツェナ電圧、すなわちIGBT（Q2）
のゲート電圧が零ボルトとなり、IGBT（Q2）は瞬時に非
導通となって閃光放電管Ｘはその放電ループが遮断され
て発光を停止する。このとき、閃光放電管Ｘのカソード
電圧はIGBT（Q2）がオフするから一瞬上昇する。また、
コンデンサC3の電荷も抵抗R4→トランジスタQ1を介して
放電される。

なお、カメラ５が発光停止信号をインターフェース回
路３の入力３−５に出力しない場合、換言するとフル発
光する場合には、主コンデンサMCのほぼ全電荷が放電さ
れたタイミングの時点t4でインターフェース回路３の出
力３−２を第２図に破線で示すようにハイレベルにして
トランジスタQ1を導通し、IGBT（Q2）のゲート電圧を零
ボルトに付勢してノイズ等でIGBT（Q2）が不用意にオン
しないようにして、DC−DCコンバータ１より供給される
電流によって閃光放電管Ｘが弱く発光しつづけることを
防止する。

なお、第２図において、時点t0を起点としてt1は約マ
イクロ秒、t2は約２マイクロ秒、t3は数十マイクロ秒〜
数ミリ秒、t4は約10ミリ秒以下の時間の動きである。

また、インダクタL1は、閃光放電管Ｘを介してIGBT
（Q2）を流れる電流の急激な立上りを防止し、サージ電
流に対してIGBT（Q2）を保護するとともに、発光の立上
りを押さえて調光特性を改善するためのものであり、ダ
イオードD3は発光停止時にインダクタL1の逆起電圧から
IGBT（Q2）を保護するためのものである。

さらに第２図において、電子閃光装置の調光動作が終
了した後の時点t5において、サイリスタSCRのアノード
点l1は負から正の電圧へ移行する。この時点で、抵抗R2
の抵抗値が小さく、主コンデンサMCの残電圧が高い状態
でサイリスタSCRのゲート電圧がハイレベルであると
（フル発光状態でインターフェース回路３の出力３−１
の発光開始信号を維持している場合）、サイリスタSCR
に保持電流以上の電流が給電されサイリスタSCRが導通
したままとなってしまい、再度発光できなくなる。した
がって、かかる不具合を防止するために、サイリスタSC
Rのアノード電圧が正に移行する時点t5以前に発光開始
信号をローレベルにもどす必要がある。

ここで、点l1のアノード電圧が正になるまでの時間
（t5−t0）は次のように導かれる。

ここでC2:トリガコンデンサC2の容量 R2:抵抗R2の抵抗値 例えばC2＝0.047μF,R2＝100KΩに設定すると、t5−t
0＝約3.26msとなる。したがって、時点t0で発光開始し
てから3.26ms経過前に発光開始信号を立ち下がればよ
い。実際には発光開始信号は数10μｓ程度あれば充分で
あり、問題はない。また、このようにC2,R2を設定する
場合、約100Hz程度の速い繰り返しトリガが可能とな
る。

この第１の実施例によれば、閃光放電管Ｘの発光制御
用スイッチング素子としてIGBT（Q2）を使用するにあた
って、トリガ回路TCを構成するトリガコンデンサC2とト
リガトランスＴの１次巻線によるLC共振回路の発振電圧
をクランプ回路CCでクランプし、その結果得られた数十
ボルトの電圧をIGBT（Q2）のゲートに印加するようにし
た。したがって、別設の中電位（数十ボルト）用の電源
回路が不要となり、スペース的に有利となる。また、発
光タイミングの遅れも全くない。さらに、トリガコンデ
ンサC2,トリガトランスＴの１次巻線が主コンデンサMC
から給電を受けるものの、それらは待機時の直流インピ
ーダンスが無限大であり主コンデンサMCに対して放電ル
ープのない回路を構成でき、発光開始時にDC−DCコンバ
ータ１が停止しているような場合でも発光が可能であ
り、省エネを図った電子閃光装置にも本発明を適用でき
る。

−第２の実施例− 第３図は本発明の第２の実施例である。カメラ５、撮
影レンズ６、電源Ｅ、DC−DCコンバータ１、充電電圧検
知回路２、インターフェース回路３、主コンデンサMC等
は第１の実施例と同一であり、図示は省略している。ま
た、第１図と同様な箇所には同一の符号を付し、相異点
を中心にして第２の実施例を第３図および第４図により
説明する。

第２の実施例においては、閃光放電管ＸとIGBT（Q2）
のコレクタとの間にダイオードD6を挿入し、発光トリガ
時に閃光放電管Ｘのアノード・カソード間に主コンデン
サMCの充電電圧V_CMの２倍の電圧を印加するようにした
ものである。

サイリスタSCRのアノードと閃光放電管Ｘのカソード
間に倍圧コンデンサC4と電流制限用抵抗R6が直列に接続
されている。倍圧コンデンサC4は事前に主コンデンサMC
→抵抗R2→倍圧コンデンサC4→抵抗R6→ダイオードD6→
抵抗R5のルートでV_CMの電圧に充電されている。この状
態から時点t0でハイレベルの発光開始信号がサイリスタ
SCRのゲートに入力されるとサイリスタSCRは導通し、そ
のアノード電位、つまり点l1の電位はV_CMからローレベ
ルに変化する（第４図:l1参照）。その結果、倍圧コン
デンサC4の反対側電極の電位、つまり閃光放電管Ｘのア
ノード側l8の電位は零ボルトからマイナスV_CMに変化す
る（第４図:l8参照）。したがって時点t1において、閃
光放電管Ｘのアノードとカソード間には２×V_CMの電圧
が印加される。

また第１図で説明したとおり、時点t0〜t1の期間に、
閃光放電管Ｘのトリガ電極にはトリガ電圧が印加されて
おり、閃光放電管Ｘのアノード・カソード間には放電時
の起動電流が流れ始める。この起動電流は、主コンデン
サMCのプラス電極→閃光放電管Ｘ→抵抗R6→倍圧コンデ
ンサC4→サイリスタSCR→主コンデンサMCのマイナス電
極と流れる。時点t1〜t2の期間にIGBT（Q2）のゲート電
位、つまり点l4の電位は前述のごとくハイレベルとなり
（第４図:l4参照）IGBT（Q2）が導通し、発光電流は、
主コンデンサMCのプラス電極→閃光放電管Ｘ→ダイオー
ドD6→IGBT（Q2）→主コンデンサMCのマイナス電極と流
れて閃光放電管Ｘが発光する。発光電流がIGBT（Q2）に
流れ出すのは時点t0を起点として数10μｓ後である。し
たがって、この時点までサイリスタSCRの導通を維持し
て倍圧コンデンサC4の効果を保持する必要がある。な
お、抵抗R6は倍圧コンデンサC4の充電電流によってサイ
リスタSCRに過負荷な電流が流れないようにするための
電流制御用抵抗であり、通常数十オームの小さな値であ
る。

時点t3において、ハイレベルの発光停止信号がインタ
ーフェース回路３の出力３−２に出力されて（第４図:3
−２参照）トランジスタQ1が導通すると、IGBT（Q2）の
ゲート電圧がローレベルとなり、IGBT（Q2）がオフす
る。

この時、第４図に示すとおり、時点t3において出力３
−１がハイレベルでありサイリスタSCRがオン状態であ
れば、閃光放電管Ｘの発光電流の一部は、主コンデンサ
MC→閃光放電管Ｘ→抵抗R6→倍圧コンデンサC4→サイリ
スタSCRと流れて倍圧コンデンサC4を充電する。倍圧コ
ンデンサC4は、この時主コンデンサMCの残留電圧V_CMと
ほぼ等しい電圧まで充電された後、その充電は停止す
る。この結果、サイリスタSCRのアノード、つまり点l1
の電圧Vl1は、ほぼ、 ただし、抵抗R6の抵抗値とダイオードD6の順方向電圧は
無視する。

となる。したがって、抵抗R2とR5の抵抗値をR2＞R5とす
ればV_CMは負となりサイリスタSCRは安全に非導通とな
る。

実際には、R2＞R5と設定しておくと、主コンデンサMC
のプラス電極→抵抗R2→倍圧コンデンサC4→抵抗R6→ダ
イオードD6→抵抗R5→主コンデンサMCのマイナス電極の
ループで倍圧コンデンサC4が放電する過程でVl1が負電
圧となる。つまり、時点t2の後、出力３−１がハイレベ
ルの状態で発光停止信号が出力３−２に出力されるよう
な速い調光動作（少ない光量）を考慮して、第３図の実
施例においては、抵抗R2の抵抗値を抵抗R5の抵抗値より
大きく設定している。

なお、抵抗R5の抵抗値はIGBT（Q2）がオフした後、抵
抗値R5が低すぎ閃光放電管Ｘが発光を持続することがな
いような値とするため、通常は10KΩ〜50KΩ程度とな
る。そして、抵抗R2の抵抗値は安全を見て抵抗R5より大
きく、例えば約２倍以上に設定するのが好ましい。つま
り、抵抗R2の抵抗値をサイリスタSCRの保持電流を越え
る値に設定してもサイリスタSCRを安全にオフすること
ができる。また、出力３−１がローレベル、サイリスタ
SCRが非導通の状態でIGBT（Q2）がオフした場合は、サ
イリスタSCRは非導通のままであり何ら問題はない。

より具体的には、第３図の第２の実施例においては、
R2＝100KΩ,R5＝22KΩ,R6＝22Ω,C2＝C4＝0.047μＦに
設定すれば、約30Hz程度までの高速繰返しトリガ可能で
ある。

なお、第４図のタイミングチャートに破線で示した波
形はフル発光時のものであり、第１の実施例と同様に、
フル発光後所定の時間が経過した時点t4において出力３
−２をハイレベルにしてトランジスタQ1を導通し、これ
によりIGBT（Q2）をオフすれば、その後IGBT（Q2）のゲ
ートはGNDに付勢されて非導通を維持し続ける。

また、第２の実施例においては、抵抗R5はIGBT（Q2）
とダイオードD6との交点に接続されているが、破線で示
すように閃光放電管ＸとダイオードD6のアノードとの交
点に接続しても同様に動作する。

このように第２の実施例によれば、第１の実施例と同
様の効果を得るとともに、閃光放電管Ｘを発光起動させ
る時に従来と同様にそのアノード・カソード間に主コン
デンサMCの充電電圧の２倍の高電圧を印加することが可
能となり、確実な発光起動をかけることができる。

また、１回の発光終了後に次回の発光を可能とするた
めには、第１の実施例では比較的小容量のトリガコンデ
ンサC2を再充電するだけでよく、また第２の実施例にお
いては比較的小容量のトリガコンデンサC2と倍圧コンデ
ンサC4を再充電するだけでよく、主コンデンサMCに一度
充電されたエネルギーを何回かに分割して連続的に発光
させるような撮影に際しても、繰り返し発光の周期を短
くすることが可能となる。

また以上ではIGBTについて説明したが、制御端子に電
圧を印加して導通、非導通が制御される、例えばパワー
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tra
nsistor）あるいはSIT（Static Induction Transisto
r）を用いてもよい。

G.発明の効果 本発明によれば、主コンデンサの充電時に充電される
コンデンサとインダクタとで構成されるLC共振回路を給
電ラインと接地ラインとの間に設けこのLC共振回路を発
光開始指令と同期させて発振させると共に、このLC共振
回路の発振電圧をクランプ回路で発光制御用スイッチン
グ素子の駆動電圧にクランプしてそのスイッチング素子
の制御端子に印加するようにしたので、特別の駆動電源
を設ける必要がなく、コスト、および回路スペースが節
約できる。このLC共振回路は、発光待機時には直流消費
電流が零であり、主コンデンサの電荷を無駄に消費しな
い。また、主コンデンサが充電完了すると昇圧回路から
の充電動作が停止するような構成でも、瞬時に発光制御
用スイッチング素子に駆動電圧を印加でき発光遅れを伴
うこともない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示す回路図、第２図は
そのタイミングチャート、第３図は本発明の第２の実施
例を示す回路図、第４図はそのタイミングチャートであ
る。 1:DC−DCコンバータ 2:充電電圧検知回路 3:インターフェース回路 4:測光回路、5:カメラ 6:撮影レンズ、MC:主コンデンサ C2:トリガコンデンサ T:トリガトランス SCR:サイリスタ、X:閃光放電管 Q1:トランジスタ Q2:絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ TC:トリガ回路、CC:クランプ回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯田 喜和 東京都品川区西大井１丁目６番３号 株 式会社ニコン大井製作所内 (72)発明者 坂本 宏 東京都品川区西大井１丁目６番３号 株 式会社ニコン大井製作所内 (56)参考文献 特開 平２−158096（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−158097（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−124838（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−265237（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−129327（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−280828（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−50126（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−282529（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−178335（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−196529（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−197695（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−75428（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−24399（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−80997（ＪＰ，Ｕ)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電源ラインと接地ラインとの間に介装され
   た閃光放電管と、 電源により充電されて前記閃光放電管を発光させる電荷
   を蓄積する主コンデンサと、 前記電源により充電されるトリガコンデンサとトリガト
   ランスとを有し前記閃光放電管にトリガ電圧を印加する
   トリガ回路と、 該トリガ回路の作動を指令する第１のスイッチング素子
   と、 前記閃光放電管を流れる放電電流を流通・遮断する第２
   のスイッチング素子とを具備する電子閃光装置におい
   て、 前記第２のスイッチング素子を、制御端子に印加される
   電圧によりオン・オフする電圧制御型のスイッチング素
   子となし、 前記電源ラインと前記接地ラインとの間に介装され、前
   記主コンデンサの充電時に充電されるコンデンサとイン
   ダクタとから成り前記第１のスイッチング素子がオンす
   ると発振するLC共振回路と、 このLC共振回路の発振電圧を前記第２のスイッチング素
   子の制御電圧に適した値にクランプするクランプ回路と
   を具備し、このクランプ回路の出力電圧を前記第２のス
   イッチング素子の制御端子に接続したことを特徴とする
   電子閃光装置。
2. 【請求項２】前記トリガ回路を構成するトリガトランス
   の１次側コイルとトリガコンデンサとにより前記LC共振
   回路を構成したことを特徴とする請求項１に記載の電子
   閃光装置。