JP2969396B2 - 調光機能を有するフラッシュ装置 - Google Patents
調光機能を有するフラッシュ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、カメラ撮影の照明器
として利用するところのフラッシュ装置に関する。
として利用するところのフラッシュ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、調光機能を有するフラッシュ装
置の従来例を示したブロック図である。このフラッシュ
装置は、電池電源１０の直流電圧を昇圧するＤＣ−ＤＣ
コンバ−タ１１の出力によってメインコンデンサ１２等
の各コンデンサが予め充電される。つまり、ダイオ−ド
１３側の出力によって、メインコンデンサ１２、トリガ
−コンデンサ１４、倍電圧用コンデンサ１５が充電さ
れ、また、ダイオ−ド１６側の出力によってＩＧＢＴ素
子１７のゲ−ト電圧生成回路１８が給電されてゲ−ト電
圧出力状態となる。なお、ＩＧＢＴ素子は、「日経エレ
クトロニクス、１９８６年５月１９日号」等により詳し
く紹介されている一種のスイッチング素子で、ゲ−ト電
圧の印加でタ−ンオンし、ゲ−ト電圧の消失でタ−ンオ
フする。
置の従来例を示したブロック図である。このフラッシュ
装置は、電池電源１０の直流電圧を昇圧するＤＣ−ＤＣ
コンバ−タ１１の出力によってメインコンデンサ１２等
の各コンデンサが予め充電される。つまり、ダイオ−ド
１３側の出力によって、メインコンデンサ１２、トリガ
−コンデンサ１４、倍電圧用コンデンサ１５が充電さ
れ、また、ダイオ−ド１６側の出力によってＩＧＢＴ素
子１７のゲ−ト電圧生成回路１８が給電されてゲ−ト電
圧出力状態となる。なお、ＩＧＢＴ素子は、「日経エレ
クトロニクス、１９８６年５月１９日号」等により詳し
く紹介されている一種のスイッチング素子で、ゲ−ト電
圧の印加でタ−ンオンし、ゲ−ト電圧の消失でタ−ンオ
フする。
【０００３】このフラッシュ装置は、ＣＰＵやＲＡＭな
どを備えるマイクロコンピュ−タ１９から出力される制
御信号Ｓ1によって発光を開始し、また、発光を停止す
る。すなわち、制御出力Ｓ1として発光開始信号（例え
ば、Ｈｉｇｈ電圧信号）がゲ−ト電圧生成回路１８に供
給されると、このゲ−ト電圧生成回路１８が出力するゲ
−ト電圧によってＩＧＢＴ素子１７がタ−ンオンする。
これより、トリガ−コンデンサ１４の充電々荷がトリガ
−トランス２０の一次コイルを介して放電するために、
その二次コイルに発生した高圧パルス電圧が閃光放電す
るキセノン放電管２１の励起電極に印加される。この結
果、キセノン放電管２１がメインコンデンサ１２と倍電
圧用コンデンサ１５との充電々圧を受けて放電を開始す
る。
どを備えるマイクロコンピュ−タ１９から出力される制
御信号Ｓ1によって発光を開始し、また、発光を停止す
る。すなわち、制御出力Ｓ1として発光開始信号（例え
ば、Ｈｉｇｈ電圧信号）がゲ−ト電圧生成回路１８に供
給されると、このゲ−ト電圧生成回路１８が出力するゲ
−ト電圧によってＩＧＢＴ素子１７がタ−ンオンする。
これより、トリガ−コンデンサ１４の充電々荷がトリガ
−トランス２０の一次コイルを介して放電するために、
その二次コイルに発生した高圧パルス電圧が閃光放電す
るキセノン放電管２１の励起電極に印加される。この結
果、キセノン放電管２１がメインコンデンサ１２と倍電
圧用コンデンサ１５との充電々圧を受けて放電を開始す
る。
【０００４】制御信号Ｓ1として発光停止信号（例え
ば、Ｌｏｗ電圧信号）がゲ−ト電圧生成回路１８に供給
されると、このゲ−ト電圧生成回路１８がゲ−ト電圧の
発生を停止し、ＩＧＢＴ素子１７がタ−ンオフとなり、
これより、キセノン放電管２１が発光を停止する。
ば、Ｌｏｗ電圧信号）がゲ−ト電圧生成回路１８に供給
されると、このゲ−ト電圧生成回路１８がゲ−ト電圧の
発生を停止し、ＩＧＢＴ素子１７がタ−ンオフとなり、
これより、キセノン放電管２１が発光を停止する。
【０００５】なお、マイクロコンピュ−タ１９は電圧検
出回路２２の検出信号Ｓ2を入力し、ゲ−ト電圧生成回
路１８がゲ−ト電圧発生状態を確認した上で、カメラの
シャッタ動作に応動して発光開始信号を出力し、また、
カメラが適正露光になった時発光停止信号を出力する。
さらに、このマイクロコンピュ−タ１９は、カメラがフ
ラッシュ撮影モ−ドに切換えられたときに、ＤＣ−ＤＣ
コンバ−タ１１を発振動作させる発振制御信号Ｓ3を出
力する。その他図２に示した２３、２４は充電抵抗、２
５は限流抵抗、２６はゲ−ト抵抗、２７は倍電圧回路の
ダイオ−ドである。
出回路２２の検出信号Ｓ2を入力し、ゲ−ト電圧生成回
路１８がゲ−ト電圧発生状態を確認した上で、カメラの
シャッタ動作に応動して発光開始信号を出力し、また、
カメラが適正露光になった時発光停止信号を出力する。
さらに、このマイクロコンピュ−タ１９は、カメラがフ
ラッシュ撮影モ−ドに切換えられたときに、ＤＣ−ＤＣ
コンバ−タ１１を発振動作させる発振制御信号Ｓ3を出
力する。その他図２に示した２３、２４は充電抵抗、２
５は限流抵抗、２６はゲ−ト抵抗、２７は倍電圧回路の
ダイオ−ドである。
【０００６】図３は上記したゲ−ト電圧生成回路１８の
具体例を示した回路図で、図２の回路部品と同じものに
ついては同符号が付してある。図示する如く、このゲ−
ト電圧生成回路は、ＤＣ−ＤＣコンバ−タ１１に備えら
れた昇圧トランス２８の二次コイルに中間タップ２９が
設けられ、この中間タップ２９に発生した二次コイル電
圧がダイオ−ド１６により整流されて出力される。この
出力電圧はツエナ・ダイオ−ド３０により定電圧化さ
れ、この定電圧にしたがって電源用コンデンサ３１が充
電される。
具体例を示した回路図で、図２の回路部品と同じものに
ついては同符号が付してある。図示する如く、このゲ−
ト電圧生成回路は、ＤＣ−ＤＣコンバ−タ１１に備えら
れた昇圧トランス２８の二次コイルに中間タップ２９が
設けられ、この中間タップ２９に発生した二次コイル電
圧がダイオ−ド１６により整流されて出力される。この
出力電圧はツエナ・ダイオ−ド３０により定電圧化さ
れ、この定電圧にしたがって電源用コンデンサ３１が充
電される。
【０００７】また、ゲ−ト電圧生成回路は、制御信号Ｓ
1である発光開始信号を入力してＯＮする入力回路用の
トランジスタ３２と、このトランジスタ３２のＯＮによ
り順次ＯＮする出力回路用のトランジスタ３３、３４
と、発光停止信号を入力したときＯＮするトランジスタ
３５とから形成された制御回路を備えている。
1である発光開始信号を入力してＯＮする入力回路用の
トランジスタ３２と、このトランジスタ３２のＯＮによ
り順次ＯＮする出力回路用のトランジスタ３３、３４
と、発光停止信号を入力したときＯＮするトランジスタ
３５とから形成された制御回路を備えている。
【０００８】このゲ−ト電圧生成回路は、マイクロコン
ピュ−タ１９から送られた発光開始信号（Ｈｉｇｈ電圧
信号）によりトランジスタ３２がＯＮし、これに応動し
てトランジスタ３３、３４がＯＮすることにより、コン
デンサ３１の充電々圧がトランジスタ３４と抵抗２６を
介してＩＧＢＴ素子１７のゲ−トに加わり、このＩＧＢ
Ｔ素子１７がタ−ンオンする。また、トランジスタ３２
が発光停止信号（Ｌｏｗ電圧信号）を入力してＯＦＦす
ることにより、トランジスタ３３、３４がＯＦＦし、ゲ
−ト電圧が断たれてＩＧＢＴ素子１７がタ−ンオフす
る。さらに、トランジスタ３３のＯＦＦによってトラン
ジスタ３５がＩＧＢＴ素子１７のコンデンサ容量成分に
よってＯＮし、タ−ンオフの応答速度を良くする。
ピュ−タ１９から送られた発光開始信号（Ｈｉｇｈ電圧
信号）によりトランジスタ３２がＯＮし、これに応動し
てトランジスタ３３、３４がＯＮすることにより、コン
デンサ３１の充電々圧がトランジスタ３４と抵抗２６を
介してＩＧＢＴ素子１７のゲ−トに加わり、このＩＧＢ
Ｔ素子１７がタ−ンオンする。また、トランジスタ３２
が発光停止信号（Ｌｏｗ電圧信号）を入力してＯＦＦす
ることにより、トランジスタ３３、３４がＯＦＦし、ゲ
−ト電圧が断たれてＩＧＢＴ素子１７がタ−ンオフす
る。さらに、トランジスタ３３のＯＦＦによってトラン
ジスタ３５がＩＧＢＴ素子１７のコンデンサ容量成分に
よってＯＮし、タ−ンオフの応答速度を良くする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記したフラッシュ装
置は、ＩＧＢＴ素子１７のタ−ンオフ時間が早く、また
転流コンデンサを用いないことから、発光オ−バ−とな
ることがない等の利点を有している。しかしながら、Ｉ
ＧＢＴ素子１７のゲ−ト電圧生成のために、比較的に大
きな容量の電源用コンデンサ３１を備えなければならな
い。つまり、ＩＧＢＴ素子１７はコンデンサ容量成分が
大きく、安定したゲ−ト電圧を印加するために大きな容
量の電源用コンデンサ３１が必要となり、この結果、こ
のコンデンサ３１の組込みスペ−スが広くなり装置の小
形化に問題となる。
置は、ＩＧＢＴ素子１７のタ−ンオフ時間が早く、また
転流コンデンサを用いないことから、発光オ−バ−とな
ることがない等の利点を有している。しかしながら、Ｉ
ＧＢＴ素子１７のゲ−ト電圧生成のために、比較的に大
きな容量の電源用コンデンサ３１を備えなければならな
い。つまり、ＩＧＢＴ素子１７はコンデンサ容量成分が
大きく、安定したゲ−ト電圧を印加するために大きな容
量の電源用コンデンサ３１が必要となり、この結果、こ
のコンデンサ３１の組込みスペ−スが広くなり装置の小
形化に問題となる。
【００１０】また、キセノン放電管２１の発光に際して
は、ＩＧＢＴ素子１７のゲ−ト電圧が正確に生成されて
いなければならない。そのため、電圧検出回路２２など
を備えて電源用コンデンサ３１の充電々圧を検出する回
路構成が必要となる。つまり、電源用コンデンサ３１が
メインコンデンサ１２より早く充電完了しているか、ま
た、自然放電のときの残電圧はどの程度か等についてマ
イクロコンピュ−タ１９によって細かく監視する回路構
成となる。
は、ＩＧＢＴ素子１７のゲ−ト電圧が正確に生成されて
いなければならない。そのため、電圧検出回路２２など
を備えて電源用コンデンサ３１の充電々圧を検出する回
路構成が必要となる。つまり、電源用コンデンサ３１が
メインコンデンサ１２より早く充電完了しているか、ま
た、自然放電のときの残電圧はどの程度か等についてマ
イクロコンピュ−タ１９によって細かく監視する回路構
成となる。
【００１１】本発明は、ＩＧＢＴ素子を備える上記した
フラッシュ装置の実情にかんがみ、ゲ−ト電圧生成回路
用の別電源となるコンデンサやこのコンデンサの充電状
態を検出するための電圧検出回路等を省略して、装置構
成の簡素化と生産コストの低廉化に有利となるフラッシ
ュ装置を開発することを目的とする。
フラッシュ装置の実情にかんがみ、ゲ−ト電圧生成回路
用の別電源となるコンデンサやこのコンデンサの充電状
態を検出するための電圧検出回路等を省略して、装置構
成の簡素化と生産コストの低廉化に有利となるフラッシ
ュ装置を開発することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明では、ＤＣ−ＤＣコンバ−タによって充電
されるメインコンデンサの充電エネルギ−を受けて発光
する閃光放電管が、ＩＧＢＴ素子のタ−ンオンとこのタ
−ンオンに応動するトリガ−回路の動作とによって発光
開始し、ＩＧＢＴ素子のタ−ンオフによって発光停止す
るフラッシュ装置において、メインコンデンサの充電エ
ネルギ−を電源とし、かつ、信号レベルを変えた発光開
始信号と発光停止信号とを一回路によって入力し、発光
開始信号に応動してゲ−ト電圧を供給しＩＧＢＴ素子を
タ−ンオンさせ、発光停止信号に応動してゲ−ト電圧を
停止しＩＧＢＴ素子をタ−ンオフさせるＩＧＢＴ素子の
ゲ−ト電圧生成回路と、上記ＩＧＢＴ素子のゲ−トライ
ン電荷による電圧によってＯＮするスイッチング素子を
含み、上記ゲ−ト電圧生成回路がゲ−ト電圧を供給して
いる間、上記の発光開始信号に応動してそのスイッチン
グ素子のＯＦＦを保持し、上記の発光停止信号に応動し
てそのＯＦＦ保持を解除する構成としたＩＧＢＴ素子の
タ−ンオフ補助回路とを備えたことを特徴とする調光機
能を有するフラッシュ装置を提案する。
ため、本発明では、ＤＣ−ＤＣコンバ−タによって充電
されるメインコンデンサの充電エネルギ−を受けて発光
する閃光放電管が、ＩＧＢＴ素子のタ−ンオンとこのタ
−ンオンに応動するトリガ−回路の動作とによって発光
開始し、ＩＧＢＴ素子のタ−ンオフによって発光停止す
るフラッシュ装置において、メインコンデンサの充電エ
ネルギ−を電源とし、かつ、信号レベルを変えた発光開
始信号と発光停止信号とを一回路によって入力し、発光
開始信号に応動してゲ−ト電圧を供給しＩＧＢＴ素子を
タ−ンオンさせ、発光停止信号に応動してゲ−ト電圧を
停止しＩＧＢＴ素子をタ−ンオフさせるＩＧＢＴ素子の
ゲ−ト電圧生成回路と、上記ＩＧＢＴ素子のゲ−トライ
ン電荷による電圧によってＯＮするスイッチング素子を
含み、上記ゲ−ト電圧生成回路がゲ−ト電圧を供給して
いる間、上記の発光開始信号に応動してそのスイッチン
グ素子のＯＦＦを保持し、上記の発光停止信号に応動し
てそのＯＦＦ保持を解除する構成としたＩＧＢＴ素子の
タ−ンオフ補助回路とを備えたことを特徴とする調光機
能を有するフラッシュ装置を提案する。
【００１３】
【作用】メインコンデンサの充電エネルギ−が閃光放電
管の発光用電源とゲ−ト電圧生成回路の電源として働
く。したがって、ゲ−ト電圧生成回路が発光開始信号に
応動すると、メインコンデンサを電源としてゲ−ト電圧
を出力するように動作する。ＩＧＢＴ素子はこのゲ−ト
電圧を入力してタ−ンオンし、これに伴いトリガ−回路
が動作し、閃光放電管が発光を開始する。ゲ−ト電圧生
成回路が発光停止信号に応動すると、ゲ−ト電圧の出力
を停止するように動作する。また、タ−ンオフ補助回路
が発光停止信号に応動してスイッチング素子のＯＦＦ保
持を解除するため、ＩＧＢＴ素子のゲ−トライン電荷に
よる電圧によってそのスイッチング素子がＯＮし、ＩＧ
ＢＴ素子のゲ−トライン電荷を急速に放電させる。これ
より、ＩＧＢＴ素子がタ−ンオフして閃光放電管の発光
が停止する。
管の発光用電源とゲ−ト電圧生成回路の電源として働
く。したがって、ゲ−ト電圧生成回路が発光開始信号に
応動すると、メインコンデンサを電源としてゲ−ト電圧
を出力するように動作する。ＩＧＢＴ素子はこのゲ−ト
電圧を入力してタ−ンオンし、これに伴いトリガ−回路
が動作し、閃光放電管が発光を開始する。ゲ−ト電圧生
成回路が発光停止信号に応動すると、ゲ−ト電圧の出力
を停止するように動作する。また、タ−ンオフ補助回路
が発光停止信号に応動してスイッチング素子のＯＦＦ保
持を解除するため、ＩＧＢＴ素子のゲ−トライン電荷に
よる電圧によってそのスイッチング素子がＯＮし、ＩＧ
ＢＴ素子のゲ−トライン電荷を急速に放電させる。これ
より、ＩＧＢＴ素子がタ−ンオフして閃光放電管の発光
が停止する。
【００１４】
【実施例】次に、本発明に係るフラッシュ装置の一実施
例を示した図１の回路図を参照して具体的に説明する。
なお、この回路図のうち図２、図３の従来例と同じ回路
部品について同符号を付しその説明は省略する。
例を示した図１の回路図を参照して具体的に説明する。
なお、この回路図のうち図２、図３の従来例と同じ回路
部品について同符号を付しその説明は省略する。
【００１５】図示する如く、本実施例のフラッシュ装置
は、次のようなゲ−ト電圧生成回路を備えている。つま
り、分電圧抵抗４１、４２、トランジスタ４３の第1の
直列回路体と、トランジスタ４４、制限抵抗４５、ツエ
ナ・ダイオ−ド４６の第２の直列回路体との各々がメイ
ンコンデンサ１２に並列に接続してある。そして、これ
ら第１、第２の直列回路体は、分電圧抵抗４１と４２と
の連結部ｐにトランジスタ４４のベ−スを接続し、トラ
ンジスタ４３のＯＮに応動してトランジスタ４４がＯＮ
する回路構成としてあり、また、第２の直列回路体のツ
エナ・ダイオ−ド４６はＩＧＢＴ素子１７をタ−ンオン
させるに充分なゲ−ト電圧（例えば、３０ボルト）を発
生するようにその定電圧が定めてある。
は、次のようなゲ−ト電圧生成回路を備えている。つま
り、分電圧抵抗４１、４２、トランジスタ４３の第1の
直列回路体と、トランジスタ４４、制限抵抗４５、ツエ
ナ・ダイオ−ド４６の第２の直列回路体との各々がメイ
ンコンデンサ１２に並列に接続してある。そして、これ
ら第１、第２の直列回路体は、分電圧抵抗４１と４２と
の連結部ｐにトランジスタ４４のベ−スを接続し、トラ
ンジスタ４３のＯＮに応動してトランジスタ４４がＯＮ
する回路構成としてあり、また、第２の直列回路体のツ
エナ・ダイオ−ド４６はＩＧＢＴ素子１７をタ−ンオン
させるに充分なゲ−ト電圧（例えば、３０ボルト）を発
生するようにその定電圧が定めてある。
【００１６】第１の直列回路体のトランジスタ４３は、
そのベ−スに接続されたバイアス抵抗４７、４８に制御
信号Ｓ1として発光開始信号を入力したときＯＮする。
また、同様に制御信号Ｓ1を入力するバイアス抵抗４
９、５０を備えたトランジスタ５１は、その次段に接続
してツエナ・ダイオ−ド４６と並列に設けたトランジス
タ５２と共にＩＧＢＴ素子１７のタ−ンオフ補助回路を
形成している。つまり、制御信号Ｓ1として発光停止信
号を入力したときトランジスタ５２がＯＮとなり、ＩＧ
ＢＴ素子１７のゲ−トライン電荷を急速に放電させる。
そのベ−スに接続されたバイアス抵抗４７、４８に制御
信号Ｓ1として発光開始信号を入力したときＯＮする。
また、同様に制御信号Ｓ1を入力するバイアス抵抗４
９、５０を備えたトランジスタ５１は、その次段に接続
してツエナ・ダイオ−ド４６と並列に設けたトランジス
タ５２と共にＩＧＢＴ素子１７のタ−ンオフ補助回路を
形成している。つまり、制御信号Ｓ1として発光停止信
号を入力したときトランジスタ５２がＯＮとなり、ＩＧ
ＢＴ素子１７のゲ−トライン電荷を急速に放電させる。
【００１７】上記のように構成したフラッシュ装置のゲ
−ト電圧生成回路は、制御信号Ｓ1として発光開始信号
（Ｈｉｇｈ電圧信号）を入力することにより、トランジ
スタ４３、５１が共にＯＮする。これより、分電圧抵抗
４２とトランジスタ４３を通ってトランジスタ４４のベ
−ス電流が流れ、このトランジスタ４４がＯＮする。こ
のトランジスタ４４のＯＮにより、メインコンデンサ１
２、トランジスタ４４、制限抵抗４５、ツエナ・ダイオ
−ド４６の給電ル−プが形成され、ツエナ・ダイオ−ド
４６に発生したゲ−ト電圧がＩＧＢＴ素子１７に入力し
て、このＩＧＢＴ素子１７がＯＮする。ＩＧＢＴ素子１
７がＯＮすると従来例同様にしてキセノン放電管２１が
発光を開始する。このように発光動作が行なわれるとき
は、タ−ンオフ補助回路のトランジスタ５１のＯＮによ
り、トランジスタ５２がＯＦＦしている。
−ト電圧生成回路は、制御信号Ｓ1として発光開始信号
（Ｈｉｇｈ電圧信号）を入力することにより、トランジ
スタ４３、５１が共にＯＮする。これより、分電圧抵抗
４２とトランジスタ４３を通ってトランジスタ４４のベ
−ス電流が流れ、このトランジスタ４４がＯＮする。こ
のトランジスタ４４のＯＮにより、メインコンデンサ１
２、トランジスタ４４、制限抵抗４５、ツエナ・ダイオ
−ド４６の給電ル−プが形成され、ツエナ・ダイオ−ド
４６に発生したゲ−ト電圧がＩＧＢＴ素子１７に入力し
て、このＩＧＢＴ素子１７がＯＮする。ＩＧＢＴ素子１
７がＯＮすると従来例同様にしてキセノン放電管２１が
発光を開始する。このように発光動作が行なわれるとき
は、タ−ンオフ補助回路のトランジスタ５１のＯＮによ
り、トランジスタ５２がＯＦＦしている。
【００１８】キセノン放電管２１の発光中に制御信号Ｓ
1として発光停止信号（Ｌｏｗ電圧信号）がマイクロコ
ンピュ−タ１９より送られ、この発光停止信号を入力し
たトランジスタ４３、５１が共にＯＦＦとなる。これよ
り、トランジスタ４４がＯＦＦに切換わり、メインコン
デンサ１２から給電されるゲ−ト電圧が遮断されてＩＧ
ＢＴ素子１７がタ−ンオフとなり、キセノン放電管２１
の発光が停止する。また、このときタ−ンオフ補助回路
のトランジスタ５１のＯＦＦによってトランジスタ５２
がＯＮするため、ＩＧＢＴ素子１７のゲ−トライン電荷
が急速に放電される。このように、タ−ンオフ補助回路
を設けることにより、ＩＧＢＴ素子１７のスイッチング
スピ−ドを早め、回路動作の遅れによる発光オ−バ−を
防止することができる。
1として発光停止信号（Ｌｏｗ電圧信号）がマイクロコ
ンピュ−タ１９より送られ、この発光停止信号を入力し
たトランジスタ４３、５１が共にＯＦＦとなる。これよ
り、トランジスタ４４がＯＦＦに切換わり、メインコン
デンサ１２から給電されるゲ−ト電圧が遮断されてＩＧ
ＢＴ素子１７がタ−ンオフとなり、キセノン放電管２１
の発光が停止する。また、このときタ−ンオフ補助回路
のトランジスタ５１のＯＦＦによってトランジスタ５２
がＯＮするため、ＩＧＢＴ素子１７のゲ−トライン電荷
が急速に放電される。このように、タ−ンオフ補助回路
を設けることにより、ＩＧＢＴ素子１７のスイッチング
スピ−ドを早め、回路動作の遅れによる発光オ−バ−を
防止することができる。
【００１９】上記した実施例のフラッシュ装置は、ゲ−
ト電圧生成回路によってＩＧＢＴ素子１７がタ−ンオン
されたとき、バイアス抵抗５３とトランジスタ５１を通
る電流と、充電抵抗２４を通る電流とが流れるが、キセ
ノン放電管２１を流れる電流に比べて無視できるほど充
分少ないので実用上問題がない。なお、本発明の実施に
当っては、第１の直列回路体のトランジスタ４３と第２
の直列回路体のトランジスタ４４とを高耐電圧のトラン
ジスタとすることが好ましい。
ト電圧生成回路によってＩＧＢＴ素子１７がタ−ンオン
されたとき、バイアス抵抗５３とトランジスタ５１を通
る電流と、充電抵抗２４を通る電流とが流れるが、キセ
ノン放電管２１を流れる電流に比べて無視できるほど充
分少ないので実用上問題がない。なお、本発明の実施に
当っては、第１の直列回路体のトランジスタ４３と第２
の直列回路体のトランジスタ４４とを高耐電圧のトラン
ジスタとすることが好ましい。
【００２０】
【発明の効果】上記した通り、本発明に係るフラッシュ
装置は、ゲ−ト電圧生成回路が発光開始信号に応動して
メインコンデンサの充電エネルギ−を電源としてゲ−ト
電圧を出力しＩＧＢＴ素子をタ−ンオンさせるため、ゲ
−ト電圧を生成するための電源用コンデンサを別設する
必要がない。この結果、容量が大きくなるこのような電
源用コンデンサの組み込みスペ−スが節約できる。ま
た、本発明のフラッシュ装置は、メインコンデンサが閃
光放電管を発光できる所定の電圧まで充電されておれ
ば、ゲ−ト電圧生成回路が確実にゲ−ト電圧を出力する
ので、従来装置のような電圧検出回路を備えて電源用コ
ンデンサの電圧を細かに監視する回路が不要となる。し
たがって、本発明によれば、装置構成を簡素化にしてコ
ンパクトとし、生産コストの低廉化に適するフラッシュ
装置となる。さらに、本発明のフラッシュ装置は、ＩＧ
ＢＴ素子のゲ−ト電圧が停止することにより、ゲ−トラ
イン電荷がタ−ンオフ補助回路のスイッチング素子によ
って急速に放電されるので、ＩＧＢＴ素子のスイッチン
グスピ−ドが早くなり、発光オ−バ−が生じない。 その
上、タ−ンオフ補助回路を備えれば、ゲ−ト電圧の供給
停止によって生ずるＩＧＢＴ素子の蓄積を速やかに放出
し、ＩＧＢＴ素子をタ−ンオフさせる構成となるので、
ゲ−ト電圧を供給するための発光開始信号とゲ−ト電圧
を停止させる発光停止信号とを一回路で入力する構成と
することができ、装置構成の簡単化に有利となる。
装置は、ゲ−ト電圧生成回路が発光開始信号に応動して
メインコンデンサの充電エネルギ−を電源としてゲ−ト
電圧を出力しＩＧＢＴ素子をタ−ンオンさせるため、ゲ
−ト電圧を生成するための電源用コンデンサを別設する
必要がない。この結果、容量が大きくなるこのような電
源用コンデンサの組み込みスペ−スが節約できる。ま
た、本発明のフラッシュ装置は、メインコンデンサが閃
光放電管を発光できる所定の電圧まで充電されておれ
ば、ゲ−ト電圧生成回路が確実にゲ−ト電圧を出力する
ので、従来装置のような電圧検出回路を備えて電源用コ
ンデンサの電圧を細かに監視する回路が不要となる。し
たがって、本発明によれば、装置構成を簡素化にしてコ
ンパクトとし、生産コストの低廉化に適するフラッシュ
装置となる。さらに、本発明のフラッシュ装置は、ＩＧ
ＢＴ素子のゲ−ト電圧が停止することにより、ゲ−トラ
イン電荷がタ−ンオフ補助回路のスイッチング素子によ
って急速に放電されるので、ＩＧＢＴ素子のスイッチン
グスピ−ドが早くなり、発光オ−バ−が生じない。 その
上、タ−ンオフ補助回路を備えれば、ゲ−ト電圧の供給
停止によって生ずるＩＧＢＴ素子の蓄積を速やかに放出
し、ＩＧＢＴ素子をタ−ンオフさせる構成となるので、
ゲ−ト電圧を供給するための発光開始信号とゲ−ト電圧
を停止させる発光停止信号とを一回路で入力する構成と
することができ、装置構成の簡単化に有利となる。
【図１】本発明の一実施例を示すフラッシュ装置のゲ−
ト電圧生成回路部分を示す回路図である。
ト電圧生成回路部分を示す回路図である。
【図２】従来例として示したフラッシュ装置の回路ブロ
ック図である。
ック図である。
【図３】従来のゲ−ト電圧生成回路の具体例を示したフ
ラッシュ装置の部分的な回路図である。
ラッシュ装置の部分的な回路図である。
１１ ＤＣ−ＤＣコンバ−タ １２ メインコンデンサ １７ ＩＧＢＴ素子 １９ マイクロコンピュ−タ ２０ トリガ−トランス ２１ キセノン放電管 ２８ 昇圧トランス ４１、４２ 分電圧抵抗 ４３、４４ トランジスタ ４６ ツエナ・ダイオ−ド ５１、５２ トランジスタ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＤＣ−ＤＣコンバ−タによって充電され
るメインコンデンサの充電エネルギ−を受けて発光する
閃光放電管が、ＩＧＢＴ素子のタ−ンオンとこのタ−ン
オンに応動するトリガ−回路の動作とによって発光開始
し、ＩＧＢＴ素子のタ−ンオフによって発光停止するフ
ラッシュ装置において、メインコンデンサの充電エネル
ギ−を電源とし、かつ、信号レベルを変えた発光開始信
号と発光停止信号とを一回路によって入力し、発光開始
信号に応動してゲ−ト電圧を供給しＩＧＢＴ素子をタ−
ンオンさせ、発光停止信号に応動してゲ−ト電圧を停止
しＩＧＢＴ素子をタ−ンオフさせるＩＧＢＴ素子のゲ−
ト電圧生成回路と、上記ＩＧＢＴ素子のゲ−トライン電
荷による電圧によってＯＮするスイッチング素子を含
み、上記ゲ−ト電圧生成回路がゲ−ト電圧を供給してい
る間、上記の発光開始信号に応動してそのスイッチング
素子のＯＦＦを保持し、上記の発光停止信号に応動して
そのＯＦＦ保持を解除する構成としたＩＧＢＴ素子のタ
−ンオフ補助回路とを備えたことを特徴とする調光機能
を有するフラッシュ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207180A JP2969396B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 調光機能を有するフラッシュ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207180A JP2969396B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 調光機能を有するフラッシュ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0534772A JPH0534772A (ja) | 1993-02-12 |
| JP2969396B2 true JP2969396B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=16535571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3207180A Expired - Fee Related JP2969396B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 調光機能を有するフラッシュ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2969396B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256826A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Sony Corp | Ｄ／ａコンバ−タ |
| JPH07245187A (ja) * | 1994-03-07 | 1995-09-19 | Olympus Optical Co Ltd | ストロボ装置 |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP3207180A patent/JP2969396B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0534772A (ja) | 1993-02-12 |
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