JPH02158096A - 電子閃光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、ｉ梁上の利用分野 本発明は、閃光放電管の発光と発光停止とを制御するス
イッチング素子として電圧制御型スイッチング素子例え
ば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Ｉ　Ｇ　Ｂ　
Ｔ　：　Ｉｎ５ｕｌａｔｅｄ　Ｇａｔｅ　Ｂｉｐｏｌａ
ｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ　）を用いた電子閃光装置に関
する。

Ｂ、従来の技術 従来の電子閃光装置においては、閃光放電管と直列にサ
イリスタを接続するのが一般的である。

しかし、サイリスタを用いる場合は、閃光放電管の発光
を途中で停止させるために周知の転流回路が必要であり
、コストおよび電気回路を収納するスペースの点で問題
があった。

このような問題を解決するためサイリスタに代えてゲー
トターンオフスイッチング素子を用いた特公昭４９−３
９４１６号公報の装置や、大電流用バイポーラトランジ
スタを用いた特開昭５８１９７６９４号あるいは特開昭
５８−１９７６９５号公報の装置などが提案されている
。しかし。

これらの装置は形状が大きく実装上の問題があり実用に
至ってない。また、制御端子（ゲート）に印加する電圧
によってオン・オフを制御するＦＥＴを発光制御素子と
して用いたものは特開昭６１−５０１２５号公報で提案
されているが、ＦＥＴ内部での損失が多く、効率上の問
題があった。

ところで、近年開発された絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタ（以下、ＩＧＢＴと呼ぶ）は大きさも小さく、
低損失であることで電子閃光装置の発光制御用スイッチ
ング素子（以下、発光制御素子と呼ぶ）として理想的な
ものであり、最近、電子閃光装置の発光制御素子として
使用されはじめた。このＩ　Ｇ　Ｂ　Ｔは、ゲート、コ
レクタ、エミッタの３端子を有し、コレクタとエミッタ
間の導通、非導通がゲート・エミッタ間に印加する電圧
によって制御するＦＥＴと同様の電圧制御型のスイッチ
ング素子である。

ＩＧＢＴを導通するには、通常、エミッタが接地電位と
すればゲート（制御端子）に２０〜４０ポル１−の中電
圧を印加し、非導通にするにはゲートとエミッタを同電
位にする。したがってＩＧＢＴをオン・オフするため制
御端子に印加する駆動電圧は、電源電圧（通常のストロ
ボでは３〜１２ボルト程度）では低すぎ、閃光放電管の
放電電荷を蓄える主コンデンサの電圧（通常２００〜５
００ボルト）では高すぎる。そのため、ＩＧＢＴを制御
する電源を別途設けなくてはならず、コストおよびその
設置スペースの点で難があった。

Ｃ８発明が解決しようとする課題 そこで、特開昭５８−１９７６９５号あるいは。

特開昭６０−５０１２５号公報の装置のように、主コン
デンサを充電するＤＣ−ＤＣコンバータの（・ランスの
２次巻線に中間タップを設けて必要な電圧源を確保する
ことも考えられる。しかし、発光直後にＤＣ−ＤＣコン
バータの負荷としての主コンデンサの電圧が降下すると
中間タップから取り出す電圧も変動してしまい、次の発
光に際して必要な電圧が得られないおそれがある。また
、主コンデンサを所定の電圧まで充電完了した後はＤＣ
−ＤＣコンバータを停止させ、これによりＤＣ−ＤＣコ
ンバータのアイドリング電流を無くし、エネルギーの浪
費を防ぐようにした電子閃光装置においては、トランス
の２次巻線に中間タップを設けても必要な電圧が得られ
ないという問題が生ずる。

本発明の技術的課題は、ＩＧＩ３Ｔのような′電圧制御
型の発光制御用スイッチング索子の駆動電圧を特別のｙ
ｊＡｕ３回路を設けることなく簡単な回路構成で取り出
すことにある。

０２課題を解決するための手段 一実施例を示す第１図により説明すると、本発明は、電
源ラインＱ、６と接地ラインＧ　Ｎ　ｌ）との間に介装
された閃光放電管Ｘと、電源Ｅにより昇圧充電されて閃
光放電管Ｘを発光させる電荷を容積する主コンデンサＭ
Ｃと、発光開始用のトリガコンデンサＣ２、トリガトラ
ンスＴの働きで閃光放電管Ｘにトリガ電圧を印加する１
−リガ回路ＴＯと、該Ｉ−リガ回路ＴＣの作動を指令す
る第１のスイッチング索子ＳＣＲと、閃光放電管Ｘを流
４しる放電′、ｉｉ流を流通・遮断する第２のスイッチ
ング素子Ｑ２とを具備する電子閃光装置に適用される。

そして、次の構成により上述の技術的課題が解決される
。

第２のスイッチング素子Ｑ２を、制御端子に印加される
電圧によりオン・オフする電圧制御型のスイッチング素
子（例えば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）とす
る。また、電源ラインＱ６と接地ラインＧＮＤとの間に
介装され、主コンデンサＭＣの充電時に充電されるコン
デンサＣ２とインダクタＬ２とから成り第１のスイッチ
ング素子ＳＣＲがオンすると発振するＬＣ共振回路と、
このＬＣ共振回路の発振電圧を第２のスイッチング素子
Ｑ２の制御電圧に適した値にクランプするクランプ回路
ＣＣとを設ける。さらに、このクランプ回路ＣＣの出力
電圧を第２のスイッチング素子Ｑ２の制御端子に接続す
る。

Ｅ０作用 ＬＣ共振回路のコンデンサＣ２は主コンデンサＭＣ充電
時に充電される。第１のスイッチング素子ＳＣＲがオン
するとＬＣ共振回路が発振し、このＬＣ共振回路の発振
電圧がクランプ回路ＣＣにより第２のスイッチング素子
Ｑ２の制御電圧に適した値にクランプされる。このクラ
ンプ電圧は、電圧制御型のスイッチング素子、例えば絶
縁グー１〜型バイポーラトランうスタＩＧＢＴ　（Ｑ２
）の制御端子に印加され、絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタＩＧＢＴ　（Ｑ２）がオンして閃光放電管Ｘが
発光を開始する。絶縁グー１−型バイボーラトランうス
タＩＧＢＴ　（Ｑ２）の制御電圧を零ボルトにするとト
ランジスタＩＧＢＴ　（Ｑ２）が非導通となり閃光放電
管Ｘの発光が停止する。

以上のＤ項およびＥ項では発明を判りやすくするために
実施例の図面と符号を用いたが、これにより本発明が実
施例に限定されるものではない。

Ｆ、実施例 一第１の実施例− 第１図および第２図により本発明の電子閃光装置の第１
の実施例を説明する。

第１図において、Ｅは電池等から成る電子閃光装置の低
圧？Ｉｔ源、ＳＷＩは電源スィッチ、１はＤＣ−ＤＣコ
ンバータであり、電源スィッチＳＷ１を１ＪＩＩｊＦＩ
するとＤＣ−ＤＣコンバータ１は昇圧動作を開始し、そ
の高電圧出力がダイオードＤ１゜Ｄ２を介しインダクタ
Ｌ１を通って主コンデンサＭＣに流れ、それにより閃光
発光のためのエネルギーを充電するとともに、小容量の
コンデンサＣ１も充電される。

充電電圧検知回路２は、電源ラインＱ７と接地ラインＧ
ＮＤ間が所定の電圧（ＶｃＭ）に達するとそれを検知し
、ＤＣ−ＤＣコンバータ１の昇圧動作の停止をその人力
１−２を介して指令する。充電電圧検知回路２はまた、
充電完了後所定の時間が経過すると、定期的にＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ１を再起動させ、主コンデンサＭＣの充＠
電圧を常に一定電圧（ＶＣＭ）に保つように動作する。

主コンデンサＭＣに並列に接続されるその他の回路は待
機状態においては、直流的な放電ループがなく、主コン
デンサＭＣの電荷は長時間保持される。

電源ラインＱ６と接地ＧＮＤとの間には閃光放電管Ｘが
接続され、これに直列に電圧制御型スイッチング素子と
して絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢ’ｒ
：第２のスイッチング素子）Ｑ２が接続されている。

トリガ回路ＴＣは、抵抗Ｒ２，トリガコンデンサＣ２，
サイリスタＳＣＲ，Ｉ−リガトランスＴで構成され、ト
リガトランスＴの２次巻線の両端は、閃光放電管Ｘの１
−リガ電極とカソード電極間に接続されている。トリガ
コンデンサＣ２は主コンデンサＭＣのプラス？！！極か
ら→抵抗Ｒ２→トリガコンデンサＣ２→トリガトランス
Ｔの１次巻ａＬ２→主コンデンサＭＣのマイナス電極の
ループで予め充電される。

ＣＣはクランプ回路であり、ダイオードＤ４、コンデン
サＣ３，抵抗４．ツェナダイオードＤ５から構成され、
トリガコンデンサＣ２と１へリガ１〜ランスＴの１次巻
線Ｌ２で構成され、ＬＣ共振回路の出力電圧のビークイ
直をコンデンサＣ３でホールドし、ツェナダイオードＤ
５で所定値、例えば４．　ＯＶにクランプする。このク
ランプ電圧はＩＧＢＴ　（Ｑ２）のゲートに印加される
。

３はＴＴＬカメラ５とのインタフェース回路であり、カ
メラ５のレリーズ動作に連動して入力３−３〜３−５を
介してカメラ５側から各種信号を受け、その出力３−１
．３−２．３−６に各種信号を出力する。出力３−１は
閃光開始を指令する信号、出力３−２は閃光停止を指令
する信号。

出力３−６は充電電圧検知回路２を介してＤＣ−ＤＣコ
ンバータ１に昇圧動作の再起動を指令する信号を出力す
るものである。

ＴＴＬ調光可能なカメラ５は、レリーズされるとシンク
ロスイッチＳＷ２が閉成して発光開始信号を電子閃光装
置との接点３−４へ出力し、電子閃光装置の照射光によ
る被写体からの反射光を撮影レンズ６を介して副光回路
４内の受光素子４−１で測光し、所定の光量に至ると発
光停止信号を接点３−５へ出力する。

インタフェース回路３は、接点３−４から発光開始信号
を受けると、出力３−２をハイレベルからローレベルに
変化させるとともに出力３−１をハイレベルにする。こ
れにより、トリガ回路ＴＣのサイリスタＳＣＲ（第１の
スイッチング素子）のゲートを抵抗Ｒ１を介してハイレ
ベルにしサイリスタＳＣＲを導通する。また、接点３−
５より発光停止信号を受けると出力３−２をハイレベル
にし、抵抗Ｒ３を介して発光停止用トランジスタＱ１の
ベースに電流を注入してトランジスタＱ１を導通させ、
ＩＧＢＴ　（Ｑ２）のゲートをローレベルにしてＩＧＢ
Ｔ　（Ｑ２）をオフして発光を停止させる。

第２図のタイミングチャートを用いて発光動作を説明す
る。主コンデンサＭＣ，トリガコンデンサＣ２は予め充
電されているとする。

インタフェース回路３の出力３−１が時点ｔＯでハイレ
ベルになると（第２図：３−１参照）サイリスタＳＣＲ
が導通し、トリガコンデンサＣ２が急放電を開始する（
第１図、第２図：Ｑ１参照）。

１−リガコンデンサＣ２の放電電流はサイリスタＳＣＲ
を介してトリガトランスＴの１次巻線Ｉ、２からトリガ
コンデンサＣ２の閉ループを流れ、１次巻線Ｌ２と１−
リガコンデンサＣ２によるＬＣ共振回路が減衰振動を発
生する（第１図、第２図＝Ｑ２参照）。その振動周波数
ｆは、 ただし、Ｌ２：トリガトランスＴの１次巻線Ｌ２のイン
ダクタンス、Ｃ２：トリガコンデンサＣ２の容量 となる。時点ｔｏでオンしたサイリスタＳＣＲは、点Ｑ
１の電圧が負になる時点ｔ２までの１７２周期の間（ｔ
２−ｔ、ｏ＝πｖ’ＴＴ丁て１）はオンを維持し、時点
ｔ２以後、サイリスタＳＣＲのアノード電位（第１図の
点Ｑ１の電位）が約マイナスＶＣＭとなる過程でサイリ
スタＳＣＲがオフする。

また、時点上〇−＋ｔｌまでの放電サイクルの間にトリ
ガトランスＴの２次巻線には数キロボルトの高電圧が発
生し、トリガ電極ＴＯを介して閃光放電管Ｘに放電起動
がかかる。しかし、この時点ではＩＧＢＴ　（Ｑ２）が
オフしているから、閃光放電管Ｘはまだ発光を開始せず
、閃光放電管Ｘのアノード・カソード間の抵抗が下がっ
ていき導通が開始され、微小電流が流れ出した状態であ
りＱ８の電位は上昇する（第１図、第２図：Ｑ８参照）
。

点Ｑ２の電位は１時点ＬＯでマイナスＶＣＭ（Ｖｃｖは
主コンデンサＭＣの充電電圧）からスタートし１時点ｔ
２でほぼプラスｖｃｉｉに復帰した後、減衰振動を繰り
返す。この点Ω２に現れる電圧は、ダイオードＤ４を介
してコンデンサＣ３にピークホールドされ１点Ｑ３の電
圧Ｖ３は点Ｑ２の電圧に対して、Ｖ３弁Ｖ２となる。発
明者の実験によれば、Ｖ３＝１／２ＶｃＭ〜２／３ＶＣ
Ｍの高電圧を得ることができた。

つまり、時点ｔ１〜し２においてコンデンサＣ３が充電
される。このコンデンサＣ３に充電された電荷は抵抗Ｒ
４を介してツェナダイオ−１くＤ５を流れ、ツェナダイ
オードＤ５のカソード端子の点Ｑ４には第２図０４に示
すようにツェナ電圧（数十ボルト）が発生する。このツ
ェナ電圧がＩ　Ｇ　Ｂ　Ｔ　（Ｑ　２）のゲートに印加
されてＩＧＢＴ（Ｑ２）が導通する。したがってＩＧＢ
Ｔ　（Ｑ２）は時点ｔ１〜ｔ２の間に導通する。

ここで、閃光放電管Ｘは時点ＬＯ〜ｔ１の間に起動がか
かっているので、閃光放電管Ｘのカン−１−電位を示す
点Ｑ８の電圧は上昇を開始しており、点Ｑ４に電圧が発
生してＩＧＢＴ　（Ｑ２）が導通すると、第２図の時点
Ｌ１〜ｔ２の間で点Ｑ８の電圧が降下する。ＩＧＢＴ　
（Ｑ２）と閃光放電管Ｘとがこのように導通すると、閃
光放電管Ｘ内の希ガスは急速にそのインピーダンスが低
下し、第２図の時点し２〜ｔ３の間で放電発光を開始す
る（第２図：Ｘ参照）。

時点ｔ３においてインターフェース回路３の出力３−２
がハイレベルとなり発光停止信号が出力されると、トラ
ンジスタＱ１が導通してツェナ電圧、すなわちＩＧＢＴ
　（Ｑ２）のゲート電圧が零ボルトとなり、ＩＧＢＴ　
（Ｑ２）は瞬時に非導通となって閃光放電管Ｘはその放
電ループが遮断されて発光を停止する。このとき、閃光
放電管Ｘのカソード電圧はＩＧＢＴ　（Ｑ２）がオフす
るから一瞬上昇する。また、コンデンサＣ３の電荷も抵
抗Ｒ４→トランジスタＱ１を介して放電される。

なお、カメラ５が発光停止信号をインターフェース回路
３の入力３−５に出力しない場合、換言するとフル発光
する場合には、主コンデンサＭＣのほぼ全電荷が放電さ
れたタイミングの時点ｔ４でインターフェース回路３の
出力３−２を第２図に破線で示すようにハイレベルにし
てトランジスタＱ１を導通し、ＩＧＢＴ　（Ｑ２）のゲ
ート電圧を零ボルトに付勢してノイズ等でＩＧＢＴ　（
Ｑ２）が不用意にオンしないようにして、ＤＣ−ＤＣコ
ンバータ１より供給される電流によって閃光放電管Ｘか
弱く発光しつづけることを防止する。

なお、第２図において、時点ｔｏを起点としてし１は約
１マイクロ秒、ｔ２は約２マイクロ秒。

ｔ３は数十マイクロ秒〜数ミリ秒、ｔ４は約１０ミリ秒
以下の時間の動きである。

また、インダクタＬ１は、閃光放電管Ｘを介してＩＧＢ
Ｔ　（Ｑ２）を流れる電流の急激な立上りを防止し、サ
ージ電流に対してＩＧＢＴ　（Ｑ２）を保護するととも
に１発光の立上りを押さえて調光特性を改善するための
ものであり、ダイオードＤ３は発光停止時にインダクタ
Ｌ１の逆起電圧からＩＧＢＴ　（Ｑ２）を保護するため
のものである。

さらに第２図において、電子閃光装置の調光動作が終了
した後の時点ｔ５において、サイリスタＳＣＲのアノー
ド点Ｑ１は負から正の電圧へ移行する。この時点で、抵
抗Ｒ２の抵抗値が小さく、主コンデンサＭＣの残電圧が
高い状態でサイリスタＳＣＨのゲート電圧がハイレベル
であると（フル発光状態でインターフェース回路３の出
力３−１が発光開始信号を維持している場合）、サイリ
スタＳＣＲに保持電流以上の電流が給電されサイリスタ
ＳＣＲが導通したままとなってしまい、再度発光できな
くなる。したがって、かかる不具合を防止するために、
サイリスタＳＣＲのアノード電圧が正に移行する時点ｔ
５以曲に発光開始信号をローレベルにもどす必要がある
。

ここで、点Ｑ１のアノード電圧が正になるまでの時間（
ｔ５−ｔｏ）は次のように導かれる。

＝Ｃ２ＸＲ２Ｘ　Ｑ　ｎ２ ここでＣ２：トリガコンデンサＣ２の容量Ｒ２：抵抗Ｒ
２の抵抗値 例えばＣ２＝０．０４７μＦ、Ｒ２＝ｌＯＯＫΩに設定
すると、ｔ５−ｔｏ＝約３　、２６　ｍｓとなる。した
がって１時点ｔｏで発光開始してから３．２６ｍ５経過
前に発光開始信号を立ち下げればよい。実際には発光開
始信号は数１．０７ｉｓ程度あれば充分であり、問題は
ない。また、このようにＣ２，Ｒ２を設定する場合、約
１００七程度の速い繰り返しトリガが可能となる。

この第１−の実施例によれば、閃光放電管Ｘの発光制御
用スイッチング素子としてＩＧＢＴ　（Ｑ２）を使用す
るにあたって、トリガ回路ＴＣを構成する１〜リガコン
デンサＣ２とトリガトランスＴの１次巻線によるＬＣ共
振回路の発振電圧をクランプ回路ＣＣでクランプし、そ
の結果得られた数十ボルトの電圧をＩＧＢＴ　（Ｑ２）
のゲートに印加するようにした。したがって、別設の中
電位（数十ポル（・）用の電源回路が不要となり、スペ
ース的に有利となる。また、発光タイミングの遅れも全
くない。さらに、トリガコンデンサＣ２，トリガトラン
スＴの１次巻線が主コンデンサＭＣから給電を受けるも
のの、それらは待機時の直流インピーダンスが無限大で
あり主コンデンサＭＣに対して放電ループのない回路を
構成でき１発光開始時にＤＣ−ＤＣコンバータ１が停止
しているような場合でも発光が可能であり、省エネを図
った電子閃光装置にも本発明を適用できる。

−第２の実施例− 第３図は本発明の第２の実施例である。カメラ５、撮影
レンズ６．１！源Ｅ、ＤＣ−ＤＣ：ｌ：／バーク１、充
電電圧検知回路２、インターフェース回路３．主コンデ
ンサＭＣ等は第１の実施例と同一であり、図示は省略し
ている。また、第１図と同様な箇所には同一の符号を付
し、相異点を中心にして第２の実施例を第３図および第
４図により説明する。

第２の実施例においては、閃光放電管ＸとＩＧＢＴ　（
Ｑ２）のコレクタとの間にダイオードＤ６を挿入し、発
光トリガ時に閃光放電管Ｘのアノード・カソード間に主
コンデンサＭＣの充ｆｌ［圧ＶＣＭの２倍の電圧を印加
するようにしたものである。

サイリスタＳＣＨのアノードと閃光放電管Ｘのカソード
間に倍圧コンデンサＣ４と電流制限用抵抗Ｒ６が直列に
接続されている。倍圧コンデンサＣ４は事前に主コンデ
ンサＭＣ→抵抗Ｒ２→倍圧コンデンサＣ４→抵抗Ｒ６→
ダイオードＤ６→抵抗Ｒ５のルートでＶＣＭの電圧に充
電されている。

この状態から時点１０でハイレベルの発光開始借りがサ
イリスタＳＣＲのゲートに入力されるとサイリスタＳＣ
Ｒは導通し、そのアノード電位、つまり点Ｑ１の電位は
ＶＣＭからローレベルに変化する（第４図：Ｑ１参照）
。その結果、倍圧コンデンサＣ４の反対側電極の電位、
つまり閃光放電管Ｘのアノード側Ａ８の電位は零ボルト
からマイナスＶＣＭに変化する（第４図＝Ｑ８参照）。

したがって時点ｔ１において、閃光放電管Ｘのアノード
とカソード間には２ＸＶＣＭの電圧が印加される。

また第１図で説明したとおり、時点１；Ｏ−１：１の期
間に、閃光放電管Ｘのトリガ電極にはトリガ電圧が印加
されており、閃光放電管Ｘのアノード・カソード間には
放電時の起動電流が流れ始める。この起動電流は、主コ
ンデンサＭＣのプラス電極→閃光放電管Ｘ→抵抗Ｒ６→
倍圧コンデンサＣ４→サイリスタＳＣＲ→主コンデンサ
ＭＣのマイナス電極と流れる。時点し１〜ｔ２の期間に
ＩＧＢＴ　（Ｑ２）のゲート電位、つまり点Ｑ４の電位
は前述のごとくハイレベルとなり（第４図＝Ｑ４参照）
ＩＧＢＴ　（Ｑ２）が導通し、発光電流は、主コンデン
サＭＣのプラス電極→閃光放電管Ｘ→ダイオードＤ６→
ＩＧＢＴ　（Ｑ２）→主コンデンサＭＣのマイナス電極
と流れて閃光放電管Ｘが発光する。発光電流がＩＧＢＴ
　（Ｑ２）に流れ出すのは時点１０を起点として数１０
μｓ後である。

したがって、この時点までサイリスタＳＣＲの導通を維
持して倍圧コンデンサＣ４の効果を保持する必要がある
。なお、抵抗Ｒ６は倍圧コンデンサＣ４の充電電流によ
ってサイリスタＳＣＲに過負荷な電流が流れないように
するための電流制限用抵抗であり、通常数十オームの小
さな値である。

時点ｔ３において、ハイレベルの発光停止信号がインタ
ーフェース回路３の出力３−２に出力されて（第４図＝
３−２参照）トランジスタＱ１が導通すると、ＩＧＢＴ
　（Ｑ２）のゲート電圧がロレベルとなり、ＩＧＢＴ　
（Ｑ２）がオフする。

この時、第４図に示すとおり、時点Ｌ３において出力３
−１がハイレベルでありサイリスタＳＣＲがオン状態で
あれば、閃光放電管Ｘの発光電流の一部は、主コンデン
サＭＣ→閃光放電管Ｘ→抵抗Ｒ６→倍圧コンデンサＣ４
→サイリスタＳＣＲと流れて倍圧コンデンサＣ４を充電
する。

倍圧コンデンサＣ４は、この時主コンデンサＭ、Ｃの残
留電圧ＶＣＭとほぼ等しい電圧まで充電された後、その
充電は停止する。この結果、サイリスタＳＣＲのアノー
ド、つまり点ρ１の電圧ＶＲＩは、はぼ、 ただし、抵抗Ｒ６の抵抗値とダイオードＤ６の順方向電
圧は無視する となる。したがって、抵抗Ｒ２とＲ５の抵抗値をＲ２＞
Ｒ５とすればＶＣＭは負となりサイリスタＳＣＲは安全
に非導通となる。

実際には、Ｒ２＞、、Ｒ５と設定しておくと、主コンデ
ンサＭＣのプラス電極→抵抗Ｒ２→倍圧コンダンサＣ４
→抵抗Ｒ６→ダイオードＤ６抵抗抗Ｒ５→主コンデンサ
ＭＣのマイナス電極のループで倍圧コンデンサＣ４が放
電する過程でＶＱＩが負電圧となる。つまり、時点ｔ２
の後、出力３−１がハイレベルの状態で発光停止信号が
出力３−２に出力されるような速い調光動作（少ない光
量）を考慮して、第３図の実施例においては。

抵抗Ｒ２の抵抗値を抵抗Ｒ５の抵抗値より大きく設定し
ている。

なお、抵抗Ｒ５の抵抗値はＩＧＢＴ　（Ｑ２）がオフし
た後、抵抗値Ｒ５が低すぎ閃光放電管Ｘが発光を持続す
ることがないような値とするため、通常はＩＯＫΩ〜５
０にΩ程度となる。そして。

抵抗Ｒ２の抵抗値は安全を見て抵抗Ｒ５より大きく１例
えば約２倍以上に設定するのが好ましい。

つまり、抵抗Ｒ２の抵抗値をサイリスタＳＣＲの保持電
流を越える値に設定してもサイリスタＳＣＲを安全にオ
フすることができる。また、出力３−１がローレベル、
サイリスタＳＣＲが非導通の状態でＩＧＢＴ　（Ｑ２）
がオフした場合は、サイリスタＳＣＲは非導通のままで
あり何ら問題はない。

より具体的には、第３図の第２の実施例においては、Ｒ
２＝１００にΩ、Ｒ５＝２２にΩ、Ｒ６＝２２Ω、Ｃ２
＝Ｃ４＝０．０４７μＦに設定すれば、約３０１（ｚ程
度までの高速繰返しトリガ可能である。

なお、第４図のタイミングチャートに破線で示した波形
はフル発光時のものであり、第１の実施例と同様に、フ
ル発売後所定の時間が経過した時点Ｌ４において出力３
−２をハイレベルにしてトランジスタＱ１を導通し、こ
れによりＩＧＢＴ（Ｑ２）をオフすれば、その後ＩＧＢ
Ｔ　（Ｑ２）のゲートはＧＮＤに付勢されて非導通を維
持し続ける。

また、第２の実施例においては、抵抗Ｒ５はＩＧＢＴ　
（Ｑ２）とダイオードＤ６との交点に接続されているが
、破線で示すように閃光放電管又とダイオードＤ６のア
ノードとの交点に接続しても同様に動作する。

このように第２の実施例によれば、第１の実施例と同様
の効果を得るとともに、閃光放電管Ｘを発光起動させる
時に従来と同様にそのアノード・カソード間に主コンデ
ンサＭＣの充１！電圧の２倍の高電圧を印加することが
可能となり、確実な発光起動をかけることができる。

また、１回の発光終了後に次回の発光を可能とするため
には、第１の実施例では比較的小容量のトリガコンデン
サＣ２を再充電するだけでよく、また第２の実施例にお
いては比較的小容量のトリガコンデンサＣ２と倍圧コン
デンサＣ４を再充電するだけでよく、主コンデンサＭＣ
に一度充電されたエネルギーを何回かに分割して連続的
に発光させるような撮影に際しても、繰り返し発光の周
期を短くすることが可能となる。

また以上ではＩ　ＧＢＴについて説明したが、制御端子
に電圧を印加して導通、非導通が制御される、例えばパ
ワーＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃ
ｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）あるいはＳ　Ｉ　Ｔ　（Ｓ
ｔａｔｉｃ　Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）を用いてもよい。

Ｇ０発明の効果 本発明によれば、主コンデンサの充電時に充電されるコ
ンデンサとインダクタとで構成されるＬＣ共振回路を給
電ラインと接地ラインとの間に設けこのＬＣ共振回路を
発光開始指令と同期させて発振させると共に、このＬＣ
共振回路の発振電圧をクランプ回路で発光制御用スイッ
チング素子の駆動電圧にクランプしてそのスイッチング
素子の制御端子に印加するようにしたので、特別の駆動
電源を設ける必要がなく、コスト、および回路スペース
が節約できる。このＬＣ共振回路は、発光待機時には直
流消費ｆｌｉ流が零であり、主コンデンサの電荷を無駄
に消費しない。また、主コンデンサが充電完了すると昇
圧回路からの充電動作が停止するような構成でも、瞬時
に発光制御用スイッチング素子に駆動電圧を印加でき発
光遅れを伴うこともない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示す回路図、第２図は
そのタイミングチャート、第３図は本発明の第２の実施
例を示す回路図、第４図はそのタイミングチャートであ
る。 １　：　ＤＣ−ＤＣコンバータ ２：充電電圧検知回路 ３：インターフェース回路 ４：測光回路　　　　　５：カメラ ６：撮影レンズ　　　ＭＣ：主コンデンサＣ２：トリガ
コンデンサ Ｔ：トリガトランス ＳＣＲ：サイリスタ　　　　Ｘ：閃光放電管Ｑ１：トラ
ンジスタ Ｑ２：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＴＣ：トリ
ガ回路　　　ＣＣ：クランプ回路特許出願人　　　株式
会社二コン 代理人弁理士　　　永　井　冬　起 部Ｊ　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）電源ラインと接地ラインとの間に介装された閃光放
   電管と、 電源により充電されて前記閃光放電管を発光させる電荷
   を蓄積する主コンデンサと、 前記電源により充電されるトリガコンデンサとトリガト
   ランスとを有し前記閃光放電管にトリガ電圧を印加する
   トリガ回路と、 該トリガ回路の作動を指令する第１のスイッチング素子
   と、 前記閃光放電管を流れる放電電流を流通・遮断する第２
   のスイッチング素子とを具備する電子閃光装置において
   、 前記第２のスイッチング素子を、制御端子に印加される
   電圧によりオン・オフする電圧制御型のスイッチング素
   子となし、 前記電源ラインと前記接地ラインとの間に介装され、前
   記主コンデンサの充電時に充電されるコンデンサとイン
   ダクタとから成り前記第１のスイッチング素子がオンす
   ると発振するＬＣ共振回路と、 このＬＣ共振回路の発振電圧を前記第２のスイッチング
   素子の制御電圧に適した値にクランプするクランプ回路
   とを具備し、このクランプ回路の出力電圧を前記第２の
   スイッチング素子の制御端子に接続したことを特徴とす
   る電子閃光装置。 ２）前記トリガ回路を構成するトリガトランスの１次側
   コイルとトリガコンデンサとにより前記ＬＣ共振回路を
   構成したことを特徴とする請求項１に記載の電子閃光装
   置。