JPH03216631A - 自動調光式閃光装置 - Google Patents
自動調光式閃光装置Info
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- JPH03216631A JPH03216631A JP1068190A JP1068190A JPH03216631A JP H03216631 A JPH03216631 A JP H03216631A JP 1068190 A JP1068190 A JP 1068190A JP 1068190 A JP1068190 A JP 1068190A JP H03216631 A JPH03216631 A JP H03216631A
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- Japan
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- igbt
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- switching element
- circuit
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
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- Stroboscope Apparatuses (AREA)
- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、発光管に直列に接続されたＩＧＢＴをオン、
オフさせて発光管の発光開始、停止を制御するカメラ用
自動調光式閃光装ＩＥ（一般にオートストロボとも言う
）に関するものである．（従来の技術） この種の閃光装置は，特開昭６４−１７０３３号公報に
開示されている．従来、発光管に直列に接続されたサイ
リスタをオンにして発光を開始し、また転流コンデンサ
の充電電荷でサイリスタのアノード・カソード間を逆バ
イアスして発光を停止させる方式が一般的であったが，
この方式では、サイリスタをオフにしても発光管、転流
コンデンサ、サイリスタを介して余分な電流が流れるた
め、発光量オーバーになる問題があった．そこで、サイ
リスタの代りにＩＧＢＴを用いることにより、速い周期
で連続発光ができるようにしたものである．（発明が解
決しようとする課題） ＩＧＢＴはゲート電圧を制御するだけで１００ Ａ以上
の大電流を流通，遮断することができる便利な素子であ
る。しかしなから、ゲート電圧として，約３０Ｖという
高い電圧が必要である。カメラは、通常３〜５Ｖ程度の
電池を電源としているため，３０Ｖの電圧を発生させる
ためには昇圧回路を設けなければならない。
オフさせて発光管の発光開始、停止を制御するカメラ用
自動調光式閃光装ＩＥ（一般にオートストロボとも言う
）に関するものである．（従来の技術） この種の閃光装置は，特開昭６４−１７０３３号公報に
開示されている．従来、発光管に直列に接続されたサイ
リスタをオンにして発光を開始し、また転流コンデンサ
の充電電荷でサイリスタのアノード・カソード間を逆バ
イアスして発光を停止させる方式が一般的であったが，
この方式では、サイリスタをオフにしても発光管、転流
コンデンサ、サイリスタを介して余分な電流が流れるた
め、発光量オーバーになる問題があった．そこで、サイ
リスタの代りにＩＧＢＴを用いることにより、速い周期
で連続発光ができるようにしたものである．（発明が解
決しようとする課題） ＩＧＢＴはゲート電圧を制御するだけで１００ Ａ以上
の大電流を流通，遮断することができる便利な素子であ
る。しかしなから、ゲート電圧として，約３０Ｖという
高い電圧が必要である。カメラは、通常３〜５Ｖ程度の
電池を電源としているため，３０Ｖの電圧を発生させる
ためには昇圧回路を設けなければならない。
また、ストロボのＤＣ／ＤＣコンパータのトランスの２
次巻線から中間タップを取り出し、３０Ｖの電圧を得て
いたが、中間タップ付のトランスは高価であり、また取
り出される電圧も大きく変動するため定電圧回路が必要
となり、部品点数、コストとも増加してしまうという問
題があった．さらに、ＩＧＢＴのゲート電極は寄生容量
が大きく、ゲート電圧を制御する回路は低インピーダン
スが必要となる。インピーダンスが高いとゲート電圧の
立上り、立下りに時間がかかり，発光光量の制御が正確
にできなかったり、ＩＧＢＴ自体を破壊するなどの不具
合が発生する。そのため，トランジスタによるプッシュ
プル回路を構成しており、さらに部品点数，コスト増と
なっていた。
次巻線から中間タップを取り出し、３０Ｖの電圧を得て
いたが、中間タップ付のトランスは高価であり、また取
り出される電圧も大きく変動するため定電圧回路が必要
となり、部品点数、コストとも増加してしまうという問
題があった．さらに、ＩＧＢＴのゲート電極は寄生容量
が大きく、ゲート電圧を制御する回路は低インピーダン
スが必要となる。インピーダンスが高いとゲート電圧の
立上り、立下りに時間がかかり，発光光量の制御が正確
にできなかったり、ＩＧＢＴ自体を破壊するなどの不具
合が発生する。そのため，トランジスタによるプッシュ
プル回路を構成しており、さらに部品点数，コスト増と
なっていた。
本発明は、このような問題点を解決するもので、回路を
簡易化し、しかもＩＧＢＴのゲートに加える電圧の立上
りを速くした，低コストの自動調光式閃光装置を提供す
ることを目的とする．（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために，本発明の閃光装置は、ＩＧ
ＢＴのゲート・エミッタ間にそれぞれ接続された第１の
スイッチング素子及び電圧制限素子と．ＩＧＢＴのゲー
トとＩＧＢＴオン電圧より高い電圧源との間に接続され
た２本以上の抵抗直列回路と、この抵抗直列回路の少な
くとも１本の抵抗に並列に接続された第２のスイッチン
グ素子とを備えた構成とする． （作 用） この構成によれば、第１のスイッチング素子をオンから
オフに切り換えるとき、第２のスイッチング素子を一瞬
オンにし、第２のスイッチング素子に並列に接続された
抵抗をショートしてインピーダンスを下げ．ＩＧＢＴの
ゲートに加える電圧の立上りを速くすることができる． ？実施例） 以下、図面を参照して実施例を詳細に説明する．第１図
は、本発明の一実施例の自動調光式閃光装置の回路を示
したもので、ＩＧＢＴの制御電圧をＤＣ／ＤＣコンバー
タのトランスの２次巻線の中間タップから取り出した例
である。１は電池２の電圧を所要の電圧に昇圧するＤＣ
／ＤＣコンバータであり、そのトランス３の２次巻線か
ら中間タップを引き出している．Ｄ，．Ｄ２はそれぞれ
整流用のダイオード、Ｃ■は主コンデンサ、Ｘｅは発光
管（Ｘｅランプ）、ＩＧＢＴはＩｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇ
ａｔｅＢｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒで、発光
管Ｘｓと直列に接続され，この直列回路は主コンデンサ
Ｃ１と並列に接続されている．４は発光管Ｘｓを起動す
るトリガートランス、ＺＤはＩＧＢＴのゲート・エミッ
タ間に接続され、ＩＧＢＴをオンさせるに必要なゲート
電圧を与える電圧制限素子、Ｑ１は同じくＩＧＢＴのゲ
ート・エミッタ間に接続された第１のスイッチング用ト
ランジスタで．ｍ御回路５からのＢ信号で制御される．
Ｃ３はコンデンサで、トランス３の２次巻線の中間タッ
プにより充電され、その充電電圧は電圧制限素子ＺＤの
制限電圧より高く設定されている．ＩＧＢＴのゲートと
コンデンサＣ３の間には抵抗Ｒ１とＲ２の直列回路が接
続されており、さらに抵抗Ｒ２に並列に第２のスイッチ
ング用トランジスタＱ２が接続されている．Ｑ３はトラ
ンジスタＱ２を制御するトランジスタで，このトランジ
スタＱ３は制御回路５からのＡ信号により制御される。
簡易化し、しかもＩＧＢＴのゲートに加える電圧の立上
りを速くした，低コストの自動調光式閃光装置を提供す
ることを目的とする．（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために，本発明の閃光装置は、ＩＧ
ＢＴのゲート・エミッタ間にそれぞれ接続された第１の
スイッチング素子及び電圧制限素子と．ＩＧＢＴのゲー
トとＩＧＢＴオン電圧より高い電圧源との間に接続され
た２本以上の抵抗直列回路と、この抵抗直列回路の少な
くとも１本の抵抗に並列に接続された第２のスイッチン
グ素子とを備えた構成とする． （作 用） この構成によれば、第１のスイッチング素子をオンから
オフに切り換えるとき、第２のスイッチング素子を一瞬
オンにし、第２のスイッチング素子に並列に接続された
抵抗をショートしてインピーダンスを下げ．ＩＧＢＴの
ゲートに加える電圧の立上りを速くすることができる． ？実施例） 以下、図面を参照して実施例を詳細に説明する．第１図
は、本発明の一実施例の自動調光式閃光装置の回路を示
したもので、ＩＧＢＴの制御電圧をＤＣ／ＤＣコンバー
タのトランスの２次巻線の中間タップから取り出した例
である。１は電池２の電圧を所要の電圧に昇圧するＤＣ
／ＤＣコンバータであり、そのトランス３の２次巻線か
ら中間タップを引き出している．Ｄ，．Ｄ２はそれぞれ
整流用のダイオード、Ｃ■は主コンデンサ、Ｘｅは発光
管（Ｘｅランプ）、ＩＧＢＴはＩｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇ
ａｔｅＢｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒで、発光
管Ｘｓと直列に接続され，この直列回路は主コンデンサ
Ｃ１と並列に接続されている．４は発光管Ｘｓを起動す
るトリガートランス、ＺＤはＩＧＢＴのゲート・エミッ
タ間に接続され、ＩＧＢＴをオンさせるに必要なゲート
電圧を与える電圧制限素子、Ｑ１は同じくＩＧＢＴのゲ
ート・エミッタ間に接続された第１のスイッチング用ト
ランジスタで．ｍ御回路５からのＢ信号で制御される．
Ｃ３はコンデンサで、トランス３の２次巻線の中間タッ
プにより充電され、その充電電圧は電圧制限素子ＺＤの
制限電圧より高く設定されている．ＩＧＢＴのゲートと
コンデンサＣ３の間には抵抗Ｒ１とＲ２の直列回路が接
続されており、さらに抵抗Ｒ２に並列に第２のスイッチ
ング用トランジスタＱ２が接続されている．Ｑ３はトラ
ンジスタＱ２を制御するトランジスタで，このトランジ
スタＱ３は制御回路５からのＡ信号により制御される。
次に、本実施例の動作を、第２図のタイミングチャート
を参照しなから説明する。制御回路５のＳＰＣ信号をｒ
ＨＪから「Ｌ』に切り換えると、ＤＣ／ＤＣコンバータ
１が発振を開始し，主コンデンサＣ１が充電される．同
時に、トランス３の中間タップからの電圧でコンデンサ
ｃ３も充電され、ＩＧＢＴのオン電圧よりも高い電圧に
なる．このときＡ信号は「Ｌ』であるからトランジスタ
Ｑ３はオフ、従って，トランジスタＱ２もオフとなって
いる．一方，Ｂ信号はｒＨＪであるからトランジスタＱ
！はオンで、従って．ＩＧＢＴのゲー？は［Ｌ』であり
．ＩＧＢＴはオフとなっている．発光管Ｘｓを発光させ
る場合、制御回路５からのＡ信号を「Ｈ』に、Ｂ信号を
ｒＬＪに同時に切り換える．これにより，トランジスタ
Ｑ１はオフになり、ＩＧＢＴのゲートには抵抗Ｒ■、Ｒ
２を介してコンデンサＣ３の電圧が印加されるが、同時
に，トランジスタＱ３、トランジスタＱ２がオンとなる
ため，抵抗Ｒ２はトランジスタＱ２によってショートさ
れ、ここでＲ■《Ｒ２に設定されているので、小抵抗Ｒ
１のみを介してコンデンサｃ３の電圧がＩＧＢＴのゲー
トに印加され、ゲート電圧は急速に立ち上がってＩＧＢ
Ｔはオンとなる．そこで、トリガ−回路が起動し、発光
管Ｘｅに電流が流れて発光を開始する． ＩＧＢＴのゲート電圧が十分立ち上がったところで制御
回路５のＡ信号を［Ｈ』からｒＬ』に反転させる．そこ
で，トランジスタＱ３、Ｑ２がオフとなるが，ＩＧＢＴ
のゲートにはコンデンサｃ３の電圧が抵抗Ｒ！，Ｒ，を
介して印加されており、しかもゲート電流は極めて少な
いので、抵抗Ｒ２が加わっても電圧降下はほとんどな＜
．ＩＧＢＴはオンのままである． 適正発光光量に達したところで，制御回路５のＢ信号を
ｒｌＪからｒＨＪに切り換えると，トランジスタＱ１が
オンになり、ＩＧＢＴのゲート電位を急速に低下させ、
ＩＧＢＴをオフにし、従って，発光管Ｘｓは発光を停止
する． 第３図は、本発明の他の実施例を示したもので，ＩＧＢ
Ｔの制御電圧を主コンデンサＣ１から取り出すようにし
た例である．従って、ＤＣ／ＤＣコンバータ１のトラン
ス６の２次巻線には中間タップを必要とせず，また整流
用ダイオードＤ２も不要となる．本実施例の動作は第１
図の実施例の動作とほとんど同じであるから、異なると
ころのみ第４図を参照しなから説明する． 制御回路７からのＢ信号をｒＨＪからｒＬＪに切り換え
ると，トランジスタＱ１がオフになり，ＩＧＢＴのゲー
トに抵抗Ｒ１、Ｒ２を介して主コンデンサＣ１の電圧が
印加され、ゲート電圧は上昇する．そこで、抵抗Ｒｅ，
コンデンサＣ４を介してトランジスタＱ３にベース電流
が流れ．Ｑａがオン、続いてトランジスタＱ２がオンに
なり，抵抗Ｒ２はショートされる．その結果、主コンデ
ンサＣ！の電圧が小抵抗Ｒ，のみを介してＩＧＢＴのゲ
ートに印加され、ゲート電位は急速に立上がる．ＩＧＢ
Ｔのゲート電圧が電圧制限素子ＺＤの制限電圧まで上昇
し停止すると、トランジスタＱ３のべ−ス電位はなくな
り，トランジスタＱ３がオフ、トランジスタＱ２もオフ
となる．勿論、このときはＩＧＢＴはオンになって発光
管Ｘｓは発光を開始している。以下の動作は第１図の実
施例と同じである。
を参照しなから説明する。制御回路５のＳＰＣ信号をｒ
ＨＪから「Ｌ』に切り換えると、ＤＣ／ＤＣコンバータ
１が発振を開始し，主コンデンサＣ１が充電される．同
時に、トランス３の中間タップからの電圧でコンデンサ
ｃ３も充電され、ＩＧＢＴのオン電圧よりも高い電圧に
なる．このときＡ信号は「Ｌ』であるからトランジスタ
Ｑ３はオフ、従って，トランジスタＱ２もオフとなって
いる．一方，Ｂ信号はｒＨＪであるからトランジスタＱ
！はオンで、従って．ＩＧＢＴのゲー？は［Ｌ』であり
．ＩＧＢＴはオフとなっている．発光管Ｘｓを発光させ
る場合、制御回路５からのＡ信号を「Ｈ』に、Ｂ信号を
ｒＬＪに同時に切り換える．これにより，トランジスタ
Ｑ１はオフになり、ＩＧＢＴのゲートには抵抗Ｒ■、Ｒ
２を介してコンデンサＣ３の電圧が印加されるが、同時
に，トランジスタＱ３、トランジスタＱ２がオンとなる
ため，抵抗Ｒ２はトランジスタＱ２によってショートさ
れ、ここでＲ■《Ｒ２に設定されているので、小抵抗Ｒ
１のみを介してコンデンサｃ３の電圧がＩＧＢＴのゲー
トに印加され、ゲート電圧は急速に立ち上がってＩＧＢ
Ｔはオンとなる．そこで、トリガ−回路が起動し、発光
管Ｘｅに電流が流れて発光を開始する． ＩＧＢＴのゲート電圧が十分立ち上がったところで制御
回路５のＡ信号を［Ｈ』からｒＬ』に反転させる．そこ
で，トランジスタＱ３、Ｑ２がオフとなるが，ＩＧＢＴ
のゲートにはコンデンサｃ３の電圧が抵抗Ｒ！，Ｒ，を
介して印加されており、しかもゲート電流は極めて少な
いので、抵抗Ｒ２が加わっても電圧降下はほとんどな＜
．ＩＧＢＴはオンのままである． 適正発光光量に達したところで，制御回路５のＢ信号を
ｒｌＪからｒＨＪに切り換えると，トランジスタＱ１が
オンになり、ＩＧＢＴのゲート電位を急速に低下させ、
ＩＧＢＴをオフにし、従って，発光管Ｘｓは発光を停止
する． 第３図は、本発明の他の実施例を示したもので，ＩＧＢ
Ｔの制御電圧を主コンデンサＣ１から取り出すようにし
た例である．従って、ＤＣ／ＤＣコンバータ１のトラン
ス６の２次巻線には中間タップを必要とせず，また整流
用ダイオードＤ２も不要となる．本実施例の動作は第１
図の実施例の動作とほとんど同じであるから、異なると
ころのみ第４図を参照しなから説明する． 制御回路７からのＢ信号をｒＨＪからｒＬＪに切り換え
ると，トランジスタＱ１がオフになり，ＩＧＢＴのゲー
トに抵抗Ｒ１、Ｒ２を介して主コンデンサＣ１の電圧が
印加され、ゲート電圧は上昇する．そこで、抵抗Ｒｅ，
コンデンサＣ４を介してトランジスタＱ３にベース電流
が流れ．Ｑａがオン、続いてトランジスタＱ２がオンに
なり，抵抗Ｒ２はショートされる．その結果、主コンデ
ンサＣ！の電圧が小抵抗Ｒ，のみを介してＩＧＢＴのゲ
ートに印加され、ゲート電位は急速に立上がる．ＩＧＢ
Ｔのゲート電圧が電圧制限素子ＺＤの制限電圧まで上昇
し停止すると、トランジスタＱ３のべ−ス電位はなくな
り，トランジスタＱ３がオフ、トランジスタＱ２もオフ
となる．勿論、このときはＩＧＢＴはオンになって発光
管Ｘｓは発光を開始している。以下の動作は第１図の実
施例と同じである。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、（１）ＩＧＢＴ
のゲートに印加する制御用電圧源としては，ゲートオン
電圧以上の電圧であればよいから、従来と同様にＤＣ／
ＤＣコンバータのトランス２次巻線の中間タップから取
り出すこともできるが、その場合でも、従来のような定
電圧回路は不要となり，その分，部品点数，コストの減
少となる． （２）ゲート制御用電圧源として、主コンデンサの電圧
を利用することもでき、その場合は、高価な中間タップ
付トランスが不要になると共に、整流回路のＤ，，Ｃ３
も不要となり，大幅な部品点数，コスト低減となる． （３）そしていずれの場合も、ＩＧＢＴのゲート制御回
路は、従来のプッシュプル回路と異なって，抵抗の直列
回路が基本であり、立上り時には第２のスイッチング用
トランジスタＱ２をオンにしてそれと並列に接続された
抵抗をショートし、これによってインピーダンスを下げ
て制御電圧の立上りを急俊にすることができるという，
簡単な回路で、所要の特性を得ることができるものであ
る．
のゲートに印加する制御用電圧源としては，ゲートオン
電圧以上の電圧であればよいから、従来と同様にＤＣ／
ＤＣコンバータのトランス２次巻線の中間タップから取
り出すこともできるが、その場合でも、従来のような定
電圧回路は不要となり，その分，部品点数，コストの減
少となる． （２）ゲート制御用電圧源として、主コンデンサの電圧
を利用することもでき、その場合は、高価な中間タップ
付トランスが不要になると共に、整流回路のＤ，，Ｃ３
も不要となり，大幅な部品点数，コスト低減となる． （３）そしていずれの場合も、ＩＧＢＴのゲート制御回
路は、従来のプッシュプル回路と異なって，抵抗の直列
回路が基本であり、立上り時には第２のスイッチング用
トランジスタＱ２をオンにしてそれと並列に接続された
抵抗をショートし、これによってインピーダンスを下げ
て制御電圧の立上りを急俊にすることができるという，
簡単な回路で、所要の特性を得ることができるものであ
る．
第１図は、本発明の一実施例の自動調光式閃光装置の回
路図、第２図は、同要部信号のタイミングチャート、第
３図は、本発明の他の実施例の回路図，第４図は、同要
部信号のタイミングチャートである． １ ・・・ ＤＣ／ＤＣコンバータ，３，６ランス、
４ ・・・ トリガートランス、制御回路， Ｃ，・・
・主コンデンサ，光管、 Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ ・・・Ｉｎ
ｓｕｌａｔｅｄ ＧａｔｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ，
Ｚ Ｄ−電圧制限素子、第１のスイッチング用トランジ
スタ、 第２のスイッチング用トランジスタ、 ・・・抵抗。 ト ５ ，７ ・・・ Ｘｅ・・・発 Ｂｉｐｏｌａｒ Ｑ１ ・・・ Ｑ２ ・・・ Ｒ１，Ｒ２
路図、第２図は、同要部信号のタイミングチャート、第
３図は、本発明の他の実施例の回路図，第４図は、同要
部信号のタイミングチャートである． １ ・・・ ＤＣ／ＤＣコンバータ，３，６ランス、
４ ・・・ トリガートランス、制御回路， Ｃ，・・
・主コンデンサ，光管、 Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ ・・・Ｉｎ
ｓｕｌａｔｅｄ ＧａｔｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ，
Ｚ Ｄ−電圧制限素子、第１のスイッチング用トランジ
スタ、 第２のスイッチング用トランジスタ、 ・・・抵抗。 ト ５ ，７ ・・・ Ｘｅ・・・発 Ｂｉｐｏｌａｒ Ｑ１ ・・・ Ｑ２ ・・・ Ｒ１，Ｒ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 発光管に直列に接続されたＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅ
ｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）をオ
ンにして主コンデンサに充電された電荷を発光管に印加
し発光させ、前記ＩＧＢＴをオフにして前記発光管の発
光を停止させる閃光装置において、 前記ＩＧＢＴのゲート・エミッタ間にそれぞれ接続され
た第１のスイッチング素子及び電圧制限素子と、前記Ｉ
ＧＢＴのゲートとＩＧＢＴオン電圧より高い電圧源との
間に接続された２本以上の抵抗直列回路と、該抵抗直列
回路の少なくとも１本の抵抗に並列に接続された第２の
スイッチング素子とを備え、 前記第１のスイッチング素子をオンからオフに切り換え
るとき前記第２のスイッチング素子を一瞬オンにするこ
とを特徴とする自動調光式閃光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068190A JPH03216631A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 自動調光式閃光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068190A JPH03216631A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 自動調光式閃光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03216631A true JPH03216631A (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=11757003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1068190A Pending JPH03216631A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 自動調光式閃光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03216631A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5532555A (en) * | 1994-03-07 | 1996-07-02 | Olympus Optical Co., Ltd. | Electronic flash apparatus using gate controlled switching device directly driven by CPU |
| JP2007003898A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Stanley Electric Co Ltd | ストロボ装置 |
-
1990
- 1990-01-22 JP JP1068190A patent/JPH03216631A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5532555A (en) * | 1994-03-07 | 1996-07-02 | Olympus Optical Co., Ltd. | Electronic flash apparatus using gate controlled switching device directly driven by CPU |
| JP2007003898A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Stanley Electric Co Ltd | ストロボ装置 |
| JP4698298B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2011-06-08 | スタンレー電気株式会社 | ストロボ装置 |
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