JP2974347B2 - 閃光撮影システム - Google Patents
閃光撮影システムInfo
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- JP2974347B2 JP2974347B2 JP31993189A JP31993189A JP2974347B2 JP 2974347 B2 JP2974347 B2 JP 2974347B2 JP 31993189 A JP31993189 A JP 31993189A JP 31993189 A JP31993189 A JP 31993189A JP 2974347 B2 JP2974347 B2 JP 2974347B2
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- capacitor
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、IGBT（Insvlated Gate Bipolar Transi
stor）などの大電流スイツチング素子を用いた電子閃光
装置のゲート駆動回路に関するものである。
stor）などの大電流スイツチング素子を用いた電子閃光
装置のゲート駆動回路に関するものである。
従来IGBT等大電流スイツチング素子を用いた電子閃光
装置においてスイツチング素子のゲート駆動電圧は高
く、電圧供給源の確保は難かしく、主コンデンサの両端
に抵抗等により分圧しゲート駆動電圧を得る方法を採用
していた。
装置においてスイツチング素子のゲート駆動電圧は高
く、電圧供給源の確保は難かしく、主コンデンサの両端
に抵抗等により分圧しゲート駆動電圧を得る方法を採用
していた。
しかしながら、該方法では上記分圧抵抗を介して主コ
ンデンサにたまった電荷が放電し、すぐに主コンデンサ
の両端の電圧が低下するといった欠点があった。
ンデンサにたまった電荷が放電し、すぐに主コンデンサ
の両端の電圧が低下するといった欠点があった。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は上記事項に鑑みなされたもので、その構成と
して、閃光発光を行わせるための電荷を蓄積するメイン
コンデンサーと、該メインコンデンサーと閃光放電管と
の間に接続され、制御極にオンにするために必要な駆動
電圧が印加されることでオン状態となり前記メインコン
デンサーの電荷を前記閃光放電管に放電させるスイッチ
ング素子と、該スイッチング素子の制御極へ印加される
前記駆動電圧を供給するための電荷を蓄積する電圧供給
用コンデンサーと、前記メインコンデンサーの充電状態
が発光可能な充電レベル状態を示し、かつ、前記電圧供
給用コンデンサーの充電状態が前記スイッチング素子を
オンとすることが可能な充電状態を示している際に閃光
発光を許可する制御手段を有する閃光装置を有する閃光
撮影システムを提供して、メインコンデンサーに蓄積さ
れた電荷が前記駆動電圧供給のために消費されることを
防止するとともにメインコンデンサーとは別に駆動電圧
供給用コンデンサーを設けることにより、該供給用コン
デンサーの充電が完了する以前にトリガーが行われた際
の不都合を防止した閃光撮影システムを提供するもので
ある。
して、閃光発光を行わせるための電荷を蓄積するメイン
コンデンサーと、該メインコンデンサーと閃光放電管と
の間に接続され、制御極にオンにするために必要な駆動
電圧が印加されることでオン状態となり前記メインコン
デンサーの電荷を前記閃光放電管に放電させるスイッチ
ング素子と、該スイッチング素子の制御極へ印加される
前記駆動電圧を供給するための電荷を蓄積する電圧供給
用コンデンサーと、前記メインコンデンサーの充電状態
が発光可能な充電レベル状態を示し、かつ、前記電圧供
給用コンデンサーの充電状態が前記スイッチング素子を
オンとすることが可能な充電状態を示している際に閃光
発光を許可する制御手段を有する閃光装置を有する閃光
撮影システムを提供して、メインコンデンサーに蓄積さ
れた電荷が前記駆動電圧供給のために消費されることを
防止するとともにメインコンデンサーとは別に駆動電圧
供給用コンデンサーを設けることにより、該供給用コン
デンサーの充電が完了する以前にトリガーが行われた際
の不都合を防止した閃光撮影システムを提供するもので
ある。
以下本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の実施例を示す回路図である。
図において、１は電源電池、２は電源スイツチ、３は
定電圧源でVref1,Vref2,Vccの定電圧を発生させる、４
はコンデンサ、５は抵抗で4,5により電源立上り時リセ
ツトパルスをつくる。36はI/O付の公知のワンチツプマ
イクロコンピユーターで、発光・調光の制御を行なう。
６は抵抗で、ワンチツプマイクロコンピユーター（以下
μ−Comと略す）のS3端子に接続される。又コンデンサ
4,抵抗５によるパルス回路から出力される信号線はμ−
ComのReset端子に接続される。
定電圧源でVref1,Vref2,Vccの定電圧を発生させる、４
はコンデンサ、５は抵抗で4,5により電源立上り時リセ
ツトパルスをつくる。36はI/O付の公知のワンチツプマ
イクロコンピユーターで、発光・調光の制御を行なう。
６は抵抗で、ワンチツプマイクロコンピユーター（以下
μ−Comと略す）のS3端子に接続される。又コンデンサ
4,抵抗５によるパルス回路から出力される信号線はμ−
ComのReset端子に接続される。
７はダイオードで、抵抗６に接続される。９は抵抗、
10はnpnトランジスタ（以下npn−Trと略す）で、このnp
n−Trのベースにダイオード７のカソードが接続され
る。又10のベース・エミツタ間に抵抗９が接続される。
10はnpnトランジスタ（以下npn−Trと略す）で、このnp
n−Trのベースにダイオード７のカソードが接続され
る。又10のベース・エミツタ間に抵抗９が接続される。
８はダイオードでカソードがnpn−Tr10のエミツタに
接続される、11はpnpトランジスタ（以下pnp−Trと略
す）であり、pnp−Tr11のベースにnpn−Tr10のコレクタ
が接続される。pnp−Tr11のエミツタはスイツチ２に接
続される。12はトランスで１次巻線12aにはpnp−Tr11の
コレクタが接続される。帰還巻線12bは抵抗40を通して
グランド（GND）に接線する。又帰還巻線12bのもう片方
の端子にはnpn−Tr10のエミツタに接続される。２次巻
線は12c,12dと分割しており12cは高圧出力用、12dはIGB
T駆動電圧出力用となっている。上記各素子を含む点線1
00で囲まれた部分は昇圧回路を構成する。12cと接続す
る13は整流用ダイオード、12dと接続する14は整流用ダ
イオードである。15はコンデンサでダイオード14のカソ
ードとGNDに接続される。16は抵抗でダイオード14のカ
ソードに接続される。17は定電圧ダイオードで、カソー
ドは抵抗16に接続される。定電圧ダイオード17のアノー
ドはGNDに接続される。定電圧ダイオード17と並列にコ
ンデンサ18が接続され、抵抗16、コンデンサ18にpnp−T
r19のエミツタが接続される。20はpnp−Trでコレクタに
はpnp−Tr19のベースが接続される。npn−Tr20のベース
には抵抗34が接続され、npn−Tr20のエミツタはGNDに接
続されpnp−Tr19のON−OFFを制御する。38はnpn−Trで
スイツチング素子30のベースに接続されnpn−Tr38のオ
ン時スイツチング素子30をオフする。39はnpn−Tr38の
ベース抵抗、21,22は抵抗で、整流用ダイオード13の出
力電圧を検知する分圧抵抗を構成する。23はダイオード
で、24は主コンデンサである。23は24のもれ電流を防止
するダイオードである。ダイオード23のアノードはダイ
オード13のカソードに、23のカソードは主コンデンサ24
に接続される。
接続される、11はpnpトランジスタ（以下pnp−Trと略
す）であり、pnp−Tr11のベースにnpn−Tr10のコレクタ
が接続される。pnp−Tr11のエミツタはスイツチ２に接
続される。12はトランスで１次巻線12aにはpnp−Tr11の
コレクタが接続される。帰還巻線12bは抵抗40を通して
グランド（GND）に接線する。又帰還巻線12bのもう片方
の端子にはnpn−Tr10のエミツタに接続される。２次巻
線は12c,12dと分割しており12cは高圧出力用、12dはIGB
T駆動電圧出力用となっている。上記各素子を含む点線1
00で囲まれた部分は昇圧回路を構成する。12cと接続す
る13は整流用ダイオード、12dと接続する14は整流用ダ
イオードである。15はコンデンサでダイオード14のカソ
ードとGNDに接続される。16は抵抗でダイオード14のカ
ソードに接続される。17は定電圧ダイオードで、カソー
ドは抵抗16に接続される。定電圧ダイオード17のアノー
ドはGNDに接続される。定電圧ダイオード17と並列にコ
ンデンサ18が接続され、抵抗16、コンデンサ18にpnp−T
r19のエミツタが接続される。20はpnp−Trでコレクタに
はpnp−Tr19のベースが接続される。npn−Tr20のベース
には抵抗34が接続され、npn−Tr20のエミツタはGNDに接
続されpnp−Tr19のON−OFFを制御する。38はnpn−Trで
スイツチング素子30のベースに接続されnpn−Tr38のオ
ン時スイツチング素子30をオフする。39はnpn−Tr38の
ベース抵抗、21,22は抵抗で、整流用ダイオード13の出
力電圧を検知する分圧抵抗を構成する。23はダイオード
で、24は主コンデンサである。23は24のもれ電流を防止
するダイオードである。ダイオード23のアノードはダイ
オード13のカソードに、23のカソードは主コンデンサ24
に接続される。
25は抵抗でダイオード23のカソードに接続される。26
はコンデンサ、27はトリガトランスで、１次側にコンデ
ンサ26が接続される。28は閃光放電管でトリガトランス
27により発光する。29はダイオードで、30はスイツチン
グ素子（例えばIGBT（Insulated Gate Bipolar Tran
sistor）の様な伝導度変調型MOSFET）でコレクタにダイ
オード29のカソードと抵抗25、コンデンサ26が接続され
る。
はコンデンサ、27はトリガトランスで、１次側にコンデ
ンサ26が接続される。28は閃光放電管でトリガトランス
27により発光する。29はダイオードで、30はスイツチン
グ素子（例えばIGBT（Insulated Gate Bipolar Tran
sistor）の様な伝導度変調型MOSFET）でコレクタにダイ
オード29のカソードと抵抗25、コンデンサ26が接続され
る。
スイツチング素子30のエミツタはGNDに接続される。
ベースはnpn−Tr38のコレクタ、npn−Tr19のコレクタに
接続される。31,32はコンパレータでコンパレータ31は
充電電圧検知用のコンパレータで抵抗21,22の分圧値が
正端子に入力され、充電電圧に対応する基準電圧Vref1
が定電圧回路３により負端子に接続される。入力が充電
電圧以下ならローレベル（以下LLと略す）充電電圧以下
ならハイレベル（以下HLと略す）が出力される。
ベースはnpn−Tr38のコレクタ、npn−Tr19のコレクタに
接続される。31,32はコンパレータでコンパレータ31は
充電電圧検知用のコンパレータで抵抗21,22の分圧値が
正端子に入力され、充電電圧に対応する基準電圧Vref1
が定電圧回路３により負端子に接続される。入力が充電
電圧以下ならローレベル（以下LLと略す）充電電圧以下
ならハイレベル（以下HLと略す）が出力される。
32はレギユレータ電圧検知用コンパレータで、昇圧回
路100により、主コンデンサ24の両端の電圧を一定にコ
ントロールするためのもので、抵抗21,22の分圧値が負
端子に接続されレギユレータ電圧に対応する基準電圧Vr
ef2が定電圧回路３より正端子に接続される。入力がレ
ギユレータ電圧以下ならHLを出力し、レギユレータ電圧
以上であるならLLを出力する。
路100により、主コンデンサ24の両端の電圧を一定にコ
ントロールするためのもので、抵抗21,22の分圧値が負
端子に接続されレギユレータ電圧に対応する基準電圧Vr
ef2が定電圧回路３より正端子に接続される。入力がレ
ギユレータ電圧以下ならHLを出力し、レギユレータ電圧
以上であるならLLを出力する。
33は公知のラツチ回路で、Ｓ端子はセツト端子、Ｒ端
子はリセツト端子を示し、Ｑ端子は出力端子である。ラ
ツチ回路33のＳ端子はコンパレータ31の出力と接続され
充電完了レベルに達するとＱ端子の出力をHLにする。ラ
ツチ回路33のＲ端子はコンデンサ４、抵抗５のリセツト
パルス回路に接続される。
子はリセツト端子を示し、Ｑ端子は出力端子である。ラ
ツチ回路33のＳ端子はコンパレータ31の出力と接続され
充電完了レベルに達するとＱ端子の出力をHLにする。ラ
ツチ回路33のＲ端子はコンデンサ４、抵抗５のリセツト
パルス回路に接続される。
35はカメラ（不図示）のＸ接点である。Ｘはμ−Com3
6のＸ端子に接続されるμ−Com36のS0端子はコンパレー
タ32の出力に接続されS1端子はラツチ回路の出力Ｑ端子
と接続され、S2端子は抵抗34を通してnpn−Tr20に接続
される。またS3端子は抵抗６を通してダイオード７のア
ノードに接続される。
6のＸ端子に接続されるμ−Com36のS0端子はコンパレー
タ32の出力に接続されS1端子はラツチ回路の出力Ｑ端子
と接続され、S2端子は抵抗34を通してnpn−Tr20に接続
される。またS3端子は抵抗６を通してダイオード７のア
ノードに接続される。
37は調光回路で発光時、被写体（不図示）が適正露出
するように光量が適正になったら信号を出力する回路
で、μ−Com36のS4端子に接続される。μ−Com36のSX端
子はカメラやレンズ（不図示）からの情報を入・出力す
る端子である。
するように光量が適正になったら信号を出力する回路
で、μ−Com36のS4端子に接続される。μ−Com36のSX端
子はカメラやレンズ（不図示）からの情報を入・出力す
る端子である。
S5はリセツト信号を出力する端子でラツチ回路33のリ
セツト端子に接続される。S6は抵抗39を介してnpn−Tr3
8のベースに接続されスイツチング素子30のゲートを完
全にオフするための信号端子である。
セツト端子に接続される。S6は抵抗39を介してnpn−Tr3
8のベースに接続されスイツチング素子30のゲートを完
全にオフするための信号端子である。
次に動作について説明する。
第２図に発振、充電に関するフローチヤート、第３図
に発光動作のフローチヤートを示す。まず発振、充電動
作を説明する。
に発光動作のフローチヤートを示す。まず発振、充電動
作を説明する。
電源スイツチ２をオンすると、電源１により定電圧源
３が動作し定電圧Vcc,Vref1,Vref2を発生する。これに
よりμ−Com36、ラツチ回路の電源がオンする。
３が動作し定電圧Vcc,Vref1,Vref2を発生する。これに
よりμ−Com36、ラツチ回路の電源がオンする。
また、Vccオンによりコンデンサ４、抵抗５によりリ
セツトパルスが発生し、μ−Com36とラツチ回路にリセ
ツトがかかり初期化する。
セツトパルスが発生し、μ−Com36とラツチ回路にリセ
ツトがかかり初期化する。
まず、初めは発振動作が行なわれていないため、主コ
ンデンサ24の電圧検知のための抵抗21,22、分圧値が充
電完了レベルに達していないため、コンパレータ31の出
力はLLとなりラツチ回路33の出力ＱはLLのままである。
ンデンサ24の電圧検知のための抵抗21,22、分圧値が充
電完了レベルに達していないため、コンパレータ31の出
力はLLとなりラツチ回路33の出力ＱはLLのままである。
又はコンパレータ32の出力はHLとなる。よってμ−Co
m36のステツプ１にてＳ端子がLLであることが検知さ
れ、ステツプ２にてS0端子がHLであると判定されμ−Co
m36出力S3端子をHLとする。S3端子信号は抵抗６、ダイ
オード７を介してnpn−Tr10ベースに電流が流れ、オン
しこれによりpnp−Tr11をオンして発振トランス12の１
次巻線12aに電流が流れて２次側に電圧を励起する。こ
のとき帰還巻線12bにも電圧が励起し、npn−Tr10のエミ
ツタの電圧をもちあげる。このためnpn−Tr10がオフ
し、pnp−Tr11がオフする。
m36のステツプ１にてＳ端子がLLであることが検知さ
れ、ステツプ２にてS0端子がHLであると判定されμ−Co
m36出力S3端子をHLとする。S3端子信号は抵抗６、ダイ
オード７を介してnpn−Tr10ベースに電流が流れ、オン
しこれによりpnp−Tr11をオンして発振トランス12の１
次巻線12aに電流が流れて２次側に電圧を励起する。こ
のとき帰還巻線12bにも電圧が励起し、npn−Tr10のエミ
ツタの電圧をもちあげる。このためnpn−Tr10がオフ
し、pnp−Tr11がオフする。
上記の動作を繰り返すことで、発振がおこなわれ２次
側に高圧が発生する。
側に高圧が発生する。
なお２次側出力はコイル12cと12dに印加されており、
12cは高圧用で主コンデンサ24の充電のための２次巻線
で、12dはスイツチング素子（IGBT等）の駆動電圧用の
２次巻線である。
12cは高圧用で主コンデンサ24の充電のための２次巻線
で、12dはスイツチング素子（IGBT等）の駆動電圧用の
２次巻線である。
発振トランスの２次巻線12cより出力された高圧電圧
をダイオード13で整流し、主コンデンサ24のもれ電流防
止用のダイオード23を介して主コンデンサ24に充電して
いく。又、抵抗25を介してコンデンサ26も充電する。こ
の主コンデンサ24の両端の電圧を抵抗21,22により電圧
検知し、発光可能な充電完了レベル（以下完了レベルと
略す）に達すると、すなわち充完レベルに対応する基準
電圧Vref1より大きくなると、コンパレータ31の出力はH
Lとなりラツチ回路33の出力Ｑ端子はHLとなりラツチが
かかる。するとμ−Com36のS1入力はHLとなりステツプ
１にて、これが検知されステツプ４に進み発光許可状
態、すなわちＸオン許可状態として発光動作の割りこみ
が可能となる。
をダイオード13で整流し、主コンデンサ24のもれ電流防
止用のダイオード23を介して主コンデンサ24に充電して
いく。又、抵抗25を介してコンデンサ26も充電する。こ
の主コンデンサ24の両端の電圧を抵抗21,22により電圧
検知し、発光可能な充電完了レベル（以下完了レベルと
略す）に達すると、すなわち充完レベルに対応する基準
電圧Vref1より大きくなると、コンパレータ31の出力はH
Lとなりラツチ回路33の出力Ｑ端子はHLとなりラツチが
かかる。するとμ−Com36のS1入力はHLとなりステツプ
１にて、これが検知されステツプ４に進み発光許可状
態、すなわちＸオン許可状態として発光動作の割りこみ
が可能となる。
主コンデンサ24の電圧がフル充完すなわちレギユレー
タ電圧に達するまで発振動作をくりかえし、コンパレー
タ32のレギユレータ電圧に対応する基準電圧Vref2以上
になったら、コンパレータ32の出力はLLになり、μ−Co
m36のS0入力はLLとなり、ステツプ５に進みS3出力をLL
として、昇圧回路100の発振動作は停止する。発振停止
とともに抵抗21,22の分圧電圧が低下するため、再度上
述の発振動作をくりかえす。
タ電圧に達するまで発振動作をくりかえし、コンパレー
タ32のレギユレータ電圧に対応する基準電圧Vref2以上
になったら、コンパレータ32の出力はLLになり、μ−Co
m36のS0入力はLLとなり、ステツプ５に進みS3出力をLL
として、昇圧回路100の発振動作は停止する。発振停止
とともに抵抗21,22の分圧電圧が低下するため、再度上
述の発振動作をくりかえす。
上記発振動作に際して発振トランス12の２次巻線12d
からの出力はダイオード14を通して整流され、コンデン
サ15に充電され抵抗16、定電圧ダイオード17によりスイ
ツチング素子30に必要なゲート電圧を設定する。コンデ
ンサ18は電圧安定用のコンデンサで、npn−Tr20、pnp−
Tr38でゲート電圧をコントロールする。
からの出力はダイオード14を通して整流され、コンデン
サ15に充電され抵抗16、定電圧ダイオード17によりスイ
ツチング素子30に必要なゲート電圧を設定する。コンデ
ンサ18は電圧安定用のコンデンサで、npn−Tr20、pnp−
Tr38でゲート電圧をコントロールする。
次に発光動作を説明する。
充完状態のときは、第２図のステツプ４にてＸオン許
可となっており、この状態でμ−Com36はＸ接点35のオ
ンに応答して第３図フローを実行する。まずステツプ１
にてS4端子をHLとして調光回路37の動作スタートする。
又μ−Com36のS5端子がHLとなりラツチ33にリセツトが
かかる。μ−Com36のS2端子はHLとなり、抵抗34を介し
てnpn−Tr20のベースに電流が流れオンする。これによ
りpnp−Tr19のベース電流が引かれるため、pnp−Tr19が
オンしスイツチング素子30のゲートに電圧が発生する。
（このときS6端子はLLである）これによりスイツチング
素子30がオンし、トリガコンデンサ26の電荷がトランス
27に流れパルスが発生し、トリガトランス27の２次側に
大きなパルス電圧が発生し、閃光放電管28が発光する。
可となっており、この状態でμ−Com36はＸ接点35のオ
ンに応答して第３図フローを実行する。まずステツプ１
にてS4端子をHLとして調光回路37の動作スタートする。
又μ−Com36のS5端子がHLとなりラツチ33にリセツトが
かかる。μ−Com36のS2端子はHLとなり、抵抗34を介し
てnpn−Tr20のベースに電流が流れオンする。これによ
りpnp−Tr19のベース電流が引かれるため、pnp−Tr19が
オンしスイツチング素子30のゲートに電圧が発生する。
（このときS6端子はLLである）これによりスイツチング
素子30がオンし、トリガコンデンサ26の電荷がトランス
27に流れパルスが発生し、トリガトランス27の２次側に
大きなパルス電圧が発生し、閃光放電管28が発光する。
調光回路より被写体が適正光量に達したとき発光スト
ツプ信号が発生し、μ−Com36のS4端子をLLにする。ス
テツプ12にて、これが検知されるとステツプ13にてμ−
Com36のS6端子をHLにして抵抗39を介してnpn−Tr38をオ
ンする。これによりスイツチング素子30のゲート電圧を
断ちオフとなる。又μ−Com36のS2端子をLLにして抵抗3
4を介してnpn−Tr20をオフにしpnp−Tr19をオフにす
る。上記動作でスイツチング素子30のオフにより発光が
停止する。又μ−Com36のS5端子は発光停止とともにLL
となりラツチ回路33にリセツトを解除する。
ツプ信号が発生し、μ−Com36のS4端子をLLにする。ス
テツプ12にて、これが検知されるとステツプ13にてμ−
Com36のS6端子をHLにして抵抗39を介してnpn−Tr38をオ
ンする。これによりスイツチング素子30のゲート電圧を
断ちオフとなる。又μ−Com36のS2端子をLLにして抵抗3
4を介してnpn−Tr20をオフにしpnp−Tr19をオフにす
る。上記動作でスイツチング素子30のオフにより発光が
停止する。又μ−Com36のS5端子は発光停止とともにLL
となりラツチ回路33にリセツトを解除する。
第４図は本発明の他の一実施例を示す回路図で、第１
図実施例と同一構成部には、同一信号が附されている。
図実施例と同一構成部には、同一信号が附されている。
第４図において、41,42は抵抗でコンデンサ15の電圧
検知用の分圧抵抗である。43はコンデンサ、44はダイオ
ードでアノードには抵抗41、カソードにはコンデンサ15
が接続されている。
検知用の分圧抵抗である。43はコンデンサ、44はダイオ
ードでアノードには抵抗41、カソードにはコンデンサ15
が接続されている。
45はコンデンサ15の電圧検知用コンパレータで定電圧
回路３のVref3端子より出力される基準電圧がコンパレ
ータ４の負端子に接続され、基準電圧以上になったらHL
が出力される。
回路３のVref3端子より出力される基準電圧がコンパレ
ータ４の負端子に接続され、基準電圧以上になったらHL
が出力される。
46はラツチ回路で、コンパレータ31と同様コンパレー
タ45の出力がHLになると、その信号をラツチしてＱを出
力する。Ｑはμ−Com36のS7端子に接続されるリセツト
端子にはμ−Com36のS5端子とリセツト回路コンデンサ
４、抵抗５に接続される。
タ45の出力がHLになると、その信号をラツチしてＱを出
力する。Ｑはμ−Com36のS7端子に接続されるリセツト
端子にはμ−Com36のS5端子とリセツト回路コンデンサ
４、抵抗５に接続される。
抵抗41,42、コンデンサ43、ダイオード44によりコン
デンサ15の電圧検知回路101を形成している。μ−Com36
のSD端子はカメラ・レンズ（不図示）内の回路と接続さ
れカメラ情報が入力される。
デンサ15の電圧検知回路101を形成している。μ−Com36
のSD端子はカメラ・レンズ（不図示）内の回路と接続さ
れカメラ情報が入力される。
47は表示回路で、充電完了状態等、情報を表示する回
路、48はバツテリチエツク回路で電源電圧をモータして
いる回路である。表示回路47は、μ−Com36のS8端子、
バツテリチエツク回路48はμ−Com36のS9端子に接続さ
れる。
路、48はバツテリチエツク回路で電源電圧をモータして
いる回路である。表示回路47は、μ−Com36のS8端子、
バツテリチエツク回路48はμ−Com36のS9端子に接続さ
れる。
次に動作について説明する。
第５図に発振・充電に関するフローチヤートを示す。
電源スイツチ２をオンすると電源１により定電圧源３
が動作し、定電圧Vcc,Vref1,Vref2,Vref3が発生する。
これにより各回路の電源がオンする。またVcc立ち上げ
によりコンデンサ４、抵抗５によりリセツトパルスが発
生μ−Com36とラツチ回路32,46にリセツトがかかり初期
化する。
が動作し、定電圧Vcc,Vref1,Vref2,Vref3が発生する。
これにより各回路の電源がオンする。またVcc立ち上げ
によりコンデンサ４、抵抗５によりリセツトパルスが発
生μ−Com36とラツチ回路32,46にリセツトがかかり初期
化する。
まず初めは、発振動作が行なわれていないため主コン
デンサ24の電圧検知のための抵抗21,22の分圧値が充電
完了レベルに達していないため、コンパレータ31の出力
はLLとなりラツチ回路33の出力ＱはLLのままである。
デンサ24の電圧検知のための抵抗21,22の分圧値が充電
完了レベルに達していないため、コンパレータ31の出力
はLLとなりラツチ回路33の出力ＱはLLのままである。
同様にコンパレータ45の出力はLLとなり、ラツチ回路
46の出力ＱはLLのままである。コンパレータ32の出力は
Vref2の電圧に達するまでHLとなるのでステツプ1,2及び
後述のステップ３′を介してステツプ３にてμ−Com36
の出力S3端子はHLとなる。S3端子信号は抵抗６、ダイオ
ード７を介してnpn−Tr10のベースに電流が流れnpn−Tr
10がオンし、これによりpnp−Tr11をオンし、発振トラ
ンス12の１次巻線12aに電流が流れ、２次側に電圧を励
起する。
46の出力ＱはLLのままである。コンパレータ32の出力は
Vref2の電圧に達するまでHLとなるのでステツプ1,2及び
後述のステップ３′を介してステツプ３にてμ−Com36
の出力S3端子はHLとなる。S3端子信号は抵抗６、ダイオ
ード７を介してnpn−Tr10のベースに電流が流れnpn−Tr
10がオンし、これによりpnp−Tr11をオンし、発振トラ
ンス12の１次巻線12aに電流が流れ、２次側に電圧を励
起する。
このとき帰還巻線12bにも電圧が励起し、npn−Tr10の
エミツタ電圧をもちあげる。このためnpn−Tr10がオフ
しpnp−Tr11がオフする。
エミツタ電圧をもちあげる。このためnpn−Tr10がオフ
しpnp−Tr11がオフする。
これをくりかえして発振が行なわれ２次側に高圧が発
生する。なお、２次側は12cと12dに分かれており、12c
は高圧用で主コンデンサ24の充電のための２次巻線で12
dはスイツチング素子（IGBT等）の駆動電圧用の２次巻
線である。
生する。なお、２次側は12cと12dに分かれており、12c
は高圧用で主コンデンサ24の充電のための２次巻線で12
dはスイツチング素子（IGBT等）の駆動電圧用の２次巻
線である。
発振トランスの２次巻線12cより出力された高圧電圧
をダイオード13で整流し、主コンデンサ24に充電してい
く。又、抵抗25を介してコンデンサ26も充電する。この
主コンデンサ24の両端の電圧を抵抗21,22により電圧検
知し、発光可能な充完レベルに達すると、すなわち充完
レベルに対応する基準電圧Vref1より大きくなると、コ
ンパレータ31の出力はHLとなりラツチ回路33の出力Ｑ端
子はHLとなり、ラツチがかかる。これにて、ステツプ１
からステツプ４に進む。ステツプ４では抵抗41,42によ
る分圧値がコンデンサ15の充完レベルに対応するVref3
電圧以下のときはステツプ5,6にてS2端子をLL、S6端子
をHLにして発光を禁止する。Vref3電圧以上で、充完し
ていたらステツプ７に進みＸイオン後の発光許可を行な
い、発光動作の割り込みが可能となる。このとき、μ−
Com36のS8端子より充完の表示を表示回路47を行なう。
主コンデンサ24の電圧がフル充完、すなわちレギユレー
タ電圧に対応する基準電圧Vref2以上になったら、コン
パレータ32の出力はLLになりステツプ８にてμ−Cmo36
のS3端子はLLとなり、昇圧回路100の発振動作は停止す
る。
をダイオード13で整流し、主コンデンサ24に充電してい
く。又、抵抗25を介してコンデンサ26も充電する。この
主コンデンサ24の両端の電圧を抵抗21,22により電圧検
知し、発光可能な充完レベルに達すると、すなわち充完
レベルに対応する基準電圧Vref1より大きくなると、コ
ンパレータ31の出力はHLとなりラツチ回路33の出力Ｑ端
子はHLとなり、ラツチがかかる。これにて、ステツプ１
からステツプ４に進む。ステツプ４では抵抗41,42によ
る分圧値がコンデンサ15の充完レベルに対応するVref3
電圧以下のときはステツプ5,6にてS2端子をLL、S6端子
をHLにして発光を禁止する。Vref3電圧以上で、充完し
ていたらステツプ７に進みＸイオン後の発光許可を行な
い、発光動作の割り込みが可能となる。このとき、μ−
Com36のS8端子より充完の表示を表示回路47を行なう。
主コンデンサ24の電圧がフル充完、すなわちレギユレー
タ電圧に対応する基準電圧Vref2以上になったら、コン
パレータ32の出力はLLになりステツプ８にてμ−Cmo36
のS3端子はLLとなり、昇圧回路100の発振動作は停止す
る。
発振停止とともに、抵抗21,22の分圧電圧が低下する
ため、また発振動作をくりかえす。尚、発振動作が繰り
返される際に、急激に電源の電流を引くため電源電圧が
低下する。電源低下による定電圧電源の動作不良を防ぐ
ためバツテリチエツク回路48が設けられて、電源１の電
圧が一定電圧以下になったら回路48はHLを出力し、μ−
Com36のS9端子にHL出力信号を送る。このHLをステツプ
３′にて検知しており、ステツプ３′にて、S3端子の出
力を禁止する。
ため、また発振動作をくりかえす。尚、発振動作が繰り
返される際に、急激に電源の電流を引くため電源電圧が
低下する。電源低下による定電圧電源の動作不良を防ぐ
ためバツテリチエツク回路48が設けられて、電源１の電
圧が一定電圧以下になったら回路48はHLを出力し、μ−
Com36のS9端子にHL出力信号を送る。このHLをステツプ
３′にて検知しており、ステツプ３′にて、S3端子の出
力を禁止する。
これにより、昇圧回路100は発振が停止し電源電圧が
回復したら、バツテリチエツク回路48の出力はLLとな
り、ステツプ３′,3にてμ−Com36のS3端子出力の禁止
をやめる。このように発振をくりかえして充電を行な
う。
回復したら、バツテリチエツク回路48の出力はLLとな
り、ステツプ３′,3にてμ−Com36のS3端子出力の禁止
をやめる。このように発振をくりかえして充電を行な
う。
次に発光動作であるが、これは第１図実施例と同一で
あるのでその説明は省略する。
あるのでその説明は省略する。
第６図は本発明の他の一実施例を示す回路図で、第４
図実施例と同一構成部には同一信号が附されている。
図実施例と同一構成部には同一信号が附されている。
第６図において201はpnp−Trでエミツタにコンデンサ
15が接続されている。202はnpn−Trでpnp−Tr201のベー
スにnpn−Tr202のコレクタが接続されているnpn−Tr202
のエミツタにはGNDが接続されている。203は抵抗でnpn
−Tr202のベース抵抗になっておりμ−Com36のS10端子
に接続されている。S10端子は出力端子でコンデンサ15
の電圧を検知するときHLとなる端子である。
15が接続されている。202はnpn−Trでpnp−Tr201のベー
スにnpn−Tr202のコレクタが接続されているnpn−Tr202
のエミツタにはGNDが接続されている。203は抵抗でnpn
−Tr202のベース抵抗になっておりμ−Com36のS10端子
に接続されている。S10端子は出力端子でコンデンサ15
の電圧を検知するときHLとなる端子である。
204,205は抵抗でpnp−Tr201オン時、コンデンサ15の
電圧を測定する抵抗でその分圧点はコンパレータ45の正
端子に接続されている。
電圧を測定する抵抗でその分圧点はコンパレータ45の正
端子に接続されている。
コンパレータ45の出力はμ−Com36のS11端子に接続さ
れコンデンサ15が充完していたらHLの信号を受け取る。
れコンデンサ15が充完していたらHLの信号を受け取る。
該第６図実施例の発振フローは第５図のフローとほぼ
同一であり、第５図のステツプ４をS11＝HLとし、更に
ステツプ４の実行前に端子S10から一定時間HLを出力ス
テツプを追加したフローを用いて制御される。
同一であり、第５図のステツプ４をS11＝HLとし、更に
ステツプ４の実行前に端子S10から一定時間HLを出力ス
テツプを追加したフローを用いて制御される。
又、発光動作フローは第３図のフローとほぼ同一であ
るが、第３図のステツプ11実行前に端子S10からHLを出
力してコンデンサ15の充電レベル検知を行なわせるとと
もに、その充電レベル検知結果として端子S11がLLの時
には端子S3をHLとして端子S11がHLとなるまで待ち、端
子S11がHLとなることでステツプ11に進ませる様に制御
される。
るが、第３図のステツプ11実行前に端子S10からHLを出
力してコンデンサ15の充電レベル検知を行なわせるとと
もに、その充電レベル検知結果として端子S11がLLの時
には端子S3をHLとして端子S11がHLとなるまで待ち、端
子S11がHLとなることでステツプ11に進ませる様に制御
される。
以上の様に本発明では、上記大電流スイツチング素子
の制御極に印加される電圧を供給するコンデンサーをメ
インコンデンサーとは別設すると共に、該供給用コンデ
ンサーの充電電圧が所定レベルに達するまで閃光発光を
禁止したので、メインコンデンサーの電圧の低下を防止
するとともに、供給用コンデンサーを別設したことにて
該供給共コンデンサーの充電完了前にトリガーされさ場
合に発生する発光不良の問題も解決することができるも
のである。
の制御極に印加される電圧を供給するコンデンサーをメ
インコンデンサーとは別設すると共に、該供給用コンデ
ンサーの充電電圧が所定レベルに達するまで閃光発光を
禁止したので、メインコンデンサーの電圧の低下を防止
するとともに、供給用コンデンサーを別設したことにて
該供給共コンデンサーの充電完了前にトリガーされさ場
合に発生する発光不良の問題も解決することができるも
のである。
第１図は本発明に係る閃光装置の一実施例を示す回路
図、第２図，第３図は第１図実施例の制御フローを示す
説明図、第４図は本発明の他の一実施例を示す回路図、
第５図は第４図実施例の制御フローを示す説明図、第６
図は本発明の他の一実施例を示す回路図である。 12……発振トランス 15……ゲート駆動電圧用コンデンサ 24……主コンデンサ 30……スイツチング素子 36……マイクロコンピユーター
図、第２図，第３図は第１図実施例の制御フローを示す
説明図、第４図は本発明の他の一実施例を示す回路図、
第５図は第４図実施例の制御フローを示す説明図、第６
図は本発明の他の一実施例を示す回路図である。 12……発振トランス 15……ゲート駆動電圧用コンデンサ 24……主コンデンサ 30……スイツチング素子 36……マイクロコンピユーター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−17033（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−124838（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−254926（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−265237（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−288843（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−158096（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−158097（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−158098（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−189534（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−256037（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−144617（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−156433（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 41/30 - 41/34 G03B 15/05
Claims (2)
- 【請求項１】閃光発光を行わせるための電荷を蓄積する
メインコンデンサーと、該メインコンデンサーと閃光放
電管との間に接続され、制御極にオンにするために必要
な駆動電圧が印加されることでオン状態となり前記メイ
ンコンデンサーの電荷を前記閃光放電管に放電させるス
イッチング素子と、該スイッチング素子の制御極へ印加
される前記駆動電圧を供給するための電荷を蓄積する電
圧供給用コンデンサーと、前記メインコンデンサーの充
電状態が発光可能な充電レベル状態を示し、かつ、前記
電圧供給用コンデンサーの充電状態が前記スイッチング
素子をオンすることが可能な充電状態を示している際に
閃光発光を許容する制御手段を有することを特徴とする
閃光装置を有する閃光撮影システム。 - 【請求項２】前記電圧供給用コンデンサーに対してスイ
ッチング素子を介して並列に接続された充電検知回路が
設けられるとともに、該スイッチング素子を間欠駆動す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項の閃光撮影シ
ステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31993189A JP2974347B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 閃光撮影システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31993189A JP2974347B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 閃光撮影システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03182095A JPH03182095A (ja) | 1991-08-08 |
| JP2974347B2 true JP2974347B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=18115838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31993189A Expired - Fee Related JP2974347B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 閃光撮影システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2974347B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07245187A (ja) * | 1994-03-07 | 1995-09-19 | Olympus Optical Co Ltd | ストロボ装置 |
| CN106364328B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-04-02 | 新风光电子科技股份有限公司 | 制动能量吸收装置及其控制方法 |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP31993189A patent/JP2974347B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03182095A (ja) | 1991-08-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |