JP2002072306A - フラット発光制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フラット発光制御中においてもＩＧＢＴの破
壊を防止できる発光制御装置を提供する。 【構成】 キセノン管の発光を制御するＩＧＢＴと、キ
セノン管が発した光を受光し、該受光量に対応する出力
を発生する受光手段と、該受光手段の出力に対応する電
圧と所定の電圧とを比較し、該比較結果に応じた出力を
発生する比較手段と、該比較手段の出力を入力し、該入
力の状態を出力として保持するラッチ手段と、該ラッチ
手段の出力によって前記ＩＧＢＴをオン／オフさせ、該
オン／オフを所定時間繰り返させることによって前記キ
セノン管の発光強度を略一定に保持するフラット発光制
御手段と、前記比較手段と前記ラッチ手段との間に介在
するスイッチ手段と、前記ラッチ手段の出力が変化した
ときは、前記スイッチ手段をオフしてオフ状態で一定時
間保持し、該一定時間が経過するまでは前記比較手段の
出力変化に関わらず前記ラッチ手段に出力を保持させて
前記ＩＧＢＴのオン／オフ切り換えを禁止するスイッチ
制御手段とを備えたフラット発光制御装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、ＩＧＢＴ（Insulated Ga
te Bipolar transistor）のオン／オフ繰り返しによっ
てフラッシュの発光を制御し、均一な光量で発光を持続
するフラット発光が制御可能な発光制御装置に関する。

【０００２】

【従来技術およびその問題点】従来のフラッシュ装置に
おいて、キセノン管を所定時間均一な光量で発光させる
フラット発光制御は、発光管の発光量を受光手段で受光
して電気信号（電圧）に変換し、この電気信号と所定電
圧レベルを比較するコンパレータの出力によってＩＧＢ
Ｔをオン／オフさせ、このＩＧＢＴのオン／オフによっ
て発光管の発光量を制御する方式が一般的である。この
ＩＧＢＴを用いてフラット発光制御するタイプでは、Ｉ
ＧＢＴを高速でオン／オフさせる必要があり、ＩＧＢＴ
のオン／オフを切り換える制御周波数が高いほどよりフ
ラットな発光を行うことができる。しかしながら、ＩＧ
ＢＴの制御周波数が高くなると、ＩＧＢＴによる電力損
失が増加するだけでなく、制御周波数がＩＧＢＴの最高
動作周波数を超えてしまった場合にはＩＧＢＴを破壊し
てしまう可能性がある。

【０００３】

【発明の目的】本発明は、上記問題点に鑑みてなされた
もので、フラット発光制御中においてもＩＧＢＴの破壊
を防止できる発光制御装置を提供することを目的とす
る。

【０００４】

【発明の概要】本発明は、キセノン管の発光を制御する
ＩＧＢＴと、前記キセノン管から発せられた光を受光
し、該受光量に対応する出力を発生する受光手段と、該
受光手段の出力に対応する電圧と所定の電圧とを比較
し、該比較結果に応じた出力を発生する比較手段と、該
比較手段の出力を入力し、該入力の状態を出力として保
持するラッチ手段と、該ラッチ手段の出力によって前記
ＩＧＢＴをオン／オフさせ、該オン／オフを所定時間繰
り返させることによって前記キセノン管の発光強度を略
一定に保持するフラット発光制御手段と、前記比較手段
と前記ラッチ手段との間に介在するスイッチ手段と、前
記ラッチ手段の出力が変化したときは、前記スイッチ手
段をオフしてオフ状態で一定時間保持し、該一定時間が
経過するまでは前記比較手段の出力変化に関わらず前記
ラッチ手段に出力を保持させて前記ＩＧＢＴのオン／オ
フ切り換えを禁止するスイッチ制御手段と、を備えたこ
とに特徴を有している。この構成によれば、ラッチ手段
の出力が変化しても一定時間はＩＧＢＴのオン／オフ状
態を保持することができる。したがって、ＩＧＢＴがオ
ンからオフに変化する過渡状態で強制的にオフされるこ
とがなく、フラット発光停止時に限らずフラット発光制
御時にもＩＧＢＴの破壊を防止することができる。

【０００５】前記ラッチ手段の出力が変化したときに前
記スイッチ制御手段が前記スイッチ手段をオフ状態で保
持する前記一定時間は、前記ＩＧＢＴの最高動作周波数
の周期に対応させて設定すると望ましい。この構成によ
れば、ＩＧＢＴ２４の制御周波数は最高動作周波数を超
えず、しかもＩＧＢＴ２４の最大の性能を発揮させるこ
とができる。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明を説
明する。本明細書中では、図示した回路及び素子におい
て、ロー（グランド）レベルの電圧は論理値“０”、ハ
イレベルの電圧を論理値“１”とする。

【０００７】図１は、本発明を適用したフラッシュ装置
の一実施の形態をブロックで示す図である。本フラッシ
ュ装置３０は、カメラに接続される外部フラッシュであ
る。フラッシュ装置３０は、装置全体の動作を統括的に
制御する制御手段としてＣＰＵ１２を備えている。ＣＰ
Ｕ１２には、電池１の電圧がショットキーダイオード２
及びレギュレータ４を介して定電圧Ｖｄｄとして供給さ
れる。本実施形態では、電池１の電圧はショットキーダ
イオード２を介してコンデンサー３にも供給される。

【０００８】ＣＰＵ１２には、各種書き換え可能なパラ
メータ、モードを書き込むＥＥＰＲＯＭ６がポート群Ｐ
ｃを介して接続され、発光モードなど発光に必要な情報
を表示するＬＣＤ表示器７がＬＣＤ駆動ポート群Ｐｂを
介して接続され、カメラ‐フラッシュ相互通信用のカメ
ラ通信インターフェース８がポート群Ｐａを介して接続
されている。カメラ通信インターフェース８には、カメ
ラ接続端子５が接続されている。カメラ接続端子５には
Ｃ，Ｒ，Ｑ，Ｘ，Ｇの５端子が設けられていて、Ｘ端子
はフォーカルプレンシャッターの先幕走行完了に同期し
て“０”となるＸ接点端子、Ｇ端子はグランド端子、Ｃ
端子はカメラからの制御信号を入力する制御端子、Ｒ端
子はカメラから送られるクロック信号を入力するクロッ
ク端子、Ｑはカメラ‐フラッシュ間の双方向データ通信
用とフラッシュのクエンチ信号入力用の兼用端子であ
る。このカメラ接続端子５を介してフラッシュ装置３０
がカメラに接続されているときＣＰＵ１２は、Ｒ端子、
Ｑ端子、Ｃ端子を介してカメラとの間でデータ通信を実
行する。

【０００９】ＣＰＵ１２には、スイッチ類として、調光
モードスイッチ９、シンクロモードスイッチ１０、メイ
ンスイッチ１１がそれぞれポートＰ２、Ｐ１、Ｐ０を介
して接続されている。調光モードスイッチ９は１回押さ
れるごとにＴＴＬ調光モードとマニュアルモードとを切
り換えて設定する押しボタンスイッチであり、シンクロ
モードスイッチ１０は先幕シンクロ発光モード、後幕シ
ンクロ発光モード、フラット（ＦＰ）発光モードを設定
可能な押しボタンスイッチである。メインスイッチ１１
は、フラッシュ装置３０の電源のオン／オフを切り換え
るスイッチ部材である。

【００１０】またＣＰＵ１２には、電池１の電圧を昇圧
する昇圧回路１３がポートＰ３を介して接続されてい
て、充電検出回路１６のＲＬＳ出力端子がＡ／Ｄ変換ポ
ートＰａｄを介して接続されている。昇圧回路１３によ
って昇圧された電圧は、ダイオード１４を介してメイン
コンデンサー２０に供給されるとともに、ダイオード１
５を介して充電検出回路１６へ供給される。充電検出回
路１６は、昇圧回路１３が動作しているときのみ、メイ
ンコンデンサー２０の端子電圧Ｈｖと同等の電圧Ｈｖ´
を入力し、メインコンデンサー２０の充電電圧を検出す
る。

【００１１】またＣＰＵ１２には、トリガー回路２２の
ＴＲＩＧｏｎ端子がポートＰ４を介して接続されてい
る。トリガー回路２２は、キセノン管２３のトリガー電
極ＸｅＴ端子に高圧の振動電圧を印加し、キセノン管２
３を励起状態とする。キセノン管２３の励起状態におい
て、ＩＧＢＴ２４がオンしている場合はメインコンデン
サー２０に蓄積されている電荷がコイル２１、キセノン
管２３、ＩＧＢＴ２４を介し放電することによりキセノ
ン管２３が発光する。

【００１２】またＣＰＵ１２には、３０Ｖ発生回路１８
の３０Ｖｏｎ端子がポートＰ５を介して接続されてい
る。３０Ｖ発生回路１８は、メインコンデンサー２０の
端子電圧ＨＶを電源電圧として、３０Ｖｏｕｔ端子から
３０Ｖの電圧を発生する回路である。３０Ｖ発生回路１
８から出力された３０Ｖの電圧はレベルシフト回路１９
に印加される。

【００１３】またＣＰＵ１２には、発光制御回路１７の
ＩＧＢＴｃｔｌ端子、ＥＸＴｑ端子、ＦＰｌｖｌ端子が
それぞれポートＰ６、Ｐ７、Ｄ／Ａ変換ポートＰｄａを
介して接続されている。発光制御回路１７は、詳細は後
述するが、ＩＧＢＴｏｎ信号を上述のレベルシフト回路
１９に出力し、レベルシフト回路１９を介してＩＧＢＴ
２４をオン／オフさせ、キセノン管２３の発光量を制御
する回路である。レベルシフト回路１９は、入力したＩ
ＧＢＴｏｎ信号が“１”であれば、３０Ｖ発生回路１８
から印加された３０Ｖの電圧をＩＧＢＴ２４のゲートＩ
ＧＢＴｇに印加してＩＧＢＴ２４をオンさせ、ＩＧＢＴ
ｏｎ信号が“０”であればＩＧＢＴ２４をオフさせる。
発光制御回路１７は、レギュレータ４及び発光量検出受
光素子２６に接続されていて、発光量検出受光素子２６
の出力に対応する電圧ＰＤｆｌを入力する（図２参
照）。発光量検出受光素子２６は、詳細には図示しない
が、キセノン管２３から発せられた光を直接受光できる
位置に設けられていて、キセノン管２３から発せられた
光を受光するとその受光量に対応する光電流を出力す
る。

【００１４】以上はフラッシュ装置３０の概要構成であ
るが、次に図２〜図４を参照し、発光制御回路１７、３
０Ｖ発生回路１８、及び充電検出回路１６の構成につい
てそれぞれ具体的に説明する。

【００１５】図２は発光制御回路１７の一実施の形態を
示す回路図である。ＣＰＵ１２のＤ／Ａ変換ポートＰｄ
ａに接続されたＦＰｌｖｌ端子は、コンパレータ１０１
の非反転入力端子（＋端子）に接続されている。この非
反転入力端子には、ＣＰＵ１２からＦＰｌｖｌ端子に出
力された所定の電圧が入力される。コンパレータ１０１
の反転入力端子（−端子）は、カソードがレギュレータ
４から供給される電源ラインＶｄｄに接続された発光量
検出受光素子２６と抵抗１００の接続点に接続されてい
る。この反転入力端子には、発光量検出受光素子２６と
抵抗１００の接続点における電圧値であって、キセノン
管２３の発光量に対応する電圧ＰＤｆｌが入力される。
コンパレータ１０１は、所定の電圧ＦＰｌｖｌとキセノ
ン管２３の発光量に対応する電圧ＰＤｆｌとを比較し、
その比較結果に応じた出力を発生する。

【００１６】コンパレータ１０１の出力側には、抵抗１
０２を介してＩＧＢＴｃｔｌ端子が接続され、さらに抵
抗１０３を介してＥＸＴｑ端子及びバスバッファー１０
４が接続されている。バスバッファー１０４の出力端子
にはバッファー１０６が接続されていて、バッファー１
０６の入出力間には抵抗１０５が接続されている。バッ
ファー１０６の出力は、抵抗１０５を介して入力に帰還
されるとともに、ＩＧＢＴｏｎ端子からＩＧＢＴｏｎ信
号としてレベルシフト回路１９に出力される。バスバッ
ファー１０４の制御端子１０４ａが“１”のときは、バ
ッファー１０６の入力及び出力が保持されてＩＧＢＴｏ
ｎ信号も保持され、その結果、ＩＧＢＴ２４のオン／オ
フ状態も保持される。したがって、制御端子１０４ａが
“１”の状態ではＩＧＢＴ２４のオン／オフを切り換え
ることができない。このバスバッファー１０４はスイッ
チ回路として機能し、抵抗１０５及びバッファー１０６
はラッチ回路として機能する。以下では、制御端子１０
４ａが“１”のときをバスバッファー１０４のオフ状
態、制御端子１０４ａが“０”のときをバスバッファー
１０４のオン状態という。

【００１７】バスバッファー１０４の制御端子１０４ａ
はエクスクルーシブオアゲート１１３の出力端子１１３
ｃ接続されていて、エクスクルーシブオアゲート１１３
の出力によって制御される。エクスクルーシブオアゲー
ト１１３の一方の入力端子１１３ａは、バッファー１０
６とグランド間に直列接続された抵抗１０７とコンデン
サー１０８に接続されている。さらに入力端子１１３ａ
にはショットキーダイオード１０９のアノードが接続さ
れている。エクスクルーシブオアゲート１１３の他方の
入力端子１１３ｂは、バッファー１０６とグランド間に
直列接続された抵抗１１０とコンデンサー１１１に接続
されている。さらに入力端子１１３ｂにはショットキー
ダイオード１１２のカソードが接続されている。エクス
クルーシブオアゲート１１３の出力は、バッファー１０
６の出力が変化すると、その変化時から抵抗１０７とコ
ンデンサー１０８の時定数τａ、または抵抗１１０とコ
ンデンサー１１１の時定数τｂが経過するまでの間
“１”となり、バスバッファー１０４をオフ状態とす
る。そして時定数τａまたはτｂが経過すると、エクス
クルーシブオアゲート１１３の出力は“０”となってバ
スバッファー１０４をオン状態とする。したがってバッ
ファー１０６の出力が変化すると、その変化時から時定
数τａ、τｂが経過するまでの間はバッファー１０６の
入力及び出力が保持されてＩＧＢＴ２４のオン／オフも
保持され、時定数τａ、τｂが経過した後にＩＧＢＴ２
４のオン／オフが変更可能となる。

【００１８】図３には３０Ｖ発生回路１８の一実施の形
態を示す回路図である。３０Ｖ発生回路１８は、３０Ｖ
ｏｎ端子から“０”（ローレベル）を入力している状態
では、高耐圧トランジスタ２０２及び２０５がオフして
いるため、メインコンデンサー２０の端子電圧Ｈｖライ
ンから電流は流れず、３０Ｖｏｕｔ端子からは何も出力
されない。一方、３０Ｖ発生回路１８が３０Ｖｏｎ端子
から“１”（ハイレベル）を入力している状態では、高
耐圧トランジスタ２０２がオンし、これに伴い高耐圧ト
ランジスタ２０５がオンする。高耐圧トランジスタ２０
５がオンすると、メインコンデンサー２０の端子電圧Ｈ
ｖラインから電流がダイオード２０８、抵抗２０９、コ
ンデンサー２１１、ショットキーダイオード２１２を介
してコンデンサー２１３に流れ、コンデンサー２１３が
急速に充電される。このコンデンサー２１３の両端子間
に発生する電圧は、３０Ｖツェナーダイオード２０７に
よって３０Ｖ未満に制限されて３０Ｖｏｕｔ端子から出
力される。そしてコンデンサー２１１が満充電状態にな
ると、抵抗２０６、ショットキーダイオード２１２を介
して電流が流れ、３０Ｖの出力が維持される。

【００１９】図４には充電検出回路１６の一実施の形態
を示す回路図である。充電検出回路１６は、昇圧回路１
３の昇圧開始によりメインコンデンサー２０の充電が開
始されると、メインコンデンサー２０の端子電圧Ｈｖに
等しい電圧Ｈｖ´を入力する。この入力電圧Ｈｖ´は、
コンデンサー３００によって整流された後、抵抗３０１
及び抵抗３０２で分圧されてＲＬＳ出力端子に出力され
る。例えば、抵抗３０１と抵抗３０２の抵抗値の比を９
９：１に設定すれば、入力電圧Ｈｖ´＝３３０Ｖのとき
出力電圧ＲＬＳ＝３．３Ｖとなり、また入力電圧Ｈｖ´
＝２７０Ｖのとき出力電圧ＲＬＳ＝２．７Ｖとなる。入
力電圧Ｈｖ´は昇圧回路１３が作動しているときのみ発
生するため、充電検出回路１６は昇圧回路１３が作動し
ているときのみメインコンデンサー２０の端子電圧Ｈｖ
を検出することができる。なお、昇圧回路１３が作動し
ていないときは、充電検出回路１６はメインコンデンサ
ー２０に対してダイオード１４で逆方向となるため、メ
インコンデンサー２０は無負荷状態となる。そのため、
メインコンデンサー２０の余計な放電を防止することが
できる。

【００２０】以上の図１〜図４の構成に基づき、図５及
び図６に示すタイミングチャートを参照してフラット発
光制御の概要について説明する。図５はフラット発光制
御に関するタイミングチャートである。図５の時間Ｔ０
は初期状態であって、初期状態でＣＰＵ１２は、発光制
御回路１７のＩＧＢＴｃｔｌ端子へ“０”を出力し、Ｆ
Ｐｌｖｌ端子には所定の電圧を出力し、ＥＸＴｑ端子を
開放状態に設定する。またＣＰＵ１２は、トリガー回路
２２のＴＲＩＧｏｎ端子へ“０”を出力する。そのた
め、キセノン管２３のトリガー電極ＸｅＴ端子には電圧
が印加されず、キセノン管２３の発光は行われない。し
たがって、発光量検出受光素子２６からは光電流が出力
されず、発光制御回路１７の入力電圧ＰＤｆｌは“０”
となり、コンパレータ１０１の出力は“１”となってい
る。バスバッファー１０４の入力はＩＧＢＴｃｔｌ端子
（ＩＧＢＴｃｔｌ信号）が“０”なので“０”となり、
バスバッファー１０４の出力も“０”となっている。同
様に、バッファー１０６の出力、即ちＩＧＢＴｏｎ信号
も“０”となっている。

【００２１】この初期状態において、ＣＰＵ１２が３０
Ｖ発生回路１８の３０Ｖｏｎ端子への出力を“０”から
“１”に変更する（時間Ｔ１）と、３０Ｖ発生回路１８
の出力端子３０Ｖｏｕｔから３０Ｖの電圧が発生する。
そして３０Ｖ発生回路１８が発生させた３０Ｖの電圧が
安定したら（時間Ｔ２）、ＣＰＵ１２はＩＧＢＴｃｔｌ
信号を“０”から“１”に変更する。すると、発光制御
回路１７のバスバッファー１０４の入力が“１”となっ
て、バッファー１０６の出力、ＩＧＢＴｏｎ信号が
“１”となる（図２参照）。このＩＧＢＴｏｎ信号
“１”がレベルシフト回路１９に出力されると、レベル
シフト回路１９は３０Ｖ発生回路１８から与えられた電
圧３０Ｖの３０Ｖｏｕｔ信号をＩＧＢＴ２４のゲートＩ
ＧＢＴｇに印加してＩＧＢＴ２４をオンさせる。

【００２２】ＩＧＢＴｏｎ信号が“０”から“１”に変
化すると、発光制御回路１７のショットキーダイオード
１１２を介してコンデンサー１１１が急速に充電され、
エクスクル−シブオアゲート１１３の一方の入力端子１
１３ｂがすぐ“１”となる（図２参照）。一方、エクス
クル−シブオアゲート１１３の他方の入力端子１１３ａ
は、抵抗１０７を介してコンデンサー１０８が充電され
るため、抵抗１０７とコンデンサー１０８による時定数
τａの経過後“１”となる。したがって、ＩＧＢＴｏｎ
信号が“０”から“１”に変化してから時定数τａの間
はエクスクル−シブオア１１３の出力１１３ｃは“１”
となり、バスバッファー１０４はオフ状態となる。バス
バッファー１０４がオフ状態となっている間は、バッフ
ァー１０６の出力から入力に帰還される抵抗１０５によ
りバッファー１０６の入力及び出力は“１”に保たれ
（図６（ａ）参照）、ＩＧＢＴ２４はオン状態で保たれ
る。

【００２３】ＩＧＢＴ２４がオンしてから所定時間経過
したとき（時間Ｔ３）、ＣＰＵ１２はトリガー回路２２
のＴＲＩＧｏｎ端子への出力を“０”から“１”に変更
する。すると、トリガー回路２２からキセノン管２３の
トリガー電極ＸｅＴ端子に高圧の振動電圧が印加され
る。これによりキセノン管２３が励起される。ここでＩ
ＧＢＴ２４は既にオンしているため、メインコンデンサ
ー２０の蓄積電荷がコイル２１、キセノン管２３、ＩＧ
ＢＴ２４を介して放電され、キセノン管２３は発光を開
始する。キセノン管２３が発光したことにより、発光量
検出受光素子２６の光電流はキセノン管２３の発光量に
対応した値になり、発光制御回路１７の入力電圧ＰＤｆ
ｌも発光量に対応した電圧となって急速に増加する。

【００２４】そしてＣＰＵ１２は、発光制御回路１７の
ＩＧＢＴｃｔｌ端子を開放状態とし、またトリガー回路
２２のＴＲＩＧｏｎ端子への出力を“１”から“０”に
変更する。すると発光制御回路１７では、ＩＧＢＴｃｔ
ｌ端子が接続されていない状態と等価になり、コンパレ
ータ１０１の出力がＩＧＢＴｃｔｌ信号として出力され
る。この時点ではコンパレータ１０１の出力は“１”
で、ＩＧＢＴｃｔｌ信号は“１”に保持されるが、キセ
ノン管２３の発光キセノン管２３の発光量に対応する入
力電圧ＰＤｆｌが所定の電圧ＦＰｌｖｌ以上になると
（時間Ｔ４）、発光制御回路１７のコンパレータ１０１
の出力は“０”となり、バスバッファー１０４、バッフ
ァー１０６を介してＩＧＢＴｏｎ信号は“０”となる。
このＩＧＢＴｏｎ信号“０”は、レベルシフト回路１９
を介してＩＧＢＴ２４のゲート電圧ＩＧＢＴｇを０Ｖと
し、ＩＧＢＴ２４をオフさせる。ＩＧＢＴ２４がオフす
ると、ＩＧＢＴ２４を介しての放電が停止する一方、コ
イル２１に蓄積されたエネルギー（発光時にコイルに流
れた電流による）がキセノン管２３、ダイオード２５を
介して放電される。この場合、キセノン管２３の発光量
は減少する。

【００２５】上記ＩＧＢＴｏｎ信号が“１”から“０”
に変化したことにより、発光制御回路１７のショットキ
ーダイオード１０９を介してコンデンサー１０８が急速
に放電されるため、エクスクル−シブオアゲート１１３
の他方の入力端子１１３ａはすぐ０となる。一方、エク
スクル−シブオアゲート１１３の一方の入力１１３ｂ
は、抵抗１１０を介してコンデンサー１１１が放電され
るため、抵抗１１０とコンデンサー１１１による時定数
τｂの経過後“０”となる。したがって、ＩＧＢＴｏｎ
信号が“１”から“０”に変化してから時定数τｂが経
過するまでの間は、エックスクル−シブオアゲート１１
３の出力１１３ｃは“１”となり、バスバッファー１０
４はオフ状態となる。バスバッファー１０４のオフ状態
では、バッファー１０６の出力は抵抗１０５によって入
力に帰還されるため、バッファー１０６の入力及び出力
は“０”に保たれ、ＩＧＢＴ２４はオフ状態で保たれ
る。

【００２６】キセノン管２３の発光量が減少し、発光制
御回路１７の入力電圧ＰＤｆｌが所定電圧ＦＰｌｖｌよ
りも下がると（時間Ｔ５）、再び発光制御回路１７のコ
ンパレータ１０１の出力は“１”となり、上記と同様に
してＩＧＢＴｏｎ信号が“１”となってＩＧＢＴ２４が
オンすることにより、メインコンデンサー２０に蓄積さ
れたエネルギーがコイル２１、キセノン管２３、ＩＧＢ
Ｔ２４を介して放電され、キセノン管２３の発光量が増
加する。なお、時間Ｔ５では、時間Ｔ３の時点とは異な
り、キセノン管２３の励起状態が継続されているため、
キセノン管２３のトリガー電極ＸｅＴ端子への高圧の振
動電圧印加は不要である。ＩＧＢＴ２４が再度オンして
発光量が増加し、発光制御回路１７の入力電圧ＰＤｆｌ
が所定の電圧ＦＰｌｖｌ以上になると（時間Ｔ６）、再
びコンパレータ１０１の出力は“０”となり、上記と同
様にしてＩＧＢＴｏｎ信号が“０”となりＩＧＢＴ２４
がオフする。すると、コイル２１に蓄積されたエネルギ
ーがキセノン管２３、ダイオード２５を介して放電さ
れ、キセノン管２３の発光量は減少する。

【００２７】上記の時間Ｔ５における動作と時間Ｔ６に
おける動作とが繰返し行われることにより、光量変動の
小さい発光を持続するフラット発光が行われる。

【００２８】そして予め設定されたフラット発光時間が
経過すると（時間Ｔ７）、ＣＰＵ１２はＩＧＢＴｃｔｌ
信号を“０”とする。このとき、発光制御回路１７のコ
ンパレータ１０１の出力が“０”であればそのままＩＧ
ＢＴ２４をオフさせてフラット発光が停止されるが、コ
ンパレータ１０１の出力が“１”であれば、ＩＧＢＴｃ
ｔｌ信号が“１”から“０”に変化してから時定数τａ
が経過するまでバスバッファー１０４はオフ状態である
から、時定数τａが経過するまでＩＧＢＴ２４はオン状
態で保持される。そして、時定数τａの経過後にＩＧＢ
Ｔｏｎ信号が“０”となってＩＧＢＴ２４をオフさせ、
フラット発光が停止される（時間Ｔ８）。

【００２９】図６は、図５の時間Ｔ４から時間Ｔ８まで
のフラット発光制御に関するタイミングチャートの一部
を拡大して示したものである。（ａ）は発光オン／オフ
の周期が時定数τａ、τｂよりも長い場合を、（ｃ）は
発光オン／オフの周期が前記時定数τａ、τｂよりも短
い場合を示している。この発光オン／オフの周期は、キ
セノン管２３の発光時の抵抗、コイル２１のインピーダ
ンス、メインコンデンサー２０の電圧、コンパレータ１
０１・ＩＧＢＴ２４の応答遅れ時間等により決定され
る。

【００３０】図６（ａ）に示すように、ＩＧＢＴｃｔｌ
信号の周期が時定数τａ、τｂより長い場合は、ＩＧＢ
Ｔｃｔｌ信号が“０”から“１”に変化した後“１”か
ら“０”に変化するまでに、エクスクル−シブオアゲー
ト１１３の出力端子１１３ｃが０になっていて、バスバ
ッファー１０４はオン状態になっている。そのため次の
ＩＧＢＴｃｔｌ信号の立ち上がり・立ち下がりの変化
は、すぐにバッファー１０６に伝わりＩＧＢＴｃｔｌ信
号波形とＩＧＢＴｏｎ信号波形は同一となる。一方、図
６（ｃ）に示すように、ＩＧＢＴｃｔｌ信号の周期が時
定数τａ、τｂより短い場合は、ＩＧＢＴｃｔｌ信号が
“０”から“１”に変化した後“１”から“０”に変化
するまでにエクスクル−シブオアゲート１１３の出力端
子１１３ｃは“０”になっていないため、ＩＧＢＴｃｔ
ｌ信号の立ち上がり・立ち下がりの変化は、すぐにバッ
ファー１０６に伝わらず、時定数τａ、τｂ経過後にバ
ッファー１０６に伝わってＩＧＢＴｏｎ信号は時定数τ
ａ、τｂだけＩＧＢＴｃｔｌ信号からずれてしまう。即
ち、発光オン／オフの周期は時定数τａ、τｂよりも短
くならない。したがって、上記の時定数τａ、τｂをＩ
ＧＢＴ２４の最高動作周波数に対応する周期に設定すれ
ば、ＩＧＢＴ２４の制御周波数は最高動作周波数を超え
ることがないのでフラット発光制御中にもＩＧＢＴ２４
の破壊を防止することができ、また、ＩＧＢＴ２４を最
高動作周波数に近い周波数でオン／オフ制御するのでＩ
ＧＢＴ２４の最大の性能を発揮させることができる。

【００３１】図６（ｂ）は、図５の時間Ｔ７における拡
大図であり、時間Ｔ７でコンパレータ１０１の出力が
“１”になった直後に、ＩＧＢＴｃｔｌ信号を“０”に
したものである。バスバッファー１０４はＩＧＢＴｃｔ
ｌ信号が変化してから時定数τａ経過したときにオフ状
態からオン状態となる。バスバッファー１０４がオン状
態になると、ＩＧＢＴｏｎ信号が“１”から“０”とな
ってＩＧＢＴ２４をオフさせる。本実施形態では、ＩＧ
ＢＴｃｔｌ信号が変化してから一定時間はＩＧＢＴ２４
の状態を保持するので、ＩＧＢＴ２４がオンからオフに
変化する過渡状態で強制的にオフされることがなく、Ｉ
ＧＢＴ２４の破壊を防止することができる。

【００３２】次に、図９〜図１３に示されるフローチャ
ートを参照し、フラッシュ装置３０の動作について詳細
に説明する。

【００３３】『メイン処理』図９は、フラッシュ装置３
０のメイン処理に関するフローチャートである。フラッ
シュ装置３０に電池１が装填されると、ＣＰＵ１２はリ
セットされた後、メイン処理に入る。メイン処理に入る
と先ず、全ての割り込みを禁止し、各入出力ポート、変
換ポートなどを初期化する（Ｓ１００）。次に、ポート
群Ｐｃを介してＥＥＰＲＯＭ６とのシリアル通信を行
い、ＥＥＰＲＯＭ６の初期データを読み込む（Ｓ１０
１）。続いて、タイマーＡを１２５ｍｓのリロードタイ
マーとしてセットし、タイマーＡをスタートさせる（Ｓ
１０２）。そして、カメラ側からの通信割り込みを許可
し（Ｓ１０３）、メインコンデンサー２０の最大電圧ま
での充電を要求するか否かを識別するＦ_ＣRequestフラ
グに“１”（要求）をセットし、メインコンデンサー２
０の充電時間を管理する変数Ｃｔｉｍｅに“０”をセッ
トする（Ｓ１０４）。

【００３４】続いて、メインスイッチ１１がオンしたか
どうかをチェックする（Ｓ１０５）。メインスイッチ１
１がオンしていなかったときは（Ｓ１０５；Ｎ）、ポー
トＰ３の出力を“１”にして昇圧回路１３の動作を停止
し（Ｓ１１４）、カメラ側からの通信割り込みを禁止し
て（Ｓ１１５）、ポートＰ０のオン割り込みを許可し
（Ｓ１１６）、スリープ状態に移行する（Ｓ１１７）。
このスリープ状態ではポートＰ０のオン割り込みが許可
されているため、メインスイッチ１１がオンすると割り
込みが発生し、Ｓ１００に戻ってメイン処理を開始す
る。

【００３５】メインスイッチ１１がオンしていたときは
（Ｓ１０５）、メインコンデンサー２０を充電する充電
処理を実行し（Ｓ１０６）、調光モードスイッチ９、シ
ンクロモードスイッチ１０で設定されたスイッチ情報を
入力するスイッチ情報入力処理を実行する（Ｓ１０
７）。

【００３６】続いて、通信情報処理を実行する（Ｓ１０
８）。通信情報処理では、カメラから転送されるＣＦ通
信情報を入力し、入力したＣＦ通信情報に基づいて各モ
ードなどを設定し、設定したＦＣ通信情報をカメラに出
力する。

【００３７】表１にフラッシュからカメラに転送される
ＦＣ通信情報の一実施例を示した。

【表１】 番号 情報名 情報内容 1 充電完了信号 Ｃｈａｒｇｅ 2 シンクロ要求 先幕、後幕、ＦＰ 3 Ｇｎｏ Ｇｖ 4 その他 画角ＮＧ、調光確認

【００３８】充電完了信号にはメインコンデンサー２０
の充電が完了しているかどうかを識別するＣｈａｒｇｅ
フラグが設定され、シンクロ要求情報にはシンクロモー
ドスイッチ１０によって設定されたシンクロモードが設
定され、Ｇｎｏ情報にはフラッシュの画角に対応するガ
イドナンバーＧｎｏのアペックス表示量Ｇｖが設定され
る。また、画角ＮＧ情報は、現在のフラッシュの照射角
でカバーできる画角と、入力したレンズ焦点距離情報に
よる画角を比較した結果、現在のフラッシュの照射角で
カバーできる画角のほうが大きかった場合に設定される
情報である。調光確認情報はフラッシュ発光時にカメラ
から発光停止信号を入力した場合に設定される。

【００３９】表２にカメラからフラッシュに転送される
ＣＦ通信情報の一実施例を示した。

【表２】 番号 情報名 情報内容 5 調光モード指定 ＴＴＬ、マニアル、ＮＡ 6 シンクロ指定 先幕、後幕、ＦＰ 7 レンズ焦点距離 ２０，２４，２８，３５，５０，７０，８５ 8 予備発光命令 Ｐｒｅ 9 フラット発光時間 Ｔｆｐ 10 発光倍率 Ｍｖ 11 最長調光距離 Ｄｖｍａｘ

【００４０】調光モード指定情報は、調光モードスイッ
チ９で設定されたスイッチ情報よりも優先される。ＣＰ
Ｕ１２は、例えば、調光モードスイッチ９でマニュアル
モードが設定されていても、調光モード指定情報がＴＴ
ＬモードであるときはＴＴＬモードを設定する。但し、
調光モード指定情報がＮＡモードであったときは、調光
モードスイッチ９で設定されたモードを設定する。シン
クロ指定情報は、複数のフラッシュがカメラに装着され
ている場合にカメラが適切なモードを判断して通信する
ため、シンクロモードスイッチ１０で設定されたスイッ
チ情報よりも優先される。予備発光命令情報には予備発
光か本発光かを識別するＰｒｅフラグを設定し、発光倍
率情報には発光倍率のアペックス表示量Ｍｖを設定す
る。また最長調光距離情報には、式：Ｄｖｍａｘ＝Ｇｖ
−Ａｖ＋Ｓｖ−５により求めた最長調光距離Ｄｖｍａｘ
を設定し、さらに式：最長調光距離Ｄｖｍａｘ−６によ
り求めた最短調光距離が規定値、例えば０．７ｍ（Ｄｖ
＝−１）よりも小さい場合には最短距離として規定値を
設定する。なお、Ｄｖ，Ｇｖ，Ａｖ，Ｓｖは距離，ガイ
ドナンバー，絞り，フイルム感度のアペックス表示量で
ある。

【００４１】続いて、フラッシュの発光に関する情報を
ＬＣＤ表示器７に表示させる表示処理を行う（Ｓ１０
９）。フラッシュの発光に関する情報とは、調光モード
スイッチ９で設定された調光モード、シンクロモードス
イッチ１０で設定されたシンクロモード、充電完了情
報、画角ＮＧ情報、調光確認情報、カメラから指定され
た調光モード指定情報、シンクロモード指定情報、フラ
ッシュで設定されたフラッシュ光がカバーできる焦点距
離、最長調光距離及び最短調光距離などである。

【００４２】次に、低消費電力化を図るため低速モード
に移行し（Ｓ１１０）、タイマーＡオーバーフラグが
“１”になるまで待機する（Ｓ１１１；Ｎ）。このタイ
マーＡオーバーフラグには、タイマーＡがタイムアップ
したときに“１”がセットされる。そしてタイマーＡオ
ーバーフローフラグが“１”になったときは、高速モー
ドへ移行し、タイマーＡオーバーフラグを“０”にして
Ｓ１０５へ戻る（Ｓ１１１；Ｙ、Ｓ１１２、Ｓ１１
３）。つまり、タイマーＡはタイムアップする毎に再ス
タートし、メインスイッチ１１のオン状態では以上のＳ
１０５〜Ｓ１１３の処理が１２５ｍＳ（ミリ秒）に１回
実行される。

【００４３】『充電処理』メイン処理のＳ１０６で実行
される充電処理について、図１０に示したフローチャー
トを参照してより詳細に説明する。先ず最初に、充電開
始後、メインコンデンサー２０の充電電圧（Ａ／Ｄ変換
値）が最低電圧に達するまでの処理について説明する。
充電処理に入ると、先ず、メインコンデンサー２０の最
大電圧までの充電を要求するか否かを識別するＦ_ＣReq
uestフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ２０
０）。Ｆ_ＣRequestフラグは、メイン処理開始時にＳ１
０４で“１”（要求）にセットされ、また、メインコン
デンサー２０の最大電圧までの充電を要するとき、例え
ばフラッシュ発光後のＳ４１６（図１２）、Ｓ４２９
（図１３）で“１”がセットされる。

【００４４】Ｆ_ＣRequestフラグが“１”であったとき
は、ポートＰ３から“０”を出力して昇圧回路１３を作
動させてメインコンデンサー２０の充電を開始し、メイ
ンコンデンサー２０の充電電圧が最高電圧に達した時点
からの経過時間タイマーＰｔｉｍｅを０として、充電中
か否かを識別するＦ_oncフラグに“１”（充電中）をセ
ットする（Ｓ２００；Ｙ、Ｓ２０５、Ｓ２０６）。続い
て、充電検出回路１６のＲＬＳ端子から出力された電圧
をＡ／Ｄ変換ポートＰａｄを介して入力し（Ｓ２０
７）、入力電圧ＲＬＳのＡ／Ｄ変換値が電圧値Ｖｍｉｎ
に達したか否かをチェックし（Ｓ２０８）、入力電圧Ｒ
ＬＳのＡ／Ｄ変換値が電圧値Ｖｍｉｎに達していないと
きは、充電完了信号Chargeを“０”（未充完）とし、最
高電圧までの充電を要求するか否かを識別するＦ_ＣReq
uestフラグを“１”（充電要）としたままリターンする
（Ｓ２０８；Ｎ、Ｓ２１０）。一方、入力電圧ＲＬＳの
Ａ／Ｄ変換値が電圧値Ｖｍｉｎに達していたときは、充
電完了信号Chargeを“１”（充電完了）とし、さらにＡ
／D変換値と電圧値Ｖｍａｘとを比較する（Ｓ２０８；
Ｙ、Ｓ２０９、Ｓ２１１）。

【００４５】上記の電圧値Ｖｍｉｎにはメインコンデン
サー２０の充電電圧の最低電圧に対応する値が設定され
ていて、電圧値Ｖｍａｘにはメインコンデンサー２０の
充電電圧の最高電圧に対応する値を設定されている。本
実施形態では、メインコンデンサー２０の充電の最高電
圧を３３０Ｖ、最低電圧を２７０Ｖとし、充電検出回路
１６の抵抗３０１と抵抗３０２の抵抗比を９９：１とし
ているので、電圧値Ｖｍｉｎ＝２．７Ｖ、電圧値Ｖｍａ
ｘ＝３．３Ｖとなっている。したがって、Ｓ２０８のチ
ェックは充電検出回路１６から入力した電圧ＲＬＳが２
７０Ｖよりも大きいか否かをチェックしたことと同等と
なり、Ｓ２１１のチェックでは入力電圧ＲＬＳが３３０
Ｖよりも大きいか否かをチェックしたことと同等にな
る。電圧値Ｖｍｉｎ、Ｖｍａｘは、ＥＥＰＲＯＭ６の初
期データとして設定することができる。

【００４６】次に、メインコンデンサー２０の充電電圧
（Ａ／Ｄ変換値）が電圧値Ｖｍｉｎより大きくて電圧値
Ｖｍａｘ以下の場合について説明する。Ｓ２１１のチェ
ックで、入力電圧ＲＬＳのＡ／Ｄ変換値が電圧値Ｖｍａ
ｘ以下であったとき、即ちメインコンデンサー２０の充
電電圧が最低電圧（２７０Ｖ）以上であって最高電圧
（３３０Ｖ）以下であったときは、変数Ｃｔｉｍｅが０
か否かをチェックする（Ｓ２１１；Ｎ、Ｓ２１２−
１）。この充電処理は１２５ｍｓに１回実行されるた
め、変数Ｃｔｉｍｅは１２５ｍｓ経過するごとに＋１カ
ウントアップされる計時用の変数である。

【００４７】変数Ｃｔｉｍｅが０であったときは、入力
電圧ＲＬＳのＡ／Ｄ変換値をＡ／Ｄｏｌｄ値としてメモ
リし（Ｓ２１２−１；Ｙ、Ｓ２１２−２）、変数Ｃｔｉ
ｍｅが０でなかったときはＳ２１２−２をスキップして
（Ｓ２１２−１；Ｎ）、変数Ｃｔｉｍｅに１加算する
（Ｓ２１２−３）。続いて、変数Ｃｔｉｍｅが１６より
大きいか否かをチェックする（Ｓ２１３）。変数Ｃｔｉ
ｍｅが１６より大きかったとき、即ちメインコンデンサ
ー２０の充電電圧が最低電圧を超えてから２秒経過した
ときは、変数Ｃｔｉｍｅを０にリセットし、入力電圧Ｒ
ＬＳのＡ／Ｄ変換値を、２秒前にメモリしたＡ／Ｄｏｌ
ｄ値と規定値Ｋｈの和と比較する（Ｓ２１３；Ｙ、Ｓ２
１４、Ｓ２１５）。ここで、入力電圧ＲＬＳのＡ／Ｄ変
換値をＡ／Ｄｏｌｄ値と規定値Ｋｈの和と比較するの
は、メインコンデンサー２０の充電電圧の上昇率をチェ
ックするためである。

【００４８】図１４は、一般的な蓄電素子（電池）の充
電電圧と充電時間の関係の一例を示すものである。図に
おいて、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ消耗度合の
異なる電池を充電した場合を示しており、（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）の順に新しい電池となっている。（ａ）
〜（ｃ）の中で最も消耗の激しい電池を充電した場合
（ｃ）は、図からも分かるように、時間をかけて充電し
ても電圧値（最高電圧）Ｖｍａｘに達しない。このよう
な場合に、最高電圧Ｖｍａｘまで充電を続けたのでは充
電効率が悪く、好ましくない。そこで本実施形態では、
電圧値（最低電圧）Ｖｍｉｎに達した以降、充電電圧の
上昇率が所定値Ｋｈよりも低ければ充電を停止する構成
としている。例えばＫｈを２０ｍＶに設定すれば、メイ
ンコンデンサー２０の端子電圧Ｈｖが２秒間に２Ｖ以上
上昇しないときは、充電を停止する。なお、図１４にお
いて充電電圧の上昇率は、（ａ）では６０ｖ／ｓ、
（ｂ）では３０ｖ／ｓ、（ｃ）の終期では１ｖ／ｓ以下
となっている。

【００４９】Ａ／Ｄ変換値がＡ／Ｄｏｌｄ値と規定値Ｋ
ｈの和よりも大きくなかったとき、即ち、メインコンデ
ンサー２０の充電電圧が２秒間に規定値Ｋｈよりも上昇
しなかったときは、充電の入力エネルギーに対する充電
電圧の上昇率（充電効率）が低いので（図１４参照）、
最大電圧までの充電を要求するか否かを識別するＦ_ＣR
equestフラグを“０”（不要）とし、ポートＰ３から
“１”を出力して昇圧回路１３の動作を停止させて充電
を停止し、充電中か否かを識別するＦ_oncフラグを
“０”（非充電）とし、変数Ｃｔｉｍｅを０としてリタ
ーンする（Ｓ２１５；Ｎ、Ｓ２１６、Ｓ２２０、Ｓ２２
１）。

【００５０】Ａ／Ｄ変換値がＡ／Ｄｏｌｄ値と規定値Ｋ
ｈの和よりも大きかったときは、最高電圧までの充電を
要求するか否かを識別するＦ_ＣRequestフラグが“１”
か否かをチェックし、Ｆ_ＣRequestフラグが“１”（充
電要）であればそのままリターンして充電を続ける（Ｓ
２１５；Ｙ、Ｓ２１７、Ｓ２１７；Ｙ）。Ｆ_ＣRequest
フラグが“１”でなかったときは、カメラが動作状態で
あるか否かを識別するＦ_ＣＯｎフラグが“１”か否か
をチェックし、Ｆ_ＣＯｎフラグが“１”でなかったと
き、即ちカメラが動作状態でないときは、ポートＰ３か
ら“１”を出力して充電を停止し、充電中か否かを識別
するＦ_oncフラグを“０”（非充電）とし、変数Ｃｔｉ
ｍｅを０としてリターンする（Ｓ２１７；Ｎ、Ｓ２１
８、Ｓ２１８；Ｎ、Ｓ２２０、Ｓ２２１）。

【００５１】Ｆ_ＣＯｎフラグが“１”であったとき、
即ちカメラが動作状態のときは、入力電圧Ｈｖ´のＡ／
Ｄ変換値が、電圧値Ｖｔｙｐよりも大きいか否かをチェ
ックする（Ｓ２１８；Ｙ、Ｓ２１９）。電圧値Ｖｔｙｐ
には電圧Ｖｍｉｎよりも高い値が設定されている。本実
施形態ではＶｔｙｐ＝３．１Ｖとしている。Ａ／Ｄ変換
値が電圧値Ｖｔｙｐよりも大きくなかったときは、その
ままリターンしてＳ２００、Ｓ２０５〜Ｓ２０９、Ｓ２
１１〜Ｓ２１５、Ｓ２１７〜Ｓ２１９の処理を繰り返
し、充電を続ける（Ｓ２１９；Ｎ）。Ａ／Ｄ変換値が電
圧値Ｖｔｙｐよりも大きくなったときは、ポートＰ３か
ら“１”を出力して充電を停止し、充電中か否かを識別
するＦ_oncフラグを“０”（非充電）とし、変数Ｃｔｉ
ｍｅを０としてリターンする（Ｓ２１９；Ｙ、Ｓ２２
０、Ｓ２２１）。このＳ２１８、Ｓ２１９の処理によ
り、カメラが非動作状態であればＳ２１８からＳ２２０
へ進んで充電を停止し、カメラが動作状態であればＳ２
１９でメインコンデンサー２０の充電電圧が電圧値Ｖｔ
ｙｐ（本実施形態では３１０Ｖ）以上となったときにＳ
２２０へ進んで充電を停止する。

【００５２】次に、メインコンデンサー２０の充電電圧
が電圧値Ｖｍａｘよりも大きくなった場合について説明
する。Ａ／Ｄ変換値が電圧値Ｖｍａｘよりも大きくなっ
たときは、メインコンデンサー２０は最大電圧まで充電
されたので、メインコンデンサー２０の最大電圧までの
充電を要求するか否かを識別するＦ_ＣRequestフラグを
“０”（不要）とし、ポートＰ３から“１”を出力して
充電を停止する（Ｓ２１１；Ｙ、Ｓ２１６、Ｓ２２
０）。そして、充電中か否かを識別するＦ_oncフラグを
“０”とし、計時用の変数Ｃｔｉｍｅを０としてリター
ンする（Ｓ２２１）。

【００５３】続いて、充電停止中（Ｆ_ＣRequestフラグ
が“０”のとき）にメインコンデンサー２０の充電電圧
が低下した場合について説明する。Ｓ２００のチェック
で、最大電圧までの充電を要求するか否かを識別するＦ
_ＣRequestフラグが“１”でなかったとき、即ちメイン
コンデンサー２０の充電電圧が電圧値Ｖｍａｘに達して
充電停止させた後、または充電電圧の上昇率が低いため
に充電停止させた後、再度充電処理に入ったときは、充
電中か否かを識別するＦ_oncフラグが“１”か否かをチ
ェックし（Ｓ２００；Ｎ、Ｓ２０１）、Ｆ_oncフラグが
“１”であったときは充電中なのでＳ２０５へ進む（Ｓ
２０１；Ｙ）。Ｆ_ＣRequestフラグが“１”でなく、か
つＦ_oncフラグが“１”でなかったときは、カメラが動
作状態であるか否か識別するＦ_ＣＯｎフラグが“１”
か否かをチェックする（Ｓ２０１；Ｎ、Ｓ２０２−
１）。

【００５４】Ｆ_ＣＯｎフラグが“１”（動作中）であ
ったときは、メインコンデンサー２０の充電電圧をチェ
ックするチェック時間ＰＴｖａｌに８０をセットし（Ｓ
２０２−１；Ｙ、Ｓ２０２−２）、Ｆ_ＣＯｎフラグが
“１”でなかったときはチェック時間ＰＴｖａｌに４８
０をセットする（Ｓ２０２−１；Ｎ、Ｓ２０２−３）。
この充電処理には１２５ｍｓに１回入るので、チェック
時間ＰＴｖａｌ＝４８０は１分に相当し、チェック時間
ＰＴｖａｌ＝８０は１０秒に相当する。

【００５５】チェック時間ＰＴｖａｌをセットしたら、
経過時間タイマーＰｔｉｍｅに１加算し、経過時間タイ
マーＰｔｉｍｅのカウント値がチェック時間ＰＴｖａｌ
の値より大きいか否かをチェックする（Ｓ２０３、Ｓ２
０４）。経過時間タイマーＰｔｉｍｅのカウント値がチ
ェック時間ＰＴｖａｌの値より大きくなかったときは、
そのままリターンする（Ｓ２０４；Ｎ）。経過時間タイ
マーＰｔｉｍｅのカウント値がチェック時間ＰＴｖａｌ
の値より大きかったとき、即ち、カメラが動作中である
場合には１０秒、カメラが非動作中である場合には１分
が経過したときは、Ｓ２０５に進み、Ｓ２０５以降の処
理でメインコンデンサー２０の充電電圧のチェック、充
電を実行する（Ｓ２０４；Ｙ）。

【００５６】以上のように本実施形態では、メインコン
デンサー２０の充電中は第１の周期（１２５ｍｓ）で充
電電圧チェックを行うが、充電停止中（Ｆ_ＣRequestフ
ラグが“０”のとき）は第１の周期よりもはるかに長い
第２の周期（１分）で充電電圧チェックを行うので、昇
圧回路１３の駆動回数を減らして電池の消耗を減らすこ
とができる。しかも本実施形態では、充電停止中であっ
てもカメラが動作中であるときは、第２の周期よりも短
く第１の周期よりも長い第３の周期（１０秒）で充電電
圧チェックを行うので、カメラの動作に伴いメインコン
デンサー２０の充電電圧が降下しても速やかに対応する
ことができる。本実施形態ではカメラの非動作中におけ
る充電電圧チェックの周期（第２の周期）を1分に設定
しているが、この周期はメインコンデンサー２０のリー
ク電流を考慮して設定する。望ましくは、リーク電流に
より充電電圧が最高電圧から最低電圧まで降下するのに
要する時間よりも短く設定する。なお、電解コンデンサ
ーであるメインコンデンサー２０は充電電圧が高くなる
ほどリーク電流も多くなるという特性があるため、メイ
ンコンデンサー２０の充電電圧を常に最高電圧で保持す
るとエネルギー効率が悪く、好ましくない。しかし、本
実施形態では、メインコンデンサー２０の充電電圧が最
低電圧を下回るまでは再充電しない構成としてエネルギ
ー効率の向上を図り、さらにカメラ動作中は、メインコ
ンデンサー２０の充電電圧を最低電圧（２７０Ｖ）より
高い電圧（３１０Ｖ）以上に保持して発光のパワーを高
く保つことを可能としている。

【００５７】『通信割り込み処理』メインスイッチ１１
のオン状態で実行される通信割り込み処理について、図
７及び図８に示されるタイミングチャート、図１１に示
されるフローチャートを参照してより詳細に説明する。
この処理は、カメラ接続端子５のＣ端子の入力が“０”
から“１”に変化したとき（図７（ａ））、あるいは
“１”から“０”に変化したとき実行される。この処理
に入ると先ず、再度の割り込みを禁止するため通信割り
込みを禁止し（Ｓ３００）、現在のＣＰＵ動作速度をメ
モリーＭ１にメモリして高速モードに移行し（Ｓ３０
１）、Ｃ端子の入力波形をチェックする（Ｓ３０２）。
ＣＰＵ１２はＣ端子の入力波形によって通信内容を識別
し、以下のように処理を進める。

【００５８】Ｃ端子の入力波形が１パルスであれば（Ｓ
３０３；Ｙ）、Ｒ端子に送られたクロック信号に同期し
たＣＦ通信データをＱ端子を介して取り込むＣＦ通信を
実行する（Ｓ３０４）（図７（ｂ））。このＣＦ通信デ
ータは表２のＣＦ通信情報に対応している。ＣＦ通信を
実行したら、入力したＣＦ通信データに基づいてフラッ
シュのモード等を再設定するＣＦ情報再処理を実行し、
ＣＰＵ動作速度をＳ３０１でメモリーＭ１に格納した速
度に変更し、通信割り込みを許可してリターンする（Ｓ
３０５、Ｓ３１７、Ｓ３１８）。Ｃ端子の入力波形が２
パルスであれば（Ｓ３０３；Ｎ、Ｓ３０６；Ｙ）、ＦＣ
通信データをＲ端子のクロック信号に同期させ、Ｑ端子
を介してカメラに送るＦＣ通信を実行する（Ｓ３０７）
（図７（ｃ））。このＦＣ通信データは表１のＦＣ通信
情報に対応している。ＦＣ通信を実行したら、ＣＰＵ動
作速度をＳ３０１でメモリーＭ１に格納した速度に変更
し、通信割り込みを許可してリターンする（Ｓ３１７、
Ｓ３１８）。通常（発光状態でないとき）は、ＣＦ通信
とＦＣ通信が周期的に行われている。

【００５９】Ｃ端子の入力波形が３パルスであれば（Ｓ
３０６；Ｎ、Ｓ３０８；Ｙ）、通常発光処理（詳細は後
述する）を実行する（Ｓ３０９）（図８（ａ））。通常
発光処理を実行したら、ＣＰＵ動作速度をＳ３０１でメ
モリーＭ１に格納した速度に変更し、通信割り込みを許
可してリターンする（Ｓ３１７、Ｓ３１８）。Ｃ端子の
入力波形が４パルスであれば（Ｓ３０８；Ｎ、Ｓ３１
０；Ｙ）、均一な光量でキセノン管２３を発光させるフ
ラット発光処理を実行する（Ｓ３１１）（図８
（ｂ））。フラット発光処理を実行したら、ＣＰＵ動作
速度をＳ３０１でメモリーＭ１に格納した速度に変更
し、通信割り込みを許可してリターンする（Ｓ３１７、
Ｓ３１８）。

【００６０】Ｃ端子の入力波形が立ち上がりであれば
（Ｓ３１０；Ｎ、Ｓ３１２；Ｙ）（図７（ａ））、カメ
ラが動作中か否かを識別するＦ_ＣＯｎフラグを“１”
（動作中）とし、メインコンデンサー２０の最高電圧ま
での充電を要求するＦ_ＣRequestフラグを“１”（要
求）とし、ＣＰＵ動作速度をＳ３０１でメモリーＭ１に
格納した速度に変更し、通信割り込みを許可してリター
ンする（Ｓ３１３、Ｓ３１４、Ｓ３１７、Ｓ３１８）。
Ｃ端子の入力波形が立ち下がりであれば（Ｓ３１２；
Ｎ、Ｓ３１５；Ｙ）（図７（ｄ））、即ちカメラが非動
作状態となったら、カメラが動作中か否かを識別するＦ
_ＣＯｎフラグを“０”（非動作）とし、ＣＰＵ動作速
度をＳ３０１でメモリーＭ１に格納した速度に変更し、
通信割り込みを許可してリターンする（Ｓ３１６、Ｓ３
１７、Ｓ３１８）。なお、Ｆ＿Ｃｏｎフラグの“０”状
態が所定時間（例えば５分）継続したときは、消費電力
削減のため、ＣＰＵ１２はスリープモードに移行する。
Ｃ端子の入力波形が上記のいずれでもないときは、ＣＰ
Ｕ動作速度をＳ３０１でメモリーＭ１に格納した速度に
変更し、通信割り込みを許可してリターンする（Ｓ３１
５；Ｎ、Ｓ３１７、Ｓ３１８）。

【００６１】『フラット発光処理』通信割り込み処理の
Ｓ３１１で実行されるフラット発光処理について、図
１、図２、図５・図８（ｂ）に示されるタイミングチャ
ート、及び図１２に示されるフローチャートを参照して
より詳細に説明する。この処理は、４パルスのフラット
発光制御信号がカメラからＣ端子に送られたときに実行
される（図８（ｂ）参照）。この処理に入ると先ず、予
備発光をするか否かを識別するＰｒｅフラグが“１”か
否かをチェックする（Ｓ４００）。この予備発光は、露
光寸前にフラッシュ装置３０を予備発光させ、その受光
量をカメラが検出してシャッター速度、距離情報、絞り
値、フイルム感度などに基づき本発光時の発光倍率Ｍｖ
（本発光の発光量が予備発光時の何倍必要か）を設定
し、フラッシュ側に通信する処理である。フラッシュ装
置３０は、カメラから入力した発光倍率情報に基づいて
本発光量を決定し、カメラの露光時にフラット発光（本
発光）を実行する。

【００６２】Ｐｒｅフラグに“１”がセットされている
ときは（Ｓ４００；Ｙ）、予備発光を行うので、規定の
電圧ＶａをＤ／ＡポートＰｄａから発光制御回路１７の
入力端子ＦＰｌｖｌに出力し（Ｓ４０３）、発光時間を
制御するタイマーＢに１ｍｓをセットしてＳ４０５に進
む（Ｓ４０４）。Ｐｒｅフラグに“０”がセットされて
いるときは（Ｓ４００；Ｎ）、予備発光は行わない、即
ち本発光を行うので、規定の電圧Ｖａを２の発光倍率Ｍ
ｖ乗倍した電圧Ｖａ×２^MvをＤ／Ａ変換ポートＰｄａを
介して発光制御回路１７の入力端子ＦＰｌｖｌに出力し
（Ｓ４０１）、タイマーＢにＴｆｐ＋２ｍｓをセットし
てＳ４０５に進む（Ｓ４０３）。ここで、Ｔｆｐはカメ
ラの露出時間と幕速に基づいてカメラ側で設定されるフ
ラット発光時間であり、２ｍｓはフラット発光時間Ｔｆ
ｐに余裕を持たせるための時間である。

【００６３】Ｓ４０５のステップでは、ポートＰ５（３
０Ｖｏｎ）の出力を“１”とする（図５；時間Ｔ１）。
３０Ｖ発生回路１８の３０Ｖｏｎ端子を“１”にする
と、３０Ｖ発生回路１８の３０Ｖｏｕｔ端子から３０Ｖ
の電圧が出力される。そして、３０Ｖ発生回路１８の出
力電圧３０Ｖが安定するよう１０μｓ（マイクロ秒）待
機し（Ｓ４０６）、ポートＰ６（ＩＧＢＴｃｔｌ）の出
力を“１”とする（Ｓ４０７）（図５；時間Ｔ２）。Ｉ
ＧＢＴｃｔｌ信号が“１”になると、バッファー１０６
の入力及び出力が１となってＩＧＢＴｏｎ信号が“１”
となる。ＩＧＢＴｏｎ信号が“１”になると、レベルシ
フト回路１９は３０Ｖ発生回路１８から与えられた３０
Ｖ電圧をＩＧＢＴ２４のゲートＩＧＢＴｇに印加してＩ
ＧＢＴ２４をオンさせる。

【００６４】次に、ポートＰ４（ＴＲＩＧｏｎ）の出力
を“１”とする（Ｓ４０８）（図５；時間Ｔ３）。ＴＲ
ＩＧｏｎ端子の入力が“１”になるとトリガー回路２２
は、高圧の振動電圧をトリガ電極ＸｅＴ端子に与えてキ
セノン管２３を励起状態とする。キセノン管２３が励起
状態になると、Ｓ４０７で既にＩＧＢＴ２４がオンして
いるため、メインコンデンサー２０の蓄積電荷がコイル
２１、キセノン管２３、ＩＧＢＴ２４を介して放電さ
れ、キセノン管２３の放電が開始される。ＴＲＩＧｏｎ
端子の出力を“１”にしたら、３μｓ待機し、Ｓ４０２
またはＳ４０４で設定したタイマーＢをスタートさせ、
ポートＰ６を入力ポートに設定し、ポートＰ４（ＴＲＩ
Ｇｏｎ）の出力を“０”とする（Ｓ４０９、Ｓ４１０、
Ｓ４１１、Ｓ４１２）。ここでポートＰ６を出力ポート
から入力ポートに切り換えるのは、キセノン管２３のト
リガー電極ＸｅＴ端子へ印加した高圧の振動電圧によっ
て発光制御回路１７のコンパレータ１０１等が誤動作し
たとしても安定に発光を開始させるためである。

【００６５】Ｓ４１１でポートＰ６を入力ポートに設定
すると、ＩＧＢＴｃｔｌ端子は非接続と等価となり、コ
ンパレータ１０１の出力がＩＧＢＴｃｔｌ信号として出
力される。Ｓ４０８の発光開始によってキセノン管２３
の発光量が急速に増え、キセノン管２３の発光量に対応
する電圧ＰＤｆｌが所定電圧ＦＰｌｖｌよりも高くなる
と（図５；時間Ｔ４）、コンパレータ１０１の出力（Ｉ
ＧＢＴｃｔｌ信号）が“０”となってバッファー１０６
の出力（ＩＧＢＴｏｎ信号）が“０”となり、ＩＧＢＴ
２４がオフしてＩＧＢＴ２４経由の放電が止まる。する
と、コイル２１に蓄積されたエネルギーがキセノン管２
３、ダイオード２５を介して放電し、キセノン管２３の
発光量は減少する。そして、キセノン管２３の発光量に
対応する電圧ＰＤｆｌが所定電圧ＦＰｌｖｌより低くな
ると（図５；時間Ｔ５）、コンパレータ１０１の出力
（ＩＧＢＴｃｔｌ信号）が“１”となり、バッファー１
０６の出力（ＩＧＢＴｏｎ信号）も“１”となってＩＧ
ＢＴ２４がオンする。すると、メインコンデンサー２０
の蓄積電荷がコイル２１、キセノン管２３、ＩＧＢＴ２
４を介して放電し、キセノン管２３の発光量が増加す
る。以上の動作の繰返しによってキセノン管２３の発光
量はほぼ一定範囲に保持される（図８（ｂ））。

【００６６】そして、タイマーBがタイムアップしたか
否かを識別するタイマーBオーバーフローフラグが
“１”か否かをチェックする（Ｓ４１３）。タイマーＢ
オーバーフローフラグが“１”でなかったときは、タイ
マーＢオーバーフローフラグが“１”になるまで待機し
てフラット発光を継続し（Ｓ４１３；Ｎ）、タイマーＢ
オーバーフローフラグが“１”になったら、ポートＰ６
（ＩＧＢＴｃｔｌ）を出力ポートに切り換えて“０”を
出力し、タイマーＢを停止して、メインコンデンサー２
０の最高電圧までの充電を要求するＦ_ＣRequestフラグ
を“１”（充電要）にしてリターンする（Ｓ４１３；
Ｙ、Ｓ４１４、Ｓ４１５、Ｓ４１６）。Ｓ４１４でＩＧ
ＢＴｃｔｌ信号が“０”になったときに、ＩＧＢＴ２４
がオフしていたときは発光制御回路１７の抵抗１１０と
コンデンサー１１１による時定数τｂが経過してもＩＧ
ＢＴ２４はオフ状態のままであるが、図５の時間Ｔ７の
ようにＩＧＢＴ２４がオンしていたときは、発光制御回
路１７の抵抗１０７とコンデンサー１０８による時定数
τａが経過するとＩＧＢＴｏｎ信号が“０”となり、Ｉ
ＧＢＴ２４がオフする（図５；時間Ｔ８）。時定数τａ
経過まで待機することにより、発光停止時におけるＩＧ
ＢＴ２４の破壊を防止できる。

【００６７】通信割り込み処理のＳ３０９で実行される
通常発光処理について、図８（ａ）に示されるタイミン
グチャート、及び図１３に示されるフローチャートを参
照してより詳細に説明する。この処理は、３パルスの通
常発光制御信号がカメラからＣ端子に送られたときに実
行される（図８（ａ））。この処理に入ると先ず、ポー
トＰ５（３０Ｖｏｎ）の出力を“１”とする（Ｓ４２
０）。すると、３０Ｖ発生回路１８の３０Ｖｏｕｔ端子
から３０Ｖの電圧が発生する。そして、３０Ｖ発生回路
１８の出力電圧３０Ｖが安定するように１０μｓ待機し
てからポートＰ６（ＩＧＢＴｃｔｌ）の出力を“１”と
する（Ｓ４２１、Ｓ４２２）。ＩＧＢＴｃｔｌ信号が
“１”になると、バッファー１０６の入力及び出力が
“１”となってＩＧＢＴｏｎ信号が“１”となり、レベ
ルシフト回路１９は３０Ｖ発生回路１８から与えられた
３０Ｖ電圧をＩＧＢＴ２４のゲートＩＧＢＴｇに印加し
てＩＧＢＴ２４をオンさせる。

【００６８】続いて、シャッター先幕の走行完了を検知
するＸ端子が“０”となるまで待機し（Ｓ４２３；
Ｎ）、Ｘ端子が“０”となったとき、即ちシャッター先
幕走行が完了したときは、ポートＰ４（ＴＲＩＧｏｎ）
の出力を“１”とする（Ｓ４２３；Ｙ、Ｓ４２４）。Ｔ
ＲＩＧｏｎ端子の入力が“１”になるとトリガー回路２
２は、高圧の振動電圧をトリガー電極ＸｅＴ端子に与え
てキセノン管２３を励起状態とする。キセノン管２３が
励起状態になると、Ｓ４０７で既にＩＧＢＴ２４がオン
しているため、メインコンデンサー２０の蓄積電荷がコ
イル２１、キセノン管２３、ＩＧＢＴ２４を介して放電
され、キセノン管２３の発光が開始される。そして、Ｑ
端子が“１”となるまで待機してキセノン管２３の発光
を持続させ（Ｓ４２５；Ｎ）、Ｑ端子が“１”となった
とき、即ちクエンチ信号が入力されたときは、ポートＰ
７（ＥＸＴｑ）を入力ポートから出力ポートに切り換え
て“０”を出力し、１００μｓ待機する（Ｓ４２５；
Ｙ、Ｓ４２６、Ｓ４２７）。ＥｘＴｑ端子の入力が
“０”になると、バッファー１０６の入力が“０”とな
りＩＧＢＴｏｎ端子の出力が“０”となってＩＧＢＴ２
４がオフするため、キセノン管２３の発光が停止する。
Ｓ４２７で１００μｓ待機するのは発光停止待ちのため
である。１００μｓ待機したら、各ポートを初期状態に
戻すため、ポートＰ６（ＩＧＢＴｃｔｌ）を“０”と
し、ポートＰ７（ＥＸＴｑ）を入力ポートに切り換え、
メインコンデンサー２０の最高電圧までの充電を要求す
るＦ_ＣRequestフラグを１（充電要）としてリターンす
る（Ｓ４２８、Ｓ４２９）。

【００６９】以上では、本発明を外部フラッシュ装置に
適用した実施形態について説明したが、本発明はカメラ
に内蔵される内蔵フラッシュ装置にも適用可能である。

【００７０】

【発明の効果】本発明によれば、ラッチ手段の出力が変
化しても一定時間はＩＧＢＴのオン／オフ状態が保持さ
れ、ＩＧＢＴがオンからオフに変化する過渡状態で強制
的にオフされることがなく、フラット発光停止時に限ら
ずフラット発光制御時にもＩＧＢＴの破壊を防止するこ
とができる。また、ラッチ手段の出力が変化したときに
ラッチ手段の入力及び出力を保持する一定時間をＩＧＢ
Ｔの最高動作周波数の周期に対応させれば、ＩＧＢＴの
制御周波数は最高動作周波数を超えず、しかもＩＧＢＴ
の最大の性能を発揮させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明を適用したフラッシュ装置の一実施の
形態をブロックで示す図である。

【図２】 同フラッシュ装置が備えた発光制御回路の構
成を具体的に示した回路図である。

【図３】 同フラッシュ装置が備えた３０Ｖ発生回路の
構成を具体的に示した回路図である。

【図４】 同フラッシュ装置が備えた充電検出回路の構
成を具体的に示した回路図である。

【図５】 同フラッシュ装置のフラット発光制御におけ
るタイミングチャートを示した図である。

【図６】 図５の一部を拡大して示す図である。

【図７】 同フラッシュ装置のカメラ−フラッシュ通信
制御処理（通常時）におけるタイミングチャートを示し
た図である。

【図８】 同フラッシュ装置のカメラーフラッシュ通信
制御処理（発光時）におけるタイミングチャートを示す
図である。

【図９】 同フラッシュ装置のメイン処理に関するフロ
ーチャートを示す図である。

【図１０】 同フラッシュ装置の充電処理に関するフロ
ーチャートを示す図である。

【図１１】 同フラッシュ装置の通信割り込み処理に関
するフローチャートを示す図である。

【図１２】 同フラッシュ装置のフラット発光処理に関
するフローチャートを示す図である。

【図１３】 同フラッシュ装置の通常発光処理に関する
フローチャートを示す図である。

【図１４】 一般的な蓄電素子（電池）のメインコンデ
ンサーの充電電圧と充電時間の関係の一例を示す図であ
る。

【符号の説明】

１ 電池 ２ ショットキーダイオード ３ コンデンサー ４ レギュレータ ５ カメラ接続端子 ６ ＥＥＰＲＯＭ ７ ＬＣＤ表示機 ８ カメラ通信インターフェース ９ 発光モードスイッチ １０ シンクロモードスイッチ １１ メインスイッチ １２ ＣＰＵ（制御手段） １３ 昇圧回路 １４ ダイオード １５ ダイオード １６ 充電検出回路 １７ 発光制御回路 １８ ３０Ｖ発生回路 １９ レベルシフト回路 ２０ メインコンデンサー ２１ コイル ２２ トリガー回路 ２３ キセノン管 ２４ ＩＧＢＴ ２５ ダイオード ２６ 発光量検出受光素子（受光手段） １０１ コンパレータ（比較手段） １０２ 抵抗 １０３ 抵抗 １０４ バスバッファー（スイッチ手段） １０５ 抵抗（帰還抵抗） １０６ バッファー（ラッチ手段） １０７ 抵抗 １０８ コンデンサー １０９ ショットキーダイオード １１０ 抵抗 １１１ コンデンサー １１２ ショットキーダイオード １１３ エクスクルーシブオアゲート（スイッチ制御手
段） ２００ ２０１ 抵抗 ２０２ 高耐圧トランジスタ ２０３ ２０４ 抵抗 ２０５ 高耐圧トランジスタ ２０６ 抵抗 ２０７ ３０Ｖツェナーダイオード ２０８ ダイオード ２０９ ２１０ 抵抗 ２１１ コンデンサー ２１２ ショットキーダイオード ２１３ コンデンサー ３００ コンデンサー ３０１ ３０２ 抵抗

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩本 茂 東京都板橋区前野町２丁目36番９号 旭光 学工業株式会社内 (72)発明者 大倉 忠久 東京都板橋区前野町２丁目36番９号 旭光 学工業株式会社内 (72)発明者 種岡 一仁 東京都板橋区前野町２丁目36番９号 旭光 学工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H053 AA07 BA51 BA62 5J055 AX32 AX65 BX16 CX00 CX22 DX09 DX55 EY01 EY05 EY10 EY12 EY17 EZ10 EZ20 EZ24 EZ25 EZ26 EZ30 EZ31 EZ39 EZ54 FX22 FX31 GX01 GX02 GX03 GX04

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 キセノン管の発光を制御するＩＧＢＴ
   と、 前記キセノン管から発せられた光を受光し、該受光量に
   対応する出力を発生する受光手段と、 該受光手段の出力に対応する電圧と所定の電圧とを比較
   し、該比較結果に応じた出力を発生する比較手段と、 該比較手段の出力を入力し、該入力の状態を出力として
   保持するラッチ手段と、 該ラッチ手段の出力によって前記ＩＧＢＴをオン／オフ
   させ、該オン／オフを所定時間繰り返させることによっ
   て前記キセノン管の発光強度を略一定に保持するフラッ
   ト発光制御手段と、 前記比較手段と前記ラッチ手段との間に介在するスイッ
   チ手段と、 前記ラッチ手段の出力が変化したときは、前記スイッチ
   手段をオフしてオフ状態で一定時間保持し、該一定時間
   が経過するまでは前記比較手段の出力変化に関わらず前
   記ラッチ手段に出力を保持させて前記ＩＧＢＴのオン／
   オフ切り換えを禁止するスイッチ制御手段と、を備えた
   ことを特徴とするフラット発光制御装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のフラット発光制御装置に
   おいて、前記ラッチ手段の出力が変化したときに前記ス
   イッチ制御手段が前記スイッチ手段をオフ状態で保持す
   る前記一定時間は、前記ＩＧＢＴの最高動作周波数の周
   期に対応するフラット発光制御装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載のフラット発光制
   御装置において、前記ラッチ手段は入出力間に抵抗帰還
   をかけたバッファーであるフラット発光制御装置。
4. 【請求項４】 請求項１から３のいずれか一項に記載の
   フラット発光制御装置において、前記フラット発光制御
   手段は、フラット発光を停止させる発光停止信号を前記
   スイッチ手段を介して前記ラッチ手段に出力し、 前記ＩＧＢＴは、前記発光停止信号が出力されたとき、
   前記スイッチ手段がオン状態であれば前記ラッチ手段を
   介してすぐにオフされる一方、前記スイッチ手段がオフ
   状態であれば前記スイッチ手段がオフしてから一定時間
   経過後に前記ラッチ手段を介してオフされるフラット発
   光制御装置。
5. 【請求項５】 請求項１から４のいずれか一項に記載の
   フラット発光制御装置において、前記スイッチ制御手段
   は、前記ラッチ手段の出力側に接続された抵抗及びコン
   デンサーを有し、前記ラッチ手段の出力が変化したとき
   は、前記抵抗及びコンデンサーの時定数に応じた一定時
   間前記スイッチ手段をオフ状態で保持するフラット発光
   制御装置。