JPH06500343A - ビニル化合物および液晶媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

ビニル化合物および液晶媒体 本発明は、式１ （式中、 ＲはＨｌまたは未置換の、ＣＮまた番±ＣＦｓでモノ置換されるまたはハロゲン で少なくともモノ置換される１〜１５個の炭素原子を有するアルキル これらの基における１つ以上のＣＨｘ基（よ、それぞれの場合に互いに独立して 、酸素原子力５互１７Ｎこ直士妾結合しな（、ｓように一ト、−ｓ−、〈〉、− Ｃ叶、−ｃｏ−ｏ−、−ｏ−ｃｏ−また番よ一ｏーｃｏーｏ−＋こよって置き換 えることも可能であり、 Ａ１およびＡ２は、それぞれ互１／）ｌこ５虫立して、（ａ）１つまたはそれ以 上の隣接しなｌ／）ＣＨ２基を一〇−オよび／または一Ｓ−で置き換えてもより １トランス−１．４−シクロヘキシレン基、 （ｂ）１つまたは２つのＣＨ基をＮで置き換えてもよＩＪＸ（２，２．２）オク チレン、ビペ茸ノジンー１．４ージイル、ナフタレン−２．６−ジイル、デカヒ ドロナフタレン−２，６−ジイルおよび１，２，３．４−テトラヒドロナフタレ ン−２，６−ジイルから成る群からの基であり、基（ａ）および（ｂ）はＣＮま たはフッ素で置換されていてもよく、 Ｚ’ｌおよびＺ２は、それぞれ互いに独立して、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、 −ＣＨ．Ｏ−、−ＯＣＨ．−、−ＣＨ．ＣＨ．−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣミＣ− または単結合であり、あるいはまたＺ′およびＺ２の１つは−　（ｃｕ．１．− または一ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ．ＣＨヨーであり、Ｑは単結合、−０−、−ＣＨ＊− ＣＨ＊−、−ＣミＣ−、トランス−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ００−または−ＣＨ．Ｏ −であり、ＸｌはＨ，ＦまたはＣＩであり、 ｘ２はＦ．　Ｃ１．　ＣＦ．　、　ＯＣＦ．、ＯＣＨＦ＊またはＳＦｓ　テあり 、ＹはＨ．ＦまたはＣＩであり、 ｒは０〜４であり、 ｎはＯまたは１であり、そして ｍは０、ｌ、２または３である、 但し、Ｙ＝ＨおよびＱ；単結合の場合、ｘｌ及びｘ２はＣＩである） の新蜆のビニル化合物に関する。 本発明は、更にこれらの化合物を液晶媒体の成分として使用すること、および本 発明の液晶媒体を含んでいる液晶および電気光学ディスプレイ要素に関する。 式１の化合物は、特にねじれセルの原理、ゲスト／ホスト効果、整列相の変形効 果または動的散乱効果に基づくディスプレイ用の液晶媒体成分として使用するこ とができる。 本発明は、液晶媒体の成分として適した、また同時に、特に比較的低い粘度およ び比較的高い誘電異方性を有する新規の安定した液晶化合物またはメソゲニック 化合物を見出すことを目的とする。 式Ｉの化合物が液晶媒体の成分として著しく適していることをここに見出した。 特に、これらの化合物は比較的低い粘度を有している。これらの化合物は広いメ ソ相範囲、および光学および誘電異方性に関する有利な値を有する安定な液晶媒 体を得るために使用することができる。更に、これらの媒体は良好な低温挙動を 有している。 ジフルオロスチレン誘導体および、例えば式の化合物を含有するような対応する 液晶媒体はＥＰ　０３２５７９６　Ａｔに既に開示されている。しかしながら、 これらの化合物はＨＦが脱離しているので化学的に不安定になり易い。 液晶特性を有し、かつ末端ＣＦｓ基を含んでいる種々の化合物がすでに開示され ている［米国特許第４，３３０，４２６号：米国特許第４，６８４，４７６号、 Ｊ、Ｃリアング（ＬｉａｎｇｌおよびＳクマ−（Ｋｕｍａｒｌ、Ｍｏ１．　Ｃｒ ｙｓｔ、　Ｌｉｑ、　Ｃｒｙｓｔ５．１４２巻、７７〜８４頁（１９８７）　］ 。しかしながら、これらの化合物はしばしば高いスメクトゲニック特性を有する ので・多くの実用的用途に余り適さない。 しかしながら、高い△εを有するこの種の化合物の非常に種々様々な用途範囲を 鑑みて、特定の用途に正確に適用される特性を有する有効な更に別の化合物を入 手することが望ましいことであった。 更に、式Ｉの化合物を供与することによって、種々の用途の観点から液晶混合物 を製造するために適している液晶物質の範囲が非常に一般的に広げられる。 式■の化合物は広い用途範囲を有している。置換基を選択することによって、こ れらの化合物は、液晶媒体を主として構成する基材として使用することができる けれど、例えば、この種の誘電体の誘電率および／または光学異方性を改質する ために、および／またはそのしきい電圧および／またはその粘度を最適にするた めに式Ｉの化合物を他の群の化合物から成る液晶基材に加えることも可能である 。 特に、Ｘ’　＝ＨおよびＸ”＝Ｆである式１の化合物は低い粘度と同時にそれら の高い透明点を特徴とする０式■のビニルエーテル（Ｑ＝Ｏ）は異常に高い安定 性を有している。純粋な状態で、式１の化合物は無色であり、電気光学的に使用 するために都合よく配設される温度範囲において液晶メソ相を形成する。これら の化合物は化学的、熱的および光に非常に安定である。 したがって、本発明は、式Ｉの化合物および液晶媒体成分としてこれらの化合物 を使用すること１こ関する。更に、本発明は、式１の少なくとも１種の化合物を 含有する液晶媒体およびこの種の媒体を含有する液晶ディスプレイ素子、特に電 気光学的ディスプレイ要素に関する。 アリ、Ｃｈｅハｌ、４−シクロヘキセニレン基であり、Ｄｉ。 は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基であり、Ｄｉｔ　Ｌよ１．３−ジチア ン−２，５−ジイル基であり、Ｐｈｅ　ｉよ１゜４−フェニレン基であり、Ｐｙ ｄはピリジン−２，５−ジイル基であり、Ｐｙｒはピリミジン−２，５−ジイル 基でありおよびＢ１はビシクロ（２，２，２）オクチレン基である。 Ｃｙｃおよび／またはＰｈｅは置換されなし１力）またＣまＦまたＧよＣＮによ ってモノ置換またはジ置換されること力≦可能である。ＺはＣＹ＝ＣＸ’Ｘ”’ Ｃアロ。 Ａ’およびＡ”はＣｙｃ、Ｃｈｅ、Ｐｈｅ、　Ｐｙｒ、ｐｙｃｌおよびＤｉｏ力 ）ら成る群から選択されるのが好ましｌＪＸ。分子中Ｉこ存在する基Ａ１および Ａ２の１つだけがＣｈｅ、　Ｐｈｅ、　Ｐｙｒ、　ＰｙｄまたＧまＤｉ。 であるのが好ましい。 したがって、式１の化合物は下位式ＩａおよびＩｂ：の二環式化合物、下位式Ｉ ｃ＝Ｉｆ： Ｒ−Ａ’−Ａ”−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉｃ Ｒ−Ａ’−２’−Ａ”−２”−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｄＲ−Ａ’−２’−Ａ”−Ａ” −Ｑ−Ｚ　ＩｅＲ−Ａ’−Ａ”−２２−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉｆの三環式化合物およ び下位式Ｉｇ＝Ｉｍ：Ｒ−Ａ’−Ａ’−Ａ”−Ａ’−Ｑ−Ｚ　ＩｇＲ−Ａ’−２ ’−Ａ’−Ａ”−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｈＲ−Ａ’−Ａ’−２’−Ａ”−Ａ”−Ｑ− Ｚ　ｌ１Ｒ−Ａ’−Ａ’−Ａ”−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｊＲ−Ａ’−Ｚ’−Ａ ’−２’−Ａ”−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｋＲ−Ａ’−Ａ’−Ｚ’−Ａ”−２”−Ａ” −Ｑ−Ｚ　ＩＩＲ−Ａ’−Ｚ’−Ａ’−２’−Ａ”−Ｚ”−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉｍ の四環式化合物を包含する。 これらのうち、下位式Ｉａ、　Ｉｂ、　Ｉｃ％Ｉｄ、　Ｉｅ、　Ｉｆ、　Ｉｉお よび１１のものが特に好ましい。 下位式Ｉａの好ましい化合物には下位式Ｉａａ〜Ｉａｈ：Ｒ−Ｐｈｅ−ＡニーＱ −Ｚ　Ｉａａ Ｒ−Ｐｈｅ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉａｂ Ｒ−Ｄｉｏ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉａｃ Ｒ−Ｐｙｒ−Ａ”　−Ｑ−Ｚ　Ｉａｄ Ｒ−Ｐｙｄ−Ａ″−ｑ−２Ｉａｅ Ｒ−Ｃｙｃ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉａｆ Ｒ−Ｃｙｃ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉａｇ Ｒ−Ｃｈｅ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉａｈ のものがある。 これらのうち、Ｉａａ　、　Ｉａｂ　、　Ｉａｃ　、Ｉａｄ　、　Ｉａｆおよび Ｉａｇのものが特に好ましい。 下位式Ｉｂの好ましい化合物には下位式ＩｂａおよびＩｂｂ　：Ｒ−Ｃｙｃ−Ｃ ＨｘＣＨｔ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｂａＲ−Ｃｙｃ−ＣＯＯ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉｂｂ のものがある。 下位式１ｃの好ましい化合物には下位式Ｉｃａ　−Ｉｃｏ　：Ｒ−Ｐｈｅ−Ｐｈ ｅ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｃａＲ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ａ″−Ｑ−Ｚ　ＩｃｂＲ−Ｐｈ ｅ−ＤｉＯ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｃｃＲ−Ｃｙｃ−＋１：ｙｃ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉ ｃｄＲ−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｃｅＲ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ａ”−Ｑ −２ＩｃｆＲ−Ｐｙｄ−Ｐｈｅ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ｌｅｇのものがある。 これらのうち、Ｉｃａ　、　Ｉｃｃ　、　Ｉｃｄ　、　Ｉｃｅ　％Ｉｃｉおよび Ｉｃｊのものが特に好ましい。 下位式１ｄの好ましい化合物には下位式Ｉｄａ　−Ｉｄａ　：Ｒ−Ｐｈｅ−２’ −Ｐｈｅ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＴｄａＲ−Ｐｈｅ−２’−Ｐｈｅ−２’−Ａ” −Ｑ−Ｚ　ＩｄｂＲ−Ｐｈｅ−Ｚ’−Ｄｉｏ−Ｚ’−Ａ″−Ｑ−Ｚ　ＩｄｃＲ− Ｃｙｃ−２’−Ｃｙｃ−Ｚ”Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｄｄＲ−Ｃｙｃ−２’−Ｃｙｃ− ２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｄｅＲ−Ｐｙｄ−２’−Ｐｈｅ−２’−Ａ”−Ｑ−２Ｉ ｄｆＲ−Ｐｈｅ−２’−Ｐｙｄ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｄｇＲ−Ｐｙｒ−Ｚ’ −Ｐｈｅ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｄｈＲ−Ｐｈｅ−２’−Ｐｙｒ−２’−Ａ” −Ｑ−Ｚ　ＩｄｉＲ−Ｐｈｅ−２’−Ｃｙｃ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｄｊＲ− Ｃｙｃ−２’−Ｐｈｅ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｄｋＲ−Ｃｙｃ−２’−Ｐｈｅ −Ｚ’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｄｌＲ−Ｄｉｏ−２’−Ｐｈｅ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ 　Ｉｄｍのものがある。 下位式Ｉｅの好ましい化合物には下位式Ｉｅａ〜Ｉｅｌ　：Ｒ−Ｐｙｒ−Ｚ’− Ｐｈｅ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｅａＲ−Ｄｉｏ−２’−Ｐｈｅ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉｅ ｂＲ−Ｐｈｅ−Ｚ’−Ｐｈｅ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｅｃＲ−Ｃｙｃ−２’−Ｐｈｅ −Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｅｄＲ−Ｃｙｃ−Ｚ’−Ｐｈｅ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　１ｅｅＲ− Ｐｈｅ−Ｚ’−Ｃｙｃ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｅｆＲ−Ｃｙｃ−２’−Ｃｙｃ−Ａ” −Ｑ−Ｚ　ＩｅｇＲ−Ｃｙｃ−２’−Ｃｙｃ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｅｈＲ−Ｐｈｅ −２’　−Ｄｉｏ−Ａ”　−Ｑ−Ｚ　ＩｅｉＲ−Ｐｙｄ−Ｚ’−Ｐｈｅ−Ａ”− Ｑ−Ｚ　ＩｅｊＲ−Ｐｈｅ−２’−Ｐｙｒ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｅｋＲ−Ｃｙｃ− ２’−Ｐｙｒ−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉｅｌのものがある。 下位式Ｉｆの好ましい化合物には下位式Ｉｆａ〜Ｉｆｒ：Ｒ−Ｐｙｒ−Ｐｈｅ− ２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｆａＲ−Ｐｙｒ−Ｐｈｅ−ＯＣＨ，−Ａ”−Ｑ−２Ｉｆ ｂＲ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｆｃＲ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−００ Ｃ−＾”−Ｑ−Ｚ　ＩｆｄＲ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−２’　−Ａ”　−Ｑ−Ｚ　Ｉｆ ｅＲ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｆｆＲ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−２’ −Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｆｇＲ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−ＣＨｘＣＨｔ−Ａ”−Ｑ−２Ｉｆ ｈＲ−Ｐｙｄ−Ｐｈｅ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｆｉＲ−Ｄｉｏ−Ｐｈｅ−２’ −Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｆｊＲ−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−Ｚ’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｆｋＲ− Ｐｈｅ−（：ｙｃ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＨＩＲ−Ｐｈｅ−Ｐｙｄ−２’−Ａ’ −Ｑ−２ＩｆｍＲ−（：ｈｅ−Ｐｈｅ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｆｎＲ−Ｐｈｅ −Ｃｈｅ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉｆ。 Ｒ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｚ’−Ａ’−Ｑ−Ｚ　ＩｆｐＲ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−００Ｃ −Ａ”−Ｑ−Ｚ　ＩｆｑＲ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−２’−Ａ”−Ｑ−Ｚ　Ｉｆｒのも のがある。 Ｒはアルキル、更にアルコキシであるのが好ましい。 Ａ１および／またはＡ２はＰｈｅ、　Ｃｙｃ、　Ｃｈｅ、　ＰｙｒまたはＤｉｏ であるのが好ましい０式１の化合物は１つ以下の基Ｂｉ、　Ｐｙｄ、Ｐｙｒ、Ｄ ｉｏまたはＤｉｔを含んでいるのが好ましい。 Ａ１および／またはＡ２がＦでモノ置換またはジ置換されるか、またはＣＭでモ ノ置換される１、４−フェニレンである式１の、および全ての下位式の化合物も 好ましい、これらの置換基は特に２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フル オロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−シ アノ−１，４−フェニレンおよび３−シアノ−１，４−〕二ニレしである。特に 好ましい実施態様において、Ａ２は３．５−ジフルオロ−１，４−フェニレンで あり、そしてｍは１または２である。 ＺｌおよびＺ２は単結合、−ＣＯ−Ｏ−１−Ｏ−ＣＯ−および−ＣＨｘＣＨｔ− で賑るのが好ましく、−ＣＨｚＯ−および−０ＣＲよ−であるのがその次に好ま しい。 が好ましい。 るのが好ましい。 基Ｚ′およびＺ２の一方が−（ＣＨ＊１４−または−ＣＨ＝ＣＨ−ｃｏｘｃｏｘ −である場合、他方の基Ｚ１またはＺ”　（存在するならば）は単結合であるの が好ましい。 この種の好ましい化合物は下位式１′ （Ｆｌ。 （式中、ｚ２は−（（：Ｈｔ１４−＊たバーＣＨ”ＣＨ−（：Ｈ＊ＣＨｉ−テあ り、そしてＲ，Ａ’　、Ａ”　、ｍ、ＱおよびＺは上に定義した通りである）に 従うものである。Ｒ，Ａ’　、Ａ”　、ｍ、Ｑおよび２の好ましい意味も式Ｉの 化合物の意味に対応する。 ｍは好ましくは１または０、特に好ましくは０である。 特に好ましい化合物は下位式１ｌ−１１０％式％ Ｒがアルキル基および／またはアルコキシ基である場合、これは直鎖または枝分 れ鎖でありうる。この基は直鎖であり、２．３．４．５．６または７個の炭素原 子を有しているのが好ましく、したがってエチル、プロピル、ブチル、ペンチル 、ヘキシル、ヘプチル、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソ キシまたはへブトキシであるのが好ましく、更にメチル、オクチル、ノニル、デ シル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、メト キシ、オクトキシ、ツノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、ドデコキシ、トリデコ キシまたはテトラデシルシである。 オキサアルキルは直鎖２−オキサプロピル（＝メトキシメチル）、２−オキサブ チル（＝エトキシメチル）または３−オキサブチル（＝２−メトキシエチル）、 ２−１３−または４−オキサベンチル、２−１３−１４−または５−オキサヘキ シル、２−１３−１４−１５−または６−オキサヘプチルで、２−１３−１４− １５−１６−または７−オキサオクチル、２−１３−１４−１５−１６−１７− または８−オキサノニル、または２−１３−１４−１５−１６−１７−１８−ま たは９−オキサデシルであるのが好ましい。 Ｒが１つのＣＨｔ基を−ＣＨ＝ＣＨ−で置換したアルキル基である場合、この基 は直鎖または枝分れ鎖でありうる。この基は直鎖であり、２〜１０個の炭素原子 を有しているのが好ましい。したがって、この基は特にビニル、ｌ−または２− プロペニル、１−１２−または３−ブテニル、１−２２−１３−または４−ペン テニル、１−１２−５３−１４−または５−へキセニル、１−１２−１３−１４ −５５−または６−へブテニル、１−１２−１３−１４−１５−１６−または７ −オクテニル、１−１２−１３−１４−１５−１６−１７−または８−ノニル、 または１−１２−１３−５４−１５−１６−１７−１８−または９−デセニルで ある。 Ｒが１つのＣＨ２基を一〇−で、また１つを−ＣＯ−で置換したアルキル基であ る場合、これらは隣接しているのが好ましい。したがって、これらの基はアシロ キシ基−ＣＯ−０−またはオキシカルボニル基−０−ＣＯ−を含んでいる。この 基は直鎖であり、２〜６個の炭素原子を有しているのが好ましい。したがって、 これらは特にアセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、ペンタノ イルオキシ、ヘキサノイルオキシ、アセチルオキシメチル、プロピオニルオキシ メチル、ブチリルオキシメチル、ペンタノイルオキシメチル、２−アセチルオキ シエチル、２−プロピオニルオキシエチル、２−ブチリルオキシエチル、３−ア セチルオキシプロピル、３−プロピオニルオキシプロビル、４−アセチルオキシ ブチル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブ トキシカルボニル、ペントキシカルボニル、メトキシカルボニルメチル、エトキ シカルボニルメチル、プロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル 、２−（メトキシカルボニル）エチル、２−（エトキシカルボニル）エチル、２ −（プロボキシカルボニル）エチル、３−（メトキシカルボニル）プロピル、３ −（エトキシカルボニル）プロピルまたは４−（メトキシカルボニル）ブチルで ある。 Ｒが１つのＣＨ，基を未置換または置換−（：Ｈ＝ＣＨ−で置換し、隣接したＣ Ｈ，基をＣＯまたはＣ０−０または０−ＣＯ−で置換したアルキル基である場合 、この基は直鎖または枝分れ鎖でありうる。この基は直鎖であり、４〜１３個の 炭素原子を有しているのが好ましい、したがって、この基は特にアクリロイルオ キシメチル、２−アクリロイルオキシエチル、３−アクリロイルオキシプロピル 、４−アクリロイルオキシブチル、５−アクリロイルオキシペンチル、６−アク リロイルオキシヘキシル、７−アクリオイルオキシへブチル、８−アクリロイル オキシオクチル、９−アクリロイルオキシノニル、１０−アクリロイルオキシデ シル、メタクリロイルオキシメチル、２−メタクリロイルオキシエチル、３−メ タクリロイルオキシプロピル、４−メタクリロイルオキシブチル、５−メタクリ ロイルオキシペンチル、６−メタクリロイルオキシヘキシル、７−メタクリロイ ルオキシへブチル、８−メタクルロイルオキシオクチルまたは９−メタクリロイ ルオキシノニルである。 ＲがＣＮまたはＣＦｓでモノ置換されるアルキルまたはアルケニル基である場合 、この基は直鎖であるのが好ましく、またＣＮまたはＣＦ３による置換はω一部 位においてである。 Ｒがハロゲンで少なくともモノ置換されるアルキルまたはアルケニル基である場 合、この基は直鎖であるのが好ましい、またハロゲンはＦまたはＣ１であるのが 好ましい、多置換の場合、ハロゲンはＦであるのが好ましい、その結果、これら の基は過フッ素化基も包含するものである。モノ置換の場合、フッ素または塩素 置換基は所望の位置でありうるが、ω一部位にあるのが好ましい。 重合反応に適する末端基Ｒを有する式Ｉの化合物は液晶重合体を製造するのに適 している。 枝分れ末端基Ｒを有する式１の化合物は、通常の液晶基材に対する溶解度が良好 なので時には重要であるが、それらが光学的に活性であるならば、キラルドーピ ング剤として特に重要である。この種のスメクチック化合物は強誘電体成分とし て適している。 ＳＡ相を有する式Ｉの化合物は、例えば熱によってアドレスされるディスプレイ に適している。 この種の枝分れ基は一般に１つ以下の鎖枝を有している。好ましい枝分れ基Ｒは イソプロピル、２−ブチル（＝１−メチルプロピル）、イソブチル（＝２−メチ ルプロピル）、２−メチルブチル、イソペンチル（＝３−メチルブチル）、２− メチルペンチル、３−メチルペンチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペン チル、インプロポキシ、２−メチルプロポキシ、２−メチルブトキシ、３−メチ ルブトキシ、２−メチルペントキシ、３−メチルペントキシ、２−エチルヘキソ キシ、ｌ−メチルヘキソキシおよび１−メチルへブトキシである。 Ｒが、２つ以上のＣＨＩ基が−０−および／または−ＣＯ−〇−によって置き換 えられたアルキル基である場合、これは直鎖または枝分れ鎖でありうる。この基 は枝分れ鎖であり、３〜１２個の炭素原子を有しているのが好ましい、したがっ て、この基は特にビスカルボキシメチル、２．２−ビスカルボキシエチル、３． ３−ビスカルボキシプロビル、４．４−ビスカルボキシブチル、５．５−ビスカ ルボキシペンチル、６．６−ビスカルボキシヘキシル、７，７−ビスカルボキシ へブチル、８．８−ビスカルボキシオクチル、９．９−ビスカルボキシノニル、 １０．１０−ビスカルボキシデシル、ビス（メトキシカルボニル）メチル、２゜ ２−ビス（メトキシカルボニル）エチル、３．３−ビス（メトキシカルボニル） プロピル、４，４−ビス（メトキシカルボニル）ブチル、５．５−ビス（メトキ シカルボニル）ペンチル、６，６−ビス（メトキシカルボニル）ヘキシル、７， ７−ビス（メトキシカルボニル）へブチル。 ８．８−ビス（メトキシカルボニル）オクチル、ビス（エトキシカルボニル）メ チル、２，２−ビス（エトキシカルボニル）エチル、３，３−ビス（エトキシカ ルボニル）プロピル、４．４−ビス（エトキシカルボニル）ブチルおよび５，５ −ビス（エトキシカルボニル）ヘキシルである。 重縮合に適する末端基Ｒを有する式Ｉの化合物は液晶重縮合体を製造するのに適 している。 式１ばこれらの化合物のラセミ体および光学対本体並びにそれらの混合物を包含 するものである。 式１および下位式のこれらの化合物のうち、そこに存在する基の少なくとも１つ が表示した好ましい意味の１つであるものが好ましい。 式１の化合物において、環Ｃｙｃおよびピペリジンがトランス−１，４−ジ置換 されている立体異性体が好ましい。 １つ以上の基Ｐｙｄ、　Ｐｙｒおよび／またはＤｉｏを有する上述の式の化合物 は、それぞれの場合に２つの２．５−位置異性体を包含するものである。 ある種の特に非常に好ましい小群の化合物は下位式ＩＩＩ〜ｌＩ２３　（Ｌ’　 、Ｌ”およびＬ”：ＨまたはＦ）：Ｒ÷パＥ）−Ｑ−Ｚ　エエ１４ Ｒ（）Ｃ灰分−Ｑ−Ｚ　エエ２０ のものである。 １．４−シクロヘキセニレン基は以下の構造：を有しているのが好ましい。 ■１〜Ｉｌｌに対応する化合物も同様に好ましい。 式１の化合物は文献［例えば、シュトットガルトのゲオルグースイーメ（Ｇｅｏ ｒｇ−Ｔｈｉｅ＋ｎｅ）出版社発行のホーベン−ワイル（Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙ ｌｌ、「有機化学の方法（Ｍｅｔｈｏｄｅｎ　ｄｅｒ　Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ 　Ｃｈｅｍｉｅ）　Ｊ　、ＩＸ巻、８６７頁以降のような定本］に記載されてい るようなそれ自体公知の方法によって、すなわち、公知の前記反応に適した反応 条件下に製造される。 また、それ自体公知であるが、ここではさらに詳細には説明しない異性もここで 使用することができる。 本発明のビニル化合物は、例えば式ＩＩ（式中、ＬｌおよびＬ２はＨまたはＦで あり、そしてＲ１Ａ’、Ａ”、Ｚ’、Ｚ”およびｍは上に定義した通りである） の化合物を以下の反応図式に従って、メタル化し、その後適切な電子試薬と反応 させることによって製造することができる。 ３、　Ｈ２Ｏ。 Ｑ＝Ｏである目的の生成物を公知の方法、例えばテトラフルオロエチレンと当量 の塩基と反応させることによって［Ｋ、オフハラ（０ｋｕｈａｒａ１等、Ｂｕｌ ｌ、　Ｃｈｅｌｌ、　Ｓａｃ、　Ｊａｐａｎ、、■、５３４　（１９６２１、Ｌ Ｊ、ブマー（Ｐｕｍｍｅｒ）およびり、　Ａ、ウオール（Ｗａｌｌ）　、　Ｓ　 Ｐ　Ｅ会報（ＳＰＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ）　、旦、２２０（１９６３） およびヌンヤンッ／ヤコブソン（Ｋｎｕｎｙａｎｔｓ／Ｙａｋ。 ｂｓｏｎ）　、フッ素有機化合物の合成（Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ　ｏｆ　Ｆｌｕｏ ｒｏ−ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓｌ、スブリンゲル、１９８５年］得 られたフェノールから得ることができる。 しかしながら、副生物として生成したテトラフルオロエチルエーテル類のために 精製の間に時には問題が生じるので、テトラフルオロエチルエーテルがらＨＦを 塩基誘発離脱するのがトリフルオロビニルエーテルの製造に適している。 ト［＝コ＜ＯＣｒ、　Ｈ テトラフルオロエチルエーテルを介する間接ルートは、直接合成ルートにはやっ かいな問題がいろいろあり、また生成物混合物を生じるので、直接合成法より有 利である。 他の合成法が当業者には明らかである０例えば、基Ｒ−（Ａ’−２’）、−Ａ” −Ｚ”は液晶化学においては通例の反応［例えば、Ｅ、ボエチ（Ｐｏｅｔｓｃｈ ｌ、コンタクチ（Ｋｏｎｔａｋｔｅ）　（ダルムシュタット）　、　１９８８　 （２）　、　１５頁に記載されているような、例えば、エステル化、エーテル化 またはカップリング］によって導入することができる。 式ＩＩの化合物は、例えば以下の合成図式：区Ｘユ ｆＡ＝　−ｆＡ’−２’）、−ＡＩ−７２”＝　−Ｃ１，ＣＨｌ−；Ｌ’＝Ｌ” ：ＨまたはＦ） ↓ （Ａ＝−（Ａ’−２’）＋ａ−Ａ”−／Ｚ”ｗｌ１合Ｌ’しＬ”：ＨまたばＦ） Ｉｎ−ＢｕＬｉ 区ムＡ ｆＬ＝）ｌまたはＦ） ＣＨ（ＯＥこ）２ （Ｌ＝ＨまたはＦ） ｌｘ玉 出発物質は公知であるかまたは公知の化合物に準じて製造することができるかの いずれかである。 式１のエステルはアルコールまたはフェノール（またはその反応性誘導体）を用 いて対応するカルボン酸（またはその反応性誘導体）をエステル化することによ って、あるいはＤＣＣ法（ＤＣＣ＝ＣＣニジシクロルカルボジイミド）によって も得ることができる。 対応するカルボン＃およびアルコールまたはフェノールは公知であるかまたは公 知の方法に準じて製造することができる。 式Ｉの化合物を製造するための更に他の方法において、ハロゲン化アリールを第 三級アミンおよびパラジウム触媒の存在下にオレフィンと反応させる［　Ｒ，Ｆ 、ヘク（Ｈｅｃｋ）、Ａｃｅ、　Ｃｈｅｔｍ、　Ｒｅｓ、、１２．１４６　（１ ９７９）参照Ｊ、適切なハロゲン化アリールは塩化物、臭化物およびヨウ化物、 特に臭化物およびヨウ化物である。カップリング反応を成功させるために必要な 、例えばトリエチルアミン等の第三級アミンも溶媒として適している。パラジウ ム触媒の例としてはパラジウムの塩であり、特に例えばトリアリールホスフィン 等の有機燐＋ＩＩＩＩ化合物と共存する酢酸Ｐｄ（ＩＩＩである。反応は不活性 溶媒の存在下または不存在下に約０°〜１５０゜、好ましくは約２０°〜１００ °の温度で行うことができる。適切な溶媒の例には、アセトニトリル等のニトリ ル類またはベンゼンまたはトルエン等の炭化水素類がある。出発物質として使用 するハロゲン化アリールおよびオレフィンは多くは市販されているかまたは文献 から公知の方法によって、例えば対応する出発化合物のハロゲン化または対応す るアルコールまたはハロゲン化物の離脱反応によって製造することができる。 このようにして、例えばスチルベン誘導体を製造することができる。更に、スチ ルベン類はウィッチヒ法によって４−置換ベンズアルデヒドを適当な燐イリドと 反応させることによって製造することができる。しかしながら、式Ｉのトラン類 もオレフィンをモノ置換アセチレンで１換することによって製造することができ る［　５ｙｎｔｈｅｓｉｓ　、　６２７（１９８０）またはＴｅｔｒａｈｅｄｒ ｏｎ　Ｌｅｔｔ、、２７．１１７１　（１９８６）　］。 更に、ハロゲン化アリールをアリールスズ化合物と反応させることによって芳香 族化合物をカップリングすることができる。これらの反応は保護ガスの下に高温 の炭化水素等の不活性溶媒、例えば沸騰キシレン中に、例えばパラジウム（０） 錯体等の触媒を添加して行うのが好ましい。 アルキニル化合物のハロゲン化アリールとのカップリング反応はＪ、　Ｏｒｇ、 　Ｃｈｅｍ、、４３．３５８　（１９７８１においてＡ、０．キング（Ｋｉｎｇ ）　、　Ｅ−ネギシ（Ｎｅｇｉｓｈｉｌ、Ｆ、Ｊ、ビラニ（Ｖｉｌｌａｎｉ）お よびＡ、シルベイラ（５ｉｌｖｅｉｒａ）によって記載された方法に準じて行う ことができる。 式１のトラン類は、強塩基の存在下に１．１−ジアリール−２−ハロエチレン類 を転位してジアリールアセチレン類を得るフリッシューブーテンバーグーウィー シエル（Ｆｒｉｔｓｃｈ−Ｂｕｔｔｅｎｂｅｒｇ−Ｗｉｅｃｈｅｌ１１転位［Ａ ｎｎ、、山、３１９Ｆ１９８４］　］によって製造することもできる。 式Ｉのトラン類は対応するスチルベン類を臭素化し、その後生成物を脱ハロゲン 化水素化することによっても製造することができる。それ自体公知であるが、こ こではさらに詳細には説明しないこの反応の異性も使用することができる。 式１のエーテルは対応するヒドロキシル化合物類、好ましくは対応するフェノー ル類をエーテル化することによって得ることができる０便宜上、まずヒドロキシ ル化合物を対応する金属誘導体、例えば対応するアルカリ金属アルコキシドまた はアルカリ金属フェノキシトにＮａＨ、ＮａＮＨ２、ＮａＯＨ，ＫＯＨ，Ｎａ、 ＧＯ，またはに、ＧＯ，で処理することによって転化する。次に、これを約２０ °〜１００”の温度で、好ましくは例えばアセトン、１．２−ジメトキシエタン 、ＤＭＦまたはジメチルスルホキシド等の不活性溶媒中で、対応するハロゲン化 アルキル、アルキルスルホネートまたは硫酸ジアルキルと、あるいはまた過剰の ＮａＯＨまたはＫＯＨ水溶液または含水アルコール溶液と反応させる。 出発物質は公知であるかまたは公知の化合物に準じて製造することができるかの いずれかである。 って製造することができる。 区天ユ　ｆＬ＝ＨまたはＦ） Ｒ−（Ａ’）ｍ−Ａ”−（：ＨｉＣＨＪｒ↓マロン酸エチルによる鎖長延長 Ｒ−（Ａ’）ｍ−Ａ”−（ＣＨ２１４−ＢｒＬ　ＺｎＢｒｘ／Ｌｉ　超音波 ［Ｒ−（Ａ’１ｍ−Ａ”−（ＣＨｔ１４］１−ＺｎＰｄ（ＩＩＩを触媒とするカ ップリング反応において、目的化合物Ｉ′を直接生成するか、または式Ｉの化合 物に関する上述の方法にまったく準じて基−Ｑ−Ｚを導入する先駆物質を生成す るかのいずれかである。 Ｚ　”　＝−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ：Ｈ−ＣＨｘ−である式１′の化合物は以下の図式 に従ってウィッチヒ法によって製造することができる。 Ｒ−（Ａ！ｌ、−λ２−ＣＨ２−Ｐｅ！’ｈ）ＢｒｅＬ　Ｌ＝Ｈまたは　Ｆ） その後、好ましいトランス異性体を文献から公知の異性化法によって製造するこ とができる。得ることができるＲ’　＝Ｈである先駆物質を基−Ｑ−２を導入す ることによって式１の化合物の先駆物質にまったく準じて式Ｉ′の化合物に転化 する。 アルデヒド類は適切に置換されたｌ−ブロモ−３−フルオロベンゼン誘導体をア リルアルコールとヘク（Ｈｅｃｋ）反応させることによって得ることができる。 Ｑ＝単結合である本発明のトリフルオロビニル化合物（Ｙ＝Ｆ、Ｘ’　＝Ｘ”　 ＝Ｆ）は公知の合成方法によって製造することができる。 ａ）　Ｒ［］−Ｂｒ−〉ａ−［］＋ （Ｍ　ｍ　Ｌｉ又はＭｇＢｒ１ ｂ）　ＣＦ２＜ＦＸ　−一−ヘ〉ＣＦ２＜Ｆ−ＺｎＸ（Ｘ璽Ｂｒ、工） （ｎ＝１又はＡＩ＝芳香族理系） ＣＩ　Ａ［］Ｂｒ　−〉　艮（ニレ）＝４（Ｈ−Ｌｉ又は　ＭｇＢｒ ワイル（Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌｌ、Ｖ／３巻、４２４〜４３１頁：ｓ、ディク ソン（Ｄｉｘｏｎｌ、Ｊ、　Ｏｒｇ、　Ｃｈｅｌｌ、、■、４００　（１９５６ １：　Ｐ、Ｌ、ハインズ（Ｈｉｎｚｅ）およびり、　Ｊ、バトン（Ｂｕｔｔｏｎ ）　、同誌、鈴、２７１４　（１９８８１；　ＤＥ−Ａ　４００２３７４　オヨ びＤＥ−Ａ　４００６９２１ニ示されている。 １．２−ジフルオロビニル化合物（Ｙ＝Ｆ、Ｘ’　＝Ｈ１Ｘ”　＝Ｆ）は以下の 反応図式に従って製造することができる。 ＫＦ／ｌδクラウン６ １旦、２０５（１９８１１ （Ｆ）。 （Ｆ）、 １−フルオロ−２−クロロビニル化合物（Ｙ＝Ｆ、Ｘ’＝Ｃ１、Ｘ”　＝）（） は次の通り製造することができる。 ｍ旦 ジクロロフルオロビニル化合物（Ｙ＝Ｆ、Ｘ’　＝Ｘ”　＝Ｃ１）は次の通り製 造することができる。 １．２−ジフルオロビニル化合物（Ｙ＝Ｆ、Ｘ’　＝Ｆ、Ｘ”　＝ＦまたはＳＦ 、）は次の通り製造することができる。 １．１，１，２．３−ペンタフルオ口ビニルエーテル（Ｑ＝０、Ｙ＝Ｆ、Ｘ’　 ＝Ｆ、Ｘ”　＝ＣＦ、１以下の図式に従って製造することができる。 （Ｆ）。 （Ｆｌｔ 適切な強塩基はカリウムｔ−ブチラード、ジイソプロピルアミドリチウム、ｎ− ブチルリチウム／カリウムｔ−ブチラードおよびｔ−ブチルリチウムである。ジ メチルスルホキシド等の極性非プロトン性溶媒中のカリウムｔ−ブチラードが好 ましい。 区’Ｋｌ旦 ）１ａｌ寓Ｂ

【又は工 １．２−ジクロロビニル化合物（Ｙ＝Ｘ’　＝Ｃ１％Ｘ”　＝Ｈ）は次の通り製 造される。 （Ｅ”ｌＫ １．１−ジクロロビニル化合物（Ｙ＝Ｈ，Ｘ’　＝Ｘ”　＝Ｃ１）は図式１８に 記載したように製造することができる。 区ｎ旦 （Ｆｌ　。 ある種の特に好ましい化合物の合成を以下により詳細に（Ｌ＝ＨまたはＦ） ↓ ↓ 区ＪΣＬ旦 （Ｌ＝ＨまたはＦ） ↓ 区ｍ ↓ 図式１９．２０および２１において、ｍはＯまたは１であるのが好ましく、そし て−ＡＩ−２１は（つであるのが好ましい。 区」ΣＬ旦 １８クラウン６ 区］Σ也豆 ｑ　１．　ＢｕＬｉ、　Ｅｅ２０ ３、　ＨＣＩ、　Ｈ２Ｏ 区ｉ２旦 区」ΣＬヱ 区ＪΣＬ旦 １、ｎ−ＢｕＬｉ ２、　Ｂ（ＯＨｅ）） ３、ＨＯ２ 塩基 オートクレーブ し−ＢｕＯＫ 旦基ｌユ 区！旦 区ＥｌｌＣＢ上 Ｃ上 図式３３ 図式３４ 本発明の液晶媒体は、１種以上の本発明の化合物のほかにもさらに別の成分とし て２〜４０ｆ！、特に４〜３０種の成分を含んでいるのが好ましい。これらの媒 体は１種以上の本発明の化合物以外に７〜２５種の成分を含んでいるのが特に好 ましい。これらのさらに追加の成分は、ネマチックまたはネマチック形成（単変 性又は等方性）物質、特にアゾキシベンゼン類、ベンジリデンアニリン類、ビフ ェニル類、テルフェニル類、安息香酸フェニル類または安息香酸シクロヘキシル 類、シクロヘキサンカルボン酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、シ クロヘキシル安思香酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、シクロヘキ シルシクロヘキサンカルボン酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、安 息香酸、シクロヘキサンカルボン酸およびシクロヘキシルシクロヘキサンカルボ ン酸のシクロへキシルフェニルエステル類、フェニルシクロヘキサン類、シクロ へキシルビフェニル類、フェニルシクロへキシルシクロヘキサン類、シクロへキ シルシクロヘキサン類、シクロへキシルシクロへキシルシクロヘキセン類、１． ４−ビス−シクロヘキシルベンゼン類、４，４′−ビス−シクロへキシルビフェ ニル類、フェニルピリミジン類またはシクロヘキシルピリミジン類、フェニルピ リジン類またはシクロへキシルピリジン類、フェニルジオキサン類またはシクロ へキシルジオキサン類、フェニル−１，３−ジチアン類またはシクロへキシル− １，３−ジチアン類、１．２−ジフェニルエタン類、１．２−ジシクロヘキシル エタン類、１−フェニル−２−シクロヘキシルエタン類、１−シクロへキシル− ２−（４−フェニルシクロヘキシル）エタン類、１−シクロへキシル−２−ビフ ェニルエタン類、１−フェニル−２−シクロへキシルフェニルエタン類、必要に 応じてハロゲン化されたスチルベン類、ベンジルフェニルエーテル類、トラン類 および置換ケイ皮酸の群から成る物質から選択するのが好ましい、これらの化合 物の１，４−フニレレン基は弗素化されていてもよい。 本発明の媒体のさらに追加の成分として適した最も重要な化合物の特徴は次式１ ．２．３．４及び５によって示すことができる。 Ｒ′−Ｌ−Ｅ−Ｒ′　Ｉ Ｒ’　−Ｌ−Ｃｏｏ−Ｅ−Ｒ′　２ Ｒ′−Ｌ−００Ｃ−Ｅ−Ｒ−３ Ｒ’−Ｌ−ＣＨ，ＣＨ２−Ｅ−Ｒ′　４Ｒ’　−Ｌ−ＣミＣ−Ｅ−Ｒ′　５ 式１．２．３．４および５において、同一でも異なってもよいしおよびＥは、そ れぞれの場合に互いに独立して、−Ｐｈｅ−、−Ｃｙｃ−、−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ− 、−Ｐｈｅ−（：ｙｃ−、−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−１−Ｐｙｒ−、−Ｄｉｏ−、−Ｇ −Ｐｈｅ−および−Ｇ−Ｃｙｃ−並びにそれらの鏡像基［ただし、Ｐｈｅは未置 換又は弗素置換１，４−フェニレンであり、Ｃｙｃはトランス−１，４−シクロ ヘキシレンまたは１．４−シクロヘキシレンであり、Ｐｙｒはとリミジン−２， ５−ジイルまたはピリジン−２，５−ジイルであり、Ｂｉｏは１．３−ジオキサ ン−２，５−ジイルであり、モしてＧは２−（トランス−１，４−シクロヘキシ ル）エチル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイルまたは１ ，３−ジオキサン−２，５−ジイルである〕から成る群からの２価の基である。 基りおよびＥの１つはｃｙｃ、　ＰｈｅまたはＰｙｒであるのが好ましい、Ｅは Ｃｙｃ、　ＰｈｅまたはＰｈｅ−（：ｙｃであるのが好ましい０本発明の液晶媒 体は、ＬおよびＥがＣｙｃ、　ＰｈｅおよびＰｙｒから成る群から選択される式 １．２．３．４および５の化合物から選択される１種以上の成分を含み、同時に 基りおよびＥの一方が（：ｙｃ、　ＰｈｅおよびＰｙｒから成る群から選択され 、他方の基が−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−１−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−、−Ｃｙｃ　−Ｃｙｃ− １−Ｇ−Ｐｈｅ−および−Ｇ−Ｃｙｃ−から成る群から選択される式１．２．３ ．４及び５の化合物から選択される１種以上の成分を含み、また必要に応じて基 りおよびＥが−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−１−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−、−Ｇ−Ｐｈｅ−および 　−Ｇ−Ｃｙｃ−から成る群から選択される式１．２．３．４及び５の化合物か ら選択される１　ｆ１以上の成分を含むのが好ましい。 式１．２．３．４および５の化合物の化合物の下位小群において、Ｒ′およびＲ “は、それぞれの場合に互いに独立して８個までの炭素原子を有するアルキル、 アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニルオキシまたはアルカ ノイルオキシである。この下位小群を以下Ａ群と言い、化合物をｌａ、２ａ、３ ａ、４ａおよび５ａで表示する。 これらの化合物の大部分は、Ｒ′とＲ″が互いに異なり、これらの基の１つは通 常アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシアルキルである。 Ｂ群と識別する式１．２．３．４および５の化合物の他の下位小群において、Ｒ ″は−Ｆ、−ＣＩ、−ＮＣＳまたは１０］＋ｃＨｍ−＋に−ｕＦｋｃｌ＋　（但 し、ｉは０またはｌ’ｔ−あり、ｋ＋１は１．２または３である）である。Ｒ− がこの意味である化合物を下位式１ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂおよび５ｂで表示する 。Ｒ−が−Ｆ、−Ｃ１，−ＮＣ５、−ＣＦ、、−０ＣＨＦ２または−０（１：Ｆ 、　テある下位式１ｂ、２ｂ、　３ｂ、４ｂおよび５ｂの化合物が特に好ましい 。 下位式１ｂ、　２ｂ、　３ｂ、　４ｂおよび５ｂの化合物において、Ｒ′は下位 式１８〜５ａの化合物に関して定義した通りであり、アルキル、アルケニル、ア ルコキシまたはアルコキシアルキルであるのが好ましい。 式１．２．３．４および５の化合物のさらに他の下位小群において、Ｒ−は−Ｃ Ｎである。この下位群を以下Ｃ群と識別し、そしてこの下位群の化合物を下位式 １ｃ、２ｃ、３ｃ、４ｃおよび５ｃによって同様に記載する。下位式１ｃ、　２ ｃ、３ｃ、４ｃおよび５ｃの化合物において、Ｒ′は下位式１ａ〜５ａの化合物 に関して定義した通りであり、アルキル、アルコキシまたはアルケニルであるの が好ましい。 Ａ、Ｂおよび０群の好ましい化合物以外に、提案した他の種類の置換基を有する 式１．２．３．４および５の他の化合物も通例のものである。これらの物質は全 て文献で知られている方法またはそれに準じる方法によって得ることができる。 本発明の式１の化合物以外に、本発明の媒体はＡ群および／またはＢ群および／ または０群から選択される１種以上の化合物を含んでいるのが好ましい。本発明 の媒体におけるこれらの群からの化合物の重量割合はＡ群：０〜９０％、好まし くは２０〜９０％、特定３００詳二〇〜８０％、好ましくは５〜８０％、特に５ 〜５０　％ であるのが好ましい０本発明の特定の媒体中に存在するＡ群および／またはＢ群 および／または０群の化合物の重量割合の合計は５％〜９０％、特に１０％〜９ ０％であるのが好ましい。 本発明の媒体は１〜４０％、特に好ましくは５〜３０％の本発明の化合物を含ん でいるのが好ましい、４０％より多い、特に４５〜９０％の本発明の化合物を含 んでいる媒体がさらに好ましい媒体である。媒体は３．４または５種の本発明の 化合物を含んでいるのが好ましい。 本発明の媒体はそれ自体通常の方法で製造される。一般に、これらの成分は高温 で都合よく互いに溶解する。適切な添加剤によって、液晶相は、これまでに開示 された全ての種類の液晶ディスプレイ要素に使用することができるように本発明 に従って改質することができる。この種の添加剤は当業者に知られており、また 文献［Ｈ，ケルカー（Ｋｅｌｋｅｒ）／Ｒ，ハッッ（Ｈａｔｚ）、［液晶ハンド ブック（Ｈａｎｄｂｏｏｋｏｆ　Ｌｉｑｕｉｄ　ＣｒｙｓｔａｌｓｌＪ　、化学 出版社、ワインハイム、１９８０］に詳細に記載されている０例えば、多色性染 料を添加して着色ゲスト−ホスト系を製造し、またある種の物質を添加して、ネ マチック相の誘電異方性、粘度および／または配向を調節することができる。 本顯においておよび以下の実施例において、液晶化合物の構造は頭字語によって 示す、したがって、化学式への変換は以下の表Ａ及びＢに従って行う、基ＣｎＨ ｘｌ、＊＋およびＣＩＩＬＨ！＋＋＋＋１は全てｎまたはｍ個の炭素原子を有す る直鎖アルキル基である０表Ｂにおける符号化は更に説明を要しない０表Ａにお いて、骨構造に関する頭字語だけを示す、それぞれの場合に、骨構造の頭字話か らハイフンで離して、後に置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｌ＋及びＬ３に関する符号を付け る。 ｎｒｌ′ＩＣｒＨ２ｎ＋ｓ　’ｗ）’２ａ＊ｌ　Ｈ三ｎｏｒｎＣｎＨ２６＊ｌ　 ＱＣ，）（２１１１，ｌＨＨ”””　ＣＩ：ｎ”ｚｎｙ　ＣｗｒＨｘｗｓ　）！ 　Ｈｎ　ＣｎＨ２ｎ＊ｌ　ＯＪ　ＨＨ ｎＮ、Ｆ　”ｎＨ２ｎ＊Ｉ　ＣＮ　Ｉ（Ｆ”　Ｃｎ”２．、−１ＦＨ：１ ｎＯＦ　ｏＣｎＨ２ｎ＋Ｉ　Ｆ　ＨＢ！ｎｃｌ　Ｃ，Ｈ２Ｉｌ、ｌＣＩ　ＨＨ ｎＦ””　”ｎＨ２，ｌｄ　Ｆ　ＨＦ ｎＯｍＦＦ　Ｃ，Ｈ２，、ｚ　α”−Ｈ２ａ＊ｌ　Ｆ　ＦｎＯｃＦ）　’−”ｎ Ｈ２＊−１０ＣＦＩ　ＨＨΩαヱ２　Ｃｎ’２ｎ−１α：ＨＦ、　、　ＨＨｎＳ ＣｎＨＬｙＬ　ＮＣ５ＨＨ ｒＶｓＮ　Ｃ，Ｈ，、、、−ＣＨ＜Ｈ−ＣｓＨ，、−ＯＪ　ＨＨｒＥｓＮ　ｃ、 Ｈ２，、、−ｏ−ｃ、Ｈ２，−ＣＮ　ＨＨｎＮＦ　Ｃ，Ｈ２，、Ｌ　ＣＮ　Ｆ　 ＨｎＡｍ　（ｎＨ，、、，１，Ｃα”ｓＨ２＋ｍ−Ｌ　ＨＨＰＹＰＰＹＲＰ ■工　。に α工　ＣＯ ”　ＣＰＴＰ Ｑゴ球　Ｄ ＥＣＣＰ　Ｇ：Ｃｐ ＰＣＨ ？ ＢＥＣＨＥＢＣＨ ＰＣ 表旦 Ｃｓ’（ｕ（）甲う〉−一りクト〉−＜】う〕〉−べ”　ＣｎＨ２ｎ−１−〈区 戸＝〉−１く区≧〕シーベニで１ｆｆｉ５　ｙ、３゜ Ｍ３ｎ　ＢＣＨ−ｎ　、　Ｅ’ｍ 工皿　Ｃ−ｎｍ Ｃｌ３　ＣＢ１５ ＣＢＣ−ｎｍＥ’　ＣＣＮ−ｎｍ ＣＣＰＣ−ｎ工 α−ｎａｔ　・　Ｍ）−ａ屯 ＥＨ−ｒｍ　ＮＯ３−ｎｍ 、−一　〇 τ−ｎｒｎ　”αスー＝ 嶋−ｔｅＨ２０Ｃ，Ｈ２＋ａ−Ｉ　ＣＲＨ２ｎ−ｓ℃ヤ（沖α”Ｊｕｌ−＠１ｈ Ｔ−匙下 ＣＣＩＥ−ｎ２ｃｒ３　ＣＱ’−ｕＪｊＢＣＥＥ−ｎＥ’　、　Ｙ　、Ｅ 以下の実施例は本発明を説明するものであって、本発明を限定するものではない 。以上および以下１こおし１て、）＼−セントデータは重量％である。温度は全 て℃表示である。 ■、ｐ、は融点、およびｃ、ｐ、は透明点を表わす、さら４こ、Ｃ＝結晶状態、 Ｎ＝ネマチック相、Ｓ＝スメクチック相および■＝等方性相である。これらの記 号間のデータＣよ転移温度を示す、△ｎは光学異方性（５８９ｎｍ、２０℃）を 表わし、そして粘度（ｍｍ”／秒）は２０℃で測定した。 「通常の操作」とは、必要ならば水を加え、混合物をジクロロメタン、ジエチル エーテルまたはトルエンで抽出し、有機相を分離、乾燥および蒸発させ、そして 生成物を減圧蒸留または結晶化および／またはクロマトグラフィーによって精製 することを意味する。以下の略言吾を使用する： ＤＡＳＴ　三弗化ジエチルアミノ硫黄 ＤＣＣジシクロへキシルカルボジイミドＤＤＱ　ジクロロジシアノベンゾキノン ＤＩＢＡＬＨ水素化ジイソブチルアルミニウムＰＯＴ　カリウムｔｅｒｔ−ブタ ノラードＰｄＣ１□ｄｐｐｆ　塩化１　、　１−ビス（ジフェニルホスフィノ） フェロセンパラジウムｆＩＩＩ ＴＨＦ　テトラヒドロフラン ｐＴｓＯＨｐ−ｈルエンスルホン酸 ＴＭＥＤＡ　テトラメチルエチレンジアミン東ＪＬＩＬ上 １．２ｇの水素化ナトリウムを乾燥窒素雰囲気下に２００＋ｗｌの容量のオート クレーブ中の５０＋ｗｌの１．４−ジオキサンに溶かした１２．５ｇの公知化合 物５−ベンチルートランス、トランス−ビシクロ−１−ヘキサノールと０．　５ ｇのヒドロキノンの溶液に添加する。オートクレーブを密封し、その内容物を電 磁攪拌機で最初に室温で２時間、次に１２０℃で２時間攪拌する０次に、この圧 力容器をまず水浴中で、次に液体窒素によって冷却する。オートクレーブを＜０ ．１ｍｄｇの圧力に減圧排気した後、空気を排除して１５ｇのテトラフルオロエ テンを縮合させる。混合物を５０〜６０℃で２０時間攪拌する。混合物を０℃に 冷却し、そして余分のテトラフルオロエテンを放出する０反応混合物を２０ｍ１ の水の中に入れる。混合物をそれぞれの場合にｌｏｏｍｌのジエチルエーテルで ３回抽出し、−緒にした有機相をＮａｔＳＯ４を用いて乾燥し、そして蒸発させ る。残留物を室温で攪拌しながらＩＣ）Ｏ＋ａｌのトルエンで抽出し、出発アル コールの大部分を除去する。溶液を蒸発させ、残留物をカラムクロマトグラフィ ー（シリカゲル／石油エーテル）によって分離する。主画分を等容量部のトルエ ンおよびエタノールの混合物から再結晶化することによって５−ペンチル−１− トリフルオロビニルオキシ−トランス。 トランス−ビシクロヘキシルを得る。 以下の化合物を同様に製造する。 見立■ユ Ｃ，Ｈ，侶４ｏ−−→Ｃ，Ｈ，−□−０ＣＦ＝ＣＴ７Ｃ２Ｆ。 ４０＋ｗｌのベンゼンおよびｌＯ＋ａｌのテトラヒドロフランの混合物に溶かし た１０ｇのｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）フェノール溶液 を実施例１に準じて水素化ナトリウムと反応させる。テトラフルオロエテンを縮 合させた後、混合物を１４０℃で約２０時間加熱し、それから実施例１に記載し たように処理する。ｐ−（）ランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）トリフ ルオロビニルオキシベンゼンを得る。 以下の化合物を同様に製造する。 ｐ−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）トリフルオロビニルオキシベンゼ ン； ｐ−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）トリフルオロビニルオキシベ ンゼン； ｐ−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）トリフルオロビニルオキシ ベンゼン； ｐ　−（トランス−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）トリフルオロビニルオキ シベンゼン； ｐ−（トランス−４−ｎ−ヘプチルシクロヘキシル）トリフルオロビニルオキシ ベンゼン； ｐ−（トランス−４−ｎ−エチルシクロへキシルシクロヘキシル）トリフルオロ ビニルオキシベンゼン；ｐ−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロへキシルシク ロヘキシル）トリフルオロビニルオキシベンゼン；ｐ−（トランス−４−ｎ−ブ チルシクロへキシルシクロヘキシル）トリフルオロビニルオキシベンゼン；ｐ− （トランス−４−ｎ−ペンチルシクロへキシルシクロヘキシル）トリフルオロビ ニルオキシベンゼン、Ｃ４７Ｓ、１０３　Ｉ； ｐ−（トランス−４−ｎ−ヘキシルシクロへキシルシクロヘキシル）トリフルオ ロビニルオキシベンゼン；ｐ−（トランス−４−ｎ−へブチルシクロへキシルシ クロヘキシル）トリフルオロビニルオキシベンゼン：ｐ−（５−エチルピリミジ ン−２−イル）トリフルオロビニルオキシベンゼン； ｐ−（５−ｎ−プロピルピリミジン−２−イル）トリフルオロビニルオキシベン ゼン； ｐ−（５−ｎ−ブチルピリミジン−２−イル）トリフルオロビニルオキシベンゼ ン； ｐ−（５−ｎ−ペンチルピリミジン−２−イル）トリフルオロビニルオキシベン ゼン； ｐ−（５−ｎ−へキシルピリミジン−２−イル）トリフルオロビニルオキシベン ゼン； ｐ−（５−ｎ−へブチルピリミジン−２−イル）トリフルオロビニルオキシベン ゼン。 叉１目ｉ旦 ＣｓＨ，ｌ＠（ｊｌｊ）＋０４２１．−Ｂｒ　＋　Ｂｒ＠−ＣＦ−ＣＦ２←エエ Ｉ Ｃ，Ｈ，１ソＸ慮（０（２）ｒ−＠）−ｃｒ−ｃｒ。 ３７．１ｇ　（０，１モル）の工を１５０ｍ１のＴＨＦ／トルエン（容積比１： ４）溶媒混合物に入れてから１１．５ｇの無水臭化亜鉛を加え、次いで１．４ｇ のリチウム粒状物を添加する。混合物をアルゴン下で攪拌しなから０〜１０℃で ４時間超音波処理し、■を対応するジアルキル亜鉛化合物に転化する。この有機 亜鉛化合物を２１．１ｇ（０，１モル）のＩＩおよび１．５ｇ　（２モル％）の 二塩化１．１′−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（ＩＩＩ 　（ＰｄＣ１□ｄｐｐｆ）で処理し、超音波浴を取りはずし、冷却を止め、そし て混合物を室温で２４時間攪拌する。１００１１１の飽和Ｎ１）４Ｃ１溶液で分 解させ、有機相を分離し、水性相をトルエンで２回抽出する。−緒にした有機抽 出液を乾燥し、蒸発させ、そしてヘキサンを用いてシリカゲルクロマトグラフィ ー処理し、ＩＩＩを得る（工はマロン酸エチルを用いてＣ５Ｈ０’Ｃ吟０Ｈ（Ｃ Ｈｉ）−ＣＩを鎖長延長することによって製造することができる）、以下に挙げ る臭化アルキルを工と同様にＩＩと反応させることができる。 Ｃ，Ｈ，告、（舎１．−（ＣＨ２１，−Ｂｒｃａｌ（ｓ舎（”Ｊ＋　、＋　（Ｃ Ｈ２１、−ｓｒ：〜ぺ）（−σ）。−（ＣＨ２）、−Ｂｒぺ４＋、−＋ｃＨ２） 、−Ｂｒ Ｈ）ＣＯ−（ＣＨ２１２＠−ｆ合１　ｎ−（Ｃ）＋２１　＋−ＢｒＨ１Ｃ２０− （ＣＨ，＋　２（ｉｌｌｉ）　（−＠７−）、−（ＣＨ２＋　、−ａｒＨｉＣｏ −（ＣＨ２）２＋　Ｌ＆ｌ　。−（Ｃ”’２１４−”Ｈ３ＣＯ−（ＣＨ２）、舎 （（ト）ｎ−（ｃ）＋２１、−Ｂｒｎ＝ｏまたはＩ Ｃ５Ｈ１１ω−（ＣＨ２）、−Ｂｒ　および！１１引ユ ４−（４−へブチルシクロヘキシル）−１−（１，２゜３−トリフルオロビニル ）ベンゼン ｃ、Ｈ，，９ｒ＜Ｆ２ ヘキサンに溶かした１５％ブチルリチウム溶液３６ｍ１を一７０’Ｃで３００ｏ １の１：１ジエチルエーテル／ＴＨＦ中の１６．８７ｇ　（５０ミリモル）の１ −ブロモ−４（４−へブチルシクロヘキシル）ベンゼンに滴下する。混合物を１ 時間攪拌し、そして−７０’Ｃでテトラフルオロエチレンの急流を混合物（合計 的２０ｇ）に通す。混合物を室温に暖め、１００ｍ１のＩＮ塩酸で酸性化する。 有機相を分離し、減圧蒸発させる。残留物を約１８０”Ｃで減圧蒸留（約０　、 　１　ｍｍＨｇ）する。 以下の化合物を同様に得る。 罠五勇１ ４−　［４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］　−１−（１， ２，２−トリフルオロビニル）ベンゼ５、Ｏｇ（７７ミリモル）の亜鉛粉末、５ ０ｍ１（７）ＴＨＦおよび１３．５ｇ　（６５ミリモル）のトリフルオロヨード エチレンの混合物を、まず水冷、その後室温で一晩攪拌する０次に、２０．５ｇ 　（５０ミリモル）の１−ヨード４−［４−（４−プロピルシクロヘキシル）シ クロヘキシル］ベンゼンおよび１．１ｇのテトラキス（トリフェニルボスフィン ）パラジウムを添加する。 混合物を一晩還流させた後、蒸発させ、そして残留物をトルエン中に溶解させ、 溶離剤としてトルエンを用いるシリカゲルカラムでのクロマトグラフィーにかけ る。溶離液を減圧蒸発させ、残留物をヘキサン／酢酸エチルから再結晶化する。 以下の化合物を同様に得る。 叉ＪＪＬ旦 ４（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロへキシル−４′−（１，２，２−１− リフルオロビニル）ビフェニルＣ，Ｈ，，ｉ０つ心＜Ｆ２ ヘキサンに溶かした１５％ブチルリチウム溶液３６ｍ１（５８ミリモル）を−２ ０℃で２５ｍ１のＴＨＦに溶解した５、０５ｇ　（５０ミリモル）のジイソプロ ピルアミン溶液に滴下する。混合物をこの温度で１７２時間攪拌した後、１００ ＋ｏｌのＴＨＦに溶かした１８．８ｇの４（４−ペンチルシクロヘキシル）シク ロへキシル−４’　−（１，１゜２．２−テトラフルオロエチル）ビフェニル（ ＤＥ−Ａ　４０　［１２３７４）溶液を一７０℃で滴下する。混合物をゆっくり と室温に暖め、次に更に１０分間還流させる。冷却後、混合物をＩＮ塩酸で酸性 化する。有機相を分離し、５０＋ｏｌで２回洗浄し、次に減圧蒸発させる。残留 物を７ｓ離剤としてトルエンを用いるシルカゲルカラムでのクロマトグラフィー にかけ、溶離液を減圧蒸発させ、そして残留物をシクロヘキサン／酢酸エチルか ら再結晶化する。 Ｉ且±ユ ４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル１．２．２−トリフルオロ ビニルエーテル”ｅｒ−Ｏｇ　（５０ミリモル）の４（４−ペンチルシクロヘキ シル）シクロヘキシル１，１，２．２−テトラフルオロエチルエーテル（ペンタ ンからの低温結晶化によって精製）を使用して実施例６におけると同様な手順を 行う。 の以下の化合物を同様に製造する。 ２　単結合　Ｈ ３単結合　Ｈ ４単結合　Ｈ ５単結合　Ｈ ２単結合　Ｆ ３　単結合　Ｆ ４　単結合　Ｆ ５　単結合　Ｆ ！ｌ目ｉ旦 ０．５モルの臭素を０〜５℃で３００ａ＋１の無水メタノールに溶解した０、５ モルのｎ−ペンチルシクロヘキシルシクロへキシルメチルケトンにゆっくりと滴 下する。約１時間後、１５０＋ａｌの水を溶液に添加し、混合物を引き続き一晩 攪拌する。更に４５０■ｌの水を添加し、混合物を通常の操作にかける。 ０．０５モルの無水フッ化カリウムを２５膳ｌのトルエン中の０．４５ミリモル の１８−クラウン−６に添加する。 混合物を室温で１５分間攪拌し、０．０２５モルの工程８．１からの臭素化ケト ンを添加し、そして混合物を８０℃で２４時間攪拌する。その後、混合物を通常 の操作にか１Ｏ１ｌｌの無水トルエン中の１７ミリモルのフルオロメチルケトン （工程８．２）を窒素雰囲気下に２６ミリモルのＤＡＳＴに添加する。その後、 混合物を５０’Ｃで１７時間攪拌する０次に、混合物を０℃に冷却し、水を注意 深（添加し、そして混合物を炭酸水素ナトリウム溶液で中和するまで洗浄する。 その後、混合物を通常の操作にかける。 二１旦工Ａ ２５ミリモルのトリフルオロ化合物（工程８．３）を２０１１のｔ−ブタノール に溶かした５０ミリモルのカリウムｔ−ブチラード溶液に添加し、混合物を１０ ０℃で１８時間暖める。冷却後、混合物を水に注入し、通常の操作にかける。Ｃ ２５Ｎ　７３．８　Ｉ；△ｎ　＝　＋０．０３９式 の以下の化合物を同様に製造する。 Ｒ−（Ａ’−２’）、− Ｘ１目九旦 ０．５２モルの塩化フルオロアセチルを０℃で攪拌しながら０．６モルの粉末塩 化アルミニウムおよび２００ｍ１のジクロロメタンに滴下する。その後、０．５ モルのｎ−ペンチルシクロへキシルビフェニルを冷却しながら混合物に添加する ０次に、混合物を更に１時間攪拌し、−晩装置する。混合物を氷に注ぎ、そして 通常の操作にかける。得られたフッ素化ケトンを８．３および８．４と同様にま ずＤＡＳＴと、次にカリウムｔ−ブチラードと反応させて、ジフルオロビニル化 合物を得る。 式 の以下の化合物を同様に製造する。 Ｒ−（Ａ’−Ｚ’ｌ−Ａ”−２”−Ｌ’　Ｌ”Ｒ−（Ａ’−Ｚ’１．−Ａ”−２ ”−Ｌ’　１！Ｒ−（Ａ’−Ｚ’１．−Ａ”−Ｚ”−Ｌ’　Ｌ”Ｒ−（Ａ’−Ｚ ’１ｍ−Ａ”−２”−１＋　Ｌ”ＲＩＡ’−Ｚ’）、−Ａ”−２”−Ｌ’　Ｌ” Ｒ−（Ａ’−Ｚ’１．−Ａ雪−ｚ　＊　−１１Ｌ　ｘ衷１」ＬＬ旦 ０．５モルのｎ−ペンチルシクロへキシルビフェニルをまず０．５２モルの塩化 クロロアセチルで、次にＤＡＳＴとカリウムｔ−ブチラードで実施例９と同様に 処理する。 の以下の化合物を同様に製造する。 Ｒ−（Ａ’−Ｚ’１．−Ａ”−Ｚ”−Ｌ’　１！Ｒ−（Ａ’−Ｚ’１．−Ａ”− ２’−Ｌ’　ＬｘＲＩＡ’−２’）、−Ａ”−２”−Ｌ’　Ｌ”Ｒ−（Ａ’−Ｚ ’１．−ＡＩ−２”−Ｌ’　Ｌ”Ｒ−（Ａ’−Ｚ’１．−Ａ”−２”−Ｌ’　Ｌ ”寒ｍ上 エーテル（８９ミリモル）に溶かした５４ｍ１のＢｕＬｉ溶液を一７８℃でフロ ミリモルのｎ−プロピルシクロへキシルシクロへキシル−２，６−ジフルオロベ ンゼンと１００ｍ１のエーテルとの混合物に添加する。混合物を更に０．５時間 攪拌してから、−９０℃に冷却し、そして０．１４７モルのジクロロジフルオロ エチレンを反応混合物に添加する。混合物を一７８℃で更に１時間攪拌してから 、ゆっ（つと−３０℃に暖める。その後、混合物を通常の操作にかける。 式 の以下の化合物を同様に製造する。 ＣＭ２＝ＣＨＣ）Ｉ２ＣＨ２ｉ　Ｆ　ｉ（Ｒ−（Ａ’−Ｚ’ｌ−Ａ”−Ｚ”−Ｌ ’Ｌ”夾Ｕ ０．４８モルのブチルリチウム（１５％ヘキサン溶液）を−７５℃で４５分かけ て８００ｍ１のＴＨＦ中の０．４８モルの４−（４−トランス−プロピルシクロ ヘキシル）−１−ブロモベンゼンに滴下する。その後、混合物をまず０．５時間 攪拌し、次に２００ｇ＊１のＴＨＦに溶かした０゜２４モルの臭化亜鉛の冷却溶 液を滴下し、そして混合物を一７５℃で更に０．５時間攪拌する。０．４モルの ＩＩおよび７ｇのＰｄＣ１ｔ　ｄｐｐｆを一７５℃で添加し、そして混合物を室 温で更に７２時間攪拌する。５００＋ｇｌの飽和塩化アンモニウム溶液を添加し 、有機相を分離し、通常の操作にかけ式１ の以下の化合物を同様に製造する。 Ｒ−（Ａ’−Ｚ’１．−Ａ”−２’−Ｌ’　Ｌ２Ｒ−（Ａ’−２１１，−Ａ”− ２”−Ｌｌ　ｌ鵞衷ＪＬＬＬ旦 ０．５６モルの塩化亜鉛、次に２．２４モルのリチウムな０℃で１５００ｍｌの １：４のＴＨＦ：ｌ−ルエン中の１゜１２モルの工に添加する。その後、混合物 を０〜１０℃で４時間攪拌しながら超音波処理する。０．５６モルのＩＩおよび １２．３ｇのＰｄＣ１，ｄｐｐｆを添加し、冷却を止め、そして混合物を室温で 更に７２時間攪拌する。混合物を１００ｏｌ＋１１の塩化アンモニウム溶液中に 注入し、１５分間攪拌する。有機相を分離し、通常の操作にかける。 式 の以下の化合物を同様に製造する。 Ｒ−（Ａｌ−Ｚ’１−−Ａ”−２”−ＬＩ　Ｌ＊Ｒ−（Ａ’−Ｚ’ｌ、−Ａ”− Ｚ’−Ｌ’　Ｌ”衷ｍ ６０ミリモルの＋２）−ＣＦ、ＣＦ＝ＣＦ−Ｉをバートン（Ｂｕｒｔｏｎ）等に よって述べられた方法によってトリエチレングリコールジメチルエーテル（トリ グライム）中で５．０ｇの活性亜鉛と反応させ、対応する亜鉛誘導体Ｂを得る［ ドリースト（Ｄａｌｌｉｅｓｔ）等、Ｊ、　Ａｌａ、　Ｃｈｅ＋＋＋、　Ｓｏｃ 、、１０９，２１９−２２５，１９８７］。 ０．０５の１−（４−プロピル−トランス−シクロヘキシル）−４−ヨードベン ゼンＡおよび１．４ｇのＰｄ　（ＰＰｂｓ）。 を亜鉛誘導体溶液に添加し、混合物を４０℃で４８時間暖める。次に、混合物を 水ｌこ注入し、そして通常の操作４こカ蕩ける。 式 の以下の化合物を同様ｉこ製造する。 １９．０７モルの２．６−ジフルオロ−４−［４−（４−ペンチルシクロヘキシ ル）フェニル］フェニル１，１゜１．２，３．４−ヘキサフルオロプロピルエー テルを１００ｍ１のＴＨＦに溶解させる。２０ミリモルのリチウムテトラメチル ピペリジン（１０ａ＋ｌのＴＨＦ中の２０ミリモルの２．２，６．６−チトラメ チルビペリジンおよびヘキサンに溶かしたブチルリチウムの１．６モル溶液１２ ．５園ｌとから製造）を冷却（−７８℃）しながらそれに滴下する。 混合物をゆっくりと室温まで暖める。その後、混合物を０．５時間還流させる。 次に、その溶液を減圧下に室温で乾燥するまで蒸発させる。残留物をジクロロメ タンで抽出し、そして通常の操作にかける。 の以下の化合物を同様に製造する。 ”　−＋ＡＩ−Ｚｌｌ、−Ａ２−Ｚ２−　ＬＩ　Ｌ２罠ｉｔｃ互 ｎ＜、Ｈｌ、４−■−ＣＨ−ＣＣｌ。 ３当量のトリフェニルホスフィンを無水Ｔ　ＨＦ　（ＰＰｈ、　１ｇ当たり５． ０＋＋＋１）に溶解させ、そして１．５当量のＣＣＬを室温で添加する。得られ た混合物を２時間攪拌し、次に１．５当量の活性マグネシウムを添加する。次に 、混合物を更に０．５時間攪拌する。１．０当量のｎ−ペンチルシクロへキシル フェニル−４−ペンスアルデヒドを添加し、そして混合物を１２時間攪拌し、シ リカゲルでろ過する。 ろ液を通常の操作にかける。 式 の以下の化合物を同様に製造する。 Ｒ−（ＡＩ−Ｚｌ）、−Ａ２−Ｚ２−　ＬＩ　Ｌ２Ｒ−（ＡＩ−Ｚｌ）、−八２ −Ｚ２−　Ｌ！　Ｌ２Ｒ−（ＡＬ−２Ｌ）、−Ａ２−２２−　ＬＸ　Ｌ２Ｒ−（ Ａｌ−Ｚｌｌ、−Ａ２−Ｚ２−　ＬＩ　Ｌ２Ｒ−（Ａｌ−Ｚｌ）、−Ａ２−２２ −　ＬＩ　Ｉ、２ｘ１」Ｌ辷ヱ ０．５２モルのクロロ酢酸を攪拌しなから０℃で０．６モルの粉末塩化アルミニ ウムおよび２００ｍ１のジクロロメタンに滴下する。その後、０．５モルのｎ− ペンチルシクロへキシルビフェニルを混合物に添加する０次に、混合物を更に１ 時間攪拌して、−晩装置する。混合物を氷に注ぎ、そして通常の操作にかける。 得られた塩化ケトンをまずＰＣＩＢで、次にＫＯＨで処理する。最後に、混合物 を通常の操作にかける。 式 の以下の化合物を同様に製造する。 ＲｉＡ’−Ｚ’１．−Ａ”−２”−Ｌ’　Ｌ”ＲｉＡ’−２１１，−Ａ”−２” −Ｌ’　Ｌ”Ｒ−（Ａ’−Ｚ’１．−Ａ”−Ｚ雪−Ｌ’　Ｌ”Ｒ−（Ａ’−２’ ｌ、−Ａ”−２”−Ｌ’　Ｌ”Ｒ−（Ａ’−２１１，−Ａ”−２”−Ｌ’　Ｌ” Ｒ−（Ａ’−ν］　−−Ａ　＊　−ｚ　１＝　−１１１１！ｍ互 ａ） ０．０８５モルの４−ブロモ−２，６−ジフルオロフェノラートを１００ｍ１の １．３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＥＵ）に溶解させ、溶液を１４ ０℃に加熱し、そして０．０９＋ｌｌｌの２．２．２−トリフルオロエチルメチ ルスルホネートを滴下する。溶液を１４０℃で２４時間攪拌する。その後、５０ ０ｍ１の氷水を添加してから、混合物を通常の操作にかける。 ｂ） ０．０５モルのトランス−ｎ−ペンチルシクロへキシルフェニルホウ酸、２０■ ｌのトルエン、１０■ｌのエタノール、０．０３０モルの炭酸ナトリウムおよび ０．８６ミリモルのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０１を ０．０１５モルの４−ブロモ−２，６−ジフルオロフェノール２．２．２−トリ フルオロエチルエーテルに添加し、混合物を２時間還流させる。１００ｍ１の石 油エーテル（４０〜８０℃）を添加してから、混合物を通常の操作にかける。 Ｃ） １３．５ミリモルのジイソプロピルアミンを一２０℃で１０＋ａｌのＴＨＦ中の １３．５ミリモルのＢｕＬｉ　（１５％ｎ−ヘキサン溶液）に滴下する。その後 、溶液を１０分間攪拌し、そして−４０℃で保護ガスの下に１０ａ＋１のＴＨＦ 、１３．５ミリモルのトランス−ｎ−ペンチルシクロへキシルフェニル−２，６ −ジフルオロフェノール２，２．２−トリフルオロエチルエーテルから成る混合 物に滴下する。 混合物を、まず−４０℃で０．５時間、次に室温で一晩攪拌する。加水分解の後 、混合物を通常の操作ｌこ力）しする。 Ｃ３１Ｎ　１０３Ｉ 式 の以下の化合物を同様に製造する。 Ｒ−（Ａｌ−Ｚｌｌ、−Ａ’−Ｚ２−　ＬＩ　Ｌ２国際調査報告 フロントページの続き （５１）　Ｉｎｔ、　Ｃ１，５識別記号　庁内整理番号Ｃ０７Ｃ２５／２４　９ ２８０−４Ｈ ４３／１７２　８６１９−４Ｈ ４３／１７６　８６１９−４Ｈ ４３／１９２　８６１９−４Ｈ ４３／２２５　Ｃ８６１９−４Ｈ Ｄ　８６１９−４Ｈ ６９／７４　Ｚ　９２７９−４Ｈ Ａ　９２７９−４Ｈ ６９／７５　Ａ　９２７９−４Ｈ Ｂ　９２７９−４Ｈ Ｃ９２７９−４８ Ｄ　９２７９−４Ｈ ６９／７５３　Ｄ　９２７９−４Ｈ Ｅ　９２７９−４Ｈ ６９／７５７　Ｃ９２７９−４Ｈ ６９／７６　Ａ　９２７９−４Ｈ ２９２７９−４Ｈ ６９／７６７　９２７９−４Ｈ ６９／７７３　９２７９−４Ｈ ６９／８６　９２７９−４Ｈ ６９／９２　９２７９−４Ｈ ＦＩ ＣＯ７Ｄ　２１３／２６　６７０１−４Ｃ２３９／２６　’　８６１５−４Ｃ ２３９／３４　８６１５−４Ｃ ３１９１０６７２５２−４Ｃ ＣＯ９Ｋ　１９／１２　７４５７−４Ｈ１９／３０　７４５７−４Ｈ １９／３４　７４５７−４Ｈ ＧＯ２Ｆ　１／１３　５００　９２２５−２Ｋ（３１）優先権主張番号　Ｐ４２ ０８５５１．９（３２）優先臼　１９９２年３月１７日（３３）優先権主張国　 ドイツ（ＤＥ）（３１）優先権主張番号　Ｐ４２１１１５０．１（３２）優先臼 　１９９２年４月３日 （３３）優先権主張国　ドイツ（ＤＥ）（８１）指定国　ＥＰ（ＡＴ、ＢＥ、Ｃ Ｈ，ＤＥ。 ＤＫ、ＥＳ、ＦＲ，ＧＢ、ＧＲ，ＩＴ、ＬＵ、ＭＣ，ＮＬ、ＳＥ）、　ＡＵ、　 ＢＧ、　ＢＲ，ＣＡ、ＦＩ、　ＨＵ、ＪＰ、ＫＰ、ＫＲ，Ｎｏ、Ｒ○、　ＲＵ、 　ＵＳ（７２）発明者　プラハ、ヘルベルト ドイツ連邦共和国　デー−６１００ダルムシュタット　ヴインガーツベルクシュ トラーセ５ （７２）発明者　アイデンシンク、ルドルフドイツ連邦共和国　デー−６５００ マイシン（７２）発明者　ライフエンラード、フォルカードイツ連邦共和国　デ ー−６１０１ロスドルフ　ヤーシシュトラーセ　１８ （７２）発明者　パウルート、デトレフドイツ連邦共和国　デー−６１００ダル ムシュタット　ロイターアレー　覗 （７２）発明者　ペーチュ、アイケ ドイツ連邦共和国　デー−６１０９ミュールタール　６　アム　ブーフヴアルト 　４（７２）発明者　シェーン、ザビーネ ドイツ連邦共和国　デー−６１００ダルムシュタット　グンドルフシュトラーセ 　２５（７２）発明者　マイヤー、フォルカードイツ連邦共和国　デー−６１１ ２グロース（７２）発明者　ユン乞ミヒャエル ドイツ連邦共和国　デー−６１０２プフンクシュタット　２　ダルムシュテッタ ー　シュトラーセ　１６ （７２）発明者　ヒチヒ、ラインハルトドイツ連邦共和国　デー−６１０１モー ダウタール　１　アム　キルヒベルク　１１

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. １．式Ｉ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、 ＲはＨ、または未置換の、ＣＮまたはＣＦ３でモノ置換されるまたはハロゲンで 少なくともモノ置換される１〜１５個の炭素原子を有するアルキルまたはアルケ ニル基であり、これらの基における１つ以上のＣＨ２基は、それぞれの場合に互 いに独立して、酸素原子が互いに直接結合しないように−Ｏ−、−Ｓ−、▲数式 、化学式、表等があります▼、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−または− Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって置き換えることも可能であり、 Ａ１およびＡ２は、それぞれ互いに独立して、（ａ）１つまたはそれ以上の隣接 しないＣＨ２基を−Ｏ−および／または−Ｓ−で置き換えてもよいトランス−１ ，４−シクロヘキシレン基、 （ｂ）１つまたは２つのＣＨ基をＮで置き換えてもよい１，４−フェニレン基、 （ｃ）１，４−シクロヘキセニレン、１，４−ビシクロ（２，２，２）オクチレ ン、ピペリジン−１，４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカヒドロナ フタレン−２，６−ジイルおよび１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２ ，６−ジイルから成る群からの基であり、基（ａ）および（ｂ）はＣＮまたはフ ッ素で置換されていてもよく、 Ｚ１およびＺ２は、それぞれ互いに独立して、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、− ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−ま たは単結合であり、あるいはまたＺ１およびＺ２の１つは−（ＣＨ２）４−また は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２ＣＨ２−であり、Ｑは単結合、−Ｏ−、−ＣＨ２−ＣＨ ２−、−Ｃ≡Ｃ−．トランス−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−または−ＣＨ２Ｏ−で あり、Ｘ１はＨ、ＦまたはＣｌであり、 Ｘ２はＦ、Ｃｌ、ＣＦ３、またはＳＦ５であり、ＹはＨ、ＦまたはＣｌであり、 ｒは０〜４であり、 ｎは０または１であり、そして ｍは０、１、２または３である、 但し、Ｙ＝ＨおよびＱ＝単結合の場合、Ｘ１およびＸ２はＣｌである） のビニル化合物。
2. ２．式ＩＩ ▲数式、化学式、表等があります▼ＩＩ（式中、Ｒ、Ａ１、Ｚ１、Ａ２、Ｚ２、 ｍ、ｎおよびｒは請求項１で定義した通りである）の化合物。
3. ３．式Ｉ２ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉ２（式中、Ｒ、Ａ１、Ｚ１、Ａ２、Ｚ２、 ｍ、ｎおよびｒは請求項１で定義した通りである）の化合物。
4. ４．式Ｉ３ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉ３（式中、Ｒ、Ａ１、Ｚ１、Ａ２、Ｚ２、 ｍ、ｎおよびｒは請求項１で定義した通りである）の化合物。
5. ５．式Ｉ８ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉ８（式中、Ｒ、Ａ１、Ｚ１、Ａ２、Ｚ２、 ｍ、ｎおよびｒは請求項１で定義した通りである）の化合物。
6. ６．式Ｉ１０ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉ１０（式中、Ｒ、Ａ１、Ｚ１、Ａ２、Ｚ２ 、ｍ、ｎおよびｒは請求項１で定義した通りである）の化合物。
7. ７．ｒが０である式Ｉ１０の化合物。
8. ８．液晶媒体の成分としての式Ｉの化合物の使用。
9. ９．少なくとも１種の式Ｉの化合物を含んでいることを特徴とする少なくとも２ 種の液晶成分を含んでいる液晶媒体。
10. １０．請求項９記載の液晶媒体を含んでいることを特徴とする液晶ディスプレイ 要素。
11. １１．誘電体として請求項９記載の液晶媒体を含んでいることを特徴とする電気 光学ディスプレイ要素。