JPH0370896B2 - - Google Patents
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- JPH0370896B2 JPH0370896B2 JP58194008A JP19400883A JPH0370896B2 JP H0370896 B2 JPH0370896 B2 JP H0370896B2 JP 58194008 A JP58194008 A JP 58194008A JP 19400883 A JP19400883 A JP 19400883A JP H0370896 B2 JPH0370896 B2 JP H0370896B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、組成的に加減されたアモルフアス合
金を製造する装置及び方法に係る。本発明は特
に、マイクロ波エネルギによつて励起される反応
ガスから層状のアモルフアス半導体合金を製造す
る方法に係る。本発明適用の重要な一対象とし
て、タンデム電池のような光電池用の改良された
光応答合金の製造がある。
金を製造する装置及び方法に係る。本発明は特
に、マイクロ波エネルギによつて励起される反応
ガスから層状のアモルフアス半導体合金を製造す
る方法に係る。本発明適用の重要な一対象とし
て、タンデム電池のような光電池用の改良された
光応答合金の製造がある。
シリコンは大型結晶質半導体工業の基盤であ
り、高価で高効率(18パーセント)の宇宙用結晶
質太陽電池をもたらした材料である。結晶質半導
体技術が商業的に見合う状態に達したとき、この
技術は現在の大型半導体デバイス工業の基礎とな
つた。このことは、ゲルマニウムの、及び特にシ
リコンの実質的に欠陥のない結晶を成長させ、次
いでこの結晶を、結晶内に設けられるp形及びn
形導電領域を有す外因性材料とする科学者の能力
に負つていた。外因性材料への転換は、前記のよ
うな結晶質材料に、実質的に純粋な結晶質材料中
へ置換形不純物として導入される、ドナー(n)
またはアクセプタ(p)であるドーパント物質を
百万分の数部(ppm)拡散し、それによつて結晶
質材料の導電性を増し、またその導電形をp形か
またはn形に制御することによつて行なわれた。
p−n接合結晶の製造には、非常に複雑で時間を
要し、かつ高価な工程が含まれる。即ち、太陽電
池及び電流制御デバイスに有用であるこのような
結晶質材料は極めて慎重に制御される条件下で
個々のシリコンまたはゲルマニウムの単結晶を成
長させ、p−n接合が必要な場合には更に前記単
結晶に僅少かつ厳密な量のドーパントをドープす
ることによつて製造される。
り、高価で高効率(18パーセント)の宇宙用結晶
質太陽電池をもたらした材料である。結晶質半導
体技術が商業的に見合う状態に達したとき、この
技術は現在の大型半導体デバイス工業の基礎とな
つた。このことは、ゲルマニウムの、及び特にシ
リコンの実質的に欠陥のない結晶を成長させ、次
いでこの結晶を、結晶内に設けられるp形及びn
形導電領域を有す外因性材料とする科学者の能力
に負つていた。外因性材料への転換は、前記のよ
うな結晶質材料に、実質的に純粋な結晶質材料中
へ置換形不純物として導入される、ドナー(n)
またはアクセプタ(p)であるドーパント物質を
百万分の数部(ppm)拡散し、それによつて結晶
質材料の導電性を増し、またその導電形をp形か
またはn形に制御することによつて行なわれた。
p−n接合結晶の製造には、非常に複雑で時間を
要し、かつ高価な工程が含まれる。即ち、太陽電
池及び電流制御デバイスに有用であるこのような
結晶質材料は極めて慎重に制御される条件下で
個々のシリコンまたはゲルマニウムの単結晶を成
長させ、p−n接合が必要な場合には更に前記単
結晶に僅少かつ厳密な量のドーパントをドープす
ることによつて製造される。
前記の結晶成長法は比較的小型の結晶しかもた
らさず、従つて太陽電池は単1個の太陽電池パネ
ルの所望の面積が満たされるのに多数の単結晶の
集合体を必要とする。この方法では太陽電池を製
造するのに必要なエネルギ量、シリコン結晶の寸
法的制約に起因する制約、及びそのような結晶質
材料を切断し組合せる必要性等の全てによつて、
結晶質半導体から成る太陽電池のエネルギ変換へ
の大規模な利用が経済的に阻まれてきた。更に、
結晶質シリコンは、材料内への光の吸収を低下さ
せる間接的光学吸収端を有する。吸光性に乏しい
ために、結晶質太陽電池の厚みは入射する日光を
吸収するのに少なくとも50ミクロンなければなら
ない。単結晶材料の代りにより安価に製作される
多結晶シリコンを用いたとしても、間接的光学吸
収端はなお存在し、従つて材料厚みは減少されな
い。また結晶質材料にも粒界の付加など厄介な欠
点がある。
らさず、従つて太陽電池は単1個の太陽電池パネ
ルの所望の面積が満たされるのに多数の単結晶の
集合体を必要とする。この方法では太陽電池を製
造するのに必要なエネルギ量、シリコン結晶の寸
法的制約に起因する制約、及びそのような結晶質
材料を切断し組合せる必要性等の全てによつて、
結晶質半導体から成る太陽電池のエネルギ変換へ
の大規模な利用が経済的に阻まれてきた。更に、
結晶質シリコンは、材料内への光の吸収を低下さ
せる間接的光学吸収端を有する。吸光性に乏しい
ために、結晶質太陽電池の厚みは入射する日光を
吸収するのに少なくとも50ミクロンなければなら
ない。単結晶材料の代りにより安価に製作される
多結晶シリコンを用いたとしても、間接的光学吸
収端はなお存在し、従つて材料厚みは減少されな
い。また結晶質材料にも粒界の付加など厄介な欠
点がある。
概して結晶シリコンデバイスは、所望のとおり
に変更できない固定的なパラメータを有し、多量
の材料を要し、比較的小面積にしか製造され得
ず、かつ製造に費用も時間も要する。アモルフア
スシリコンに基づくデバイスでは、結晶シリコン
のこれらの欠点は除去され得る。アモルフアスシ
リコンはダイレクトキヤツプ半導体と同様の特性
を具えた光学吸収端を有し、厚み50ミクロンの結
晶質シリコンが吸収するのと同量の日光を吸収す
るのに1ミクロン若しくはそれ以下の材料厚みし
か必要でない。その上アモルフアスシリコンは、
結晶質シリコンよりも早く、容易に大面積に製作
され得る。
に変更できない固定的なパラメータを有し、多量
の材料を要し、比較的小面積にしか製造され得
ず、かつ製造に費用も時間も要する。アモルフア
スシリコンに基づくデバイスでは、結晶シリコン
のこれらの欠点は除去され得る。アモルフアスシ
リコンはダイレクトキヤツプ半導体と同様の特性
を具えた光学吸収端を有し、厚み50ミクロンの結
晶質シリコンが吸収するのと同量の日光を吸収す
るのに1ミクロン若しくはそれ以下の材料厚みし
か必要でない。その上アモルフアスシリコンは、
結晶質シリコンよりも早く、容易に大面積に製作
され得る。
従つてこれまで、所望であればデポジツト設備
の大きさによつてしかも制限されずに比較的大面
積を有し得るアモルフアス半導体合金または薄膜
であつて、これらの合金または薄膜から、これら
が結晶質である場合にもたらされるものに等しい
p−n接合デバイスが製造されるべき時に容易に
ドープされてp形及びn形の材料を構成し得るよ
うなアモルフアス半導体合金または薄膜を容易に
デポジツトする方法の開発に多大の努力が払われ
てきた。長年にわたり、このような作業は実質的
に成果が上がらなかつた。アモルフアスシリコン
またはゲルマニウム(族)薄膜は通常四重に配
位結合しており、該薄膜は微細孔並びにダングリ
ングボンドその他の、薄膜のエネルギギヤツプに
高密度の局在状態を生成する欠陥を有することが
判明した。アモルフアスシリコン半導体薄膜のエ
ネルギギヤツプに局在状態が高密度に存在するこ
とによつて、光導電率は低下し、またキヤリヤの
ライフタイムは短縮され、このような薄膜は光応
答的な適用には不適当である。加えてこのような
薄膜は、伝導帯または価電子帯に近接するフエル
ミ準位を変移するための連続的なドープその他の
加減を施され得ず、従つて太陽電池及び電流制御
デバイス用のp−n接合を形成するには不適当で
ある。
の大きさによつてしかも制限されずに比較的大面
積を有し得るアモルフアス半導体合金または薄膜
であつて、これらの合金または薄膜から、これら
が結晶質である場合にもたらされるものに等しい
p−n接合デバイスが製造されるべき時に容易に
ドープされてp形及びn形の材料を構成し得るよ
うなアモルフアス半導体合金または薄膜を容易に
デポジツトする方法の開発に多大の努力が払われ
てきた。長年にわたり、このような作業は実質的
に成果が上がらなかつた。アモルフアスシリコン
またはゲルマニウム(族)薄膜は通常四重に配
位結合しており、該薄膜は微細孔並びにダングリ
ングボンドその他の、薄膜のエネルギギヤツプに
高密度の局在状態を生成する欠陥を有することが
判明した。アモルフアスシリコン半導体薄膜のエ
ネルギギヤツプに局在状態が高密度に存在するこ
とによつて、光導電率は低下し、またキヤリヤの
ライフタイムは短縮され、このような薄膜は光応
答的な適用には不適当である。加えてこのような
薄膜は、伝導帯または価電子帯に近接するフエル
ミ準位を変移するための連続的なドープその他の
加減を施され得ず、従つて太陽電池及び電流制御
デバイス用のp−n接合を形成するには不適当で
ある。
アモルフアスシリコン及びゲルマニウムに関す
る前記の問題的を減少する試みにおいて、スコツ
トランドのダンデイーに所在するダンデイー大学
カーネギー物理学研究所のW.E.スピア及びP.G.
ル・コンベ(W.E.Spear and P.G.Le Comber)
は「ソリツドステート・コミユニケーシヨン
(Solid State Communication)」第17巻(1975
年)の第1193〜1196ページに公表された論文にお
いて報告されたような“アモルフアスシリコンの
置換ドーピング”に関する研究によつて、アモル
フアスシリコンまたはゲルマニウムにおけるエネ
ルギギヤツプの局在状態を減少して真性の結晶シ
リコンまたはゲルマニウムにより近似したアモル
フアスシリコンまたはゲルマニウムを製造するこ
と、並びにアモルフアス材料を、結晶質材料をド
ープする時のように適当な古典的ドーパントで置
換ドープして、該アモルフアス材料を外因性でp
もしくはn導電形とすることを追求した。
る前記の問題的を減少する試みにおいて、スコツ
トランドのダンデイーに所在するダンデイー大学
カーネギー物理学研究所のW.E.スピア及びP.G.
ル・コンベ(W.E.Spear and P.G.Le Comber)
は「ソリツドステート・コミユニケーシヨン
(Solid State Communication)」第17巻(1975
年)の第1193〜1196ページに公表された論文にお
いて報告されたような“アモルフアスシリコンの
置換ドーピング”に関する研究によつて、アモル
フアスシリコンまたはゲルマニウムにおけるエネ
ルギギヤツプの局在状態を減少して真性の結晶シ
リコンまたはゲルマニウムにより近似したアモル
フアスシリコンまたはゲルマニウムを製造するこ
と、並びにアモルフアス材料を、結晶質材料をド
ープする時のように適当な古典的ドーパントで置
換ドープして、該アモルフアス材料を外因性でp
もしくはn導電形とすることを追求した。
局在状態の減少はアモルフアスシリコン薄膜の
グロー放電デポジシヨンによつて達成され、この
デポジシヨンではシラン(SiH4)ガスが反応管
に通され、この管においてガスは、r.f.グロー放
電によつて分解され、基板温度約500〜600〓
(227〜327℃)で基板上にデポジツトされた。基
板上にこのようにデポジツトされた材料は、シリ
コン及び水素から成る真性アモルフアス材料であ
つた。ドープされたアモルフアス材料を製作する
ために、n形導電用にはフオスフイン(PH3)ガ
スが、またp形導電用にはジボラン(B2H6)ガ
スがシランガスと予め混合されて、同じ作業条件
下にグロー放電反応管に通された。使用ドーパン
トの気体濃度は、約5×10-6〜10-2体積部であつ
た。このようにデポジツトされた、おそらく置換
リンまたはホウ素ドーパントを含む材料は、外因
性でnまたはp導電形であると判明した。
グロー放電デポジシヨンによつて達成され、この
デポジシヨンではシラン(SiH4)ガスが反応管
に通され、この管においてガスは、r.f.グロー放
電によつて分解され、基板温度約500〜600〓
(227〜327℃)で基板上にデポジツトされた。基
板上にこのようにデポジツトされた材料は、シリ
コン及び水素から成る真性アモルフアス材料であ
つた。ドープされたアモルフアス材料を製作する
ために、n形導電用にはフオスフイン(PH3)ガ
スが、またp形導電用にはジボラン(B2H6)ガ
スがシランガスと予め混合されて、同じ作業条件
下にグロー放電反応管に通された。使用ドーパン
トの気体濃度は、約5×10-6〜10-2体積部であつ
た。このようにデポジツトされた、おそらく置換
リンまたはホウ素ドーパントを含む材料は、外因
性でnまたはp導電形であると判明した。
上記の研究者達には未知であつたが、シランの
水素がグロー放電デポジシヨンの間に最適温度に
おいてシリコンの多数のダングリングボンドと結
合し、その結果エネルギギヤツプの局在状態密度
が実質的に減少して、アモルフアス材料の電子的
特性は対応する結晶質材料のものに更に近似する
ことが、他の研究者達の業績によつて今や知られ
ている。
水素がグロー放電デポジシヨンの間に最適温度に
おいてシリコンの多数のダングリングボンドと結
合し、その結果エネルギギヤツプの局在状態密度
が実質的に減少して、アモルフアス材料の電子的
特性は対応する結晶質材料のものに更に近似する
ことが、他の研究者達の業績によつて今や知られ
ている。
上記の方法では、水素の結合がシラン中の水素
対シリコンの固定的な比率に起因する限界を有す
るだけでなく、更に重要なこは様々なSi:H結合
配列が、上記材料において有害な結果を有し得る
新たな未結合状態をもたらす。従つて上記材料に
おける、p形並びにn形への有効なドーピングに
特に有害な局在状態の密度の低下には根本的な限
界が存在する。シランを用いてデポジツトされた
材料の、結果的に得られる状態密度は狭い空乏層
幅をもたらし、その結果太陽電池及びその動作が
自由キヤリヤのドリフトに依存する他のデバイス
の効率が制限される。上記のような材料をシリコ
ン及び水素のみを用いて製造する方法によつて
も、上記の全パラメータに影響する表面状態が高
密度に生じる。
対シリコンの固定的な比率に起因する限界を有す
るだけでなく、更に重要なこは様々なSi:H結合
配列が、上記材料において有害な結果を有し得る
新たな未結合状態をもたらす。従つて上記材料に
おける、p形並びにn形への有効なドーピングに
特に有害な局在状態の密度の低下には根本的な限
界が存在する。シランを用いてデポジツトされた
材料の、結果的に得られる状態密度は狭い空乏層
幅をもたらし、その結果太陽電池及びその動作が
自由キヤリヤのドリフトに依存する他のデバイス
の効率が制限される。上記のような材料をシリコ
ン及び水素のみを用いて製造する方法によつて
も、上記の全パラメータに影響する表面状態が高
密度に生じる。
シリコンのシランガスからのグロー放電デポジ
シヨンか開発された後、アモルフアスシリコン薄
膜の(スパツタリングデポジシヨン法に必要な)
アルゴンと水素分子との混合物雰囲気中でのスパ
ツタデポジシヨンについて研究がなされ、前記の
ような水素分子がデポジツトされるアモルフアス
シリコン薄膜の特性に与える効果が測定された。
この研究によれば、水素はエネルギギヤツプにお
ける局在状態を減少するように結合する変更剤
(altering agent)として機能した。しかしエネ
ルギギヤツプの局在状態の、スパツタデポジシヨ
ン法において減少された程度は、上述のシランデ
ポジシヨン法によつて達成されるものよりはるか
に低かつた。上述のp形及びn形ドーパントガス
がスパツタリング法にも、p形及びn形にドープ
された材料を製作するべく導入された。得られた
材料のドーピング効率は、グロー放電法で製造さ
れる材料のものよりも低かつた。いずれの製法
も、商業的なp−nまたはp−i−n接合デバイ
スを製造するのに充分な高いアクセプタ濃度を有
する、p形にドープされた有効な材料をもたらさ
なかつた。n形ドーピング効率は望ましく許容可
能な商業的レベルを下回り、またp形ドーピング
は、バンドキヤツプを狭め、バンドキヤツプにお
ける局在状態の数を増したので特に望ましくなか
つた。
シヨンか開発された後、アモルフアスシリコン薄
膜の(スパツタリングデポジシヨン法に必要な)
アルゴンと水素分子との混合物雰囲気中でのスパ
ツタデポジシヨンについて研究がなされ、前記の
ような水素分子がデポジツトされるアモルフアス
シリコン薄膜の特性に与える効果が測定された。
この研究によれば、水素はエネルギギヤツプにお
ける局在状態を減少するように結合する変更剤
(altering agent)として機能した。しかしエネ
ルギギヤツプの局在状態の、スパツタデポジシヨ
ン法において減少された程度は、上述のシランデ
ポジシヨン法によつて達成されるものよりはるか
に低かつた。上述のp形及びn形ドーパントガス
がスパツタリング法にも、p形及びn形にドープ
された材料を製作するべく導入された。得られた
材料のドーピング効率は、グロー放電法で製造さ
れる材料のものよりも低かつた。いずれの製法
も、商業的なp−nまたはp−i−n接合デバイ
スを製造するのに充分な高いアクセプタ濃度を有
する、p形にドープされた有効な材料をもたらさ
なかつた。n形ドーピング効率は望ましく許容可
能な商業的レベルを下回り、またp形ドーピング
は、バンドキヤツプを狭め、バンドキヤツプにお
ける局在状態の数を増したので特に望ましくなか
つた。
結晶質シリコンに更に近似させるべく水素によ
つてシランガスを変更してもたらされ、かつ結晶
質シリコンをドープするのと同様にドープされた
前者の製法によるアモルフアスシリコンのデポジ
ツトは、ドープされた結晶質シリコンの特性にあ
らゆる重要な点で劣る特性を有する。即ち、不十
分なドーピング効率及び導電率が特にp形材料に
おいて得られ、このシリコン合金薄膜の光起電特
性な所望のものにはるかに及ばない。
つてシランガスを変更してもたらされ、かつ結晶
質シリコンをドープするのと同様にドープされた
前者の製法によるアモルフアスシリコンのデポジ
ツトは、ドープされた結晶質シリコンの特性にあ
らゆる重要な点で劣る特性を有する。即ち、不十
分なドーピング効率及び導電率が特にp形材料に
おいて得られ、このシリコン合金薄膜の光起電特
性な所望のものにはるかに及ばない。
エネルギギヤツプにおける局在状態の濃度が著
しく低下された、高質の電子的特性を有する大幅
に改善されたアモルフアスシリコン合金が、1980
年10月7日に発行されたスタンフオードR.オヴ
シンスキー及びアルン・マダン(Stanford R.
Ovshinsky and Arun Madan)の米国特許第
4226898号「結晶質半導体と等価のアモルフアス
半導体」に完全に記載されたグロー放電と、1980
年8月12日に前記特許と同じ標題の下に発行され
たスタンフオードR.オヴシンスキー及びマサツ
グ・イズ(Masatsugu Izu)の米国特許第
4217374号に完全に記載された蒸着とによつて製
作された。これらの特許に開示されているところ
では、アモルフアスシリコン半導体へ、この半導
体の偏在状態の密度を実質的に低下させるために
フツ素が導入される。フツ素原子は寸法が小さ
く、アモルフアス体へ容易に導入されるために、
活性化されたフツ素は特に容易に拡散してアモル
フアス体のアモルフアスシリコンと結合し、アモ
ルフアス体に局在する欠陥状態の密度を実質的に
低下する。フツ素はシリコンのダングリングボン
ドと結合して、フレキシブルな結合角を具えた一
部イオン安定的な結合と思われるものを形成し、
その結果補償若しくは変更は、水素及び他の補償
若しくは変更剤による形成の場合よりも安定しか
つ有効となる。フツ素は極度に小型で、反応度が
高く、化学的結合において特異的であり、かつ非
常に高度に陰電性であるので、単独でまたは水素
と共に用いられる場合水素よりも有効な補償若し
くは変更元素であると考えられる。故に、フツ素
は他のハロゲンとは性質が異なり、超ハロゲンで
あると見做される。
しく低下された、高質の電子的特性を有する大幅
に改善されたアモルフアスシリコン合金が、1980
年10月7日に発行されたスタンフオードR.オヴ
シンスキー及びアルン・マダン(Stanford R.
Ovshinsky and Arun Madan)の米国特許第
4226898号「結晶質半導体と等価のアモルフアス
半導体」に完全に記載されたグロー放電と、1980
年8月12日に前記特許と同じ標題の下に発行され
たスタンフオードR.オヴシンスキー及びマサツ
グ・イズ(Masatsugu Izu)の米国特許第
4217374号に完全に記載された蒸着とによつて製
作された。これらの特許に開示されているところ
では、アモルフアスシリコン半導体へ、この半導
体の偏在状態の密度を実質的に低下させるために
フツ素が導入される。フツ素原子は寸法が小さ
く、アモルフアス体へ容易に導入されるために、
活性化されたフツ素は特に容易に拡散してアモル
フアス体のアモルフアスシリコンと結合し、アモ
ルフアス体に局在する欠陥状態の密度を実質的に
低下する。フツ素はシリコンのダングリングボン
ドと結合して、フレキシブルな結合角を具えた一
部イオン安定的な結合と思われるものを形成し、
その結果補償若しくは変更は、水素及び他の補償
若しくは変更剤による形成の場合よりも安定しか
つ有効となる。フツ素は極度に小型で、反応度が
高く、化学的結合において特異的であり、かつ非
常に高度に陰電性であるので、単独でまたは水素
と共に用いられる場合水素よりも有効な補償若し
くは変更元素であると考えられる。故に、フツ素
は他のハロゲンとは性質が異なり、超ハロゲンで
あると見做される。
例えば、補償は、フツ素のみかまたはフツ素と
水素の組合せをごく少量(例えば1原子パーセン
トの画分)添加することによつて達成され得る。
しかしフツ素及び水素の、シリコン−水素−フツ
素合金を形成する上で最も望ましい使用量は、前
記のような小さいパーセンテージに比べはるかに
大きい。フツ素及び水素のこのような合金形成量
は、例えば1〜5パーセントの範囲内かまたはそ
れ以上であり得る。こうして形成される新しい合
金の、エネルギギヤツプにおける欠陥状態の密度
は、ダンリングボンド並びに同様の欠陥状態の単
なる中和によつて得られる密度よりも低いと思わ
れる。このような比較的多量のフツ素は特に、ア
モルフアスシリコン含有材料の新しい構造配列に
実質的に関与すると思われ、ゲルマニウムのよう
な他の合金形成材料の添加を容易にする。フツ素
は、ここに述べられた自身の他の特性に加えて、
誘導効果及びイオン効果によつてシリコン含有合
金内に局部構造を生成するオーガナイザであると
考えられる。またフツ素は、水素が状態密度低下
元素として機能する一方で創出する欠陥状態の密
度を低下するべく有利に機能することによつて、
水素の結合に影響するとも考えられる。前記のよ
うな合計におけるフツ素のイオン的役割は、最も
近い隣接関係に関する重要な元素であると思われ
る。
水素の組合せをごく少量(例えば1原子パーセン
トの画分)添加することによつて達成され得る。
しかしフツ素及び水素の、シリコン−水素−フツ
素合金を形成する上で最も望ましい使用量は、前
記のような小さいパーセンテージに比べはるかに
大きい。フツ素及び水素のこのような合金形成量
は、例えば1〜5パーセントの範囲内かまたはそ
れ以上であり得る。こうして形成される新しい合
金の、エネルギギヤツプにおける欠陥状態の密度
は、ダンリングボンド並びに同様の欠陥状態の単
なる中和によつて得られる密度よりも低いと思わ
れる。このような比較的多量のフツ素は特に、ア
モルフアスシリコン含有材料の新しい構造配列に
実質的に関与すると思われ、ゲルマニウムのよう
な他の合金形成材料の添加を容易にする。フツ素
は、ここに述べられた自身の他の特性に加えて、
誘導効果及びイオン効果によつてシリコン含有合
金内に局部構造を生成するオーガナイザであると
考えられる。またフツ素は、水素が状態密度低下
元素として機能する一方で創出する欠陥状態の密
度を低下するべく有利に機能することによつて、
水素の結合に影響するとも考えられる。前記のよ
うな合計におけるフツ素のイオン的役割は、最も
近い隣接関係に関する重要な元素であると思われ
る。
上記の諸方法によつて製作されるアモルフアス
半導体合金は、光起電的な適用に理想的に適する
光応答性を示した。しかしこれらの先行技術によ
る方法は、デポジシヨン率が比較的低い点、及び
反応ガスの供給原料があまり活用されない点で不
利であり、これら2点は、上記材料から光起電デ
バイスを商業的な基盤に立つて製造する上からは
重要な考慮点である。更に前記方法は高い電子温
度のプラズマをもたらし、このプラズマはデポジ
シヨンの間、高密度のイオンを発生する。これら
のイオンの発生によつて材料若しくはデポジシヨ
ン中の材料はイオン衝撃を受け、その結果材料は
損傷されるおそれがある。
半導体合金は、光起電的な適用に理想的に適する
光応答性を示した。しかしこれらの先行技術によ
る方法は、デポジシヨン率が比較的低い点、及び
反応ガスの供給原料があまり活用されない点で不
利であり、これら2点は、上記材料から光起電デ
バイスを商業的な基盤に立つて製造する上からは
重要な考慮点である。更に前記方法は高い電子温
度のプラズマをもたらし、このプラズマはデポジ
シヨンの間、高密度のイオンを発生する。これら
のイオンの発生によつて材料若しくはデポジシヨ
ン中の材料はイオン衝撃を受け、その結果材料は
損傷されるおそれがある。
前述した問題点を打破するために、アモルフア
ス半導体合金及びデバイスの新たに改善された製
法が最近開発され、この方法では、新たに改善さ
れたアモルフアス半導体合金のデポジシヨン用の
グロー放電プラズマを生成するのにマイクロ波エ
ネルギが用いられた。このような方法は実質的
に、デポジシヨン率を高め、かつ反応ガス原料の
活用も増大する。更にマイクロ波エネルギの使用
によつて、プラズマからのデポジシヨンはより低
い電子温度で実現し、イオン密度は実質的に低下
し、従つてデポジシヨンされる材料のイオン衝撃
並びに損傷が実質的に減少される。加えてこの方
法によつて、これまで先行技術の方法によつては
十分高濃度には得られなかつた反応種が形成され
る。結果として、新しいアモルフアス半導体合金
は、これまで取得され得たものとは実質的に異な
る材料特性を有して製造され得る。上記の総てに
よつて、改善された光応答特性を有するアモルフ
アス半導体合金及びこの合金から成るデバイスが
もたらされ、該合金及びデバイスは実質的により
高率で製造される。
ス半導体合金及びデバイスの新たに改善された製
法が最近開発され、この方法では、新たに改善さ
れたアモルフアス半導体合金のデポジシヨン用の
グロー放電プラズマを生成するのにマイクロ波エ
ネルギが用いられた。このような方法は実質的
に、デポジシヨン率を高め、かつ反応ガス原料の
活用も増大する。更にマイクロ波エネルギの使用
によつて、プラズマからのデポジシヨンはより低
い電子温度で実現し、イオン密度は実質的に低下
し、従つてデポジシヨンされる材料のイオン衝撃
並びに損傷が実質的に減少される。加えてこの方
法によつて、これまで先行技術の方法によつては
十分高濃度には得られなかつた反応種が形成され
る。結果として、新しいアモルフアス半導体合金
は、これまで取得され得たものとは実質的に異な
る材料特性を有して製造され得る。上記の総てに
よつて、改善された光応答特性を有するアモルフ
アス半導体合金及びこの合金から成るデバイスが
もたらされ、該合金及びデバイスは実質的により
高率で製造される。
厳密に均質である材料には見出されない独特の
特性を示す、組成的に様々である材料が開発され
ている。米国特許第4342044号は、無線周波プラ
ズマ及び遊離基ジエネレータを用いて層状の光起
電材料を製作する方法及び装置を開示している。
特性を示す、組成的に様々である材料が開発され
ている。米国特許第4342044号は、無線周波プラ
ズマ及び遊離基ジエネレータを用いて層状の光起
電材料を製作する方法及び装置を開示している。
従つて、本発明の目的は、組成的に変化される
材料の独特の特性を有するアモルフアス合金材料
の基板上への有利な層状デポジシヨンを可能にす
ることである。
材料の独特の特性を有するアモルフアス合金材料
の基板上への有利な層状デポジシヨンを可能にす
ることである。
上記本発明の目的は、少なくとも1個のマイク
ロ波エネルギ源を使用し、受容面上にデポジツト
されるべき少なくとも1種類の合金形成元素を
各々含有する少なくとも2種類の反応ガスを用
い、この反応ガスを先のマイクロ波エネルギによ
つて選択的に励起し、次いでこの反応ガスから、
受容面上に合金層を交互にデポジツトするべく、
デポジツトされるべき合金形成元素を含有する励
起種を創出することを含むアモルフアス合金材料
を受容面上に層状にデポジツトする方法によつて
達成される。
ロ波エネルギ源を使用し、受容面上にデポジツト
されるべき少なくとも1種類の合金形成元素を
各々含有する少なくとも2種類の反応ガスを用
い、この反応ガスを先のマイクロ波エネルギによ
つて選択的に励起し、次いでこの反応ガスから、
受容面上に合金層を交互にデポジツトするべく、
デポジツトされるべき合金形成元素を含有する励
起種を創出することを含むアモルフアス合金材料
を受容面上に層状にデポジツトする方法によつて
達成される。
上記方法においては組成的に調整された又は
様々なアモルフアス材料を生成するのにはマイク
ロ波エネルギを使用し、従つて、組成的に調整さ
れた又は様々なアモルフアス半導体合金の基板上
への有利な層状デポジシヨンを可能とする。
様々なアモルフアス材料を生成するのにはマイク
ロ波エネルギを使用し、従つて、組成的に調整さ
れた又は様々なアモルフアス半導体合金の基板上
への有利な層状デポジシヨンを可能とする。
好ましくは上記方法において、反応ガスを選択
的に励起する工程が、反応ガスを個別に励起し、
続いて励起された種を受容面上へと導入すること
を含み得る。
的に励起する工程が、反応ガスを個別に励起し、
続いて励起された種を受容面上へと導入すること
を含み得る。
更に、上記の方法は一対のマイクロ波エネルギ
源を使用し、各反応ガスをそれぞれマイクロ波源
の一方によつて励起するようにしてもよい。
源を使用し、各反応ガスをそれぞれマイクロ波源
の一方によつて励起するようにしてもよい。
また、それぞれの反応ガスが異なる解離エネル
ギを有することが望ましい。
ギを有することが望ましい。
反応ガスからプラズマを生成してこのプラズマ
を直線的に移動しても良く、その際プラズマの移
動期間は合金材料の数個の原子量をデポジツトす
るのに必要な時間に比較して長く設定される必要
がある。
を直線的に移動しても良く、その際プラズマの移
動期間は合金材料の数個の原子量をデポジツトす
るのに必要な時間に比較して長く設定される必要
がある。
反応ガスが半導体含有化合物を含んでも良く、
また反応ガスの少なくとも1種類がシリコンを含
んでも良く、同様に少なくもと1種類がゲルマニ
ウムを含んでも良い。
また反応ガスの少なくとも1種類がシリコンを含
んでも良く、同様に少なくもと1種類がゲルマニ
ウムを含んでも良い。
反応ガスが、シリコンとゲルマニウムを含む場
合、アモルフアスシリコン合金層とアモルフアス
ゲルマニウム合金層とが受容面上に交互にデポジ
ツトされるのが望ましい。
合、アモルフアスシリコン合金層とアモルフアス
ゲルマニウム合金層とが受容面上に交互にデポジ
ツトされるのが望ましい。
また、上記本発明の目的は、少なくとも1個の
マイクロ波エネルギ源と、受容面上にデポジツト
されるべき少なくとも1種類の合金形成元素を
各々含有する少なくとも2種類の反応ガスを提供
する手段と、反応ガスをマイクロ波エネルギによ
つて選択的に励起し、次いでこの反応ガスから、
受容面上に合金層を交互にデポジツトするべく、
デポジツトされるべき合金形成元素を含有する励
起種を創出する手段とを有するアモルフアス合金
材料を受容面上に層状にデポジツトする装置によ
つて達成される。
マイクロ波エネルギ源と、受容面上にデポジツト
されるべき少なくとも1種類の合金形成元素を
各々含有する少なくとも2種類の反応ガスを提供
する手段と、反応ガスをマイクロ波エネルギによ
つて選択的に励起し、次いでこの反応ガスから、
受容面上に合金層を交互にデポジツトするべく、
デポジツトされるべき合金形成元素を含有する励
起種を創出する手段とを有するアモルフアス合金
材料を受容面上に層状にデポジツトする装置によ
つて達成される。
上記装置においては組成的に調整された又な
様々なアモルフアス材料を生成するのにはマイク
ロ波エネルギを使用し、従つて、組成的に調整さ
れた又は様々なアモルフアス半導体合金の基板上
への有利な層状デポジシヨンを可能とする。
様々なアモルフアス材料を生成するのにはマイク
ロ波エネルギを使用し、従つて、組成的に調整さ
れた又は様々なアモルフアス半導体合金の基板上
への有利な層状デポジシヨンを可能とする。
好ましくは、反応ガスを選択的に励起する手段
が、励起された種を個別に創出するべく反応ガス
を個別に創出するべく反応ガスを個別に励起する
手段を含み、更に個別に創出された励起種を続い
て受容面上へと導入する手段を有する。
が、励起された種を個別に創出するべく反応ガス
を個別に創出するべく反応ガスを個別に励起する
手段を含み、更に個別に創出された励起種を続い
て受容面上へと導入する手段を有する。
また、上記方法は反応ガスを混合して反応ガス
混合物を形成する手段を備えても良く、この場
合、受容面及び反応ガス混合物を収容する実質的
に閉じられたチヤンバ、及びマイクロ波エネルギ
を、反応ガス混合物からプラズマを生成するべく
チヤンバ内へと接続する手段を有することが望ま
しく、更に励起された種を選択的に創出し、続い
て合金層を受容面上にデポジツトするために上記
プラズマを反応ガス混合物の流動方向へ移動する
手段を有することが望ましい。
混合物を形成する手段を備えても良く、この場
合、受容面及び反応ガス混合物を収容する実質的
に閉じられたチヤンバ、及びマイクロ波エネルギ
を、反応ガス混合物からプラズマを生成するべく
チヤンバ内へと接続する手段を有することが望ま
しく、更に励起された種を選択的に創出し、続い
て合金層を受容面上にデポジツトするために上記
プラズマを反応ガス混合物の流動方向へ移動する
手段を有することが望ましい。
第1図の符号10は、本発明法の一実施例の実
施に適したマイクロ波デポジシヨン装置を示す。
装置10は管状チヤンバ即ち容冠器12を含んで
おり、チヤンバ12は、アモルフアス半導体合金
薄膜がデポジツトされる被着面を有する基板14
を収容している。基板はヒーター16によつて加
熱されており、チヤンバの外側は可動マイクロ波
エネルギ源17によつて照射されている。チヤン
バ12の対向両端の導入口46から導出口20に
流れる反応ガスは、源17からマイクロ波エネル
ギを受容する。反応ガスと源17のマイクロ波エ
ネルギとの結合によりプラズマが形成される。よ
り十分に後述する如く源17の移動に伴つてプラ
ズマも移動し、層状構造を有する薄膜22のデポ
ジシヨンが行なわれる。本実施例によれば、反応
ガスが少なくとも2種の反応ガスを含んでおり、
各ガスが少なくとも1種類のデポジツト用合金元
素を含む。基板の温度は室温と約400℃との範囲
であればよく、マイクロ波エネルギの周波数は
2.45GHz以上であれば良く好ましくは2.45GHzで
ある。前述の如くマイクロ波エネルギと反応ガス
との結合によりプラズマが形成され且つ源17が
移動するので、反応ガスが選択的に励起され、材
料層状デポジシヨンプロセスを進行せしめる。プ
ロセス中に、プラズマ中のイオン濃度が比較的低
く基板のセルフバイアスが小さいので薄膜22は
イオン衝撃による損傷作用から保護される。
施に適したマイクロ波デポジシヨン装置を示す。
装置10は管状チヤンバ即ち容冠器12を含んで
おり、チヤンバ12は、アモルフアス半導体合金
薄膜がデポジツトされる被着面を有する基板14
を収容している。基板はヒーター16によつて加
熱されており、チヤンバの外側は可動マイクロ波
エネルギ源17によつて照射されている。チヤン
バ12の対向両端の導入口46から導出口20に
流れる反応ガスは、源17からマイクロ波エネル
ギを受容する。反応ガスと源17のマイクロ波エ
ネルギとの結合によりプラズマが形成される。よ
り十分に後述する如く源17の移動に伴つてプラ
ズマも移動し、層状構造を有する薄膜22のデポ
ジシヨンが行なわれる。本実施例によれば、反応
ガスが少なくとも2種の反応ガスを含んでおり、
各ガスが少なくとも1種類のデポジツト用合金元
素を含む。基板の温度は室温と約400℃との範囲
であればよく、マイクロ波エネルギの周波数は
2.45GHz以上であれば良く好ましくは2.45GHzで
ある。前述の如くマイクロ波エネルギと反応ガス
との結合によりプラズマが形成され且つ源17が
移動するので、反応ガスが選択的に励起され、材
料層状デポジシヨンプロセスを進行せしめる。プ
ロセス中に、プラズマ中のイオン濃度が比較的低
く基板のセルフバイアスが小さいので薄膜22は
イオン衝撃による損傷作用から保護される。
更に第1図を詳細に説明すると、管状チヤンバ
12は、対向両端に中央石英部分24と端部分2
6とを含む。端部分26は一対の端部取付部材3
0,32によつて閉鎖されており、これによりチ
ヤンバが完成される。端部取付部材の各々は閉鎖
端36から開口端まで延びるスリーブ部分34を
含む。開口端に設けられたネジにカラー40が取
付られている。カラー40の一端は、内側に延び
る環状フランジ42を備える。石英部分24に対
して端部分を圧縮するために、フランジ42と端
部分との間のスペースに(図示しない)Oリング
が嵌着されている。これにより、端部取付部材3
0,32と管状チヤンバ12との間に気密シール
が形成されている。
12は、対向両端に中央石英部分24と端部分2
6とを含む。端部分26は一対の端部取付部材3
0,32によつて閉鎖されており、これによりチ
ヤンバが完成される。端部取付部材の各々は閉鎖
端36から開口端まで延びるスリーブ部分34を
含む。開口端に設けられたネジにカラー40が取
付られている。カラー40の一端は、内側に延び
る環状フランジ42を備える。石英部分24に対
して端部分を圧縮するために、フランジ42と端
部分との間のスペースに(図示しない)Oリング
が嵌着されている。これにより、端部取付部材3
0,32と管状チヤンバ12との間に気密シール
が形成されている。
端部取付部材30,32は好ましくはステンレ
ス鋼又は別の適当な無腐食性金属から成り、閉鎖
端36は溶接又は他の方法でスリーブ部分34に
永久的に接合されている。端部取付部材30,3
2の閉鎖端36は容器12内に反応ガスが導入す
るためのガス導入口46を備える。プラズマの維
持を助けるためにアルゴンの如き不活性ガスが1
つの導入口46から導入され得る。
ス鋼又は別の適当な無腐食性金属から成り、閉鎖
端36は溶接又は他の方法でスリーブ部分34に
永久的に接合されている。端部取付部材30,3
2の閉鎖端36は容器12内に反応ガスが導入す
るためのガス導入口46を備える。プラズマの維
持を助けるためにアルゴンの如き不活性ガスが1
つの導入口46から導入され得る。
ガス導入口46は好ましくは、反応ガスが内部
で調整流量に維持されるように(図示しない)従
来のガスラツクに接続されている端部取付部材3
0の閉鎖端36に備えられた導出口20は、第1
ポンプ及び第2のポンプに選択的に接続され得
る。第1ポンプはチヤンバの初期排気を行なう。
第2ポンプは、処理中の非使用反応ガスの除去と
1トール以上の適性デポジシヨン圧力の維持とを
行なう。
で調整流量に維持されるように(図示しない)従
来のガスラツクに接続されている端部取付部材3
0の閉鎖端36に備えられた導出口20は、第1
ポンプ及び第2のポンプに選択的に接続され得
る。第1ポンプはチヤンバの初期排気を行なう。
第2ポンプは、処理中の非使用反応ガスの除去と
1トール以上の適性デポジシヨン圧力の維持とを
行なう。
マイクロ波エネルギ源17は好ましくは、アン
テナ19に接続されたマイクロ波エネルギ発生器
を含む。アンテナ19はマイクロ波エネルギをチ
ヤンバ12内に集中せしめる反射ハウジング21
に内蔵されている。反射ハウジング21は、ハウ
ジング21とアンテナ19とを矢印25に示す如
く前後に直線運動させるアンテナ移動機構23に
接続されている。アンテナの移動に伴つてプラズ
マが、符号27に示す第1位置から符号27′に
示す第2位置まで移動する。プラズマの移動方向
は、導入口46から導出口20に流れる反応ガス
の流動方向と同じである。図示のアンテナは、好
ましくは四分の一波長の垂直アンテナである。反
応ガスへの出力伝達を最大にするためにアンテナ
の先端が容器12の外面に僅かに接触している。
テナ19に接続されたマイクロ波エネルギ発生器
を含む。アンテナ19はマイクロ波エネルギをチ
ヤンバ12内に集中せしめる反射ハウジング21
に内蔵されている。反射ハウジング21は、ハウ
ジング21とアンテナ19とを矢印25に示す如
く前後に直線運動させるアンテナ移動機構23に
接続されている。アンテナの移動に伴つてプラズ
マが、符号27に示す第1位置から符号27′に
示す第2位置まで移動する。プラズマの移動方向
は、導入口46から導出口20に流れる反応ガス
の流動方向と同じである。図示のアンテナは、好
ましくは四分の一波長の垂直アンテナである。反
応ガスへの出力伝達を最大にするためにアンテナ
の先端が容器12の外面に僅かに接触している。
ヒーターは好ましくは、基板保持アセンブリ1
6に内蔵された従来の抵抗発熱体から成る。発熱
体への給電線17は1つの端部取付部材の閉鎖端
36を貫通する。
6に内蔵された従来の抵抗発熱体から成る。発熱
体への給電線17は1つの端部取付部材の閉鎖端
36を貫通する。
処理の際、システム10は先ずポンプによつ
て、所望デポジシヨン圧力より低圧例えば10-5ト
ールまで排気される。四フツ化シリコン(SiF4)
又はシラン(SiH4)及びゲルマン(GeH4)又は
四フツ化ゲルマニウムの如き反応ガスが別々の導
入管46から供給され、チヤンバ12は所望の作
動圧力例えば0.1トールに達する。前記反応ガス
に水素(H2)を添加してもよい。
て、所望デポジシヨン圧力より低圧例えば10-5ト
ールまで排気される。四フツ化シリコン(SiF4)
又はシラン(SiH4)及びゲルマン(GeH4)又は
四フツ化ゲルマニウムの如き反応ガスが別々の導
入管46から供給され、チヤンバ12は所望の作
動圧力例えば0.1トールに達する。前記反応ガス
に水素(H2)を添加してもよい。
アンテナ19からのマイクロ波エネルギは反応
ハウジング21によつて容器内部に向けられ、ア
ンテナ19とハウジング21とは、基板上方で移
動プラズマを形成すべく図示の如く移動させられ
る。ゲルマニウム含有ガス(GeH4又はGeF4)は
シリコン含有ガス(SiH4又はSiF4)より低い解
離エネルギを有するので、プラズマ領域にぶつか
ると選択的に励起される。このため、最初はゲル
マニウム濃度の高いアモルフアス半導体薄膜がデ
ポジツトされる。混合ガスのプラズマ領域内通過
に伴つてゲルマニウム含有の励起種が消費されて
次第に減少し、シリコン含有の励起種が残る。こ
のため、シリコン濃度の高いアモルフアス半導体
薄膜がデポジツトされる。図示の如きアンテナ前
後往復移動に伴つて前記プロセスが継続し、その
結果基板上に、アモルフアスゲルマニウム合金と
アモルフアスシリコン合金との交互層がデポジツ
トされる。材料の複数の原子層(atomiclayer)
をデポジツトするのに必要な時間に比較してアン
テナ19の移動期間が長ければ、ゲルマニウムに
富む合金とシリコンに富む合金との交互層が形成
されるのであろう。その結果、前記層状構造を有
するアモルフアス半導体合金薄膜22が基板14
上にデポジツトされる。ヒーター16は基板を約
20℃から400℃の範囲の温度に磯持する。マイク
ロ波エネルギ発生器18の出力パワーは、約0.1
から1ワツト/cm3の電力密度に調整される。反応
ガスの流量は、直径5cm(2インチ)の反応チヤ
ンバの場合、1から10SCCMであればよい。前記
のシステムパラメータの場合、25Åから250Å/
秒のデポジシヨン速度を達成し得る。
ハウジング21によつて容器内部に向けられ、ア
ンテナ19とハウジング21とは、基板上方で移
動プラズマを形成すべく図示の如く移動させられ
る。ゲルマニウム含有ガス(GeH4又はGeF4)は
シリコン含有ガス(SiH4又はSiF4)より低い解
離エネルギを有するので、プラズマ領域にぶつか
ると選択的に励起される。このため、最初はゲル
マニウム濃度の高いアモルフアス半導体薄膜がデ
ポジツトされる。混合ガスのプラズマ領域内通過
に伴つてゲルマニウム含有の励起種が消費されて
次第に減少し、シリコン含有の励起種が残る。こ
のため、シリコン濃度の高いアモルフアス半導体
薄膜がデポジツトされる。図示の如きアンテナ前
後往復移動に伴つて前記プロセスが継続し、その
結果基板上に、アモルフアスゲルマニウム合金と
アモルフアスシリコン合金との交互層がデポジツ
トされる。材料の複数の原子層(atomiclayer)
をデポジツトするのに必要な時間に比較してアン
テナ19の移動期間が長ければ、ゲルマニウムに
富む合金とシリコンに富む合金との交互層が形成
されるのであろう。その結果、前記層状構造を有
するアモルフアス半導体合金薄膜22が基板14
上にデポジツトされる。ヒーター16は基板を約
20℃から400℃の範囲の温度に磯持する。マイク
ロ波エネルギ発生器18の出力パワーは、約0.1
から1ワツト/cm3の電力密度に調整される。反応
ガスの流量は、直径5cm(2インチ)の反応チヤ
ンバの場合、1から10SCCMであればよい。前記
のシステムパラメータの場合、25Åから250Å/
秒のデポジシヨン速度を達成し得る。
本実施例は、第3図に示す如き光電池デバイス
の製造に使用され得る。アモルフアスゲルマニウ
ム合金層とアモルフアスシリコン合金層とが交互
にデポジツトされた層状材料をタンデム形光電池
の狭バンドキヤツプ領域として使用し得る。デバ
イスの残りの領域即ち層状でない真性領域とドー
プ領域とは、アンテナを静止させておき適当な反
応ガスを導入口46から導入して形成され得る。
真性領域を形成するとき、反応ガスは、ゲルマン
(GeH4)、四フツ化ゲルマニウム(GeF4)、シラ
ン(SiH4)又は四フツ化シリコン(SiF4)及
び/又は水素を含み得る。所望の特性次第ではこ
れらの反応ガスを組合せてもよい。また、広いバ
ンドギヤツプを必要とするときは、窒素又は炭素
の如きバンドキヤツプ拡大用元素をアンモニウム
ガス(NH3)又はメタンガス(CH4)の形状で
添加し得る。
の製造に使用され得る。アモルフアスゲルマニウ
ム合金層とアモルフアスシリコン合金層とが交互
にデポジツトされた層状材料をタンデム形光電池
の狭バンドキヤツプ領域として使用し得る。デバ
イスの残りの領域即ち層状でない真性領域とドー
プ領域とは、アンテナを静止させておき適当な反
応ガスを導入口46から導入して形成され得る。
真性領域を形成するとき、反応ガスは、ゲルマン
(GeH4)、四フツ化ゲルマニウム(GeF4)、シラ
ン(SiH4)又は四フツ化シリコン(SiF4)及
び/又は水素を含み得る。所望の特性次第ではこ
れらの反応ガスを組合せてもよい。また、広いバ
ンドギヤツプを必要とするときは、窒素又は炭素
の如きバンドキヤツプ拡大用元素をアンモニウム
ガス(NH3)又はメタンガス(CH4)の形状で
添加し得る。
ドープ領域は、p形又はn形のデポジツト膜を
形成するドーパントを容器12内に導入すること
によつて形成される。例えば、p形薄膜の形成に
はジボランガス(B2H6)、n形薄膜の形成にはホ
スフインガス(PH3)を導入口46の1つから導
入すればよい。反応ガスを順次的に導入して所望
の任意のデバイス構成を形成することが可能であ
る。
形成するドーパントを容器12内に導入すること
によつて形成される。例えば、p形薄膜の形成に
はジボランガス(B2H6)、n形薄膜の形成にはホ
スフインガス(PH3)を導入口46の1つから導
入すればよい。反応ガスを順次的に導入して所望
の任意のデバイス構成を形成することが可能であ
る。
第2図は、反応ガスが別々に励起され、励起さ
れた種が基板に順次導入されて各々のアモルフア
ス合金層を交互にデポジツトするシステムを示
す。システム50は、実質的に密閉された容器即
ちチヤンバ52を含んでおり、チヤンバ52は、
合金元素が層状にデポジツトされる基板14を収
容している。システム50は更に一対のマイクロ
波エネルギ源54,56と対応する一対の“ウツ
ズホーン(Woodshorn)”58,60と切替回路
62とを含む。ウツズホーン58,60の各々
は、夫々に反応ガスが供給される導入口58a,
60aを有する。
れた種が基板に順次導入されて各々のアモルフア
ス合金層を交互にデポジツトするシステムを示
す。システム50は、実質的に密閉された容器即
ちチヤンバ52を含んでおり、チヤンバ52は、
合金元素が層状にデポジツトされる基板14を収
容している。システム50は更に一対のマイクロ
波エネルギ源54,56と対応する一対の“ウツ
ズホーン(Woodshorn)”58,60と切替回路
62とを含む。ウツズホーン58,60の各々
は、夫々に反応ガスが供給される導入口58a,
60aを有する。
四フツ化ゲルマニウム(GeF4)又はゲルマン
(GeH4)の如き反応ガスは導入口60aに供給
され、四フツ化シリコン(SiF4)又はシラン
(SiH4)の如き反応ガスはホーン58の導入口5
8aに供給され得る。流量は例えば15SCCMであ
る。マイクロ波源56,54の選択的起動によつ
て反応ガスが選択的に励起される。チヤンバ52
内の圧力は、ウツズホーン58,60の圧力を下
回る値に維持される。
(GeH4)の如き反応ガスは導入口60aに供給
され、四フツ化シリコン(SiF4)又はシラン
(SiH4)の如き反応ガスはホーン58の導入口5
8aに供給され得る。流量は例えば15SCCMであ
る。マイクロ波源56,54の選択的起動によつ
て反応ガスが選択的に励起される。チヤンバ52
内の圧力は、ウツズホーン58,60の圧力を下
回る値に維持される。
処理の際、1つのマイクロ波源例えば源56を
起動する。これによりマイクロ波エネルギは内部
の反応ガス例えばゲルマンを励起し、ゲルマニウ
ム含有の励起種を生成する。この種はホーンから
加工し基板14に衝突して基板上にアモルフアス
ゲルマニウム合金層をデポジツトする。その直後
に、別の源54が作動し、ホーン58内の反応ガ
ス例えばシラン(SiH4)を選択的及び個別的に
励起し、アモルフアスゲルマニウム合金層の上に
アモルフアスシリコン合金層をデポジツトする。
所望の厚みの薄膜を形成すべく十分な数の層が交
互にデポジツトされるまで前記プロセスが継続す
る。本明細書では、交互にデポジツトされるアモ
ルフアス合金層がシリコン及びゲルマニウムであ
るが、本発明によれば任意の別の基体状合金元素
をマイクロ波エネルギを使用してデポジツトし得
ることが理解されよう。
起動する。これによりマイクロ波エネルギは内部
の反応ガス例えばゲルマンを励起し、ゲルマニウ
ム含有の励起種を生成する。この種はホーンから
加工し基板14に衝突して基板上にアモルフアス
ゲルマニウム合金層をデポジツトする。その直後
に、別の源54が作動し、ホーン58内の反応ガ
ス例えばシラン(SiH4)を選択的及び個別的に
励起し、アモルフアスゲルマニウム合金層の上に
アモルフアスシリコン合金層をデポジツトする。
所望の厚みの薄膜を形成すべく十分な数の層が交
互にデポジツトされるまで前記プロセスが継続す
る。本明細書では、交互にデポジツトされるアモ
ルフアス合金層がシリコン及びゲルマニウムであ
るが、本発明によれば任意の別の基体状合金元素
をマイクロ波エネルギを使用してデポジツトし得
ることが理解されよう。
第3図は、本実施例を利用して製造されたタン
デム形光電池を示す。該光電池は1種類のアモル
フアス半導体合金を含む連続する複数個のP−i
−n領域と本発明の相状構造を含む少なくとも1
つの領域とから形成されている。
デム形光電池を示す。該光電池は1種類のアモル
フアス半導体合金を含む連続する複数個のP−i
−n領域と本発明の相状構造を含む少なくとも1
つの領域とから形成されている。
タンデム形光電池デバイス70は、P−i−n
形電池72a,72b,72cを複数個含む。最
下位の電池72aが基板71の上に位置してい
る。基板71は、ステンレス鋼、アルミニウム、
タンタル、モリブデン又はクロメの如き金属材料
から形成され得る。第3図のデバイス70の基板
71は正反射膜75を備える。正反射膜75は、
例えば、銀、金、銅、クロム、モリブデン又はア
ルミニウムの如き反射材を基板71に蒸着するこ
とによつて形成される。この種の反射膜は、デバ
イスの活性領域を最切に通過する間に吸収されな
かつた光をデバイスに逆反射し前記活性領域を再
度通過させる。アモルフアスシリコン又はゲルマ
ニウム合金はすぐれた吸光体であるから、吸収さ
れなかつた光をもう一度デバイスに通すことによ
つて短絡電流の有為な増加とデバイスの効率向上
とが得られる。
形電池72a,72b,72cを複数個含む。最
下位の電池72aが基板71の上に位置してい
る。基板71は、ステンレス鋼、アルミニウム、
タンタル、モリブデン又はクロメの如き金属材料
から形成され得る。第3図のデバイス70の基板
71は正反射膜75を備える。正反射膜75は、
例えば、銀、金、銅、クロム、モリブデン又はア
ルミニウムの如き反射材を基板71に蒸着するこ
とによつて形成される。この種の反射膜は、デバ
イスの活性領域を最切に通過する間に吸収されな
かつた光をデバイスに逆反射し前記活性領域を再
度通過させる。アモルフアスシリコン又はゲルマ
ニウム合金はすぐれた吸光体であるから、吸収さ
れなかつた光をもう一度デバイスに通すことによ
つて短絡電流の有為な増加とデバイスの効率向上
とが得られる。
電池72a,72b及び72cの各々は、n形
導電領域80a,80b,80cと、真性領域7
8a,78b,78cと、p形導電領域76a,
76b,76cとを含む。図示の電池はP−i−
n電池であるが、マルチ形n−i−p電池も勿論
本発明の範囲に含まれる。
導電領域80a,80b,80cと、真性領域7
8a,78b,78cと、p形導電領域76a,
76b,76cとを含む。図示の電池はP−i−
n電池であるが、マルチ形n−i−p電池も勿論
本発明の範囲に含まれる。
半導体合金層のデポジシヨンに続いて、別の環
境中で又は連続プロセスの一部として、別のデポ
ジシヨンプロセスを実施してもよい。このステツ
プでは、透明導電性酸化物(transparent
conductive oxide、以下TCOと略称する。)層8
2が付加される。電池の面積が十分に広いか又は
TCO層82の導電率が不十分な場合、デバイス
に電極グリツド84を付加してもよい。グリツド
84はキヤリヤ路長を短縮し収集効率を高める。
境中で又は連続プロセスの一部として、別のデポ
ジシヨンプロセスを実施してもよい。このステツ
プでは、透明導電性酸化物(transparent
conductive oxide、以下TCOと略称する。)層8
2が付加される。電池の面積が十分に広いか又は
TCO層82の導電率が不十分な場合、デバイス
に電極グリツド84を付加してもよい。グリツド
84はキヤリヤ路長を短縮し収集効率を高める。
第3図のデバイス70に於いて、領域78bを
除くすべてのアモルフアス半導体合金領域は、第
1図の装置を使用しアンテナ19を基板上方の静
止位置に維持した状態で形成され得る。しかし乍
ら領域78bは、第1図に基いて前記に説明した
如く形成された改良構造即ちアモルフアスシリコ
ン合金とゲルマニウム合金とが交互にデポジツト
された構造を有する。アモルフアスゲルマニウム
合金のバンドキヤツプ(約1.1eV)はアモルフア
スシリコン合金のバンドキヤツプ(約1.9eV)よ
り狭い。しかし乍ら、アモルフアスシリコン合金
はアモルフアスゲルマニウム合金よりも状態密度
が低く、このため電気搬送維持がすぐれている。
除くすべてのアモルフアス半導体合金領域は、第
1図の装置を使用しアンテナ19を基板上方の静
止位置に維持した状態で形成され得る。しかし乍
ら領域78bは、第1図に基いて前記に説明した
如く形成された改良構造即ちアモルフアスシリコ
ン合金とゲルマニウム合金とが交互にデポジツト
された構造を有する。アモルフアスゲルマニウム
合金のバンドキヤツプ(約1.1eV)はアモルフア
スシリコン合金のバンドキヤツプ(約1.9eV)よ
り狭い。しかし乍ら、アモルフアスシリコン合金
はアモルフアスゲルマニウム合金よりも状態密度
が低く、このため電気搬送維持がすぐれている。
アモルフアスゲルマニウム合金とアモルフアス
シリコン合金との交互層を十分に薄く形成し得る
ので、アモルフアスゲルマニウム合金層に光子の
大部分を吸収させて荷電キヤリヤ対を生成せし
め、アモルフアスシリコン合金層に荷電キヤリヤ
の搬送を行なわせて収集効率を良くすることが可
能である。また、層が薄いので、領域78b全体
が、アモルフアスゲルマニウムの1.1eVとアモル
フアスシリコンの1.9eVとを両極端値とする複合
バンドギヤツプを有し得る。このような複合バン
ドギヤツプは、図示の如く3つの縦続電池を含む
タンデム形電池の中間電池の真性領域に層状構造
を与える場合に特に適当である。
シリコン合金との交互層を十分に薄く形成し得る
ので、アモルフアスゲルマニウム合金層に光子の
大部分を吸収させて荷電キヤリヤ対を生成せし
め、アモルフアスシリコン合金層に荷電キヤリヤ
の搬送を行なわせて収集効率を良くすることが可
能である。また、層が薄いので、領域78b全体
が、アモルフアスゲルマニウムの1.1eVとアモル
フアスシリコンの1.9eVとを両極端値とする複合
バンドギヤツプを有し得る。このような複合バン
ドギヤツプは、図示の如く3つの縦続電池を含む
タンデム形電池の中間電池の真性領域に層状構造
を与える場合に特に適当である。
第4図は、層状アモルフアス半導体合金領域の
別の用途として、該領域がホトデテクタデバイス
90に使用された例を示す。デバイス90の抵抗
は、デバイスに当る光の量に伴つて変化する。本
発明に従つてつてデポジツトされたアモルフアス
合金ボデイ92はp−n接合を有していない。該
ボデイ92は、透明電極64と基板電極96との
間に配置されている。ホトデテクタデバイスに於
いては、暗導電率を最小にすることが望まれる。
アモルフアス合金ボデイ92は、無ドープ層状領
域98と同じ導電形の層状でないドープ領域10
0,102を有する。前記導電形は、基板96と
上部電極94とに対し抵抗の低い接触を形成する
ように選択されている。層状領域98は好ましく
は、前記方法により形成されたゲルマニウム及び
シリコンのアモルフアス合金の交互層を含む。
別の用途として、該領域がホトデテクタデバイス
90に使用された例を示す。デバイス90の抵抗
は、デバイスに当る光の量に伴つて変化する。本
発明に従つてつてデポジツトされたアモルフアス
合金ボデイ92はp−n接合を有していない。該
ボデイ92は、透明電極64と基板電極96との
間に配置されている。ホトデテクタデバイスに於
いては、暗導電率を最小にすることが望まれる。
アモルフアス合金ボデイ92は、無ドープ層状領
域98と同じ導電形の層状でないドープ領域10
0,102を有する。前記導電形は、基板96と
上部電極94とに対し抵抗の低い接触を形成する
ように選択されている。層状領域98は好ましく
は、前記方法により形成されたゲルマニウム及び
シリコンのアモルフアス合金の交互層を含む。
第5図は、(ゼログラフイードラムの如き)静
電像生成デバイス110を示す。デバイス110
は、暗導電率が低く選択的波長しきい値を有して
おり無ドープ又は軽度にp形ドープの酸素安定化
された層状アモルフアス半導体合金領域112
が、ドラム又はベルトの如き適当な基板114に
デポジツトされることによつて形成されている。
また、層状領域112は好ましくは、前述の方法
で形成されたアモルフアスシリコン合金及びアモ
ルフアスゲルマニウム合金の交互層を含む。少量
の酸素を反応ガスと混合することによつて1つ以
上の層に少量の酸素を導入することも可能であ
る。
電像生成デバイス110を示す。デバイス110
は、暗導電率が低く選択的波長しきい値を有して
おり無ドープ又は軽度にp形ドープの酸素安定化
された層状アモルフアス半導体合金領域112
が、ドラム又はベルトの如き適当な基板114に
デポジツトされることによつて形成されている。
また、層状領域112は好ましくは、前述の方法
で形成されたアモルフアスシリコン合金及びアモ
ルフアスゲルマニウム合金の交互層を含む。少量
の酸素を反応ガスと混合することによつて1つ以
上の層に少量の酸素を導入することも可能であ
る。
真性合金領域以外の合金領域はアモルフアス領
域でなく例えば多結晶領域でもよい。
域でなく例えば多結晶領域でもよい。
“アモルフアス”なる用語は、長距離無秩序を
有する合金又は材料を意味しており、材料中に短
もしくは中距離秩序が存在してもよく、また時に
は或る程度結晶質粒子を含んでいてもよい。
有する合金又は材料を意味しており、材料中に短
もしくは中距離秩序が存在してもよく、また時に
は或る程度結晶質粒子を含んでいてもよい。
第1図は、本発明方法に従つてアモルフアス半
導体合金薄膜を層状で被着面にデポジツトするた
めのマイクロ波プラズマデポジシヨンシステムの
実施例の一部破断斜視図、第2図は、反応ガスを
別々に励起し、励起された種を被着面に順次導入
して層状デポジシヨンを行なうように構成された
本発明方法実施用システムの別の実施例の概略説
明図、第3図は、本発明方法の一実施例により形
成されたアモルフアス半導体合金の交互層を含む
真性領域を有するタンデム形光電池デバイスの断
面図、第4図は、本発明方法の一実施例により形
成された層状のアモルフアス半導体合金領域を含
む光検出デバイスの部分断面図、第5図は、本発
明方法の一実施例により形成された層状アモルフ
アス合金領域を含むゼログラフイードラムの部分
断面図である。 10……マイクロ波デポジシヨンデバイス、1
2……チヤンバ、14……基板、16……ヒータ
ー、17……マイクロ波エネルギ源、18……マ
イクロ波エネルギ発生器、19……アンテナ、2
0……反応ガス導出口、21……アンテナハウジ
ング、22……薄膜、23……アンテナ移動機
構、46……反応ガス導出口、50……マイクロ
波デポジシヨンシステム、52……チヤンバ、5
4,56……マイクロ波エネルギ源、58,60
……ウツズホーン、70……タンデム形光電池デ
バイス、90……ホトデテクタデバイス、110
……静電像生成デバイス。
導体合金薄膜を層状で被着面にデポジツトするた
めのマイクロ波プラズマデポジシヨンシステムの
実施例の一部破断斜視図、第2図は、反応ガスを
別々に励起し、励起された種を被着面に順次導入
して層状デポジシヨンを行なうように構成された
本発明方法実施用システムの別の実施例の概略説
明図、第3図は、本発明方法の一実施例により形
成されたアモルフアス半導体合金の交互層を含む
真性領域を有するタンデム形光電池デバイスの断
面図、第4図は、本発明方法の一実施例により形
成された層状のアモルフアス半導体合金領域を含
む光検出デバイスの部分断面図、第5図は、本発
明方法の一実施例により形成された層状アモルフ
アス合金領域を含むゼログラフイードラムの部分
断面図である。 10……マイクロ波デポジシヨンデバイス、1
2……チヤンバ、14……基板、16……ヒータ
ー、17……マイクロ波エネルギ源、18……マ
イクロ波エネルギ発生器、19……アンテナ、2
0……反応ガス導出口、21……アンテナハウジ
ング、22……薄膜、23……アンテナ移動機
構、46……反応ガス導出口、50……マイクロ
波デポジシヨンシステム、52……チヤンバ、5
4,56……マイクロ波エネルギ源、58,60
……ウツズホーン、70……タンデム形光電池デ
バイス、90……ホトデテクタデバイス、110
……静電像生成デバイス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 少なくとも、1個のマイクロ波エネルギ源を
使用し、 受容面上にデポジツトされるべき少なくとも1
種類の合金形成元素を各々含有する少なくとも2
種類の反応ガスを用い、 該反応ガスを前記のマイクロ波エネルギによつ
て選択的に励起し、次いでこの反応ガスから、前
記受容面上に合金層を交互にデポジツトするべ
く、デポジツトされるべき前記合金形成元素を含
有する励起種を創出するアモルフアス合金材料を
受容面上に層状にデポジツトする方法。 2 反応ガスを選択的に励起する上気工程が、反
応ガスを個別に励起し、続いて励起された種を受
容面上へと導入することを含む特許請求の範囲第
1項に記載の方法。 3 一対のマイクロ波エネルギ源を使用し、各反
応ガスをそれぞれ前記マイクロ波源の一方によつ
て励起する更に別に工程を特徴とする特許請求の
範囲第2項に記載の方法。 4 反応ガスが異なる解離エネルギを有する特許
請求の範囲第1項に記載の方法。 5 反応ガスからプラズマを生成してこのプラズ
マを直線的に移動し、その際プラズマの移動期間
は合金材料の数個の原子量をデポジツトするのに
必要な時間に比較して長い特許請求の範囲第1項
に記載の方法。 6 反応ガスが半導体含有化合物を含む特許請求
の範囲第1項に記載の方法。 7 反応ガスの少なくとも1種類がシリコンを含
む特許請求の範囲第6項に記載の方法。 8 反応ガスの少なくとも1種類がゲルマニウム
を含む特許請求の範囲第6項に記載の方法。 9 反応ガスがシリコン及びゲルマニウムを含
み、アモルフアスシリコン合金層とアモルフアス
ゲルマニウム合金層とが受容面上に交互にデポジ
ツトされる特許請求の範囲第1項に記載の方法。 10 少なくとも1個のマイクロ波エネルギ源
と、受容面上にデポジツトされるべき少なくとも
1種類の合金形成元素を各々含有する少なくとも
2種類の反応ガスを提供する手段と、 前記反応ガスを前記のマイクロ波エネルギによ
つて選択的に励起し、次いでこの反応ガスから、
前記受容面上に合金層を交互にデポジツトするべ
く、デポジツトされるべき前記合金形成元素を含
有する励起種を創出する手段 とを有するアモルフアス合金材料を受容面上に層
状にデポジツトする装置。 11 反応ガスを選択的に励起する上記手段が、
励起された種を個別に創出するべく反応ガスを個
別に励起する手段を含む特許請求の範囲第10項
に記載の装置。 12 個別に創出された励起種を続いて受容面上
へと導入する手段を特徴とする特許請求の範囲第
11項に記載の装置。 13 反応ガスを混合して反応ガス混合物を形成
する手段を特徴とする特許請求の範囲第10項に
記載の装置。 14 受容面及び反応ガス混合物を収容する実質
的に閉じられたチヤンバ、及びマイクロ波エネル
ギを、前記反応ガス混合物からプラズマを生成す
るべく前記チヤンバ内へと接続する手段を特徴と
する特許請求の範囲第13項に記載の装置。 15 励起された種を選択的に創出し、続いて合
金層を受容面上にデポジツトするために上記プラ
ズマを反応ガス混合物の流動方向へ移動する手段
を特徴とする特許請求の範囲第14項に記載の装
置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US43506882A | 1982-10-18 | 1982-10-18 | |
US435068 | 1989-11-13 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2248571A Division JPH073880B2 (ja) | 1982-10-18 | 1990-09-18 | 半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5990923A JPS5990923A (ja) | 1984-05-25 |
JPH0370896B2 true JPH0370896B2 (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=23726831
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58194008A Granted JPS5990923A (ja) | 1982-10-18 | 1983-10-17 | マイクロ波エネルギを用いて層状アモルフアス半導体合金を製造する方法及び装置 |
JP2248571A Expired - Lifetime JPH073880B2 (ja) | 1982-10-18 | 1990-09-18 | 半導体デバイス |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2248571A Expired - Lifetime JPH073880B2 (ja) | 1982-10-18 | 1990-09-18 | 半導体デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0106698A3 (ja) |
JP (2) | JPS5990923A (ja) |
KR (1) | KR840006564A (ja) |
AU (1) | AU560521B2 (ja) |
BR (1) | BR8305721A (ja) |
IN (1) | IN160837B (ja) |
MX (1) | MX159160A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4568614A (en) * | 1984-06-27 | 1986-02-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | Steel article having a disordered silicon oxide coating thereon and method of preparing the coating |
JPS6126774A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-06 | Canon Inc | 非晶質シリコン膜形成装置 |
JPS6185818A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-01 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS6187320A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS6188513A (ja) * | 1984-10-06 | 1986-05-06 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS6188522A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS6188520A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS6189625A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS6189624A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS6190423A (ja) * | 1984-10-10 | 1986-05-08 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPH0834771B2 (ja) * | 1984-10-18 | 1996-03-29 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
JPS6197817A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS6199324A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS61100925A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS61101022A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS61102026A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS61114515A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPH0789540B2 (ja) * | 1985-02-12 | 1995-09-27 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
JPH0789539B2 (ja) * | 1985-02-13 | 1995-09-27 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
JPS61190923A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-25 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPH0834181B2 (ja) * | 1985-02-19 | 1996-03-29 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
JPS61191020A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS61193426A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-27 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPS61222120A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPH0750684B2 (ja) * | 1985-03-27 | 1995-05-31 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
US4637895A (en) * | 1985-04-01 | 1987-01-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Gas mixtures for the vapor deposition of semiconductor material |
JPS61237418A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-22 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
JPH0624238B2 (ja) * | 1985-04-16 | 1994-03-30 | キヤノン株式会社 | フォトセンサアレイの製造方法 |
JPH0821539B2 (ja) * | 1985-04-25 | 1996-03-04 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
JPH0750685B2 (ja) * | 1985-05-01 | 1995-05-31 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
CA1292646C (en) * | 1985-07-03 | 1991-12-03 | Michael A. Tenhover | Process for the production of multi-metallic amorphous alloy coatings |
JPH0654755B2 (ja) * | 1985-07-15 | 1994-07-20 | 三井東圧化学株式会社 | 半導体薄膜の形成方法 |
US4713493A (en) * | 1985-10-11 | 1987-12-15 | Energy Conversion Devices, Inc. | Power generating optical filter |
JPH084072B2 (ja) * | 1986-01-14 | 1996-01-17 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
US4749625A (en) * | 1986-03-31 | 1988-06-07 | Hiraoka & Co., Ltd. | Amorphous metal laminate sheet |
GB9114014D0 (en) * | 1991-06-28 | 1991-08-14 | De Beers Ind Diamond | Plasma assisted diamond synthesis |
JP6455783B2 (ja) * | 2015-03-11 | 2019-01-23 | Sppテクノロジーズ株式会社 | 高周波電力システム及びこれを備えたプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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GB2033355B (en) * | 1978-09-07 | 1982-05-06 | Standard Telephones Cables Ltd | Semiconductor processing |
US4282267A (en) * | 1979-09-20 | 1981-08-04 | Western Electric Co., Inc. | Methods and apparatus for generating plasmas |
JPS571274A (en) * | 1980-06-04 | 1982-01-06 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacture of comb-shaped p-n multilayer element |
IE53485B1 (en) * | 1981-02-12 | 1988-11-23 | Energy Conversion Devices Inc | Improved photoresponsive amorphous alloys |
JPS5810871A (ja) * | 1981-07-13 | 1983-01-21 | Agency Of Ind Science & Technol | アモルフアス太陽電池 |
US4379943A (en) * | 1981-12-14 | 1983-04-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Current enhanced photovoltaic device |
-
1983
- 1983-10-11 AU AU20042/83A patent/AU560521B2/en not_active Ceased
- 1983-10-15 KR KR1019830004878A patent/KR840006564A/ko not_active Application Discontinuation
- 1983-10-17 JP JP58194008A patent/JPS5990923A/ja active Granted
- 1983-10-17 BR BR8305721A patent/BR8305721A/pt unknown
- 1983-10-17 MX MX199122A patent/MX159160A/es unknown
- 1983-10-18 EP EP83306314A patent/EP0106698A3/en not_active Withdrawn
- 1983-10-29 IN IN723/DEL/83A patent/IN160837B/en unknown
-
1990
- 1990-09-18 JP JP2248571A patent/JPH073880B2/ja not_active Expired - Lifetime
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