JP6943873B2 - Ic用電源及びそれを備えた各種ic製品、icへの電力供給方法、並びにicの駆動方法 - Google Patents

Ic用電源及びそれを備えた各種ic製品、icへの電力供給方法、並びにicの駆動方法 Download PDF

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Description

本発明は、IC(集積回路)用電源及びそれを備えた各種IC製品(特にICパッケージ、IC基板及びICデバイス)、ICへの電力供給方法、並びにICの駆動方法に関する。
近年、パーソナルコンピュータ、携帯電話等のポータブル機器の開発に伴い、その電源としての電池の需要が大幅に拡大している。このような用途に用いられる電池においては、イオンを移動させる媒体として、希釈溶媒に可燃性の有機溶媒を用いた有機溶媒等の液体の電解質(電解液)が従来使用されている。このような電解液を用いた電池においては、電解液の漏液や、発火、爆発等の問題を生ずる可能性がある。かかる問題を解消すべく、本質的な安全性確保のために、液体の電解質に代えて固体電解質を使用するとともに、その他の要素の全てを固体で構成した全固体リチウム二次電池の開発が進められている。全固体リチウム二次電池は、電解質が固体であることから、発火の心配が少なく、漏液せず、また、腐食による電池性能の劣化等の問題も生じ難い。
例えば、特許文献1(特開2013−105708号公報)には、コバルト酸リチウム(LiCoO)からなる正極層と、金属リチウムからなる負極層と、リン酸リチウムオキシナイトライドガラス電解質(LiPON)で形成されうる固体電解質層とを備えた全固体リチウム二次電池が開示されており、正極層がスパッタリングにより形成され、その厚さは1〜15μmの範囲であることが記載されている。また、正極をより厚くして容量の向上を試みた全固体リチウム二次電池も提案されている。例えば、特許文献2(特表2009−516359号公報)には、厚さが約4μmより大きく約200μm未満の正極と、厚さ約10μm未満の固体電解質と、厚さ約30μm未満の負極とを有する全固体リチウム二次電池が開示されている。これらの文献には正極活物質を配向させたとの記載は見受けられない。
また、特許文献3(国際公開第2016/152565号)には、配向正極板を用いた全固体リチウム二次電池が開示されている。この配向正極板は一定の方向に配向された複数のリチウム遷移金属酸化物粒子からなる配向多結晶体で構成されるものであるため、正極活物質を厚く設けても、正極層の厚さ全体にわたった高効率なリチウムイオンの脱挿入がしやすく、厚い正極活物質によってもたらされる容量向上効果を最大限に引き出すことができる。例えば、厚い正極層の固体電解質から離れた側に存在するリチウムも十分に充放電に活用することができる。かかる容量の向上によって、全固体リチウム二次電池のエネルギー密度をも大いに向上することができる。すなわち、かかる全固体リチウム二次電池によれば、容量及びエネルギー密度の高い電池性能が得られる。したがって、比較的薄型ないし小型でありながらも、高い容量と高いエネルギー密度を有する安全性が高い全固体リチウム二次電池を実現することができる。特に、配向正極板はセラミックス焼結体で構成できるため、スパッタリング等の気相法により形成される膜と比べて厚く形成しやすいとともに、原料粉末の秤量を厳密に行うことで組成を正確に制御しやすいとの利点もある。すなわち、配向正極板を用いた全固体リチウム二次電池は、正極を厚くして電池の容量及びエネルギー密度を高くすることができるとの利点がある。
ところで、特許文献4(国際公開第2015/170545号)には、全固体リチウム二次電池を用いた揮発性メモリ用バックアップシステムが開示されており、特に、全固体リチウム二次電池とバイパスコンデンサを組み合わせたハイブリッド型バックアップ電源を用いたバックアップシステムが開示されている。この文献には、全固体電池は、約95℃もの高温に曝されても安全かつ確実に機能できる(すなわち耐熱性を有する)とともに、薄型化又は小型化にも適しており、その結果、DRAM等のメモリを実装した基板上又はその近傍に配置できるとされている。
特開2013−105708号公報 特表2009−516359号公報 国際公開第2016/152565号 国際公開第2015/170545号
本発明者は、今般、耐熱性に優れるのみならず薄型化又は小型化にも適するという全固体リチウム二次電池の利点を最大限に活かすべく、IC(集積回路)とより密接に関わった形態の新たな用途を知見した。すなわち、全固体リチウム二次電池がIC用のバイパスコンデンサとして、及び/又は各種IC製品(特にICパッケージ、IC基板及びICデバイス)に内蔵又は搭載可能なマイクロ電源として利用可能であり、それにより様々な有用なIC関連用途を提供できるとの知見を得た。
したがって、本発明の目的は、全固体リチウム二次電池を用いて様々な有用なIC関連用途を提供することにある。
すなわち、本発明によれば以下の態様が提供される。
[項1]
IC(集積回路)用電源であって、
前記電源が、正極層、固体電解質層及び負極層を備えた全固体リチウム二次電池を備え、
前記全固体リチウム二次電池自体がバイパスコンデンサとしての機能を有し、それにより定常電流に加えて一時的に増大されたピーク電流を供給可能な、電源。
[項2]
前記固体電解質層、前記固体電解質層と前記負極層との界面、及び前記固体電解質層と前記正極層との界面が、全体として、前記全固体リチウム二次電池をバイパスコンデンサとして機能させるに足る静電容量を有し、該静電容量が前記電源を含む等価回路における寄生容量に由来する、項1に記載の電源。
[項3]
前記固体電解質層を構成する材料の比誘電率εが10〜2000である、項1又は2に記載の電源。
[項4]
前記固体電解質層は、厚さが0.1〜20μmであり、縦及び横の寸法が1〜50mmである、項1〜3のいずれか一項に記載の電源。
[項5]
前記全固体リチウム二次電池は、厚さが10〜5000μmであり、縦及び横の寸法が1〜50mmである、項1〜4のいずれか一項に記載の電源。
[項6]
前記全固体リチウム二次電池が、10〜700Wh/Lのエネルギー密度を有する、項1〜5のいずれか一項に記載の電源。
[項7]
前記正極層が層状岩塩構造を有するリチウム複合酸化物を含み、前記固体電解質層がリチウムイオン伝導材料を含み、前記負極層がリチウムを含む、項1〜5のいずれか一項に記載の電源。
[項8]
ICチップと、
前記ICチップの直上に実装される、項1〜7のいずれか一項に記載の電源と、
前記ICチップ及び前記電源を包装する包装部材と、
を備えた、二次電池内蔵ICパッケージ。
[項9]
前記二次電池内蔵ICパッケージは前記ICチップの外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まない、項8に記載の二次電池内蔵ICパッケージ。
[項10]
前記二次電池内蔵ICパッケージはバイパスコンデンサを含まない、項8に記載の二次電池内蔵ICパッケージ。
[項11]
プリント配線板と、
前記プリント配線板に実装されるICチップと、
前記プリント配線板の内層として前記ICチップの直下に組み込まれた、項1〜7のいずれか一項に記載の電源と、
前記プリント配線板、前記ICチップ及び前記電源を包装する包装部材と、
を備えた、二次電池内蔵ICパッケージ。
[項12]
前記二次電池内蔵ICパッケージは前記ICチップの外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まない、項11に記載の二次電池内蔵ICパッケージ。
[項13]
前記二次電池内蔵ICパッケージはバイパスコンデンサを含まない、項11に記載の二次電池内蔵ICパッケージ。
[項14]
プリント配線板と、
前記プリント配線板上に実装されるICチップと、
前記プリント配線板の前記ICチップと同一面上に実装される、項1〜7のいずれか一項に記載の電源と、
前記プリント配線板、前記ICチップ及び前記電源を包装する包装部材と、
を備えた、二次電池内蔵ICパッケージ。
[項15]
前記二次電池内蔵ICパッケージは前記ICチップの外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まない、項14に記載の二次電池内蔵ICパッケージ。
[項16]
前記二次電池内蔵ICパッケージはバイパスコンデンサを含まない、項14に記載の二次電池内蔵ICパッケージ。
[項17]
プリント配線板と、
前記プリント配線板上に実装されるICチップと、
を備え、項1〜7のいずれか一項に記載の電源が前記プリント配線板の内層として前記ICチップの直下に組み込まれている、二次電池内蔵IC基板。
[項18]
前記二次電池内蔵IC基板は前記ICチップの外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まない、項17に記載の二次電池内蔵IC基板。
[項19]
前記二次電池内蔵IC基板はバイパスコンデンサを含まない、項17に記載の二次電池内蔵IC基板。
[項20]
項8〜16のいずれか一項に記載の二次電池内蔵ICパッケージ又は項17〜19のいずれか一項に記載の二次電池内蔵IC基板と、
前記ICの瞬時的な高負荷動作に対して前記全固体リチウム二次電池から前記ピーク電流を前記ICに供給させ、かつ、前記高負荷動作の終了後、前記全固体リチウム二次電池を充電させる、電池制御手段と、
を備えた、二次電池内蔵ICデバイス。
[項21]
ICへの電力供給方法であって、
項1〜7のいずれか一項に記載の前記電源を用意する工程と、
前記電源をバイパスコンデンサとして利用してICに電力を供給する工程と、
前記ICへの電力の供給後、前記全固体リチウム二次電池を充電する工程と、
を含む、方法。
[項22]
前記ICへの電力の供給が、前記ICの瞬時的な高負荷動作に対して前記全固体リチウム二次電池から前記ピーク電流を前記ICに供給させるように行われ、前記高負荷動作の終了後、前記全固体リチウム二次電池が充電される、項21に記載の方法。
[項23]
プリント配線板と、
前記プリント配線板上に実装される複数個のICチップと、
前記ICチップの直上若しくは直下、又は前記ICチップの外縁から1cm以内の領域内に実装され、正極層、固体電解質層及び負極層を備えた、複数個の全固体リチウム二次電池と、
を備え、前記ICチップの各々に対して少なくとも1個の前記全固体リチウム二次電池が、前記ICチップに必要な電源電圧レベルに適合した最下流の電源として接続されており、それにより前記複数個のICチップに供給されるべき電力が前記複数個の全固体リチウム二次電池によって個別に分散されて供給される、二次電池搭載IC基板。
[項24]
前記ICチップの各々に対応する前記少なくとも1個の前記全固体リチウム二次電池が、対応する前記各ICチップの性能又は仕様に応じて個別にカスタマイズされた仕様を有する、項23に記載の二次電池搭載IC基板。
[項25]
前記全固体リチウム二次電池自体がバイパスコンデンサとしての機能を有し、それにより定常電流に加えて一時的に増大されたピーク電流を供給可能な、項23又は24に記載の二次電池搭載IC基板。
[項26]
前記固体電解質層、前記固体電解質層と前記負極層との界面、及び前記固体電解質層と前記正極層との界面が、全体として、前記全固体リチウム二次電池をバイパスコンデンサとして機能させるに足る静電容量を有し、該静電容量が前記電源を含む等価回路における寄生容量に由来する、項25に記載の二次電池搭載IC基板。
[項27]
前記固体電解質層を構成する材料の比誘電率εが10〜2000である、項23〜26のいずれか一項に記載の二次電池搭載IC基板。
[項28]
前記固体電解質層は、厚さが0.1〜20μmであり、縦及び横の寸法が1〜50mmである、項23〜27のいずれか一項に記載の二次電池搭載IC基板。
[項29]
前記全固体リチウム二次電池は、厚さが10〜5000μmであり、縦及び横の寸法が1〜50mmである、項23〜28のいずれか一項に記載の二次電池搭載IC基板。
[項30]
前記全固体リチウム二次電池が、10〜700Wh/Lのエネルギー密度を有する、項23〜29のいずれか一項に記載の二次電池搭載IC基板。
[項31]
前記正極層が層状岩塩構造を有するリチウム複合酸化物を含み、前記固体電解質層がリチウムイオン伝導材料を含み、前記負極層がリチウムを含む、項23〜30のいずれか一項に記載の二次電池搭載IC基板。
[項32]
前記ICチップの各々がそれに対応する前記電源とともに包装部材で包装され、それにより二次電池内蔵ICパッケージの形態をなす、項23〜31のいずれか一項に記載の二次電池搭載IC基板。
[項33]
前記二次電池内蔵ICパッケージは前記ICチップの外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まない、項32に記載の二次電池搭載IC基板。
[項34]
前記二次電池内蔵ICパッケージはバイパスコンデンサを含まない、項32に記載の二次電池搭載IC基板。
[項35]
前記全固体リチウム二次電池が前記プリント配線板の内層として前記ICチップの直下に組み込まれている、項23〜31のいずれか一項に記載の二次電池搭載IC基板。
[項36]
前記二次電池内蔵IC基板は前記ICチップの外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まない、項35に記載の二次電池搭載IC基板。
[項37]
前記二次電池内蔵IC基板はバイパスコンデンサを含まない、項35に記載の二次電池搭載IC基板。
[項38]
前記ICの瞬時的な高負荷動作に対して前記全固体リチウム二次電池から前記ピーク電流を前記ICに供給させ、かつ、前記高負荷動作の終了後、前記全固体リチウム二次電池を充電させる、電池制御手段をさらに備えた、項23〜37のいずれか一項に記載の二次電池搭載IC基板。
[項39]
ICと、
前記ICに接続され、正極層、固体電解質層及び負極層を備えた全固体リチウム二次電池と、
前記ICにおいて所定のパルス幅の電流で処理されるべき1つのタスクのn分割(nは2以上の整数)された部分のみを実行するように、前記全固体リチウム二次電池から前記ICに前記所定のパルス幅の均等又は不均等にn分割されたパルス幅で電流を供給した後、前記全固体リチウム二次電池を充電し、前記電流の供給及び前記全固体リチウム二次電池の充電を交互に繰り返して前記ICで処理されるべき1つのタスクを完了させる電池制御手段と、
を有する、二次電池搭載ICデバイス。
[項40]
前記全固体リチウム二次電池自体がバイパスコンデンサとしての機能を有し、それにより定常電流に加えて一時的に増大されたピーク電流を供給可能な、項39に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項41]
前記固体電解質層、前記固体電解質層と前記負極層との界面、及び前記固体電解質層と前記正極層との界面が、全体として、前記全固体リチウム二次電池をバイパスコンデンサとして機能させるに足る静電容量を有し、該静電容量が前記電源を含む等価回路における寄生容量に由来する、項40に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項42]
前記固体電解質層を構成する材料の比誘電率εが10〜2000である、項39〜41のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項43]
前記固体電解質層は、厚さが0.1〜20μmであり、縦及び横の寸法が1〜50mmである、項39〜42のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項44]
前記全固体リチウム二次電池は、厚さが10〜5000μmであり、縦及び横の寸法が1〜50mmである、項39〜43のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項45]
前記全固体リチウム二次電池が、10〜700Wh/Lのエネルギー密度を有する、項39〜44のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項46]
前記正極層が層状岩塩構造を有するリチウム複合酸化物を含み、前記固体電解質層がリチウムイオン伝導材料を含み、前記負極層がリチウムを含む、項39〜45のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項47]
前記ICチップがそれに対応する前記電源とともに包装部材で包装され、それにより二次電池内蔵ICパッケージの形態をなす、項39〜46のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項48]
前記二次電池内蔵ICパッケージは前記ICチップの外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まない、項47に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項49]
前記二次電池内蔵ICパッケージはバイパスコンデンサを含まない、項47に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項50]
前記全固体リチウム二次電池が前記プリント配線板の内層として前記ICチップの直下に組み込まれている、項39〜46のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項51]
前記二次電池内蔵IC基板は前記ICチップの外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まない、項50に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項52]
前記二次電池内蔵IC基板はバイパスコンデンサを含まない、項50に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項53]
前記電池制御手段は、前記ICの瞬時的な高負荷動作に対して前記全固体リチウム二次電池から前記ピーク電流を前記ICに供給させ、かつ、前記高負荷動作の終了後、前記全固体リチウム二次電池を充電させる、項39〜52のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
[項54]
全固体リチウム二次電池を用いたICの駆動方法であって、
正極層、固体電解質層及び負極層を備えた全固体リチウム二次電池が接続されたICを用意し、
前記ICにおいて所定のパルス幅の電流で処理されるべき1つのタスクのn分割(nは2以上の整数)された部分のみを実行するように、前記全固体リチウム二次電池から前記ICに前記所定のパルス幅の均等又は不均等にn分割されたパルス幅で電流を供給した後、
前記全固体リチウム二次電池を充電し、
前記電流の供給及び前記全固体リチウム二次電池の充電を交互に繰り返して前記ICで処理されるべき1つのタスクを完了させる工程を含む、方法。
[項55]
IC用電源として用いられる、全固体リチウム二次電池、又はイオン液体を電解液とした含むリチウムイオン二次電池の充電を促進する方法であって、
前記全固体リチウム二次電池又は前記リチウムイオン二次電池の充電を、IC動作直後の高熱状態において専ら選択的に行い、それにより充電を促進することを含む、方法。
[項56]
IC用電源として用いられる、全固体リチウム二次電池、又はイオン液体を電解液とした含むリチウムイオン二次電池の充電及び放電を促進する方法であって、
ICを伴う回路に組み込まれたヒータ又は抵抗配線を用いて前記二次電池を意図的に加熱し、それにより充電及び放電を促進することを含む、方法。
[項57]
プリント配線板、ICチップ及びIC用電源を備えたICパッケージであって、前記IC用電源が全固体リチウム二次電池であり、
前記ICパッケージが、前記ICチップの作動時に前記IC用電源の内部抵抗に起因する発熱により、前記IC用電源の作動温度を40〜120℃に加熱又は保持する機能を有する、二次電池内蔵ICパッケージ。
[項58]
プリント配線板、ICチップ及びIC用電源を備えたICパッケージであって、前記IC用電源が全固体リチウム二次電池であり、
前記ICパッケージが、前記ICチップの作動時に前記ICチップで発生した熱を前記IC用電源に伝達して、前記IC用電源の作動温度を40〜120℃に加熱又は保持する機能を有する、二次電池内蔵ICパッケージ。
[項59]
前記IC用電源の前記作動温度が60〜120℃に保持される、項57又は58に記載の二次電池内蔵ICパッケージ。
[項60]
プリント配線板、ICチップ及びIC用電源を備えたICパッケージであって、前記IC用電源が、イオン液体を電解液として含むリチウムイオン二次電池であり、
前記ICパッケージが、前記ICチップの作動時に前記IC用電源の内部抵抗に起因する発熱により、前記IC用電源の作動温度を40〜85℃に加熱又は保持する機能を有する、二次電池内蔵ICパッケージ。
[項61]
プリント配線板、ICチップ及びIC用電源を備えたICパッケージであって、前記IC用電源が、イオン液体を電解液として含むリチウムイオン二次電池であり、
前記ICパッケージが、前記ICチップの作動時に前記ICチップで発生した熱を前記IC用電源に伝達して、前記IC用電源の作動温度を40〜85℃に加熱又は保持する機能を有する、二次電池内蔵ICパッケージ。
[項62]
前記ICパッケージにおいて前記ICチップと前記IC用電源とが熱伝導性導電部材で電気的に接続されており、前記ICチップの作動時に前記ICチップで発生した熱が、前記熱伝導性導電部材を介して前記IC用電源に伝達される、項57〜61に記載の二次電池内蔵ICパッケージ。
[項63]
前記熱伝導性導電部材がグランドプレーンである、項62に記載の二次電池内蔵ICパッケージ。
[項64]
前記ICチップと前記IC用電源が前記プリント配線板の同一面上に実装され、かつ、前記ICチップ及び前記IC用電源が断熱部材で包装され、それにより前記ICチップ及び前記IC用電源からの放熱が抑制される、項57〜63のいずれか一項に記載の二次電池内蔵ICパッケージ。
[項65]
前記IC用電源が前記プリント配線板の内層として前記ICチップの直下に組み込まれており、前記プリント配線板の有する断熱性により前記IC用電源からの放熱が抑制される、項57〜63のいずれか一項に記載の二次電池内蔵ICパッケージ。
[項66]
プリント配線板、ICチップ及びIC用電源を備えたICパッケージを供する工程と、
前記ICチップの作動時に前記IC用電源の内部抵抗に起因する発熱により、前記IC用電源の作動温度を40〜120℃に加熱又は保持する工程と、
を含み、前記IC用電源が全固体リチウム二次電池である、ICチップ及びIC用電源の使用方法。
[項67]
プリント配線板、ICチップ及びIC用電源を備えたICパッケージを供する工程と、
前記ICチップの作動時に前記ICチップで発生した熱を前記IC用電源に伝達して、前記IC用電源の作動温度を40〜120℃に加熱又は保持する工程と、
を含み、前記IC用電源が全固体リチウム二次電池である、ICチップ及びIC用電源の使用方法。
[項68]
前記IC用電源の前記作動温度が60〜120℃に保持される、項66又は67に記載の方法。
[項69]
プリント配線板、ICチップ及びIC用電源を備えたICパッケージを供する工程と、
前記ICチップの作動時に前記IC用電源の内部抵抗に起因する発熱により、前記IC用電源の作動温度を40〜85℃に加熱又は保持する工程と、
を含み、前記IC用電源が、イオン液体を電解液として含むリチウムイオン二次電池である、ICチップ及びIC用電源の使用方法。
[項70]
プリント配線板、ICチップ及びIC用電源を備えたICパッケージを供する工程と、
前記ICチップの作動時に前記ICチップで発生した熱を前記IC用電源に伝達して、前記IC用電源の作動温度を40〜85℃に加熱又は保持する工程と、
を含み、前記IC用電源が、イオン液体を電解液として含むリチウムイオン二次電池である、ICチップ及びIC用電源の使用方法。
[項71]
前記ICパッケージにおいて前記ICチップと前記IC用電源とが熱伝導性導電部材で電気的に接続されており、前記ICチップの作動時に前記ICチップで発生した熱が、前記熱伝導性導電部材を介して前記IC用電源に伝達される、項66〜70に記載の方法。
[項72]
前記熱伝導性導電部材がグランドプレーンである、項71に記載の方法。
[項73]
前記ICチップと前記IC用電源が前記プリント配線板の同一面上に実装され、かつ、前記ICチップ及び前記IC用電源が断熱部材で包装され、それにより前記ICチップ及び前記IC用電源からの放熱が抑制される、項66〜72のいずれか一項に記載の方法。
[項74]
前記IC用電源が前記プリント配線板の内層として前記ICチップの直下に組み込まれており、前記プリント配線板の有する断熱性により前記IC用電源からの放熱が抑制される、項66〜72のいずれか一項に記載の方法。
[項75]
前記IC用電源が、項1〜54のいずれか一項に記載のIC用電源又は全固体リチウム二次電池であり、所望により、前記IC用電源又は全固体リチウム二次電池が、前記二次電池内蔵ICパッケージ、前記二次電池内蔵IC基板、前記二次電池搭載IC基板、及び/又は前記二次電池搭載ICデバイスの形態で提供される、項55、56及び66〜74のいずれか一項に記載の方法。
[項76]
前記IC用電源が、項1〜54のいずれか一項に記載のIC用電源又は全固体リチウム二次電池である、請求項57〜65のいずれか一項に記載の二次電池内蔵ICパッケージ。
負荷(IC)に接続された全固体リチウム二次電池の等価回路の典型例を示す図である。 過渡電流、パルス電流及びIC動作電圧の関係を示す図である。具体的には(a)は全固体リチウム二次電池の過渡電流の経時変化を、(b)はICの瞬時的な高負荷動作におけるパルス電流を、(c)はICの動作電圧の経時変化を示す。 全固体リチウム二次電池がICチップの直上に実装される場合の構成の模式的断面図である。 全固体リチウム二次電池がICチップの直下のプリント配線板の内層として実装された構成のICパッケージを模式的に示す図である。 全固体リチウム二次電池がプリント配線板のICチップと同一面上に実装される場合の構成の模式的断面図である。 全固体リチウム二次電池がICチップの直下のプリント配線板の内層として実装された構成のIC基板を模式的に示す図である。 全固体リチウム二次電池及びBMU(バッテリー・マネジメント・ユニット)をオンボードマイコン(On−Board Microcomputer)電源の用途に、POL(Point Of Load)方式で用いる概念図が示される。 電池制御手段を含むシステムの全体構成を模式的に示す概念図である。 全固体リチウム二次電池について得られたアレニウスプロットを示すグラフである。 図8に示されるアレニウスプロットを得るために測定された電圧−容量特性を示す図である。 図8に示されるアレニウスプロットに対応する温度(0℃、25℃、40℃及び60℃)と抵抗の関係をプロットしたグラフである。 イオン液体を電解液として用いたリチウムイオン二次電池について得られたアレニウスプロットを示すグラフである。 IC用電源がプリント配線板のICチップと同一面上に実装された構成の、急速充放電に適したICパッケージの模式断面図である。 IC用電源がICチップの直下のプリント配線板の内層として実装された構成の、急速充放電に適したICパッケージの模式断面図である。 全固体リチウム二次電池の一例を示す模式断面図である。 例D1で言及される人工知能(AI)用半導体チップの写真である。 例D2で言及される電池内蔵インバータの模式図である。
A.各種IC関連用途
前述のとおり、本発明によれば、全固体リチウム二次電池を用いた、様々な有用なIC(集積回路)関連用途が提供される。かかるIC関連用途は、A1)バイパスコンデンサ用途、A2)POL電源用途、A3)IC駆動手法、及びA4)急速充放電用途を包含する。いずれの用途も、ICとより密接に関わった形態に係る、全固体リチウム二次電池の新たな用途である。したがって、上記用途A1〜A4から選択される2つ以上を任意に組み合わせた形態も採用可能であることはいうまでもなく、そのような任意の組合せも本発明に包含される。なお、本明細書においてICは、CPU、DSP、メモリ、周辺回路、センサ等の各種ICを幅広く包含するものである。以下、用途A1〜A4の各々について説明する。
A1.バイパスコンデンサ用途
本発明の一態様によれば、IC用電源が提供される。IC用電源は、文字どおり、IC、すなわち集積回路への電力供給に用いられる電源である。このIC用電源は、正極層、固体電解質層及び負極層を備えた全固体リチウム二次電池を備えるものであり、典型的には全固体リチウム二次電池そのものである。そして、全固体リチウム二次電池自体がバイパスコンデンサとしての機能を有し、それにより定常電流に加えて一時的に増大されたピーク電流を供給可能である。
すなわち、前述のとおり、全固体リチウム二次電池は、耐熱性に優れるのみならず薄型化又は小型化にも適するものである。このことは全固体リチウム二次電池(すなわちIC用電源)をチップ型電子部品サイズの全固体チップ電池の形態で提供できること、さらにはそれを発熱を伴うICの直近(例えばプリント配線板の内層やICパッケージ内)に実装できることを意味する。こうすることで、配線のインダクタンス成分の影響を受けずに、応答性の高い電流を供給してIC用電源の安定化を図ることができる。加えて、薄型化又は小型化の全固体リチウム二次電池は薄型の固体電解質層(例えば固体電解質薄膜)を備えることになるが、かかる薄型の固体電解質層は等価回路における寄生容量成分の静電容量が大きいという特性を有し、この寄生容量成分がバイパスコンデンサとして機能する程十分な静電容量を有しうる。
図1に負荷(IC)に接続された全固体リチウム二次電池の等価回路の典型例が示される。図1に示される等価回路において、C及びRは固体電解質層と負極層との界面に起因する静電容量及び抵抗を意味し、Cse及びRseは固体電解質層に起因する静電容量及び抵抗を意味し、C及びRは固体電解質層と正極層との界面に起因する静電容量及び抵抗を表す。また、VOCは開放電圧を、RHFは端子抵抗を、Wは拡散抵抗を表す。そして、図1に示される等価回路において、図2(b)に示されるパルス電流に代表されるようなICの瞬時的な高負荷動作に対して、全固体リチウム電池(典型的には全固体チップ電池)が応答する電流波形のイメージは図2(a)に示されるようなものとなり、この挙動はバイパスコンデンサ機能を呈することを示唆するといえる。特に、全固体リチウム二次電池が負荷(IC)と密接に関わった形態であることで端子抵抗RHFが小さくなり、その結果、図2(a)に示される過渡電流の初期値Voc/RHFが高くなる。そして、1/C=(1/C)+(1/Cse)+(1/C)で計算されるCが大きい程、過渡電流を長い時間流すことができる。通常、全固体リチウム二次電池は満充電状態で動作し、動作後はICのパルス電流が小さくなり次第、トリクル充電で満充電に回復することができる。かかるバイパスコンデンサ機能を呈することで、図2(c)に示されるようにIC動作電圧VICの電源電圧降下が抑制され、IC用電源の安定化を図ることができる。
したがって、本発明の好ましい態様によれば、固体電解質層、固体電解質層と負極層との界面、及び固体電解質層と正極層との界面は、全体として、全固体リチウム二次電池をバイパスコンデンサとして機能させるに足る静電容量を有し、該静電容量が電源を含む等価回路における寄生容量に由来する。なお、ICの直近(例えば1cm未満の距離)に配置するバイパスコンデンサとして好ましい静電容量は0.001μF〜0.1μFであり、より好ましくは0.005μF〜0.05μFである。
IC用電源を構成する全固体リチウム二次電池の構成の詳細については「B.全固体リチウム二次電池」のセクションで後述するが、バイパスコンデンサとして機能できる点以外の利点としては以下のものが挙げられる:
‐固体電解質層の優れた耐熱性により、電池の高温動作(例えば約120℃)が可能となり、その結果、発熱体でもあるICの直近に電池を配置することができる。
‐高エネルギー密度の電池であるため、SRAM、DRAM、RTC等のためのバックアップ電源として機能することができる。
‐低リークである(すなわち漏れ電流が生じにくい)ため、エネルギーハーベスティング等の不安定な電源供給状態においても電池容量を長時間維持することができる。
上述したようなIC用電源(すなわち全固体リチウム二次電池)の利点(バイパスコンデンサとして機能可能な点及び所望によりその他の上記利点を含む)を最大限に活かした各種の好ましい態様について以下に説明する。なお、以下に説明する各種態様(すなわちICパッケージ、IC基板及びICデバイス)は、IoTモジュール用マイコン(特にSRAM等の揮発性メモリを有するもの)やIoTモジュール用ワイヤレス通信デバイス(例えばBLE(Bluetooth Low Energy)デバイス)の用途に特に適している。
本発明の好ましい態様によれば、図3に模式的に示されるように、ICチップ4と、ICチップ4の直上に実装される本発明のIC用電源10(すなわち全固体リチウム二次電池10)と、ICチップ4及び電源10を包装する包装部材6とを備えた、二次電池内蔵ICパッケージ8が提供される。このように、発熱を伴うICチップ4の直近に電源10を実装することで、配線のインダクタンス成分の影響を受けずに、応答性の高い電流を供給してIC用電源10の安定化を図ることができる。また、IC用電源10がバイパスコンデンサとしても機能することで、図2(c)に示されるようにIC動作電圧VICの電源電圧降下が抑制され、IC用電源10の更なる安定化を図ることができる。したがって、二次電池内蔵ICパッケージ8は、ICチップ4の外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まないのが好ましい。より好ましくは、二次電池内蔵ICパッケージ8はバイパスコンデンサを含まない。好ましくは、ICパッケージ8はプリント配線板2を含み、プリント配線板2上にICチップ4及びIC用電源10が順に実装される。この場合、ICチップ4及びIC用電源10はボンディングワイヤー5によってプリント配線板2にそれぞれ接続されるのが好ましく、このICパッケージ8(特にプリント配線板2)がバンプ9を介してさらに大規模の別のプリント配線板2’に実装されうる。すなわち、バンプ9によってプリント配線板2,2’間が電気的に接続される。このようなパッケージ例としてはBGA(Ball Grid Array)が挙げられる。
本発明の別の好ましい態様によれば、図4に模式的に示されるように、プリント配線板2と、プリント配線板2に実装されるICチップ4と、プリント配線板2の内層としてICチップ4の直下に組み込まれた本発明のIC用電源10(すなわち全固体リチウム二次電池10)と、プリント配線板2、ICチップ4及び電源10を包装する包装部材6とを備えた、二次電池内蔵ICパッケージ8’が提供される。このように、発熱を伴うICチップ4の直近に電源10を実装することで、配線のインダクタンス成分の影響を受けずに、応答性の高い電流を供給してIC用電源10の安定化を図ることができる。また、IC用電源10がバイパスコンデンサとしても機能することで、図2(c)に示されるようにIC動作電圧VICの電源電圧降下が抑制され、IC用電源10の更なる安定化を図ることができる。したがって、二次電池内蔵ICパッケージ8’はICチップ4の外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まないのが好ましい。より好ましくは、二次電池内蔵ICパッケージ8’はバイパスコンデンサを含まない。ICチップ4はボンディングワイヤー5によってプリント配線板2に接続されるのが好ましく、このICパッケージ8’(特にプリント配線板2)がバンプ9を介してさらに大規模の別のプリント配線板2’に実装されうる。すなわち、バンプ9によってプリント配線板2,2’間が電気的に接続される。このようなパッケージ例としてはBGA(Ball Grid Array)が挙げられる。
本発明の別の好ましい態様によれば、図5に模式的に示されるように、プリント配線板2と、プリント配線板2上に実装されるICチップ4と、プリント配線板2のICチップ4と同一面上に実装される本発明のIC用電源10(すなわち全固体リチウム二次電池10)と、プリント配線板2、ICチップ4及び電源10を包装する包装部材6とを備えた、二次電池内蔵ICパッケージ8’’が提供される。このように、発熱を伴うICチップ4の直近に電源10を実装することで、配線のインダクタンス成分の影響を受けずに、応答性の高い電流を供給してIC用電源10の安定化を図ることができる。また、IC用電源10がバイパスコンデンサとしても機能することで、図2(c)に示されるようにIC動作電圧VICの電源電圧降下が抑制され、IC用電源10の更なる安定化を図ることができる。したがって、二次電池内蔵ICパッケージ8’’はICチップ4の外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まないのが好ましい。より好ましくは、二次電池内蔵ICパッケージ8’’はバイパスコンデンサを含まない。好ましくは、ICパッケージ8’’はプリント配線板2を含み、プリント配線板2の同一面上にICチップ4及びIC用電源10が実装される。この場合、ICチップ4はボンディングワイヤー5によってプリント配線板2に接続されるのが好ましい一方、IC用電源10はワイヤーボンディングを要することなくフリップチップ実装によりプリント配線板2に接続されるのが好ましい。そして、このICパッケージ8(特にプリント配線板2)がバンプ9を介してさらに大規模の別のプリント配線板2’に実装されうる。すなわち、バンプ9によってプリント配線板2,2’間が電気的に接続される。このようなパッケージ例としてはBGA(Ball Grid Array)が挙げられる。
本発明の別の好ましい態様によれば、図6に模式的に示されるように、プリント配線板2と、プリント配線板2’上に実装されるICチップ4とを備え、本発明のIC用電源10(すなわち全固体リチウム二次電池10)がプリント配線板2’の内層としてICチップ4の直下に組み込まれている、二次電池内蔵IC基板1が提供される。このように、発熱を伴うICチップ4の直近に電源10を実装することで、配線のインダクタンス成分の影響を受けずに、応答性の高い電流を供給してIC用電源10の安定化を図ることができる。また、IC用電源10がバイパスコンデンサとしても機能することで、図2(c)に示されるようにIC動作電圧VICの電源電圧降下が抑制され、IC用電源10の更なる安定化を図ることができる。したがって、二次電池内蔵IC基板1はICチップ4の外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まないのが好ましい。より好ましくは、二次電池内蔵IC基板1はバイパスコンデンサを含まない。好ましくは、ICチップ4はICパッケージ8’’’の形態で提供され、このICパッケージ8’’’は、プリント配線板2と、プリント配線板2上に実装されるICチップ4と、プリント配線板2及びICチップ4を包装する包装部材6とを備える。この場合、ICチップ4はボンディングワイヤー5によってプリント配線板2に接続されるのが好ましく、このICパッケージ8’’’(特にプリント配線板2)がバンプ9を介してさらに大規模の別のプリント配線板2’に実装されうる。すなわち、バンプ9によってプリント配線板2,2’間が電気的に接続される。このようなパッケージ例としてはBGA(Ball Grid Array)が挙げられる。
本発明の別の好ましい態様によれば、上記二次電池内蔵ICパッケージ8,8’,8’’又は上記二次電池内蔵IC基板1と、電池制御手段(図示せず)とを備えた、二次電池内蔵ICデバイスが提供される。このような電池制御手段の例として、BMU(バッテリー・マネジメント・ユニット)が挙げられる。典型的なBMUは、二次電池の充放電(外部電源による充電と負荷への放電)を制御し、かつ、過充電保護や過放電保護の機能を有するものであり、それ故、以下の用途及び利点が考えられる。
1)負荷への定常的な電力供給を行う用途:市販のリチウム電池制御ICでユーザーが電池を使いこなせる。この用途の例としては、図7に示されるような外部電源が挙げられる。
2)過渡的な電力供給制御を伴う用途:例えばチップコンデンサ電源の代替用途である。この場合、クロックに応じて電流が急激に変化するシステム動作シーケンスと電池特性を両立させることができる。この用途の好ましい例としては、図7に示されるようなオンボードマイコン(On−Board Microcomputer)電源が挙げられる。
この点、本発明のIC用電源はバイパスコンデンサとしての機能を有し且つICの直近に実装できることから上記用途2)に用いられるのが好ましい。
したがって、好ましい電池制御手段(典型的にはBMU)は、ICの瞬時的な高負荷動作に対して全固体リチウム二次電池からピーク電流をICに供給させ、かつ、高負荷動作の終了後、全固体リチウム二次電池を充電させるものである。このように、IC用電源がバイパスコンデンサとしても機能することで、図2(c)に示されるようにIC動作電圧VICの電源電圧降下が抑制され、IC用電源の更なる安定化を図ることができる。
図8に、電池制御手段を含むシステムの全体構成が模式的に示される。図8に示されるシステムは、外部電源100と、電池制御手段102と、全固体リチウム二次電池10と、所望により設けられるDC/DCコンバータ108と、IC110とを備える。電池制御手段102は、外部電源100と全固体リチウム二次電池10との間に設けられ、チャージャー兼プロテクトIC104及びスイッチ106を備える。二次電池10はスイッチ106を介して電池制御手段102に接続する一方、DC/DCコンバータ108を介して又は介さずにIC110に電力を供給可能に接続される。スイッチ106はチャージャー兼プロテクトIC104による制御のもと、所望のタイミングで、例えば外部電源100から所望の電圧が検出された時のみONとすることができ、それにより二次電池10に電流を供給して充電を行うことができる。特に、電池制御手段102は、二次電池10の充電をIC110の高負荷電流時を外してICのスリープ状態時に行うように充放電タイミングを制御するのが好ましく(充放電シーケンス制御)、こうすることでIC110の高負荷動作と二次電池10の充電とを互いに阻害しあうことなく高効率で行うことができる。外部電源100は、通常の外部充電用電源であってもよいし、太陽電池(PV)やエネルギーハーベスティング(EH)であることもできる。なお、DC/DCコンバータ108の前段にDC/DCコンバータ108の入力電圧低下を検出する回路保護ICを挿入してもよい。IC110としては、低電圧でパルス電流の動作を必要とするICが特に好ましく、そのような例としてはIoTモジュールや環境センサ用のICが挙げられる。
本発明の別の好ましい態様によれば、ICへの電力供給方法であって、(a)IC用電源を用意する工程と、(b)電源をバイパスコンデンサとして利用してICに電力を供給する工程と、(c)ICへの電力の供給後、全固体リチウム二次電池を充電する工程とを含む、方法が提供される。好ましくは、ICへの電力の供給が、ICの瞬時的な高負荷動作に対して全固体リチウム二次電池からピーク電流をICに供給させるように行われ、高負荷動作の終了後、全固体リチウム二次電池が充電される。このように、IC用電源がバイパスコンデンサとしても機能することで、図2(c)に示されるようにIC動作電圧VICの電源電圧降下が抑制され、IC用電源の更なる安定化を図ることができる。この態様による方法の実施は上述したような各種態様(特に電池制御手段を含む態様)に従って行うことができる。
A2.POL電源用途
本発明の一態様によれば、プリント配線板と、複数個のICチップと、複数個の全固体リチウム二次電池とを備えた二次電池搭載IC基板が提供される。図3〜6に模式的かつ部分的に示されるように、ICチップ4はプリント配線板2上に実装される一方、全固体リチウム二次電池10は、ICチップ4の直上若しくは直下、又はICチップ4の外縁から1cm以内の領域内に実装される。全固体リチウム二次電池は、正極層、固体電解質層及び負極層を備える。そして、ICチップの各々に対して少なくとも1個の全固体リチウム二次電池が、ICチップに必要な電源電圧レベルに適合した最下流の電源として接続されており、それにより複数個のICチップに供給されるべき電力が複数個の全固体リチウム二次電池によって個別に分散されて供給される。
すなわち、前述のとおり、全固体リチウム二次電池は、耐熱性に優れるのみならず薄型化又は小型化にも適するものである。このことは全固体リチウム二次電池(すなわちIC用電源)をチップ型電子部品サイズの全固体チップ電池の形態で提供できること、さらにはそれを発熱を伴うICの直近(例えばICチップの直上若しくは直下、又はICチップの外縁から1cm以内の領域内)に実装できることを意味する。こうすることで、配線のインダクタンス成分の影響を受けずに、応答性の高い電流を供給してIC用電源の安定化を図ることができる。その上、本態様の二次電池搭載IC基板にあっては、複数個のICチップに供給されるべき電力が複数個の全固体リチウム二次電池によって個別に分散されて供給される。この構成は、いわゆるPOL(Point Of Load)電源として全固体リチウム二次電池を用いた態様であるといえる。すなわち、CPU、DSP、メモリ、周辺回路、センサ等のICごとの要求電圧が異なる電源の多様化と、低電圧化及び高精度化の要求が拡大している。かかる要求に応えるため、電源を各ICの直近に配置するPOL式回路設計が近年提案されており、本態様の二次電池搭載IC基板はこのPOLのコンセプトに従ったものである。このPOL電源の例が、先に言及した図7に示されるオンボードマイコン電源に相当する。POL又はオンボードマイコン電源に係る、本態様の二次電池搭載IC基板の利点としては、
i)IC電流増加に伴い電源及びIC間で生じる電圧降下や電圧変動を抑制できること、
ii)高感度RF回路やセンサ入力回路に敏感な電源ノイズを抑制できること、及び
iii)安定で高精度な電源電圧によりIC動作信頼性を向上できること
が挙げられる。また、POL又はオンボードマイコン電源に係る、本態様の二次電池搭載IC基板の適用例としては、車載ECU、ロボット制御回路、各種センサ信号処理回路、薄型テレビ等の画像処理回路、携帯電話基地局等の通信制御回路等が挙げられる。したがって、本態様の二次電池搭載IC基板の特に適する用途は大規模回路基板上のPOL電源である。
したがって、本態様の二次電池搭載IC基板において、ICチップの各々に対応する少なくとも1個の全固体リチウム二次電池が、対応する各ICチップの性能又は仕様に応じて個別にカスタマイズされた仕様を有するのが好ましい。こうすることで、CPU、DSP、メモリ、周辺回路、センサ等のICごとの要求電圧が異なる電源の多様化に好都合に対処することができる。例えば、以下の表1に例示されるように、全固体リチウム二次電池の開放電圧VOCは正極材料及び負極材料の組合せによって所望の値に設定することができるので、ICごとに最適な開放電圧VOCを与える全固体リチウム二次電池を配置すればよい。
Figure 0006943873
全固体リチウム二次電池は特に限定されず、その詳細については「B.全固体リチウム二次電池」のセクションで後述するものとする。好ましくは、全固体リチウム二次電池自体が、バイパスコンデンサとしての機能を有し、それにより定常電流に加えて一時的に増大されたピーク電流を供給可能なものである。すなわち、前述のとおり、全固体リチウム二次電池は、耐熱性に優れるのみならず薄型化又は小型化にも適するものである。そして、薄型化又は小型化の全固体リチウム二次電池は薄型の固体電解質層(例えば固体電解質薄膜)を備えることになるが、かかる薄型の固体電解質層は等価回路における寄生容量成分の静電容量が大きいという特性を有し、この寄生容量成分がバイパスコンデンサとして機能する程十分な静電容量を有しうる。
図1に負荷(IC)に接続された全固体リチウム二次電池の等価回路の典型例が示される。図1に示される等価回路において、C及びRは固体電解質層と負極層との界面に起因する静電容量及び抵抗を意味し、Cse及びRseは固体電解質層に起因する静電容量及び抵抗を意味し、C及びRは固体電解質層と正極層との界面に起因する静電容量及び抵抗を表す。また、VOCは開放電圧を、RHFは端子抵抗を、Wは拡散抵抗を表す。そして、図1に示される等価回路において、図2(b)に示されるパルス電流に代表されるようなICの瞬時的な高負荷動作に対して、全固体リチウム電池(典型的には全固体チップ電池)が応答する電流波形のイメージは図2(a)に示されるようなものとなり、この挙動はバイパスコンデンサ機能を呈することを示唆するといえる。特に、全固体リチウム二次電池が負荷(IC)と密接に関わった形態であることで端子抵抗RHFが小さくなり、その結果、図2(a)に示される過渡電流の初期値Voc/RHFが高くなる。そして、1/C=(1/C)+(1/Cse)+(1/C)で計算されるCが大きい程、過渡電流を長い時間流すことができる。通常、全固体リチウム二次電池は満充電状態で動作し、動作後はICのパルス電流が小さくなり次第、トリクル充電で満充電に回復することができる。かかるバイパスコンデンサ機能を呈することで、図2(c)に示されるようにIC動作電圧VICの電源電圧降下が抑制され、IC用電源の安定化を図ることができる。
したがって、本発明の好ましい態様によれば、固体電解質層、固体電解質層と負極層との界面、及び固体電解質層と正極層との界面は、全体として、全固体リチウム二次電池をバイパスコンデンサとして機能させるに足る静電容量を有し、該静電容量が電源を含む等価回路における寄生容量に由来する。なお、ICの直近(例えば1cm未満の距離)に配置するバイパスコンデンサとして好ましい静電容量は0.001μF〜0.1μFであり、より好ましくは0.005μF〜0.05μFである。
IC用電源を構成する全固体リチウム二次電池の構成の詳細については「B.全固体リチウム二次電池」のセクションで後述するが、バイパスコンデンサとして機能できる点以外の利点としては以下のものが挙げられる:
‐固体電解質層の優れた耐熱性により、電池の高温動作(例えば約120℃)が可能となり、その結果、発熱体でもあるICの直近に電池を配置することができる。
‐高エネルギー密度の電池であるため、SRAM、DRAM、RTC等のためのバックアップ電源として機能することができる。
‐低リークである(すなわち漏れ電流が生じにくい)ため、エネルギーハーベスティング等の不安定な電源供給状態においても電池容量を長時間維持することができる。
上述したようなIC用電源(すなわち全固体リチウム二次電池)の利点(バイパスコンデンサとして機能可能な点及び所望によりその他の上記利点を含む)を最大限に活かした各種の好ましい態様について以下に説明する。
本発明の好ましい態様によれば、図3に模式的に示されるように、ICチップ4の各々がそれに対応する電源10とともに包装部材6で包装され、それにより二次電池内蔵ICパッケージ8の形態をなす。すなわち、上述のとおり全固体リチウム二次電池10はICチップ4の直近に実装されることから、二次電池10をICパッケージ8に内蔵させることができる。また、IC用電源10はそれ自体でバイパスコンデンサとしても機能しうることから、二次電池内蔵ICパッケージ8はICチップ4の外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まないのが好ましい。より好ましくは、二次電池内蔵ICパッケージ8はバイパスコンデンサを含まない。好ましくは、ICパッケージ8はプリント配線板2を含み、プリント配線板2上にICチップ4及びIC用電源10が順に実装される。この場合、ICチップ4及びIC用電源10はボンディングワイヤー5によってプリント配線板2にそれぞれ接続されるのが好ましく、このICパッケージ8(特にプリント配線板2)がバンプ9を介してさらに大規模の別のプリント配線板2’に実装されうる。すなわち、バンプ9によってプリント配線板2,2’間が電気的に接続される。このようなパッケージ例としてはBGA(Ball Grid Array)が挙げられる。
本発明の別の好ましい態様によれば、図4及び6に模式的に示されるように、全固体リチウム二次電池10がプリント配線板2又は2’の内層としてICチップ4の直下に組み込まれている。また、IC用電源10はそれ自体でバイパスコンデンサとしても機能しうることから、二次電池内蔵IC基板1はICチップ4の外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まないのが好ましい。より好ましくは、二次電池内蔵IC基板1はバイパスコンデンサを含まない。図4及び6に示されるように、ICチップ4はボンディングワイヤー5によってプリント配線板2に接続されるのが好ましく、このプリント配線板2を含むICパッケージ8’又は8’’’がバンプ9を介してさらに大規模の別のプリント配線板2’に実装されうる。すなわち、バンプ9によってプリント配線板2,2’間が電気的に接続される。このようなパッケージ例としてはBGA(Ball Grid Array)が挙げられる。
本発明の別の好ましい態様によれば、二次電池搭載IC基板は、電池制御手段をさらに備える。このような電池制御手段の例として、BMU(バッテリー・マネジメント・ユニット)が挙げられる。典型的なBMUは、二次電池の充放電(外部電源による充電と負荷への放電)を制御し、かつ、過充電保護や過放電保護の機能を有するものであり、それ故、以下の用途及び利点が考えられる。
1)負荷への定常的な電力供給を行う用途:市販のリチウム電池制御ICでユーザーが電池を使いこなせる。この用途の例としては、図7に示されるような外部電源が挙げられる。
2)過渡的な電力供給制御を伴う用途:例えばチップコンデンサ電源の代替用途である。この場合、クロックに応じて電流が急激に変化するシステム動作シーケンスと電池特性を両立させることができる。この用途の好ましい例としては、図7に示されるようなオンボードマイコン(On−Board Microcomputer)電源が挙げられる。
この点、本発明のIC用電源はICの直近に実装できることから上記用途2)に用いられるのが特に好ましい。
したがって、好ましい電池制御手段(典型的にはBMU)は、ICの瞬時的な高負荷動作に対して全固体リチウム二次電池からピーク電流をICに供給させ、かつ、高負荷動作の終了後、全固体リチウム二次電池を充電させるものである。このように、IC用電源がバイパスコンデンサとしても機能することで、図2(c)に示されるようにIC動作電圧VICの電源電圧降下が抑制され、IC用電源の更なる安定化を図ることができる。
図8に、電池制御手段を含むシステムの全体構成が模式的に示される。図8に示されるシステムは、外部電源100と、電池制御手段102と、全固体リチウム二次電池10と、所望により設けられるDC/DCコンバータ108と、IC110とを備える。電池制御手段102は、外部電源100と全固体リチウム二次電池10との間に設けられ、チャージャー兼プロテクトIC104及びスイッチ106を備える。二次電池10はスイッチ106を介して電池制御手段102に接続する一方、DC/DCコンバータ108を介して又は介さずにIC110に電力を供給可能に接続される。スイッチ106はチャージャー兼プロテクトIC104による制御のもと、所望のタイミングで、例えば外部電源100から所望の電圧が検出された時のみONとすることができ、それにより二次電池10に電流を供給して充電を行うことができる。特に、電池制御手段102は、二次電池10の充電をIC110の高負荷電流時を外してICのスリープ状態時に行うように充放電タイミングを制御するのが好ましく(充放電シーケンス制御)、こうすることでIC110の高負荷動作と二次電池10の充電とを互いに阻害しあうことなく高効率で行うことができる。外部電源100は、通常の外部充電用電源であってもよいし、太陽電池(PV)やエネルギーハーベスティング(EH)であることもできる。なお、DC/DCコンバータ108の前段にDC/DCコンバータ108の入力電圧低下を検出する回路保護ICを挿入してもよい。IC110としては、低電圧でパルス電流の動作を必要とするICが特に好ましく、そのような例としてはIoTモジュールや環境センサ用のICが挙げられる。
A3.IC駆動手法
本発明の一態様によれば、ICと、全固体リチウム二次電池と、電池制御手段とを有する、二次電池搭載ICデバイスが提供される。全固体リチウム二次電池は、ICに接続され、正極層、固体電解質層及び負極層を備える。電池制御手段は、ICにおいて所定のパルス幅の電流で処理されるべき1つのタスクのn分割(nは2以上の整数)された部分のみを実行するように、全固体リチウム二次電池からICに所定のパルス幅の均等又は不均等にn分割されたパルス幅で電流を供給した後、全固体リチウム二次電池を充電し、電流の供給及び全固体リチウム二次電池の充電を交互に繰り返してICで処理されるべき1つのタスクを完了させる。あるいは、本発明の別の態様によれば、全固体リチウム二次電池を用いたICの駆動方法であって、(a)正極層、固体電解質層及び負極層を備えた全固体リチウム二次電池が接続されたICを用意し、(b)ICにおいて所定のパルス幅の電流で処理されるべき1つのタスクのn分割(nは2以上の整数)された部分のみを実行するように、全固体リチウム二次電池からICに所定のパルス幅の均等又は不均等にn分割されたパルス幅で電流を供給した後、(c)全固体リチウム二次電池を充電し、(d)電流の供給及び全固体リチウム二次電池の充電を交互に繰り返してICで処理されるべき1つのタスクを完了させる、方法が提供される。
すなわち、前述のとおり、全固体リチウム二次電池は、耐熱性に優れるのみならず薄型化又は小型化にも適するものである。このことは全固体リチウム二次電池(すなわちIC用電源)をチップ型電子部品サイズの全固体チップ電池の形態で提供できること、さらにはそれを発熱を伴うICの直近(例えばプリント配線板の内層やICパッケージ内)に実装できることを意味する。こうすることで、配線のインダクタンス成分の影響を受けずに、応答性の高い電流を供給してIC用電源の安定化を図ることができる。しかしながら、ICにおいて所定のパルス幅の電流で処理されるべき1つのタスクを考えた場合、そのパルス幅が長いと、ピーク電流を長く流さなければならない。しかし、図2(a)〜(c)から分かるようにピーク電流は過渡電流であるので時間とともに減衰するため、パルス幅が長いとICの電源電圧降下が顕著となり、ICを安定的に作動できなくなる。この問題に対処すべく、RHFは端子抵抗を低くして過渡電流の初期値Voc/RHFを高くする等、より高い性能の全固体リチウム二次電池を作製及び使用することが考えられる。しかしながら、そこまでしなくても本態様の二次電池搭載ICデバイスによれば上記問題に対処することができる。すなわち、本態様においては、ICにおいて所定のパルス幅の電流で処理されるべき1つのタスクを敢えてn分割(nは2以上)することを特徴としている。つまり、上記タスクのn分割された部分のみを実行するように、全固体リチウム二次電池からICに所定のパルス幅の均等又は不均等にn分割されたパルス幅で電流を供給することで、そのパルス幅を短くすることができ、その結果、パルス幅が長いことで生じうるICの電源電圧降下を顕著に抑制することができ、その分割されたタスクに対してICが安定的に作動できる。こうして分割タスクを実行した後、全固体リチウム二次電池を充電すれば二次電池は初期値Voc/RHFでピーク電流を再度供給可能となる。よって、電流の供給及び全固体リチウム二次電池の充電を交互に繰り返してICで処理されるべき1つのタスクを完了させればよい。つまり、リチウム二次電池はその都度充電されるので、分割タスクを実行するにあたり、ICに対して所望の高いピーク電流を安定的に供給することができる。したがって、本態様の二次電池搭載ICデバイスによれば、ICの電源電圧降下を顕著に抑制しながら、ICを常に安定して作動させることができる。
1つのタスクを分割数nは2以上であるが、好ましくは2〜1000、より好ましくは10〜100である。このように分割数nを大きくすることで、大きなタスクに対してもICを常に安定作動させて無理なく処理することができる。
本態様の二次電池搭載ICデバイスは、IoTモジュールや環境センサといったような、間欠的な動作を行えば足りるICに対して特に適している。すなわち、このようなICにおいては、間欠的な動作の1周期に所定のタスクを完了しさえすれば、一連の動作を特に急ぐ必要はないことから、所定のパルス幅の電流で処理されるべき1つのタスクを分割実行することで全体の作業時間(充電時間を含む)が長くなったとしても、何ら実害は無いからである。例えば、IoTモジュールや環境センサの場合、1つのタスクを、センシング、データ処理、送信、及び受信といったように、細切れの要素に分割して、各要素を充電を間に挟みながら間欠的に行えばよい。したがって、本態様のICデバイスは、IoTモジュール用マイコン(特にSRAM等の揮発性メモリを有するもの)やIoTモジュール用ワイヤレス通信デバイス(例えばBLE(Bluetooth Low Energy)デバイス)の用途に特に適している。
全固体リチウム二次電池は特に限定されず、その詳細については「B.全固体リチウム二次電池」のセクションで後述するものとする。好ましくは、全固体リチウム二次電池自体が、バイパスコンデンサとしての機能を有し、それにより定常電流に加えて一時的に増大されたピーク電流を供給可能なものである。すなわち、前述のとおり、全固体リチウム二次電池は、耐熱性に優れるのみならず薄型化又は小型化にも適するものである。そして、薄型化又は小型化の全固体リチウム二次電池は薄型の固体電解質層(例えば固体電解質薄膜)を備えることになるが、かかる薄型の固体電解質層は等価回路における寄生容量成分の静電容量が大きいという特性を有し、この寄生容量成分がバイパスコンデンサとして機能する程十分な静電容量を有しうる。
図1に負荷(IC)に接続された全固体リチウム二次電池の等価回路の典型例が示される。図1に示される等価回路において、C及びRは固体電解質層と負極層との界面に起因する静電容量及び抵抗を意味し、Cse及びRseは固体電解質層に起因する静電容量及び抵抗を意味し、C及びRは固体電解質層と正極層との界面に起因する静電容量及び抵抗を表す。また、VOCは開放電圧を、RHFは端子抵抗を、Wは拡散抵抗を表す。そして、図1に示される等価回路において、図2(b)に示されるパルス電流に代表されるようなICの瞬時的な高負荷動作に対して、全固体リチウム電池(典型的には全固体チップ電池)が応答する電流波形のイメージは図2(a)に示されるようなものとなり、この挙動はバイパスコンデンサ機能を呈することを示唆するといえる。特に、全固体リチウム二次電池が負荷(IC)と密接に関わった形態であることで端子抵抗RHFが小さくなり、その結果、図2(a)に示される過渡電流の初期値Voc/RHFが高くなる。そして、1/C=(1/C)+(1/Cse)+(1/C)で計算されるCが大きい程、過渡電流を長い時間流すことができる。通常、全固体リチウム二次電池は満充電状態で動作し、動作後はICのパルス電流が小さくなり次第、トリクル充電で満充電に回復することができる。かかるバイパスコンデンサ機能を呈することで、図2(c)に示されるようにIC動作電圧VICの電源電圧降下が抑制され、IC用電源の安定化を図ることができる。
したがって、本発明の好ましい態様によれば、固体電解質層、固体電解質層と負極層との界面、及び固体電解質層と正極層との界面は、全体として、全固体リチウム二次電池をバイパスコンデンサとして機能させるに足る静電容量を有し、該静電容量が電源を含む等価回路における寄生容量に由来する。なお、ICの直近(例えば1cm未満の距離)に配置するバイパスコンデンサとして好ましい静電容量は0.001μF〜0.1μFであり、より好ましくは0.005μF〜0.05μFである。
IC用電源を構成する全固体リチウム二次電池の構成の詳細については「B.全固体リチウム二次電池」のセクションで後述するが、バイパスコンデンサとして機能できる点以外の利点としては以下のものが挙げられる:
‐固体電解質層の優れた耐熱性により、電池の高温動作(例えば約120℃)が可能となり、その結果、発熱体でもあるICの直近に電池を配置することができる。
‐高エネルギー密度の電池であるため、SRAM、DRAM、RTC等のためのバックアップ電源として機能することができる。
‐低リークである(すなわち漏れ電流が生じにくい)ため、エネルギーハーベスティング等の不安定な電源供給状態においても電池容量を長時間維持することができる。
上述したようなIC用電源(すなわち全固体リチウム二次電池)の利点(バイパスコンデンサとして機能可能な点及び所望によりその他の上記利点を含む)を最大限に活かした各種の好ましい態様について以下に説明する。
本発明の好ましい態様によれば、図3に模式的に示されるように、ICチップ4がそれに対応する電源10とともに包装部材6で包装され、それにより二次電池内蔵ICパッケージ8の形態をなす。すなわち、上述のとおり全固体リチウム二次電池10はICチップ4の直近に実装されることから、二次電池10をICパッケージ8に内蔵させることができる。また、IC用電源10はそれ自体でバイパスコンデンサとしても機能しうることから、二次電池内蔵ICパッケージ8はICチップ4の外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まないのが好ましい。より好ましくは、二次電池内蔵ICパッケージ8はバイパスコンデンサを含まない。好ましくは、ICパッケージ8はプリント配線板2を含み、プリント配線板2上にICチップ4及びIC用電源10が順に実装される。この場合、ICチップ4及びIC用電源10はボンディングワイヤー5によってプリント配線板2にそれぞれ接続されるのが好ましく、このICパッケージ8(特にプリント配線板2)がバンプ9を介してさらに大規模の別のプリント配線板2’に実装されうる。すなわち、バンプ9によってプリント配線板2,2’間が電気的に接続される。このようなパッケージ例としてはBGA(Ball Grid Array)が挙げられる。
本発明の別の好ましい態様によれば、図4及び6に模式的に示されるように、全固体リチウム二次電池10がプリント配線板2又は2’の内層としてICチップ4の直下に組み込まれている。また、IC用電源10はそれ自体でバイパスコンデンサとしても機能しうることから、二次電池内蔵IC基板1はICチップ4の外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まないのが好ましい。より好ましくは、二次電池内蔵IC基板1はバイパスコンデンサを含まない。図4及び6に示されるように、ICチップ4はボンディングワイヤー5によってプリント配線板2に接続されるのが好ましく、このプリント配線板2を含むICパッケージ8’又は8’’’がバンプ9を介してさらに大規模の別のプリント配線板2’に実装されうる。すなわち、バンプ9によってプリント配線板2,2’間が電気的に接続される。このようなパッケージ例としてはBGA(Ball Grid Array)が挙げられる。
二次電池搭載IC基板に搭載される電池制御手段の例として、BMU(バッテリー・マネジメント・ユニット)が挙げられる。典型的なBMUは、二次電池の充放電(外部電源による充電と負荷への放電)を制御し、かつ、過充電保護や過放電保護の機能を有するものであり、それ故、以下の用途及び利点が考えられる。
1)負荷への定常的な電力供給を行う用途:市販のリチウム電池制御ICでユーザーが電池を使いこなせる。この用途の例としては、図7に示されるような外部電源が挙げられる。
2)過渡的な電力供給制御を伴う用途:例えばチップコンデンサ電源の代替用途である。この場合、クロックに応じて電流が急激に変化するシステム動作シーケンスと電池特性を両立させることができる。この用途の好ましい例としては、図7に示されるようなオンボードマイコン(On−Board Microcomputer)電源が挙げられる。
この点、本発明のIC用電源はICの直近に実装できることから上記用途2)に用いられるのが特に好ましい。
したがって、好ましい電池制御手段(典型的にはBMU)は、ICの瞬時的な高負荷動作に対して全固体リチウム二次電池からピーク電流をICに供給させ、かつ、高負荷動作の終了後、全固体リチウム二次電池を充電させるものである。このように、IC用電源がバイパスコンデンサとしても機能することで、図2(c)に示されるようにIC動作電圧VICの電源電圧降下が抑制され、IC用電源の更なる安定化を図ることができる。
図8に、電池制御手段を含むシステムの全体構成が模式的に示される。図8に示されるシステムは、外部電源100と、電池制御手段102と、全固体リチウム二次電池10と、所望により設けられるDC/DCコンバータ108と、IC110とを備える。電池制御手段102は、外部電源100と全固体リチウム二次電池10との間に設けられ、チャージャー兼プロテクトIC104及びスイッチ106を備える。二次電池10はスイッチ106を介して電池制御手段102に接続する一方、DC/DCコンバータ108を介して又は介さずにIC110に電力を供給可能に接続される。スイッチ106はチャージャー兼プロテクトIC104による制御のもと、所望のタイミングで、例えば外部電源100から所望の電圧が検出された時のみONとすることができ、それにより二次電池10に電流を供給して充電を行うことができる。特に、電池制御手段102は、二次電池10の充電をIC110の高負荷電流時を外してICのスリープ状態時に行うように充放電タイミングを制御するのが好ましく(充放電シーケンス制御)、こうすることでIC110の高負荷動作と二次電池10の充電とを互いに阻害しあうことなく高効率で行うことができる。外部電源100は、通常の外部充電用電源であってもよいし、太陽電池(PV)やエネルギーハーベスティング(EH)であることもできる。なお、DC/DCコンバータ108の前段にDC/DCコンバータ108の入力電圧低下を検出する回路保護ICを挿入してもよい。IC110としては、低電圧でパルス電流の動作を必要とするICが特に好ましく、そのような例としてはIoTモジュールや環境センサ用のICが挙げられる。
A4.急速充放電用途
全固体リチウム電池は、典型的には、120℃までの高温下で動作することができる。この優れた耐熱性を活かして全固体リチウム二次電池の急速充放電をより積極的に実現することができる。すなわち、全固体リチウム電池の等価回路における拡散抵抗を除いた内部インピーダンス成分は、図9に示されるようにアレニウスの式に則るため、高温になる程電池の内部インピーダンスは小さくなる。なお、参考のため、図10に図9に示されるアレニウスプロットを得るために測定された電圧−容量特性を、図11に図9に対応する温度(0℃、25℃、40℃及び60℃)と抵抗の関係をプロットしたグラフを示す。例えば、3μm厚のLiPON固体電解質層を備えた全固体リチウム二次電池において実測した内部インピーダンスは、図11に示されるように単位面積あたりの面抵抗で表すと、室温25℃では387Ω・cmであるのに対し、40℃では166Ω・cm、60℃では63Ω・cmと低くなる。したがって、この特性を積極的に利用すべく、電池の温度を監視するモニタリング手段を電池に設けることで、
i)IC動作直後の高熱状態に電池の充電シーケンスを設定することで急速充電を行うこと、及び
ii)抵抗配線等を利用したヒータ機能を設けることにより意図的に電池を加熱し、電池の急速充電又は高い出力電流による放電を行うこと
が可能となる。特に、上記ii)の機能は、全固体リチウム二次電池の寄生バイパスコンデンサによる瞬間的な出力電流に加え、「電池」としての高レート放電電流を出力することで、ICの電源電圧をより一層安定化させることが可能となる。
同様の考え方は、全固体リチウム二次電池のみならず、イオン液体を電解液として用いたリチウムイオン二次電池にも適用することができる。これは、イオン液体を電解液として用いたリチウムイオン二次電池においても、図12に示されるようなアレニウスの式に則ったアレニウスプロットが得られるからである。このようなリチウムイオン二次電池において、単位面積当たりの面抵抗で表した、等価回路における拡散抵抗を除いた内部インピーダンスは、室温25℃では10Ω・cmであるのに対し、45℃で6Ω・cm、60℃で4Ω・cmと低くなる。すなわち、この特性を積極的に利用すべく、電池の温度を監視するモニタリング手段を電池に設けることで、上記i)及びii)が可能となる。
したがって、上記i)に対応する好ましい態様によれば、IC用電源として用いられる、全固体リチウム二次電池、又はイオン液体を電解液とした含むリチウムイオン二次電池の充電を促進する方法であって、全固体リチウム二次電池又はリチウムイオン二次電池の充電を、IC動作直後の高熱状態において専ら選択的に行い、それにより充電を促進することを含む、方法が提供される。また、上記ii)に対応する好ましい態様によれば、IC用電源として用いられる、全固体リチウム二次電池、又はイオン液体を電解液とした含むリチウムイオン二次電池の充電及び放電を促進する方法であって、ICを伴う回路に組み込まれたヒータ又は抵抗配線を用いて二次電池を意図的に加熱し、それにより充電及び放電を促進することを含む、方法が提供される。
<急速充放電に適した二次電池内蔵ICパッケージ>
上述したような急速充放電のためのIC用電源の加熱は、a)ICチップの作動時におけるIC用電源の内部抵抗に起因する発熱、及び/又はb)ICチップの作動時にICチップで発生する熱を用いて行うのが好ましい。こうすることでヒータ等の加熱手段を別途設けることなくICチップの排熱を有効活用してIC用電源を加熱して、電池の面抵抗を低減することができる。したがって、急速充放電の実現は勿論のこと、部品点数を減らすことができ、その結果、IC製品の小型化及び低コスト化にも寄与する。上記a)及びb)のいずれにおいても、発生した熱がIC用電源に直接的又は間接的に伝達されて、IC用電源が急速充放電に適した所定の作動温度に加熱又は保持されればよい。このような手法は、以下に説明されるように、プリント配線板、ICチップ及びIC用電源を備えたICパッケージ(すなわち二次電池内蔵ICパッケージ)において望ましく実現することができる。これは、熱源(ICチップやIC用電源)を収容するICパッケージ自体の断熱性(例えば包装部材及び/又はプリント配線板の断熱性)により、ICパッケージ内で発生した熱の放出を抑制しやすいからである。
ところで、初期動作時においてIC用電源は十分に加熱されてない状態を経ることになるが、図8に示される等価回路からも理解されるように、初期動作時においてIC用電源は過渡現象による瞬間的な高出力電流を流すことができ、そうしている間にICチップ4が作動して熱を発し、その熱がIC用電源に伝達されて、IC用電源が急速充放電に適した所定の作動温度に加熱されることができる。同時に、ICチップの作動時におけるIC用電源の内部抵抗に起因する発熱によってもIC用電源は加熱されることができる。したがって、初期動作時から定常動作時に至るまでの全プロセスにおいて、IC用電源の内部インピーダンスを常に低く抑えることができ、結果として常時高レートの電流を供給することができるといえる。
IC用電源が全固体リチウム二次電池である場合、二次電池内蔵ICパッケージが、a)ICチップの作動時にIC用電源の内部抵抗に起因する発熱により、又はb)ICチップの作動時にICチップで発生した熱をIC用電源に伝達して、IC用電源の作動温度を40〜120℃(望ましくは60〜120℃)に加熱又は保持する機能を有するのが好ましい。前述のとおり、例えば、3μm厚のLiPON固体電解質層を備えた全固体リチウム二次電池において実測した内部インピーダンスは、図11に示されるように単位面積あたりの面抵抗で表すと、室温25℃では387Ω・cmであるのに対し、40℃では166Ω・cm、60℃では63Ω・cmと低くなる。したがって、全固体リチウム二次電池の作動温度を40〜120℃(望ましくは60〜120℃)にすることで格段に優れた急速充放電が可能となる。
したがって、IC用電源が全固体リチウム二次電池である場合、本発明の好ましい態様によれば、プリント配線板、ICチップ、及びIC用電源を備えたICパッケージを供する工程と、ICチップの作動時にIC用電源の内部抵抗に起因する発熱により、IC用電源の作動温度を40〜120℃(望ましくは60〜120℃)に加熱又は保持する工程とを含む、ICチップ及びIC用電源の使用方法が提供される。あるいは、本発明の別の好ましい態様によれば、プリント配線板、ICチップ及びIC用電源を備えたICパッケージを供する工程と、ICチップの作動時にICチップで発生した熱をIC用電源に伝達して、IC用電源の作動温度を40〜120℃(望ましくは60〜120℃)に加熱又は保持する工程とを含む、ICチップ及びIC用電源の使用方法が提供される。
IC用電源が、イオン液体を電解液として含むリチウムイオン二次電池(以下、イオン液体系リチウムイオン二次電池という)である場合、二次電池内蔵ICパッケージが、a)ICチップの作動時にIC用電源の内部抵抗に起因する発熱により、又はb)ICチップの作動時にICチップで発生した熱をIC用電源に伝達して、IC用電源の作動温度を40〜85℃に加熱又は保持する機能を有するのが好ましい。前述のとおり、例えば、イオン液体系リチウムイオン二次電池において、単位面積当たりの面抵抗で表した、等価回路における拡散抵抗を除いた内部インピーダンスは、室温25℃では10Ω・cmであるのに対し、45℃で6Ω・cm、60℃で4Ω・cmと低くなる。したがって、イオン液体系リチウムイオン二次電池の作動温度を40〜85℃にすることで格段に優れた急速充放電が可能となる。
したがって、IC用電源がイオン液体系リチウムイオン二次電池である場合、本発明の好ましい態様によれば、プリント配線板、ICチップ及びIC用電源を備えたICパッケージを供する工程と、ICチップの作動時にIC用電源の内部抵抗に起因する発熱により、IC用電源の作動温度を40〜85℃に加熱又は保持する工程とを含む、ICチップ及びIC用電源の使用方法が提供される。あるいは、本発明の別の好ましい態様によれば、プリント配線板、ICチップ及びIC用電源を備えたICパッケージを供する工程と、ICチップの作動時にICチップで発生した熱をIC用電源に伝達して、IC用電源の作動温度を40〜85℃に加熱又は保持する工程とを含む、ICチップ及びIC用電源の使用方法が提供される。
IC用電源が全固体リチウム二次電池及びイオン液体系リチウムイオン二次電池のいずれの場合においても、IC用電源の上記作動温度への加熱又は保持は、熱源(ICチップやIC用電源)を収容するICパッケージ自体の断熱性(例えば包装部材及び/又はプリント配線板の断熱性)により実現されるのが好ましい。したがって、包装部材及び/又はプリント配線板は断熱性の高いものが好ましい。そのような包装部材(すなわち断熱部材)の好ましい構成材料の例としては、マトリックス樹脂としてエポキシ樹脂を含み、充填材としてシリカフィラーを含む樹脂組成物が挙げられる。また、そのようなプリント配線板の好ましい構成材料(絶縁材料)の例としては、ガラスエポキシ(FR−4)が挙げられる。
IC用電源が全固体リチウム二次電池及びイオン液体系リチウムイオン二次電池のいずれの場合においても、後に詳述する図13及び14に示されるように、ICパッケージ8’’’’,8’’’’’においてICチップ4とIC用電源10とが熱伝導性導電部材7で電気的に接続されており、ICチップ4の作動時にICチップ4で発生した熱Hが、熱伝導性導電部材7を介してIC用電源10に伝達されるのが好ましい。熱伝導性導電部材7はグランドプレーンであるのが好ましい。グランドプレーンは図13及び14に熱伝導性導電部材7として示されるように抵抗を有意に下げるべく各種電子部品に広い接触面積で接続されるのが一般的であるため、ICチップ4で発生した熱Hを効率良くIC用電源10に伝達することができる、すなわち優れた伝熱パスを提供することができる。したがって、熱伝導性導電部材7ないしグランドプレーンは熱伝導率が高い導電材料で構成されるのが好ましく、そのような材料の好ましい例としては銅箔が挙げられる。
図13に、IC用電源がプリント配線板のICチップと同一面上に実装された構成の、急速充放電に適したICパッケージの一例が示される。図13に示される二次電池内蔵ICパッケージ8’’’’は、ICチップ4とIC用電源10がプリント配線板2の同一面上に実装され、かつ、ICチップ4及びIC用電源10が断熱部材6’で包装され、それによりICチップ4及びIC用電源10からの放熱が抑制される。図13において、ICチップ4は信号配線3aを介してプリント配線板2に実装される一方、IC用電源10が電源配線3bを介してプリント配線板2に実装される。このプリント配線板2を含むICパッケージ8’’’’がバンプ9を介してさらに大規模の別のプリント配線板2’に実装されうる。すなわち、バンプ9によってプリント配線板2,2’間が電気的に接続される。このようなパッケージ例としてはBGA(Ball Grid Array)が挙げられる。前述のとおり、ICチップ4とIC用電源10とが熱伝導性導電部材7としてのグランドプレーンを介して接続され、このグランドプレーンが伝熱パスとなる。こうしてICチップ4で発生した熱Hは効率良くIC用電源10へと伝達される。こうして伝達された熱を利用してIC用電源10を上述の作動温度に加熱又は保持される。このような観点から、ICチップ4及びIC用電源10を包装する断熱部材6’は断熱性の高い材料で構成されるのが好ましく、そのような材料の例としては、マトリックス樹脂としてエポキシ樹脂を含み、充填材としてシリカフィラーを含む樹脂組成物が挙げられる。図13に示される構成は、IC用電源10とICチップ4が同一面上に実装されているので、それらが同じ断熱部材6’で包装できる、すなわち簡素な構成かつ低コストで急速充放電に適した二次電池内蔵ICパッケージを提供できるとの利点がある。
図14に、IC用電源がICチップの直下のプリント配線板の内層として実装された構成の、急速充放電に適したICパッケージの一例が示される。図14に示される二次電池内蔵ICパッケージ8’’’’’は、IC用電源10がプリント配線板2の内層としてICチップ4の直下に組み込まれており、プリント配線板2の有する断熱性によりIC用電源10からの放熱が抑制される。図14において、ICチップ4は信号配線3a及び所望により貫通ビア3cを介してプリント配線板2に実装される一方、IC用電源10が熱伝導性導電部材7としてのグランドプレーンを介してプリント配線板2に実装される。このプリント配線板2を含むICパッケージ8’’’’’がバンプ9を介してさらに大規模の別のプリント配線板2’に実装されうる。すなわち、バンプ9によってプリント配線板2,2’間が電気的に接続される。このようなパッケージ例としてはBGA(Ball Grid Array)が挙げられる。前述のとおり、ICチップ4とIC用電源10とが熱伝導性導電部材7’としてのグランドプレーンを介して接続され、このグランドプレーンが伝熱パスとなる。こうしてICチップ4で発生した熱Hは効率良くIC用電源10へと伝達される。こうして伝達された熱を利用してIC用電源10を上述の作動温度に加熱又は保持される。このような観点から、IC用電源10が内層として組み込まれるプリント配線板2は絶縁材料として断熱性の高い材料を含むのが好ましく、そのような材料(絶縁材料)の例としては、ガラスエポキシ(FR−4)が挙げられる。図14に示される構成は、IC用電源10がプリント配線板2の内層としてICチップ4の直下に組み込まれている、すなわちIC用電源10とICチップ4は縦方向に異なる高さに配置される。このため、IC用電源10とICチップ4を互いに異なる材料で包装することができる。したがって、IC用電源10を断熱性の高い材料を含むプリント配線板2内に組み込む一方、ICチップ4をIC特性に応じた所望の特性の包装部材6で包装することができる、すなわちICチップ4とIC用電源10の各々に対して放熱性/断熱性に関してよりカスタマイズされた高性能な二次電池内蔵ICパッケージを提供できるとの利点がある。この場合、ICチップ4を包装する包装部材6はIC特性に応じた特性を有するように自由に設計することができ、必ずしも断熱性を有しなくてもよく、放熱性がむしろ重視される一般的なICパッケージのように放熱性を高めるように設計してもよい。例えば、ICチップ4を包装する包装部材6の好ましい構成材料は、IC特性に応じて充填材として熱伝導率の高いフィラー(例えばアルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等)を含む組成物であることができる。
なお、図13及び14を参照しつつ説明される上述の好適態様は、IC用電源が全固体リチウム二次電池及びイオン液体系リチウムイオン二次電池のいずれの場合にも適用可能であるのはいうまでもない。
B.全固体リチウム二次電池
全固体リチウム二次電池は特に限定されないが、前述したとおり、バイパスコンデンサとしての挙動を呈するものであるのが好ましい。図15に、全固体リチウム二次電池の一例を模式的に示す。図15に示されるように、全固体リチウム二次電池10は、正極層14、固体電解質層16及び負極層20を備える。正極層14は正極活物質12として層状岩塩構造を有するリチウム複合酸化物を含むのが好ましい。固体電解質層16がリチウムイオン伝導材料を含むのが好ましい。負極層20は負極活物質18としてリチウムを含むのが好ましい。そして、特許文献4(国際公開第2015/170545号)にも開示されるように、全固体リチウム二次電池によれば、容量及びエネルギー密度の高い電池性能を実現することができる。したがって、比較的薄型ないし小型でありながらも、高い容量と高いエネルギー密度を有する安全性が高い全固体電池を実現することができる。具体的には、全固体リチウム二次電池10の厚さは10〜5000μmであるのが好ましく、より好ましくは10〜1000μm、さらに好ましくは10〜500μm、特に好ましくは100〜500μmである。また、全固体リチウム二次電池10の縦及び横の寸法は1〜50mmであるのが好ましく、より好ましくは1〜20mm、さらに好ましくは1〜10mm、特に好ましくは3〜7mmである。全固体リチウム二次電池は、10〜700Wh/Lのエネルギー密度を有するのが好ましく、より好ましくは100〜700Wh/Lである。
そして、このような比較的薄型ないし小型でありながらも高容量及び高エネルギー密度を実現可能な全固体リチウム二次電池10は、今まで全固体電池の実際の応用が困難であった又は想定されてこなかった各種の用途において有利に応用可能となる。これは、高容量及び高エネルギー密度(これらは薄型化又は小型化につながる)に加えて、高い安全性(可燃性の電解液を使用しないことによる)、高い耐熱性(例えば80℃以上でも作動可能)、長寿命(高温環境下で劣化する電解液を使用しないことによる)といった各種有利な特性が実現可能なためである。また、そのような単位電池を積層させたスタック構造の全固体電池とすれば高電圧の電池も構成可能である。そして、これらの全固体リチウム二次電池の利点を最大限に活かして、前述したようなIC(集積回路)とより密接に関わった様々な形態の新たな用途が提供できるのは、前述したとおりである。
(1)正極活物質
正極層14は正極活物質12として層状岩塩構造を有するリチウム複合酸化物を含むのが好ましい。すなわち、正極活物質12に含まれる粒子が、層状岩塩構造を有するリチウム遷移金属酸化物で構成されるのが好ましい。層状岩塩構造は、リチウムイオンの吸蔵により酸化還元電位が低下し、リチウムイオンの脱離により酸化還元電位が上昇する性質があり、好ましく、中でもNiを多く含む組成は特に好ましい。ここで、層状岩塩構造とは、リチウム以外の遷移金属系層とリチウム層とが酸素原子の層を挟んで交互に積層された結晶構造、すなわち、リチウム以外の遷移金属等のイオン層とリチウムイオン層とが酸化物イオンを挟んで交互に積層された結晶構造(典型的にはα−NaFeO型構造:立方晶岩塩型構造の[111]軸方向に遷移金属とリチウムとが規則配列した構造)をいう。層状岩塩構造を有するリチウム−遷移金属系複合酸化物の典型例としては、ニッケル酸リチウム、マンガン酸リチウム、ニッケル・マンガン酸リチウム、ニッケル・コバルト酸リチウム、コバルト・ニッケル・マンガン酸リチウム、コバルト・マンガン酸リチウム等が挙げられ、これらの材料に、Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Fe,Cu,Zn,Ga,Ge,Sr,Y,Zr,Nb,Mo,Ag,Sn,Sb,Te,Ba,Bi等の元素が1種以上更に含まれていてもよい。特に好ましいリチウム複合酸化物はコバルト酸リチウムである。
正極活物質12は複数のリチウム遷移金属酸化物粒子からなる配向多結晶体(配向焼結体)で構成される配向正極板であるのが好ましい。この場合、正極活物質12を構成する配向正極板(配向多結晶体)は、無配向正極板(無配向多結晶体)よりも、厚くするのに適している。配向正極板の厚さは、単位面積当りの活物質容量を高くする観点から、5μm以上が好ましく、より好ましくは10μm以上であり、さらに好ましくは25μm以上である。厚さの上限値は特に限定されないが、現実的には500μm以下、より現実的には200μm以下、さらに現実的には100μm以下といえる。また、正極活物質12で構成される配向正極板の縦及び横の寸法は1〜50mmであるのが好ましく、より好ましくは1〜20mm、さらに好ましくは1〜10mm、特に好ましくは3〜7mmである。
なお、1枚の配向正極板で正極活物質12を構成してもよいし、配向正極板を分割して得られた複数個の小片を層状に配列させて正極活物質12を構成してもよい。
配向正極板を構成するリチウム遷移金属酸化物粒子は、厚さが2〜100μm程度の板状に形成された粒子が好ましい。特に、(003)面が正極層14から負極層20に向かう方向に配向されていることが好ましい。これにより、リチウムイオンの正極活物質12に対する脱挿入の際の抵抗にならず、高入力時(充電時)に、多くのリチウムイオンを放出することができ、高出力時(放電時)に、多くのリチウムイオンを受け入れることができる。(003)面以外の例えば(101)面や(104)面は、正極活物質12の板面に沿うように配向させてもよい。上述の粒子や配向正極板の詳細については、特許文献4(国際公開第2015/170545号)を参照することができ、この文献の開示内容は参照により本明細書に組み込まれる。
あるいは、配向正極板に含まれる複数のリチウム遷移金属酸化物粒子(以下、結晶粒という)は、(003)面が配向正極板の板面に対して平行に配向しているものであってもよい。この場合、配向正極板に含まれる結晶粒の全て平行である必要はないが、それらの大部分が平行であるのが好ましい。ここで、本明細書において「平行」とは完全な平行(すなわち0度)に限られるものではなく、略平行ともいうべき平行に準ずる角度も包含するものであり、典型的には板面と(003)面がなす角度が30度以内、より典型的には25度以内、さらに典型的には20度以内、特に典型的には15度以内、特に典型的には10度以内、最も典型的には5度以内を意味するものとする。層状岩塩構造のリチウム複合酸化物は、リチウムイオンが抜けるのに伴い、層間距離が広がる性質がある。したがって、正極活物質12で構成される配向正極板は、(003)面が板面と平行となることで、リチウムイオンが抜けることに伴う配向正極板の面方向の膨張が小さくなる。このため、充放電時における配向正極板の膨張収縮による固体電解質層16への引張応力が低減され、固体電解質層16の破損や剥がれ、クラック発生等による電気的なショートや抵抗増加を防止することができ、サイクル特性の向上につながる。配向正極板に含まれる個々の結晶粒の配向方位は電子線後方散乱回折(EBSD)により解析することができる。結晶粒(一次粒子)の配向角度の平均値(以下、「平均配向角度」という)は、0°超30°以下である。結晶粒ないし一次粒子の平均配向角度は、配向正極板の断面におけるEBSD像において、後述の方法で選択した30個程度の一次粒子の配向角度を算術平均することによって得られる。一次粒子の平均配向角度は、レート特性をより向上させることを考慮すると、30°以下が好ましく、25°以下がより好ましい。一次粒子の平均配向角度は、同様にレート特性を考慮すると、2°以上が好ましく、5°以上がより好ましい。ここで、平均配向度の算出に用いる一次粒子は、正極板断面におけるEBSD像において、像内に30個程度の一次粒子が含まれるような観察倍率を設定したときに、像内に一次粒子の外周が完全に含まれる、全ての粒子とする。なお、最大フェレー径が0.5μm未満の一次粒子は算入しないものとする。好ましくは、配向正極板の断面を電子線後方散乱回折法(EBSD)により解析した場合に、解析された断面に含まれる結晶粒のうち板面に対する(003)面の角度が0°超30°以下である結晶粒の合計面積が、断面に含まれる結晶粒の総面積に対して70%以上である。すなわち、EBSD像において、配向角度が0°超30°以下である一次粒子(以下、「低角一次粒子」という。)の合計面積は、平均配向角度の算出に用いた一次粒子の総面積に対して70%以上であることが好ましい。これによって、相互密着性の高い一次粒子の割合を増加させることができるため、レート特性をより向上させることができる。低角一次粒子の合計面積は、レート特性をより向上させることを考慮すると、平均配向角度の算出に用いた30個程度の一次粒子の総面積に対して、70%超がより好ましく、80%以上がより好ましい。また、低角一次粒子のうち配向角度が20°以下であるものの合計面積は、平均配向角度の算出に用いた30個程度の一次粒子の総面積に対して50%以上であることがより好ましい。さらに、低角一次粒子のうち配向角度が10°以下であるものの合計面積は、平均配向角度の算出に用いた30個の一次粒子の総面積に対して15%以上であることがより好ましい。
(2)固体電解質層
固体電解質層16を構成するリチウムイオン伝導材料は、ガーネット系セラミックス材料、窒化物系セラミックス材料、ペロブスカイト系セラミックス材料、リン酸系セラミックス材料、硫化物系セラミックス材料、又は高分子系材料で構成されるのが好ましく、より好ましくは、ガーネット系セラミックス材料、窒化物系セラミックス材料、ペロブスカイト系セラミックス材料、及びリン酸系セラミックス材料からなる群から選択される少なくとも一種である。ガーネット系セラミックス材料の例としては、Li−La−Zr−O系材料(具体的には、LiLaZr12など)、Li−La−Ta−O系材料(具体的には、LiLaTa12など)が挙げられる。窒化物系セラミックス材料の例としては、LiNが挙げられる。ペロブスカイト系セラミックス材料の例としては、Li−La−Ti−O系材料(具体的には、LiLa1−xTi(0.04≦x≦0.14)など)が挙げられる。リン酸系セラミックス材料の例としては、リン酸リチウム、窒素置換リン酸リチウム(LiPON)、Li−Al−Ti−P−O,Li−Al−Ge−P−O、及びLi−Al−Ti−Si−P−O(具体的には、Li1+x+yAlTi2−xSi3−y12(0≦x≦0.4、0<y≦0.6)など)が挙げられる。
特に好ましいリチウムイオン伝導材料は、負極リチウムと直接接触しても反応が起きない点で、ガーネット系セラミックス材料である。とりわけ、Li、La、Zr及びOを含んで構成されるガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造を有する酸化物焼結体が、焼結性に優れて緻密化しやすく、かつ、イオン伝導率も高いことから好ましい。この種の組成のガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造はLLZ結晶構造と呼ばれ、CSD(Cambridge Structural Database)のX線回折ファイルNo.422259(LiLaZr12)に類似のXRDパターンを有する。なお、No.422259と比較すると構成元素が異なり、またセラミックス中のLi濃度などが異なる可能性があるため、回折角度や回折強度比が異なる場合もある。Laに対するLiのモル数の比Li/Laは2.0以上2.5以下であることが好ましく、Laに対するZrのモル比Zr/Laは0.5以上0.67以下であるのが好ましい。このガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造はNb及び/又はTaをさらに含んで構成されるものであってもよい。すなわち、LLZのZrの一部がNb及びTaのいずれか一方又は双方で置換されることにより、置換前に比べて伝導率を向上させることができる。ZrのNb及び/又はTaによる置換量(モル比)は、(Nb+Ta)/Laのモル比が0.03以上0.20以下となる量にすることが好ましい。また、このガーネット系酸化物焼結体はAlをさらに含んでいるのが好ましく、これらの元素は結晶格子に存在してもよいし、結晶格子以外に存在していてもよい。Alの添加量は焼結体の0.01〜1質量%とするのが好ましく、Laに対するAlのモル比Al/Laは、0.008〜0.12であるのが好ましい。このようなLLZ系セラミックスの製造は、特許文献4(国際公開第2015/170545号)に記載されるような公知の手法に従って又はそれを適宜修正することにより行うことができ、これらの文献の開示内容は本明細書に参照により組み込まれる。
また、特に好ましい別のリチウムイオン伝導材料として、リン酸系セラミックス材料も挙げられ、中でも窒素置換リン酸リチウム(LiPON)が好ましい。LiPONは、Li2.9PO3.30.46の組成によって代表されるような化合物群であり、例えばLiPO(式中、aは2〜4、bは3〜5、cは0.1〜0.9である)で表される化合物群である。あるいは、特に好ましい更に別のリチウムイオン伝導材料として、LiClOも挙げられる。
全固体リチウム二次電池は特に限定されないが、前述したとおり、バイパスコンデンサとしての挙動を呈するものであるのが好ましい。すなわち、全固体リチウム二次電池自体が、バイパスコンデンサとしての機能を有し、それにより定常電流に加えて一時的に増大されたピーク電流を供給可能なものであるのが好ましい。かかる観点から、固体電解質層16を構成する材料の比誘電率εが10〜2000であるのが好ましく、より好ましくは10〜700、さらに好ましくは10〜200である。固体電解質層16の厚さは0.1〜20μmであるのが好ましく、より好ましくは1〜20μm、さらに好ましくは1〜5μmである。また、固体電解質層16の縦及び横の寸法は1〜50mmであるのが好ましく、より好ましくは1〜20mm、さらに好ましくは1〜10mm、特に好ましくは3〜7mmである。
固体電解質層16の形成方法としては、各種パーティクルジェットコーティング法、固相法、溶液法、気相法、直接接合(ダイレクトボンディング)法を用いることができる。パーティクルジェットコーティング法の例としては、エアロゾルデポジション(AD)法、ガスデポジション(GD)法、パウダージェットデポジション(PJD)法、コールドスプレー(CS)法、溶射法等がある。中でも、エアロゾルデポジション(AD)法は、常温成膜が可能であることから、プロセス中の組成ズレや、正極板との反応による高抵抗層の形成がなく特に好ましい。固相法の例としては、テープ積層法、印刷法等がある。中でも、テープ積層法は固体電解質層16を薄く形成することが可能であり、また、厚さの制御が容易であることから好ましい。溶液法の例としては、水熱合成法、ゾルゲル法、沈殿法、マイクロエマルション法、溶媒蒸発法等がある。これらの方法の中でも、水熱合成法は、低温で結晶性の高い結晶粒を得やすい点で特に好ましい。また、これらの方法を用いて合成した微結晶を、正極上に堆積させてもよいし、正極上に直接析出させてもよい。気相法の例としては、レーザー堆積(PLD)法、スパッタ法、蒸発凝縮(PVD)法、気相反応法(CVD)法、真空蒸着法、分子線エピタキシ(MBE)法等がある。この中でも、レーザー堆積(PLD)法は組成ズレが少なく、比較的結晶性の高い膜を得られやすく特に好ましい。直接接合(ダイレクトボンディング)法は、予め形成した固体電解質層16と正極活物質12の各々の表面を化学的に活性な状態にして、低温で接合する方法である。界面の活性化については、プラズマ等を用いてもよいし、水酸基等の官能基の化学修飾を用いてもよい。
(3)負極活物質
負極活物質18は、全固体リチウム電池に使用可能な公知各種の負極活物質であってよく、好ましくはリチウムを含む。負極活物質18の好ましい例としては、リチウム金属、リチウム合金、炭素質材料、チタン酸リチウム(LTO)等が挙げられる。好ましくは、負極活物質18は、負極集電体24(銅箔等)の上に、リチウム金属あるいはリチウムと合金化する金属の薄膜を真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法等で形成して、リチウム金属あるいはリチウムと合金化する金属の層を形成することにより作製することができる。
負極活物質18からなる層の厚さは、全固体リチウム二次電池10におけるリチウム総量を多く確保する観点から、1μm以上が好ましい。また、負極活物質18からなる層の縦及び横の寸法は1〜50mmであるのが好ましく、より好ましくは1〜20mm、さらに好ましくは1〜10mm、特に好ましくは3〜7mmである。
(4)集電体
正極層14は、正極活物質12と、該正極活物質12の固体電解質層16と反対側の端面に形成された正極集電体22とを備えるのが好ましい。また、負極層20は、負極活物質18と、該負極活物質18の固体電解質層16と反対側の端面に形成された負極集電体24とを備えるのが好ましい。正極集電体22及び負極集電体24を構成する材料の例としては、白金(Pt)、白金(Pt)/パラジウム(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、ITO(インジウム−錫酸化膜)等が挙げられる。
(5)容器
容器26は、単位電池又はそれを複数個直列若しくは並列に積層させたスタックを収容可能な容器であれば特に限定されない。特に、全固体リチウム二次電池10は電解液の漏れの懸念が無いため、容器26は比較的簡素な容器形態を採用可能である。例えば、電子回路に実装するためのチップ形態や、薄く幅広の空間用途のためのラミネートセル形態(例えばアルミニウム(Al)/ポリプロピレン(PP)の複層品)が採用可能である。
コバルト酸リチウム配向焼結板の製造方法
本発明の全固体リチウム電池に用いられる配向正極板ないし配向焼結板は、いかなる製法によって製造されてもよい。例えば、(003)面が正極層14から負極層20に向かう方向に配向されている配向正極板の製造方法は既に知られており、特許文献4(国際公開第2015/170545号)を参照することができる。
一方、前述したような(003)面が配向正極板の板面に対して平行に配向している配向焼結板は、好ましくは、以下に例示されるように、(1)LiCoOテンプレート粒子の作製、(2)マトリックス粒子の作製、(3)グリーンシートの作製、及び(4)配向焼結板の作製を経て製造される。
(1)LiCoOテンプレート粒子の作製
Co原料粉末とLiCO原料粉末とを混合して焼成(500〜900℃、1〜20時間)することによって、LiCoO粉末を合成する。得られたLiCoO粉末をポットミルにて体積基準D50粒径0.2μm〜10μmに粉砕することによって、板面と平行にリチウムイオンを伝導可能な板状のLiCoO粒子が得られる。このようなLiCoO粒子は、LiCoO粉末スラリーを用いたグリーンシートを粒成長させた後に解砕する手法や、フラックス法や水熱合成、融液を用いた単結晶育成、ゾルゲル法など板状結晶を合成する手法によっても得ることができる。得られたLiCoO粒子は、劈開面に沿って劈開しやすい状態となっている。LiCoO粒子を解砕によって劈開させることで、LiCoOテンプレート粒子を作製する。
(2)マトリックス粒子の作製
Co原料粉末をマトリックス粒子として用いる。Co原料粉末の体積基準D50粒径は特に制限されず、例えば0.1〜1.0μmとすることができるが、LiCoOテンプレート粒子の体積基準D50粒径より小さいことが好ましい。このマトリックス粒子は、Co(OH)原料を500℃〜800℃で1〜10時間熱処理を行なうことによっても得ることができる。また、マトリックス粒子には、Coのほか、Co(OH)粒子を用いてもよいし、LiCoO粒子を用いてもよい。
(3)グリーンシートの作製
LiCoOテンプレート粒子とマトリックス粒子を100:3〜3:97に混合した粉末と分散媒とバインダーと可塑剤と分散剤とを混合しながら、減圧下で撹拌して脱泡するとともに所望の粘度に調整することによってスラリーを調製する。次に、LiCoOテンプレート粒子にせん断力を印加可能な成形手法を用いて、調製したスラリーを成形することによって、成形体を形成する。これによって、各一次粒子の平均配向角度を0°超30°以下とすることができる。LiCoOテンプレート粒子にせん断力を印加可能な成形手法としては、ドクターブレード法が好適である。ドクターブレード法を用いる場合には、調製したスラリーをPETフィルムの上に成形することによって、成形体としてのグリーンシートが形成される。
(4)配向焼結板の作製
スラリーの成形体をジルコニア製セッターに載置して加熱処理(500℃〜900℃、1〜10時間)することによって、中間体としての焼結板を得る。次に、合成したリチウムシートをLi/Co比が1.0になるように、焼結板をリチウムシートで上下挟み込み、ジルコニアセッター上に載せる。次に、セッターをアルミナ鞘に入れ、大気中にて焼成(700〜850℃、1〜20時間)した後、焼結板をリチウムシートで上下挟み、さらに焼成(750〜900℃、1〜40時間)することによって、LiCoO焼結板を得る。この焼成工程は、2度に分けて行ってもよいし、1度に行なってもよい。2度に分けて焼成する場合には、1度目の焼成温度が2度目の焼成温度より低いことが好ましい。
本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。
例A1
図15に示される構成の全固体リチウム二次電池10を作製した。正極活物質12として、層状岩塩構造を有し、組成がLi(Ni1/3Co1/3Mn1/3)O(以下、NCMという)である、(003)面が正極層14から負極層20に向かう方向に配向されている正極活物質シートを作製した。正極活物質シートの厚みは30μmとした。シート状の正極活物質12の上に固体電解質層16を形成した。固体電解質層16を構成するリチウムイオン伝導材料としては、Alが添加されたLiLaZr12(以下、LLZ−Alという)からなるガーネット系の結晶構造を有するセラミックス材料を用いた。固体電解質層16の厚みは10μmとした。負極活物質18は、リチウム金属で構成し、厚みは10μmとした。なお、正極集電体22を厚み10μmのアルミ箔にて構成し、負極集電体24を厚み10μmの銅箔にて構成した。これらの構成要素からなる積層体を単位電池として得た。この単位電池をアルミニウム(Al)/ポリプロピレン(PP)の複層品でラミネート外装した。こうして得られた全固体電池を上面からみたサイズ(縦×横)は20mm×30mmであり、全固体電池の厚みは0.24mmであった。
体積エネルギー密度を求めるに際し、上記作製した電池の充放電試験を実施した。1mAの定電流充電に続いて、4.1Vの定電圧充電を実施した後、1mAの定電流放電を電圧が3Vに達するまで実施した。その結果、放電容量(mAh)は20mAhであった。平均放電電圧を3.9Vとして、体積エネルギー密度を下記式(1)にて求めたところ、542Wh/Lであった。
(E×C)/V (1)
(式中、Eは電圧(=3.9V)、Cは容量(mAh)、Vは電池体積(cm)である。)
例A2
例A1で得られた単位電池を並列に積層して、容量100mAhの電池を作製した。例A1と同様にしてエネルギー密度を求めたところ、650Wh/Lであった。
例A3
例A1で得られた単位電池を並列に積層して、容量300mAhの電池を作製した。例A1と同様にしてエネルギー密度を求めたところ、750Wh/Lであった。
例A4
固体電解質層16を構成するリチウムイオン伝導材料をLiPONとし、固体電解質層16の厚みを5μmとし、それ以外の構成は例A1と同様の単位電池を得た。この単位電池を例A1と同様にラミネート外装した。こうして得られた全固体電池を上面からみたサイズ(縦×横)は20mm×30mmであり、全固体電池の厚みは0.24mmであった。得られた全固体電池の体積エネルギー密度を例A1と同様の方法で求めたところ、容量は20mAh、エネルギー密度は542Wh/Lであった。
例A5
例A4で得られた単位電池を並列に積層して、容量100mAhの電池を作製した。例A4と同様にしてエネルギー密度を求めたところ、650Wh/Lであった。
例A6
例A4で得られた単位電池を並列に積層して、容量300mAhの電池を作製した。例A1と同様にしてエネルギー密度を求めたところ、750Wh/Lであった。
結果
例A1〜6で作製された電池のサイズ及び性能をまとめると以下のとおりである。
Figure 0006943873
表2に示される電池のサイズ及び性能は、コンピュータ等の装置における揮発性メモリ用バックアップ電源を始めとする各種用途に極めて適したものである。参考のため、揮発性メモリ用バックアップ電源等の幾つかの用途において望まれるものと出願人が考える電池のサイズと性能が以下の表3に示される。揮発性メモリーバックアップ電源用途の場合、必要とされる電力供給時間に合わせて、揮発性メモリを実装した基板上又はその近傍に(例えば隣接して)複数個の全固体電池を揮発性メモリと接続して配置することもできる。表3に示される用途を包含する各種用途に本発明の全固体電池は極めて有望であることが分かる。
Figure 0006943873
例B1〜B8
(1)LCOテンプレート粒子の作製
Co原料粉末(体積基準D50粒径0.8μm、正同化学工業株式会社製)とLiCO原料粉末(体積基準D50粒径2.5μm、本荘ケミカル製)を混合し、800℃〜900℃で5時間焼成することでLiCoO原料粉末を合成した。この際、熱処理温度とLi/Co比を調整することによって、LiCoO原料粉末の体積基準D50粒径を表4に示すように調整した。
得られたLiCoO粉末を粉砕することによって板状LiCoO粒子(LCOテンプレート粒子)を得た。例B1〜B2,B4〜B8ではポットミルを用い、例B3では湿式ジェットミルを用いた。この際、粉砕時間を調整することによって、LCOテンプレート粒子の体積基準D50粒径を表4に示すように調整した。また、LiCoOテンプレート粒子のアスペクト比は、表4に示すとおりであった。LiCoOテンプレート粒子のアスペクト比は、粒子をSEM観察することで測定した。
(2)CoOマトリックス粒子の作製
Co原料粉末(正同化学工業株式会社製)をマトリックス粒子とした。マトリックス粒子の体積基準D50粒径は、表4に示すとおりとした。ただし、例B4ではマトリックス粒子を用いなかった。
(3)グリーンシートの作製
LCOテンプレート粒子とCoOマトリックス粒子を混合した。LCOテンプレート粒子とCoOマトリックス粒子の重量比は、表4に示すとおりとした。ただし、例B4ではマトリックス粒子を用いなかったため、重量比は、100:0である。
この混合粉末100重量部と、分散媒(トルエン:イソプロパノール=1:1)100重量部と、バインダー(ポリビニルブチラール:品番BM−2、積水化学工業株式会社製)10重量部と、可塑剤(DOP:Di(2−ethylhexyl)phthalate、黒金化成株式会社製)4重量部と、分散剤(製品名レオドールSP−O30、花王株式会社製)2重量部とを混合した。この混合物を、減圧下で撹拌することで脱泡するとともに粘度を400010000cPに調整することによってスラリーを調製した。なお、粘度は、ブルックフィールド社製LVT型粘度計で測定した。
調製されたスラリーを、ドクターブレード法によって、PETフィルムの上に、乾燥後の厚さが40μmとなるように、成形速度100m/hでシート状に成形してグリーンシートを得た。
(4)配向焼結板の作製
PETフィルムから剥がしたグリーンシートをジルコニア製セッターに載置して一次焼成することによってCo焼結板を得た。表4に示すとおり、例B1〜B6,B8では焼成条件を900℃、5時間とし、例B7では焼成条件を800℃、5時間とした。
そして、合成したリチウムシートをLi/Co比が表4に示す比になるように、Co焼結板をリチウムシートで上下挟み込んだ状態で、ジルコニアセッター上に載せて二次焼成することによってLiCoO焼結板を得た。具体的には、ジルコニアセッターを90mm角のアルミナ鞘に入れ、大気中にて800℃で5時間保持した後、さらにリチウムシートで上下挟んで900℃で20時間焼成した。
(5)固体電解質層の作製
直径4インチ(約10cm)のリン酸リチウム焼結体ターゲットを準備し、スパッタリング装置(キャノンアネルバ社製 SPF−430H)を用いてRFマグネトロン方式にてガス種Nを0.2Pa、出力0.2kWにて膜厚2μmとなるようにスパッタリングを行なった。こうして、厚さ2μmのLiPON系固体電解質スパッタ膜をLiCoO焼結板上に形成した。
(6)リチウムイオン電池の作製
イオンスパッタリング装置(日本電子社製 JFC−1500)を用いたスパッタリングにより、固体電解質層上に厚さ500ÅのAu膜を形成した。
リチウム金属を載せたタングステンボートを準備した。真空蒸着装置(サンユー電子製、カーボンコーターSVC−700)を用いて、抵抗加熱によりLiを蒸発させて上記中間層の表面に薄膜を設ける蒸着を行った。このとき、マスクを用いて負極層のサイズを9.5mm角として、負極層が10mm角の正極領域内に収まるようにした。こうして、固体電解質層上に膜厚10μmのLi蒸着膜を負極層として形成した単電池を作製した。
厚さ20μmのステンレス箔を13mm角に切り出して正極集電板とした。また、外縁形状が13mm角で、その内側に11mm角の孔が打ち抜かれた、1mm幅の枠状の変性ポリプロピレン樹脂フィルム(厚さ100μm)を用意した。この枠状の樹脂フィルムを正極集電板上の外周部に積層し、加熱圧着して端部封止部を形成した。正極集電板上の端部封止部で囲まれた領域内に上記単電池を載置した。載置した単電池の負極側にも上記同様に厚さ20μmのステンレス箔を載置し、端部封止部に対して荷重を加えながら、減圧下、200℃で加熱した。こうして外周全体にわたって端部封止部と上下2枚のステンレス箔とを貼り合せて単電池を封止した。こうして、封止形態の全固体リチウム電池を得た。
(正極を構成する一次粒子の観察)
後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ製FE−SEM、SU5000及びオックスフォード・インストゥルメンツ製EBSD検出器、NordlyNano)を用いて、正極の板面に垂直な断面におけるEBSD像を取得した。そして、EBSD像上において、前述の条件で選択した30個程度の一次粒子の配向角度を算術平均することによって、一次粒子の平均配向角度を算出した。算出結果は表5に示すとおりであった。いずれの例においても、板面と(003)面がなす角度が30度以内、より典型的には25度以内、さらに典型的には20度以内、特に典型的には15度以内、特に典型的には10度以内、最も典型的には5度以内である複数の結晶粒(一次粒子)を含んでおり、(003)面が配向正極板の板面に対して平行に配向している複数の結晶粒が含まれていることが確認された。
また、EBSD像において、平均配向角度の算出に用いた30個程度の一次粒子の総面積に対する、配向角度が0°超30°以下である一次粒子の合計面積の割合(%)を算出した。算出結果は表5に示すとおりであった。
(正極の緻密度)
CP研磨した正極の断面における1000倍率のSEM画像を2値化した。そして、2値化画像上において、固相と気相の合計面積に対する固相の面積割合を緻密度として算出した。算出結果は表5に示すとおりであった。
(レート性能)
リチウムイオン電池を0.1[mA]定電流で4.2[V]まで充電した後、定電圧で電流が0.05[mA]になるまで充電した。そして、0.2[mA]定電流で3.0[V]まで放電し、放電容量W0を測定した。また0.1[mA]定電流で4.2[V]まで充電した後、定電圧で電流が0.05[mA]になるまで充電し、そして、2.0[mA]定電流で3.0[V]まで放電し、放電容量W1を測定した。W1をW0で除することでレート性能を評価した。
(サイクル容量維持率)
リチウムイオン電池を0.1[mA]定電流で4.2[V]まで充電した後、定電圧で電流が0.05[mA]になるまで充電した。そして、0.2[mA]定電流で3.0[V]まで放電し、放電容量W0を測定した。この測定を30回繰り返し、30回目の放電容量W30を測定した。W30をW0で除することでサイクル容量維持率を評価した。
Figure 0006943873
Figure 0006943873
表5に示すように、板状のLCOテンプレート粒子にせん断力を印加する成形手法で正極の成形体を形成した例B1〜B8では、一次粒子の(003)面の傾斜角度を25°以下にすることができたため、サイクル容量維持率だけでなくレート性能をも向上させることができた。
例C
前述したとおり、ICの直近(例えば1cm未満の距離)に配置するバイパスコンデンサとして好ましい静電容量は0.001μF〜0.1μFであることが知られている。これを踏まえて、チップ型の全固体リチウム二次電池(固体電解質:LiPON、サイズ:1cm×1cm、電池容量:10mWh)に関する固体電解質の各種特性の数値範囲の検討を行った。
まず、上記チップ型二次電池において、固体電解質層と負極層との界面に起因する静電容量C、固体電解質層に起因する静電容量Cse、及び固体電解質層と正極層との界面に起因する静電容量Cは以下のとおり:
=4.3×10−7F/cm
se=2.4×10−8F/cm、及び
=1.1×10−4F/cm
である。そして、これらの値を1/C=(1/C)+(1/Cse)+(1/C)の式に代入して計算すると、C=2×10−8F/cmとなり、この値は概ねCseで決定されることが分かる。一方、測定周波数1MHzにおいて、LiPONの比誘電率εは約80であり、LiClOの比誘電率εは約45である。
そこで、ICサイズを5mm×5mm平方、固体電解質層の厚さを3μmで固定した場合、バイパスコンデンサとして好ましい静電容量の下限値である0.001μFについて、以下の関係:
0.001μF=1×10−9F=εε(S/d)
(ただし、SはICサイズの面積(25×10−6)、dは固体電解質膜厚(3×10−6m)、ε=8.85×10−12F/mである)
が成立し、これに各値を代入して計算すると、固体電解質の比誘電率εは14となる。同様にして、バイパスコンデンサとして好ましい静電容量の上限値である0.1μFについても計算すると、固体電解質の比誘電率εは1400となる。したがって、固体電解質の比誘電率εとして好ましい範囲は10〜2000であるといえる。
一方、固体電解質層の厚さはCに反比例となるため、その好ましい範囲は、
d=(8.85×10−12)×80×[(25×10−6)/(1×10−9)」
=1.8×10−5(m)=18(μm)
となり、約20μmとなる。なお、上記の80なる値はLiPONの比誘電率εである。したがって、固体電解質層の厚さの好ましい範囲は0.1〜20μmであるといえる。
例D1:高負荷ICチップ用電源用途
チップ型全固体リチウム二次電池(以下、チップ電池という)の急速充放電用途の一例として、高負荷ICチップ用電源用途が挙げられる。特に、今後普及が見込まれる自動車の自動運転、ドローン制御、自律ロボット制御、屋外監視カメラ画像からの顔面認証を目的として商用電源の導入が困難な為に電池を電源とする人工知能(AI)ICや画像処理ICでは、一つのICチップで大量のデータ処理することが求められ、それに伴う高負荷化に伴いICチップの発熱も増加することが予想される。例えば、図16に示される人工知能(AI)用半導体チップ(東芝製)は1.9mm×1.9mm平方のサイズで1ワットの電力(3.3Vで300mAの電力に相当)を消費する。そこで、かかる高負荷ICの廃熱を利用して、チップ電池を加熱しながら急速充放電させることで、安定で高精度な電源電圧を供給して、IC動作信頼性を向上することができる。また、電池監視ICで電池の温度をモニタリングしながら配線抵抗等を利用した組込みヒータで電池を加熱することで、電池の温度を制御することも可能である。
なお、全固体リチウム二次電池と同様、イオン液体を電解液として用いたリチウムイオン二次電池も上記用途に用いることができる。
例D2:高電圧インバータ向けプリドライバ・マイコン用電源用途
チップ型全固体リチウム二次電池(以下、チップ電池という)の急速充放電用途の他の一例として、高電圧インバータ向けプリドライバ・マイコン用電源用途が挙げられる。特に、HV(ハイブリッド車)ないしEV(電気自動車)向け高電圧インバータは、ブリッジ回路のスイッチング動作に起因してグラウンドにノイズが発生し、電源電位が小さいドライバICやCPUの動作信頼性に悪影響を及ぼすことがある。その一方、高電圧インバータ近傍は廃熱が大きいという特性を有する。そこで、図17に示されるようにチップ型電池202をインバータ200内のプリドライバー204とCPU206にそれぞれ実装させることが考えられる。なお、図17においてプリドライバー204とCPU206は基準電圧源208に接続されている。このような電池内蔵インバータによれば、インバータの廃熱を利用して、チップ電池を加熱しながら急速充放電させることができ、それによりドライバIC及びCPUの電源電圧を安定化することができる。また、電池監視ICで電池の温度をモニタリングしながら配線抵抗等を利用した組込みヒータで電池を加熱することで、電池の温度を制御することも可能である。
なお、全固体リチウム二次電池と同様、イオン液体を電解液として用いたリチウムイオン二次電池も上記用途に用いることができる。

Claims (22)

  1. ICと、
    前記ICに接続され、正極層、固体電解質層及び負極層を備えた全固体リチウム二次電池と、
    前記ICにおいて所定のパルス幅の電流で処理されるべき1つのタスクのn分割(nは2以上の整数)された部分のみを実行するように、前記全固体リチウム二次電池から前記ICに前記所定のパルス幅の均等又は不均等にn分割されたパルス幅で電流を供給した後、前記全固体リチウム二次電池を充電し、前記電流の供給及び前記全固体リチウム二次電池の充電を交互に繰り返して前記ICで処理されるべき1つのタスクを完了させる電池制御手段と、
    を有する、二次電池搭載ICデバイス。
  2. 前記全固体リチウム二次電池自体がバイパスコンデンサとしての機能を有し、それにより定常電流に加えて一時的に増大されたピーク電流を供給可能な、請求項1に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  3. 前記固体電解質層、前記固体電解質層と前記負極層との界面、及び前記固体電解質層と前記正極層との界面が、全体として、前記全固体リチウム二次電池をバイパスコンデンサとして機能させるに足る静電容量を有し、該静電容量が前記全固体リチウム二次電池を含む等価回路における寄生容量に由来する、請求項2に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  4. 前記固体電解質層を構成する材料の比誘電率εrが10〜2000である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  5. 前記固体電解質層は、厚さが0.1〜20μmであり、縦及び横の寸法が1〜50mmである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  6. 前記全固体リチウム二次電池は、厚さが10〜5000μmであり、縦及び横の寸法が1〜50mmである、請求項1〜5のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  7. 前記全固体リチウム二次電池が、10〜700Wh/Lのエネルギー密度を有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  8. 前記正極層が層状岩塩構造を有するリチウム複合酸化物を含み、前記固体電解質層がリチウムイオン伝導材料を含み、前記負極層がリチウムを含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  9. 前記ICがそれに対応する前記全固体リチウム二次電池とともに包装部材で包装され、それにより二次電池内蔵ICパッケージの形態をなす、請求項1〜8のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  10. 前記二次電池内蔵ICパッケージは前記ICの外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まない、請求項9に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  11. 前記二次電池内蔵ICパッケージはバイパスコンデンサを含まない、請求項9に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  12. 前記全固体リチウム二次電池がプリント配線板の内層として前記ICの直下に組み込まれている、請求項1〜8のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  13. 前記二次電池搭載ICデバイスは前記ICの外縁から1cm以内の領域内にバイパスコンデンサを含まない、請求項12に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  14. 前記二次電池搭載ICデバイスはバイパスコンデンサを含まない、請求項12に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  15. 前記全固体リチウム二次電池自体がバイパスコンデンサとしての機能を有し、それにより定常電流に加えて一時的に増大されたピーク電流を供給可能なものであり、
    前記電池制御手段は、前記ICの瞬時的な高負荷動作に対して前記全固体リチウム二次電池から前記ピーク電流を前記ICに供給させ、かつ、前記高負荷動作の終了後、前記全固体リチウム二次電池を充電させる、請求項1〜14のいずれか一項に記載の二次電池搭載ICデバイス。
  16. 全固体リチウム二次電池を用いたICの駆動方法であって、
    正極層、固体電解質層及び負極層を備えた全固体リチウム二次電池が接続されたICを用意し、
    前記ICにおいて所定のパルス幅の電流で処理されるべき1つのタスクのn分割(nは2以上の整数)された部分のみを実行するように、前記全固体リチウム二次電池から前記ICに前記所定のパルス幅の均等又は不均等にn分割されたパルス幅で電流を供給した後、
    前記全固体リチウム二次電池を充電し、
    前記電流の供給及び前記全固体リチウム二次電池の充電を交互に繰り返して前記ICで処理されるべき1つのタスクを完了させる工程を含む、方法。
  17. 前記全固体リチウム二次電池の充電を、前記IC動作直後の高熱状態において専ら選択的に行い、それにより充電を促進することを含む、請求項16に記載の方法。
  18. 前記ICを伴う回路に組み込まれたヒータ又は抵抗配線を用いて前記全固体リチウム二次電池を意図的に加熱し、それにより充電及び放電を促進することを含む、請求項16に記載の方法。
  19. ICと、前記ICの直上に実装されるIC用電源と、前記IC及び前記電源を包装する包装部材とを備えた二次電池内蔵ICパッケージであって、前記電源が、正極層、固体電解質層及び負極層を備えた全固体リチウム二次電池を有し、前記全固体リチウム二次電池自体がバイパスコンデンサとしての機能を有し、それにより定常電流に加えて一時的に増大されたピーク電流を供給可能な二次電池内蔵ICパッケージと、
    前記ICの瞬時的な高負荷動作に対して前記全固体リチウム二次電池から前記ピーク電流を前記ICに供給させ、かつ、前記高負荷動作の終了後、前記全固体リチウム二次電池を充電させる、電池制御手段と、
    を備えた、二次電池内蔵ICデバイス。
  20. ICへの電力供給方法であって、
    請求項19に記載の前記電源を用意する工程と、
    前記電源をバイパスコンデンサとして利用してICに電力を供給する工程と、
    前記ICへの電力の供給後、前記全固体リチウム二次電池を充電する工程と、
    を含む、方法。
  21. 前記ICへの電力の供給が、前記ICの瞬時的な高負荷動作に対して前記全固体リチウム二次電池から前記ピーク電流を前記ICに供給させるように行われ、前記高負荷動作の終了後、前記全固体リチウム二次電池が充電される、請求項20に記載の方法。
  22. プリント配線板と、
    前記プリント配線板上に実装される複数個のICチップと、
    前記ICチップの直上若しくは直下、又は前記ICチップの外縁から1cm以内の領域内に実装され、正極層、固体電解質層及び負極層を備えた、複数個の全固体リチウム二次電池と、
    を備えた、二次電池搭載IC基板であって、
    前記全固体リチウム二次電池自体がバイパスコンデンサとしての機能を有し、それにより定常電流に加えて一時的に増大されたピーク電流を供給可能なものであり、
    前記ICチップの各々に対して少なくとも1個の前記全固体リチウム二次電池が、前記ICチップに必要な電源電圧レベルに適合した最下流の電源として接続されており、それにより前記複数個のICチップに供給されるべき電力が前記複数個の全固体リチウム二次電池によって個別に分散されて供給され、
    前記二次電池搭載IC基板が、前記ICチップの瞬時的な高負荷動作に対して前記全固体リチウム二次電池から前記ピーク電流を前記ICチップに供給させ、かつ、前記高負荷動作の終了後、前記全固体リチウム二次電池を充電させる、電池制御手段をさらに備えた、二次電池搭載IC基板。
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