JP6681646B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
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Description
本発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。
基板処理装置の一種である半導体製造装置では、稼働効率を上げるために次の基板処理用の基板(以下、ウェーハともいう)を収納した基板収容器(以下、ＦＯＵＰ：Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄともいう)を装置内に予め準備しておくことが一般的である。
例えば、特許文献１によれば、ＦＯＵＰ回転収納棚に複数のＦＯＵＰを載置可能にして、ＦＯＵＰの収納数を調整する構成が開示されている。これにより、収納容器数の増減に対応することで、１バッチ分の被処理基板の枚数が増加した場合に対応することが開示されている。特許文献２によれば、天井カセット搬送ＡＧＶ対応の上側Ｉ/Ｏステージと、手動または床上を移動するＡＧＶに対応する下側のＩ/Ｏステージと、上下２つのＩ／Ｏステージ間にダミーまたはモニタ用カセット棚を設ける構成が開示されている。また、特許文献３によれば、処理炉の上側にＦＯＵＰを収納する収納部を設ける構成が開示されている。
ここで、装置幅はＳｅｍｉ規格に準拠した最小１１００ｍｍとなっているため、フットプリントを増やさずにＦＯＵＰの収納数を増やすためには、装置上方へＦＯＵＰを配置することになる。ところが、装置輸送時のＦａｂ高さ、道路交通法や飛行機の輸送高さ制限から装置の高さ制限や分割の高さ制限があり、無制限に装置高さを伸ばすことはできない。
また、納入済装置で基板処理枚数を増やす場合は、装置上部にバッファ棚追加とロボット搬送ユニットの両方交換が必要になるため、改造が困難になっている。上述の各先行技術文献には、このような改造及び転用についての記載は無い。
本発明の目的は、装置改造を要する製品基板の処理枚数の変更に対応可能な構成を提供することにある。
本発明の一態様によれば、 基板収容器が載置される複数の載置部と、前記載置部を駆動する駆動部と、前記基板収容器の前記載置部への搬入と前記基板収容器の前記載置部からの搬出とを行う搬送機構と、前記搬送機構の支持部を初期位置から動かすことなく前記搬送機構の支持部を昇降させ、前記基板収容器を前記載置部から前記搬送機構の支持部に受渡、または、前記基板収容器を前記搬送機構の支持部から前記載置部に受渡するように前記駆動部と前記搬送機構を制御する制御部と、を備える構成が提供される。
本発明によれば、製品基板の処理枚数の変更に伴う装置改造における負荷を低減することができる。
（１）基板処理装置の構成 以下、実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
実施形態に係るヒータを用いた実施例に係る基板処理装置について図１から図３を用いて説明する。本明細書において「ウェーハ」という言葉を用いた場合は、「ウェーハそのもの」を意味する場合や、「ウェーハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体（集合体）」を意味する場合、すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウェーハと称する場合がある。また、本明細書において「ウェーハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウェーハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウェーハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウェーハの最表面」を意味する場合がある。
従って、本明細書において「ウェーハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「ウェーハそのものの表面（露出面）に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合や、「ウェーハ上に形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としてのウェーハの最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合がある。また、本明細書において「ウェーハ上に所定の層（または膜）を形成する」と記載した場合は、「ウェーハそのものの表面（露出面）上に所定の層（または膜）を形成する」ことを意味する場合や、「ウェーハ上に形成されている層や膜等の上、すなわち、積層体としてのウェーハの最表面の上に所定の層（または膜）を形成する」ことを意味する場合がある。また、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウェーハ」という言葉を用いた場合と同義である。
以下、図面を参照して、本発明の実施例における基板処理装置を説明する。本実施例における基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ：Integrated Circuit）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として、基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行うバッチ式縦型半導体製造装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。
図１および２に示されているように、シリコン等からなるウェーハ（基板）２００を収納したウェーハキャリアとしてＦＯＵＰ（基板収容器。以下ポッドともいう。）１１０が使用されている本発明の処理装置１００は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。筐体１１１の正面壁にはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が上側と下側にそれぞれ設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（ＯＨＴ及びＡＧＶ）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。尚、ロードポート１１４も本願において載置部として構成しうる。以後、ＯＨＴステージ(第１のステージ)としての上側のロードポートを１１４ａ、ＡＧＶステージ(第２のステージ)としての下側のロードポートを１１４ｂと記載する場合がある。
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式保管棚としての回転式ポッド棚(基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上下四段の各位置において放射状に支持された複数枚の載置部としての棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、キャリアローダとしてのポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を支持部に保持したまま昇降可能な昇降部としてのポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、前記ポッド１００を載置する前記支持部と伸縮することにより前記支持部を移動させる伸縮部としてのアームとを含み、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。また、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１には、それぞれポッド有無センサが備え付けられているため、ポッド１１０が効率的に搬送される。尚、空間Ａ及び空間Ｂに、動作ユニット(後述する可動棚)が適宜設けられるよう構成されている。本実施形態において、可動棚としてのエキストラ棚１３１、及び可動棚としてのサブ棚１３２がそれぞれ設けられるよう構成されている。これらエキストラ棚１３１及びサブ棚１３２には、可動する載置部１３１ａ、１３２ａが設けられると共に、ポッド有無センサが備え付けられている。
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウェーハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウェーハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウェーハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置部としての載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウェーハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５等が設置された搬送領域１２９から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウェーハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウェーハ移載機構１２５は、ウェーハ２００を水平方向に回転ないし直線動作可能なウェーハ移載装置（基板移載装置）１２５ａおよびウェーハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウェーハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。これら、ウェーハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウェーハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウェーハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウェーハ２００の保持部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウェーハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
図１に示されているように移載室１２４のウェーハ移載装置エレベータ１２５ｂ側と反対側である右側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されている。クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ウェーハ移載装置１２５ａに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。
移載室１２４の後側領域には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持可能な機密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という。）１４０が設置されており、この耐圧筐体１４０によりボート２１７を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室１４１が形成されている。耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａにはウェーハ搬入搬出開口（基板搬入搬出開口）１４２が開設されており、ウェーハ搬入搬出開口１４２はゲートバルブ（基板搬入搬出口開閉機構）１４３によって開閉されるようになっている。耐圧筐体１４０の一対の側壁にはロードロック室１４１へ窒素ガスを給気するためのガス供給管１４４と、ロードロック室１４１を負圧に排気するための排気管１４５とがそれぞれ接続されている。ロードロック室１４１上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は炉口ゲートバルブ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａの上端部には、炉口ゲートバルブ１４７を処理炉２０２の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー１４９が取り付けられている。
図１に示されているように、耐圧筐体１４０にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェーハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
次に、本発明の処理装置の概略動作について説明する。図１および図２に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウェーハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウェーハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ポッド１１０のウェーハ出し入れ口が開放される。また、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室１４１のウェーハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３の動作により開放されると、ウェーハ２００はポッド１１０からウェーハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウェーハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置３０１にてウェーハを整合した後、ウェーハ搬入搬出開口１４２を通じてロードロック室１４１に搬入され、ボート２１７へ移載されて装填（ウェーハチャージング）される。ボート２１７にウェーハ２００を受け渡したウェーハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウェーハ２００をボート２１７に装填する。ウェーハ移載装置１２５ａの構造や動作については、後で詳しく説明する。
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウェーハ移載装置１２５ａによるウェーハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５ないしロードポート１１４から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
予め指定された枚数のウェーハ２００がボート２１７装填されると、ウェーハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３によって閉じられ、ロードロック室１４１は排気管１４５から真空引きされることにより、減圧される。ロードロック室１４１が処理炉２０２内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉２０２の下端部が炉口ゲートバルブ１４７によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ１４７は炉口ゲートバルブカバー１４９の内部に搬入されて収容される。続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されて、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
ローディング後は、処理炉２０２にてウェーハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が引き出され、更に、ロードロック室１４１内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ１４３が開かれる。その後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウェーハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウェーハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。
次に、本発明の実施例における処理炉を図面に基いて説明する。図３に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウェーハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。
後述するシールキャップ２１９にはガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されており、ノズル２３０にはガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。ここで、ノズル２３０、ガス供給管２３２、ＭＦＣ２４１で少なくともガス供給系が構成される。図示されないが、ノズル２３０ａ、ガス供給管２３２ａ、ＭＦＣ２４１ａを処理ガス系とし、ノズル２３０ｂ、ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ｂを反応ガス系とし、ノズル２３０ｃ、ガス供給管２３２ｃ、ＭＦＣ２４１ｃをパージガス(不活性ガス)系とそれぞれ定義する。
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整装置としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｏｎｔｒｏｌ）バルブ２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。ＡＰＣバルブ２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面にはマニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウェーハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウェーハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように所望のタイミングにて制御するように構成されている。
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８等のサブコントローラは、図示しない操作部、入出力部とともに、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。
（コントローラ） 制御部としてのコントローラについて図４及び図５を用いて説明する。
主制御部２３９を含むコントローラ２４０は、ヒータ２０６、ＭＦＣ２４１、バルブ、ＡＰＣバルブ２４２、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、ボート昇降機構１１５等に接続されており、ヒータ２０６の温度調節、ＭＦＣ２４１の流量調節、バルブ及びＡＰＣバルブ２４２の開閉動作、真空ポンプ２４６の起動、停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボート昇降機構１１５の昇降動作制御等を行わせるように、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８をそれぞれ制御する。
主制御部２３９は、ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２３９ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）２３９ｂ、記憶装置２３９ｃ、Ｉ／Ｏポート２３９ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２３９ｂ、記憶装置２３９ｃ、Ｉ／Ｏポート２３９ｄは、内部バス２３９ｅを介して、ＣＰＵ２３９ａとデータ交換可能なように構成されている。主制御部２３９には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置３２２が接続されている。
記憶装置２３９ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ ＤｉｓｋＤｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２３９ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述するポッド搬送装置１１８と可動棚１３１，１３２との間の搬送手順が記載された搬送シーケンスや、基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。搬送シーケンスやプロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ２４０に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。ＲＡＭ２３９ｂは、ＣＰＵ２３９ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
Ｉ／Ｏポート２３９ｄは、上述のポッド搬送装置１１８、ウェーハ移載機構１２５、ボートエレベータ１１５等の搬送機構にも駆動制御部２３７を介して接続されている。
ＣＰＵ２３９ａは、記憶装置２３９ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置３２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２３９ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ２３９ａは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、ポッド搬送装置１１８の搬送動作、ポッド１１０の各載置部１１７，１３１ａ，１３２ａ等の動作、ウェーハ移載機構１２５の移載動作、ボートエレベータ１１５の昇降動作等を制御するように構成されている。
コントローラ２４０は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）３２３を用意し、この外部記憶装置３２３を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態のコントローラ２４０を構成することができる。但し、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置３２３を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置３２３を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。記憶装置２３９ｃや外部記憶装置３２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２３９ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置３２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
図５は、サブコントローラの一つである駆動制御部２３７による各搬送機構を制御する機能ブロックの図示例である。図５に示すように、駆動制御部２３７は、ポッド搬送装置１１８、ボートエレベータ１１５、ウェーハ移載機構１２５、回転式ポッド棚１０５、後述する可動棚１３１等を含む各搬送機構を制御するように構成されている。また、各搬送機構に備え付けられたセンサからデータを取得するように構成されている。本実施懈怠において、駆動制御部であるサブコントローラ２３７は、コントローラ２４０と同じ構成をしているので説明を省略する。
ロードポート１１４が、装置外から搬送されたポッド１１０を載置すると、ポッド有無センサより駆動制御部２３７に信号が転送される。そして、駆動制御部２３７は、ポッド搬送装置１１８を駆動して、ポッド１１０内に収納されたウェーハ２００の種別に応じて、動作ユニットとしての回転式ポッド棚１０５、後述する可動棚１３１，１３２のいずれか一つにポッド１１０を搬送させるように構成されている。
また、駆動制御部２３７は、回転式ポッド棚１０５とポッド搬送装置１１８とのポッド１１０の受渡しを行う搬送シーケンスを実行するように構成されている。これにより、回転式ポッド棚１０５は、駆動制御部２３７により載置部１１７を回転するように構成され、ポッド搬送装置１１８とポッド１１０の受渡しを行うように構成されている。
図７に示すように、ステップ１００(Ｓ１００)では、駆動制御部２３７は、ポッド搬送装置１１８がＦＯＵＰ受渡し待機位置に移動させると共に回転式ポッド棚１０５の載置部１１７を回転させて受渡しＦＯＵＰ位置に移動させる。
ステップ２００(Ｓ２００)では、駆動制御部２３７は、ポッド搬送装置１１８のアームを動かして、ウェーハ２００を支持する支持部を受渡しＦＯＵＰ位置の下に移動させる。そして、ステップ３００(Ｓ３００)で、駆動制御部２３７は、ポッド搬送機構１１８を上昇させて、回転式ポッド棚１０５の載置部１１７からポッド搬送装置１１８の支持部にＦＯＵＰ１１０を受渡しする。
そして、ステップ４００(Ｓ４００)で、駆動制御部２３７は、ポッド搬送機構１１８のアームを元の位置に移動させる。ポッド搬送装置１１８をＦＯＵＰ搬送先に移動させると共に回転式ポッド棚１０５を回転させて、次のＦＯＵＰ１１０に関して受渡しＦＯＵＰ位置へ移動させる。駆動制御部２３７は、上記ステップ１００から上記ステップ４００までのシーケンスが回転式ポッド棚１０５のＦＯＵＰ１１０内のウェーハ２００を所定枚数搬送するまで繰り返し実行するように構成されている。
また、駆動制御部２３７は、それぞれ動作ユニットとしての可動棚１３１，１３２とポッド搬送装置１０８とのポッド１１０の受渡しを行う搬送シーケンスを実行するように構成されている。
図９は、本実施形態において、駆動制御部２３７により実行される搬送シーケンスを示す図であり、この搬送シーケンスは、ポッド搬送装置１１８と可動棚１３１，１３２(載置部１３１ａ，１３２ａ)との間のポッド１１０の搬送を行うシーケンスである。図９で示す搬送シーケンスは、可動棚１３１，１３２からポッド１１０をポッド搬送装置１１８に受渡するシーケンスである。
従来の搬送シーケンスと異なる点、例えば、図７に示すポッド搬送装置１１８と回転式ポッド棚との異なる点は、ポッド搬送装置１１８のアームを動かさずに可動棚１３１，１３２の載置部１３１ａ，１３２ａをポッド１１０の受渡し位置に移動させる点である。
図９で示す搬送シーケンスは、ポッド搬送装置１１８の受渡し待機位置への移動、及び可動棚１３１，１３２(載置部１３１ａ，１３２ａ)の受渡し位置への移動を行う工程(Ｓ１)と、ポッド搬送装置１１８の受渡し待機位置から受渡し前位置(載置部１３１ａ，１３２ａの下方の位置)への移動を行う工程(Ｓ２)と、ポッド搬送装置１１８の受渡し前位置から受渡し後位置(載置部１３１ａ，１３２ａの上方の位置)へ上昇させる工程(Ｓ３)と、ポッド搬送装置１１８の受渡し後位置から受渡し退避位置への移動を行う工程(Ｓ４)と、可動棚１３１，１３２(載置部１３１ａ，１３２ａ)の受渡し位置から原位置への復帰を行う工程(Ｓ５)と、を有する。
ここで、ポッド搬送装置１１８からポッド１１０を可動棚１３１，１３２に受渡するシーケンスは、図９で示す搬送シーケンスと反対のシーケンスになる。つまり、ポッド搬送装置１１８の動作だけ記せば、受渡し退避位置(Ｓ１)、受渡し後位置(Ｓ２)、受渡し前位置(Ｓ３)、受渡し待機位置(Ｓ４)にそれぞれ移動される。
一方、可動棚１３１，１３２(載置部１３１ａ，１３２ａ)に関する動作は、ポッド搬送装置１１８からポッド１１０を可動棚１３１，１３２に受渡する場合であっても図９で示す搬送シーケンスと同じである。
上述のように駆動制御部２３７は、回転式ポッド棚１０５及び可動棚１３１，１３２に載置されたポッド１１０、又は、ロードポート１１４に載置されたポッド１１０を、それぞれポッドオープナ１２１に搬送して載置台１２２に移載するよう制御する。そして、駆動制御部２３７は、ウェーハ移載機構１２５、ボートエレベータ１１５をそれぞれ制御して、ウェーハ２００をボート２１７に装填し、処理炉２０２に該ボート２１７を搬入するように構成されている。ウェーハ２００に所定の処理が施された後、駆動制御部２３７は、上述と反対の搬送動作を行い、処理済のウェーハ２００をポッド１１０に収納するよう構成される。
（２）基板処理工程 半導体製造装置としての基板処理装置１００を使用して、基板を処理する基板処理工程の概略について説明する。この基板処理工程は、例えば、半導体装置を製造するための一工程である。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作や処理は、コントローラ２４０により制御される。
ここでは、基板としてのウェーハ２００に対して、第１の処理ガス(原料ガス)と第２の処理ガス(反応ガス)とを交互に供給することで、ウェーハ２００上に膜を形成する例について説明する。以下、原料ガスとしてヘキサクロロジシラン(Ｓｉ２Ｃｌ６、略称：ＨＣＤＳ)ガスを用い、反応ガスとしてＮＨ３(アンモニア)を用いてウェーハ２００上に薄膜としてＳｉＮ(シリコン窒化)膜を形成する例について説明する。なお、例えば、ウェーハ２００上には、予め所定の膜が形成されていてもよく、また、ウェーハ２００又は所定の膜には予め所定のパターンが形成されていてもよい。
基板処理工程について図６を用いて説明する。 （基板搬入工程Ｓ１０２） まず、ウェーハ２００をボート２１７に装填し、処理室２０１内へ搬入し、基板搬入工程Ｓ１０２を行う。
（成膜工程Ｓ１０４） 次に、ウェーハ２００の表面上に薄膜を形成する成膜工程Ｓ１０４を行う。成膜工程は次の４つのステップを順次実行する。なお、ステップ１〜４の間は、ヒータ２０６により、ウェーハ２００を所定の温度に加熱しておく。
［ステップ１］ ステップ１では、Ｓｉ２Ｃｌ６ガスを流す。まず、Ｓｉ２Ｃｌ６ガス供給管２３２ａに設けたバルブと排気配管２３１に設けたＡＰＣバルブ２４３を共に開けて、ＭＦＣ２４１ａにより流量調節されたＳｉ２Ｃｌ６ガスをノズル２３０ａに通し、処理室２０１内に供給しつつ、排気配管２３１から排気する。この際、処理室２０１内の圧力を所定の圧力に保つ。これにより、ウェーハ２００の表面にシリコン薄膜を形成する。
［ステップ２］ ステップ２では、Ｓｉ２Ｃｌ６ガス供給管２３２ａのバルブを閉めてＳｉ２Ｃｌ６ガスの供給を止める。排気配管２３１のＡＰＣバルブ２４３は開いたままにし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を排気し、残留ガスを処理室２０１内から排除する。
［ステップ３］ ステップ３では、ＮＨ３ガスを流す。ＮＨ３ガス供給管２３２ｂに設けられた、バルブと排気配管２３１に設けられたＡＰＣバルブ２４３を共に開け、ＭＦＣ２４１ｂにより流量調節されたＮＨ３ガスをノズル２３０ｂから処理室２０１内に供給しつつ、排気配管２３１から排気する。また、処理室２０１内の圧力を所定の圧力に調整する。ＮＨ３ガスの供給により、Ｓｉ２Ｃｌ６ガスがウェーハ２００の表面に形成したシリコン薄膜とＮＨ３ガスが表面反応して、ウェーハ２００上にＳｉＮ膜が形成される。
［ステップ４］ ステップ４では、再び不活性ガスによる処理室２０１内のパージを行う。ＮＨ３ガス供給管２３２ｂのバルブを閉めて、ＮＨ３ガスの供給を止める。排気配管２３１のＡＰＣバルブ２４３は開いたままにし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を排気し、残留ガスを処理室２０１内から排除する。
上記ステップ１〜４を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウェーハ２００上に所定膜厚のＳｉＮ膜を形成する。
（基板搬出工程Ｓ１０６） 次に、ＳｉＮ膜が形成されたウェーハ２００が載置されたボート２１７を、処理室２０１から搬出する。
本実施形態に好適に用いられる基板処理装置１００における改造に伴う作業について、実施例を用いて説明する。
現状(図２における基板処理装置１００)では、回転式ポッド棚１０５は、１段に４ＦＯＵＰ、４段なので、４ＦＯＵＰ×４＝１６ＦＯＵＰである。
図における空間Ｂについて、ＡＧＶステージとしての下側のロードポート１１４ｂとＯＨＴステージとしての上側のロードポート１１４ａはＳｅｍｉ規格で、配置高さと作業安全エリア確保制限があり、ポッド搬送装置１１８がＡＧＶステージ１１４ｂ及びＯＨＴステージ１１４ａ上のポッド１１０の受渡し動作をした場合は、ＡＧＶステージ１１４ｂとＯＨＴステージ１１４ａの間にバッファ棚を１段しか設置できない。
よって、ＯＨＴステージ１１４ａとＡＧＶステージ１１４ｂとしての下側のロードポート１１４ｂの間(空間Ｂ)にサブ棚１ＦＯＵＰ×２＝２ＦＯＵＰが設けられているため、合計１８ＦＯＵＰが装置内に収納可能である。現状の仕様は、製品基板が１２５枚であれば対応可能である。
納入済の基板処理装置１００に関する１５０枚処理(現状Ｍａｘ１２５枚)への仕様変更に対応するためには、２バッチ分の必要ＦＯＵＰ数(２５枚収納)は生産用：６ＦＯＵＰ×２バッチ、フィルダミー用(生産ウェーハ欠落補充用)：６ＦＯＵＰ、サイドダミー用(生産ウェーハ上下の保温用)：１ＦＯＵＰ×２バッチ、モニタ用(生産ウェーハ検査用)：１ＦＯＵＰ×２バッチの合計２２ＦＯＵＰが必要である。つまり、４ＦＯＵＰの追加が必要である。
回転式ポッド棚１０５を４→５段化した場合、ＦＯＵＰとしてのポッド１１０の収納数は確保可能であるが、ポッド搬送装置１１８の上下搬送ストロークも伸ばす必要がある。
回転棚５段化で、ポッドエレベータ１１８ａのストロークを伸ばした場合、本ユニット(ポッド搬送装置１１８)は筐体１１１から取外し、横にした状態で発送＋現地で再組立て調整が必要となる。このように、納入済の基板処理装置１００に回転式ポッド棚１０５の５段化によりバッファ棚を追加する場合、ポッド搬送装置１１８の交換も必要になり大改造になる。 また、ポッド搬送装置１１８を回転式ポッド棚１０５に設置する１段に対応するポッド１１０の数を５個にすると高さは維持されるので、現地で再組立て及び再調整の負荷軽減が期待できる。しかしながら、回転式ポッド棚１０５を４個から５個にする場合、本体フレーム幅を現状より大きくする必要があり、現地での改造は困難である。
よって、これらの改造に伴う設計作業の負荷、更に、顧客工場(現地)での再組立て及び再調整の負荷が、改造を伴う仕様変更では重要な課題であった。
発明者等は、上述の課題を解決するために、搬送シーケンスを改良することにより、可動棚をユニット化して、改造負荷を低減することができることを見出した。
先ず、従来の搬送シーケンスから本実施の形態における搬送シーケンス(図９)へ改良した。つまり、可動棚１３１，１３２とポッド搬送装置１１８との間のポッド１１０搬送を図９に示す搬送シーケンスに適用し、可動棚１３１，１３２は、載置部１３１ａ、１３２ａを駆動部により動かすことにより、ポッド搬送装置１０８とのポッド１１０の受渡しを行うよう改良した。例えば、エキストラ棚としての可動棚１３１は、駆動制御部２３７により載置部１３１ａを上下方向に駆動されるよう構成されており、サブ棚としての可動棚１３２は、駆動制御部２３７により載置部１３２ａを水平方向に駆動されるよう構成されている。
図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃを用いて、改良された搬送シーケンスを、可動棚１３１，１３２のそれぞれとポッド搬送装置１０８とのポッド１１０の受渡しについて適用した場合について説明する。ここで、図８Ａは、エキストラ棚としての可動棚１３１の載置部１３１ａに載置されたポッド１１０を、ポッド搬送装置１１８の支持部に載置する搬送に関する図示例であり、図８Ａに示すＳ２０１〜Ｓ２０５は、それぞれ図９に示すＳ１〜Ｓ５に対応する。
図８Ａに示すように、ステップ２０１(Ｓ２０１)で、駆動制御部２３７は、ポッド搬送装置１１８を受渡し待機位置に移動させると共に駆動部を制御して、可動棚１３１の載置部１３１ａを下降させて受渡し位置に移動させる。
ステップ２０２(Ｓ２０２)で、駆動制御部２３７は、ポッド搬送装置１１８のアームを伸縮させることなく、ポッド搬送装置１１８の支持部を初期位置に保持した状態で受渡し待機位置から可動棚１３１の載置部１３１ａの下方の位置(受渡し前位置)に移動させる。そして、ステップ２０３(Ｓ２０３)で、駆動制御部２３７は、ポッド１１０を載置部１３１ａからポッド搬送装置１１８の支持部に載置されるように、受渡し前位置からポッド搬送装置１１８を引き続きポッド搬送装置１１８の支持部を初期位置に保持した状態で上昇させて、受渡し後位置に移動させる。
ステップ２０４(Ｓ２０４)で、駆動制御部２３７は、受渡し後位置からポッド搬送装置１１８を受渡し退避位置に移動させる。最後に、ステップ２０５(Ｓ２０５) で、駆動制御部２３７は、駆動部を動作させて、載置部１３１ａを受渡し位置から原位置に復帰させる。このように、可動棚１３１とポッド搬送装置１１８との間のポッド受渡しが行われる。その後、ポッド搬送装置１１８をポッド１１０の搬送先の位置へ移動させる。
このとき、ポッド搬送装置１１８の支持部は常に初期位置から動くことなく(アームの伸縮動作無く)固定されている。つまり、載置部１３１ａを下降させることにより、ポッド搬送装置１１８の可動領域の範囲内に載置部１３１ａを移動することになるため、ポッド搬送装置１１８の支持部を動かさなくてもポッド１１０の受渡しを行うことができる。
このように、動作ユニットとして可動棚１３１を追加してポッド搬送装置１１８との間のポッド１１０の受渡しを行う際に、ポッド搬送装置１１８のアーム動作を考慮しなくてもよく、また、ポッド搬送装置の可動領域を変更しなくても済むので、立上げに費やす時間の短縮が期待できる。
図８Ｂは、サブ棚としての可動棚１３２の載置部１３２ａに載置されたポッド１１０を、ポッド搬送装置１１８の支持部に載置する搬送に関する図示例であり、図８Ｂに示すＳ３０１〜Ｓ３０５は、それぞれ図９に示すＳ１〜Ｓ５に対応する。
図８Ｂ上側の図は、ポッド搬送装置１１８と可動棚１３２とのポッド１１０の受渡しを示す搬送工程を真上から見た平面図であり、図８Ｂ下側の図は、ポッド搬送装置１１８と可動棚１３２とのポッド１１０の受渡しを示す工程をから横から見た断面図である。また、平面図の方は、ポッド搬送機構１１８ｂと載置部３１２ａとの位置関係を明確にするため、ポッド１１０を透明で表している。
ステップ３０１(Ｓ３０１)で、駆動制御部２３７は、ポッド搬送装置１１８をＦＯＵＰ受渡し待機位置に移動させると共に可動棚１３２の載置部１３２ａをスライドさせて原位置から受渡し位置に移動させる。
ステップ３０２(Ｓ３０２)で、駆動制御部２３７は、ポッド搬送装置１１８のアームを動かすことなく、ポッド搬送装置１１８の支持部を可動棚１３２の載置部１３２ａの真下の位置(受渡し前位置)に移動させる。そして、ステップ３０３(Ｓ３０３) で、駆動制御部２３７は、ポッド１１０を載置部１３２ａからポッド搬送装置１１８の支持部に載置されるように、ポッド搬送装置１１８を上昇させて、受渡し後位置に移動させる。このとき、切欠き部１３２ｂが設けられているため、ポッド搬送装置１１８の支持部と載置部１３２ａは接触することはなく、ポッド搬送装置１１８の支持部にポッド１１０が載置される。
ステップ３０４(Ｓ３０４) で、駆動制御部２３７は、ポッド１１０が載置されたポッド搬送装置１１８を受渡し後位置から受渡し退避位置に移動させる。最後に、ステップ２０５(Ｓ２０５) で、駆動制御部２３７は、受渡し位置から駆動部を動作させて載置部１３２ａを原位置に復帰させる。このように、可動棚１３２とポッド搬送装置１１８との間のポッド受渡しが行われ、その後、ポッド搬送装置１１８をポッド１１０の搬送先の位置へ移動させる。
このとき、ポッド搬送装置１１８の支持部は常に初期位置から動くことなく(アームの伸縮動作無く)固定されている。従い、第１ステージ１１４ａと第２ステージ１１４ｂの間に、ポッド搬送装置１１８のアーム動作のためのエリアを確保する必要がなくなった。
また、図８Ｃには、図８Ａにおけるステップ２０２(図８Ｂにおけるステップ３０２)において、駆動制御部２３７により、ポッド搬送装置１１８のアームを動かすことなく可動棚１３１，１３２の下の位置(受渡し前位置)にポッド搬送装置１１８を移動させたときの様子を上方から見た平面図(以下、Ｃ図と略す)が示されている。ここで、Ｃ図では、載置部１３１ａ，１３２ａとポッド搬送機構１１８ｂの位置関係を明確にするため、ポッド１１０を省略している。
図８に示すように、次のステップ(ステップ２０３またはステップ３０３)において、アームが初期位置のままのポッド搬送機構１１８ｂが、可動棚１３１，１３２の載置部１３１ａ，１３２ａと干渉しないよう構成されている。つまり、ポッド搬送装置１１８の支持部のみならずポッド搬送機構１１８ｂよりも載置部１３１ａ，１３２ａの切欠き(空間)部１３１ｂ，１３２ｂが大きく構成されている。また、Ｃ図では、載置部１３１ａ，１３２ａの第１突部とポッド搬送機構１１８ｂの支持部に設けられた第２突部は、ほぼ同じ位置になるよう設けられている。これは、ポッド１１０を支える部分を同じにすることにより、可動棚１３１とポッド搬送装置１１８のポッド１１０の受渡しを安定に行えるようにするためである。
また、図８Ｃに示すように、Ｌ側の可動棚１３１，１３２の載置部１３１ａ，１３２ａだけでなく、Ｒ側の可動棚１３１，１３２の載置部１３１ａ，１３２ａについても同様に、ステップ２０２(ステップ３０２)において、駆動制御部２３７が、ポッド搬送装置１１８のアームを動かすことなく可動棚１３１，１３２の下の位置にポッド搬送装置１１８を移動させたときに、次のステップ(ステップ２０３またはステップ３０３)において、アームが初期位置のままのポッド搬送機構１１８ｂが、可動棚１３１，１３２の載置部１３１ａ，１３２ａと干渉しないように構成されているのが分かる。従い、受渡し待機位置、受渡し前位置、受渡し後位置、受渡し退避位置がそれぞれ左右対称になるものの、Ｒ側の可動棚についても図８Ａ及び図８Ｂで示された搬送と同様の搬送が可能である。つまり、Ｌ側とＲ側とでポッド搬送機構１１８ｂの向きを変えることなくポッド１１０の受渡しが可能である。従い、可動棚１３１，１３２が追加された場合でも、搬送シーケンスの共通化が可能であるため、ポッド搬送装置１１８についてのセットアップ作業を抑制できる。
（図２における空間Ａ）本実施の形態において、上述のように図９で示す搬送シーケンスを可動棚(エキストラ棚)１３１とポッド搬送装置１１８との間のポッド１１０の受渡しシーケンスに適用する改造を行った。
具体的には、ポッド搬送装置１１８がポッド１１０を搬送するエリアの上部(空間Ａ)にエキストラ棚としての可動棚１３１を設け、この可動棚１３１とポッド搬送装置１１８との間のポッド１１０の受渡し動作について、エキストラ棚１３１の載置部１３１ａをポッド搬送装置１１８側に昇降動作を行うことができる図８Ａに示す昇降搬送シーケンスに改良した。
これにより、ポッド搬送機構１１８ｂのアームのエキストラ棚１３１側への動作が不要となった。また、図８Ｃに示すように、ポッド搬送機構１１８ｂよりも載置部１３１ａの切欠き部１３１ｂを大きくすることにより、アームを初期位置のまま動かさずに、エキストラ棚１３１の載置部１３１ａとポッド搬送装置１１８の支持部とのポッド１１０の受渡しが可能になった。
更に、可動棚１３１の載置部１３１ａを現状のポッド搬送装置１１８の動作範囲へ移動させるよう構成されているため、納入済の基板処理装置１００にエキストラ棚１３１を追加する小改造で、ポッド１１０の収納数を増やす変更に対応できるようになった。つまり、エキストラ棚１３１は、Ｌ側とＲ側に２つ配置されるので、既存の基板処理装置１００(図２)をそのまま流用しつつバッファ棚を２個追加することができた。
（図２における空間Ｂ）次に、本実施の形態において、上述のように図９で示す搬送シーケンスを可動棚(サブ棚)１３２とポッド搬送装置１１８との間のポッド１１０の受渡しシーケンスに適用する改造を行った。
具体的には、第１ステージとしてのＯＨＴステージ１１４ａと第２ステージとしてのＡＧＶステージ１１４ｂの間(空間Ｂ)に、サブ棚としての可動棚１３２を設け、サブ棚１３２をポッド搬送装置１１８側にスライド動作を行うことができる図８Ｂに示す水平スライド搬送シーケンスに改良した。これにより、ポッド搬送機構１１８ｂのアームのサブ棚１３２側への動作が不要となった。
また、この改良により、ポッド搬送機構１１８ｂのアームをＳｅｍｉ規格で規定されている第２ステージ１１４ｂの作業エリアへ侵入させる必要がなくなった。更に、アームの侵入スペースを考慮する必要が無くなり、サブ棚１３２を上下に詰めて設置できるようになった。その結果、第１ステージ１１４ａと第２ステージ１１４ｂの間に、可動棚１３２を２段設置することができた。
従って、これまで、第１ステージ１１４ａと第２ステージ１１４ｂの間に、バッファ棚が２個しか設けられなかったが、本実施形態における搬送シーケンスをポッド搬送装置１１８とサブ棚１３２とのポッド１１０搬送に適用することで、サブ棚１３２を２段にすることができ、サブ棚１３２はＬ側とＲ側に２つ配置されるため、結果としてバッファ棚を４個設けることができた。
図１０に、本実施形態における１２５枚仕様から１５０枚仕様に改造した後の基板処理装置１００の概略図を示す。上述したように図２(改造前の基板処理装置１００)からエキストラ棚１３１が２個、サブ棚１３２が４個追加されている。
エキストラ棚１３１及びサブ棚１３２は、それぞれユニット化されており、他は図２に示す改造前の基板処理装置１００と同じ構成となっているため、改造前の基板処理装置１００と比較してフットプリントは同一である。
また、回転式ポッド棚１０５の最上部のポッド１１０にポッド搬送装置１１８がアクセスする時に、上部バッファ棚としてのエキストラ棚１３１は、上昇退避位置(図８でいう原位置)でポッド１１０の受渡し時のみ下降位置に移動するように駆動制御部２３７に制御されている。
また、エキストラ棚１３１はＬ側とＲ側に２つ配置され、一方にアクセス中、他方は上方退避位置(原位置)を保持するよう駆動制御部２３７に制御されている。同様に、サブ棚１３２に関してもＬ側とＲ側に２つ配置され、一方にアクセス中、他方は上方退避位置(原位置)を保持するよう駆動制御部２３７に制御されている。また、ポッド搬送装置１１８との搬送がなされていないときは、サブ棚１３２の載置部１３２ａは、初期位置としての原位置に保持されている。
従い、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ１２１との間のポッド１１０の搬送を妨げることなく、エキストラ棚１３１及びサブ棚１３２を追加することができる。また、可動棚１３１，１３２が1棚ずつ独立の動作ユニットになっているため、ポッド１１０を収納するバッファ棚数の組合せの自由度が確保できる。
更に、エキストラ棚１３１及びサブ棚１３２を追加で設置しても、エキストラ棚１３１及びサブ棚１３２の各々とポッド搬送装置１１８との間のポッド１１０の受渡しに関して、ポッド搬送機構１１８ｂのアームを初期位置のまま動かさずにポッド１１０の受渡しが可能であるため、従来のアームを動作させる搬送シーケンスよりもティーチング作業の短縮が可能である。
本実施形態における搬送シーケンスを実現させるためのティーチング作業は、ポッド搬送装置１１８では、受渡し退避位置、受渡し前位置、受渡し後位置、受渡し待機位置の４点に関するティーチング、可動棚１３１，１３２では、受渡し位置、原位置(初期位置)の２点(但し、原位置は不要)に関するティーチングだけで済むのでティーチング作業が、図７の比較例に示す従来の搬送シーケンスよりも時間を短縮できる。
これに対して、従来の搬送シーケンスでは、図７の比較例に示すようにポッド搬送装置１１８ｂのアームの動作を考慮しなければならないだけでなく、更に搬送を行うためのエリアの確保が必要であった。
特に、本実施形態において、エキストラ棚１３１に対して、ポッド搬送装置１１８ｂのアームの動作を考慮してティーチングしなければならないため、ティーチングが容易ではない上にポッド搬送を行うためのエリアの確保が困難である。この場合、設計変更を伴う大掛かりな改造となるため、莫大な時間及びコストがかかる。
一方、本実施の形態において、搬送シーケンスを改良することにより、可動棚１３１，１３２以外の動作ユニットは、現状の基板処理装置１００と共通にすることができた。従い、筐体１１１、ロードポート１１４、ポッド搬送装置１１８、回転式ポッド棚１０５は既存のままで構わないので、そのまま納入済の基板処理装置１００と共通にすることができる。特に、ポッド搬送装置１１８のポッドエレベータ１１８ａの移動ストロークの変更が不要なため、装置輸送時にポッドエレベータ１１８ａを取外し、別送の必要がなく現地立上げ期間が短縮できる。
本実施の形態において、エキストラ棚１３１、サブ棚１３２はそれぞれ新規設計が必要である。その他、本実施形態における搬送シーケンスを実行するためのソフトウェア対応が必要である。但し、言い換えると、エキストラ棚１３１とサブ棚１３２を追加するのに必要な改造、及び改造に係る時間及びコストを考慮するだけでよくなった。このように、本実施の形態によれば、納入済の基板処理装置１００に小規模な改造で可動棚１３１，１３２の追加を行うことができる。
従い、これら可動棚１３１，１３２の追加及び削除に伴う改造だけに抑えられるため、基板処理装置１００に収納されるポッド１１０の数が増減しても、改造に係る工数及びコストを比較的低く抑えることができる。
また、本実施形態において、動作ユニットの追加ということで記載してきたが、動作ユニットの削除にも適用される。
また、本実施の形態によれば、可動棚以外の動作ユニットは現状の基板処理装置と共通にすることができるため、顧客工場(現地)での再組立て及び再調整の負荷が大幅に低減される。
尚、本実施の形態において、可動棚を上下方向または水平方向に載置部を駆動する例について記載するが、この形態に限定されず、載置部を駆動することにより、ポッド１１０をポッド搬送装置１１８の可動領域にまで移動させることが可能な形態であれば構わない。つまり、ポッド搬送機構１１８ｂのアームを伸縮させることなく初期位置に固定されたまま、ポッド１１０の受渡しが可能な位置まで移動できる構成であればよい。
＜本実施形態における効果＞ 本実施形態によれば、以下の(ａ)乃至(ｆ)のうち、少なくとも一つ、又は複数の効果を奏する。
(ａ)本実施形態によれば、改良した搬送シーケンスを可動棚とポッド搬送装置との間のポッドの受渡しに用いることで、可動棚以外の動作ユニットは現状の基板処理装置と共通にすることができるため、納入済み装置への付加が容易に可能で改造コストを低減できる。
(ｂ) 本実施形態によれば、可動棚以外の動作ユニットは現状の基板処理装置と共通にすることができるため、改造コストが低減されるだけでなく、顧客工場(現地)での再組立て及び再調整の負荷が大幅に低減される。
(ｃ) 本実施形態によれば、ポッド搬送装置１１８のポッドエレベータ１１８ａの移動ストロークの変更が不要なため、装置輸送時にポッドエレベータ１１８ａを取外し、別送の必要がなく現地立上げ期間が短縮できる。
(ｄ) 本実施形態によれば、可動棚以外の動作ユニットは現状の基板処理装置と共通にすることができるため、可動棚とポッド搬送装置との搬送シーケンスを実行する前のセットアップ(立上げ)作業負荷を低減することができ、現地立上げ期間が短縮できる。
(ｅ) 本実施形態によれば、可動棚とポッド搬送装置との搬送シーケンスを採用することで、可動棚のユニット化が比較的容易に行うことができ、ポッドを収納するバッファ棚数の組合せの自由度が確保できる。
(ｆ) 本実施形態によれば、可動棚が1棚ずつ独立ユニットになっており、ポッドを収納するバッファ棚数の組合せの自由度が確保できる。これにより、ウェーハ２００の処理枚数の変更の際に、改造が伴う変更であっても短納期での対応が期待できる。
以上、本発明の実施形態及び実施例を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、原料ガスとして、ＨＣＤＳガスを用いる例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、原料ガスとしては、モノシラン（ＳｉＨ４、略称：ＭＳ）ガス、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６、略称：ＤＳ）ガス、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８、略称：ＴＳ）ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを用いることができる。また、例えば、原料ガスとして、ＨＣＤＳガスの他、モノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３、略称：ＴＣＳ）ガス、テトラクロロシランすなわちシリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ４、略称：ＳＴＣ）ガス、オクタクロロトリシラン（Ｓｉ３Ｃｌ８、略称：ＯＣＴＳ）ガス等の無機系ハロシラン原料ガスや、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、テトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２Ｈ２、略称：ＢＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリブチルアミノシラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス等のハロゲン基非含有のアミノ系（アミン系）シラン原料ガスを用いることができる。
また、例えば、上述の実施形態では、反応ガスとしてＮＨ３ガスを用いる例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、反応ガスとしては、ＮＨ３ガスの他、ジアゼン（Ｎ２Ｈ２）ガス、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）ガス、Ｎ３Ｈ８ガス等の窒化水素系ガスや、これらの化合物を含むガス等を用いることができる。また、反応ガスとしては、トリエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）３Ｎ、略称：ＴＥＡ）ガス、ジエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）２ＮＨ、略称：ＤＥＡ）ガス、モノエチルアミン（Ｃ２Ｈ５ＮＨ２、略称：ＭＥＡ）ガス等のエチルアミン系ガスや、トリメチルアミン（（ＣＨ３）３Ｎ、略称：ＴＭＡ）ガス、ジメチルアミン（（ＣＨ３）２ＮＨ、略称：ＤＭＡ）ガス、モノメチルアミン（ＣＨ３ＮＨ２、略称：ＭＭＡ）ガス等のメチルアミン系ガス等を用いることができる。
また、例えば、上述の実施形態では、ＳｉＮ膜等のシリコン含有膜を形成する例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、本発明は、ウェーハ２００上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む膜、すなわち、金属系膜を形成する場合においても、好適に適用可能である。
すなわち、本発明は、半導体元素や金属元素等の所定元素を含む膜を形成する場合に好適に適用することができる。
また、上述の実施形態では、ウェーハ２００上に膜を堆積させる例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、ウェーハ２００上に形成された膜等に対して、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理を行う場合にも、好適に適用可能である。
また、実施例ではバッチ処理の縦型基板処理装置について説明したが、それに限定されるものではなく、バッチ処理の横型基板処理装置に適用することができる。
また、本実施例に係る基板処理装置のような半導体ウェーハを処理する半導体製造装置などに限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Liquid Crystal Display）製造装置にも適用することができる。
＜本発明の好ましい態様＞ 以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
(付記１) 本発明の一態様によれば、基板収容器(ポッド)が載置される複数の載置部と、前記載置部を駆動する駆動部と、前記ポッドの前記載置部への搬入と前記ポッドの前記載置部からの搬出とを行う搬送機構を含むポッド搬送装置(キャリアローダ)と、前記キャリアローダのアームを初期位置から動かすことなく動かすことなく前記搬送機構の支持部を昇降させることにより、前記ポッドを前記載置部から前記キャリアローダの支持部に受け渡すように前記駆動部と前記キャリアローダを制御する制御部と、を備えた基板処理装置が提供される。
(付記２)付記１の基板処理装置であって、好ましくは、前記キャリアローダの可動領域の上部に前記ポッドを収納する可動棚(エキストラ棚)を備え、前記制御部は、この棚の前記載置部を昇降(上下方向に駆動、または上下スライド)させて、前記キャリアローダに対して前記ポッドの受け渡しを行うよう構成されている。
(付記３) 付記１または付記２の基板処理装置であって、好ましくは、第１ステージ(ＯＨＴステージ)と第２ステージ(ＡＧＶステージ)の間に前記ポッドを収納する可動棚(サブ棚)を設け、前記制御部は、この可動棚の前記載置部を水平移動(水平方向に駆動、または水平スライド)させて、前記キャリアローダに対して前記ポッドの受け渡しを行うよう構成されている。
(付記４) 付記２または付記３の基板処理装置であって、好ましくは、前記可動棚の載置部には、前記ポッドを複数の点で支持する第１突部が設けられ、前記キャリアローダの前記支持部には、前記ポッドを複数の点で支持する第２突部が設けられるよう構成されている。
(付記５) 付記２または付記３の基板処理装置であって、好ましくは、前記可動棚の切欠部は、前記キャリアローダが前記ポッドを持ち上げた(掬い上げた)とき、または、前記ポッドを前記載置部に降下させたときに、前記キャリアローダの支持部と前記可動棚の載置部が干渉しないよう構成されている。
(付記６) 付記５の基板処理装置であって、好ましくは、前記切欠部の断面積は、前記キャリアローダの前記搬送機構(の支持部)の断面積よりも大きく前記可動棚の載置部の断面積よりも大きく構成されている。
(付記７) 付記１の基板処理装置であって、好ましくは、 前記制御部は、前記載置部及び前記キャリアローダの支持部をそれぞれ受渡し可能な位置、及び受渡し待機位置に移動させるように、前記キャリアローダ及び前記載置部を制御するよう構成されている。
(付記８) 付記７の基板処理装置であって、好ましくは、前記制御部は、前記キャリアローダを受渡し待機位置に移動させながら、前記可動棚を受渡し可能な受渡し位置に移動させ、前記キャリアローダを前記受渡し位置の上方または下方に移動し、前記可動棚から前記ポッドを受け取らせ若しくは前記可動棚に前記ポッドを、前記キャリアローダを受渡し退避位置に移動させるシーケンスを実行するよう制御される。
(付記９)本発明の他の態様によれば、 筐体を処理領域とポッドを格納する格納領域に仕切り、前記格納領域には、前記ポッドが出入りする搬入搬出口載置台(Ｉ/Ｏステージ)、前記ポッドが保管される回転式保管棚、前記Ｉ/Ｏステージと回転式保管棚の間に位置するキャリアローダ、該キャリアローダの真上に位置する箇所に設けられた棚、該棚の載置部を上下方向に駆動する駆動部、前記キャリアローダの載置部を動かすことなく前記棚と前記キャリアローダの間で前記ポッドの受け渡すように前記駆動部及び前記カセットローダを制御する制御部がそれぞれ設けられた基板処理装置が提供されている。
(付記１０)本発明の更に他の態様によれば、筐体を処理領域とポッドを格納する格納領域に仕切り、前記格納領域には、前記ポッドが出入りするＩ/Ｏステージ、前記ポッドが保管される回転式保管棚、前記Ｉ/Ｏステージと前記回転式保管棚の間に位置するキャリアローダ、前記Ｉ/Ｏステージの間に設けられた可動棚、該棚の載置部を水平方向に駆動する駆動部、前記キャリアローダの支持部を動かすことなく前記可動棚と前記キャリアローダの間で前記ポッドの受け渡すように前記駆動部及び前記キャリアローダを制御する制御部がそれぞれ設けられた基板処理装置が提供される。
(付記１１) 付記９または付記１０の基板処理装置であって、好ましくは、 前記制御部は、前記キャリアローダを受渡し待機位置に移動させながら、前記可動棚を受渡し可能な受渡し位置に移動させ、前記キャリアローダの支持部を受渡し可能な位置の上方又は下方に移動させ、前記可動棚から前記ポッドを受け取らせ、前記キャリアローダを受渡し退避位置に戻らせるよう制御するよう構成されている。
(付記１２) 本発明の更に他の態様によれば、キャリアローダを受渡し待機位置に移動させながら、可動棚を受渡し可能な受渡し位置に移動させる工程と、前記キャリアローダの支持部を初期位置から動かすことなく前記キャリアローダを前記受渡し位置の上方又は下方に移動させ、前記可動棚から前記ポッドを受け取るか若しくは前記可動棚に前記ポッドを受渡する工程と、前記キャリアローダを受渡し退避位置に移動させる工程と、を有するポッド搬送方法が提供される。
(付記１３) 本発明の更に他の態様によれば、キャリアローダを受渡し待機位置に移動させながら、可動棚を受渡し可能な受渡し位置に移動させる手順と、前記キャリアローダの支持部を初期位置から動かすことなく前記キャリアローダを前記受渡し位置の上方又は下方に移動させ、前記可動棚から前記ポッドを受け取るか若しくは前記可動棚に前記ポッドを受渡する手順と、前記キャリアローダと前記可動棚がそれぞれ受渡し退避位置に戻る手順と、を有するシーケンス(プログラム)、及び該シーケンス(プログラム)が記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体が提供される。
(付記１４) 本発明の更に他の態様によれば、基板収容器(ポッド)が載置される載置部と、前記載置部を駆動する駆動部と、を備えた動作ユニット(可動棚)と、前記ポッドの前記載置部への搬入と前記ポッドの前記載置部からの搬出とを行う搬送機構を含むポッド搬送装置(キャリアローダ)と、前記キャリアローダの支持部を動かすことなく前記搬送機構を昇降させることにより、前記ポッドを前記載置部から前記キャリアローダの支持部に受け渡すか、若しくは前記ポッドを前記キャリアローダの支持部から前記載置部に受け渡すように前記駆動部と前記キャリアローダを制御する制御部と、を備えた基板収容器搬送システムが提供される。
(付記１５) 付記１４の基板収容器搬送システムであって、好ましくは、前記基板収容器(ポッド)が前記載置部にあるか否かを検知するセンサ(ポッド有無センサ)を備え、前記制御部は、前記センサにより検知されていない前記載置部の駆動を省略するよう前記駆動部を制御するよう構成されている。
(付記１６) 付記１４の基板収容器搬送システムであって、好ましくは、前記制御部は、前記載置部を原位置から前記ポッドの受渡が可能な受渡し位置に移動するよう前記駆動部を制御するよう構成されている。
(付記１７) 付記１４の基板収容器搬送システムであって、好ましくは、前記制御部は、前記キャリアローダの支持部を動かすことなく前記キャリアローダを上方又は下方に移動させ、前記ポッドの前記載置部への載置、または、前記ポッドの前記キャリアローダの支持部への載置を行うよう前記キャリアローダを制御するよう構成されている。
(付記１８) 付記１６の基板収容器搬送システムであって、好ましくは、前記制御部は、前記キャリアローダのアームを伸縮させず前記支持部を初期位置に固定しまま、前記キャリアローダを昇降させるよう構成されている。
(付記１９) 付記１４の基板収容器搬送システムであって、好ましくは、前記載置部には、前記ポッドを複数の点で支持する第１突部が設けられ、前記キャリアローダの前記支持部には、前記ポッドを複数の点で支持する第２突部が設けられるよう構成されている。
(付記２０) 付記１４の基板収容器搬送システムであって、好ましくは、前記可動棚の切欠部は、前記キャリアローダが前記ポッドを持ち上げた(掬い上げた)とき、または、前記ポッドを前記載置部に降下させたときに、前記キャリアローダの支持部と前記載置部が干渉しないよう構成されている。
(付記２１) 付記２０の基板処理装置であって、好ましくは、前記切欠部の断面積は、前記キャリアローダの前記搬送機構(の支持部)の断面積よりも大きく前記可動棚の載置部の断面積よりも大きく構成されている。
(付記２２) 本発明の更に他の態様によれば、基板収容器(ポッド)が載置される載置部と、前記載置部を前記基板収容器(ポッド)が収納される位置である原位置と前記基板収容器(ポッド)の受渡が可能な位置である受渡し位置との間を駆動させる駆動部と、を備えた動作ユニット(可動棚)であって、前記ポッドの前記可動棚への搬入、または、前記ポッドの前記可動棚からの搬出を行う際に、前記載置部を前記原位置から前記ポッドの受渡が可能な受渡し位置に移動されるよう構成されている動作ユニットが提供される。
(付記２３) 付記１９の動作ユニットであって、好ましくは、更に、前記基板収容器(ポッド)が前記原位置に載置されるか否かを検知するセンサ(ポッド有無センサ)を備え、前記駆動部は、前記センサにより検知されていない前記載置部の駆動を省略するよう構成されている。
(付記２４) 本発明の更に他の態様によれば、基板収容器(ポッド)が載置される支持部を含み、前記ポッドの前記載置部への搬入と前記ポッドの前記載置部からの搬出とを行う搬送機構と、前記搬送機構を昇降させる昇降部(ボートエレベータ)とを含むポッド搬送装置(キャリアローダ)であって、前記キャリアローダの支持部を動かすことなく(初期位置に固定したまま)前記支持部を昇降させることにより、前記ポッドを前記載置部から前記キャリアローダの支持部に受け渡すように構成されているポッド搬送装置が提供される。
基板処理装置に関し、製品基板の処理枚数の変更に対応可能な構成を有する基板処理装置に適用される。
１００…基板処理装置１０５…回転式ポッド棚(回転式保管棚)１１４…ロードポート１１４ａ…ＯＨＴステージ(第１ステージ)１１４ｂ…ＡＧＶステージ(第２ステージ)１３１…可動棚(エキストラ棚)１３２…可動棚(サブ棚)２００…ウェーハ２４０…コントローラ
Claims (13)
- 基板収容器を載置する支持部と、伸縮により前記支持部を移動させる伸縮部と、を有する搬送機構と、
基板収容器が載置される載置部と、前記載置部を駆動する駆動部と、を備え、前記基板収容器を前記搬送機構の可動領域内外に移動させる可動棚と、
前記搬送機構の前記支持部を前記伸縮部が縮んだ状態の初期位置に保持した状態で、前記搬送機構を昇降させることにより、前記搬送機構の可動領域内の前記載置部と前記支持部との間で前記基板収容器を受渡するように前記駆動部と前記搬送機構を制御する制御部と、
を備えた基板処理装置。 - 前記可動棚は、前記載置部が原位置のとき前記搬送機構の可動領域の上部に設けられ、
前記制御部は、前記可動棚の前記載置部を上下方向に駆動させて、前記搬送機構に対して前記基板収容器の受渡しを行わせるよう構成されている請求項１記載の基板処理装置。 - 前記可動棚は、前記載置部が原位置のとき、前記基板収容器が出入りする第１ステージと第２ステージの間に設けられ、
前記制御部は、前記可動棚の前記載置部をスライドさせて、前記搬送機構に対して前記基板収容器の受渡しを行わせるよう構成されている請求項１記載の基板処理装置。 - 前記可動棚の載置部には、前記基板収容器を複数の点で支持する第１突部が設けられ、
前記搬送機構の前記支持部には、前記基板収容器を複数の点で支持する第２突部が設けられる請求項１記載の基板処理装置。 - 前記可動棚の切欠部は、前記搬送機構が前記基板収容器を持ち上げたとき、または、前記基板収容器を前記載置部に降下させたときに、
前記搬送機構の前記支持部と前記可動棚の前記載置部が干渉しないよう構成されている請求項１記載の基板処理装置。 - 前記切欠部の断面積は、前記搬送機構の前記支持部の断面積よりも大きく構成されている請求項５記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記可動棚の前記載置部を前記搬送機構の可動領域に移動させると共に、前記搬送機構の前記支持部を受渡し可能な位置に移動させるように、前記搬送機構及び前記載置部を制御するよう構成されている請求項１記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記基板収容器を受渡しする受渡し位置に前記可動棚の前記載置部を移動させ、前記搬送機構を前記受渡し位置の下方又は上方に移動させ、前記載置部から前記基板収容器を受け取らせるか若しくは前記載置部に前記基板収容器を受渡、前記搬送機構を受渡し退避位置に移動させ、前記載置部を原位置に戻らせるシーケンスを実行するよう構成されている請求項１記載の基板処理装置。
- 基板を処理する処理領域と基板収容器を搬送する搬送領域に仕切るよう構成される筐体と、
前記搬送領域に設けられ、前記基板収容器が出入りするロードポートと、
前記搬送領域に設けられ、前記基板収容器が保管される回転式保管棚と、
基板収容器を載置する支持部と、前記支持部を移動させる伸縮部と、を有し、前記ロードポートと前記回転式保管棚の間に位置するポッド搬送装置と、
前記基板収容器を載置する載置部と、前記載置部を上下方向に駆動する駆動部と、を有し、前記基板収容器を前記ポッド搬送装置の可動領域内外に移動させる可動棚と、
前記ポッド搬送装置の前記支持部を前記伸縮部が縮んだ状態の初期位置に保持した状態で前記ポッド搬送装置を昇降させることにより、前記ポッド搬送装置の可動領域内の前記載置部と前記支持部との間で前記基板収容器を受渡するように前記駆動部及び前記ポッド搬送装置を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を処理する処理領域と基板収容器を搬送する搬送領域に仕切るよう構成される筐体と、
前記搬送領域に設けられ、前記基板収容器が出入りするロードポートと、
前記搬送領域に設けられ、前記基板収容器が保管される回転式保管棚と、
基板収容器を載置する支持部と、前記支持部を移動させる伸縮部と、を有し、前記ロードポートと前記回転式保管棚の間に位置するポッド搬送装置と、
前記基板収容器を載置する載置部と、前記載置部を水平方向に駆動する駆動部と、を有し、前記ロードポートの間に設けられ、前記基板収容器を前記ポッド搬送装置の可動領域内外に移動させる可動棚と、
前記ポッド搬送装置の前記支持部を前記伸縮部の伸縮動作なく固定された初期位置に保持した状態で前記ポッド搬送装置を昇降させることにより、前記ポッド搬送装置の可動領域内の前記載置部と前記支持部との間で前記基板収容器を受渡するように前記駆動部及び前記ポッド搬送装置を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記制御部は、前記載置部を受渡し可能な受渡し位置に移動させ、前記ポッド搬送装置を前記受渡し位置の下方又は上方に移動させ、前記載置部から前記基板収容器を受け取らせるか若しくは前記載置部に前記基板収容器を受渡、前記ポッド搬送装置を受渡し退避位置に移動させるよう制御するよう構成されている請求項９または請求項１０記載の基板処理装置。
- 基板を搬送する工程と、基板を処理する基板処理工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板を搬送する工程は、
前記基板が収納された基板収容器を載置する支持部と、前記支持部を移動させる伸縮部と、を有する搬送機構と、
前記基板収容器が載置される載置部と、前記載置部を駆動する駆動部と、を備え、前記基板収容器を前記搬送機構の可動領域内外に移動させる可動棚と、の間で、前記基板収容器を搬送する工程を含み、
前記基板収容器を搬送する工程では、
前記搬送機構の前記支持部を前記伸縮部が縮んだ状態の初期位置に保持した状態で前記搬送機構を昇降させることにより、前記搬送機構の可動領域内の前記載置部と前記支持部との間で前記基板収容器を受渡する工程と、
を更に有する半導体装置の製造方法。 - 基板収容器を載置する支持部と、前記支持部を移動させる伸縮部と、を有する搬送機構と、
前記基板収容器が載置される載置部と、前記載置部を駆動する駆動部と、を備え、前記基板収容器を前記搬送機構の可動領域内外に移動させる可動棚と、
前記駆動部と前記搬送機構を制御する制御部と、
を備えた基板処理装置で実行されるプログラムであって、
前記搬送機構の前記支持部を前記伸縮部が縮んだ状態の初期位置に保持した状態で前記搬送機構を昇降させることにより、前記搬送機構の可動領域内の前記載置部と前記支持部との間で前記基板収容器を受渡する手順と、
を前記制御部に実行させるプログラム。
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