JP5599716B2 - 光学活性ラセミメントールを製造するための方法 - Google Patents

Description

本発明は、メントールを製造するための特に経済的な包括的方法、具体的には、安価に入手可能な出発材料のシトラールから出発して、光学的に活性の実質的に鏡像異性体およびジアステレオ異性体として純粋なＬ−メントールおよびラセミメントールの工業規模での製造に関する。具体的には、本発明は、望ましくない廃棄物および副産物を十分に回避しながら、光学的に活性の実質的に鏡像異性体として純粋なメントールおよびラセミメントールを製造するための方法に関する。

メントール、具体的には、左旋光性鏡像異性体Ｌ−（−）−メントールは、その周知の冷却特性により、最も経済的に有効な芳香化学物質の１つである。世界的に約１６５００ｔと推定される光学活性メントールの需要は、例えば、天然油、具体的には低温でハッカから絞った油からのＬ−メントールの結晶化などにより主として天然源から依然として賄われている。したがって、このようにして入手可能なメントールの可用性および品質は、前記原材料の価格安定性に不利な効果を与え得る年毎の収穫量の変動および予測困難な気象要因に大きく左右される。加えて、世界的に、良質のラセミメントールに対する要望が強い。低価格であるため、通常、それが特定の用途に好適であれば使用される。

ラセミおよび光学活性メントールを合成するための方法は、長きにわたって当業者に既知であり、例えば、"Ｍｉｎｔ：ｔｈｅ ｇｅｎｕｓ ｍｅｎｔｈａ"ｂｙ Ｒ．Ｈｏｐｐ ａｎｄ Ｂ．Ｍ．Ｌａｗｒｅｎｃｅ，ＣＲＣ Ｐｒｅｓｓ，Ｔａｙｌｏｒ＆Ｆｒａｎｃｉｓ Ｇｒｏｕｐ，２００７，ｐａｇｅｓ ３７１−３９７に詳述されている。メントールを製造するための既知の方法により、ラセミまたは光学活性メントールが得られ、光学活性メントールは、光学的に活性の形で天然源から入手可能な出発材料から出発して部分的合成により得られる。加えて、例えば"Ｃａｔａｌｙｔｉｃ Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ"，ｂｙ Ｓ．Ａｋｕｔａｇａｗａ，Ｋ．Ｔａｎｉ，Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ，２０００，ｃｈａｐｔｅｒ ３，ｐｐ．１４５−１６１およびＳ．Ｏｔｓｕｋａ，Ｋ．Ｔａｎｉ，Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ １９９２，６６５−６８０に記載されているように、最初にエナミンに変換され、次いで不斉異性体化が施されるミルセンから出発してＬ−メントールを製造するための方法がある。

Ｌ−メントールのエナンチオ選択的合成の１つの目的は、前記化合物を高い鏡像異性体純度で提供することである。ここで、メントールを製造するためのエナンチオ選択的な完全合成方法の場合は、一方の鏡像異性体が他方に優先して得られる程度は、それを通じて第１の非対称炭素原子が形成される反応の不斉誘導、所謂カイロゲン状態によって決定づけられる。

工業規模で実施される合成の場合は、エナンチオ選択的触媒が使用されるカイロゲン段階または反応が好適である。これらは、通常、理論量のキラル助剤を使用する同様の可能な反応より経済的に優れる。エナンチオ選択的に触媒される反応が優先的に実施される場合の不斉誘導の程度は、キラル触媒系の効率性によって決定づけられるため、特定の触媒およびそれぞれの場合において選択される反応条件に応じて決まる。その結果、工業規模で実施される方法において、不完全不斉誘導の結果として形成されるラセミメントールの他に光学活性メントールが形成される割合も決まるため、複雑な触媒系の交換によって、または反応条件を変更することによってのみ調整され得る。特に工業規模の反応の場合は、どちらも多大なコストで実施され得る。

この背景に対して、本発明の目的は、光学活性メントール、好ましくはＬ−メントールおよびラセミメントールを、エナンチオ選択的触媒系を交換することなく、かつ／または反応条件を変更する必要があるために生成物の１つを過剰に得ることなく、需要に応じた様々な量で製造することを可能にする方法を提供することであった。該方法は、工業規模の反応に好適であり、容易に入手可能な安価な出発材料の使用を可能にするものである。さらに、該方法は、少ない総段階数で高い全体収率をもたらすものである。さらに、カイロゲン反応段階の過程において、安価で容易に入手可能なエナンチオ選択的触媒系を使用するものである。

その目的は、本発明によれば、メントールを製造するための方法であって、
ａ．１）ネラールおよび／またはゲラニアールを触媒水素化してシトロネラールを得る工程と、
ｂ．１）酸性触媒の存在下でシトロネラールを環化してイソプレゴールを得る工程と、
ｃ．１）結晶化によってイソプレゴールを精製する工程と、
ｄ．１）イソプレゴールを触媒水素化してメントールを得る工程と
を含む方法の提供を介して達成された。

本発明による方法を実施するための出発材料は、それぞれの場合において純粋の形、または好ましくは互いに混合した形の式（ＩＩ）

のα，β−不飽和アルデヒドネラールおよび／または式（ＩＩＩ）

のゲラニアールである。ゲラニアールとネラールの好適な混合物は、９０質量％超、好ましくは９５から９９．５質量％、特に好ましくは９６質量％、最も好ましくは９７から９９．５質量％のゲラニアールおよびネラールを含むものであり、少量の二次成分、例えば水または溶媒残留物が存在していてもよく、ここで質量％単位のデータは、開示内容全体を通じて、それぞれの混合物の全量を指す。

本発明に従って使用できるネラールおよびゲラニアール含有物質混合物の組成は、広範に異なり得る。本発明によれば、約０．１から約２０質量％、好ましくは約０．１から約１０質量％、特に好ましくは約０．５から約５質量％、極めて好ましくは約０．５から３質量％のゲラニアールおよび約８０質量％から約９９．９質量％、好ましくは約９０質量％から約９９．９質量％、特に好ましくは約９５質量％から約９９．５質量％、極めて好ましくは約９６から９９質量％のネラール（質量％単位のデータはいずれもそれぞれの物質混合物の全量を指す）を含む混合物が好ましい。

本発明による方法を実施するための出発材料として、ゲラニアールを先述の分率より大きな分率で含むゲラニアールおよびネラール含有混合物、例えば、シトラールとして既知のゲラニアールとネラールの混合物を使用することもできる。シトラールは、平衡状態で、約５０質量％のゲラニアールおよび約５０質量％のネラールからなり、例えばその全体が参考として本明細書で援用されるため、本開示の一部であるＥＰ０９９２４７７、ならびに当該文献に引用される参考文献に記載されているように、例えば、プレノールの脱離により３−メチル−２−ブテン−アールジプレニルアセタールを熱開裂してシス／トランス−フェニル（３−メチルブタジエニル）エーテルを得、それをクライゼン転位して２，４，４−トリメチル−３−ホルミル−１，５−ヘキサジエンを得、続いてそれをコープ転位することによって工業規模で容易に入手可能である。

工程０）：ネラールおよびゲラニアール含有物質混合物の蒸留分離
ゲラニアールおよびネラール含有混合物を使用する場合、例えば上記シトラールを使用する場合は、それは、単にα，β−位の二重結合の配置が異なる２つの異性体を蒸留法で分離、精製および／または濃縮することができれば有利であることが証明された。これは、例えば上記シトラールから出発して、実質的に任意の所望の混合比のネラールとゲラニアールとの混合物を提供することを可能にする。このように、高濃度の、または純粋なゲラニアールまたはネラール、好ましくはネラールを、ネラールおよびゲラニアール含有混合物から出発して、好ましくは上記シトラールから出発して得ることができる。

よって、好適な実施形態の文脈の範囲内で、メントールを製造するための本発明による方法は、任意の工程０）として、ゲラニアールおよびネラール含有混合物を蒸留分離して、高濃度の、または純粋なゲラニアールまたはネラール、好ましくはネラールを得る工程をさらに含む。

さらに、ゲラニアールおよびネラール含有混合物を、特に有利には、分割壁塔または熱結合塔の相互連結体によって実施することができる。このように、ネラールは、特に、ゲラニアールおよびネラールを含む物質混合物の蒸留分離を介して純粋な、または高濃度の形で入手可能である。

ゲラニアールおよびネラール含有混合物の前記蒸留分離は、有利には連続的に実施される。好適な実施形態の文脈の範囲内で、ゲラニアールおよびネラール含有混合物の蒸留分離では、式（ＩＩＩ）のネラールおよびゲラニアールを含む物質混合物からのネラールの蒸留分離によって純粋な、または高濃度の形で式（ＩＩ）のネラールを製造するための連続的方法が挿入され、蒸留分離は、８０から２００個の理論分離段および１つまたは複数の側方取出点を有する分割壁塔あるいは熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体にて５から２００ミリバールの絶対動作圧力で実施される。

ネラールおよびゲラニアール含有混合物の蒸留分離方法のこの好適な実施形態を実施するための好適な供給材料は、ネラールおよびゲラニアールを含む物質混合物、好ましくは、主として二重結合異性体ネラールおよびゲラニアールの物質混合物である。これらのなかでも、特定の分率で（それぞれの場合において、それぞれの物質混合物の全量に対して）少なくとも９０質量％から１００質量％、特に好ましくは少なくとも９５から９８質量％のゲラニアールおよびネラールを含み、またはそれらからなり、加えてさらなる成分、例えば異性体、副産物または不純物を少量、すなわち（それぞれの場合において、それぞれの物質混合物の全量に対して）１０質量％まで、好ましくは５質量％までの分率の範囲で含みうる物質混合物が好ましい。１つの好適な供給材料は、合成により製造されたシトラール、特に、ＥＰ０９９２４７７に記載されているように、プレノールの脱離により３−メチル−２−ブテン−アールジプレニルアセタールを熱開裂してシス／トランス−フェニル（３−メチルブタジエニル）エーテルを得、それをクライゼン転位して２，４，４−トリメチル−３−ホルミル−１，５−ヘキサジエンを得、続いてそれをコープ転位することによって得られたものである。これは、典型的には、約４５から約５５質量％のネラール、ならびに約５５から約４５質量％および約１から約５質量％のさらなる化合物および／または不純物を含む。

特定の実施形態の文脈の範囲内において、本発明による方法は、さらなる挿入工程として、３−メチル−２−ブテン−１−アールジフェニルアセタールから出発するシトラールの製造方法を含む。

本発明に従って使用可能なゲラニアールおよびネラール含有混合物の分離方法の好適な実施形態の文脈の範囲内において、３０から７０質量％、好ましくは４０から６０質量％のネラール、７０から３０質量％、好ましくは６０から４０質量％のゲラニアール、および０から５質量％のさらなる成分（百分率は合計１００質量％になる）からなる物質混合物が使用される。

好ましくは本発明に従って実施される蒸留分離は、通常、使用されるネラールおよびゲラニアール含有物質混合物を、それぞれの場合において、１つまたは複数の低沸点、中沸点および高沸点留分に分割し、分割壁塔の側方取出点および熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体において中沸点留分として純粋な、または高濃度の形のネラールを液体または気体の形で除去することによって実施される。

よって、好ましくは、ネラールおよびゲラニアール含有物質混合物を分離するための任意の工程０）の文脈の範囲内で使用することができる蒸留分離方法は、ネラールを単離するための連続的方法、ネラールおよびゲラニアールを含む物質混合物からのネラールの蒸留分離であって、好ましくは、８０からから２００個の理論分離段および１つまたは複数の側方取出点を有する分割壁塔あるいは熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体にて絶対動作圧力、すなわち分割壁塔または熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体において５から２００ミリバールの絶対圧力で実施される蒸留分離によってネラールを純粋な、または高濃度の形で単離するための連続的方法でもある。

好ましくは、ネラールおよびゲラニアール含有物質混合物を分離するための任意の工程０）の文脈の範囲内において蒸留分離に使用される分割壁塔、および／または熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体は、８０から２００個、好ましくは１００から１８０個の理論分離段、および１つまたは複数の、好ましくは１から３つの、特に好ましくは１つまたは２つの側方取出点を有する。上記分割壁塔を使用することが好ましい。

好ましくは、本発明による方法の文脈の範囲内で実施される、純粋な、または高濃度のネラールを製造するための方法は、分割壁塔または熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体において５から２００ミリバール、好ましくは５から１００ミリバール、特に好ましくは５から７０ミリバール、極めて好ましくは１０から５０ミリバール、特に好ましくは１０から４０ミリバールの絶対動作圧力で実施される。ここで、好ましくは、分割壁塔または熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体は、絶対頂部圧力が１０から５０ミリバール、好ましくは１０から４０ミリバールになるように動作される。ここで、同様に好ましくは、分割壁塔または熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体は、絶対底部圧力が５から２００ミリバール、好ましくは１０から１００，特に好ましくは２０から５０ミリバールになるように動作される。

ゲラニアールとネラールの蒸留分離のための方法を実施する際の還流比は、広範に異なり、通常は約５：１から約２０００：１、好ましくは約２０：１から１０００：１である。デフレグメーター法、すなわち復帰流のみを塔の頂部コンデンサで凝縮し、塔に戻す方法も有利である。部分凝縮の当該エネルギー的に好ましい場合において、排出される頂部生成物は、より低い温度で動作可能な後部冷却器で専ら製造される。

「高濃度の形のネラール」という用語は、それぞれの場合において本発明に従って使用されるネラールまたはゲラニアール含有物質混合物より高含有量のネラールを有するネラール含有物質混合物を指すものと理解される。好ましくは、高濃度の形のネラールという用語は、８０から９５質量％、好ましくは８５から９５質量％、極めて好ましくは９０から９５質量％の純度、すなわちネラール含有量を有するネラールを指すものと理解される。本発明による方法は、また、純粋な形のネラール（シス−シトラール）の製造を可能にする。「純粋な形のネラール」という用語は、９５、９６または９７質量％以上、好ましくは９８質量％以上、特に好ましくは９８から９９．５質量％の含有量のネラールを指す。特に好ましくは、「純粋な形のネラール」という用語は、ゲラニアール含有量が１質量％まで、好ましくは０．０５から０．５質量％、特に好ましくは０．１から０．３質量％までのネラールを指すものと理解される、同様に好ましくは、本発明により入手可能な純粋な形のネラールは、式（ＩＶ）、（Ｖ）および（ＶＩ）

のイソシトラールの含有量が２質量％まで、好ましくは０．１から１質量％であり、本発明の文脈の範囲内のデータはいずれもそれぞれの物質混合物の全量を指す。

供給物、すなわち使用される物質混合物を、液体または気体の形で、分割壁塔または熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体、好ましくは分割壁塔に供給し、そこで頂部留分および底部留分、ならびに上記の１つまたは複数の、好ましくは２つ以上の側方分岐に分割することができる。１つの側方分岐において、貴重なネラール生成物は、所望の純度で製造される。１つの特定の実施形態において、後部コンデンサが塔の頂部コンデンサの下流に接続され、冷却液（例えばゾル）で冷却され、低ネラール低沸点留分もそこで製造される。

先行技術による複数物質混合物の連続蒸留分別では、様々なプロセス変形を使用することができる。最も単純な場合は、供給混合物が２つの留分、すなわち低沸点頂部留分および高沸点底部留分に分別される。供給混合物を３つ以上の留分に分割する場合は、このプロセス変形に応じて複数の蒸留塔を使用する必要がある。装置の複雑さを制限するために、液体または上記側方分岐を有する塔が、可能であれば、複数物質混合物の分離に使用される。しかし、側方分岐を有する蒸留塔の使用可能性は、側方取出点で除去された生成物が完全に純粋でないことによって著しく制限される。通常は液体の形である整流部における側方除去の場合は、側方生成物は、頂部を介して除去されなければならない低沸点成分の留分を依然として含む。側方生成物が高沸点留分を依然として含む、たいていは蒸気の形で起こるストリッピング部における側方除去についても同じことが当てはまる。したがって、従来の側方分岐塔の使用は、汚染された側方生成物が許容できる場合に限定される。

１つの可能な対策は、分割壁塔によって提供される。この塔タイプは、例えば、ＵＳ２，４７１，１３４；ＵＳ４，２３０，５３３；ＥＰ０１２２３６７；ＥＰ０１２６２８８；ＥＰ０１３３５１０；Ｃｈｅｍ．Ｅｎｇ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．１０（１９８７）９２−９８；Ｃｈｅｍ．−Ｉｎｇ．−Ｔｅｃｈ．６１（１９８９）Ｎｏ．１，１６−２５；Ｇａｓ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ４（１９９０）１０９−１１４；Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ２（１９９３）３３−３４；Ｔｒａｎｓ ＩＣｈｅｍＥ ７２（１９９４）Ｐａｒｔ Ａ６３９−６４４ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｎｅｒｉｎｇ ７（１９９７）７２−７６に記載されている。

この設計の場合は、側方生成物も同様に純粋な形で除去することができる。中間領域において、供給点および側方除去の上下に、供給部を除去部から隔離し、塔部における液体流と蒸気流の交差混合を防止する分割壁が取りつけられる。その結果、複数物質混合物を分離する際に、必要とされる蒸留塔の総数が減じられる。この塔タイプは、熱結合蒸留塔の装置の単純化に寄与するため、それは、さらに、エネルギー消費量が特に小さい。様々な装置構成で設計可能な熱結合蒸留塔の説明は、専門的文献における上記参考文献に見いだすこともできる。分割壁塔および熱結合塔は、エネルギー要件および投資コストの両方に関して従来の蒸留塔の装置と比べて利点をもたらすため、工業的にますます多く使用されている。

図１は、使用されるネラールおよびゲラニアール含有物質混合物の低ネラール頂部留分（ｊ）、ネラールが豊富な側方留分（ｆ）および低ネラール底部留分（ｇ）への本発明の好適な任意の分離の１つの好適な実施形態を略図の形で示す。分割壁塔へのネラールおよびゲラニアール含有供給を液体の形（ｂ）、気体の形（ｃ）または気体および液体の形で行うことができる。 図２は、図１に示されている特徴に加えて、側方分岐（ｆ）、側方取出点（ｎ）および（ｏ）が設けられた、純粋な、または高濃度の形のネラールを製造するための本発明による方法の特に好適な実施形態を略図の形で示す。

好ましくは本発明に従って実施されるゲラニアールおよびネラール含有物質混合物の蒸留分離のための方法は、連続的に実施される。その結果、出発材料として使用されるネラールおよびゲラニアール含有物質混合物は、分割壁塔および熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体に連続的に供給され、本発明により得られた生成物（留分）および／または副産物が連続的に排出される。

通常、さらなるコンデンサが塔の下流に接続され、その使用温度は、分割壁塔の頂部コンデンサの使用温度より低い１０から４０Ｋ、好ましくは２０から３０Ｋである。これを利用して、頂部流（ｋ）に依然として存在する低沸点物の多くを凝結させることができる。

分割壁塔をそれぞれの場合において２つの熱結合塔に取り換えることもできる。これは、特に、塔が既に存在している場合、または塔が異なる圧力で動作される場合に好ましい。熱結合塔の場合は、第１の塔の底部流をさらなる蒸発器で部分的または完全に蒸発させ、それを第２の塔に供給するのが有利であり得る。この予備蒸発は、第１の塔からの底部流が比較的大量の中沸点物を含む場合に特に適切である。この場合、予備蒸発を比較的低温レベルで行うことができ、第２の塔における蒸発器の負荷を軽減することができる。また、この手段の結果として、第２の塔のストリッピング部の付加を有意に軽減することができる。ここで、予備蒸発流を二相の形または２つの個別流の形で第２の塔に供給することができる。

さらに、分割壁塔の場合および熱結合塔の場合の両方において、供給流を予備蒸発させ、次いでそれを二相の形または２つの流れの形で塔に供給することが有利であり得る。この予備蒸発は、特に、供給流が比較的大量の低沸点物を含む場合に適切である。予備蒸発の結果として、塔のストリッピング部の負担を有意に軽減することができる。

分割壁塔および熱結合塔を、ランダム充填物もしくは構造充填物を含む充填塔として、またはトレー塔として設計することができる。ネラールを純粋な、または高濃度の形で製造するための本発明による方法において、充填塔を使用することが好ましい。この点において、比表面積が約１００から７５０ｍ²／ｍ³、好ましくは約３５０から５００ｍ²／ｍ³の構造金属シートまたは織物充填物が特に好適である。

本発明の場合のように、生成物の純度に特に高度な要件が課される場合は、分割壁に熱絶縁体を備えるのが好ましい。分割壁の熱絶縁体についての様々な選択肢の説明をＥＰ−Ａ０６４０３６７に見いだすことができる。狭い気層をその間に有する二重壁設計が特に好ましい。

分割壁塔および熱結合塔の制御については、様々な制御手法が記載されてきた。それらをＵＳ４，２３０，５３３；ＤＥ３５２２２３４；ＥＰ０７８９１４７；Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ２（１９９３）３３−３４およびＩｎｄ．Ｅｎｇ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｓ．３４（１９９５）、２０９４−２１０３に見いだすことができる。

複数物質混合物を低沸点、中沸点および高沸点留分に分割する場合は、通常、中沸点留分における低沸点物および高沸点物の最大許容分率に関する規格が存在する。ここでは、分離の問題にとって重要な個々の成分、所謂主要成分、またはいくつかの主要成分の合計が指定される。本発明のこの任意の工程の文脈の範囲内におけるこれらの主要成分は、高沸点二次成分としてのゲラニアールおよび低沸点二次成分としてのイソシトラールまたは異性体イソシトラールの混合物である。

中沸点留分における高沸点物成分に対する規格への遵守を、例えば、分割壁の上端における液体の分割比を介して管理することができる。ここで、分割壁の上端における液体の分割比は、好ましくは、分割壁の上端における液体の高沸点留分の主要成分の濃度が、側方分岐生成物において達成される値の１０から８０％、好ましくは３０から５０％になるように調整される。液体分割は、好ましくは、高沸点留分における主要成分の含有量がより大きい場合にはより大量の液体が供給部に供給され、高沸点留分における主要成分の含有量がより小さい場合にはより少量の液体が供給されるように調整される。

よって、中沸点留分における低沸点物に対する規格を加熱出力によって管理することができる。ここで、例えば、蒸発器における加熱出力は、分割壁の下端における液体の低沸点留分の主要成分の濃度が、側方分岐生成物において達成される値の１０から８０％、好ましくは３０から５０％になるように調整される。加熱出力は、好ましくは、低沸点留分における主要成分の含有量がより大きい場合には加熱出力が増加し、低沸点留分における主要成分の含有量がより小さい場合には加熱出力が減少するように調整される。

供給量または供給濃度の乱れを補償するために、（例えば、プロセス制御システムにおける制御規格による）対応する制御機構を介して、塔部（２）、すなわち供給部の整流部および（５）、すなわち除去部のストリッピング部への液体の定量流がそれらの正常値の３０％まで低下し得ないようにすることが有利であることがさらに証明された。

分割壁の上端および側方除去点における液体の除去および分割のために、内部回収スペースおよび塔の外側に配置された回収スペースの両方が液体に好適であり、これらは、ポンプための機能を果たし、または十分に高い静止液レベルを確保して、調整要素、例えば弁による液体のさらなる制御供給を可能にする。充填塔を使用する場合は、液体を最初に回収器に閉じこめ、そこから内部または外部回収スペースに流し込む。

投資コストに関して新築物に好適な分割壁塔の代わりに、熱結合のタイプの２つの蒸留塔を、それらがエネルギー要件の観点で分割壁塔に対応するように相互連結することも可能である。それらは、既存の塔が利用可能な分割壁塔の有用な代用になり得る。相互接続体の適切な形を既存の塔における板の数に応じて選択することができる。

ゲラニアールおよびネラール含有物質混合物を分離するために望まれる場合に実施される工程０）の本実施形態の文脈の範囲内において、２つの蒸留塔が熱結合の形の相互連結体に使用される場合は、このように熱結合された両蒸留塔にその独自の蒸発器およびコンデンサを備えるのが有利であることが証明された。加えて、２つの熱結合塔を異なる圧力で動作させることができ、液体だけを接続流で２つの塔の間に輸送することができる。好適な実施形態の文脈の範囲内において、第１の塔からの底部流は、さらなる蒸発器で部分的または完全に蒸発され、次いで二相の形または１つの気体流および１つの液体流の形で第２の塔に送られる。

特に好適な実施形態の文脈の範囲内において、任意の工程０）に従って本発明による好適な分離方法は、図１に概略的に示されるプラントで実施される。好適な実施形態は、分割壁（Ｔ）を塔の縦方向に有して、上部共通塔領域（１）、下部共通塔領域（６）、整流部（２）およびストリッピング部（４）を含む供給部（２、４）、ならびにストリッピング部（３）および整流部（５）を含む除去部（３、５）を形成する分割壁塔（ＴＫ）が使用されることが注目に値する。

本発明によれば、供給材料として機能するネラールおよびゲラニアール含有物質混合物（ａ）が、好ましくは、供給部（２、４）の中間部に供給され、純粋な、または高濃度の形のネラールが、除去部（３、５）の中間領域から側方分岐（ｆ）として得られ、１つまたは複数の低沸点留分が上部共通塔領域（１）から除去され、１つまたは複数の高沸点留分が下部共通塔領域（６）から除去される。

供給流（ａ）を、液体（ｂ）、気体（ｃ）または部分液体および気体流として、予備加熱器（ＶＨ）を介して塔（ＴＫ）に導入することができる。塔の頂部流は、コンデンサ（Ｋ）で完全または部分的に凝縮される。部分的凝縮（デフレグメーター処理）の場合は、頂部コンデンサ（Ｋ）からの排ガス流（ｋ）は、通常、低温で動作する後部コンデンサで後に凝結可能な顕著な量の凝縮可能な低沸点物を依然として含む。

コンデンサ（Ｋ）で凝結された頂部生成物を蒸留容器（ＤＢ）で緩衝させ、復帰ポンプ（ＲＰ）を介して塔復帰流（ｉ）として塔に戻すことができる。必要であれば、蒸留分（ｊ）をそこから得ることもできる。コンデンサを塔の頂部に統合する場合は、蒸留容器（ＤＢ）および復帰ポンプ（ＲＰ）を省くことが可能である。

底部流は、有利には、好ましくは流下膜式蒸発器として設計された循環ポンプ（ＵＰ）を介して底部蒸発器（ＳＶ）に供給される。塔（ＴＫ）の底部排出物（ｇ）をこのポンプ循環流から除去することもできる。

純粋な、または高濃度の形のネラール生成物は、好ましくは、分割壁塔（ＴＫ）の除去部から液体側方分岐流（ｆ）として除去される。必要であれば、気体の分岐物としての貴重な流れ（ｆ）の生成物を除去することも可能であるが、通常はさらなるコンデンサが必要である。

塔の上部共通小領域（１）は、通常、塔の理論分離段の総数の５から５０％の理論分離段を有し、塔の供給部の整流部（２）はその５から５０％の理論分離段を有し、塔の供給部のストリッピング部（４）はその２から５０％の理論分離段を有し、塔の除去部のストリッピング部（２）はその５から５０％の理論分離段を有し、除去部の整流部（５）はその２から５０％の理論分離段を有し、塔の共通下部（６）はその５から５０％の理論分離段を有し、選択された百分率は合計１００％になる。

好ましくは、塔の上部共通小領域（１）は、塔の理論分離段の総数の１０から２５％の理論分離段を有し、塔の供給部の整流部（２）はその１５から３０％の理論分離段を有し、塔の供給部のストリッピング部（４）はその５から２０％の理論分離段を有し、塔の除去部のストリッピング部（３）はその１５から３０％の理論分離段を有し、除去部の整流部（５）はその５から２０％の理論分離段を有し、塔の共通下部（６）はその１０から２５％の理論分離段を有し、選択された百分率は合計１００％になる。

供給部における小領域（２）および（４）の理論分離段の総数は、除去部における小領域（３）および（５）の総数の好ましくは８０から１１０％、特に好ましくは９５から１０５％である。

有利には、供給点および側方取出点は、理論分離段の位置に関して、供給点が側方取出点より１から５０個、好ましくは３０から４５個の理論分離段の分だけ高く、または低く配置されているため、塔において異なる高さに配置されている。

それは、さらに、分割壁によって分割され、小領域（２）、（３）、（４）および（５）またはそれらの部分からなる塔の小領域が構造充填物またはランダム充填物（例えば、Ｍｏｎｔｚ Ａ３−５００、Ｓｕｌｚｅｒ ＢＸまたはＣＹなどの織物充填物）を備える場合に特に有利であることが証明された。また、それは、これらの小領域における分割壁が設計上断熱性である場合に有利であることが証明された。

除去部における蒸気流に対する供給部における蒸気流の比が０．８から１．２、好ましくは０．９から１．１になるように、分割壁の下端における蒸気流を、分離内部構造物の選択および／または寸法決定、および／または圧力降下をもたらす装置、例えば絞り機構の導入によって調整することができる。

塔の上部共通小領域（１）から流出する液体は、有利には、塔内または塔の外側に配置された回収スペースで回収され、除去部の液体流に対する供給部の液体流の比が、主に液体供給の場合は０．１から２．０になり、気体供給の場合は１．０から２になるように、分割壁の上端における固定設定または制御システムによって誘導的に分割される。ここで、本発明によれば、液体供給物が好適である。

上部共通小領域（１）から供給部へ流れる液体を、ポンプによって輸送し、または少なくとも１ｍの静的供給高さによって、好ましくはカスケード制御システムと回収スペースの液位制御システムとの併用によって定量制御下で導入することができる。制御システムは、好ましくは、供給部に導入される液体の量が所望の正常値の３０％を下回ることがないように設定される。さらに、塔の除去部における小領域（３）から側方分岐および塔の除去部における小領域（５）に流れる液体は、有利には、小領域（５）に導入される液体の量が所望の正常値の３０％のレベルを下回らないように制御システムによって調整される。ここで正常値は、有利には、ゲラニアール／ネラール混合物の供給量の２倍から４倍であると想定される。

好ましくは任意の工程０）の文脈の範囲内で使用される分割壁塔は、サンプルを連続的に、または時間間隔をおいて塔から液体または気体の形で採取し、好ましくはガスクロマトグラフィーによってそれらの組成を調査することができる任意のサンプリング装置を分割壁の上端および下端に有するのが好ましい。

分割壁の上端における液体の分割比は、好ましくは、側方分岐において特定の濃度既定値が達成される高沸点留分の成分（具体的にはゲラニアール）の分割壁の下端の液体における濃度が、側方分岐生成物において達成される値の１０から８０％、好ましくは３０から５０％になるように調整される。液体分割は、好ましくは、高沸点留分の成分の含有量がより大きい場合はより大量の液体が供給部に送られ、高沸点留分の成分の含有量がより小さい場合はより少量の液体が送られるように調整される。

蒸発器（ＳＶ）における加熱出力は、好ましくは、側方分岐において特定の濃度既定値が達成される低沸点留分の成分（具体的にはイソシトラール）の分割壁の下端における濃度が、側方分岐生成物において達成される値の１０から８０％、好ましくは３０から５０％になるように調整される。加熱出力は、有利には、低沸点留分の成分の含有量がより大きい場合は加熱出力が増加し、低沸点留分の成分の含有量がより小さい場合は加熱出力が減少するように調整される。

蒸留分離、すなわち低沸点副産物の除去は、好ましくは温度制御しながら行われる。使用される制御温度は、有利には、塔の上端から３から８個、好ましくは４から６個の理論分離段の分だけ下方に配置される塔の小領域（１）における測定部位である。

底部生成物の除去は、好ましくは供給量の関数として定量的に制御しながら行われるのが好ましい。

純粋な、または高濃度の形の側方生成物として得られるネラールの除去は、好ましくは、液位制御しながら行われ、使用される制御パラメータは、好ましくは塔の底部における液位である。

供給流（ａ）は、好ましくは、部分的または完全に予備蒸発され、二相の形、または１つの気体流および１つの液体流の形で塔に供給される。

好適な実施形態の文脈の範囲内で、分割壁塔が使用され、その分割壁は、塔に溶接されておらず、緩く配置され、十分に固着された部分セグメントの形で構成される。

塔の個々の小領域における液体分岐を、好ましくは誘導的に不均一に調整することができ、その場合、液体は、特に小領域（２）および（５）における壁領域に大量に添加され、小領域（３）および（４）における壁領域に少量添加される。

分割壁の除去側と供給側の復帰液の分割比は、好ましくは約１：１から約３：１、好ましくは約１：１から約１．５：１である。

塔の個々の小領域における分割壁の位置を、有利には、供給部および除去部の断面が異なる面積を有するように調整することができる。

好ましくは、純粋な、または高濃度のネラールを製造するために任意の工程０）に従って、本発明による方法の文脈の範囲内で実施される方法の特に好適な実施形態は、少なくとも１つの低沸点留分が、塔頂部から好ましくは４から１０個の理論分離段の分だけ下方の塔の上部（１）において液体または気体、好ましくは液体の側方分岐（ｎ）として得られることは注目に値する（図２参照）。この場合、塔上部（１）を２つの部分（（１ａ）および（１ｂ））に分割することが適切である。これらの部分の間において、部分（１ａ）から流出する液体を好適な回収器によって取り込み、下部（１ｂ）に再び分配することができる（図２参照）。低沸点物の含有量が小さい留分、および特に異性体シトラールを含むネラールを回収器から除去することができる。

さらなる側方分岐（ｎ）を介して入手可能なこのイソシトラールが豊富な副産物の留分を好適に再使用することができ、例えば、それに大規模な水素化または部分的水素化を施して、テトラヒドロゲラニオールを得ることができ、その結果として、処分が必要な廃棄物および／または副産物を回避することが可能である。

したがって、本発明により特に好適な１つの実施形態の文脈の範囲内において、任意の工程０）は、式（ＩＩ）のネラールおよびゲラニアールを含む物質混合物からのネラールの蒸留分離を介して、純粋な、または高濃度の形の式（Ｉ）のネラールを製造するための連続的方法であって、
−蒸留分離は、塔の縦方向に分割壁（Ｔ）を有して上部共通塔領域（１）、底部共通塔領域（６）、整流部（２）およびストリッピング部（４）を含む供給部（２、４）、ならびにストリッピング部（３）および整流部（５）を含む除去部（３、５）を形成し、８０から２００個の理論分離段および複数の、好ましくは２から４つの、特に好ましくは２または３つの側方取出点を有する分割壁塔（ＴＫ）にて５から２００ミリバールの絶対動作圧力で実施され、
−純粋な、または高濃度の形のネラールは、除去部（３、５）の中間領域から側方分岐（ｆ）として得られ、
−低沸点留分（ｎ）は、上部共通塔領域（１）から液体または気体、好ましくは液体の側方分岐として得られる当該方法に関する。

本発明に従って使用可能な分離方法のさらなる好適な実施形態は、少なくとも１つの高沸点留分が、塔底部から好ましくは１から５個の理論分離段の分だけ下方の塔の底部共通小領域（６）において気体の側方分岐（ｏ）として得られることが注目に値する。（図２参照）その結果、高沸点物の含有量が特に小さいゲラニアールが豊富な生成物を得ることができる。この場合、塔下部（６）を２つの部分（６ａおよび６ｂ）に分割することが適切であり得る。これらの部分の間において、部分（６ａ）から流出される液体を好適な回収器によって取り込み、下部（６ｂ）に再び分配することができ（図２参照）、側方分岐の気体流を除去することができる。

分割壁塔に使用される底部蒸発器（ＳＶ）は、有利には、薄膜装置、例えば流下膜式蒸発器であり得る。

頂部コンデンサ（Ｋ）を例えば板装置として構成し、塔ジャケットに統合することができる。

任意の工程０）により記載の蒸留分離方法によって入手可能な純粋な、または高濃度のネラールは、側方分岐を介して、またはさらなる側方分岐が得られる場合は中間側方分岐（ｆ）を介して連続的に得られ、好適な実施形態の文脈の範囲内において、（それぞれの場合において得られた混合物の全量に対して）９８質量％超、好ましくは９８．５質量％から９９．５質量％のネラール含有量、０．３質量％未満のゲラニアール含有量、および１質量％未満の他の異性体（式（ＩＶ）、（Ｖ）および（ＶＩ）のシトラール異性体）の含有量を有し、適切であれば少量のさらなる不純物を有する。

上記の上部側方分岐（ｎ）が得られる場合は、そこで通常、ネラール含有量が８０質量％未満であり、ゲラニアール含有量が０．１質量％未満であり、他の異性体、特に式（ＩＶ）、（ｖ）および／または（ＶＩ）のシトラール異性体の含有量が２０質量％超、好ましくは３０質量％超の副産物混合物を得ることができる。加えて、下部側方分岐（ｏ）においても、望まれる場合は、底部分留物（ｇ）と全く同様に、ネラール含有量が２０質量％未満であり、ゲラニアール含有量が７０質量％超の生成物混合物を得ることができる。頂部留分（ｊ）は、通常、ネラール含有量が３０質量％未満である。そこから分離される低沸点留分（ｋ）は、通常、主要成分の他に５質量％未満のネラール含有量を有する。

本発明の任意のサブ工程０）のさらなる態様は、ネラールおよび式（ＩＩ）のゲラニアールを含む物質混合物からのネラールの蒸留分離によって純粋な、または高濃度の形の式（Ｉ）のネラールを連続的に製造するための、上記の分割壁塔または熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体、好ましくは、８０から２００個の理論分離段および１つまたは複数の側方取出点を有する分割壁塔の使用、あるいはネラールを単離するためのその使用に関する。本発明の任意のサブ工程０）のさらなる態様は、ネラールおよび式（ＩＩ）のゲラニアールを含む物質混合物からのネラールの蒸留分離によって純粋な、または高濃度の形の式（Ｉ）のネラールを連続的に製造するのに好適な上記の分割壁塔または熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体、好ましくは、８０から２００個の理論分離段および１つまたは複数の側方取出点を有する分割壁塔に関する。

工程ａ）：シトネラールを得るためのネラールおよび／またはゲラニアールの触媒水素化
メントールを製造するための本発明による方法の段階ａ）によれば、式（ＸＩＩＩ）

のシトロネラールを得るためのネラールおよび／またはゲラニアールの触媒水素化、好ましくは上記のネラール、あるいはゲラニアールおよびネラール含有物質混合物の蒸留分離によって上記のように純粋な、または高濃度の形で製造されたネラールの触媒水素化が実施される。

ラセミシトロネラールを得るための特定の出発材料の触媒水素化方法は、当業者に既知であり、例えば、Ｗ．Ｊ．Ｈｏｕｌｉｈａｎ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９５８，２３，６８９−６９０；Ｒ．Ｇｉａｎｎａｎｄｒｅａ，Ｐ．Ｍａｓｔｒｏｒｉｌｌｉ，Ｇ．Ｚａｃｃａｒｉａ，Ｃ．Ｆ．Ｎｏｂｉｌｅ，Ｊ．Ｍｏｌ．Ｃａｔ．Ａ．１９９６，１０９，１１３−１１７；Ｕ．Ｋ．Ｓｉｎｇｈ，Ｍ．Ａ．Ｖａｎｎｉｃｅ，Ｊ．Ｃａｔａｌ．２０００，１９１，１６５−１８０：ＷＯ２００４／００７４１４Ａ１に記載されている。加えて、ロジウム−ホスフィン触媒の存在下でゲラニアールまたはネラールの水素化によって光学活性シトロネラールを製造するためのエナンチオ選択的な方法がＥＰ００００３１５から既知である。

反応混合物に可溶であり、少なくとも１つの一酸化炭素配位子を有する光学活性遷移金属触媒の存在下でα，β−不飽和カルボニル化合物の不斉水素化によって光学活性カルボニル化合物を製造するための改善された方法、および好ましくは本発明の文脈の範囲内で使用可能な方法が、その開示内容全体が参考として本明細書で援用され、好適な実施形態のすべてを含めて本開示の一部と見なされるべきであるＷＯ２００６／０４００９６から既知である。該方法に有利に使用される触媒、またはその製造のための好適な配位子を、引用された開示内容に見いだすこともできる。前記水素化方法は、触媒が一酸化炭素および水素含有気体混合物で前処理され、および／または反応混合物にさらに供給される一酸化炭素の存在下で不斉水素化が実施されることが注目に値する。

好ましくは工程ａ）の文脈の範囲内で実施可能な水素化方法の１つの特に好適な実施形態の文脈の範囲内において、ネラールまたはゲラニアール、好ましくはネラール、さらに好ましくは約５モル％まで、特に好ましくは約２モル％までのそれぞれの他の二重結合異性体を含むネラールを反応させて光学活性シトロネラールを得る。

好ましくは実施される工程ａ）の不斉水素化の過程で使用される触媒を形成するために、反応混合物に可溶なロジウムの化合物、特に、Ｒｈ（ＯＡｃ）₃［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｃｌ］₂、Ｒｈ（ＣＯ）₂ａｃａｃ、［Ｒｈ（ｃｏｄ）ＯＨ］₂、［Ｔｈ（ｃｏｄ）ＯＭｅ］₂、Ｒｈ₄（ＣＯ）₁₂またはＲｈ₆（ＣＯ）₁₆、およびキラル配位子として式（Ｒ−ＶＩＩ）の（Ｒ，Ｒ）−キラホスもしくは式（Ｓ−ＶＩＩ）の（Ｓ，Ｓ）−キラホス、（（２Ｒ，３Ｒ）−（＋）−２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタンまたは（２Ｓ，３Ｓ）−（−）−２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン）を約１：１から約１：４のモル比で使用するのが好ましい。

本発明による方法の１つの特に好適な実施形態において、約５モル％まで、好ましくは約２モル％までのゲラニアールを含むネラールをＲｈ（ＯＡｃ）₃［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｃｌ］₂、Ｒｈ（ＣＯ）₂ａｃａｃ、［Ｒｈ（ｃｏｄ）ＯＨ］₂、［Ｔｈ（ｃｏｄ）ＯＭｅ］₂、Ｒｈ₄（ＣＯ）₁₂またはＲｈ₆（ＣＯ）₁₆、および（Ｒ，Ｒ）−キラホスの存在下で反応させ、式（Ｒ−ＸＩＩＩ）

のＤ−シトロネラールを得る。

好ましくは本発明による方法の工程ａ）の過程で実施される水素化方法を実施するための記載のキラル配位子の他に、ＷＯ２００６／０４００９６に記載の配位子、特に、一般式（ＶＩＩＩ）、（ＩＸ）および（Ｘ）

［式中、
Ｒ³¹、Ｒ³²は、それぞれの場合において互いに独立して、１つまたは複数の、一般には１から約４つのエチレン二重結合、および／または置換基ＯＲ³⁹、ＮＲ⁴⁰Ｒ⁴¹、ハロゲン、Ｃ₆−Ｃ₁₀−アリールおよびＣ₃−Ｃ₉−ヘタリールの群から選択される１つまたは複数の、一般には１から約４つの同一の、または異なる置換基を場合によって担持することができる、１から２０個の炭素原子を有する非分枝状、分枝状または環式アルキル基であり、Ｒ³¹およびＲ³²は、１つまたは複数の、一般には１つまたは２つのＯ原子を含みうる４から２０員の環を形成することができ、
Ｒ³³、Ｒ³⁴は、それぞれの場合において互いに独立して、水素、または直鎖もしくは分枝状のＣ₁−〜Ｃ₄−アルキルであり、
Ｒ³⁵、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ³⁸は、それぞれの場合において、置換基Ｃ₁−〜Ｃ₄−アルキル、Ｃ₆−〜Ｃ₁₀−アリール、Ｃ₁−〜Ｃ₄−アルコキシおよびアミノの群から選択される１つまたは複数の、一般には１から８つの、好ましくは１から４つの置換基を場合により担持可能なＣ₆−〜Ｃ₁₀−アリールであり、
Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹は、それぞれの場合において互いに独立して、水素、Ｃ₁−Ｃ₄−アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀−アリール、Ｃ₇−Ｃ₁₂−アラルキルまたはＣ₇−Ｃ₁₂−アルキルアリールであり、
Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹は、ともに、ＮまたはＯによって中断されていてよい２から５個の炭素原子を有するアルキレン鎖であり得る］の配位子、好ましくは一般式（ＶＩＩＩ）の配位子も好適である。

ここで、記載の基は、ＷＯ２００６／０４００９６に例として記載されている意味を有しうる。

好ましくは、水素化に使用される触媒は、ＷＯ２００６／０４００９６に示されている条件下で予備形成され、次いで不斉水素化は、約６００から約３０００ｐｐｍの一酸化炭素を含む水素の存在下で実施される。好適な実施形態の文脈の範囲内において、有利には、溶媒の添加が省かれ、特定の反応が、反応する物質および／または生成物、ならびに場合によって溶解媒体としての高沸点副産物において実施される。特に好ましくは、連続的な反応法は、本発明に従って安定化された均質触媒の再利用および／またはリサイクルによるものである。

メントールを製造するための本発明による方法の工程ａ）による水素化の文脈の範囲内におけるさらなる好適な実施形態は、反応混合物に可溶であり、少なくとも１つの一酸化炭素配位子を有する光学活性遷移金属触媒の存在下でα，β−不飽和カルボニル化合物の不斉水素化によって光学活性カルボニル化合物を製造するための方法において、それぞれの場合において使用される少なくとも１つの一酸化炭素配位子を有する光学活性触媒を製造するために、一酸化炭素および水素を含む気体混合物で触媒前駆体を前処理し、反応混合物にさらに供給された一酸化炭素の存在下で不斉水素化を実施する方法であって、
ｉ）触媒前駆体の前処理を、２０から９０容量％の一酸化炭素、１０から８０容量％の水素および０から５容量％のさらなる気体（記載の容量分率は合計１００容量％になる）を含む気体混合物を用いて５から１００バールの圧力で実施し、
ｉｉ）このようにして得られた触媒を不斉水素化に使用する前に、過剰の一酸化炭素をそれから分離し、
ｉｉｉ）不斉水素化を、一酸化炭素含有量が１００から１２００ｐｐｍの水素の存在下で実施する方法に関する。

ＷＯ２００６／０４００９６に記載されているように実施することができる、工程ｉ）による使用される遷移金属触媒またはその前駆体の予備形成に続いて、好適な水素化方法の工程ｉｉ）に過剰の一酸化炭素が、予備形成または前記気体混合物による前処理によって得られた触媒から分離され、触媒が不斉水素化に使用される。

過剰の一酸化炭素という用語は、ここでは、予備形成により工程ｉ）に従って得られた反応混合物に気体の形または溶解した形で存在し、遷移金属触媒またはその前駆体に結合していない一酸化炭素を指すものと理解される。よって、触媒に結合していない過剰の一酸化炭素は、少なくとも十分に、すなわち残留量の溶存一酸化炭素が後の水素化において問題にならない程度除去される。これは、通常、予備形成に使用される一酸化炭素の約９０％、好ましくは約９５％以上が水素化方法のこの好適な実施形態の工程ｉｉ）に従って確実に分離される。好ましくは、工程ｉｉ）に従って、過剰の一酸化炭素が、前形成によって得られた触媒から完全に除去される。

水素化方法の好適な実施形態の工程ｉｉ）に従って、工程ｉ）により得られた触媒、または触媒を含む反応混合物から過剰の一酸化炭素を除去することは、様々な方法で実施され得る。好ましくは、触媒、または工程ｉ）による予備形成によって得られた触媒を含む混合物は、気体の未結合一酸化炭素が予備形成の生成物から除去されるように、約５バール（絶対）までの圧力、好ましくは約１バールから約５バールの範囲の圧力まで減圧される。

予備形成触媒の前記減圧を、例えば、本質的に当業者に既知である高圧分離器を使用して行うことができる。液体が連続相であるこの種の分離器は、例えば、Ｐｅｒｒｙ’ｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ’Ｈａｎｄｂｏｏｋ，１９９７，７^th ｅｄｉｔｉｏｎ，ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，ｐｐ．１４．９５および１４．９６に記載されており、起こり得る液滴吸込みの防止が１４．８７から１４．９０頁に記載されている。１バールから約５バールの範囲の所望の圧力に到達し、その間に温度が通常は１０から４０℃に低下するまで、予備形成触媒の減圧を一段階または二段階で行うことができる。

あるいは、工程ｉｉ）による過剰の一酸化炭素の除去を、気体、有利には反応条件下で不活性の気体を使用して、触媒または触媒を含む混合物の所謂ストリッピングによって達成することができる。ここで、ストリッピングという用語は、例えば、Ｗ．Ｒ．Ａ．Ｖａｕｃｋ，Ｈ．Ａ．Ｍｕｅｌｌｅｒ，Ｇｒｕｎｄｏｐｅｒａｔｉｏｎｅｎ ｃｈｅｍｉｓｃｈｅｒ Ｖｅｒｆａｈｒｅｎｓｔｅｃｈｎｉｋ［Ｂａｓｉｃ ｏｐｅｒａｔｉｏｎｓ ｏｆ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ］，Ｄｅｕｔｓｃｈｅｒ Ｖｅｒｌａｇ ｆｕｅｒ Ｇｒｕｎｄｓｔｏｆｆｃｈｅｍｉｅ Ｌｅｉｐｚｉｇ，Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ，１０^th ｅｄｉｔｉｏｎ，１９８４，ｐａｇｅ ８００に記載されているように、触媒または触媒を含む反応混合物への気体の導入を指すものとして当業者によって理解される。ここで挙げることができる好適な不活性気体は、例として、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、窒素および／またはＣＯ₂、好ましくは水素、窒素、アルゴンである。

工程ｉ）による予備形成、および工程ｉｉ）による過剰の一酸化炭素の触媒からの除去の後に、本発明に従って使用可能な水素化方法のこの好適な実施形態の工程ｉｉｉ）に従って、選択された基質の不斉水素化を、一酸化炭素含有量が１００から１２００ｐｐｍの水素の存在下で実施する。

不斉水素化の反応混合物へのさらなる一酸化炭素の添加を様々な方法で実施することができる。例えば、一酸化炭素を、例えば不斉水素化に使用される水素と混合し、あるいは反応溶液に気体の形でそのまま計量供給することができる。さらなる選択肢は、例えば、一酸化炭素を容易に放出させる化合物、例えば、ギ酸塩またはオキサリル化合物を反応混合物に添加することである。

使用される水素における一酸化炭素の分率は、本発明による方法の１つの好適な実施形態の文脈の範囲内で、約３００から１０００ｐｐｍ、特に好ましくは４００から８００ｐｐｍである。

上記不斉水素化は、有利には、約１から約３００バール、好ましくは約１０から約１００バール、特に約５０から約１００バールの圧力および約０℃から約１００℃、好ましくは約０℃から約３０℃、特に約１０℃から約３０℃の温度で実施される。

不斉水素化を実施するために使用する溶媒の選択は、重要でない。好適な溶媒は、例えば、本発明に従って予備形成を実施するために指定される溶媒である。不斉水素化は、特に有利には、予め実施された任意の予備形成と同じ溶媒で実施される。

上記不斉水素化を実施するための反応容器は、基本的に、指定の条件下、特に指定の圧力および温度範囲内での反応を可能にし、水素化反応に好適なあらゆる反応容器、例えば、オートクレーブ、管状反応器および気泡塔等である。

本発明による方法の文脈の範囲内で好適な水素化方法の工程ｉｉｉ）による水素化が、本発明による方法の工程ｉ）による触媒の前処理の過程で使用するための例えばＷＯ２００６／０４００９６に記載されている高沸点の全体的に粘性の溶媒（例えば、特定の溶媒はオクタデカノール、ビフェニルエーテル、テキサノール、Ｍａｒｌｏｔｈｅｒｍ（登録商標）、Ｏｘｏｏｅｌ ９Ｎである）を使用して実施される場合、または水素化が、溶媒をさらに使用せずに、副産物（例えば、出発材料もしくは生成物の反応、および後の二次反応によって形成される二量体または三量体）として少量形成する高沸点物の蓄積を用いて実施される場合は、良好な気体供給、ならびに気相および凝縮相の良好な完全混合を確保するのが有利であり得る。これは、例えば、該方法の水素化工程を気体還流反応器で実施することによって可能である。気体還流反応器は、本質的に当業者に既知であり、例えば、Ｐ．Ｔｒａｍｂｏｕｚｅ，Ｊ．−Ｐ．Ｅｕｚｅｎ，Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅａｃｔｏｒｓ，Ｅｄ．Ｔｅｃｈｎｉｐ，２００４，ｐｐ．２８０−２８３およびＰ．Ｚｅｈｎｅｒ，Ｒ．Ｂｅｎｆｅｒ，Ｃｈｅｍ．Ｅｎｇ．Ｓｃｉ．１９９６，５１，１７３５−１７４４ならびに例えばＥＰ１１４０３４９に記載されている。

上記の気体循環反応器を使用する場合は、使用する気体または気体混合物（一酸化炭素を含む水素）を、単一ノズルまたは二材料ノズルを用いて、反応器に導入された出発材料および／または循環する反応混合物もしくは触媒と並行して気体循環反応器に導入するのが特に好適であることが証明された。ここで、二材料ノズルは、反応器に導入される液体および気体が、一方が他方の中にある２つの個別の管を介して、加圧下でノズル口に流れ、そこでそれらが合流することが注目に値する。

本発明による好適な水素化方法を、三級アミンを添加してもしなくても問題なく実施することができる。好ましくは、本発明による方法は、さらなる三級アミンの不在下、すなわち三級アミンを添加せずに、または触媒量のみのさらなる三級アミンの存在下で実施される。ここで、使用されるアミンの量は、使用される金属の量に対して０．５から５００モル当量であり得るが、好ましくは、使用される金属の量に対して１から１００モル当量である。三級アミンの選択は重要でない。例えばトリエチルアミンなどの短鎖アルキルアミンの他に、例えばトリドデシルアミンなどの長鎖アルキルアミンを使用することができる。好適な実施形態の文脈の範囲内で、本発明による水素化方法は、使用される遷移金属の量に対して、約２から３０モル当量、好ましくは約５から２０モル当量、特に好ましくは５から１５モル当量の量の三級アミン、好ましくはトリドデシルアミンの存在下で実施される。

好ましくは本発明に従って実施される不斉水素化方法は、使用される均質触媒が反応系にさらに導入される一酸化炭素によって安定化され、その結果として、第１に触媒の耐用寿命が有意に延び、第２に均質触媒の再利用可能性が高められることが注目に値する。

したがって、例えば、本質的に当業者に既知の方法、例えば蒸留によって、例えば薄膜式蒸発器またはＳａｍｂａｙ等を用いて、得られた反応生成物を反応混合物から除去することができ、適切であれば上記の反復的予備形成の後に残留する触媒をさらなる反応の過程で使用することができる。

よって、好ましくは工程ａ）の過程で本発明に従って使用される水素化方法を不連続に、または半連続および連続的に実施することができ、該方法は、特に工業規模の反応に好適である。該方法を連続的に実施するのが好ましい。

本発明による好適な不斉水素化の過程で実施される工程ｉ）による触媒前駆体の前処理（予備形成）および工程ｉｉｉ）による実際の不斉水素化は、有利には、個別の反応容器で実施される。予備形成触媒を実際の水素化反応器、好ましくは上記の気体循環反応器に移す場合は、例えば予備形成に使用した圧力を解除することによって、過剰の一酸化炭素を触媒から除去することができる。

水素化を、縦に接続された２つ以上、好ましくは２つまたは３つ、特に好ましくは２つの水素化反応器で行うことができる。ここで、異なるタイプの反応器または同様の反応器タイプを使用することができる。１つの好適な実施形態において、不斉水素化は、例えば、１つの反応器が主反応器として機能し、第２の反応器が後反応器として機能する２つの気体循環反応器のカスケードで実施される。反応混合物を主反応器から後反応器に移すために、例えば、要望に応じて調整される圧力勾配を使用することができる。

ラセミまたはこのようにして入手可能な光学活性シトロネラールは、通常、高収率で、かつ特に高度な化学的および光学的純度で製造される。さらなる工程ｂ）の過程でさらに反応する、得られたシトロネラール、好ましくはＤ−シトロネラールの化学的純度に課される要件に応じて、それを本質的に当業者に既知の分離および／または精製方法、例えばクロマトグラフィー法または蒸留法によってさらに精製することができる。得られたシトロネラールを蒸留によってさらに精製するのが有利であり、基本的に当業者にとって好適であると思われるすべての蒸留方法および装置、例えば、蒸留塔（充填または非充填）、流下膜式蒸発器および薄膜式蒸発器等が使用可能であると証明されている。前記方法を一緒に、すなわち順次実施することもできる。したがって、流下膜式蒸発器による提示の水素化によって得られたシトロネラール含有生成物混合物の予備精製およびその後のシトロネラールの精製蒸留は、有利であることが証明された。

得られた光学活性またはラセミシトロネラールの蒸留精製および／または除去のために、ＤＥ１０３３０９３４Ａ１に開示されている分割壁塔による蒸留を実施することが好ましい。約３０から約１００個、好ましくは約４５から約８５個の理論分離段を有する分割壁塔を使用して、蒸留の圧力および温度を好適に選択すると、通常、高純度、しばしば９８質量％以上の純度、好ましくは９９質量％以上の純度のシトロネラールを単離することができる。

工程ｂ）イソプレゴールを得るためのシトロネラールの環化
本発明による方法の工程ｂ）に従って、イソプレゴールを得るための、ネラールおよび／またはゲラニアールを含む物質混合物の触媒水素化により上記工程ａ）によって得られたシトロネラールの環化が酸性触媒の存在下で実施される。

酸性条件下でのシトロネラールのイソプレゴールへの環化は、長きにわたって既知であった。入手可能な酸またはルイス酸試薬または触媒の概要を、例えば、Ｅ．Ｊ．Ｌｅｎａｒｄａｏ，Ｇ．Ｖ．Ｂｏｔｔｅｓｅｌｌｅ，Ｆ．ｄｅ Ａｚａｍｂｕｊａ，Ｇ．Ｐｅｒｉｎ，Ｒ．Ｇ．Ｊａｃｏｂ Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ ２００７，６３，６６７１−６７１２に見いだすことができる。

例えばＷＯ２００４／０８９２９９に開示されているシリカゲルもしくは酸化アルミニウムまたはそれらの混合物、例えばホウ素含有ゼオライトの場合はＷＯ２００４／１０１４８０に記載されているゼオライトなどの多様な系が従来の触媒および試薬として既知である。さらなる従来の酸またはルイス酸触媒は、例えば、Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ １９７８，１４７−１４８およびＥＰ１０５３９７４Ａ１などに開示されている臭化亜鉛、あるいはＢＲ２００５００２４８９Ａに記載されているタングステン含有酸である。

さらに、ＥＰ−Ａ１２２５１６３には、トリス（２，６−ジフェニルフェノール）アルミニウム触媒の存在下でのシトロネラールのイソプレゴールへの環化が記載されている。トリス（２，６−ジフェニルフェノール）−アルミニウムは、文献において既知であるとともに、α，β−不飽和カルボニル化合物の選択的１，４−官能化および例えばＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００４，４３，９９４における特定のクライゼン転位のための触媒として既知である。記載の触媒系は、本発明による方法の工程ｂ）の過程での使用にも好適である。

ＷＯ２００７／０３９３４２およびＷＯ２００７／０３９３６６にも同様にアルミニウム含有均質触媒、具体的にはアルミニウム上に１つまたは複数のシロキシド配位子を有するものが開示されている。開示されているアルミニウム−シロキシド化合物は、シトロネラールのイソプレゴールへの環化を含む分子内プリンス反応のための触媒として好適である。

本発明によれば、アルミニウム含有触媒、具体的にはルイス酸アルミニウム含有触媒の存在下での工程ｂ）によるシトロネラールのイソプレゴールへの環化を実施するのが好ましい。

本発明による方法の工程ｂ）の文脈の範囲内において特に好適なシトロネラールのイソプレゴールへの環化のための方法が、その開示内容全体が参考として本明細書で援用され、すべての優先権および実施形態を含むその開示内容が本開示の一部と見なされるべきであるＷＯ２００６／０９２４３３に記載されている。その引用特許出願には、式（Ｉ）

［式中、
Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴は、同一、または異なっており、それぞれの場合において互いに独立して、それぞれの場合において置換基Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−ペルフルオロアルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルコキシ、Ｃ₇−〜Ｃ₁₂−アラルキル、ハロゲン、−ＳｉＲ^5aＲ^6aＲ^7a、置換または無置換Ｃ₆−〜Ｃ₁₀−アリール、−ＮＲ^8aＲ^9a、−ＳＲ^10aおよび−ＮＯ₂の群から選択される１から７つの同一の、または異なる置換基を場合によって担持することができる、６から１５個の炭素原子を有するアリール基または２から１５個の炭素原子を有するヘテロアリール基であり、
Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、同一、または異なっており、それぞれの場合において互いに独立して、水素、Ｃ₁−Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆―ペルフルオロアルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルコキシ、Ｃ₇−〜Ｃ₁₂−アラルキル、ハロゲン、−ＳｉＲ^5bＲ^6bＲ^7b、置換または無置換Ｃ₆−〜Ｃ₁₀−アリール、−ＮＲ^8bＲ^9b、−ＳＲ^10bおよび−ＮＯ₂であり、Ｒ¹もしくはＲ²および／またはＲ³もしくはＲ⁴は、Ａと一緒になって、芳香族または非芳香族環を形成することができ、
Ａは、（１）飽和またはモノもしくは多不飽和および／または部分的芳香族であってよく、ヘテロ原子Ｏ、ＳおよびＮＲ¹¹の群から選択される１つまたは複数の同一の、または異なるヘテロ原子、および／または官能基Ｃ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）₂の群から選択される１つまたは複数の同一の、または異なる官能基を場合によって有することができ、置換基Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−ペルフルオロアルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルコキシ、Ｃ₁−〜Ｃ₁₀−アシルオキシ、Ｃ₇−〜Ｃ₁₂−アラルキル、ハロゲン、−ＳｉＲ^5cＲ^6cＲ^7c、置換または無置換Ｃ₆−〜Ｃ₁₀−アリール、置換または無置換Ｃ₂−〜Ｃ₁₀−ヘタリール、−ＮＲ^8cＲ^9c、−ＳＲ^10c、−ＮＯ₂、Ｃ₁−〜Ｃ₁₂−アシルおよびＣ₁−〜Ｃ₁₀−カルボキシの群から選択される１つまたは複数の同一の、または異なる置換基を場合によって担持することができる、１から２５個の炭素原子を有する直鎖もしくは分枝状および／または環式炭化水素基であり、あるいは
（２）それぞれの場合において置換基Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−ペルフルオロアルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルコキシ、Ｃ₇−〜Ｃ₁₂−アラルキル、ハロゲン、−ＳｉＲ^5dＲ^6dＲ^7d、置換または無置換Ｃ₆−〜Ｃ₁₀−アリール、−ＮＲ^8dＲ^9d、−ＳＲ^10dおよび−ＮＯ₂の群から選択される１から５つの置換基を場合によって担持することができる、６から１５個の炭素原子を有するアリール基または２から１５個の炭素原子を有するヘテロアリール基であり、あるいは
（３）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ¹¹）−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）₂−、−Ｐ（Ｒ¹¹）−、−（Ｒ¹¹）Ｐ（Ｏ）−およびＳｉ（Ｒ¹²Ｒ¹³）の群から選択される官能基またはヘテロ原子であり、
基Ｒ^5a、Ｒ^6a、Ｒ^7a、Ｒ^8a、Ｒ^9a、Ｒ^10aからＲ^5d、Ｒ^6d、Ｒ^8d、Ｒ^9d、Ｒ^10dおよびＲ¹¹からＲ¹³は、それぞれの場合において互いに独立して、Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルキル、Ｃ₇−〜Ｃ₁₂−アラルキルおよび／または置換または無置換Ｃ₆−〜Ｃ₁₀−アリールであり、基Ｒ^8aおよびＲ^9a、Ｒ^8bおよびＲ^9b、Ｒ^8cおよびＲ^9c、Ｒ^8dおよびＲ^9dは、それぞれの場合において互いに独立して、一緒になって、Ｏ、ＳおよびＮＲ^11a基から選択される１つまたは複数の同一の、または異なるヘテロ原子を有することができる、２から８個の炭素原子を有する環式炭化水素基を形成することもでき、Ｒ^11aは、Ｒ¹¹について示されている意味を有することができる］のビス（ジアリールフェノール）配位子と、式（ＸＩＶ）
（Ｒ¹⁴）_3-pＡｌＨ_p （ＸＩＶ）
［式中、
Ａｌはアルミニウムであり、
Ｒ¹⁴は、１から５個の炭素原子を有する分枝状または非分枝状アルキル基であり、
ｐは、０または１から３の整数である］のアルミニウム化合物、および／または式（ＸＶ）
ＭＡｌＨ₄ （ＸＶ）
［式中、
Ａｌはアルミニウムであり、
Ｍは、リチウム、ナトリウムまたはカリウムである］のアルミニウム化合物とを反応させることによって得られる具体的なジアリールフェノキシアルミニウム化合物が開示されている。

好ましくは本発明による方法の工程ｂ）の過程において使用されるジアリールフェノキシアルミニウム化合物を製造するために使用される式（Ｉ）のビス（ジアリールフェノール）は、それぞれの場合において芳香族基またはヘテロ芳香族基（Ａｒ¹からＡｒ⁴）によってフェノールヒドロキシ基と相対的な両オルト位が置換されており、構造要素Ａを介して互いに結合されており、さらなる置換基（Ｒ¹からＲ⁴）を場合によって担持することもできる２つのフェノール系を有する。記載のジアリールフェノキシアルミニウム化合物は、式（Ｉ）の前記ビス（ジアリールフェノール）配位子とアルミニウム化合物（ＸＩＶ）または（ＸＶ）との反応の反応生性物または生成物混合物として得られる。

好ましくは本発明による方法の文脈の範囲内において使用されるジアリールフェノキシアルミニウム化合物は、一般式（Ｉａ）

の配位子の前記反応によって得られるものである。

式（Ｉａ）の配位子も同様に、それぞれの場合において芳香族基またはヘテロ芳香族基（Ａｒ¹からＡｒ⁴）によってフェノールヒドロキシ基と相対的な両オルト位が置換されており、構造要素Ａを介して互いに結合されており、さらなる置換基（Ｒ¹からＲ⁴）を場合によって担持することもできる２つのフェノール系を有し、構造要素Ａは、それぞれの場合においてフェノールヒドロキシ基と相対的なパラ位で２つのフェノール系に結合している。ここで、基Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴、基Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴および構造要素Ａは、式（Ｉ）について以上に記載されている意味を有しうる。

好ましくは工程ｂ）の文脈の範囲内において本発明に従って使用されるジアリールフェノキシアルミニウム化合物を製造するための特に好適なビス（ジアリールフェノール）配位子は、ＷＯ２００６／０９２４３３に記載されているように、式（Ｉａ₁）、（Ｉａ₂）または（Ｉａ₃）の配位子を反応させることによって得られるものである。特に本発明による方法の工程ｂ）の文脈の範囲内において使用されるジアリールフェノキシアルミニウム化合物は、前記ＷＯ２００６／０９２４３３に記載されているように、式（ＸＩ）

［式中、
基Ｒ³⁰は、Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルキルまたはＣ₁−〜Ｃ₆−ペルフルオロアルキルである］のビス（ジアリールフェノール）配位子と、式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）のアルミニウム化合物、好ましくはトリメチルおよび／またはトリエチルアルミニウム、特に好ましくはトリエチルアルミニウムとを反応させることによって得られるものである。

ここで、Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルキルは、１から６個の炭素原子を有する直鎖または分枝状アルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチルまたはｎ−ヘキシル、好ましくはメチル、エチル、イソプロピルを指すものと理解される。

Ｃ₁−〜Ｃ₆−ペルフルオロアルキルという用語は、水素原子のすべてがフッ素原子によって置換された、１から６個の炭素原子を有するアルキル基、例えば、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピル、ヘプタフルオロイソプロピル、ナノフルオロブチル、好ましくはトリフルオロメチルを指すものと理解される。

本発明の文脈の範囲内で特に好適なジアリールフェノキシアルミニウム化合物は、式（Ｉａ₂−３）

のビス（ジアリールフェノール）配位子とトリメチルまたはトリエチルアルミニウム、好ましくはトリエチルアルミニウムとを、それに記載されている好適な実施形態およびそれらの組合せのすべてを含む前記ＷＯ２００６／０９２４３３に記載されている条件下で反応させることによって得られる化合物である。

本発明による好適なさらなるビス（ジアリールフェノール）配位子は、２つのトリフルオロメチル基を有する式（Ｉａ₂−１）

の配位子である。

好適な実施形態の文脈の範囲内において、本発明に従って実施される工程ｂ）は、式（ＸＩＩ）

のイソプレゴールを製造するための方法であって、式（ＸＩＩＩ）

のシトロネラールを、式（Ｉ）

［式中、
Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＡは、式（Ｉ）について示されている意味を有する］のビス（ジアリールフェノール）配位子と、式（ＸＩＶ）
（Ｒ¹⁴）_3-pＡＩＨ_p （ＸＩＶ）
［Ａｌはアルミニウムであり、
Ｒ¹⁴は、１から５個の炭素原子を有する分枝状または非分枝状アルキル基であり、
ｐは、０または１から３の整数である］のアルミニウム化合物、および／または式（ＸＶ）
ＭＡｌＨ₄ （ＸＶ）
［式中、
Ａｌはアルミニウムであり、
Ｍは、リチウム、ナトリウムまたはカリウムである］のアルミニウム化合物とを反応させることによって得られる触媒の存在下で環化することを含む方法の形で実施される。

本発明に従って実施される環化方法のこの好適な実施形態を実施するための詳細を、この点においてもその開示内容全体が参考として援用される既に引用したＷＯ２００６／０９２４３３に見いだすことができる。

好ましくは工程ｂ）による環化のために本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物は、例えば、上記式（Ｉ）または（Ｉａ）のビス（ジアリールフェノール）配位子と、式（ＸＩＶ）
（Ｒ¹⁴）_3-pＡＩＨ_p （ＸＩＶ）
のアルミニウム化合物とを反応させることによって得られる。

ここで、Ｒ¹⁴は、１から５個の炭素原子を有する分枝状または非分枝状アルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、イソペンチルまたはネオペンチルである。指数ｐは、０または１から３の整数である。好ましくは、指数ｐは、１または０であり、特に好ましくは０である。式（ＸＩＶ）の好適な化合物は、例えば、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、水素化ジイソブチルアルミニウム、特に好ましくはトリメチルアルミニウムおよびトリエチルアルミニウムである。

この代替として、好ましくは本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物は、上記の式（Ｉ）または（Ｉａ）のビス（ジアリールフェノール）配位子と式（ＸＶ）
ＭＡｌＨ₄ （ＸＶ）
［式中、Ｍは、リチウム、ナトリウムまたはカリウムである］のアルミニウム化合物とを反応させることによっても得られる。水素化アルミニウムリチウム、水素化アルミニウムナトリウムおよび水素化アルミニウムカリウムならびにそれらの混合物も、好ましくは上記の式（Ｉ）または（Ｉａ）のビス（ジアリールフェノール）配位子を反応させることによって、本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物を製造するのに好適である。さらに、式（ＸＩＶ）および（ＸＶ）の前記化合物の混合物も、上記の式（Ｉ）または（Ｉａ）のビス（ジアリールフェノール）配位子との反応によって、本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物を製造するのに好適である。

反応は、有利には、式（Ｉ）または（Ｉａ）のビス（ジアリールフェノール）配位子の１つ、特に好ましくは上記の式（Ｉａ₂−３）の配位子を式（ＸＩＶ）または（ＸＶ）の化合物と接触させるように実施される。有利には、該反応は、例えば、トルエン、シクロヘキサン、ジクロロメタン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、酢酸エチル、ペンタン、ヘキサン、ジクロロエタン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）およびジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の不活性有機溶媒中で実施され、予め乾燥した溶媒または無水溶媒の使用が特に有利であると考えられる。通常、該反応は、約−１００℃から約１００℃、好ましくは約−５０℃から約５０℃、特に好ましくは約−３０℃から３０℃の温度で行われる。

好ましくは工程ｂ）の過程において本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物の製造中に、式（Ｉ）または（Ｉａ）のビス（ジアリールフェノール）配位子は、式（ＸＩＶ）および（ＸＶ）の化合物と反応する。理論的には、各アルミニウム原子は、１から３つのフェノールヒドロキシ基と反応することができる。使用される式（Ｉ）または（Ｉａ）のビス（ジアリールフェノール）配位子の立体的特性または要件により、ここでは、結果として、線形構造体または網状体などの比較的高分子量の構造体が形成され得る。

ここで有利には、使用される式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）の化合物に対する式（Ｉ）または（Ｉａ）のビス（ジアリールフェノール）配位子のモル比は、完全に反応しない式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）の化合物の量ができるだけ少なくなるように選択される。好ましくは、前記比は、式（Ｉ）または（Ｉａ）のビス（ジアリールフェノール）配位子を式（ＸＩＶ）および（ＸＶ）の化合物と接触させた後に、式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）の未反応化合物が存在しなくなるように選択される。経済的側面を考慮すると、使用される式（Ｉ）または（Ｉａ）の配位子の超過量を低く抑えるのが望ましい。特に好ましくは、式（Ｉ）または（Ｉａ）のビス（ジアリールフェノール）配位子および式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）の化合物は、約４：１から約１：１、極めて好ましくは約３：１から約１．５：１、最も好ましくは約１．５：１のモル比で使用される。

本発明の１つの好適な実施形態の文脈の範囲内で、好ましくは本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物を製造するために、該方法は、初期充填物として、溶解度に応じて、式（Ｉ）または（Ｉａ）の選択された配位子を好適な有機溶媒、例えばトルエンに溶解させた約０．００１から約１モル溶液を約−１０から約３０℃の温度で導入し、式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）のアルミニウム化合物を好ましくは溶液、例えば、トルエン中トリメチルまたはトリエチルアルミニウムの溶液の形で添加することを含む。

使用される式（Ｉ）または（Ｉａ）の配位子と式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）のアルミニウム化合物との反応は、一般に高速で行われ、選択された反応条件に応じて、たいていの場合は約１０分から約２時間後、しばしば約１時間後に完了する。より反応性の弱い反応物質を使用する場合は、反応混合物の温度を短時間で上昇させるのが有利であり得る。

特に、反応させる式（Ｉ）または（Ｉａ）の配位子および式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）のアルミニウム化合物の選択された溶媒への溶解度、濃度ならびに反応温度に関して、選択された反応条件に応じて、好ましくは工程ｂ）の過程において本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物は、使用した溶媒または溶媒混合物中の固体、懸濁液または溶液の形で得られる。好ましくは本発明に従って使用される、得られたビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物を、それぞれの場合において得られた形でさらに使用または分離し、使用した溶媒を除去することができる。

ここで、単離を、当業者に既知であり、有利であると思われる方法によって行うことができる。好ましくは本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物の単離、貯蔵および／またはさらなる処理は、酸素および水分を徹底的に排除して実施されるのが好ましい。

本発明による好適なイソプレゴールを製造するための方法を実施するために、該方法は、最初に、上記のように、本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物を好適な溶媒に溶解させた溶液を製造することを含む。本発明によれば、次いで、環化されるラセミまたは非ラセミシトロネラールがこの溶液に添加される。ここで、シトロネラールをそのまま、または有利には前記好適な溶媒の１つに溶解させた溶液の形で添加することができる。本発明による方法の１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、式（Ｉ）または（Ｉａ）の選択された配位子をトルエンに溶解させた溶液が最初に製造され、次いで、有利には撹拌しながら、トルエン溶液の形の式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）の選択されたアルミニウム化合物、好ましくはトリメチルまたはトリエチルアルミニウム化合物が添加される。

基本的に、本発明による好適な環化方法を実施するための出発材料として、任意の方法により製造可能なシトロネラールが好適である。しかし、本発明の文脈の範囲内において、ゲラニアールおよび／またはネラールの不斉水素化により上記工程ａ）に従って得られる光学活性シトロネラールを使用するのが好ましい。純度が約９０から約９９．９質量％、特に好ましくは約９５から約９９．９質量％であるシトロネラールを使用するのが好ましい。

環化されるシトロネラールの添加は、有利には、約−４０℃から約４０℃の範囲、約−２０℃から約２０℃の範囲の温度で行われる。このために、本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物の製造溶液が、有利にはこの範囲の温度、例えば−１０℃から１０℃の範囲の温度まで冷却され、予備冷却されたシトロネラールまたは予備冷却されたシトロネラール溶液が添加される。

シトロネラールまたはその溶液の添加を、全量が一回で添加され、またはそれが分割して、もしくは連続的に製造触媒溶液に添加されるように実施することができる。そこで、好適な溶媒は、前記溶媒、特にトルエンである。環化されるシトロネラールをそのまま、すなわち溶媒をさらに添加せずに使用するのが好ましい。溶媒を使用する場合は、（触媒製造のため、および環化反応を実施するための）溶媒の全量は、有利には、反応させるシトロネラールの溶媒に対する容量に対する比が約２：１から約１：２０、好ましくは約１．５：１から約１：１０になるように選択される。

反応させるシトロネラールと、本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物の使用量との定量比は、その製造に使用される式（Ｉ）または（Ｉａ）および式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）の化合物の量、すなわち使用される式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）のアルミニウム化合物に対する、使用される配位子の定量比によって決定づけられる。

本発明によれば、使用される式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）のアルミニウム化合物の量に対する、反応させるシトロネラールの相対的な量は、モル比が約５：１から約１０００：１、好ましくは約１０：１から約５００：１、特に好ましくは約５０：１から約２００：１になるように選択される。

これとは無関係に、使用される式（Ｉ）または（Ｉａ）の配位子と使用される式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）のアルミニウム化合物との比を、好ましくは本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物を製造するために上記範囲内で変えることができる。

反応パートナおよび反応条件の選択に応じて、シトロネラールのイソプレゴールへの環化は、一般に高速で行われ、通常は約０．５から約１０時間後、しばしば約５時間後に完了する。反応の進行を、本質的に当業者に既知の方法、例えば、クロマトグラフィー法、具体的にはガスクロマトグラフィー法、あるいはＨＰＬＣ法によって監視することができる。

本発明による好適な環化方法の１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、シトロネラールのイソプレゴールへの環化は、助剤（ｉｖ）、例えば酸、好ましくは有機酸の存在下で実施される。例として、有利に使用することができる有機酸は、酢酸、プロピオン酸、安息香酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、好ましくは酢酸である。前記酸は、有利には、反応させるシトロネラールの量に対して、約０．５から約１０質量％の量で使用される。有利には、それらは、例えば混合物の形でシトロネラールと一緒に反応混合物に添加される。

１つの特に好適な実施形態において、シトロネラールの環化によってイソプレゴールを製造するための本発明による好適な方法は、無水カルボン酸、アルデヒド、ケトンおよびビニルエーテルから選択される少なくとも１つの助剤（ｉｖ）の存在下で実施される。

前記物質類の助剤（ｉｖ）をそれぞれの場合において個々に、または互いの混合物の形で使用することができる。混合物の場合は、１つの物質類の化合物からなるものを使用するのが好ましい。特に好ましくは、個々の化合物が使用される。以下に記載するように前記化合物を使用して、一般には、望ましくない副産物の形成を著しく抑制することが可能である。

１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、シトロネラールの上記環化は、式（ＸＶＩ）

［式中、
基Ｒ²⁰およびＲ^20’は、同一であっても異なっていてもよく、好ましくは同一であり、分枝状または非分枝状Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル基またはＣ₇−Ｃ₁₂−アラルキル基またはＣ₆−Ｃ₁₀−アリール基であり、記載の基は、それぞれの場合において、ＯＲ^10e、ＳＲ^10f、ＮＲ^8eＲ^9eおよびハロゲンの群から選択される１つまたは複数の、一般には１から約３つの同一の、または異なる置換基を有しえ、Ｒ²⁰およびＲ^20’は、一緒になって、１つまたは複数のエチレン二重結合、ならびにＯ、ＳおよびＮＲ^11bの群から選択される１つまたは複数の同一の、または異なるヘテロ原子を有しうる５から８員環を形成することもでき、Ｒ^10e、Ｒ^10f、Ｒ^8e、Ｒ^9eおよびＲ^11bは、Ｒ¹¹について以上に示されている意味を有しうる］の無水カルボン酸の存在下にてビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物の存在下で実施される。

さらなる好適な実施形態の文脈の範囲内において、シトロネラールの環化は、式（ＸＶＩＩ）

［式中、
基Ｒ²¹は、分枝状または非分枝状Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル基またはＣ₇−Ｃ₁₂−アラルキル基またはＣ₆−Ｃ₁₀−アリール基であり、記載の基は、それぞれの場合において、ＯＲ^10e、ＳＲ^10f、ＮＲ^8eＲ^9eおよびハロゲンの群から選択される１つまたは複数の、好ましくは１から３つの同一の、または異なる置換基を有することができ、Ｒ^10e、Ｒ^10f、Ｒ^8eおよびＲ^9eは、Ｒ¹¹について以上に示されている意味を有しうる］の（シトネラールと異なる）アルデヒドの存在下で実施される。

さらなる好適な実施形態の文脈の範囲内において、シトロネラールの環化は、式（ＸＶＩＩＩ）

［式中、
基Ｒ²²およびＲ²³は、それぞれの場合において同一であっても異なっていてもよく、分枝状または非分枝状Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル基またはＣ₇−Ｃ₁₂−アラルキル基またはＣ₆−Ｃ₁₀−アリール基またはＣ₁−Ｃ₆−アルコキシカルボニル基であり、前記基は、それぞれの場合において、ＯＲ^10e、ＳＲ^10f、ＮＲ^8eＲ^9eおよびハロゲンの群から選択される１つまたは複数の、好ましくは１から３つの同一の、または異なる置換基を有することができ、Ｒ²²およびＲ²³は、一緒になって、１つまたは複数のエチレン二重結合、ならびにＯ、Ｓ、ＮＲ^11bの群から選択される１つまたは複数の同一の、または異なるヘテロ原子を有しうる５から８員環を形成することもでき、Ｒ^10e、Ｒ^10f、Ｒ^8e、Ｒ^9eおよびＲ^11bは、Ｒ¹¹について以上に示されている意味を有することができる］のケトンの存在下で実施される。

前記カルボニル化合物の代替として、本発明による好適な環化方法の過程において、一般式（ＸＩＶ）

［式中、
基Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶およびＲ²⁷は、それぞれの場合において互いに独立して、それぞれの場合において同一であっても異なっていてもよく、分枝状または非分枝状Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル基またはＣ₇−Ｃ₁₂−アラルキル基またはＣ₆−Ｃ₁₀−アリール基であり、前記基は、それぞれの場合において、オキソ、ＯＲ^10e、ＳＲ^10f、ＮＲ^8eＲ^9eおよびハロゲンから選択される１つまたは複数の、好ましくは１から３つの同一の、または異なる置換基を有しえ、Ｒ²⁵およびＲ²⁶は、一緒になって、１つまたは複数のエチレン二重結合、ならびにＯ、Ｓ、ＮＲ^11bの群から選択される１つまたは複数の、通常は１つまたは２つの同一の、または異なるヘテロ原子を有しうる５から８員環を形成することもでき、Ｒ^10e、Ｒ^10f、Ｒ^8e、Ｒ^9eおよびＲ^11bは、Ｒ¹¹について以上に示されている意味を有しうる］のビニルエーテルも使用可能である。

ここで、Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキルは、上記のＣ₁−Ｃ₆−アルキルであり、さらに例えば、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシルまたはドデシルである。２つのアルキル基が一緒になって環を形成する場合は、アルキル基は、また、アルキレニル基を指すものと理解される。Ｃ₇−Ｃ₁₂−アラルキル基およびＣ₆−Ｃ₁₀−アリール基は、例えば、上記の意味を有することができる。例として、挙げることができるＣ₁−Ｃ₆−アルコキシカルボニル基は、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニルおよびイソプロポキシカルボニル、好ましくはメトキシカルボニルおよびエトキシカルボニルである。

本発明による好適な環化方法の１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、シトロネラールの環化は、式（ＸＶＩ）［式中、基Ｒ²⁰およびＲ^20’は、同一であり、分枝状または非分枝状Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル基またはＣ₇−Ｃ₁₂−アラルキル基またはＣ₆−Ｃ₁₀−アリール基であり、Ｒ²⁰およびＲ^20’は、一緒になって、１つまたは複数のエチレン二重結合、ならびにＯＲ^10e、ＳＲ^10f、ＮＲ^11bの群から選択される１つまたは複数の同一の、または異なるヘテロ原子を有することができる５から８員環を形成することもでき、Ｒ^10e、Ｒ^10fおよびＲ^11bは、Ｒ¹¹について以上に示されている意味を有することができる］の無水カルボン酸の存在下で実施される。

基Ｒ²⁰およびＲ^20’が同一であり、分枝状または非分枝状Ｃ₁−Ｃ₁₂−アルキル基またはＣ₆−Ｃ₁₀−アリール基である無水カルボン酸を使用するのが特に好適である。例として、好ましくは本発明に従って使用される無水カルボン酸は、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水ピバル酸および無水安息香酸である。

同様に好ましくは本発明に従って使用可能な式（ＸＶＩＩ）のアルデヒドは、例えば、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒドおよびクロラール（トリクロロアセトアルデヒド）である。

本発明による好適なシトロネラールの環化が式（ＸＶＩＩＩ）のケトンの存在下でさらなる好適な実施形態の文脈の範囲内で実施される場合は、有利には、活性化された、すなわち低電子のカルボニル官能基を有するケトンが使用される。例として、本発明による方法の過程での使用にある程度好適なケトン、すなわち１，１，１−トリフルオロアセトン、１，１，１−トリフルオロアセトフェノン、ヘキサフルオロアセトン、ピルビン酸メチルおよびピルビン酸エチルを挙げることができる。

同様に、工程ｂ）のこの実施形態の文脈の範囲内において好ましくは本発明に従って使用可能な式（ＸＩＸ）のビニルエーテルの例は、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテルおよび３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランである。

前記化合物類を、本発明による方法のこの好適な実施形態の文脈の範囲内において同等の好適さで使用することができる。例えば、より高い反応速度などの実用的な側面に関しては、アルデヒドおよび／または低電子ケトンの使用が有利であることが証明された。

好ましくは、無水カルボン酸、アルデヒド、ケトンおよび／またはビニルエーテルの使用量を広い範囲内で変えることができ、当該量は、使用される物質の種類および純度、またはより具体的には特定されない不純物の存在に左右される。通常、前記化合物またはそれらの混合物は、シトロネラールの使用量に対して、約０．０１モル％から約５モル％、好ましくは約０．１モル％から約２モル％の量で使用される。

反応手法のタイプおよび方法、例えば、反応器の構成または個々の反応パートナの添加の順序は、酸素および水が徹底的に排除された反応手法が確保されるのであれば、特定の要件が課されない。

工程ｂ）の過程において本発明に従って実施される環化方法のこの好適な実施形態を実施するために、該手法は、有利には、最初に、本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物を上記の好適な溶媒に溶解させた溶液を製造することを含む。次いで好ましくは、ラセミまたは非ラセミ、好ましくは非ラセミ、すなわち光学活性シトロネラールと、選択された無水カルボン酸、アルデヒド、活性化ケトンおよび／またはビニルエーテルとの混合物をこの溶液に添加する。この代替として、例えば、最初に、好ましくは本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物の溶液とそれぞれの場合において場合により選択される無水カルボン酸、アルデヒド、ケトンおよび／またはビニルエーテルと混合し、次いで環化させるラセミまたは光学活性シトロネラールを添加することも可能である。

シトロネラールまたはシトロネラールの混合物を、選択された化合物とともに触媒溶液または反応混合物に約３０分から約６時間の時間内、好ましくは約２時間から約４時間内に計量供給することが有利であると証明された。ここで、シトロネラールをそのまま、または有利には前記好適な溶媒の１つに溶解させた溶液の形で添加することができる。本発明による好適な方法のさらなる好適な実施形態の過程において、最初に、式（Ｉ）または（Ｉａ）の選択された配位子をトルエンに溶解させた溶液を製造し、次いで、好ましくは撹拌しながら、式（ＸＩＶ）および／または（ＸＶ）の選択されたアルミニウム化合物、好ましくはトリメチルまたはトリエチルアルミニウムのトルエン溶液を添加する。

本実施形態の文脈の範囲内において、環化させるシトロネラールまたはシトロネラールの混合物を、選択された無水カルボン酸、アルデヒド、活性化ケトンおよび／またはビニルエーテルとともに添加することは、有利には約−４０℃から約４０℃の範囲、好ましくは約−２０℃から約２０℃の範囲の温度で行われる。このために、好ましくは本発明に従って使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウムの製造溶液または懸濁液は、この範囲内の温度、例えば−１０℃から１０℃の範囲の温度まで冷却され、さらなる反応物質が予備冷却された形で添加される。

シトロネラールの混合物および選択されたさらなる化合物の添加を、シトロネラールの全量が一回で添加され、またはそれが分割して、もしくは連続的に製造触媒溶液に添加されるように実施することができる。次に、好適な溶媒は、好ましくは前記溶媒、特にトルエンである。好ましくは、環化させるシトロネラールは、溶媒をさらに添加することなく、選択された無水カルボン酸、アルデヒド、活性化ケトンおよび／またはビニルエーテルとの混合物の形で使用される。溶媒を使用する場合は、溶媒の全量は、有利には、反応させるシトロネラールと溶媒との容量に対する比は、約１：１から約１：２０、好ましくは約１：１から約１：１０になるように選択される。

触媒複合体の一部が、通常、上記好適な環化方法の過程において反応中に不活性化されることが判明した。これは、とりわけ、使用されるビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム化合物のそれぞれの場合において使用される式のビス（ジアリールフェノール）配位子と、環化によって形成されるイソプレゴールとの間の配位子交換プロセスに起因する。不活性化された形の触媒は、通常、活性ポリマー触媒と対照的に、使用される溶媒の選択に応じて反応混合物に可溶である。

１つの好適な実施形態において、単純な物理的分離方法（例えば、活性触媒の濾過または遠心）を用いて、触媒の不活性部分を残留する反応混合物とともに分離することができる。望まれる場合は、好ましくはシトロネラールのイソプレゴールへの本発明によるさらなる環化反応の過程において、保持された触媒の活性部分に新たな触媒を補給し、活性を顕著に低下させずに再使用することができる。

あるいは、本発明による環化反応の過程において、および／またはその終了後に、使用された全触媒複合体が不活性化されることで、透明な反応混合物から確認できる可溶性を有するように触媒の使用量を選択することができる。因みに、有利には、この場合、上記配位子交換プロセスにより、使用される式（Ｉ）のビス（ジアリールフェノール）配位子が、個別に加水分解を実施しなくても放出されることは注目に値する。

驚いたことには、（適切であれば、使用された溶媒および／または追加的に使用された助剤の蒸留分離に続いて）それぞれの場合において触媒として使用されるジアリールフェノキシアルミニウム化合物を予め加水分解することなく、イソプレゴールをシトロネラールの環化のアルミニウム含有反応生成物から高純度で蒸留分別することができることが判明した。因みに、概して、蒸留底部には認識可能な望ましくない、または厄介な副産物が形成されることはない。具体的な実施形態において、好適な不活性の高沸点溶媒の添加は、工程Ｉ）における蒸留分離の前または最中に行われる。次いで、これにより、蒸留底部に、それぞれの場合において使用される加熱高沸点物中式（Ｉ）の配位子の溶液が得られる。

好ましくは工程ｂ）の過程において本発明に従って実施される環化方法は、既に記載されているように、ラセミおよび／または非ラセミ、すなわち光学活性シトロネラールのラセミおよび非ラセミイソプレゴールへの環化に等しく好適である。

結果として、１つの好適な実施形態において、本発明による方法は、活性シトロネラールの環化によって光学活性イソプレゴールを製造する役割を果たす。

特に、本発明による好適な環化方法は、Ｄ−（＋）−シトロネラールから出発してＬ−（−）−イソプレゴールを製造する役割を果たす。

前記ビス（ジアリールフェノール）配位子を、シトロネラールのイソプレゴールへの環化のための触媒としてそれから得られるジアリールフェノキシアルミニウム化合物の使用に続いて、それらの良好な結晶化特性により、特に有利な方法で不連続的、または好ましくは半連続的または完全に連続的に回収して、さらなる反応に有用なものとすることができる。したがって、好ましくは工程ｂ）の過程において本発明に従って実施される環化の特に好適な実施形態は、
ｉ）イソプレゴール、
ｉｉ）式（Ｉ）

［式中、基Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＡは、以上に示されている意味を有することができる］の少なくとも１つの配位子を遊離および／または複合結合形態で含む、シトロネラールの環化によるイソプレゴールの製造からのアルミニウム含有反応生成物を処理する方法であって、
Ｉ）アルミニウム含有反応生成物を蒸留分離して、イソプレゴールが豊富な頂部生成物およびイソプレゴールが乏しい底部生成物を得、
ＩＩ）イソプレゴールが乏しい底部生成物を水性塩基と密に接触させて、アルミニウム含有水相、および式（Ｉ）の配位子の大部分を含む有機相を得、
ＩＩＩ）式（Ｉ）の配位子を有機相から分離する方法を含む。

本発明に好適であり、工程ｂ）の過程で実施される環化の１つの好適な実施形態において、好ましくは、実施される前記ジアリールフェノキシアルミニウム化合物の処理の存在下で、式（Ｉ）の配位子が結晶化によって有機相から分離される。

本発明による好適な環化方法によって得られた式（Ｉ）のビス（ジアリールフェノール）配位子を、通常、新たなバッチの過程でさらなる精製過程を設けずに、以下に定義される式（ＸＩＶ）または（ＸＶ）の対応するアルミニウム化合物と反応させることにより、反応性触媒複合体が得られ、そのようにして再生された触媒複合体には反応性の低下または顕著な低下が認められない。

好ましくは、記載のジアリールフェノキシアルミニウム化合物およびそれらの処理の存在下で工程ｂ）の過程において本発明に従って実施される環化の文脈の範囲内において、「遊離または複合結合形態の配位子」という用語は、配位子の遊離形態、およびプロセス条件下で遊離形態に変換できるすべての相当可能な形態を含む。例として、塩基加水分解によって配位子の遊離形態に変換される配位子のアルコラートを挙げることができる。

本発明の文脈の範囲内において、「水性塩基」という表現は、一般に、そのｐＨが７を超える水溶液を含む。特に、これらは、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の水酸化物の水溶液、具体的にはＫＯＨおよびＮａＯＨの水溶液である。

本発明による好適な環化または処理方法の文脈の範囲内において、「アルミニウム含有反応生成物」という表現は、アルミニウムをイオンの形、共有結合の形または複合結合の形で含む少なくとも１つの化合物を含む反応生成物を示す。これらは、以上に定義されているシトロネラールの環化に使用される式（Ｒ¹⁴）_3-pＡＩＨ_p（ＸＩＶ）またはＭＡｌＨ₄（ＸＶ）の化合物から本発明による方法の条件下で得られるアルミニウムの化合物である。

本発明による好適なこの環化または処理方法の文脈の範囲内において、「大部分」という表現は、存在する化合物の全量に対して５０％超、好ましくは８０％超、特に好ましくは９０％超の百分率を指すものと理解されるべきである。

工程Ｉ）
本発明による好適な処理方法の工程Ｉ）において、シトロネラールの環化によるイソプレゴールの製造からのアルミニウム含有反応生成物を蒸留分離して、イソプレゴールが豊富な頂部生成物およびイソプレゴールが乏しい底部生成物を得る。

１つの具体的な実施形態において、工程Ｉ）では、イソプレゴールより沸点が高い溶媒が使用される。その結果、底部成分の望ましくない熱応力を回避することができる。特に、そこに存在する式（Ｉ）の配位子は、イソプレゴールの除去中溶媒を含まない形で存在しない。より高沸点の溶媒を蒸留分離の前および／または最中にアルミニウム含有反応生成物に添加することができる。好ましくは、その沸点が蒸留条件下でイソプレゴールの沸点を上回るより高沸点の溶媒が使用される。好ましくは、導入された溶媒の蒸留条件下での沸点は、イソプレゴールの沸点より少なくとも５℃、好ましくは少なくとも１０℃、特に少なくとも２０℃高い。

当該沸点を有する好適なより高沸点の溶媒は、例えば、炭化水素、例えばフェニルシクロロヘキサン、ベンジルトルエン、ジベンジルトルエン、１−メチルナフタレンおよびトリデカン、１−デカノール、１，２−プロピレンカーボネート、エーテル、例えばジエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテルおよびジベンジルエーテル、ならびにこれらの溶媒の工業グレードの混合物である。フェニルシクロヘキサンを主成分として含む混合物が特に好ましい。

少なくとも１つのより高沸点の溶媒を使用する場合は、工程Ｉ）で得られたイソプレゴールが乏しい底部生成物は、より高沸点の溶媒、式（Ｉ）の配位子の大部分、および場合によって少なくとも１つのアルミニウム含有化合物を含む有機相である。

好ましくは、工程Ｉ）におけるイソプレゴールの蒸留分離は、好ましくは２５０℃まで、好ましくは１５０℃まで、特に好ましくは１００℃までの底部温度で行われる。通常、より低い底部温度は重要でなく、一般に少なくとも０℃、好ましくは少なくとも２０℃である。これらの最大温度を維持するために、望まれる場合は、蒸留を好適な真空下で実施することができる。

本発明による好適な処理方法の工程Ｉ）における圧力は、特定の実施形態にかかわらず、一般に０．１から１５００ミリバールの範囲、好ましくは１から５００ミリバールの範囲、特に好ましくは５から１００ミリバールの範囲である。

シトロネラールの環化からのアルミニウム含有反応生成物の組成および高沸点溶媒の使用にかかわらず、イソプレゴールの蒸留分離を連続的または不連続的、好ましくは連続的に行うことができる。１つの好適な手法において、より高沸点の溶媒は、蒸留分離の前にシトロネラールの環化からの反応生成物に添加され、蒸留の過程において、底部に存在する高沸点溶媒の量は、その後一定に維持される。

工程Ｉ）における蒸留分離では、当業者に既知の従来の装置を使用することができる（例えば、Ｓａｔｔｌｅｒ，Ｔｈｅｒｍｉｓｃｈｅ Ｔｒｅｎｎｖｅｒｆａｈｒｅｎ［Ｔｈｅｒｍａｌ ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄｓ］，２^nd ｅｄｉｔｉｏｎ，１９９５，Ｗｅｉｎｈｅｉｍ，ｐ．１３５ｆｆ；Ｐｅｒｒｙ’ｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ，７^th ｅｄｉｔｉｏｎ，１９９７，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，Ｓｅｃｔｉｏｎ １３参照）。これらは、充填物、内部構造物等を備えうる蒸留塔を含む。使用される蒸留塔は、分離トレー、例えば多孔トレー、バブルキャップトレーもしくはバルブトレー、構造充填物、例えば金属シートもしくは織物充填物、または充填物のランダム床などの分離内部構造物を含むことができる。使用される塔に必要な板の数および還流比は、実質的に、純度要件、ならびにシトネラールの環化によるイソプレゴールの製造からのアルミニウム含有反応生成物の構成成分およびより高沸点の溶媒の相対的沸点に左右され、当業者は、既知の方法によって具体的な設計および動作データを決定することが可能である。蒸留分離を、例えば、互いに連結された１つまたは複数の蒸留塔で行うことができる。

従来の蒸発器、好ましくは強制循環装置を備えた蒸発器、特に好ましくは流下膜式蒸発器も本発明による好適な処理法の工程Ｉ）における蒸留分離に好適である。

シトロネラールの環化からのアルミニウム含有反応生成物に存在し得るあらゆる追加的な成分に応じて、蒸留分離を通じて得られた頂部生成物の組成は、場合によっては、この頂部生成物にさらなる処理工程を施すことを必要とし得る。

シトロネラールの環化によるイソプレゴールの製造からのアルミニウム含有反応生成物を処理するための工程ｂ）の過程における本発明による好適な方法の１つの具体的な実施形態において、反応生成物は、より低沸点の溶媒（ｉｉｉ）をさらに含む。

本発明の文脈の範囲内において、「より低沸点の溶媒（ｉｉｉ）」という表現は、イソプレゴールの沸点を指す。このために、特定の条件下におけるイソプレゴールの沸点より少なくとも５℃、好ましくは１０℃、特に２０℃低い沸点を蒸留分離の条件下で有する溶媒または溶媒混合物が特に好適である。

好適な処理方法の文脈の範囲内において、当該沸点を有する好適な溶媒は、不活性溶媒またはそれらの混合物、例えば、芳香族溶媒、例えばトルエン、エチルベンゼンまたはキシレン、ハロゲン化溶媒、例えばジクロロメタン、ジクロロエタンまたはクロロベンゼン、脂肪族溶媒、例えばペンタン、ヘキサンまたはシクロヘキサン、エーテル、例えばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、エステル、例えば酢酸エチル、またはジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等である。特にトルエンが好適である。

処理されるアルミニウム含有反応生成物が当該より低沸点の溶媒を含む場合は、これは、１つの好適な実施形態においてイソプレゴールの蒸留分離の前に反応生成物から少なくとも部分的に除去される。好ましくは、より低沸点の溶媒の除去も蒸留によって行われる。より低沸点の溶媒の沸点に応じて、従来の前記蒸留装置を使用することが可能である。

１つのさらなる好適な実施形態において、アルミニウム含有反応生成物の蒸留分離は、より低沸点の溶媒の少なくとも一部、好ましくは大部分を同時に含むイソプレゴールが豊富な頂部生成物を得るための工程Ｉ）で行われる。この場合、頂部生成物を、好ましくは同様に蒸留によってさらに分離することができる。

分離されたより低沸点の溶媒は、有利には、シトロネラールの環化に戻され、そこで溶媒として使用される。このように、本発明による好適な処理方法は、不可避の損失の結果として必要とされる補給物とは別に、一定量のより低沸点の溶媒の単なる単一の供給を必要とする。

好ましくは、シトロネラールのイソプレゴールへの環化、およびシトロネラールの環化によるイソプレゴールの製造からのアルミニウム含有反応生成物の処理のために本発明に従って実施される方法の１つの具体的な実施形態において、反応生成物は、助剤（ｉｖ）をさらに含む。

本発明の工程ｂ）の文脈の範囲内において、「助剤（ｉｖ）」という用語は、望ましくない二次反応を抑制するためにシトロネラールの環化中に添加される化合物を指す。この点に関してその開示内容全体が参考として援用されるＷＯ２００６／０９２４３３に記載され、また以上に記載されているように、有機酸、無水カルボン酸、（シトロネラールを除く）アルデヒド、ケトンおよびビニルエーテルから選択される助剤（ｉｖ）が好ましい。

本発明による好適なこの環化または処理方法のさらなる具体的な実施形態において、上記の助剤（ｉｖ）は、無水カルボン酸、（シトロネラールを除く）アルデヒド、ケトンおよびビニルエーテルから選択される。

記載の物質類の助剤（ｉｖ）は、それぞれの場合において、処理される反応生成物に個々に、または混合物の形で存在し得る。好適な混合物は、１つの物質類の化合物からなる混合物である。特に好ましくは、反応生成物は、単一の助剤を含む。

好ましくは、シトロネラールの環化からの反応生成物に存在する助剤（ｉｖ）も同様に少なくとも部分的に除去され、可能な限りシトロネラールの環化に戻される。

蒸留条件下で、助剤（ｉｖ）が、イソプレゴールの沸点を下回る、またはわずかに、すなわち３０℃未満上回る沸点を有する場合は、これらを蒸留によって完全反応混合物から十分に、かつそれらが場合によって反応されない程度回収することができる。助剤の沸点に応じて、従来の前記蒸留装置を使用することができる。

蒸留条件下で、助剤（ｉｖ）が、イソプレゴールの沸点を有意に、すなわち少なくとも３０℃上回る沸点を有する場合は、これらは底部生成物に残留し、それらの物理特性が許容する場合、必要であれば、本発明による好適な処理方法の工程ＩＩ）で除去される。

さらなる好適な実施形態において、助剤（ｉｖ）の少なくとも一部、好ましくは大部分を同時に含むイソプレゴールが豊富な頂部生成物を得るために、工程Ｉ）において反応生成物の蒸留分離が行われる。必要であれば、この主生成物は、既に詳述したように、より低沸点の溶媒を含むことができる。この場合、頂部生成物を、好ましくは同様に蒸留によってさらに分離させることができる。有利には、分離された助剤（ｉｖ）は、場合によってより低沸点の溶媒とともに、シトロネラールの環化に戻され、そこで、例えば望ましくない二次反応を抑制するために使用される。このように、本発明による好適な処理方法は、不可避の損失の結果として必要とされる補給物を除いて、一定量の助剤（ｉｖ）の単なる単一の供給を必要とする。

イソプレゴールの分離、より高沸点の溶媒の導入および場合によって低沸点物の除去、すなわちシトネラールの環化からの場合によって存在する溶媒および揮発性助剤の除去を様々に組み合わせることができる。

１つの好適な実施形態において、所謂分割壁塔は、蒸留に使用される。すなわち、供給点および側方分岐は、塔の縦方向に広がる部分を伸びる分割壁の反対側に位置する。分割壁を含むこの種の蒸留塔は、本質的に当業者に既知である。側方分岐および供給点が分割壁の領域に位置する場合は、ＢｒｕｇｍａまたはＰｅｔｌｙｕｋシステムに類似のシステムになる。分割壁塔を使用するこの種の蒸留は、その開示内容全体が参考として本明細書で援用されるＤＥ−Ａ−３３０２５２５およびＥＰ−Ａ−０８０４９５１に記載されている。この場合、抜き取られる頂部生成物は、例えば低沸点成分が豊富な成分であり、側方分岐は、イソプレゴールの大部分を含む流れであり得る。より高沸点の溶媒は、供給点の下方、好ましくは塔の底部および底部の真上に供給される。式（Ｉ）の配位子の大部分をより高沸点の溶媒に溶解させた溶液が、底部生成物として生成される。

１つの代替的な実施形態において、連結塔が蒸留に使用される。この実施形態は、以下により詳細に説明されるように、シトロネラールの環化の反応生成物が溶媒および／または揮発性助剤を含む場合に有利であり得る。

この場合、イソプレゴールと、より低沸点またはわずかにより高沸点の溶媒および／または助剤（ｉｖ）との混合物は、第１の塔の頂部生成物を形成することができ、第２の塔において当該混合物を分離させ、イソプレゴールの少なくとも大部分を含む流れ、ならびに環化のより低沸点の溶媒および／または助剤を含むイソプレゴールが乏しい流れを得ることができる。

本発明による好適な環化のより低沸点の溶媒（ｉｉｉ）および助剤（ｉｖ）を含む流れを、通常、さらに分離させずに環化に戻すことができる。

式（Ｉ）の配位子は、第１の塔の底部生成物として、場合によってそれらの錯体または他の誘導体の形で製造される。

工程ＩＩ）：
好ましくは工程ｂ）の過程において本発明に従って実施される処理方法の工程ＩＩ）において、イソプレゴールが乏しい底部生成物を水性塩基と密に接触させて、アルミニウム含有水性層、および式（Ｉ）の配位子の大部分を含む有機相を得る。好適な水性塩基は、以上に記載されている水性塩基である。

遊離または複合結合形態の式（Ｉ）の配位子の他に、工程Ｉ）で得られたイソプレゴールが乏しい底部生成物は、少なくとも１つの難揮発性成分を含みうる。これらは、例えば工程Ｉ）において添加されたより高沸点の溶媒、好ましくはシトロネラールのイソプレゴールへの環化に使用されるアルミニウム含有化合物、および工程Ｉ）において分離されていないすべての助剤（ｉｖ）を含む。アルミニウム含有成分および／または助剤（ｉｖ）は、特に連続的方法の場合は蓄積し、特に工程ＩＩＩ）における分離の収率および純度に悪影響を及ぼすため、これらの化合物をできるだけ完全に除去することが有利である。これは、特にアルミニウム含有化合物に当てはまる。

工程ＩＩ）における接触は、好ましくは抽出によって行われる。抽出段階の数は、好ましくは１から２０段階の範囲である。

使用される抽出剤は、前記水性塩基である。結果として、これらの表現は、本発明の文脈の範囲内で同義的に使用される。

抽出のため、工程Ｉ）からのイソプレゴールが乏しい底部生成物を水性塩基と密に接触させる。相を分離して、式（Ｉ）の配位子の大部分を含む相およびアルミニウム含有化合物が豊富な水相を得る。次いで、水相を除去する。接触を連続的または不連続的に行うことができる。

不連続手法では、工程Ｉ）からのイソプレゴールが乏しい底部生成物と水性抽出剤とを好適な容器内で、機械的にかき混ぜながら、例えば撹拌しながら接触させ、該混合物を相分離のために放置し、より高密度の相を容器の底部から適切に抜き取ることによって相の１つを除去する。

複数の不連続分離処理をある種のカスケードにて順次実施することができ、その場合、水相から分離され、式（Ｉ）の配位子の大部分を含む相をそれぞれの場合において水相の新しい部分と接触させ、および／または水性抽出剤を逆流させる。

好ましくは、抽出は、連続的に行われる。連続的な抽出手法では、水性抽出剤および工程Ｉ）からのイソプレゴールが乏しい底部生成物の流れを、不連続手法と同様にして好適な装置に連続的に送る。同時に、式（Ｉ）の配位子の大部分を含む相の排出物およびアルミニウム含有化合物が豊富な水相の排出物を、相の分離が行われる装置から連続的に除去する。

抽出は、例えば混合機／分離器の組合せにて少なくとも一段階で行われる。好適な混合機は、動的または静的混合機である。２つ以上の段階の抽出は、例えば、複数の混合機／分離器または抽出塔にて行われる。

１つの好適な実施形態において、相分離を向上させるために、少なくとも１つのコアレッシングデバイスが使用される。これは、好ましくは、コアレッシングフィルタ、エレクトロコアレッサおよびそれらの組合せから選択される。抽出のために混合機／分離器デバイスを使用する場合、キャンドルフィルタまたはサンドフィルタなどのコアレッシングフィルタの使用は、相分離を向上させるのに有利であることが証明された。ここで、フィルタを混合機（撹拌容器）の直後および／または分離器からの有機排出物中に設置することができる。エレクトロコアレッサの使用も相分離を向上させるのに好適である。これらは、５質量％までの水性異物相を分離するのに好適であることが証明された。本発明による好適な処理方法におけるコアレッシングデバイスの使用は、式（Ｉ）の配位子の大部分を含む抽出塔の有機排出物からの微分散水相を分離するのにも有利である。

１つの好適な実施形態において、抽出は、工程Ｉ）からのイソプレゴールが乏しい底部生成物からアルミニウム含有成分を抽出するために少なくとも１つの混合機／分離器組合せにて行われる。さらなる混合機／分離器組合せの使用は、後に再抽出し、式（Ｉ）の配位子、あるいは適切であれば、分離されるアルミニウム含有化合物とともに部分的に抽出剤に流入するより高沸点の溶媒のプロセス留分に戻すのに特に有利である。

特定の状況下において、工程ＩＩＩ）において配位子を分離する前または分離した後に、式（Ｉ）の配位子の大部分を含む有機相に乾燥工程を施すことが有利であり得る。好適な乾燥方法は、当業者に既知の従来の方法、特に、例えばゼオライト分子篩を使用する脱水剤への吸着である。

工程ｂ）の過程における本発明による好適な処理方法の代替的な実施形態において、イソプレゴールが乏しい底部生成物を水性塩基と接触させた後に、蒸留によって水を完全または少なくとも部分的に除去する。

特に結晶化によって、式（Ｉ）の配位子が早発的に分離するのを防止するために、工程ＩＩ）のいずれの時点においても有機相への配位子の溶解度を超えないものとする。これは、温度および／または添加する溶媒の量および種類を適切に選択することによって実現できる。

そのため、本発明による好適な処理方法の１つの好適な実施形態において、工程Ｉ）からの加熱底部生成物の排出物を加熱水性塩基と密に接触させる。

この処理方法の文脈の範囲内において、「加熱された」という表現は、室温より高く、当該反応条件下での水溶液または有機溶液のそれぞれの沸点温度より低い温度を指す。特に、「加熱された」という表現は、２５℃から１５０℃の範囲、特に７０℃から１００℃の範囲の温度を指す。

適切であれば、ジアリールフェノキシアルミニウム化合物の存在下でのシトロネラールの本発明による好適な環化に使用される助剤に応じて、イソプレゴールが乏しい底部生成物は、適切であれば、工程Ｉ）で分離されていないさらなる成分を含みうる。これらは、好ましくは、工程ＩＩ）で分離される。この場合、これらの成分、例えば助剤（ｉｖ）を回収するために、得られた水相に好適な分離方法を施すことができる。

工程ＩＩＩ）：
工程ｂ）の過程における本発明による好適な処理方法の工程ＩＩＩ）において、結晶化によって、工程ＩＩ）で得られた配位子の大部分を含む有機相から式（Ｉ）の配位子を分離し、工程ＩＩＩ）を連続的または不連続的に実施することができる。この工程の好適な実施形態は、例えば、結晶化および／または揮発性構成成分の完全なもしくは少なくとも部分的な蒸留分離である。

本発明による好適な環化または処理方法の１つの好適な実施形態において、式（Ｉ）の配位子を結晶化によって分離する。

式（Ｉ）の配位子の結晶化では、第１に、工程ＩＩ）からの有機層における式（Ｉ）の配位子の溶解度を超えなければならない。これは、例えば、有機相の冷却方法または溶媒の（部分的）蒸留分離によって実現され得る。この目的のための方法は、当業者に既知である。好適な処理方法の過程における本発明による好適な結晶化の技術的構成については、従来の冷却結晶化装置、蒸発結晶化装置、真空結晶化装置、結晶化槽またはスプレー結晶化装置が好適である。

１つの好適な実施形態において、式（Ｉ）の配位子の好適に実施される結晶化は、該方法の工程ＩＩ）からの有機相を冷却することによって行われる。概して、結晶化は、−５０℃から１００℃の範囲、好ましくは−２０℃から５０℃の範囲、特に１０℃から４０℃の範囲の温度で行われる。

種結晶を添加することによってこの方法を加速させることができる。

式（Ｉ）の結晶性配位子を、例えば、濾過、浮揚、遠心または篩分によって溶液から単離することができる。

このようにして確保された式（Ｉ）の配位子を、適切であれば、好適な乾燥方法によって乾燥させることができる。このための方法は、当業者に既知である。例えば、乾燥の技術的構成については、従来のローラ乾燥器、ディスク乾燥器、チャンバ乾燥器、流動層乾燥器または放射線乾燥器が好適である。

式（Ｉ）の配位子が乏しい有機相を、工程Ｉ）の前または最中にプロセスに再び添加することができる。

本発明による好適な処理方法の１つの好適な実施形態において、結晶化は、工程ＩＩ）で得られた加熱飽和有機相から室温までの冷却により行われる。

該方法は、ラセミシトロネラールから出発してラセミイソプレゴールを製造し、また対応する光学活性シトロネラールの環化によって光学活性イソプレゴール、好ましくはＬ−イソプレゴールを製造するのにある程度好適である。上記の、本発明による方法の過程において好適なジアリールフェノキシアルミニウム化合物の存在下での指定の条件下における環化は、一般に、極めてジアステレオ選択的に、かつ立体化学情報、すなわち使用されたシトロネラール、好ましくは使用されたＤ−シトロネラールの鏡像異性体過剰を十分に保持しながら進行する。

以上に説明されているシトロネラールの環化によってこのようにして得られるイソプレゴールを、好適な分離および／または精製方法、特に蒸留によってさらに精製し、望ましくない不純物または副産物を少なくとも十分に除去することができる。当該蒸留精製を実施するのに特に好適なのは、イソプレゴールを液体の形の側方分岐において高純度および／または高濃度の形で得ることができる、側方分岐を有する分割壁塔または２つの熱結合塔の連結体である。総数が約３０から約２００個、好ましくは約４５から約９０個の理論分離段および１つまたは複数、好ましくは１つまたは２つの側方取出点を有する分割壁塔を使用して、蒸留の圧力および温度を適切に選択すると、通常、高純度、しばしば９７質量％以上、好ましくは９８質量％以上の純度のイソプレゴールを単離することが可能である。ここで、１０から５００ミリバール、好ましくは５０から２００ミリバールの塔内絶対圧力で処理するのが有利である。１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、シトロネラールの環化によって得られたイソプレゴールを蒸留によって精製し、その場合、３０から２００個の理論分離段および１つまたは複数の側方取出点を有する分割蒸留塔にて１０から５００ミリバールの絶対動作圧力で精製を実施する。

分割蒸留塔を用いた蒸留による当該材料分離の具体的な実施形態を、ゲラニアールおよびネラール含有物質混合物の蒸留分離の上記説明、ならびに以下に記載されるメントール精密蒸留に見いだすことができる。イソプレゴールの融点が１４℃未満である（純粋なＬ−イソプレゴールの融点にほぼ対応する）ため、適切であれば、例えば一年の寒冷期における比較的低い雰囲気温度での分割壁塔からの排出物の望ましくない固化を回避するために、当業者に既知の手段が採用される。

工程ｃ）：結晶化によるイソプレゴールの精製
本発明による方法の工程ｃ）に従って、結晶化により本発明による工程ｂ）に従って上記のように得られるイソプレゴールの精製を実施する。

イソプレゴールの結晶化は、当業者に既知であり、例えばＵＳ５，６６３，４６０に開示されている。該特許には、−２０℃から−６０℃の温度における石油エーテルまたは有利にはアセトンからの結晶化による（−）−ｎ−イソプレゴールの精製が記載されている。ここで、光学純度の向上を達成することもできる。

加えて、ＵＳ３，２１８，３６１には、イソプレゴールおよびイソプレゴールのジアステレオ異性体を含む物質混合物からのイソプレゴールの結晶化のための方法が開示されている。ここで、結晶化は、０℃未満、好ましくは−３０℃未満、例えば−６５℃の温度で実施され、溶液または溶融物から実施され得る。

その開示内容全体が参考として本明細書で援用され、その開示内容が、すべての選択物および実施形態を含めて、本開示の一部と見なされるＷＯ２００７／０２３１０９には、高濃度のイソプレゴール、特に式（ＸＸ）

の高濃度のＬ−イソプレゴールを、式（ＸＸ）のＬ−イソプレゴールを含む溶融物からの結晶化によって製造するための方法が開示されている。

イソプレゴール、特に光学活性Ｌ−イソプレゴールを溶融結晶化によって精製するための当該方法は、本発明による方法の工程ｃ）による結晶化によるイソプレゴールの精製のための好適な方法を構成する。

工程ｃ）による結晶化を実施するための好適な出発材料は、式（ＸＸ）のラセミまたは光学活性、好ましくは光学活性イソプレゴールを、その絶対配置において式（ＸＸ）に示されているように好ましくはそのＬ−鏡像異性体Ｌ−イソプレゴールの形で含む溶融物である。

よって、本発明の工程ｃ）は、イソプレゴールの他に、他の望ましくない不純物または化合物、例えば、使用されるイソプレゴールの製造において製造された副産物をも含むが、溶媒を実質的に含まない溶融物からの結晶化によるイソプレゴールの精製のための方法に関する。

本発明の工程ｃ）に従って実施される結晶化の文脈の範囲内における「高濃度のイソプレゴール」という用語は、結晶化、好ましくは溶融結晶化を実施するための出発材料としての役割を果たす材料よりＬ−イソプレゴールの含有量が大きいイソプレゴールを指すものと理解される。特に、工程ｃ）の文脈の範囲内において、「高濃度のイソプレゴール」という用語は、化学的純度が少なくとも約９０質量％、好ましくは少なくとも約９５質量％、特に好ましくは約９５から約９９．９５質量％であるイソプレゴールを指すものと理解される。因みに、以下においてｎ−イソプレゴールとも称する式（ＸＸ）のイソプレゴールは、イソプレゴールの３つのさらなる可能なジアステレオ異性体、すなわち式（ＸＸＩ）のイソ−イソプレゴール、式（ＸＸＩＩ）のネオ−イソプレゴールおよび式（ＸＸＩＩＩ）のネオイソ−イソプレゴールとの混合物に存在し得る。

本発明による方法を実施するための好適な出発材料は、任意の起源のイソプレゴール、すなわち天然源から単離されたイソプレゴールまたは合成により製造されたイソプレゴールであるが、好ましくは、合成により製造されたイソプレゴール、特に、上記工程ｂ）によって得られるイソプレゴールである。好ましくは本発明に従って使用される溶融物は、好ましくは、少なくとも約７０質量％、特に好ましくは少なくとも約７５質量％、極めて好ましくは約８０から約１００質量％、特に好ましくは約８５から約１００質量％のイソプレゴール、ならびにそのジアステレオ異性体、すなわち式（ＸＸＩ）のイソ−イソプレゴール、式（ＸＸＩＩ）のネオ−イソプレゴールおよび式（ＸＸＩＩＩ）のネオイソ−イソプレゴールからなる。

本発明による方法の工程ｃ）による結晶化の好適な実施形態は、式（ＸＸ）のｎ−イソプレゴールおよび場合によってイソプレゴールのさらなるジアステレオ異性体を含む溶融物からの結晶化によって、式（ＸＸ）の鏡像異性体および／またはジアステレオ異性体が豊富なｎ−イソプレゴールを製造するための方法に関する。

本発明による方法の工程ｃ）による結晶化によって溶融物から得られる式（ＸＸ）のｎ−イソプレゴールは、通常、ジアステレオ異性体が豊富な形で製造される。「ジアステレオ異性体が豊富な」という用語は、結晶化の過程で得られる生成物が、好ましくは本発明に従って使用される溶融物より、上記他のジアステレオ異性体と比較してより高含有量の所望のジアステレオ異性体ｎ−イソプレゴールを有することを意味するものと理解される。特に、「ジアステレオ異性体が豊富なイソプレゴール」という用語は、少なくとも８０から９９．９質量％、好ましくは９０から９９．８質量％、特に好ましくは９５から９９．５質量％の式（ＸＸ）のｎ−イソプレゴール、ならびに全部で２０質量％まで、好ましくは１０質量％まで、特に好ましくは５から０．５質量％までの式（ＸＸＩ）、（ＸＸＩＩ）および／または（ＸＸＩＩＩ）のさらなるジアステレオ異性体を含むイソプレゴールを指すものと理解される。

工程ｃ）による結晶化方法の１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、光学活性出発材料、すなわちｎ−イソプレゴールの２つの鏡像異性体が同じ比で存在しない出発材料を使用する場合は、鏡像異性体が豊富なｎ−イソプレゴールが得られる。ここで、「鏡像異性体が豊富な」という用語は、本発明に従って得られる生成物が、本発明に従って使用される溶融物より、ｎ−イソプレゴールの一方の鏡像異性体を他方の鏡像異性体と比較して高含有量有する、すなわちより高量の鏡像異性体過剰（ｅｅ）を有することを意味するものと理解される。

工程ｃ）により本発明に従って実施される結晶化方法は、また、わずかに鏡像異性体過剰の光学活性ｎ−イソプレゴールを含む溶融物からの結晶化による鏡像異性体およびジアステレオ異性体が豊富なｎ−イソプレゴールの製造を可能にする。

本発明による好適な出発材料、またはそれらの溶融物は、少なくとも約７５％、特に好ましくは少なくとも約８０％ｅｅ、極めて好ましくは約８５から約９５％ｅｅ、特に好ましくは８５から９０％ｅｅの鏡像異性体過剰のｎ−イソプレゴールを含む。

本発明による方法の工程ｃ）による結晶化方法の過程において、上記の光学活性出発材料を使用する場合は、プロセスパラメータを適切に選択すると、通常、少なくとも約８５％、好ましくは約９０から約１００％ｅｅ、特に好ましくは約９５から約９９．９％ｅｅ、極めて好ましくは約９７から約９９．９％ｅｅの式（ＸＸ）の鏡像異性体が豊富なｎ−イソプレゴールが得られる。

加えて、上記の光学活性出発材料を使用する場合は、上記の鏡像異性体が豊富なイソプレゴールの他に、鏡像異性体が乏しいイソプレゴールも得られ、「鏡像異性体が乏しいイソプレゴール」という用語は、工程ｃ）による結晶化に使用されるイソプレゴールより鏡像異性体過剰が小さいイソプレゴールを指すものと理解される。このようにして得られた鏡像異性体が乏しいイソプレゴールは、通常、鏡像異性体Ｌ−イソプレゴール対Ｄ−イソプレゴールのモル比約６０：４０に対応する約２０％までの小さい鏡像異性体過剰を有する。好ましくは、このようにして得られた鏡像異性体が乏しいイソプレゴールは、１５％ｅｅまで、好ましくは１０％ｅｅまで、特に好ましくは７％ｅｅまで、極めて好ましくは５％ｅｅまでの鏡像異性体過剰を有する。

好ましくは本発明による方法の工程ｃ）に従って実施される溶融結晶化を、例えば、層結晶化の形または懸濁結晶化の形で実施することができる。層結晶化を実施するために、通常、場合により冷却面を出発材料として使用される光学活性のイソプレゴールの溶融物に導入する。その後、場合によって鏡像異性体および／またはジアステレオ異性体が豊富なイソプレゴールを、導入された冷却面に形成し、次いで残留する母体溶融物から分離することができる。このようにして得られた結晶性の高濃度イソプレゴールを、助剤を使用しないさらなる精製工程で（例えば、融点直下で「結露する」純粋な生成物による洗浄によって）再び溶融させることができる。次いで、溶融結晶化物および母体溶融物の純度および収率を向上させるために所望される頻度で、この処理を繰り返すことができる。概して、有利には本発明による方法の工程ｃ）の過程において実施される層結晶化を通じて、動的方法が静的方法と区別されるべきである。動的方法では、母体相、すなわち溶融出発材料は、通常、結晶化物または冷却面を能動的または受動的に移動する。静的方法の過程では、好ましくは本発明に従って実施される溶融結晶化は、静止した溶融物において実施される。

好ましくは本発明に従って実施される工程ｃ）による溶融結晶化を動的層結晶化の形で実施することもできる。さらなる好適な実施形態の文脈の範囲内において、この変形は、Ｇ．Ｆ．Ａｒｋｅｎｂｏｕｔ，Ｍｅｌｔ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｌａｎｃａｔｅｒ／ＰＡ，Ｔｅｃｈｎｏｍｉｃ Ｐｕｂｌ．Ｃｏ．，１９９５（ｃｈａｐ．６．２）に記載されているチューブバンドル熱交換器にて実施される。ここでは、例えば細流フィルムの形の溶融物および冷媒が熱交換器の内壁および外壁に沿って誘導される。当該装置は、得られた結晶性イソプレゴールを重力の作用の下、単純な流出によって母体溶融物および得られたあらゆる結露留分から容易に除去することを可能にし、循環ポンプの他はさらなる撹拌要素を必要としない。

動的層結晶化を実施するために、通常、その融点より高く、融解図から読み取ることができる温度を有する、出発材料としての役割を果たす場合によって光学活性のイソプレゴールを上記の溶融結晶化装置に導入し、ポンプ循環によって冷却チューブバンドル熱交換器に通す。有利な結晶化成果を達成するために、冷却担体温度の低下を、好ましくは、約１ｍｍから約５０ｍｍ、好ましくは約５ｍｍから約２０ｍｍの厚さの結晶層が約０．５時間から約１０時間、好ましくは約１時間から約４時間の時間内で形成されるように選択する。この目的のために必要とされる冷媒温度は、一般に、特定の溶融温度より約１Ｋから約４０Ｋ、好ましくは約５Ｋから約２０Ｋ低い。

動的層結晶化を実施した後、通常、残留する母体溶融物を排出する。熱交換器の加熱または冷却媒体の温度を上昇させることによって、あらゆる粘着母体溶融残留物またはあらゆる含有不純物の溶融、あるいは排液によるそれらの除去が可能である。有利な熱担体温度は、約１５℃から約６０℃、特に有利には約２０から約３０℃の範囲である。「結露」と称するこのプロセスを通じて、純度要件に応じて、約１から約５０質量％、しばしば約５から約２０質量％の結晶化イソプレゴールを再び溶融させることができる。最後に、有利には、残留する鏡像異性体またはジアステレオ異性体が豊富な結晶層を溶融除去し、そのさらなる使用に向けて供給するか、あるいはさらなる精製または鏡像異性体もしくはジアステレオ異性体過剰の増加に向けて再度結晶化させる。記載されているように分離された母体溶融物および「結露」によって放出された留分を、本発明による方法に戻して収率を向上させることができる。あるいは、結晶層の「結露」の前に、それを溶融した純粋な生成物と接触させることによって洗浄する選択肢、すなわちそれから固着母液を除去する選択肢がある。場合によって活性の出発材料を使用する場合は、このようにして得られる母液から鏡像異性体が乏しいイソプレゴールまたはラセミイソプレゴールが得られる。

溶融物からのイソプレゴールまたはｎ−イソプレゴールの本発明による方法の工程ｃ）の過程において好適な結晶化は、有利には、約−２０℃から約１５℃の範囲、好ましくは約−１０℃から約１５℃の範囲、特に好ましくは約−５℃から約１４℃の範囲の温度で実施される。温度範囲の厳密なポジションは、ここでは、出発材料の光学的および化学的開始純度、ならびに所望の収率に左右され、当業者であれば、それぞれの場合において使用されるイソプレゴールの融解図から容易に読み取ることができる。

高濃度の、好ましくは鏡像異性体またはジアステレオ異性体が豊富なイソプレゴールのために工程ｃ）の過程において実施される本発明の製造方法の場合は、記載されたすべての方法を高い成功率で使用することができる。本発明による方法の１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、結晶化は、静的層結晶化の形、すなわち内部熱交換器表面を備えた静的層結晶化装置で実施される。

ここでは、前記熱交換器表面の配置に対して特定の要件を課さない。通常、出発材料としての役割を果たすイソプレゴールは、融解図から読み取ることができ、その融点より高い温度で溶融結晶化装置に導入され、結晶化装置の内容物は、出発材料の純度に応じて、約−２０℃から約１５℃、好ましくは約−１０℃から約１５℃の温度まで、約５時間から約３０時間、好ましくは約１０から約２０時間の時間以内に冷却される。有利な結晶化成果を達成するために、約０．１Ｋ／時間から約２０Ｋ／時間、特に好ましくは０．５Ｋ／時間から５Ｋ／時間の冷却速度を選択するのが好ましい。

所望量の出発材料の結晶化に続いて、有利には、残留する母体溶融物を排出させる。熱交換器の加熱／冷却媒体の温度を徐々に上昇させることによって、あらゆる粘着母体溶融物残留物またはあらゆる含有不純物を溶融させ、それらを排液によって除去することが可能である。有利な加熱速度は、約０．１から約２０Ｋ／時間の範囲、好ましくは約０．５から約５Ｋ／時間の範囲である。「結露」と称するこの方法において、純度要件に応じて、約３から約６０質量％、しばしば約１０から約３０質量％の結晶化イソプレゴールを再び溶融させることができる。最後に、有利には、残留する鏡像異性体が豊富な結晶層を溶融除去し、そのさらなる使用に向けて供給するか、あるいはさらなる精製または鏡像異性体過剰の増加に向けて再度結晶化させることができる。記載されているように分離された母体溶融物および「結露」によって放出された留分を、本発明による好適な溶融結晶化方法に戻して収率を向上させることができる。

あるいは、好ましくは工程ｃ）の過程において本明細書に従って実施される溶融結晶化を懸濁結晶化の形で実施することもできる。この場合、結晶は、通常、懸濁した形でそれらの母体溶融物に生成され、結晶層を形成させる必要がない。ここで、一定の温度における連続的手法、および温度を徐々に低下させる不連続的手法が可能である。ここで、好適な冷却面は、例えば、近接クリアランス攪拌機を備えた撹拌容器の壁、所謂スクラッチング冷却器、または冷却ディスク結晶化装置における拭い面である。あるいは、貴重な物質（または好ましくないが、助剤として添加された溶媒）の真空および断熱蒸発を適用することによって溶融物を冷却することもできる。次いで、懸濁結晶を本質的に当業者に既知に方法で、例えば、任意の所望のフィルタ要素、例えば吸引フィルタ、遠心またはベルトフィルタを使用して分離させることができる。基本的に達成可能な極めて高度な精製作用により、洗浄塔を用いて分離を実施することもでき、その場合、頂部からフィルタに向かって誘導された、底部で溶融した純粋な生成物の懸濁液が、洗浄媒体として向流誘導される。

本発明による方法の工程ｃ）による上記の結晶化によって得られたイソプレゴール、特に上記の鏡像異性体が乏しいイソプレゴールまたはラセミイソプレゴールをさらなる分離方法、好ましくは蒸留によってさらに精製することもできる。因みに、分割壁塔または熱結合の形の塔の相互連結体は、処理およびコストの点で有利であることが証明された。

工程ｄ）：メントールを得るためのイソプレゴールの触媒水素化
本発明による方法の工程ｄ）に従って、工程ｃ）により得られたイソプレゴールのメントールへの触媒水素化を実施する。触媒水素化を実施するための好適な出発材料は、工程ｃ）により得られた鏡像異性体またはジアステレオ異性体が豊富なイソプレゴール、あるいは結晶化の過程において副産物として分離された鏡像異性体が乏しいイソプレゴールおよびラセミイソプレゴールである。

１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、本発明による方法の工程ｄ）によるラセミまたは光学活性イソプレゴールの触媒水素化は、不均一ニッケル含有触媒の存在下で実施される。鏡像異性体が豊富なイソプレゴールまたは鏡像異性体として純粋なイソプレゴール、好ましくはＬ−イソプレゴールを使用する場合は、工程ｄ）による触媒水素化は、好ましくは、不均一ニッケルおよび銅含有触媒の存在下で実施される。

ＤＥ５７７０３６には、チモールの水素化によって合成メントールを製造するための方法が開示されている。ニッケル、ニッケル／銅およびコバルト触媒が、好適な触媒として記載されている。

ＧＢ１，５０３，７２３に記載されているように、メントールを得るためのピペリトールの触媒水素化にも特定のニッケル触媒が使用された。

ＥＰ１５３２０９１には、７０．１％のイソプレゴール、１８．１％のネオ−イソプレゴール、６．８％のイソ−イソプレゴールおよび２．６％のネオイソ−イソプレゴールのジアステレオ異性体混合物の形で使用されたイソプレゴールの触媒水素化によってラセミメントールを製造するための方法が開示されている。使用された触媒は、鉄およびクロムがドープされたラネーニッケルであった。これにより、６１．４％のメントールおよび３５．６％のメントールのさらなるジアステレオ異性体からなる可能なジアステレオ異性体の混合物の形のメントールが得られた。

メントールへのさらなる経路は、例えば前記ＥＰ１２２５１６３またはＷＯ２００６／０９２４３３に記載されているシトロネラールのイソプレゴールへのジアステレオ選択的環化のための方法の経路である。次いで、このようにして得られたイソプレゴールをさらなる工程で水素化してメントールにすることができる。

Ｒ．Ｈ．Ｐｉｃｋａｒｄ ｅｔ ａｌは、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９２０，１２４８−１２６３において、コロイドパラジウムの存在下でのＬ−イソプレゴールの触媒水素化によるＬ−メントールの製造を記載している。

Ｂ．Ｄｕｄｌｅｙ Ｓｕｌｌｙ ｅｔ ａｌ．は、Ｐ．＆Ｅ．Ｏ．Ｒ．１０６８，２３５−３６６において、１２０℃の温度におけるラネーニッケルの存在下でのＬ−イソプレゴールの水素化によるＬ−メントールの製造を記載している。

ＥＰ１０５３９７４には、５バールの水素圧における５％の炭素上パラジウムの触媒の存在下でのイソプレゴールのメントールへの触媒水素化のための方法が開示されている。

ＥＰ０３９４８４２は、ニッケルおよび銅を含み、それぞれの場合において酸化性非還元触媒に対して２０から７５質量％の酸化ニッケル、１０から７５質量％の二酸化ジルコニウムおよび５から５０質量％の酸化銅の含有量によって特徴づけられる脂肪族不飽和化合物の水素化のための触媒に関する。特定される基質の例は、ブチン−２−ジオール−１，４、ブテン−２−ジオール−１，４および２−エチルヘキセン−２−アールである。

本発明による方法の工程ｄ）の文脈の範囲内の１つの特に好適な実施形態によれば、式（ＸＸＩＶ）

のラセミまたは光学活性メントールを製造するための方法が、式（ＸＸ）

のラセミまたは光学活性イソプレゴールの触媒水素化によって、水素、ならびに
−ＮｉＯ換算で３０から７０質量％のニッケルの酸素含有化合物、
−ＺｒＯ₂換算で１５から４５質量％のジルコニウムの酸素含有化合物、
−ＣｕＯ換算で５から３０質量％の銅の酸素含有化合物、および
−ＭｏＯ₃換算で０．１から１０質量％のモリブデンの酸素含有化合物
（質量％単位のデータは乾燥非還元触媒に基づく）を含む触媒の存在下で実施される。

前記ニッケルおよび銅含有触媒の存在下での工程ｄ）の過程における本発明による好適な水素化方法を実施するための好適な出発材料は、式（ＸＸ）のラセミまたは光学活性イソプレゴールであるが、基本的に任意の純度のイソプレゴールを使用することができる。しかし、本発明による方法は、好ましくは、高純度のイソプレゴール、すなわち８０質量％以上の純度のイソプレゴール、好ましくは９０質量％以上の純度のイソプレゴールを変換するのに好適である。本発明による方法を実施するための出発材料として特に好適なのは、９７質量％以上、好ましくは９８から１００質量％、特に好ましくは９８．５から９９．９質量％、極めて好ましくは少なくとも９９から９９．９質量％の化学的純度を有するイソプレゴールである。ここで、化学的純度という用語は、ジアステレオ異性体、すなわち式（ＸＸＩ）のイソ−イソプレゴール、式（ＸＸＩＩ）のネオ−イソプレゴールおよび式（ＸＸＩＩＩ）のネオイソ−イソプレゴールに関して使用されるイソプレゴールのジアステレオ異性体純度をも含む。

よって、本発明による方法の工程ｄ）による触媒水素化を実施するための出発材料として特に好適なイソプレゴールは、９７質量％以上、好ましくは９８から１００質量％、特に好ましくは９８．５から９９．９質量％、極めて好ましくは少なくとも９９から９９．９質量％の上記のジアステレオ異性体純度を有する。ここで、記載の式は、本発明の文脈の範囲内において示されるすべての式と同様に、それぞれの場合において両鏡像異性体（またはそれらの混合物）を表し、立体中心の相対的な位置を示す役割を果たすことができる。

本発明によれば、イソプレゴールを工程ｄ）の過程においてラセミまたは非ラセミ、すなわち光学活性形態で使用することができる。本発明に従って式（ＸＸ）のラセミイソプレゴールを使用すると、式（ＸＸＩＶ）のラセミメントールが得られる。光学活性イソプレゴール、好ましくは式（ＸＸ）の鏡像異性体が豊富なイソプレゴールおよび特に好ましくは鏡像異性体として純粋なイソプレゴールを使用すると、それに応じて式（ＸＸＩＶ）の光学活性メントールが得られる。光学活性の形のイソプレゴールが使用される場合は、本発明によれば、主として、例えば式（ＸＸ）におけるその絶対配置で再生されるＬ−イソプレゴール鏡像異性体を含む混合物が好ましい。

本発明による方法の工程ｄ）の過程において、反応の場合は、鏡像異性体が豊富なイソプレゴール、すなわち８０％以上の鏡像異性体過剰（ｅｅ）、好ましくは８５またはより良好には９０％ｅｅ以上、特に好ましくは９５から１００％ｅｅ、極めて好ましくは９６から９９．９％ｅｅ、さらに好ましくは９７から９９．８％ｅｅ、さらにより好ましくは９８から９９．７％ｅｅ、特に好ましくは９８．５から９９．６％ｅｅのＤ−または好ましくはＬ−イソプレゴールが使用される。光学活性の形のＬ−イソプレゴールから出発すると、本発明による方法では、式（ＸＸＩＶ）における絶対配置で再生されたＬ−メントールが光学活性の形で製造される。

本発明による好適な触媒水素化方法は、水素の存在下および不均一触媒の存在下で実施され、使用される不均一触媒は、ＮｉＯ換算で３０から７０質量％、好ましくは４０から６０質量％のニッケルの酸素含有化合物、ＺｒＯ₂換算で１５から４５質量％、好ましくは２０から４０質量％のジルコニウムの酸素含有化合物、ＣｕＯ換算で５から３０質量％、好ましくは１０から２５質量％の銅の酸素含有化合物、およびＭｏＯ₃換算で０．１から１０質量％、好ましくは０．５から５質量％のモリブデンの酸素含有化合物、ならびに適切であれば０から１０質量％、好ましくは０から５質量％の量のさらなる成分、例えばグラファイトを含む。ここで、質量％単位のデータは、乾燥非還元触媒を指す。

濃度データは、それぞれの場合において、他に指定する場合を除いて、触媒の触媒活性部分に基づくため、触媒の触媒活性部分は、以降、その最後の熱処理とその水素による還元との間にそれぞれの場合においてそれぞれＺｒＯ₂、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＭｏＯ₃として計算された触媒における触媒活性ジルコニウム、ニッケル、銅およびモリブデンの部分の合計として定義される。

本発明による好適な工程ｄ）による水素化方法を実施するための１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、
−ＮｉＯ換算で４５から５５質量％のニッケルの酸素含有化合物、
−ＺｒＯ₂換算で２５から３５質量％のジルコニウムの酸素含有化合物、
−ＣｕＯ換算で５から２０質量％の銅の酸素含有化合物、および
−ＭｏＯ₃換算で１から３質量％のモリブデンの酸素含有化合物、および
−０から５質量％のさらなる成分
（質量％単位のデータは、合計１００質量％になり、乾燥非還元触媒に基づく）を含む触媒が使用される。本発明によれば、上記と同様の質量分率の前記成分からなる触媒が特に好ましい。

本発明による方法の工程ｄ）の過程での使用に特に好適である触媒は、４９から５３質量％のＮｉＯ、１５から１９質量％のＣｕＯ、２８から３２質量％のＺｒＯ₂および１から２質量％のＭｏＯ₃、ならびに場合によって０から３質量％のさらなる成分、例えばグラファイトからなり、選択される個々の成分の質量分率は、それぞれの場合において、合計１００質量％になる。この種の触媒は、既知であり、例えば、その開示内容全体が参考としてこの点に関して援用されるＥＰ０６９６５７２に記載されている。

好ましくは工程ｄ）の過程において本発明に従って使用される触媒を、例えば、析出法を使用して製造することができる。したがって、例えば、それらを、難溶性酸素含有ジルコニウム化合物のスラリーの存在下で無機塩基を用いて、これらの元素を含む塩水溶液からニッケルおよび銅成分を共析出させ、続いて得られた析出物を洗浄、乾燥および焼成することによって得ることができる。使用可能な難溶性酸素含有ジルコニウム化合物は、例えば、二酸化ジルコニウム、酸化ジルコニウム水和物、リン酸ジルコニウム、ホウ酸塩および珪酸塩である。難溶性ジルコニウム化合物のスラリーを、これらの化合物の微粒子粉末を激しく撹拌しながら水に懸濁させることによって製造することができる。これらのスラリーは、有利には無機塩基によって難溶性ジルコニウム化合物をジルコニウム塩水溶液から析出させることによって得られる。

本発明による方法の工程ｄ）の過程において使用可能な触媒を、それらの成分のすべての共析出によって製造することが好ましい。このために、触媒成分を含む塩水溶液を、高温で撹拌しながら、水性無機塩基、特にアルカリ金属塩基、例えば炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウムまたは水酸化カリウムと、析出が完了するまで適切に混合する。使用される塩の種類は、概して重要でない−この手法における基本的なファクターは塩の水溶性であるため、１つの基準は、比較的高濃度の塩溶液を製造するのに必要とされるそれらの良好な水溶性である。個々の成分の塩を選択する場合は、当然、望ましくない析出を引き起こすことによって、あるいは錯体形成を通じて析出を複雑化または防止することによって、破壊を招かないアニオンを有する塩のみが選択されることは自明であると思われる。

工程ｄ）の過程において本発明に従って使用可能な、特に有利な特性を有する触媒は、水性無機塩基を添加することによって、析出装置で個別的に、適切にはジルコニウム塩水溶液から触媒のジルコニウム成分の一部を析出することによって得られる。次いで、触媒のジルコニウム成分の残りを、そのようにして得られた好ましくは新たに析出した酸化ジルコニウム水和物上に、他の触媒活性成分とともに上記共析出にて析出させることができる。因みに、一般に、触媒活性部分のジルコニウムの全量の１０から８０質量％、好ましくは３０から７０質量％、特に４０から６０質量％を予め析出させることが特に適切であることが証明された。

これらの析出反応で得られた析出物は、一般に化学的に不均一であり、とりわけ、酸化物、酸化物水和物、水酸化物、炭酸塩ならびに前記金属の不溶性および塩基性塩からなる。析出物の濾過性については、それらをエージングした場合、すなわちそれらを析出後一定の時間にわたって、適切であれば高温で、または空気を通しながら放置した場合に好適になると考えられる。

これらの析出法によって得られた析出物を通常の方法でさらに処理して、好ましくは工程ｄ）の過程において本発明に従って使用可能な完成触媒を得ることができる。洗浄後、それらを一般に８０から２００℃、好ましくは１００から１５０℃で乾燥させ、次いで焼成する。焼成は、一般に３００から８００℃、好ましくは４００から６００℃、特に４５０から５５０℃で実施される。

焼成後、触媒を研磨によって特定の粒径に調整し、あるいは研磨し、次いでそれをグラファイトまたはステアリン酸などの成形助剤と混合し、タブレット形成プレスによって圧縮してペレットにし、熱処理することによって適切に調整する。ここで、温度は、一般には焼成時の温度に対応する。

このようにして製造された触媒は、触媒活性金属をそれらの酸素含有化合物の混合物の形、すなわち酸化物および混合酸化物の形で含む。

このようにして製造された触媒を貯蔵し、そのまま使用することができる。それらは、本発明による方法の工程ｄ）の過程において触媒として使用される前に、通常は予備還元される。しかし、予備還元せずに使用することもでき、その場合、それらは、本発明に従って実施される水素化の条件下で反応器に存在する水素によって後に還元される。予備還元では、一般に、触媒を最初に１５０から２００℃の窒素−水素雰囲気に１２から２０時間にわたって曝し、次いでさらに約２４時間までの時間にわたって２００から３００℃の水素雰囲気中で処理する。この予備還元を通じて、触媒に存在する酸素含有金属化合物の一部は、通常、それらが、異なる種類の酸素化合物とともに触媒の活性形態で存在するように対応する金属に還元される。

概して、本発明による水素化方法の工程ｄ）の過程において使用される触媒は、好ましくは独立触媒の形で使用される。「独立触媒」という用語は、支持触媒と対照的に、触媒活性部分のみからなる触媒を指す。粉末に粉砕された触媒活性部分を反応容器に導入するか、あるいは粉砕し、成形助剤と混合し、成形し、熱処理した後に触媒活性部分を成形物の形で、例えば球体、円柱、タブレット、環、螺旋体および糸状体等の形で反応器に配置して独立触媒を使用することができる。

工程ｄ）に従って実施される触媒水素化方法の１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、選択された不均一触媒は、固定層触媒の形で使用される。

本発明による方法の工程ｄ）に従って触媒水素化を実施するために、上記イソプレゴール出発材料を水素および選択された触媒と接触させる。水素を希釈しない形で、通常は約９９．９容量％の純度で、あるいは希釈した形、すなわち不活性気体、例えば窒素またはアルゴンとの混合物の形で使用することができる。水素を希釈しない形で使用するのが好ましい。

イソプレゴールの水素化を、溶媒を添加せずに、または反応条件下で不活性な有機溶媒、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ヘキサン、ヘプタンおよびシクロヘキサン等の存在下で首尾よく実施することができる。好ましくは、本発明による方法の工程ｄ）による水素化は、溶媒を添加せずに実施される。

工程ｄ）によるイソプレゴールの触媒水素化を１から２００バール、好ましくは２または良好には３から２００バール、特に好ましくは４または５から１５０バール、特に好ましくは５から１００バールの範囲、極めて好ましくは５から５０バールの範囲の水素圧（絶対）で実施することができる。本発明による水素化を実施するために選択される反応温度は、有利には、２０から１５０℃、好ましくは４０から１３０℃、特に好ましくは６０から１１０℃、極めて好ましくは７０から１００℃の温度である。

実際、工程ｄ）による水素化を実施する場合は、手法は、通常、好ましくは外部から加熱される固定層反応器、例えば、管状反応器、オートクレーブまたはチューブバンドル反応器内に存在する、触媒に変換されるイソプレゴールを所望の反応温度および所望の圧力で供給することを含む。ここで、触媒には、触媒１ｋｇ当たり毎時０．１から１．０、好ましくは０．１から０．６、特に好ましくは０．２から０．４ｋｇのイソプレゴールが充填される。ここで、使用されるイソプレゴールを反応容器または反応器に供給する前に特に好ましくは反応温度まで加熱することが適切であり得る。

反応器を液相形態または細流形態で動作させることができる。すなわち出発材料を、反応器を内底部から上方に、または頂部から下方に流すことができる。本発明による水素化方法を不連続的または連続的に実施することができる。いずれの場合も、未反応の出発材料を水素とともに循環させることができる。

好ましくは工程ｄ）の過程において本発明に従って実施される水素化を、複数の、すなわち２つから一般には４つの、好ましくは２つまたは３つの、特に好ましくは２つの縦列接続された反応器、好ましくは固定層反応器のカスケードで段階的に実施することもできる。ここで、反応物の主変換は、通常は主反応器と称する第１の反応器にて上記反応条件下で達成され、得られた粗製物は、通常は後部反応器と称する第２の反応器に供給され、まだ未反応の出発材料は、本発明による方法で少なくとも十分にメントールに変換され、あるいは鏡像異性体が豊富なＬ−イソプレゴールまたは鏡像異性体として純粋なＬ−イソプレゴールが本発明に従って好適に使用される場合は、Ｌ−メントールに変換される。ここで、反応条件を、好ましくは、前記範囲内で互いに独立して選択することができる。

上記水素化方法を不連続的に、半連続的に、または完全連続的に実施することができる。該方法を連続的に、特に完全連続的に実施することが好ましく、その場合、出発材料は、反応器に連続的に導入され、得られた反応混合物または反応生成物は、反応器から連続的に排出される。また、本発明によるメントール反応生成物、特にＬ−メントールの融点のポジションにより、使用される輸送ラインを加熱することが有利であることが証明された。

好ましくは工程ｄ）の過程において実施される記載の水素化方法は、要望に応じて、通常メントールの望ましくないジアステレオ異性体をわずかしか形成させない、対応するラセミまたは光学活性イソプレゴールの触媒水素化によるラセミまたは光学活性メントールの製造を可能にする。よって、本発明による方法は、対応する純度のイソプレゴールを使用すると、化学的純度が９７質量％以上、好ましくは９８から１００質量％、特に好ましくは９８．５から９９．９質量％、極めて好ましくは９９から９９．９質量％の式（ＸＸＩＶ）のメントールを製造する。ここで、「化学的純度」という用語は、式（ＸＸＶ）のネオイソ−メントール、式（ＸＸＶＩ）のネオ−メントールおよび式（ＸＸＶＩＩ）のイソ−メントールに関する、得られたメントールのジアステレオ異性体純度をも含む。よって、その枠内における本発明の方法は、好ましくは、ジアステレオ異性体純度が９７質量％以上、好ましくは９８から１００質量％、特に好ましくは９８．５から９９．９質量％、極めて好ましくは９９から９９．９質量％の式（ＸＸＩＶ）のメントールを製造する。

イソプレゴールを本発明による光学活性の形、好ましくは主としてＬ−イソプレゴール鏡像異性体を含む混合物の形で使用すると、工程ｄ）の過程において本発明により得られるプロセス生成物は、概して、光学活性の形、好ましくは（−）の形のメントール、またはＬ−メントールである。

上記ニッケルおよび銅含有触媒の存在下での本発明による好適な、説明した触媒水素化は、一般に、たいていは使用される材料を顕著にラセミ化することなく進行する。そのため、使用される光学活性イソプレゴールの鏡像異性体過剰に応じて、好ましくはＬ−イソプレゴールが使用されると、８０％以上の鏡像異性体過剰（ｅｅ）、好ましくは８５または９０％ｅｅ以上、特に好ましくは９５から１００％ｅｅ、特に９６から９９．９％ｅｅ、極めて好ましくは９７から９９．８％ｅｅ、さらにより好ましくは９８から９９．７％ｅｅ、特に好ましくは９８．５から９９．６％ｅｅの光学活性Ｌ−メントールが得られる。

本発明により得られたメントール、特に、得られた光学活性メントールは、さらに、望ましくない副産物、すなわち式（ＸＸＶＩＩＩ）のメントンおよび式（ＸＸＩＸ）のイソメントンおよび式（ＸＸＶ）のネオイソメントールの含有量が特に小さい点が注目に値する。

これらの副産物は、一般に、本発明による好適な水素化方法の過程において、得られたメントールの量に基づいて、０．５質量％まで、好ましくは０．４質量％まで、特に好ましくは０．３質量％まで、特に０．２質量％まで、極めて好ましくは０．１から０質量％の割合で得られる。

上記のように、工程ｃ）により本発明に従って実施される結晶化において、好ましくは、やはり工程ｃ）について記載されているように、光学活性イソプレゴール含有物質混合物、ならびに鏡像異性体が豊富なイソプレゴールまたは鏡像異性体として純粋なイソプレゴールを使用する記載の溶融結晶化において、ラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールが生成される。このラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールを、好適な触媒を用いて有利な方法で工程ｄ）による触媒水素化の過程において水素化し、ラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを得ることができる。加えて、水素および触媒としてのラネーニッケルの存在下で、従来の方法、例えば触媒水素化によってこの種のラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールを水素化して、ラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを得ることも可能である。

ｅ）メントールの高精度蒸留
結晶化、好ましくは溶融結晶化によって予め精製されたイソプレゴールの触媒水素化のための上記方法は、一般に、ラセミおよび光学活性メントール、好ましくは、化学的純度が高く、またメントールの望ましくないジアステレオ異性体に関して、そして鏡像異性体が豊富な光学活性メントールの場合は鏡像異性体純度が高いラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールおよびＬ−メントールを製造する。特に、得られたメントールの感覚特性、特に嗅覚特性、および薬局方における純度要件に関して最高の品質基準を保証するために、工程ｄ）により得られた鏡像異性体が豊富な光学活性メントールまたはラセミメントールもしくは鏡像異性体が乏しいメントールに最終的な蒸留を施すことが有利であることが証明された。したがって、本発明による方法は、さらなる任意の工程ｅ）としての好適な実施形態の文脈において、工程ａ）からｄ）により得られたラセミおよび／または光学活性メントール、あるいは工程０からｄ）により得られたラセミおよび／または光学活性メントールの分割壁塔による蒸留精製を含む。

メントールの様々な精製方法が、文献に記載されている。例えば、当業者は、例えばＤＥ５６８０８５またはＤＥ１１８９０７３およびＵＳ１，９３０，４１１、ＪＰ２７００３８８４またはＪＰ３２００９８６９に記載されている、水蒸気を使用する、および使用しない分別蒸留の他、抽出法および結晶法を認識している。

これらの方法は、組み合わせて、例えば結晶化と分別蒸留の組合せとして、あるいは化学反応または誘導体化と組み合わせて使用される場合もある。

ＧＢ２８５，３９４は、チモールを水素化し、それから得られた混合物を分別蒸留し、続いてネオメントールをメントール留分から凍結させることによってラセミメントールを製造するための方法に関する。

ＧＢ２８５，８３３には、アセトンによるクレゾールの縮合から得られ、チモールの他に異性体メチルイソプロピルフェノールを含む混合物の分別蒸留によってチモールを製造するための方法が記載されている。

ＵＳ２，８２７，４９７には、分別蒸留および分別結晶化によって得られたメントールのジアステレオ異性体混合物を酸化させ、次いで別の分別蒸留によってさらに精製する方法が開示されている。

ＥＰ０２４２７７８には、抽出蒸留、すなわち例えばスクシンイミドなどの特定の助剤を用いた蒸留によって、メントール、イソメントール、ネオメントールおよびネオイソメントールの混合物を含むジアステレオ異性体混合物を分離するための方法が記載されている。

記載されている方法は、たいてい、助剤を使用する（水蒸気または抽出蒸留）、または固体が生成されるという欠点を有する。分別バッチ蒸留は、たいていの場合、生成物がより長時間にわたって熱応力を受けるため、貴重な生成物の収率の点で不利である。

ＥＰ１５１４９５５は、メタノールを用いた１，１，２，２−テトラメトキシエタンの電気化学酸化の電解排出物を蒸留処理して液体電解質中にオルトギ酸トリメチルを得るための方法であって、３０から１５０個の理論分離段を有する分割壁塔を使用する方法に関する。

ＤＥ１０３３０９３４には、精留によって、シトロネラールまたはシトロネロールを、これらの化合物の少なくとも１つを含む粗混合物から連続的に単離するための方法が開示されている。ここで、シトラールまたはシトロネラールの部分水素化によって得られた出発混合物を使用するのが好ましい。

ＤＥ１０２２３９７４は、２つの立体異性体イソプレノイドアルコール、具体的にはネロールおよびゲラニオールを精留によって粗混合物から連続的に分離するための方法であって、粗混合物を供給塔に横方向に導入し、供給塔に連結された少なくとも１つの分岐塔を設け、第１および第２のイソプレノイドアルコールを分岐塔から抜き取る方法に関する。ここで、供給塔と分岐塔は、少なくともイソプレノイドアルコールの分岐領域において蒸気と凝縮物が交差混合しないように連結される。

メントール、特にＬ−メントールのそのジアステレオ異性体、すなわちネオイソメントールおよびイソメントールからの蒸留精製は、通常、特に大気圧における約２℃の非常に小さい沸点差により極めて複雑である。

１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、本発明による方法の任意の工程ｅ）は、式（ＸＸＩＶ）

のラセミまたは光学活性メントールを、ラセミまたは光学活性メントールおよびメントールのジアステレオ異性体を含む物質混合物からラセミまたは光学活性メントールを蒸留分離することによって純粋な、または高濃度の形で製造するための連続的方法の形で実施され、蒸留分離は、５０から３００個の理論分離段および１つまたは複数の側方取出点を有する分割壁塔にて、５から５００ミリバールの絶対動作圧力で実施される。

好ましくは任意の工程ｅ）の過程において実施される分離方法を実施するのに使用される出発材料は、ラセミまたは光学活性メントール、好ましくは光学活性メントール、特に好ましくはＬ−メントールおよびメントールのジアステレオ異性体を含む物質混合物である。

挙げることができるメントールのジアステレオ異性体は、出発材料としての役割を果たす混合物の性質に応じて、ラセミまたは非ラセミ、すなわち光学活性の形で存在し得る上記化合物、すなわち式（ＸＸＶ）のネオイソメントール、式（ＸＸＶＩ）のネオメントールおよび式（ＸＸＶＩＩ）のイソメントールである。前記ジアステレオ異性体は、工程ｅ）の過程において本発明に従って使用される物質混合物に、個々に、または互いの混合物の形で存在し得る。本発明による好適な分離方法の過程において出発材料として使用される物質混合物は、ラセミまたは光学活性の形の式（ＸＸＩＶ）のメントールの他に、式（ＸＸＶ）、（ＸＸＶＩ）または（ＸＸＶＩＩ）のジアステレオ異性体の少なくとも１つを含むが、通常は、前記ジアステレオ異性体の２つまたは３つ全ての混合物を含む。

望まれる場合は工程ｅ）に従って実施される方法の過程において、メントールの前記ジアステレオ異性体の他に、式（ＸＸ）

のイソプレゴールおよび／またはそのジアステレオ異性体、ならびに適切であれば上記式（ＸＸＶＩＩＩ）のメントンおよび／または式（ＸＸＩＸ）のイソメントンをも含む物質混合物を使用することが好ましい。

ここで、それぞれの場合においてラセミまたは光学活性の形で使用される物質混合物の種類、起源または製造方法に応じて、特定の化合物が存在し得る。

挙げることができる式（ＸＸ）のイソプレゴール、特にＬ−イソプレゴールのジアステレオ異性体は、同様に、出発材料としての役割を果たす混合物の種類に応じてラセミまたは非ラセミ形で存在し得る同様の上記化合物、すなわち式（ＸＸＩ）のイソ−イソプレゴール、式（ＸＸＩＩ）のネオ−イソプレゴール、式（ＸＸＩＩＩ）のネオイソ−イソプレゴールである。

好ましくは任意の工程ｅ）に従って実施される方法の１つの好適な実施形態は、Ｌ−メントールおよび式（ＸＸＶ）、（ＸＸＶＩ）および／または（ＸＸＶＩＩ）のメントールのジアステレオ異性体、ならびに場合によって式（ＸＸ）のイソプレゴールおよび／または式（ＸＸＩ）、（ＸＸＩＩ）および／または（ＸＸＩＩＩ）のそのジアステレオ異性体、ならびに適切であれば式（ＸＸＶＩＩＩ）のメントンまたは式（ＸＸＩＸ）のイソメントンを含む物質混合物からＬ−メントールを蒸留分離することによる純粋な、または高濃度の形のＬ−メントールの製造に関する。

任意の工程ｅ）の過程において実施される方法を実施するための好適な供給材料は、ラセミまたは光学活性メントール、好ましくは光学活性の形のＬ−メントールを含む物質混合物、好ましくは主としてラセミまたは光学活性メントール、好ましくはＬ−メントールからなる物質混合物である。これらの中でも、少なくとも８０質量％、より良好には８５質量％、さらにより良好には９０質量％から９９．９質量％、特に好ましくは９５から９９．８質量％、極めて好ましくは少なくとも９６質量％、９７質量％、最も好ましくは少なくとも９８質量％から９９．７質量％、９９．６質量％、最も好ましくは９９／５質量％までのラセミまたは光学活性メントール、好ましくはＬ−メントールを含み、さらに、少量、すなわち２０質量％まで、好ましくは０．１から１０質量％まで、特に好ましくは０．２から５質量％まで、特に好ましくは０．３またはより良好には０．４質量％から２．５質量％まで、さらにより好ましくは１．５質量％まで、より良好には１質量％まで、最も好ましくは０．５質量％までの割合で、さらなる成分、例えば、メントールのジアステレオ異性体、副産物、例えばイソプレゴールまたはそのジアステレオ異性体、またはメントンもしくはイソメントン、あるいは他の不純物、例えば溶媒残留物または水を含む物質混合物が好ましい。

光学活性の形のメントール、好ましくはＬ−メントールを含む物質混合物を使用すると、それは、通常、９０％ｅｅ以上、好ましくは９５％ｅｅ、特に好ましくは９７％ｅｅ、さらにより好ましくは９８％ｅｅ以上、すなわち１００％ｅｅまで、好ましくは９９．９％ｅｅまでの鏡像異性体過剰で存在する。よって、好ましくは本発明に従って実施される分離方法の過程においてこれらの物質混合物から純粋な、または高濃度の形の光学活性メントール、好ましくはＬ−メントールが得られ、得られた生成物の鏡像異性体過剰は、一般には、少なくとも実質的に、使用される物質混合物におけるメントールの鏡像異性体過剰に対応する。ラセミメントールを含む物質混合物を使用すると、本発明により、純粋な、または高濃度の形の式（Ｉ）のラセミメントールが得られる。

任意の工程ｅ）に従って実施される方法の１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、使用される出発材料は、９９．４％超の鏡像異性体過剰を有する物質混合物である。本発明による方法のさらなる好適な実施形態の文脈の範囲内において、使用される出発材料は、少なくとも９８質量％のメントール（Ｌ−またはＤ−メントール、好ましくはＬ−メントール）ならびに（それぞれの場合において混合物に基づいて）合計で２質量％までのメントールのジアステレオ異性体および／またはイソプレゴールおよびそのジアステレオ異性体（それぞれの場合においてＤまたはＬ形）および／またはイソメントンもしくはメントンおよび／または他の成分、例えば、アルコール、ケトン、アルデヒド、炭化水素もしくは水からなる物質混合物であり、メントンおよび／またはイソメントンの含有量ならびに他の成分の含有量は、それぞれの場合において（混合物に基づいて）１質量％未満である。

望まれる場合は工程ｅ）の過程において実施される蒸留分離は、通常、使用されるメントール、好ましくはＬ−メントール含有物質混合物をそれぞれの場合において１つまたは複数の低沸点物、中沸点物および高沸点物留分に分割し、メントール、好ましくは純粋な、または高濃度の形のＬ−メントールを、使用される分割壁塔の側方取出点において、中沸点物留分として液体または気体の形で除去することによって実施される。

よって、望まれる場合は工程ｅ）の過程において実施される方法は、また、メントール、好ましくはＬ−メントールを単離するための連続的方法、好ましくは、上記のメントールおよびそのジアステレオ異性体を含む物質混合物からのメントールの蒸留分離によって純粋な、または高濃度の形のメントールを単離するための連続的方法であって、蒸留分離が、５０から３００個の理論分離段および１つまたは複数の側方取出点を有する分割壁塔にて５から５００ミリバールの絶対動作圧力で実施される連続的方法である。

このために使用される分割壁塔は、総数が５０から３００個、好ましくは１００から２００個、極めて好ましくは１２０から１８０個の理論分離段、および１つまたは複数、好ましくは１から３つ、特に１つもしくは２つ、極めて好ましくは１つの側方取出点を有する。

好ましくは任意の工程ｅ）に従って実施される方法は、分割壁塔にて、５から５００ミリバール、好ましくは１０から２００ミリバール、特に好ましくは２０から１２０ミリバール、極めて好ましくは２０から１００ミリバール、特に好ましくは４０から１００ミリバールの絶対動作圧力で実施される。好ましくは、分割壁塔は、絶対頂部圧力が１０から１００ミリバール、特に好ましくは１０から８０ミリバール、極めて好ましくは１０から６０ミリバール、さらにより好ましくは２０から６０ミリバール、特に好ましくは４０から６０ミリバールになるように動作される。ここで同様に、好ましくは、分割壁塔は、絶対底部圧力が２０から５００ミリバール、特に好ましくは３０から２００ミリバールまたはより良好には１００ミリバールまで、さらにより好ましくは４０から２００ミリバールまたはより良好には１００ミリバールまで、極めて好ましくは５０から１００ミリバールになるように動作される。

工程ｅ）に従って好適な分離方法を実施する場合の還流比を広い範囲内で変えることができ、それは、通常、約５：１から約２０００：１、好ましくは約２０：１から１０００：１、特に好ましくは約５０：１から約５００：１である。分縮法、すなわち復帰流のみを塔の頂部コンデンサにて凝縮させ、塔に戻す手法も有利である。当該エネルギーの観点で好ましい部分凝縮の場合は、排出される頂部生成物は、より低い温度で動作可能な後部冷却器にて専ら生成される。ここで、適切であれば、時々凝結によって形成される個体を再溶融させることができるように、後部冷却器における冷媒の温度を５℃から約５０℃の範囲内で制御することができるような熱担体循環システムを設けることが有利である。

この理由により、塔の主コンデンサおよび／または後部コンデンサに、その温度を０℃から６０℃、好ましくは２０から６０℃に制御可能な熱媒体（冷媒）を供給する手段を設けることも有利である。この目的のために、例えば、遠心ポンプを利用して水を熱交換器にポンプで循環させることができ、必要であれば、温度制御システムを使用して、冷水または温水をこのポンプ循環システムに供給することができる。勿論、フローヒータが回路に組み込まれたこの回路の電気加熱、または水蒸気を用いた従来の加熱も可能である。

任意の工程ｅ）による本発明の好適な分離方法によって、純粋な、または高濃度の形のメントール、好ましくはＬ−メントールが得られる。「高濃度の形のメントール」という用語は、メントール、好ましくは、それぞれの場合において本発明に従って使用されるメントール、好ましくはＬ−メントールを含む物質混合物よりメントールまたはＬ−メントールを多く有するＬ−メントール含有物質混合物を指すものと理解される。好ましくは、「高濃度の形のメントール」という用語は、純度、すなわち含有量が８０から９９．５質量％、好ましくは８５から９９．５質量％、特に好ましくは９０質量％、さらにより好ましくは９５質量％から９９．５質量％であるメントール、好ましくはＬ−メントールを指すものと理解される。工程ｅ）の過程において好適な方法は、また、純粋な形のメントール、好ましくはＬ−メントールの製造を可能にする。「純粋な形のメントール」という用語は、含有量が９９質量％以上、好ましくは９９．１質量％以上、好ましくは少なくとも９９．２質量％、さらに好ましくは少なくとも９９．３質量％、さらにより好ましくは少なくとも９９．４質量％、特に好ましくは少なくとも９９．５質量％、さらに好ましくは少なくとも９９．６質量％、さらに好ましくは少なくとも９９．７質量％、最も好ましくは９９．８質量％から９９．９９質量％、さらにより好ましくは９９．９８質量％まで、特に好ましくは９９．９７質量％まで、さらにより好ましくは９９．９６質量％まで、最も好ましくは９９．９５質量％までのメントール、好ましくはＬ−メントールを指すものと理解される。ここで、質量％単位のデータは、本発明の文脈の範囲内における質量％単位のすべてのデータと同様に、それぞれの混合物の全量に基づく。

供給物、すなわち使用される物質混合物を液体または気体の形で分割壁塔に供給し、そこで頂部および底部留分、ならびに１つまたは複数の側方排出物、好ましくは１つの側方排出物に分割することができる。１つの側方排出物では、貴重なメントール生成物、好ましくはＬ−メントールが、所望の純度、すなわち高濃度の、または純粋な形で製造される。純粋な、または高濃度のメントールを製造するための好適な方法の１つの特定の実施形態において、後部コンデンサが塔の頂部コンデンサの下流に接続され、以上に説明されているように、その温度を０から６０℃、好ましくは２０から６０℃の温度範囲内で制御可能な冷却液（例えばグリコール含有水）で冷却され、低メントール低沸点留分もそこで生成される。

複数物質の混合物の連続的蒸留分別のための別法は、ネラールおよびゲラニアールを含む物質混合物からネラールを蒸留分離することによって純粋な、または高濃度の形のネラールを製造するための方法の文脈の範囲内で以上に説明されている。

図１は、使用されるメントール含有物質混合物の低メントール頂部留分（ｊ）、メントールが豊富な側方留分（ｆ）および底部留分（ｇ）への、好ましくは工程ｅ）の過程において本発明に従って実施される分離の好適な実施形態を示す。分割壁塔へのメントール含有混合物の供給を液体の形（ｂ）、気体の形（ｃ）または気体および液体の形で行うことができる。

任意の工程ｅ）による本発明の好適な方法は、好ましくは連続的に実施される。そのため、メントール、好ましくはＬ−メントールを含み、出発材料として使用される物質混合物は、好ましくは、連続的に分割壁塔に供給され、本発明により得られた生成物（留分）および副産物は、好ましくは連続的に排出される。

通常、さらなるコンデンサが、この目的で使用される塔の下流に接続され、その使用温度は、分割壁塔の頂部コンデンサの使用温度より１０から４０Ｋ、好ましくは２０から３０Ｋ低い。これを利用して、頂部流（ｋ）に依然として存在する低沸点物の大部分を析出させることができる。

さらに、分割壁塔の場合は、供給流を予め蒸発させ、次いでそれを二相の形または２つの流れの形で塔に供給することが有利であり得る。この予備蒸発は、特に、供給流が比較的大量の低沸点物を含む場合に適切である。予備蒸発の結果として、塔のストリッピング部の負荷を有意に軽減することができる。

好ましくは工程ｅ）の過程において使用される分割壁塔を、無秩序充填物または構造充填物を有する充填塔、あるいはトレー塔として設計することができる。純粋な、または高濃度の形のメントールを製造するための本発明による好適な方法において、充填塔を使用するのが望ましい。この文脈において、約１００から７５０ｍ²／ｍ³、約３５０から５００ｍ²／ｍ³の比表面積を有する構造金属シートまたは織物充填物が特に好適である。

この分離の場合のように、生成物の純度に対する要求が特に強い場合は、分割壁に断熱体を備えるのが好ましい。様々な断熱壁断熱手段の記載をＥＰ−Ａ０６４０３６７に見いだすことができる。中間の狭い気体スペースを有する二重壁設計が特に好適である。

複数物質混合物を低沸点物留分、中沸点物留分および高沸点物留分に分割する場合は、通常、中沸点物留分における低沸点物および高沸点物の最大許容比に関する規格が存在する。因みに、分離に関する問題に対する基準になる個々の成分、所謂主要成分、または複数の主要成分の合計が示される。本発明の文脈の範囲内におけるこれらの主要成分は、高沸点二次成分としてのイソメントール、ならびに低沸点二次成分としてのネオメントールまたはネオおよびネオイソメントールの混合物である。

中沸点物留分における高沸点物に関する規格の遵守を、例えば、分割壁の上端の液体の分割比を介して制御することができる。因みに、分割壁の上端の液体の分割比は、好ましくは、分割壁の上端における液体の高沸点物留分の主要成分の濃度が、側方分岐生成物において達成される値の１０から８０％、好ましくは３０から５０％になるように調整される。液体分割は、好ましくは、高沸点物留分における主要成分の含有量がより大きい場合はより多くの液体が供給部に流され、高沸点物留分における主要成分の含有量がより小さい場合はより少ない液体が供給部に流されるように調整される。

よって、中沸点留分における低沸点物についての規格を加熱出力によって制御することができる。因みに、例えば、蒸発器における加熱出力は、分割壁の下端における液体の低沸点物留分の主要成分の濃度が、側方分岐生成物において達成される値の１０から８０％、好ましくは３０から５０％になるように調整され、加熱出力は、好ましくは、低沸点留分における主要成分の含有量がより大きい場合は加熱出力が増加し、低沸点留分における主要成分の含有量がより小さい場合は加熱出力が低下するように調整される。

供給量または供給濃度の乱れを補償するために、さらに、プロセス制御システムにて、対応する制御機構、例えば、好適な制御規格を用いて、塔部（２）、すなわち供給部の精留部および（５）、すなわち除去部のストリッピング部への液体の流量がそれらの正常値の３０％まで低下し得ないようにすることが有利であることがさらに証明された。

分割壁の上端および側方除去点における液体の除去および分割のために、内部回収スペースおよび塔の外側に配置された回収スペースの両方が液体に好適であり、これらは、ポンプための機能を果たし、または十分に高い静止液面を確保して、制御要素、例えば弁による液体のさらなる制御誘導を可能にする。充填塔を使用する場合は、液体を最初に回収器に閉じこめ、そこから内部または外部回収スペースに流し込む。

特に好適な実施形態の文脈の範囲内において、任意の工程ｅ）による本発明の好適な分離方法は、図１に図示されるプラントで実施される。好適な実施形態は、分割壁（Ｔ）を塔の縦方向に有し、上部共通塔領域（１）、下部共通塔領域（６）、精留部（２）およびストリッピング部（４）を含む供給部（２、４）、ならびにストリッピング部（３）および精留部（５）を含む除去部（３、５）を形成する分割壁塔（ＴＫ）が使用されることが注目に値する。

供給材料としての役割を果たすメントール含有物質混合物（ａ）は、好ましくは、供給部（２、４）の中間領域に供給され、純粋な、または高濃度の形のメントール、好ましくはＬ−メントールが、除去領域（３、５）の中間領域から側方分岐として得られ、１つまたは複数の低沸点物留分が、上部共通塔領域（１）から除去され、１つまたは複数の高沸点物留分が、底部共通塔領域（６）から除去される。

供給流（ａ）を、液体（ｂ）、気体（ｃ）または部分液体および気体流として、予備加熱器（ＶＨ）を介して塔（ＴＫ）に導入することができる。塔の頂部流は、コンデンサ（Ｋ）で完全または部分的に凝縮される。部分的凝縮（分縮処理）の場合は、頂部コンデンサ（Ｋ）の排ガス流（ｋ）は、通常、低温で動作される後部コンデンサで後に凝縮できる認識可能な量の凝縮可能な低沸点物を依然として含む。

頂部コンデンサ（Ｋ）および／または後部コンデンサを、例えば、プレート装置として設計し、塔ジャケット、好ましくは塔の頂部に統合することができる。固体の形成を防止するために、塔のコンデンサの温度を例えば約３０から約５０℃の温度に制御することが有利であり得る。

コンデンサ（Ｋ）で凝縮された頂部生成物を蒸留容器（ＤＢ）で緩衝させ、復帰ポンプ（ＲＰ）によって塔復帰流（ｉ）として塔に戻す。必要であれば、蒸留分（ｊ）をそこから得ることもできる。コンデンサを塔の頂部に統合する場合は、蒸留容器（ＤＢ）および復帰ポンプ（ＲＰ）を省くことができる。

底部流は、有利には、好ましくは流下膜式蒸発器として構成された循環ポンプ（ＵＰ）を介して底部蒸発器（ＳＶ）に供給される。塔（ＴＫ）の底部排出物（ｇ）をこのポンプ循環流から除去することもできる。有利には、塔の底部流（高沸点留分）は、場合によってより小さいポンプ（ＳＰ）を利用して、底部蒸発器の下流の液流（ｈ）として除去される。

分割壁塔に使用される底部蒸発器は、有利には、薄膜装置、例えば流下膜式蒸発器であってよい。

貴重な生成物、すなわち純粋な、または高濃度の形のメントールまたはＬ−メントールを分割壁塔（ＴＫ）の除去部から液体側方分岐流（ｆ）として抜き取ることができる。必要であれば、貴重な生成物の流れ（ｆ）を気体側方分岐として除去することが可能であるが、通常、さらなるコンデンサが必要である。純粋な、または高濃度の形のＬ−メントールの融点が４１から４４℃であるため、すべての生成物誘導装置（塔の他、すべての容器およびポンプ）およびライン、ならびに真空システムの好ましくはすべての装置およびラインを遮断すること、すなわちそれらを好適な材料で断熱し、それらにトレース加熱を施すことが有利である。因みに、例えば、好適な機器を使用して７０℃まで、好ましくは４５から７０℃の温度、さらにより好ましくは６０℃まで、特に好ましくは４５から６０℃の温度に制御される、パイプに閉じこめられた電気加熱ラインが有利である。あるいは、従来のトレース加熱システム、例えば、温水がジャケットを流れる二重管を使用することも可能である。

通常、塔の上部共通小領域（１）は、塔の理論分離段の総数の５から５０％の理論分離段を有し、塔の供給部の精留部（２）は５から５０％の理論分離段を有し、塔の供給部のストリッピング部（４）は２から５０％の理論分離段を有し、塔の除去部のストリッピング部（２）は５から５０％の理論分離段を有し、除去部の精留部（５）は２から５０％の理論分離段を有し、塔の共通下部（６）は５から５０％の理論分離段を有する（選択された百分率は合計１００％になる）。

好ましくは、塔の上部共通小領域（１）は、塔の理論分離段の総数の１０から２５％の理論分離段を有し、塔の供給部の精留部（２）は１５から３０％の理論分離段を有し、塔の供給部のストリッピング部（４）は１５から３０％の理論分離段を有し、塔の除去部のストリッピング部（２）は１５から３０％の理論分離段を有し、除去部の精留部（５）は１５から３０％の理論分離段を有し、塔の共通下部（６）は１０から２５％の理論分離段を有する（選択された百分率は合計１００％になる）。

供給部における小領域（２）および（４）の理論分離段の数の合計は、除去領域における小領域（３）および（５）の板の数の合計の好ましくは８０から１１０％、特に好ましくは９５から１０５％である。

工程ｅ）による好適な分離方法の１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、供給点が側方取出点より１から４０個、好ましくは５から２０個の理論分離段の分だけ高く、または低く配置されるように、供給点および側方取出点が、理論分離段の位置に関して、塔の中で異なる高さに配置される。

さらに、分割壁によって分割され、小領域（２）、（３）、（４）および（５）またはそれらの部分からなる塔の小領域が、構造充填物または無秩序充填物（例えば、Ｍｏｎｔｚ Ａ３−５００、Ｓｕｌｚｅｒ ＢＸもしくはＣＹなどの織物充填物、またはＭｏｎｔｚ Ｂ１−５００（Ｍｏｎｔｚ）もしくはＭｅｌｌａｐａｋ（Ｓｕｌｚｅｒ）などの金属シート充填物）を備えると有利であることが証明された。

除去部における蒸気流に対する供給部における蒸気流の比が０．８：１．２、好ましくは０．９：１．１になるように、分割壁の下端における蒸気流を、分離内部構造物の選択および／または寸法設定、および／または圧力降下をもたらす装置、例えば絞り機構の導入によって調整することができる。

塔の上部共通部（１）から流出する液体は、有利には、塔内または塔の外側に配置された回収スペースで回収され、除去部の液体流に対する供給部の液体流の比が、主に液体供給の場合は０．１：２．０になり、気体供給の場合は１．０：２になるように、分割壁の上端における固定設定または制御システムによって誘導的に分割される。ここで、本発明によれば液体供給が好適である。

上部共通小領域（１）から供給部へ流れる液体を、ポンプによって輸送し、または少なくとも１ｍの静的供給高さによって、好ましくはカスケード制御システムと回収スペースの液位制御システムとの併用によって定量制御しながら導入することができる。制御システムは、好ましくは、供給部に導入される液体の量が所望の正常値の３０％を下回ることがないように調整される。さらに、塔の除去部における小領域（３）から側方分岐および塔の除去部における小領域（５）に流れる液体の分割は、有利には、小領域（５）に導入される液体の量が所望の正常値の３０％のレベルを下回らないように制御システムによって調整される。ここで正常値は、有利には、供給量に基づいてその量の２倍から４倍であると想定される。

分割壁塔は、好ましくは分割壁の上端および下端にサンプリング手段を有する。サンプルを液体または気体の形で塔から連続的に、または時間間隔をおいて採取することができ、それらの組成に関して、好ましくはガスクロマトグラフィーによって調べることができる。

分割壁の上端における液体の分割比は、好ましくは、側方分岐において特定の濃度既定値が達成される高沸点留分の成分（具体的にはイソメントール）の分割壁の上端の液体における濃度が、側方分岐生成物において達成される値の１０から８０％になるように調整される。液体分割は、好ましくは、高沸点留分の成分の含有量がより大きい場合はより大量の液体が供給部に送られ、高沸点留分の成分の含有量がより小さい場合はより少量の液体が供給部に送られるように調整される。

蒸発器（ＳＶ）における加熱出力は、好ましくは、液体の側方分岐において特定の濃度既定値が達成される低沸点留分の成分（具体的にはネオイソメントール）の分割壁の下端における濃度が、側方分岐生成物において達成される値の１０から８０％になるように調整される。加熱出力は、有利には、低沸点留分の成分の含有量がより大きい場合は加熱出力が増加し、低沸点留分の成分の含有量がより小さい場合は加熱出力が減少するように調整される。

蒸留分離、すなわち低沸点副産物の除去は、好ましくは、供給混合物に存在し、分離されることになるより低沸点の二次成分の量に応じて、温度制御または定量制御しながら行われる。使用される制御温度は、有利には、３から１０個、好ましくは４から６個の理論分離段の分だけ塔の上端より低い塔の小領域（１）における測定位置である。

底部生成物は、好ましくは、供給速度に応じて、温度制御または定量制御しながら除去される。

純粋な、または高濃度の形の側方生成物として得られた方法生成物であるメントール、好ましくはＬ−メントールの除去は、好ましくは、レベル制御しながら行われ、使用される制御パラメータは、好ましくは、塔底部における液位である。

本発明に従って使用されるメントール含有物質混合物の供給流は、好ましくは、部分的または完全に予備蒸発され、二相の形または気流および液流の形で塔に供給される。

１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、本発明による方法の任意の工程ｅ）の過程でも、分割壁塔が使用され、その分割壁が塔に溶接されておらず、軽く挿入されたサブセグメントおよび十分に固着されたサブセグメントの形で構成されている。

塔の個々の小領域における液体分割を、好ましくは、誘導的に不均一に調整することができ、液体は、壁領域の特に小領域（２）および（５）に多く導入され、壁領域の小領域（３）および（４）に少量導入される。

分割壁の除去側と供給側の間の復帰液の分割比は、好ましくは約１：１から約３：１、好ましくは約１：１から約２：１である。

塔の個々の小領域における分割壁の位置を、有利には、供給および除去部の断面が異なる面積を有するように調整することができる。

本発明により得られる純粋な、または高濃度の形のＬ−メントールを、好ましくは、側方分岐を介して、またはさらなる側方分岐が供給される場合は中間側方分岐（ｆ）を介して連続的に得ることができ、それは、１つの好適な実施形態の文脈の範囲内において、（それぞれの場合において、得られた生成物に基づいて）９９．５質量％を超える、好ましくは９９．５から９９．９５質量％のメントール含有量、および恐らくは非常に少量のさらなる不純物に加えて、０．３質量％までの上記メントールの他のジアステレオ異性体の含有量を有する。

さらなる好適な実施形態の文脈の範囲内において、本発明により得られたメントール、好ましくは、純粋な、または高濃度の形、好ましくは純粋な形のＬ−メントールは、イソプレゴールおよび上記のそれらのジアステレオ異性体の合計含有量が（得られた生成物の全量に基づいて）０．５質量％まで、好ましくは０．３質量％まで、特に好ましくは０．１質量％までである。さらなる好適な実施形態の文脈の範囲内において、本発明により得られたメントール、好ましくは、純粋な、または高濃度の形、好ましくは純粋な形のＬ−メントールは、メントンおよびイソメントンの含有量が（得られた生成物の全量に基づいて）０．５質量％まで、好ましくは０．３質量％まで、特に好ましくは０．１質量％までである。

本発明の任意の工程ｅ）のさらなる態様は、純粋な、または高濃度の形のラセミまたは光学活性メントールを製造するための上記連続的蒸留方法を実施するためのデバイスに関する。

本発明によるデバイスは、図１に示されており、塔の縦方向に分割壁（Ｔ）を有し上部共通塔領域（１）、底部共通塔領域（６）、精留部（２）およびストリッピング部（４）を含む供給部（２、４）ならびにストリッピング部（３）および精留部（５）を含む除去部（３、５）を形成する、５０から３００個の理論分離段および１つまたは複数の側方取出点を有する分割壁塔（ＴＫ）を含み、該デバイスの生成物誘導構成要素のすべて（塔の他、すべての容器、ポンプおよびライン）ならびに真空システムの好ましくはすべての装置およびラインが、好適な材料で断熱され、トレース加熱されている。

因みに、以上に既に記載されているように、好適な機器で７０℃まで、好ましくは４５から７０℃の温度、さらにより好ましくは６０℃、特に好ましくは４５から６０℃の温度に制御される、例えば管に閉じこめられた電気加熱ラインが有利である。あるいは、従来のトレース加熱システム、例えば、温水がジャケットを流れる二重管を使用することも可能である。

上記工程ａ）からｄ）ならびに任意の、すなわち望まれる場合に追加的に実施される工程０）およびｅ）は、コストおよび処理の観点から高純度のメントールへの非常に有利な道を切り開く。望まれる場合は、光学活性またはラセミメントールを製造することができる。そのため、１つの好適な実施形態において、本発明は、また、光学活性メントールを製造するための方法であって、
ａ．２）ネラールおよび／またはゲラニアールを不斉触媒水素化して光学活性シトロネラールを得る工程と、
ｂ．２）工程ａ．２）により得られた光学活性シトロネラールを酸性触媒の存在下で環化して、光学活性イソプレゴールを得る工程と、
ｃ．２）工程ｂ．２）により得られた光学活性イソプレゴールを結晶化によって精製する工程と、
ｄ．２）工程ｃ．２）により得られた光学活性イソプレゴールを触媒水素化して光学活性メントールを得る工程と
を含む方法に関する。

工程ａ．２）に従って、ネラールおよび／またはゲラニアール、すなわち式（ＩＩ）のネラールまたは式（ＩＩＩ）のゲラニアールまたは上記のネラールおよびゲラニアール含有物質混合物の不斉水素化が実施される。好ましくは、純粋な、または高濃度のネラールの工程ａ）による上記の不斉触媒水素化が実施される。さらなる好適な実施形態において、工程ａ．２）による不斉触媒水素化は、ゲラニアールおよびネラールを含む物質混合物からネラールの蒸留分離によって純粋な、または高濃度のネラールを製造するための任意の工程０）の後で実施される。このように、望まれる場合は、光学活性シトロネラールが、不斉触媒水素化の構成に応じて、２つの鏡像異性体の１つの形、好ましくはＤ−シトロネラールの形で入手可能である。

次いで、工程ａ．２）により得られる光学活性シトロネラールを酸性触媒の存在下で工程ｂ．２）に従って環化して、光学活性イソプレゴールを得ることができる。挙げることができる好適な酸性触媒は、工程ｂ）における上記酸またはルイス酸性触媒、特に特定のアルミニウム含有ルイス酸性触媒、例えば、式（Ｉ）の前記配位子と特定のアルミニウム化合物、例えばトリメチルまたはトリエチルアルミニウムとを反応させることによって得られる本発明による好適なジアリールフェノキシアルミニウム化合物である。

このようにして得られる光学活性イソプレゴールは、この好適な実施形態の文脈の範囲内において工程ｃ．２）に従って、結晶化により精製される。因みに、本質的に当業者に既知である溶液および溶融物からの結晶化方法を使用することが基本的に可能である。工程ｃ）による記載の溶融物からの結晶化、特に好ましくは静的溶融結晶化、極めて好ましくは上記の静的層結晶化を実施するのが好ましい。本発明による方法の好適な実施形態の文脈の範囲内において、上記のように、高純度の、すなわち鏡像異性体およびジアステレオ異性体が豊富なイソプレゴール、好ましくはＬ−イソプレゴールが得られる。

工程ｄ．２）による本発明の方法の本実施形態の文脈の範囲内において、次いで、このようにして得られる光学活性イソプレゴールを触媒水素化して光学活性メントールを得る。イソプレゴールのメントールへの触媒水素化は、当業者に既知であり、広範な種類の従来の不均一水素化触媒を使用して実施され得る。この場合、特にこのようにして得られた生成物の臭いおよび風味特性にとって重要なこととして、望ましくない副産物、例えばメントールの上記ジアステレオ異性体またはメントンの形成が最小限にとどめられるため、工程ｄ）による上記ニッケル、銅、ジルコニウムおよびモリブデン含有触媒の存在下で触媒水素化を実施することが有利であることが証明された。

さらなる好適な実施形態によれば、本発明は、鏡像異性体が豊富な光学活性メントールおよびラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを製造するための方法であって、
ａ．３）ネラールおよび／またはゲラニアールを不斉触媒水素化して、７０から９９％の範囲の鏡像異性体過剰の光学活性シトロネラールを得る工程と、
ｂ．３）工程ａ．３）により得られた光学活性シトロネラールを酸性触媒の存在下で環化して、光学活性イソプレゴールを得る工程と、
ｃ．３）工程ｂ．３）により得られた光学活性イソプレゴールを結晶化によって精製して、鏡像異性体が豊富なイソプレゴールおよび（または）ラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールを得る工程と、
ｄ．３）工程ｃ．３）により得られた鏡像異性体が豊富な光学活性イソプレゴールを触媒水素化して光学活性メントールを得て、ラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールを触媒水素化してラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを得る工程と
を含む方法に関する。

本発明による方法の好適な実施形態の工程ａ．３）に従って鏡像異性体過剰が７０から９９％、好ましくは８０から９９％ｅｅ、特に好ましくは８５から９５％ｅｅの範囲の光学活性シトロネラールを得るためのネラールまたはゲラニアールの例えば工程ａ）による上記の不斉触媒水素化が実施される。このために、ネラール、特に好ましくは、任意の工程０）により上記のように高濃度の、または純粋な形で入手可能なネラールを使用するのが好ましい。不斉、すなわちエナンチオ選択的水素化を実施するための好適な触媒系は、特に、反応混合物に可溶のロジウム化合物、特にキラル配位子（Ｒ，Ｒ）−キラホスまたは（Ｓ，Ｓ）−キラホス、好ましくは（Ｒ，Ｒ）−キラホスから形成された上記触媒であることが証明された。好ましくは、使用される触媒は、一酸化炭素および水素を含む気体混合物で前処理され、および／またはＷＯ２００６／０４００９６に記載されているように、反応混合物に追加的に供給される一酸化炭素の存在下で水素化が実施される。さらに、工程ａ）に記載されているように、触媒の前処理の後に過剰の一酸化炭素を分離すること、および一酸化炭素含有量が１００から１２００ｐｐｍの水素の存在下で不斉水素化を実施することが有利であることが証明された。

例えば、ロジウム化合物および（Ｒ，Ｒ）−キラホスから形成された触媒の存在下でのネラールの工程ａ）による上記の不斉水素化時の選択された反応条件下において、ネラールは、高度な不斉誘導で所望のＤ−シトロネラールに変換されるのに対して、他の鏡像異性体Ｌ−シトロネラールは、存在し得るゲラニアールから形成されるため、ここでは、このようにして得られるシトロネラールの鏡像異性体過剰を、使用されるネラールの純度、特に使用されるネラールにおけるゲラニアールの含有量を介して制御することができる。

次いで、このようにして得られる鏡像異性体過剰が７０から９９％、好ましくは８０から９９％ｅｅ、特に好ましくは８５から９５％ｅｅの光学活性シトロネラールを工程ｂ．３）を酸性触媒の存在下で、好ましくは工程ｂ）による上記の方法およびＷＯ２００６／０９２４３３における方法によって、ジアリールフェノキシアルミニウム化合物の存在下で環化して、光学活性イソプレゴールを得る。これにより、一般に、たいていは使用された光学活性シトロネラールの絶対的な立体化学情報を失わずに、通常、高いジアステレオ異性体純度が既に注目に値する光学活性イソプレゴールが得られる。

本発明による方法のこの好適な実施形態の工程ｃ．３）に従って、このようにして得られた光学活性イソプレゴールの精製を結晶化によって実施し、鏡像異性が豊富なイソプレゴールおよびラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールを得る。ここで、結晶化を溶液結晶化などの当業者に既知の方法によって実施することができる。しかし、工程ｂ）による上記溶融結晶化を特に好ましくは静的層結晶化の形で実施するのが好ましい。ここで、工程ｂ．３）により得られた光学活性イソプレゴールを特に鏡像異性体およびジアステレオ異性体純度に関してさらに精製することが可能である。高い鏡像異性体純度の鏡像異性体が豊富な光学活性イソプレゴールの他に、工程ｂ）による上記の鏡像異性体が乏しいイソプレゴールまたはラセミイソプレゴールも得られる。このようにして得られる両生成物を個別のさらなる処理に向けて送ることができる。

本発明による方法の本実施形態の工程ｄ．３）に従って、ラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを得るための鏡像異性体が豊富な光学活性イソプレゴールの鏡像異性体が豊富な光学活性メントールへの触媒水素化、およびラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールの触媒水素化が実施される。それら２つの水素化は、先の結晶化によって分離された鏡像異性体が豊富な流れおよびラセミ流または鏡像異性体が乏しい流れの逆混合を回避するよう個別に実施される。ここでも因みに、上記工程ｄ）に記載されているイソプレゴールのエチレン二重結合の触媒水素化のための様々な触媒系が当業者に利用可能である。しかし、工程ｄ）において既に述べたように、特に、生成物の高い鏡像異性体およびジアステレオ異性体純度が所望される場合は、工程ｄ）に記載されているニッケル、銅、ジルコニウムおよびモリブデン含有触媒の存在下で触媒水素化を実施することが有利であることが証明された。

本発明の文脈の範囲内において特に好適である１つの実施形態は、Ｌ−（−）−メントールを製造するための方法であって、
ａ．４）ネラールを不斉触媒水素化してＤ−（＋）−シトロネラールを得る工程と、
ｂ．４）工程ａ．４）により得られたＤ−（＋）−シトロネラールを酸性触媒の存在下で環化して、Ｌ−（−）−イソプレゴールを得る工程と、
ｃ．４）工程ｂ．４）により得られたＬ−（−）−イソプレゴールを結晶化によって精製する工程と、
ｄ．４）工程ｃ．４）により得られたＬ−（−）−イソプレゴールを触媒水素化して、Ｌ−（−）−メントールを得る工程と
を含む方法に関する。

本発明による方法のこの好適な実施形態を実施するために使用される出発材料はネラール、好ましくは、例えば、上記任意の工程０）によってゲラニアールおよびネラール含有混合物から製造可能な純粋な、または高濃度の形のネラールである。よって、本実施形態のさらなる好適な変形は、ネラールおよびゲラニアール含有物質混合物の蒸留分離によって純粋な、または高濃度の形のネラールを製造するための工程０）をさらに含む。

工程ａ．４）に従って、ネラールが触媒不斉水素化によって、好ましくは、（Ｒ，Ｒ）−キラホスをキラル配位子として使用して、特に好ましくは一酸化炭素の存在下で、工程ｄ）による上記の方法によってＤ−（＋）−シトロネラールすなわち（Ｒ）−シトロネラールに変換される。酸、好ましくはルイス酸アルミニウム含有触媒、例えば、ＥＰ−Ａ−１２２５１６３に記載の当該触媒、または工程ｂ．４）による好適なジアリールフェノキシアルミニウム化合物の存在下での工程ｂ）に記載の環化方法を通じて、Ｄ−（＋）−シトロネラールからＬ−（−）−イソプレゴールを得る。これを、上記のように、工程ｃ．４）による結晶化、好ましくは溶融結晶化によって精製し、次いで工程ｄ．４）に従って、上記の触媒水素化によってＬ−（−）−メントールに変換することができる。

本発明の文脈の範囲内において極めて好適である１つの実施形態は、Ｌ−（−）−メントールおよびラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを製造するための方法であって、
ａ．５）ネラールを不斉触媒水素化して、鏡像異性体過剰が７０から９９％のＤ−（＋）−シトロネラールを得る工程と、
ｂ．５）工程ａ．５）により得られたＤ−（＋）−シトロネラールを酸性触媒の存在下で環化し、Ｌ−（−）−イソプレゴールを得る工程と、
ｃ．５）工程ｂ．５）により得られたＬ−（−）−イソプレゴールを結晶化によって精製し、鏡像異性体が豊富なＬ−（−）−イソプレゴールおよび（または）ラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールを得る工程と、
ｄ．５）工程ｃ．５）により得られた鏡像異性体が豊富なＬ−（−）−イソプレゴールを触媒水素化してＬ−（−）−メントールを得、工程ｃ．５）により得られたラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールを触媒水素化して、ラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを得る工程と
を含む方法に関する。

本実施形態による方法は、方法生成物として高化学純度で互いに並行して得られる鏡像異性体が豊富な光学活性Ｌ−メントールおよびラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールの製造を可能にする。次に、使用される出発材料はネラール、好ましくは任意のさらなる工程０）によって得られるネラールである。よって、さらなる好適な実施形態の文脈の範囲内において、Ｌ−（−）−メントールおよびラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを製造するための方法は、好ましくは、８０から２００個の理論分離段を有する上記分割壁塔を５から２００ミリの絶対動作圧力で使用して、ネラールおよびゲラニアール含有混合物からネラールを蒸留分離することによる純粋な、または高濃度の形のネラールの製造に関して以上に記載されている工程０）をも含む。

本実施形態の工程ａ．５）に従って、鏡像異性体過剰が７０から９９％、好ましくは８０から９９％ｅｅ、特に好ましくは８５から９９％ｅｅのＤ−（＋）−シトロネラールへのネラールの上記の不斉触媒水素化を実施する。次いで、このようにして得られたＤ−（＋）−シトロネラールを上記酸性触媒の存在下で、好ましくはルイス酸アルミニウム含有触媒の存在下で工程ｂ．５）に従って環化し、Ｌ−（−）−イソプレゴールを得る。

次いで、工程ｃ．５）のＬ−（−）−イソプレゴールの精製については、既に記載されている結晶化、好ましくは溶融結晶化を実施して、互いに並行して、鏡像異性体が豊富なＬ−（−）−イソプレゴールおよびラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴール、すなわち鏡像異性体過剰が１５％まで、好ましくは１０％ｅｅまで、特に好ましくは７％ｅｅまで、極めて好ましくは５％ｅｅまでのイソプレゴールを得る。

最後に、本発明による方法のこの特に好適な実施形態の工程ｄ．５）に従って、上記のように、ラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを得るための、工程ｃ．５）により得られた鏡像異性体が豊富なＬ−（−）−イソプレゴールの触媒水素化、および同様に工程ｃ．５）により得られたラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールの触媒水素化を実施する。

このようにして得られるラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールは、上記の使用されるラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールの鏡像異性体過剰に対応して、同様に、１５％まで、好ましくは１０％ｅｅまで、特に好ましくは７％ｅｅまで、極めて好ましくは５％ｅｅまでの鏡像異性体過剰を有する。

次いで、望まれる場合は、得られた方法生成物の純度をさらに向上させるために、本発明による方法のこの好適な実施形態の過程において得られたラセミまたは光学活性メントール、特にＬ−メントールをさらに精製することができる。よって、上記実施形態は、それぞれの場合において、さらなる工程として、ラセミまたは光学活性メントールおよびメントールのジアステレオ異性体を含む物質混合物からの光学活性またはラセミメントールの蒸留分離によって純粋な、または高濃度の形の光学活性メントールまたはラセミメントールを製造するための連続的方法であって、該分離を、５０から３００個の理論分離段および１つまたは複数の側方取出点を有する分割壁塔にて５から５００ミリバールの絶対動作圧力で実施する連続的方法に関する任意の工程ｅ）を含むこともできる。

本発明による方法は、１つの好適な実施形態において、化学的純度が少なくとも９９質量％、好ましくは９９．５から９９．９９質量％、特に好ましくは９９．５から９９．９質量％であり、鏡像異性体過剰が少なくとも９９％、好ましくは９９．５から９９．９％ｅｅであるＬ−（−）−メントールを製造する。

本発明による方法によって得られるラセミまたは光学活性メントール、好ましくはＬ−メントールを、さらに、当業者に既知のあらゆる形、一般に、部分的または完全に固化された溶融物の形または圧縮された形、例えば、フレーク、押型品、ペレットおよび小滴等の形で利用または販売することができる。メントールを圧縮するための方法は、当業者に既知である。例えば、フレーキングローラによる簡単なフレーキングが例えばＵＳ３，０２３，２５３に記載されている。

ＷＯ２００３／１０１９２４には、アルファ−メントールの含有量が少なくとも７０質量％のメントール押型品およびその製造方法が開示されている。

球状メントール粒子を製造するための造粒法が、例えばＷＯ２００７／０７１５１２から既知である。ここでは、溶融メントールが０から１２℃の温度で水にそのまま導入される。

上記のラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールの場合は、溶融物は、２８から３０℃の範囲の低融点であるため、最も一般的に処理される形として特に有用であることが証明された。

対照的に、光学活性メントール、好ましくは純粋な形の上記Ｌ−メントールは、好ましくはさらに、より良好な処理特性により、圧縮された形で使用または販売される。

本発明による方法は、光学活性およびラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールへの特にコスト効率の高い道を切り開き、該方法で得られた製造物は、少ない総段階数、高収率、および多くの薬局方の品質要件に対応する高品質で入手可能である。ここで、出発材料は、ゲラニアールもしくはネラール、または好ましくはゲラニアールとネラールの混合物である。本発明による特に好適な出発材料は、工業規模で容易に利用可能であり、それ自体は、実質的にあらゆる規模で、天然源と無関係に塩基性化学物質のイソブテンまたはイソプレノールおよびフェノールから製造することができる。

本発明による方法の強調すべき特定の利点は、光学活性の、好ましくは実質的に鏡像異性体およびジアステレオ異性体として純粋なＬ−メントールおよびラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールへの道を切り開くことである。ここで、望まれる場合は、本発明により得られた光学活性もしくはラセミ生成物または鏡像異性体が乏しい生成物の定量比を、使用されるネラールおよびゲラニアール含有物質混合物の組成を介して制御することができる。したがって、不斉水素化におけるネラールの含有量が比較的大きいと、形成される光学活性シトロネラールの鏡像異性体過剰が比較的大きくなるのに対して、光学活性イソプレゴールがラセミイソプレゴールから分離される、後の溶融結晶化中の光学活性イソプレゴールの収率が増加する。

以下の実施例は、本発明を一切限定することなく例示する役割を果たす。

ネラールおよびゲラニアール含有混合物の蒸留分離
実施例１：
以下の実施例に使用する分割壁塔を、それぞれ長さが１．２ｍで内径が６４ｍｍの５つのガラス部から構成した。金属シートで構成された分割壁を３つの中間部に挿入した。分割壁領域の上下に実験用充填物（Ｓｕｌｚｅｒ ＣＹ）を設置し、分割壁領域に、直径が５ｍｍのステンレス鋼製の金属構造環を設置した。６０ミリバールの頂部圧力でキシレン異性体混合物を用いて実施した分離性能測定において、塔全体の１００個の理論分離段および分割壁における約５５個の理論分離段の総合的な分離性能を測定した。したがって、存在する理論分離段の総数は約１５５であった。油加熱式薄膜蒸発器（０．１ｍ²）および冷却水で冷却されるコンデンサを塔に装着した。

塔の異なるレベルにおける温度ならびに塔全体の頂部圧力および圧力降下を、測定記録システムを用いて測定した。塔は、入口および出口の流量計ならびに戻り流量計を有しており、その測定値は、油温度調節器の入口温度に対する制御パラメータとしての役割を果たした。この制御システムは、一定の復帰率を確保し、それは、一定の圧力差を確定するものでもあった。分割壁の供給部と除去部との間の分割壁上方の液体の量を旋回漏斗によって周期的に分割した。

分割壁の供給部から１３６ｃｍの高さにおいて、１１０℃に予備加熱された４８．７ＧＣ面積％のネラールと、４７．８ＧＣ面積％のゲラニアールと、１．４ＧＣ面積％の他のシトラール異性体との４６１ｇ／時の液体混合物を塔に供給した。塔を１０ミリバールの頂部圧力および２．５ｋｇ／時の復帰率で動作させた。ここで、約３４ミリバール（±１ミリバール）の圧力降下を確定した。塔の頂部では８２．３℃の温度が測定され、底部では１２８．４℃（±０．５Ｋ）の温度が測定された。バランス制御システムによって、底部分岐を２４０ｇ／時に固定し、蒸留分岐を２０ｇ／時（±１ｇ／時）に固定した。したがって、還流比は約１２５：１であった。液体を分割壁の上方で１：１．１（供給部：除去部）に分割した。分割壁の除去部における４９０ｃｍの高さにおいて、気体の側方分岐（ｆ）を除去し、ガラスコンデンサにて凝縮させ、そこから底部充填レベルに応じて、約２００ｇ／時の純粋な生成物をポンプによって除去した。

得られた留分を、標準的なＧＣを利用するガスクロマトグラフィーによって分析した。ガスクロマトグラフィーによる分析を以下の方法に従って実施した。
２５ｍ ＯＶ−１、ＩＤ．：０．３２ｍｍ、ＦＤ．：０．３１μｍ；５０℃／２分−１０℃／分から１５０℃、５分−２０℃／分から２８０℃／１５分；ｔ_R（シトラール異性体ＩＩＩ）：１０．４分；ｔ_R（シトラール異性体ＩＶ）：１０．７分；ｔ_R（シトラール異性体Ｖ）：１１．０分；ｔ_R（ネラールＩ）；１２．３分；ｔ_R（ゲラニアールＩＩ）：１２．６分

側方分岐において得られた純粋な生成物は、９８．５ＧＣ面積％のネラールの他に、０．３ＧＣ面積％のゲラニアールおよび０．６５ＧＣ面積％の他のシトラール異性体をも含んでいた。底部分岐では、９２．５ＧＣ面積％のゲラニアールおよび６．８ＧＣ面積％のネラールをＧＣ分析によって測定し、留出物は、３２．１ＧＣ面積％のネラールおよび３９．６ＧＣ面積％の他のシトラール異性体を含んでいた。

実施例２：
実施例１に記載されている塔に、約５９０ｃｍの高さにおいて上部共通塔部（１）のさらなる気体側方分岐（ｎ）を補給し、次に側方コンデンサを設けた。バランス制御システムによって、１５ｇ／時（±１ｇ／時）の除去量をそこに固定した。

分割壁の供給部から１３６ｃｍの高さにおいて、１１０℃に予備加熱された５０．２ＧＣ面積％のネラールと、４７．２ＧＣ面積％のゲラニアールと、０．９ＧＣ面積％の他のシトラール異性体との４６０ｇ／時の液体混合物を塔に供給した。塔を１０ミリバールの頂部圧力および２．５ｋｇ／時の復帰率で動作させた。約３７ミリバール（±１ミリバール）の圧力降下を確定した。塔の頂部では６８．８℃の温度が測定され、底部では１３０．１℃（±０．５Ｋ）の温度が測定された。バランス制御システムによって、底部分岐を２４０ｇ／時に固定し、蒸留分岐を約３ｇ／時（±１ｇ／時）に固定した。したがって、還流比は約６００から１２００：１であった。液体を分割壁の上方で１：１．１（供給部：除去部）に分割した。分割壁の除去部における４９０ｃｍの高さにおいて、次に気体の側方分岐（ｆ）を除去し、ガラスコンデンサにて凝縮させ、そこから底部充填レベルに応じて、約２００ｇ／時の純粋な生成物をポンプによって除去した。

側方分岐（ｆ）において得られた純粋な生成物は、９８．５ＧＣ面積％のネラールの他に、０．３ＧＣ面積％のゲラニアールおよび０．５ＧＣ面積％の他のシトラール異性体をも含んでいた。上部側方分岐は、５５．５ＧＣ面積％のネラールの他に、２９．５ＧＣ面積％の他のシトラール異性体を含んでいた。底部分岐では、９０．３ＧＣ面積％のゲラニアールおよび８．９ＧＣ面積％のネラールをＧＣ分析によって測定し、留出物は、４８．５ＧＣ面積％の他のシトラール異性体を含んでいた。

実施例３：
Ｓｕｌｚｅｒ ＣＹ充填物を備え、分割壁も側方分岐も有さない（板の理論数が約９０の）内径５０ｍｍの単純なガラス製実験用塔にて、５０．２ＧＣ面積％のネラールと、４７ＧＣ面積％のゲラニアールと、１．３ＧＣ面積％の他のシトラール異性体との混合物を５ミリバールの頂部圧力で連続的に蒸留した。供給量は５００ｇ／時であり、底部で２５０ｇ／時を排出した。塔全体に対する圧力降下は、１１：１の還流比で約２８ミリバールであり、底部温度は１２１℃であり、頂部温度は８１℃であった。

頂部コンデンサにおいて、約２０℃にて、ネラール含有量が８８．１ＧＣ面積％であり、ゲラニアール含有量が２．７ＧＣ面積％である約２５０ｇ／時の液体留出物を得た。留出物における他のシトラール異性体の含有量は合計７．０ＧＣ面積％であったが、それは、蒸留条件下でのこれらの異性体の顕著な形成を示唆している。

工程ａ）の実施例：ネラールおよび／またはゲラニアールのシトロネラールへの触媒水素化
実施例４：一酸化炭素の存在下でのシス−シトラールの不斉水素化
１７．９ｍｇのＲｈ（ＣＯ）₂ａｃａｃおよび３８．５ｍｇの（Ｒ，Ｒ）−キラホスを保護気体雰囲気下で２０ｇのトルエンに溶解させ、一酸化炭素と水素（１：１、ｖｏｌ／ｖｏｌ）の混合物で予め３回洗浄された１００ｍｌのオートクレーブに移した。該混合物を８バールの１：１のＣＯ／Ｈ₂の圧力および６０℃で３時間にわたって撹拌し、次いで室温まで冷却した。次いで、圧力ロックを用いて、１０．９４ｇのネラール（ネラール／ゲラニアール二重結合異性体の比＝９９．１：０．９；基質／触媒比＝１０００）に１５バールのＨ₂を注入した。水素を注入することによって反応圧力を８０バールに調整した。ＣＯ分圧を下げるために、圧力を３回にわたって下げ、さらに３時間後、再び８バールまで下げ、水素を注入することによって８０バールに回復させた。１８時間後、９９．９％の変換率および光学純度が９０％ｅｅの９９．８％のＤ−シトロネラールの収率をガスクロマトグラフィーによって確認した。

実施例５：一酸化炭素の存在下でのネラールの不斉水素化
１７．０ｍｇのＲｈ（ＣＯ）₂ａｃａｃおよび４３．８ｍｇの（Ｒ，Ｒ）−キラホスを０．８ｍｌのＴＨＦに溶解させ、８０バールの合成ガス（Ｈ₂／ＣＯ＝１：１、ｖｏｌ／ｖｏｌ）および６０℃にて８時間にわたってオートクレーブ内で撹拌した。次いで、３９．００ｇのネラール（ネラール／ゲラニアール二重結合異性体の比＝９５．２：４．８；基質／触媒比＝４０００）を溶解させ、触媒溶液とともに、１：１のＣＯ／Ｈ₂（ｖｏｌ／ｖｏｌ）で予め３回洗浄された１００ｍｌのオートクレーブに入れた。１０００ｐｐｍの一酸化炭素を含む水素ガスを注入することによって反応圧力を８０バールに調整した。１４４時間後、８４．３％の変換率および光学純度が６４％ｅｅのＤ−シトロネラールの８０．９％の収率をガスクロマトグラフィーによって確認した。

実施例６：触媒の再使用によるネラールの不斉水素化
２３．７ｍｇのＲｈ（ＣＯ）₂ａｃａｃおよび５５．７ｍｇの（Ｒ，Ｒ）−キラホスを保護気体雰囲気下で２４ｇのＴＨＦに溶解させ、１：１のＣＯ／Ｈ₂（ｖｏｌ／ｖｏｌ）で予め３回洗浄された１００ｍｌのオートクレーブに入れた。該混合物を８０バールの１：１ＣＯ／Ｈ₂の圧力および６０℃で３時間撹拌した。次いで、該混合物を室温まで冷却し、８バールの１：１ＣＯ／Ｈ₂圧力に減圧した。圧力ロックを用いて、１３．２ｇのネラール（ネラール／ゲラニアール二重結合異性体の比＝９９．４：０．６）に１５バールのＨ₂を注入した。水素を注入することによって反応圧力を８０バールに調整した。ＣＯ分圧を下げるために、圧力を５回にわたって８バールまで下げ、水素を注入することによって８０バールに回復させた。ヘッドスペースにおけるガスクロマトグラフィーによって確認されたＣＯの含有量は５１０ｐｐｍであった。それぞれの場合において２０時間および４０時間後、それぞれさらに１３．２０ｇおよび１９．８０ｇのネラールを添加した。６６時間後、７５．８％の変換率および光学純度が８７％ｅｅのＤ−シトロネラールの７２．８％の収率をガスクロマトグラフィーによって確認した。

Ｄ−シトロネラールの収率に基づく全転換数は１０３０であった。

実施例７：生成物の蒸留分離および触媒の再使用によるシス−シトラールの不斉水素化
８．４ｍｇのＲｈ（ＣＯ）₂ａｃａｃおよび２１．６ｍｇの（Ｒ，Ｒ）−キラホスを０．８ｍｌのＴＨＦに溶解させ、８０バールの合成ガス（Ｈ₂／ＣＯ＝１：１、ｖｏｌ／ｖｏｌ）圧力および６０℃にて８時間にわたってオートクレーブ内で撹拌した。その後、９ｇのネラール（ネラール／ゲラニアール二重結合異性体の比＝９５．２：４．８）をオートクレーブに導入した。１０００ｐｐｍの一酸化炭素を含む水素ガスを注入することによって反応圧力を８０バールに調整した。２４時間後、９９％の変換率を達成し、得られたＤ−シトロネラールのｅｅは８３％であった。

生成物を蒸留分離した後、さらに８．５ｇのネラール（ネラール／ゲラニアール二重結合異性体の比＝９５．２：４．８）を添加し、１０００ｐｐｍの一酸化炭素を含む水素ガスの８０バールの圧力で４８時間にわたって水素化を実施した。変換率は３６％であり、得られたＤ−シトロネラールのｅｅは５４％であった。

生成物を再び蒸留分離した後、さらに６．８ｇのネラール（ネラール／ゲラニアール二重結合異性体の比＝９５．２：４．８）を添加し、１０００ｐｐｍの一酸化炭素を含む水素ガスの８０バールの圧力で７２時間にわたって水素化を実施した。変換率は１３％であり、得られたＤ−シトロネラールのｅｅは３０％であった。

Ｄ−シトロネラールの収率に基づく全転換数は２３１２であった。

実施例８：前形成、生成物の除去および触媒の再使用によるネラールの不斉水素化
３０ｍｇのＲｈ（ＣＯ）₂ａｃａｃおよび７５ｍｇの（Ｒ，Ｒ）−キラホスを３ｍｌのＴＨＦに溶解させ、８０バールの合成ガス（Ｈ₂／ＣＯ＝１：１、ｖｏｌ／ｖｏｌ）の存在下で６０℃にて２０時間にわたってオートクレーブ内で撹拌した。続いて、３７ｇのネラール（ネラール／ゲラニアール二重結合異性体の比＝９６．６：３．４）を添加し、該溶液を、１：１のＣＯ／Ｈ₂（ｖｏｌ／ｖｏｌ）で予め３回洗浄された１００ｍｌのオートクレーブに導入した。１０００ｐｐｍの一酸化炭素を含む水素ガスを注入することによって反応圧力を８０バールに調整した。２４時間後、９９％超の変換率を達成した。得られたＤ−シトロネラールのｅｅは８７％であった。

生成物を蒸留分離した後、蒸留残渣をＴＨＦで希釈し、８０バールの圧力の合成ガス（Ｈ₂／ＣＯ＝１：１）の存在下で６０℃にて２０時間にわたってオートクレーブ内で撹拌した。その後、さらに３２ｇのネラール（ネラール／ゲラニアール二重結合異性体の比＝９６．６：３．４）を添加し、１０００ｐｐｍの一酸化炭素を含む水素ガスの８０バールの圧力で２４時間にわたって水素化を実施した。変換率は９９％超、得られたＤ−シトロネラールのｅｅは８７％であった。

生成物を再び蒸留分離し、蒸留残渣をＴＨＦで希釈し、８０バールの合成ガス（Ｈ₂／ＣＯ＝１：１）の存在下で６０℃にて２０時間にわたってオートクレーブ内で撹拌した。その後、さらに３２．９６ｇのネラール（ネラール／ゲラニアール二重結合異性体の比＝９６．６：３．４）を添加し、１０００ｐｐｍの一酸化炭素を含む水素ガスの８０バールの圧力で２４時間にわたって水素化を実施した。変換率は９９％であり、得られたＤ−シトロネラールの光学純度は８８％ｅｅであった。

３３ｇのネラール（ネラール／ゲラニアール二重結合異性体の比＝９６．６：３．４）を添加して実験を再度繰り返した。１７％の変換率で、光学純度が８９％ｅｅのＤ−シトロネラールを得た。

Ｄ−シトロネラールの全体収率に基づく全転換数は、４９７５であった。

実施例９：連続的に実施されるネラールの不斉水素化
連続的に動作する実験装置に、６０℃および８０バールの１：１のＣＯ／Ｈ₂（ｖｏｌ／ｖｏｌ）の圧力で２０時間にわたって予め撹拌された７０ｇのＴＨＦおよび６０ｇのＯｘｏ油９Ｎ（ＢＡＳＦ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ）中２．１３ｇのＲｈ（ＣＯ）₂ａｃａｃおよび６．００ｇの（Ｒ，Ｒ）−キラホスの溶液、ならびに１７０ｇのネラール（ネラール／ゲラニアール二重結合異性体の比＝約９５：５）を導入し、次いで装置の前形成反応器における気体混合物を水素中１００００ｐｐｍの一酸化炭素（８０バール）に調整し、温度を６０℃に調整した。水素化反応器において、水素中１０００ｐｐｍの一酸化炭素の気体混合物（８０バール）および２５℃の温度を確定した。

新鮮な出発材料の供給を６ｇ／時に調整した。生成物含有留分を、装置内容物が実質的に一定に維持されるように真空中で連続的に蒸留分離した。１９日間にわたって、６．０１モル（９２７．７ｇ）のＤ−シトロネラールを得た。Ｄ−シトロネラールの収率に基づく全転換数は、１０９１４であった。

実施例１０：ネラールの不斉水素化
１２．３ｍｇのＲｈ₄（ＣＯ）₁₂および３１．５ｍｇの（Ｓ，Ｓ）−キラホスを保護気体雰囲気下で１５ｇのトルエンに溶解させ、Ｈ₂で予め３回洗浄された１００ｍｌのオートクレーブに移した。該混合物を１．５バールのＨ₂の圧力で１．５時間撹拌し、標準圧力まで減圧し、１５ｇのトルエンに溶解させた１ｇのネラール（ネラール／ゲラニアール二重結合異性体の比＝９８．７：１．３；基質／触媒比＝１００）をシリンジによって添加した。水素を注入することによって反応圧力を９０バールに調整した。ガスクロマトグラフィー反応モニタリングによって１５分後の完全変換を確認し、ガスクロマトグラフィーによって、光学純度が８６％ｅｅの９８％のＬ−シトロネラールの収率を確認した。

工程ｂ）の実施例：酸性触媒の存在下でのシトロネラールのイソプレゴールへの環化
実施例１１：１，１−ビス（２，６−ジフェニルフェノール）−１−トリフルオロメチルエタン（ｌａ₂−３）の回収を伴うシトロネラールのイソプレゴールへの環化
ガスクロマトグラフィー分析（ＧＣ）を以下の方法に従って実施した。５０ｍのＣＰ−ＷＡＸ、ＩＤ．：０．３２ｍｍ、ＦＤ．：１．２μｍ；８０℃、３℃／分−２００℃、１５℃／分−２５０℃；ｔ_R（フェニルシクロヘキサン）：３０．７；ｔ_R（イソプレゴール）：２６．３；ｔ_R（シトロネラール）：２１．８。

以下のＨＰＬＣ法を使用した。ＣＣ２５０／４ Ｎｕｃｌｅｏｄｕｒ Ｃ１８ Ｇｒａｖｉｔｙ、５μｍ；Ｃ：水−０．０５％ Ｈ₃ＰＯ₄；Ｄ：アセトニトリル２０：８０；出口：９３バール、２５℃；ｔ_R（イソプレゴール）：３．３；ｔ_R（フェニルシクロヘキサン）：１０．５；ｔ_R（配位子（ｌａ₂−３））：１４．０。
蒸留底部および母液における得られた反応生成物の濃度（それぞれの場合において質量％）を、内部標準を使用してＧＣによって分析測定した。

１１．ａ）シトロネラールの環化
無水トルエン（７．２ｋｇ）中１，１−ビス（２，６−ジフェニルフェノール）−１−トリフルオロメチルエタン（ｌａ₂−３）（４６１ｇ、０．７８５ｍｏｌ）を、攪拌機を備えた二重ガラス反応器に初期充填物として導入した。室温にて、トルエン（４４５ｍｌ、４００ｍｍｏｌ、トルエン中１２％ＡｌＥｔ₃）トリエチルアルミニウムの溶液を配位子の透明溶液に添加した。該溶液を２５℃で１時間撹拌した。得られた触媒懸濁液を０℃まで冷却し、３時間にわたってシトロネラール（６６９７ｇ、４３ｍｏｌ）とピルビン酸メチル（３３．６ｇ、３２９ｍｍｏｌ）の混合物と混合した。添加が完了すると、反応混合物を０℃で３時間、そして１０℃でさらに２時間にわたって後撹拌した。減圧下でトルエンを分離した。次いで、フェニルシクロヘキサン（２７７０ｇ）を添加して、イソプレゴール粗製物を蒸留によって頂部生成物として分離した。ここで、３５８４ｇの底部生成物を得た。

１１．ｂ）配位子（ｌａ₂−３）の単離
フェニルシクロヘキサン（６９．９質量％）、イソプレゴール（３．０５質量％）、シトロネラール（０．１６質量％）およびシトロネロール（３．０５質量％）を含むビス（ジアリールフェノキシ）アルミニウム触媒の存在下でのシトロネラールの環化による３５６４ｇの底部生成物を、攪拌機および還流コンデンサを備えた二重反応器に初期充填物として９０℃の温度で導入した。該加熱溶液に、１７９２ｇの加熱された２％濃度のＮａＯＨ溶液を添加した。９０℃で１時間撹拌した後、１７７７ｇの水相を有機相から分離した。有機相からの残留水を１２０℃および１０ミリバールで蒸留分離した。加水分解した底部生成物を１２時間にわたって２５℃まで冷却した。得られた式（ｌａ₂−３）の配位子の懸濁液を濾過し、このようにして得られた式（ｌａ₂−３）の配位子から３ミリバールおよび９５℃で揮発性成分を除去した。式（ｌａ₂−３）の配位子を、収量２８２ｇ、純度９５％の白色固体として単離した。ＨＰＬＣ分析によれば、母液（３１３０ｇ）は、フェニルシクロヘキサン（７２．３質量％）、イソプレゴール（６．８質量％）および式（ｌａ₂−３）の配位子（４．９質量％）を含んでいた。これは、本発明に従って使用される配位子が連続処理に有利な方法で好適であることを証明している。対照的に、ＥＰ−Ａ１２２５１６３に記載されている配位子を使用すると、これらは安定したエマルジョンを形成する傾向がより強いため、相の分離が保証されるとは限らない。

実施例１２：１，１−ビス（２，６−ジフェニルフェノール）−１−トリフルオロメチルエタン（ｌａ₂−３）の連続的回収を伴うシトロネラールのイソプレゴールへの環化
分析
ガスクロマトグラフィー分析を以下の方法に従って実施した。
５０ｍのＣＰ−ＷＡＸ、ＩＤ．：０．３２ｍｍ、ＦＤ．：１．２μｍ；８０℃、３℃／分−２００℃、１５℃／分−２５０℃；ｔ_R（シトロネラール）：２０．７；ｔ_R（イソプレゴール）：２４．７；ｔ_R（フェニルシクロヘキサン）：２９．３；ｔ_R（シトロネロール）：３１．７；ｔ_R（シトロネリルシトロネレート）：４８．２；ｔ_R（イソプレギルシトロネレート）：４９．５。

１２．ａ）連続処理によるシトロネラールの環化
攪拌機を備えた二重ガラス反応器にて、トルエン中トリエチルアルミニウムの溶液（１５％濃度、８５ｍｌ、０．０９６ｍｏｌ）を、２０℃で約１０分間にわたって、トルエン（無水、１８００ｇ）中１，１−ビス（２，６−ジフェニルフェノール）−１−トリフルオロメチルエタン（ｌａ₂−３）（１１４ｇ、０．１９５ｍｏｌ）の透明溶液に添加した。次いで、該溶液を２０℃で１時間撹拌した。得られた触媒懸濁液を、攪拌機を備えたさらなる二重ガラス反応器に移し、０℃まで冷却し、Ｄ−シクロネラール（１６２０ｇ、１０．３ｍｏｌ）とピルビン酸メチル（８．１ｇ）の混合物と３時間混合した。添加が完了すると、Ｄ−シトロネラールの含有量が１０ＧＣ面積％未満になるまで反応溶液を０℃で撹拌し、１０℃まで加温し、この温度でさらに２時間撹拌した。続いて、反応溶液を最初に緩衝容器に移した。

反応溶液を３００ｇ／時の供給速度で連続的にプレート塔（１５プレート、ＤＮ５０）に送った。トルエンを精留部の１０個目のプレートの側方分岐において約１００ミリバールの頂部圧力で塔から除去し、底部温度を約１２０℃とし、塔の側方分岐および頂部の温度を４５℃とした。この塔の頂部において、低沸点物を反応溶液から除去した。

プレート塔からの底部生成物の排出物を充填塔（ＤＮ５０×１２０ｃｍ、実験用構造充填物、Ｓｕｌｚｅｒ ＤＸ）の中心に連続的に供給した（１２０から１４０ｇ／時）。フェニルシクロヘキサン（７０から９０ｇ／時）を連続的にこの充填塔の底部に連続的に添加しながら、Ｌ−イソプレゴールを１１０℃の底部温度および１０ミリバールの頂部圧力で頂部生成物として蒸留分離した。Ｌ−イソプレゴールを１６２５ｇの収率および９３％の純度で単離した。

１２．ｂ）連続的手法による配位子（ｌａ₂−３）の単離
充填塔の蒸留底部の排出物を、９５℃に加熱され、２つの縦列した２５０ｍｌの撹拌容器および１５０ｍｌの相分離器からなる混合−沈降装置に連続的に（１００から１２０ｇ／時で）供給した。第１の２５０ｍｌの撹拌容器にて、充填塔の蒸留底部の排出物を２％濃度の水酸化ナトリウム溶液と連続的に混合した（５０から６０ｇ／時）。第１の撹拌容器からの混合相の排出物（１５０から１８０ｇ／時）を、他方の２５０ｍｌの撹拌容器を介して１５０ｍｌの相分離器に移した。相分離器において、相の連続分離を９０から９５℃の温度で行った。ここで、相分離層の高さを、伝導率測定値を利用して制御した。

層分離器からの有機相の排出物を、４０から５０℃に加熱されたさらなる撹拌容器に連続的に回収し（１００から１２０ｇ／時）、配位子（ｌａ₂−３）の単離の前に結晶化させた。相分離器からの水相の排出物を連続的にポンプで除去した。

結晶化した配位子（ｌａ₂−３）を、４バールの窒素圧にて圧力濾過でバッチ式に濾過した。次いで、濾過ケーキをフェニルシクロヘキサンで洗浄した。洗浄した配位子（１０６ｇ；ＨＰＬＣ質量％：配位子７７％；フェニルシクロヘキサン２２％）をトルエンに溶解させ、工程２ａ）において触媒を製造するためにさらに使用した。濾液（９１９ｇ；ＧＣによる質量％：フェニルシクロヘキサン６６％；Ｌ−イソプレゴール５％；シトロネロール６．１％；イソプレギルシトロネレート４．３％；シトロネリルシトロネレート３．６％；ＨＰＬＣによる質量％：配位子３．１％）を１１．ａ）に記載されている充填塔に戻した。

実施例１３：分割壁塔でのイソプレゴールの連続的精製
実験用分割壁塔を、内径が４３ｍｍの３つのガラス部から構成した。全長が１０５ｃｍの中間塔部に、固定的に融着された厚さ約１ｍｍのガラス分割壁を設けた。分割壁の領域において、塔の供給側に１ｍのＳｕｌｚｅｒ ＤＸ充填物を備え、除去側に０．９ｍのＤＸ充填物を備えた。分割壁の上下に、それぞれ３３ｃｍのＳｕｌｚｅｒ ＤＸ充填物を備えた長さ５０ｍｍのガラス部を使用した。

６０ミリバールの頂部圧力でキシレン異性体混合物を用いて実施した分離性能測定において、塔全体の約３２個の理論分離段および分割壁領域の約１８個の理論分離段の総体的な分離性能を測定した。したがって、存在する理論分離段の総数は約５０であった。油加熱式薄膜蒸発器（０．１ｍ²）および１０℃の冷却水で冷却されるコンデンサを塔に装着した。入口および出口は、それぞれの場合において分割壁部の中間に位置していた。

塔の様々な高さにおける温度ならびに塔全体の頂部圧力および圧力降下を、測定記録システムを用いて測定した。塔は、入口および出口の流量計、ならびに復帰率の制御機構を有する流量計を備えていた。この制御システムは、一定の復帰率を確保し、それは、一定の圧力差を確定するものでもあった。分割壁の供給部と除去部との間の分割壁上方の液体量を旋回漏斗によって周期的に分割した。

分割壁の供給部に対して塔の中間において、実施例１２に記載されているシトロネラールの環化によって得られた、８０℃に予備加熱された２５０ｇ／時のイソプレゴール混合物を分割壁塔に供給した。イソプレゴール混合物は、９３質量％のイソプレゴールの他に、３．６質量％のフェニルシクロヘキサン、０．３質量％のシトロネラール、０．１質量％のシトロネロールおよび１．３ＧＣ面積％のトルエンを含んでいた。

得られた留分を、標準ＧＣを使用してガスクロマトグラフィーによって分析した。質量％測定に使用した内部標準は、１−ノナノール（質量はサンプルの全量の約１０％）であった。

ガスクロマトグラフィー分析を以下の方法によって実施した。
５０ｍのＣＰ−Ｗａｘ ５２ＣＢ、ＩＤ．：０．３２ｍｍ、ＦＤ．：１．２μｍ；インジェクタ：２００℃；検出器：２５０℃；８０℃、３℃／分−２００℃、１５℃／分−２５０℃；ｔ_R（シトロネラール）：２０．７；ｔ_R（イソプレゴール）：２４．７；ｔ_R（フェニルシクロヘキサン）：２９．３；ｔ_R（シトロネロール）：３１．７。

塔を１００ミリバールの頂部圧力および１０００ｇ／時の復帰率で動作させた。ここで、約１ミリバールの圧力降下を確定した。塔の頂部では１０９℃の温度が測定され、底部では１３９℃の温度が測定された（±０．５Ｋ）。塔を１６ｇ／時（±２ｇ／時）の底部分岐で動作させ、留出物の除去をバランス制御システムによって４ｇ／時（±１ｇ／時）に調整した。したがって、還流比は約２００：１であった。塔のコンデンサは、１０℃の温度であった。

液体を分割壁の上方で１：２．４（供給部：除去部）の比率で分割した。分割壁の除去部の中間において、約２３０ｇ／時（±５ｇ／時）の液体側方分岐（ｆ）を、膜ポンプを利用して除去した。

側方分岐において得られた純粋な生成物は、９８．６質量％のイソプレゴールの他に、０．３質量％のフェニルシクロヘキサンをも含んでいた。したがって、イソプレゴールの蒸留収率は９７．５％であった。留出物は、５０ＧＣ面積％のトルエンの他に、４７ＧＣ質量％のイソプレゴールおよび１．０ＧＣ質量％のシトロネラールを含んでいた。底部では、５５質量％のフェニルシクロヘキサンの他に、３９．６質量％のイソプレゴールおよび１％のシトロネロールを分析した。

工程ｃ）の実施例：結晶化によるイソプレゴールの精製
実施例１４：イソプレゴール溶融物の静的層結晶化
最初に、結晶化装置としての二重ガラス管に、１３℃の融点を有する９５％の（−）−ｎ−イソプレゴールおよび５％の（＋）−ｎ−イソプレゴール（９０％ｅｅ）の組成のイソプレゴール２０５ｇを１５℃の温度で充填した。結晶化装置を３０時間にわたって９℃まで冷却した。最初は液体であった生成物は、実験の終了時にはほとんどが固化した形で存在していた。続いて、ジャケットの温度を１０時間にわたって１３℃から２５℃に上昇させた。ここで、７０ｇの母液および５０ｇの結露留分の他に、８５ｇの溶融結晶層を得た。この最終生成物は、（−）−ｎ−イソプレゴールに基づいて９９．９％ｅｅの光学純度を有していた。

実施例１５：イソプレゴール溶融物の動的層結晶化
最初に、（Ｇ．Ｆ．Ａｒｋｅｎｂｏｕｔ，Ｍｅｌｔ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｌａｎｃａｔｅｒ／ＰＡ，Ｔｅｃｈｎｏｍｉｃ Ｐｕｂｌ．Ｃｏ．，１９９５（ｃｈ．１０．４．１）に記載されている）ジャケットによって冷却された平面底部を有する撹拌装置に、１０℃の融点を有する９４．７％の（−）−ｎ−イソプレゴールおよび５．３％の（＋）−ｎ−イソプレゴール（８９．４％ｅｅ）の組成のイソプレゴール１００３ｇを１５℃の温度で充填した。結晶化装置底部の冷却ジャケットを２時間にわたって−１４℃まで冷却した。この時間を通じて、質量１２４ｇ、厚さ１２ｍｍの結晶層が形成された。次いで、装置を１８０℃回転させ、ジャケット温度を１０時間にわたって８℃から１３℃に上昇させた。これにより、５２ｇの結露留分および１２４ｇの溶融結晶層を得た。最終生成物は、（−）−ｎ−イソプレゴールに基づいて９９％ｅｅの光学純度を有していた。

実施例１６：イソプレゴール溶融物の懸濁結晶化
最初に、（Ａｒｋｅｎｂｏｕｔ，ｃｈ．１０．４．２に記載されている）１ｌの撹拌結晶化装置に、（−）−ｎ−イソプレゴールに基づいて９５．２％（９０．４％ｅｅ）の光学純度を有するイソプレゴール異性体混合物８６０ｇを溶融物として充填した。該混合物の融解温度は、約１０℃であった。使用した攪拌機は、近接クリアランス螺旋攪拌機であった。短時間で３℃まで冷却し、続いて９℃に加熱することによって溶融物の原位置シーディングを達成した。次いで、装置を１．５時間にわたって撹拌しながら７℃まで冷却した。これにより、懸濁液の固体含有量が約３５質量％になった。サンプルをこの懸濁液から採取し、粘着する母液を遠心によって除去した。１分間にわたる遠心後、結晶は、（−）−ｎ−イソプレゴールに基づいて９９％ｅｅの純度を有し、５分間にわたる遠心後に９９．４％の純度を有した。

比較例１：メントールの溶液結晶化
１ｌの撹拌結晶化装置において、５６０ｇのメントール異性体混合物（（−）−メントール：９０％に関して８０％ｅｅの純度）を２４０ｇのアセトンに溶解させた。該混合物の飽和温度は、５．８℃であった。５．７℃まで冷却した後、その超飽和溶液に純粋な（−）−メントールの１４ｇの種結晶をシードし、０．５から１Ｋ／時の速度でさらに冷却した。―６．９℃の温度および懸濁液中２２．４質量％の固体含有量を達成すると、サンプルを採取し、粘着する母液を遠心によって除去した。結晶は、９８．２％（９６．４％ｅｅ）の純度を有していた。

比較例２：メントールの溶融結晶
最初に、結晶化装置としての二重ガラス管に、９５％の（−）−メントールおよび５％の（＋）−メントール（９０％ｅｅ）の組成のメントール３２４ｇを充填した。該混合物の融点は３８℃であった。結晶化装置を１５時間にわたって３８．４℃から３７．４℃まで冷却した。最初は液体であった生成物は、実験の終了時にはほぼ完全に固化した形で存在していた。次いで、ジャケット温度を５時間にわたって３８℃から３９℃に上昇させた。これにより、２つの結露留分（５１ｇおよび１９８ｇ）および７５ｇの溶融結晶層を得た。出発溶液、両結露留分および結晶層は、実質的に、９０％付近の同じｅｅ値を有することが分析によって明らかになった。

工程ｄ）の実施例：イソプレゴールのメントールへの触媒水素化
ガスクロマトグラフィー分析を以下の方法によって実施した。
５０ｍのＣＰ−ＷＡＸ、ＩＤ．：０．３２ｍｍ、ＦＤ．：１．２μｍ；８０℃、３℃／分−２００℃、１０℃／分−２３０℃；ｔ_R（メントン）：２６．９；ｔ_R（メントン）：２８．１；ｔ_R（イソプレゴール）：３０．７；ｔ_R（ネオメントール）：３１．２；ｔ_R（ネオイソメントール）：３２．６；ｔ_R（メントール）：３２．７；ｔ_R（イソメントール）：３４．１。

使用したイソプレゴールをガスクロマトグラフィーによって以下のように分析した。５０ｍのＣＰ−ＷＡＸ、ＩＤ．：０．３２ｍｍ、ＦＤ．：１．２μｍ；８０℃、３℃／分−２００℃、１５℃／分−２５０℃；ｔ_R（シトロネラール）：２１．６；ｔ_R（イソプレゴール異性体）：２５．４；ｔ_R（イソプレゴール）：２５．９；ｔ_R（シトロネロール）：３２．７。

実施例１７：
主反応器（ＭＲ）および後部反応器（ＰＲ）からなる水素化装置を使用した。主反応器は、それぞれの場合において直径および高さが３ｍｍの錠剤の形の５０質量％のＮｉＯ、１７質量％のＣｕＯ、３０．５質量％のＺｒＯ₂、１．５質量％のＭｏＯ₃および１質量％のグラファイトを含む６１ｇ（１２７ｍｌ）の固定層触媒が充填された、５ｍｍの内径および１．３ｍの長さを有する縦列接続された５つの管を有していた。後部反応器（二重形）は、１９ｇの同じ触媒が充填された、５ｍｍの内径および２．０５ｍの長さを有する管からなっていた。

５０質量％のＮｉＯ、１７質量％のＣｕＯ、３０．５質量％のＺｒＯ₂、１．５質量％のＭｏＯ₃および１質量％のグラファイトを含む、主反応器および後部反応器に設置された固定層触媒を以下の方法によって活性化させた。反応器を４２Ｎｌ／時の窒素および１．２Ｎｌ／ｈの水素による雰囲気圧力下で１８０℃に加熱し、これらの条件下で１９時間にわたって維持した。水素を１．２から６．５Ｎｌ／時に増加させ、１８０℃の温度でさらに７．５時間維持した。窒素供給を止め、６．５Ｎｌ／時の水素で１８０℃にて１２時間にわたって活性化を継続した。次いで、水素供給を止め、窒素供給量を６Ｎｌ／時に調整した。反応器を６０℃の温度まで冷却した。水素供給量を１．６Ｎｌ／時まで減少させ、イソプレゴール供給を開始した。

遠心ポンプを用いて、９９．９質量％および９９．８％ｅｅの純度の２４．５ｇ／時（全量５８８ｇ）のＬ−イソプレゴールの供給物を約５００ｇ／時の速度で主反応器にポンプ循環させた。水素圧を４０バールで一定に維持した。主反応器を８５℃の温度で動作させ、後部反応器を７５℃で動作させた。すべてのパイプラインに電気トレース加熱を施して、鏡像異性体として純粋なＬ−メントール（融点４４℃）の結晶化を防止した。これにより、２４．９ｇ／時の速度に対応するＬ−メントール５９７ｇを得た。このようにして得られたＬ−メントール（９９．８％ｅｅ）をガスクロマトグラフィーによって分析した。Ｌ−メントール排出物の化学的純度を第１表に示す。

第１表：Ｌ−メントール排出物のＧＣ分析（ＧＣ面積％）

実施例１８：
４０バールの水素圧にて１２．６ｇ／時（全量３０３ｇ）の速度で反応器に導入された、純度が９９．９質量％および９９．８％ｅｅのＬ−イソプレゴールを使用して実施例１７を繰り返した。主反応器を８０℃に加熱し、後部反応器を７５℃に加熱した。これにより、１２．８ｇ／時の速度に対応するＬ−メントール３０６ｇ（９９．８％ｅｅ）を得た。Ｌ−メントール排出物の化学的純度を第２表に示す。

第２表：Ｌ−メントール排出物のＧＣ分析（ＧＣ面積％）

実施例１９：
４０バールの水素圧にて２４．５ｇ／時（全量４６６ｇ）の速度で反応器に導入された、純度が９７．１％および８４％ｅｅのＬ−イソプレゴールを使用して実施例１７を繰り返した。主反応器を８０℃に加熱し、後部反応器を７０℃に加熱した。使用したＬ−イソプレゴールは、以下の組成を有していた。Ｌ−イソプレゴール：９７．１ＧＣ質量％、シトロネロール：０．０５ＧＣ質量％、シトロネラール：０．４０ＧＣ質量％、イソプレゴール異性体：０．４５ＧＣ質量％、二次成分：０．３４ＧＣ質量％。これにより、２４．６ｇ／時の速度に対応する４６８ｇの量のＬ−メントール（８４％ｅｅ）を得た。Ｌ−メントール排出物の化学的純度を第３表に示す。

第３表：Ｌ−メントール排出物のＧＣ分析（ＧＣ面積％）

実施例２０：
主反応器（ＭＲ）および後部反応器（ＰＲ）からなる水素化装置を使用した。主反応器は、長さが４ｍｍの押出物の形の０．４７質量％のγ−Ａｌ₂Ｏ₃支持体上パラジウムからなる１０４ｇ（１２７ｍｌ）の固定層触媒が充填された、５ｍｍの内径および１．３ｍの長さを有する縦列接続された５つの管を有していた。後部反応器（二重形）は、２７ｇ（３５ｍｌ）の同じ触媒が充填された、５ｍｍの内径および１．９ｍの長さを有する管からなっていた。

遠心ポンプを用いて、３０バールの一定の水素圧にて、９９．８質量％および９９．８％ｅｅの純度の２４．５ｇ／時（全量５８８ｇ）のＬ−イソプレゴールの供給物を約５００ｇ／時の速度で主反応器にポンプ循環させた。主反応器を５０℃の温度で動作させ、後部反応器を６０℃で動作させた。すべてのパイプラインに電気トレース加熱を施して、鏡像異性体として純粋なＬ−メントール（融点４４℃）の結晶化を防止した。これにより、２４．９ｇ／時の速度に対応するＬ−メントール５９７ｇ（９９．８％ｅｅ）を得た。このようにして得られた生成物をガスクロマトグラフィーによって分析した。結果を第４表に示す。

第４表：得られたＬ−メントールのＧＣ分析（ＧＣ面積％）

工程ｅ）の実施例：メントールの高精度蒸留
実施例２１：
実験用分割壁塔を、それぞれ長さ１．２ｍ、内径６４ｍｍの５つのガラス部から構成した。金属シートで構成された分割壁を３つの中間部に挿入した。分割壁領域の上下に実験用充填物（Ｓｕｌｚｅｒ ＣＹ）を設置し、分割壁領域に、直径が５ｍｍのステンレス鋼製の金属構造環を設置した。６０ミリバールの頂部圧力でキシレン異性体混合物を用いて実施した分離性能測定において、塔全体の１００個の理論分離段および分割壁における約５５個の理論分離段の総合的な分離性能を測定した。したがって、存在する理論分離段の総数は約１５５であった。油加熱式薄膜蒸発器（０．１ｍ²）および冷却水で冷却されるコンデンサを塔に装着した。

塔の様々なレベルにおける温度ならびに塔全体の頂部圧力および圧力降下を、測定記録システムを用いて測定した。塔は、入口および出口の流量計ならびに戻り流量計を有しており、その測定値は、油温度調節器の入口温度に対する制御パラメータとしての役割を果たした。この制御システムは、一定の復帰率を確保し、それは、一定の圧力差を確定するものでもあった。分割壁の供給部と除去部との間の分割壁上方の液体の量の分割を旋回漏斗によって周期的に実現した。

分割壁の供給部から３３１ｃｍの高さの塔の中間において、９０℃に予備加熱された植物起源の１０００ｇ／時の液体メントールを塔に供給した。それは、９９．５８ＧＣ面積％のメントール、０．２２ＧＣ面積％のイソプレゴール、０．１１ＧＣ面積％の他のネオメントールおよび０．０３ＧＣ面積％のイソメントールおよび０．０２ＧＣ面積％のネオイソメントールを含んでいた。塔を５０ミリバールの頂部圧力および３．０ｋｇ／時の復帰率で動作させた。ここで、約３４ミリバール（±１ミリバール）の圧力降下を確定した。塔の頂部では１２１℃の温度が測定され、塔の底部では１３５℃の温度が測定された（±０．５Ｋ）。バランス制御システムによって、底部分岐を２ｇ／時（±１ｇ／時）に固定し、留出物の除去を４ｇ／時（±１ｇ／時）に固定した。したがって、還流比は約７５０：１であった。固体形成を防止するために、塔のコンデンサを約２５℃の温度とした。

液体を分割壁の上方にて１：１（供給部：除去部）の比率で分割した。分割壁の除去部における３００ｃｍのレベルにおいて、気体の側方分岐（ｆ）を除去し、ガラスコンデンサに凝縮させ、そこから、底部充填レベルに応じて、約９９２から９９５ｇ／時の純粋な生成物をポンプによって除去した。

得られた留分を、標準ＧＣを利用してガスクロマトグラフィーによって分析した。サンプル製造：（固化した）サンプルを約５０℃に溶融加熱し、トルエンに溶解させた。トルエン溶液をガスクロマトグラフに注入した。それに応じて、積分時に、トルエンピークを除外した。

ガスクロマトグラフィー分析を以下の方法に従って実施した。
５０ｍのＣＰ−Ｗａｘ ５２ ＣＢ、ＩＤ．：０．３２ｍｍ、ＦＤ．：１．２μｍ； インジェクタ：２００℃；検出器：２５０℃；８０℃−３℃／分−２００℃、−１０℃／分−２３０℃／１５分；
ｔ_R（イソプレゴール）：３０．０７分；ｔ_R（ネオメントール）：３１．０８分；ｔ_R（ネオイソメントール）：３２．５分；ｔ_R（メントール）：３２．８分；ｔ_R（イソメントール）：３３．８分。

側方分岐において得られた純粋な生成物は、９９．９４ＧＣ面積％のＬ−メントールとともに、０．０２ＧＣ面積％のイソメントールおよび微量の他のメントールジアステレオ異性体をも含んでいた。底部分岐において、９６．１２ＧＣ面積％のＬ−メントールをＧＣ分析によって確認した。留出物は、４４．７ＧＣ面積％のＬ−メントール、３３．９ＧＣ面積％のイソプレゴール、１２．９ＧＣ面積％のネオメントールおよび２．０２ＧＣ面積％のネオイソメントールを含んでいた。したがって、側方分岐における蒸留収率は９９％超であった。

実施例２２：
分割壁の供給部から３３１ｃｍの高さの塔の中間において、１０５℃に予備加熱され、ニッケル含有触媒によるＬ−イソプレゴールの触媒水素化によって得られ、９９．３９ＧＣ面積％のＬ−メントール、０．２９ＧＣ面積％のイソプレゴール、０．２５ＧＣ面積％のネオメントールおよび０．０１１ＧＣ面積％のイソメントールおよび０．０４４ＧＣ面積％のネオイソメントールを含む合成起源の９００ｇ／時の液体Ｌ−メントールを実施例２１による分割壁塔に供給した。塔を５０ミリバールの頂部圧力および３．０ｋｇ／時の復帰率で動作させた。ここで、約３５ミリバール（±１ミリバール）の圧力降下を確定した。塔の頂部では１２０℃の温度が測定され、底部では１３５℃（±０．５Ｋ）の温度が測定された。塔を、底部分岐を用いずに動作させ、留出物の除去をバランス制御システムによって１５ｇ／時（±１ｇ／時）に調整した。したがって、還流比は約２００：１であった。固体の形成を防止するために、塔のコンデンサを４０℃の温度とした。

液体を分割壁の上方にて１：１（供給部：除去部）の比率で分割した。分割壁の除去部の３００ｃｍの高さにおいて、気体の側方分岐（ｆ）を除去し、ガラスコンデンサに凝縮させ、そこから、底部充填レベルに応じて、約８８５から８９０ｇ／時の純粋な生成物をポンプによって排出させた。

側方分岐において得られた純粋な生成物は、９９．９３ＧＣ面積％のＬ−メントールの他に、０．０２７ＧＣ面積％のネオメントールおよび微量の他のメントールジアステレオ異性体を含んでいた。室温で液体である留出物は、７３．１ＧＣ面積％のＬ−メントール、１３．５ＧＣ面積％のイソプレゴール、１０．９ＧＣ面積％のネオメントールおよび１．７９ＧＣ面積％のネオイソメントールを含んでいた。連続的に動作する塔に２４．５時間にわたって２２．０５ｋｇの供給物を供給し、２１．６ｋｇの純粋な生成物を側方分岐から除去した。したがって、側方分岐における蒸留収率は、９８．５％超であった。

実施例２３：
ポンプ循環システムにボイラーおよび薄膜蒸発器（０．０５ｍ²）を備えた、内径５０ｍｍの１ｍのＳｕｌｚｅｒ ＤＸ充填物を備えたガラス製実験用塔（板の理論数が約２０個）にて、９８．０ＧＣ面積％のＬ−メントール、１．６９ＧＣ面積％のイソプレゴールおよび０．３３ＧＣ面積％のネオメントールを５０ミリバールの頂部圧力にてバッチ式で蒸留した。塔のコンデンサを、４０℃の水を用いて動作させた。

塔の頂部の温度は、１２２から１２３℃であり、底部温度は、出発時の１２４℃から蒸留の終了時の１２５℃までであった。留分の固化を防止するために、留出物容器を約６０℃に電気加熱した。１５：１の還流比で、３つの留分（３１、４５および１３８ｇ）を得、１０：１の還流比で１１６ｇのさらなる留出物留分を得た。得られた第１の留分は、７５．５ＧＣ面積％のＬ−メントール、１９．６ＧＣ面積％のイソプレゴールおよび３．０１ＧＣ面積％のネオメントールを含み、室温で液体であった。第２の留分は、９０．６ＧＣ面積％のメントール、７．０３ＧＣ面積％のイソプレゴールおよび１．４９ＧＣ面積％のネオメントールを含み、第３の留分は、対応して、９８．０９ＧＣ面積％のＬ−メントール、０．９８ＧＣ面積％のイソプレゴールおよび０．３ＧＣ面積％のネオメントールを含んでいた。第４の留分において、最終的に９９．５２ＧＣ面積％のメントール純度を達成した。１９７ｇの残渣を、９８．５ＧＣ面積％のＬ−メントールとともにボイラーから単離した。

実施例２４：
さらなる実験用分割壁塔を、内径４３ｍｍの３つのガラス部から構成した。全長が１０５ｃｍの中間塔部に、固定的に融着された厚さ約１ｍｍのガラス分割壁を設けた。分割壁の領域において、塔の供給側に１ｍのＳｕｌｚｅｒ ＤＸ充填物を備え、除去側に０．９ｍのＤＸ充填物を備えた。分割壁の上下に、それぞれ３３ｃｍのＳｕｌｚｅｒ ＤＸ充填物を備えた長さ５０ｍｍのガラス部を使用した。

６０ミリバールの頂部圧力でキシレン異性体混合物を用いて実施した分離性能測定において、塔全体の約３２個の理論分離段および分割壁領域における約１８個の理論分離段の総合的な分離性能を測定した。したがって、存在する理論分離段の総数は約５０であった。油加熱式薄膜蒸発器（０．１ｍ²）および２５℃の冷却水で冷却されるコンデンサを塔に装着した。入口および出口は、それぞれ分割壁の中間に存在し、それぞれ加熱で形成されていた。復帰ラインおよび底部排出ラインにも電気トレース加熱を施した。

塔の様々な高さにおける温度ならびに塔全体の頂部圧力および圧力降下を、測定記録システムを用いて測定した。塔は、入口および出口の流量計、ならびに復帰率の制御機構を有する流量計を有していた。この制御システムは、一定の復帰率を確保し、それは、一定の圧力差を確定するものでもあった。分割壁の供給部と除去部との間の分割壁上方の液体量を旋回漏斗によって周期的に分割した。

分割壁の供給部に対する塔の中間において、８０℃に予備加熱され、ニッケル含有触媒によるイソプレゴールの触媒水素化によって得られた、８５．１質量％のメントール、０．２質量％のイソプレゴール、３．４質量％ネオメントールおよび０．９８質量％のイソメントールおよび１．２５ＧＣ面積％のネオイソメントールを含む合成起源の１２０ｇ／時の液体の実質的にラセミのメントールを分割壁塔に連続的に供給した。さらに、１．５ＧＣ質量％の炭化水素フェニルシクロヘキサンが存在した。

得られた留分を、標準ＧＣを利用してガスクロマトグラフィーによって分析した。サンプル製造：（場合によって固化した）サンプルを約５０℃に溶融加熱し、トルエンに溶解させた。トルエン溶液をガスクロマトグラフに注入した。それに応じて、積分時に、トルエンピークを除外した。質量％測定に使用した内部標準は、ジエチレングリコールジエチルエーテルであった（質量はサンプル全量の１０％）。

ガスクロマトグラフィー分析を以下の方法に従って実施した。
５０ｍのＣＰ−Ｗａｘ ５２ ＣＢ、ＩＤ．：０．３２ｍｍ、ＦＤ．：１．２μｍ； インジェクタ：２００℃；検出器：２５０℃；８０℃−３℃／分−２００℃、−１０℃／分−２３０℃／１５分；
ｔ_R（ジエチルグリコールジエチルエーテル）：２３．０分；ｔ_R（イソプレゴール）：３０．０７分；ｔ_R（ネオメントール）：３１．０８分；ｔ_R（ネオイソメントール）：３２．５分；ｔ_R（メントール）：３２．８分；ｔ_R（イソメントール）：３３．８分、ｔ_R（フェニルシクロヘキサン）：３５．２分。

塔を１８ミリバールの頂部圧力および８５０ｇ／時の復帰率で動作させた。ここで、約３ミリバールの圧力降下を確定した。塔の頂部では１０１℃、底部では１０５℃の温度が測定された（±０．５Ｋ）。塔を、１５ｇ／時（±２ｇ／時）の底部分岐を用いて動作させ、留出物の除去をバランス制御システムによって５０ｇ／時（±５ｇ／時）に調整した。したがって、還流比は約１７：１であった。固体の形成を防止するために、塔のコンデンサを２５℃の温度とした。

液体を分割壁の上方にて３：４（供給部：除去部）の比率で分割した。分割壁の除去部の中間において、膜ポンプを利用して約５５ｇ／時（±５ｇ／時）の液体側方分岐（ｆ）を除去した。

側方分岐において得られた純粋な生成物は、９８．２質量％のメントール、ならびに０．１４質量％のネオメントールおよび０．９２ＧＣ質量％のイソメントールおよび０．２５ＧＣ面積％のネオイソメントールおよび約０．４５質量％のフェニルシクロヘキサンを含んでいた。純粋な生成物は、−０．９ｇｒｄ／（ｍｌ^*ｇ）の比旋光度を有していた（ＵＳＰ３０／ＮＦ２５「メントール」に従って測定）。

室温で液体の留出物は、７９．６質量％のメントール、０．６７ＧＣ質量％のイソプレゴール、６．９ＧＣ質量％のネオメントールおよび２．５ＧＣ面積％のネオイソメントールおよび３．０質量％のフェニルシクロヘキサンを含んでいた。底部では、８５．７質量％のメントールの他に、２．９質量％のイソメントールも測定された。

１ 上部共通塔領域、 １ａ，１ｂ 塔上部、 ２ 供給部、 ３ ストリッピング部、 ４ ストリッピング部、 ５ 整流部、 ６ 下部共通塔領域、 ６ａ，６ｂ 塔下部、 ａ ネラールおよびゲラニアール含有物質混合物、 ｂ 液体、 ｃ 気体、 ｆ 側方分岐、 ｇ 底部排出物、 ｉ 塔復帰流、 ｊ 蒸留分、 ｋ 排ガス流、 ｎ 側方分岐、 Ｔ 分割壁、 ＴＫ 分割壁塔、 ＶＨ 予備加熱器、 Ｋ コンデンサ、 ＤＢ 蒸留容器、 ＲＰ 復帰ポンプ、 ＵＰ 循環ポンプ、 ＳＶ 底部蒸発器

Claims (16)

1. メントールを製造するための方法であって、
   ａ．１）ネラールおよび／またはゲラニアールを触媒水素化してシトロネラールを得る工程と、
   ｂ．１）シトロネラールを酸性触媒の存在下で環化してイソプレゴールを得る工程と、
   ｃ．１）結晶化によってイソプレゴールを精製する工程と、
   ｄ．１）イソプレゴールを触媒水素化してメントールを得る工程と
   を含む方法であって、
   工程ｂ）による環化を、式（Ｉ）
   

   

   
   ［式中、
   Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴は、同一であり、または異なっており、それぞれの場合において互いに独立して、それぞれの場合において置換基Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−ペルフルオロアルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルコキシ、Ｃ₇−〜Ｃ₁₂−アラルキル、ハロゲン、−ＳｉＲ^5aＲ^6aＲ^7a、置換または無置換Ｃ₆−〜Ｃ₁₀−アリール、−ＮＲ^8aＲ^9a、−ＳＲ^10aおよび−ＮＯ₂の群から選択される１から７つの同一の、または異なる置換基を場合によって担持可能な、６から１５個の炭素原子を有するアリール基または２から１５個の炭素原子を有するヘテロアリール基であり、
   Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、同一であり、または異なっており、それぞれの場合において互いに独立して、水素、Ｃ₁−Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆―ペルフルオロアルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルコキシ、Ｃ₇−〜Ｃ₁₂−アラルキル、ハロゲン、−ＳｉＲ^5bＲ^6bＲ^7b、置換または無置換Ｃ₆−〜Ｃ₁₀−アリール、−ＮＲ^8bＲ^9b、−ＳＲ^10bおよび／または−ＮＯ₂であり、Ｒ¹もしくはＲ²および／またはＲ³もしくはＲ⁴は、Ａと一緒になって、芳香族または非芳香族環を形成することができ、
   Ａは、（１）飽和または一もしくは多不飽和および／または部分的芳香族であってよく、ヘテロ原子Ｏ、ＳおよびＮＲ¹¹の群から選択される１つまたは複数の同一の、または異なるヘテロ原子、および／または官能基Ｃ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）₂の群から選択される１つまたは複数の同一の、または異なる官能基を場合によって有することができ、置換基Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−ペルフルオロアルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルコキシ、Ｃ₁−〜Ｃ₁₀−アシルオキシ、Ｃ₇−〜Ｃ₁₂−アラルキル、ハロゲン、−ＳｉＲ^5cＲ^6cＲ^7c、置換または無置換Ｃ₆−〜Ｃ₁₀−アリール、置換または無置換Ｃ₂−〜Ｃ₁₀−ヘタリール、−ＮＲ^8cＲ^9c、−ＳＲ^10c、−ＮＯ₂、Ｃ₁−〜Ｃ₁₂−アシルおよびＣ₁−〜Ｃ₁₀−カルボキシの群から選択される１つまたは複数の同一の、または異なる置換基を場合によって担持可能な、１から２５個の炭素原子を有する直鎖もしくは分枝状および／または環式炭化水素基であり、あるいは
   （２）それぞれの場合において置換基Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−ペルフルオロアルキル、Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルコキシ、Ｃ₇−〜Ｃ₁₂−アラルキル、ハロゲン、−ＳｉＲ^5dＲ^6dＲ^7d、置換または無置換Ｃ₆−〜Ｃ₁₀−アリール、−ＮＲ^8dＲ^9d、−ＳＲ^10dおよび−ＮＯ₂の群から選択される１から５つの置換基を場合によって担持可能な、６から１５個の炭素原子を有するアリール基または２から１５個の炭素原子を有するヘテロアリール基であり、あるいは
   （３）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ¹¹）−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）₂−、−Ｐ（Ｒ¹¹）−、−（Ｒ¹¹）Ｐ（Ｏ）−およびＳｉ（Ｒ¹²Ｒ¹³）の群から選択される官能基またはヘテロ原子であり、
   基Ｒ^5a、Ｒ^6a、Ｒ^7a、Ｒ^8a、Ｒ^9a、Ｒ^10aからＲ^5d、Ｒ^6d、Ｒ^7d、Ｒ^8d、Ｒ^9d、Ｒ^10dおよびＲ¹¹からＲ¹³は、それぞれの場合において互いに独立して、Ｃ₁−〜Ｃ₆−アルキル、Ｃ₇−〜Ｃ₁₂−アラルキルおよび／または置換または無置換Ｃ₆−〜Ｃ₁₀−アリールであり、基Ｒ^8aおよびＲ^9a、Ｒ^8bおよびＲ^9b、Ｒ^8cおよびＲ^9c、Ｒ^8dおよびＲ^9dは、それぞれの場合において互いに独立して、一緒になって、Ｏ、ＳおよびＮＲ^11a基から選択される１つまたは複数の同一の、または異なるヘテロ原子を有しうる、２から８個の炭素原子を有する環式炭化水素基を形成することもでき、Ｒ^11aは、Ｒ¹¹について示されている意味を有しうる］のビス（ジアリールフェノール）配位子と、式（ＸＩＶ）
   （Ｒ¹⁴）_3-pＡｌＨ_p （ＸＩＶ）
   ［式中、
   Ａｌはアルミニウムであり、
   Ｒ¹⁴は、１から５個の炭素原子を有する分枝状または非分枝状アルキル基であり、
   ｐは、０または１から３の整数である］のアルミニウム化合物、および／または式（ＸＶ）
   ＭＡｌＨ₄ （ＸＶ）
   ［式中、
   Ａｌはアルミニウムであり、
   Ｍは、リチウム、ナトリウムまたはカリウムである］のアルミニウム化合物とを反応させることによって得られる触媒としてのジアリールフェノキシアルミニウム化合物の存在下で実施し、工程ｃ）によるイソプレゴールの精製を、溶融結晶化の形で実施し、かつ、ゲラニアールおよびネラールを含む混合物を蒸留分離して、高濃度の、または純粋なゲラニアールまたはネラールを得る工程０）をさらに含む前記方法。
2. 光学活性メントールを製造するための、
   ａ．２）ネラールおよび／またはゲラニアールを不斉触媒水素化して光学活性シトロネラールを得る工程と、
   ｂ．２）光学活性シトロネラールを酸性触媒の存在下で環化して、光学活性イソプレゴールを得る工程と、
   ｃ．２）光学活性イソプレゴールを結晶化によって精製する工程と、
   ｄ．２）光学活性イソプレゴールを触媒水素化して光学活性メントールを得る工程と
   を含む、請求項１に記載の方法。
3. 光学活性メントールおよびラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを製造するための、
   ａ．３）ネラールおよび／またはゲラニアールを不斉触媒水素化して、７０から９９％の範囲の鏡像異性体過剰の光学活性シトロネラールを得る工程と、
   ｂ．３）光学活性シトロネラールを酸性触媒の存在下で環化して、光学活性イソプレゴールを得る工程と、
   ｃ．３）光学活性イソプレゴールを結晶化によって精製して、鏡像異性体が豊富なイソプレゴールおよびラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールを得る工程と、
   ｄ．３）鏡像異性体が豊富な光学活性イソプレゴールを触媒水素化して光学活性メントールを得、ラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールを触媒水素化してラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを得る工程と
   を含む、請求項１または２に記載の方法。
4. Ｌ−（−）−メントールを製造するための、
   ａ．４）ネラールを不斉触媒水素化してＤ−（＋）−シトロネラールを得る工程と、
   ｂ．４）Ｄ−（＋）−シトロネラールを酸性触媒の存在下で環化して、Ｌ−（−）−イソプレゴールを得る工程と、
   ｃ．４）Ｌ−（−）−イソプレゴールを結晶化によって精製する工程と、
   ｄ．４）Ｌ−（−）−イソプレゴールを触媒水素化して、Ｌ−（−）−メントールを得る工程と
   を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
5. 鏡像異性体が豊富なＬ−（−）−メントールおよびラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを製造するための、
   ａ．５）ネラールを不斉触媒水素化して、鏡像異性体過剰が８０から９９％のＤ−（＋）−シトロネラールを得る工程と、
   ｂ．５）Ｄ−（＋）−シトロネラールを酸性触媒の存在下で環化して、Ｌ−（−）−イソプレゴールを得る工程と、
   ｃ．５）Ｌ−（−）−イソプレゴールを結晶化によって精製して、鏡像異性体が豊富なＬ−（−）−イソプレゴールおよびラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールを得る工程と、
   ｄ．５）鏡像異性体が豊富なＬ−（−）−イソプレゴールを触媒水素化して鏡像異性体が豊富なＬ−（−）−メントールを得、ラセミイソプレゴールまたは鏡像異性体が乏しいイソプレゴールを触媒水素化して、ラセミメントールまたは鏡像異性体が乏しいメントールを得る工程と
   を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
6. ゲラニアールおよびネラールを含む混合物の蒸留分離を、ネラールおよびゲラニアールを含む物質混合物からネラールの蒸留分離によって純粋な、または高濃度の形のネラールを製造するための連続的方法の形で実施し、該蒸留分離を、８０から２００個の理論分離段および１つまたは複数の側方取出点を有する分割壁塔または熱結合の形の２つの蒸留塔の相互連結体にて５から２００ミリバールの絶対動作圧力で実施することを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
7. ゲラニアールおよびネラールを含む混合物としてシトラールを使用することを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
8. 工程ａ）に従って、ネラールおよび／またはゲラニアールの不斉触媒水素化を、水素、および少なくとも１つの光学活性ホスフィン配位子を有するキラル遷移金属触媒の存在下で実施することを特徴とする、請求項２から７のいずれか一項に記載の方法。
9. 工程ａ）による不斉触媒水素化を、反応混合物に可溶であり、少なくとも１つの一酸化炭素配位子を有する光学活性遷移金属触媒の存在下で実施し、該触媒は、一酸化炭素および水素を含む気体混合物で前処理され、かつ／または該不斉水素化を、反応混合物に追加的に供給される一酸化炭素の存在下で実施することを特徴とする、請求項２から８のいずれか一項に記載の方法。
10. 工程ｂ）による環化を、ルイス酸アルミニウム含有触媒の存在下で実施することを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
11. 工程ｂ）による環化を、式（Ｉａ₂−３）
    

    

    
    のビス（ジアリールフェノール）配位子と、式（ＸＩＶ）のアルミニウム化合物および／または式（ＸＶ）のアルミニウム化合物とを反応させることによって得られる触媒としてのジアリールフェノキシアルミニウム化合物の存在下で実施することを特徴とする、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
12. 得られたイソプレゴールを、蒸留によって精製し、該精製を、３０から２００個の理論分離段および１つまたは複数の側方取出点を有する分割壁塔にて１０から５００ミリバールの絶対動作圧力で実施することを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 溶融結晶化を、静的層結晶化の形で実施することを特徴とする、請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
14. 工程ｄ）による触媒水素化を、式（ＸＸＩＶ）
    

    

    
    のラセミまたは光学活性メントールを、
    水素、ならびに
    − ＮｉＯ換算で３０から７０質量％のニッケルの酸素含有化合物、
    − ＺｒＯ₂換算で１５から４５質量％のジルコニウムの酸素含有化合物、
    − ＣｕＯ換算で５から３０質量％の銅の酸素含有化合物、および
    − ＭｏＯ₃換算で０．１から１０質量％のモリブデンの酸素含有化合物
    （質量％単位のデータは乾燥非還元触媒に基づく）を含む触媒の存在下での式（ＸＸ）
    

    

    
    のラセミまたは光学活性イソプレゴールの触媒水素化によって製造するための方法の形で実施することを特徴とする、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 得られた光学活性および／またはラセミメントールを、さらなる工程ｅ）の過程において蒸留によって精製することを特徴とする、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
16. ラセミおよび／または光学活性メントールの蒸留精製を、ラセミまたは光学活性メントールおよびメントールのジアステレオ異性体を含む物質混合物からの光学活性またはラセミメントールの蒸留分離によって実施し、該分離を、５０から３００個の理論分離段および１つまたは複数の側方取出点を有する分割壁塔にて５から５００ミリバールの絶対動作圧力で実施することを特徴とする、請求項１５に記載の方法。

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