JP4680313B2 - 複合銀ナノ粒子、複合銀ナノペースト、その製法、製造装置、接合方法及びパターン形成方法 - Google Patents
複合銀ナノ粒子、複合銀ナノペースト、その製法、製造装置、接合方法及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4680313B2 JP4680313B2 JP2009549977A JP2009549977A JP4680313B2 JP 4680313 B2 JP4680313 B2 JP 4680313B2 JP 2009549977 A JP2009549977 A JP 2009549977A JP 2009549977 A JP2009549977 A JP 2009549977A JP 4680313 B2 JP4680313 B2 JP 4680313B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- silver
- composite silver
- alcohol
- composite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 419
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 281
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 233
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims description 232
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims description 225
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 141
- 238000005304 joining Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 273
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 180
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 claims description 133
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 119
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 claims description 88
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 85
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 82
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 76
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 66
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 claims description 66
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 65
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 claims description 63
- LKZMBDSASOBTPN-UHFFFAOYSA-L silver carbonate Substances [Ag].[O-]C([O-])=O LKZMBDSASOBTPN-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 62
- ZXSQEZNORDWBGZ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydropyrrolo[2,3-b]pyridin-2-one Chemical compound C1=CN=C2NC(=O)CC2=C1 ZXSQEZNORDWBGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 229910001958 silver carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 56
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 55
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 28
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 24
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 23
- 150000004703 alkoxides Chemical group 0.000 claims description 22
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 22
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 14
- -1 unidecanol Natural products 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 9
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 claims description 7
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000013211 curve analysis Methods 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 101
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 79
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 65
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 33
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 29
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 29
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 28
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 18
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 16
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 13
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 12
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 8
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 7
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 7
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 6
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HLZKNKRTKFSKGZ-UHFFFAOYSA-N tetradecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCO HLZKNKRTKFSKGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 6
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 5
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M silver acetate Chemical compound [Ag+].CC([O-])=O CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229940071536 silver acetate Drugs 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 4
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 4
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 4
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000007524 organic acids Chemical group 0.000 description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 4
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- ORYURPRSXLUCSS-UHFFFAOYSA-M silver;octadecanoate Chemical compound [Ag+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O ORYURPRSXLUCSS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N trans-p-Menthane-1,8-diol Chemical compound CC(C)(O)C1CCC(C)(O)CC1 RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- BWVZAZPLUTUBKD-UHFFFAOYSA-N 3-(5,6,6-Trimethylbicyclo[2.2.1]hept-1-yl)cyclohexanol Chemical compound CC1(C)C(C)C2CC1CC2C1CCCC(O)C1 BWVZAZPLUTUBKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YAMJITULHOEKMI-UHFFFAOYSA-N B([O-])([O-])[O-].[Ag+3] Chemical compound B([O-])([O-])[O-].[Ag+3] YAMJITULHOEKMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001293 FEMA 3089 Substances 0.000 description 3
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 125000002587 enol group Chemical class 0.000 description 3
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical class O* 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229940043348 myristyl alcohol Drugs 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical group CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229940096017 silver fluoride Drugs 0.000 description 3
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- REYHXKZHIMGNSE-UHFFFAOYSA-M silver monofluoride Chemical compound [F-].[Ag+] REYHXKZHIMGNSE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 3
- FJOLTQXXWSRAIX-UHFFFAOYSA-K silver phosphate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[Ag+].[O-]P([O-])([O-])=O FJOLTQXXWSRAIX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229910000161 silver phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940019931 silver phosphate Drugs 0.000 description 3
- YPNVIBVEFVRZPJ-UHFFFAOYSA-L silver sulfate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[O-]S([O-])(=O)=O YPNVIBVEFVRZPJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000367 silver sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- FTNNQMMAOFBTNJ-UHFFFAOYSA-M silver;formate Chemical compound [Ag+].[O-]C=O FTNNQMMAOFBTNJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 3
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000012567 medical material Substances 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N octadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCO GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- 239000005968 1-Decanol Substances 0.000 description 1
- TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 2-cyanobenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1C#N TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021360 Myristic acid Nutrition 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N Myristic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJCWFDPJFXGQBN-RYNSOKOISA-N [(2R)-2-[(2R,3R,4S)-4-hydroxy-3-octadecanoyloxyoxolan-2-yl]-2-octadecanoyloxyethyl] octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC IJCWFDPJFXGQBN-RYNSOKOISA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N abietic acid Chemical compound C([C@@H]12)CC(C(C)C)=CC1=CC[C@@H]1[C@]2(C)CCC[C@@]1(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIKQEUJFZPCFNJ-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;silver Chemical compound [Ag].[Ag].OC(O)=O WIKQEUJFZPCFNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- SVOAENZIOKPANY-CVBJKYQLSA-L copper;(z)-octadec-9-enoate Chemical compound [Cu+2].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O SVOAENZIOKPANY-CVBJKYQLSA-L 0.000 description 1
- HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L copper;diformate Chemical compound [Cu+2].[O-]C=O.[O-]C=O HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000010946 fine silver Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N n-heptadecyl alcohol Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCO GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVBIMKHYBUACBU-CVBJKYQLSA-L nickel(2+);(z)-octadec-9-enoate Chemical compound [Ni+2].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O LVBIMKHYBUACBU-CVBJKYQLSA-L 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- KQTXIZHBFFWWFW-UHFFFAOYSA-L silver(I) carbonate Inorganic materials [Ag]OC(=O)O[Ag] KQTXIZHBFFWWFW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LLISFGHXLYQOBX-UHFFFAOYSA-M silver;hexanoate Chemical compound [Ag+].CCCCCC([O-])=O LLISFGHXLYQOBX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000001589 sorbitan tristearate Substances 0.000 description 1
- 235000011078 sorbitan tristearate Nutrition 0.000 description 1
- 229960004129 sorbitan tristearate Drugs 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- KJIOQYGWTQBHNH-UHFFFAOYSA-N undecanol Chemical compound CCCCCCCCCCCO KJIOQYGWTQBHNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/054—Nanosized particles
- B22F1/056—Submicron particles having a size above 100 nm up to 300 nm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/005—Separating solid material from the gas/liquid stream
- B01J8/006—Separating solid material from the gas/liquid stream by filtration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/054—Nanosized particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
- B22F1/102—Metallic powder coated with organic material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
- B22F1/107—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material containing organic material comprising solvents, e.g. for slip casting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/30—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with decomposition of metal compounds, e.g. by pyrolysis
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01002—Helium [He]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01007—Nitrogen [N]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01016—Sulfur [S]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01049—Indium [In]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0133—Ternary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
た。この国際公開公報には、金属塩から得られる粒径が1〜100nmの金属核の周囲に炭素数4以上のアルコール性水酸基を含む有機化合物からなる被覆層を形成した複合金属ナノ粒子が開示されている。しかも、吸着性を有する官能基を含む有機化合物として、炭素数6以上の高級アルコールが記載されている。
Ag2CO3→Ag2O+CO2 (150℃<T<210℃) (A)
Ag2O→2Ag+1/2O2 (T>400℃) (B)
まず、式(A)の反応が生起するが、式(B)の分解温度は400℃以上であり、200℃以下の金属化を達成できず、融点183℃のSn−Pb半田の代替品としても不適格である。しかも、銀核の結晶性は全く記載されておらず、電気伝導性と熱伝導性の良否の判定は全く不能である。
7.85≦(T+273)(20+logt)×10−3≦7.98 (C)
複合銀ナノ粒子の銀核粒径は1〜20nmであり、複合銀ナノ粒子自体の粒径はアルコール有機被覆層の厚み分だけ増大するが、炭素数が1〜12に制限されるから、その厚みはそれほど大きくない。炭素数が小さくなるほどその厚みも小さくなり、同時に銀核重量比が増大し、接合強度も強くなる性質を有する。
当初、本発明者は、低温焼成型の複合銀ナノ粒子を研究し、T3≦150℃又はT2≦150℃を満足する複合銀ナノ粒子を開発したが、更に研究を重ねてT3≦200℃の範囲の複合銀ナノ粒子を開発するに到ったものである。従来文献を検討しても、T3≦200℃の複合銀ナノ粒子は存在せず、本発明によりT3≦200℃の複合銀ナノ粒子が初めて実現したものである。
金属化温度T3が200℃以下の複合銀ナノ粒子の開発により、従来のSn−Pb半田の融点183℃に匹敵する高特性の代替半田を提供することに成功したものである。金属化温度T3が200℃以下であるから、製造装置や製造設備のコストも大幅に低減できる。従って、本発明の複合銀ナノ粒子は、プリント配線・導電性材料などの電子材料、磁気記録媒体・電磁波吸収体・電磁波共鳴器などの磁性材料、遠赤外材料・複合皮膜形成材などの構造材料、焼結助剤・コーティング材料などのセラミックス・金属材料、医療材料などの各種用途に適用できる。
本発明者は、2種類のCnAgAL(n=1〜12)の熱解析測定を実行し、第1種類ではT2−60≦T1≦T2、第2種類ではT2−90≦T1≦T2を結論として得た。これらを纏めて、本発明では、T2−100≦T1≦T2の不等式が成立することを確認したものである。
本発明の複合銀ナノ粒子は、以下の表記ではCnAgALと書かれる。n=1〜12に対応して、C1AgAL、C2AgAL、C3AgAL、C4AgAL、C5AgAL、C6AgAL、C7AgAL、C8AgAL、C9AgAL、C10AgAL、C11AgAL、C12AgALが存在する。その意味は、炭素数n=1〜12のアルコールから生成された複合銀ナノ粒子である。従って、C1はメタノール、C2はエタノール、C3はプロパノール、C4はブタノール、C5はペンタノール、C6はヘキサノール、C7はヘプタノール、C8はオクタノール、C9はノナノール、C10はデカノール、C11はウンデカノール、C12はドデカノールを意味している。n=偶数のアルコールは天然植物由来のアルコールであり、他方、n=奇数は化学合成アルコールであるから、n=偶数のアルコールは比較的安価であり、安価な複合銀ナノ粒子を提供できる。また、炭素数nが少なくなるに応じて銀核の重量比が高くなり、銀量の多い複合銀ナノ粒子を提供できる。
前記溶剤は複合銀ナノ粒子からなる粉体を分散させて溶液化する材料であり、例えばアルコール、アセトン、トルエン、キシレン、プロパノール、エーテル、石油エーテル、ベンゼンなどが利用できる。前記粘性付与剤は前記溶液に添加して塗着し易い粘性を付与する材料であり、例えばテレピンオイル、ターピネオール、メチルセルロース、エチルセルロース、ブチラール、各種テルペン誘導体、IBCH(イソボルニルシクロヘキサノール)、グリセリン、C14以上の常温で固形のアルコールなどが利用できる。テルペン誘導体としては1,8−テルピンモノアセテート、1,8−テルピンジアセテートなどがある。IBCHは松脂状、グリセリンはシロップ状、C14以上のアルコールは固液変化する性質を有し、10℃以下では非流動性を有する。前記非流動性粘性付与剤に本発明の複合銀ナノ粒子を混合分散させて非流動性ペーストにすれば、10℃以下の低温では複合銀ナノ粒子が分散状に固定されているから、複合銀ナノ粒子同士の凝集が生起しない。使用する直前に前記非流動性ペーストを加熱すれば流動化してペーストとして塗着可能になり、ペーストとしての機能を発揮できる。また、使用直前に前記非流動性ペーストに溶剤を添加すれば、加熱しなくても流動性ペーストになり、ペーストとしての機能を発揮できることは云うまでもない。
本発明の複合銀ナノ粒子は金属化温度T3が200℃以下であるから、前記溶剤及び/又は粘性付与剤の蒸発温度或いは分解温度は極力低く設定されることが望ましい。従って、ペーストの焼成温度は複合銀ナノ粒子の金属化温度だけでは決まらず、溶剤及び/又は粘性付与剤の蒸発温度や分解温度にも依存する。また、加熱により蒸発・分解気散する必要があり、炭化して残留するものは除かれる。また、使用形態として、溶剤だけ添加したペースト、粘性付与剤だけ添加したペースト、溶剤と粘性付与剤の両者を添加したペーストが利用できる。
本発明の複合銀ナノペーストのペースト分解開始温度Tp1(℃)、ペースト分解温度Tp2(℃)及びペースト金属化温度Tp3(℃)の定義は、前述した本発明の複合銀ナノ粒子における分解開始温度T1(℃)、分解温度T2(℃)及び金属化温度T3(℃)の定義と対応する。ただし、複合銀ナノペーストでは、複合銀ナノ粒子に溶剤及び/又は粘性付与剤が添加されているから、複合銀ナノ粒子が酸化分解される前に、溶剤及び/又は粘性付与剤の脱離や酸化分解が先行する。従って、TG曲線及びDTA曲線に溶剤及び/又は粘性付与剤の曲線が先行し、その後に複合銀ナノ粒子の曲線が後続する。つまり、TG曲線に出現する第1の急激な減少は、その微分曲線であるDTG曲線に最初の深い谷間を形成し、この谷間が復帰してDTG曲線がほぼゼロになった温度がペースト分解開始温度Tp1と判断できる。このTp1はDT曲線の第2の減少開始温度を与える。このペースト分解開始温度Tp1の後に、DTA曲線においてDTAピークが出現し、その最初に出現するDTA第1ピーク温度がペースト分解温度Tp2(℃)である。DTAピークの最後に出現する急峻な最終ピークは、有機被覆層が酸化分解された後に残留する裸の銀核同士が結合する結合エネルギーの放出ピークと考えられる。この最終ピークが落ちて横方向に折れる点がペースト金属化温度Tp3(℃)と定義される。これらのペースト温度は、Tp1≦Tp2≦Tp3の不等式を満足する。
前記昇温速度VTを1〜20(℃/min)の範囲だけ変化すると、ペースト分解開始温度Tp1は約50℃ほど増加し、ペースト分解温度Tp2は約65℃ほど増加し、ペースト金属化温度Tp3は約80℃ほど増加する傾向が見られる。従って、複合銀ナノペーストをVT=1(℃/min)で昇温しながらTp1、Tp2、Tp3を測定し、同じ複合銀ナノペーストをVT=20(℃/min)で測定すると、前記Tp1、Tp2、Tp3は夫々約50℃、約65℃、約80℃増加すると考えられる。しかし、これらの温度増加量は有機被覆層の炭素数に依存することは云うまでもなく、銀核粒径にも多少は依存すると考えられる。
T1(VT)≦Tp1(VT)≦T1(VT)+100 (P1)
T2(VT)≦Tp2(VT)≦T2(VT)+70 (P2)
T3(VT)≦Tp3(VT)≦T3(VT)+50 (P3)
本形態は(P3)式を表現したものである。この不等式により、複合銀ナノ粒子の特性温度T1、T2、T3を測定することによって、その複合銀ナノペーストの特性温度のTp1、Tp2、Tp3を推定することが可能になった。
アルコール溶液とは、銀塩とアルコールの混合液であり、アルコール量を増加させて、生成された複合銀ナノ粒子がアルコール中を浮遊する状態にすれば、相互の衝突確率が低減し、複合銀ナノ粒子の会合が阻止できる。また、大量のアルコール分子を前記銀塩微粒子の表面に吸着させ、表面反応を促進させる。アルコールの一般式はRnOH(Rnは炭化水素基)であり、Rnは疎水基で、OHは親水基であるから、考え方を変えればアルコールは界面活性作用を有した界面活性剤である。銀塩の多くはアルコール難溶性であるが、銀塩微粒子表面はアルコールのOH基が結合しやすい性質を有している。従って、銀塩微粒子はアルコールで取り囲まれ、銀塩微粒子の粒径が小さくなると安定な単分散コロイドになると云っても良い。銀塩微粒子の粒径が大きくなると、アルコール中を沈殿する可能性があるが、混合攪拌して一定時間分散状態にある場合には、その間に反応を完了させれば良い。
また、アルコール自体でも還元作用を有するが、アルコールは200℃以下の生成温度でもアルデヒドに容易に変化し、このアルデヒドは強力な還元作用を有する。つまり、前記銀塩微粒子の表面にアルコール及び/又はアルデヒドが作用して次第に銀が析出し、最終的には銀塩微粒子の全領域が還元されて銀核へと転化する。この銀核の周囲に、アルコールに由来するアルコール分子誘導体、アルコール分子残基、又はアルコール分子の一種以上からなる有機被覆層が形成されて複合銀ナノ粒子が生成される。生成温度PTを例えば200℃以下に設定すれば、金属化温度T3の低い複合銀ナノ粒子を生成できる。本発明では、生成温度PTを金属化温度T3(≦200℃)より低く設定して、低温焼成用の複合銀ナノ粒子を生成する。銀核の平均粒径は1〜20nmであるが、銀塩微粒子の微細化処理を徹底的に行えば、より小さな粒径の複合銀ナノ粒子を製造することができる。
本発明において使用される銀塩微粒子としては、無機銀塩と有機銀塩が利用でき、無機銀塩には炭酸銀、塩化銀、硝酸銀、リン酸銀、硫酸銀、ほう酸銀、フッ化銀などがあり、また有機銀塩にはギ酸銀、酢酸銀などの脂肪酸塩、スルホ酸塩、ヒドロキシ基・チオール基・エノール基の銀塩などがある。この中でもC、H、OとAgからなる銀塩又はC、OとAgからなる銀塩が好ましい。その理由は、P、S、Nといった原子は半導体やセラミックスに拡散して不純物となり物性を低下させる可能性があるからである。その観点から、炭酸銀(Ag2CO3)が最も好適である。アルコールを溶媒として用いるから、アルコールの還元力により、無機銀塩でも有機銀塩でも比較的低温で本発明の複合銀ナノ粒子が生成できる。無機銀塩はアルコールに難溶性であるが、有機銀塩はアルコールに溶解するものと難溶性のものがある。アルコール溶解性有機銀塩としては例えばアビチエン酸銀など極めて少数であり、無機銀塩と多くの有機銀塩はアルコール難溶性と考えてよい。アルコール溶解性銀塩はアルコールに分子レベルで溶解し、アルコールとの反応性が高められる。他方、アルコール難溶性銀塩は微粒子化してアルコールに混合分散され、その微粒子サイズがナノサイズにまで微細化されると、アルコール溶媒中に安定して分散し、アルコールとの反応性を高めることができる。
本製法では、アルコール質量は、銀塩質量よりもかなり過剰である。例えば、銀塩が炭酸銀の場合を例に取ると、通常の銀アルコキシドの生成は下記の式(D)で与えられる。
Ag2CO3+2RnOH→2RnOAg+CO2+H2O (D)
つまり、炭酸銀:アルコール=1モル:2モルであり、このモル比が化学量論比である。本製法では、アルコールのモル比を前記化学量論比よりかなり大きくして過剰アルコール溶液とする。この過剰度が高まるほど、生成された複合銀ナノ粒子が相互に衝突し難くなり、複合銀ナノ粒子の会合と凝集を阻止することができる。複合銀ナノ粒子が凝集して大きくなると、金属化温度T3が高くなり過ぎ、金属化温度T3を200℃以上にする可能性が有る。本製法では、過剰アルコール溶液にすることによって、初めて金属化温度T3を200以下に低下させることに成功した。
本装置は、銀塩微粒子をアルコール溶媒に混合させてアルコール溶液を調製する原料混合器と、前記アルコール溶液を加熱器により所定温度で所定時間だけ加熱して複合銀ナノ粒子を生成する反応器と、前記反応器から供給されるアルコール溶液を冷却する冷却器から基本的に構成される。この基本構成に、前記冷却器から供給されるアルコール溶液から複合銀ナノ粒子を分離する成分精製器を付設することもできる。前記反応器は、加熱装置と反応容器から構成され、前記加熱装置としては、誘導加熱装置・赤外線加熱装置・プラズマ加熱装置・レーザー加熱装置・超音波加熱装置・又はそれらの組合せ加熱装置が利用できる。本装置としては、連続製造装置でもバッチ式製造装置でもよく、そのため、前記原料混合器と前記反応器と前記冷却器と成分精製器が連続式、一部連続式又はバッチ式に接続される複合銀ナノ粒子の製造装置が提供できる。有する複合銀ナノ粒子の製造装置が提供される。本装置により、複合銀ナノ粒子を高速大量製造することが可能になり、Sn−Pb半田に替わる代替半田の量産装置を提供できる。前記原料混合器の中にビーズを投入して、原料混合器を原料微細化混合器とする場合も本形態に包含される。
11 原料混合器
12 超微細化容器
13 投入口
14 中心管
15 回転軸
16 回転翼
17 ビーズ
20 反応器
21 原料供給口
22 反応管
23 加熱器
24 生成領域
25 冷却器
26 冷却領域
27 生成吐出口
30 成分精製器
31 外管
32 中管
33 超微細孔
34 内管
35 微細孔
36 内通路
37 中通路
38 外通路
40 中間分離器
41 銀塩分離容器
42 アルコール分離容器
50 粉体回収器
51 スプレー
52 乾燥器
53 ミスト
54 ホッパー
55 回収管
56 粉体回収容器
HE 抽出溶媒
式(10)及び式(11)は、銀核とその周囲に形成される有機被覆層の構成式を示す。有機被覆層はアルコキシド基ORnの場合もあれば、カルボン酸Rn−1COOHの場合もある。勿論、カルボン酸(脂肪酸)からHが脱離したカルボン酸基Rn−1COOの場合も有る。従って、有機被覆層は、アルコキシド、アルコキシド基、カルボン酸、カルボン酸基、又はそれらの混合形も存在する。
表3は、C6AgALに関して、実験から得られた測定データ等を「低温生成反応におけるC6AgALの生成量」、「C6AgALの低温生成における各物質量の質量」及び「C6AgALの生成温度と特性温度の関係」として表にまとめたものである。「低温生成反応におけるC6AgALの生成量」には、表に示すように、各生成温度に対するC6AgALの生成時間及び生成量に関する詳細な実験データが記載されている。「C6AgALの低温生成における各物質量の質量」には、前記各生成温度(70℃、80℃、90℃、100℃、111.5℃)において、生成物に含まれる炭酸銀とC6AgALの質量比率とC6AgALに含まれる有機成分とAgの質量比率が記載されている。ここで、生成物又はC6AgALの全質量を1としている。「C6AgALの生成温度と特性温度の関係」には、前記各生成温度PT(℃)で生成されたC6AgALのTG減少開始温度T1(℃)、DTAピーク温度T2(℃)及び金属化温度T3(℃)が記載されている。
図9〜図11では、DTAピークが単一ピークであるが、図12〜図13では、DTAピークがダブルピークになっている。前述した様に、DTA第1ピークは急速に分解が生起する分解ピークであり、DTA最終ピーク、つまりDTA第2ピークは裸の銀核同士の結合エネルギーピークと考えると理解が容易になる。実際には、図9〜図11でも、DTA第1ピークとDTA第2ピークが存在するが、相互に接近しているため、オーバーラップにより単一ピークに見えているだけであると考える。
表4は、C8AgALの低温生成におけるプラズモン吸収とアルデヒド吸収の測定結果を記載したものである。反応管内の温度を上昇させながら各温度でサンプルを採取し、ナノ粒子プラズモンの吸収ピーク(波長:410nm)とアルデヒド吸収(波長:290nm)の光学濃度(O.D.)を測定している。反応時間は、各温度に到達するまでの時間であり、C8AgALの生成時間に相当する。また、ナノ粒子プラズモンのピーク位置は、ナノ粒子における表面プラズモンの共鳴エネルギーに相当する。
図15は、本発明に係るC10AgALの生成を示す光学濃度と表面プラズモン遷移領域の光子エネルギーの関係図である。C10AgALに関しても、実施例2と同様に、表面プラズモン遷移領域における光学測定を行っており、図に示すように、温度の上昇に伴うナノ粒子の表面プラズモンによる吸収強度の増大が測定されている。C10AgALの生成では、生成時間17分、生成温度81.9℃のスペクトルで表面プラズモンによる吸収が最大となっている。
図20は、126℃で生成されたC12AgALの透過電子顕微鏡図である。C12AgALに関しても透過型電子顕微鏡像を観察しており、その拡大図では、明確に銀ナノ粒子の格子像が見られており、高度に結晶化していることが分かる。この格子像から、ほぼ単結晶であると判断できる。この単結晶性により、本発明の複合銀ナノ粒子は高電気伝導性と高熱伝導性を有することが結論できる。
3000個の複合銀ナノ粒子の直径を測定し、平均粒径DをD=3±1(nm)と見積もっている。C12AgALの生成温度は、126℃と100℃を越えているが、D=3±1(nm)と極めて小さな粒径の複合銀ナノ粒子が得られている。
図22は、本発明に係る生成温度PT=59℃のC1AgALの熱解析図(VT=1℃/min)である。実施例1と同様に、TG及びDTAから分解開始温度T1(℃)、分解温度T2(℃)及び金属化温度T3(℃)が、T1=70℃、T2=123℃、T3=141℃と見積もられている。C1AgALにおいても、100℃以下でC1AgALが生成されると共に、150℃以下で有機被膜層等の有機成分が分解され、更に金属化されることが分かる。T2−T1=53(℃)であるから、TG減少開始温度T1はDTAピーク温度T2の下方60℃以内にあることが分かった。前記60℃はこの53℃を含む境界値として設定されたものである。C1AgALのように、炭素数が小さな複合銀ナノ粒子の場合、銀の含有比率が高く、有機成分の少ない代替半田材料やパターン材料の金属素材として用いることができる。
図23は、本発明に係る生成温度PT=65℃のC2AgALの熱解析図(VT=1℃/min)である。図に示すように、炭素数が小さなC2AgALにおいても、TG及びDTAから分解開始温度T1(℃)、分解温度T2(℃)及び金属化温度T3(℃)が測定され、T1=109℃、T2=111℃、T3=115℃と見積もられた。したがって、100℃以下で生成されたC2AgALは、150℃以下でその有機被膜層等の有機成分が分解され、金属化することが実験的に確かめられた。また、T2−T1=2(℃)であるから、TG減少開始温度T1はDTAピーク温度T2の下方60℃以内にあることが分かった。
図25は、本発明に係る生成温度PT=80℃のC4AgALの熱解析図である。C4AgALにおいても、TG及びDTAから分解開始温度T1(℃)、分解温度T2(℃)及び金属化温度T3(℃)が測定され、T1=103℃、T2=120℃、T3=122℃と見積もられた。以上から、100℃以下で生成されたC4AgALは、150℃以下でその有機被膜層等の有機成分が分解され、金属化することが実験的に確かめられている。また、T2−T1=17(℃)であるから、TG減少開始温度T1はDTAピーク温度T2の下方60℃以内にあることも確認された。
生成温度PT=88℃のC3AgALについて熱解析を行なった。TG及びDTAから分解開始温度T1(℃)、分解温度T2(℃)及び金属化温度T3(℃)が測定され、T1=112℃、T2=129℃、T3=132℃が得られた。従って、100℃以下で生成されたC3AgALは、150℃以下でその有機被膜層等の有機成分が分解され、金属化することが実験的に確かめられた。また、T2−T1=17(℃)であるから、TG減少開始温度T1はDTAピーク温度T2の下方60℃以内にあることが分かった。更に、高分解能透過型電子顕微鏡によりC3AgAL粒子の銀核にも格子像が観察された。前述と同様であるから、TG・DTA曲線と電子顕微鏡図は省略する。
生成温度PT=89℃のC5AgALについて熱解析を行なった。TG及びDTAから分解開始温度T1(℃)、分解温度T2(℃)及び金属化温度T3(℃)が測定され、T1=117℃、T2=134℃、T3=138℃が得られた。従って、100℃以下で生成されたC5AgALは、150℃以下でその有機被膜層等の有機成分が分解され、金属化することが実験的に確かめられた。T2−T1=17(℃)であるから、TG減少開始温度T1はDTAピーク温度T2の下方60℃以内にあることが分かった。また、高分解能透過型電子顕微鏡によりC5AgAL粒子の銀核にも格子像が観察された。前述と同様であるから、TG・DTA曲線と電子顕微鏡図は省略する。
生成温度PT=92℃のC7AgALについて熱解析を行なった。TG及びDTAから分解開始温度T1(℃)、分解温度T2(℃)及び金属化温度T3(℃)が測定され、T1=120℃、T2=135℃、T3=141℃が得られた。これから、100℃以下で生成されたC7AgALは、150℃以下でその有機被膜層等の有機成分が分解され、金属化することが実験的に確かめられた。T2−T1=15(℃)であるから、TG減少開始温度T1はDTAピーク温度T2の下方60℃以内にあることが分かった。また、高分解能透過型電子顕微鏡によりC7AgAL粒子の銀核にも格子像が観察された。前述と同様であるから、TG・DTA曲線と電子顕微鏡図は省略する。
生成温度PT=94℃のC9AgALについて熱解析を行なった。TG及びDTAから分解開始温度T1(℃)、分解温度T2(℃)及び金属化温度T3(℃)が測定され、T1=124℃、T2=138℃、T3=144℃が得られた。これから、100℃以下で生成されたC9AgALは、150℃以下でその有機被膜層等の有機成分が分解され、金属化することが実験的に確かめられた。T2−T1=14(℃)であるから、TG減少開始温度T1はDTAピーク温度T2の下方60℃以内にあることが分かった。また、高分解能透過型電子顕微鏡によりC9AgAL粒子の銀核にも格子像が観察された。前述と同様であるから、TG・DTA曲線と電子顕微鏡図は省略する。
生成温度PT=98℃のC11AgALについて熱解析を行なった。TG及びDTAから分解開始温度T1(℃)、分解温度T2(℃)及び金属化温度T3(℃)が測定され、T1=127℃、T2=141℃、T3=148℃が得られた。これから、100℃以下で生成されたC11AgALは、150℃以下でその有機被膜層等の有機成分が分解され、金属化することが実験的に確かめられた。T2−T1=14(℃)であるから、TG減少開始温度T1はDTAピーク温度T2の下方60℃以内にあることが分かった。また、高分解能透過型電子顕微鏡によりC11AgAL粒子の銀核にも格子像が観察された。前述と同様であるから、TG・DTA曲線と電子顕微鏡図は省略する。
次に、本発明により生成された複合銀ナノ粒子を用いて複合銀ナノペーストを作成した。C1〜C12のCnAgALの夫々から次の3種類のペーストを作成した。(1)CnAgAL+粘性付与剤、(2)CnAgAL+溶剤+粘性付与剤、(3)CnAgAL+銀粒子+溶剤+粘性付与剤。CnAgALの少なくとも一つは実施例1〜12に示された金属化温度T3を有し、CnAgALの残りは金属化温度T3が前記実施例の金属化温度T3とやや異なるものが用いられている。しかし、金属化温度T3は全て150℃以下のものが選択されている。銀粒子の粒径は0.4μmと1.0μmの2種類が使用された。溶剤は、メタノール、エタノール、ブタノール、キシレン、トルエン、ヘキサンから選択された。粘性付与剤は、テレピンオイル、ターピネオール、テルピン誘導体(1,8−テルピンモノアセテートと1,8−テルピンジアセテートの混合物)、メチルセルロースから選択された。メチルセルロースは粉体であり、必ず溶剤と併用される。銀粒子の粒径、溶剤の種類、粘性付与剤の種類、各成分のmass%及び大気中ペースト焼成温度は表12及び表13に記載された通りである。C1〜C12のCnAgALの金属化温度T3(℃)と実際の大気中ペースト焼成温度(℃)が表12及び表13に記載されている。
半導体チップを上体とし、回路基板を下体として接合試験を行った。半導体チップの電極端を回路基板のスルーホールに挿入し、両者間の接触部に実施例011〜実施例123の複合銀ナノペーストを塗着して、36種のペースト試験体を得た。その後、前記塗着部を表12及び表13に記載のペースト焼成温度で局所的に加熱して、前記塗着部を金属化させ、接合を完了した。冷却した後、光学顕微鏡により、前記接合部の外観を検査したところ、36種の試験体で問題はなかった。電気導通試験と電気抵抗測定を行なったが、代替半田として有効に機能していることが確認された。前記36種類の接合試験から、本発明に係る複合銀ナノペーストは代替半田として工業的に利用できることが分かった。
耐熱ガラス基板を基体とし、この基体上に実施例011〜実施例123の複合銀ナノペーストをスクリーン印刷して、所定パターンのペーストパターンを形成した36種類の試験体を得た。その後、前記試験体を電気炉により表12及び表13に記載の大気中ペースト焼成温度で加熱して、前記ペーストパターンから銀パターンを形成した。冷却した後、光学顕微鏡により、前記銀パターンの表面を検査したところ、36種の試験体で問題はなかった。前記36種類のパターン形成試験から、本発明に係る複合銀ナノペーストは銀パターン形成用材料として工業的に利用できることが分かった。
前述したように、第1実施形態のCnAgAL(n=1〜12)に対して熱解析を行なって、表10、図29及び図30の特性温度の一覧を得た。この点を更に検討するため、本発明者は別の複合銀ナノ粒子CnAgAL(n=1〜12)に対して、第2実施形態として、特性温度の一覧を得る実験を行なった。
Claims (24)
- 銀原子の集合体からなる平均粒径が1〜20nmの範囲にある銀核の周囲に、炭素数が1〜12のアルコール分子から誘導生成されるアルコール分子誘導体、アルコール分子の切断残基であるアルコール分子残基、又はアルコール分子の一種以上からなる有機被覆層を形成した複合銀ナノ粒子であって、前記複合銀ナノ粒子は、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウニデカノール、ドデカノールからなる炭素数が1〜12のアルコールのいずれかのアルコール溶媒中に微細化した炭酸銀微粒子を混合してアルコール溶液を調製し、前記アルコール溶液を反応器中でアルデヒドが生成する生成温度PTで60分以内だけ加熱して、アルコール及び/又は生成したアルデヒドにより、前記炭酸銀微粒子を還元して平均粒径が1〜20nmの銀核を形成したことによって得られたことを特徴とする複合銀ナノ粒子。
- 前記複合銀ナノ粒子を昇温速度VTが1〜20(℃/min)の範囲で熱重量測定(TG)及び示差熱分析(DTA)により大気中熱分析した場合に、TG曲線の減少開始温度である前記有機被覆層の分解開始温度T1(℃)とDTA曲線のピーク温度である前記有機被覆層の分解反応がピークに達する分解温度T2(℃)とDTA曲線のピークが低下しきった温度である前記銀核同士が結合して銀化が完了する金属化温度T3(℃)が前記昇温速度VTの増加に従って増加する請求項1に記載の複合銀ナノ粒子。
- 前記複合銀ナノ粒子が複数個凝集して凝集体を形成した請求項1又は2に記載の複合銀ナノ粒子。
- 前記有機被覆層がアルコキシド、カルボン酸又はそれらの混合である請求項1又は2に記載の複合銀ナノ粒子。
- 前記複合銀ナノ粒子を昇温速度VT=1℃/minで大気中熱分析した場合に、前記示差熱分析(DTA)から得られる前記金属化温度T3(℃)が200℃以下である請求項1〜4のいずれかに記載の複合銀ナノ粒子。
- 前記複合銀ナノ粒子を昇温速度VT=1(℃/min)で大気中熱分析した場合に、前記分解開始温度T1(℃)と前記分解温度T2(℃)の関係が、T2−100≦T1≦T2である請求項1〜5のいずれかに記載の複合銀ナノ粒子。
- 前記複合銀ナノ粒子を生成する前記生成温度PT(℃)が前記金属化温度T3(℃)より小さい請求項5又は6に記載の複合銀ナノ粒子。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の複合銀ナノ粒子を少なくとも含有し、溶剤及び/又は粘性付与剤を添加したことを特徴とする複合銀ナノペースト。
- 純銀微粒子を配合した請求項8に記載の複合銀ナノペースト。
- 前記複合銀ナノペーストを昇温速度VTが1〜20(℃/min)の範囲で熱重量測定(TG)及び示差熱分析(DTA)により大気中熱分析した場合に、TG曲線及びDTA曲線において前記溶剤及び/又は前記粘性付与剤の曲線が先行し、その後に前記複合銀ナノ粒子の曲線が後続し、前記有機被覆層の分解開始に伴う前記TG曲線の減少開始温度であるペースト分解開始温度Tp1(℃)、このペースト分解開始温度Tp1の後にDTA曲線の最初に出現するDTA第1ピーク温度である前記有機被覆層の分解反応がピークに達するペースト分解温度Tp2(℃)及び前記DTA曲線の最後に出現する最終ピークが落ちて横方向に折れる温度である前記銀核同士が結合して銀化が完了するペースト金属化温度Tp3(℃)が前記昇温速度VTの増加に従って増加する請求項8又は9に記載の複合銀ナノペースト。
- 前記複合銀ナノ粒子及び前記複合銀ナノペーストを昇温速度VT=1〜20(℃/min)で大気中熱分析した場合に、夫々の分解開始温度をT1(℃)及びTp1(℃)としたとき、T1≦Tp1≦T1+100が成立する請求項10に記載の複合銀ナノペースト。
- 前記複合銀ナノ粒子及び前記複合銀ナノペーストを昇温速度VT=1〜20(℃/min)で大気中熱分析した場合に、夫々の分解温度をT2(℃)及びTp2(℃)としたとき、T2≦Tp2≦T2+70が成立する請求項10又は11に記載の複合銀ナノペースト。
- 前記複合銀ナノ粒子及び前記複合銀ナノペーストを昇温速度VT=1〜20(℃/min)で大気中熱分析した場合に、夫々の金属化温度をT3(℃)及びTp3(℃)としたとき、T3≦Tp3≦T3+50が成立する請求項10、11又は12に記載の複合銀ナノペースト。
- 銀原子の集合体からなる平均粒径が1〜20nmの範囲にある銀核の周囲に、炭素数が1〜12のアルコール分子から誘導生成されるアルコール分子誘導体、アルコール分子の切断残基であるアルコール分子残基、又はアルコール分子の一種以上からなる有機被覆層を形成した複合銀ナノ粒子の製法であって、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウニデカノール、ドデカノールからなる炭素数が1〜12のアルコールのいずれかのアルコール溶媒中に微細化した炭酸銀微粒子を混合してアルコール溶液を調製し、前記アルコール溶液は、前記アルコール溶媒が前記炭酸銀微粒子のモル数よりも過剰に添加された過剰アルコール溶液であり、前記アルコール溶液を反応器中でアルデヒドが生成する生成温度PTで60分以内だけ加熱して、アルコール及び/又は生成したアルデヒドにより、前記炭酸銀微粒子を還元して平均粒径が1〜20nmの銀核を形成し、前記銀核の周囲に前記有機被覆層を形成することを特徴とする複合銀ナノ粒子の製法。
- 前記炭酸銀微粒子が前記アルコール溶媒に分散又は溶解している請求項14に記載の複合銀ナノ粒子の製法。
- 前記複合銀ナノ粒子を昇温速度VT=1(℃/min)で示差熱分析(DTA)により大気中熱分析したとき、DTA曲線のピークが低下しきった温度である前記銀核同士が結合して銀化が完了する金属化温度T3(℃)が200℃以下である請求項14又は15に記載の複合銀ナノ粒子の製法。
- 前記生成温度PT(℃)が前記金属化温度T3(℃)より小さい請求項16に記載の複合銀ナノ粒子の製法。
- 前記複合銀ナノ粒子の生成後に前記アルコール溶液を冷却して生成反応を停止させる請求項14〜17のいずれかに記載の複合銀ナノ粒子の製法。
- 前記炭酸銀微粒子は粒径が10nm〜1000nmの範囲になるまで微細化処理される請求項14〜18のいずれかに記載の複合銀ナノ粒子の製法。
- 前記過剰アルコール溶液における前記アルコール溶媒の炭酸銀微粒子に対するモル比は5〜100の範囲に調整される請求項14〜19のいずれかに記載の複合銀ナノ粒子の製法。
- 前記複合銀ナノ粒子をアルコール湿式状態又は粉体として回収する請求項14〜20のいずれかに記載の複合銀ナノ粒子の製法。
- 銀原子の集合体からなる平均粒径が1〜20nmの範囲にある銀核の周囲に、炭素数が1〜12のアルコール分子から誘導生成されるアルコール分子誘導体、アルコール分子の切断残基であるアルコール分子残基、又はアルコール分子の一種以上からなる有機被覆層を形成した複合銀ナノ粒子の製造装置であって、微細化された炭酸銀微粒子を供給する手段と、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウニデカノール、ドデカノールからなる炭素数が1〜12のアルコール溶媒を供給する手段と、前記炭酸銀微粒子を前記アルコール溶媒に混合したアルコール溶液を供給される反応器と、前記アルコール溶液を前記反応器中でアルデヒドが生成する生成温度PTで60分以内だけ加熱して、アルコール及び/又は生成したアルデヒドにより、前記炭酸銀微粒子を還元して前記複合銀ナノ粒子を生成する加熱器と、前記アルコール溶液を冷却する冷却器を有し、前記アルコール溶液から前記複合銀ナノ粒子を分離することを特徴とする複合銀ナノ粒子の製造装置。
- 請求項8〜13のいずれかに記載の複合銀ナノペーストを用意し、前記複合銀ナノペーストを下体と上体の接触部に塗着してペースト層を形成し、加熱により前記ペースト層を銀化して前記下体と前記上体を接合することを特徴とする接合方法。
- 請求項8〜13のいずれかに記載の複合銀ナノペーストを用意し、前記複合銀ナノペーストを基体の面上に所定パターンに塗着してペーストパターンを形成し、加熱により前記ペーストパターンを銀化して銀パターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2008/050558 WO2009090748A1 (ja) | 2008-01-17 | 2008-01-17 | 複合銀ナノ粒子、その製法及び製造装置 |
JPPCT/JP2008/050558 | 2008-01-17 | ||
JPPCT/JP2008/054971 | 2008-03-18 | ||
PCT/JP2008/054971 WO2009116136A1 (ja) | 2008-03-18 | 2008-03-18 | 複合銀ナノペースト、その製法及びナノペースト接合方法 |
JPPCT/JP2008/061822 | 2008-06-30 | ||
PCT/JP2008/061822 WO2009090767A1 (ja) | 2008-01-17 | 2008-06-30 | 複合銀ナノ粒子、複合銀ナノペースト、その製法、製造装置、接合方法及びパターン形成方法 |
PCT/JP2008/062238 WO2009116185A1 (ja) | 2008-03-18 | 2008-07-04 | 複合銀ナノペースト、その製法、接合方法及びパターン形成方法 |
JPPCT/JP2008/062238 | 2008-07-04 | ||
PCT/JP2008/073660 WO2009090846A1 (ja) | 2008-01-17 | 2008-12-25 | 複合銀ナノ粒子、複合銀ナノペースト、その製法、製造装置、接合方法及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4680313B2 true JP4680313B2 (ja) | 2011-05-11 |
JPWO2009090846A1 JPWO2009090846A1 (ja) | 2011-05-26 |
Family
ID=42813479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009549977A Active JP4680313B2 (ja) | 2008-01-17 | 2008-12-25 | 複合銀ナノ粒子、複合銀ナノペースト、その製法、製造装置、接合方法及びパターン形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8348134B2 (ja) |
EP (1) | EP2298471B1 (ja) |
JP (1) | JP4680313B2 (ja) |
KR (1) | KR101222304B1 (ja) |
CN (1) | CN101990474B (ja) |
WO (3) | WO2009090748A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013145258A1 (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 株式会社応用ナノ粒子研究所 | 銅フィラー含有複合ナノ金属ペースト及び接合方法 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011155055A1 (ja) | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 低温焼結性接合材および該接合材を用いた接合方法 |
US8895962B2 (en) | 2010-06-29 | 2014-11-25 | Nanogram Corporation | Silicon/germanium nanoparticle inks, laser pyrolysis reactors for the synthesis of nanoparticles and associated methods |
JP5683256B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2015-03-11 | 三菱製紙株式会社 | 銀ナノワイヤの製造方法 |
KR101296327B1 (ko) * | 2010-12-29 | 2013-08-14 | 포항공과대학교 산학협력단 | 표면 개질된 금속 나노입자 및 그 용도 |
JP2013036053A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-21 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 金属複合超微粒子の製造方法 |
JP2013044016A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 金属複合超微粒子の製造方法 |
JP5777981B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2015-09-16 | 日本合成化学工業株式会社 | 金属複合超微粒子の製造方法 |
US8882934B2 (en) | 2011-09-02 | 2014-11-11 | Mitsubishi Materials Corporation | Solder powder, and solder paste using solder powder |
JP5788281B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-09-30 | 日本合成化学工業株式会社 | 金属複合超微粒子の製造方法 |
KR101444738B1 (ko) * | 2011-11-21 | 2014-09-30 | 한화케미칼 주식회사 | 태양전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 |
JP5976684B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2016-08-24 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 接合材およびそれを用いた接合方法 |
JP2013159830A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Toyota Central R&D Labs Inc | 表面被覆金属ナノ粒子、およびその製造方法 |
JP5410643B1 (ja) | 2012-02-20 | 2014-02-05 | 株式会社応用ナノ粒子研究所 | 酸素供給源含有複合ナノ金属ペースト及び接合方法 |
US9475695B2 (en) | 2013-05-24 | 2016-10-25 | Nanogram Corporation | Printable inks with silicon/germanium based nanoparticles with high viscosity alcohol solvents |
US10427220B2 (en) | 2013-07-11 | 2019-10-01 | Applied Nanoparticle Laboratory Corporation | Nanoparticle production method, production device and automatic production device |
WO2015053193A1 (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-16 | 古河電気工業株式会社 | 接合構造および電子部材接合構造体 |
KR101886263B1 (ko) | 2014-02-27 | 2018-08-07 | 더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티 | 구리 나노 입자 및 그 제조 방법, 구리 나노 입자 분산액, 구리 나노 잉크, 구리 나노 입자의 저장 방법 및 구리 나노 입자의 소결 방법 |
CN105531818B (zh) | 2014-03-11 | 2019-07-05 | 富士电机株式会社 | 半导体装置的制造方法以及半导体装置 |
JP6373066B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2018-08-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 接合材およびそれを用いた接合方法 |
JP6587631B2 (ja) * | 2014-11-12 | 2019-10-09 | ハリマ化成株式会社 | 導電性ペースト |
JP6542798B2 (ja) * | 2014-11-21 | 2019-07-10 | 日清エンジニアリング株式会社 | 銀微粒子 |
JP5953361B2 (ja) * | 2014-12-10 | 2016-07-20 | 株式会社伊東化学研究所 | ナノ接合剤用ナノ粒子 |
JP5950427B1 (ja) * | 2015-06-12 | 2016-07-13 | 株式会社フェクト | 銀鏡膜層形成用組成液の製造方法及び銀鏡膜層の形成方法 |
KR20170011663A (ko) | 2015-07-23 | 2017-02-02 | 덕산하이메탈(주) | 발열 및 비정질 특성을 갖는 솔더 분말 제조 방법, 솔더 페이스트 제조 방법 및 솔더 페이스트를 이용한 저온 접합 방법 |
JP6920029B2 (ja) | 2016-04-04 | 2021-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 金属粉焼結ペースト及びその製造方法、導電性材料の製造方法 |
JP6770277B2 (ja) * | 2017-01-30 | 2020-10-14 | 株式会社日本スペリア社 | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 |
JP6927490B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-09-01 | 株式会社応用ナノ粒子研究所 | 放熱構造体 |
CN107538148B (zh) * | 2017-08-14 | 2020-07-28 | 武汉工程大学 | 一种复合纳米银焊膏及其应用 |
CN107538147A (zh) * | 2017-08-14 | 2018-01-05 | 武汉工程大学 | 一种复合纳米银焊料及由其制备而成的连接件 |
KR101888526B1 (ko) | 2017-08-28 | 2018-08-14 | 덕산하이메탈(주) | 발열 및 비정질 특성을 갖는 솔더 분말 제조 방법, 솔더 페이스트 제조 방법 및 솔더 페이스트를 이용한 저온 접합 방법 |
JP7075785B2 (ja) * | 2018-03-08 | 2022-05-26 | スタンレー電気株式会社 | 回路基板、電子回路装置、および、回路基板の製造方法 |
CN111558728B (zh) * | 2020-05-13 | 2022-12-27 | 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) | 一种多尺寸复合的纳米银膏及其制备方法 |
CN112117205B (zh) * | 2020-09-15 | 2024-01-16 | 桂林航天工业学院 | 一种锡基钎料封装焊点的制备方法 |
CN113056088B (zh) * | 2021-03-02 | 2021-09-03 | 福建钰辰微电子有限公司 | 高性能柔性电路板 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001070435A1 (fr) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Ebara Corporation | Particules metalliques composites ultrafines |
JP2004107728A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Ebara Corp | 接合材料及び接合方法 |
JP2005213648A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-08-11 | Commiss Energ Atom | 有機コーティング層を有する無機ナノ結晶、それらの製造方法、および前記ナノ結晶により構成される材料 |
JP2007191789A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-08-02 | Fujifilm Corp | コア/シェル型粒子およびその製造方法 |
JP2007254841A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Nagaoka Univ Of Technology | 表面に有機物被膜を形成した金属超微粒子の製造方法及び該製造方法に使用する製造装置 |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3063564A (en) * | 1960-02-24 | 1962-11-13 | Detrex Chem Ind | Centrifugal extractor |
FR2668076B1 (fr) * | 1990-10-18 | 1993-04-30 | Kodak Pathe | Procede de separation de constituants solides d'une suspension et dispositif de mise en óoeuvre du procede. |
JPH06163234A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Kao Corp | 表面処理磁性粉の製造方法及び磁気記録媒体用塗膜 |
JP3429958B2 (ja) * | 1996-08-28 | 2003-07-28 | 三井金属鉱業株式会社 | 銀コロイド液の製造方法 |
US5792351A (en) * | 1996-09-26 | 1998-08-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Spinning filter separation system for oil spill clean-up operation |
JP3205793B2 (ja) | 1996-12-19 | 2001-09-04 | 株式会社巴製作所 | 超微粒子及びその製造方法 |
EP1007308B1 (en) * | 1997-02-24 | 2003-11-12 | Superior Micropowders LLC | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
JP4732645B2 (ja) * | 1999-06-15 | 2011-07-27 | 丸山 稔 | 金属複合超微粒子の製造方法 |
US6486413B1 (en) * | 1999-11-17 | 2002-11-26 | Ebara Corporation | Substrate coated with a conductive layer and manufacturing method thereof |
US6599356B2 (en) * | 2000-06-28 | 2003-07-29 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing pigment dispersed liquid, and pigment dispersed liquid, and ink for ink-jet printer recording using said pigment dispersed liquid |
JP3900248B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-04-04 | ハリマ化成株式会社 | 多層配線板およびその形成方法 |
WO2002096262A2 (en) * | 2001-05-25 | 2002-12-05 | Northwestern University | Non-alloying core shell nanoparticles |
US6951666B2 (en) * | 2001-10-05 | 2005-10-04 | Cabot Corporation | Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features |
US7553512B2 (en) * | 2001-11-02 | 2009-06-30 | Cabot Corporation | Method for fabricating an inorganic resistor |
JP2003342605A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-12-03 | Akio Komatsu | 超微粒子、超微粒子結晶膜及び超微粒子結晶の製造方法 |
US6713241B2 (en) * | 2002-08-09 | 2004-03-30 | Eastman Kodak Company | Thermally developable emulsions and imaging materials containing binder mixture |
US6878184B1 (en) * | 2002-08-09 | 2005-04-12 | Kovio, Inc. | Nanoparticle synthesis and the formation of inks therefrom |
US6630291B1 (en) * | 2002-08-21 | 2003-10-07 | Eastman Kodak Company | Thermally sensitive imaging materials containing phthalazine precursor |
WO2004026526A1 (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-01 | Ebara Corporation | Bonding material and bonding method |
JP2005157190A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 有機銀塩粒子の製造方法及び熱現像画像記録材料 |
JP2005165006A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 有機銀塩粒子の製造方法及び銀塩光熱写真ドライイメージング材料 |
JP4949041B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2012-06-06 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 磁性ナノ粒子によって促進されたバイオプロセス |
JP4020948B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2007-12-12 | 株式会社荏原製作所 | 複合型ナノ粒子の製造方法 |
KR20060128997A (ko) * | 2004-02-04 | 2006-12-14 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 복합형 나노입자 및 그 제조방법 |
US7524351B2 (en) * | 2004-09-30 | 2009-04-28 | Intel Corporation | Nano-sized metals and alloys, and methods of assembling packages containing same |
KR100633695B1 (ko) * | 2004-12-08 | 2006-10-11 | 제일모직주식회사 | 초대입경 마블칩을 함유한 인조 대리석의 제조방법 |
WO2006076610A2 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Controlling ink migration during the formation of printable electronic features |
JP4301247B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2009-07-22 | 昭栄化学工業株式会社 | 球状銀粉末の製造方法 |
TWI285568B (en) * | 2005-02-02 | 2007-08-21 | Dowa Mining Co | Powder of silver particles and process |
JP4801958B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2011-10-26 | 東海ゴム工業株式会社 | 導電性ペースト |
JP5177339B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2013-04-03 | 関東化学株式会社 | 金属ナノ粒子、それを含む触媒及びアルキン化合物の水素化方法 |
JP2007204778A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Ebara Corp | 接合材料 |
JP2007238979A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Daiken Kagaku Kogyo Kk | 金属粉体、その製造方法及び導体用ペースト |
WO2008001518A1 (fr) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition de fabrication d'une électrode dans une cellule solaire, procédé de fabrication de l'électrode, et cellule solaire utilisant une électrode obtenue par le procédé de fabrication |
JP2008077048A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-04-03 | Fujifilm Corp | 熱現像感光材料 |
US20080152534A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Jingwu Zhang | Self-assembling raman-active nanoclusters |
JP4872663B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2012-02-08 | 株式会社日立製作所 | 接合用材料及び接合方法 |
JP4873160B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2012-02-08 | トヨタ自動車株式会社 | 接合方法 |
US20090181183A1 (en) * | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Xerox Corporation | Stabilized Metal Nanoparticles and Methods for Depositing Conductive Features Using Stabilized Metal Nanoparticles |
TWI456707B (zh) * | 2008-01-28 | 2014-10-11 | Renesas Electronics Corp | 半導體裝置及其製造方法 |
US20090214764A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Xerox Corporation | Metal nanoparticles stabilized with a bident amine |
JP5203769B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-06-05 | 富士フイルム株式会社 | 銀ナノワイヤー及びその製造方法、並びに水性分散物及び透明導電体 |
JP4454673B2 (ja) * | 2008-08-01 | 2010-04-21 | 株式会社新川 | 金属ナノインクとその製造方法並びにその金属ナノインクを用いるダイボンディング方法及びダイボンディング装置 |
US8382878B2 (en) * | 2008-08-07 | 2013-02-26 | Xerox Corporation | Silver nanoparticle process |
US7922939B2 (en) * | 2008-10-03 | 2011-04-12 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Metal nanoparticle inks |
TWI395613B (zh) * | 2009-03-31 | 2013-05-11 | Yeu Kuang Hwu | 微粒及其形成方法 |
-
2008
- 2008-01-17 WO PCT/JP2008/050558 patent/WO2009090748A1/ja active Application Filing
- 2008-06-30 WO PCT/JP2008/061822 patent/WO2009090767A1/ja active Application Filing
- 2008-12-25 JP JP2009549977A patent/JP4680313B2/ja active Active
- 2008-12-25 CN CN2008801281306A patent/CN101990474B/zh active Active
- 2008-12-25 US US12/735,435 patent/US8348134B2/en active Active
- 2008-12-25 EP EP08870788.0A patent/EP2298471B1/en active Active
- 2008-12-25 WO PCT/JP2008/073660 patent/WO2009090846A1/ja active Application Filing
- 2008-12-25 KR KR1020107017975A patent/KR101222304B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-12-06 US US13/707,298 patent/US8459529B2/en active Active
- 2012-12-06 US US13/707,384 patent/US8906317B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001070435A1 (fr) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Ebara Corporation | Particules metalliques composites ultrafines |
JP2004107728A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Ebara Corp | 接合材料及び接合方法 |
JP2005213648A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-08-11 | Commiss Energ Atom | 有機コーティング層を有する無機ナノ結晶、それらの製造方法、および前記ナノ結晶により構成される材料 |
JP2007191789A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-08-02 | Fujifilm Corp | コア/シェル型粒子およびその製造方法 |
JP2007254841A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Nagaoka Univ Of Technology | 表面に有機物被膜を形成した金属超微粒子の製造方法及び該製造方法に使用する製造装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013145258A1 (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 株式会社応用ナノ粒子研究所 | 銅フィラー含有複合ナノ金属ペースト及び接合方法 |
US9796052B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-10-24 | Applied Nanoparticle Laboratory Corporation | Composite nanometal paste containing copper filler and joining method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2298471A1 (en) | 2011-03-23 |
WO2009090767A1 (ja) | 2009-07-23 |
US8906317B2 (en) | 2014-12-09 |
KR101222304B1 (ko) | 2013-01-15 |
EP2298471A4 (en) | 2013-07-24 |
US20110042447A1 (en) | 2011-02-24 |
US20130098205A1 (en) | 2013-04-25 |
US8348134B2 (en) | 2013-01-08 |
US8459529B2 (en) | 2013-06-11 |
WO2009090748A1 (ja) | 2009-07-23 |
US20130164187A1 (en) | 2013-06-27 |
WO2009090846A1 (ja) | 2009-07-23 |
CN101990474B (zh) | 2013-09-04 |
KR20100113566A (ko) | 2010-10-21 |
CN101990474A (zh) | 2011-03-23 |
EP2298471B1 (en) | 2020-02-05 |
JPWO2009090846A1 (ja) | 2011-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4680313B2 (ja) | 複合銀ナノ粒子、複合銀ナノペースト、その製法、製造装置、接合方法及びパターン形成方法 | |
US6730400B1 (en) | Ultrafine composite metal particles and method for manufacturing same | |
US8497022B2 (en) | Three-metallic-component type composite nanometallic paste, method of bonding, and electronic component | |
KR101387374B1 (ko) | 은 입자 분말 및 이의 제조법 | |
JP6037893B2 (ja) | 金属微粒子組成物、接合材、電子部品、接合層の形成方法、導体層の形成方法及びインク組成物 | |
EP2990142B1 (en) | Metal nanoparticle dispersion, process for producing metal nanoparticle dispersion, and bonding method | |
WO2011007442A1 (ja) | 2種金属成分型複合ナノ金属ペースト、接合方法及び電子部品 | |
JP6422289B2 (ja) | ニッケル粒子組成物、接合材及び接合方法 | |
JP6042747B2 (ja) | ニッケル微粒子、その使用方法及びニッケル微粒子の製造方法 | |
TW201542731A (zh) | 接合用組成物及使用該組成物之金屬接合體 | |
JP2019067514A (ja) | 導体形成用組成物、並びに接合体及びその製造方法 | |
JP2022046765A (ja) | 銅ペースト、接合方法および接合体の製造方法 | |
Bhagathsingh et al. | Low temperature synthesis and thermal properties of Ag–Cu alloy nanoparticles | |
JP2005298921A (ja) | 複合金属超微粒子及びその製造方法 | |
JP6153076B2 (ja) | 金属ナノ粒子ペースト、それを含有する接合材料、及びそれを用いた半導体装置 | |
JP6463195B2 (ja) | ニッケル粒子組成物、接合材及びそれを用いた接合方法 | |
EP3466564A1 (en) | Metal joining material, production method for same, and method for producing metal joined body using same | |
JP5124822B2 (ja) | 複合金属粉体およびその分散液の製造法 | |
JP6126426B2 (ja) | 接合方法 | |
TW201606890A (zh) | 接合用組成物及使用該組成物之金屬接合體 | |
JP6338419B2 (ja) | 金属粒子組成物、接合材及びそれを用いた接合方法 | |
JP2021161442A (ja) | 金属粒子焼結体、および金属粒子焼結体からなる金属層を備える接合体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4680313 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |