JP4621630B2 - 集積回路用容量性構造およびその製造方法 - Google Patents
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- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
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Description
102 層(第1の層,第2の層)
102a 層(第1の層)
102b 層(第2の層)
102c 層(第3の層)
104,104a 層(第1の誘電体層)
104b 層(第2の誘電体層)
106,106a 層(第1の拡張層)
106b 層(第2の拡張層)
108,108a 層(第1のビア列)
108b 層(第2のビア列)
110,112,114,116 容量性ストリップ(ストリップ)
130,132,134,136 拡張ストリップ
140,142,144,146 ビア
150,152,154,156 ビア
160,162,164,166 ビア
170,172,174,176 ビア
202,204,206 容量性ストリップ(ストリップ)
220,222,224 拡張ストリップ
230,232,234 ビア
240,242,244 容量性ストリップ(ストリップ)
250,252 容量性ストリップ(ストリップ)
260,262 ビア
270,280 拡張ストリップ
310 容量性ストリップ(ストリップ)
320,322,324 ブロック
330,332,334 ビア
410,440 容量性ストリップ(ストリップ)
420 拡張ストリップ
430 トレンチ型ビア(ビア)
Claims (9)
- 平行に組み込まれたストリップの列からなり、各々のストリップは第1の極性或いは第2の極性のどちらかを有しており、前記第1の極性を有するストリップと前記第2の極性を有するストリップが順次交互に入れ替わる第1の層と、
前記第1の層の各ストリップ上に堆積される第1の誘電体層と、
前記第1の誘電体層の上部に堆積され、平行に組み込まれた拡張ストリップの列からなり、各々の拡張ストリップは前記第1の極性或いは前記第2の極性のどちらかを有しており、前記第1の極性を有する拡張ストリップと前記第2の極性を有する拡張ストリップが順次交互に入れ替わると共に、この拡張ストリップのそれぞれが、反対の極性を有する前記第1の層のストリップ上に堆積される第1の拡張層と、
前記第1の拡張層に接続されたビアからなり、各々のビアは前記第1の極性或いは前記第2の極性のどちらかを有しており、前記第1の極性を有するビアと前記第2の極性を有するビアが順次交互に入れ替わると共に、このビアのそれぞれが、同一の極性を有する前記拡張ストリップ上に堆積される第1のビア列と、
前記第1のビア列に接続され、平行に組み込まれたストリップの列からなり、各々のストリップは第1の極性或いは第2の極性のどちらかを有しており、このストリップのそれぞれが、同一の極性を有する前記ビア上に堆積される第2の層と、から構成される集積回路用容量構造。 - 前記各拡張ストリップが、連続するトレンチから構成されることを特徴とする請求項1に記載の容量構造。
- 前記各拡張ストリップが、複数のブロックから構成されることを特徴とする請求項1記載の容量構造。
- 前記各ビアが、連続した垂直なトレンチからなることを特徴とする請求項1記載の容量構造。
- 前記各ビアが、複数の垂直柱から構成されることを特徴とする請求項1記載の容量構造。
- 前記各拡張ストリップが、複数のブロックから構成され、前記ブロックのそれぞれが、前記複数の垂直柱の一つに接続されることを特徴とする請求項5記載の容量構造。
- 前記第2の層の各ストリップ上に堆積される第2の誘電体層と、
前記第2の誘電体層の上部に堆積され、平行に組み込まれた拡張ストリップの列からなり、各々の拡張ストリップは前記第1の極性或いは前記第2の極性のどちらかを有しており、前記第1の極性を有する拡張ストリップと前記第2の極性を有する拡張ストリップが順次交互に入れ替わると共に、前記拡張ストリップのそれぞれが、反対の極性を有する前記第2の層のストリップ上に堆積される第2の拡張層と、
前記第2の拡張層に接続されたビアからなり、各々のビアは前記第1の極性或いは前記第2の極性のどちらかを有しており、前記第1の極性を有するビアと前記第2の極性を有するビアが順次交互に入れ替わると共に、このビアのそれぞれが、同一の極性を有する前記第2の拡張層の拡張ストリップ上に堆積される第2のビア列と、
前記第2のビア列に接続され、平行に組み込まれたストリップの列からなり、各々のストリップは第1の極性或いは第2の極性のどちらかを有しており、このストリップのそれぞれが、同一の極性を有する前記第2のビア列のビア上に堆積される第3の層と、をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の容量構造。 - 各々のストリップが第1の極性或いは第2の極性のどちらかを有し、前記第1の極性を有するストリップと前記第2の極性を有するストリップが順次交互に入れ替わるように、平行に組み込まれたストリップの列からなる第1の層を形成し、
前記第1の層の各ストリップ上に第1の誘電体層を堆積し、
各々の拡張ストリップが前記第1の極性或いは前記第2の極性のどちらかを有し、前記第1の極性を有する拡張ストリップと前記第2の極性を有する拡張ストリップが順次交互に入れ替わると共に、この拡張ストリップのそれぞれが、反対の極性を有する前記第1の層のストリップ上に堆積されるように、前記第1の誘電体層の上部に、平行に組み込まれた拡張ストリップの列からなる第1の拡張層を形成し、
各々のビアが前記第1の極性或いは前記第2の極性のどちらかを有し、前記第1の極性を有するビアと前記第2の極性を有するビアが順次交互に入れ替わると共に、このビアのそれぞれが、同一の極性を有する前記拡張ストリップ上に堆積されるように、前記第1の拡張層上に第1のビア列を形成し、
各々のストリップが第1の極性或いは第2の極性のどちらかを有し、このストリップのそれぞれが、同一の極性を有する前記ビア上に堆積されるように、前記第1のビア列の上部に、平行に組み込まれたストリップの列からなる第2の層を形成したことを特徴とする集積回路用容量構造の製造方法。 - 前記第2の層の各ストリップ上に第2の誘電体層を形成し、
各々の拡張ストリップが前記第1の極性或いは前記第2の極性のどちらかを有し、前記第1の極性を有する拡張ストリップと前記第2の極性を有する拡張ストリップが順次交互に入れ替わると共に、前記拡張ストリップのそれぞれが、反対の極性を有する前記第2の層のストリップ上に堆積されるように、前記第2の誘電体層の上部に、平行に組み込まれた拡張ストリップの列からなる第2の拡張層を形成し、
各々のビアが前記第1の極性或いは前記第2の極性のどちらかを有し、前記第1の極性を有するビアと前記第2の極性を有するビアが順次交互に入れ替わると共に、このビアのそれぞれが、同一の極性を有する前記第2の拡張層の拡張ストリップ上に堆積されるように、前記第2の拡張層上に第2のビア列を形成し、
各々のストリップが第1の極性或いは第2の極性のどちらかを有し、このストリップのそれぞれが、同一の極性を有する前記第2のビア列のビア上に堆積されるように、前記第2のビア列の上部に、平行に組み込まれたストリップの列からなる第3の層を形成したことを特徴とする請求項8記載の容量構造の製造方法。
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