JPS61283108A - 積層コンデンサ - Google Patents

積層コンデンサ

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JPS61283108A
JPS61283108A JP12487585A JP12487585A JPS61283108A JP S61283108 A JPS61283108 A JP S61283108A JP 12487585 A JP12487585 A JP 12487585A JP 12487585 A JP12487585 A JP 12487585A JP S61283108 A JPS61283108 A JP S61283108A
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JP
Japan
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electrodes
strip
electrode
multilayer capacitor
strip electrodes
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Pending
Application number
JP12487585A
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English (en)
Inventor
範夫 酒井
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、積層コンデンサに関するもので、特に、人
容徂を得るための改良に関するものである。
発明の概要 この発明は、積層コンデンサにおいて、積層方向に互い
に隣り合う2つの誘電体層の間に形成される内部電極を
、2つの領域に分け、これら2つのfr4域が互いに端
縁間で対向するようにすることによって、 この端縁間で形成される客用をも取出そうとするもので
ある。
従来の技術 従来の積層コンデンサは、第5図に示すように、セラミ
ック等からなる複数の誘電体層1a、1b。
・・・、Inを積層して得られる積層体の両端部にそれ
ぞれ外部電極(図示せず〉を付与して構成される。ここ
で、各誘電体層1a、・・・、ln上には、内部電極2
a、・・・、2nが形成されていて、これらの内部電極
2a、・・・、20は、積層順序に見たとき、交互に各
誘電体層1a、・・・、1nの逆の端縁にまで延びるよ
うに形成されていて、したがって交互に異なる外部電極
に積層体の端面において接続されるように構成されてい
る。
発明が解決しようとする問題点 上述した構成の積層コンデンサにおいては、得られる静
電容量は、内部電極2a、・・・、 2nの重なり面積
NLXW)、I電体層1a、−,1nのm電率ε、およ
び各誘電体層1a、・・・1nの厚み(1)で決まる。
したがって、積層コンデンサを小型にしながら、ずなわ
ちlxw)を小さくしながら、大容量を得るには、誘電
率εを大きくするか、または誘電体層1a、・・・、l
nの厚み(【)を薄くする方法しかなく、大容量化に限
界があった。
そこで、この発明は、小型でかつ大容量を得ることがで
きる積層コンデンサを提供しようとするものである。
問題点を解決するための手段 複数の誘電体層が内部電極を介在させた状態で積層され
てなる積層体の両端部にそれぞれ外部電極が付与され、
各外部電極と特定の内部電極とが積層体の端面において
接続された、積層コンデンサにおいて、この発明では、
積層方向に互いに隣り合う2つの誘電体層の間に、互い
に端縁間で対向するように間隔が置かれて並置された、
内部電極となるべき複数のストリップ電極を形成し、当
該複数のストリップ電極を、その配列順序において交互
に異なる外部電極に接続したことを特徴とするものであ
る。
作用 この発明によれば、互いに異なる外部電極に接続される
それぞれのストリップ電極の端縁間においても容量が形
成されるので、この容量が積層コンデンサ全体としての
容量の増加に寄与することになる。
実施例 この発明の一実施例となる積層コンデンサについて、第
1図ないし第4図を参照して説明する。
この実施例においても、複数の誘電体層11a。
11b、11c、11d、−,11nが積層されるが、
各M電体層11a、・・・、11n上に形成される内部
電極の形成パターンに特徴を有している。
第2図には、−例として、誘電体層11aおよび11b
上での内部電極の形成パターンが平面図で示されている
第2図に示した誘電体層11aを参照すると、そこには
、互いに端縁間で対向するように間隔が置かれて並置さ
れた、内部電極となるべき複数のストリップ電極12a
、13a、12b、13b。
12c、13cが、今列挙した順序で形成されている。
これらのストリップ電極は、その配列順序において交互
に第1の引出電極14aまたは第2の引出電極15aの
いずれかに接続される。すなわち、「12」を含む参照
符号が付されたストリップ電極が第1の引出N極14a
から一体に延びて形成され、他方、「13」を含む参照
符号が付されたストリップ電極が第2の引出電極15a
から一体に延びて形成される。
第2図に示したもう一方の誘電体層111)上において
形成されるストリップ電極は、上述の誘電体層11a上
にあるストリップ電極と左右対称的に形成されている。
すなわち、ストリップ電極16a、  17a、  1
6b、  17b、  16c、  17cがこの順番
で配列され、「16」を含む参照符号が付されたストリ
ップ電極が第2の引出電極15bに接続され、「17」
を含む参照符号が付されたストリップ電極が第1の引出
電極14bに接続される。
第2図に示したような誘電体層11a、11bにおける
ストリップ電極の各形成パターンは、以下の誘電体層1
1c、・・・、11nにおいても交互に繰返される。第
1図に示す位置関係で、複数の誘電体Ji!11a、・
・・、11nが積層されたとき、ストリップ電極12a
、 12b、12cおよびそれらに相当するストリップ
電極は、それぞれ、特定の誘電体層を介して、ストリッ
プ電極16a。
16t1.16Cおよびそれらに相当するストリップ電
極と重なり合う。また、ストリップ電極13a 、13
b 、13cおよびそれらに相当するストリップ電極は
、特定の誘電体層を介して、それぞれ、ストリップ電極
17a 、 17b 、 17cおよびそれらに相当の
ストリップ電極と重なり合う。
誘電体層11a、・・・、11nは、たとえばセラミッ
クから構成され、積層コンデンサの製造に当たっては、
セラミックグリーンシートの状態で用意される。そして
、第1図に示ずように積み重ねられ・、プレスした優、
焼成される。このように焼成して得られた積層体18が
第3図に示されている。第3図において、積層体18の
各端部には、それぞれ、第1の引出電極14a、・・・
および第2の引出電極15a、・・・が露出している。
次に、第4図に示すように、W4層体18の両端部に外
部電極19a、19bが付与される。これら外部電極1
9a、19bは、たとえば、金属ペーストを塗布′シ1
次いで焼付けることにより形成されることができる。こ
のように外部電極19a19bが形成されたとき、積層
体18の端面において第1の外部電極19aが第1の引
出電極14a、・・・と接続され、第2の外部電極19
bが第2の引出N極15a、・・・と接続される。
なお、第3図に示すような積層体18を得るとき、最も
上に位置するストリップ電極や引出電極を覆うように、
誘電体か11a 、・・・、11nと同質の材料からな
るシートを重ねることが行なわれる。
第4図のようにしてIF4られたチップ型の積層コンデ
ンサによれば、第1J3よび第2の外部電極19a、1
9bの間には、次のような2つの種類の容量が取出され
ることになる。すなわち、第1に、積層方向に互いに隣
り合う2つの誘電体層、たとえば誘電体層11aと誘電
体層11bとの間において、ストリップ電極16a 、
 16b 、 16cとストリップlm17a、17b
、17cとのそれぞれの間で形成される容量がある。第
2に、特定の誘電体層を介して対向する2つのストリッ
プ電極の間にも容量が形成される。たとえば、ストリッ
プ電極12aとストリップ電極16aとの間で形成され
る容量である。
したがって、この発明に係る積層コンデンサにおいて、
取得容量を増加させるためには、第1図に示すように、
各ストリップN極の幅(Wl)を小さくして、配列され
るストリップN極の数を増やすとともに、互いに対向す
るストリップ電極間のギャップ寸法(冑2)を小さくす
ればよいことがわかる。したがって、図示の実施例は、
ストリップ電極の形成態様において最も原理的なものを
示したものにすぎず、実際の場面においては、ストリッ
プ電極は、さらに多くかつさらに密な配列ピッチで形成
されてもよい。
なお、図示の実施例では、第1の引出電極14a、i4
b、・・・および第2の引出電極15a、15b、・・
・がそれぞれ形成されていた。これによって、ストリッ
プ電極と外部電極との電気的接続がより確実に達成され
るという利点を有するが、このような利点を望まないの
であれば、単に、それぞれのストリップ電極をtR誘電
体層端縁にまで延ばして形成してもよい。
また、図示の実施例では、ストリップ電極12a、12
b、120がMN体を介してストリップ?!!極16a
 、16b 、16cと重合すルヨうニ装置しているが
、ストリップ電極17c、17b。
17aと重合されるように配置してもよい。この場合は
、誘電体の厚み方向の容量はほとんど得られないが、こ
れでも従来のものより大容量を得ることが可能である。
発明の効果 以上のように、この発明によれば、従来と同一のWff
i率を持つ誘電体をもって同一の厚さにされたMil1
体層を同一の積層枚数で構成した積層コンデンサで比べ
た場合、数倍の静電容量を取(りすることができる。こ
のことを、実例に基づいて第1図および第5図を参照し
ながら説明する。
第1図および第5図において示した各寸法の表示におい
て、 fL二電極の誘電体層を介しての重なり長さW:N極の
誘電体層を介しての重なり幅【 :誘電体層の厚さ Wl:各ストリップ電極の幅 W2:隣り合うストリップ電極間のギヤツブ寸法t1ニ
ストリップN極の厚さ であり、誘電体層の誘電率をεとし、電極の積み重ね枚
数を(N+1)とすると、第5図に示した従来の積層コ
ンデンサでは、取得容量C1は、CI=ε・ヱL皿・N t             (1) で表わされる。他方、この発明による第1図に示した8
I層コンデンサの場合には、その取(η容量C2は、 )xwt   w−wt +ε・□×□×N   ・・・(2) t        WI+W2 で表わされる。なお、式(2)において、第1項は同一
平面上で対向するストリップ電極間で取得できる容量で
あり、第2項は誘電体層を介して重ねられたストリップ
電極により取得できる容量である。
ここで、たとえば、之=3am、 w −1、5mm、
t =2Qμm 、 wl  −5μtn 、 w2 
−2μm 、 [11−2u 、N−10とすると、 式(1)より (1=22508 式(2)より C2=8648ε となる。したがって、C2/C1−3,84となり・こ
の発明によれば、従来のものに比べて約4倍の静電容量
を取得することができる。
また、Wl、 w2を小さくすれば、誘電体層を介して
重なり合うスト・リップ電極から得られる容量より、同
一平面上で対向するストリップ電極間で取得される静電
容Hの方が大きくなるため、従来問題となっていた内部
電極の積み重ねのずれが少々生じても、全体としての取
得容量はそれほど影響を受けず、積み重ねの精度がそれ
ほど高く要求されなくなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例における誘電体層11a
、・・−911nの積み重ね状態を分解して示す斜視図
である。第2図は、特定の誘電体層11a、11bにお
けるストリップ電極の形成パターンを示す平面図である
。第3図は、第1図に示す誘電体層11a、・・・、1
1nを積層して得られた積層体18を示す斜視図である
。第4図は、積層体18に外部電極19a、19bを形
成して得られた積層コンデンサを示す斜視図である。第
5図は、従来の積層コンデンサの誘電体層1a、・・・
。 1nの積層状態および内部電極2a、・・・、2nの形
成状態を分解して示す斜視図である。 図において、11a、・・・、11nは誘電体層、12
a 〜12b、13a 〜13c、16a 〜16c、
17a 〜17cはストリップ電極、14a。 ・・・、15a、・・・は引出電極、18は積層体、1
9a、19bは外部電極である。 兜1図 兜5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  複数の誘電体層が内部電極を介在させた状態で積層さ
    れてなる積層体の両端部にそれぞれ外部電極が付与され
    、各外部電極と特定の内部電極とが積層体の端面におい
    て接続された、積層コンデンサにおいて、 積層方向に互いに隣り合う2つの誘電体層の間には、互
    いに端縁間で対向するように間隔が置かれて並置された
    、内部電極となるべき複数のストリップ電極が形成され
    、当該複数のストリップ電極は、その配列順序において
    交互に異なる外部電極に接続されたことを特徴とする、
    積層コンデンサ。
JP12487585A 1985-06-07 1985-06-07 積層コンデンサ Pending JPS61283108A (ja)

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JP12487585A JPS61283108A (ja) 1985-06-07 1985-06-07 積層コンデンサ

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JPS61283108A true JPS61283108A (ja) 1986-12-13

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8169014B2 (en) 2006-01-09 2012-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interdigitated capacitive structure for an integrated circuit

Cited By (1)

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US8169014B2 (en) 2006-01-09 2012-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interdigitated capacitive structure for an integrated circuit

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