CN100477214C - 集成电路的电容器结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种集成电路的电容器结构及其制造方法，包含：一第一板状物层，包含一系列相互交叉(interdigitated)的第一板状物；一第一介电层，覆盖于该第一板状物层上；一第一延伸层，在该第一介电层上，包含一系列相互交叉的第一延伸板，各个该第一延伸板分别配置于各个该第一板状物上方；一系列的第一导通层，分别连接于各个该第一延伸板上；以及一第二板状物层，包含一系列相互交叉的第二板状物，各个该第二板状物分别连接于各个该第一导通层上；其中相连的第一延伸板、第一导通层、及第二板状物的极性与相对应的第一板状物的极性互异。本发明可有效地结合MOM电容器与MIM电容器，并还可改善对准误差所造成的影响。

Description

集成电路的电容器结构及其制造方法
技术领域
本发明总的涉及一种集成电路中的电容器，特别是关于改进式的集成电路相互交叉(interdigitated)电容器。
背景技术
总体而言，电容器在集成电路中的用途很广，例如用于带通滤波器(bandpass filter)、相位闭锁回路(phase locked loop；PLL)、动态随机存取内存(dynamic random access memory；DRAM)的无源元件、以及其它用途的元件。在某些情况中，部分集成电路中常见的元件也会表现出其固有的电容器的功能。
在某些有源的集成电路元件例如双极性与金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor；MOS)晶体管即具有会表现出其固有(inherent)电容器的性质的电性接面(electrical junction)。事实上在某些特定形式的晶体管中，电性接面中的耗尽区(depletion zone)会具有等效于平行电容器的性质，上述电容器可以是固定电容值的电容器、或其电容值可为施加于上述电性接面的电压值的函数。另外，集成电路中某些特定的无源元件例如复晶硅与金属导线彼此之间、或是对应于其它导体之间，也具有固有的电容器性质。
然而，对于工程师而言，要运用上述固有的电容器性质来达成某些特定功效时，常常受到束缚。例如此固有的电容器性质往往是用于某种功能的特定元件的副产品，其优先性不会高于该元件的主要功能。另外，上述固有的电容器伴随着特定的元件，其电容器的性质也就存在于电路中的该元件的位置上而无法更动。因此集成电路常会在其电路中使用专用的电容器。
传统电容器的构造是以一介电质隔离两个导体而成，而在集成电路中则是将一介电质介于两个平板状的导体之间，然而其最大的缺点之一在于会占用相当大的芯片面积。
一金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal；MIM)电容器为可增加电容值的电容器结构之一，其最简单的构造是将水平方向平行的金属板叠成数层，以介电层间隔于各金属层之间，经由介电层连接的两个金属板即成为电容器的两极。将金属板垂直堆叠的构成简单，与仅提供二个导电表面的情形相比，可提供较大的单位面积电容值。然而尽管构成简单，形成多层的MIM电容器常常需要很多额外的工艺步骤，而增加了许多制造成本上的负担。
一金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal；MOM)电容器为可增加电容值的另一电容器结构，其通常包含导电性板状物，其为介电质所分隔而成为电容器的两极。MOM电容器的好处在于其可以使用现有的工艺来完成。例如，用于铜内连线的金属化工艺的双镶嵌工艺可用来形成内填铜的介层窗(via)与沟槽的堆叠结构，其中被氧化物介电质所分隔的二或多个内填铜的介层窗与沟槽，则形成一电容器。相较于传统的电容器，MOM电容器可有效地提供较大的单位面积电容值。然而，MOM电容器也需要较复杂的设计，反而抵消其因可使用标准的半导体工艺所带来的效益。
目前则有同时使用MIM电容器与MOM电容器的案例。然而，此二者的结合需形成于集成电路的不同层中，将一MIM电容器叠在一MOM电容器上。因此要增加其电容值时，芯片的高度也随之增加，而增加设计上与工艺上的复杂度。
另外某些MOM电容器是以垂直堆叠的各MOM层所形成，当增加此堆叠的MOM电容器的电容值时，各层之间的对准误差会增加工艺上的不确定性并会对元件性能产生不良影响。各层之间的对准误差至少会使其实际电容值偏离其原始设计值，而无法预估与该电容器对应的其它元件的性能，其连锁效应会扩及整个芯片。
发明内容
有鉴于此，本发明的一目的是提供一种集成电路的电容器结构及其制造方法，以克服上述已知技术的缺点。
为达成本发明的上述目的，本发明提供一种集成电路的电容器结构，包含：一第一板状物层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第一板状物，上述各第一板状物分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的上述第一板状物与属于第二型极性的上述第一板状物相互间隔配置；一覆盖于上述第一板状物层的上述各第一板状物上的第一介电层；一在上述第一介电层上的第一延伸层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第一延伸板，上述各第一延伸板分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的上述第一延伸板与属于第二型极性的上述第一延伸板相互间隔配置，上述各第一延伸板分别配置于与其不同型极性的上述各第一板状物上方；一系列分别连接于上述第一延伸层的第一导通层，分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的上述第一板状物与属于第二型极性的上述第一板状物相互间隔配置，上述各第一导通层分别配置于与其相同型极性的上述各第一延伸板上；以及一连接于上述第一导通层的第二板状物层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第二板状物，上述各第二板状物分别属于第一型极性或第二型极性，上述各第二板状物分别配置于与其相同型极性的上述各第一导通层上。
本发明又提供一种集成电路的电容器结构的制造方法，包含以下步骤：形成一第一板状物层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第一板状物，上述各第一板状物分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的上述第一板状物与属于第二型极性的上述第一板状物相互间隔配置；沉积一第一介电层，以覆盖于上述第一板状物层的上述各第一板状物上；在上述第一介电层上形成一第一延伸层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第一延伸板，上述各第一延伸板分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的上述第一延伸板与属于第二型极性的上述第一延伸板相互间隔配置，上述各第一延伸板分别配置于与其不同型极性的上述各第一板状物上方；形成一系列分别连接于上述第一延伸层的第一导通层，分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的上述第一板状物与属于第二型极性的上述第一板状物相互间隔配置，上述各第一导通层分别配置于与其相同型极性的上述各第一延伸板上；以及形成一连接于上述第一导通层的第二板状物层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第二板状物，上述各第二板状物分别属于第一型极性或第二型极性，上述各第二板状物分别配置于与其相同型极性的上述各第一导通层上。
本发明可有效地结合MOM电容器与MIM电容器，其实质上平行、相互交叉的第一板状物则形成MOM电容器，而第一介电层与第一延伸层则为实质上平行、相互交叉的第一板状物再增加MIM电容器的性质。因此，MIM电容器通过导通层而连接于各层的MOM电容器之间。
本发明还可减少一特定的每单位面积电容值之下，所需的芯片厚度。在增加各层的MOM电容器之间的MIM电容器的电容值时，则增加了其下层的MOM电容器的板状物面积与电容值、其同层之间的MOM电容器的板状物面积与电容值、以及同层的导通层之间的MOM电容器的电极面积与电容值。因此其在未增加工艺步骤与芯片厚度的情况下，增加了MOM电容器的单位面积有效的电容值。
本发明还可改善对准误差所造成的影响。本发明在两层之间所加入的MIM电容器，经由一导通层与其上层结构连接，其增加了结构上的支持性并可以抵消MOM电容器的板状物之间的对准误差。另外，MIM电容器的电容效应与导通层更改善因MOM电容器的板状物之间的对准误差所造成的电容效应。
附图说明
图1为一示意图，显示本发明较佳实施例的集成电路的电容器结构。
图2为一侧视图，显示本发明较佳实施例的集成电路的电容器结构。
图3与图4为一系列侧视图，显示本发明其它实施例的集成电路的电容器结构。
图5A～5L为一系列剖面图，显示本发明的集成电路的电容器结构的制造流程。
其中，附图标记说明如下：
100、200、300、400  电容器
102、102a、102b、102c  电容板状物层
104、104a、104b  介电层
106、106a、106b  延伸层
108、108a、108b  导通层
110、112、114、116、202、204、206、240、242、244、250、252、310、340、410、440  电容板状物
120、122、124、126、210、212、214、272、282、312、412  介电质板状物
130、132、134、136、220、222、224、270、280、320、322、324、420延伸板状物
140、142、144、146、150、152、154、156、160、162、164、166、170、172、174、176、230、232、234、260、262、330、332、334、430  导通元件
510  隔离层
520  金属层
522、524  导电性板状物
530  光阻层
532、534  板状物
550  金属间介电层
552、554  介电质板状物
560  光阻层
562、564  孔洞
570  光阻层
572、574  孔洞
582、584  延伸板状物
590  层间介电层
592、594  导通元件
600  光阻层
602、604  孔洞
610  金属层
620  金属间介电层
622、624  导电性板状物
具体实施方式
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
请参考图1，其为一示意图，显示本发明的集成电路的电容器100的结构。电容器100包含一电容板状物层102，其包含一系列实质上平行、相互交叉(interdigitated)的电容板状物110、112、114与116，上述各电容板状物分别属于第一型极性或第二型极性，标示为正号(+)或负号(-)。如图所示，上述各电容板状物的配置为相互交叉，且不同的极性相互交错，其中电容板状物110为正极、电容板状物112为负极、电容板状物114为正极、而电容板状物116为负极。
发明所属领域的技术人员可以了解前述多个具导电性的板状物形成一层MOM电容器结构。在本实施例中以四个具导电性的板状物为例，而发明所属领域的技术人员当可依其需求改变前述板状物的数量，或是在各板状物上形成其它结构。
介电层104置于电容板状物层102上，如图1所示，介电层104包含介电质板状物120、122、124与126，分别置于对应的电容板状物110、112、114与116上，每个介电质板状物120、122、124与126的厚度均薄于其所连接的电容板状物110、112、114与116。另外，发明所属领域的技术人员可了解可借由一介电材料(图中未显示)来隔开后述的其它结构。
延伸层106置于介电层104上，其包含延伸板状物130、132、134与136，上述各延伸板分别属于第一型极性或第二型极性，且各延伸板的极性分别与其正下方的上述电容板状物的极性相反。例如延伸板状物130为负极而电容板状物110为正极。相同地，延伸板状物132为正极而电容板状物112为负极。本发明所属领域的技术人员可了解对应的延伸板状物、介电质板状物与极性相反的电容板状物的结合，形成一MIM电容器结构。
延伸层106经由一导通层108与其上方的电容板状物(图中未显示)电性连接。导通层108中的每个导通元件分别属于第一型极性或第二型极性，且其极性分别和与其连接的延伸板状物相同。例如延伸板状物130为负极，而导通元件140、142、144与146也为负极；同样地，延伸板状物132为正极，而导通元件150、152、154与156也为正极；另外，延伸板状物134为负极，而导通元件160、162、164与166也为负极；再者，延伸板状物136为正极，而导通元件170、172、174与176也为正极。
电容板状物层102、介电层104、延伸层106与导通层108为堆叠的电容器单元。因此，可将第二个电容器100堆叠于第一个电容器100上，此时第一个电容器100的导通层108则电性连接第二个电容器100中极性相同的电容板状物层102。例如，将第二个电容器100的电容板状物层102叠在第一个电容器100的导通层108上时，连接导通元件140、142、144与146的电容板状物为负极，而连接导通元件150、152、154与156的电容板状物层则为负极。另外，在一较佳实施例中，则具有一额外的电容板状物层102电性连接于一系列堆叠的电容器100中，最后一层的导通层108。
请参考图2，其为一侧视图，显示本发明的集成电路的电容器200的结构。其中电容器200包含两个堆叠的电容器100，并在最上层的导通层108b上具有一最终的顶盖层102c。
为了能更明确地说明，每个电容板状物层102只列出其中三个电容板状物。例如电容板状物层102a，列出其中的负极的电容板状物202、正极的电容板状物204与负极的电容板状物206。本发明所属领域的技术人员可依其需求改变前述板状物的数量，或是在各板状物上形成其它结构。
介电层104a列出其中三个介电质板状物210、212与214；而延伸层106a列出其中三个延伸板状物220、222与224。每个上述的延伸板状物的极性皆与其下的电容板状物的极性相反。例如延伸板状物220为正极，而电容板状物202为负极。
导通层108a列出其中三个导通元件230、232与234。如前所述，每个导通元件的极性与连接于其下的延伸板状物相同也与连接于其上的电容板状物相同。例如导通元件230的极性(正极)与延伸板状物220相同也与电容板状物240相同。
电容器200可包含两个或更多堆叠的电容器100。电容板状物层102b连接于导通层108a的上方，电容板状物层102c则连接于导通层108b的上方。在电容器200中，可视其总体电容值的要求而增减堆叠的电容器100的数量。因此，电容器200可改善MIM电容器的电容值，并减少MOM电容器的芯片面积。
例如电容器200在电容板状物层102c的电容板状物250与252之间具有一电容值290；也在导通层108b的导通元件260与262之间具有一电容值292。由各延伸板状物与介电质板状物所带来的MIM电容也可提供额外的电容值。
例如，电容器200在延伸层106b的延伸板状物270、介电层104b的介电质板状物272与电容板状物层102b的电容板状物242之间，具有一电容值294。同样地，电容器200在延伸层106b的延伸板状物280、介电层104b的介电质板状物282与电容板状物层102b的电容板状物244之间，具有一电容值296。
另外，各延伸板状物也提供了增加电容值的特性。例如电容器200在延伸层106a的延伸板状物220与222之间具有一电容值298。本发明所属领域的技术人员可了解前述的电容值并不能被解释为，其是电容器200仅有的电容特性。
上述电容板状物、延伸板状物、与导通元件包含一导电材料，但不限于铜、铝、氮化钛、具掺杂离子的复晶硅或上述的任意组合。上述电容板状物、延伸板状物与导通元件的成分可以两两不同，而不一定要完全相同。
上述介电质板状物包含一介电材料，其包含但不限于二氧化硅、氮化硅、五氧化二钽、或上述的任意组合。本发明所属领域的技术人员可了解上述导电材料与介电材料的选择方面，可依据工艺与电容器的用途等因素而有所不同。
请参考图3，其为一侧视图，显示本发明的集成电路的电容器300的结构。如前所述，电容板状物层102a包含一电容板状物310，而介电层104a包含一介电质板状物312。
如图所示，延伸层106a包含多个分离的块状物320、322与324。每个块状物电性连接于导通层108a中的一导通元件，例如块状物320电性连接于导通元件330。如前所述，导通层108a连接于极性相同的电容板状物层102b的电容板状物340。因此，电容器100可包含块状的延伸板状物。本发明所属领域的技术人员可了解形成块状的延伸板状物，可以将工艺简化。
请参考图4，其为一侧视图，显示本发明的集成电路的电容器400的结构。如前所述，电容板状物层102a包含一电容板状物410；介电层104a包含一介电质板状物412；延伸层106则包含一延伸板状物420。
如图所示，导通层108a包含向水平方向延伸的垂直的沟槽式导通元件430，与图1～3所示的有很大的不同。如前所述，沟槽式导通元件430与极性相同的电容板状物层102b的电容板状物440电性连接。因此，电容器100可包含垂直的沟槽式导通元件。本发明所属领域的技术人员可了解形成上述垂直的沟槽式导通元件，可以将工艺简化。
请参考图5A～5L，其为一系列剖面图，显示图2所示的本发明的集成电路的电容器结构的制造流程。为了便于绘制其流程，仅显示二个相邻的导电性板状物与形成于其上的结构。本发明所属领域的技术人员可了解也可以将其它结构或元件同时形成于后述的结构中。
请参考图5A，一金属层520以例如化学气相沉积法、物理气相沉积法、或其它合适的方法，沉积于隔离层510上。在某些实施例中，可在金属层520上沉积一抗反射层。然后，将一光阻层530形成于金属层520上。
然后将光阻层530置于具有一图形的图形掩模下曝光，该图形包含前述导电性板状物与其它电路元件的图形，然后将光阻层530显影后而呈现出该图案，该图案包含图5B所示的板状物532与534。接下来如本发明所属领域的技术人员所了解，未被覆盖的金属层520则受到蚀刻而移除，而形成图5C所示的导电性板状物522与524。
如图5D所示，将在导电性板状物522与524之间形成一金属间介电层550，并整体覆盖导电性板状物522与524，及其以外的其它区域。可以例如化学机械研磨的方法，将金属间介电层550的上表面平坦化。然后将在金属间介电层550上形成另一光阻层560，接下来又进行一次曝光、显影的工艺，移除位于介电质板状物的位置上的光阻层560，而形成孔洞562与564，如图5E所示。
接下来将金属间介电层550蚀穿而暴露出其下的图形，然后如图5F所示，沉积一介电材料而形成介电质板状物552与554。在另一实施例中，介电质板状物552与554的材质可与金属间介电层550相同，此时对金属间介电层550的蚀刻就停止于其下层结构(例如导电性板状物522与524)的上方，以形成所需形状的介电质板状物552与554。
接下来，则又进行一次曝光显影的工艺，移除位于延伸板状物上的光阻层570，而留下孔洞572与574，如图5G所示。接下来将金属间介电层550蚀穿，到达其下层结构(介电质板状物552与554)，然后沉积一导电材料而形成延伸板状物582与584。
接下来如图5I所示，在上述结构上形成一层间介电层590。在另一实施例中，层间介电层590的材质与金属间介电层550相同。也可以使用本发明所属领域的技术人员已知的技术将层间介电层590的上表面平坦化。然后在层间介电层590上形成另一光阻层600。接下来进行一曝光显影的工艺，将位于导通元件位置上的光阻层600移除，而留下孔洞602与604。然后将层间介电层590蚀穿，而到达其下层结构(例如延伸板状物582与584)的表面，而形成导通元件592与594，如图5J所示。
如图5K所示，以金属将导通元件592与594填满，并形成一金属层610。接下来形成一光阻层(图中未显示)，并将上述光阻层置于具有一图形的图形掩模下曝光，该图形包含前述导电性板状物与其它电路元件的图形，然后将上述光阻层显影后而呈现出该图案，然后进行蚀刻并移除剩下的光阻层，而形成电性连接导通元件592与594的导电性板状物622与624如图5L所示。接下来将在导电性板状物592与594之间形成一金属间介电层620，并覆盖其它导电性板状物592与594以外的区域。
通过上述步骤，形成本发明的集成电路的电容器结构。本发明所属领域的技术人员可了解可重复实施上述步骤而在金属间介电层620上形成另一个电容器单元，而以导电性板状物622与624作为其电容板状物层102。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视的权利要求书所界定的为准。

Claims (14)

1.一种集成电路的电容器结构，包含：
一第一板状物层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第一板状物，各个该第一板状物分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的所述第一板状物与属于第二型极性的所述第一板状物相互间隔配置；
一覆盖在该第一板状物层的各个该第一板状物上的第一介电层；
一在该第一介电层上的第一延伸层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第一延伸板，各个该第一延伸板分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的所述第一延伸板与属于第二型极性的所述第一延伸板相互间隔配置，各个该第一延伸板分别配置于与其不同型极性的各个该第一板状物上方；
一系列分别连接于该第一延伸层的第一导通层，分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的所述第一板状物与属于第二型极性的所述第一板状物相互间隔配置，各个该第一导通层分别配置于与其相同型极性的各个该第一延伸板上；以及
一连接于所述第一导通层的第二板状物层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第二板状物，各个该第二板状物分别属于第一型极性或第二型极性，各个该第二板状物分别配置于与其相同型极性的各个该第一导通层上。
2.如权利要求1所述的集成电路的电容器结构，其特征在于各个该第一延伸板包含一实质上连续的沟槽。
3.如权利要求1所述的集成电路的电容器结构，其特征在于各个该第一延伸板包含多个块状物。
4.如权利要求1所述的集成电路的电容器结构，其特征在于各个该第一导通层包含一实质上连续的垂直沟槽。
5.如权利要求1的集成电路的电容器结构，其特征在于各个该第一导通层包含多个垂直柱状物。
6.如权利要求5所述的集成电路的电容器结构，其特征在于各个该第一延伸板包含多个块状物，各个该块状物分别连接于所述垂直柱状物的其中之一。
7.如权利要求1所述的集成电路的电容器结构，还包含：
一覆盖于该第二板状物层的各个该第二板状物上的第二介电层；
一在该第二介电层上的第二延伸层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第二延伸板，各个该第二延伸板分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的所述第二延伸板与属于第二型极性的所述第二延伸板相互间隔配置，各个该第二延伸板分别配置于与其不同型极性的各个该第二板状物上方；
一系列分别连接于该第二延伸层的第二导通层，分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的所述第二板状物与属于第二型极性的所述第二板状物相互间隔配置，各个该第二导通层分别配置于与其相同型极性的各个该第二延伸板上；以及
一连接于所述第二导通层的第三板状物层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第三板状物，各个该第三板状物分别属于第一型极性或第二型极性，各个该第三板状物分别配置于与其相同型极性的各个该第二导通层上。
8.一种集成电路的电容器结构的制造方法，包含以下步骤：
形成一第一板状物层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第一板状物，各个该第一板状物分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的所述第一板状物与属于第二型极性的所述第一板状物相互间隔配置；
沉积一覆盖于该第一板状物层的各个该第一板状物上的第一介电层；
在该第一介电层上形成一第一延伸层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第一延伸板，各个该第一延伸板分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的所述第一延伸板与属于第二型极性的所述第一延伸板相互间隔配置，各个该第一延伸板分别配置于与其不同型极性的各个该第一板状物上方；
形成一系列分别连接于该第一延伸层的第一导通层，分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的所述第一板状物与属于第二型极性的所述第一板状物相互间隔配置，各个该第一导通层分别配置于与其相同型极性的各个该第一延伸板上；以及
形成一连接于所述第一导通层的第二板状物层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第二板状物，各个该第二板状物分别属于第一型极性或第二型极性，各个该第二板状物分别配置于与其相同型极性的各个该第一导通层上。
9.如权利要求8所述的集成电路的电容器结构的制造方法，其特征在于各个该第一延伸板包含一实质上连续的沟槽。
10.如权利要求8所述的集成电路的电容器结构的制造方法，其特征在于各个该第一延伸板包含多个块状物。
11.如权利要求8所述的集成电路的电容器结构的制造方法，其特征在于各个该第一导通层包含一实质上连续的垂直沟槽。
12.如权利要求8所述的集成电路的电容器结构的制造方法，其中各个该第一导通层包含多个垂直柱状物。
13.如权利要求12所述的集成电路的电容器结构的制造方法，其特征在于各个该第一延伸板包含多个块状物，各个该块状物分别连接于所述垂直柱状物的其中之一。
14.如权利要求8所述的集成电路的电容器结构的制造方法，还包含以下步骤：
沉积一第二介电层，以覆盖于该第二板状物层的各个该第二板状物上；
在该第二介电层上形成一第二延伸层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第二延伸板，各个该第二延伸板分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的所述第二延伸板与属于第二型极性的所述第二延伸板相互间隔配置，各个该第二延伸板分别配置于与其不同型极性的各个该第二板状物上方；
形成一系列分别连接于该第二延伸层的第二导通层，分别属于第一型极性或第二型极性，属于第一型极性的所述第二板状物与属于第二型极性的所述第二板状物相互间隔配置，各个该第二导通层分别配置于与其相同型极性的各个该第二延伸板上；以及
形成一连接于所述第二导通层的第三板状物层，包含一系列实质上平行、相互交叉的第三板状物，各个该第三板状物分别属于第一型极性或第二型极性，各个该第三板状物分别配置于与其相同型极性的各个该第二导通层上。
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