JP4511121B2 - 不揮発性メモリのプログラム妨害および読み出し妨害を低減するための処理技法 - Google Patents
不揮発性メモリのプログラム妨害および読み出し妨害を低減するための処理技法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、不揮発性メモリおよびその処理に関し、さらに詳しく言えば、プログラミング処理および読み出し処理中の妨害を減らす技法に関する。
【0002】
【従来の技術】
本発明の原理は、様々なタイプの不揮発性メモリ(既存の不揮発性メモリおよび開発中の新しい技術の利用を意図する不揮発性メモリ)に応用される。しかし、フラッシュ型の電気的に消去可能でプログラム可能なリード・オンリー・メモリ(EEPROM)と関連して本発明の実施構成について説明する。この場合、記憶エレメントとはフローティングゲートである。
【0003】
不揮発性メモリの処理中、1つの記憶装置におけるデータの読み出しおよび書き込みにより、上記メモリの別の記憶装置に記憶されたデータが妨害を受けることが頻繁に生じる。これらの妨害の1つの原因として、Jian ChenとYupin Fongの米国特許第5,867,429号に記載のような隣接するフローティングゲート間での電界効果結合がある。上記特許はその全体が上掲参考文献として本願明細書に取り入れられている。集積回路製造技法の改善の結果、メモリセルのアレイのサイズが小型化するにつれ、上記電界効果結合の度合は必然的に大きくなりつつある。異なる時期にプログラムされた2つのセットの隣接セル間で最も顕著に問題が生じる。1セットのデータに対応する電荷レベルをセルのフローティングゲートに追加できるように1セットのセルがプログラムされる。第2のセットのデータを用いて第2のセットのセルがプログラムされた後、第1のセットのセルのフローティングゲートから読み出された電荷レベルは、第1のセットのセルと結合された第2のセットのフローティングゲートに対する荷電効果に起因して、プログラムされたものとは異なったものにしばしば見える。これはYupin効果として知られている。前述の米国特許第5,867,429号は、2セットのフローティングゲートの相互の物理的絶縁か、第1のセットのフローティングゲートを読み出す際、第2のセットのフローティングゲートに対する荷電効果についての考慮するかのいずれかを提案するものである。このような妨害を減らすための追加的技法が、Jian Chen、Tomohary Tanaka、Yupin FongおよびKhandker N.Quaderによる、“複数データ状態における不揮発性メモリの記憶エレメント間での結合の影響を減らすための処理技法”という2001年6月27日出願の米国特許出願第09/893,277号に記載されている。上記特許はその全体が上掲参考文献として本願明細書に取り入れられている。
【0004】
上記電界効果並びに読み出し妨害および書き込み妨害の別の原因が各種タイプのフラッシュEEPROMセルアレイ内に存在する。1つの設計のNORアレイは、隣接するビットライン(列)と、ワードライン(行)と接続された制御ゲート間で接続されているそのメモリセルを備えている。個々のセルには、直列に形成された選択トランジスタを備えた、または、該選択トランジスタを備えていない1つのフローティングゲート・トランジスタか、単一の選択トランジスタにより分離された2つのフローティングゲート・トランジスタかのいずれかが含まれる。このようなアレイおよび記憶システムにおける該アレイの利用例については、以下の米国特許およびサンディスク コーポレイションの係属中の出願に記載がある。それは、特許第5,095,344号、第5,172,338号、第5,602,987号、第5,663,901号、第5,430,859号、第5,657,332号、第5,712,180号、第5,890,192号、および、第6,151,248号、並びに、特許出願第09/505,555号(2000年2月17日出願)と米国特許出願第09/667,344号(2000年9月22日出願)である。上記特許はその全体が上掲参考文献として本願明細書に取り入れられている。
【0005】
1つの設計のNANDアレイは、両端部の選択トランジスタを介してビットラインと基準電位との間で連続して接続された8、16または32などの複数のメモリセルを備えている。ワードラインは様々な連続する列状のセルからなる制御ゲートと接続されている。このようなアレイおよびそれらの動作の関連例については、以下の米国特許と東芝の係属中の出願に記載がある。それは、米国特許第5,570,315号、第5,774,397号、第6,046,935号および米国特許出願第09/667,610号である。上記特許はその全体が上掲参考文献として本願明細書に取り入れられている。
【0006】
EEPROMメモリセルをプログラムするための使用可能な様々なメカニズムが存在する。上掲参考文献として取り入れられている文献では、NORメモリセルが、トンネル酸化膜の中をフローティングゲートまで貫通する熱い電子を用いて一般にプログラムされる。これに対してNANDセルは通常FNコールド・トンネル処理(Nordheim-Fowler cold tunneling process)でプログラムされる。FNトンネル(Nordheim-Fowler tunneling)の利点として一般に、セルのプログラミングに使用する電力が少なくてすむという利点があるが、米国特許出願第09/893,277号に記載されているように、制御ゲートに対して高い電圧でバイアスをかけるとき、特に、選択ビットラインと非選択ビットラインによりワードラインが共有されている場合、非選択セルで妨害が生じ易くなる傾向がある。上記特許は上掲参考文献として取り入れられている。妨害の量は、制御ゲートと基板間の電圧差によって決められる。プログラムを行う場合、制御ゲートはVpgm =15〜24ボルトのプログラミング用電圧に設定される。読み出し処理時に非選択ゲートの電圧に対して低い方のレベル(通常4〜5ボルト)でバイアスがかけられる。読み出し妨害の影響は1回の読み出し当たりずっと少なくなるが、セルはプログラム回数よりも多くの読み出し回数を経験する。そのため累積する影響はさらに無視できないものとなる。NANDアーキテクチャでは、読み出し処理時およびプログラミング処理時の双方で、非選択ワードラインに対してバイアスがかけられ、NANDチェーン内の選択されたセルへ電圧が通される。非選択セルは、高いパス電圧でバイアスをかけた非選択ワードラインと接続されるため妨害を受けることになる。
【0007】
2進モード動作より各フローティングゲートが単一ビットデータを記憶することが現在の市販製品で現在でも最も一般的であり、この2進モードではフローティングゲート・トランジスタのしきい値レベルの2つの範囲だけが記憶レベルとして定められている。フローティングゲート・トランジスタのしきい値レベルはそれらのフローティングゲートに記憶された電荷レベルの範囲に対応する。メモリアレイのサイズの縮小に加えて、各フローティングゲート・トランジスタの中に1ビット以上のデータを記憶することによりこのようなメモリアレイのデータ記憶密度をさらに増加させるトレンドがある。このデータ記憶密度のさらなる増加は、各フローティングゲート・トランジスタの記憶状態として3以上のしきい値レベルを定めることにより達成され、現在、市販製品には4つのこのような状態(フローティングゲート当たり2データビット)が含まれている。1記憶エレメント当たり16の状態のようなさらに多くの記憶状態が意図されている。各フローティングゲート・トランジスタはしきい電圧の或る一定の合計範囲(窓)を各々有し、その範囲内で各フローティングゲート・トランジスタは実際に動作することができる。当該範囲は、トランジスタに対して定められた状態数プラス上記状態が互いに別個の状態としてはっきり区別できるための状態間のマージンに分割される。単一ビットメモリと比較すると、マルチ状態不揮発性メモリでは、マルチ状態のすべてとそのマージンとの収容を目的としてしきい電圧範囲を大きくすることが頻繁に行われる。これに対応して、読み出し中およびプログラミング中、制御ゲートに印加される電圧も相応に増加し、その結果、さらに多くのプログラム妨害と読み出し妨害が生じることになる。
【0008】
これらのタイプの不揮発性メモリの一般的な処理として、再プログラミングに先行するメモリセルのブロック消去が行われる。次いで、ブロック内のセルは、消去から、記憶されている着信データにより表される状態に個々にプログラムされる。プログラミングには一般に、多数のメモリセルに対する、電圧パルスのプログラミングの交互の同時印加、および、個々のセルがその意図したレベルに達したかどうかを判定するためのそれらセルの個々の状態の読み出しが含まれる。当該セルのすべてのプログラミングが完了するまで、並行してプログラムしている別のセルのプログラミングが継続している間、その意図したしきい値レベルに達したどうかの検証を行ういずれの対象セルに対してもプログラミングは停止される。1記憶エレメント当たりの記憶状態数が増加した場合、個々の状態に対するさらに狭められた電圧範囲により一層高いプログラミング精度が要求されるため、プログラミングの実行時間は通常増加する。これによりメモリシステムのパフォーマンスに対する著しく有害なインパクトが与えられる可能性がある。
【0009】
マルチ状態処理からの結果として生じる規定されたフローティングゲートの記憶レベルの狭められた範囲により、第1のグループの記憶エレメントの感度レベルは、後でプログラムされる第2のグループの隣接記憶エレメントに格納された電荷量まで上昇する。例えば、第1のグループを読み出したとき、第2のグループに対する電荷により第1のグループの状態の読み出し時にエラーが生じることがある。隣接記憶エレメントから結合した電磁界は、1グループの記憶データのうちの少なくとも数ビットのエラーを含む読み出しを引き起こすのに十分な量だけ読み出された見かけの状態をシフトする場合がある。エラーを含むビットの数が誤り訂正符号(ECC)の能力の範囲内に維持されていればエラーは訂正されるが、エラーの数は一般にECCの能力の範囲を越えるほど多いため何らかの別の構造的および/または機能的技法を採用する必要がある。前述の米国特許第5,867,429号に記載されている技法は多くのアレイに適したものであるが、不揮発性メモリにおける読み出し妨害および書き込み妨害を補正する追加の技法の提供が望まれている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、行復号領域を節減するために各ブロックが同じワードラインを共有する、複数部分に分割した複数の消去単位すなわちブロックを備えた不揮発性メモリを提示するものである。実施形態の1つの好適例では、左右の片側部分から構成されるブロックが設けられ、この左右の片側部分により、各部分が512バイトのデータからなる1以上の標準的ページ(データ転送単位)サイズが収容される。上記実施形態の好適例では、1ブロックの左右部分は各々が別個のソースラインと別個のセットのソースおよびドレイン選択ラインとを備える。一例として、左側のプログラミング中または読み出し中、右側に対してバイアスをかけて昇圧用チャネルを形成し、データ妨害を減らすようにすることができる。別のセットの実施形態では、上記部分が別個のウェル構造を備えるものであってもよい。
【0011】
読み出し処理と書き込み処理の双方における妨害量を減らすために、本発明では非選択部におけるチャネル表面の昇圧が行われる。実施形態の好適例では、初期電圧がチャネルへ供給され、その後、選択ゲートトランジスタにより漏洩経路が切断され、次いで、チャネルがフロートされ、制御ゲート電圧の増加と後続操作の基板チャネルの昇圧が後続する。アレイのブロックの選択部分と非選択部分に対して独立にバイアスをかけることを可能にするために、各部分は制御可能な選択ゲートトランジスタとソースラインとを独立に備えている。
【0012】
本発明の追加の態様、特徴および利点は実施形態の好適例についての以下の説明の中に含まれる。この説明は添付図面と関連させて考慮することが望ましい。
【0013】
【発明の実施の形態】
図1〜8を参照して、本発明の様々な態様を実現する或る特定の不揮発性メモリシステムについて以下説明するが、これは特定例の提供を意図するものである。読み出し処理と書き込み処理の双方における妨害の量を減らすために、本発明ではチャネル表面の昇圧が行われる。実施形態の好適例では、初期電圧がチャネルへ供給され、その後、選択ゲートトランジスタにより漏洩経路が切断され、次いで、チャネルがフロートされ、制御ゲート電圧の増加と後続処理における基板チャネルの昇圧が後続する。アレイのブロックの選択部分と非選択部分に対して独立にバイアスをかけることを可能にするために、各部分は制御可能な選択ゲートトランジスタとソースラインとを独立して備えている。1つの変更例では、別個の部分がそれ自身のウェル構造を備えていてもよい。但し、これにはスペース要件の増加が伴うことになる。
【0014】
任意の数のパーティションにアレイの細分化を行って、ブロックサイズ(消去単位)よりも小さい1ページサイズ(データ転送単位)を収納できるようにすることが可能である。上記ページサイズは、一般に、ホストシステムにより定められ、便宜上比較的小さなものである。スペース利用を改善するために、ブロックサイズの増加へ向かうトレンドがあるが、これは部品数およびそれに対応するスペース要件を節減できるからである。例えば、複数ページ用の同一のワードラインを用いることにより行復号器に必要なスペースの節減が可能となる。行はページサイズに基づいて部分に分割され、各部分は制御可能なドレインおよびソース選択ゲートと、ソースラインとを別個に備えることになる。ウェルはレイアウト用スペースの節減のために分離してはならないが、スペースによって小さな消去ブロックを得ることが可能であれば、小さなパーティションにウェルを分割することは可能である。
【0015】
図1は、フラッシュ型メモリシステムのブロック図である。行列で構成される複数の記憶装置Mを備えるメモリセルアレイ1は、列制御回路2、行制御回路3、c−source制御回路4およびc−pウェル制御回路5により制御される。列制御回路2は、メモリセルアレイ1のビットライン(BL)と接続されるが、このビットラインは、メモリセル(M)に記憶されたデータの読み出し、プログラム処理中のメモリセル(M)の状態の判定、ビットライン(BL)の電位レベルを制御してプログラミングの促進またはプログラミングの抑制を行うためのラインである。行制御回路3は、ワードライン(WL)と接続され、これらのワードライン(WL)のうちの1本を選択し、読み出し用電圧を印加し、列制御回路2が制御するビットライン電位レベルと組み合わされたプログラム電圧を印加し、メモリセル(M)が形成されるp型領域(図3に“c−pウェル”11とラベルされた領域)の電圧と結合された消去用電圧を印加する。c−source制御回路4は、メモリセル(M)と接続された共通ソースライン(図2bの“c−source”とラベルされた)を制御する。c−pウェル制御回路5は、c−pウェルの電圧制御を行う。
【0016】
メモリセル(M)に記憶されたデータは、列制御回路2により読み出され、I/Oラインとデータ入力/出力バッファ6を介して外部I/Oラインへ出力される。メモリセルに記憶されたプログラムデータは、外部I/Oラインを介してデータ入力/出力バッファ6へ入力され、次いで、列制御回路2へ転送される。外部I/Oラインは、コントローラ20と接続される。データ入力/出力回路6で使用可能な検知用の様々な実施構成が、Nima Mokhlesi,Daniel C.Guterman,およびGeoff Gongwerによる“時折の攪拌(episodic agitation)を利用するトランジスタおよび小型素子用雑音低減技法”という2002年1月18日出願の米国特許出願に記載されている。上記発明は本願明細書に参考文献として取り入れられている。
【0017】
フラッシュメモリ素子を制御するコマンドデータが、コントローラ20と接続された外部制御ラインと接続されたコマンド・インタフェースへ入力される。このコマンドデータは、どのような処理が要求されたかについての情報をフラッシュメモリに与える。入力コマンドは、列制御回路2、行制御回路3、c−source制御回路4、c−pウェル制御回路5、データ入力/出力バッファ6を制御する状態マシン8へ転送される。状態マシン8はREADY/BUSYやPASS/FAILのようなフラッシュメモリの状態データを出力することができる。
【0018】
コントローラ20は、パーソナル・コンピュータ、デジタル・カメラまたは個人用情報機器などのようなホストシステムと接続され、あるいは、接続可能である。メモリアレイ1への、または、メモリアレイ1からのデータの格納または読み出しのようなコマンドを開始し、このようなデータをそれぞれ出力したり受け取ったりするのはこのホストである。コマンド回路7が解釈し、実行できるこのようなコマンドはコントローラによりコマンド信号に変換される。コントローラは、一般に、メモリアレイへ書き込まれたり、メモリアレイから読み出されたりするユーザデータ用バッファメモリを備える。一般的なメモリシステムは、コントローラ20を含む1つの集積回路チップ21と、メモリアレイおよび関連する制御回路、入力/出力回路および状態マシン回路を各々が含む1以上の集積回路チップ22とを備える。言うまでもなく、1以上の集積回路チップにシステムのメモリアレイとコントローラ回路とを一体に集積化しようというトレンドがある。ホストシステムの一部としてこのメモリシステムを組み込んでもよい。あるいはホストシステムのメーティング・ソケット(mating socket)の中へ取り外し可能で挿入可能なメモリ・カードの中にこのメモリシステムを含めてもよい。このようなカードは、メモリシステム全体を含むものであってもよいし、あるいは、関連する周辺機器回路と共に、コントローラとメモリアレイとを別個のカード内に設けてもよい。
【0019】
図2aと2bとを参照して、メモリセルアレイ1の構造の一例について説明する。一例としてNAND型フラッシュEEPROMについて説明する。メモリセル(M)は、ある特定例では、複数のブロック(1024ブロック)に分割される。各ブロックに記憶されたデータは同時に消去される。したがって、1ブロックは同時消去可能な複数のセルの最小単位である。各ブロックにはN個の列(本例ではN=8512)があり、これらの列は左列と右列とに分割される。ビットラインも左ビットライン(BLL)と右ビットライン(BLR)とに分割される。各ゲート電極でワードライン(WL0〜WL15)と接続された16個のメモリセルが直列に接続され、NANDセルユニットが形成される。NANDセルユニットの1つの端子は、第1の(ドレイン)選択ゲートライン(SGD)と結合されたゲート電極を備えた第1の選択トランジスタ(S)を介して対応するビットライン(BL)と接続され、別の端子は、第2の選択ゲートライン(SGS)と結合されたゲート電極を備えた第2の(Source)選択トランジスタ(S)を介してc−sourceと接続される。図を簡略にするため、各セルユニット内に含まれる形で16個のフローティングゲート・トランジスタが示されているが、4、8または32個のような別の個数のトランジスタも使用される。
【0020】
図2bの構造は、本願明細書に参考文献として取り入れられている2001年6月27日出願の米国特許出願第09/893,277号に記載されているようなアレイとは、ブロックが奇数と偶数の交互のビットラインではなく、左右の片側部分の中へ細分化されたその列を有するという点で異なっている。さらに一般的に述べれば、3以上のこのような部分が存在してもよいが、2つの片側部分へのパーティションは本発明の主要な態様をさらに容易に示すものである。これら左右の列は、別個のセットの第1の選択ゲートライン(それぞれSGDLとSGSR)と第2の選択ゲートライン(それぞれSGSLとSGSR)とを有する。左右の選択ゲートのレベルは、図1の行制御回路3により独立に制御可能である。左側と右側にも、図1のC−source制御回路4により独立に制御可能な別個のソースライン(それぞれC−sourceLとC−sourceR)が備えられている。
【0021】
別のセットの実施形態では、左側と右側は、独立したウェル構造をさらに有するものであってもよい。図2bに、このような別個のウェル構造に各々形成されたアレイの右側と左側も示されている。この別個のウェル構造によって図1のc−pウェル制御回路5により電圧レベルを独立に設定することが可能となる。さらなる変更例では、上記によりブロックの全パーティション数よりも少ないパーティションからなるサブブロックの消去も可能となる。
【0022】
ブロックの左部分と右部分のうちの一方の選択部分内にデータの読み出しまたは書き込みを行うとき、各部分に対して独立に制御可能なセットの選択ゲートラインとソースライン(および可能であれば独立に制御可能なウェル)とを導入することにより、以下さらに詳細に説明するように、非選択部における妨害数の減少が可能となる。さらに一般的に述べれば、ソースラインと選択ゲートのセットを各々が備えた3以上のセクションからなるブロック構成が可能となり、それによって、上記非選択セクションにおける妨害の減少を意図してワードラインを共有する選択されたセクションとは別様に、読み出し処理時または書き込み処理時の非選択セクションに対してバイアスをかけることが可能となる。1セクションのサイズ(すなわち、列数あるいはN値)は一般的には、ホストとメモリシステム間でのデータ転送用として都合のよい或いは標準化された“ページ”サイズを選択するユーザの選好に基づくものとなる。ワードラインを共有するセクション数の選択を許すことにより、行制御回路の共有が可能となり、その結果、メモリ回路におけるスペースの節減結果が得られる。
【0023】
図2bのアレイの左右の片側部分への分割により、片側部分のビットライン間の容量結合は、米国特許出願第09/893,277号に記載の、インタリーブされた奇数ページ/偶数ページ構成と比較すると減少する。上記特許に記載されているように、偶数ページがプログラムされた後、奇数ページがプログラムされる。各偶数のビットラインを容量結合した一対の奇数のビットライン間に、各偶数のビットラインが配置されているので、奇数ページのプログラミングは偶数ページのビットラインのセルのしきい電圧に著しく影響を与える可能性がある。本発明の様々な態様により別個のセクションで与えられる改善された制御に加えて、左右の片側部分へのブロックの分割の結果生じる物理的分離により同じワードラインの隣接ページ間での容量結合が大幅に減少する。
【0024】
これらの実施形態の好適例では、ページサイズは512バイトであり、このサイズは同じワードラインのセル数よりも小さい。このページサイズはユーザの選好と設定とに基づくものである。データの異なるページ値が復号器を共有できるため、ワードラインのサイズが2以上のページ値のセルに対応できることにより、X−復号器(行制御回路3)のスペースが節減される。
【0025】
ユーザデータの読み出しおよびプログラミング処理中、本例ではN=4256個のセル(M)が同時に選択される。選択されたセル(M)は、同じワードライン(WL)(例えば、WL2)と、同じ種類のビットライン(BL)(例えば、左ビットライン(BLL0〜BLL4255))とを備えている。したがって、532バイトのデータの同時読み出しや同時プログラミングの実行が可能となる。同時読み出しまたは同時プログラムされたこの532バイトのデータは論理的に“ページ”形成が行われる。したがって、1ブロックで少なくとも8ページの記憶が可能となる。各メモリセル(M)が2ビットデータ(すなわち、マルチレベルセル)を記憶する場合、1セル記憶当たり2ビットの場合、1ブロックに16ページが記憶されることになる。本実施形態では、メモリセルの各々の記憶エレメント(この場合メモリセルの各々のフローティングゲート)は2ビットのユーザデータを記憶する。
【0026】
図3は、図2bに概略的に示すタイプのNANDセルユニットの、ビットライン(BL)方向の横断面を示す。P型半導体基板9の表面にp型領域c−pウェル11が形成され、左右のc−pウェルの各々はN型領域10により取り囲まれて、c−pウェルのP型基板からの電気的絶縁が図られる。N型領域10は、第1の接続孔(CB)とN型拡散層12とを介して第1の金属M0からつくられたc−pウェルラインと接続される。第1の接続孔(CB)とP型拡散層13とを介してp型領域c−pウェル11もc−pウェルラインと接続される。c−pウェルラインはc−pウェル制御回路5(図1)と接続される。
【0027】
上記実施形態の好適例ではフラッシュEEPROM記憶装置が用いられ、該装置では、各メモリセルは、セルに記憶されたデータに対応する電荷量が記憶されたフローティングゲート(FG)と、ゲート電極を形成するワードライン(WL)と、P型拡散層12から作られるドレイン電極とソース電極とを備えている。フローティングゲート(FG)はトンネル酸化膜(14)を介してc−pウェルの表面に形成される。ワードライン(WL)は絶縁フィルム(15)を介してフローティングゲート(FG)にスタックされる。ソース電極は、第2の選択トランジスタ(S)と第1の接続孔(CB)とを介して、第1の金属(M0)からつくられた共通ソースライン(c−source)と接続される。この共通ソースラインはc−source制御回路(4)と接続される。ドレイン電極は、第1の選択トランジスタ(S)と、第1の接続孔(CB)と、第1の金属(M0)の中間配線および第2の接続孔(V1)とを介して、第2の金属(M1)からつくられたビットライン(BL)と接続される。ビットラインは列制御回路(2)と接続される。
【0028】
図4と図5は、メモリセル(図3の断面4−4)と、選択トランジスタ(図3の断面5−5)との、ワードライン(WL2)方向の断面図をそれぞれ示す。各列は、基板内に形成されたトレンチによって隣接する列から絶縁され、浅いトレンチ絶縁(STI)として知られている絶縁材料で満たされている。フローティングゲート(FG)は、STIと絶縁フィルム15とワードライン(WL)とにより互いに絶縁される。現在、フローティングゲート(FG)間のスペースは0.1μmよりも小さく、フローティングゲート間の容量結合は増加している。選択トランジスタ(S)のゲート電極(SG)が、フローティングゲート(FG)とワードライン(WL)と同じ製造工程ステップで製造されるため、ゲート電極(SG)はスタックされたゲート構造を示す。上記2つの選択ゲートライン(SG)はラインの終端で短絡される。
【0029】
図6と図7は、メモリセルアレイ1を動作するために印加される電圧の概要を示すものである。プログラム処理時および読み出し/検証処理時に、選択されたワードラインに用いられる特定の電圧値については、米国特許出願第09/893,277号(2001年6月27日出願)にさらに十分に記載されている。上記発明は上掲参考文献として取り入れられている。以下の解説では、“WL8”のワードラインと左側のセクションに対応する“BLL”のビットラインを読み出し用およびプログラミング用として選択するケースを用いる。一般に、読み出しおよびプログラミングの際、WL0から始まりWL15へ続く順序が用いられる。
【0030】
実施形態の好適例では、ブロック内の左右のセットのメモリセルは同じ処理時にまとめて消去される。選択ライン(SGDL、SGDR、SGSL、SGSR)およびソースライン(C−sourceL、C−sourceR)をフロート状態にして、ビットライン(BL)の間のc−pウェルを消去用電圧VERASE(例えば、20Vなど)まで上げることにより、さらに、選択されたブロックのワードライン(WL)を接地することにより、選択されたブロックのデータが消去される。非選択ブロックのワードライン(WL)、ビットライン(BL)、選択ライン(SGDL、SGDR、SGSL、SGSR)およびc−sourceはフロート状態に置かれ、これらのラインはまたc−pウェルとの容量結合の結果ほとんど20Vまで昇圧される。したがって、強い電場が、選択されたメモリセル(M)のトンネル酸化膜14(図4と図5)にだけ印加され、次いで、選択されたメモリセルのデータは、トンネル電流がトンネル酸化膜14の両端にわたって流れると消去される。消去されたセルは生じ得るプログラム状態のうちの1つの状態と考えることができる。
【0031】
プログラミング処理中フローティングゲート(FG)の中に電子を記憶するために、選択されたワードラインWL8はプログラム・パルスVpgmと接続され、選択されたビットラインBLLは接地される。一方、プログラミングを行わないメモリセル(M)でのプログラムを抑制するために、対応するビットラインBLLは電源のVdd(例えば、3Vなど)と接続される。以下に説明するように、非選択の右側のビットラインBLRも昇圧される。隣接しない非選択ワードラインWL0−WL6およびWL10−WL15は、パス電圧Vpass(例えば、10Vなど)と接続される。第1の選択ゲート(SGDL)は、外部電源または内部調整電圧源からのハイ論理レベルであるVddと接続され、第2の選択ゲート(SGSL)は接地される。1つの実施形態では、隣接ワードラインもVpassに設定される。別の実施形態では、消去された領域の自己昇圧を行うためにドレイン側の隣接ワードラインWL9をVpassに設定するか、ローカルな自己昇圧を行うために隣接ワードラインWL9とWL7の双方を接地電位に設定するかのいずれかが行われる。この結果、プログラムされるメモリセル(M)のチャネル電位は0Vに設定される。ワードライン(WL)との容量結合によりチャネル電位が引き上げられた結果、プログラム抑制時のチャネル電位が6V周辺まで上げられる。以上説明したように、プログラミング中強い電場がメモリセル(M)のトンネル酸化膜14にだけ印加され、消去と比較して逆方向にトンネル酸化膜14の両端にわたってトンネル電流が流れて、記憶された電荷レベルが上げられる。C−sourceLをVddに設定して昇圧前のチャネル内の初期電圧の設定に役立てることができる。
【0032】
別個のセットの選択ゲートと別個の1本のソースラインとの導入により非選択セクションに対して独立にバイアスをかけて妨害を減らすようにすることが可能となる。この妨害は、関係するより高い電圧に起因して、読み出し処理時よりも書き込み処理時に生じる可能性が大きい。したがって、一例として、左側のプログラミング中、チャネル昇圧を行うために好適な方法で右側に対してバイアスをかけることが可能である。この方式の特徴は、セグメンテーション制御SGDとSGSを左右のセット(SGDL、SGDR、SDSL、SDSR)に分離することである。ソースラインも左右部分(C−sourceLとC−sourceR)に分離される。
【0033】
非選択の右側(BLRとC−sourceR)のビットラインとソースラインはVddにあるいはその近辺に設定される。右側のソースおよびドレイン選択トランジスタもVddにあるいはその近辺に設定される。この結果生じるバイアスにより左側のトンネル酸化膜の両端にわたって電場が縮小される。左側のプログラミングの際、Vddレベル周辺でSGDRとSGSRとに対してバイアスがかけられると、右側ビットラインとソースラインとに対してもVddでバイアスがかけられ、非選択の右側に好適な昇圧が生じ、プログラム妨害の減少という結果が得られる。エネルギの節減のために、プログラム抑制側(左側)のソースラインとビットラインとをフロート状態にしておいてもよい。
【0034】
図6bは、さらに詳細にプログラミング処理を示す。図6aは、図2bのアレイの単純化した参照用バージョンを示すものである。アレイの左右部分の独立性はチャネルを昇圧するための3ステップ処理時に利用される。第1段で初期電圧がチャネルへ供給される。次いで、選択トランジスタSGDとSGSが漏洩経路を切断してチャネルをフロートさせる。第3に、制御ゲート電圧を増加し、その結果、後続処理のための基板チャネルの昇圧が行われる。
【0035】
プログラム処理時に、選択されたワードライン(sel WL)に対して高いプログラム電圧(VPGM ) でバイアスがかけられ、次いで、非選択ワードライン(unsel WL)に対してパス電圧(Vpass)でバイアスがかけられる。米国特許出願第09/893,277号(2001年6月27日出願)に具体的な値についてのさらに完全な記載がある。上記発明は上掲参考文献として取り入れられている。変更例では、プログラミング用として選択されたワードラインに直接つながる非選択ワードラインの一方または双方は上述のように接地電位に設定される。
【0036】
プログラミング用のページを左片側部分のアレイへ書き込むと仮定すると、左側アレイが最初ビットライン(BL)によりドレイン側で昇圧される。セルをプログラムするために、ビットラインは接地電位に設定され、チャネル電圧は0Vになり、セルのプログラミングを抑制するために、ビットライン電圧がVddにプリチャージされる。これは図6bの最上部の一対のライン(BL(左側))に示されている。フラットな0ラインが選択されたケースに対応し、Vddラインが非選択のケースに対応する。したがって、昇圧はプログラム抑制NANDチェーンに対してしか行われない。ソース側はSGS=0以来フロートしている。アレイの左側の中へプログラムすべき“0”と“1”からなる混合したデータパターンがある場合、ハイ(この場合“0”)状態へプログラムする必要があるセルを持つNANDチェーンは0のチャネル電圧を持つことになる。逆に、プログラミングを必要としないセル(本願ではローすなわち“1”データ)を持つNANDチェーンは昇圧されたチャネルを持つことになる。最初、このチャネルをVdd−Vthの値に荷電することにより昇圧が行われる。但し、Vthはトランジスタしきい値である。非選択ワードラインの制御ゲート電圧を増加して、Vpass=10Vで制御ゲートとチャネル間の結合比が70%となった場合、チャネルは最終的に0.7×Vpass7Vまで昇圧される。抑制されたNANDチェーンのドレイン側も、BL=VddとSGDL=Vddでやはりフロートしていることを指摘しておく。この結果、基板が7Vに昇圧したストリップのチャネルを持つことになるのに対して、隣接ストリップの方はチャネル電圧0Vを持つことが可能となる。異なるストリップ内で昇圧された電圧は表面反転層に存在し、浅いトレンチ絶縁(STI)領域により絶縁される。或いは、エネルギー使用量を減らすために、選択された左片側部分のアレイのソースラインとビットラインに若干の電圧を最初に供給して昇圧の開始を可能にし、次いで、ノードをフロート状態に放置する。
【0037】
アレイの非選択部(この場合、右片側部分のアレイ)では、NANDチェーンのすべてが昇圧される。右片側部分で別個のSGDとSGSを利用する柔軟性によりさらに効率的な昇圧シーケンスが可能となる。チャネルの初期電圧はソースライン(C−source)によりソース側からVddまで荷電される。SGSは最初、最大電圧Vddの通過を可能とするようにVSGの高い電圧(本例では4V)まで上げられ、次いで、ソース側をフロートさせるためにSGSはVddまで下げられる。チャネルがVddまで昇圧された後、ワードライン電圧が上げられ、VpassとVpgmとはこれらの高い電圧でチャネルをさらに昇圧する。ドレイン側では、Vddよりも低い値(例えば、1.4ボルト)までしかビットラインを上げることができない場合もある。なぜなら、対応する高いキャパシタンスに起因して高い電圧まで荷電を行うことが難しくなるからである。また、ドレイン側もフロートさせるためにも、BL電圧と同じ電圧レベルでSGDRに対してバイアスがかけられる。
【0038】
別の実施形態では、チャネル内の初期電圧は、ビットラインのドレイン側から設定可能である。この場合、タイミング・シーケンスは、VddまでBL(右側)を荷電し、次いで、4VまでVSGDRを上げてBL電圧をチャネルへ通過させることになる。次いで、SGDR電圧はVddまで下げられ、ビットライン側はフロート状態に放置される。したがって、BL(右側)とSGDLの役割は、C−sourceLとSGSRとを用いてそれぞれ切り替えられる。プログラミング用としてVpgmとVpassの高い電圧がワードラインに印加された後、チャネル表面電圧が6〜8ボルト周辺まで自己昇圧される。ソース側から荷電するか、ドレイン側から荷電するかの決定は、ビットラインとソースラインの寄生容量の評価に基づいて行うことができる。昇圧を行うためには少ない容量を持つ側を荷電することが一般に望ましい。ブロックの非選択部におけるドレイン側とソース側の役割のこの極性反転は、以下に説明するように、読み出し処理時に利用することも可能である。
【0039】
左側と右側とが別個のウェル構造を備えているとき、書き込み処理の開始時に、c−pウェルの制御によりVddのような定電圧の、非選択側のウェル(例図の右側)への印加が可能となる。同時に、非選択部のNANDチェーンのドレイン側とソース側の双方がフロートしていることが望ましい。次いで、非選択ウェルが昇圧のために結合される。同様のシーケンスがプログラム処理と読み出し処理の双方に印加される。
【0040】
プログラミング用電圧VPGM の値は大きさが増加する一連のパルス出力であってもよい。その場合、一旦セルがこの値の検証を行うと、対応するビットラインに対して電圧を上げることによりセル自体が抑制される。例示のプログラミング用電圧とプログラミング・シーケンスに関するさらなる詳細については、2001年6月27日出願の米国特許出願第09/893,277号に記載がある。上記発明は上掲参考文献として取り入れられている。上記特許に記載の実施形態の好適例では、各記憶装置すなわちメモリセルは2ビットデータの記憶が可能であり、ビットラインは奇数と偶数のセットに分割される。このようにして、所定のワードラインのセルについて、偶数と奇数のビットラインの双方が2ページ(“上”と“下”のページ)のデータを各々記憶することが可能となる。ゲートの容量結合の影響(Yupin効果(Yupin effect))を減らすために、プログラミング・シーケンスが上記特許に記載されており、該特許では、偶数列または奇数列のいずれかがダブルパス・プログラミング、例えば、順序(ロー偶数、ロー偶数、ハイ偶数、ハイ偶数、ロー奇数、ハイ奇数)または(ロー偶数、ハイ偶数、ロー奇数、ハイ奇数、ロー偶数、ハイ偶数)を受け取って、セルの母集団内のしきい電圧の分布の改善が図られる。本発明の1つの態様では、ブロックの右側部分と左側部分とが分離されるため、ゲートの容量結合(Yupin効果)は減少する。別個に制御可能なウェル構造と、左右の片側部分内のソースラインと選択ゲートラインとを備えるという上述の別の利点に加えて、第2のプログラミングパスなしで、2つの片側部分の分離によりしきい値のより良好な分布が可能となる。例えば、ワードラインに沿って4ページのデータをプログラムする場合、シーケンス(左ロー、左ハイ、右ロー、右ハイ)を用いて、第2のパス、すなわち、左ローと左ハイとが不要となることにより、プログラム速度の向上を図ることが可能となる。
【0041】
読み出し処理時と検証処理時に、本発明のアーキテクチャにより読み出し妨害の減少も可能になる。例示の2つのサブブロックの実施形態では、左側が再び選択され、検知(読み出し)が行われる。NANDチェーンが絶縁され、チャネルがあるパーセントのVREAD電圧と結合されるのでチャネルの右側が自己昇圧される。上記方式では、SGDL、SGDR、SDSLおよびSDSR用として別個のセットの選択ゲート制御信号が再び利用される。
【0042】
選択された左側では、選択ゲート(SGDLとSGSL)と非選択ワードライン(WL0−7とWL9−15)とをそれぞれ昇圧して、VSGとVREADのパス電圧(例えば、4.5V)を読み出し、対応するトランジスタのスイッチを完全にオンにして該トランジスタをパスゲートとして機能させる。関係するメモリセルのしきい電圧がこのようなレベルに達したかどうかを判定するために、選択されたワードライン(WL8)は、各読み出し処理と検証処理のために指定されたレベルVCGRの電圧と接続される。本実施形態では、VCGRの値はデータに依存し、読み出し精度を保証するために、読み出し処理時の場合よりもわずかに高い値が検証処理時に用いられる。
【0043】
選択されたビットライン(BLL)は高いレベル(例えば、0.7V)にプリチャージされる。しきい電圧の方が読み出しレベルまたは検証レベルVCGRよりも高い場合、関係するビットライン(BLL)の電位レベルは非導電性メモリセル(M)に起因して高いレベルを維持する。他方で、しきい電圧の方が読み出しレベルまたは検証レベルよりも低い場合、関係するビットライン(BLL)の電位レベルは、導電性メモリセル(M)に起因して、低レベル(例えば、0.1Vよりも低い)まで放電される。読み出し処理と検証処理についてのさらなる詳細が、VCGRと別の電圧用の例示の値と共に米国特許出願第09/893,277号に記載されている。上記発明は上掲参考文献として取り入れられている。
【0044】
非選択の右側で、ビットライン(BLR)、選択ゲート(SGSR、SGDR)およびソースライン(C−sourceR)を接地電位に設定することができる。図7aと7bとの関連で説明したように、効果的な昇圧を目的として、好ましい実施形態ではSGSRとソースラインとに対してVdd電圧でバイアスがかけられる。ソースラインが分割されない場合、c−sourceが左右両側で同一で、0ボルトに保持されている間、読み出し処理時にSGSRがVSGになるので、非選択部のすべてのNANDチェーンにおけるチャネル電圧は0ボルトに保持される。その結果、ソースラインが別個のものである場合と比べて多量の妨害が生じる。
【0045】
図7bは、さらに詳細に検知処理を示す。この場合、図7aは、図2bのアレイの単純化した参照用バージョンを示す。プログラム処理時の場合のように、アレイの左右部分の独立性は、チャネル昇圧用3ステップ処理時に再び利用される。第1段で初期電圧がチャネルへ供給される。次いで、選択トランジスタSGDとSGSが漏洩経路を切断してチャネルをフロートさせる。第3に、制御ゲート電圧を増加し、その結果、後続処理のために基板チャネルの昇圧が行われる。
【0046】
読み出し処理時に、この場合0V〜3Vまでの範囲で、選択したワードライン(sel WL)に対して読み出し用電圧レベルVCGR でバイアスがかけられる。選択された記憶装置内の抵抗は別にして、多くの抵抗を受けずにNANDチェーンに沿って検知用電流を通過させるために、例えば4〜5VなどのVREADで非選択WLに対してバイアスがかけられる。
【0047】
セルを検知した左片側部分のアレイでは、読み出し用電圧VREAD(この場合、4〜5ボルト)で選択ゲートSGDLとSGSLに対してバイアスがかけられ、それによって完全にスイッチがオンになる。ビットラインBL(左側)は、例えば、0.5〜0.7ボルトにプリチャージされる。プリチャージされたBL電圧がNANDチェーンを介して放電されたとき、上記検知は行われる。図7bの最上部ラインは選択したトランジスタが完全にオフになり、放電が生じたときのケースを示す。左側のソースラインは接地しており、C−sourceL=0である。ワードラインと同時に上昇する実線に加えて、SGSLの波形を点線で示すが、この場合、ビットラインがプリチャージされると同時に電圧が上昇する。実線は、BL(左側)をプリチャージしている間NANDチェーンがオンであるオプションを表すものであり、これに対して、点線は、BL(左側)をプリチャージしている間NANDチェーンがオフであるオプションを表す。
【0048】
右側のアレイではセルは検知されない。ソースライン(C−sourceR=Vdd)からチャネルへVddを通過させるために、SGSR電圧をVSGまで上げることによりチャネルは再び最初Vddに昇圧される。SGDR電圧がVddまで下げられ、チャネルをフロート状態に放置させる。ドレイン側では、SGDR=0VかつBL=0Vであり、この側部もフロートしている。このバイアス方式では、左側チャネルは接地し、右側チャネルは2〜3Vまで昇圧され、読み出し妨害が低減される。
【0049】
図8は、各メモリセルが2ビットデータを記憶する実施形態を表し、記憶レジスタが左右のビットラインの間で各々共有される図1の列制御回路2の一部分を示す。各一対のビットライン(BLLとBLR)はデータ記憶部16と結合され、該データ記憶部16は2つのデータ記憶(DS1とDS2)レジスタを備え、各レジスタは1ビットデータを記憶する能力を有する。データ記憶部16は、読み出し処理中または検証処理中、選択されたビットライン(BL)の電位レベルを検知し、次いで、2進形式でデータを記憶し、さらに、プログラム処理時にビットライン電圧を制御する。データ記憶部16は、“LEFTBL”と“RIGHTBL”の信号のうちの一方を選択することにより選択されたビットライン(BL)と選択的に接続される。データ記憶部16はI/Oラインとも結合され、読み出しデータを出力し、プログラムデータを記憶する。I/Oラインは、図1との関連で上述したように、データ入力/出力バッファ6と接続される。
【0050】
一対のビットラインにより1セットのレジスタを共有する図8の構成では、これらのレジスタの数、したがってメモリ素子上に必要なスペースが減少するが、各ビットラインに該ビットライン自身のセットのレジスタを供給することが望ましい場合が多い。それによって、ユーザが2ページのデータを持っている場合、双方の側を一緒にプログラムすることが可能となる。この方式により、ユーザがプログラムすべき多量のデータを持っている場合のパフォーマンスの向上が図られる。
【0051】
上述したように、これまでの説明は、主として、メモリ素子用のフローティングゲートEEPROMやフラッシュセルのような電荷蓄積装置を用いる実施形態について述べたものであったが、DRAMおよびSRAMを含む別の実施形態にも本発明は適用できる。個々の記憶エレメントがデータを読み出し、書き込み、記憶する方法ついての詳細は本発明の主要な態様には入らないので、本発明の様々な態様は、0.1μm以下のトランジスタ、単一電子トランジスタ、有機/炭素ベースのナノトランジスタおよび分子トランジスタを含む別のメモリタイプに適用することも可能である。但し、この適用は上記トランジスタに限定されるものではない。例えば、Eitanの米国特許第5,768,192号およびSatoらの米国特許第4,630,086号にそれぞれ記載されているようなNROMとMNOSセル、あるいは、Gallagherらの米国特許第5,991,193号とShimizuらの米国特許第5,892,706号にそれぞれ記載されているような磁気RAMとFRAMセルの使用も可能である。上記特許のすべては本願明細書に参考文献として取り入れられている。
【0052】
具体的な実施形態との関連で本発明の様々な態様について説明したが、本発明は添付の請求項の最大範囲の保護を受けるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の様々な態様を実現する不揮発性メモリシステムのブロック図である。
【図2a】NAND型の場合の図1のメモリアレイの回路と編成における本発明の態様を示す。
【図2b】NAND型の場合の図1のメモリアレイの回路と編成における本発明の態様を示す。
【図3】半導体基板上に形成されるNAND型のメモリアレイの列に沿った断面図を示す。
【図4】図3のメモリアレイの断面図の断面4−4で切り取った図である。
【図5】図3のメモリアレイの断面図の断面5−5で切り取った図である。
【図6a】プログラミング処理のための単純化したアレイとタイミング図を示す。
【図6b】プログラミング処理のための単純化したアレイとタイミング図を示す。
【図7a】読み出し処理のための単純化したアレイとタイミング図を示す。
【図7b】読み出し処理のための単純化したアレイとタイミング図を示す。
【図8】図2〜5のNANDメモリセルアレイの別の特徴を示す。
【符号の説明】
1 メモリセルアレイ
2 列制御回路
3 行制御回路
4 C−Source制御
5 C−pウェル制御
6 データ入力/出力回路
7 コマンド回路
8 状態マシン
20 コントローラ
22 集積回路チップ
To/From Host ホストへ/ホストから
Control Lines 制御ライン
WL WL(ワードライン)
BL BL(ビットライン)
Address Lines アドレスライン
I/O Data Lines I/Oデータライン
Claims (32)
- 不揮発性メモリであって、
基板上に形成され、それぞれのビットラインに沿って接続される複数の列の中へ配列される複数の記憶装置であって、各列がドレイン側選択トランジスタとソース側選択トランジスタとの間で直列に接続される前記記憶装置のうちのいくつかの記憶装置を備え、それにより前記記憶装置が対応する数の行を形成し、所定の行に沿った記憶装置の前記列を複数の別個のサブセットに細分化し、複数の別個のサブセットは、別個のセットのドレイン側選択トランジスタゲートラインとソース側選択トランジスタゲートラインとを有し、同じワードラインを共有する記憶装置と、
複数のワードラインであって、その各々が対応する行の前記記憶装置を接続するワードラインと、
前記選択トランジスタと接続され、それにより前記ドレイン側選択トランジスタおよびソース側選択トランジスタの制御ゲートに対する電圧レベルを設定可能とし、1つのサブセット内の前記ドレイン側選択トランジスタまたはソース側選択トランジスタのうちの少なくともいずれか一方の制御ゲートに対する電圧レベルをその他のサブセット内の前記ドレイン側選択トランジスタまたはソース側選択トランジスタのうちの前記少なくともいずれか一方の制御ゲートに対する電圧レベルとはそれぞれ独立に設定可能とするバイアス用回路と、
を有する不揮発性メモリ。 - 請求項1記載の不揮発性メモリにおいて、
前記サブセットの列の各々を前記基板の別個の隣接領域に形成する不揮発性メモリ。 - 請求項2記載の不揮発性メモリにおいて、
前記バイアス用回路と接続される対応するウェル構造上に前記領域を各々形成し、1つの領域内のウェル構造における電圧レベルをその他の領域内のウェル構造の電圧レベルとは独立に設定することができる不揮発性メモリ。 - 請求項1記載の不揮発性メモリにおいて、
各サブセットのビットラインのソース側を前記バイアス用回路と接続される対応する共通ソースラインと接続し、1つのサブセット内の共通ソースラインに対する電圧レベルをその他のサブセット内の共通ソースラインに対する電圧レベルとは独立に設定することができる不揮発性メモリ。 - 請求項4記載の不揮発性メモリにおいて、
前記記憶装置がフローティングゲート・メモリセルを備え、前記ワードラインをそれぞれの行の前記メモリセルの制御ゲートと接続する不揮発性メモリ。 - 請求項4記載の不揮発性メモリにおいて、
前記記憶装置は、多状態記憶装置である不揮発性メモリ。 - 請求項4記載の不揮発性メモリにおいて、
前記複数の記憶装置に結合される消去回路であって、前記複数の記憶装置内の記憶装置の数が前記不揮発性メモリの消去単位の大きさに対応する消去回路をさらに有する不揮発性メモリ。 - 請求項7記載の不揮発性メモリにおいて、
前記サブセットの各々における列の数は、前記不揮発性メモリと前記メモリと接続可能なホストとの間のデータ転送単位のサイズに基づく不揮発性メモリ。 - 請求項1記載の不揮発性メモリにおいて、
読み出し処理時に電圧レベルを設定するように前記ワードラインと接続される読み出し回路と、
読み出し処理中読み出しレジスタのセットのうちの1つが接続される1つの列内の記憶装置からデータ内容を記憶するための前記列と接続可能な複数のセットの1つ以上の読み出しレジスタと、
をさらに有する不揮発性メモリ。 - 請求項9記載の不揮発性メモリにおいて、
各列は、それぞれのセットの1つ以上の読み出しレジスタを備える不揮発性メモリ。 - 請求項9記載の不揮発性メモリにおいて、
各セットの1つ以上の読み出しレジスタは、複数の列と接続可能である不揮発性メモリ。 - 請求項9記載の不揮発性メモリにおいて、
書き込み処理時に電圧レベルを設定するように前記ワードラインと接続されるプログラム回路と、
書き込み処理中書き込みレジスタのセットのうちの1つが接続される1つの列内の記憶装置に書き込まれるデータ内容を記憶するための前記列と接続可能な複数のセットの1つ以上の書き込みレジスタと、
をさらに有する不揮発性メモリ。 - 請求項12記載の不揮発性メモリにおいて、
前記読み出しレジスタは、前記書き込みレジスタと同じである不揮発性メモリ。 - 不揮発性メモリを動作する方法であって、前記メモリは基板上に形成され、それぞれのビットラインに沿って接続される複数の列の中へ配列される複数の記憶装置を備え、各列がドレイン側選択トランジスタとソース側選択トランジスタとの間で直列に接続される前記記憶装置のうちのいくつかの記憶装置を備え、それにより前記記憶装置が各行の記憶装置を接続するそれぞれのワードラインとともに対応する数の行を形成し、所定の行に沿った記憶装置の前記列を第1および第2のサブセットを含む複数の別個のサブセットに細分化し、複数の別個のサブセットは、別個のセットのドレイン側選択トランジスタゲートラインとソース側選択トランジスタゲートラインとを有し、同じワードラインを共有する不揮発性メモリを動作する方法において、
前記第1のサブセット内の第1のビットラインのドレイン側に対する電圧レベルを設定するステップと、
前記ワードラインに対して電圧レベルを設定するステップと、
前記サブセットのうちの前記第1および第2のサブセット内のドレイン側選択トランジスタおよびソース側選択トランジスタのゲートに対して同時に電圧レベルを設定するステップであって、前記第2のサブセット内の前記ドレイン側選択トランジスタおよびソース側選択トランジスタのうちのいずれか1つの選択トランジスタのゲートに対する電圧レベルが前記第1のサブセット内の前記ドレイン側選択トランジスタおよびソース側選択トランジスタのうちの前記いずれか1つの選択トランジスタのゲートに対する電圧レベルとは異なるものである選択トランジスタのゲートに対して電圧レベルを設定するステップと、
を有する方法。 - 請求項14記載の方法において、
前記第1のビットラインのドレイン側に対する電圧レベルを設定するステップと、前記選択トランジスタのゲートに対して電圧レベルを設定するステップとを、前記ワードラインに対して電圧レベルを設定するステップに先行して実行する方法。 - 請求項15記載の方法において、
前記方法は、読み出し処理の一部である方法。 - 請求項16記載の方法において、
前記第1のビットラインのドレイン側に対する電圧レベルが0. 5〜0. 7ボルトの範囲内の値であり、前記ワードラインのうちの第1のワードラインに対する電圧レベルがデータに依存し、その他のワードラインに対する電圧レベルが4〜5ボルトの範囲内の値である方法。 - 請求項17記載の方法において、
前記第1のサブセットの列のソース側を接地電位に設定し、前記第2のサブセットの列のソース側をハイ論理レベルに設定する方法。 - 請求項18記載の方法において、
前記第1のサブセットのドレイン側選択トランジスタのゲートに対する電圧レベルを4〜5ボルトの範囲内の値に設定し、前記第2のサブセットのドレイン側選択トランジスタのゲートに対する電圧レベルを接地電位に設定し、前記第1のサブセットのソース側選択トランジスタのゲートに対する電圧レベルをハイ論理レベルに設定し、前記第2のサブセットのソース側選択トランジスタのゲートに対する電圧レベルをハイ論理レベルに対する値よりも高い値に最初に設定し、次いで電圧レベルを前記ワードラインに対する電圧レベルの前記設定と同時にハイ論理レベルまで下げる方法。 - 請求項19記載の方法において、
前記第2のサブセット内のビットラインのドレイン側に対する電圧レベルを接地電位に設定する方法。 - 請求項16記載の方法において、
前記読み出し処理は、検証処理の一部である方法。 - 請求項15記載の方法において、
前記方法は、書き込み処理の一部である方法。 - 請求項22記載の方法において、
前記第1のビットラインのドレイン側に対する電圧レベルを接地電位に設定し、前記ワードラインのうちの第1のワードラインに対して設定する電圧レベルがプログラミング用電圧である方法。 - 請求項23記載の方法において、
前記第1のワードラインに隣接しない行内のワードラインに対する電圧レベルを8〜12ボルトの範囲内の値に設定する方法。 - 請求項24記載の方法において、
前記第1のワードラインに隣接する行内のワードラインに対する電圧レベルを8〜12ボルトの範囲内の値に設定する方法。 - 請求項24記載の方法において、
前記第1のワードラインに隣接する第1の行内のワードラインに対する電圧レベルを8〜12ボルトの範囲内の値に設定し、前記第1のワードラインに隣接する第2の行内のワードラインに対する電圧レベルを接地電位に設定する方法。 - 請求項24記載の方法において、
前記第1のワードラインに隣接する行内のワードラインに対する電圧レベルを接地電位に設定する方法。 - 請求項23記載の方法において、
前記第1および第2のサブセットの列のソース側をハイ論理レベルに設定する方法。 - 請求項28記載の方法において、
前記第1のサブセットのドレイン側選択トランジスタのゲートに対する電圧レベルをハイ論理レベルに設定し、前記第2のサブセットのドレイン側選択トランジスタのゲートに対する電圧レベルをハイ論理レベル以下の値に設定し、前記第1のサブセットのソース側選択トランジスタのゲートに対する電圧レベルを接地電位に設定し、前記第2のサブセットのソース側選択トランジスタのゲートに対する電圧レベルをハイ論理レベルに対する値よりも高い値に最初に設定し、次いで電圧レベルを前記ワードラインに対する電圧レベルの前記設定と同時にハイ論理レベルまで下げる方法。 - 請求項29記載の方法において、
前記第2のサブセット内のビットラインのドレイン側に対する電圧レベルを前記第2のサブセットのドレイン側選択トランジスタのゲートと同じ値に設定する方法。 - 請求項23記載の方法において、
前記第1のサブセット内の第2のビットラインのドレイン側に対する電圧レベルをハイ論理レベルに設定する方法。 - 請求項22記載の方法において、
前記第1のビットラインのドレイン側に対する電圧レベルを設定するステップと、前記選択トランジスタのゲートに対して電圧レベルを設定するステップとに先行して、前記第1および第2のサブセットを同時に消去するステップをさらに有する方法。
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