JP4497203B2 - 積層セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents

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Description

本願発明は、積層セラミック電子部品およびその製造方法に関し、詳しくは、セラミック層間に、一部が端面に導出されるような態様で内部電極層が配設され、セラミック積層体の端面に内部電極層と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミック電子部品およびその製造方法に関する。
代表的な積層セラミック電子部品の1つである、表面実装型の積層セラミックコンデンサは通常、図15に示すように、複数の内部電極層52(52a,52b)がセラミック層53を介して互いに対向するように配設され、かつ、交互に逆側の端面54(54a,54b)に引き出されたセラミック積層体51の両端部に、内部電極層52(52a,52b)と導通するように一対の外部電極55(55a,55b)が配設された構造を有している。
そして、このような外部電極を備えた積層セラミック電子部品(この例では積層セラミックコンデンサ)を製造する場合において、外部電極は、通常は、以下に説明するような手順で形成される(特許文献1参照)。
(1)まず、図16(a)に示すように、平面テーブル61上に、導電性ペースト62を所定の厚みで塗布する。
(2)次に、図16(b)に示すように、導電性ペースト62にセラミック積層体51の端面54を浸漬する。
(3)それから、図16(c)に示すように、セラミック積層体51を導電性ペースト62から引き上げる。これにより、セラミック積層体51の端面54に外部電極55(図15)となる厚膜(導電性ペースト膜)63が形成される。
(4)厚膜(導電性ペースト膜)63が形成されたセラミック積層体51を焼成して、外部電極55を形成する。
なお、このようにして形成された外部電極には、通常、耐はんだ喰われ性、はんだ付け性などを向上させるため、めっき処理が施され、その表面にNiめっき膜やSnめっき膜などが形成される。
ところで、上述のようにして形成される外部電極は、耐候性、内部電極層との導通信頼性、製品の形状・寸法安定性、などの見地から、全体的に均一の厚みを有していることが望ましい。しかしながら、上記(3)のセラミック積層体51を導電性ペースト62から引き上げる段階で、セラミック積層体51の端面54に付着した導電性ペースト62が、自らの重力や引き上げ時に生じる応力などとの関係により、セラミック積層体51の端面54の中央領域Xに引き寄せられ、図16(c)に示すように、端面54の周辺領域Yにおいては、中心領域Xに比べて外部電極55の厚みが薄くなる。
その結果、外部電極にNiめっきやSnめっきを施す際に、厚みの薄い周辺領域Yから、めっき液がセラミック積層体内に侵入しやすくなり、絶縁抵抗劣化や耐候性劣化が起こりやすくなる。
また、一般に、内部電極層を構成するNiやCuなどの金属成分は周囲のセラミック層よりも焼結温度が低く、焼成時に、内部電極層が先に収縮を開始する。そのため、図17に模式的に示すように、内部電極層52の端部にはポア65が発生しやすい。そして、このようなポア65が発生している場合には、めっき液が侵入することによる影響はさらに大きくなる。
このようなめっき液の侵入に起因する問題を解消するために、外部電極形成用の導電性ペーストにガラスを添加して、焼成時にセラミック積層体との界面付近に形成されるガラス膜によりセラミック積層体をシールし、めっき液の侵入を抑制、防止する方法が提案されている。
しかしながら、めっき液の侵入を完全に防止するためには、ペースト中に多量のガラスを添加したり、導電性ペーストの焼き付け温度を高く設定したりすることが必要になる。そして、外部電極形成用の導電性ペーストのガラスの添加量を増やすと、外部電極の表面へのガラスの浮き出し(過剰析出)に起因するめっき付き不良などが発生するという問題点がある。
特開2003−331649号公報
本願発明は、めっき液のセラミック積層体への侵入を抑制、防止することが可能で、絶縁抵抗の低下や耐候性の劣化を招くようなことがなく、かつ、外部電極と内部電極層の電気的な接続信頼性や、外部電極のはんだ付き性が良好な積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本願発明(請求項1)の積層セラミック電子部品は、
複数のセラミック層と、
前記セラミック層間に、一部が端面に導出されるような態様で配設された内部電極層とを備えたセラミック積層体と、
前記内部電極層が導出された端面に、前記内部電極層と導通するように配設された外部電極とを備えた積層セラミック電子部品であって、
前記セラミック積層体の端面の、前記内部電極層が導出されて露出した露出部分のうち、少なくとも長手方向の一方の端部がガラス膜で覆われており、かつ、
前記内部電極層の前記露出部分のうち、前記ガラス膜で覆われていない部分において、前記内部電極層と前記外部電極とが電気的に接続されているとともに、
前記セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面の、積層方向に直交する一方および他方の稜線から、内部電極層の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない2つの領域の少なくとも1つの領域がガラス膜で覆われていること
を特徴としている。
また、本願発明(請求項2)の積層セラミック電子部品は、
複数のセラミック層と、
複数のセラミック層間に、一部が端面に導出されるような態様で配設された複数の内部電極層とを備えたセラミック積層体と、
前記複数の内部電極層が導出された端面に、前記複数の内部電極層と導通するように配設された外部電極とを備えた積層セラミック電子部品であって、
前記セラミック積層体の端面に導出されて露出した前記複数の内部電極層のうち、最上層の内部電極層と最下層の内部電極層の少なくとも一方の内部電極層の、少なくとも長手方向の一方の端部がガラス膜で覆われており、かつ、
前記複数の内部電極層の前記露出部分のうち、前記ガラス膜で覆われていない部分において、前記複数の内部電極層と前記外部電極とが電気的に接続されているとともに、
前記セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面の、積層方向に直交する一方および他方の稜線から、内部電極層の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない2つの領域の少なくとも1つの領域がガラス膜で覆われていること
を特徴としている。
また、請求項3の積層セラミック電子部品は、請求項2記載の発明の構成において、前記最上層の内部電極層と、最下層の内部電極層の両方の内部電極層の、長手方向の両端部がガラス膜で覆われていることを特徴としている。
また、請求項4の積層セラミック電子部品は、請求項2記載の発明の構成において、前記セラミック積層体の端面に露出した、複数の内部電極層のうちのすべての内部電極層の、少なくとも長手方向の両端部が前記ガラス膜で覆われていることを特徴としている。
また、請求項5の積層セラミック電子部品は、請求項1〜4のいずれかに記載の発明の構成において、前記セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面には、前記内部電極層の露出部分の長手方向の両端部を覆う前記ガラス膜が、該端面が有する稜線のうち、積層方向に直交する一方の稜線から、該一方の稜線に対向する他方の稜線に達するように形成されているとともに、積層方向に平行な稜線から、前記内部電極層の露出部分の長手方向の両端部を覆う位置まで形成されており、かつ、前記内部電極層の長手方向の中央部の、前記ガラス膜に覆われていない部分において、前記内部電極層と前記外部電極とが電気的に接続されていることを特徴としている。
また、請求項6の積層セラミック電子部品は、請求項1〜5のいずれかに記載の発明の構成において、前記セラミック積層体の端面の、前記内部電極層の露出部分のうち、長手方向の両端部を覆うガラス膜により覆われていない部分の前記内部電極層の長手方向に沿う方向の距離が0.1mm以上であることを特徴としている。
また、本願発明(請求項)の積層セラミック電子部品の製造方法は、
セラミック層間に、一部が端面に導出されるような態様で内部電極層が配設されたセラミック積層体と、前記内部電極層が導出された端面に内部電極層と導通するように配設された外部電極とを備え、前記セラミック積層体の端面に露出した前記内部電極層の露出部分のうち、少なくとも長手方向の一方の端部がガラス膜で覆われた構造を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、
(a)セラミック層間に、一部が端面に導出されるような態様で配設された内部電極層を備えたセラミック積層体を形成する工程と、
(b)保持体上に、ガラスペーストを塗布する工程と、
(c)前記セラミック積層体を傾けて、前記内部電極層が露出した前記端面が有する稜線のうち、積層方向に平行な稜線が、前記保持体上に塗布されたガラスペーストの表面に略平行になるような姿勢で、前記端面の一方の端部を前記ガラスペーストに浸漬して、前記内部電極層の露出部分のうち、少なくとも長手方向の一方の端部にガラスペーストを付着させるガラスペースト付与工程と、
(d)前記セラミック積層体の、前記内部電極層の露出部分のうち、少なくとも長手方向の一方の端部にガラスペーストを付着させた端面に、外部電極形成用の導電性ペーストを塗布する工程と、
(e)前記セラミック積層体を熱処理して、前記ガラスペーストおよび前記導電性ペーストを焼き付けて、前記ガラス膜および外部電極を焼成する工程と
を具備することを特徴としている。
また、請求項の積層セラミック電子部品の製造方法は、請求項10記載の発明の構成において、前記(c)のガラスペースト付与工程で、内部電極層の露出部分の、少なくとも長手方向の一方の端部にガラスペーストを付着させた後、さらに、前記セラミック積層体を傾けて、前記内部電極層が露出した前記端面が有する、積層方向に直交する稜線が、前記保持体上に塗布されたガラスペーストの表面に略平行になるような姿勢で、前記端面の端部を前記ガラスペーストに浸漬し、前記セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面の、前記積層方向に直交する一方および他方の稜線から内部電極層の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない2つの領域の少なくとも1つの領域にガラスペーストを付着させることを特徴としている。
本願発明(請求項1)の積層セラミック電子部品は、セラミック層間に内部電極層が配設されたセラミック積層体の端面に、露出した内部電極層と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミック電子部品において、セラミック積層体の端面の、内部電極層が導出されて露出した露出部分のうち、少なくとも長手方向の一方の端部をガラス膜で覆い、かつ、内部電極層の露出部分のうち、ガラス膜で覆われていない部分において、内部電極層と外部電極とを電気的に接続するとともに、セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面の、積層方向に直交する一方および他方の稜線から、内部電極層の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない2つの領域の少なくとも1つの領域がガラス膜で覆われるようにしているので、セラミック積層体の端面の周辺領域に、中心領域よりも厚みの薄い外部電極が形成されることになった場合にも、めっき工程において、セラミック積層体の端面の内部電極層の端部からセラミック積層体にめっき液が浸入することを抑制、防止して、絶縁抵抗の低下や耐候性の劣化のない、信頼性の高い積層セラミック電子部品を得ることが可能になる。
さらに、外部電極のガラス成分の含有量を過度に高くする必要がないことから、はんだ付き性の良好な積層セラミック電子部品を得ることが可能になる。
また、セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面の、積層方向に直交する一方および他方の稜線から、内部電極層の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない2つの領域の少なくとも1つの領域をガラス膜で覆うようにしているので、セラミック積層体の端面の、内部電極層の露出部分の両端部以外の、めっき液の浸入しやすい領域(外部電極の厚みが薄い領域に対応する領域)をより確実にガラス膜でシールすることが可能になる。
また、請求項2の積層セラミック電子部品は、複数のセラミック層と、複数のセラミック層間に複数の内部電極層が配設されたセラミック積層体の端面に、露出した複数の内部電極層と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミック電子部品において、セラミック積層体の端面に導出されて露出した複数の内部電極層のうち、最上層の内部電極層と最下層の内部電極層の少なくとも一方の内部電極層の、少なくとも長手方向の一方の端部をガラス膜で覆い、かつ、複数の内部電極層の露出部分のうち、ガラス膜で覆われていない部分において、複数の内部電極層と外部電極とを電気的に接続するとともに、セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面の、積層方向に直交する一方および他方の稜線から、内部電極層の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない2つの領域の少なくとも1つの領域がガラス膜で覆われるようにしているので、外部電極が最も薄くなりやすい領域に対応する領域を、ガラス膜によりシールすることが可能になる。すなわち、内部電極層が多数配設されている場合にも、最上層の内部電極層と最下層の内部電極層の少なくとも一方の内部電極層の、少なくとも長手方向の一方の端部をガラス膜で覆うだけで、めっき工程においてセラミック積層体へのめっき液の浸入を抑制することが可能になり、信頼性の高い積層セラミック電子部品を得ることが可能になる。
また、セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面の、積層方向に直交する一方および他方の稜線から、内部電極層の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない2つの領域の少なくとも1つの領域をガラス膜で覆うようにしているので、セラミック積層体の端面の、内部電極層の露出部分の両端部以外の、めっき液の浸入しやすい領域(外部電極の厚みが薄い領域に対応する領域)をより確実にガラス膜でシールすることが可能になる。
また、請求項3の積層セラミック電子部品のように、請求項2記載の発明の構成において、最上層の内部電極層と、最下層の内部電極層の両方の内部電極層の、長手方向の両端部をガラス膜で覆うようにした場合、めっき工程においてセラミック積層体へのめっき液の浸入を抑制することが可能な、信頼性の高い積層セラミック電子部品を確実に得ることが可能になる。
また、請求項4の積層セラミック電子部品のように、請求項2記載の発明の構成において、セラミック積層体の端面に露出した、複数の内部電極層のうちのすべての内部電極層の、少なくとも長手方向の両端部をガラス膜で覆うようにした場合、さらに確実に、セラミック積層体へのめっき液の浸入を抑制、防止することが可能になり、本願発明を実効あらしめることができる。
また、請求項5の積層セラミック電子部品のように、請求項1〜4のいずれかに記載の発明の構成において、内部電極層の露出部分の長手方向の両端部を覆うガラス膜を、セラミック積層体の端面が有する稜線のうち、積層方向に直交する一方の稜線から、該一方の稜線に対向する他方の稜線に達するように形成するとともに、積層方向に平行な稜線から、内部電極層の露出部分の長手方向の両端部を覆う位置まで形成し、かつ、内部電極層の長手方向の中央部の、ガラス膜に覆われていない部分において、内部電極層と外部電極とを電気的に接続するようにした場合、セラミック積層体の、めっき液の浸入しやすい領域をより確実にガラス膜でシールすることが可能になり、本願発明をさらに実効あらしめることができる。
また、請求項6の積層セラミック電子部品のように、請求項1〜5のいずれかに記載の発明の構成において、セラミック積層体の端面の、内部電極層の露出部分のうち、長手方向の両端部を覆うガラス膜により覆われていない部分の前記内部電極層の長手方向に沿う方向の距離を0.1mm以上とすることにより、内部電極層と外部電極との電気的な導通を確保することが可能になり、信頼性の高い積層セラミック電子部品を得ることが可能になる。
また、本願発明(請求項)の積層セラミック電子部品の製造方法は、(a)セラミック層間に、一部が端面に導出されるような態様で配設された内部電極層を備えたセラミック積層体を形成する工程と、(b)保持体上に、ガラスペーストを塗布する工程と、(c)セラミック積層体を傾けて、内部電極層が露出した端面が有する稜線のうち、積層方向に平行な稜線が、保持体上に塗布されたガラスペーストの表面に略平行になるような姿勢で、端面の一方の端部をガラスペーストに浸漬して、内部電極層の露出部分のうち、少なくとも長手方向の一方の端部にガラスペーストを付着させるガラスペースト付与工程と、(d)セラミック積層体の、内部電極層の露出部分のうち、少なくとも長手方向の一方の端部にガラスペーストを付着させた端面に、外部電極形成用の導電性ペーストを塗布する工程と、(e)セラミック積層体を熱処理して、ガラスペーストおよび導電性ペーストを焼き付けて、ガラス膜および外部電極を焼成する工程とを備えているので、セラミック層間に、一部が端面に導出されるような態様で内部電極層が配設されたセラミック積層体と、内部電極層が導出された端面に内部電極層と導通するように配設された外部電極とを備え、セラミック積層体の端面に露出した内部電極層の露出部分のうち、少なくとも長手方向の一方の端部がガラス膜で覆われた構造を有する、絶縁抵抗の低下や耐候性の劣化のない、信頼性の高い積層セラミック電子部品を効率よく製造することができる。
また、請求項の積層セラミック電子部品の製造方法のように、請求項10に記載の発明の構成において、(c)のガラスペースト付与工程で、内部電極層の露出部分の、少なくとも長手方向の一方の端部にガラスペーストを付着させた後、さらに、セラミック積層体を傾けて、内部電極層が露出した端面が有する、積層方向に直交する稜線が、保持体上に塗布されたガラスペーストの表面に略平行になるような姿勢で、端面の端部をガラスペーストに浸漬し、セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面の、積層方向に直交する一方および他方の稜線から内部電極層の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない2つの領域の少なくとも1つの領域にガラスペーストを付着させるようにした場合、セラミック積層体の端面の、内部電極層の露出部分の両端部以外の、めっき液の浸入しやすい領域(外部電極の厚みが薄い領域に対応する領域)をより確実にガラス膜でシールすることが可能になり、本願発明をさらに実効あらしめることができる。
本願発明の一実施例にかかる積層セラミック電子部品(積層セラミックコンデンサ)の構成を示す斜視図である。 本願発明の一実施例にかかる積層セラミック電子部品の構成を示す正面断面図である。 図1および図2に示した積層セラミック電子部品の製造方法を示す図であり、(a)は斜視図、(b)は正面図である。 (a),(b)は図1および図2に示した積層セラミック電子部品の製造方法を示す図である。 (a),(b)は実施例1で製造した積層セラミック電子部品のセラミック積層体の端面を示す図である。 本願発明の積層セラミック電子部品の製造方法の他の例を示す図であり、(a)は斜視図、(b)は正面図である。 (a),(b)は積層セラミック電子部品の製造方法の他の例を示す図であって、図6で示した工程に続く工程を示す図である。 本願発明の一実施例にかかる積層セラミック電子部品(積層セラミックコンデンサ)の他の例を示す斜視図である。 図8の積層セラミック電子部品のセラミック積層体の端面を示す図である。 本願発明が関連する発明にかかる積層セラミック電子部品(積層セラミックコンデンサ)の構成を示す斜視図である。 図10の積層セラミック電子部品のセラミック積層体の端面を示す図である。 図10および図11に示した積層セラミック電子部品の製造方法を示す図であり、(a)は斜視図、(b)は正面図である。 本願発明が関連する他の発明にかかるセラミック積層体の端面を示す図である。 (a),(b)は本願発明の他の例にかかるセラミック積層体の端面を示す図である。 従来の積層セラミック電子部品(積層セラミックコンデンサ)の構成を示す断面図である。 (a),(b),(c)は従来の積層セラミック電子部品の製造方法を示す図である。 (a),(b)は、従来の積層セラミック電子部品の問題点を説明する図である。
1 セラミック積層体
2(2a,2b) 内部電極層
3 セラミック層
4(4a,4b) 端面
5(5a,5b) 外部電極
10 保持体(テーブル)
11 ガラスペースト
11a,11b ガラスペーストパターン
14 内部電極層が露出した端面が有する稜線
14a,14b 積層方向に平行な稜線
14c,14d 積層方向に直交する稜線
21 ガラスペースト膜
24a,24b 端部側領域
24c 上端側領域
24d 下端側領域
31 ガラス膜
34a 端面の一方の端部
34b 端面の一方の端部と対向する端部
34c 上側端部
34d 下側端部
102a 最上層の内部電極層
102b 最下層の内部電極層
A 内部電極層の露出部分
A1,A2 内部電極層の露出部分の両端部
L 内部電極層の露出部分の長手方向の寸法
B 内部電極層が露出していない部分(余白)
L 内部電極層が露出していない部分の寸法
K ガラスペーストの間隔
S 内部電極層の露出部分のガラスペースト膜により覆われていない領域の長さ
以下に本願発明の実施例を示して、本願発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
積層セラミック電子部品として、以下に説明するような積層セラミックコンデンサ(試料1〜11)を作製し、その特性を調べた。
なお、この実施例1で作製した積層セラミックコンデンサは、図1および図2に示すように、複数の内部電極層2(2a,2b)がセラミック層3を介して互いに対向するように配設され、かつ、交互に逆側の端面4(4a,4b)に引き出されたセラミック積層体1の両端部に、内部電極層2(2a,2b)と導通するように一対の外部電極5(5a,5b)が配設された構造を基本構造とする積層セラミックコンデンサである。
以下、各試料(積層セラミックコンデンサ)の作製方法や構造、特性の評価などについて説明する。
[試料1〜4の作製]
(1)セラミック積層体の作製
BaTiO3を主成分とするセラミックグリーンシートを準備し、所定枚数のセラミックグリーンシートの表面上に、一方の端縁がセラミックグリーンシートの何れかの端面側に露出するように、焼成後に内部電極層となる導体膜(導電性ペースト)を印刷した。これら複数のセラミックグリーンシートを、静電容量の目標値が10μFとなるよう所定枚数積層し、圧着して、未焼成のセラミック積層体を形成した。このセラミック積層体について、脱脂・焼成・表面処理を順次行って、寸法が、長さ(L)2mm×幅(W)1.2mm×高さ(T)1.2mmのセラミック積層体を作製した。
なお、この実施例では、セラミック積層体1の、内部電極層2がセラミック積層体1の端面4に露出している露出部分A(図1参照)の長手方向の寸法(長さ)ALが1.0mm、露出部分Aの両側の、内部電極層が露出していない部分(余白)B(図1参照)の寸法BLがそれぞれ0.1mmとなるように、内部電極層用の導体膜(導電性ペースト)の印刷位置を調整した。
(2)ガラスペーストおよび導電性ペーストの作製
ホウ珪酸系ガラスフリットに、テルピネオールに対してアクリル樹脂を25重量%添加した有機ビヒクルを30:70の割合で加え、3本ロールで混合および分散を行い、ガラスペーストを作製した。
また、平均粒径2μmのCu粉末(導電性粉末)と、ホウ珪酸系ガラスフリットと、テルピネオールに対してアクリル樹脂を25重量%添加した有機ビヒクルを20:5:75の割合で加え、3本ロールで混合および分散を行い、導電性ペーストを作製した。
なお、この実施例1で用いたガラスペーストは上述のようにガラスフリットと有機ビヒクルとを混合したものであり、後工程における外部電極の焼成時に有機ビヒクル成分は消失し、ガラス成分だけが残存することになる。このように焼成後にガラス成分だけが残存するようなガラスペースト(残存成分がガラス100%のガラスペースト)を用いた場合、確実に内部電極層の端部を覆うことができるため好ましいが、内部電極層の端部を実質的に覆うことが可能であれば、他の成分が混合されていてもよい。
具体的には、ガラスペーストに含まれる、焼成後にも残存する成分に占めるガラス成分の体積比率が40%以上、さらに好ましくは60%以上であれば、残りの成分が有機ビヒクル以外に導電成分などが混合されていたとしても、実質的にガラス成分が内部電極層の端部を覆うことになるため、本願発明の効果を損なうことはない。
(3)ガラス膜の形成
図3(a),(b)に示すように、保持体(テーブル)10上にガラスペースト11を、所定間隔Kをおいて帯状に塗布して2つのガラスペーストパターン11a,11bを形成した。なお、保持体としては、直接にガラスペースト11が塗布されるテーブル10を用いる場合に限らず、表面にフィルムが配設された台(テーブルなど)を用いることも可能であり、その具体的な構成に特別の制約はない。
それから、図4(a)に示すように、テーブル10上に塗布されたガラスペースト11にセラミック積層体1の端面4を浸漬した後、図4(b)に示すように、セラミック積層体1を引き上げ、乾燥させることにより、端面4に露出した内部電極層2の両端がガラスペースト膜21により覆われた4種類の試料(試料1〜4)を作製した。
なお、ここでは、4種類の試料の、内部電極層が露出した端面のガラスペースト膜21により覆われていない領域の長さ(すなわち、内部電極層2の露出部分Aのガラスペースト膜21により覆われていない部分の長さ)S(図1(a),図4(b))が、焼成後の値として、0.1mm(試料1)、0.2mm(試料2)、0.4mm(試料3)、0.8mm(試料4)となるように、テーブル10上に塗布されるガラスペースト11の間隔K(図3(a))を調整した。
この内部電極層が露出した端面のガラスペースト膜21により覆われていない領域の長さSは、テーブル10上に塗布されるガラスペースト11の間隔Kを調整して行う方法以外にも、例えば、セラミック積層体1の引き上げ速度を調整することによっても行うことが可能である。セラミック積層体1の引き上げ速度を速くすることにより、ガラスペースト11がセラミック積層体1の端面4の中央部に向かって濡れ拡がることを抑制して、セラミック積層体11の端面4のガラスペースト膜21により覆われていない領域の長さSを大きくすることができる。
また、セラミック積層体11の端面4のガラスペースト膜21により覆われていない領域の長さSは、ガラスペースト11の粘度を調整することによっても行うことが可能である。ガラスペースト11の粘度を低くすることにより、ガラスペースト11がセラミック積層体1の端面4の中央部に向かって濡れ拡がりやすくなり、セラミック積層体11の端面4のガラスペースト膜21により覆われていない領域の長さSを小さくすることができる。
(4)外部電極の形成
次に、端面4に露出した内部電極層2の両端がガラスペースト膜21により覆われたセラミック積層体1の端面4に導電性ペーストを塗布した後、150℃で15分間の乾燥を行った。
その後、中性雰囲気中、850℃、10分キープの条件で焼成した。
これにより、図1(a)、図5(a),(b)に示すように、セラミック積層体1の端面の両端側部分(内部電極層2の露出部分Aの両端部A1,A2を含む領域)を覆うガラス膜31を形成するとともに、ガラス膜31も含めて端面4の全体を覆う外部電極5(5a,5b)を形成した。なお、ガラス膜31の形成領域の、内部電極層2の露出部分Aの長さ方向の距離は、図5(a)のように小さくすることも、図5(b)に示すように大きくすることも可能である。
(5)めっき膜の形成
上述のようにして形成した外部電極5(5a,5b)上に、電解めっきによりNiめっき膜を形成し、さらにNiめっき膜上に電解めっきによりSnめっき膜を形成することにより、試料1〜4の積層セラミックコンデンサを得た。
なお、NiめっきおよびSnめっきを行うにあたっては、めっき浴中の錯化剤としては、クエン酸を用いた。なお、Niめっき膜厚は約3μm、Snめっき膜厚は約3μmとなるようにめっき条件を調製して電解めっきを行った。
これにより、表1の試料1〜4の積層セラミックコンデンサを得た。なお、この試料1〜4の積層セラミックコンデンサにおいて、セラミック積層体1の、内部電極層2が露出した端面4には、ガラス膜31が、積層方向(図3(a)の矢印Dで示す方向)に直交する一方の稜線14(14c)から、該一方の稜線14(14c)に対向する他方の稜線14(14d)に達するように形成されているとともに、積層方向に平行な稜線14(14a,14b)から、内部電極層2の露出部分Aの長手方向の両端部A1,A2を覆う位置まで形成されており、かつ、内部電極層2の露出部分Aの長手方向の中央部の、ガラス膜に覆われていない部分において、内部電極層2と外部電極5とが電気的に接続された構造を有している。
[試料5〜8の作製]
(1)セラミック積層体の作製
上記試料1〜4の場合と同じセラミック積層体(積層セラミックコンデンサとなる積層セラミック素子)を用意した。
(2)ガラスペーストおよび導電性ペーストの作製
上記試料1〜4において用いたものと同じガラスペーストおよび導電性ペーストを作製した。
(3)ガラス膜の形成
図6(a),(b)に示すように、テーブル10上にガラスペースト11を、間隔を置かずに一体に塗布した。
それから、図7(a)に示すように、セラミック積層体1を傾けて、内部電極層2が露出した端面4の、積層方向(図6(a)の矢印Dで示す方向)に平行な2本の稜線14a,14bのうちの一方の稜線14aが、テーブル10上に塗布されたガラスペースト11の表面に略平行になるような姿勢で、端面4の一方の端部34aをガラスペースト11に浸漬し、引き上げることにより、内部電極層2の露出部分Aのうち、長手方向の一方の端部A1が覆われるように、ガラスペースト11を端面4の一方の端部側領域24a(図8および図9参照)に付着させた。
それから、特に図示しないが、同様にして、セラミック積層体1を傾け、積層方向(図6(a)の矢印Dで示す方向)に平行な2本の稜線14(14a,14b)のうちの他方の稜線14bが、テーブル10上に塗布されたガラスペースト11の表面に略平行になるような姿勢で、端面4の一方の端部34aと対向する端部34bをガラスペースト11に浸漬し、引き上げることにより、内部電極層2の露出部分Aのうち、長手方向の他方の端部A2が覆われるように、ガラスペースト11を端面4の他方側の端部側領域24b側に付着させた。
さらに、セラミック積層体1を傾けて、内部電極層2が露出した端面4が有する、積層方向(図6(a)の矢印Dで示す方向)に直交する2本の稜線14c,14dのうちの一方の稜線14cが、テーブル10上に塗布されたガラスペースト11の表面に略平行になるような姿勢で、端面4の上側端部(図8および図9における上側の端部)34c(図6(a))をガラスペースト11に浸漬し、引き上げることにより、セラミック積層体1の、内部電極層2が露出した端面4の、積層方向(図6(a)の矢印Dで示す方向)に直交する一方の稜線14cから内部電極層2の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない上端側領域24c(図8)にガラスペースト11を付着させた。
さらに、セラミック積層体1を傾けて、内部電極層2が露出した端面4が有する、積層方向(図6(a)の矢印Dで示す方向)に直交する2本の両線14c,14dのうちの他方の稜線14dが、テーブル10上に塗布されたガラスペースト11の表面に略平行になるような姿勢で、端面4の下側端部(図8および図9における下側の端部)34d(図6(a))をガラスペースト11に浸漬し、引き上げることにより、セラミック積層体1の、内部電極層2が露出した端面4の、積層方向(図6(a)の矢印Dで示す方向)に直交する一方の稜線14dから内部電極層2の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない下端側領域24d(図8)にガラスペースト11を付着させた。
これにより、図8および図9に示すように、端面4の周縁部を周回する領域にロ字状にガラス膜31が塗布され、端面4に露出した内部電極層2の両端部を含む端部側領域24a,24bと、内部電極層2の露出していない上端側領域24cおよび下端側領域24dがガラスペースト11により覆われたセラミック積層体1を得た。
この実施例1では、内部電極層2の露出していない上端側領域24c、下端側領域24dの幅(セラミック積層体1の最上層と最下層の厚み)は、焼成後の値において、それぞれ0.2mmであり、ガラスペースト11は、この幅0.2mmの領域からはみ出さないように塗布されており、焼成後のガラス膜31の幅も0.2mmとなる。
なお、端面4のガラスペースト11の塗布領域の調節は、セラミック積層体1をガラスペースト11に浸漬した後の、セラミック積層体1の引き上げ速度を制御することにより行うことができる。
また、セラミック積層体1の浸漬深さや浸漬時のセラミック積層体1の傾き(端面4の角度)を調整したり、ガラスペースト11の粘度を調整したりすることによっても、端面4のガラスペースト11の塗布領域の大きさを調整することができる。
(4)外部電極の形成
上述のようにして端面4にガラスペースト膜21が形成されたセラミック積層体1の端面4に、上記試料1〜4の場合と同様の方法、条件で外部電極5(5a,5b)を形成した。
(5)めっき膜の形成
さらに、上述のようにして形成した外部電極5(5a,5b)上に、上記試料1〜4の場合と同様の方法、条件でNiめっき、Snめっきを行って、外部電極5(5a,5b)上に、Niめっき膜を形成し、さらにNiめっき膜上にSnめっき膜を形成した。
これにより、試料5〜8の積層セラミックコンデンサを得た。
[試料(比較例の試料)9〜11の作製]
比較のため、セラミック積層体の端面に、内部電極層の露出部分を覆うガラス膜をまったく形成していない試料9、積層方向と平行な一方と他方の稜線側に一対のガラス膜が形成されているが、内部電極層の露出部分の両端側がガラス膜に覆われていない構造の試料(すなわち、ガラス膜非形成領域の内部電極層の露出部分の長手方向に沿う方向の距離が1.0mmと大きい試料)10、ガラス膜をセラミック積層体1の端面4の全体に配設した試料11を作製した。
[評価]
各試料について、内部電極層と外部電極との接続信頼性を調べるとともに、製品としての信頼を確認するため、高温負荷試験における不良発生率(高温負荷不良率)を測定した。
内部電極層と外部電極との接続信頼性については、静電容量を測定して平均値を求めることにより行った。なお、内部電極層と外部電極が接続されていない部分があると、静電容量の値が小さくなる。
また、製品としての信頼を確認するための高温負荷試験については、105℃、100Hr後のIR劣化率を求めた。なお、IRの劣化が認められたものは、仮に他の特性が良好であっても、総合判定で不良と判定されることになる。
なお、焼成工程を経て外部電極を形成した後のガラス膜の寸法や、内部電極層が露出した端面のガラス膜により覆われていない領域の長さSは、外部電極を電解溶液中にて電解して溶解し、セラミック積層体の露出面と、そこに形成されているガラス膜をSEMにより観察することにより測定した値である。
その結果を表1に示す。
Figure 0004497203
表1に示すように、本願発明の要件を備えた試料1〜8においては、内部電極層と外部電極との接続信頼性が高く、かつ、高温負荷不良の発生もなく、良好な特性を備えた信頼性の高い製品(積層セラミックコンデンサ)が得られることが確認された。
しかしながら、ガラス膜を備えていない試料9の場合、高温負荷不良の発生率が100%と高く、実用性に欠けることが確認された。
また、積層方向と平行な一方と他方の稜線側に一対のガラス膜が形成されているが、内部電極層の露出部分の両端側がガラス膜に覆われていない構造の試料10の場合も、高温負荷不良の発生率が80%と高く、実用性に欠けることが確認された。
また、ガラス膜をセラミック積層体の端面の全体に配設した試料11の場合、当然ではあるが、外部電極と内部電極層の接続をほとんど確保することができなかった。なお、試料11に関しては、高温負荷不良の発生率の評価は行わなかった。
図10および図11は、本願発明が関連する発明の実施例(実施例2)にかかる積層セラミック電子部品(積層セラミックコンデンサ)の要部を示す図である。
この実施例2の積層セラミック電子部品においては、図10および図11に示すように、セラミック積層体1の端面4に露出した複数の内部電極層2のうち、最上層の内部電極層102aと、最下層の内部電極層102bの内部電極層の露出部分の、長手方向の両端部のみがガラス膜31で覆われており、他の部分は特にガラス膜により覆われていない。
このように、最上層と最下層の内部電極層102a,102bの露出部分の、長手方向の両端部のみをガラス膜31で覆うようにした実施例2の構成の場合にも、外部電極が最も薄くなりやすい、端面4の四隅近傍がガラス膜31によりおおわれ、最上層の内部電極層102aと、最下層の内部電極層102bの露出部分の両端部がガラス膜31によりシールされるため、めっき工程においてセラミック積層体1へのめっき液の浸入を効率よく抑制することができる。
なお、この実施例2の積層セラミック電子部品は、図12(a),(b)に示すように、テーブル10上にガラスペースト11を4分割して塗布し、これにセラミック積層体1を浸漬することにより、端面4の四隅近傍にガラスペーストを付着させ、乾燥させた後、上記実施例1の試料1〜4の場合と同様の手順で製造することができる。
また、図13は、本願発明が関連する他の発明にかかる積層セラミック電子部品(積層セラミックコンデンサ)の構成を示すもので、セラミック積層体1の端面4をガラス膜31で覆う態様の別の例を示している。
すなわち、図13では複数の内部電極層2のそれぞれについて、露出部分の長手方向の両端部がガラス膜31で覆われており、その点では、上記実施例1の試料1〜4の場合と同様であるが、ガラス膜31は、端面4の各稜線14にまでは至らないように配設されている。このような態様でガラス膜31を配設するようにした場合にも、露出部分の長手方向の両端部がガラス膜31により確実に覆われるため、めっき工程においてセラミック積層体1へのめっき液の浸入を抑制することができる。
また、本願発明の積層セラミック電子部品において、ガラス膜の具体的なパターンに特別の制約はなく、例えば、図14(a)に示すように、ガラス膜31の端部が波形の形状であっていてもよい。
また、本願発明は、図14(b)に示すように、内部電極層2の露出部分の長さが異なっている場合にも適用することが可能である。
上述の図14(a),(b)のいずれの場合にも、内部電極層2の露出部分の両端部がガラス膜31により覆われているため、めっき工程においてセラミック積層体1へのめっき液の浸入を抑制することができる。
なお、本願発明は、上記実施例に限定されるものではなく、セラミック層を構成するセラミックの種類、内部電極層および外部電極を構成する金属材料の種類、ガラス膜を構成するガラスの種類、内部電極層焼付け外部電極の配設態様や、セラミック積層体の具体的な構造などに関し、発明の範囲内において種々の応用、変形を加えることが可能である。
上述のように、本願発明の積層セラミック電子部品においては、セラミック積層体の端面の、めっき液などが侵入しやすい領域をガラス膜で被覆してシールする一方、外部電極との電気的接続を確保することができるように、他の部分においては内部電極層を端面に露出させるようにしているので、耐候性などに優れた、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供することが可能になる。
したがって、本願発明は、積層セラミックコンデンサ、積層LC複合部品、積層基板などのような、セラミック積層体の内部電極層が露出した端面に外部電極が配設された構造を有する積層セラミック電子部品に広く適用することが可能である。

Claims (8)

  1. 複数のセラミック層と、
    前記セラミック層間に、一部が端面に導出されるような態様で配設された内部電極層とを備えたセラミック積層体と、
    前記内部電極層が導出された端面に、前記内部電極層と導通するように配設された外部電極とを備えた積層セラミック電子部品であって、
    前記セラミック積層体の端面の、前記内部電極層が導出されて露出した露出部分のうち、少なくとも長手方向の一方の端部がガラス膜で覆われており、かつ、
    前記内部電極層の前記露出部分のうち、前記ガラス膜で覆われていない部分において、前記内部電極層と前記外部電極とが電気的に接続されているとともに、
    前記セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面の、積層方向に直交する一方および他方の稜線から、内部電極層の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない2つの領域の少なくとも1つの領域がガラス膜で覆われていること
    を特徴とする積層セラミック電子部品。
  2. 複数のセラミック層と、
    複数のセラミック層間に、一部が端面に導出されるような態様で配設された複数の内部電極層とを備えたセラミック積層体と、
    前記複数の内部電極層が導出された端面に、前記複数の内部電極層と導通するように配設された外部電極とを備えた積層セラミック電子部品であって、
    前記セラミック積層体の端面に導出されて露出した前記複数の内部電極層のうち、最上層の内部電極層と最下層の内部電極層の少なくとも一方の内部電極層の、少なくとも長手方向の一方の端部がガラス膜で覆われており、かつ、
    前記複数の内部電極層の前記露出部分のうち、前記ガラス膜で覆われていない部分において、前記複数の内部電極層と前記外部電極とが電気的に接続されているとともに、
    前記セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面の、積層方向に直交する一方および他方の稜線から、内部電極層の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない2つの領域の少なくとも1つの領域がガラス膜で覆われていること
    を特徴とする積層セラミック電子部品。
  3. 前記最上層の内部電極層と、最下層の内部電極層の両方の内部電極層の、長手方向の両端部がガラス膜で覆われていることを特徴とする、請求項2記載の積層セラミック電子部品。
  4. 前記セラミック積層体の端面に露出した、複数の内部電極層のうちのすべての内部電極層の、少なくとも長手方向の両端部が前記ガラス膜で覆われていることを特徴とする、請求項2記載の積層セラミック電子部品。
  5. 前記セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面には、前記内部電極層の露出部分の長手方向の両端部を覆う前記ガラス膜が、該端面が有する稜線のうち、積層方向に直交する一方の稜線から、該一方の稜線に対向する他方の稜線に達するように形成されているとともに、積層方向に平行な稜線から、前記内部電極層の露出部分の長手方向の両端部を覆う位置まで形成されており、かつ、前記内部電極層の長手方向の中央部の、前記ガラス膜に覆われていない部分において、前記内部電極層と前記外部電極とが電気的に接続されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
  6. 前記セラミック積層体の端面の、前記内部電極層の露出部分のうち、長手方向の両端部を覆うガラス膜により覆われていない部分の前記内部電極層の長手方向に沿う方向の距離が0.1mm以上であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
  7. セラミック層間に、一部が端面に導出されるような態様で内部電極層が配設されたセラミック積層体と、前記内部電極層が導出された端面に内部電極層と導通するように配設された外部電極とを備え、前記セラミック積層体の端面に露出した前記内部電極層の露出部分のうち、少なくとも長手方向の一方の端部がガラス膜で覆われた構造を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、
    (a)セラミック層間に、一部が端面に導出されるような態様で配設された内部電極層を備えたセラミック積層体を形成する工程と、
    (b)保持体上に、ガラスペーストを塗布する工程と、
    (c)前記セラミック積層体を傾けて、前記内部電極層が露出した前記端面が有する稜線のうち、積層方向に平行な稜線が、前記保持体上に塗布されたガラスペーストの表面に略平行になるような姿勢で、前記端面の一方の端部を前記ガラスペーストに浸漬して、前記内部電極層の露出部分のうち、少なくとも長手方向の一方の端部にガラスペーストを付着させるガラスペースト付与工程と、
    (d)前記セラミック積層体の、前記内部電極層の露出部分のうち、少なくとも長手方向の一方の端部にガラスペーストを付着させた端面に、外部電極形成用の導電性ペーストを塗布する工程と、
    (e)前記セラミック積層体を熱処理して、前記ガラスペーストおよび前記導電性ペーストを焼き付けて、前記ガラス膜および外部電極を焼成する工程と
    を具備することを特徴とする、積層セラミック電子部品の製造方法。
  8. 前記(c)のガラスペースト付与工程で、内部電極層の露出部分の、少なくとも長手方向の一方の端部にガラスペーストを付着させた後、さらに、前記セラミック積層体を傾けて、前記内部電極層が露出した前記端面が有する、積層方向に直交する稜線が、前記保持体上に塗布されたガラスペーストの表面に略平行になるような姿勢で、前記端面の端部を前記ガラスペーストに浸漬し、前記セラミック積層体の、内部電極層が露出した端面の、前記積層方向に直交する一方および他方の稜線から内部電極層の露出した領域に至る、内部電極層の露出していない2つの領域の少なくとも1つの領域にガラスペーストを付着させることを特徴とする、請求項10記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
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