JP4137125B2 - タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード - Google Patents

タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード Download PDF

Info

Publication number
JP4137125B2
JP4137125B2 JP2006003789A JP2006003789A JP4137125B2 JP 4137125 B2 JP4137125 B2 JP 4137125B2 JP 2006003789 A JP2006003789 A JP 2006003789A JP 2006003789 A JP2006003789 A JP 2006003789A JP 4137125 B2 JP4137125 B2 JP 4137125B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tantalum powder
tantalum
powder
anode
magnesium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2006003789A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006183150A (ja
Inventor
カールハインツ・ライヘルト
リユデイガー・ボルフ
クリステイネ・ラボール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HC Starck GmbH
Original Assignee
HC Starck GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=7820742&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP4137125(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by HC Starck GmbH filed Critical HC Starck GmbH
Publication of JP2006183150A publication Critical patent/JP2006183150A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4137125B2 publication Critical patent/JP4137125B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052—Sintered electrodes
    • H01G9/0525—Powder therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/20—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from solid metal compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B34/00—Obtaining refractory metals
    • C22B34/20—Obtaining niobium, tantalum or vanadium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/045—Alloys based on refractory metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Description

本発明は、タンタル粉体、タンタル粉体から得ることができるプレスし焼結したアノード及びタンタル粉末の製造方法に関する。
タンタル金属粉末は、通常、Ｋ２ＴａＦ７をナトリウムを用いて還元して製造される。タンタル粉末の、粒子サイズ即ち比表面積等の物性は、ＫＣｌ、ＮａＣｌ、ＫＦ又はＮａＦのような不活性塩を添加することによって調整される。不活性塩の割合が増加するにつれ、得られるタンタル粉末はより微細になる、即ち、得られる金属の表面積は増大する。しかしながら、還元反応におけるタンタル金属の単位時間当たりの生産量は、不活性塩濃度が増大すると減少する。
塩を洗浄した後、タンタル粉末を乾燥しそして真空中又は不活性ガス雰囲気中での高温処理によって更に精製する。この凝集段階において比表面積は大幅に減少しそして粉末の酸素含量は相当に増大する。酸素含量は、還元作用を持つ金属特にマグネシウムを用いた熱処理によって再び減少させる。この脱酸素段階のもう一つの結果として比表面積が少し減少する。これらのタンタル粉末から製造されるコンデンサーの電気的特性を最適化するために、タンタル粉末を、リン及び／又はホウ素を含有する添加物(dopant)で処理する。
比電荷又は漏れ電流のようなタンタル粉体の電気的特性は、プレスし、焼結し、次いで陽極酸化（アノード化）した即ち電気化学的に形成した(formed)アノードについて試験した。μＦＶ／ｇで表される比電荷は、コンデンサーの静電容量の尺度であり、そして金属の表面積に直接比例する。ｎＡ／μＦＶで表される漏れ電流は、コンデンサーがその電荷をいかによく保持するかについての指標である。
通常工業的に行われる溶融塩中でのＫ２ＴａＦ７のナトリウム還元においては、比電荷が１８０００〜７００００μＦＶ／ｇであるコンデンサー用粉体が経済的に製造される。高い静電容量を有するコンデンサーに必要である、一次粒子サイズが小さいタンタル粉末を得るためには、Ｋ２ＴａＦ７のナトリウム還元を非常に高い希釈率（希釈剤の塩：ＫＣｌ、ＫＦ、ＮａＣｌ）で行うことが必要であるが、その結果生成する凝集体がより小さくなる（一次粒子サイズが約０．３μｍの場合で二次粒子サイズが１〜５μｍ）。凝集体が小さいためこの凝集体を加熱して（予備焼結によって）凝集させることが必要となり、その際、第一には望ましくない不純物が除去されそして第二には比表面積が再び小さくなる。一方、電流漏れが少ないコンデンサーが電気化学的形成(forming)によって得られるような、コンデンサー製造用の凝集体の好ましい細孔構造は、予備焼結を、焼結操作の間に凝集体を除去して凝集体を細粉化しながら繰り返して行うことによってのみ得ることができる。静電容量が非常に高いタンタルコンデンサー粉末が特許文献１に記載されている。９１８１０μＦＶ／ｇ迄の比電荷が、通常は行わない加熱凝集工程を用いてそれから製造された焼結したアノードにおいて得られている。しかし、このタンタル粉末は例えばフッ化物のような厄介な不純物を１００ｐｐｍを超える濃度で含有している。高い含量のフッ化物はアノードが焼結されるときに分解する。それによって発生するフッ化物蒸気が焼結炉に熱腐食を引き起こす。タンタルアノードに残留しているフッ化物は、多分電流漏れがかなり増加していることの原因になっているであろう。特許文献１の実施例６に従って製造されたタンタル粉体は、Ｆ含量が４６０ｐｐｍであり、Ｍｇ含量が２００ｐｐｍである。更に、この粉末には、粉体密度が非常に小さくそしてそれを原料にしてプレスしたアノードの破壊強度が市販の粉末に比較して低すぎるという不利な点がある。それ故に、この
粉体は、まだ工業的には重要になっていない。更にその上、このタンタル粉体は、たとえ僅かｐｐｍ範囲であっても漏れ電流値をかなり悪くする残留アルカリを含有しているという不利な点をかかえている。
非常に微細な粉末が、ＴａＣｌ５の水素での気相還元によって製造される。この方法で得られるのは、もはや自由に流動しない、本質的に別種の粉末である。これを工業的に加工するのは困難であるために、この粉末は、コンデンサー技術においては今まで使用されていない。
ＤＥ１９５３６０１３Ａ１
本発明の目的は、上記の不利な点のないタンタル粉体を提供することである。本発明の更なる目的は、非常に高い静電容量を示すタンタル粉体を製造する経済的な方法を提供することである。
ここに、既に予備焼結されている（凝集体）非常に微細なタンタル粉体が、五塩化タンタルと水素化マグネシウムの混合物に点火する(igniting)ことによって得られること、及びこのタンタル粉体は高い静電容量のコンデンサーを製造するのに非常に適していることが見出された。僅か２、３分後には完了している、進行の速い反応であるために、希釈用の塩を使用しない場合でさえも、代表的な大きさが５０〜３００ｎｍの非常に小さい一次粒子が製造され、それが反応混合物中の高いタンタル含量のために互いに接触し、そしてその高い焼結活性のために反応時間内に焼結する。この結果、泡状の、部分的に焼結した、開放孔のケークが得られ、このケークを粉砕し篩にかけることにより、平均二次粒子径が１０〜５０μｍ又はそれ以上である非常によく自由流動する凝集物が得られる。洗浄及び乾燥後、この凝集物は、１．５〜１０ｍ２／ｇという非常に大きいＢＥＴ比表面積を有する。
従って本発明は、五塩化タンタルと水素化マグネシウムの混合物に不活性ガス雰囲気中で点火し、次いで反応生成物を鉱酸で洗浄することによるタンタル粉末の製造方法に関する。
五塩化タンタルと水素化マグネシウムの均質な混合物の反応は、タンタル還元容器中で行うのが好ましい。細いタンタル線をこの均質混合物の最も上の層に点火材として埋め込むのが好ましく、これを外部から入ってくるリード線によって特に明解に低圧電源に連結することができ、点火の際は、明るい赤い加熱状態にすることができる。この点火装置は、アルゴンでフラッシュした保護室中に収容される。強い発熱反応のために白熱状態に加熱されていたそして部分的に焼結した多孔性のケークの形で存在するこの反応生成物が冷却した後、それを粗く粉砕し、鉱酸で洗浄しそして乾燥する。硫酸／過酸化水素溶液を洗浄液として用いるのが好ましい。洗浄は洗液に塩素が含まれなくなる迄続ける。
マグネシウム及び水素はそれが水素化マグネシウムという形でなくなった後も両者とも還元のために利用できるので、出発物質の量比は臨界的ではない。従って、１．２５〜１．３モルの水素化マグネシウムを、五塩化タンタル１モル当たりに使用することもできる。しかし、五塩化タンタルの沸点が低いためにそして水素化マグネシウムの分解温度が低いために、出発物質のモル比が低い場合は収率の低下が見られる。それ故に五塩化タンタルの水素化マグネシウムに対するモル比が２〜３であるのが好ましい。その時、使用したタンタルに関して８０〜９０％の収率が得られる。その収率は、反応を圧力下で例えばオートクレーブ中で行えば更に上昇することが期待される。
式ＭｇＨｘを有し、ｘが１．２より大きい水素化マグネシウムを還元剤として使用することが好ましく、ｘが１．６より大きいことが最も好ましい。
焼結した一次粒子から成り、一次粒子の粒子サイズが３０〜３００ｎｍであり、好ましくは３０〜１５０ｎｍであり、最も好ましくは１００ｎｍ未満であり、そして一次粒子の焼結によって得られる二次粒子は、平均粒子サイズ即ちＤ５０サイズ(D 50 size)が、１０μｍより大きく、好ましくは１３μｍより大きいタンタル粉体を、本発明によって初めて製造することができる。
Ｄ５０値は、解凝集を起こすために超音波処理を１５分間行った後、ＡＳＴＭＢ８２２によるＭａｓｔｅｒｓｉｚｅｒ法によって測定される。
本発明の粉体の二次粒子構造によって、これらの粒子はその先の加工にとって重要である優れた流動特性を示す。本発明の粉体に対する、ＡＳＴＭ−Ｂ−２１３に記載のＨａｌｌ ｆｌｏｗ流動性試験によって測定した流動性値は、通常、０．１インチ漏斗で１００〜１４０秒であり、０．２インチ漏斗で１５〜２５秒である。
更に、本発明の粉体は、アルカリ及び塩素を含まない。特にそれらのアルカリ含量は２ｐｐｍ未満であり、そしてそれらのフッ素含量は許容限界である２０ｐｐｍ未満、好ましくは５ｐｐｍ未満である。特にフッ素、ナトリウム及びカリウムは、一般的には、本発明の粉末中に検出される可能性はない。酸素含量は４０００〜２００００ｐｐｍの範囲である。
ＢＥＴ比表面積は、１．５〜１０ｍ２／ｇの範囲内であり、好ましくは２ｍ２／ｇより高く、最も好ましくは３〜６ｍ２／ｇである。
本発明の好ましい態様によれば、核の成長を抑制しそして焼結を抑制する物質を点火前に反応混合物に添加し、得られる粉体がこれらの物質でドープされるようにする。リン及び／又は窒素を含有する物質が添加物(dopant)として好ましい。
従って、本発明の好ましいタンタル粉体は、リン含量が、３０〜２０００ｐｐｍ、好ましくは３００〜２０００ｐｐｍである。本発明によるタンタル粉体の窒素含量は、１００〜１５０００ｐｐｍ、好ましくは少なくとも５００ｐｐｍである。
リン添加物として元素状リンを使用することが好ましく、粉末状赤燐の形で使用するのが最も好ましい。添加物は、点火用混合物に５０００ｐｐｍ迄の量で添加することができる。
揮発性のアニオン成分を含有するアンモニウム塩、例えば塩化アンモニウムは窒素添加物として好適である。窒素又はアンモニアも好適である。
窒素とリンを同時に添加する場合にはリン酸アンモニウムが添加物として有利に使用できる。
本発明は還元剤として水素化マグネシウムを用いて開発されたのではあるが、水素化カルシウムも還元剤として使用できると考えることができる。水素化カルシウムは、それが２８０℃〜３００℃の低温で分解しないで１０００℃より高い融点を持っているという点で水素化マグネシウムとは本質的に異なっている。しかしながら、反応は点火後高速度で進行するので、水素化マグネシウムの分解を特徴とする中間段階は反応に対して大きな影
響を持たないことが考えられる。特に反応生成物に対する影響は小さいと考えられる。従って、本発明は、より一般的に表現すると、五塩化タンタルと水素化アルカリ土類の混合物の点火によるタンタル粉体の製造方法であって、混合物が場合によってはリン及び／又は窒素を含有する添加物を含有する方法に関する。
反応が完結した後、この方法で製造されるタンタル粉体を、鉱酸例えば硫酸で、特に過酸化水素を添加して、洗浄することによって単離する。この方法で塩素を含有しないように洗浄されたタンタル粉体は、それに更に添加物を加える目的のためにリンを含有する添加物を塗布することができる。乾燥後でそして予定の比表面積における酸素含量が所望の濃度であった場合には、その材料を直接更に処理することなくタンタルコンデンサーの製造のために使用することができる。タンタル粉体中の酸素濃度を減少したい場合には、単離し乾燥したタンタル粉体を脱酸素工程にかけるのが好ましい。この工程は、マグネシウムの削り片を加えて、６５０〜９００℃、好ましくは７５０〜８５０℃の低温で、１／２〜１０時間、好ましくは２〜４時間に渉って行うのが好ましい。次いで、このようにして得られるタンタル粉体を、場合によっては過酸化水素を添加して、鉱酸で洗浄することによって残留マグネシウムを除去し、そして乾燥する。硫酸が、酸として特に好適であることがわかった。残留マグネシウムを浸出させた後、再びリンを添加物として含ませることができる。これは添加物の溶液を含浸させることによって行うのが好ましい。タンタルコンデンサーの製造に使用されるタンタル粉体の酸素含量は、比表面積に依存して４０００と２００００ｐｐｍの間であるのが好ましい。更に窒素含量は、１００〜１５０００ｐｐｍの値に調整するのが好ましいが、それは特に脱酸素の間にアンモニアを添加することによって達成することができる。この「脱酸素」工程は、粉体の酸素含量が既に所望の範囲内である場合であっても行うのが好ましい。その時「脱酸素」は、添加用反応混合物の反応で生じるマグネシウム残分及び塩素残分を還元する働きをする。マグネシウム の存在は、緩やかな熱処理の間追加の酸素が粉体の中へ拡散しないという効果を持っている。対応するタンタル粉体から製造される焼結したアノードは、漏れ電流が、好ましくは２ｎＡ／μＦＶ未満、最も好ましくは１ｎＡ／μＦＶ未満と低いことを特徴としている。
本発明のタンタル粉体は、更に、１１００〜１３００℃の温度で１０分間焼結し１６Ｖで電気化学的に形成することにより、２ｎＡ／μＦＶ未満の特定の漏れ電流において１２００００〜１８００００μＦＶ／ｇという特定の電荷を持つ電解コンデンサーの製造に好適であることを特徴とする。
驚くほど高いアノード破壊強度を示すプレスしたアノードを、本発明のタンタル粉体から得ることができる。本発明はこのプレスしたアノードにも関する。５ｇ／ｃｍ３のプレスした密度でＣｈａｔｉｌｌｏｎに従って測定した、本発明のこのプレスしたアノードの破壊強度は、３〜８ｋｇ、好ましくは４〜７ｋｇである。この試験は、タンタル粉体からプレスした、重量が０．５２１ｇ、直径が５．１ｍｍ、長さが５．１ｍｍ、そしてプレスした密度が５．０ｇ／ｃｍ３の円筒状の試験用アノードを用いて行う。これに対して、ＤＥ１９５３６０１３Ａ１ に従って得ることができるプレスしたアノードの破壊強度は、４ｋｇ未満である。
本発明のタンタル粉体から製造される、粉体を１１５０〜１３００℃で１０分間焼結しそして１６〜３０ボルトで電気化学的に形成することによって得られる焼結されたアノードは、比電荷が８００００〜１７００００μＦＶ／ｇ、好ましくは９００００〜１６００００μＦＶ／ｇである。本発明の焼結されたアノードの漏れ電流は、２ｎＡ／μＦＶ以下であることが最も好ましい。
第１工程 還元
ＴａＣｌ５２００ｇとＭｇＨ２２２ｇ（ＭｇＨ２含量９０％）の混合物を３等分し、これらを別々にアルゴン雰囲気下で電気点火によって反応させた。反応中に塩化水素が発生した。反応は２、３分以内に行われた。
第２工程 洗浄及び乾燥
冷却した反応生成物を、網目４００μｍの篩いを通過させた後、硫酸／過酸化水素溶液で、洗浄水が実質的に塩素を含有しなくなるまで洗浄した。デカンテーションを繰り返して大部分の酸を除去し、吸引濾過器上で酸を含有しなくなるまで水で洗浄した。それを４５℃で注意深く乾燥し、２２０μｍ篩下に迄篩い分けした。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 ３．３％
マグネシウム １７７０ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ３６１ｐｐｍ

Fisher sub-sieve sizerを用いた粒子サイズ ０.３７μｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 ９.５ｇ／インチ３
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 3-point) ９.１２ｍ２／ｇ
Mastersizer (ASTM-B-822) D-10 １.０３μｍ
１５分超音波前処理 D-50 １０.５０μｍ
D-90 ３２.３３μｍ
生成したタンタル金属：７４ｇで収率７３．７％に相当
第３工程 脱酸素及び酸による浸出
一次粉体４０ｇを、マグネシウム削片７．８ｇ（酸素含量基準で計算した化学量論的な量の２倍）と混合し、管型炉の中で保護用ガス（アルゴン）雰囲気下で、カバーをつけたタンタル製のボート中で９００℃で２時間保持した。冷却後、空気中で安全に取り扱うことができるように、約１８時間にわたって徐々に空気を入れることによって不活性化処理を行った。残留マグネシウムを、硫酸８％と過酸化水素１．８％を含有する溶液でタンタル粉末から溶出した。続いて、酸が無くなるまで水で洗浄し、乾燥し、そして２２０μｍ篩下に迄篩い分けした。
分析値： 酸素 ７７００ｐｐｍ
窒素 ２６００ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ２．３５ｍ２／ｇ
(Quantasorb 3-point)
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測定するために焼結し電気化学的に形成(form)した。アノード製造の条件とそれについて測定した電気的性質は表２に示してある（試料１参照）。
第１工程 還元
ＴａＣｌ５４３４ｇとＭｇＨ２４８ｇ（ＭｇＨ２含量９０％）の混合物をアルゴン雰囲
気下で電気点火によって反応させた。
第２工程 洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 ２．２％
マグネシウム ７３０ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ４０９ｐｐｍ

Fisher sub-sieve sizer を用いた粒子サイズ ０.３３μｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 １２.８ｇ／インチ３
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 3-point) ４.７３ｍ２／ｇ
Mastersizer D-10 ０.９４μｍ
１５分超音波前処理 D-50 ９.８４μｍ
D-90 ３１.８８μｍ
生成したタンタル金属：１５１ｇで収率６９％に相当
第３工程 添加物の添加(doping)と低温脱酸素、及び酸による浸出
上記のタンタル粉体１１０ｇを、マグネシウム削片７．２６ｇ（酸素含量基準で計算した化学量論的な量の２倍）と混合し、レトルトの中で保護用ガス（アルゴン）雰囲気下で、カバーをつけたタンタル製のボート中で８５０℃で２時間保持した。冷却後、空気中で安全に取り扱うことができるように、約１８時間にわたって徐々に空気を入れることによって不動態化した。残留マグネシウムを、硫酸８％と過酸化水素１．８％を含有する溶液でタンタル粉末から溶出した。続いて、酸が含まれなくなるまで水で洗浄し、そして吸引濾過器から取りだした含水物質に、溶液１ｍｌ当たりリン１ｍｇを含有するリン酸二水素アンモニウム溶液１１ｍｌを含浸させることによって１００ｐｐｍのリンを添加し(dope)そして乾燥し、そして２２０μｍ篩下に迄篩い分けした。
分析値： 酸素 ７５５０ｐｐｍ Ｍｇ ８０ｐｐｍ
窒素 ２８２０ｐｐｍ Ｃｌ ５９ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ２．２ｍ２／ｇ
(Quantasorb 3-point)
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて測定した電気的性質は表２に示してある（試料２Ａ参照）。
第４工程： 再度の脱酸素及び酸による浸出、再度の添加物添加
上記のようにして得られた物質７０ｇを、再度、マグネシウム削片１．６ｇで８５０℃で２時間第３工程で述べたようにして脱酸素し、硫酸８％と過酸化水素１．８％を含有する溶液で処理し、酸が無くなるまで水で洗浄し、そして再びリン５０ｐｐｍを添加し全リン含量を１５０ｐｐｍとした。
分析値： 酸素 ６１７０ｐｐｍ Ｍｇ ６０ｐｐｍ
窒素 ３２１０ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 １．７５ｍ２／ｇ
(Quantasorb 3-point)
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて測定した電気的性質は表２に示してある（試料２Ｂ参照）。
第１工程 還元
ＴａＣｌ５１０００ｇとＭｇＨ２１１５．５ｇ（ＭｇＨ２含量９０％）の混合物に赤燐７１ｍｇを添加し(dope) 、続いて実施例２と同様にして反応させた。
第２工程 洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 ２．６％
窒素 ２８２０ｐｐｍ
リン １５０ｐｐｍ
マグネシウム １４ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ７８４ｐｐｍ

Fisher sub-sieve sizer を用いた粒子サイズ ０.３４μｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 １３.４ｇ／インチ３
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 3-point) ５.７４ｍ２／ｇ
Mastersizer D-10 ０.８７μｍ
１５分超音波前処理 D-50 １０.１２μｍ
D-90 ３０.１９μｍ
生成したタンタル金属：３２９ｇで収率６５％に相当。
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて測定した電気的性質は表２に示してある（試料３Ａ参照）。
第３工程： 低温脱酸素、及び酸による浸出
上記のタンタル粉体１００ｇを、マグネシウム削片７．８ｇ（酸素含量基準で計算した化学量論的な量の２倍）と混合し、実施例２に記載したようにして７５０℃で４時間脱酸素にかけた。残留マグネシウムを、硫酸２６％と過酸化水素６％を含有する溶液でタンタル粉末から溶出した。生成物を、酸が含まれなくなるまで水で洗浄し、４５℃で乾燥し、２２０μｍ篩下に迄篩い分けし、そして均質化した。
分析値： 酸素 ９７７０ｐｐｍ
窒素 ６０９０ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ３．１２ｍ２／ｇ
(Quantasorb 3-point)
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて測定した電気的性質は表２に示してある（試料３Ｂ参照）。
第４工程： 添加物の添加
上記の脱酸素した粉体の一部にリン酸二水素アンモニウム溶液を含浸させることによって１５０ｐｐｍのリンを添加して乾燥し、そして２２０μｍ篩下に迄篩い分けした。
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて測定した電気的性質は表２に示してある（試料３Ｃ参照）。
第１工程 還元
ＴａＣｌ５３００ｇとＭｇＨ２６３ｇ（ＭｇＨ２含量９０％）の混合物に赤燐１５１ｍｇ（＝１５１ｍｇＰ）を添加し(dope) 、続いて実施例２と同様にして反応させた。アルゴンの流れを減少させたときに燃焼が起こった。この結果として大気中の窒素による部分的な窒化が起こった。
第２工程 洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 １．２％
窒素 １．２％
リン ６８０ｐｐｍ
マグネシウム １２００ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ７１ｐｐｍ

Fisher sub-sieve sizer を用いた粒子サイズ ０.５７μｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 １７.３ｇ／インチ３
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 3-point) ３.９９ｍ２／ｇ
Mastersizer D-10 １.０９μｍ
１５分超音波前処理 D-50 １３.６３μｍ
D-90 ４０.１８μｍ
生成したタンタル金属：１２９ｇで収率８５％に相当。
第３工程： 低温脱酸素、及び酸による浸出
上記のタンタル粉体７５ｇを、マグネシウム削片２．７ｇ（酸素含量基準で計算した化学量論的な量の２倍）と混合し、実施例２に記載したようにして７５０℃で４時間脱酸素にかけ、そして実施例１と同様に酸処理にかけた。
分析値： 酸素 １２０００ｐｐｍ Ｍｇ ８５ｐｐｍ
窒素 １２０００ｐｐｍ Ｃｌ ２３ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ３．９２ｍ２／ｇ
(Quantasorb 3-point)
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて測定した電気的性質は表２に示してある（試料４参照）。
第１工程 還元
ＴａＣｌ５３００ｇ、ＭｇＨ２６３ｇ（ＭｇＨ２含量９０％）及び赤燐７６ｍｇの混合物を実施例４と同様にして反応させた。
第２工程 洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 １２０００ｐｐｍ
窒素 １４０００ｐｐｍ
リン ３６０ｐｐｍ
マグネシウム ４６０ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ７１ｐｐｍ

Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 １９.４ｇ／インチ３
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 3-point) ３.３５ｍ２／ｇ
Mastersizer D-10 １.７３μｍ
１５分超音波前処理 D-50 １９.０８μｍ
D-90 ５６.３１μｍ
生成したタンタル金属：１３１ｇで収率８６．４％に相当。
第３工程： 低温脱酸素、及び酸による浸出
実施例３を参照。
分析値： 酸素 １００００ｐｐｍ Ｍｇ ７５ｐｐｍ
窒素 １４０００ｐｐｍ Ｃｌ ３０ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ３．１８ｍ２／ｇ
(Quantasorb 3-point)
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて測定した電気的性質は表２に示してある（試料５参照）。
第１工程 還元
ＴａＣｌ５３００ｇ、ＭｇＨ２６３ｇ（ＭｇＨ２含量９０％）及び赤燐７６ｍｇの混合物を、アルゴンでフラッシュしながら、実施例１と同様にして反応させた。
第２工程 洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 １．１％
窒素 ４３６０ｐｐｍ
リン ＜１ｐｐｍ
マグネシウム ９８０ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ２５８ｐｐｍ

一次粒子（ＳＥＭから） ＜３００ｎｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 ２４.３ｇ／インチ３
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 1-point) ２.４５ｍ２／ｇ
Mastersizer D-10 ３.３０μｍ
１５分超音波前処理 D-50 ３３.１４μｍ
D-90 １１４.９５μｍ
生成したタンタル金属：１３３ｇで収率８７．７％に相当。
第３工程： 低温脱酸素、及び酸による浸出
上記のタンタル粉体７５ｇを、マグネシウム削片２．４７ｇ（酸素含量基準で計算した化学量論的な量の２倍）と混合して脱酸素反応を行った。更に実施例３と同様な処理にかけた。
分析値： 酸素 ７１００ｐｐｍ
窒素 ４４６０ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 １．９９ｍ２／ｇ
(Quantasorb 3-point)
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて測定した電気的性質は表２に示してある（試料６参照）。
第１工程 還元
ＴａＣｌ５３００ｇ、ＭｇＨ２６３ｇ（ＭｇＨ２含量９０％）及び赤燐１５２ｍｇの混合物を、空気の侵入を排除するようにアルゴンでより激しくフラッシュしながら反応させた。
第２工程 洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 １．４％
窒素 １４４ｐｐｍ
リン ７８０ｐｐｍ
マグネシウム ４５ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 １００ｐｐｍ

一次粒子（ＳＥＭ） ＜１５０ｎｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 １８.１ｇ／インチ３
Fisher sub-sieve sizerを用いた粒子サイズ ０.７６μｍ
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 1-point) ４.０２ｍ２／ｇ
Mastersizer D-10 ２.２５μｍ
１５分超音波前処理 D-50 ２３.５１μｍ
D-90 ５８.４３μｍ
生成したタンタル金属：１２８ｇで収率８４．３％に相当。
第３工程： 低温脱酸素、及び酸による浸出
上記のタンタル粉体９４ｇを、マグネシウム削片４．００ｇ（酸素含量基準で計算した化学量論的な量の２倍）と混合して脱酸素反応を行った。更に実施例３と同様な処理にかけた。
分析値： 酸素 １１０００ｐｐｍ
窒素 ７５２ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ３．５２ｍ２／ｇ
(Quantasorb 3-point)
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて測定した電気的性質は表２に示してある。
第１工程 還元
ＴａＣｌ５３００ｇ、ＭｇＨ２６３ｇ（ＭｇＨ２含量９０％）及び赤燐３０４ｍｇの混合物を、空気の侵入を排除するようにアルゴンでより激しくフラッシュしながら反応させた。
第２工程 洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 １．５％
窒素 ２４０ｐｐｍ
リン １７００ｐｐｍ
マグネシウム ６５ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ７９ｐｐｍ

一次粒子（ＳＥＭ） ＜１００ｎｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 １７.２ｇ／インチ３
Fisher Sub Sieve sizerを用いた粒子サイズ ０.５５μｍ
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 1-point) ４.８２ｍ２／ｇ
Mastersizer D-10 １.３３μｍ
１５分超音波前処理 D-50 １５.８９μｍ
D-90 ４９.１９μｍ
粒子サイズは、図１にＳＥＭ写真によって具体的に示されている。
生成したタンタル金属：１２６ｇで収率８３．０％に相当。
第３工程： 低温脱酸素、及び酸による浸出
上記のタンタル粉体９９ｇを、マグネシウム削片４．４７ｇ（酸素含量基準で計算した化学量論的な量の２倍）と混合し、７５０℃で４時間脱酸素反応を行った。残留マグネシウムを、硫酸８％と過酸化水素１．８％を含有する溶液で溶解した。
分析値： 酸素 １２０００ｐｐｍ
窒素 １４４０ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ３．６６ｍ２／ｇ
(Quantasorb 3-point)
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて測定した電気的性質は表２に示してある（試料８参照）。
［実施例９〜１６］
第１工程 還元
ＴａＣｌ５３００ｇ、ＭｇＨ２６３ｇ、赤燐ｘｍｇ及びＮＨ４Ｃｌｙｇの混合物をアルゴン雰囲気下で電気的に点火することによって反応させた（表２参照）。
第２工程 洗浄及び乾燥
冷却した反応生成物を、塩化マグネシウムを除去するために、硫酸／過酸化水素溶液で
洗浄した。１度又は２度デカンテーションすることによって大部分の酸を除去し、吸引濾過器上で酸が含まれなくなるまで水で洗浄した。それを４５℃で乾燥しそして４００μｍ篩下に迄篩い分けした。表３は、添加物の含量と比表面積の間の関係を示す。
第３工程： 低温脱酸素及び酸による浸出
上記のタンタル粉体を、化学量論的な量の２倍のマグネシウム削片（酸素含量基準で計算）と混合し、レトルトの中で保護用ガス（アルゴン）雰囲気下で、カバーをつけたタンタル製のボート中で７５０℃で４時間保持した。冷却後、空気中で安全に取り扱うことができるように、約１８時間にわたって徐々に空気を入れることによって不動態化を行った。残留マグネシウムを、硫酸８％と過酸化水素１．８％を含有する溶液でタンタル粉末から溶出した。続いて、酸が含まれなくなるまで水で洗浄し、４５℃で乾燥し、そして４００μｍ篩下に篩い分けした。
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測定するために焼結し電気化学的に形成した（表４参照）。
アノード重量 ０．０４６６ｇ
プレス後の密度 ５．０ｇ／ｃｍ３
形成電圧 １６Ｖ
実施例８の粒子サイズを示すＳＥＭ写真

Claims (4)

  1. １１００℃と１３００℃の間の温度で１０分間焼結して１６ボルトでアノード化した後に、比電荷が１２００００〜１８００００μＦＶ／ｇであり、漏れ電流が２ｎＡ／μＦＶ未満であるタンタル粉体であって、該タンタル粉体がタンタル塩化物とアルカリ土類金属水素化物の混合物を不活性ガス雰囲気下での点火によって反応させ、そして生成したタンタル粉体を鉱酸を用いて洗浄することによって単離し乾燥することによって製造されたものであることを特徴とするタンタル粉体。
  2. プレスした密度が５ｇ／ｃｍ３で重量が０.５２１ｇのアノードについてチャチロン測定器で測定したアノードの破壊強度が、３ｋｇと８ｋｇの間であることを特徴とする、請求項１に記載のタンタル粉体から製造されたプレスしたアノード。
  3. 前記混合物に赤燐を添加した請求項１に記載のタンタル粉体。
  4. 請求項１又は３に記載のタンタル粉体を、さらに、脱酸素反応させたタンタル粉体。
JP2006003789A 1997-02-19 2006-01-11 タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード Expired - Lifetime JP4137125B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19706416 1997-02-19

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53620598A Division JP3817742B2 (ja) 1997-02-19 1998-02-09 タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007190605A Division JP4974799B2 (ja) 1997-02-19 2007-07-23 タンタル粉体
JP2007190615A Division JP4616313B2 (ja) 1997-02-19 2007-07-23 タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006183150A JP2006183150A (ja) 2006-07-13
JP4137125B2 true JP4137125B2 (ja) 2008-08-20

Family

ID=7820742

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53620598A Expired - Lifetime JP3817742B2 (ja) 1997-02-19 1998-02-09 タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード
JP2006003789A Expired - Lifetime JP4137125B2 (ja) 1997-02-19 2006-01-11 タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード
JP2007190615A Expired - Lifetime JP4616313B2 (ja) 1997-02-19 2007-07-23 タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード
JP2007190605A Expired - Lifetime JP4974799B2 (ja) 1997-02-19 2007-07-23 タンタル粉体

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53620598A Expired - Lifetime JP3817742B2 (ja) 1997-02-19 1998-02-09 タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007190615A Expired - Lifetime JP4616313B2 (ja) 1997-02-19 2007-07-23 タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード
JP2007190605A Expired - Lifetime JP4974799B2 (ja) 1997-02-19 2007-07-23 タンタル粉体

Country Status (13)

Country Link
US (1) US6193779B1 (ja)
EP (1) EP0964936B1 (ja)
JP (4) JP3817742B2 (ja)
KR (1) KR100511027B1 (ja)
CN (2) CN1080319C (ja)
AU (1) AU6396398A (ja)
BR (1) BR9807239A (ja)
CZ (2) CZ301097B6 (ja)
DE (1) DE59801634D1 (ja)
HK (1) HK1047188B (ja)
IL (2) IL131248A (ja)
PT (1) PT964936E (ja)
WO (1) WO1998037248A1 (ja)

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030061907A1 (en) * 1994-08-01 2003-04-03 Kroftt-Brakston International, Inc. Gel of elemental material or alloy and liquid metal and salt
US20030145682A1 (en) * 1994-08-01 2003-08-07 Kroftt-Brakston International, Inc. Gel of elemental material or alloy and liquid metal and salt
US7445658B2 (en) 1994-08-01 2008-11-04 Uchicago Argonne, Llc Titanium and titanium alloys
US7435282B2 (en) 1994-08-01 2008-10-14 International Titanium Powder, Llc Elemental material and alloy
WO1996004407A1 (en) * 1994-08-01 1996-02-15 Kroftt-Brakston International, Inc. Method of making metals and other elements
US6576038B1 (en) * 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3871824B2 (ja) * 1999-02-03 2007-01-24 キャボットスーパーメタル株式会社 高容量コンデンサー用タンタル粉末
JP2000306781A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Showa Kyabotto Super Metal Kk 電解コンデンサ用金属粉末ならびにこれを用いた電解コンデンサ用陽極体および電解コンデンサ
US6375704B1 (en) † 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
US6358625B1 (en) * 1999-10-11 2002-03-19 H. C. Starck, Inc. Refractory metals with improved adhesion strength
JP3585791B2 (ja) * 1999-11-04 2004-11-04 Ｎｅｃトーキン株式会社 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法及びその製造方法に用いられる連続焼結装置
JP4049964B2 (ja) 2000-02-08 2008-02-20 キャボットスーパーメタル株式会社 窒素含有金属粉末およびその製造方法ならびにそれを用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサー
US6432161B1 (en) * 2000-02-08 2002-08-13 Cabot Supermetals K.K. Nitrogen-containing metal powder, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the metal powder
JP4261105B2 (ja) * 2000-03-01 2009-04-30 キャボット コーポレイション 窒化バルブ金属およびその製造方法
JP3718412B2 (ja) * 2000-06-01 2005-11-24 キャボットスーパーメタル株式会社 ニオブまたはタンタル粉末およびその製造方法
JP2002060803A (ja) * 2000-08-10 2002-02-28 Showa Kyabotto Super Metal Kk 電解コンデンサ用タンタル焼結体の製造方法
JP4187953B2 (ja) * 2001-08-15 2008-11-26 キャボットスーパーメタル株式会社 窒素含有金属粉末の製造方法
US7442227B2 (en) * 2001-10-09 2008-10-28 Washington Unniversity Tightly agglomerated non-oxide particles and method for producing the same
JP3610942B2 (ja) * 2001-10-12 2005-01-19 住友金属鉱山株式会社 ニオブおよび／またはタンタルの粉末の製造法
WO2003041099A1 (en) * 2001-11-08 2003-05-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capacitor and production method therefor
GB2410251B8 (en) * 2002-03-12 2018-07-25 Starck H C Gmbh Valve metal powders and process for producing them
DE10307716B4 (de) * 2002-03-12 2021-11-18 Taniobis Gmbh Ventilmetall-Pulver und Verfahren zu deren Herstellung
US20050284824A1 (en) * 2002-09-07 2005-12-29 International Titanium Powder, Llc Filter cake treatment apparatus and method
AU2003273279B2 (en) * 2002-09-07 2007-05-03 Cristal Us, Inc. Process for separating ti from a ti slurry
UA79310C2 (en) * 2002-09-07 2007-06-11 Int Titanium Powder Llc Methods for production of alloys or ceramics with the use of armstrong method and device for their realization
US20060107790A1 (en) * 2002-10-07 2006-05-25 International Titanium Powder, Llc System and method of producing metals and alloys
AU2003263082A1 (en) * 2002-10-07 2004-05-04 International Titanium Powder, Llc. System and method of producing metals and alloys
DE602004007315D1 (de) * 2003-03-03 2007-08-16 Personnes A Responsibilite Lim Stabilisierte pharmazeutische Zusammensetzung enthaltend einen NSAID und einen Prostaglandin
EP1620868A2 (en) * 2003-04-25 2006-02-01 Cabot Corporation A method of forming sintered valve metal material
WO2004110684A2 (en) * 2003-06-10 2004-12-23 Cabot Corporation Tantalum powders and methods of producing same
US20070180951A1 (en) * 2003-09-03 2007-08-09 Armstrong Donn R Separation system, method and apparatus
WO2005099935A1 (ja) * 2004-04-15 2005-10-27 Jfe Mineral Company, Ltd. タンタル粉末およびそれを用いた固体電解コンデンサ
DE102004020052B4 (de) * 2004-04-23 2008-03-06 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Niob- und Tantalpulver
RU2408450C2 (ru) * 2004-06-24 2011-01-10 Х.К. Штарк Инк. Получение порошков вентильных металлов с улучшенными физическими и электрическими свойствами
CN101010160A (zh) * 2004-06-28 2007-08-01 卡伯特公司 高电容钽片及其制备方法
DE102004049040B4 (de) * 2004-10-08 2008-11-27 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Festelektrolytkondensatoren
US20070017319A1 (en) * 2005-07-21 2007-01-25 International Titanium Powder, Llc. Titanium alloy
DE102005038551B3 (de) * 2005-08-12 2007-04-05 W.C. Heraeus Gmbh Draht und Gestell für einseitig gesockelte Lampen auf Basis von Niob oder Tantal sowie Herstellungsverfahren und Verwendung
WO2007044635A2 (en) 2005-10-06 2007-04-19 International Titanium Powder, Llc Titanium or titanium alloy with titanium boride dispersion
DE112007001100T5 (de) * 2006-05-05 2009-05-14 Cabot Corp., Boston Tantalpulver mit glatter Oberfläche und Verfahren zur Herstellung desselben
US20080031766A1 (en) * 2006-06-16 2008-02-07 International Titanium Powder, Llc Attrited titanium powder
GB0622463D0 (en) * 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
US7753989B2 (en) * 2006-12-22 2010-07-13 Cristal Us, Inc. Direct passivation of metal powder
US7856265B2 (en) * 2007-02-22 2010-12-21 Cardiac Pacemakers, Inc. High voltage capacitor route with integrated failure point
US9127333B2 (en) * 2007-04-25 2015-09-08 Lance Jacobsen Liquid injection of VCL4 into superheated TiCL4 for the production of Ti-V alloy powder
EP2214853A4 (en) * 2007-10-15 2013-05-22 Hi Temp Specialty Metals Inc PROCESS FOR PREPARING TANTALUM POWDER USING RECYCLED AGENTS AS AN EXISTING MATERIAL
US7760487B2 (en) * 2007-10-22 2010-07-20 Avx Corporation Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes
GB0902486D0 (en) 2009-02-13 2009-04-01 Metalysis Ltd A method for producing metal powders
US8203827B2 (en) * 2009-02-20 2012-06-19 Avx Corporation Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment
JP2010265520A (ja) 2009-05-15 2010-11-25 Cabot Supermetal Kk タンタル混合粉末及びその製造方法、並びにタンタルペレット及びその製造方法。
US8873220B2 (en) 2009-12-18 2014-10-28 Cardiac Pacemakers, Inc. Systems and methods to connect sintered aluminum electrodes of an energy storage device
EP2513930B1 (en) 2009-12-18 2020-10-07 Cardiac Pacemakers, Inc. Sintered electrodes to store energy in an implantable medical device
US8619408B2 (en) 2009-12-18 2013-12-31 Cardiac Pacemakers, Inc. Sintered capacitor electrode including a folded connection
US8725252B2 (en) 2009-12-18 2014-05-13 Cardiac Pacemakers, Inc. Electric energy storage device electrode including an overcurrent protector
US9269498B2 (en) 2009-12-18 2016-02-23 Cardiac Pacemakers, Inc. Sintered capacitor electrode including multiple thicknesses
US9123470B2 (en) * 2009-12-18 2015-09-01 Cardiac Pacemakers, Inc. Implantable energy storage device including a connection post to connect multiple electrodes
US8848341B2 (en) 2010-06-24 2014-09-30 Cardiac Pacemakers, Inc. Electronic component mounted on a capacitor electrode
US9214709B2 (en) 2010-12-21 2015-12-15 CastCAP Systems Corporation Battery-capacitor hybrid energy storage system for high temperature applications
US12215572B2 (en) 2010-12-21 2025-02-04 Fastcap Ultracapacitors Llc Power system for high temperature applications with rechargeable energy storage
US8760851B2 (en) 2010-12-21 2014-06-24 Fastcap Systems Corporation Electrochemical double-layer capacitor for high temperature applications
US9001495B2 (en) 2011-02-23 2015-04-07 Fastcap Systems Corporation High power and high energy electrodes using carbon nanotubes
WO2012162500A2 (en) 2011-05-24 2012-11-29 Fastcap Systems Corporation Power system for high temperature applications with rechargeable energy storage
CA3098849A1 (en) 2011-06-07 2012-12-13 Fastcap Systems Corporation Energy storage media for ultracapacitors
AU2012282799A1 (en) * 2011-07-08 2014-02-27 Fastcap Systems Corporation High temperature energy storage device
US9558894B2 (en) 2011-07-08 2017-01-31 Fastcap Systems Corporation Advanced electrolyte systems and their use in energy storage devices
WO2013067540A1 (en) 2011-11-03 2013-05-10 Fastcap Systems Corporation Production logging instrument
CN103945964A (zh) * 2011-11-15 2014-07-23 昭和电工株式会社 钨细粉的制造方法
JP5613861B2 (ja) * 2012-06-22 2014-10-29 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの陽極体
WO2014142359A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Global Advanced Metals Japan K.K. Method to passivate sintered anodes having a wire
CN103322871B (zh) * 2013-06-28 2015-04-22 柳州长虹机器制造公司 一种不含敏感火工品药剂的电雷管发火装置
US10872737B2 (en) 2013-10-09 2020-12-22 Fastcap Systems Corporation Advanced electrolytes for high temperature energy storage device
EP3084481B8 (en) 2013-12-20 2024-01-03 Fastcap Systems Corporation Electromagnetic telemetry device
US11270850B2 (en) 2013-12-20 2022-03-08 Fastcap Systems Corporation Ultracapacitors with high frequency response
CN104858436B (zh) * 2014-02-21 2018-01-16 宁夏东方钽业股份有限公司 高可靠高比容电解电容器用钽粉的制备方法
JP2014218748A (ja) * 2014-06-18 2014-11-20 キャボットスーパーメタル株式会社 窒素含有金属粉末の製造方法
CN107533925B (zh) 2014-10-09 2021-06-29 快帽系统公司 用于储能装置的纳米结构化电极
JP6561074B2 (ja) * 2014-11-03 2019-08-14 ニンシア オリエント タンタル インダストリー カンパニー、 リミテッド タンタル粉末及びその製造方法並びにタンタル粉末から製造される焼結アノード
US10290430B2 (en) 2014-11-24 2019-05-14 Avx Corporation Wet Electrolytic Capacitor for an Implantable Medical Device
KR20230164229A (ko) 2015-01-27 2023-12-01 패스트캡 시스템즈 코포레이션 넓은 온도 범위 울트라커패시터
JP2016166422A (ja) * 2016-04-12 2016-09-15 グローバルアドバンストメタルジャパン株式会社 窒素含有金属粉末の製造方法
EP3486338B1 (en) * 2016-07-13 2023-06-21 Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd. Flaky tantalum powder and method for preparing the same
US20180144874A1 (en) * 2016-10-21 2018-05-24 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Tantalum Powder, Anode, And Capacitor Including Same, And Manufacturing Methods Thereof
MX2019006454A (es) 2016-12-02 2019-08-01 Fastcap Systems Corp Electrodo compuesto.
US11534830B2 (en) 2017-12-28 2022-12-27 Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd Tantalum powder and preparation method therefor
US11557765B2 (en) 2019-07-05 2023-01-17 Fastcap Systems Corporation Electrodes for energy storage devices
CN119894624B (zh) * 2024-11-08 2025-11-28 宁夏东方钽业股份有限公司 碱土金属还原氧化钽生产电容器用钽粉的方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE32260E (en) * 1975-07-14 1986-10-07 Fansteel Inc. Tantalum powder and method of making the same
US4441927A (en) * 1982-11-16 1984-04-10 Cabot Corporation Tantalum powder composition
DE3309891A1 (de) * 1983-03-18 1984-10-31 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur herstellung von ventilmetallanoden fuer elektrolytkondensatoren
JPS61284501A (ja) * 1985-06-10 1986-12-15 Showa Kiyabotsuto Suupaa Metal Kk タンタル粉末の製造方法
DE3820960A1 (de) 1988-06-22 1989-12-28 Starck Hermann C Fa Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung
JPH02310301A (ja) * 1989-05-24 1990-12-26 Showa Kiyabotsuto Suupaa Metal Kk タンタル粉末及びその製造法
JP2512886B2 (ja) * 1989-09-28 1996-07-03 東亞合成株式会社 含フッ素共重合体および該共重合体からなる塗料
US4968481A (en) * 1989-09-28 1990-11-06 V Tech Corporation Tantalum powder with improved capacitor anode processing characteristics
US5234491A (en) * 1990-05-17 1993-08-10 Cabot Corporation Method of producing high surface area, low metal impurity
US5442978A (en) 1994-05-19 1995-08-22 H. C. Starck, Inc. Tantalum production via a reduction of K2TAF7, with diluent salt, with reducing agent provided in a fast series of slug additions
JPH0897096A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Sutaruku Buitetsuku Kk タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
JP3434041B2 (ja) * 1994-09-28 2003-08-04 スタルクヴイテック株式会社 タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
ES2140733T3 (es) * 1995-05-26 2000-03-01 Goldschmidt Ag Th Proceso para la preparacion de polvo metalico amorfo a los rayos x y nanocristalino.
US5954856A (en) * 1996-04-25 1999-09-21 Cabot Corporation Method of making tantalum metal powder with controlled size distribution and products made therefrom

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000071175A (ko) 2000-11-25
WO1998037248A1 (de) 1998-08-27
JP3817742B2 (ja) 2006-09-06
CN1247575A (zh) 2000-03-15
JP4616313B2 (ja) 2011-01-19
JP2006183150A (ja) 2006-07-13
BR9807239A (pt) 2000-04-25
CZ296199A3 (cs) 2000-08-16
HK1047188A1 (zh) 2003-02-07
AU6396398A (en) 1998-09-09
HK1047188B (zh) 2007-01-19
IL146669A (en) 2007-02-11
CN1080319C (zh) 2002-03-06
CN1368744A (zh) 2002-09-11
JP4974799B2 (ja) 2012-07-11
EP0964936B1 (de) 2001-10-04
CZ301097B6 (cs) 2009-11-04
EP0964936A1 (de) 1999-12-22
JP2007335884A (ja) 2007-12-27
CN1258785C (zh) 2006-06-07
HK1026459A1 (zh) 2000-12-15
DE59801634D1 (de) 2001-11-08
IL131248A (en) 2002-09-12
JP2001512530A (ja) 2001-08-21
JP2007335885A (ja) 2007-12-27
IL146669A0 (en) 2002-07-25
KR100511027B1 (ko) 2005-08-31
CZ304759B6 (cs) 2014-09-24
IL131248A0 (en) 2001-01-28
US6193779B1 (en) 2001-02-27
PT964936E (pt) 2002-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4137125B2 (ja) タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード
KR102546515B1 (ko) 구형 분말을 함유하는 애노드 및 커패시터
JP4619385B2 (ja) タンタル粉末、その製造法およびそれから得られるコンデンサー用焼結アノード
US6689187B2 (en) Tantalum powder for capacitors
JP4187953B2 (ja) 窒素含有金属粉末の製造方法
EP0647349A1 (en) MANUFACTURING METHOD FOR AN IMPROVED TANTALUM POWDER AND ELECTRODE MADE THEREOF WITH HIGH CAPACITY AND LOW LEAKAGE CURRENT.
JP4049964B2 (ja) 窒素含有金属粉末およびその製造方法ならびにそれを用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサー
JP6561074B2 (ja) タンタル粉末及びその製造方法並びにタンタル粉末から製造される焼結アノード
JP2002030301A (ja) 窒素含有金属粉末およびその製造方法ならびにそれを用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサ
JP2019163542A (ja) タンタル粉末及びその製造方法並びにタンタル粉末から製造される焼結アノード
JP2014098201A (ja) 窒素含有タンタル粉末およびその製造方法
TW201446360A (zh) 鈮電容器陽極用化學合成體及其製造方法
JP2008095200A (ja) 窒素含有金属粉末およびその製造方法ならびにそれを用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサ
HK1026459B (en) Tantalum powder which is free from alkali and fluorine and process for producine the same
JP2009275289A (ja) 窒素含有金属粉末の製造方法
JP2009007675A (ja) 窒素含有金属粉末およびそれを用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサ
JP2016166422A (ja) 窒素含有金属粉末の製造方法
JP2013136841A (ja) 窒素含有金属粉末の製造方法
JP2014218748A (ja) 窒素含有金属粉末の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20061215

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20070111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070123

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070330

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070404

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070723

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070911

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071211

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080305

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080520

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080603

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term