JP2001512530A - タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード - Google Patents
タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノードInfo
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- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 31
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 21
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 claims description 19
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 16
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 13
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 7
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 13
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 44
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 30
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 25
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 14
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 12
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 11
- 229910012375 magnesium hydride Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 9
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000387 ammonium dihydrogen phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 235000019837 monoammonium phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-chlorophenyl)-4,5,6,7-tetrahydrothieno[3,2-c]pyridine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1C(C=CS2)=C2CCN1 CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWNCNSOPVUCKJL-UHFFFAOYSA-N [Mg].[P] Chemical compound [Mg].[P] LWNCNSOPVUCKJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910000095 alkaline earth hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001669 calcium Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- OHZZTXYKLXZFSZ-UHFFFAOYSA-I manganese(3+) 5,10,15-tris(1-methylpyridin-1-ium-4-yl)-20-(1-methylpyridin-4-ylidene)porphyrin-22-ide pentachloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Mn+3].C1=CN(C)C=CC1=C1C(C=C2)=NC2=C(C=2C=C[N+](C)=CC=2)C([N-]2)=CC=C2C(C=2C=C[N+](C)=CC=2)=C(C=C2)N=C2C(C=2C=C[N+](C)=CC=2)=C2N=C1C=C2 OHZZTXYKLXZFSZ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/20—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from solid metal compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B34/00—Obtaining refractory metals
- C22B34/20—Obtaining niobium, tantalum or vanadium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/045—Alloys based on refractory metals
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、アルカリ及びフッ素を含有せず、比較的小さい一次粒子と比較的大きい２次粒子を有し、そして比電荷が１０００００μＦＶ／ｇ〜１８００００μＦＶ／ｇであり漏れ電流が２ｎＡ／μＦＶ未満であるコンデンサーを製造するのに好適なタンタル粉体に関する。
Description
【発明の詳細な説明】
タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード
本発明は、タンタル粉体、タンタル粉体から得ることができるプレスし焼結し
たアノード及びタンタル粉末の製造方法に関する。
タンタル金属粉末は、通常、Ｋ2ＴａＦ7をナトリウムを用いて還元して製造さ
れる。タンタル粉末の、粒子サイズ即ち比表面積等の物性は、ＫＣｌ、ＮａＣｌ
、ＫＦ又はＮａＦのような不活性塩を添加することによって調整される。不活性
塩の割合が増加するにつれ、得られるタンタル粉末はより微細になる、即ち、得
られる金属の表面積は増大する。しかしながら、還元反応におけるタンタル金属
の単位時間当たりの生産量は、不活性塩濃度が増大すると減少する。
塩を洗浄した後、タンタル粉末を乾燥しそして真空中又は不活性ガス雰囲気中
での高温処理によって更に精製する。この凝集段階において比表面積は大幅に減
少しそして粉末の酸素含量は相当に増大する。酸素含量は、還元作用を持つ金属
特にマグネシウムを用いた熱処理によって再び減少させる。この脱酸素段階のも
う一つの結果として比表面積が少し減少する。これらのタンタル粉末から製造さ
れるコンデンサーの電気的特性を最適化するために、タンタル粉末を、リン及び
／又はホウ素を含有する添加物(dopant)で処理する。
比電荷又は漏れ電流のようなタンタル粉体の電気的特性は、プレスし、焼結し
、次いで陽極酸化した即ち電気化学的に形成した(formed)アノードについて試験
した。μＦＶ／ｇで表される比電荷は、コンデンサーの静電容量の尺度であり、
そして金属の表面積に直接比例する。ｎＡ／μ
ＦＶで表される漏れ電流は、コンデンサーがその電荷をいかによく保持するかに
ついての指標である。
通常工業的に行われる溶融塩中でのＫ2ＴａＦ7のナトリウム還元においては、
比電荷が１８０００〜７００００μＦＶ／ｇであるコンデンサー用粉体が経済的
に製造される。高い静電容量を有するコンデンサーに必要である、一次粒子サイ
ズが小さいタンタル粉末を得るためには、Ｋ2ＴａＦ7のナトリウム還元を非常に
高い希釈率（希釈剤の塩：ＫＣｌ、ＫＦ、ＮａＣｌ）で行うことが必要であるが
、その結果生成する凝集体がより小さくなる（一次粒子サイズが約０．３μｍの
場合で二次粒子サイズが１〜５μｍ）。凝集体が小さいためこの凝集体を加熱し
て（予備焼結によって）凝集させることが必要となり、その際、第一には望まし
くない不純物が除去されそして第二には比表面積が再び小さくなる。一方、電流
漏れが少ないコンデンサーが電気化学的形成(forming)によって得られるような
、コンデンサー製造用の凝集体の好ましい細孔構造は、予備焼結を、焼結操作の
間に凝集体を除去して凝集体を細粉化しながら繰り返して行うことによってのみ
得ることができる。静電容量が非常に高いタンタルコンデンサー粉末がＤＥ１９
５３６０１３Ａ１に記載されている。９１８１０μＦＶ／ｇ迄の比電荷が、通常
は行わない加熱凝集工程を用いてそれから製造された焼結したアノードにおいて
得られている。しかし、このタンタル粉末は例えばフッ化物のような厄介な不純
物を１００ｐｐｍを超える濃度で含有している。高い含量のフッ化物はアノード
が焼結されるときに分解する。それによって発生するフッ化物蒸気が焼結炉に熱
腐食を引き起こす。タンタルアノードに残留しているフッ化物は、多分電流漏れ
がかなり増加していることの原因になっているで
あろう。ＤＥ１９５３６０１３Ａ１の実施例６に従って製造されたタンタル粉体
は、Ｆ含量が４６０ｐｐｍであり、Ｍｇ含量が２００ｐｐｍである。更に、この
粉末には、粉体密度が非常に小さくそしてそれを原料にしてプレスしたアノード
の破壊強度が市販の粉末に比較して低すぎるという不利な点がある。それ故に、
この粉体は、まだ工業的には重要になっていない。更にその上、このタンタル粉
体は、たとえ僅かｐｐｍ範囲であっても漏れ電流値をかなり悪くする残留アルカ
リを含有しているという不利な点をかかえている。
非常に微細な粉末が、ＴａＣｌ5の水素での気相還元によって製造される。こ
の方法で得られるのは、もはや自由に流動しない、本質的に別種の粉末である。
これを工業的に加工するのは困難であるために、この粉末は、コンデンサー技術
においては今まで使用されていない。
本発明の目的は、上記の不利な点のないタンタル粉体を提供することである。
本発明の更なる目的は、非常に高い静電容量を示すタンタル粉体を製造する経済
的な方法を提供することである。
ここに、既に予備焼結されている（凝集体）非常に微細なタンタル粉体が、五
塩化タンタルと水素化マグネシウムの混合物に点火する(igniting)ことによって
得られること、及びこのタンタル粉体は高い静電容量のコンデンサーを製造する
のに非常に適していることが見出された。僅か２、３分後には完了している、進
行の速い反応であるために、希釈用の塩を使用しない場合でさえも、代表的な大
きさが５０〜３００ｎｍの非常に小さい一次粒子が製造され、それが反応混合物
中の高いタンタル含量のために互いに接触し、そしてその高い焼結活性のために
反応時間内に焼結する。この結果、泡状の、部分的に焼結した、開放孔のケーク
が得られ、このケークを粉砕し篩にかけることにより、平均二次粒子径が１０〜
５０μｍ又はそれ以上である非常によく自由流動する凝集物が得られる。洗浄及
び乾燥後、この凝集物は、１．５〜１０ｍ2／ｇという非常に大きいＢＥＴ比表
面積を有する。
従って本発明は、五塩化タンタルと水素化マグネシウムの混合物に不活性ガス
雰囲気中で点火し、次いで反応生成物を鉱酸で洗浄することによるタンタル粉末
の製造方法に関する。
五塩化タンタルと水素化マグネシウムの均質な混合物の反応は、タンタル還元
容器中で行うのが好ましい。細いタンタル線をこの均質混合物の最も上の層に点
火材として埋め込むのが好ましく、これを外部から入ってくるリード線によって
特に明解に低圧電源に連結することができ、点火の際は、明るい赤い加熱状態に
することができる。この点火装置は、アルゴンでフラッシュした保護室中に収容
される。強い発熱反応のために白熱状態に加熱されていたそして部分的に焼結し
た多孔性のケークの形で存在するこの反応生成物が冷却した後、それを粗く粉砕
し、鉱酸で洗浄しそして乾燥する。硫酸／過酸化水素溶液を洗浄液として用いる
のが好ましい。洗浄は洗液に塩素が含まれなくなる迄続ける。
マグネシウム及び水素はそれが水素化マグネシウムという形でなくなった後も
両者とも還元のために利用できるので、出発物質の量比は臨界的ではない。従っ
て、１．２５〜１．３モルの水素化マグネシウムを、五塩化タンタル１モル当た
りに使用することもできる。しかし、五塩化タンタルの沸点が低いためにそして
水素化マグネシウムの分解温度が低いために、出発物質のモル比が低い場合は収
率の低下が見られる。それ故に五塩化タンタルの水素化マグネシウムに対するモ
ル比が２〜３である
のが好ましい。その時、使用したタンタルに関して８０〜９０％の収率が得られ
る。その収率は、反応を圧力下で例えばオートクレーブ中で行えば更に上昇する
ことが期待される。
式ＭｇＨｘを有し、ｘが１．２より大きい水素化マグネシウムを還元剤として
使用することが好ましく、Ｘが１．６より大きいことが最も好ましい。
焼結した一次粒子から成り、一次粒子の粒子サイズが３０〜３００ｎｍであり
、好ましくは３０〜１５０ｎｍであり、最も好ましくは１００ｎｍ未満であり、
そして一次粒子の焼結によって得られる二次粒子は、Ｄ５０サイズ(D 50size)が
、１０μｍより大きく、好ましくは１３μｍより大きいタンタル粉体は、本発明
によって初めて製造される。
Ｄ５０値は、解凝集を起こすために超音波処理を１５分間行った後、ＡＳＴＭ
Ｂ８２２によるＭａｓｔｅｒｓｉｚｅｒ法によって測定される。
本発明の粉体の二次粒子構造によって、これらの粒子はその先の加工にとって
重要である優れた流動特性を示す。本発明の粉体に対する、ＡＳＴＭ−Ｂ−２１
３に記載のＨａｌｌ ｆｌｏｗ流動性試験によって測定した流動性値は、通常、
０．１インチ漏斗で１００〜１４０秒であり、０．２インチ漏斗で１５〜２５秒
である。
更に、本発明の粉体は、アルカリ及び塩素を含まない。特にそれらのアルカリ
含量は２ｐｐｍ未満であり、そしてそれらのフッ素含量は許容限界である２０ｐ
ｐｍ未満、好ましくは５ｐｐｍ未満である。特にフッ素、ナトリウム及びカリウ
ムは、一般的には、本発明の粉末中に検出される可能性はない。酸素含量は４０
００〜２００００ｐｐｍの範囲である。
ＢＥＴ比表面積は、１．５〜１０ｍ2／ｇの範囲内であり、好ましくは２ｍ2／
ｇより高く、最も好ましくは３〜６ｍ2／ｇである。
本発明の好ましい態様によれば、核の成長を抑制しそして焼結を抑制する物質
を点火前に反応混合物に添加し、得られる粉体がこれらの物質でドープされるよ
うにする。リン及び／又は窒素を含有する物質が添加物(dopant)として好ましい
。
従って、本発明の好ましいタンタル粉体は、リン含量が、３０〜２０００ｐｐ
ｍ、好ましくは３００〜２０００ｐｐｍである。本発明によるタンタル粉体の窒
素含量は、１００〜１５０００ｐｐｍ、好ましくは少なくとも５００ｐｐｍであ
る。
リン添加物として元素状リンを使用することが好ましく、粉末状赤燐の形で使
用するのが最も好ましい。添加物は、点火用混合物に５０００ｐｐｍ迄の量で添
加することができる。
揮発性のアニオン成分を含有するアンモニウム塩、例えば塩化アンモニウムは
窒素添加物として好適である。窒素又はアンモニアも好適である。
窒素とリンを同時に添加する場合にはリン酸アンモニウムが添加物として有利
に使用できる。
本発明は還元剤として水素化マグネシウムを用いて開発されたのではあるが、
水素化カルシウムも還元剤として使用できると考えることができる。水素化カル
シウムは、それが２８０℃〜３００℃の低温で分解しないで１０００℃より高い
融点を持っているという点で水素化マグネシウムとは本質的に異なっている。し
かしながら、反応は点火後高速度で進行するので、水素化マグネシウムの分解を
特徴とする中間段階は反応
に対して大きな影響を持たないことが考えられる。特に反応生成物に対する影響
は小さいと考えられる。従って、本発明は、より一般的に表現すると、五塩化タ
ンタルと水素化アルカリ土類の混合物の点火によるタンタル粉体の製造方法であ
って、混合物が場合によってはリン及び／又は窒素を含有する添加物を含有する
方法に関する。
反応が完結した後、この方法で製造されるタンタル粉体を、鉱酸例えば硫酸で
、特に過酸化水素を添加して、洗浄することによって単離する。この方法で塩素
を含有しないように洗浄されたタンタル粉体は、それに更に添加物を加える目的
のためにリンを含有する添加物を塗布することができる。乾燥後でそして予定の
比表面積における酸素含量が所望の濃度であった場合には、その材料を直接更に
処理することなくタンタルコンデンサーの製造のために使用することができる。
タンタル粉体中の酸素濃度を減少したい場合には、単離し乾燥したタンタル粉体
を脱酸素工程にかけるのが好ましい。この工程は、マグネシウムの削り片を加え
て、６５０〜９００℃、好ましくは７５０〜８５０℃の低温で、１／２〜１０時
間、好ましくは２〜４時間に渉って行うのが好ましい。次いで、このようにして
得られるタンタル粉体を、場合によっては過酸化水素を添加して、鉱酸で洗浄す
ることによって残留マグネシウムを除去し、そして乾燥する。硫酸が、酸として
特に好適であることがわかった。残留マグネシウムを浸出させた後、再びリンを
添加物として含ませることができる。これは添加物の溶液を含浸させることによ
って行うのが好ましい。タンタルコンデンサーの製造に使用されるタンタル粉体
の酸素含量は、比表面積に依存して４０００と２００００ｐｐｍの間であるのが
好ましい。更に窒素含量は、１００〜１５０００ｐｐｍの値に調整するのが好
ましいが、それは特に脱酸素の間にアンモニアを添加することによって達成する
ことができる。この「脱酸素」工程は、粉体の酸素含量が既に所望の範囲内であ
る場合であっても行うのが好ましい。その時「脱酸素」は、添加用反応混合物の
反応で生じるマグネシウム残分及び塩素残分を還元する働きをする。マグネシウ
ムの存在は、緩やかな熱処理の間追加の酸素が粉体の中へ拡散しないという効果
を持っている。対応するタンタル粉体から製造される焼結したアノードは、漏れ
電流が、好ましくは２ｎＡ／μＦＶ未満、最も好ましくは１ｎＡ／μＦＶ未満と
低いことを特徴としている。
本発明のタンタル粉体は、更に、１１００〜１３００℃の温度で１０分間焼結
し１６Ｖで電気化学的に形成することにより、２ｎＡ／μＦＶ未満の特定の漏れ
電流において１２００００〜１８００００μＦＶ／ｇという特定の電荷を持つ電
解コンデンサーの製造に好適であることを特徴とする。
驚くほど高いアノード破壊強度を示すプレスしたアノードを、本発明のタンタ
ル粉体から得ることができる。本発明はこのプレスしたアノードにも関する。５
ｇ／ｃｍ3のプレスした密度でＣｈａｔｉｌｌｏｎに従って測定した、本発明の
このプレスしたアノードの破壊強度は、３〜８ｋｇ、好ましくは４〜７ｋｇであ
る。この試験は、タンタル粉体からプレスした、重量が０．５２１ｇ、直径が５
．１ｍｍ、長さが５．１ｍｍ、そしてプレスした密度が５．０ｇ／ｃｍ3の円筒
状の試験用アノードを用いて行う。これに対して、ＤＥ１９５３６０１３Ａ１に
従って得ることができるプレスしたアノードの破壊強度は、４ｋｇ未満である。
本発明のタンタル粉体から製造される、粉体を１１５０〜１３００℃
で１０分間焼結しそして１６〜３０ボルトで電気化学的に形成することによって
得られる焼結されたアノードは、比電荷が８００００〜１７００００μＦＶ／ｇ
、好ましくは９００００〜１６００００μＦＶ／ｇである。本発明の焼結された
アノードの漏れ電流は、２ｎＡ／μＦＶ以下であることが最も好ましい。実施例１
第１工程 還元
ＴａＣｌ5２００ｇとＭｇＨ2２２ｇ（ＭｇＨ2含量９０％）の混合物を３等分し
、これらを別々にアルゴン雰囲気下で電気点火によって反応させた。反応中に塩
化水素が発生した。反応は２、３分以内に行われた。
第２工程 洗浄及び乾燥
冷却した反応生成物を、網目４００μｍの篩いを通過させた後、硫酸／過酸化
水素溶液で、洗浄水が実質的に塩素を含有しなくなるまで洗浄した。デカンテー
ションを繰り返して大部分の酸を除去し、吸引濾過器上で酸を含有しなくなるま
で水で洗浄した。それを４５℃で注意深く乾燥し、２２０μｍ篩下に迄篩い分け
した。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 ３．３％
マグネシウム １７７０ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ３６１ｐｐｍ
Fisher sub-sieve sizerを用いた粒子サイズ ０．３７μｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 ９．５ｇ／インチ3
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 3-point) ９．１２ｍ2／ｇ
Mastersizer （ASTM-B-822） D-10 １．０３μｍ
１５分超音波前処理 D-50 １０．５０μｍ
D-90 ３２．３３μｍ
生成したタンタル金属：７４ｇで収率７３．７％に相当第３工程
脱酸素及び酸による浸出
一次粉体４０ｇを、マグネシウム削片７．８ｇ（酸素含量基準で計算した化学
量論的な量の２倍）と混合し、管型炉の中で保護用ガス（アルゴン）雰囲気下で
、カバーをつけたタンタル製のボート中で９００℃で２時間保持した。冷却後、
空気中で安全に取り扱うことができるように、約１８時間にわたって徐々に空気
を入れることによって不活性化処理を行った。残留マグネシウムを、硫酸８％と
過酸化水素１．８％を含有する溶液でタンタル粉末から溶出した。続いて、酸が
無くなるまで水で洗浄し、乾燥し、そして２２０μｍ篩下に迄篩い分けした。
分析値： 酸素 ７７００ｐｐｍ
窒素 ２６００ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ２．３５ｍ2／ｇ
（Quantasorb 3-point）
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測
定するために焼結し電気化学的に形成(form)した。アノード製造の条件とそれに
ついて測定した電気的性質は表２に示してある（試料
１参照）。実施例 ２ 第１工程
還元
ＴａＣｌ5４３４ｇとＭｇＨ2４８ｇ（ＭｇＨ2含量９０％）の混合物をアルゴ
ン雰囲気下で電気点火によって反応させた。第２工程
洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 ２．２％
マグネシウム ７３０ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ４０９ｐｐｍ
Fisher sub-sievesizer を用いた粒子サイズ ０．３３μｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 １２．８ｇ／インチ3
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 3-point) ４．７３ｍ2／ｇ
Mastersizer D-10 ０．９４μｍ
１５分超音波前処理 D-50 ９．８４μｍ
D-90 ３１．８８μｍ
生成したタンタル金属：１５１ｇで収率６９％に相当第３工程
添加物の添加(doping)と低温脱酸素、及び酸による浸出
上記のタンタル粉体１１０ｇを、マグネシウム削片７．２６ｇ（酸素含量基準
で計算した化学量論的な量の２倍）と混合し、レトルトの中で保護用ガス（アル
ゴン）雰囲気下で、カバーをつけたタンタル製のボート中で８５０℃で２時間保
持した。冷却後、空気中で安全に取り扱うことができるように、約１８時間にわ
たって徐々に空気を入れることによって不動態化した。残留マグネシウムを、硫
酸８％と過酸化水素１．８％を含有する溶液でタンタル粉末から溶出した。続い
て、酸が含まれなくなるまで水で洗浄し、そして吸引濾過器から取りだした含水
物質に、溶液１ｍｌ当たりリン１ｍｇを含有するリン酸二水素アンモニウム溶液
１１ｍｌを含浸させることによって１００ｐｐｍのリンを添加し(dope)そして乾
燥し、そして２２０μｍ篩下に迄篩い分けした。
分析値： 酸素 ７５５０ｐｐｍ Ｍｇ ８０ｐｐｍ
窒素 ２８２０ｐｐｍ Ｃｌ ５９ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ２．２ｍ2／ｇ
（Quantasorb 3-point）
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測
定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて
測定した電気的性質は表２に示してある（試料２Ａ参照）。第４工程：
再度の脱酸素及び酸による浸出、再度の添加物添加
上記のようにして得られた物質７０ｇを、再度、マグネシウム削片１．６ｇで
８５０℃で２時間第３工程で述べたようにして脱酸素し、硫酸８％と過酸化水素
１．８％を含有する溶液で処理し、酸が無くなるまで水
で洗浄し、そして再びリン５０ｐｐｍを添加し全リン含量を１５０ｐｐｍとした
。
分析値： 酸素 ６１７０ｐｐｍ Ｍｇ ６０ｐｐｍ
窒素 ３２１０ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 １．７５ｍ2／ｇ
（Quantasorb 3-point）
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測
定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて
測定した電気的性質は表２に示してある（試料２Ｂ参照）。実施例 ３ 第１工程
還元
ＴａＣｌ5１０００ｇとＭｇＨ2１１５．５ｇ（ＭｇＨ2含量９０％）の混合物
に赤燐７１ｍｇを添加し(dope)、続いて実施例２と同様にして反応させた。第２工程
洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 ２．６％
窒素 ２８２０ｐｐｍ
リン １５０ｐｐｍ
マグネシウム １４ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ７８４ｐｐｍ
Fisher sub-sieve sizer を用いた粒子サイズ ０．３４μｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 １３．４ｇ／インチ3
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 3-point) ５．７４ｍ2／ｇ
Mastersizer D-10 ０．８７μｍ
１５分超音波前処理 D-50 １０．１２μｍ
D-90 ３０．１９μｍ
生成したタンタル金属：３２９ｇで収率６５％に相当。
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測
定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて
測定した電気的性質は表２に示してある（試料３Ａ参照）。第３工程：
低温脱酸素、及び酸による浸出
上記のタンタル粉体１００ｇを、マグネシウム削片７．８ｇ（酸素含量基準で
計算した化学量論的な量の２倍）と混合し、実施例２に記載したようにして７５
０℃で４時間脱酸素にかけた。残留マグネシウムを、硫酸２６％と過酸化水素６
％を含有する溶液でタンタル粉末から溶出した。生成物を、酸が含まれなくなる
まで水で洗浄し、４５℃で乾燥し、２２０μｍ篩下に迄篩い分けし、そして均質
化した。
分析値： 酸素 ９７７０ｐｐｍ
窒素 ６０９０ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ３．１２ｍ2／ｇ
（Quantasorb 3-point）
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測
定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて
測定した電気的性質は表２に示してある（試料３Ｂ参照）。第４工程：
添加物の添加
上記の脱酸素した粉体の一部にリン酸二水素アンモニウム溶液を含浸させるこ
とによって１５０ｐｐｍのリンを添加して乾燥し、そして２２０μｍ篩下に迄篩
い分けした。
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測
定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて
測定した電気的性質は表２に示してある（試料３Ｃ参照）。実施例 ４ 第１工程
還元
ＴａＣｌ5３００ｇとＭｇＨ2６３ｇ（ＭｇＨ2含量９０％）の混合物に赤燐１
５１ｍｇ（＝１５１ｍｇＰ）を添加し(dope)、続いて実施例２と同様にして反応
させた。アルゴンの流れを減少させたときに燃焼が起こった。この結果として大
気中の窒素による部分的な窒化が起こった。第２工程
洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 １．２％
窒素 １．２％
リン ６８０ｐｐｍ
マグネシウム １２００ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ７１ｐｐｍ
Fisher sub-sieve sizer を用いた粒子サイズ ０．５７μｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 １７．３ｇ／インチ3
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 3-point) ３．９９ｍ2／ｇ
Mastersizer D-10 １．０９μｍ
１５分超音波前処理 D-50 １３．６３μｍ
D-90 ４０．１８μｍ
生成したタンタル金属：１２９ｇで収率８５％に相当。第３工程：
低温脱酸素、及び酸による浸出
上記のタンタル粉体７５ｇを、マグネシウム削片２．７ｇ（酸素含量基準で計
算した化学量論的な量の２倍）と混合し、実施例２に記載したようにして７５０
℃で４時間脱酸素にかけ、そして実施例１と同様に酸処理にかけた。
分析値： 酸素 １２０００ｐｐｍ Ｍｇ ８５ｐｐｍ
窒素 １２０００ｐｐｍ Ｃｌ ２３ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ３．９２ｍ2／ｇ
（Quantasorb 3-point）
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測
定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて
測定した電気的性質は表２に示してある（試料４参照）。実施例 ５ 第１工程
還元
ＴａＣｌ5３００ｇ、ＭｇＨ2６３ｇ（ＭｇＨ2含量９０％）及び赤燐７６ｍｇ
の混合物を実施例４と同様にして反応させた。第２工程
洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 １２０００ｐｐｍ
窒素 １４０００ｐｐｍ
リン ３６０ｐｐｍ
マグネシウム ４６０ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ７１ｐｐｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 １９．４ｇ／インチ3
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 3-point) ３．３５ｍ2／ｇ
Mastersizer D-10 １．７３μｍ
１５分超音波前処理 D-50 １９．０８μｍ
D-90 ５６．３１μｍ
生成したタンタル金属：１３１ｇで収率８６．４％に相当。第３工程：
低温脱酸素、及び酸による浸出
実施例３を参照。
分析値： 酸素 １００００ｐｐｍ Ｍｇ ７５ｐｐｍ
窒素 １４０００ｐｐｍ Ｃｌ ３０ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ３．１８ｍ2／ｇ
（Quantasorb 3-point）
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測
定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて
測定した電気的性質は表２に示してある（試料５参照）。実施例 ６ 第１工程
還元
ＴａＣｌ5３００ｇ、ＭｇＨ2６３ｇ（ＭｇＨ2含量９０％）及び赤燐７６ｍｇ
の混合物を、アルゴンでフラッシュしながら、実施例１と同様にして反応させた
。第２工程
洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得
た。
酸素 １．１％
窒素 ４３６０ｐｐｍ
リン ＜１ｐｐｍ
マグネシウム ９８０ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ２５８ｐｐｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 ２４．３ｇ／インチ3
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 1-point) ２．４５ｍ2／ｇ
Mastersizer D-10 ３．３０μｍ
１５分超音波前処理 D-50 ３３．１４μｍ
D-90 １１４．９５μｍ
生成したタンタル金属：１３３ｇで収率８７．７％に相当。第３工程：
低温脱酸素、及び酸による浸出
上記のタンタル粉体７５ｇを、マグネシウム削片２．４７ｇ（酸素含量基準で
計算した化学量論的な量の２倍）と混合して脱酸素反応を行った。更に実施例３
と同様な処理にかけた。
分析値： 酸素 ７１００ｐｐｍ
窒素 ４４６０ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 １．９９ｍ2／ｇ
（Quantasorb 3-point）
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測
定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて
測定した電気的性質は表２に示してある（試料６参照）。実施例 ７ 第１工程
還元
ＴａＣｌ5３００ｇ、ＭｇＨ2６３ｇ（ＭｇＨ2含量９０％）及び赤燐１５２ｍ
ｇの混合物を、空気の侵入を排除するようにアルゴンでより激しくフラッシュし
ながら反応させた。第２工程
洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 １．４％
窒素 １４４ｐｐｍ
リン ７８０ｐｐｍ
マグネシウム ４５ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 １００ｐｐｍ
Ｓｃｏｔｔ 粉体密度 １８．１ｇ／インチ3
Fisher sub-sieve sizerを用いた粒子サイズ ０．７６μｍ
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 1-point) ４．０２ｍ2／ｇ
Mastersizer D-10 ２．２５μｍ
１５分超音波前処理 D-50 ２３．５１μｍ
D-90 ５８．４３μｍ
生成したタンタル金属：１２８ｇで収率８４．３％に相当。第３工程：
低温脱酸素、及び酸による浸出
上記のタンタル粉体９４ｇを、マグネシウム削片４．００ｇ（酸素含量基準で
計算した化学量論的な量の２倍）と混合して脱酸素反応を行った。更に実施例３
と同様な処理にかけた。
分析値： 酸素 １１０００ｐｐｍ
窒素 ７５２ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ３．５２ｍ2／ｇ
（Quantasorb 3-point）
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測
定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて
測定した電気的性質は表２に示してある。実施例 ８ 第１工程
還元
ＴａＣｌ5３００ｇ、ＭｇＨ2６３ｇ（ＭｇＨ2含量９０％）及び赤燐３０４ｍ
ｇの混合物を、空気の侵入を排除するようにアルゴンでより激しくフラッシュし
ながら反応させた。第２工程
洗浄及び乾燥
実施例１を参照。
このようにして製造したタンタル粉体について以下の分析データを得た。
酸素 １．５％
窒素 ２４０ｐｐｍ
リン １７００ｐｐｍ
マグネシウム ６５ｐｐｍ
ナトリウム ＜１ｐｐｍ
カリウム ＜１ｐｐｍ
フッ化物 ＜２ｐｐｍ
塩化物 ７９ｐｐｍＳｃｏｔｔ 粉体密度 １７．２ｇ／インチ3
Fisher Sub Sieve sizerを用いた粒子サイズ ０．５５μｍ
ＢＥＴ 比表面積(Quantasorb 1-point) ４．８２ｍ2／ｇ
Mastersizer D-10 １．３３μｍ
１５分超音波前処理 D-50 １５．８９μｍ
D-90 ４９．１９μｍ
粒子サイズは、図１にＳＥＭ写真によって具体的に示されている。生成したタ
ンタル金属：１２６ｇで収率８３．０％に相当。第３工程：
低温脱酸素、及び酸による浸出
上記のタンタル粉体９９ｇを、マグネシウム削片４．４７ｇ（酸素含
量基準で計算した化学量論的な量の２倍）と混合し、７５０℃で４時間脱酸素反
応を行った。残留マグネシウムを、硫酸８％と過酸化水素1.８％を含有する溶液
で溶解した。
分析値： 酸素 １２０００ｐｐｍ
窒素 １４４０ｐｐｍ
ＢＥＴ 比表面積 ３．６６ｍ2／ｇ
（Quantasorb 3-point）
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測
定するために焼結し電気化学的に形成した。アノード製造の条件とそれについて
測定した電気的性質は表２に示してある（試料８参照）。 実施例 ９〜１６ 第１工程
還元
ＴａＣｌ5３００ｇ、ＭｇＨ2６３ｇ、赤燐ｘｍｇ及びＮＨ4Ｃｌｙｇの混合物
をアルゴン雰囲気下で電気的に点火することによって反応させた（表２参照）。 第２工程 洗浄及び乾燥
冷却した反応生成物を、塩化マグネシウムを除去するために、硫酸／過酸化水
素溶液で洗浄した。１度又は２度デカンテーションすることによって大部分の酸
を除去し、吸引濾過器上で酸が含まれなくなるまで水で洗浄した。それを４５℃
で乾燥しそして４００μｍ篩下に迄篩い分けした。表３は、添加物の含量と比表
面積の間の関係を示す。
第３工程： 低温脱酸素及び酸による浸出
上記のタンタル粉体を、化学量論的な量の２倍のマグネシウム削片（酸素含量
基準で計算）と混合し、レトルトの中で保護用ガス（アルゴン）雰囲気下で、カ
バーをつけたタンタル製のボート中で７５０℃で４時間保持した。冷却後、空気
中で安全に取り扱うことができるように、約１８時間にわたって徐々に空気を入
れることによって不動態化を行った。残留マグネシウムを、硫酸８％と過酸化水
素１．８％を含有する溶液でタンタル粉末から溶出した。続いて、酸が含まれな
くなるまで水で洗浄し、４５℃で乾燥し、そして４００μｍ篩下に篩い分けした
。
得られた粉体をプレスしてアノードを製造し、続いて比電荷及び漏れ電流を測
定するために焼結し電気化学的に形成した（表４参照）。
アノード重量 ０．０４６６ｇ
プレス後の密度 ５．０ｇ／ｃｍ3
形成電圧 １６Ｖ
─────────────────────────────────────────────────────
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｂ２２Ｆ 9/24 Ｂ２２Ｆ 9/24 Ｄ
Ｈ０１Ｇ 9/052 Ｈ０１Ｇ 9/05 Ｋ
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，
ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ
Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ
，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，
ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，Ｍ
Ｗ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ
，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ
，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，
ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，Ｅ
Ｓ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ
，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，
ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，Ｍ
Ｇ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ
，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，
ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，Ｖ
Ｎ，ＹＵ，ＺＷ
(72)発明者 ラボール，クリステイネ
ドイツ・デー―31137ヒルデスハイム・イ
メルマンシユトラーセ24
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １． アルカリ及びフッ素を含有せず、一次粒子サイズが５０〜３００ｎｍであ り、二次粒子サイズのＤ５０値（ＡＳＴＭ−Ｂ−２８８）が１０μｍを超えるタ ンタル粉体。 ２． リンの含量が３０〜３０００ｐｐｍである請求項１に記載のタンタル粉体 。 ３． 酸素の含量が４０００〜２００００ｐｐｍでありそして窒素の含量が１０ ０〜１５０００ｐｐｍである請求項１又は２に記載のタンタル粉体。 ４． ＢＥＴ比表面積が２から６ｍ2／ｇである請求項１〜３のいずれかに記載 のタンタル粉体。 ５． アルカリ含量が２ｐｐｍ未満である請求項１〜４のいずれかに記載のタン タル粉体。 ６． フッ素含量が２０ｐｐｍ未満、好ましくは５ｐｐｍ未満である請求項１〜 ５のいずれかに記載のタンタル粉体。 ７． １０００℃と１３００℃の間の温度で焼結し、１６ボルトで電気化学的に 形成した後に、比電荷が１２００００〜１８００００μＦＶ／ｇであり、漏れ電 流が２ｎＡ／μＦＶ未満であるタンタル粉体。 ８． プレスした密度が５ｇ／ｃｍ3で重量が０．５２１ｇのアノードについて Ｃｈａｔｉｌｌｏｎに従って測定した、アノードの破壊強度が、３ｋｇと８ｋｇ の間、好ましくは４ｋｇと７ｋｇの間であることを特徴とする、請求項１〜７の １項以上に記載のタンタル粉体から得ることができるプレスしたアノード。 ９． 比電荷が８００００〜１７００００μＦＶ／ｇであることを特徴 とする、請求項１〜５の１項以上に記載のプレスしたタンタル粉体を１１５０〜 １３００℃の温度で焼結しそして１６〜３０ボルトで電気化学的に形成すること によって得られる焼結したアノード。 １０． タンタル塩化物とアルカリ土類金属水素化物の混合物を不活性ガス雰囲 気下での点火によって反応させ、そして生成したタンタル粉体を鉱酸を用いて洗 浄することによって単離し乾燥することを特徴とする、請求項１〜７の１項以上 に記載のタンタル粉体の製造方法。 １１． 混合物がリン又は窒素を含有する物質を添加物として含有することを特 徴とする請求項１０に記載の方法。 １２． 単離され、乾燥されたタンタル粉体を脱酸素反応にかけることを特徴と する請求項１０又は１１のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19706416 | 1997-02-19 | ||
| DE19706416.7 | 1997-02-19 | ||
| PCT/EP1998/000698 WO1998037248A1 (de) | 1997-02-19 | 1998-02-09 | Tantal-pulver, verfahren zu seiner herstellung, sowie daraus erhältliche sinteranoden |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006003789A Division JP4137125B2 (ja) | 1997-02-19 | 2006-01-11 | タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001512530A true JP2001512530A (ja) | 2001-08-21 |
| JP3817742B2 JP3817742B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=7820742
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53620598A Expired - Lifetime JP3817742B2 (ja) | 1997-02-19 | 1998-02-09 | タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード |
| JP2006003789A Expired - Lifetime JP4137125B2 (ja) | 1997-02-19 | 2006-01-11 | タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード |
| JP2007190615A Expired - Lifetime JP4616313B2 (ja) | 1997-02-19 | 2007-07-23 | タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード |
| JP2007190605A Expired - Lifetime JP4974799B2 (ja) | 1997-02-19 | 2007-07-23 | タンタル粉体 |
Family Applications After (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006003789A Expired - Lifetime JP4137125B2 (ja) | 1997-02-19 | 2006-01-11 | タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード |
| JP2007190615A Expired - Lifetime JP4616313B2 (ja) | 1997-02-19 | 2007-07-23 | タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード |
| JP2007190605A Expired - Lifetime JP4974799B2 (ja) | 1997-02-19 | 2007-07-23 | タンタル粉体 |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6193779B1 (ja) |
| EP (1) | EP0964936B1 (ja) |
| JP (4) | JP3817742B2 (ja) |
| KR (1) | KR100511027B1 (ja) |
| CN (2) | CN1080319C (ja) |
| AU (1) | AU6396398A (ja) |
| BR (1) | BR9807239A (ja) |
| CZ (2) | CZ304759B6 (ja) |
| DE (1) | DE59801634D1 (ja) |
| HK (2) | HK1026459A1 (ja) |
| IL (2) | IL131248A (ja) |
| PT (1) | PT964936E (ja) |
| WO (1) | WO1998037248A1 (ja) |
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- 1998-02-09 CN CN98802473A patent/CN1080319C/zh not_active Expired - Lifetime
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- 1998-02-09 PT PT98909422T patent/PT964936E/pt unknown
- 1998-02-09 EP EP98909422A patent/EP0964936B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-09 AU AU63963/98A patent/AU6396398A/en not_active Abandoned
- 1998-02-09 WO PCT/EP1998/000698 patent/WO1998037248A1/de active Search and Examination
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|---|---|
| CZ304759B6 (cs) | 2014-09-24 |
| HK1047188B (zh) | 2007-01-19 |
| JP4616313B2 (ja) | 2011-01-19 |
| CN1080319C (zh) | 2002-03-06 |
| JP4137125B2 (ja) | 2008-08-20 |
| IL131248A (en) | 2002-09-12 |
| HK1026459A1 (en) | 2000-12-15 |
| JP2006183150A (ja) | 2006-07-13 |
| CN1258785C (zh) | 2006-06-07 |
| KR20000071175A (ko) | 2000-11-25 |
| EP0964936A1 (de) | 1999-12-22 |
| CZ301097B6 (cs) | 2009-11-04 |
| JP3817742B2 (ja) | 2006-09-06 |
| IL146669A0 (en) | 2002-07-25 |
| CZ296199A3 (cs) | 2000-08-16 |
| BR9807239A (pt) | 2000-04-25 |
| JP2007335885A (ja) | 2007-12-27 |
| CN1247575A (zh) | 2000-03-15 |
| EP0964936B1 (de) | 2001-10-04 |
| KR100511027B1 (ko) | 2005-08-31 |
| US6193779B1 (en) | 2001-02-27 |
| WO1998037248A1 (de) | 1998-08-27 |
| JP2007335884A (ja) | 2007-12-27 |
| IL131248A0 (en) | 2001-01-28 |
| JP4974799B2 (ja) | 2012-07-11 |
| CN1368744A (zh) | 2002-09-11 |
| AU6396398A (en) | 1998-09-09 |
| HK1047188A1 (en) | 2003-02-07 |
| IL146669A (en) | 2007-02-11 |
| DE59801634D1 (de) | 2001-11-08 |
| PT964936E (pt) | 2002-03-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20050920 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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| A72 | Notification of change in name of applicant |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060605 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130623 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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