JP4130526B2 - バンプ形成方法およびその装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 87
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 205
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 194
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 33
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
- B23K3/06—Solder feeding devices; Solder melting pans
- B23K3/0607—Solder feeding devices
- B23K3/0623—Solder feeding devices for shaped solder piece feeding, e.g. preforms, bumps, balls, pellets, droplets
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性粒子を用い半導体ウエハ、電子回路を形成した基板等の、いわゆる半導体装置の端子となる電極部にバンプを形成するバンプ形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
バンプ形成方法およびその装置については、従来から数多く存在している。例えば、メッキにより半導体装置の電極部に金属を析出させてバンプを形成するメッキ法、はんだペーストを半導体装置の電極部に印刷し、加熱することではんだペースト中のはんだを溶融させてバンプを形成する印刷法、金ワイヤの一端を半導体装置の電極部に接続し切断することでバンプを形成するスタッドバンプ法がある。
【0003】
また、はんだボール(導電性粒子)を真空吸引により治具に吸引しはんだボールの下面部にフラックスを付着させて、これをウエハまたは回路基板上の電極部に搭載し、加熱することではんだボールを溶融させてバンプを形成するはんだボール搭載法がある。
【0004】
一方、電子製品の小型、高性能化に伴いICパッケージがQFP(Quad Flat Package)からBGA(Ball Grid Array)へ、更にCSP(Chip Size Package)からフリップチップへとバンプ間隔の狭ピッチ化及びバンプ径の小径化が急速に進んでいる。
【0005】
ICの小型化に伴い従来技術のメッキ法では十分な体積を持つバンプを形成することが難しく、更にメッキ時間が長い問題が存在する。
【0006】
また、従来技術の印刷法ではバンプ体積及びバンプ高さのバラツキが生じるため、回路基板などにICのバンプを接続するとき、全てのバンプが正常に接続ができない問題が存在する。
【0007】
また、従来技術のスタッドバンプ法はバンプの材質が金のためバンプと接続する回路基板の導体材料が限定されるという問題が存在する。
【0008】
また、従来技術のはんだボール搭載法はバンプ体積及びバンプ高さのバラツキがなくバンプ形成ができるが、一度に数百個のはんだボール搭載しかできないという問題と、このはんだボールの径が300μm以上ではないと、搭載することができない問題が存在する。
【0009】
また、はんだボールの搭載時間が約15秒/回必要であり、数万個のはんだボールを搭載する場合には数時間以上を費やすため、生産性が低いという問題が存在する。
具体的には以下に説明するA〜Iが公知技術としてあげられる。
【0010】
まず、公知技術(例A)のバンプ形成方法としては、特開平9−246704号公報に記載のように、回路基板上のはんだバンプを形成するはんだパッドの表面にのみ部分的にフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、上記はんだパッドに対向し、はんだボールが通過できる貫通孔を有するマスクを通して、はんだボールをはんだパッドの表面にフラックス粘着させるはんだボール粘着工程と、マスクを取り外した後に、はんだ溶融温度で加熱し、はんだバンプを形成する加熱工程とを有している。
【0011】
この例Aによるバンプ形成方法は、マスク貫通孔以外の領域に多数残ったはんだボールを回路基板とマスクとを逆さまにひっくり返すことではんだボールを下部に落下させる方法である。
【0012】
また、公知技術(例B)のバンプ形成方法としては、特許番号2663927号公報に記載のように、回路基板上のはんだバンプを形成するはんだパッドの表面にのみ部分的にはんだペーストを印刷するはんだペースト印刷工程と、上記はんだパッドに対向し、はんだボールが通過できるマスクの貫通孔にはんだボールを入れ、このはんだボールの上からはんだボール径より若干小さい突起を押圧するはんだボール押圧工程とを有する方法がある。
【0013】
また、公知技術(例C)のバンプ形成方法としては、特開平6−291122号公報に記載のように、マスクに袋小路の多孔をあけ、これらの多孔にはんだボールを入れた後に、マスク上面部を刷毛を移動することにより余分なはんだボールをはんだボール排出口から排出する方法がある。
【0014】
また、公知技術(例D)のバンプ形成方法としては、特開平7−254777号公報に記載のように、チップ部品上のはんだバンプを形成するはんだパッドとはんだボールが通過できる貫通孔を有するマスクとを位置決めした後に、升状の側壁内に供給したはんだボールを移動させてマスクの貫通孔にはんだボールを落下させる方法がある。
【0015】
また、公知技術(例E)のバンプ形成方法としては、特開平7−202403号公報に記載のように、チップ部品上のはんだバンプを形成するはんだパッドとはんだボールが通過できる貫通孔を有するマスクとを位置決めした後に、升状のボールホッパに供給したはんだボールを移動させてマスクの貫通孔にはんだボールを落下させる方法がある。
【0016】
また、公知技術(例F)のバンプ形成方法としては、特開平9−107045号公報に記載のように、BGAパッケージ上のはんだバンプを形成するはんだパッドの表面にのみ部分的にはんだペーストを塗布し、はんだボールが通過できる貫通孔を有するマスクを位置決めした後に、スキージを移動させてはんだボールをマスクの貫通孔に落下させる方法がある。
【0017】
また、公知技術(例G)のバンプ形成方法としては、特開平11−135565号公報に記載のように、基板上のはんだバンプを形成するバンプパッドの表面にのみ部分的にフラックスを塗布し、はんだボールが通過できる貫通孔を有するマスクを位置決めした後に、はんだボール押え板ではんだボールの上部を加圧し、その後に加熱する方法がある。
【0018】
また、公知技術(例H)のバンプ形成方法としては、特許番号第2713263号公報に記載のように、プリント基板上のはんだバンプを形成するパッドの表面にのみ部分的にクリームはんだを塗布し、はんだボールが通過できる貫通孔を有するノズル部を位置決めした後に、ノズル部内のはんだボールを押圧部でプリント基板に押し付け、その後加熱する方法がある。
【0019】
また、公知技術(例I)のバンプ形成方法としては、特許番号第2891085号公報に記載のように、半導体素子上のはんだバンプを形成するはんだボール電極の表面にのみ部分的にフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、上記はんだパッドに対向しはんだボールが通過できる貫通孔を有するマスクを通してはんだボールをはんだボール電極の表面のフラックスに粘着させ、マスク貫通孔以外に多数残ったはんだボールを半導体素子とマスクを少し傾けた状態で、はんだボールを下部に落下させる方法がある。
【0020】
なお、例Aに類似する公知技術としては、特開平9−134923号公報に記載された「はんだボール供給装置」がある。
【0021】
また、例A〜Iの他の公知技術としては、特開2000−133923号公報に記載された「導電性ボールの基板への搭載方法」がある。
【0022】
この特開2000−133923号公報に記載された「導電性ボールの基板への搭載方法」は、導電性ボール受け穴を多数有する平板状の位置決め手段を下り勾配状に配置し、この位置決め手段に、ボール貯蔵ホッパから複数の導電性ボールを供給して、ボール受け穴に受け入れさせる。
【0023】
ボール受け穴に受け入れらなかった導電性ボールは、導電性ボール回収ホッパに受け入れられる。
【0024】
そして、多数の導電性ボールを受け容れた位置決め手段は、ほぼ水平となるように回動され、導電性ボール吸着手段により、位置決め手段上の導電性ボールが吸着される。
【0025】
続いて、導電性ボールを吸着した導電性ボール吸着手段は、被導電性部材供給部に搭載される。
【0026】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記(例A)から(例I)までの従来のバンプ形成方法には、次のような問題点があった。
【0027】
第1の問題点は、導電性粒子同士の付着である。
これは、直径が300μm以下の場合に多く発生する現象であり、導電性粒子の帯電または導電性粒子の電子密度の偏りにより発生するファンデルワールス力が原因である。
【0028】
例えば、供給装置又は刷毛、スキージ等により導電性粒子をマスク上で滑らせながらマスク貫通孔に落下させる場合、導電性粒子同士及びマスク、供給装置、刷毛、スキージ等の接触により静電気が発生する。
【0029】
そして、発生した静電気により、マスク表面部又はマスクの貫通孔内及び供給装置又は刷毛、スキージ等に導電性粒子が付着するため、導電性粒子の運動を制御できず、自重でマスクの貫通孔に確実に供給できない構造であった。
【0030】
また、静電気の影響でマスクの貫通孔に、完全な状態ではなく、中途半端な位置で導電性粒子が付着するため、供給装置の先端部又はスキージ端面部に導電性粒子が噛み込む現象が発生し、導電性粒子へのダメージが発生しやすい構造であった。
【0031】
次に、第2の問題点は、導電性粒子をスキージ又は刷毛などでマスク上を滑らせるため、導電性粒子に外力が加わり導電性粒子の変形が発生し、マスクの貫通孔の直径以上に導電性粒子が変形した場合は導電性粒子の自重でマスクの貫通孔に確実には挿入又は供給できない構造となっていた。
【0032】
次に、第3の問題点は、マスクの貫通孔に導電性粒子を多数個入れた後にウエハまたは回路基板とマスクとを引き離すときに、マスクの貫通孔内壁と導電性粒子とが摩擦して回路基板上の電極部に搭載されている導電性粒子が脱落しやすい構造であるという構造となっていた。
【0033】
ここで、上述した公知技術である例Aについて述べると、はんだボールの自重のみの力でマスクの貫通孔に、はんだボールを落下させるため、はんだボール同士が帯電し、マスクの貫通孔以外に多数のはんだボールが残るという問題が存在し、静電気の影響については考慮されてがいなかった。
【0034】
また、回路基板とマスクとを逆さまにひっくり返す時に発生するマスクの振動によりマスク貫通孔に入っているはんだボールが脱落しやすいという問題が存在し、この振動の影響について考慮していない構造となっていた。
【0035】
また、公知技術である例Bは、マスクの貫通孔にどのようにはんだボールを入れるかを考慮していない。また、位置決めした突起を押し出して、はんだボールを上部に押し出す時に、はんだボールとマスクの貫通孔との摩擦により発生する静電気の影響を考慮していない構造となっていた。
【0036】
また、公知技術である例Cは、刷毛を移動することにより、マスクとはんだボールとを刷毛により摩擦することによって、はんだボールが帯電し、一度マスクの多孔に入ったはんだボールが飛び出しやすい構造となっていた。
【0037】
また、マスクの多孔に入っているはんだボールを回路基板上のはんだバンプを形成するはんだ凹状パッドに落下される構造のため、マスクと回路基板とをひっくり返した時に、はんだボールの帯電により、はんだボールが自重でマスク貫通孔に落下しにくい構造となっていた。
【0038】
また、導電性粒子であるはんだボールを刷毛を用いてマスク上を滑らせる構造のため、導電性粒子に外力が加わり導電性粒子の変形が発生しやすく、マスクの貫通孔以上に導電性粒子が変形した場合、導電性粒子の自重では、マスクの貫通孔に落下できない構造となっていた。
【0039】
また、公知技術である例Dは、升状の収納枠に供給したはんだボール移動することにより、マスクと、はんだボール表面と、升状の内壁とが帯電し、マスクの貫通孔に入っているはんだボールがマスクの多孔から飛び出しやすい構造となっていた。
【0040】
また、マスクの貫通孔の中途半端な位置で、はんだボールが付着するため、はんだボールと升状の収納枠の角部とが噛み込む現象が発生し、はんだボールの欠けが発生しやすい構造となっていた。
【0041】
また、導電性粒子を升状の収納枠でマスク上を滑らせるため、導電性粒子に外力が加わり変形が発生しやすい構造であり、マスク貫通孔以上に導電性粒子が変形した場合、導電性粒子の自重ではマスクの貫通孔に落下しにくい構造となっていた。
【0042】
また、公知技術である例Eは升状のボールホッパに供給したはんだボールを移動することにより、マスクとはんだボール表面とボールホッパの内壁とが帯電し、マスクの貫通孔に入っているはんだボールがマスク多孔から飛び出しやすい構造となっていた。
【0043】
また、静電気によりはんだボールがマスク貫通孔の中途半端な位置ではんだボールが付着するため、ボールホッパ先端部または押圧部材と、はんだボールとが噛み込む現象が発生し、はんだボールの欠けが発生しやすい構造となっていた。
【0044】
また、導電性粒子であるはんだボールをボールホッパでマスク上を滑らせるため、導電性粒子に外力が加わり変形が発生しやすい構造であり、マスクの貫通孔以上に導電性粒子が変形した場合、導電性粒子の自重ではマスクの貫通孔に落下しにくい構造となっていた。
【0045】
また、公知技術である例Fは、剣先状のスキージに供給したはんだボールを移動することによりマスクとはんだボール表面とスキージとが帯電し、マスクの貫通孔に一度入ったはんだボールがマスクの多孔から飛び出しやすい構造となっていた。
【0046】
また、静電気により、はんだボールがマスクの貫通孔の中途半端な位置で付着するため、スキージと、はんだボールとが互いに噛み込む現象が発生し、はんだボールの欠けが発生しやすい構造となっていた。
【0047】
また、導電性粒子を剣先状のスキージでマスク上を滑らせるため、導電性粒子に外力が加わり変形が発生しやすい構造であり、マスクの貫通孔以上に導電性粒子が変形した場合、導電性粒子の自重では、マスクの貫通孔に落下しにくい構造となっていた。
【0048】
また、公知技術である例Gは、マスクの貫通孔にどのようにはんだボールを入れるかを考慮していない。
【0049】
また、公知技術である例Hは、押圧部をノズル部の貫通孔に入れる時に、金属ボールとノズル部の貫通孔の角部との噛み込みが発生しやすい構造であった。また、金属ボールに外力が加わるため、金属ボールの変形が発生しやすい構造となっていた。
【0050】
また、公知技術である例Iは、はんだボールを、半導体素子とマスクとを少し傾けた状態で、はんだボールをマスクの上部から下部に滑らせながらマスクの貫通孔に入れるため、はんだボールの摩擦によって、はんだボールが帯電しマスク上に、はんだボールが残りやすい構造となっていた。
【0051】
また、はんだボールの帯電により一度マスクの貫通孔に入ったはんだボールが飛び出しやすい構造となっていた。
【0052】
例えば、導電性粒子が錫、鉛または銀などを主成分とするはんだであり、直径がΦ300μm以下の場合に、マスク上に、はんだボールを滑らせた場合にマスク表面と、はんだボール表面とで±50から±3000Vの静電気が発生する。
【0053】
上述した従来技術では、導電性粒子の表面に発生する静電気及びファンデルワールス力の影響で、導電性粒子がマスクの貫通孔に落下しにくい構造であり、また、導電性粒子と供給装置であるホッパなどの先端部とが噛み込みやすい構造のため、導電性粒子の欠けなどのダメージが発生する問題を解決できないため実用化されていなかった。
【0054】
本発明の目的は、直径がΦ300μm以下の導電性粒子のバンプ高さ、体積のばらつきを少なくするために、所定の寸法精度の球状の導電性粒子を用いてウェハ又は回路基板上の電極部にバンプを形成し得る安価なバンプ形成方法及びその装置を実現することである。
また、本発明の他の目的は、マスク上に残った余分な導電性粒子を確実にかつ容易に吸引回収することにより、高価な導電性粒子を再利用し、リサイクル化が可能なバンプ形成方法及びその装置を実現することである。
【0055】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は次のように構成される。
(1)導電性粒子を用いて半導体ウエハまたは電子回路基板上に電極部にバンプを形成するバンプ形成方法において、バンプ形成位置に導電性粒子が通過する貫通孔を有するマスクと上記ウエハまたは回路基板とを位置合わせし、吸引孔が形成されたテーブル上に配置する工程と、導電性粒子供給手段により、導電性粒子をマスク上の貫通孔へ落下しながら移動し、導電性粒子供給手段の移動する位置に同期して、上記テーブルに形成された孔からマスクに形成された貫通孔を介して導電性粒子を吸引し、半導体ウエハまたは電子回路基板上の電極部に導電性粒子を搭載する粒子搭載工程と、上記マスクの貫通孔に落下しなかった導電性粒子を回収するボール回収工程とを備える。
【0056】
(2)好ましくは、上記(1)において、上記導電粒子供給手段の先端部には導電性粒子の吸引溝が形成されており、この吸引溝により、導電性粒子の吸引及び非吸引を制御して、導電性粒子供給手段の導電性粒子の保持及び落下を制御する。
【0057】
(3)また、好ましくは、上記(1)、(2)において、上記供給手段内に収容された導電性粒子に、除電用流体が吹き付けられる。
【0058】
(4)また、好ましくは、(1)、(2)、(3)において、上記供給手段の導電粒子収容部の側面に振動子を設け、導電性粒子に振動を加えながら供給手段から導電性粒子を落下させる。
【0059】
(5)また、好ましくは、上記(1)、(2)、(3)、(4)において、上記半導体ウエハまたは回路基板上の電極部に予めフラックスまたははんだペーストまたは導電性接着剤を付着し、上記導電性粒子を落下した後、上記マスクの貫通孔の上から熱を供給して上記電極部と導電性粒子との固着力を増加させる。
【0060】
(6)また、好ましくは、上記(1)、(2)、(3)、(4)、(5)において、上記マスクの貫通孔に落下しなかった導電性粒子は、粒子回収手段により回収され、この粒子回収手段は、導電性粒子を吸引する吸引部を有し、この吸引部の入り口には多数のスリット溝が形成され、吸引部に乱流を発生させて導電性粒子を回収する。
【0061】
(7)また、好ましくは、上記(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6)において、上記テーブルの表面材質は、鉄、ジルコニア、アルミナ又はジルコニア又はクロム、チタンのいずれかの膜を有する。
【0062】
(8)また、好ましくは、上記(5)において、フラックスまたははんだペースト、導電性接着剤の材料沸点の温度は、導電性粒子の融点より、+10℃から+40℃の特性を有する。
【0063】
(9)また、好ましきくは、上記(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6)、(7)、(8)において、回収した導電性粒子を遠心分離室内の遠心分離により、導電性粒子と粉塵とを分離して、導電性粒子を回収する。
【0064】
(10)導電性粒子を用いて半導体ウエハまたは電子回路基板上に電極部にバンプを形成するバンプ形成装置において、バンプ形成位置に導電性粒子が通過する貫通孔を有するマスクと、複数の吸引孔が形成され、上記ウエハまたは回路基板とが配置され、上記吸引孔からマスクに形成された貫通孔を介して導電性粒子を吸引するテーブルと、複数の導電性粒子を上記マスク上の貫通孔へ落下しながら移動する導電性粒子供給手段と、導電性粒子を回収する導電性粒子回収手段とを備え、導電性粒子供給手段の移動する位置に同期して、上記テーブルに形成された孔からマスクに形成された貫通孔を介して導電性粒子を吸引し、半導体ウエハまたは電子回路基板上の電極部に導電性粒子を搭載し、上記マスクの貫通孔に落下しなかった導電性粒子を導電粒子回収手段により回収する。
【0065】
(11)好ましくは、上記(10)において、上記導電粒子供給手段の先端部には導電性粒子の吸引溝が形成されており、この吸引溝により、導電性粒子の吸引及び非吸引を制御して、導電性粒子供給手段の導電性粒子の保持及び落下を制御する。
【0066】
(12)また、好ましくは、上記(10)、(11)において、上記供給手段内に収容された導電性粒子に、除電用流体を吹き付ける除電器を備える。
【0067】
(13)また、好ましくは、上記(10)、(11)、(12)において、上記供給手段の導電粒子収容部の側面に振動子を設け、導電性粒子に振動を加えながら供給手段から導電性粒子を落下させる。
【0068】
(14)また、好ましくは、上記(10)、(11)、(12)、(13)において、上記マスクの貫通孔の上から熱を供給する加熱手段を備え、この加熱手段により、半導体ウエハまたは回路基板上の電極部に予めフラックスまたははんだペーストまたは導電性接着剤を付着し、上記導電性粒子を落下した後、上記マスクの貫通孔の上から熱を供給して上記電極部と導電性粒子との固着力を増加させる。
【0069】
(15)また、好ましくは、上記(10)、(11)、(12)、(13)、(14)において、上記マスクの貫通孔に落下しなかった導電性粒子は、粒子回収手段により回収され、この粒子回収手段は、導電性粒子を吸引する吸引部を有し、この吸引部の入り口には多数のスリット溝が形成され、吸引部に乱流を発生させて導電性粒子を回収する。
【0070】
(16)また、好ましくは、上記(10)、(11)、(12)、(13)、(14)、(15)において、上記テーブルの表面材質は、鉄、ジルコニア、アルミナ又はジルコニア又はクロム、チタンのいずれかの膜を有する。
【0071】
(17)また、好ましくは、上記(14)において、フラックスまたははんだペースト、導電性接着剤の材料沸点の温度は、導電性粒子の融点より、+10℃から+40℃の特性を有する。
【0072】
(18)また、好ましくは、上記(10)、(11)、(12)、(13)、(14)、(15)、(16)、(17)において、回収した導電性粒子を遠心分離室内の遠心分離により、導電性粒子と粉塵とを分離して、導電性粒子を回収する。
【0073】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図11を用いて、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置について説明する。
【0074】
図1は、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置の概略断面図である。
【0075】
このバンプ形成装置におけるはんだボール供給装置は、ホッパ14と回収ユニット15とから構成されており、全体でボール搭載ヘッドを構成している。
【0076】
被対象物10は、半導体ウエハでテーブル12の吸引穴12aの吸引力12bにより保持され、被対象物10の電極10aの位置とマスク11のマスク11の貫通孔11aの位置とを合わせた後に、マスク11をテーブル12の吸引力12bにより密着する構造となっている。
【0077】
はんだボール13の搭載方法は、ホッパ14内に投入したはんだボール13をホッパ14に形成されたスリット17から1列にマスク11に落下しながら、搭載ヘッドの進行方向18に進む。
【0078】
そして、スリット17から落下したはんだボール13は、回収ユニット15の吸引力15aによりマスク11上を転がりながら、マスク11の貫通孔11aに落下し被対象物10上の電極10aに印刷されたフラックス10bの粘着力で固定する構造となっている。
【0079】
なお、ホッパ14に形成されたスリット17のスリット幅17aは、はんだボール13の径13aの1倍から2倍であり、スリット17に、はんだボール13が詰まりにくい寸法構成としてある。
【0080】
また、ホッパ14とマスク11とのクリアランス16は、はんだボール13の径13aの1倍から2倍であり、マスク11に落下したはんだボール13とホッパ14とが噛み込まない寸法構成としてある。
【0081】
なお、マスク11上の余分なはんだボール13は、回収ユニット15の吸引力15aにより、全て回収する構造となっている。
【0082】
次に、本発明の一実施形態であるバンプ形成装置のテーブル部について説明する。
【0083】
図2は、本発明の一実施形態であるバンプ形成装置のテーブル部の正面図である。
【0084】
図2において、テーブル22(12)には吸引穴22a(12a)、22b、22cが設けられている。また、マスク21(11)の裏側にはマスク21(11)の裏側から彫り込んだハーフエッチング部21bと、このハーフエッチング部21bと繋がっている吸引溝25a、25b、25cと貫通孔21a(11a)とが設けられている。
【0085】
被対象物20(10)は、テーブル22(12)に保持され、ホッパ23(14)内に投入されたはんだボール24(13)が落下しながら進行方向23a(18)を進む。
【0086】
このとき、ホッパ23(14)が吸引孔22a(12a)の位置にきた時に、吸引孔22a(12a)のみに吸引力22d(12b)を発生させることにより、マスク21(11)の裏側の吸引溝25aを通してマスク21の貫通孔21a(11a)を吸引し、はんだボール24(13)を確実に落下させる構造となっている。
【0087】
このように、ホッパ23(14)の進行方向23aの進行速度に合わせて、テーブル22(12)に設けた吸引穴A(22a)、B(22b)、C(22c)を順次切り替えてマスク21(11)の吸引溝25a、25b、25cを介してはんだボール24(13)を吸引することにより、全てのマスク貫通孔21a(11a)に、はんだボール24(13)を落下する構造となっている。
【0088】
次に、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のホッパ部について説明する。
【0089】
図3は、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置の供給装置を示す断面図である。
【0090】
図3において、ホッパ31(14)のスリット部31a(17)の側壁部に吸引溝32を設け、ホッパ31内のはんだボール30(13)を吸引力32によりホッパ31内に保持する構造となっている。
【0091】
なお、ホッパ31のはんだボール30は、この吸引力32aを切ることによりスリット31aから落下して、落下したはんだボール30aとする構造となっている。
【0092】
このように、ホッパ31の吸引力32aを制御することにより、はんだボール30の落下を制御できる構造となっている。
【0093】
次に、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のホッパ部へのはんだボールの供給について説明する。
【0094】
図4は、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のはんだボール供給装置におけるはんだボールどおしの吸着を防止する手段の一例を示す図である。
【0095】
図4において、ホッパ40(14)は、除電器42に空気などの流体42bを入れ、除電流体43aとし、流路42aを経由してパイプ43の開口穴43bから、この除電流体43aをホッパ40内のはんだボール41(13)に吹き付ける構成となっている。
【0096】
このように、ホッパ40(14)と、はんだボール41(13)同士の摩擦により発生した、静電気を除電することにより、ホッパ40(14)の先端部のスリット40a(17)から一列に、はんだボール41(213)を落下し、落下したはんだボール41aとすることができる構造となっている。
【0097】
次に、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のはんだボール供給装置におけるはんだボールどおしの吸着を防止する手段の他の例について説明する。
【0098】
図5は、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のはんだボール供給装置におけるはんだボールどおしの吸着を防止する手段の他の例を示す図である。
【0099】
図5において、このはんだボール供給装置は、ホッパ55(14)の側面板54に振動を加える振動子52を有する構成となっている。ホッパ55とはんだボール50(13)同士の摩擦により発生した静電気により、密着しているはんだボール50を分離させるため、ホッパ55の側面板54に振動子52のシャフト53を衝突させて(例えば、毎秒1回)、スリット51(17)から一列に、はんだボール50(13)を落下する構造となっている。
【0100】
次に、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のはんだボール回収部について説明する。
【0101】
図6は、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のはんだボール回収部を示す正面図である。
【0102】
図6において、このはんだボール回収部は、はんだボール66(13)を吸引する吸引用流路60と、遠心分離室62と、回収室63と、排気パイプ64から構成されている。
【0103】
吸引用流路60の吸引力61により吸引したはんだボール66(13)を遠心分離室62の内壁を回転させながら、下部の回収室63に落下させる構造となっている。
【0104】
そして、排気パイプ64から排気65を行うことにより、はんだボール66(13)と、粉塵67とを分離して、空気などの流体と共に粉塵67を外部に排気できる構造となっている。
【0105】
次に、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のヒータ部について説明する。
【0106】
図7は、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のヒータ部を示す正面図である。
【0107】
被対象物75(10)はテーブル74(12)に保持され、被対象物75(10)の電極75aの位置とマスク73(11)のマスク貫通孔73a(11a)の位置を合わせた後に、マスク73(11)をテーブル74(12)に密着する構造となっている。
【0108】
被対象物75(10)上のフラックスは加熱硬化性を用い、マスク73(11)の上から加熱室70のヒータ71に加圧流体70aを入れて、加熱流体71aを貫通孔73aを通して被対象物75(10)の電極部75a上のフラックス75bを軟化させて、はんだボール13を密着しやすくしている。
【0109】
図8は、被対象物の一例についての説明図である。
図8において、例えば被対象物がSiウエハ80の場合、このウエハ80上に回路が構成され電極部82が設けられている。
【0110】
この電極部82は錫などのメッキが施され、この電極部82に、はんだバンプ83が形成されている。
【0111】
このはんだバンプ83は、直径が300μm以下で、バンプ間ピッチは500μm以下のフリップチップが最近使用されてきている。
【0112】
このSiウェハ80上のバンプ形成数は数万個から数十万個のため、ウェハ状態で一括ではんだボールを搭載できる技術が必要となっている。
【0113】
次に、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のはんだボール回収部について説明する。
【0114】
図9は、上記はんだボール回収部を示す図である。
このはんだボール回収部は、回収ユニット100と回収管100aとを備える。はんだマスク300上に落下した、はんだボール200(13)を回収するために、回収ユニット100が、この回収ユニット100の進行方向400に移動する構成となっている。
【0115】
落下した、はんだボール200(13)は、吸引力200dにより回収ユニット100の吸引方向200cに吸い込まれる。そして、吸引されたはんだボール200bは、回収管100aを通過し回収され、回収されたはんだボール200aとする構成となっている。
【0116】
このはんだボール回収部は、はんだボール200(13)の吸引力200dを向上するために、吸引部入口100bを凹凸形状とし、吸引部入口100bの断面積を大きくしている。
【0117】
なお、はんだマスク300(11)上のはんだボール200(13)は、回収ユニット100内の乱流200eにより吸引部後部100cに留まることなく、吸引力200dにより、全て回収される構造となっている。
【0118】
上記乱流200eを作り出すために、はんだマスク300(11)と回収ユニット100の吸引部底面は、隙間を設け、吸引部入口100bは、凹凸形状とし、吸引部角部100cはテーパ形状としている。
【0119】
次に、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のマスクについて説明する。
図10は、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のマスクの正面図である。
【0120】
図10において、マスク110(11)には貫通孔110a、ストッパ110b、ハーフエッチング部110c、吸引溝111aから111iが設けられている。
【0121】
また、このマスク110(11)においては、はんだボール落下の進行方向112の進行速度と同期して、吸引溝111aから111iの順に、吸引を順次切り替える構造となっている。
【0122】
また、マスク110(11)の貫通孔110aは、上記吸引溝111aから111iを通して、マスク110上のはんだボールを落下させる構造となっている。
【0123】
次に、本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のマスクの裏面について説明する。
図11は、上記マスクの裏面を示す図である。
図11において、マスク120には、貫通孔120a、ストッパ120b、ハーフエッチング部120c、吸引溝121aが設けられている。
【0124】
マスク120の貫通孔120aは、吸引溝121aからの吸引力により、はんだボールを貫通孔120aに落下する構造となっている。
【0125】
次に、本発明の一実施形態によるバンプ形成方法について説明する。
【0126】
図12は、本発明の一実施形態によるバンプ形成方法を示す図である。
図12において、被対象物90(10)は、テーブル92(12)に保持され、被対象物90(10)の電極90a(10a)の位置と、マスク91のマスク貫通孔の位置とを合わせた後に、マスク91をテーブル92(12)の吸引力12bにより密着する。その後、フラックス94をスキージ93を移動することにより被対象物90(10)の電極90a(10a)上にフラックス94を印刷する。
【0127】
この後、被対象物90の電極90aの位置と、マスク91aのマスク貫通孔の位置とを合わせた後に、マスク91aをテーブル92の吸引力により密着し、ヒータ95からの加熱流体95aにより電極90a上のフラックスを加熱させる。
【0128】
この後、ホッパ96(14)内に投入したはんだボール97(13)を落下させながら進行させ、マスク91aの貫通孔にはんだボール97(13)を落下させる。
【0129】
この後、はんだボール回収部98の吸引98aにより、マスク91aの貫通孔以外のはんだボール97を回収する。
【0130】
この後、被対象物90を熱風99により加熱し、被対象物90の電極90a上のはんだボール97を溶融させて、はんだバンプ97aを形成する。
【0131】
図13は、本発明の一実施形態であるはんだバンプ形成装置及びその方法によるフラックスの沸点と、はんだボール搭載成功率と、バンプ形成成功率とを示すグラフである。
【0132】
ウエハ上の電極部にフラックスを塗布し、その後、このウエハの電極部上にはんだボールを搭載した場合、フラックスの沸点が低い程、フラックスだれが発生し、はんだボールがフラックスと一緒に移動するため、はんだボールの搭載成功率は低下する。
【0133】
例えば、はんだボールの材質をSn−3.0Ag−0.5Cuを用いて、バンプを形成する場合、はんだボールの融点の+10℃の特性のフラックスを用いた場合には、バンプ形成成功率が90%以上と良好となる。
【0134】
これは、ウエハの電極部に搭載したはんだボールが溶融して電極部上にバンプ形成する前に、フラックスが沸騰し、この力ではんだボールのズレが発生するからである。
【0135】
フラックスの沸点が高い程、はんだボールのズレが発生しにくいが、フラックスの沸点が270℃以上となると、バンプ形成後の洗浄液で完全には洗浄できず、フラックス残滓が生じる。
【0136】
このため、Sn−3.0Ag−0.5Cuはんだボールの接続にはフラックス沸点がはんだボールの融点の+10℃〜+40℃が最適な範囲となる。
【0137】
以上のように、本発明の一実施形態のバンプ形成装置によれば、導電粒子(はんだボール)13を搭載する複数の電極部10aが一方の面に形成された被対象物(半導体ウエハ又は電子回路基板)10の、上記複数の電極部10aに対応する位置に、導電粒子13の径以上の径を有する複数の孔110aが形成され、上記被対象物10に形成された上記複数の電極部10aに、上記複数の孔110aがそれぞれ対向するように、配置されるマスク11と、
上記被対象物10をこの被対象物10の他方の面側から吸引するとともに、導電粒子13が、被対象物10に形成された電極部10aに搭載されるように、上記マスク11に形成された複数の孔110aを介して、導電粒子13を吸引する複数の孔12aを有するテーブル12と、
複数の導電粒子13を収容し、これら複数の導電粒子13が互いに吸着することを抑制し、導電粒子13を自重により落下させるスリット部17が形成されたホッパ14と、
導電粒子13を回収する回収ユニット15と、を備え、ホッパ14に形成されたスリット部17は、上記マスク11の上面と導電粒子13の径より大の間隔を有して対向して移動され、この移動の先行側に上記ホッパ14が配置され、後行側に回収ユニット15が配置されて、上記マスク11の上面を移動し、マスク11の孔110aに落下しなかった導電粒子13を上記回収ユニット15が回収するように構成される。
【0138】
したがって、直径がΦ300μm以下の導電性粒子のバンプ高さ、体積のばらつきを少なくするために、所定の寸法精度の球状の導電性粒子を用いてウェハ又は回路基板上の電極部にバンプを形成し得る安価なバンプ形成装置を実現することができる。
また、マスク上に残った余分な導電性粒子を確実にかつ容易に吸引回収することにより、高価な導電性粒子を再利用し、リサイクル化が可能なバンプ形成装置を実現することができる。
【0139】
また、ホッパ14のスリット部17の側壁部には、導電粒子13を吸引し、この導電粒子13が、落下しないように固定する吸引溝32が形成されているため、導電粒子13が落下すべきではないタイミングでは、導電粒子13の落下を防止することができる。
【0140】
これにより、回収すべき導電粒子の数を減少することができる。
【0141】
なお、導電性粒子13どおしの吸着を抑制する手段として、図4の方法と図5の方法とを別個に説明したが、図4の方法と図5の方法との2つを用いて、導電性粒子13どおしの吸着を抑制することもできる。
【0142】
また、テーブル12の表面材質は、鉄、ジルコニア、アルミナ又はジルコニア又はクロム、チタンのいずれかの膜を有するように構成することができる。
【0143】
また、バンプ形成装置内の湿度を40から60%に保つ湿度調整機構を有するように構成することもできる。
【0144】
【発明の効果】
本発明によれば、導電性粒子のバンプ高さ、体積のばらつきを少なくするために、所定の寸法精度の球状の導電性粒子を用いてウェハ又は回路基板上の電極部にバンプを形成し得る安価なバンプ形成方法及びその装置を実現することができる。
また、マスク上に残った余分な導電性粒子を確実にかつ容易に吸引回収することにより、高価な導電性粒子を再利用し、リサイクル化が可能なバンプ形成方法及び装置を実現することができる。
【0145】
また、ウエハまたは回路基板の電極部に一括で導電性粒子を搭載でき、導電性粒子の搭載成功率が高く設備費用も安価であるため、バンプ形成の生産性を飛躍的に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態であるバンプ形成装置の要部断面図である。
【図2】本発明の一実施形態であるバンプ形成装置のテーブルの要部断面図である。
【図3】本発明の一実施形態であるバンプ形成装置のホッパの要部断面図である。
【図4】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のはんだボール供給装置におけるはんだボールどおしの吸着を防止する手段の一例を示す図である。
【図5】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のはんだボール供給装置におけるはんだボールどおしの吸着を防止する手段の他の例を示す図である。
【図6】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のはんだボール回収部の要部断面図である。
【図7】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のヒータ部の一例についての要部断面図である。
【図8】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置の被対象物についての説明図である。
【図9】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のはんだボール回収部についての説明図である。
【図10】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のマスクの正面図である。
【図11】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のマスクの裏面についての説明図である。
【図12】本発明の一実施形態によるバンプ形成方法についての説明図である。
【図13】本発明の一実施形態であるはんだバンプ形成装置及びその方法によるフラックスの沸点と、はんだボール搭載成功率と、バンプ形成成功率とを示すグラフである。
【符号の説明】
10 被対象物
10a 電極部
11 マスク
11a マスクの貫通孔
12 テーブル
12a 吸引穴
13 はんだボール(導電粒子)
14 ホッパ
15 回収ユニット
17 スリット部
Claims (18)
- 導電性粒子を用いて半導体ウエハまたは電子回路基板上に電極部にバンプを形成するバンプ形成方法において、
バンプ形成位置に導電性粒子が通過する貫通孔を有するマスクと上記ウエハまたは回路基板とを位置合わせし、吸引孔が形成されたテーブル上に配置する工程と、
導電性粒子供給手段により、導電性粒子をマスク上の貫通孔へ落下しながら移動し、導電性粒子供給手段の移動する位置に同期して、上記テーブルに形成された孔からマスクに形成された貫通孔を介して導電性粒子を吸引し、半導体ウエハまたは電子回路基板上の電極部に導電性粒子を搭載する粒子搭載工程と、
上記マスクの貫通孔に落下しなかった導電性粒子を回収するボール回収工程と、
を備えることを特徴とするバンプ形成方法。 - 請求項1記載のバンプ形成方法において、上記導電粒子供給手段の先端部には導電性粒子の吸引溝が形成されており、この吸引溝により、導電性粒子の吸引及び非吸引を制御して、導電性粒子供給手段の導電性粒子の保持及び落下を制御することを特徴とするバンプ形成方法。
- 請求項1または2記載のバンプ形成方法において、上記供給手段内に収容された導電性粒子に、除電用流体が吹き付けられることを特徴とするバンプ形成方法。
- 請求項1、2、3のうちのいずれか一項記載のバンプ形成方法において、上記供給手段の導電粒子収容部の側面に振動子を設け、導電性粒子に振動を加えながら供給手段から導電性粒子を落下させることを特徴とするバンプ形成方法。
- 請求項1、2、3、4のうちのいずれか一項記載のバンプ形成方法において、上記半導体ウエハまたは回路基板上の電極部に予めフラックスまたははんだペーストまたは導電性接着剤を付着し、上記導電性粒子を落下した後、上記マスクの貫通孔の上から熱を供給して上記電極部と導電性粒子との固着力を増加させることを特徴とするバンプ形成方法。
- 請求項1、2、3、4、5のうちのいずれか一項記載のバンプ形成方法において、上記マスクの貫通孔に落下しなかった導電性粒子は、粒子回収手段により回収され、この粒子回収手段は、導電性粒子を吸引する吸引部を有し、この吸引部の入り口には多数のスリット溝が形成され、吸引部に乱流を発生させて導電性粒子を回収することを特徴とするバンプ形成方法。
- 請求項1、2、3、4、5、6のうちのいずれか一項記載のバンプ形成方法において、上記テーブルの表面材質は、鉄、ジルコニア、アルミナ又はジルコニア又はクロム、チタンのいずれかの膜を有することを特徴とするバンプ形成方法。
- 請求項5記載のバンプ形成方法において、フラックスまたははんだペースト、導電性接着剤の材料沸点の温度は、導電性粒子の融点より、+10°Cから+40°Cの特性を有することを特徴とするバンプ形成方法。
- 請求項1、2、3、4、5、6、7、8のうちのいずれか一項記載のバンプ形成方法において、回収した導電性粒子を遠心分離室内の遠心分離により、導電性粒子と粉塵とを分離して、導電性粒子を回収することを特徴とするバンプ形成方法。
- 導電性粒子を用いて半導体ウエハまたは電子回路基板上に電極部にバンプを形成するバンプ形成装置において、
バンプ形成位置に導電性粒子が通過する貫通孔を有するマスクと、
複数の吸引孔が形成され、上記ウエハまたは回路基板とが配置され、上記吸引孔からマスクに形成された貫通孔を介して導電性粒子を吸引するテーブルと、
複数の導電性粒子を上記マスク上の貫通孔へ落下しながら移動する導電性粒子供給手段と、
導電性粒子を回収する導電性粒子回収手段と、
を備え、
導電性粒子供給手段の移動する位置に同期して、上記テーブルに形成された孔からマスクに形成された貫通孔を介して導電性粒子を吸引し、半導体ウエハまたは電子回路基板上の電極部に導電性粒子を搭載し、上記マスクの貫通孔に落下しなかった導電性粒子を導電粒子回収手段により回収することを特徴とするバンプ形成装置。 - 請求項10記載のバンプ形成装置において、上記導電粒子供給手段の先端部には導電性粒子の吸引溝が形成されており、この吸引溝により、導電性粒子の吸引及び非吸引を制御して、導電性粒子供給手段の導電性粒子の保持及び落下を制御することを特徴とするバンプ形成装置。
- 請求項10または11記載のバンプ形成装置において、上記供給手段内に収容された導電性粒子に、除電用流体を吹き付ける除電器を備えることを特徴とするバンプ形成装置。
- 請求項10、11、12のうちのいずれか一項記載のバンプ形成装置において、上記供給手段の導電粒子収容部の側面に振動子を設け、導電性粒子に振動を加えながら供給手段から導電性粒子を落下させることを特徴とするバンプ形成装置。
- 請求項10、11、12、13のうちのいずれか一項記載のバンプ形成装置において、上記マスクの貫通孔の上から熱を供給する加熱手段を備え、この加熱手段により、半導体ウエハまたは回路基板上の電極部に予めフラックスまたははんだペーストまたは導電性接着剤を付着し、上記導電性粒子を落下した後、上記マスクの貫通孔の上から熱を供給して上記電極部と導電性粒子との固着力を増加させることを特徴とするバンプ形成装置。
- 請求項10、11、12、13、14のうちのいずれか一項記載のバンプ形成装置において、上記マスクの貫通孔に落下しなかった導電性粒子は、粒子回収手段により回収され、この粒子回収手段は、導電性粒子を吸引する吸引部を有し、この吸引部の入り口には多数のスリット溝が形成され、吸引部に乱流を発生させて導電性粒子を回収することを特徴とするバンプ形成装置。
- 請求項10、11、12、13、14、15のうちのいずれか一項記載のバンプ形成装置において、上記テーブルの表面材質は、鉄、ジルコニア、アルミナ又はジルコニア又はクロム、チタンのいずれかの膜を有することを特徴とするバンプ形成装置。
- 請求項14記載のバンプ形成装置において、フラックスまたははんだペースト、導電性接着剤の材料沸点の温度は、導電性粒子の融点より、+10°Cから+40°Cの特性を有することを特徴とするバンプ形成装置。
- 請求項10、11、12、13、14、15、16、17のうちのいずれか一項記載のバンプ形成装置において、回収した導電性粒子を遠心分離室内の遠心分離により、導電性粒子と粉塵とを分離して、導電性粒子を回収することを特徴とするバンプ形成装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000342819A JP4130526B2 (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | バンプ形成方法およびその装置 |
EP01126474A EP1211720A3 (en) | 2000-11-10 | 2001-11-09 | Bump forming method and bump forming apparatus |
US09/986,768 US6541364B2 (en) | 2000-11-10 | 2001-11-09 | Bump forming method and bump forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000342819A JP4130526B2 (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | バンプ形成方法およびその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002151539A JP2002151539A (ja) | 2002-05-24 |
JP4130526B2 true JP4130526B2 (ja) | 2008-08-06 |
Family
ID=18817297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000342819A Expired - Lifetime JP4130526B2 (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | バンプ形成方法およびその装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6541364B2 (ja) |
EP (1) | EP1211720A3 (ja) |
JP (1) | JP4130526B2 (ja) |
Families Citing this family (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2000
- 2000-11-10 JP JP2000342819A patent/JP4130526B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-11-09 EP EP01126474A patent/EP1211720A3/en not_active Withdrawn
- 2001-11-09 US US09/986,768 patent/US6541364B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1211720A2 (en) | 2002-06-05 |
JP2002151539A (ja) | 2002-05-24 |
US20020058406A1 (en) | 2002-05-16 |
EP1211720A3 (en) | 2006-07-05 |
US6541364B2 (en) | 2003-04-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060331 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20071102 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080520 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080522 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4130526 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 3 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 3 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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