JPH11274204A - 半田バンプの形成方法 - Google Patents
半田バンプの形成方法Info
- Publication number
- JPH11274204A JPH11274204A JP7892798A JP7892798A JPH11274204A JP H11274204 A JPH11274204 A JP H11274204A JP 7892798 A JP7892798 A JP 7892798A JP 7892798 A JP7892798 A JP 7892798A JP H11274204 A JPH11274204 A JP H11274204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- solder
- molten solder
- molten
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/742—Apparatus for manufacturing bump connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ダイシングされた半導体チップ上に半田バンプ
を形成するにあたり、高さと組成が高精度に制御された
半田バンプを高スループットで容易に形成することを目
的とする。 【解決手段】溶融半田槽と開口部とを備えた半田吐出装
置と、電子部品上に形成された電極パッドとを対向して
密着させ、溶融半田槽内部を真空引きして開口部内を減
圧し、さらに溶融半田槽内部の圧力を大気圧に戻して開
口部内に溶融半田を充填させ、半田吐出装置を電子部品
から引き離して開口部内の溶融半田を電子部品上の電極
パッド上に転写する。
を形成するにあたり、高さと組成が高精度に制御された
半田バンプを高スループットで容易に形成することを目
的とする。 【解決手段】溶融半田槽と開口部とを備えた半田吐出装
置と、電子部品上に形成された電極パッドとを対向して
密着させ、溶融半田槽内部を真空引きして開口部内を減
圧し、さらに溶融半田槽内部の圧力を大気圧に戻して開
口部内に溶融半田を充填させ、半田吐出装置を電子部品
から引き離して開口部内の溶融半田を電子部品上の電極
パッド上に転写する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品のパッド上
に半田バンプを形成する方法に関する。
に半田バンプを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品を回路基板上に高密度に実装
し、かつ多数の入出力電極を有する電子部品に対しても
実装外形が大型化することなしに回路基板上に実装可能
な方法として、フェースダウン実装方式が知られてい
る。フェースダウン実装方式は、電子部品と回路基板と
を向かい合わせ、バンプ電極によってこれらを接続する
方法である。フェースダウン実装方式は、予め電子部品
の接続パッド上に半田バンプを形成する必要が有る。電
子部品の接続パッド上に半田バンプを形成する方法は、
電子部品としてウェハーの状態の半導体素子に対して半
田を真空蒸着する方法や、電解メッキする方法が一般的
であった。しかしながら、半導体チップはダイシングし
てチップに分割された状態で購入されるのが通常であ
り、上記二つの方法ではチップに分割された状態ではバ
ンプを形成できないという問題がある。ダイシングされ
た半導体チップ上に半田バンプを形成する方法としては
ソルダーインジェクション法（例えば”プリント回路学
会第８回学術講演大会講演論文集pp149-150 ”）により
メタルマスクの開口部から溶融半田を吐出することによ
り半田バンプを形成する方法や、電界メッキによってダ
ミー基板上に形成したハンダバンプを、ダイシングした
半導体チップ上に転写する方法が提案されている。しか
しながらソルダーインジェクション法では、溶融半田槽
内部の圧力を外圧より高めて、溶融半田を半導体チップ
上のパッド上に、溶融半田を供給するので、半田量の制
御が困難であり、半田バンプの高さのばらつきが大きい
という問題点があった。また電解メッキにより形成した
半田バンプを、ダイシングした半導体チップ上に転写す
る方法では、メッキ膜の膜厚制御及び組成制御が困難で
あるという問題点と、３種類以上の元素からなるような
多元系の半田メッキは非常に困難であるとの問題点があ
った。
し、かつ多数の入出力電極を有する電子部品に対しても
実装外形が大型化することなしに回路基板上に実装可能
な方法として、フェースダウン実装方式が知られてい
る。フェースダウン実装方式は、電子部品と回路基板と
を向かい合わせ、バンプ電極によってこれらを接続する
方法である。フェースダウン実装方式は、予め電子部品
の接続パッド上に半田バンプを形成する必要が有る。電
子部品の接続パッド上に半田バンプを形成する方法は、
電子部品としてウェハーの状態の半導体素子に対して半
田を真空蒸着する方法や、電解メッキする方法が一般的
であった。しかしながら、半導体チップはダイシングし
てチップに分割された状態で購入されるのが通常であ
り、上記二つの方法ではチップに分割された状態ではバ
ンプを形成できないという問題がある。ダイシングされ
た半導体チップ上に半田バンプを形成する方法としては
ソルダーインジェクション法（例えば”プリント回路学
会第８回学術講演大会講演論文集pp149-150 ”）により
メタルマスクの開口部から溶融半田を吐出することによ
り半田バンプを形成する方法や、電界メッキによってダ
ミー基板上に形成したハンダバンプを、ダイシングした
半導体チップ上に転写する方法が提案されている。しか
しながらソルダーインジェクション法では、溶融半田槽
内部の圧力を外圧より高めて、溶融半田を半導体チップ
上のパッド上に、溶融半田を供給するので、半田量の制
御が困難であり、半田バンプの高さのばらつきが大きい
という問題点があった。また電解メッキにより形成した
半田バンプを、ダイシングした半導体チップ上に転写す
る方法では、メッキ膜の膜厚制御及び組成制御が困難で
あるという問題点と、３種類以上の元素からなるような
多元系の半田メッキは非常に困難であるとの問題点があ
った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記したソルダーイン
ジェクション法により半田バンプを形成する方法は半田
バンプの高さばらつきが大きいという問題点があった。
また上記した電解メッキにより形成した半田バンプを転
写する方法はバンプの高さ制御及び組成制御が困難であ
るという問題点と、多元系の半田メッキが不可能である
という問題点があった。本発明は上記問題点を解決し、
ダイシングした半導体チップ上に高スループットで、高
さと組成の精度が高いバンプを容易に形成する方法を提
供することを目的とする。
ジェクション法により半田バンプを形成する方法は半田
バンプの高さばらつきが大きいという問題点があった。
また上記した電解メッキにより形成した半田バンプを転
写する方法はバンプの高さ制御及び組成制御が困難であ
るという問題点と、多元系の半田メッキが不可能である
という問題点があった。本発明は上記問題点を解決し、
ダイシングした半導体チップ上に高スループットで、高
さと組成の精度が高いバンプを容易に形成する方法を提
供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、第１の開口部と、この第１の開口部と導通
し、前記第１の開口部の径よりも大きい径を有する第２
の開口部とを底部に備えた溶融半田槽中に溶融半田を入
れる工程と、前記第２の開口部を、電子部品上に形成さ
れた電極パッド上に対向させ位置合わせする工程と、前
記溶融半田槽と前記電子部品を密着させる工程と、 前記
溶融半田槽と前記電子部品を密着させた後、前記溶融半
田槽内部を減圧し、前記第２の開口部にある大気を前記
第１の開口部を通して減圧する工程と、前記第２の開口
部内部を減圧した後、前記溶融半田槽内部の圧力を大気
圧に戻して前記第２の開口部内に溶融半田を充填させる
工程と、前記電子部品から前記溶融半田槽を引き離すこ
とにより、前記第２の開口部内の溶融半田を前記電子部
品上の前記電極パッド上に転写する工程とを具備するこ
とを特徴とする半田バンプの形成方法を提供する。
に本発明は、第１の開口部と、この第１の開口部と導通
し、前記第１の開口部の径よりも大きい径を有する第２
の開口部とを底部に備えた溶融半田槽中に溶融半田を入
れる工程と、前記第２の開口部を、電子部品上に形成さ
れた電極パッド上に対向させ位置合わせする工程と、前
記溶融半田槽と前記電子部品を密着させる工程と、 前記
溶融半田槽と前記電子部品を密着させた後、前記溶融半
田槽内部を減圧し、前記第２の開口部にある大気を前記
第１の開口部を通して減圧する工程と、前記第２の開口
部内部を減圧した後、前記溶融半田槽内部の圧力を大気
圧に戻して前記第２の開口部内に溶融半田を充填させる
工程と、前記電子部品から前記溶融半田槽を引き離すこ
とにより、前記第２の開口部内の溶融半田を前記電子部
品上の前記電極パッド上に転写する工程とを具備するこ
とを特徴とする半田バンプの形成方法を提供する。
【０００５】また本発明は、前記第２の開口部内に溶融
半田を充填した後、前記溶融半田槽内部を再び減圧し、
前記溶融半田槽を前記電子部品から引き離すことを特徴
とする半田バンプの形成方法を提供する。
半田を充填した後、前記溶融半田槽内部を再び減圧し、
前記溶融半田槽を前記電子部品から引き離すことを特徴
とする半田バンプの形成方法を提供する。
【０００６】また本発明は、前記第１の開口部の径が前
記第２の開口部の径の１／２以下であり、 前記第２の開
口部の厚さが前記第２の開口部の径の２／３以下である
ことを特徴とする半田バンプの形成方法を提供する。本
発明は、溶融半田槽と開口部とを備えた半田吐出装置
と、電子部品上に形成された電極パッドとを対向して密
着させ、溶融半田槽内部を真空引きして開口部内を減圧
し、さらに溶融半田槽内部の圧力を大気圧に戻して開口
部内に溶融半田を充填させ、半田吐出装置を電子部品か
ら引き離して開口部内の溶融半田を電子部品上の電極パ
ッド上に転写することにより、バンプ体積は開口部の体
積に等しくなるように制御され、高さ精度の高い半田バ
ンプを形成することが可能となる。さらに本発明は、開
口部内に充填する溶融半田の組成を制御することによ
り、組成精度の高い半田バンプを形成することが可能と
なる。
記第２の開口部の径の１／２以下であり、 前記第２の開
口部の厚さが前記第２の開口部の径の２／３以下である
ことを特徴とする半田バンプの形成方法を提供する。本
発明は、溶融半田槽と開口部とを備えた半田吐出装置
と、電子部品上に形成された電極パッドとを対向して密
着させ、溶融半田槽内部を真空引きして開口部内を減圧
し、さらに溶融半田槽内部の圧力を大気圧に戻して開口
部内に溶融半田を充填させ、半田吐出装置を電子部品か
ら引き離して開口部内の溶融半田を電子部品上の電極パ
ッド上に転写することにより、バンプ体積は開口部の体
積に等しくなるように制御され、高さ精度の高い半田バ
ンプを形成することが可能となる。さらに本発明は、開
口部内に充填する溶融半田の組成を制御することによ
り、組成精度の高い半田バンプを形成することが可能と
なる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて詳細に説明する。先ず本発明に用いる溶融半田吐出
装置の構成について説明する。図１は本発明に用いる溶
融半田吐出装置の断面図である。図１に示すように、半
田吐出装置１１の底部には開口径の小さい第１の開口部
１３とこれと導通して形成された開口径が第１の開口部
１３よりも大きい第２の開口部１２が形成されている。
この半田吐出装置１１内には溶融半田２３が入れられて
おり、側壁部に内蔵された加熱ヒータ１８で一定温度に
保温されている。溶融半田２３は半田インゴットを半田
槽に入れてから、加熱して溶融させてもいい。具体的に
は本実施例では、この半田吐出装置１１は、半田に濡れ
ない例えばステンレス製とした。半田吐出装置１１の第
１の開口部１３と第２の開口部１２は導通しており、溶
融半田槽から底部表面に貫通している。第１の開口部１
３の径を60μｍ、長さを300 μｍとし、第２の開口部１
２の径を140 μｍ、長さを９０μｍとした。溶融半田２
３は、錫／鉛（60%/40% 重量比）を用いた。溶融半田２
３は、半田吐出装置１１の側壁に内蔵された加熱ヒータ
１８により溶融半田槽内の温度を230 ℃から250 ℃に加
熱している。また半田吐出装置１１の底面には厚さ15μ
ｍのシリコーンゴムの被覆層１６が形成し、半導体チッ
プ２１との密着性を高めた。また溶融半田槽の内部１５
を窒素で満し、その圧力は大気圧に保つようにした。こ
こでこの状態でこの半田吐出装置１１が半田に濡れない
材料であるステンレスにより形成されていることから、
溶融半田２３は表面張力により凝集するため、第１の開
口部１３から外部に流出しない点について説明する。半
田吐出装置１１が半田に濡れない材料で形成されている
ので、溶融半田２３の第１の開口部１３入口での半田の
凝集力は次式で表される。 Ｆ＝２πｒＮ／πｒ2＝２Ｎ／ｒ Ｆ: 凝集力、ｒ: 第１の開口部半径、Ｎ: 半田表面張力 第１の開口部１３から溶融半田２３が流出する条件は、
溶融半田槽の内部１５の圧力から外部の圧力を引いた圧
力Ｐと半田の自重を合わせた力が、第１の開口部１３入
り口での半田の凝集力より大きい場合である。本実施例
の半田吐出装置１１では、溶融半田２３が第１の開口部
１３より外部に出る条件は、圧力Ｐが０気圧の場合は、
溶融半田２３の深さが33cm以上の場合である。また溶融
半田の重量を無視して溶融半田の深さを０ｃｍと仮定し
た場合は、圧力Ｐが0.27気圧の場合に溶融半田２３が第
１の開口部１３より外部に流出する。本実施例では溶融
半田槽内部１５の圧力を大気圧程度とし、溶融半田２３
の深さは数mmから数十mmとしているので、溶融半田が開
口部から外部に流出することはない。但しこの状態で溶
融半田槽内部１５を大気圧より多少減圧することで、よ
り流れ出ないようにすることもできる。本実施例に用い
る電子部品２１は外形寸法が5.0mm ×5.2mm ×0.30mmの
シリコン半導体素子２１とした。この半導体チップ２１
の表面にはチタン（80nm）とニッケル（500nm ）と金
（60nm）が順次積層され、直径が100 μｍの円形の電極
パッド２２が250 μｍピッチで形成されている。次に、
半導体チップ２１上に半田バンプを形成する方法につい
て工程を追って説明する。先ず、図１に示すように、半
田吐出装置１１の第２の開口部１２とダイシングされた
半導体チップ２１上に形成された電極パッド２２とを対
向させ位置合わせする。
いて詳細に説明する。先ず本発明に用いる溶融半田吐出
装置の構成について説明する。図１は本発明に用いる溶
融半田吐出装置の断面図である。図１に示すように、半
田吐出装置１１の底部には開口径の小さい第１の開口部
１３とこれと導通して形成された開口径が第１の開口部
１３よりも大きい第２の開口部１２が形成されている。
この半田吐出装置１１内には溶融半田２３が入れられて
おり、側壁部に内蔵された加熱ヒータ１８で一定温度に
保温されている。溶融半田２３は半田インゴットを半田
槽に入れてから、加熱して溶融させてもいい。具体的に
は本実施例では、この半田吐出装置１１は、半田に濡れ
ない例えばステンレス製とした。半田吐出装置１１の第
１の開口部１３と第２の開口部１２は導通しており、溶
融半田槽から底部表面に貫通している。第１の開口部１
３の径を60μｍ、長さを300 μｍとし、第２の開口部１
２の径を140 μｍ、長さを９０μｍとした。溶融半田２
３は、錫／鉛（60%/40% 重量比）を用いた。溶融半田２
３は、半田吐出装置１１の側壁に内蔵された加熱ヒータ
１８により溶融半田槽内の温度を230 ℃から250 ℃に加
熱している。また半田吐出装置１１の底面には厚さ15μ
ｍのシリコーンゴムの被覆層１６が形成し、半導体チッ
プ２１との密着性を高めた。また溶融半田槽の内部１５
を窒素で満し、その圧力は大気圧に保つようにした。こ
こでこの状態でこの半田吐出装置１１が半田に濡れない
材料であるステンレスにより形成されていることから、
溶融半田２３は表面張力により凝集するため、第１の開
口部１３から外部に流出しない点について説明する。半
田吐出装置１１が半田に濡れない材料で形成されている
ので、溶融半田２３の第１の開口部１３入口での半田の
凝集力は次式で表される。 Ｆ＝２πｒＮ／πｒ2＝２Ｎ／ｒ Ｆ: 凝集力、ｒ: 第１の開口部半径、Ｎ: 半田表面張力 第１の開口部１３から溶融半田２３が流出する条件は、
溶融半田槽の内部１５の圧力から外部の圧力を引いた圧
力Ｐと半田の自重を合わせた力が、第１の開口部１３入
り口での半田の凝集力より大きい場合である。本実施例
の半田吐出装置１１では、溶融半田２３が第１の開口部
１３より外部に出る条件は、圧力Ｐが０気圧の場合は、
溶融半田２３の深さが33cm以上の場合である。また溶融
半田の重量を無視して溶融半田の深さを０ｃｍと仮定し
た場合は、圧力Ｐが0.27気圧の場合に溶融半田２３が第
１の開口部１３より外部に流出する。本実施例では溶融
半田槽内部１５の圧力を大気圧程度とし、溶融半田２３
の深さは数mmから数十mmとしているので、溶融半田が開
口部から外部に流出することはない。但しこの状態で溶
融半田槽内部１５を大気圧より多少減圧することで、よ
り流れ出ないようにすることもできる。本実施例に用い
る電子部品２１は外形寸法が5.0mm ×5.2mm ×0.30mmの
シリコン半導体素子２１とした。この半導体チップ２１
の表面にはチタン（80nm）とニッケル（500nm ）と金
（60nm）が順次積層され、直径が100 μｍの円形の電極
パッド２２が250 μｍピッチで形成されている。次に、
半導体チップ２１上に半田バンプを形成する方法につい
て工程を追って説明する。先ず、図１に示すように、半
田吐出装置１１の第２の開口部１２とダイシングされた
半導体チップ２１上に形成された電極パッド２２とを対
向させ位置合わせする。
【０００８】次に、図２に示すように、半田吐出装置１
１と半導体チップ２１を密着させる。半田吐出装置２１
の底部に設けられた被覆層１６が容易に弾性変形するた
め、半田吐出装置２１と半導体チップ２１は隙間なく完
全に密着する。このとき第２の開口部１２の内部の圧力
は大気圧となっている。次に、図３に示すように、溶融
半田槽内部１５を真空引きして、第２の開口部１２内部
に有る大気を減圧する。このときの溶融半田槽内部１５
の圧力は2Pa から200Pa となるように制御する。こうす
ることで溶融半田槽内部１５の圧力低下に伴い、第２の
開口部１２の内部に存在していた空気は膨張して溶融半
田槽内部１５に排気され、第２の開口部１２の内部の圧
力も溶融半田槽内部１５の圧力とほぼ同等となる。次
に、図４に示すように、溶融半田槽内部１５の圧力を大
気圧に戻して開口部内に溶融半田を充填させる。本工程
により、溶融半田槽内部１５の圧力を大気圧に戻す過程
で第１の開口部１３の両端に約１気圧の圧力差（第１の
開口部１３の入り口の溶融半田の凝集力より大きい）が
加わり、溶融半田１５が第２の開口部１２内に流入す
る。このとき第２の開口部内が真空引きされているた
め、第２の開口部１２内は溶融半田で完全に充填され
る。従って正確な半田量を電極パッド２２上に供給する
ことが可能となる。また半導体チップ２１上の電極パッ
ド２２の表面は金で被覆されており、また溶融半田が開
口部内に流入する際に半田表面酸化膜が破れて半田の真
性面が露出しているため、半田付け用フラックスを用い
ることなく、電極パッド２２表面は溶融半田と完全に濡
れる。次に、図５に示すように、半田吐出装置１１を半
導体チップ２１から引き離すことにより、第２の開口部
１２内の溶融半田２４を半導体チップ２１上の電極パッ
ド２２上に転写する。溶融半田２４は電極パッド２２表
面と完全に濡れ、また半田吐出装置１１は半田に濡れな
いステンレス製なので、溶融半田２４は第1 の開口部１
３と第2 の開口部１２の境界部で分離し、電極パッド２
２上には溶融半田２４が転写され、半田バンプ２４が形
成される。なお、溶融半田２４を第１の開口部１３と第
２の開口部１２の境界部で完全に分離させるため、第１
の開口部１３の径を第２の開口部１２の径の１／２以下
にすれば良いことが実験的に解っている。また、第２の
開口部１２の長さが第２の開口部１２の径の２／３以下
であるため、表面張力で丸くなった半田バンプ２４の直
径は第２の開口部１２の径より小さいくなり、第２の開
口部１２内に溶融半田が残ることはない。以上に述べた
ように、本発明により形成された半田バンプ２４はバン
プ体積が半田吐出装置１１の第２の開口部１２の体積に
完全に一致するため、凹部の寸法精度を高めることによ
り半田体積を高精度に制御することが可能となる。ま
た、本発明では、溶融半田２３の半田組成を制御するこ
とにより半田バンプの組成を容易に制御することが可能
である。従って、本発明によりダイシングされた半導体
チップ２１上に高さ精度および組成精度の高い半田バン
プ２４を高スループットで容易に形成することが可能と
なる。
１と半導体チップ２１を密着させる。半田吐出装置２１
の底部に設けられた被覆層１６が容易に弾性変形するた
め、半田吐出装置２１と半導体チップ２１は隙間なく完
全に密着する。このとき第２の開口部１２の内部の圧力
は大気圧となっている。次に、図３に示すように、溶融
半田槽内部１５を真空引きして、第２の開口部１２内部
に有る大気を減圧する。このときの溶融半田槽内部１５
の圧力は2Pa から200Pa となるように制御する。こうす
ることで溶融半田槽内部１５の圧力低下に伴い、第２の
開口部１２の内部に存在していた空気は膨張して溶融半
田槽内部１５に排気され、第２の開口部１２の内部の圧
力も溶融半田槽内部１５の圧力とほぼ同等となる。次
に、図４に示すように、溶融半田槽内部１５の圧力を大
気圧に戻して開口部内に溶融半田を充填させる。本工程
により、溶融半田槽内部１５の圧力を大気圧に戻す過程
で第１の開口部１３の両端に約１気圧の圧力差（第１の
開口部１３の入り口の溶融半田の凝集力より大きい）が
加わり、溶融半田１５が第２の開口部１２内に流入す
る。このとき第２の開口部内が真空引きされているた
め、第２の開口部１２内は溶融半田で完全に充填され
る。従って正確な半田量を電極パッド２２上に供給する
ことが可能となる。また半導体チップ２１上の電極パッ
ド２２の表面は金で被覆されており、また溶融半田が開
口部内に流入する際に半田表面酸化膜が破れて半田の真
性面が露出しているため、半田付け用フラックスを用い
ることなく、電極パッド２２表面は溶融半田と完全に濡
れる。次に、図５に示すように、半田吐出装置１１を半
導体チップ２１から引き離すことにより、第２の開口部
１２内の溶融半田２４を半導体チップ２１上の電極パッ
ド２２上に転写する。溶融半田２４は電極パッド２２表
面と完全に濡れ、また半田吐出装置１１は半田に濡れな
いステンレス製なので、溶融半田２４は第1 の開口部１
３と第2 の開口部１２の境界部で分離し、電極パッド２
２上には溶融半田２４が転写され、半田バンプ２４が形
成される。なお、溶融半田２４を第１の開口部１３と第
２の開口部１２の境界部で完全に分離させるため、第１
の開口部１３の径を第２の開口部１２の径の１／２以下
にすれば良いことが実験的に解っている。また、第２の
開口部１２の長さが第２の開口部１２の径の２／３以下
であるため、表面張力で丸くなった半田バンプ２４の直
径は第２の開口部１２の径より小さいくなり、第２の開
口部１２内に溶融半田が残ることはない。以上に述べた
ように、本発明により形成された半田バンプ２４はバン
プ体積が半田吐出装置１１の第２の開口部１２の体積に
完全に一致するため、凹部の寸法精度を高めることによ
り半田体積を高精度に制御することが可能となる。ま
た、本発明では、溶融半田２３の半田組成を制御するこ
とにより半田バンプの組成を容易に制御することが可能
である。従って、本発明によりダイシングされた半導体
チップ２１上に高さ精度および組成精度の高い半田バン
プ２４を高スループットで容易に形成することが可能と
なる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半田バン
プ形成方法によれば、ダイシングされた半導体チップ上
に高さ及び組成が均一な半田バンプを高スループットで
容易に形成することが可能となり、低コストで高性能な
半導体装置を実現できる。
プ形成方法によれば、ダイシングされた半導体チップ上
に高さ及び組成が均一な半田バンプを高スループットで
容易に形成することが可能となり、低コストで高性能な
半導体装置を実現できる。
【図１】 本発明の半田バンプの形成方法を示す図
【図２】 本発明の半田バンプの形成方法を示す図
【図３】 本発明の半田バンプの形成方法を示す図
【図４】 本発明の半田バンプの形成方法を示す図
【図５】 本発明の半田バンプの形成方法を示す図
１１ 半田吐出装置 １２ 第２の開口部 １３ 第１の開口部 １５ 溶融半田槽内部 １６ 被覆層 １８ 加熱ヒータ ２１ 電子部品 ２２ 電極パッド ２３ 溶融半田 ２４ 半田バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮城 武史 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 森 三樹 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】第１の開口部と、この第１の開口部と導通
し、前記第１の開口部の径よりも大きい径を有する第２
の開口部とを底部に備えた溶融半田槽中に溶融半田を入
れる工程と、前記第２の開口部を、電子部品上に形成さ
れた電極パッド上に対向させ位置合わせする工程と、前
記溶融半田槽と前記電子部品を密着させる工程と、前記
溶融半田槽と前記電子部品を密着させた後、前記溶融半
田槽内部を減圧し、前記第２の開口部にある大気を前記
第１の開口部を通して減圧する工程と、前記第２の開口
部内部を減圧した後、前記溶融半田槽内部の圧力を大気
圧に戻して前記第２の開口部内に溶融半田を充填させる
工程と、前記電子部品から前記溶融半田槽を引き離すこ
とにより、前記第２の開口部内の溶融半田を前記電子部
品上の前記電極パッド上に転写する工程とを具備するこ
とを特徴とする半田バンプの形成方法。 - 【請求項２】前記第２の開口部内に溶融半田を充填した
後、前記溶融半田槽内部を再び減圧し、前記溶融半田槽
を前記電子部品から引き離すことを特徴とする請求項１
記載の半田バンプの形成方法。 - 【請求項３】前記第１の開口部の径が前記第２の開口部
の径の１／２以下であり、 前記第２の開口部の厚さが前
記第２の開口部の径の２／３以下であることを特徴とす
る請求項１あるいは請求項２に記載の半田バンプの形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7892798A JPH11274204A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半田バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7892798A JPH11274204A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半田バンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274204A true JPH11274204A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13675514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7892798A Pending JPH11274204A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半田バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274204A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2838913A1 (fr) * | 2002-04-19 | 2003-10-24 | Applied Utech | Procede de realisation de plots de contact electrique sur un substrat et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procede |
| US6854671B2 (en) | 2002-05-01 | 2005-02-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Nozzle for ejecting molten metal |
| CN103962677A (zh) * | 2014-05-15 | 2014-08-06 | 苏州云远网络技术有限公司 | 一种电路板一次焊接装置 |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP7892798A patent/JPH11274204A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2838913A1 (fr) * | 2002-04-19 | 2003-10-24 | Applied Utech | Procede de realisation de plots de contact electrique sur un substrat et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procede |
| WO2003090276A2 (fr) * | 2002-04-19 | 2003-10-30 | Applied Microtech | Procede de realisation de plots de contact electrique sur un substrat et dispositf pour la mise en oeuvre de ce procede |
| WO2003090276A3 (fr) * | 2002-04-19 | 2004-04-01 | Applied Utech | Procede de realisation de plots de contact electrique sur un substrat et dispositf pour la mise en oeuvre de ce procede |
| US6854671B2 (en) | 2002-05-01 | 2005-02-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Nozzle for ejecting molten metal |
| CN103962677A (zh) * | 2014-05-15 | 2014-08-06 | 苏州云远网络技术有限公司 | 一种电路板一次焊接装置 |
| CN103962677B (zh) * | 2014-05-15 | 2016-01-13 | 苏州云远网络技术有限公司 | 一种电路板一次焊接装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4130526B2 (ja) | バンプ形成方法およびその装置 | |
| US6528344B2 (en) | Chip scale surface-mountable packaging method for electronic and MEMS devices | |
| JPH09102499A (ja) | 基板上にバンプを形成する方法 | |
| JPH0982718A (ja) | 微細金属バンプの製造方法および製造装置 | |
| JP3635068B2 (ja) | バンプ形成装置 | |
| US20060231927A1 (en) | Semiconductor chip mounting body and manufacturing method thereof | |
| JPH11274204A (ja) | 半田バンプの形成方法 | |
| JPH11297735A (ja) | バンプの製造方法及び半導体装置 | |
| JPH03138942A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置 | |
| JP2811741B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01166542A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR102655387B1 (ko) | 웨이퍼 레벨 반도체 칩 패키징 방법 및 그를 이용한 웨이퍼 레벨 반도체 칩 패키징 구조체 | |
| JP2000195890A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100790447B1 (ko) | 플립 칩 본딩 패키지의 범프 형성방법 | |
| JP2001036231A (ja) | はんだ除去装置 | |
| US7223682B2 (en) | Method of making a semiconductor device using bump material including a liquid | |
| JPH04137541A (ja) | 突起電極の形成方法 | |
| JP2022050231A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08203909A (ja) | 半導体素子のバンプ形成方法 | |
| JPH11284005A (ja) | バンプアレイの形成方法および接続方法 | |
| KR20040010923A (ko) | Ｍｅｍｓ 소자의 칩규모 패키지 및 이의 제조방법 | |
| JP2003152134A (ja) | チップ状電子部品の製造方法、及びその製造に用いる疑似ウェーハの製造方法 | |
| JPH05343595A (ja) | マルチチップパッケージ用リードフレームの製造方法 | |
| JPH0846042A (ja) | バイアホールの形成方法 | |
| JP2695804B2 (ja) | バンプを有する基板素子の製造方法 |