JP2001267731A - バンプ付き電子部品の製造方法および電子部品の製造方法 - Google Patents
バンプ付き電子部品の製造方法および電子部品の製造方法Info
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- Combinations Of Printed Boards (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】はんだバンプを形成する電極パッドに施すＡｕ
めっきを省き、かつはんだボールを電極パッド上に確実
に一定の体積分供給し、一定の高さのはんだバンプを形
成する。 【解決手段】Ａｕめっきに代えて粘着膜を形成し、これ
を酸化防止膜兼はんだボール仮固定膜と、はんだボール
の供給にはステンシル若しくは真空吸着マスクとを用
い、一定体積のはんだボールを過不足なく供給する。
めっきを省き、かつはんだボールを電極パッド上に確実
に一定の体積分供給し、一定の高さのはんだバンプを形
成する。 【解決手段】Ａｕめっきに代えて粘着膜を形成し、これ
を酸化防止膜兼はんだボール仮固定膜と、はんだボール
の供給にはステンシル若しくは真空吸着マスクとを用
い、一定体積のはんだボールを過不足なく供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、実装基板、半導体
パッケージ、半導体ウェハ、半導体チップなどの電子部
品において電気的な接続のための導電性バンプを形成し
たバンプ付き電子部品の製造方法およびバンプ付き電子
部品を他の基板等の電子部品に接合する電子部品の製造
方法に関するものである。
パッケージ、半導体ウェハ、半導体チップなどの電子部
品において電気的な接続のための導電性バンプを形成し
たバンプ付き電子部品の製造方法およびバンプ付き電子
部品を他の基板等の電子部品に接合する電子部品の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子回路の高密度化、信号伝達の
高速化に対応してプリント基板と半導体パッケージとの
接続などにはんだバンプを用いた接続方式が採用される
ようになってきた。
高速化に対応してプリント基板と半導体パッケージとの
接続などにはんだバンプを用いた接続方式が採用される
ようになってきた。
【０００３】この従来技術としては、特開平１０−１９
９５０６号公報（従来技術１）が知られている。即ち、
従来技術１は、ウェハのパッド電極上にニッケル膜を形
成し、さらに粘着膜を選択的に形成し、しかる後、はん
だ粒子を過剰に供給し、その一部を上記粘着剤でニッケ
ル膜上に粘着せしめ、その後、ブラシ除去等で過剰なは
んだ粒子をふるい落とし、フラックスを供給して加熱す
ることではんだバンプを形成するものである。
９５０６号公報（従来技術１）が知られている。即ち、
従来技術１は、ウェハのパッド電極上にニッケル膜を形
成し、さらに粘着膜を選択的に形成し、しかる後、はん
だ粒子を過剰に供給し、その一部を上記粘着剤でニッケ
ル膜上に粘着せしめ、その後、ブラシ除去等で過剰なは
んだ粒子をふるい落とし、フラックスを供給して加熱す
ることではんだバンプを形成するものである。
【０００４】また、上記従来技術としては、特開平６−
１５２１２０号公報（従来技術2）が知られている。即
ち、従来技術２は、粘着膜を形成してこれにはんだ粉を
振りかけリフローすることにより迎えはんだのような薄
いはんだ層を形成するものである。
１５２１２０号公報（従来技術2）が知られている。即
ち、従来技術２は、粘着膜を形成してこれにはんだ粉を
振りかけリフローすることにより迎えはんだのような薄
いはんだ層を形成するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示した上記従来技術１の方法では、パッド電極径がはん
だボール径よりも小さい場合は、はんだボールの隙間に
パッドが位置してしまい、必要なはんだボールがパッド
上に粘着されないまま除去されてしまい、接続漏れが生
じる恐れがある。これとは反対に、パッド電極径がはん
だボール径と同等若しくはパッド電極径の方がやや大き
い場合は、パッド電極上に複数のはんだボールを粘着し
てしまい、本来同等の大きさであるべきはんだバンプ
に、体積で２倍若しくは３倍の大きなバンプが混在し、
基板実装時の接続信頼性を損なうおそれがある。また、
余剰はんだ粒子の除去は、例えばブラシを用いた場合な
ど、仮接着しているはんだバンプに形成されるべきはん
だボールをも除去してしまい、接続漏れが生じるおそれ
がある。
示した上記従来技術１の方法では、パッド電極径がはん
だボール径よりも小さい場合は、はんだボールの隙間に
パッドが位置してしまい、必要なはんだボールがパッド
上に粘着されないまま除去されてしまい、接続漏れが生
じる恐れがある。これとは反対に、パッド電極径がはん
だボール径と同等若しくはパッド電極径の方がやや大き
い場合は、パッド電極上に複数のはんだボールを粘着し
てしまい、本来同等の大きさであるべきはんだバンプ
に、体積で２倍若しくは３倍の大きなバンプが混在し、
基板実装時の接続信頼性を損なうおそれがある。また、
余剰はんだ粒子の除去は、例えばブラシを用いた場合な
ど、仮接着しているはんだバンプに形成されるべきはん
だボールをも除去してしまい、接続漏れが生じるおそれ
がある。
【０００６】他方、従来技術２の方法では、パッド径に
比較して十分微細なはんだ紛を振りかけてリフローする
ことで、極端に体積の異なるはんだバンプが形成される
ことはないが、反面、はんだ紛の付着量がパッド表面積
にはんだ紛の高さを掛けた体積以下に限定されるため、
はんだバンプとして十分な体積を確保するためには複数
回の工程を実施する必要があり現実的ではない。
比較して十分微細なはんだ紛を振りかけてリフローする
ことで、極端に体積の異なるはんだバンプが形成される
ことはないが、反面、はんだ紛の付着量がパッド表面積
にはんだ紛の高さを掛けた体積以下に限定されるため、
はんだバンプとして十分な体積を確保するためには複数
回の工程を実施する必要があり現実的ではない。
【０００７】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
パッド面積に依存することなく、所望のはんだバンプ体
積のはんだボールを１個確実に粘着剤に供給すること
で、はんだバンプの体積ばらつきを防止しつつ、一度の
工程で体積の大きなはんだバンプでも形成できるように
したバンプ付き電子部品の製造方法および他の基板等の
電子部品に接合させる電子部品の製造方法を提供するこ
とにある。
パッド面積に依存することなく、所望のはんだバンプ体
積のはんだボールを１個確実に粘着剤に供給すること
で、はんだバンプの体積ばらつきを防止しつつ、一度の
工程で体積の大きなはんだバンプでも形成できるように
したバンプ付き電子部品の製造方法および他の基板等の
電子部品に接合させる電子部品の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体装置の電極パッド上または配線に
Ｎｉなどメタライズを施した電極パッドの上に選択的に
粘着膜を形成し、この粘着膜に所定量のはんだプリフォ
ームをステンシルマスクまたは吸着マスクを介して供給
し、粘着膜に付着させ、必要に応じてフラックスを塗布
してリフローすることにより電極パッド上に所定体積量
のはんだバンプを形成することを特徴とする。
に、本発明は、半導体装置の電極パッド上または配線に
Ｎｉなどメタライズを施した電極パッドの上に選択的に
粘着膜を形成し、この粘着膜に所定量のはんだプリフォ
ームをステンシルマスクまたは吸着マスクを介して供給
し、粘着膜に付着させ、必要に応じてフラックスを塗布
してリフローすることにより電極パッド上に所定体積量
のはんだバンプを形成することを特徴とする。
【０００９】即ち、本発明は、電子部品上の複数の電極
部分の各々に選択的に粘着膜を形成する粘着膜形成工程
と、該粘着膜形成工程で形成された粘着膜の各々の上に
接合材を整列させて供給する接合材整列供給工程と、該
接合材整列供給工程で供給した接合材を溶融して電極部
分と接合する接合工程とを有することを特徴とするバン
プ付き電子部品の製造方法である。
部分の各々に選択的に粘着膜を形成する粘着膜形成工程
と、該粘着膜形成工程で形成された粘着膜の各々の上に
接合材を整列させて供給する接合材整列供給工程と、該
接合材整列供給工程で供給した接合材を溶融して電極部
分と接合する接合工程とを有することを特徴とするバン
プ付き電子部品の製造方法である。
【００１０】また、本発明は、前記粘着膜形成工程にお
いて、形成する粘着膜の厚みを５μｍ以上とすることを
特徴とする。
いて、形成する粘着膜の厚みを５μｍ以上とすることを
特徴とする。
【００１１】また、本発明は、前記粘着膜形成工程にお
いて、形成された粘着膜に対して粘着性を有するように
再生する処理を行う工程を有することを特徴とする。
いて、形成された粘着膜に対して粘着性を有するように
再生する処理を行う工程を有することを特徴とする。
【００１２】また、本発明は、電子部品上の複数の電極
部分の各々に選択的に形成された粘着膜の各々の上に接
合材を整列させて供給する接合材整列供給工程と、該接
合材整列供給工程で供給した接合材を溶融して電極部分
と接合する接合工程とを有することを特徴とするバンプ
付き電子部品の製造方法である。
部分の各々に選択的に形成された粘着膜の各々の上に接
合材を整列させて供給する接合材整列供給工程と、該接
合材整列供給工程で供給した接合材を溶融して電極部分
と接合する接合工程とを有することを特徴とするバンプ
付き電子部品の製造方法である。
【００１３】また、第１の電子部品の複数の電極部分の
各々に選択的に粘着膜を形成する粘着膜形成工程と、該
粘着膜形成工程で形成された各粘着膜上に接合材を整列
させて供給する接合材整列供給工程と、前記接合材整列
供給工程で供給された接合材を有する第１の電子部品の
各電極部分と第２の電子部品の各電極部分とを相対的に
位置合わせして前記接合材を挟んで合体する合体工程
と、該合体工程で合体された第１の電子部品の電極と第
２の電子部品の電極とを前記接合材を溶融して接合する
ことにより第１の電子部品と第２の電子部品との電気回
路を接続する接合工程とを有することを特徴とする電子
回路の製造方法である。
各々に選択的に粘着膜を形成する粘着膜形成工程と、該
粘着膜形成工程で形成された各粘着膜上に接合材を整列
させて供給する接合材整列供給工程と、前記接合材整列
供給工程で供給された接合材を有する第１の電子部品の
各電極部分と第２の電子部品の各電極部分とを相対的に
位置合わせして前記接合材を挟んで合体する合体工程
と、該合体工程で合体された第１の電子部品の電極と第
２の電子部品の電極とを前記接合材を溶融して接合する
ことにより第１の電子部品と第２の電子部品との電気回
路を接続する接合工程とを有することを特徴とする電子
回路の製造方法である。
【００１４】また、本発明は、第１の電子部品の複数の
電極部分の各々に選択的に粘着膜を形成する第１の粘着
膜形成工程と、第２の電子部品の複数の電極部分の各々
に選択的に粘着膜を形成する第２の粘着膜形成工程と、
前記第１の粘着膜形成工程で形成された粘着膜の各々の
上に接合材を整列させて供給する接合材整列供給工程
と、該接合材整列供給工程で供給された接合材を有する
第１の電子部品の各電極部分と前記第２の電子部品の各
電極部分とを相対的に位置合わせして前記接合材を挟ん
で合体する合体工程と、該合体工程で合体された第１の
電子部品の電極と第２の電子部品の電極とを前記接合材
を溶融して接合することにより第１の電子部品と第２の
電子部品との電気回路を接続する接合工程とを有するこ
とを特徴とする電子回路の製造方法である。
電極部分の各々に選択的に粘着膜を形成する第１の粘着
膜形成工程と、第２の電子部品の複数の電極部分の各々
に選択的に粘着膜を形成する第２の粘着膜形成工程と、
前記第１の粘着膜形成工程で形成された粘着膜の各々の
上に接合材を整列させて供給する接合材整列供給工程
と、該接合材整列供給工程で供給された接合材を有する
第１の電子部品の各電極部分と前記第２の電子部品の各
電極部分とを相対的に位置合わせして前記接合材を挟ん
で合体する合体工程と、該合体工程で合体された第１の
電子部品の電極と第２の電子部品の電極とを前記接合材
を溶融して接合することにより第１の電子部品と第２の
電子部品との電気回路を接続する接合工程とを有するこ
とを特徴とする電子回路の製造方法である。
【００１５】また、本発明は、第１の電子部品の複数の
電極部分の各々に選択的に形成された粘着膜の各々の上
に接合材を整列させて供給する接合材整列供給工程と、
該接合材整列供給工程で供給された接合材を有する第１
の電子部品の各電極部分と第２の電子部品の各電極部分
とを相対的に位置合わせして前記接合材を挟んで合体す
る合体工程と、該合体工程で合体された第１の電子部品
の電極と第２の電子部品の電極とを前記接合材を溶融し
て接合することにより第１の電子部品と第２の電子部品
との電気回路を接続する接合工程とを有することを特徴
とする電子回路の製造方法である。
電極部分の各々に選択的に形成された粘着膜の各々の上
に接合材を整列させて供給する接合材整列供給工程と、
該接合材整列供給工程で供給された接合材を有する第１
の電子部品の各電極部分と第２の電子部品の各電極部分
とを相対的に位置合わせして前記接合材を挟んで合体す
る合体工程と、該合体工程で合体された第１の電子部品
の電極と第２の電子部品の電極とを前記接合材を溶融し
て接合することにより第１の電子部品と第２の電子部品
との電気回路を接続する接合工程とを有することを特徴
とする電子回路の製造方法である。
【００１６】また、本発明は、第１の電子部品の複数の
電極部分の各々に選択的に形成された粘着膜の各々上に
接合材を整列させて供給する接合材整列供給工程と、該
接合材整列供給工程で供給された接合材を有する前記第
１の電子部品の各電極部分と第２の電子部品の選択的に
粘着膜を形成した各電極部分とを相対的に位置合わせし
て前記接合材を挟んで合体する合体工程と、該合体工程
で合体された第１の電子部品の電極と第２の電子部品の
電極とを前記接合材を溶融して接合することにより第１
の電子部品と第２の電子部品との電気回路を接続する接
合工程とを有することを特徴とする電子回路の製造方法
である。
電極部分の各々に選択的に形成された粘着膜の各々上に
接合材を整列させて供給する接合材整列供給工程と、該
接合材整列供給工程で供給された接合材を有する前記第
１の電子部品の各電極部分と第２の電子部品の選択的に
粘着膜を形成した各電極部分とを相対的に位置合わせし
て前記接合材を挟んで合体する合体工程と、該合体工程
で合体された第１の電子部品の電極と第２の電子部品の
電極とを前記接合材を溶融して接合することにより第１
の電子部品と第２の電子部品との電気回路を接続する接
合工程とを有することを特徴とする電子回路の製造方法
である。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明に係るバンプ付き電子部品
の製造方法および他の基板等の電子部品に接合させる電
子部品の製造方法の実施の形態について図面を用いて説
明する。
の製造方法および他の基板等の電子部品に接合させる電
子部品の製造方法の実施の形態について図面を用いて説
明する。
【００１８】図１には、本発明の第１の実施例における
粘着膜３の形成工程を示し、図２には、バンプ１９の形
成工程を示す。ウェハ１はウェハパッド形成工程Ｓ１１
を経て粘着膜形成工程Ｓ１７に来る。ここで、めっき前
アッシング工程Ｓ１２でメッキ前アッシングにより有機
物を除去し、次いで脱脂工程Ｓ１３で脱脂したのち、水
洗工程Ｓ１４で水洗し、酸洗工程Ｓ１５で酸洗し、水洗
工程Ｓ１６で水洗し、粘着膜形成工程Ｓ１７で図２
（ａ）に示すように電子部品であるウェハ１の接続パッ
ド２上に粘着膜３の形成を行い、その後水切り工程Ｓ１
８で水切りをして粘着膜３が形成されることになる。な
おこの際、ウェハパッドの表面清浄度に応じて、アッシ
ング工程Ｓ１２と脱脂工程Ｓ１３のいずれか一方を省略
することは可能であり、この後の工程である酸洗Ｓ１５
の条件最適化により、アッシング工程Ｓ１２と脱脂工程
Ｓ１３の両方を省略する場合もある。このように、ウェ
ハパッド形成工程Ｓ１１のあと、表面清浄度を維持した
まま粘着膜形成工程S１７に入り、図３に示すように、
Ｃｕ又はＡｌの配線１１の上にＮｉ膜２２を形成した接
続パッド２の上に５μｍ程度以上の厚さの粘着膜３が形
成される。この粘着膜３によって空気、特に酸素などの
腐食性ガスとの接触が断たれるため、Ｎｉ膜２２の上に
酸化防止用のＡｕ膜を無電解置換めっきによって形成す
ることなくすことができると共に印刷マスクとスキージ
とを用いてフラックスを上記Ａｕ膜上にのみ局部的にス
クリーン印刷して塗布することをなくすことができる。
粘着膜３の形成工程を示し、図２には、バンプ１９の形
成工程を示す。ウェハ１はウェハパッド形成工程Ｓ１１
を経て粘着膜形成工程Ｓ１７に来る。ここで、めっき前
アッシング工程Ｓ１２でメッキ前アッシングにより有機
物を除去し、次いで脱脂工程Ｓ１３で脱脂したのち、水
洗工程Ｓ１４で水洗し、酸洗工程Ｓ１５で酸洗し、水洗
工程Ｓ１６で水洗し、粘着膜形成工程Ｓ１７で図２
（ａ）に示すように電子部品であるウェハ１の接続パッ
ド２上に粘着膜３の形成を行い、その後水切り工程Ｓ１
８で水切りをして粘着膜３が形成されることになる。な
おこの際、ウェハパッドの表面清浄度に応じて、アッシ
ング工程Ｓ１２と脱脂工程Ｓ１３のいずれか一方を省略
することは可能であり、この後の工程である酸洗Ｓ１５
の条件最適化により、アッシング工程Ｓ１２と脱脂工程
Ｓ１３の両方を省略する場合もある。このように、ウェ
ハパッド形成工程Ｓ１１のあと、表面清浄度を維持した
まま粘着膜形成工程S１７に入り、図３に示すように、
Ｃｕ又はＡｌの配線１１の上にＮｉ膜２２を形成した接
続パッド２の上に５μｍ程度以上の厚さの粘着膜３が形
成される。この粘着膜３によって空気、特に酸素などの
腐食性ガスとの接触が断たれるため、Ｎｉ膜２２の上に
酸化防止用のＡｕ膜を無電解置換めっきによって形成す
ることなくすことができると共に印刷マスクとスキージ
とを用いてフラックスを上記Ａｕ膜上にのみ局部的にス
クリーン印刷して塗布することをなくすことができる。
【００１９】この粘着膜３の形成方法としてはドーコー
ト（（株）三和研究所の製品名）や特開平６−１５２１
２０号公報に記載されているなど広く使われているイミ
ダゾール誘導体による膜形成法を応用したものであり、
絶縁膜上には吸着しないが金属表面には選択吸着すると
いうイミダゾール誘導体の特性を活用している。ただ
し、本発明のように体積の大きいはんだプリフォームを
仮固定するには厚さの厚い粘着膜３を形成する必要があ
る。ドーコート（（株）三和研究所の製品名）によるプ
リフラックスとしての用途や特開平６−１５２１２０号
公報に記載された用途の場合には最大でも１μｍ程度の
厚みの粘着膜３で良いが、本発明で使用するように直径
０．１ｍｍ程度以上のはんだボール４を仮固定する目的
には少なくとも３μｍ以上、望ましくは５μｍ程度以上
の粘着膜厚さが必要である。したがって、本発明では、
このように厚い粘着膜を形成するために、（１）従来に
比べ粘着膜３の形成時間を５倍以上（５分程度以上）長
くする、（２）あるいは処理温度を高く（４０℃以上）
するなどして厚い粘着膜３を形成する、（３）プリフラ
ックス用途に使用するものとは異なる化学構造あるいは
異なる組成のイミダゾール誘導体溶液を使用して粘着膜
形成工程Ｓ１７を行なう、等の方法を採る。なお、
（３）の場合に好適な化学構造をいくつか例示すると、
２位に置換基を有する１、３―ベンズイミダゾールであ
って、２位置換基が、以下の(a)〜(d)のいずれか、ある
いはそれらを組み合わせたものである。(a) ポリエーテ
ル結合を有する置換基である、例えば、ポリオキシエチ
レン（-(CH2CH2O)n-;n=2〜20）等を有する、(b)チオー
ル結合を有する置換基、例えばアルキルチオール（R-S
-）、(c)１級アミノ基と有機酸または無機酸とからなる
塩を形成する箇所を含む置換基、(d)アルキルフェノー
ルやアルキルスルホン酸などの有機酸置換基を有するア
ルキル置換基。また、イミダゾール誘導体溶液の組成と
して、２-アルキル1,3-ベンズイミダゾール誘導体とキ
レート剤または溶解度促進剤とを混合した溶液が本発明
に好適である。この際に用いられるキレート剤または溶
解度促進剤としては、(a)エチレンジアミン４酢酸、イ
ミノ２酢酸、トリプトファン、フェニルアラニンなどの
アミノカルボン酸、 (b) アミノカルボン酸とアルカリ
金属、アンモニア、銅、またはニッケルとの塩、(c)タ
ウリンなどのアミノスルホン酸、(d)塩化アンモニウム
など塩化物イオンを含有する塩、などが好適であり適宜
これらを組み合わせて使用する。キレート剤または溶解
度促進剤の好適な濃度は、粘着膜形成条件（時間、温
度）や所望膜厚によって異なるが、例えば、塩化物イオ
ンを含有する塩の場合、溶液中の塩化物イオン濃度が、
３〜２００ｐｐｍ程度になるように調整すると良い結果
が得られることが多い。
ト（（株）三和研究所の製品名）や特開平６−１５２１
２０号公報に記載されているなど広く使われているイミ
ダゾール誘導体による膜形成法を応用したものであり、
絶縁膜上には吸着しないが金属表面には選択吸着すると
いうイミダゾール誘導体の特性を活用している。ただ
し、本発明のように体積の大きいはんだプリフォームを
仮固定するには厚さの厚い粘着膜３を形成する必要があ
る。ドーコート（（株）三和研究所の製品名）によるプ
リフラックスとしての用途や特開平６−１５２１２０号
公報に記載された用途の場合には最大でも１μｍ程度の
厚みの粘着膜３で良いが、本発明で使用するように直径
０．１ｍｍ程度以上のはんだボール４を仮固定する目的
には少なくとも３μｍ以上、望ましくは５μｍ程度以上
の粘着膜厚さが必要である。したがって、本発明では、
このように厚い粘着膜を形成するために、（１）従来に
比べ粘着膜３の形成時間を５倍以上（５分程度以上）長
くする、（２）あるいは処理温度を高く（４０℃以上）
するなどして厚い粘着膜３を形成する、（３）プリフラ
ックス用途に使用するものとは異なる化学構造あるいは
異なる組成のイミダゾール誘導体溶液を使用して粘着膜
形成工程Ｓ１７を行なう、等の方法を採る。なお、
（３）の場合に好適な化学構造をいくつか例示すると、
２位に置換基を有する１、３―ベンズイミダゾールであ
って、２位置換基が、以下の(a)〜(d)のいずれか、ある
いはそれらを組み合わせたものである。(a) ポリエーテ
ル結合を有する置換基である、例えば、ポリオキシエチ
レン（-(CH2CH2O)n-;n=2〜20）等を有する、(b)チオー
ル結合を有する置換基、例えばアルキルチオール（R-S
-）、(c)１級アミノ基と有機酸または無機酸とからなる
塩を形成する箇所を含む置換基、(d)アルキルフェノー
ルやアルキルスルホン酸などの有機酸置換基を有するア
ルキル置換基。また、イミダゾール誘導体溶液の組成と
して、２-アルキル1,3-ベンズイミダゾール誘導体とキ
レート剤または溶解度促進剤とを混合した溶液が本発明
に好適である。この際に用いられるキレート剤または溶
解度促進剤としては、(a)エチレンジアミン４酢酸、イ
ミノ２酢酸、トリプトファン、フェニルアラニンなどの
アミノカルボン酸、 (b) アミノカルボン酸とアルカリ
金属、アンモニア、銅、またはニッケルとの塩、(c)タ
ウリンなどのアミノスルホン酸、(d)塩化アンモニウム
など塩化物イオンを含有する塩、などが好適であり適宜
これらを組み合わせて使用する。キレート剤または溶解
度促進剤の好適な濃度は、粘着膜形成条件（時間、温
度）や所望膜厚によって異なるが、例えば、塩化物イオ
ンを含有する塩の場合、溶液中の塩化物イオン濃度が、
３〜２００ｐｐｍ程度になるように調整すると良い結果
が得られることが多い。
【００２０】粘着膜３を形成後、はんだボール４を、粘
着膜３を形成した接続パッド２上に供給して搭載する。
この供給方法の第１の実施例としては、例えば、図２
（ｂ）に示すようにボール整列マスク５をウェハ１上に
配置し、はんだボール４を整列スキージ６でボール整列
マスク５上を移動させることにより粘着膜３を形成した
接続パッド２上にはんだボール４を搭載する。この状態
の断面図を図３に示す。Ｎｉ膜２２上に粘着膜３が形成
されており、これと接続するＣｕ若しくはＡｌ製の配線
１１は、絶縁膜１０により保護されているため、粘着膜
３が余分に形成されていないことが判る。
着膜３を形成した接続パッド２上に供給して搭載する。
この供給方法の第１の実施例としては、例えば、図２
（ｂ）に示すようにボール整列マスク５をウェハ１上に
配置し、はんだボール４を整列スキージ６でボール整列
マスク５上を移動させることにより粘着膜３を形成した
接続パッド２上にはんだボール４を搭載する。この状態
の断面図を図３に示す。Ｎｉ膜２２上に粘着膜３が形成
されており、これと接続するＣｕ若しくはＡｌ製の配線
１１は、絶縁膜１０により保護されているため、粘着膜
３が余分に形成されていないことが判る。
【００２１】次いで、図２（ｃ）に示すように、はんだ
ボール４を加圧プレーと７により上部から加圧して粘着
膜３に押し付けることにより、はんだボール４を粘着膜
３に仮固定する。次いで、図２（ｄ）に示すように整列
マスク５を取り除き、図２（ｅ）に示すようにフラック
ス塗布器９で例えば液状のフラックスを噴霧して塗布
し、図２（ｆ）に示すようにＮ2リフロー炉によりリフ
ローすることによりリフローすることにより接続パッド
２のＮｉやＣｕとはんだボール４とを金属融合してはん
だバンプ１９を形成する。その後必要に応じて図２
（ｇ）に示すようにフラックス１２の残査を洗浄して除
去する。なお、粘着膜１３の化学組成を調整してフラッ
クス特性を付与することにより、このフラックス塗布工
程を省略することも可能である。本願発明に好適なフラ
ックス特性を有する粘着膜１３の化学構造・組成とし
て、いくつか例示すると、（１）２位置換―１，３−ベ
ンズイミダゾールであって、１級アミノ基と有機酸また
は無機酸とからなる塩を形成する箇所を含む２位置換基
を有する化学構造（２）ハロゲンイオン、特に塩化物イ
オンを含むか、あるいは脱離可能な形で含有する組成、
などである。このような化学構造・組成を含有する粘着
膜１３を使用すると、それ自身の持つフラックス特性に
より、はんだボール表面の酸化膜を除去できるので、フ
ラックス塗布工程を省略できる。ところで、はんだボー
ル４としては、Ｐｂフリーはんだ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ
系）を用いることができる。
ボール４を加圧プレーと７により上部から加圧して粘着
膜３に押し付けることにより、はんだボール４を粘着膜
３に仮固定する。次いで、図２（ｄ）に示すように整列
マスク５を取り除き、図２（ｅ）に示すようにフラック
ス塗布器９で例えば液状のフラックスを噴霧して塗布
し、図２（ｆ）に示すようにＮ2リフロー炉によりリフ
ローすることによりリフローすることにより接続パッド
２のＮｉやＣｕとはんだボール４とを金属融合してはん
だバンプ１９を形成する。その後必要に応じて図２
（ｇ）に示すようにフラックス１２の残査を洗浄して除
去する。なお、粘着膜１３の化学組成を調整してフラッ
クス特性を付与することにより、このフラックス塗布工
程を省略することも可能である。本願発明に好適なフラ
ックス特性を有する粘着膜１３の化学構造・組成とし
て、いくつか例示すると、（１）２位置換―１，３−ベ
ンズイミダゾールであって、１級アミノ基と有機酸また
は無機酸とからなる塩を形成する箇所を含む２位置換基
を有する化学構造（２）ハロゲンイオン、特に塩化物イ
オンを含むか、あるいは脱離可能な形で含有する組成、
などである。このような化学構造・組成を含有する粘着
膜１３を使用すると、それ自身の持つフラックス特性に
より、はんだボール表面の酸化膜を除去できるので、フ
ラックス塗布工程を省略できる。ところで、はんだボー
ル４としては、Ｐｂフリーはんだ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ
系）を用いることができる。
【００２２】以上により、はんだバンプ付きウェハ、即
ち、はんだバンプ付き電子部品が完成されることにな
る。当然、完成されたはんだバンプ付きウェハが、他の
電子部品である例えば実装基板に実装する前には、個別
のチップ単位に切断され、必要に応じてはんだバンプが
形成された面に保護膜が形成されることになる。
ち、はんだバンプ付き電子部品が完成されることにな
る。当然、完成されたはんだバンプ付きウェハが、他の
電子部品である例えば実装基板に実装する前には、個別
のチップ単位に切断され、必要に応じてはんだバンプが
形成された面に保護膜が形成されることになる。
【００２３】なお、配線１１がＣｕであり、かつ十分な
厚さ（例えば１０μｍ以上）を有する場合は、はんだに
食われてもなくなることがないので、Ｎｉ膜２２の成膜
を省略し、配線自体をパッド２と一体で製造し、直接粘
着膜３をこれに形成することも可能である。
厚さ（例えば１０μｍ以上）を有する場合は、はんだに
食われてもなくなることがないので、Ｎｉ膜２２の成膜
を省略し、配線自体をパッド２と一体で製造し、直接粘
着膜３をこれに形成することも可能である。
【００２４】次に、本発明に係る粘着膜３を形成した接
続パッド２上へのはんだボールの供給方法の第１の実施
例について図４を用いて説明する。図４には、整列マス
ク５を用いたはんだボール４の整列を詳細に示す。予
め、ウェハ１にはＮｉ膜２２、および粘着膜３が形成さ
れており、これに位置合わせを行って、整列マスク５が
配置される。整列マスク５には、はんだボール４が落下
しない強度を有する非開口部５ａ、はんだボール４が通
過しうる開口径を有する開口部５b、非開口部５aが直接
粘着膜３に接触しないように支える突起形状５ｃを有し
ている。
続パッド２上へのはんだボールの供給方法の第１の実施
例について図４を用いて説明する。図４には、整列マス
ク５を用いたはんだボール４の整列を詳細に示す。予
め、ウェハ１にはＮｉ膜２２、および粘着膜３が形成さ
れており、これに位置合わせを行って、整列マスク５が
配置される。整列マスク５には、はんだボール４が落下
しない強度を有する非開口部５ａ、はんだボール４が通
過しうる開口径を有する開口部５b、非開口部５aが直接
粘着膜３に接触しないように支える突起形状５ｃを有し
ている。
【００２５】図４から分かるように、突起形状５ｃの幅
が狭く近接する粘着膜３から十分離れているため、整列
マスク５の位置合わせ中の摺動においても、整列マスク
５が粘着マスク３に接触せず、粘着膜３が整列マスク５
に転写付着されるおそれが無い。当然ながら、突起形状
５ｃの高さは、Ｎｉ膜２２、粘着膜３の厚さ、および予
想される非開口部５ａの撓み量の合計より十分高く形成
されている。
が狭く近接する粘着膜３から十分離れているため、整列
マスク５の位置合わせ中の摺動においても、整列マスク
５が粘着マスク３に接触せず、粘着膜３が整列マスク５
に転写付着されるおそれが無い。当然ながら、突起形状
５ｃの高さは、Ｎｉ膜２２、粘着膜３の厚さ、および予
想される非開口部５ａの撓み量の合計より十分高く形成
されている。
【００２６】非開口部５ａの厚さは、整列マスク５の全
体の強度を保つ程度で、かつ突起形状５ｃの高さとの合
計値が、はんだボール４の直径と同程度、好ましくはは
んだボール４の直径の０．９倍程度に調整されている。
この非開口部５ａの厚さと突起形状５ｃの高さの和が、
はんだボール４の直径より極端に大きい場合は、複数の
はんだボール４が開口部５ｂ内部に滞留し、はんだボー
ル４の余剰が生じることになる。また、この値がはんだ
ボール４の直径より極端に小さい場合、未整列のはんだ
ボール４ｃが整列粘着済みのはんだボール４ｂを押し付
けるため、粘着膜３の粘着力が十分でない場合、はんだ
ボール４ｂが剥離し、供給漏れを生じるおそれがある。
前記のこの非開口部５ａの厚さと突起形状５ｃの高さの
和は、はんだボール４の直径と同一でも実現可能である
が、開口部５ｂの直径ははんだボール４の直径より大き
くならざるを得ないため、未整列のはんだボール４ｃが
開口部５ｂと整列済みのはんだボール４ｂの隙間に落ち
込む量が大きいので、この値は、はんだボール径の０．
９倍前後が整列性が良い。
体の強度を保つ程度で、かつ突起形状５ｃの高さとの合
計値が、はんだボール４の直径と同程度、好ましくはは
んだボール４の直径の０．９倍程度に調整されている。
この非開口部５ａの厚さと突起形状５ｃの高さの和が、
はんだボール４の直径より極端に大きい場合は、複数の
はんだボール４が開口部５ｂ内部に滞留し、はんだボー
ル４の余剰が生じることになる。また、この値がはんだ
ボール４の直径より極端に小さい場合、未整列のはんだ
ボール４ｃが整列粘着済みのはんだボール４ｂを押し付
けるため、粘着膜３の粘着力が十分でない場合、はんだ
ボール４ｂが剥離し、供給漏れを生じるおそれがある。
前記のこの非開口部５ａの厚さと突起形状５ｃの高さの
和は、はんだボール４の直径と同一でも実現可能である
が、開口部５ｂの直径ははんだボール４の直径より大き
くならざるを得ないため、未整列のはんだボール４ｃが
開口部５ｂと整列済みのはんだボール４ｂの隙間に落ち
込む量が大きいので、この値は、はんだボール径の０．
９倍前後が整列性が良い。
【００２７】開口部５ｂの直径は、はんだボール４が容
易に通過できる程度の余裕を持った直径で、かつ、余分
なはんだボールが粘着膜３に接触しないように、大きす
ぎないようにする必要がある。使用するはんだボール４
の直径により差が生じるが、はんだボール４の直径が２
００μｍから５００μｍ程度の場合は、開口部５ｂの直
径ははんだボール４の直径の１．１５倍若しくははんだ
ボール４の直径に５０μｍを加えた値の範囲で選択する
ことが好ましい。これより小さいはんだボールを使用す
る場合は、はんだボール４の直径の１．１倍程度から
１．５倍程度の範囲で選択するが、はんだボール径４の
直径が減ずるに従い、クリアランスが減少するため、ボ
ール印刷やマスク除去工程の困難さが増大する。
易に通過できる程度の余裕を持った直径で、かつ、余分
なはんだボールが粘着膜３に接触しないように、大きす
ぎないようにする必要がある。使用するはんだボール４
の直径により差が生じるが、はんだボール４の直径が２
００μｍから５００μｍ程度の場合は、開口部５ｂの直
径ははんだボール４の直径の１．１５倍若しくははんだ
ボール４の直径に５０μｍを加えた値の範囲で選択する
ことが好ましい。これより小さいはんだボールを使用す
る場合は、はんだボール４の直径の１．１倍程度から
１．５倍程度の範囲で選択するが、はんだボール径４の
直径が減ずるに従い、クリアランスが減少するため、ボ
ール印刷やマスク除去工程の困難さが増大する。
【００２８】ボール整列スキージ６には、はんだボール
４を押し転がす主要部６ａと、主要部６ａを整列マスク
５の２次元的に開口部５ｂが配列されている領域や既に
整列済みのはんだボール４ａ、４ｂに接触しないように
保つ摺動部６ｂとからなる。すなわち、摺動部６ｂは、
矢印で示す摺動方向に対して直角な方向（図４に示す紙
面の上下方向）の両端に突起状に形成されている。摺動
部６ｂの突起高さは、はんだボール４の直径の半分程度
未満で、かつ整列済みはんだボール４ａ、４ｂの整列マ
スク５からの突出量を超える高さに設定される。例え
ば、はんだボール４の直径が３００μｍ程度の場合は１
３０μｍ程度が、はんだボール４の直径が２００μｍ程
度の場合は８０μｍ程度が好ましい。摺動部６ｂの突出
高さがはんだボール４の直径の半分程度以上、直径程度
未満の場合には、ボール整列スキージ６ははんだボール
４を主要部６ａのエッジ部分（下面とのコーナー部分）
で押しやることになり、容易にはんだボール４に傷を付
けることになる。また、未整列のはんだボール４ｃを押
すことで、未整列のはんだボール４ｃに下向きの力を掛
けるため、整列済みのはんだボール４ｂにダメージを与
えたり、未整列のはんだボール４ｃを過剰に開口部５ｂ
に押し付けることで、複数のはんだボール４を開口部５
ｂに押し込んでしまい、整列不良を生じるおそれがあ
る。従って、摺動部６ｂの突出高さは、はんだボール４
の直径の半分程度未満で、かつ整列済みはんだボール４
ａ、４ｂの整列マスク５からの突出量を超える高さに設
定する必要がある。
４を押し転がす主要部６ａと、主要部６ａを整列マスク
５の２次元的に開口部５ｂが配列されている領域や既に
整列済みのはんだボール４ａ、４ｂに接触しないように
保つ摺動部６ｂとからなる。すなわち、摺動部６ｂは、
矢印で示す摺動方向に対して直角な方向（図４に示す紙
面の上下方向）の両端に突起状に形成されている。摺動
部６ｂの突起高さは、はんだボール４の直径の半分程度
未満で、かつ整列済みはんだボール４ａ、４ｂの整列マ
スク５からの突出量を超える高さに設定される。例え
ば、はんだボール４の直径が３００μｍ程度の場合は１
３０μｍ程度が、はんだボール４の直径が２００μｍ程
度の場合は８０μｍ程度が好ましい。摺動部６ｂの突出
高さがはんだボール４の直径の半分程度以上、直径程度
未満の場合には、ボール整列スキージ６ははんだボール
４を主要部６ａのエッジ部分（下面とのコーナー部分）
で押しやることになり、容易にはんだボール４に傷を付
けることになる。また、未整列のはんだボール４ｃを押
すことで、未整列のはんだボール４ｃに下向きの力を掛
けるため、整列済みのはんだボール４ｂにダメージを与
えたり、未整列のはんだボール４ｃを過剰に開口部５ｂ
に押し付けることで、複数のはんだボール４を開口部５
ｂに押し込んでしまい、整列不良を生じるおそれがあ
る。従って、摺動部６ｂの突出高さは、はんだボール４
の直径の半分程度未満で、かつ整列済みはんだボール４
ａ、４ｂの整列マスク５からの突出量を超える高さに設
定する必要がある。
【００２９】なお、上記はんだバンプを形成する製造プ
ロセスにおいて、粘着膜３の粘着強度や、はんだボール
の自重等の選択によっては、整列マスク５とボール整列
スキージ６とを用いてはんだボール４を粘着膜３上に整
列するだけで、仮固定状態を作り出すことができるの
で、図２（ｃ）に示す加圧工程を省略することも可能で
ある。この場合、製造プロセスが簡略され、はんだバン
プの製造を容易にすることができる。
ロセスにおいて、粘着膜３の粘着強度や、はんだボール
の自重等の選択によっては、整列マスク５とボール整列
スキージ６とを用いてはんだボール４を粘着膜３上に整
列するだけで、仮固定状態を作り出すことができるの
で、図２（ｃ）に示す加圧工程を省略することも可能で
ある。この場合、製造プロセスが簡略され、はんだバン
プの製造を容易にすることができる。
【００３０】次に、本発明に係る粘着膜３を形成した接
続パッド２上へのはんだボールの供給方法の第２の実施
例について図５を用いて説明する。即ち、はんだボール
の供給方法の第２の実施例としては、図５に示すよう
に、はんだボール４を真空吸着マスク２３により整列吸
着して搬送し、ウェハ１に移し替える方法も可能であ
る。はんだボール４を、ウェハ１に搭載する以前に、例
えば第１の実施例で説明したように整列用の板状体の上
に置かれた整列マスク５とボール整列スキージ６を用い
て、別途整列マスク５にはんだボールを整列することが
可能であるため、はんだボール４の整列工程を、上記真
空吸着マスク２３を用いて整列マスク５から整列吸着し
てウェハ１上へ搬送して移し替えるウェハへの搬送工程
とは別に並行して実行でき、トータルの製造タクトを低
減することができるメリットがある。なお、整列された
はんだボール４を真空吸着マスク２３を用いて吸着する
際、整列マスク５も一緒に吸着してもよい。このように
整列マスク５も吸着すれば、整列されたはんだボール４
がウェハ１上に移し替えられるまで、位置ずれが生じる
こと無く、はんだボール４を粘着膜３上に搭載すること
が可能となる。
続パッド２上へのはんだボールの供給方法の第２の実施
例について図５を用いて説明する。即ち、はんだボール
の供給方法の第２の実施例としては、図５に示すよう
に、はんだボール４を真空吸着マスク２３により整列吸
着して搬送し、ウェハ１に移し替える方法も可能であ
る。はんだボール４を、ウェハ１に搭載する以前に、例
えば第１の実施例で説明したように整列用の板状体の上
に置かれた整列マスク５とボール整列スキージ６を用い
て、別途整列マスク５にはんだボールを整列することが
可能であるため、はんだボール４の整列工程を、上記真
空吸着マスク２３を用いて整列マスク５から整列吸着し
てウェハ１上へ搬送して移し替えるウェハへの搬送工程
とは別に並行して実行でき、トータルの製造タクトを低
減することができるメリットがある。なお、整列された
はんだボール４を真空吸着マスク２３を用いて吸着する
際、整列マスク５も一緒に吸着してもよい。このように
整列マスク５も吸着すれば、整列されたはんだボール４
がウェハ１上に移し替えられるまで、位置ずれが生じる
こと無く、はんだボール４を粘着膜３上に搭載すること
が可能となる。
【００３１】更に、図５に示す実施例の変形例として、
真空吸着マスク２３に整列して吸着済みのはんだボール
４を、フラックスに浸した後にウェハ１に載せ換えれ
ば、図２（ｅ）に示すフラックス塗布工程を簡略化でき
るメリットがある。
真空吸着マスク２３に整列して吸着済みのはんだボール
４を、フラックスに浸した後にウェハ１に載せ換えれ
ば、図２（ｅ）に示すフラックス塗布工程を簡略化でき
るメリットがある。
【００３２】次に、これまで説明した実施例により製造
されたはんだバンプを有する半導体パッケージ（半導体
装置）の実装方法の実施例について、図６を用いて説明
する。即ち、ウェハ１は、はんだバンプ１９を形成後、
個別のチップに切断され、型式や製造番号等が記載さ
れ、必要により保護膜を形成して電子部品である半導体
パッケージ（半導体装置）１７として製造される。一
方、実装される電子部品である実装基板１５には、予め
接続パッド１８が形成され、フラックス１２が塗布され
ている。
されたはんだバンプを有する半導体パッケージ（半導体
装置）の実装方法の実施例について、図６を用いて説明
する。即ち、ウェハ１は、はんだバンプ１９を形成後、
個別のチップに切断され、型式や製造番号等が記載さ
れ、必要により保護膜を形成して電子部品である半導体
パッケージ（半導体装置）１７として製造される。一
方、実装される電子部品である実装基板１５には、予め
接続パッド１８が形成され、フラックス１２が塗布され
ている。
【００３３】従って、半導体パッケージ（半導体装置）
１７に形成されたはんだバンプ１９を、図６（ａ）に示
すように実装基板１５に形成されたフラックス１２が塗
布された接続パッド１８に搭載し、加熱することで図６
（ｂ）に示すように半導体パッケージ（半導体装置）１
７と実装基板１５とが接合される。
１７に形成されたはんだバンプ１９を、図６（ａ）に示
すように実装基板１５に形成されたフラックス１２が塗
布された接続パッド１８に搭載し、加熱することで図６
（ｂ）に示すように半導体パッケージ（半導体装置）１
７と実装基板１５とが接合される。
【００３４】次に、本発明に係るはんだバンプを実装基
板１５側に形成する実施例について、図７を用いて説明
する。即ち、実装基板１５の配線パターン形成後、図１
と同様な方法で、図７（ａ）に示すように接続パッド１
８上に粘着膜３を形成しておけば良い。この粘着膜３の
形成方法は、ウェハ１に形成する場合と同様であり、前
述の各工程における対象をウェハ１から実装基板１５に
換えれば良い。そして、図７（ｂ）に示すように粘着膜
３上へのはんだボール４の供給方法もそのはんだボール
４へのフラックスの塗布もウェハ１への場合と同様にす
ればよい。例えば実装基板１５に電子部品が搭載されて
いない状態であれば、図２に示す方法ではんだボール４
を搭載すればよい。また、既に他の電子部品が搭載され
ていて清冽マスク５が他の搭載済み電子部品と干渉する
場合には、図５に示すようにはんだボール４を吸着した
状態で搬送して移し替えて搭載する方法を用いても良
い。このようにしてはんだボール４を実装基板１５に搭
載した後、必要に応じてフラックス１２やはんだペース
ト２１を実装基板１５または搭載する半導体チップ１７
や半導体パッケージ１６などの電子部品に図示していな
い方法で供給した後、半導体チップ１７や半導体パッケ
ージ１６を実装基板１５上の所定の位置に、粘着膜３を
仮固定剤として搭載する。その後、リフロー炉（図略）
を通して加熱することにより実装基板１５の接続パッド
１８と電子部品１６，１７の電極を金属接合する。その
後必要に応じて洗浄によりフラックス１２の残査を除去
する。
板１５側に形成する実施例について、図７を用いて説明
する。即ち、実装基板１５の配線パターン形成後、図１
と同様な方法で、図７（ａ）に示すように接続パッド１
８上に粘着膜３を形成しておけば良い。この粘着膜３の
形成方法は、ウェハ１に形成する場合と同様であり、前
述の各工程における対象をウェハ１から実装基板１５に
換えれば良い。そして、図７（ｂ）に示すように粘着膜
３上へのはんだボール４の供給方法もそのはんだボール
４へのフラックスの塗布もウェハ１への場合と同様にす
ればよい。例えば実装基板１５に電子部品が搭載されて
いない状態であれば、図２に示す方法ではんだボール４
を搭載すればよい。また、既に他の電子部品が搭載され
ていて清冽マスク５が他の搭載済み電子部品と干渉する
場合には、図５に示すようにはんだボール４を吸着した
状態で搬送して移し替えて搭載する方法を用いても良
い。このようにしてはんだボール４を実装基板１５に搭
載した後、必要に応じてフラックス１２やはんだペース
ト２１を実装基板１５または搭載する半導体チップ１７
や半導体パッケージ１６などの電子部品に図示していな
い方法で供給した後、半導体チップ１７や半導体パッケ
ージ１６を実装基板１５上の所定の位置に、粘着膜３を
仮固定剤として搭載する。その後、リフロー炉（図略）
を通して加熱することにより実装基板１５の接続パッド
１８と電子部品１６，１７の電極を金属接合する。その
後必要に応じて洗浄によりフラックス１２の残査を除去
する。
【００３５】次に、上記各実施例での粘着膜３の取り扱
いについて述べる。本方式で形成した粘着膜３は時間が
経過したり、加熱したりすると乾燥して粘着力が無くな
る。従って粘着膜３を形成して乾燥しない内にはんだボ
ール４を搭載する必要がある。一度搭載してしまえば乾
燥してもはんだボール４は固定されており運搬などして
も落下するような心配はない。また、粘着膜３形成後
に、はんだボール４を搭載するまで時間が掛かる場合は
一度乾燥した状態にした後、はんだボール４の搭載前に
アルコールなどを塗布することにより軟化させ、粘着性
を取り戻した（粘着性を有するように再生する処理を行
った）のち、はんだボール４を搭載すればよい。アルコ
ールの塗布工程は、図２(e)に示すフラックス塗布工程
と同じようにおこなっても良いが、アルコール蒸気へ暴
露させることによっても達成できる。
いについて述べる。本方式で形成した粘着膜３は時間が
経過したり、加熱したりすると乾燥して粘着力が無くな
る。従って粘着膜３を形成して乾燥しない内にはんだボ
ール４を搭載する必要がある。一度搭載してしまえば乾
燥してもはんだボール４は固定されており運搬などして
も落下するような心配はない。また、粘着膜３形成後
に、はんだボール４を搭載するまで時間が掛かる場合は
一度乾燥した状態にした後、はんだボール４の搭載前に
アルコールなどを塗布することにより軟化させ、粘着性
を取り戻した（粘着性を有するように再生する処理を行
った）のち、はんだボール４を搭載すればよい。アルコ
ールの塗布工程は、図２(e)に示すフラックス塗布工程
と同じようにおこなっても良いが、アルコール蒸気へ暴
露させることによっても達成できる。
【００３６】また、本発明は接続部材としてはんだボー
ルに限らず、円筒状や角柱状のはんだプリフォームを使
用しても良い。
ルに限らず、円筒状や角柱状のはんだプリフォームを使
用しても良い。
【００３７】以上説明した実施の形態によれば、電極パ
ッドの面積に制限されずに必要な体積のはんだボールを
供給することができるので、はんだバンプの体積を自在
に設計することができる。例えば、直径３００μｍ程度
の電極上に、直径１５０μｍ程度のはんだボールを１個
だけ供給することで、バンプ高さ３０μｍ程度に調整す
ることも、同様の電極に４００μｍ程度のはんだボール
を供給することで、バンプ高さ３００μｍ程度に調整す
ることも可能である。
ッドの面積に制限されずに必要な体積のはんだボールを
供給することができるので、はんだバンプの体積を自在
に設計することができる。例えば、直径３００μｍ程度
の電極上に、直径１５０μｍ程度のはんだボールを１個
だけ供給することで、バンプ高さ３０μｍ程度に調整す
ることも、同様の電極に４００μｍ程度のはんだボール
を供給することで、バンプ高さ３００μｍ程度に調整す
ることも可能である。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、予め形成済みの粘着膜
に、はんだボールを確実に１個ずつ搭載することができ
るため、形成されるはんだバンプの体積を均一にするこ
とができる効果を奏する。
に、はんだボールを確実に１個ずつ搭載することができ
るため、形成されるはんだバンプの体積を均一にするこ
とができる効果を奏する。
【００３９】また、本発明によれば、従来技術において
生じるはんだボールの付着ミスや、過剰な払い落とし作
業によるはんだボールの損失がないため、確実にはんだ
バンプを形成することができる。
生じるはんだボールの付着ミスや、過剰な払い落とし作
業によるはんだボールの損失がないため、確実にはんだ
バンプを形成することができる。
【図１】本発明に係る粘着膜形成方法の一実施例を説明
するための図である。
するための図である。
【図２】本発明に係るはんだバンプ形成方法の一実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３】本発明に係るはんだ接合部の断面形状を示す図
である。
である。
【図４】本発明に係るはんだボールを粘着膜上に整列供
給する第１の実施例（はんだボール印刷）の説明図であ
る。
給する第１の実施例（はんだボール印刷）の説明図であ
る。
【図５】本発明に係るはんだボールを粘着膜上に整列供
給する第２の実施例（吸着マスク）の説明図である。
給する第２の実施例（吸着マスク）の説明図である。
【図６】本発明に係るはんだバンプ形成により製造した
半導体装置の実装方法の第１の実施例の説明図である。
半導体装置の実装方法の第１の実施例の説明図である。
【図７】本発明に係るはんだバンプ形成により製造した
半導体装置の実装方法の第２の実施例の説明図である。
半導体装置の実装方法の第２の実施例の説明図である。
【図８】従来方式でのはんだバンプ形成工程の説明図で
ある。
ある。
１…ウェハ、２…接続パッド、３…粘着膜、４…はんだ
ボール、５…ボール整列マスク、６…ボール整列スキー
ジ、７…加圧プレート、８…液状フラックス、９…フラ
ックス塗布器、１０…絶縁膜、１１…配線、１２…フラ
ックス、１５…実装基板、１６…半導体パッケージ、１
７…半導体チップ、１８…接続パッド、１９…バンプ、
２０…印刷マスク、２１…はんだペースト、２２……Ｎ
ｉ膜、２３…真空吸着マスク。
ボール、５…ボール整列マスク、６…ボール整列スキー
ジ、７…加圧プレート、８…液状フラックス、９…フラ
ックス塗布器、１０…絶縁膜、１１…配線、１２…フラ
ックス、１５…実装基板、１６…半導体パッケージ、１
７…半導体チップ、１８…接続パッド、１９…バンプ、
２０…印刷マスク、２１…はんだペースト、２２……Ｎ
ｉ膜、２３…真空吸着マスク。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/36 Ｂ２３Ｋ 101:42 // Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ｈ (72)発明者 大録 範行 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 井上 康介 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】電子部品上の複数の電極部分の各々に選択
的に粘着膜を形成する粘着膜形成工程と、 該粘着膜形成工程で形成された粘着膜の各々の上に接合
材を整列させて供給する接合材整列供給工程と、 該接合材整列供給工程で供給した接合材を溶融して電極
部分と接合する接合工程とを有することを特徴とするバ
ンプ付き電子部品の製造方法。 - 【請求項２】前記粘着膜形成工程において、形成する粘
着膜の厚みを５μｍ以上とすることを特徴とする請求項
１記載のバンプ付き電子部品の製造方法。 - 【請求項３】前記粘着膜形成工程において、形成された
粘着膜に対して粘着性を有するように再生する処理を行
う工程を有することを特徴とする請求項１または２記載
のバンプ付き電子部品の製造方法。 - 【請求項４】電子部品上の複数の電極部分の各々に選択
的に形成された粘着膜の各々の上に接合材を整列させて
供給する接合材整列供給工程と、 該接合材整列供給工程で供給した接合材を溶融して電極
部分と接合する接合工程とを有することを特徴とするバ
ンプ付き電子部品の製造方法。 - 【請求項５】前記接合材整列供給工程において各粘着膜
の厚さが５μｍ以上であることを特徴とする請求項４記
載のバンプ付き電子部品の製造方法。 - 【請求項６】第１の電子部品の複数の電極部分の各々に
選択的に粘着膜を形成する粘着膜形成工程と、 該粘着膜形成工程で形成された各粘着膜上に接合材を整
列させて供給する接合材整列供給工程と、 前記接合材整列供給工程で供給された接合材を有する第
１の電子部品の各電極部分と第２の電子部品の各電極部
分とを相対的に位置合わせして前記接合材を挟んで合体
する合体工程と、 該合体工程で合体された第１の電子部品の電極と第２の
電子部品の電極とを前記接合材を溶融して接合すること
により第１の電子部品と第２の電子部品との電気回路を
接続する接合工程とを有することを特徴とする電子回路
の製造方法。 - 【請求項７】第１の電子部品の複数の電極部分の各々に
選択的に粘着膜を形成する第１の粘着膜形成工程と、 第２の電子部品の複数の電極部分の各々に選択的に粘着
膜を形成する第２の粘着膜形成工程と、 前記第１の粘着膜形成工程で形成された粘着膜の各々の
上に接合材を整列させて供給する接合材整列供給工程
と、 該接合材整列供給工程で供給された接合材を有する第１
の電子部品の各電極部分と前記第２の電子部品の各電極
部分とを相対的に位置合わせして前記接合材を挟んで合
体する合体工程と、 該合体工程で合体された第１の電子部品の電極と第２の
電子部品の電極とを前記接合材を溶融して接合すること
により第１の電子部品と第２の電子部品との電気回路を
接続する接合工程とを有することを特徴とする電子回路
の製造方法。 - 【請求項８】第１の電子部品の複数の電極部分の各々に
選択的に形成された粘着膜の各々の上に接合材を整列さ
せて供給する接合材整列供給工程と、 該接合材整列供給工程で供給された接合材を有する第１
の電子部品の各電極部分と第２の電子部品の各電極部分
とを相対的に位置合わせして前記接合材を挟んで合体す
る合体工程と、 該合体工程で合体された第１の電子部品の電極と第２の
電子部品の電極とを前記接合材を溶融して接合すること
により第１の電子部品と第２の電子部品との電気回路を
接続する接合工程とを有することを特徴とする電子回路
の製造方法。 - 【請求項９】第１の電子部品の複数の電極部分の各々に
選択的に形成された粘着膜の各々上に接合材を整列させ
て供給する接合材整列供給工程と、 該接合材整列供給工程で供給された接合材を有する前記
第１の電子部品の各電極部分と第２の電子部品の選択的
に粘着膜を形成した各電極部分とを相対的に位置合わせ
して前記接合材を挟んで合体する合体工程と、 該合体工程で合体された第１の電子部品の電極と第２の
電子部品の電極とを前記接合材を溶融して接合すること
により第１の電子部品と第２の電子部品との電気回路を
接続する接合工程とを有することを特徴とする電子回路
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001004396A JP2001267731A (ja) | 2000-01-13 | 2001-01-12 | バンプ付き電子部品の製造方法および電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-10053 | 2000-01-13 | ||
| JP2000010053 | 2000-01-13 | ||
| JP2001004396A JP2001267731A (ja) | 2000-01-13 | 2001-01-12 | バンプ付き電子部品の製造方法および電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267731A true JP2001267731A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=26583752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001004396A Pending JP2001267731A (ja) | 2000-01-13 | 2001-01-12 | バンプ付き電子部品の製造方法および電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001267731A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004104002A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | ボール電極形成方法 |
| JP2004253769A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-09-09 | Hitachi Metals Ltd | 半田バンプの製造方法及び製造装置 |
| WO2004082346A1 (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-23 | Hitachi Metals, Ltd. | 導電性ボールの搭載方法および搭載装置 |
| CN100382266C (zh) * | 2005-05-17 | 2008-04-16 | 华为技术有限公司 | 球栅阵列封装基板植球方法及设备 |
| WO2008105397A1 (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-04 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | 粘着性と濡れ性を有するはんだ付け用回路基板 |
| WO2008140019A1 (ja) | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Nippon Steel Materials Co., Ltd. | はんだボールの搭載方法及び搭載装置 |
| US7475803B2 (en) | 2004-08-04 | 2009-01-13 | Ibiden Co., Ltd. | Solder ball loading method and solder ball loading unit background of the invention |
| JP2009044128A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | はんだバンプ形成方法 |
| JP2009099963A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | はんだバンプを有する配線基板の製造方法 |
| JP2009275079A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続材料及びそれを用いた回路部材の接続構造 |
| JP2009278128A (ja) * | 2009-08-17 | 2009-11-26 | Hitachi Metals Ltd | 導電性ボールの搭載装置 |
| US7845547B2 (en) | 2005-12-20 | 2010-12-07 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing a printed wiring board |
| US8083123B2 (en) | 2006-01-27 | 2011-12-27 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing a printed wiring board |
| US8087164B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-01-03 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and a method of manufacturing a printed wiring board |
| US8091766B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-01-10 | Ibiden Co., Ltd. | Method and apparatus for loading solder balls |
| JP2012019236A (ja) * | 2011-09-29 | 2012-01-26 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 配列用マスク |
-
2001
- 2001-01-12 JP JP2001004396A patent/JP2001267731A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004104002A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | ボール電極形成方法 |
| JP4505783B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2010-07-21 | 日立金属株式会社 | 半田バンプの製造方法及び製造装置 |
| JP2004253769A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-09-09 | Hitachi Metals Ltd | 半田バンプの製造方法及び製造装置 |
| WO2004082346A1 (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-23 | Hitachi Metals, Ltd. | 導電性ボールの搭載方法および搭載装置 |
| US7431792B2 (en) | 2003-03-10 | 2008-10-07 | Hitachi Metals, Ltd. | Method and apparatus for placing conductive balls |
| US7866529B2 (en) | 2004-08-04 | 2011-01-11 | Ibiden Co., Ltd. | Solder ball loading method and solder ball loading unit |
| US7475803B2 (en) | 2004-08-04 | 2009-01-13 | Ibiden Co., Ltd. | Solder ball loading method and solder ball loading unit background of the invention |
| CN100382266C (zh) * | 2005-05-17 | 2008-04-16 | 华为技术有限公司 | 球栅阵列封装基板植球方法及设备 |
| US7845547B2 (en) | 2005-12-20 | 2010-12-07 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing a printed wiring board |
| US8083123B2 (en) | 2006-01-27 | 2011-12-27 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing a printed wiring board |
| US8087164B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-01-03 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and a method of manufacturing a printed wiring board |
| US9480170B2 (en) | 2006-01-27 | 2016-10-25 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and a method of manufacturing a printed wiring board |
| TWI413471B (zh) * | 2006-01-27 | 2013-10-21 | Ibiden Co Ltd | Method and device for mounting solder ball |
| US8091766B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-01-10 | Ibiden Co., Ltd. | Method and apparatus for loading solder balls |
| JP4899113B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2012-03-21 | 千住金属工業株式会社 | はんだ付け回路基板、その処理方法、およびはんだ層・バンプの形成方法 |
| WO2008105397A1 (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-04 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | 粘着性と濡れ性を有するはんだ付け用回路基板 |
| US8104663B2 (en) | 2007-05-08 | 2012-01-31 | Nippon Steel Materials Co., Ltd. | Solder ball mounting method and apparatus |
| WO2008140019A1 (ja) | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Nippon Steel Materials Co., Ltd. | はんだボールの搭載方法及び搭載装置 |
| JP2009044128A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | はんだバンプ形成方法 |
| JP2009099963A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | はんだバンプを有する配線基板の製造方法 |
| JP2009275079A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続材料及びそれを用いた回路部材の接続構造 |
| JP2009278128A (ja) * | 2009-08-17 | 2009-11-26 | Hitachi Metals Ltd | 導電性ボールの搭載装置 |
| JP2012019236A (ja) * | 2011-09-29 | 2012-01-26 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 配列用マスク |
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