JP3400125B2 - 部品実装方法 - Google Patents
部品実装方法Info
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- JP3400125B2 JP3400125B2 JP18771094A JP18771094A JP3400125B2 JP 3400125 B2 JP3400125 B2 JP 3400125B2 JP 18771094 A JP18771094 A JP 18771094A JP 18771094 A JP18771094 A JP 18771094A JP 3400125 B2 JP3400125 B2 JP 3400125B2
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- bumps
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。
産業上の利用分野
従来の技術
発明が解決しようとする課題（図１４〜図１６）
課題を解決するための手段（図１１）
作用（図１１）
実施例（図１〜図１３）
発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は部品実装方法に関し、例
えば半導体集積回路のチツプ部品を基板上に接続する際
に適用し得る。
えば半導体集積回路のチツプ部品を基板上に接続する際
に適用し得る。
【０００３】
【従来の技術】従来、半導体集積回路には、ウエハに複
数形成されてから別個のチツプに分離されただけのチツ
プ部品いわゆるベアチツプの状態で配線用回路基板上に
接続されるものがある。フリツプチツプ接続法では、配
線用回路基板との接続の前にベアチツプのそれぞれの電
極パツド上にはんだ等でなるほぼ球状のバンプが形成さ
れる。同様に、配線用回路基板側の電極パツドには、は
んだがコーテイングされたり、バンプが形成される。こ
の後、ベアチツプは電極パツドを配線用回路基板側の電
極パツド上に位置合わせして配線用回路基板と接続され
る。
数形成されてから別個のチツプに分離されただけのチツ
プ部品いわゆるベアチツプの状態で配線用回路基板上に
接続されるものがある。フリツプチツプ接続法では、配
線用回路基板との接続の前にベアチツプのそれぞれの電
極パツド上にはんだ等でなるほぼ球状のバンプが形成さ
れる。同様に、配線用回路基板側の電極パツドには、は
んだがコーテイングされたり、バンプが形成される。こ
の後、ベアチツプは電極パツドを配線用回路基板側の電
極パツド上に位置合わせして配線用回路基板と接続され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところがバンプの高さ
は、バンプを形成するときの幾つかの物理的な条件に応
じて不揃いになり易い。すなわち図１４に示すように、
ベアチツプのシリコン基板１上の電極パツド２上にはバ
ンプを形成する前にバリアメタル層３及び４が予め形成
される。このバリアメタル層３の面積がバリアメタル層
４の面積に比して相対的に大きく形成される場合、デポ
ジツトされるバンプ用はんだ層の厚さが同一であつて
も、バリアメタル層３上のはんだ層の体積は大きくな
る。これによりバリアメタル層３及び４上のバンプの高
さは、リフローして丸くされると、互いに異なることに
なる。因みに電極パツド２は保護膜５で互いに隔てられ
ている。
は、バンプを形成するときの幾つかの物理的な条件に応
じて不揃いになり易い。すなわち図１４に示すように、
ベアチツプのシリコン基板１上の電極パツド２上にはバ
ンプを形成する前にバリアメタル層３及び４が予め形成
される。このバリアメタル層３の面積がバリアメタル層
４の面積に比して相対的に大きく形成される場合、デポ
ジツトされるバンプ用はんだ層の厚さが同一であつて
も、バリアメタル層３上のはんだ層の体積は大きくな
る。これによりバリアメタル層３及び４上のバンプの高
さは、リフローして丸くされると、互いに異なることに
なる。因みに電極パツド２は保護膜５で互いに隔てられ
ている。
【０００５】また図１５に示すように、２つのバリアメ
タル層３上のレジスト６の開口部７及び８のうち、一方
の開口部８がバリアメタル層３を十分露出させなかつた
場合、開口部７の面積は開口部８の面積に比して大きく
なる。この場合も図１４で説明した場合と同様に、バン
プ用はんだ層の厚さが同一であつても、バリアメタル層
３上のバンプの高さは、リフローして丸くされると、互
いに異なることになる。
タル層３上のレジスト６の開口部７及び８のうち、一方
の開口部８がバリアメタル層３を十分露出させなかつた
場合、開口部７の面積は開口部８の面積に比して大きく
なる。この場合も図１４で説明した場合と同様に、バン
プ用はんだ層の厚さが同一であつても、バリアメタル層
３上のバンプの高さは、リフローして丸くされると、互
いに異なることになる。
【０００６】さらに図１６に示すように、バリアメタル
３上のレジスト開口部にデポジツトされたはんだ層９の
厚さが異なる場合、バリアメタル層３上のバンプの高さ
は、リフローして丸くされると、互いに異なることにな
る。上述したバンプの高さのばらつきは、めつき及び蒸
着法にかかわらず生じる。
３上のレジスト開口部にデポジツトされたはんだ層９の
厚さが異なる場合、バリアメタル層３上のバンプの高さ
は、リフローして丸くされると、互いに異なることにな
る。上述したバンプの高さのばらつきは、めつき及び蒸
着法にかかわらず生じる。
【０００７】さらに、バンプの高さのばらつきを生じさ
せる原因はバンプ形成後にも存在する。例えば、バンプ
を形成した基板１をチツプトレーに入れて運搬する際、
トレーが振動してバンプがトレーのふた等に衝突する
と、この衝突による力がバンプに加わつて、バンプが変
形することがある。上述したような高さのばらつきが生
じると、フリツプチツプ実装する際の実装歩留りが低下
するという問題があつた。
せる原因はバンプ形成後にも存在する。例えば、バンプ
を形成した基板１をチツプトレーに入れて運搬する際、
トレーが振動してバンプがトレーのふた等に衝突する
と、この衝突による力がバンプに加わつて、バンプが変
形することがある。上述したような高さのばらつきが生
じると、フリツプチツプ実装する際の実装歩留りが低下
するという問題があつた。
【０００８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、接続前の接続部材の高さの過不足による接続不良の
発生を防止して接続対象に対する電子部品の実装歩留り
を向上させ得る部品実装方法を提案しようとするもので
ある。
で、接続前の接続部材の高さの過不足による接続不良の
発生を防止して接続対象に対する電子部品の実装歩留り
を向上させ得る部品実装方法を提案しようとするもので
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、電子部品（１１）の複数の電極
（２）にそれぞれ形成された導電性のはんだバンプ（１
５）に、当該はんだバンプ（１５）の融点以上でも活性
力を保持する塗布剤（１９）を塗布した後、各はんだバ
ンプ（１５）をそれぞれ塗布剤（１９）を介して接続対
象（２０）に対応する複数の接続位置（２２）に接触さ
せて加熱することにより、当該接続位置（２２）にはん
だバンプ（１５）を接続して電子部品（１１）を接続対
象（２０）に実装する部品実装方法において、電子部品
（１１）の複数の電極（２）にそれぞれ付着したはんだ
層（９）を再溶融することによりはんだバンプ（１５）
を形成し、当該はんだバンプ（１５）に塗布剤（１９）
を塗布する前に、接続対象に形成された高さの異なる複
数の接続位置（２２）にそれぞれ対応するはんだバンプ
（１５）を押し付けることにより、各はんだバンプ（１
５）の高さをそれぞれ対応する接続位置（２２）の高さ
に合わせて変化させ、はんだバンプ（１５）の高さを接
続位置（２２）の高さに応じてそれぞれ異なる高さに調
節するようにした。
め本発明においては、電子部品（１１）の複数の電極
（２）にそれぞれ形成された導電性のはんだバンプ（１
５）に、当該はんだバンプ（１５）の融点以上でも活性
力を保持する塗布剤（１９）を塗布した後、各はんだバ
ンプ（１５）をそれぞれ塗布剤（１９）を介して接続対
象（２０）に対応する複数の接続位置（２２）に接触さ
せて加熱することにより、当該接続位置（２２）にはん
だバンプ（１５）を接続して電子部品（１１）を接続対
象（２０）に実装する部品実装方法において、電子部品
（１１）の複数の電極（２）にそれぞれ付着したはんだ
層（９）を再溶融することによりはんだバンプ（１５）
を形成し、当該はんだバンプ（１５）に塗布剤（１９）
を塗布する前に、接続対象に形成された高さの異なる複
数の接続位置（２２）にそれぞれ対応するはんだバンプ
（１５）を押し付けることにより、各はんだバンプ（１
５）の高さをそれぞれ対応する接続位置（２２）の高さ
に合わせて変化させ、はんだバンプ（１５）の高さを接
続位置（２２）の高さに応じてそれぞれ異なる高さに調
節するようにした。
【００１０】
【作用】接続対象（２０）に形成された複数の接続位置
（２２）の高さがそれぞれ異なる場合であつても、塗布
剤（１９）を塗布する前に、接続対象（２０）に形成さ
れた高さの異なる複数の接続位置（２２）にそれぞれ対
応するはんだバンプ（１５）を押し付けることにより、
各はんだバンプ（１５）の高さをそれぞれ対応する接続
位置（２２）の高さに合わせて変化させ、塗布剤（１
９）を塗布する前に予めはんだバンプ（１５）の高さを
接続位置（２２）の高さに応じてそれぞれ異なる高さに
調節しておくことにより、塗布剤（１９）を塗布して加
熱する際はんだバンプ（１５）と接続位置（２２）とを
一段と高い確率で接触させることができ、かくして接続
前にはんだバンプ（１５）の高さの過不足による接続不
良の発生を未然に防止して接続対象（２０）に対する電
子部品（１１）の実装歩留りを一段と向上させ得る。
（２２）の高さがそれぞれ異なる場合であつても、塗布
剤（１９）を塗布する前に、接続対象（２０）に形成さ
れた高さの異なる複数の接続位置（２２）にそれぞれ対
応するはんだバンプ（１５）を押し付けることにより、
各はんだバンプ（１５）の高さをそれぞれ対応する接続
位置（２２）の高さに合わせて変化させ、塗布剤（１
９）を塗布する前に予めはんだバンプ（１５）の高さを
接続位置（２２）の高さに応じてそれぞれ異なる高さに
調節しておくことにより、塗布剤（１９）を塗布して加
熱する際はんだバンプ（１５）と接続位置（２２）とを
一段と高い確率で接触させることができ、かくして接続
前にはんだバンプ（１５）の高さの過不足による接続不
良の発生を未然に防止して接続対象（２０）に対する電
子部品（１１）の実装歩留りを一段と向上させ得る。
【００１１】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１２】図１において、１０は全体として複数の集
積回路のベアチツプ１１を形成されたシリコンウエハを
示す。ベアチツプ１１にはそれぞれ電極パツド上にはん
だでなるバンプが複数形成されている。図２に示すよう
に、シリコンウエハ１０は、ダイサ等でダイシングさ
れ、複数のベアチツプ１１はそれぞれ分離される。図３
に示すように、ベアチツプ１１は裏側を真空ポンプによ
る負圧で吸着する吸着ヘツド１２によつて保持される。
続いて、はんだ層９の表面には、ウエツトバツク用フラ
ツクス１３が塗布あるいは転写される。
積回路のベアチツプ１１を形成されたシリコンウエハを
示す。ベアチツプ１１にはそれぞれ電極パツド上にはん
だでなるバンプが複数形成されている。図２に示すよう
に、シリコンウエハ１０は、ダイサ等でダイシングさ
れ、複数のベアチツプ１１はそれぞれ分離される。図３
に示すように、ベアチツプ１１は裏側を真空ポンプによ
る負圧で吸着する吸着ヘツド１２によつて保持される。
続いて、はんだ層９の表面には、ウエツトバツク用フラ
ツクス１３が塗布あるいは転写される。
【００１３】続いて、図４に示すように、吸着ヘツド１
２に内蔵されたヒータ１４は、はんだ層９を融点以上に
加熱し、はんだ層９を再溶融させる。これによりはんだ
層９は、球形状にウエツトバツクしたバンプ１５に形成
される。ウエツトバツクが終了するとヒータ１４は切ら
れ、ベアチツプ１１は冷却される。
２に内蔵されたヒータ１４は、はんだ層９を融点以上に
加熱し、はんだ層９を再溶融させる。これによりはんだ
層９は、球形状にウエツトバツクしたバンプ１５に形成
される。ウエツトバツクが終了するとヒータ１４は切ら
れ、ベアチツプ１１は冷却される。
【００１４】因みに、ウエツトバツク用フラツクス１３
は、バンプ１５の融点以上でも活性力を保持したものが
使用される。またはんだ層９をウエツトバツクさせる際
の雰囲気は、空気、窒素ガス、水素ガスのいずれでも良
い。ベアチツプ１１を冷却するときには、例えば窒素ブ
ロー等によつて強制的に冷却しても良い。洗浄液１７
は、ウエツトバツク用フラツクス１３に応じたものが使
用される。またベアチツプ１１は、必要に応じて洗浄後
リンスされる。
は、バンプ１５の融点以上でも活性力を保持したものが
使用される。またはんだ層９をウエツトバツクさせる際
の雰囲気は、空気、窒素ガス、水素ガスのいずれでも良
い。ベアチツプ１１を冷却するときには、例えば窒素ブ
ロー等によつて強制的に冷却しても良い。洗浄液１７
は、ウエツトバツク用フラツクス１３に応じたものが使
用される。またベアチツプ１１は、必要に応じて洗浄後
リンスされる。
【００１５】次に、図５に示すように、冷却されたベア
チツプ１１は、吸着ヘツド１２に吸着されたまま、洗浄
槽１６内の洗浄液１７中に浸漬される。続いて、図６に
示すように、ベアチツプ１１は、フラツクス容器１８内
に満たしたフリツプチツプポンデイング用フラツクス１
９中に浸漬される。
チツプ１１は、吸着ヘツド１２に吸着されたまま、洗浄
槽１６内の洗浄液１７中に浸漬される。続いて、図６に
示すように、ベアチツプ１１は、フラツクス容器１８内
に満たしたフリツプチツプポンデイング用フラツクス１
９中に浸漬される。
【００１６】このときベアチツプ１１は、バンプ１５が
フラツクス容器１８内の平らな底面１８Ａに所定の力
（バンプ１つで１〜２〔gf〕（ 9.8〜19.6〔mN〕）程度
の力）で押し付けられる。これによりベアチツプ１１
は、それぞれのバンプ１５の高さが同一に揃えられる。
この後、図７に示すように、ベアチツプ１１が引き上げ
られると、それぞれのバンプ１５には、フラツクス１９
が必要量だけ塗布されたことになる。
フラツクス容器１８内の平らな底面１８Ａに所定の力
（バンプ１つで１〜２〔gf〕（ 9.8〜19.6〔mN〕）程度
の力）で押し付けられる。これによりベアチツプ１１
は、それぞれのバンプ１５の高さが同一に揃えられる。
この後、図７に示すように、ベアチツプ１１が引き上げ
られると、それぞれのバンプ１５には、フラツクス１９
が必要量だけ塗布されたことになる。
【００１７】因みに、フラツクス容器１８の深さは、バ
ンプ１５の高さが80〔μｍ〕程度のとき、50〜60〔μ
ｍ〕程度である。またフラツクス１９の深さはバンプ１
５の高さに応じて調節される。
ンプ１５の高さが80〔μｍ〕程度のとき、50〜60〔μ
ｍ〕程度である。またフラツクス１９の深さはバンプ１
５の高さに応じて調節される。
【００１８】次に、図８に示すように、配線用回路基板
２０上に配されたランド２１上には、例えば共晶はんだ
等の低融点はんだでなるはんだプリコート２２が形成さ
れており、このはんだプリコート２２上に位置合わせし
て、ベアチツプ１１はマウントされる。このとき、吸着
ヘツド１２はヒータ１４で加熱される。これにより図９
に示すように、バンプ１５の温度が上昇し、バンプ１５
とはんだプリコート２２とが溶融した接続部２３が形成
される。
２０上に配されたランド２１上には、例えば共晶はんだ
等の低融点はんだでなるはんだプリコート２２が形成さ
れており、このはんだプリコート２２上に位置合わせし
て、ベアチツプ１１はマウントされる。このとき、吸着
ヘツド１２はヒータ１４で加熱される。これにより図９
に示すように、バンプ１５の温度が上昇し、バンプ１５
とはんだプリコート２２とが溶融した接続部２３が形成
される。
【００１９】以上の構成において、ベアチツプ１１に
は、高さが不揃いなバンプ１５が形成されていると共
に、配線用回路基板２０には、高さが揃つたはんだプリ
コート２２が形成されているものとする。すなわち図１
０に示すように、ベアチツプ１１の電極パツド２上には
大きめのバンプ１５Ａ及び小さめのバンプ１５Ｂが複数
形成されている。この場合、ベアチツプ１１はフラツク
ス容器１８内で所定の力で底面１８Ａに押し付けられ、
まず大きめのバンプ１５Ａが底面１８Ａに当接する。
は、高さが不揃いなバンプ１５が形成されていると共
に、配線用回路基板２０には、高さが揃つたはんだプリ
コート２２が形成されているものとする。すなわち図１
０に示すように、ベアチツプ１１の電極パツド２上には
大きめのバンプ１５Ａ及び小さめのバンプ１５Ｂが複数
形成されている。この場合、ベアチツプ１１はフラツク
ス容器１８内で所定の力で底面１８Ａに押し付けられ、
まず大きめのバンプ１５Ａが底面１８Ａに当接する。
【００２０】続いて、バンプ１５Ａは偏平に変形する。
これにより、図１１に示すように、偏平に変形したバン
プ１５Ａの高さを、小さめのバンプ１５Ｂの高さに揃え
ることができる。これによりバンプ１５Ａ及び１５Ｂに
フラツクス１９を十分に塗布することができると共に、
高さが揃つたバンプ１５Ａ及び１５Ｂをはんだプリコー
ト２２に位置合わせすると、バンプ１５Ａ及び１５Ｂと
はんだプリコート２２とを一段と高い確率で接触させる
ことができる。
これにより、図１１に示すように、偏平に変形したバン
プ１５Ａの高さを、小さめのバンプ１５Ｂの高さに揃え
ることができる。これによりバンプ１５Ａ及び１５Ｂに
フラツクス１９を十分に塗布することができると共に、
高さが揃つたバンプ１５Ａ及び１５Ｂをはんだプリコー
ト２２に位置合わせすると、バンプ１５Ａ及び１５Ｂと
はんだプリコート２２とを一段と高い確率で接触させる
ことができる。
【００２１】続いて、ヒータ１４で加熱すると接続部２
３が従来に比して一段と高い確率で形成されることによ
り、ベアチツプ１１と配線用回路基板２０との接続不良
が未然に防止される。従つて歩留りを一段と向上させる
ことができる。
３が従来に比して一段と高い確率で形成されることによ
り、ベアチツプ１１と配線用回路基板２０との接続不良
が未然に防止される。従つて歩留りを一段と向上させる
ことができる。
【００２２】以上の構成によれば、配線用回路基板２０
に接続する前に、ベアチツプ１１の電極２上に形成した
バンプ１５をフラツクス容器１８内の平坦な底面１８Ａ
に押圧して、バンプ１５をこれに対応する位置及び所定
の高さで受け止めさせて、バンプ１５の高さを配線用回
路基板２０側のはんだプリコート２２の高さに合わせて
調節することによつて、接続前のバンプ１５の高さの過
不足による接続不良の発生を未然に防止して配線用回路
基板２０に対するベアチツプ１１の実装歩留りを一段と
向上させることができる。
に接続する前に、ベアチツプ１１の電極２上に形成した
バンプ１５をフラツクス容器１８内の平坦な底面１８Ａ
に押圧して、バンプ１５をこれに対応する位置及び所定
の高さで受け止めさせて、バンプ１５の高さを配線用回
路基板２０側のはんだプリコート２２の高さに合わせて
調節することによつて、接続前のバンプ１５の高さの過
不足による接続不良の発生を未然に防止して配線用回路
基板２０に対するベアチツプ１１の実装歩留りを一段と
向上させることができる。
【００２３】なお上述の実施例においては、高さが異な
るバンプ１５Ａ及び１５Ｂをフラツクス容器１８の底面
１８Ａに押し付けて平坦化処理する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、それぞれのバンプ１５の高
さが不揃いであると共に、それぞれのはんだプリコート
２２の高さも不揃いである場合にも適用し得る。この場
合にも上述と同様の効果を得ることができる。
るバンプ１５Ａ及び１５Ｂをフラツクス容器１８の底面
１８Ａに押し付けて平坦化処理する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、それぞれのバンプ１５の高
さが不揃いであると共に、それぞれのはんだプリコート
２２の高さも不揃いである場合にも適用し得る。この場
合にも上述と同様の効果を得ることができる。
【００２４】図１２に示すように、配線用回路基板２０
のランド２１上に形成されたはんだプリコート２２の高
さが不揃いである（はんだプリコート２２Ａに比しては
んだプリコート２２Ｂが低い）場合、バンプの高さが揃
つていても、ベアチツプ１１を実装するとき接続不良が
生じるおそれがある。またバンプの高さが不揃いである
場合、接続不良が発生する確率は一層増加する。
のランド２１上に形成されたはんだプリコート２２の高
さが不揃いである（はんだプリコート２２Ａに比しては
んだプリコート２２Ｂが低い）場合、バンプの高さが揃
つていても、ベアチツプ１１を実装するとき接続不良が
生じるおそれがある。またバンプの高さが不揃いである
場合、接続不良が発生する確率は一層増加する。
【００２５】これを避けるため次の処理を実施する。図
１３に示すように、ウエツトバツクさせて洗浄したベア
チツプ１１を吸着ヘツド１２で保持して、配線用回路基
板２０の対応するはんだプリコート２２に位置合わせす
る。続いて、吸着ヘツド１２を下降させ、はんだプリコ
ート２２にバンプ１５を押し当てる。このとき一つのバ
ンプにつき 9.8〜19.6〔mN〕の荷重を加えると、バンプ
１５のうち高いもの（すなわちバンプ１５Ａ）は変形
し、はんだプリコート２２の高さにならう。これにより
はんだプリコート２２とバンプ１５との双方の高さの不
揃いが互いに相手に合わせて取り除かれたことになる。
１３に示すように、ウエツトバツクさせて洗浄したベア
チツプ１１を吸着ヘツド１２で保持して、配線用回路基
板２０の対応するはんだプリコート２２に位置合わせす
る。続いて、吸着ヘツド１２を下降させ、はんだプリコ
ート２２にバンプ１５を押し当てる。このとき一つのバ
ンプにつき 9.8〜19.6〔mN〕の荷重を加えると、バンプ
１５のうち高いもの（すなわちバンプ１５Ａ）は変形
し、はんだプリコート２２の高さにならう。これにより
はんだプリコート２２とバンプ１５との双方の高さの不
揃いが互いに相手に合わせて取り除かれたことになる。
【００２６】バンプ１５を変形させた後、ベアチツプ１
１はフラツクス容器１８内のフラツクス１９に浸漬され
て、バンプ１５にフラツクス１９が塗布される。続い
て、ベアチツプ１１は、配線用回路基板２０の対応する
はんだプリコート２２上に再度位置合わせしてマウント
される。因みに、はんだプリコート２２上にもフラツク
ス１９を塗布しておいても良い。
１はフラツクス容器１８内のフラツクス１９に浸漬され
て、バンプ１５にフラツクス１９が塗布される。続い
て、ベアチツプ１１は、配線用回路基板２０の対応する
はんだプリコート２２上に再度位置合わせしてマウント
される。因みに、はんだプリコート２２上にもフラツク
ス１９を塗布しておいても良い。
【００２７】また上述の実施例においては、バンプ１５
をフラツクス容器１８内のフラツクス１９に浸漬してフ
ラツクス１９を塗布し、吸着ヘツド１２内のヒータ１４
で加熱する場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、バンプ１５にフラツクス１９を付着させる方法や、
バンプ１５を溶融する方法は、例えばフラツクス１９を
噴霧して付着させ、リフロー炉等により加熱する等、任
意の方法を使用して良い。
をフラツクス容器１８内のフラツクス１９に浸漬してフ
ラツクス１９を塗布し、吸着ヘツド１２内のヒータ１４
で加熱する場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、バンプ１５にフラツクス１９を付着させる方法や、
バンプ１５を溶融する方法は、例えばフラツクス１９を
噴霧して付着させ、リフロー炉等により加熱する等、任
意の方法を使用して良い。
【００２８】さらに上述の実施例においては、半導体集
積回路のベアチツプ１１を配線用回路基板２０に接続す
る場合について述べたが、本発明はこれに限らず、半導
体集積回路のベアチツプ以外の電子部品を配線用回路基
板に接続する場合にも適用できる。
積回路のベアチツプ１１を配線用回路基板２０に接続す
る場合について述べたが、本発明はこれに限らず、半導
体集積回路のベアチツプ以外の電子部品を配線用回路基
板に接続する場合にも適用できる。
【００２９】さらに上述の実施例においては、配線用回
路基板２０上に配されたランド２１上に、はんだプリコ
ート２２が形成される場合について述べたが、本発明は
これに限らず、ランド２１上にはんだ等を付着しない場
合やはんだプリコート２２に代えてバンプを形成する場
合にも適用できる。
路基板２０上に配されたランド２１上に、はんだプリコ
ート２２が形成される場合について述べたが、本発明は
これに限らず、ランド２１上にはんだ等を付着しない場
合やはんだプリコート２２に代えてバンプを形成する場
合にも適用できる。
【００３０】さらに上述の実施例においては、フラツク
ス容器１８内の底面１８Ａに押し付けて、バンプ１５の
高さを調節する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、洗浄槽１６内の底面や、接続前の工程で使用す
る任意の対象に押し付けて、バンプ１５の高さを調節す
る場合にも適用できる。
ス容器１８内の底面１８Ａに押し付けて、バンプ１５の
高さを調節する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、洗浄槽１６内の底面や、接続前の工程で使用す
る任意の対象に押し付けて、バンプ１５の高さを調節す
る場合にも適用できる。
【００３１】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、接続対象
に形成された複数の接続位置の高さがそれぞれ異なる場
合であつても、塗布剤を塗布する前に、接続対象に形成
された高さの異なる複数の接続位置にそれぞれ対応する
はんだバンプを押し付けることにより、各はんだバンプ
の高さをそれぞれ対応する接続位置の高さに合わせて変
化させ、塗布剤を塗布する前に予めはんだバンプの高さ
を接続位置の高さに応じてそれぞれ異なる高さに調節し
ておくことにより、塗布剤を塗布して加熱する際はんだ
バンプと接続位置とを一段と高い確率で接触させること
ができ、かくして接続前にはんだバンプの高さの過不足
による接続不良の発生を未然に防止して接続対象に対す
る電子部品の実装歩留りを一段と向上させ得る部品実装
方法を実現できる。
に形成された複数の接続位置の高さがそれぞれ異なる場
合であつても、塗布剤を塗布する前に、接続対象に形成
された高さの異なる複数の接続位置にそれぞれ対応する
はんだバンプを押し付けることにより、各はんだバンプ
の高さをそれぞれ対応する接続位置の高さに合わせて変
化させ、塗布剤を塗布する前に予めはんだバンプの高さ
を接続位置の高さに応じてそれぞれ異なる高さに調節し
ておくことにより、塗布剤を塗布して加熱する際はんだ
バンプと接続位置とを一段と高い確率で接触させること
ができ、かくして接続前にはんだバンプの高さの過不足
による接続不良の発生を未然に防止して接続対象に対す
る電子部品の実装歩留りを一段と向上させ得る部品実装
方法を実現できる。
【図１】バンプ付きチツプが複数形成されたウエハを示
す略線図である。
す略線図である。
【図２】ウエハがダイシングされて複数のベアチツプに
分離されたことを示す略線図である。
分離されたことを示す略線図である。
【図３】ベアチツプのバンプ用はんだ層が形成された側
にウエツトバツク用フラツクスが塗布された状態を示す
断面図である。
にウエツトバツク用フラツクスが塗布された状態を示す
断面図である。
【図４】ヒータによつてウエツトバツクしたはんだ層が
球状のバンプに形成された状態を示す断面図である。
球状のバンプに形成された状態を示す断面図である。
【図５】ベアチツプが洗浄槽に浸漬された状態を示す断
面図である。
面図である。
【図６】ベアチツプがフラツクス容器に浸漬された状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】バンプにフラツクスが塗布された状態を示す断
面図である。
面図である。
【図８】ベアチツプが配線用回路基板上に位置合わせさ
れた状態を示す断面図である。
れた状態を示す断面図である。
【図９】バンプ及びはんだプリコートが加熱により溶融
して、接続部が形成された状態を示す断面図である。
して、接続部が形成された状態を示す断面図である。
【図１０】高さが不揃いな平坦化処理前のバンプを示す
断面図である。
断面図である。
【図１１】本発明による部品実装方法の一実施例による
平坦化処理後のバンプの形状を示す断面図である。
平坦化処理後のバンプの形状を示す断面図である。
【図１２】他の実施例による平坦化処理の説明に供す
る、配線用回路基板の高さが不揃いなはんだプリコート
を示す断面図である。
る、配線用回路基板の高さが不揃いなはんだプリコート
を示す断面図である。
【図１３】他の実施例による平坦化処理後のバンプ及び
はんだプリコートを示す断面図である。
はんだプリコートを示す断面図である。
【図１４】ベアチツプのシリコン基板側電極パツドに形
成されたバリアメタル層の面積が異なる場合の説明に供
する断面図である。
成されたバリアメタル層の面積が異なる場合の説明に供
する断面図である。
【図１５】バンプ形成用レジスト開口部の面積が異なる
場合の説明に供する断面図である。
場合の説明に供する断面図である。
【図１６】バリアメタル層上に形成されたはんだのデポ
ジツト量が異なる場合の説明に供する断面図である。
ジツト量が異なる場合の説明に供する断面図である。
１……ベアチツプのシリコン基板、２……電極パツド、
３、４……バリアメタル層、５……保護膜、６……レジ
スト、７、８……開口部、９……はんだ層、１０……シ
リコンウエハ、１１……ベアチツプ、１２……吸着ヘツ
ド、１３……フラツクス、１４……ヒータ、１５、１５
Ａ、１５Ｂ……バンプ、１６……洗浄槽、１７……洗浄
液、１８……フラツクス容器、１８Ａ……底面、１９…
…フラツクス、２０……配線用回路基板、２１……ラン
ド、２２、２２Ａ、２２Ｂ……はんだプリコート、２３
……接続部。
３、４……バリアメタル層、５……保護膜、６……レジ
スト、７、８……開口部、９……はんだ層、１０……シ
リコンウエハ、１１……ベアチツプ、１２……吸着ヘツ
ド、１３……フラツクス、１４……ヒータ、１５、１５
Ａ、１５Ｂ……バンプ、１６……洗浄槽、１７……洗浄
液、１８……フラツクス容器、１８Ａ……底面、１９…
…フラツクス、２０……配線用回路基板、２１……ラン
ド、２２、２２Ａ、２２Ｂ……はんだプリコート、２３
……接続部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
Claims (2)
- 【請求項１】電子部品の複数の電極にそれぞれ形成され
た導電性のはんだバンプに、当該はんだバンプの融点以
上でも活性力を保持する塗布剤を塗布した後、各上記は
んだバンプをそれぞれ上記塗布剤を介して接続対象に対
応する複数の接続位置に接触させて加熱することによ
り、当該接続位置に上記はんだバンプを接続して上記電
子部品を上記接続対象に実装する部品実装方法におい
て、上記電子部品の上記複数の電極にそれぞれ付着したはん
だ層を再溶融することにより上記はんだバンプを形成
し、 上記はんだバンプに上記塗布剤を塗布する前に、上記接
続対象に形成された高さの異なる複数の上記接続位置に
それぞれ対応する上記はんだバンプを押し付けることに
より、各上記はんだバンプの高さをそれぞれ対応する上
記接続位置の高さに合わせて変化させ、上記はんだバン
プの高さを上記接続位置の高さに応じてそれぞれ異なる
高さに調節する ことを特徴とする部品実装方法。 - 【請求項２】上記接続対象は、複数のランドが配された
絶縁基板でなり、 上記接続位置は、複数の上記ランド又は当該複数のラン
ド上にそれぞれ付着されたはんだ層でなることを特徴と
する請求項１に記載の部品実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18771094A JP3400125B2 (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 部品実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18771094A JP3400125B2 (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 部品実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831875A JPH0831875A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3400125B2 true JP3400125B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=16210820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18771094A Expired - Fee Related JP3400125B2 (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 部品実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3400125B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2951882B2 (ja) * | 1996-03-06 | 1999-09-20 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法及びこれを用いて製造した半導体装置 |
| JP3409957B2 (ja) * | 1996-03-06 | 2003-05-26 | 松下電器産業株式会社 | 半導体ユニット及びその形成方法 |
| JP3420917B2 (ja) | 1997-09-08 | 2003-06-30 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-07-18 JP JP18771094A patent/JP3400125B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831875A (ja) | 1996-02-02 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |