JPH06124953A - 半導体装置のバンプ形成方法 - Google Patents
半導体装置のバンプ形成方法Info
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- JPH06124953A JPH06124953A JP4272581A JP27258192A JPH06124953A JP H06124953 A JPH06124953 A JP H06124953A JP 4272581 A JP4272581 A JP 4272581A JP 27258192 A JP27258192 A JP 27258192A JP H06124953 A JPH06124953 A JP H06124953A
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- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
Abstract
(57)【要約】
【目的】 金バンプが形成された半導体装置を回路基板
に歩留りよく実装し、かつリペア作業を容易に行なうた
め、半導体装置に、はんだを精度よく、かつ容易に供給
する。 【構成】 はんだに反応しない材質からなる平坦な転写
プレート３の、半導体装置の金バンプ２に合致する位置
に穴４を形成し、この穴部にクリームはんだを供給す
る。半導体装置をフェイスダウン状で、該プレート上に
位置合わせ載置後リフローし、穴部はんだを半導体装置
に供給する。
に歩留りよく実装し、かつリペア作業を容易に行なうた
め、半導体装置に、はんだを精度よく、かつ容易に供給
する。 【構成】 はんだに反応しない材質からなる平坦な転写
プレート３の、半導体装置の金バンプ２に合致する位置
に穴４を形成し、この穴部にクリームはんだを供給す
る。半導体装置をフェイスダウン状で、該プレート上に
位置合わせ載置後リフローし、穴部はんだを半導体装置
に供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のバンプ技
術に関する。
術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置を高密度に実装する工
法として、半導体装置にバンプを形成し、回路基板に直
接接続するフリップチップ技術やＴＡＢ技術の開発が活
発に行なわれている。従来、このバンプ形成は、半導体
装置のアルミ電極上に、数種の金属膜を積層後、はんだ
材料をメッキ、蒸着等の方法で形成し、リフローによ
り、球状のバンプを形成している。しかしながら、この
方法は膜形成、加工に複雑なプロセスが必要で半導体装
置のコストアップ要因となっている。
法として、半導体装置にバンプを形成し、回路基板に直
接接続するフリップチップ技術やＴＡＢ技術の開発が活
発に行なわれている。従来、このバンプ形成は、半導体
装置のアルミ電極上に、数種の金属膜を積層後、はんだ
材料をメッキ、蒸着等の方法で形成し、リフローによ
り、球状のバンプを形成している。しかしながら、この
方法は膜形成、加工に複雑なプロセスが必要で半導体装
置のコストアップ要因となっている。
【０００３】又、上記バンプ形成プロセスの複雑さを回
避し、比較的容易にバンプを形成する方法として、従来
のワイヤボンディング技術を応用して金バンプを半導体
装置の電極上に直接形成する方法が開発され、こうして
得られた金バンプ付半導体装置を、印刷法により、クリ
ームはんだを供給した回路基板に搭載し、リフローによ
るはんだ溶融により、半導体装置と回路基板の接続を得
る方法がある。
避し、比較的容易にバンプを形成する方法として、従来
のワイヤボンディング技術を応用して金バンプを半導体
装置の電極上に直接形成する方法が開発され、こうして
得られた金バンプ付半導体装置を、印刷法により、クリ
ームはんだを供給した回路基板に搭載し、リフローによ
るはんだ溶融により、半導体装置と回路基板の接続を得
る方法がある。
【０００４】しかしながら、印刷法により回路基板には
んだを供給する方法では、 （１）微細、狭ピッチ電極に対し、安定して精度よく微
量のクリームはんだを供給することは極めて困難であ
る。
んだを供給する方法では、 （１）微細、狭ピッチ電極に対し、安定して精度よく微
量のクリームはんだを供給することは極めて困難であ
る。
【０００５】（２）回路基板上に、複数の半導体装置を
実装し、その後の検査により、不良部品をリペアする
際、該当位置のみに、再度はんだを供給することは困難
である。 等の課題を有している。
実装し、その後の検査により、不良部品をリペアする
際、該当位置のみに、再度はんだを供給することは困難
である。 等の課題を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本題は上記課題に鑑
み、金バンプが形成された半導体装置を回路基板に歩留
りよく実装し、かつリペア作業を容易に行なうため、半
導体装置側にはんだを精度よく、かつ容易に供給する方
法を提供することにある。
み、金バンプが形成された半導体装置を回路基板に歩留
りよく実装し、かつリペア作業を容易に行なうため、半
導体装置側にはんだを精度よく、かつ容易に供給する方
法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】はんだに反応しない（は
んだに漏れない）材質からなる平坦な転写プレートの、
金バンプ位置に合致する位置に形成された所定の容積を
もつ穴に、クリームはんだを塗り込める形で供給し、そ
の後、半導体装置を金バンプと転写プレートの穴が合致
するよう位置合わせ後、プレート上に載置する。この状
態で、転写プレートをリフローすることにより、クリー
ムはんだを溶融し、転写プレートの穴部はんだを半導体
装置の金バンプ側に供給する。これにより、金バンプを
芯とし、はんだ材を外殻とする構造の金バンプが形成さ
れる。
んだに漏れない）材質からなる平坦な転写プレートの、
金バンプ位置に合致する位置に形成された所定の容積を
もつ穴に、クリームはんだを塗り込める形で供給し、そ
の後、半導体装置を金バンプと転写プレートの穴が合致
するよう位置合わせ後、プレート上に載置する。この状
態で、転写プレートをリフローすることにより、クリー
ムはんだを溶融し、転写プレートの穴部はんだを半導体
装置の金バンプ側に供給する。これにより、金バンプを
芯とし、はんだ材を外殻とする構造の金バンプが形成さ
れる。
【０００８】
【作用】本発明によるバンプ形成方法によれば、所定の
位置に穴の形成された転写プレートを用いることによ
り、従来印刷法では極めて困難であったバンプ部への微
量はんだ供給を、容易に精度よく行なうことが出来る。
位置に穴の形成された転写プレートを用いることによ
り、従来印刷法では極めて困難であったバンプ部への微
量はんだ供給を、容易に精度よく行なうことが出来る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【００１０】図１は、本発明によるバンプ形成方法の概
略を示すもので、１は半導体装置であり、ボールボンデ
ィング法等により金バンプ２が形成されている。３は、
転写プレートであり、はんだに反応しない材質、たとえ
ば、ガラス、セラミックス、ステンレスなどからなり、
バンプに合致する位置に４に示す穴を設けている。
略を示すもので、１は半導体装置であり、ボールボンデ
ィング法等により金バンプ２が形成されている。３は、
転写プレートであり、はんだに反応しない材質、たとえ
ば、ガラス、セラミックス、ステンレスなどからなり、
バンプに合致する位置に４に示す穴を設けている。
【００１１】半導体装置１をフェイスダウン状で、転写
プレート３の穴部４と金バンプ２が合致するよう位置合
わせ後、載置し、リフローする。
プレート３の穴部４と金バンプ２が合致するよう位置合
わせ後、載置し、リフローする。
【００１２】図２により、本発明のバンプ形成法をさら
に詳細に説明する。図２（ａ）は、転写プレート３の穴
部４にスキージ５により、クリームはんだ６を供給して
いる状態を示している。穴部４の大きさは、所要のはん
だ量から計算される容積に設計されている。クリームは
んだは、穴部に塗り込める形で供給されるため、従来の
印刷工程のような、厳密なマスク位置合わせや、クリー
ムはんだの版抜け性、ダレ、にじみなどに多大のノウハ
ウや技術を必要としない。図２（ｂ）は、クリームはん
だを供給した転写プレート上に、半導体装置１を位置合
わせ載置した状態を示す。図２（ｂ）の状態でリフロー
すると、穴部ののクリームはんだは溶融し、転写プレー
トは、はんだに濡れないため、金バンプ側に全て吸い上
げられ、図２（ｃ）のように金バンプを被覆する形では
んだが供給される。その後、わずかな力を加えれば、半
導体装置やバンプを損なうことなく、容易に半導体装置
を取りはずすことができる。図２（ｂ）は、転写プレー
トより半導体装置を取りはずした状態を示す。さらに洗
浄工程を経て、芯部を金、外殻部をはんだとする構造の
バンプをもつ半導体装置を得る。
に詳細に説明する。図２（ａ）は、転写プレート３の穴
部４にスキージ５により、クリームはんだ６を供給して
いる状態を示している。穴部４の大きさは、所要のはん
だ量から計算される容積に設計されている。クリームは
んだは、穴部に塗り込める形で供給されるため、従来の
印刷工程のような、厳密なマスク位置合わせや、クリー
ムはんだの版抜け性、ダレ、にじみなどに多大のノウハ
ウや技術を必要としない。図２（ｂ）は、クリームはん
だを供給した転写プレート上に、半導体装置１を位置合
わせ載置した状態を示す。図２（ｂ）の状態でリフロー
すると、穴部ののクリームはんだは溶融し、転写プレー
トは、はんだに濡れないため、金バンプ側に全て吸い上
げられ、図２（ｃ）のように金バンプを被覆する形では
んだが供給される。その後、わずかな力を加えれば、半
導体装置やバンプを損なうことなく、容易に半導体装置
を取りはずすことができる。図２（ｂ）は、転写プレー
トより半導体装置を取りはずした状態を示す。さらに洗
浄工程を経て、芯部を金、外殻部をはんだとする構造の
バンプをもつ半導体装置を得る。
【００１３】又、転写プレートは、洗浄後、再度使用で
きる。
きる。
【００１４】
【発明の効果】本発明のバンプ形成方法によれば、従来
の精細パターン印刷に必要であった厳しい位置合わせや
印刷条件の管理などを必要とせず、容易に、精度よく微
量なはんだを供給出来、これにより、歩留りの高いバン
プ形成が可能となる。
の精細パターン印刷に必要であった厳しい位置合わせや
印刷条件の管理などを必要とせず、容易に、精度よく微
量なはんだを供給出来、これにより、歩留りの高いバン
プ形成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理概略図
【図２】本発明の実施例の工程断面図
１ 半導体装置 ２ 金バンプ ３ 転写プレート ４ 穴部 ５ スキージ ６ クリームはんだ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 彰 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】半導体装置の複数の電極上に突起電極（バ
ンプ）を形成する工程と、前記半導体装置の電極の位置
に対応して転写プレート上に形成された所定の形状の複
数の穴部にクリームはんだを供給する工程と、前記半導
体装置の電極及び前記転写プレートの穴部の位置を合わ
せるように前記半導体装置と前記転写プレートの穴部を
合致させ、前記クリームはんだをリフローする工程と、
前記半導体装置を前記転写プレートより分離することに
より周辺に前記クリームはんだが被覆されたバンプを形
成する工程とを備えた半導体装置のバンプ形成方法。 - 【請求項２】請求項１において、転写プレートがはんだ
に漏れない材料からなることを特徴とする半導体装置の
バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4272581A JPH06124953A (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 半導体装置のバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4272581A JPH06124953A (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 半導体装置のバンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124953A true JPH06124953A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17515915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4272581A Pending JPH06124953A (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 半導体装置のバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124953A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5959346A (en) * | 1996-11-11 | 1999-09-28 | Fujitsu Limited | Method for fabricating metal bumps onto electronic device |
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| US6528346B2 (en) | 1994-01-20 | 2003-03-04 | Fujitsu Limited | Bump-forming method using two plates and electronic device |
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-
1992
- 1992-10-12 JP JP4272581A patent/JPH06124953A/ja active Pending
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