JPH0957432A - 半田供給用キャリア - Google Patents

半田供給用キャリア

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JPH0957432A
JPH0957432A JP23604795A JP23604795A JPH0957432A JP H0957432 A JPH0957432 A JP H0957432A JP 23604795 A JP23604795 A JP 23604795A JP 23604795 A JP23604795 A JP 23604795A JP H0957432 A JPH0957432 A JP H0957432A
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JP
Japan
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solder
ball
substrate
supply carrier
carrier
Prior art date
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Pending
Application number
JP23604795A
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English (en)
Inventor
Kazuhito Yamada
和仁 山田
Yoshinori Wakihara
義範 脇原
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0957432A publication Critical patent/JPH0957432A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体パッケージ用基板等に形成された接続
パッド等の配置パターンに対応して、半田ボールを接着
剤層を介して支持体上に接着することにより、供給半田
量にばらつきを生じることなく極めて低いコストをもっ
て接続パッド等上に半田バンプ等を形成することができ
る半田供給用キャリアを提供する。 【解決手段】 ポリイミドフィルム2の一面に形成され
た接着剤層3に、基板13に形成される接続パッド14
の配置パターンに対応して、半田ボール4を接着するこ
とにより、半田供給用キャリア1を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、FCB( Flip Ch
ip Bonding )用基板や、BGA( Ball Grid Array )
等の各種の半導体パッケージ用基板等における内部ある
いは外部接続パッドへの半田バンプの形成、TAB( T
ape Automated Bonding )用基板、TCP( Tape Carr
ier Package )、QFP( Quad Flat Package)等を搭
載する基板上の接続ランドへの半田のプリコート、PG
A( Pin Grid Array )におけるピンの半田接続等、各
種接続パッド等に半田を供給可能な半田供給用キャリア
に関し、特に、これら接続パッド等の配置パターンに対
応して、半田ボールを接着剤層を介して支持体上に接着
することにより、供給半田量にばらつきを生じることな
く極めて低いコストをもって接続パッド等上に半田バン
プ等を形成することが可能な半田供給用キャリアに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体チップが搭載される各
種半導体パッケージ用基板等における接続パッド等に半
田を供給する方法として各種の半田供給方法が提案され
ている。例えば、半導体パッケージ用基板等における複
数の各接続パッドの配置パターンに対応して開口が設け
られたメタルマスクを上方に配置し、メタルマスクの上
面からクリーム半田を塗布することにより、各接続パッ
ド上にクリーム半田を印刷形成した後、加熱リフロー処
理を行い半田溶融させて各接続パッド上に半田バンプを
形成する方法がある。しかし、かかる方法においては、
メタルマスクにおける各開口のサイズは微小なものであ
ることから、クリーム半田は各開口に入り難く、また、
各開口に入った後には開口から抜け難く開口の壁面に残
存してしまう傾向がある。更に、各接続パッド上で半田
ボールが発生して不要な半田が接続パッド上に残ってし
まう傾向もある。このように、各接続パッド上にクリー
ム半田を印刷形成する方法では、各接続パッドに供給さ
れる半田量をコントロールすることが困難なものであ
り、この結果、半田量がばらつきが発生するという問題
がある。
【0003】そこで、前記のような問題を解消すべく、
半導体パッケージ用基板等に形成される複数の各接続パ
ッドの配置パターンに対応して必要な半田層を予めキャ
リアフィルム等の支持体上に形成しておき、支持体の各
半田層と半導体パッケージ用基板の各接続パッドとを相
互に重ね合わせた状態で、加熱治具を介して加熱処理を
行ったり、また、加熱リフロー処理を行うことにより、
各半田層を各接続パッドに供給する方法が提案されてい
る。
【0004】例えば、特開昭63−45891号公報に
は、耐熱性の支持体フィルムの表面における所定箇所に
て電解メッキ法により選択的に付着させた複数の半田層
を有し、加熱により半田層が電子回路素子等の被転写体
の所定箇所に転写される半田転写キャリアフィルムが記
載されている。かかる半田転写キャリアフィルムを使用
して半田層を被転写体(プリント回路基板等)の所定箇
所に形成されたランド、リード等に転写するには、半田
転写キャリアフィルムの各半田層と被転写体の各ランド
等とが相互に対向するように重ねて配置するとともに、
半田層が形成されていない半田転写キャリアフィルムの
面側から加熱治具を介して加圧し、各半田層を溶融させ
ることにより各半田層を被転写体の各ランド等上に転写
するものである。
【0005】また、特開平3−106590号公報に
は、樹脂フィルム上に被予備半田対象物(基板)におけ
る被予備半田パターン(導体回路)に対応してパターン
化しつつエッチング法や半田メッキ法により付着させら
れた半田を有する半田供給フィルムが記載されている。
かかる半田供給フィルムを使用して半田を基板の導体回
路に供給するには、半田供給用フィルムの半田と基板の
導体回路とが相互に対向するように重ねて配置した状態
で加熱リフロー処理を行った後、樹脂フィルムを基板か
ら剥すことにより、導体回路上に半田を供給するもので
ある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記各
特開昭63−45891号公報、特開平3−10659
0号公報に記載されているように、半田転写キャリアフ
ィルムや半田供給用フィルムに半田を形成するについて
電解メッキ法を使用する場合、半田の形成に時間がかか
ってしまい、これによりコストが高くなる問題がある。
また、メッキ法による場合、フィルム上に均一な半田を
形成するためには常にメッキ液を一定の条件に管理する
必要があるが、このようにメッキ液を一定の条件に管理
することは一般に難しいものであり、この結果、フィル
ム上に形成される半田の組成にばらつきが生じてしまう
問題がある。
【0007】また、特開平3−106590号公報に記
載されているように、樹脂フィルムに半田を形成するに
ついてエッチング法を採用する場合には、樹脂フィルム
に圧着された半田箔を選択的にエッチングして半田を形
成する関係上、樹脂フィルムに対する半田箔の圧着工
程、半田箔を選択的に露出させるべくマスキング剤によ
る半田箔のマスキング工程、半田箔のエッチング工程が
必要となること、また、エッチングにて除去された半田
は捨ててしまうことからコストが高くなる問題がある。
また、エッチング液の管理が難しく、更に廃液処理にも
問題がある。更に、半田は錫(Sn)と鉛(Pb)との
合金であるが、エッチング時におけるSnとPbのエッ
チング速度が異なり(Snの方がPbよりもエッチング
速度は速い)、従って、樹脂フィルムに形成される半田
はPbリッチな状態となって半田の組成に関し問題が発
生する。また、マスキング剤が半田表面に残存する虞も
存し、半田の濡れ性が変化して後に問題が発生すること
も考えられる。
【0008】本発明は前記従来における各問題点を解消
するためになされたものであり、半導体パッケージ用基
板等に形成された接続パッド等の配置パターンに対応し
て、半田ボールを接着剤層を介して支持体上に接着する
ことにより、供給半田量にばらつきを生じることなく極
めて低いコストをもって接続パッド等上に半田バンプ等
を形成することができる半田供給用キャリアを提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
請求項1に係る半田供給用キャリアは、基材上に形成さ
れるとともに半田バンプあるいは半田層が設けられる被
半田供給部の配置パターンに対応して、支持体上に半田
供給部が形成された半田供給用キャリアにおいて、前記
半田供給部は支持体上に設けられた接着剤層を介して接
着された半田ボールから構成されている。
【0010】請求項1の半田供給用キャリアは、支持体
上に設けられた接着剤層に半田ボールを接着することに
より構成されているので、半田がメッキ法やエッチング
法により形成される場合に比して、短時間で、且つ、低
いコストで基材上の被半田供給部に半田バンプ等を形成
することが可能となる。また、半田ボールは、それ自体
均一なサイズを有していることから、半田量のばらつき
を発生することなく各被半田供給部に対して均一に半田
バンプ等を形成することが可能となる。
【0011】特に半田ボールが接着剤層を介して接着さ
れた半田供給用キャリアであることから、必要量の半田
ボールを容易にキャリアに搭載できること共に、被半田
供給部である接続パッド等の配置パターンに半田を溶融
接触させた後には、容易にキャリアから半田を離脱させ
ることができる。
【0012】しかも、半田ボールが接着したこの半田供
給用キャリアは前記配置パターンに対し、凸部となった
半田が点状あるいは線状に(例えば配置パターンが平面
である場合には点状、配置パターンがスルーホール等の
場合には線状に)接触するものであるから、従来の半田
供給用キャリアにおける半田が配置パターンに面状の接
触であったり、配置パターンの周囲に土手となってもり
上がった絶縁層(ソルダーレジスト等)にその接触を阻
害されたりして、正確な半田の転写がなされなくなるよ
うなことはない。
【0013】上記面状の接触について少し説明を加える
と、この接触が面状である場合には、配置パターンと半
田との間に付加されるフラックスが、半田溶融時の昇温
でガス化し、溶融した半田を吹き飛ばしてしまう危険性
が高いのである。
【0014】また、請求項2の半田供給用キャリアは、
請求項1のキャリアにおいて、前記半田ボールは、前記
配置パターンに対応するパターンに従って形成されたボ
ール位置決め孔を有する位置決め部材におけるボール位
置決め孔内にて半田ボールの上部を露出させた状態で半
田ボールの位置決めを行った後、前記支持体の接着剤層
を各半田ボールの上部に接触させることにより、支持体
上に接着される構成を有する。
【0015】請求項2の半田供給用キャリアでは、半田
ボールを支持体の接着剤層に接着させるに際して、半田
ボールは、基材上の被半田供給部の配置パターンに対応
するパターンに従って形成された位置決め部材の位置決
め孔内にて半田ボールの上部を露出させた状態で配置し
た後に、支持体の接着剤層を半田ボールの上部に接触さ
せるだけで支持体上に接着することができ、従って、半
田がメッキ法やエッチング法により形成される場合に比
して、より簡単に半田供給用キャリアを作成することが
可能となる。
【0016】更に、請求項3の半田供給用キャリアは、
請求項1又は請求項2のキャリアにおいて、前記支持体
は比較的重量のある材料から形成され、その支持体上の
半田ボールと前記基材上の被半田供給部とを重畳する際
に、重しとして機能する構成を有する。
【0017】請求項3の半田供給用キャリアでは、支持
体上の半田ボールと前記基材上の被半田供給部とを重畳
する際に、支持体自体が重しとして作用することから、
支持体を押圧するための特別な部材を必要とすることな
く確実に基材上の被半田供給部に半田バンプ等を形成す
ることが可能となる。
【0018】また、請求項4の半田供給用キャリアは、
請求項1乃至請求項3のキャリアにおいて、前記半田ボ
ールが接着された支持体面には、その支持体上の半田ボ
ールと前記基材上の被半田供給部とを重畳する際に、相
互に対向する支持体面と基材面との間における距離を調
整する調整部材が設けられた構成を有する。
【0019】請求項4の半田供給用キャリアでは、支持
体上の半田ボールと前記基材上の被半田供給部とを重畳
しながら加熱リフロー処理を介して半田ボールを被半田
供給部に供給する際に、調整部材により支持体面と基材
面との間における距離が一定に調整されるので、加熱処
理時に溶融された半田ボールの上部が平坦化されるとと
もに、被半田供給部における半田バンプ等の高さにばら
つきが発生することなく一定の高さに調整され得る。こ
れにより、半田バンプに対して半導体チップを簡単に実
装することが可能となる。
【0020】更に、請求項5に係る半田供給用キャリア
は、基材上に形成された凹状のフォトビア内に形成され
たパッド及び平板状のパッドの配置パターンに対応し
て、支持体上に半田供給部が形成された半田供給用キャ
リアにおいて、前記半田供給部は、前記フォトビアのサ
イズに対応して第1サイズを有する半田ボール及び前記
平板状のパッドに対応して第1サイズよりも小さい第2
サイズを有する半田ボールが支持体上に設けられた接着
剤層を介して接着されることにより構成されている。
【0021】請求項5の半田供給用キャリアでは、基材
上に形成された凹状のフォトビアに対してはそのフォト
ビアのサイズに対応して第1サイズの半田ボール、ま
た、平板状のパッドに対応して第2サイズの半田ボール
が、それぞれ支持体上の接着剤層に接着されており、従
って、基材上の各フォトビア内のパッド及び平板状のパ
ッドのそれぞれに対して、各第1サイズの半田ボール及
び第2サイズのボールが加熱処理を介して溶融されつつ
供給される際に、先ず、第1サイズの半田ボールが溶融
された後、これに続いて第2サイズの半田ボールが溶融
されることとなり、フォトビアのパッド及び平板状のパ
ッドに対して安定してかつそれぞれに適量の半田の供給
を行うことが可能となる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半田供給用キ
ャリアについて、本発明を具体化した実施例に基づき図
面を参照しつつ詳細に説明する。先ず、第1実施例の半
田供給用キャリアについて図1に基づき説明する。図1
は第1実施例の半田供給用キャリアの断面図である。
【0023】図1において、半田供給用キャリア1は、
耐熱性を具有する厚さ25μm〜100μmのポリイミ
ドフィルム2を有し、ポリイミドフィルム2の一面(図
1中下面)に形成された接着剤層3(塗布厚:25μm
〜50μm)に多数の半田ボール4が接着されて構成さ
れている。
【0024】ここに、ポリイミドフィルム2に代わるキ
ャリア支持体としては、ノーメックスペーパー、アルミ
箔、ガラスクロス、銅箔、クレープ紙等の耐熱性を有す
る基材であれば使用できる。また、接着剤層3を形成す
る材料としては、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着
剤、その他樹脂系・ゴム系の粘着剤であって、ある程度
の耐熱性があり、かつ半田溶融後に剥し易いものであれ
ば使用できる。更に、各半田ボール4は、粒径100μ
m〜200μmを有する共晶半田(組成:Sn63、P
b37)In系低融点半田等から形成されており、ま
た、各半田ボール4は、後述する基板13上に形成され
るとともに、半田バンプ17が設けられる接続パッド1
4の基板13上における配置パターンに対応するよう
に、接着剤層3に接着されている。
【0025】次に、前記のように構成される半田供給用
キャリア1の作成方法について図2基づき説明する。図
2は半田供給用キャリア1の作成方法を模式的に示す説
明図である。半田供給用キャリア1を作成するには、図
2に示すように、凹形治具5を用意する。ここに、凹形
治具5は、その底面上に、基板13上に形成される各接
続パッド14の配置パターン(後述する)に対応して複
数のボール位置決め孔6が形成された位置決め部材7が
配置されており、セラミック、カーボンやガラスエポキ
シ、ポリイミド、アクリル、ポリエステル等樹脂から形
成されている。また、位置決め部材7に形成された各ボ
ール位置決め孔6は、半田ボール4の粒径よりも若干大
きな孔径を有している。
【0026】そして、先ず、凹形治具5の底面上に位置
決め部材7をセットし、半田ボール4を凹形治具5内に
入れる。このとき、凹形治具5は、図示しない超音波装
置を介して振動されており、従って、半田ボール4は、
位置決め部材7の各ボール位置決め孔6内に入れられ
る。各半田ボール4は、その上部が各位置決め孔6から
露出されている。尚、余分な半田ボール4は、刷毛等で
位置決め部材7から取り除かれる。この状態が図2に示
されている。
【0027】この後、ポリイミドフィルム2が、その接
着剤層3を下面にして、矢印方向に移動するとともに、
接着剤層3と各半田ボール4の上部(各位置決め孔6か
ら上方に露出している)とを接触させ、この後、ポリイ
ミドフィルム2を上方に持ち上げる。これにより、各位
置決め孔6内の半田ボール4は、接着剤層3の粘着力を
介してポリイミドフィルム2側に付着され、半田供給用
キャリア1が生成される。
【0028】尚、ポリイミドフィルム2の接着剤層3に
対して、各半田ボール4を所定パターン(前記基板13
における各接続パッド14の配置パターンに合致する)
に従って接着させるには、前記凹形治具5、位置決め部
材7に代えて、図3、図4に示すような方法で行っても
よい。即ち、図3はポリイミドフィルム2の接着剤層3
上に各半田ボール4を整列しつつ接着する方法の一例を
模式的に示す説明図であり、この方法では、基板13上
に形成された各接続パッド14の配置パターンに対応し
て複数のボール挿通孔8が設けられたマスク9を接着剤
層3上に配置し、各ボール挿通孔8を介して各半田ボー
ル4を接着剤層3に接着している。ここに、マスク9
は、金属箔板(メタルマスク)やセラミック板から形成
されている。
【0029】また、図4は各半田ボール4を整列しつつ
供給する他の方法を模式的に示す説明図であり、この方
法では、基板13上に形成された各接続パッド14の配
置パターンに対応して複数のボール吸引孔10が設けら
れた吸引ヘッド11を使用し、吸引ヘッド11の下方に
配置された半田ボール容器12を超音波装置(図示せ
ず)により振動させながら、半田ボール4を各ボール吸
引孔10に吸引してポリイミドフィルム2の接着剤層3
上まで移動した後、接着剤層3上に各半田ボール4を整
列して接着させるものである。
【0030】次に、基板としてFCB( Flip Chip Bon
ding)用の基板の内部接続パッド(チップ搭載部)を例
にとって、前記のように生成された半田供給用キャリア
1を使用して各接続パッドに半田バンプを形成する方法
について図5に基づき説明する。図5は基板上の各接続
パッドに半田バンプの形成方法を模式的に示す説明図で
ある。
【0031】先ず、図5(A)に示すように基板13を
セットし、基板13上に各接続パッド14にフラックス
15を塗布する。ここに、基板13上の各接続パッド1
4は、例えば、0.25mmピッチで100μm程度の
径を有しており、所定の配置パターンに従って形成され
ている。フラックス15は、ロジン系フラックス、又は
水溶性フラックスが使用されており、公知のディスペン
サやスプレー等により基板13上に塗布される。
【0032】前記のように基板13の各接続パッド14
にフラックス15を塗布した後、各接続パッド14と半
田供給用キャリア1の各半田ボール4とが相互に対向す
るように位置決めしながら、半田供給用キャリア1を基
板13上に配置する。この状態が図5(B)に示されて
いる。
【0033】そして、図5(B)の状態を保持したま
ま、半田供給用キャリア1の上面(半田ボール4が設け
られていない面)に重し16を載置し、加熱リフロー処
理を行う。これにより、各半田ボール4は溶融されて各
接続パッド14上で半田バンプ17となる(図5(C)
参照)。ここに、重し16は必ずしも必要ではないが、
半田供給用キャリア1のポリイミドフィルム2は薄く、
加熱リフロー処理時に熱により反ってしまって半田ボー
ル4が接続パッド14に供給されない場合も生じ得るこ
とから、重し16を使用するのが望ましい。かかる重し
16は、セラミック、金属、ガラス等から形成される。
【0034】前記のように加熱リフロー処理が行われた
後、半田供給用キャリア1を基板13から剥すととも
に、洗浄を行う。これにより、図5(C)に示すよう
に、基板13の各接続パッド14上に半田バンプ17が
形成される。このとき、各半田バンプ17の先端(上
端)形状にばらつきがあって問題になる場合には、再度
加熱リフロー処理を行って各半田バンプ17の形を調整
すればよい。また、各半田バンプ17の先端を平坦にす
る必要がある場合には、公知の方法によりフラットニン
グ( Flattening )を行えばよい。
【0035】尚、前記の例ではFCB用基板を例にとっ
て説明したが、基板13としてBGA( Ball Grid Arr
ay)が使用され、その外部接続パッドに半田を供給する
場合には、各接続パッド14が大きく形成されることが
一般的であることから、半田供給用キャリア1の半田ボ
ール4として大きな粒径(500μm〜1000μm)
の半田ボール4が使用される。また、この場合、半田ボ
ール4として、共晶半田(63Sn:37Pb)、高融
点半田(90Sn:10Pb、96.5Sn:3.5A
g)等の組成を有する半田が使用できる。
【0036】次に、前記第1実施例の半田供給用キャリ
ア1を使用して、PGA( Pin Grid Array )における
ピンを半田付けする場合について図6に基づき説明す
る。図6は半田供給用キャリア1を使用してPGAのピ
ンを半田付けする状態を模式的に示す説明図である。
【0037】図6において、PGAの基板18には、ピ
ン19を取り付ける位置に対応してスルーホール20が
それぞれ形成されており、各スルーホール20にはスル
ーホールメッキ層21が設けられている。また、各スル
ーホール20には、その下方からピン19が挿入されて
いる。
【0038】そして、各ピン19をスルーホール20の
スルーホールメッキ層21に半田付けするには、先ず、
基板18の上面にフラックスを塗布し、この後、各半田
ボール4が各スルーホール20に対応するように、半田
供給用キャリア1を基板18の上面に位置決め固定す
る。このとき、半田供給用キャリア1の半田ボール4と
しては、各スルーホール20の径よりも若干大きい粒径
のボールが使用され、また、その半田組成としては、9
0Sn:10Pb、96.5Sn:3.5Ag等の高温
半田が使用される。
【0039】この後、半田供給用キャリア1と基板18
とを図6に示す状態に保持したまま、加熱リフロー処理
を行い、キャリア1を剥して洗浄を行う。これにより、
各半田ボール4が溶融されて各ピン19をスルーホール
20内に半田付けすることができる。
【0040】また、FCBを伴うPGAパッケージにお
いて、FC用の半田バンプの作成とピンの半田付けとを
同時に行うことも可能である。かかる場合について図7
に基づき説明する。図7は半田供給用キャリア1を使用
してFC用の半田バンプの作成とピンの半田付けとを同
時に行う状態を模式的に示す説明図である。
【0041】図7において、パッケージ基板18には、
ピン19を取り付ける位置に対応してスルーホール20
がそれぞれ形成されており、各スルーホール20にはス
ルーホールメッキ層21が設けられている。また、各ス
ルーホール20には、その下方からピン19が挿入され
ている。更に、スルーホール20に隣接して、各接続パ
ッド14が設けられている。
【0042】そして、FC用の半田バンプの作成とピン
の半田付けとを同時に行うには、先ず、各半田ボール4
が各スルーホール20と対応するようにピン接続用の半
田供給用キャリア1を位置決め固定し、また、同様に、
各半田ボール4が各接続パッド14と対応するように半
田バンプ供給用の半田供給用キャリア1を位置決め固定
する。この状態が図7に示されている。尚、ピン接続用
の半田供給用キャリア1における各半田ボール4のサイ
ズと半田バンプ供給用の半田供給用キャリア1における
各半田ボール4のサイズとは、異なるように調整されて
いる。
【0043】この後、各半田供給用キャリア1と基板1
8とを図7に示す状態に保持したまま、加熱リフロー処
理を行い、各キャリア1を剥して洗浄を行う。これによ
り、各半田ボール4が溶融されて各ピン19をスルーホ
ール20内に半田付けすることができると同時に、各接
続パッド14には半田バンプを形成することができる。
これにより、1回の加熱リフロー処理を介して、各ピン
19の半田付けと半田バンプの形成とを行うことがで
き、従って、基板18等が熱によりダメージを受けるこ
とを極力防止することができる。
【0044】更に、半田供給用キャリア1を使用して、
TAB(Tape Automated Bonding)用基板、TCP( T
ape Carrier Package )、QFP( Quad Flat Packag
e)等を搭載する基板上の接続ランドへの半田のプリコ
ートを行うことも可能である。かかる場合について、図
8に基づき説明する。図8はTAB等の基板におけるラ
ンド上に半田をプリコートする状態を模式的に示す説明
図である。
【0045】図8において、TAB等の基板22には、
複数の接続ランド23が形成されており、各接続ランド
23は、例えば、幅100μm、ピッチ0.2mmで配
置されている。従って、各接続ランド23については1
個の半田ボール4ではカバーできないことから、半田供
給用キャリア1においては、各接続ランド23に対応し
て例えば3個の半田ボール4が供給されるように構成さ
れている。この状態が図8に示されている。尚、キャリ
ア1の各半田ボール4を各接続ランド23に供給する方
法については前記と同一であるので、ここではその説明
を省略する。
【0046】次に、第2実施例に係る半田供給用キャリ
アについて図9に基づき説明する。前記第1実施例の半
田供給用キャリア1では、支持体としてポリイミドフィ
ルム2を使用していることから、キャリア1と基板13
とを重ねた状態で加熱リフロー処理を行う際に、キャリ
ア1の上面に重し16を載置してキャリア1の反りを防
止するようにしていたが(図5(B)参照)、第2実施
例に係る半田供給用キャリアでは、キャリア自体に重し
としての機能を行わせることにより重しを不要とする点
に特徴を有するものである。
【0047】図9は第2実施例の半田供給用キャリアを
模式的に示す断面図であり、半田供給用キャリア24
は、それ自体厚く形成されるとともに比較的重量のある
材料、例えば、ガラスエポキシ基板、その他金属、セラ
ミック、ガラス等の材料から形成された基板25を有す
る。基板25の下面には、接着剤層26が設けられてお
り、また、接着剤層26には、前記と同様にして、複数
個の半田ボール27が接着されている。具体的には、例
えば、1〜3mmの厚さを有するガラスエポキシ基板や
セラミック等の重し治具に、厚さ25μm〜100μm
のシリコーン系粘着剤の両面接着テープを貼付し、その
両面接着テープに各半田ボール27を接着することによ
り生成される。
【0048】かかる第2実施例の半田供給用キャリア2
4は、半田供給用キャリア及び重しとしての双方の機能
を兼ね備えているので、かかるキャリア24を使用すれ
ば、加熱リフロー処理時に、重しを不要としつつ半田バ
ンプを形成することができるものである。
【0049】続いて、第3実施例に係る半田供給用キャ
リアについて図10に基づき説明する。図10は第3実
施例の半田供給用キャリアを断面及び裏面にて模式的に
示す説明図である。図10(A)において、半田供給用
キャリア30は、基本的に、前記第1実施例の半田供給
用キャリア1と同様の構成を有しており、ポリイミドフ
ィルム31の下面に設けられた接着剤層32に複数の半
田ボール33が所定の配置パターン(後述の基板37に
形成された接続パッド38の配置パターンと合致する)
に従って接着されてなる。また、各半田ボール33の周
囲には、後述するように、半田供給用キャリア30と基
板37とを重畳する際に、相互に対向するキャリア30
の面と基板37の面との間における距離を調整する枠状
の調整部材34(図10(B)参照)が設けられてい
る。かかる調整部材34は、耐熱性の樹脂、金属フィル
ムからなり、厚さ10〜150μmを有する。また、調
整部材34は、各半田ボール33を接着剤層32に整列
しつつ接着する前に設けられる。
【0050】次に、前記半田供給用キャリア30の生成
方法について図11及び図12に基づき説明する。図1
1はポリイミドフィルム31の接着剤層32に調整部材
34を張り付ける状態を模式的に示す説明図、図12は
半田ボール33を接着剤層32に接着する状態を模式的
に示す説明図である。半田供給用キャリア30を生成す
るには、先ず、図11(A)、(B)に示すように、ポ
リイミドフィルム31の接着剤層32上に、調整部材3
4(厚さ50μmのポリイミドフィルムに30μmの接
着剤層が形成されている)を接着する。これに並行し
て、図12に示すように、位置決め治具35において所
定の配置パターン(後述の基板37に形成された接続パ
ッド38の配置パターンと合致する)に従って形成され
た各ボール位置決め孔36内に半田ボール33を整列配
置する。そして、各半田ボール33が前記調整部材34
の内側に入るようにポリイミドフィルム31の接着剤層
32を配置し、更に、ポリイミドフィルム31を下方に
移動させて各半田ボール33を接着剤層32に接着す
る。これにより、図10(A)、(B)に示すような半
田供給用キャリア30が生成される。
【0051】尚、前記調整部材34は、各半田ボール3
3を接着剤層32に接着した後に接着してもよい。ま
た、調整部材34は、必ずしも枠状に形成されている必
要はなく、例えば、図13に示すように、接着剤層32
上において各半田ボール33の間で島状に複数箇所(図
13中では、5箇所)設けるようにしてもよい。図13
は調整部材34の他の例を模式的に示す説明図である。
【0052】続いて、前記のように生成された半田供給
用キャリア30を使用して基板における各接続パッドに
半田バンプを形成する方法について図14に基づき説明
する。図14は基板上の各接続パッドに半田バンプを形
成する方法を模式的に示す説明図である。
【0053】先ず、半田供給用キャリア30と基板37
とを図14(A)に示すように対向配置する。ここに、
基板37には、所定の配置パターンをもって複数の接続
パッド38が形成されており、各接続パッド38の周囲
にはレジスト層39が形成されている。かかる基板37
と半田供給用キャリア30とは、各半田ボール33と各
接続パッド38とが相互に接触した状態で配置される。
尚、基板37における各接続パッド38には、基板37
が半田供給用キャリア30と対向配置される前に、フラ
ックスが塗布されている。
【0054】この後、半田供給用キャリア30の上面に
重し40を載置し、加熱リフロー処理を行う。これによ
り、各半田ボール33は溶融されて各接続パッド38上
に半田バンプ41が形成される。このとき、調整部材3
4は、重し40の押圧作用を介して、基板37のレジス
ト層39に押圧されることとなり、これにより半田供給
用キャリア30と基板37との間の距離が一定距離に調
整される。従って、各半田バンプ41は、重し40の押
圧作用を介して、その上端部が平坦化される。この状態
が図14(B)に示されている。
【0055】前記のように各半田ボール33の加熱リフ
ロー処理を行った後、半田供給用キャリア30のポリイ
ミドフィルム31を剥して洗浄を行うことにより、基板
37の各接続パッド38に対する半田バンプ41の形成
が終了する。この状態が図14(C)に示されている。
【0056】尚、前記第3実施例では、前記のように半
田供給用キャリア30の接着剤層32に調整部材34を
設け、基板37の各接続パッド38に半田バンプ41を
形成する際に半田供給用キャリア30の上面から重し4
0にて押圧するように構成したが、半田供給用キャリア
自体に重しとしての機能及び調整部材としての機能を付
加するようにしてもよい。かかる半田供給用キャリアの
一例を図15に基づき説明する。図15は重しとしての
機能及び調整部材としての機能を併有する半田供給用キ
ャリアの一例を模式的に示す断面図である。
【0057】図15において、半田供給用キャリア42
は、厚さ2.0mmのセラミック板43の周囲に、高さ
80μmを有する凸状の枠部44を一体に形成した支持
体45、枠部44の内側でセラミック板42上に形成し
た厚さ30μmの接着剤層46、及び、接着剤層46に
接着された複数の半田ボール47から構成されている。
かかる半田供給用キャリア42によれば、基板37の各
接続パッド38に半田バンプ41を形成する際に枠部4
4が調整部材として機能することから、調整部材34を
別個に設けることなく半田供給用キャリア42と基板3
7との間の距離が一定距離に調整され、また、ポリイミ
ドフィルムとは異なり支持体45自体が重量を有するこ
とから、基板37の各接続パッド38に半田ボール41
を形成するについて、重し40を使用することなく各半
田バンプ41の上端部を平坦化することができる。ま
た、枠部44は、セラミック板43と一体に形成されて
おり、その高さのばらつきは殆どないので、基板37と
半田供給用キャリア42との間の距離を常に一定に保持
することができる。
【0058】また、調整部材34は、第3実施例のよう
に半田供給用キャリア30側に設ける必要はなく、図1
6に示すように、基板37側に形成してもよい。即ち、
図16は基板37側に調整部材34を設けた例を模式的
に示す断面図であり、調整部材34は、基板37におけ
るレジスト層39上に形成されている。この場合、調整
部材34が対向する半田供給用キャリア30のポリイミ
ドフィルム32には接着剤層32は形成されいない。こ
れは、調整部材34が半田供給用キャリア30側に接着
されてしまうことを防止するためである。
【0059】更に、半田供給用キャリア30と基板37
との間の距離を調整するについて、重し自体に調整部材
としての機能を付加するように構成してもよい。かかる
場合について図17に基づき説明する。図17は調整部
材としての機能を付加した重しを使用して基板37上の
各接続パッド38に半田バンプ41を形成する方法を模
式的に示す説明図である。
【0060】半田供給用キャリア30により基板37の
各接続パッド38に半田バンプ41を形成するには、先
ず、基板37の各接続パッド38にフラックスを塗布し
た後、図17(A)に示すように、半田供給用キャリア
30の各半田ボール33と基板37の各接続パッド38
とを対向配置する。ここに、半田供給用キャリア30と
しては、ポリイミドフィルム31の接着剤層32に各半
田ホール33を接着しただけのシンプルな構成を有する
(第1実施例における半田供給用キャリア1と同一の構
成を有する)。
【0061】この後、図17(B)に示すように、半田
供給用キャリア30の上方に重し48を配置する。ここ
に、重し48は、厚さ2.0mmのセラミック板49の
周囲に、高さ100μmを有する凸状の枠部50を一体
に形成してなる。そして、図17(B)の状態を保持し
たまま加熱リフロー処理を行った後、重し48及び半田
供給用キャリア30を取り除くとともに、洗浄を行う。
これにより、図17(C)に示すように、基板37の各
接続パッド38上には、上端部が平坦化された半田バン
プ41が形成されるものである。
【0062】次に、第4実施例に係る半田供給用キャリ
アについて図18に基づき説明する。図18は第4実施
例の半田供給用キャリアを模式的に示す断面図である。
ここに、第4実施例の半田供給用キャリアは、特に、ア
ディティブ法により生成された多層基板(ビルトアップ
基板)において、凹状のフォトビア内に形成された接続
パッドと基板上に形成された平板状の接続パッドとが混
在している場合でも、フォトビア内の接続パッド及び平
板状の接続パッドの双方に対して、同時に且つ同程度の
高さに半田バンプを形成することが可能な半田供給用キ
ャリアに関するものである。かかる第4実施例の半田供
給用キャリアが案出された背景は以下の如くである。即
ち、前記第1〜第3実施例の半田供給用キャリア1、2
4、30においては、接着剤層3、26、32に接着さ
れる各半田ボール4、27、33が同一サイズに形成さ
れており、従って、これらの半田供給用キャリア1、2
4、30は、基板13、37に形成された平板状の接続
パッド14、38に半田バンプ17、41を形成する際
に、半田バンプ17、41の高さ、半田量等にばらつき
が生じることはない。しかし、例えば、凹状のフォトビ
ア内の接続パッドと平板状の接続パッドの双方に対して
同時に且つ同程度の半田量をもって半田バンプを形成す
ることは困難なものであり、また、半田バンプと半導体
チップとの接続に信頼性が低下してしまう。そこで、こ
れを解決するために第4実施例の半田供給用キャリアが
案出されたものである。
【0063】図18において、半田供給用キャリア51
は、支持体として耐熱性を有する厚さ50μmのポリイ
ミドフィルム52を有し、ポリイミドフィルム52の一
面(図18中下面)に形成されたシリコーン樹脂の接着
剤層53(塗布厚:30μm)に、第1サイズ(例え
ば、粒径200μm)の半田ボール54と半田ボール5
4よりも小さな第2サイズ(例えば、粒径150μm)
の半田ボール55が多数接着されてなる。ここに、一方
の半田ボール54は、後述するように、基板63に形成
された凹状のフォトビア64内の接続パッド65に半田
バンプ68を形成するための半田ボールであり、これに
対して他方の半田ボール55は、同様に、基板63に形
成された平板状の接続パッド66に半田バンプ69を形
成するための半田ボールである。
【0064】次に、前記構成を有する半田供給用キャリ
ア51の生成方法について図19、図20に基づき説明
する。ここに、図19はマスクを使用して2種類の各半
田ボール54、55をポリイミドフィルム52の接着剤
層53に接着する方法を模式的に示す説明図、図20は
ボール吸着ヘッドを使用して2種類の各半田ボール5
4、55をポリイミドフィルム52の接着剤層53に接
着する方法を模式的に示す説明図である。
【0065】最初に、マスクを使用して各半田ボール5
4、55を接着する方法について図19に基づき説明す
る。半田供給用キャリア51を生成するには、先ず、吸
引固定ステージS上にポリイミドフィルム52を接着剤
層53が上側となるようにセットする。この後、金属薄
板、セラミック等から構成されたマスク56を接着剤層
53の上方に離間配置する。ここに、マスク56には、
半田ボール54の粒径よりも若干大きな径を有するボー
ル孔57、及び、半田ボール54の粒径よりも小さく、
半田ボール55の粒径よりも若干大きい径を有するボー
ル孔58が、基板63のフォトビア64内における接続
パッド65及び平板状の接続パッド66の配置パターン
に対応して設けられている。この後、先ず、第1サイズ
の半田ボール54をマスク56上に散布し、超音波振動
や刷毛等を介して、半田ボール54をボール孔57内に
入れる。このとき、半田ボール54は、その粒径がボー
ル孔58よりも大きいので、ボール孔58内には入らな
い。この状態が図19(A)に示されている。
【0066】続いて、半田ボール54をマスク56上か
ら除去した後、第2サイズの半田ボール55をマスク5
6上に散布し、前記と同様にして、半田ボール55をボ
ール孔58内に入れる。この時点で、ボール孔57内に
は既に半田ボール54が入っているので、半田ボール5
5はボール孔58にのみ入ることとなる。この状態が図
19(B)に示されている。
【0067】更に、不要な半田ボール55をマスク56
から取り除くとともに、マスク56の上方からスポンジ
等を介して適当に押圧すると、各半田ボール54、55
は確実に接着剤層53に接着される。この後、マスク5
6を上昇して取り除くと、接着剤層53上にて所定配置
パターンに従って各半田ボール54、55が接着された
半田供給用キャリア51が作成される。この状態が図1
9(C)に示されている。
【0068】次に、ボール吸着ヘッドを使用して2種類
の各半田ボール54、55をポリイミドフィルム52の
接着剤層53に接着する方法について図20に基づき説
明する。半田供給用キャリア51を生成するには、先
ず、第1サイズの半田ボール54が収納されている半田
ボール箱59上にボール吸着ヘッド60を近接配置す
る。ここに、ボール吸着ヘッド60は、その下面におい
て、第1サイズの半田ボール54の粒径よりも若干大き
な径を有する半球状のボール孔61、及び、半田ボール
54の粒径よりも小さく、且つ、第2サイズの半田ボー
ル55よりも若干大きな径を有する半球状のボール孔6
2が設けられており、また、各ボール孔61、62は、
図示しない吸引装置を介して吸引されている。これによ
り、半田ボール54がボール孔61内に吸着保持され
る。このとき、半田ボール54の粒径はボール孔62よ
りも大きいので、半田ボール54がボール孔62に吸着
保持されることはない。この状態が図20の右側に示さ
れている。尚、余分な半田ボール54は刷毛等がボール
吸着ヘッド60から払い落とされる。
【0069】この後、ボール吸着ヘッド60を矢印方向
に移動し、第2サイズの半田ボール55が収納されてい
る半田ボール箱63上に近接配置する。これにより、半
田ボール55は、ボール孔62内に吸着保持される。こ
のとき、ボール孔61内には既に半田ボール54が吸着
保持されているので、半田ボール55がボール孔62内
に吸着保持されることはない。この状態が図20の中央
に示されており、ボール吸着ヘッド60における各ボー
ル孔61、62は、それぞれ半田ボール54、55に対
応して大きさが決定されていることから、各ボール孔6
1、62に吸着保持された各半田ボール54、55の下
端は、同一面に配置されることとなる。
【0070】更に、余分な半田ボール55を前記と同様
にして吸着ヘッド60から払い落とした後、ボール吸着
ヘッド60を矢印方向に移動し、接着剤層53を上側に
して位置決め固定されているポリイミドフィルム52に
近接配置する。そして、ボール吸着ヘッド60の吸引動
作を停止するとともに、各ボール孔61、62から半田
ボール54、55を接着剤層53上に接着させる。これ
により、各半田ボール54、55は、接着剤層53上に
接着され、半田供給用キャリア51が作成される。この
状態が図20の左側に示されている。
【0071】次に、前記のように作成された半田供給用
キャリア51を使用して基板に形成された凹状のフォト
ビア内の接続パッド及び平板状の接続パッドの双方に対
して同時に半田バンプを形成する方法について図21に
基づき説明する。図21はヒートブロックを使用して半
田供給用キャリア51により各接続パッドに半田バンプ
を形成する方法を模式的に示す説明図である。
【0072】半田バンプを形成するには、先ず、ヒート
ブロックHに半田供給用キャリア51を吸着固定しなが
ら、基板63の上方に近接配置する。ここに、基板63
には、凹状のフォトビア64が形成されており、また、
フォトビア64内及び基板63上には、所定の配置パタ
ーンに従ってそれぞれ凹状の接続パッド65、平板状の
接続パッド66が形成されている。また、フォトビア6
4内の接続パッド65及び平板状の接続パッド66の周
囲には、レジスト層67が設けられている。
【0073】尚、前記のように半田供給用キャリア51
が基板63の上方に近接配置された状態においては、図
21(A)に示すように、第1サイズの半田ボール54
はフォトビア64の接続パッド65に接触されており、
また、第2サイズの半田ボール55は平板状の接続パッ
ド66から若干離間されている。これは、各半田ボール
54、55のサイズが異なることに基く。
【0074】この後、図21(A)の状態を保持したま
ま、ヒートブロックHを介して加熱を行うと、各半田ボ
ール54、55は溶融される。このとき、先ず、半田ボ
ール54が溶融されて接続パッド65内で半田バンプ6
8が形成されている状態(図21(B)参照)で、半田
ボール55が溶融して接続パッド66上に半田バンプ6
9が形成される。これにより、半田バンプ68、69の
形成中に、各半田ボール54、55と各接続パッド6
5、66との間で位置ずれが発生することなく、安定し
た半田バンプ68、69の形成を行うことができる。前
記のように各半田ボール54、55を溶融した後、ヒー
トブロックHを移動させることにより各接続パッド6
5、66上にはそれぞれ半田バンプ68、69が形成さ
れるものである(図21(C)参照)。
【0075】次に、半田供給用キャリア51を使用して
加熱リフロー処理により基板63におけるフォトビア6
4内の接続パッド65及び平板状の接続パッド66に半
田バンプを形成する方法について図22に基づき説明す
る。図22は加熱リフロー処理を行って半田供給用キャ
リア51により各接続パッドに半田バンプを形成する方
法を模式的に示す説明図である。
【0076】図22において、基板63の各接続パッド
65、66に半田バンプを形成するには、先ず、各接続
パッド65、66にフラックスを塗布した後、半田供給
用キャリア51における第1サイズの半田ボール54を
フォトビア64の接続パッド65に対応して接触させ、
また、第2サイズの半田ボール55を平板状の接続パッ
ド66に対応して接触させる。この状態を保持したまま
半田供給用キャリア51の上面に重し(図示せず)を載
置し、加熱リフロー処理を行う。これにより、各接続パ
ッド65、66上には、それぞれ半田バンプ(図示せ
ず)が形成されるものである。
【0077】尚、前記第4実施例の半田供給用キャリア
51では、基板63におけるフォトビア64内の接続パ
ッド65及び平板状の接続パッド66のそれぞれに対応
して、第1サイズの半田ボール54、第2サイズの半田
ボール55を設ける構成としたが、半田ボールとして全
て第2サイズの半田ボール55を使用した半田供給用キ
ャリア51によっても各接続パッド65、66に対応し
て同一程度の高さを有する半田バンプを形成することが
できる。この場合には、図23に示すように、フォトビ
ア64内の接続パッド65に、予めディスペンス装置
(図示せず)等を介してクリーム半田70を塗布してお
く。これにより、クリーム半田70の上面と平板状の接
続パッド66の上面とが略同一面となる。この後、クリ
ーム半田70及び接続パッド66にフラックスを塗布
し、半田供給用キャリア51の各半田ボール55を各ク
リーム半田70、接続パッド66と対応接触させるとと
もに、加熱リフロー処理又はヒートブロックにより半田
ボール55を溶融する。更に、キャリア51のフィルム
を剥して洗浄を行えば、各接続パッド65、66上に同
程度の高さを有する半田バンプが形成されるものであ
る。このように、フォトビア64内の接続パッド65に
予めクリーム半田70を塗布形成して半田量を調節する
ことにより、同一寸法の半田ボール55を使用しても各
接続パッド65、66上に同程度の半田バンプを形成す
ることができる。
【0078】
【発明の効果】以上説明した通り本発明は、半導体パッ
ケージ用基板等に形成された接続パッド等の配置パター
ンに対応して、半田ボールを接着剤層を介して支持体上
に接着することにより、供給半田量にばらつきを生じる
ことなく極めて低いコストをもって接続パッド等上に半
田バンプ等を形成することができる半田供給用キャリア
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例の半田供給用キャリアの断面図であ
る。
【図2】半田供給用キャリアの作成方法を模式的に示す
説明図である。
【図3】ポリイミドフィルムの接着剤層上に各半田ボー
ルを整列しつつ接着する方法の一例を模式的に示す説明
図である。
【図4】各半田ボールを整列しつつ供給する他の方法を
模式的に示す説明図である。
【図5】基板上の各接続パッドに半田バンプを形成する
方法を模式的に示す説明図である。
【図6】半田供給用キャリアを使用してPGAのピンを
半田付けする状態を模式的に示す説明図である。
【図7】半田供給用キャリアを使用してFC用の半田バ
ンプの作成とピンの半田付けとを同時に行う状態を示す
説明図である。
【図8】TAB等の基板におけるランド上に半田をプリ
コートする状態を模式的に示す説明図である。
【図9】第2実施例の半田供給用キャリアを模式的に示
す断面図である。
【図10】第3実施例の半田供給用キャリアを断面及び
裏面にて模式的に示す説明図である。
【図11】ポリイミドフィルムの接着剤層に調整部材を
張り付ける状態を模式的に示す説明図である。
【図12】半田ボールを接着剤層に接着する状態を模式
的に示す説明図である。
【図13】調整部材の他の例を模式的に示す説明図であ
る。
【図14】基板上の各接続パッドに半田バンプを形成す
る方法を模式的に示す説明図である。
【図15】重しとしての機能及び調整部材としての機能
を併有する半田供給用キャリアの一例を模式的に示す断
面図である。
【図16】基板側に調整部材を設けた例を模式的に示す
断面図である。
【図17】調整部材としての機能を付加した重しを使用
して基板上の各接続パッドに半田バンプを形成する方法
を模式的に示す説明図である。
【図18】第4実施例の半田供給用キャリアを模式的に
示す断面図である。
【図19】マスクを使用して2種類の各半田ボールをポ
リイミドフィルムの接着剤層に接着する方法を模式的に
示す説明図である。
【図20】ボール吸着ヘッドを使用して2種類の各半田
ボールをポリイミドフィルムの接着剤層に接着する方法
を模式的に示す説明図である。
【図21】ヒートブロックを使用して半田供給用キャリ
アにより各接続パッドに半田バンプを形成する方法を模
式的に示す説明図である。
【図22】加熱リフロー処理を行って半田供給用キャリ
アにより各接続パッドに半田バンプを形成する方法を模
式的に示す説明図である。
【図23】同一サイズの半田ボールを有する半田供給用
キャリアを介してフォトビア内の接続パッド及び平板状
の接続パッドに半田バンプを形成する方法を模式的に示
す説明図である。
【符号の説明】
1 半田供給用キャリア 2 ポリイミドフィルム 3 接着剤層 4 半田ボール 5 凹形治具 6 ボール位置決め孔 7 位置決め部材 8 ボール挿通孔 9 マスク 13 基板 14 接続パッド 17 半田バンプ 24 半田供給用キャリア 25 基板 26 接着剤層 27 半田ボール 30 半田供給用キャリア 31 ポリイミドフィルム 32 接着剤層 33 半田ボール 34 調整部材 35 位置決め治具 36 位置決め孔 37 基板 38 接続パッド 41 半田バンプ 51 半田供給用キャリア 52 ポリイミドフィルム 53 接着剤層 54 第1サイズの半田ボール 55 第2サイズの半田ボール 63 基板 64 フォトビア 65 フォトビア内の接続パッド 66 平板状の接続パッド 68、69 半田バンプ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基材上に形成されるとともに半田バン
    プあるいは半田層が設けられる被半田供給部の配置パタ
    ーンに対応して、支持体上に半田供給部が形成された半
    田供給用キャリアにおいて、 前記各半田供給部は支持体上に設けられた接着剤層を介
    して接着された半田ボールから構成されたことを特徴と
    する半田供給用キャリア。
  2. 【請求項2】 前記各半田ボールは、前記配置パター
    ンに対応するパターンに従って形成されたボール位置決
    め孔を有する位置決め部材におけるボール位置決め孔内
    にて半田ボールの上部を露出させた状態で半田ボールの
    位置決めを行った後、前記支持体の接着剤層を半田ボー
    ルの上部に接触させることにより、支持体上に接着され
    ることを特徴とする請求項1記載の半田供給用キャリ
    ア。
  3. 【請求項3】 前記支持体は比較的重量のある材料か
    ら形成され、その支持体上の半田ボールと前記基材上の
    被半田供給部とを重畳する際に、重しとして機能するこ
    とを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半田供給用
    キャリア。
  4. 【請求項4】 前記半田ボールが接着された支持体面
    には、その支持体上の半田ボールと前記基材上の被半田
    供給部とを重畳する際に、相互に対向する支持体面と基
    材面との間における距離を調整する調整部材が設けられ
    ていることを特徴とする請求項1乃至請求項3記載の半
    田供給用キャリア。
  5. 【請求項5】 基材上に形成された凹状のフォトビア
    内に形成されたパッド及び平板状のパッドの配置パター
    ンに対応して、支持体上に半田供給部が形成された半田
    供給用キャリアにおいて、 前記半田供給部は、前記フォトビアのサイズに対応して
    第1サイズを有する半田ボール及び前記平板状のパッド
    に対応して第1サイズよりも小さい第2サイズを有する
    半田ボールが支持体上に設けられた接着剤層を介して接
    着されることにより構成されていることを特徴とする半
    田供給用キャリア。
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