JPH06224201A - はんだバンプ形成方法 - Google Patents
はんだバンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH06224201A JPH06224201A JP3138593A JP3138593A JPH06224201A JP H06224201 A JPH06224201 A JP H06224201A JP 3138593 A JP3138593 A JP 3138593A JP 3138593 A JP3138593 A JP 3138593A JP H06224201 A JPH06224201 A JP H06224201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- particles
- bump
- fused
- ultrasonic vibration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
Landscapes
- Molten Solder (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大型のはんだバンプを形成すること。
【構成】 溶解はんだ９の液面下に超音波振動子を置い
て超音波振動を印加することにより、溶解はんだ９をは
んだ粒子９ａにしてその上面の加工物１のはんだ付面に
噴射せしめ、はんだ付面に付着したはんだ粒子９ａを溶
解させることによってはんだバンプ１３を形成する。
て超音波振動を印加することにより、溶解はんだ９をは
んだ粒子９ａにしてその上面の加工物１のはんだ付面に
噴射せしめ、はんだ付面に付着したはんだ粒子９ａを溶
解させることによってはんだバンプ１３を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品等をはんだ付す
るための予備はんだ付、即ちはんだバンプの形成方法に
関する。
るための予備はんだ付、即ちはんだバンプの形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来半導体チップ等の電極と基板上のリ
ード端子とのはんだ付を行うために、基板上のリード端
子面を噴流する溶解はんだに接触させるとともに、溶解
はんだ内からリード端子面に向かって超音波振動を印加
してはんだバンプを形成する方法が、特開昭６３−５８
９４７号公報等によって公知である。
ード端子とのはんだ付を行うために、基板上のリード端
子面を噴流する溶解はんだに接触させるとともに、溶解
はんだ内からリード端子面に向かって超音波振動を印加
してはんだバンプを形成する方法が、特開昭６３−５８
９４７号公報等によって公知である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記の従来の方
法ではバンプの高さが３０μ程度のものが限界でそれ以
上のものを得ることは困難であった。このためはんだバ
ンプを利用した回路接続に技術的にも熟練を必要とし、
作業能率や品質、性能にも悪影響を残す等の問題があっ
た。この発明は従来のバンプに比してさらに高さ（又は
厚み）のあるはんだバンプを得るためのバンプ形成方法
を提供せんとするものである。
法ではバンプの高さが３０μ程度のものが限界でそれ以
上のものを得ることは困難であった。このためはんだバ
ンプを利用した回路接続に技術的にも熟練を必要とし、
作業能率や品質、性能にも悪影響を残す等の問題があっ
た。この発明は従来のバンプに比してさらに高さ（又は
厚み）のあるはんだバンプを得るためのバンプ形成方法
を提供せんとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記のような問題点を解
決するための本発明は、第１に溶解はんだ（９）に超音
波振動を印加することにより上記溶解はんだ（９）を粒
子状にして噴霧させるとともに該粒子状の溶解はんだ
（９ａ）を加工物（１）のはんだ付着面に付着させ、付
着面に付着したはんだを加熱溶解することによりはんだ
バンプ（１３）を形成することを特徴としている。本発
明の第２の特徴は、上記発明においてはんだ付着面に付
着したはんだ（９ａ）の加熱溶解を非酸化雰囲気中で行
う点にある。さらに本発明の第３の特徴は、上記第１の
特徴に加え、はんだ付着面に形成されたはんだバンプ
（１３）の周辺に付着した粒状のはんだ塊（９ｂ）を超
音波洗浄又はブラッシング処理により除去する点にあ
る。
決するための本発明は、第１に溶解はんだ（９）に超音
波振動を印加することにより上記溶解はんだ（９）を粒
子状にして噴霧させるとともに該粒子状の溶解はんだ
（９ａ）を加工物（１）のはんだ付着面に付着させ、付
着面に付着したはんだを加熱溶解することによりはんだ
バンプ（１３）を形成することを特徴としている。本発
明の第２の特徴は、上記発明においてはんだ付着面に付
着したはんだ（９ａ）の加熱溶解を非酸化雰囲気中で行
う点にある。さらに本発明の第３の特徴は、上記第１の
特徴に加え、はんだ付着面に形成されたはんだバンプ
（１３）の周辺に付着した粒状のはんだ塊（９ｂ）を超
音波洗浄又はブラッシング処理により除去する点にあ
る。
【０００５】
【作用】溶解はんだ９は超音波振動により粒子状になっ
て液面から噴射され、その上方の加工物１のはんだ付面
に粒状のまま付着する。この付着粒子を加熱すると各粒
子９ａが凝集していくつかのはんだ塊９ｂとして成長す
るが、はんだ付の条件が整っている部分にははんだバン
プ１３として特に多くのはんだが凝集付着する。はんだ
バンプ１３の周辺においてははんだ塊９ｂははんだ付さ
れてはいないので後にブラッシング等によって除去でき
る。
て液面から噴射され、その上方の加工物１のはんだ付面
に粒状のまま付着する。この付着粒子を加熱すると各粒
子９ａが凝集していくつかのはんだ塊９ｂとして成長す
るが、はんだ付の条件が整っている部分にははんだバン
プ１３として特に多くのはんだが凝集付着する。はんだ
バンプ１３の周辺においてははんだ塊９ｂははんだ付さ
れてはいないので後にブラッシング等によって除去でき
る。
【０００６】
【実施例】図１は本発明方法に使用するシリコンウエハ
等の加工物１の拡大断面図で、Ｓｉからなる基板２の実
装面にはアルミニウム又はアルミニウム合金等からなる
電極３が付着され、該電極３のまわりにはＳｉＯ２等か
らなるバッシベーション膜４が、上記電極３の表面が露
出する状態で被着される。そして上記電極３の露出面に
は予備はんだ又はＡｕメッキ等によりその表面にはんだ
付が可能な条件を整えた前処理部６が付着形成されてお
り、前処理部６の表面がはんだ付面となっている。
等の加工物１の拡大断面図で、Ｓｉからなる基板２の実
装面にはアルミニウム又はアルミニウム合金等からなる
電極３が付着され、該電極３のまわりにはＳｉＯ２等か
らなるバッシベーション膜４が、上記電極３の表面が露
出する状態で被着される。そして上記電極３の露出面に
は予備はんだ又はＡｕメッキ等によりその表面にはんだ
付が可能な条件を整えた前処理部６が付着形成されてお
り、前処理部６の表面がはんだ付面となっている。
【０００７】上記加工物１は図２に示すように前処理部
６を下向きにして支持せしめ、その下方には超音波振動
装置７のチップ８が数ミリ乃至数十ミリ（例えば３０ミ
リメートル）の噴射間隔Ｓを介して上向きに支持されて
いる。上記チップ８の上端外周には内部に溶解はんだ９
を収容するはんだポット１１が装着されており、該ハン
ダポット１１には上記チップ８の上端面近傍に（例えば
チップ端面までの深さαが−５ミリ〜＋５ミリの）液面
を形成するように常時溶解はんだ９が供給されており、
超音波振動装置７のチップ８は１０ＫＨＺ〜１ＭＨＺ程
度の超音波振動をしている。
６を下向きにして支持せしめ、その下方には超音波振動
装置７のチップ８が数ミリ乃至数十ミリ（例えば３０ミ
リメートル）の噴射間隔Ｓを介して上向きに支持されて
いる。上記チップ８の上端外周には内部に溶解はんだ９
を収容するはんだポット１１が装着されており、該ハン
ダポット１１には上記チップ８の上端面近傍に（例えば
チップ端面までの深さαが−５ミリ〜＋５ミリの）液面
を形成するように常時溶解はんだ９が供給されており、
超音波振動装置７のチップ８は１０ＫＨＺ〜１ＭＨＺ程
度の超音波振動をしている。
【０００８】上記のように薄膜状の溶解はんだ９に交差
方向の超音波振動を印加すると、チップ８上の溶解はん
だ９は超音波振動により１〜数百ミクロン位の径の粒子
９ａとなって加工物１のはんだ付面に向かって噴霧され
る。
方向の超音波振動を印加すると、チップ８上の溶解はん
だ９は超音波振動により１〜数百ミクロン位の径の粒子
９ａとなって加工物１のはんだ付面に向かって噴霧され
る。
【０００９】この時超音波振動数やはんだの種類、噴射
間隙Ｓ等の条件にもよるが、１ｍｍ近い大径の粒子はチ
ップ上から噴射されても自重により落下し、比較的小径
のものだけがはんだ付面やバッシベーション膜４の表面
に到達して付着する。従ってはんだの噴射条件を変える
ことにより、噴霧するハンダ粒子９ａの粒径の調節又は
統一等が可能である。このような作動中、はんだ粒子が
はんだ付着面やバッシベーション膜表面に少なくとも落
下しない程度に付着するように、加工物１の下面側には
はんだの融点付近まで加熱されたＮ２，Ａｒその他の不
活性ガスにより非酸化雰囲気を形成し、あるいは不活性
ガスの熱風を供給することが望ましい。
間隙Ｓ等の条件にもよるが、１ｍｍ近い大径の粒子はチ
ップ上から噴射されても自重により落下し、比較的小径
のものだけがはんだ付面やバッシベーション膜４の表面
に到達して付着する。従ってはんだの噴射条件を変える
ことにより、噴霧するハンダ粒子９ａの粒径の調節又は
統一等が可能である。このような作動中、はんだ粒子が
はんだ付着面やバッシベーション膜表面に少なくとも落
下しない程度に付着するように、加工物１の下面側には
はんだの融点付近まで加熱されたＮ２，Ａｒその他の不
活性ガスにより非酸化雰囲気を形成し、あるいは不活性
ガスの熱風を供給することが望ましい。
【００１０】上記のようにはんだ粒子９ａを付着した状
態の加工物１は、図３に示すように上下反転させてはん
だ付面側に付着した粒子９ａを、上記同様の高温非酸化
雰囲気下で、図４のようにしてヒーター１２で加熱する
ことにより溶解させる。ヒーター１２ははんだ付面の上
側に置き、下向きに加熱してもよい。
態の加工物１は、図３に示すように上下反転させてはん
だ付面側に付着した粒子９ａを、上記同様の高温非酸化
雰囲気下で、図４のようにしてヒーター１２で加熱する
ことにより溶解させる。ヒーター１２ははんだ付面の上
側に置き、下向きに加熱してもよい。
【００１１】上記のようにして付着はんだ粒子９ａを溶
解させると、はんだ粒子は図４に示すように、前処理部
６上では近傍のはんだ粒子９ａを表面張力により吸引し
て凝集し、はんだバンプ１３として成長したはんだ塊が
付着しており、またそのまわりには多数のはんだ粒子９
ａが相互に表面張力によって引き寄せ合って成長したは
んだ塊９ｂがバッシベーション膜４の表面に軽く付着し
ている。
解させると、はんだ粒子は図４に示すように、前処理部
６上では近傍のはんだ粒子９ａを表面張力により吸引し
て凝集し、はんだバンプ１３として成長したはんだ塊が
付着しており、またそのまわりには多数のはんだ粒子９
ａが相互に表面張力によって引き寄せ合って成長したは
んだ塊９ｂがバッシベーション膜４の表面に軽く付着し
ている。
【００１２】特に前処理部６上においては、粒子噴射時
にチップ８の中心位置にあるためその表面には多数のは
んだ粒子９ａが付着するほか、溶解時に前処理部６のま
わりに付着したはんだ微小粒子９ａを、表面張力により
その中心側に引き寄せて凝集するため、前処理部６上に
は大型の（例えば４０〜１００μｍ位の高さの）バンプ
１３が形成される。
にチップ８の中心位置にあるためその表面には多数のは
んだ粒子９ａが付着するほか、溶解時に前処理部６のま
わりに付着したはんだ微小粒子９ａを、表面張力により
その中心側に引き寄せて凝集するため、前処理部６上に
は大型の（例えば４０〜１００μｍ位の高さの）バンプ
１３が形成される。
【００１３】しかし上記加熱溶解に際し、はんだバンプ
１３は前処理部６を介して電極３に強固にはんだ付され
るが、バッシベーション膜４上のはんだ塊９ｂはその表
面に付着はしているが、はんだ付されている訳ではない
ため、図５に示すように回転ブラシ１４等によりブラッ
シングし、あるいは別途超音波洗浄等により除去するこ
とが可能である。
１３は前処理部６を介して電極３に強固にはんだ付され
るが、バッシベーション膜４上のはんだ塊９ｂはその表
面に付着はしているが、はんだ付されている訳ではない
ため、図５に示すように回転ブラシ１４等によりブラッ
シングし、あるいは別途超音波洗浄等により除去するこ
とが可能である。
【００１４】
【発明の効果】以上のように構成される本発明の方法に
よれば、従来のはんだバンプに比して、多数のはんだを
付着させて大型の特に高さの高いはんだバンプを形成す
ることができ、はんだバンプを利用した回路接続が迅速
容易に且つ確実に行えるという利点を備えている。また
バンプ周辺に付着はんだはブラッシング等により確実に
除去できるので、従来のような液体洗浄等を要すること
なくバンプ周辺の仕上り面がきれいで、次の加工が容易
である。
よれば、従来のはんだバンプに比して、多数のはんだを
付着させて大型の特に高さの高いはんだバンプを形成す
ることができ、はんだバンプを利用した回路接続が迅速
容易に且つ確実に行えるという利点を備えている。また
バンプ周辺に付着はんだはブラッシング等により確実に
除去できるので、従来のような液体洗浄等を要すること
なくバンプ周辺の仕上り面がきれいで、次の加工が容易
である。
【図１】シリコンウエハ等のはんだ付加工物の拡大断面
図。
図。
【図２】加工物への溶解はんだ粒子噴射状態を示す側断
面図。
面図。
【図３】加工物へ付着したはんだ粒子を示す側断面図。
【図４】加工物へ付着したはんだ粒子溶解状態を示す側
断面図。
断面図。
【図５】はんだバンプ周辺の不要はんだ塊の除去方法を
示す断面図。
示す断面図。
１ 加工物 ９ 溶解はんだ ９ａ はんだ粒子（粒状はんだ） ９ｂ はんだ塊 １３ はんだバンプ
Claims (3)
- 【請求項１】 溶解はんだ（９）に超音波振動を印加
することにより上記溶解はんだ（９）を粒子状にして噴
霧させるとともに該粒子状の溶解はんだ（９ａ）を加工
物（１）のはんだ付着面に付着させ、付着面に付着した
はんだを加熱溶解することによりはんだバンプ（１３）
を形成するはんだバンプ形成方法。 - 【請求項２】 はんだ付着面に付着したはんだ（９
ａ）の加熱溶解を非酸化雰囲気中で行う請求項１のはん
だバンプ形成方法。 - 【請求項３】 はんだ付着面に形成されたはんだバン
プ（１３）の周辺に付着した粒状のはんだ塊（９ｂ）を
超音波洗浄又はブラッシング処理により除去する請求項
１のはんだバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5031385A JP2610567B2 (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | はんだバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5031385A JP2610567B2 (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | はんだバンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224201A true JPH06224201A (ja) | 1994-08-12 |
| JP2610567B2 JP2610567B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=12329797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5031385A Expired - Lifetime JP2610567B2 (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | はんだバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2610567B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3707983A1 (de) * | 1987-03-12 | 1988-09-22 | Max Planck Gesellschaft | Optische einrichtung geringer dicke mit abstuetzvorrichtung |
| JP2007142314A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | はんだ接合用前処理装置、その前処理方法およびそれを適用した電子部品実装装置、電子部品 |
| JP2008085247A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Omron Corp | 半田付け装置および該半田付け装置を用いた半田付け方法 |
-
1993
- 1993-01-27 JP JP5031385A patent/JP2610567B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3707983A1 (de) * | 1987-03-12 | 1988-09-22 | Max Planck Gesellschaft | Optische einrichtung geringer dicke mit abstuetzvorrichtung |
| JP2007142314A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | はんだ接合用前処理装置、その前処理方法およびそれを適用した電子部品実装装置、電子部品 |
| JP2008085247A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Omron Corp | 半田付け装置および該半田付け装置を用いた半田付け方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2610567B2 (ja) | 1997-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6541364B2 (en) | Bump forming method and bump forming apparatus | |
| JPH0982718A (ja) | 微細金属バンプの製造方法および製造装置 | |
| JP3633941B2 (ja) | 半導体装置製造方法 | |
| JP3635068B2 (ja) | バンプ形成装置 | |
| US6500693B2 (en) | Electrode forming method and bump electrode formable base used therefor | |
| WO2004054339A1 (ja) | はんだ供給方法 | |
| JPH06224201A (ja) | はんだバンプ形成方法 | |
| EP0501361B1 (en) | Electrical connecting member and method of manufacturing the same | |
| JPS63254753A (ja) | ダイヤモンド・ヒートシンクの製造方法 | |
| JP3147424B2 (ja) | 電子回路部品 | |
| JP3601678B2 (ja) | 部品実装方法及び装置 | |
| JPH07114205B2 (ja) | はんだバンプの形成方法 | |
| JP3872995B2 (ja) | ベアチップ実装方法 | |
| JP4505783B2 (ja) | 半田バンプの製造方法及び製造装置 | |
| JP4276550B2 (ja) | はんだ供給方法並びにこれを用いたはんだバンプの形成方法及び装置 | |
| JPH02312240A (ja) | バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプ | |
| JP2001068839A (ja) | 金属球配列方法及び金属球配列装置 | |
| JP2005011884A (ja) | 配線基板におけるはんだコーティング方法 | |
| JP4189931B2 (ja) | 印刷マスクの清掃方法 | |
| JP2002050656A (ja) | 電子部品素子実装装置及び実装方法 | |
| JPH09214117A (ja) | 半田バンプの形成方法 | |
| JPH10216630A (ja) | 超音波振動子の半田付け方法および超音波振動装置 | |
| JP4525210B2 (ja) | 超音波接合装置 | |
| JPH07142487A (ja) | 金属バンプ及び半導体装置の生産方法 | |
| TW473944B (en) | Method for forming conducting bump on contact pad |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 16 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130213 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |