JP2002151539A - バンプ形成方法およびその装置 - Google Patents

バンプ形成方法およびその装置

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JP2002151539A JP2000342819A JP2000342819A JP2002151539A JP 2002151539 A JP2002151539 A JP 2002151539A JP 2000342819 A JP2000342819 A JP 2000342819A JP 2000342819 A JP2000342819 A JP 2000342819A JP 2002151539 A JP2002151539 A JP 2002151539A
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淳 松井
Kaoru Uchiyama
内山　　薫
Takayuki Itsuji
貴之 井辻
Kunio Kondo
邦男 近藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】所定の寸法精度の球状の導電性粒子を用いてウ
ェハ又は回路基板上の電極部にバンプを形成し得る安価
なバンプ形成装置を実現する。 【解決手段】マスク11は導電粒子13を搭載する複数の電
極部10aが一方面に形成された被対象物10の電極部10aに
対応する位置に複数の孔が形成され被対象物10の電極部
10aに複数の孔がそれぞれ対向する。テーブル12は被対
象物10を他方の面側から吸引し粒子13が被対象物10の電
極部10aに搭載されるようにマスク11の孔を介して粒子1
3を吸引する複数の孔12aを有する。ホッパ14は複数の粒
子13を収容し互いの吸着を抑制し自重により落下させる
スリット部17が形成される。ホッパ14のスリット部17は
マスク11の上面と粒子13の径より大の間隔で対向して移
動され先行側にホッパ14、後行側にユニット15が配置さ
れ、マスク11の孔に落下しなかった粒子13を回収ユニッ
ト15が回収する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性粒子を用い
半導体ウエハ、電子回路を形成した基板等の、いわゆる
半導体装置の端子となる電極部にバンプを形成するバン
プ形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】バンプ形成方法およびその装置について
は、従来から数多く存在している。例えば、メッキによ
り半導体装置の電極部に金属を析出させてバンプを形成
するメッキ法、はんだペーストを半導体装置の電極部に
印刷し、加熱することではんだペースト中のはんだを溶
融させてバンプを形成する印刷法、金ワイヤの一端を半
導体装置の電極部に接続し切断することでバンプを形成
するスタッドバンプ法がある。
【０００３】また、はんだボール（導電性粒子）を真空
吸引により治具に吸引しはんだボールの下面部にフラッ
クスを付着させて、これをウエハまたは回路基板上の電
極部に搭載し、加熱することではんだボールを溶融させ
てバンプを形成するはんだボール搭載法がある。
【０００４】一方、電子製品の小型、高性能化に伴いＩ
ＣパッケージがＱＦＰ（Quad FlatPackage）からＢＧＡ
（Ball Grid Array）へ、更にＣＳＰ（Chip Size Packa
ge）からフリップチップへとバンプ間隔の狭ピッチ化及
びバンプ径の小径化が急速に進んでいる。
【０００５】ＩＣの小型化に伴い従来技術のメッキ法で
は十分な体積を持つバンプを形成することが難しく、更
にメッキ時間が長い問題が存在する。
【０００６】また、従来技術の印刷法ではバンプ体積及
びバンプ高さのバラツキが生じるため、回路基板などに
ＩＣのバンプを接続するとき、全てのバンプが正常に接
続ができない問題が存在する。
【０００７】また、従来技術のスタッドバンプ法はバン
プの材質が金のためバンプと接続する回路基板の導体材
料が限定されるという問題が存在する。
【０００８】また、従来技術のはんだボール搭載法はバ
ンプ体積及びバンプ高さのバラツキがなくバンプ形成が
できるが、一度に数百個のはんだボール搭載しかできな
いという問題と、このはんだボールの径が３００μｍ以
上ではないと、搭載することができない問題が存在す
る。
【０００９】また、はんだボールの搭載時間が約１５秒
／回必要であり、数万個のはんだボールを搭載する場合
には数時間以上を費やすため、生産性が低いという問題
が存在する。具体的には以下に説明するＡ〜Ｉが公知技
術としてあげられる。
【００１０】まず、公知技術（例Ａ）のバンプ形成方法
としては、特開平９−２４６７０４号公報に記載のよう
に、回路基板上のはんだバンプを形成するはんだパッド
の表面にのみ部分的にフラックスを塗布するフラックス
塗布工程と、上記はんだパッドに対向し、はんだボール
が通過できる貫通孔を有するマスクを通して、はんだボ
ールをはんだパッドの表面にフラックス粘着させるはん
だボール粘着工程と、マスクを取り外した後に、はんだ
溶融温度で加熱し、はんだバンプを形成する加熱工程と
を有している。
【００１１】この例Ａによるバンプ形成方法は、マスク
貫通孔以外の領域に多数残ったはんだボールを回路基板
とマスクとを逆さまにひっくり返すことではんだボール
を下部に落下させる方法である。
【００１２】また、公知技術（例Ｂ）のバンプ形成方法
としては、特許番号２６６３９２７号公報に記載のよう
に、回路基板上のはんだバンプを形成するはんだパッド
の表面にのみ部分的にはんだペーストを印刷するはんだ
ペースト印刷工程と、上記はんだパッドに対向し、はん
だボールが通過できるマスクの貫通孔にはんだボールを
入れ、このはんだボールの上からはんだボール径より若
干小さい突起を押圧するはんだボール押圧工程とを有す
る方法がある。
【００１３】また、公知技術（例Ｃ）のバンプ形成方法
としては、特開平６−２９１１２２号公報に記載のよう
に、マスクに袋小路の多孔をあけ、これらの多孔にはん
だボールを入れた後に、マスク上面部を刷毛を移動する
ことにより余分なはんだボールをはんだボール排出口か
ら排出する方法がある。
【００１４】また、公知技術（例Ｄ）のバンプ形成方法
としては、特開平７−２５４７７７号公報に記載のよう
に、チップ部品上のはんだバンプを形成するはんだパッ
ドとはんだボールが通過できる貫通孔を有するマスクと
を位置決めした後に、升状の側壁内に供給したはんだボ
ールを移動させてマスクの貫通孔にはんだボールを落下
させる方法がある。
【００１５】また、公知技術（例Ｅ）のバンプ形成方法
としては、特開平７−２０２４０３号公報に記載のよう
に、チップ部品上のはんだバンプを形成するはんだパッ
ドとはんだボールが通過できる貫通孔を有するマスクと
を位置決めした後に、升状のボールホッパに供給したは
んだボールを移動させてマスクの貫通孔にはんだボール
を落下させる方法がある。
【００１６】また、公知技術（例Ｆ）のバンプ形成方法
としては、特開平９−１０７０４５号公報に記載のよう
に、ＢＧＡパッケージ上のはんだバンプを形成するはん
だパッドの表面にのみ部分的にはんだペーストを塗布
し、はんだボールが通過できる貫通孔を有するマスクを
位置決めした後に、スキージを移動させてはんだボール
をマスクの貫通孔に落下させる方法がある。
【００１７】また、公知技術（例Ｇ）のバンプ形成方法
としては、特開平１１−１３５５６５号公報に記載のよ
うに、基板上のはんだバンプを形成するバンプパッドの
表面にのみ部分的にフラックスを塗布し、はんだボール
が通過できる貫通孔を有するマスクを位置決めした後
に、はんだボール押え板ではんだボールの上部を加圧
し、その後に加熱する方法がある。
【００１８】また、公知技術（例Ｈ）のバンプ形成方法
としては、特許番号第２７１３２６３号公報に記載のよ
うに、プリント基板上のはんだバンプを形成するパッド
の表面にのみ部分的にクリームはんだを塗布し、はんだ
ボールが通過できる貫通孔を有するノズル部を位置決め
した後に、ノズル部内のはんだボールを押圧部でプリン
ト基板に押し付け、その後加熱する方法がある。
【００１９】また、公知技術（例Ｉ）のバンプ形成方法
としては、特許番号第２８９１０８５号公報に記載のよ
うに、半導体素子上のはんだバンプを形成するはんだボ
ール電極の表面にのみ部分的にフラックスを塗布するフ
ラックス塗布工程と、上記はんだパッドに対向しはんだ
ボールが通過できる貫通孔を有するマスクを通してはん
だボールをはんだボール電極の表面のフラックスに粘着
させ、マスク貫通孔以外に多数残ったはんだボールを半
導体素子とマスクを少し傾けた状態で、はんだボールを
下部に落下させる方法がある。
【００２０】なお、例Ａに類似する公知技術としては、
特開平９−１３４９２３号公報に記載された「はんだボ
ール供給装置」がある。
【００２１】また、例Ａ〜Ｉの他の公知技術としては、
特開２０００−１３３９２３号公報に記載された「導電
性ボールの基板への搭載方法」がある。
【００２２】この特開２０００−１３３９２３号公報に
記載された「導電性ボールの基板への搭載方法」は、導
電性ボール受け穴を多数有する平板状の位置決め手段を
下り勾配状に配置し、この位置決め手段に、ボール貯蔵
ホッパから複数の導電性ボールを供給して、ボール受け
穴に受け入れさせる。
【００２３】ボール受け穴に受け入れらなかった導電性
ボールは、導電性ボール回収ホッパに受け入れられる。
【００２４】そして、多数の導電性ボールを受け容れた
位置決め手段は、ほぼ水平となるように回動され、導電
性ボール吸着手段により、位置決め手段上の導電性ボー
ルが吸着される。
【００２５】続いて、導電性ボールを吸着した導電性ボ
ール吸着手段は、被導電性部材供給部に搭載される。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
（例Ａ）から（例Ｉ）までの従来のバンプ形成方法に
は、次のような問題点があった。
【００２７】第１の問題点は、導電性粒子同士の付着で
ある。これは、直径が３００μｍ以下の場合に多く発生
する現象であり、導電性粒子の帯電または導電性粒子の
電子密度の偏りにより発生するファンデルワールス力が
原因である。
【００２８】例えば、供給装置又は刷毛、スキージ等に
より導電性粒子をマスク上で滑らせながらマスク貫通孔
に落下させる場合、導電性粒子同士及びマスク、供給装
置、刷毛、スキージ等の接触により静電気が発生する。
【００２９】そして、発生した静電気により、マスク表
面部又はマスクの貫通孔内及び供給装置又は刷毛、スキ
ージ等に導電性粒子が付着するため、導電性粒子の運動
を制御できず、自重でマスクの貫通孔に確実に供給でき
ない構造であった。
【００３０】また、静電気の影響でマスクの貫通孔に、
完全な状態ではなく、中途半端な位置で導電性粒子が付
着するため、供給装置の先端部又はスキージ端面部に導
電性粒子が噛み込む現象が発生し、導電性粒子へのダメ
ージが発生しやすい構造であった。
【００３１】次に、第２の問題点は、導電性粒子をスキ
ージ又は刷毛などでマスク上を滑らせるため、導電性粒
子に外力が加わり導電性粒子の変形が発生し、マスクの
貫通孔の直径以上に導電性粒子が変形した場合は導電性
粒子の自重でマスクの貫通孔に確実には挿入又は供給で
きない構造となっていた。
【００３２】次に、第３の問題点は、マスクの貫通孔に
導電性粒子を多数個入れた後にウエハまたは回路基板と
マスクとを引き離すときに、マスクの貫通孔内壁と導電
性粒子とが摩擦して回路基板上の電極部に搭載されてい
る導電性粒子が脱落しやすい構造であるという構造とな
っていた。
【００３３】ここで、上述した公知技術である例Ａにつ
いて述べると、はんだボールの自重のみの力でマスクの
貫通孔に、はんだボールを落下させるため、はんだボー
ル同士が帯電し、マスクの貫通孔以外に多数のはんだボ
ールが残るという問題が存在し、静電気の影響について
は考慮されてがいなかった。
【００３４】また、回路基板とマスクとを逆さまにひっ
くり返す時に発生するマスクの振動によりマスク貫通孔
に入っているはんだボールが脱落しやすいという問題が
存在し、この振動の影響について考慮していない構造と
なっていた。
【００３５】また、公知技術である例Ｂは、マスクの貫
通孔にどのようにはんだボールを入れるかを考慮してい
ない。また、位置決めした突起を押し出して、はんだボ
ールを上部に押し出す時に、はんだボールとマスクの貫
通孔との摩擦により発生する静電気の影響を考慮してい
ない構造となっていた。
【００３６】また、公知技術である例Ｃは、刷毛を移動
することにより、マスクとはんだボールとを刷毛により
摩擦することによって、はんだボールが帯電し、一度マ
スクの多孔に入ったはんだボールが飛び出しやすい構造
となっていた。
【００３７】また、マスクの多孔に入っているはんだボ
ールを回路基板上のはんだバンプを形成するはんだ凹状
パッドに落下される構造のため、マスクと回路基板とを
ひっくり返した時に、はんだボールの帯電により、はん
だボールが自重でマスク貫通孔に落下しにくい構造とな
っていた。
【００３８】また、導電性粒子であるはんだボールを刷
毛を用いてマスク上を滑らせる構造のため、導電性粒子
に外力が加わり導電性粒子の変形が発生しやすく、マス
クの貫通孔以上に導電性粒子が変形した場合、導電性粒
子の自重では、マスクの貫通孔に落下できない構造とな
っていた。
【００３９】また、公知技術である例Ｄは、升状の収納
枠に供給したはんだボール移動することにより、マスク
と、はんだボール表面と、升状の内壁とが帯電し、マス
クの貫通孔に入っているはんだボールがマスクの多孔か
ら飛び出しやすい構造となっていた。
【００４０】また、マスクの貫通孔の中途半端な位置
で、はんだボールが付着するため、はんだボールと升状
の収納枠の角部とが噛み込む現象が発生し、はんだボー
ルの欠けが発生しやすい構造となっていた。
【００４１】また、導電性粒子を升状の収納枠でマスク
上を滑らせるため、導電性粒子に外力が加わり変形が発
生しやすい構造であり、マスク貫通孔以上に導電性粒子
が変形した場合、導電性粒子の自重ではマスクの貫通孔
に落下しにくい構造となっていた。
【００４２】また、公知技術である例Ｅは升状のボール
ホッパに供給したはんだボールを移動することにより、
マスクとはんだボール表面とボールホッパの内壁とが帯
電し、マスクの貫通孔に入っているはんだボールがマス
ク多孔から飛び出しやすい構造となっていた。
【００４３】また、静電気によりはんだボールがマスク
貫通孔の中途半端な位置ではんだボールが付着するた
め、ボールホッパ先端部または押圧部材と、はんだボー
ルとが噛み込む現象が発生し、はんだボールの欠けが発
生しやすい構造となっていた。
【００４４】また、導電性粒子であるはんだボールをボ
ールホッパでマスク上を滑らせるため、導電性粒子に外
力が加わり変形が発生しやすい構造であり、マスクの貫
通孔以上に導電性粒子が変形した場合、導電性粒子の自
重ではマスクの貫通孔に落下しにくい構造となってい
た。
【００４５】また、公知技術である例Ｆは、剣先状のス
キージに供給したはんだボールを移動することによりマ
スクとはんだボール表面とスキージとが帯電し、マスク
の貫通孔に一度入ったはんだボールがマスクの多孔から
飛び出しやすい構造となっていた。
【００４６】また、静電気により、はんだボールがマス
クの貫通孔の中途半端な位置で付着するため、スキージ
と、はんだボールとが互いに噛み込む現象が発生し、は
んだボールの欠けが発生しやすい構造となっていた。
【００４７】また、導電性粒子を剣先状のスキージでマ
スク上を滑らせるため、導電性粒子に外力が加わり変形
が発生しやすい構造であり、マスクの貫通孔以上に導電
性粒子が変形した場合、導電性粒子の自重では、マスク
の貫通孔に落下しにくい構造となっていた。
【００４８】また、公知技術である例Ｇは、マスクの貫
通孔にどのようにはんだボールを入れるかを考慮してい
ない。
【００４９】また、公知技術である例Ｈは、押圧部をノ
ズル部の貫通孔に入れる時に、金属ボールとノズル部の
貫通孔の角部との噛み込みが発生しやすい構造であっ
た。また、金属ボールに外力が加わるため、金属ボール
の変形が発生しやすい構造となっていた。
【００５０】また、公知技術である例Ｉは、はんだボー
ルを、半導体素子とマスクとを少し傾けた状態で、はん
だボールをマスクの上部から下部に滑らせながらマスク
の貫通孔に入れるため、はんだボールの摩擦によって、
はんだボールが帯電しマスク上に、はんだボールが残り
やすい構造となっていた。
【００５１】また、はんだボールの帯電により一度マス
クの貫通孔に入ったはんだボールが飛び出しやすい構造
となっていた。
【００５２】例えば、導電性粒子が錫、鉛または銀など
を主成分とするはんだであり、直径がΦ３００μm以下
の場合に、マスク上に、はんだボールを滑らせた場合に
マスク表面と、はんだボール表面とで±５０から±３０
００Ｖの静電気が発生する。
【００５３】上述した従来技術では、導電性粒子の表面
に発生する静電気及びファンデルワールス力の影響で、
導電性粒子がマスクの貫通孔に落下しにくい構造であ
り、また、導電性粒子と供給装置であるホッパなどの先
端部とが噛み込みやすい構造のため、導電性粒子の欠け
などのダメージが発生する問題を解決できないため実用
化されていなかった。
【００５４】本発明の目的は、直径がΦ３００μm以下
の導電性粒子のバンプ高さ、体積のばらつきを少なくす
るために、所定の寸法精度の球状の導電性粒子を用いて
ウェハ又は回路基板上の電極部にバンプを形成し得る安
価なバンプ形成方法及びその装置を実現することであ
る。また、本発明の他の目的は、マスク上に残った余分
な導電性粒子を確実にかつ容易に吸引回収することによ
り、高価な導電性粒子を再利用し、リサイクル化が可能
なバンプ形成方法及びその装置を実現することである。
【００５５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は次のように構成される。 （１）導電性粒子を用いて半導体ウエハまたは電子回路
基板上に電極部にバンプを形成するバンプ形成方法にお
いて、バンプ形成位置に導電性粒子の貫通孔を有するマ
スクと上記ウエハまたは回路基板とを位置合わせし、吸
引孔が形成されたテーブル上に配置する工程と、導電性
粒子供給手段により、導電性粒子をマスク上の貫通孔へ
落下しながら移動し、導電性粒子供給手段の移動する位
置に同期して、上記テーブルに形成された孔からマスク
に形成された貫通孔を介して導電性粒子を吸引し、半導
体ウエハまたは電子回路基板上の電極部に導電性粒子を
搭載する粒子搭載工程と、上記マスクの貫通孔に落下し
なかった導電性粒子を回収するボール回収工程とを備え
る。
【００５６】（２）好ましくは、上記（１）において、
上記導電粒子供給手段の先端部には導電性粒子の吸引溝
が形成されており、この吸引溝により、導電性粒子の吸
引及び非吸引を制御して、導電性粒子供給手段の導電性
粒子の保持及び落下を制御する。
【００５７】（３）また、好ましくは、上記（１）、
（２）において、上記供給手段内に収容された導電性粒
子に、除電用流体が吹き付けられる。
【００５８】（４）また、好ましくは、（１）、
（２）、（３）において、上記供給手段の導電粒子収容
部の側面に振動子を設け、導電性粒子に振動を加えなが
ら供給手段から導電性粒子を落下させる。
【００５９】（５）また、好ましくは、上記（１）、
（２）、（３）、（４）において、上記半導体ウエハま
たは回路基板上の電極部に予めフラックスまたははんだ
ペーストまたは導電性接着剤を付着し、上記導電性粒子
を落下した後、上記マスクの貫通孔の上から熱を供給し
て上記電極部と導電性粒子との固着力を増加させる。
【００６０】（６）また、好ましくは、上記（１）、
（２）、（３）、（４）、（５）において、上記マスク
の貫通孔に落下しなかった導電性粒子は、粒子回収手段
により回収され、この粒子回収手段は、導電性粒子を吸
引する吸引部を有し、この吸引部の入り口には多数のス
リット溝が形成され、吸引部に乱流を発生させて導電性
粒子を回収する。
【００６１】（７）また、好ましくは、上記（１）、
（２）、（３）、（４）、（５）、（６）において、上
記テーブルの表面材質は、鉄、ジルコニア、アルミナ又
はジルコニア又はクロム、チタンのいずれかの膜を有す
る。
【００６２】（８）また、好ましくは、上記（５）にお
いて、フラックスまたははんだペースト、導電性接着剤
の材料沸点の温度は、導電性粒子の融点より、＋１０℃
から＋４０℃の特性を有する。
【００６３】（９）また、好ましきくは、上記（１）、
（２）、（３）、（４）、（５）、（６）、（７）、
（８）において、回収した導電性粒子を遠心分離室内の
遠心分離により、導電性粒子と粉塵とを分離して、導電
性粒子を回収する。
【００６４】（１０）導電性粒子を用いて半導体ウエハ
または電子回路基板上に電極部にバンプを形成するバン
プ形成装置において、バンプ形成位置に導電性粒子の貫
通孔を有するマスクと、複数の吸引孔が形成され、上記
ウエハまたは回路基板とが配置され、上記吸引孔からマ
スクに形成された貫通孔を介して導電性粒子を吸引する
テーブルと、複数の導電性粒子を上記マスク上の貫通孔
へ落下しながら移動する導電性粒子供給手段と、導電性
粒子を回収する導電性粒子回収手段と、を備え、 導電
性粒子供給手段の移動する位置に同期して、上記テーブ
ルに形成された孔からマスクに形成された貫通孔を介し
て導電性粒子を吸引し、半導体ウエハまたは電子回路基
板上の電極部に導電性粒子を搭載し、上記マスクの貫通
孔に落下しなかった導電性粒子を導電粒子回収手段によ
り回収する。
【００６５】（１１）好ましくは、上記（１０）におい
て、上記導電粒子供給手段の先端部には導電性粒子の吸
引溝が形成されており、この吸引溝により、導電性粒子
の吸引及び非吸引を制御して、導電性粒子供給手段の導
電性粒子の保持及び落下を制御する。
【００６６】（１２）また、好ましくは、上記（１
０）、（１１）において、上記供給手段内に収容された
導電性粒子に、除電用流体が吹き付けられる。
【００６７】（１３）また、好ましくは、上記（１
０）、（１１）、（１２）において、上記供給手段の導
電粒子収容部の側面に振動子を設け、導電性粒子に振動
を加えながら供給手段から導電性粒子を落下させる。
【００６８】（１４）また、好ましくは、上記（１
０）、（１１）、（１２）、（１３）において、上記半
導体ウエハまたは回路基板上の電極部に予めフラックス
またははんだペーストまたは導電性接着剤を付着し、上
記導電性粒子を落下した後、上記マスクの貫通孔の上か
ら熱を供給して上記電極部と導電性粒子との固着力を増
加させる。
【００６９】（１５）また、好ましくは、上記（１
０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）におい
て、上記マスクの貫通孔に落下しなかった導電性粒子
は、粒子回収手段により回収され、この粒子回収手段
は、導電性粒子を吸引する吸引部を有し、この吸引部の
入り口には多数のスリット溝が形成され、吸引部に乱流
を発生させて導電性粒子を回収する。
【００７０】（１６）また、好ましくは、上記（１
０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）、（１
５）において、上記テーブルの表面材質は、鉄、ジルコ
ニア、アルミナ又はジルコニア又はクロム、チタンのい
ずれかの膜を有する。
【００７１】（１７）また、好ましくは、上記（１４）
において、フラックスまたははんだペースト、導電性接
着剤の材料沸点の温度は、導電性粒子の融点より、＋１
０℃から＋４０℃の特性を有する。
【００７２】（１８）また、好ましくは、上記（１
０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）、（１
５）、（１６）、（１７）において、回収した導電性粒
子を遠心分離室内の遠心分離により、導電性粒子と粉塵
とを分離して、導電性粒子を回収する。
【００７３】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図１１を用いて、本
発明の一実施形態によるバンプ形成装置について説明す
る。
【００７４】図１は、本発明の一実施形態によるバンプ
形成装置の概略断面図である。
【００７５】このバンプ形成装置におけるはんだボール
供給装置は、ホッパ１４と回収ユニット１５とから構成
されており、全体でボール搭載ヘッドを構成している。
【００７６】被対象物１０は、半導体ウエハでテーブル
１２の吸引穴１２aの吸引力１２bにより保持され、被対
象物１０の電極１０aの位置とマスク１１のマスク１１
の貫通孔１１aの位置とを合わせた後に、マスク１１を
テーブル１２の吸引力１２bにより密着する構造となっ
ている。
【００７７】はんだボール１３の搭載方法は、ホッパ１
４内に投入したはんだボール１３をホッパ１４に形成さ
れたスリット１７から１列にマスク１１に落下しなが
ら、搭載ヘッドの進行方向１８に進む。
【００７８】そして、スリット１７から落下したはんだ
ボール１３は、回収ユニット１５の吸引力１５aにより
マスク１１上を転がりながら、マスク１１の貫通孔１１
aに落下し被対象物１０上の電極１０aに印刷されたフラ
ックス１０bの粘着力で固定する構造となっている。
【００７９】なお、ホッパ１４に形成されたスリット１
７のスリット幅１７aは、はんだボール１３の径１３aの
１倍から２倍であり、スリット１７に、はんだボール１
３が詰まりにくい寸法構成としてある。
【００８０】また、ホッパ１４とマスク１１とのクリア
ランス１６は、はんだボール１３の径１３aの１倍から
２倍であり、マスク１１に落下したはんだボール１３と
ホッパ１４とが噛み込まない寸法構成としてある。
【００８１】なお、マスク１１上の余分なはんだボール
１３は、回収ユニット１５の吸引力１５aにより、全て
回収する構造となっている。
【００８２】次に、本発明の一実施形態であるバンプ形
成装置のテーブル部について説明する。
【００８３】図２は、本発明の一実施形態であるバンプ
形成装置のテーブル部の正面図である。
【００８４】図２において、テーブル２２（１２）には
吸引穴２２a（１２ａ）、２２b、２２cが設けられてい
る。また、マスク２１（１１）の裏側にはマスク２１
（１１）の裏側から彫り込んだハーフエッチング部２１
bと、このハーフエッチング部２１ｂと繋がっている吸
引溝２５a、２５b、２５cと貫通孔２１a（１１ａ）とが
設けられている。
【００８５】被対象物２０（１０）は、テーブル２２
（１２）に保持され、ホッパ２３（１４）内に投入され
たはんだボール２４（１３）が落下しながら進行方向２
３a（１８）を進む。
【００８６】このとき、ホッパ２３（１４）が吸引孔２
２a（１２ａ）の位置にきた時に、吸引孔２２a（１２
ａ）のみに吸引力２２d（１２ｂ）を発生させることに
より、マスク２１（１１）の裏側の吸引溝２５aを通し
てマスク２１の貫通孔２１a（１１ａ）を吸引し、はん
だボール２４（１３）を確実に落下させる構造となって
いる。
【００８７】このように、ホッパ２３（１４）の進行方
向２３aの進行速度に合わせて、テーブル２２（１２）
に設けた吸引穴Ａ（２２ａ）、Ｂ（２２ｂ）、Ｃ（２２
ｃ）を順次切り替えてマスク２１（１１）の吸引溝２５
a、２５ｂ、２５ｃを介してはんだボール２４（１３）
を吸引することにより、全てのマスク貫通孔２１a（１
１ａ）に、はんだボール２４（１３）を落下する構造と
なっている。
【００８８】次に、本発明の一実施形態によるバンプ形
成装置のホッパ部について説明する。
【００８９】図３は、本発明の一実施形態によるバンプ
形成装置の供給装置を示す断面図である。
【００９０】図３において、ホッパ３１（１４）のスリ
ット部３１a（１７）の側壁部に吸引溝３２を設け、ホ
ッパ３１内のはんだボール３０（１３）を吸引力３２に
よりホッパ３１内に保持する構造となっている。
【００９１】なお、ホッパ３１のはんだボール３０は、
この吸引力３２aを切ることによりスリット３１aから落
下して、落下したはんだボール３０aとする構造となっ
ている。
【００９２】このように、ホッパ３１の吸引力３２aを
制御することにより、はんだボール３０の落下を制御で
きる構造となっている。
【００９３】次に、本発明の一実施形態によるバンプ形
成装置のホッパ部へのはんだボールの供給について説明
する。
【００９４】図４は、本発明の一実施形態によるバンプ
形成装置のはんだボール供給装置におけるはんだボール
どおしの吸着を防止する手段の一例を示す図である。
【００９５】図４において、ホッパ４０（１４）は、除
電器４２に空気などの流体４２ｂを入れ、除電流体４３
ａとし、流路４２aを経由してパイプ４３の開口穴４３b
から、この除電流体４３aをホッパ４０内のはんだボー
ル４１（１３）に吹き付ける構成となっている。
【００９６】このように、ホッパ４０（１４）と、はん
だボール４１（１３）同士の摩擦により発生した、静電
気を除電することにより、ホッパ４０（１４）の先端部
のスリット４０a（１７）から一列に、はんだボール４
１（２１３）を落下し、落下したはんだボール４１ａと
することができる構造となっている。
【００９７】次に、本発明の一実施形態によるバンプ形
成装置のはんだボール供給装置におけるはんだボールど
おしの吸着を防止する手段の他の例について説明する。
【００９８】図５は、本発明の一実施形態によるバンプ
形成装置のはんだボール供給装置におけるはんだボール
どおしの吸着を防止する手段の他の例を示す図である。
【００９９】図５において、このはんだボール供給装置
は、ホッパ５５（１４）の側面板５４に振動を加える振
動子５２を有する構成となっている。ホッパ５５とはん
だボール５０（１３）同士の摩擦により発生した静電気
により、密着しているはんだボール５０を分離させるた
め、ホッパ５５の側面板５４に振動子５２のシャフト５
３を衝突させて（例えば、毎秒１回）、スリット５１
（１７）から一列に、はんだボール５０（１３）を落下
する構造となっている。
【０１００】次に、本発明の一実施形態によるバンプ形
成装置のはんだボール回収部について説明する。
【０１０１】図６は、本発明の一実施形態によるバンプ
形成装置のはんだボール回収部を示す正面図である。
【０１０２】図６において、このはんだボール回収部
は、はんだボール６６（１３）を吸引する吸引用流路６
０と、遠心分離室６２と、回収室６３と、排気パイプ６
４から構成されている。
【０１０３】吸引用流路６０の吸引力６１により吸引し
たはんだボール６６（１３）を遠心分離室６２の内壁を
回転させながら、下部の回収室６３に落下させる構造と
なっている。
【０１０４】そして、排気パイプ６４から排気６５を行
うことにより、はんだボール６６（１３）と、粉塵６７
とを分離して、空気などの流体と共に粉塵６７を外部に
排気できる構造となっている。
【０１０５】次に、本発明の一実施形態によるバンプ形
成装置のヒータ部について説明する。
【０１０６】図７は、本発明の一実施形態によるバンプ
形成装置のヒータ部を示す正面図である。
【０１０７】被対象物７５（１０）はテーブル７４（１
２）に保持され、被対象物７５（１０）の電極７５aの
位置とマスク７３（１１）のマスク貫通孔７３a（１１
ａ）の位置を合わせた後に、マスク７３（１１）をテー
ブル７４（１２）に密着する構造となっている。
【０１０８】被対象物７５（１０）上のフラックスは加
熱硬化性を用い、マスク７３（１１）の上から加熱室７
０のヒータ７１に加圧流体７０aを入れて、加熱流体７
１aを貫通孔７３aを通して被対象物７５（１０）の電極
部７５a上のフラックス７５bを軟化させて、はんだボー
ル１３を密着しやすくしている。
【０１０９】図８は、被対象物の一例についての説明図
である。図８において、例えば被対象物がＳｉウエハ８
０の場合、このウエハ８０上に回路が構成され電極部８
２が設けられている。
【０１１０】この電極部８２は錫などのメッキが施さ
れ、この電極部８２に、はんだバンプ８３が形成されて
いる。
【０１１１】このはんだバンプ８３は、直径が３００μ
m以下で、バンプ間ピッチは５００μm以下のフリップチ
ップが最近使用されてきている。
【０１１２】このＳｉウェハ８０上のバンプ形成数は数
万個から数十万個のため、ウェハ状態で一括ではんだボ
ールを搭載できる技術が必要となっている。
【０１１３】次に、本発明の一実施形態によるバンプ形
成装置のはんだボール回収部について説明する。
【０１１４】図９は、上記はんだボール回収部を示す図
である。このはんだボール回収部は、回収ユニット１０
０と回収管１００ａとを備える。はんだマスク３００上
に落下した、はんだボール２００（１３）を回収するた
めに、回収ユニット１００が、この回収ユニット１００
の進行方向４００に移動する構成となっている。
【０１１５】落下した、はんだボール２００（１３）
は、吸引力２００ｄにより回収ユニット１００の吸引方
向２００ｃに吸い込まれる。そして、吸引されたはんだ
ボール２００ｂは、回収管１００ａを通過し回収され、
回収されたはんだボール２００ａとする構成となってい
る。
【０１１６】このはんだボール回収部は、はんだボール
２００（１３）の吸引力２００ｄを向上するために、吸
引部入口１００ｂを凹凸形状とし、吸引部入口１００ｂ
の断面積を大きくしている。
【０１１７】なお、はんだマスク３００（１１）上のは
んだボール２００（１３）は、回収ユニット１００内の
乱流２００ｅにより吸引部後部１００ｃに留まることな
く、吸引力２００ｄにより、全て回収される構造となっ
ている。
【０１１８】上記乱流２００ｅを作り出すために、はん
だマスク３００（１１）と回収ユニット１００の吸引部
底面は、隙間を設け、吸引部入口１００ｂは、凹凸形状
とし、吸引部角部１００ｃはテーパ形状としている。
【０１１９】次に、本発明の一実施形態によるバンプ形
成装置のマスクについて説明する。図１０は、本発明の
一実施形態によるバンプ形成装置のマスクの正面図であ
る。
【０１２０】図１０において、マスク１１０（１１）に
は貫通孔１１０ａ、ストッパ１１０ｂ、ハーフエッチン
グ部１１０ｃ、吸引溝１１１ａから１１１ｉが設けられ
ている。
【０１２１】また、このマスク１１０（１１）において
は、はんだボール落下の進行方向１１２の進行速度と同
期して、吸引溝１１１ａから１１１ｉの順に、吸引を順
次切り替える構造となっている。
【０１２２】また、マスク１１０（１１）の貫通孔１１
０ａは、上記吸引溝１１１ａから１１１ｉを通して、マ
スク１１０上のはんだボールを落下させる構造となって
いる。
【０１２３】次に、本発明の一実施形態によるバンプ形
成装置のマスクの裏面について説明する。図１１は、上
記マスクの裏面を示す図である。図１１において、マス
ク１２０には、貫通孔１２０ａ、ストッパ１２０ｂ、ハ
ーフエッチング部１２０ｃ、吸引溝１２１ａが設けられ
ている。
【０１２４】マスク１２０の貫通孔１２０ａは、吸引溝
１２１ａからの吸引力により、はんだボールを貫通孔１
２０ａに落下する構造となっている。
【０１２５】次に、本発明の一実施形態によるバンプ形
成方法について説明する。
【０１２６】図１２は、本発明の一実施形態によるバン
プ形成方法を示す図である。図１２において、被対象物
９０（１０）は、テーブル９２（１２）に保持され、被
対象物９０（１０）の電極９０a（１０ａ）の位置と、
マスク９１のマスク貫通孔の位置とを合わせた後に、マ
スク９１をテーブル９２（１２）の吸引力１２bにより
密着する。その後、フラックス９４をスキージ９３を移
動することにより被対象物９０（１０）の電極９０a
（１０ａ）上にフラックス９４を印刷する。
【０１２７】この後、被対象物９０の電極９０aの位置
と、マスク９１aのマスク貫通孔の位置とを合わせた後
に、マスク９１aをテーブル９２の吸引力により密着
し、ヒータ９５からの加熱流体９５aにより電極９０a上
のフラックスを加熱させる。
【０１２８】この後、ホッパ９６（１４）内に投入した
はんだボール９７（１３）を落下させながら進行させ、
マスク９１aの貫通孔にはんだボール９７（１３）を落
下させる。
【０１２９】この後、はんだボール回収部９８の吸引９
８aにより、マスク９１aの貫通孔以外のはんだボール９
７を回収する。
【０１３０】この後、被対象物９０を熱風９９により加
熱し、被対象物９０の電極９０a上のはんだボール９７
を溶融させて、はんだバンプ９７aを形成する。
【０１３１】図１３は、本発明の一実施形態であるはん
だバンプ形成装置及びその方法によるフラックスの沸点
と、はんだボール搭載成功率と、バンプ形成成功率とを
示すグラフである。
【０１３２】ウエハ上の電極部にフラックスを塗布し、
その後、このウエハの電極部上にはんだボールを搭載し
た場合、フラックスの沸点が低い程、フラックスだれが
発生し、はんだボールがフラックスと一緒に移動するた
め、はんだボールの搭載成功率は低下する。
【０１３３】例えば、はんだボールの材質をＳｎ−３．
０Ａｇ−０．５Ｃｕを用いて、バンプを形成する場合、
はんだボールの融点の＋１０℃の特性のフラックスを用
いた場合には、バンプ形成成功率が９０％以上と良好と
なる。
【０１３４】これは、ウエハの電極部に搭載したはんだ
ボールが溶融して電極部上にバンプ形成する前に、フラ
ックスが沸騰し、この力ではんだボールのズレが発生す
るからである。
【０１３５】フラックスの沸点が高い程、はんだボール
のズレが発生しにくいが、フラックスの沸点が２７０℃
以上となると、バンプ形成後の洗浄液で完全には洗浄で
きず、フラックス残滓が生じる。
【０１３６】このため、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ
はんだボールの接続にはフラックス沸点がはんだボール
の融点の＋１０℃〜＋４０℃が最適な範囲となる。
【０１３７】以上のように、本発明の一実施形態のバン
プ形成装置によれば、導電粒子（はんだボール）１３を
搭載する複数の電極部１０ａが一方の面に形成された被
対象物（半導体ウエハ又は電子回路基板）１０の、上記
複数の電極部１０ａに対応する位置に、導電粒子１３の
径以上の径を有する複数の孔１１０ａが形成され、上記
被対象物１０に形成された上記複数の電極部１０ａに、
上記複数の孔１１０ａがそれぞれ対向するように、配置
されるマスク１１と、上記被対象物１０をこの被対象物
１０の他方の面側から吸引するとともに、導電粒子１３
が、被対象物１０に形成された電極部１０ａに搭載され
るように、上記マスク１１に形成された複数の孔１１０
ａを介して、導電粒子１３を吸引する複数の孔１２ａを
有するテーブル１２と、複数の導電粒子１３を収容し、
これら複数の導電粒子１３が互いに吸着することを抑制
し、導電粒子１３を自重により落下させるスリット部１
７が形成されたホッパ１４と、導電粒子１３を回収する
回収ユニット１５と、を備え、ホッパ１４に形成された
スリット部１７は、上記マスク１１の上面と導電粒子１
３の径より大の間隔を有して対向して移動され、この移
動の先行側に上記ホッパ１４が配置され、後行側に回収
ユニット１５が配置されて、上記マスク１１の上面を移
動し、マスク１１の孔１１０ａに落下しなかった導電粒
子１３を上記回収ユニット１５が回収するように構成さ
れる。
【０１３８】したがって、直径がΦ３００μm以下の導
電性粒子のバンプ高さ、体積のばらつきを少なくするた
めに、所定の寸法精度の球状の導電性粒子を用いてウェ
ハ又は回路基板上の電極部にバンプを形成し得る安価な
バンプ形成装置を実現することができる。また、マスク
上に残った余分な導電性粒子を確実にかつ容易に吸引回
収することにより、高価な導電性粒子を再利用し、リサ
イクル化が可能なバンプ形成装置を実現することができ
る。
【０１３９】また、ホッパ１４のスリット部１７の側壁
部には、導電粒子１３を吸引し、この導電粒子１３が、
落下しないように固定する吸引溝３２が形成されている
ため、導電粒子１３が落下すべきではないタイミングで
は、導電粒子１３の落下を防止することができる。
【０１４０】これにより、回収すべき導電粒子の数を減
少することができる。
【０１４１】なお、導電性粒子１３どおしの吸着を抑制
する手段として、図４の方法と図５の方法とを別個に説
明したが、図４の方法と図５の方法との２つを用いて、
導電性粒子１３どおしの吸着を抑制することもできる。
【０１４２】また、テーブル１２の表面材質は、鉄、ジ
ルコニア、アルミナ又はジルコニア又はクロム、チタン
のいずれかの膜を有するように構成することができる。
【０１４３】また、バンプ形成装置内の湿度を４０から
６０％に保つ湿度調整機構を有するように構成すること
もできる。
【０１４４】
【発明の効果】本発明によれば、導電性粒子のバンプ高
さ、体積のばらつきを少なくするために、所定の寸法精
度の球状の導電性粒子を用いてウェハ又は回路基板上の
電極部にバンプを形成し得る安価なバンプ形成方法及び
その装置を実現することができる。また、マスク上に残
った余分な導電性粒子を確実にかつ容易に吸引回収する
ことにより、高価な導電性粒子を再利用し、リサイクル
化が可能なバンプ形成方法及び装置を実現することがで
きる。
【０１４５】また、ウエハまたは回路基板の電極部に一
括で導電性粒子を搭載でき、導電性粒子の搭載成功率が
高く設備費用も安価であるため、バンプ形成の生産性を
飛躍的に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態であるバンプ形成装置の要
部断面図である。
【図２】本発明の一実施形態であるバンプ形成装置のテ
ーブルの要部断面図である。
【図３】本発明の一実施形態であるバンプ形成装置のホ
ッパの要部断面図である。
【図４】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のは
んだボール供給装置におけるはんだボールどおしの吸着
を防止する手段の一例を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のは
んだボール供給装置におけるはんだボールどおしの吸着
を防止する手段の他の例を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のは
んだボール回収部の要部断面図である。
【図７】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のヒ
ータ部の一例についての要部断面図である。
【図８】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置の被
対象物についての説明図である。
【図９】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置のは
んだボール回収部についての説明図である。
【図１０】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置の
マスクの正面図である。
【図１１】本発明の一実施形態によるバンプ形成装置の
マスクの裏面についての説明図である。
【図１２】本発明の一実施形態によるバンプ形成方法に
ついての説明図である。
【図１３】本発明の一実施形態であるはんだバンプ形成
装置及びその方法によるフラックスの沸点と、はんだボ
ール搭載成功率と、バンプ形成成功率とを示すグラフで
ある。
【符号の説明】
１０ 被対象物 １０ａ 電極部 １１ マスク １１ａ マスクの貫通孔 １２ テーブル １２ａ 吸引穴 １３ はんだボール（導電粒子） １４ ホッパ １５ 回収ユニット １７ スリット部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 椋野 秀樹 茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会 社日立カーエンジニアリング内 (72)発明者 松井 淳 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器グループ内 (72)発明者 内山 薫 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器グループ内 (72)発明者 井辻 貴之 茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会 社日立カーエンジニアリング内 (72)発明者 近藤 邦男 東京都府中市南町４−４−５ 南工学株式 会社内 Ｆターム(参考） 5E319 AC01 BB04 BB05 CC22 CC61 CD04 CD15 CD21 CD26 GG15

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】導電性粒子を用いて半導体ウエハまたは電
    子回路基板上に電極部にバンプを形成するバンプ形成方
    法において、 バンプ形成位置に導電性粒子の貫通孔を有するマスクと
    上記ウエハまたは回路基板とを位置合わせし、吸引孔が
    形成されたテーブル上に配置する工程と、 導電性粒子供給手段により、導電性粒子をマスク上の貫
    通孔へ落下しながら移動し、導電性粒子供給手段の移動
    する位置に同期して、上記テーブルに形成された孔から
    マスクに形成された貫通孔を介して導電性粒子を吸引
    し、半導体ウエハまたは電子回路基板上の電極部に導電
    性粒子を搭載する粒子搭載工程と、 上記マスクの貫通孔に落下しなかった導電性粒子を回収
    するボール回収工程と、 を備えることを特徴とするバンプ形成方法。
  2. 【請求項２】請求項１記載のバンプ形成方法において、
    上記導電粒子供給手段の先端部には導電性粒子の吸引溝
    が形成されており、この吸引溝により、導電性粒子の吸
    引及び非吸引を制御して、導電性粒子供給手段の導電性
    粒子の保持及び落下を制御することを特徴とするバンプ
    形成方法。
  3. 【請求項３】請求項１または２記載のバンプ形成方法に
    おいて、上記供給手段内に収容された導電性粒子に、除
    電用流体が吹き付けられることを特徴とするバンプ形成
    方法。
  4. 【請求項４】請求項１、２、３のうちのいずれか一項記
    載のバンプ形成方法において、上記供給手段の導電粒子
    収容部の側面に振動子を設け、導電性粒子に振動を加え
    ながら供給手段から導電性粒子を落下させることを特徴
    とするバンプ形成方法。
  5. 【請求項５】請求項１、２、３、４のうちのいずれか一
    項記載のバンプ形成方法において、上記半導体ウエハま
    たは回路基板上の電極部に予めフラックスまたははんだ
    ペーストまたは導電性接着剤を付着し、上記導電性粒子
    を落下した後、上記マスクの貫通孔の上から熱を供給し
    て上記電極部と導電性粒子との固着力を増加させること
    を特徴とするバンプ形成方法。
  6. 【請求項６】請求項１、２、３、４、５のうちのいずれ
    か一項記載のバンプ形成方法において、上記マスクの貫
    通孔に落下しなかった導電性粒子は、粒子回収手段によ
    り回収され、この粒子回収手段は、導電性粒子を吸引す
    る吸引部を有し、この吸引部の入り口には多数のスリッ
    ト溝が形成され、吸引部に乱流を発生させて導電性粒子
    を回収することを特徴とするバンプ形成方法。
  7. 【請求項７】請求項１、２、３、４、５、６のうちのい
    ずれか一項記載のバンプ形成方法において、上記テーブ
    ルの表面材質は、鉄、ジルコニア、アルミナ又はジルコ
    ニア又はクロム、チタンのいずれかの膜を有することを
    特徴とするバンプ形成方法。
  8. 【請求項８】請求項５記載のバンプ形成方法において、
    フラックスまたははんだペースト、導電性接着剤の材料
    沸点の温度は、導電性粒子の融点より、＋１０℃から＋
    ４０℃の特性を有することを特徴とするバンプ形成方
    法。
  9. 【請求項９】請求項１、２、３、４、５、６、７、８の
    うちのいずれか一項記載のバンプ形成方法において、回
    収した導電性粒子を遠心分離室内の遠心分離により、導
    電性粒子と粉塵とを分離して、導電性粒子を回収するこ
    とを特徴とするバンプ形成方法。
  10. 【請求項１０】導電性粒子を用いて半導体ウエハまたは
    電子回路基板上に電極部にバンプを形成するバンプ形成
    装置において、 バンプ形成位置に導電性粒子の貫通孔を有するマスク
    と、 複数の吸引孔が形成され、上記ウエハまたは回路基板と
    が配置され、上記吸引孔からマスクに形成された貫通孔
    を介して導電性粒子を吸引するテーブルと、 複数の導電性粒子を上記マスク上の貫通孔へ落下しなが
    ら移動する導電性粒子供給手段と、 導電性粒子を回収する導電性粒子回収手段と、 を備え、 導電性粒子供給手段の移動する位置に同期して、上記テ
    ーブルに形成された孔からマスクに形成された貫通孔を
    介して導電性粒子を吸引し、半導体ウエハまたは電子回
    路基板上の電極部に導電性粒子を搭載し、上記マスクの
    貫通孔に落下しなかった導電性粒子を導電粒子回収手段
    により回収することを特徴とするバンプ形成装置。
  11. 【請求項１１】請求項１０記載のバンプ形成装置おい
    て、上記導電粒子供給手段の先端部には導電性粒子の吸
    引溝が形成されており、この吸引溝により、導電性粒子
    の吸引及び非吸引を制御して、導電性粒子供給手段の導
    電性粒子の保持及び落下を制御することを特徴とするバ
    ンプ形成装置。
  12. 【請求項１２】請求項１０または１１記載のバンプ形成
    装置において、上記供給手段内に収容された導電性粒子
    に、除電用流体が吹き付けられることを特徴とするバン
    プ形成装置。
  13. 【請求項１３】請求項１０、１１、１２のうちのいずれ
    か一項記載のバンプ形成装置において、上記供給手段の
    導電粒子収容部の側面に振動子を設け、導電性粒子に振
    動を加えながら供給手段から導電性粒子を落下させるこ
    とを特徴とするバンプ形成装置。
  14. 【請求項１４】請求項１０、１１、１２、１３のうちの
    いずれか一項記載のバンプ形成装置において、上記半導
    体ウエハまたは回路基板上の電極部に予めフラックスま
    たははんだペーストまたは導電性接着剤を付着し、上記
    導電性粒子を落下した後、上記マスクの貫通孔の上から
    熱を供給して上記電極部と導電性粒子との固着力を増加
    させることを特徴とするバンプ形成装置。
  15. 【請求項１５】請求項１０、１１、１２、１３、１４の
    うちのいずれか一項記載のバンプ形成装置において、上
    記マスクの貫通孔に落下しなかった導電性粒子は、粒子
    回収手段により回収され、この粒子回収手段は、導電性
    粒子を吸引する吸引部を有し、この吸引部の入り口には
    多数のスリット溝が形成され、吸引部に乱流を発生させ
    て導電性粒子を回収することを特徴とするバンプ形成装
    置。
  16. 【請求項１６】請求項１０、１１、１２、１３、１４、
    １５のうちのいずれか一項記載のバンプ形成装置におい
    て、上記テーブルの表面材質は、鉄、ジルコニア、アル
    ミナ又はジルコニア又はクロム、チタンのいずれかの膜
    を有することを特徴とするバンプ形成装置。
  17. 【請求項１７】請求項１４記載のバンプ形成装置におい
    て、フラックスまたははんだペースト、導電性接着剤の
    材料沸点の温度は、導電性粒子の融点より、＋１０℃か
    ら＋４０℃の特性を有することを特徴とするバンプ形成
    装置。
  18. 【請求項１８】請求項１０、１１、１２、１３、１４、
    １５、１６、１７のうちのいずれか一項記載のバンプ形
    成装置において、回収した導電性粒子を遠心分離室内の
    遠心分離により、導電性粒子と粉塵とを分離して、導電
    性粒子を回収することを特徴とするバンプ形成装置。
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