KR100269032B1 - 전극으로의 플럭스 트랜스퍼 및 전극상의 범프형성 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 플럭스를 트랜스퍼하는 방법에 관한 것으로서, 상기 전극에 대응하는 돌출부를 가진 트랜스퍼 베이스판을 포함하는 트랜스퍼 장치를 이용하는 단계와, 플럭스를 돌출부의 선단부에 들러붙게 하기 위하여 플럭스욕 내에 트랜스퍼 베이스판의 돌출부의 선단부를 담그는 단계와, 전극과 트랜스퍼 베이스판의 돌출부를 정렬시키는 단계와, 들러붙는 플럭스를 돌출부의 선단부로부터 전극으로 트랜스퍼시키는 단계로 이루어진다.

Description

전극으로의 플럭스 트랜스퍼 및 전극상의 범프 형성

제1a도 내지 제1j도는 본 발명에 의한 전극으로의 플럭스 트랜스퍼 및 전극상의 범프 형성 단계를 도시한 단면도.

제2a도 및 제2b도는 본 발명에 의한 탄성부재를 가지는 양호한 헤드의 단면도.

본 발명은 전극으로의 플럭스 트랜스퍼(transfer)방법 및 장치와 저융점의 금속이나 금속 합금의 소형 금속 범프의 형성 방법 및 장치에 관한 것이다.

휴대용 정보 소자 및 휴대용 정보 소자 및 휴대용 비디오 카메라의 대중화로 소형화된 반도체 패키지의 요구가 증가되었다. LSI의 고성능화에 따라 전극의 수도 증가되었다. 소형화된 패키징 및 다단자 패키징을 달성하기 위하여, 플립칩 본딩 방법이 기판의 작은 피치의 (small-pitched) 전극 위에 직접 칩을 탑재하는 데에 사용되었다. 볼 그리드 어레이(BGA) 및 칩 사이즈 패키지(CSP)가 단자의 주변배치 대신 표면 배치를 이용하여 극도로 작은 피치를 요구하지 않는 다단자 패키지를 실현하고자 개발되어 왔다.

이런 종래의 기술에서, 납땜(Solder)이나 다른 저융점 금속 또는 금속 합금의 접속 단자나 범프를 기판 등의 전극에 형성할 필요가 있다. 납땜이나 다른 저융점의 금속 또는 금속 합금으로 된 볼을 이용하여 범프를 형성하는 방법은 양호한 범프 형성방법이다.볼로부터 범프를 형성할 경우에는 범프와 전극간의 강한 결합이 이루어지기 위해 전극에 플럭스를 인가하거나 트랜스퍼하고, 볼을 임시적으로 고정시킨 후, 볼을 그 융점 이상의 온도에서 가열하여, 전극에 범프를 접합시킬 필요가 있다. 종래의 기술은, 만약 플럭스가 전극 이외의 영역에 인가되고 트랜스퍼 된다면, 볼이 가열에 의해 녹았을 때 전극으로 부터 흘러내릴 수 있는 문제를 갖는다. 이러한 현상은 전극에만 플럭스를 트랜스퍼시킴으로써 방지될 수 있다. 미국 특허 5,284,287은 배열 베이스판 위에 500 내지 700㎛의 직경을 가지는 납땜 볼을 보유하고, 볼을 보유한 상태로 배열 베이스판을 플럭스 욕(bath)위로 이동시키며, 볼의 일부분이 플럭스가 볼에 부착하게 하도록 플럭스 욕내에 담겨질 때까지 배열 베이스판을 낮추는 방법을 기술하고 있다.

플럭스가 들러붙어 있는 볼은 이를 전극에 임시 고정하도록 기판 전극에 눌려진다. 그러므로 플럭스는 볼이 임시 고정되어 있는 전극상에만 인가된다. 임시 고정된 볼은 가열에 의해 녹을 때에도 전극으로부터 흘러내리지 않는다.

그러나, 전극에만 플럭스를 트랜스퍼시키는 그런 방법은 볼의 직경이 500㎛ 이하일 경우에는 수행하기가 어려워진다. 특히, 볼이 더 작은 직경을 가질 때는 볼을 보유하는 배열 베이스판과 플럭스욕에 담겨지는 볼의 끝부분간의 거리가 짧아지게 되고, 이에 따라 플럭스는 바람직하지 않게도 볼이 플럭스욕에 담겨졌을 때 배열 베이스판에 들러붙게 된다. 플럭스가 부분적으로 증착되어 있는 베이스판이 다른 볼세트를 보유하게 되면, 볼은 또한 그 부분에 달라붙게 되어 전극 위에 범프를 형성하는 방법의 신뢰성을 감소시킨다. 만약 볼이 더 작은 직경을 갖는다면, 잘 조절된 방식으로 볼의 제한된 부분에만 플럭스가 볼에 들러붙게 하는 것이 어려워진다. 이는 곧 문제를 일으킨다. 즉, 과다한 양의 플럭스가 볼에 들러붙게 되면, 그 들러붙는 힘은 볼이 플럭스욕내의 배열 베이스판에서 떨어지게 한다.

본 발명의 목적은 500㎛ 이하의 직경을 가진 볼로부터 전극에 범프를 형성할 때, 전극에만 정확하게 플럭스를 트랜스퍼하는 방법 및 장치를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 이런 플럭스 트랜스퍼 방법 및 장치를 이용하여 범프를 형성하는 방법 및 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 플럭스를 트랜스퍼하는 방법이 다음과 같은 단계로 구성된다.

상기 전극에 대응하는 돌출부를 가진 트랜스퍼 베이스판을 포함하는 트랜스퍼 장치를 이용하는 단계와, 플럭스를 돌출부의 선단부에 들러붙게 하기 위하여 플럭스욕 내에 트랜스퍼 베이스판의 돌출부의 선단부를 담그는 단계와, 전극과 트랜스퍼 베이스판의 돌출부를 정렬시키는 단계와, 들러붙는 플럭스를 돌출부의 선단부로부터 전극에 트랜스퍼시키는 단계로 이루어진다.

또한, 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 소형 금속 범프를 형성하기 위한 방법이 다음과 같은 단계로 제공된다.

상기 전극에 대응하는 돌출부를 트랜스퍼 베이스판을 포함하는 트랜스퍼 장치를 이용하는 단계, 플럭스를 돌출부의 선단부에 들러붙게 하기 위하여 플럭스욕에 트랜스퍼 베이스판의 돌출부의 선단부에 담그는 단계, 트랜스퍼 베이스판의 돌출부를 정렬 시키는 단계 및 들러붙는 플럭스를 돌출부의 선단부로부터 전극에 트랜스퍼 시키는 단계로 이루어진 방법에 의해 전극에 플럭스를 트랜스퍼시키는 단계와, 저융점 금속이나 금속 합금으로 된 소형 금속볼을 동시에 배열시켜 배열 베이스판에 보유하는 단계와, 배열 베이스판에 보유된 소형 금속 볼을 트랜스퍼된 플럭스를 가진 전극과 정렬하는 단계와, 소형 금속 볼을 전극에 동시에 임시 고정하기 위하여 트랜스퍼된 플럭스를 가지는 전극에 대해 배열 베이스판에 보유된 소형 금속 볼을 누르는 단계와, 임시 고정된 소형 금속 볼을 녹이기 위해 가열을 하여, 전극에 접합되는 금속 또는 금속 합금의 소형 금속 범프를 형성하는 단계로 이루어진다.

또한, 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 플럭스를 트랜스퍼 시키기 위한 장치가 다음과 같이 제공된다.

돌출부를 가지는 트랜스퍼 베이스판, 트랜스퍼 베이스판의 돌출부의 선단부에 플럭스를 들러붙게 하기 위한 기구, 전극과 돌출부의 선단부를 정렬하기 위한 기구 및, 전극에 들러붙은 플럭스를 트랜스퍼 시키기 위한 기구를 구비한다.

또한, 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극위에 소형 금속 범프를 형성하기 위한 장치가 다음과 같이 제공된다.

돌출부를 가지는 트랜스퍼 베이스판, 트랜스퍼 베이스판의 돌출부의 선단부에 플럭스를 들러붙게 하기 위한 기구, 전극과 돌출부의 선단부를 정렬하기 위한 기구 및, 전극에 들러붙은 플럭스를 트랜스퍼 시키기 위한 기구를 포함하는 전극으로의 플럭스 트랜스퍼 장치, 저융점 금속이나 금속 합금으로 된 소형 금속 볼을 동시에 상기 전극에 대응시켜 배열 베이스판에 보유하기 위한 기구, 배열 베이스판에 보유된 소형 금속 볼을 트랜스퍼된 플럭스를 가진 전극과 정렬하기 위한 기구와, 소형 금속 볼을 전극에 동시에 임시 고정하기 위하여 트랜스퍼된 플럭스를 가지는 전극에 대해 배열 베이스판에 보유된 소형 금속 볼을 누르는 기구로 구성된다.

본 발명은 기판의 전극에 대응하는 위치 내에 배치된 돌출부를 가진 배열 베이스판을 사용한다. 배열 베이스판의 돌출부의 선단부는 플럭스를 들러붙게 하기 위하여 플럭스욕 내에 담겨지고, 이렇게 플럭스가 들러붙은 돌출부의 선단부는 전극과 정렬되고 나서, 돌출부의 선단부로부터 전극으로 플럭스가 트랜스퍼된다.

본 발명은 500㎛ 이하의 직경을 가지는 금속 볼에 가장 유리하게 적용이 되지만, 물론, 직경 760㎛와 같이 더 큰 직경을 가지는 금속 볼에도 적용된다.

돌출부는 플럭스가 전극을 덮을 수 있는 데에 필요한 충분량의 플럭스를 트랜스퍼 할 수 있는 선단부를 가진 어떤 형태를 가질 수 있다. 따라서, 돌출부의 선단부는 양호하게도 전극에 대응하는 단면적을 가진다. 플럭스욕에 돌출부의 선단부를 쉽게 담그게 하기 위하여, 돌출부는 양호하게도 제 1 도(a)에 도시한 바와 같이 200㎛ 이상의 높이를 가지며, 더욱 양호하게는 500㎛ 이상의 높이를 갖는다.

플럭스 트랜스퍼 베이스판은 돌출부가 형성될 수 있는 어떠한 물질으로도 형성되고, 유리 또는 다른 세라믹, 스테인리스강 또는 다른 금속 그리고 금속 합금, 또는 플라스틱 등으로 형성될 수 있다. 플럭스가 트랜스퍼 되는 전극은 반도체 칩, 필름 캐리어, 기판, 또는 그와 같은 것들의 전극이다. 기판은 유리 에폭시, 유리, 세라믹 등으로 만들어진 인쇄 회로판이거나, 폴리이미드로 만들어진 플렉시블 기판이거나 다른 기판이다. 소형 범프는 다양한 조성을 가진 납땜이나, 융점이 400℃를 넘지 않는 다른 저융점 금속이나 금속 합금으로 만들어 질 수 있다.

본 발명의 플럭스 트랜스퍼 방법을 수행하기 위하여, 본 발명의 플럭스 트랜스퍼 장치는 다음과 같은 기구를 기본으로 해서 구성된다.

1) 전극에 대응하는 위치에 플럭스의 트랜스퍼를 위한 돌출부를 가지는 트랜스퍼 베이스판,

2) 플럭스욕내에 돌출부의 선단부만을 담그는 기구,

3) 전극의 각 위치를 인식하도록 이미지 프로세서나 그 같은 것을 사용하여 전극과 트랜스퍼 베이스판의 돌출부의 선단부를 정렬시키는 기구와,

4) 플럭스가 들러붙은 돌출부의 선단부를 가진 트랜스퍼 베이스판을 전극의 위치로 이동시켜 전극에 플럭스를 트랜스퍼하는 기구로 구성된다.

제 2 도의 (b)에 도시한 바와 같이 고정량의 플럭스를 전극으로 트랜스퍼하기 위하여 기판(31)이 트랜스퍼 베이스판(11)과 정확히 제 2 도의 (a)에 도시한 바와 같이 기판(31)과 돌출부 선단부의 안정한 접촉을 이룰 수 있도록, 헤드(10)의 유연한 구부러짐을 가능하게 하는 탄성 부재(10A)를 가지는 트랜스퍼 헤드(10)에 트랜스퍼 베이스판(11)을 설치할 수 있다. 탄성 부재(10A)는 스프링이거나, 고무같은 탄성 폴리머로 만들어지거나, 또는 다른 탄성 물질로 만들어질 수 있다.

플럭스의 트랜스퍼가 반복되어 동작하게 되면, 플럭스는 종종 돌출부의 선단부에 접착될 수 있다. 이러한 경우, 돌출부의 선단부는 이로부터 접착된 플럭스를 제거하기 위하여 플럭스용 용제에 담겨진다. 초음파 진동은 접착된 플럭스의 제거에 용이하게 하는 용제에 적용될 수도 있다.

본 발명의 범프 형성 방법을 수행하기 위하여, 본 발명의 범프 형성 장치는 다음과 같은 구조를 기본으로 해서 구성된다.

1) 본 발명의 플럭스 트랜스퍼 장치,

2) 흡인력, 정전기력, 자기력 등에 의해서 전극에 대응하는 위치에서의 배열 베이스판상에 탑재 용기로부터 소형 금속 볼을 동시에 배열 및 보유하기 위한 기구,

3) 이미지 분석에 의해 배열 베이스판에 보유된 소형 금속 볼의 위치 및, 전극의 위치를 인식하고, 전자와 후자를 정렬하기 위한 기구 및,

4) 소형 금속 볼을 전극에 동시에 임시 고정하기 위하여 트랜스퍼된 플럭스를 가지는 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 전극에 대해 배열 베이스판에 보유된 소형 금속 볼을 누르는 기구로 구성된다.

트랜스퍼 베이스판이 올려지고 낮춰지는 트랜스퍼 장치는, 전극에 대해 배열 베이스판에 보유된 소형 금속 볼을 누르는 기구와 통합되거나 분리될 수 있는데, 이런 기구에서 배열 베이스판도 올려지고 낮춰진다.

양호하게는 트랜스퍼 장치 및 누르는 기구는 분리되어, 장치의 처리량 및 생산성을 향상시킨다. 배열 베이스판을 전극을 가진 반도체 칩 등의 위치로 이동시키거나, 전극을 가진 반도체 칩 등을 배열 베이스판의 위치로 이동시킴으로써 볼을 전극으로 트랜스퍼 시킬 수 있다.

반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 반송을 위한 기구는 본 발명의 장치와 함께 사용될 수 있다. 이미지 분석이 트랜스퍼 장치와 범프 형성 장치에 공동으로 사용될 수 있다.

지지대상에 설치한 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판을 가열 하기 위한 기구는 또는 본 발명의 장치와 함께 사용될 수 있음으로서 소형 금속 볼의 가열은 볼을 용광로 등으로 반송하지 않고 수행될 수 있다.

소형 금속 볼이 축소된 크기를 가질 때, 전극에 트랜스퍼 되는 볼과 다른 과잉 볼은 종종 배열 바닥판이나 그 배열 바닥판에 보유된 볼에 접착되기도 한다. 이러한 현상은 볼의 크기가 300㎛나 그 이하일 때 심각한데, 특히 150㎛나 그 이하일 때 더욱 심각하다. 이러한 현상은 본 발명의 범프 형성 장치내에 배열 베이스판을 보유하는 배열 헤드내에 초음파의 진동에 의한 볼을 제거하기 위한 기구를 제공함으로써 방지된다.(일본 Kokai의 특허 공개 공보 No. 7-226425에 발표됨)

본 발명에 의한, 전극으로만 플럭스를 트랜스퍼 시키는 방법 및, 이를 이용하여 범프를 형성하는 방법에 대해 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.

제 1 도의 (a) 내지 (j)는 전극으로만 플럭스를 트랜스퍼 시키는 방법 및 이를 이용한 납땜 범프 형성 방법을 도시한 것이다.

플럭스가 트랜스퍼되는 대상물은 350개의 전극을 가지며 유리-에폭시로 이루어진 인쇄 회로판이다. 각각의 전극은 50㎛×50㎛의 정사각형 패드로써 형성된다. 350개의 전극 패드는 100㎛의 피치 또는 간격을 두고 배치된다. 범프는 주석 60wt%의 조성과, 188℃의 융점과, 45㎛의 직경을 가지는 공용 납땜 볼을 이용하여 형성된다.

전극에 대응하는 위치에 돌출부를 가지는 플럭스 트랜스퍼 베이스판을 이용함으로써 플럭스는 전극으로만 트랜스퍼된다. 본 예에서, 플럭스 트랜스퍼 베이스판은 유리로 만들어진다. 돌출부는 50㎛의 직경과 500㎛의 높이를 가지는 원통 모양의 기둥 형태이다.

플럭스 트랜스퍼 방법 및 범프 형성 방법은 첨부 도면의 순차에 의거 다음과 같이 설명된다.

(a) 플럭스 트랜스퍼 베이스판(11)은 플럭스(22)가 담겨있는 플럭스욕(21)의 위로 이동된다.

(b) 상기 플럭스 트랜스퍼 베이스판(11)은 트랜스퍼 베이스판(11)의 돌출부(12)의 선단부만이 플럭스(22)에 담겨질 때까지 플럭스(22)를 향해 낮춰진다.

(c) 상기 트랜스퍼 베이스판(11)은 플럭스(22)의 작은 방울(23)이 돌출부(12)의 선단부에 들러붙을 수 있도록 올려진다.

(d) 상기 트랜스퍼 베이스판(11)은 돌출부의(12)의 선단부를 전극 패드(32)와 정렬하도록 기판(31)의 전극이나 전극 패드(32)의 위로 이동된다.

(e) 상기 트랜스퍼 베이스판(11)은 플럭스(22)의 작은 방울(23)을 전극 패드(32)와 접촉시키기 위하여 전극 패드(32)쪽으로 낮춰진다.

(f) 상기 트랜스퍼 베이스판(11)은 전극(32)으로 부터 올려지고, 전극 패드(32)상에 트랜스퍼된 플럭스(24)가 남게 한다.

(g) 공융 납땜 볼(51)을 전극(32)에 대응하는 위치에 형성된 작은 석션홀(suction holes)(42)을 통한 흡력력으로 배열 베이스판(41)을 동시에 흡인하여 보유하고, 그 볼(51)은 트랜스퍼된 플럭스(24)를 가지는 전극 패드(32)와 정렬된다.

(h) 상기 배열 베이스(41)은 기판(31)이나 인쇄 회로판으로 낮추어, 기판(31)에 대한 배열 베이스(41)에 의해 볼(51)을 눌려, 볼(51)을 전극(32)에 임시 고정할 수 있게 된다.

(i) 상기 배열 베이스(41)은 기판(31)으로 부터 올려지고, 트랜스퍼된 플럭스(24)를 가지는 전극(32)에 볼(51)이 임시 고정되게 한다.

(j) 상기 볼이 임시 고정된 전극(32)을 가진 기판(31)은 노로 반송되고, 납땜 볼(51)은 이를 녹이도록 납땜 볼(51)의 융점보다 더 높은 온도인 200℃로 가열된다.

노에서 벗어난 다음, 플럭스를 제거하기 위해 기판(31)을 클리닝함으로써, 기판(31)의 전극(32)에 강하게 접착된 납땜 범프(52)가 제공된다.

상술한 바와 같이, 본 발명은 플럭스를 이용하여 기판의 전극에 직경 500㎛ 이하의 소형 금속 볼을 접착시킴으로써 소형 금속 범프를 형성하며, 플럭스가 기판에 들러붙는 것을 방지하고, 또한 소형 금속 볼이 전극으로부터 흘러내리는 것을 방지한다. 플럭스는 전극으로만 제어 가능하게 트랜스퍼되고, 저 융점 금속 또는 금속 합금의 소형 금속볼은 전극에 접착된다. 이러한 소형 범프는 반도체 칩, 필름 캐리어, 또는 기판의 연결단자를 제공하며, 높은 생산성을 가진 소형화된 전자 소자를 제조하는 데 유리하게 이용될 수 있다.

Claims (4)

1. 반도체칩, 필름 캐리어 또는 기판의 전극에 플럭스를 트랜스퍼 시키는 방법에 있어서, 상기 전극에 대응하는 돌출부를 가진 트랜스퍼 베이스판을 포함하는 트랜스퍼 장치를 이용하는 단계와, 여기서 상기 트랜스퍼 베이스판은 고정량의 플럭스를 상기 전극에 트랜스퍼 하기위해, 상기 트랜스퍼 베이스판과 정확하게 평행하지 않은 때에도 트랜스퍼 헤드의 유연한 구부러짐으로 기판과 돌출부의 선단부의 접촉이 안정되게 이루어지도록 탄성부재를 가진 트랜스퍼 헤드상에 장착되며; 상기 플럭스가 상기 돌출부의 선단부에 들러붙게하기위해 플럭스 욕내에 상기 트랜스퍼 베이스판의 돌출부의 선단부를 담그는 단계와; 상기 전극에 상기 트랜스퍼 베이스판의 돌출부를 정렬시키는 단계와; 그리고 상기 들러붙은 플럭스를 상기 돌출부의 선단부로부터 상기 전극에 트랜스퍼시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로하는 전극으로의 플럭스 트랜스퍼 방법.
2. 반도체 칩, 필름 캐리어 또는 기판의 전극에 플럭스를 트랜스퍼시키는 장치에 있어서, 돌출부를 가지는 트랜스퍼 베이스판과, 여기서 상기 트랜스퍼 베이스판은 고정량의 플럭스를 상기 전극에 트랜스퍼 하기위해 트랜스퍼 베이스판과 정확하게 평행하지 않은 때에도 트랜스퍼 헤드의 유연한 구부러짐으로 기판과 돌출부의 선단부의 접촉이 안정되게 이루어지도록 탄성부재를 가진 트랜스퍼 헤드상에 장착되며; 상기 플럭스가 상기 트랜스퍼 베이스판의 선단부에 들러붙도록 하는 기구와; 트랜스퍼 베이스판의 돌출부의 선단부를 상기 전극에 정렬시키는 기구와; 그리고 상기 들러붙은 플럭스를 전극에 트랜스퍼 시키는 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 전극으로의 플럭스 트랜스퍼 장치.
3. 반도체칩, 필름 캐리어 또는 기판의 전극상에 소형금속 범프를 형성하는 방법에 있어서, 상기 전극에 대응하는 돌출부를 갖는 트랜스퍼 베이스판을 포함하는 트랜스퍼 장치를 이용하고, 여기서 상기 트랜스퍼 베이스판은 고정량의 플럭스를 상기 전극에 트랜스퍼 하기위해, 상기 트랜스퍼 베이스판과 정확하게 평행하지 않은 때에도 트랜스퍼 헤드의 유연한 구부러짐으로 기판과 돌출부의 선단부의 접촉이 안정되게 이루어지도록 탄성부재를 가진 트랜스퍼 헤드상에 장착되며, 플럭스가 상기 돌출부의 선단부에 들러붙게 하기위해 플럭스 욕내에 상기 트랜스퍼 베이스 판의 돌출부의 선단부를 담그고, 상기 트랜스퍼 베이스판의 돌출부를 전극에 정렬시키고, 그리고 상기 들러붙은 플럭스를 상기 돌출부의 선단부로부터 전극에 트랜스퍼시키는 과정을 통해 상기 플럭스를 상기 전극에 트랜스퍼시키는 단계와; 저융점의 금속 또는 금속합금으로된 소형 금속볼을 배열 베이스판에 동시적으로 배열 및 보유시키는 단계와; 상기 배열 베이스판에 보유된 상기 소형 금속볼을 플럭스가 트랜스퍼된 전극에 정렬하는 단계와; 상기 배열 베이스판을 보유하는 정렬헤드에 제공된 기구에 의해 초음파 진동으로 과잉볼을 제거하는 단계와; 상기 배열 베이스판에 보유된 상기 소형 금속볼을 전극에 동시에 임시 고정하기 위하여, 플럭스가 트랜스퍼된 상기 전극에 대고 누르는 단계와; 그리고 상기 임시 고정된 소형 금속볼을 녹이기 위해 열을 가하므로써 상기 전극에 접합되는 금속 또는 금속합금으로된 소형 금속 범프를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 소형 금속 범프 형성 방법.
4. 반도체 칩, 필름 캐리어 또는 기판의 전극에 소형 금속 범프를 형성하는 장치에 있어서, 돌출부를 가지는 트랜스퍼 베이스판과, 여기서 상기 트랜스퍼 베이스판은 고정량의 플럭스를 상기 전극에 트랜스퍼 하기위해 상기 트랜스퍼 베이스판과 정확하게 평행하지 않은 때에도 트랜스퍼 헤드의 유연한 구부러짐으로 기판과 돌출부의 선단부의 접촉이 안정되게 이루어지도록 탄성부재를 가진 트랜스퍼 헤드상에 장착되며, 플럭스가 상기 트랜스퍼 베이스판의 돌출부의 선단부에 들러붙도록 하기위한 기구와, 상기 전극에 상기 돌출부의 선단부를 정렬하기위한 기구 및 상기 들러붙은 플럭스를 상기 전극에 트랜스퍼시키기 위한 기구로 이루어지는 전극에 플럭스를 트랜스퍼 시키는 장치와; 저융점의 금속 또는 금속합금으로된 소형 금속볼을 상기 전극에 대응시켜 배열 베이스판을 동시적으로 배열 및 보유시키는 기구와; 상기 배열 베이스판에 보유된 상기 소형 금속볼을 플럭스가 트랜스퍼된 전극에 정렬하기위한 기구와; 상기 배열 베이스판을 보유하는 정렬헤드에 제공되어 초음파 진동에 의해 과잉볼을 제거하는 기구와; 상기 소형금속볼을 전극에 동시에 임시 고정하기위하여, 상기 배열 베이스플레이트에 보유된 상기 소형금속볼을 플럭스가 트랜스퍼된 상기 전극에 대고 누르기 위한 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 소형 금속 범프 형성 장치.