JP3865473B2 - 新規なジアゾメタン化合物 - Google Patents
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- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical class C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 2
- -1 dimethylmethylene group Chemical group 0.000 claims description 33
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- NDLIRBZKZSDGSO-UHFFFAOYSA-N tosyl azide Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)[N-][N+]#N)C=C1 NDLIRBZKZSDGSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FJBFPHVGVWTDIP-UHFFFAOYSA-N dibromomethane Chemical compound BrCBr FJBFPHVGVWTDIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N pyridinium p-toluenesulfonate Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRJKJPUCTMAOTK-UHFFFAOYSA-N 1-[(2-hydroxy-7,7-dimethyl-1-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methylsulfonylmethylsulfonylmethyl]-7,7-dimethylbicyclo[2.2.1]heptan-2-ol Chemical compound C1CC(C2(C)C)CC(O)C12CS(=O)(=O)CS(=O)(=O)CC1(C(O)C2)CCC2C1(C)C KRJKJPUCTMAOTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUVPGZGNMFNLDP-UHFFFAOYSA-N 1-[[diazo-[(2-hydroxy-7,7-dimethyl-1-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methylsulfonyl]methyl]sulfonylmethyl]-7,7-dimethylbicyclo[2.2.1]heptan-2-ol Chemical compound C1CC(C2(C)C)CC(O)C12CS(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)CC1(C(O)C2)CCC2C1(C)C RUVPGZGNMFNLDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJGLQWVNLWALRC-UHFFFAOYSA-N 1-[diazo-[2-(1-ethoxyethoxy)cyclohexyl]sulfonylmethyl]sulfonyl-2-(1-ethoxyethoxy)cyclohexane Chemical compound CCOC(C)OC1CCCCC1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1C(OC(C)OCC)CCCC1 HJGLQWVNLWALRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CNSGSCCMMSVAMW-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-hydroxycyclohexyl)sulfonylmethylsulfonyl]cyclohexan-1-ol Chemical compound OC1CCCCC1S(=O)(=O)CS(=O)(=O)C1C(O)CCCC1 CNSGSCCMMSVAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSFZUHTWQAPDCS-UHFFFAOYSA-N 2-[diazo-(2-hydroxycyclohexyl)sulfonylmethyl]sulfonylcyclohexan-1-ol Chemical compound OC1CCCCC1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1C(O)CCCC1 ZSFZUHTWQAPDCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 2
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N sodium tungstate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][W]([O-])(=O)=O XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005931 tert-butyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(OC(*)=O)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ATPSGQZYXQXZSB-UHFFFAOYSA-N 1-[(2-hydroxy-7,7-dimethyl-1-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methylsulfanylmethylsulfanylmethyl]-7,7-dimethylbicyclo[2.2.1]heptan-2-ol Chemical class C1CC(C2(C)C)CC(O)C12CSCSCC1(C(O)C2)CCC2C1(C)C ATPSGQZYXQXZSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBMRKIOPWLUFKO-UHFFFAOYSA-N 4-[[diazo-[[3-(1-ethoxyethoxy)-7,7-dimethyl-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl]methylsulfonyl]methyl]sulfonylmethyl]-3-(1-ethoxyethoxy)-7,7-dimethylbicyclo[2.2.1]heptane Chemical compound C1CC(C2(C)C)CC(OC(C)OCC)C12CS(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)CC1(C2(C)C)CCC2CC1OC(C)OCC QBMRKIOPWLUFKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical group CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000005083 alkoxyalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- CSYSRRCOBYEGPI-UHFFFAOYSA-N diazo(sulfonyl)methane Chemical compound [N-]=[N+]=C=S(=O)=O CSYSRRCOBYEGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006193 diazotization reaction Methods 0.000 description 1
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001412 tetrahydropyranyl group Chemical group 0.000 description 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19895597A JP3865473B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 新規なジアゾメタン化合物 |
| US09/119,640 US5945517A (en) | 1996-07-24 | 1998-07-21 | Chemical-sensitization photoresist composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19895597A JP3865473B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 新規なジアゾメタン化合物 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1135552A JPH1135552A (ja) | 1999-02-09 |
| JPH1135552A5 JPH1135552A5 (enExample) | 2004-10-21 |
| JP3865473B2 true JP3865473B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=16399727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19895597A Expired - Fee Related JP3865473B2 (ja) | 1996-07-24 | 1997-07-24 | 新規なジアゾメタン化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3865473B2 (enExample) |
Families Citing this family (160)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6783912B2 (en) * | 2000-02-27 | 2004-08-31 | Shipley Company, L.L.C. | Photoacid generators and photoresists comprising same |
| JP4359467B2 (ja) | 2003-08-28 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法。 |
| JP4732046B2 (ja) | 2005-07-20 | 2011-07-27 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4762630B2 (ja) | 2005-08-03 | 2011-08-31 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4536622B2 (ja) | 2005-08-23 | 2010-09-01 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4979915B2 (ja) | 2005-09-09 | 2012-07-18 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| KR100990353B1 (ko) | 2005-09-20 | 2010-10-29 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화합물 및 그 제조 방법, 포지티브형 레지스트 조성물 및레지스트 패턴 형성 방법 |
| JP4828204B2 (ja) | 2005-10-21 | 2011-11-30 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物 |
| JP2007133208A (ja) | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4717640B2 (ja) | 2005-12-12 | 2011-07-06 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5031310B2 (ja) | 2006-01-13 | 2012-09-19 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4937587B2 (ja) | 2006-01-17 | 2012-05-23 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP2007199412A (ja) | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4937594B2 (ja) | 2006-02-02 | 2012-05-23 | 東京応化工業株式会社 | 厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法 |
| JP4912733B2 (ja) | 2006-02-17 | 2012-04-11 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4969916B2 (ja) | 2006-05-25 | 2012-07-04 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4808574B2 (ja) | 2006-05-25 | 2011-11-02 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および樹脂 |
| JP5031277B2 (ja) | 2006-06-20 | 2012-09-19 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4717732B2 (ja) | 2006-06-22 | 2011-07-06 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4574595B2 (ja) | 2006-06-23 | 2010-11-04 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US7914968B2 (en) | 2006-07-24 | 2011-03-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method of forming resist pattern |
| JP4890166B2 (ja) | 2006-09-11 | 2012-03-07 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5000250B2 (ja) | 2006-09-29 | 2012-08-15 | 東京応化工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP4757766B2 (ja) | 2006-10-13 | 2011-08-24 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| KR101194105B1 (ko) | 2006-10-18 | 2012-10-24 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 액침노광용 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
| JP2008102429A (ja) | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法およびネガ型レジスト組成物 |
| JP5165227B2 (ja) | 2006-10-31 | 2013-03-21 | 東京応化工業株式会社 | 化合物および高分子化合物 |
| KR101401755B1 (ko) | 2006-10-31 | 2014-05-30 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
| JP5314882B2 (ja) | 2007-02-15 | 2013-10-16 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5238216B2 (ja) | 2007-04-17 | 2013-07-17 | 東京応化工業株式会社 | 化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5002323B2 (ja) | 2007-04-27 | 2012-08-15 | 東京応化工業株式会社 | 含フッ素高分子化合物、液浸露光用ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法 |
| JP4866790B2 (ja) | 2007-05-23 | 2012-02-01 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US7776510B2 (en) | 2007-06-13 | 2010-08-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator |
| JP5349765B2 (ja) | 2007-06-13 | 2013-11-20 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US7745097B2 (en) | 2007-07-18 | 2010-06-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Compound, manufacturing method thereof, acid generator, resist composition and method of forming resist pattern |
| JP4925954B2 (ja) | 2007-07-20 | 2012-05-09 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| KR101004984B1 (ko) | 2007-08-03 | 2011-01-04 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 불소 함유 화합물, 액침 노광용 레지스트 조성물 및레지스트 패턴 형성 방법 |
| US7604920B2 (en) | 2007-08-07 | 2009-10-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound |
| JP5250226B2 (ja) | 2007-09-04 | 2013-07-31 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法 |
| JP5285884B2 (ja) | 2007-09-07 | 2013-09-11 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| KR100960252B1 (ko) | 2007-09-12 | 2010-06-01 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 그 제조 방법, 그리고 산발생제 |
| US7713679B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-05-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator |
| JP5130019B2 (ja) | 2007-10-30 | 2013-01-30 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| TWI391781B (zh) | 2007-11-19 | 2013-04-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，新穎化合物及酸產生劑 |
| JP5210612B2 (ja) | 2007-12-05 | 2013-06-12 | 東京応化工業株式会社 | 新規な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US9034556B2 (en) | 2007-12-21 | 2015-05-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Compound and method of producing the same, acid generator, resist composition and method of forming resist pattern |
| US7968276B2 (en) | 2008-01-15 | 2011-06-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method of forming resist pattern |
| JP5178220B2 (ja) | 2008-01-31 | 2013-04-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5398248B2 (ja) | 2008-02-06 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| JP5399639B2 (ja) | 2008-02-18 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物並びにレジストパターン形成方法 |
| TWI403846B (zh) | 2008-02-22 | 2013-08-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 正型光阻組成物，光阻圖型之形成方法及高分子化合物 |
| JP5489417B2 (ja) | 2008-04-23 | 2014-05-14 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5173557B2 (ja) | 2008-04-24 | 2013-04-03 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物 |
| JP5358211B2 (ja) | 2008-04-25 | 2013-12-04 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5412125B2 (ja) | 2008-05-01 | 2014-02-12 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5250309B2 (ja) | 2008-05-28 | 2013-07-31 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5401126B2 (ja) | 2008-06-11 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| JP5584894B2 (ja) | 2008-06-11 | 2014-09-10 | ダイトーケミックス株式会社 | 含フッ素化合物および高分子化合物 |
| JP5049935B2 (ja) | 2008-06-20 | 2012-10-17 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5172494B2 (ja) | 2008-06-23 | 2013-03-27 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物、レジストパターン形成方法、含フッ素高分子化合物 |
| JP5172505B2 (ja) | 2008-07-07 | 2013-03-27 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| JP5364444B2 (ja) | 2008-07-15 | 2013-12-11 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、酸発生剤 |
| JP5173642B2 (ja) | 2008-07-18 | 2013-04-03 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5268588B2 (ja) | 2008-07-18 | 2013-08-21 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤 |
| JP5449909B2 (ja) | 2008-08-04 | 2014-03-19 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP2010040849A (ja) | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法 |
| JP5469954B2 (ja) | 2008-08-22 | 2014-04-16 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| JP5548406B2 (ja) | 2008-08-22 | 2014-07-16 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| JP5663153B2 (ja) | 2008-08-27 | 2015-02-04 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| US8367296B2 (en) | 2008-09-29 | 2013-02-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition, method of forming resist pattern, and polymeric compound |
| JP5559501B2 (ja) | 2008-09-30 | 2014-07-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5264393B2 (ja) | 2008-10-01 | 2013-08-14 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP5401086B2 (ja) | 2008-10-07 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物、レジストパターン形成方法および含フッ素樹脂 |
| JP5337576B2 (ja) | 2008-10-07 | 2013-11-06 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5542413B2 (ja) | 2008-11-12 | 2014-07-09 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| US8808959B2 (en) | 2008-11-13 | 2014-08-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator |
| US8232040B2 (en) | 2008-11-28 | 2012-07-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method of forming resist pattern |
| US8338076B2 (en) | 2008-11-28 | 2012-12-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator |
| JP5337579B2 (ja) | 2008-12-04 | 2013-11-06 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5398246B2 (ja) | 2008-12-10 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5232663B2 (ja) | 2009-01-14 | 2013-07-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物 |
| JP5232675B2 (ja) | 2009-01-26 | 2013-07-10 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物 |
| JP5238529B2 (ja) | 2009-01-26 | 2013-07-17 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5325600B2 (ja) | 2009-02-16 | 2013-10-23 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| JP5292133B2 (ja) | 2009-03-09 | 2013-09-18 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5346627B2 (ja) | 2009-03-10 | 2013-11-20 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5244657B2 (ja) | 2009-03-10 | 2013-07-24 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| JP5264575B2 (ja) | 2009-03-11 | 2013-08-14 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5507113B2 (ja) | 2009-04-24 | 2014-05-28 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物および化合物 |
| JP5544212B2 (ja) | 2009-04-27 | 2014-07-09 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物およびその製造方法、酸発生剤 |
| JP5364443B2 (ja) | 2009-05-20 | 2013-12-11 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| JP5386236B2 (ja) | 2009-06-01 | 2014-01-15 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5452102B2 (ja) | 2009-07-02 | 2014-03-26 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5568258B2 (ja) | 2009-07-03 | 2014-08-06 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに含フッ素高分子化合物 |
| JP5401218B2 (ja) | 2009-09-03 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5542412B2 (ja) | 2009-10-28 | 2014-07-09 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| JP5439124B2 (ja) | 2009-11-11 | 2014-03-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5449993B2 (ja) | 2009-11-12 | 2014-03-19 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5470053B2 (ja) | 2010-01-05 | 2014-04-16 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5597460B2 (ja) | 2010-01-05 | 2014-10-01 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| JP5639795B2 (ja) | 2010-02-18 | 2014-12-10 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP5750272B2 (ja) | 2010-02-18 | 2015-07-15 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP5548494B2 (ja) | 2010-03-19 | 2014-07-16 | 東京応化工業株式会社 | 表面改質材料、レジストパターン形成方法及びパターン形成方法 |
| JP5542500B2 (ja) | 2010-03-30 | 2014-07-09 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法およびレジスト組成物 |
| US8932795B2 (en) | 2010-05-19 | 2015-01-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator |
| JP2011257499A (ja) | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法及びパターン微細化処理剤 |
| JP5622448B2 (ja) | 2010-06-15 | 2014-11-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物、化合物 |
| JP5645495B2 (ja) | 2010-06-17 | 2014-12-24 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP2012018304A (ja) | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5557657B2 (ja) | 2010-09-02 | 2014-07-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤 |
| TWI556958B (zh) | 2010-09-14 | 2016-11-11 | 東京應化工業股份有限公司 | 基質劑及含嵌段共聚物之層的圖型形成方法 |
| JP5564402B2 (ja) | 2010-10-29 | 2014-07-30 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、酸発生剤 |
| JP5658546B2 (ja) | 2010-11-30 | 2015-01-28 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| JP5775783B2 (ja) | 2010-12-07 | 2015-09-09 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5802385B2 (ja) | 2010-12-08 | 2015-10-28 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5781755B2 (ja) | 2010-12-08 | 2015-09-24 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法 |
| JP5749480B2 (ja) | 2010-12-08 | 2015-07-15 | 東京応化工業株式会社 | 新規化合物 |
| JP5690584B2 (ja) | 2010-12-28 | 2015-03-25 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP2012145868A (ja) | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5802394B2 (ja) | 2011-01-17 | 2015-10-28 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物 |
| JP5856809B2 (ja) | 2011-01-26 | 2016-02-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5663338B2 (ja) | 2011-02-14 | 2015-02-04 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP5723624B2 (ja) | 2011-02-14 | 2015-05-27 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、および高分子化合物 |
| JP5677127B2 (ja) | 2011-02-18 | 2015-02-25 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5677135B2 (ja) | 2011-02-23 | 2015-02-25 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物 |
| KR101845121B1 (ko) | 2011-03-08 | 2018-04-03 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법, 및 네거티브형 현상용 레지스트 조성물 |
| JP5723648B2 (ja) | 2011-03-25 | 2015-05-27 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5789396B2 (ja) | 2011-04-05 | 2015-10-07 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP5767845B2 (ja) | 2011-04-12 | 2015-08-19 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| JP5732306B2 (ja) | 2011-04-20 | 2015-06-10 | 東京応化工業株式会社 | 化合物、高分子化合物、酸発生剤、レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5873250B2 (ja) | 2011-04-27 | 2016-03-01 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP5898985B2 (ja) | 2011-05-11 | 2016-04-06 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP5758197B2 (ja) | 2011-05-25 | 2015-08-05 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、酸発生剤 |
| JP2012252077A (ja) | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、高分子化合物及びその製造方法 |
| JP5830273B2 (ja) | 2011-06-10 | 2015-12-09 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP5715890B2 (ja) | 2011-06-10 | 2015-05-13 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物の製造方法 |
| TWI550350B (zh) | 2011-06-10 | 2016-09-21 | 東京應化工業股份有限公司 | 溶劑顯影負型光阻組成物、光阻圖型之形成方法、含有嵌段共聚物層的圖型之形成方法 |
| US9097971B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-08-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Compound, radical polymerization initiator, method for producing compound, polymer, resist composition, and method for forming resist pattern |
| KR101911094B1 (ko) | 2011-09-15 | 2018-10-23 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 |
| KR101936435B1 (ko) | 2011-09-22 | 2019-01-08 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 |
| US9405200B2 (en) | 2011-09-22 | 2016-08-02 | Toyko Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
| US9057948B2 (en) | 2011-10-17 | 2015-06-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition for EUV or EB, and method of forming resist pattern |
| JP2013097272A (ja) | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5856441B2 (ja) | 2011-11-09 | 2016-02-09 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物 |
| JP5933364B2 (ja) | 2011-11-09 | 2016-06-08 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP6002378B2 (ja) | 2011-11-24 | 2016-10-05 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物の製造方法 |
| JP5764480B2 (ja) | 2011-11-25 | 2015-08-19 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物 |
| JP5846888B2 (ja) | 2011-12-14 | 2016-01-20 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5846889B2 (ja) | 2011-12-14 | 2016-01-20 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物 |
| JP5820719B2 (ja) | 2011-12-21 | 2015-11-24 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP5898962B2 (ja) | 2012-01-11 | 2016-04-06 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5818710B2 (ja) | 2012-02-10 | 2015-11-18 | 東京応化工業株式会社 | パターン形成方法 |
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| JPH1135552A (ja) | 1999-02-09 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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