JP3117331U - 半導体ウエハ処理システムにおけるシャワーヘッドのためのデュアルガスフェースプレート - Google Patents
半導体ウエハ処理システムにおけるシャワーヘッドのためのデュアルガスフェースプレート Download PDFInfo
- Publication number
- JP3117331U JP3117331U JP2005008118U JP2005008118U JP3117331U JP 3117331 U JP3117331 U JP 3117331U JP 2005008118 U JP2005008118 U JP 2005008118U JP 2005008118 U JP2005008118 U JP 2005008118U JP 3117331 U JP3117331 U JP 3117331U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas distribution
- distribution plate
- gas
- plate
- flow path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】 フェースプレートが、反応チャンバ内のプロセス領域に到達する前に複数のガスが混合されることなく、複数のガスをプロセス領域に供給する複数のガス通路を有する、半導体ウエハ処理システムのシャワーヘッドのためのフェースプレートの提供。
【解決手段】 シャワーヘッドは、フェースプレートとガス分配マニホールドアセンブリを含んでいる。フェースプレートは、マニホールドアセンブリからフェースプレートを通ってプロセス領域に第１ガスを運搬する複数の第１ガス穴と、マニホールドアセンブリから第２ガスを受容する円周プレナムに複数の第２ガス穴を結合する複数の流路と、を画成している。フェースプレートとマニホールドアセンブリは、実質的に固体のニッケル成分から各々製造されている。
【選択図】 図１
【解決手段】 シャワーヘッドは、フェースプレートとガス分配マニホールドアセンブリを含んでいる。フェースプレートは、マニホールドアセンブリからフェースプレートを通ってプロセス領域に第１ガスを運搬する複数の第１ガス穴と、マニホールドアセンブリから第２ガスを受容する円周プレナムに複数の第２ガス穴を結合する複数の流路と、を画成している。フェースプレートとマニホールドアセンブリは、実質的に固体のニッケル成分から各々製造されている。
【選択図】 図１
Description
考案の分野
[0001]本考案は、半導体ウエハ処理システムに関し、更に詳細には、半導体ウエハ処理システムの反応チャンバへ少なくとも２種のプロセスガスを供給するガス分配シャワーヘッドに関する。
[0001]本考案は、半導体ウエハ処理システムに関し、更に詳細には、半導体ウエハ処理システムの反応チャンバへ少なくとも２種のプロセスガスを供給するガス分配シャワーヘッドに関する。
関連技術の説明
[0002]半導体ウエハ処理システムは、一般的に、プロセス領域の近くのチャンバ内に、半導体ウエハを支持するペデスタルを有する処理チャンバを含んでいる。チャンバは、部分的に、プロセス領域を画成する真空の囲いを形成している。ガス分配アセンブリ又はシャワーヘッドは、プロセス領域に１種以上のプロセスガスを供給する。その後、ガスは加熱され及び／又はウエハ上で一定のプロセスを行うプラズマを形成するためにエネルギーが供給される。これらのプロセスには、ウエハ上に膜を堆積させる化学気相堆積（ＣＶＤ）やウエハから物質を除去するエッチング反応が含まれてもよい。
[0002]半導体ウエハ処理システムは、一般的に、プロセス領域の近くのチャンバ内に、半導体ウエハを支持するペデスタルを有する処理チャンバを含んでいる。チャンバは、部分的に、プロセス領域を画成する真空の囲いを形成している。ガス分配アセンブリ又はシャワーヘッドは、プロセス領域に１種以上のプロセスガスを供給する。その後、ガスは加熱され及び／又はウエハ上で一定のプロセスを行うプラズマを形成するためにエネルギーが供給される。これらのプロセスには、ウエハ上に膜を堆積させる化学気相堆積（ＣＶＤ）やウエハから物質を除去するエッチング反応が含まれてもよい。
[0003]多数のガスを必要とするプロセスにおいて、通常、ガスは、混合チャンバ内で混合され、次に、コンジットによってシャワーヘッドに結合される。例えば、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4）及びアンモニア（ＮＨ3）をプロセスガスとして用いる窒化チタン堆積において、２種のプロセスガスがそれぞれ、ヘリウムや水素などのキャリアガスとともに、混合チャンバに供給され、これらのガスが混合されて、気体混合物を形成する。気体混合物は、それから、気体混合物がプロセス領域に均一に分配されるように、複数の穴を有する分配プレートにコンジットを通って結合される。気体混合物がプロセス領域に入り、エネルギーが注入されると、四塩化チタンとアンモニアが化学的に反応して、窒化チタンを形成するように（即ち、ＴｉＣｌ4は、ＮＨ3によって還元される）、四塩化チタンとアンモニア間で化学反応が起こる。窒化チタンは、化学気相堆積反応においてウエハ上に堆積する。
[0004]他の２種のガスの化学気相反応が含まれる。テトラジエチルアミノチタン（ＴＤＥＡＴ）をアンモニアと組み合わせて熱分解して窒化チタンを生成する；テトラジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）をアンモニア又は窒素水素混合物を組み合わせて熱分解して窒化チタンを生成する；又は六フッ化タングステン（ＷＦ6）を、水素（Ｈ2）を用いて還元してタングステンを生成する。ウエハの処理に２種以上のガスを必要とするこれらのケース及び他のいかなるケースにおいても、多数のガスがプロセス領域に均一に供給されることが必要である。
[0005]ガスがプロセス領域に均一に分配されることを確実にするために、通常は、プロセス領域へガスを放出する前に、ガスを混合することが都合が良いにもかかわらず、混合チャンバ内で、ガスは、還元を開始するか、又は他の反応を開始する傾向がある。従って、気体混合物がプロセス領域に到達する前に、混合チャンバ、コンジット、他のチャンバ構成部品の堆積又はエッチングが起こり得る。更に、生成物による反応物が、チャンバガス分配構成部品に蓄積しうる。
[0006]ガスが、分配プレートを出て、プロセス領域に入るまで、分離した通路中のガスを維持する努力として、１９９７年１月２１日に発行された米国特許第５,５９５,６０６号（“６０６”特許）には、それらが分配プレートを出てプロセス領域に入るまで、別々の通路の２種のガスを維持するシャワーヘッドを形成する多数のブロックスタックが開示されている。このように、ガスがウエハ近くのプロセス領域に達するまで、ガスは、混合されたりし、お互いに反応することはない。
[0007]図14は、“６０６”特許の先行技術のシャワーヘッド５０を示す断面図である。
そのシャワーヘッド５０は、上部ブロック５８、中央ブロック６０及び下部ブロック６２を含んでいる。シャワーヘッド５０は、第１ガス通路５４ａ、５４ｂ、５４ｃの第１組（あわせて通路５４）と、第２ガス通路５２ａ、５２ｂ、５２ｃの第２組（あわせて通路５２）を含んでいる。通路５２、５４は、通路の独立性を保持するように、上部ブロック５８から下部ブロック５８へ分岐する。ガスは、ポート６４を通して通路５２に、ポート７２を通して通路５４に供給される。通路５２と５４は、中央ブロック６０に形成されるマニホールド８０と８２を用いて分岐する。具体的には、通路５２はマニホールド８０を通じて分岐し、通路５４はマニホールド８２を通じて分岐する。
そのシャワーヘッド５０は、上部ブロック５８、中央ブロック６０及び下部ブロック６２を含んでいる。シャワーヘッド５０は、第１ガス通路５４ａ、５４ｂ、５４ｃの第１組（あわせて通路５４）と、第２ガス通路５２ａ、５２ｂ、５２ｃの第２組（あわせて通路５２）を含んでいる。通路５２、５４は、通路の独立性を保持するように、上部ブロック５８から下部ブロック５８へ分岐する。ガスは、ポート６４を通して通路５２に、ポート７２を通して通路５４に供給される。通路５２と５４は、中央ブロック６０に形成されるマニホールド８０と８２を用いて分岐する。具体的には、通路５２はマニホールド８０を通じて分岐し、通路５４はマニホールド８２を通じて分岐する。
[0008]冷却流路８４は、ガス出口７８を冷却するため、ガス出口７８の近く、下部ブロック６２に設けられている。このような方法で、シャワーヘッド５０は、プロセスガスの液化温度よりも低い温度に維持される。例えば、ＴＤＥＡＴの場合、４０℃より低い温度である。
[0009]ブロック５８、６０、６２は、シャワーヘッド５０中のガスを密封するためにブロック５８、６０、６２の間に載置されたＯリング９０を介して互いに積み重ねられる。この種のＯリング９０は、ガスがシャワーヘッドの外へ洩出しないことを確実にするために効果的である一方、様々なブロックの連結部において、ガス通路５２と５４の間のリークにより、シャワーヘッド内でガスが混ざらないことを確実にすることにはあまり効果的ではない。そのようなガスの混合は、デュアルガス通路アセンブリの目的を失する。即ち、ガスが、下部ブロック６２を出て、プロセス領域へ入るまで、ガスが完全に分離されるわけではない。更に、プロセスチャンバ内にＯリングが存在すると、Ｏリング材料が破損したり、チャンバを汚染したり、更に悪い事には、ウエハ表面を汚染する可能性がある。
[0010]２０００年にUmotoyらに発行された米国特許第６,０８６,６７７号は、アルミニウムから製造され、深さ０.２〜０.４ミルにニッケルでめっきされたフェースプレートを提供している。フェースプレートの様々なさまざまなキャビティ中や流路中へのニッケルめっきプロセスは高価である。更に、ニッケルめっき組成物は、より高いプロセス温度において分解する可能性がある。例えば、ニッケルめっきが約３４０℃より高い処理温度で分解し始めることが観察されている。一部の化学気相堆積処理ステップにおいて、処理領域は、最高約３７５℃の温度に至る。
[0011]従って、プロセス領域に到達する前にガスが混合しないように、少なくとも２種のガスをプロセス領域内へ運ぶシャワーヘッドが必要である。更に、シャワーヘッド内のガスを密封するためにエラストマーやソフトＯリングを必要としないシャワーヘッドの構成が必要である。またさらに、３４０℃を上回る処理温度に耐える可能性がある固体ニッケルから製造されるデュアルガスフェースプレートが必要である。
[0012]先行技術に伴うある不利な点は、本明細書において記載されている半導体ウエハ処理システム用のフェースプレートとシャワーヘッドによって解決される。少なくとも一つの実施形態において、半導体ウエハ処理システムのためのフェースプレートが提供される。フェースプレートは、第２ガス分配プレートに結合される第1ガス分配プレートを含んでいる。第１及び第２双方のガス分配プレートは、固体ニッケル成分から製造される。第1ガス分配プレートと第２ガス分配プレートは、各々複数の穴を含み、双方のそれぞれのプレートを通って一列に並べられて伸びている。第２ガス分配プレートは、第２ガス分配プレートの下部を通って形成された複数の第２穴と、上部に形成された相互連結流路を含んでいる。相互連結流路は、複数の第２穴の上方に位置する。第1ガス分配プレートは、第２ガス分配プレートに結合されるときに、円周キャビティを画成する凹部下表面を有する。第２ガス分配プレートの相互連結流路は、複数の第１穴により画成された第２流路から独立したフェースプレートを通じて、第１流路を形成するために、複数の第２穴と、円周キャビティと流体連通されている。
[0013]少なくとも他の一実施形態において、半導体ウエハ処理システム用のシャワーヘッドが供給される。シャワーヘッドは、第１ガス分配プレート中の第１ガス穴に第１ガスを供給し、第２ガス分配プレート中の流路に第２ガスを供給するためのフェースプレートに結合されたガス分配マニホールドアセンブリを含んでいる。フェースプレートは、第２ガス分配プレートに結合される第1ガス分配プレートを含んでいる。第１と第２のガス分配プレートは双方とも、固体ニッケル成分から製造される。第1ガス分配プレートと第２ガス分配プレートは、各々、双方のそれぞれのプレートに一列に並んで伸びている複数の第1穴を含んでいる。第２ガス分配プレートは、更に、第２ガス分配プレートの下部を通って形成された複数の第２穴と、上部に形成された相互連結流路を含んでいる。相互連結流路は、複数の第２穴の上方に位置する。第1ガス分配プレートは、第２ガス分配プレートに結合されるときに、円周キャビティを画成する凹部下表面を有する。第２ガス分配プレートの相互連結流路は、複数の第１穴により画成された第２流路から独立したフェースプレートを通って第１流路を形成するために、複数の第２穴と円周キャビティと流体で連通している。
[0014]更に別の実施形態では、シャワーヘッドは、下部ガス分配プレート及び上部ガス分配プレートを有するフェースプレートに結合されたガス分配マニホールドアセンブリを含んでいる。下部ガス分配プレートと上部ガス分配プレートの各々は、固体のニッケル成分から製造される。フェースプレートは、下部ガス分配プレートと上部ガス分配プレートを通って、一連に並んで伸びている複数の第1ガス穴を有する。複数の第２ガス穴は、複数の相互連結流路へ下部ガス分配プレートを通って伸びている。相互連結流路は、上部ガス分配プレートを通って伸びている複数の第３ガス穴に接続している円周プレナムに結合される。ガス分配マニホールドアセンブリは、上部ガス分配プレート中の第１ガス穴に第１ガスを供給し、下部ガス分配プレート中の第３ガス穴と相互連結流路に第３ガスを供給する。
[0015]本考案の教示は、添付図面と共に以下の詳細な説明を考慮することによって、容易に理解することができる。
[0030]理解を容易にするために、図に共通して同一の要素を示すために、可能な部分では、同じ符号を用いた。
[0031]図1は、本考案のシャワーヘッド１１４を利用している説明的半導体ウエハ処理反応チャンバ１００を示す断面模式図である。チャンバ１００はプロセス領域１０４を画成し、プロセス領域１０４は、ウエハ表面上に、材料を堆積し、又はウエハ表面から材料をエッチングするために用いられる。基板１０６、例えば、半導体ウエハは、プロセス領域１０４の近くに維持され、ペデスタル１０８の上表面上に支持される。ペデスタル１０８は、チャンバ１００内を垂直に移動し（矢印１１０で示すように）、スリットバルブ１１２を通して基板１０６を取り出すことができる位置に下降する。下降位置にいる間、新たな基板１０６をペデスタル１０８に配置することができる。その後、示されるように、ペデスタル108は、処理位置に上昇し、ウエハ１０６は、プロセス領域近くに置かれる。プロセスガスは、シャワーヘッド114によって供給される。本考案の好適実施形態において、複数のガスがウエハ処理に用いられる。例示的には、２つのガスが用いられる。プロセスガス1（例えば、四塩化チタンＴｉＣｌ4）とプロセスガス２（例えばアンモニアＮＨ3）である。これらのガスは、ウエハを処理するため、即ち、ウエハ上の気相又はウエハの化学エッチングに必要な気体混合物を形成する。それぞれの供給源１１６と１１８からのプロセスガスは、バルブ１２０と１２２を通って、シャワーヘッド１１４まで達するチャンバ１００の壁１２８まで通っているコンジット１２４と１２６にそれぞれ供給される。シャワーヘッド１１４は、チャンバ１００のリッドを形成する。
[0032]シャワーヘッド１１４は、フェースプレート１３０とガス分配マニホールド１３２を含んでいる。ガス分配マニホールド３２は、チャンバ壁１２８を通ってガスを運搬するコンジット１２４と１２６にそれぞれ結合される２本のコンジット１３４と１３６を備えている。シャワーヘッド１１４とチャンバ１００の壁１２８間の接続面１３８のコンジットは、各々のコンジット１２４と１２６に外接するＯリング１４０及び１４２を用いて効果的に密封される。第1プロセスガスは、フェースプレート１３０に第１プロセスガスを分配する円筒形チャンバ１４４にコンジット１３４を経て供給される。第２プロセスガスは、フェースプレート１３０に第２プロセスガスを分配する環状チャンバ１４６にコンジット１３６を経て供給される
[0033]フェースプレート１３０は、複数のガスを、プロセス領域１０４に到達する前に混合しないように、プロセス領域１０４に供給するための複数のガス通路を含んでいる。一つ以上の実施形態において、フェースプレート１３０は、下部ガス分配プレート１４８と上部ガス分配プレート１５０を含んでいる。２つのプレート１４８、１５０は、各々、２つのプロセスガスをプロセス領域１０４に入れるための２本の異なった通路を画成するさまざまな流路と穴を含んでいる。流路と穴の個々の構成は、下部ガス分配プレート148については、図３，図４に、上方ガス分配プレート１５０については、図６、図７、図８に詳述される。流路と穴の間の密封にＯリングを用いないで流路を画成するためには、一体的なフェースプレート１３０を形成するため、下部及び上部ガス分配プレート１４８、１５０がお互いに融着される。フェースプレート１３０は、ガス分配マニホールド１３２に、好ましくはボルトで締められる（複数のボルト１５２を使用する）。フェースプレート１３０とマニホールド１３２の結合面は、各々１〜３ｍｍの平坦度を有する。このように、それらの構成材は、Ｏリングを使用せずにボルトで締められることができ、ガス混合を避けるための十分な密封状態が生じる。フェースプレート１３０とマニホールドアセンブリ１３２は、３４０℃を上回る温度に耐えることができる固体ニッケル金属、例えば、固体のニッケル２００シリーズ材料で製造される。
[0033]フェースプレート１３０は、複数のガスを、プロセス領域１０４に到達する前に混合しないように、プロセス領域１０４に供給するための複数のガス通路を含んでいる。一つ以上の実施形態において、フェースプレート１３０は、下部ガス分配プレート１４８と上部ガス分配プレート１５０を含んでいる。２つのプレート１４８、１５０は、各々、２つのプロセスガスをプロセス領域１０４に入れるための２本の異なった通路を画成するさまざまな流路と穴を含んでいる。流路と穴の個々の構成は、下部ガス分配プレート148については、図３，図４に、上方ガス分配プレート１５０については、図６、図７、図８に詳述される。流路と穴の間の密封にＯリングを用いないで流路を画成するためには、一体的なフェースプレート１３０を形成するため、下部及び上部ガス分配プレート１４８、１５０がお互いに融着される。フェースプレート１３０は、ガス分配マニホールド１３２に、好ましくはボルトで締められる（複数のボルト１５２を使用する）。フェースプレート１３０とマニホールド１３２の結合面は、各々１〜３ｍｍの平坦度を有する。このように、それらの構成材は、Ｏリングを使用せずにボルトで締められることができ、ガス混合を避けるための十分な密封状態が生じる。フェースプレート１３０とマニホールドアセンブリ１３２は、３４０℃を上回る温度に耐えることができる固体ニッケル金属、例えば、固体のニッケル２００シリーズ材料で製造される。
[0034]図２は、下部ガス分配プレート１４８を示す平面図である。図３は、図２の線３‐３に沿った下部ガス分配プレート１４８を示す部分断面図である。図４は、図２において表される下部ガス分配プレート１４８の一部分を示す詳細な平面図である。図５は、図4の線５‐５に沿った詳細な断面図である。下部ガス分配プレート１４８の開示内容を最も良く理解するために、読者は、同時に図２、３、４及び５を参照しなければならない。
[0035]図２‐図５を参照すると、下部ガス分配プレート148は、平面図が円形又はディスク状である。下部プレート１４８は、中心入口領域２００及び周囲のフランジ２０２を有する。望ましくは、フランジ２０２は、ほぼ２.５mmの厚み幅を有する。一方、中心入口領域２００はほぼ１.２１ｃｍの厚み幅を有する。中心領域２００はフランジ２０２の幅によって定められる。それはほぼ２.５４ｃｍである。中心入口の領域２００は、２組の穴２０４と２０６を含む。各々の穴２０４、２０６は、隣接穴からほぼ６.３５mmの中心−中心間距離を有する。通常、第１ガスのための穴２０６（例えば、ＴｉＣｌ4のための穴は、０.０２５インチである）は、第２ガスのための穴２０４（例えば、ＮＨ3のための穴）とほぼ同じ大きさである。
[0036]下部ガス分配プレート１４８から出るそれぞれのガスのための穴２０４と２０６は、約７００個が好ましい。しかしながら、各々のガスのための穴サイズ及び穴数の選択は、プロセス条件に基づく設計者の選択の問題である。この点で、穴サイズは、気体流速度、ガス圧、ガス種類、チャンバ圧などによって、変動する。穴サイズは、また、フェースプレート表面にわたって変化してもよい。穴を通るガス流量は、フェースプレート１３０の穴の位置と相関する。
[0037]第１ガスのための穴２0６は、中心入口領域２００を通って伸びて、穴２１０によってくり広げられる。或いは、２枚のプレート１４８、１５０が一緒に蝋付けされた後、穴２０８と２１０を穿設することができる。中心入口領域２００は、幅３.１７３mm及び深さ９.５２５mmを有する溝又は流路２０８を形成するために切断される。流路２０８は、水平（線２０１で示すように）から４５°の角度で形成されて、穴２０４の上に配設される。流路２０８は“クリスクロス（十字）”パターンに切断され、流路の開口頂部が閉じられる時、第２ガスのためのガスマニホールドを形成する。従って、流路２０８が形成された後、正方形パターンの突起２１２（図４に示される）が穴２０６周辺に残される。正方形パターン（即ち、４つの等辺及び４つの直角）は、ダイヤモンド状の島パターン（即ち、４つの等辺と２つの鈍角）より、機械加工するのが容易であり、正方形カットは、ダイヤモンドカットよりも、バリ残りが少ない。
[0038]図６は、上部ガス分配プレート１５０を示す平面図である。図７は、図６の線７‐７に沿ったプレート１５０を示す断面図である。図８は、図７に示されるプレート１５０の一部分を示す分解断面図である。図６-図８を参照すると、上部ガス分配プレート１５０は、組み立ての際に、下部ガス分配プレート１４８のフランジ２０２に連結され載置される外部エッジ（フランジ支持体６００）を有する。上部ガス分配プレート１５０の中央は、凹部６０２である。凹部６０２は、上部プレート１５０及び下部プレート１５０が組み合わさるように、実質的に下部ガス分配プレート１４８の、高い中心入口領域２００と適合する。上部ガス分配プレート１５０は、中央に位置するほぼ１.６mmの直径を有する複数の穴６０４を含み、これらの穴は、下部ガス分配プレート１４８の第１ガスのための穴２１０と一列に並ぶ。更に、上部ガス分配プレート１５０の端部近くであって、フランジ押え６００の内部は、下部ガス分配プレート１４８中の流路２０８にガスを分配するために用いられる複数の穴６０６がある。第１ガス穴２０６及び下部ガス分配プレート１４８のそれらに付随するカウンタボア２１０の配置に同様に適合するほぼ７００の穴が、上部ガス分配プレート１５０にある。下部ガス分配プレート１４８の流路２０８にガスを供給するガス分配穴６０６は、各々ほぼ６.３５mm.の直径を有する、８つの穴ができるように、上部ガス分配プレート１５０の周辺に配設される。
[0039]図９は、フェースプレート１３０の一部分を示す組み立て図である。フェースプレート１３０を取り付けるために、下部１４８及び上部１５０のガス分配プレートの表面は、１〜３ｍｍ以内に均一でなければならない。ニッケル板を溶解させるために、隣接表面は、シリコンリッチなアルミニウムで被覆されてもよい。下部１４８及び上部１５０の分配プレートは、それからお互いに固定され、そのアセンブリは、ガス分配プレート148、１５０がその中でお互いに融合される炉に載置される。この方法で、２つのプレートは１つの（即ち、一体的な）部材、即ち、フェースプレート１３０を形成する。或いは、ガス分配プレート１４８、１５０の各々は、固体のニッケル成分から製造され、蝋付けによって融着される。いずれの例においても、フェースプレート１３０の中でガスを保持するか又はガスの分離を維持するために、Ｏリングは必要ではない。
[0040]下部プレート１４８と上部プレート１５０は、フランジ２０２とフランジ押え６００が接合する部分で融合する。具体的には、フランジ２０２とフランジ押え６００は、外部エッジ９０２と融合し、フェースプレート１３０内部で、全てのガスを維持するための十分な密封を形成する。更に、上部ガス分配プレート１５０と下部ガス分配プレート１４８のフランジ２０２は、下部ガス分配プレート１４８中に形成されるガス流路２０８に、ガスを供給する円周プレナム９００を形成する。穴６０６は、この円周プレナム９０0にガスを供給する。上部ガス分配プレート１５０は、流路２０８の最上部を形成し、均一な矩形断面の流路２０８が、第２プロセスガスを下部ガス分配プレート１４８の穴２０４に分配するために形成されるようになっている。上部ガス分配プレート１５０の穴６０４は、第１プロセスガスが妨げられずに分配プレート１４８と1５０の両方を通過し、チャンバ１０２のプロセス領域１０４に到達するように、下部ガス分配プレート１４８（図５に示す）の穴２１０と一列に並べられる。一旦融合すると、複数の取り付け穴９０４（ボルト頭（図示せず）がフェースプレート表面と同一高さを維持できるように、さらに穴が開けられる。）は、フェースプレート１３０をガス分配マニホールド１３２に添着するのを容易にするために、円周縁領域９０２中に形成される。
[0041]更に詳細にガス分配マニホールド１３２を考慮すると、図１０は、ガス分配マニホールド１３２を示す平面図である。図１１は、図１０の線１１‐１１に沿ったガス分配マニホールド１３２を示す断面図である。図１２は、図１０に示されるガス分配マニホールド１３２を示す底面図である。図１０‐図１２を参照すると、ガス分配マニホールド１３２は、コンジット１２４と１２６（図1に示される）からフェースプレート１３０まで各々のプロセスガスを供給する。マニホールド１３２は、３つの構成要素；下部プレート１０００、中央プレート１００２、上部プレート１００４を含んでいる。下部プレート１０００は、フェースプレート１３０の直径と同じか又は実質的に同じ直径を有する第１キャビティ１００６を含んでいる。第１キャビティ１００６は、フェースプレート１３０と組み合わさるように設計されている。第２キャビティ１００８は、フェースプレート１３０が、第１キャビティ１００６への取付によって、マニホールド１３２に当接するときに、チャンバ１４４が画成されるように、第１キャビティ１００６と共軸であるが、より小さい直径を有する。チャンバ１４４は、第１プロセスガスを上部ガス分配プレート１５０の穴６０４に分配する。中央に位置する穴１０１０は、中央穴１０１０から上部プレート１００４の端部の近くまで延びるコンジット１３４と、チャンバ１４４を結合する。その位置で、コンジット１３４は、チャンバ壁１０２のコンジット１２４と結合する。コンジット１３４を形成するために、上部プレート１００４は、ガスが流れるフライス削りされた流路を底表面に有する。流路は、中央プレート１００２の最上面が流路１３４の底部を形成するように、中央プレート１００２に上部プレート１００４を取り付けることによって完成される。
[0042]コンジット１２６とチャンバ１００の壁１２８からの第２プロセスガスとフェースプレート１３０を結合させるために、環状チャンバ１４６が、マニホールド１３２内で画成される。環状チャンバ１４６は、下部プレート１０００の最上面の環状チャンネル１４６をフライス削りすることによって形成される。放射状の方向を有する流路１０１２は、各々の流路１０１２の末端の穴１０１４に、環状チャンネル１４６を接続する。更に、コンジット１３６を形成する流路が、環状流路１４６から接続面１３８でのコンジット結合位置まで伸びている下部プレート１０００において形成される。環状流路１４６の最上面は、中央プレート１００２によって閉じられる。閉じられた環状流路１４６は、第２プロセスガスをフェースプレート１３０中の分配プレナム９００に結合する、放射状に伸びている流路１０１２と穴１０１４によって形成される。
[0043]ガス分配マニホールドアセンブリ１３２を製造するために、下部プレート、中央プレート、上部プレート１０００、１００２、１００４は、結合面がシリコンリッチなアルミニウム膜で被覆されてもよい。或いは、下部プレート１０００、中央プレート１００２、及び上部プレート１００４は、固体のニッケル２００シリーズ材料から製造される。全てのマニホールドアセンブリ１３２は、それから、お互いに接触面を融合させて、一体的マニホールドアセンブリ１３２を形成するために、約５５０℃の温度で、燃焼加熱炉に固定されて、載置される。このように、プロセスガス間の分離を維持するために、Ｏリングは必要でない。前述の実施形態のシャワーヘッド１１４は、１０-5Ｔｏｒｒの真空試験において検査され、各々のガス流入コンジット１３４と１３６に供給されるガスの間で、混合及び交差汚染は、経験されなかった。
[0044]本明細書において、上で又は他で記載されている実施形態のいずれかにおいて、シャワーヘッド１１４は、シャワーヘッド１１４を均一で一定の温度に維持することができる冷却プレート又は他の冷却構成材と結合されることができる。このような冷却プレートは、冷却プレートがガス分配マニホールド１３２の上部に冷却プレートが載置されている間、冷却剤が冷却プレート内を通って循環するように切断された冷却流路か、さもなければ、内部に形成された冷却流路を有する機構を用いて形成することができる。マニホールドアセンブリ１３２の上部に取り付けられる冷却プレート１１００の図示される配置は、図１１に示される。
[0045]図１３は、フェースプレート１３００の別の実施例の一部分の断面図を表す。この実施形態は、上部ガス分配プレート１３０２及び下部ガス分配プレート１３０４を含む。下部ガス分配プレート１３０４は、プレート１３０４が複数のガス分配穴を画成するという点で、先に述べた下部ガス分配プレート（図９の１４８）より小さい（１組の穴１３０６は第１ガスを分配するためにあり、１組の穴１３０８は第２ガスを分配するためにある）。その他の穴は、下部プレート１３０４の上部１３１０からくり広げられる。垂直方向の管状コンジット（チューブ）１３１２の一端は、各々のカウンタボアに位置する。各々のチューブ１３１２の他端は、上部ガス分配プレート１３０２の穴１３２０を通過する。上下のガス分配プレート１３０２と１３０４及びチューブ１３１２は、やはり固体ニッケルで製造される。一旦取り付けられると、前述の実施形態に記載されているのと同様に、フェースプレート１３００は、炉内に載置され、接触面を蝋付けするために加熱される。
[0046]チューブ１３１２の各々は、第２ガスが、ガス分配穴１３０８に到達するように、第２ガスのためのガス流路を画成する。上部ガス分配プレート１３０２の下表面１３１４と下部ガス分配プレート１３０４の上表面１３１０は、第１ガスをガス分配穴１３０６に分配するキャビティ１３１６を画成する。第１ガスは、一つ以上の入口１３１８を経てキャビティ１３１６に供給される。ガスマニホールド（図示されないが、図１のマニホールドアセンブリ１３２と同一である）は、フェースプレート１３００と結合されて、第１ガスを入口１３１８に、第２ガスをフェースプレート１３００のチューブ１３１２に供給する。このフェースプレートの実施形態を含んでいるシャワーヘッドの取付及び動作は、前述の実施例と同一である。
[0047]本明細書において上で又は他で記載されているいかなる実施形態のその他の製造プロセスは、フェースプレート構造を“積み重ねる”ためにスタッキングダイカット層を含んでいる（各層は、約５ｍｍ厚）。積み重ね又は貼り合せられた層は、それから炉に載置されて、一体的なフェースプレートに融合される。フェースプレートの材料は、固体のニッケルである。本考案の教示を組み込む各種実施形態が詳細に本明細書において図と共に記載されたにもかかわらず、当業者はまだこれらの教示（後に続くものも含む）を組み込んだ多くの他の様々な実施形態を容易に構成することができる。
[0048]少なくとも一つの個々の実施形態において、シャワーヘッドは、一体的フェースプレートとガス分配マニホールドアセンブリを有する。フェースプレートは、上部ガス分配プレートと下部ガス分配プレートの各々から製造され、それらは一緒に蝋付けされるか又は融合されて、一体的フェースプレートを形成する。プレートの各々は、固体のニッケル材料、例えば、固体のニッケル２００シリーズ材料から製造される。プロセスガスは、ガス分配マニホールドアセンブリによってフェースプレートのさまざまな流路へ、別々に運搬される。ガス分配間にホールドアセンブリは、上部ガス分配プレートの裏又は最上面にボルトで締められる。任意選択で、シャワーヘッドを所定の温度に維持するために、冷却プレートを、ガス分配マニホールドアセンブリにボルトで締めることができる。
[0049]上の又は他の本明細書における一つ以上の実施形態において、上下のガス分配プレートは、各々、下部プレート及び上部プレートの両方を通って、一列に並べられて伸びている複数のガス穴を備えている。フェースプレートの上部ガス分配プレートは、複数の第１ガス穴にガスを供給するチャンバを含む。第１プロセスガスは、上部チャンバの複数の穴を通って供給される。第１ガス穴は、プロセス領域に第１ガスを分配する。前述のように、下部ガス分配プレートは、同様に、上部ガス分配プレートの穴と一列に並ぶ複数の穴を含んでいる。下部ガス分配プレートは、上部プレートの下に配置される。このように、第１プロセスガスは、汚染されない純粋な状態で、プロセス領域に分配される。一つのアレンジメントにおいては、プロセス領域に、より均一なガスを分配するために、ガス分配プレートの表面に、ガス分配穴を均等に分布させて、下部ガス分配プレートを、円形の平面図形態を有するようにする。
[0050]上の又は他の本明細書における一つ以上の実施形態において、下部ガス分配プレートを通って伸び、複数の相互連結流路によって接続される、複数の第２ガス穴が設けられる。相互連結流路は、第２プロセスガスを導入する円周プレナムと結合される。第２ガス穴は、円周プレナムによって第２プロセスガスと流体連通する。複数の第２ガス穴及びそれらの相互連結流路は、複数の第１ガス穴の各々に関して密封される。このように、フェースプレートの中で別々のガスが流体連通することが排除される。
[0051]上の又は他の本明細書における一つ以上の実施形態において、上部ガス分配プレートの底表面は、下部ガス分配プレートの最上面に結合され、融合される。この点で、上部ガス分配プレートの底部の平坦面が、第２ガスを運搬するマニホールド流路の最上面を形成する。マニホールド流路の全ては、下部ガス分配プレートの外部エッジの近くに位置する円周プレナムによって相互に結合される。複数の穴は、ガスを円周プレナムへ供給するために、円周プレナム中の上部ガス分配プレートの端部近くに穿設される。ガスは、下部ガス分配プレートの第２ガス穴にガスを供給するマニホールド流路と結合される。
[0052]上の又は他の本明細書における一つ以上の実施形態において、下部及び上部のガス分配プレートは、フェースプレートの中でＯリングを使用しないようにするために、融合される。一つのアレンジメントにおいて、融合は、まず３〜５ｍｍ厚み幅のシリコンリッチなアルミニウム膜又は薄膜を接触面に付加することによって行われる。次に、２枚のガス分配プレートは、相互に固定される。フェースプレートは、それからほぼ550℃の温度で、真空チャンバ内部で加熱される。このような方法で、ガス分配プレートは、プレートがお互いに接触する位置で融合される。他のアレンジメントにおいて、ガス分配プレートの各々は、固体のニッケル２００シリーズ材料から製造される。蝋付けされた表面は、ガスが、上部ガス分配プレートから下部ガス分配プレートに移行するときに、ガスの分離を維持する適当な密封を形成するために、好ましくは１〜３ｍｍの平坦度を有する。固体のニッケルプレートは、望ましいコンタクトシールを得るために蝋付けされる。
[0053]前述が本考案の実施形態に関する一方、その他及び本考案の別の実施例は、本考案の基本的範囲から逸脱することなく、案出されることができ、本考案の範囲は、添付された実用新案登録請求の範囲で決定される。
５０…シャワーヘッド、５２…ガス通路、５４…ガス通路、５８…上部ブロック、６０…中央ブロック、６２…下部ブロック、７２…ポート、７８…出口、８０…マニホールド、８２…マニホールド、８４…流路、１００…チャンバ、１０４…プロセス領域、１０６…基板、１０８…ペデスタル、１１２…スリットバルブ、１１４…シャワーヘッド、１１６…供給源、１１８…供給源、１２４…コンジット、１２６…コンジット、１２８…壁、１３０…フェースプレート、１３２…ガス分配マニホールド、１３４…コンジット、１４０…Ｏリング、１４２…Ｏリング、１４４…円筒状チャンバ、１４６…環状チャンバ、１４８…下部ガス分配プレート、１５０…上部ガス分配プレート、１５２…ボルト、２００…中心入口領域、２０２…フランジ、２０４…穴、２０６…穴、２０８…流路、２１０…穴、２１２…正方形状凸部、６００…フランジ支持体、６０２…凹部、６０６…穴、９００…周囲プレナム、９０２…周囲エッジ領域、９０４…穴、１０００…下部プレート、１００２…中央プレート、１００４…上部プレート、１１００…冷却プレート、１０１２…流路、１３００…フェースプレート、１３０２…上部ガス分配プレート、１３０４…下部ガス分配プレート、１３０８…穴、１３１０…上側、１３１２…チューブ、１３１６…キャビティ、１３１８…入口。
Claims (20)
- 半導体ウエハ処理システムのためのフェースプレートであって、
各プレートが固体ニッケル成分から製造された、第２ガス分配プレートに結合された第１ガス分配プレートであって、
該第１ガス分配プレートと該第２ガス分配プレートが、それぞれ、下部ガス分配プレート及と上部ガス分配プレートの双方を通って一列に並んで伸びている複数の第１穴を備え、
第２ガス分配プレートが、その下部を通って形成された複数の第２穴を含み、その上部で、該複数の第２穴の上方に形成された複数の相互連結流路を含み、
該第１ガス分配プレートが、該第２ガス分配プレートに結合したときに、円周キャビティを画成する下方凹表面を有し、該複数の第１穴によって画成された第２流路から独立した該フェースプレートを通る第１流路を形成するために、該第２ガス分配プレートの該相互連結流路が、該複数第２穴と該円周キャビティと流体連通している、前記プレート、
を備えている、前記フェースプレート。 - 該第２ガス分配プレートの該相互連結流路が、クリスクロス（criss-cross）パターンに形成されている、請求項１記載のフェースプレート。
- 該相互連結流路が切断されて、該第２ガス分配プレートの該上部において正方形状凸部を形成している、請求項１記載のフェースプレート。
- 該第１ガス分配プレートが、該第１ガス分配プレートを該第２ガス分配プレートに蝋付けすることによって該第２ガス分配プレートに結合されている、請求項１記載のフェースプレート。
- 該第１ガス分配プレートと該第２ガス分配プレートを通る該複数の第１穴が、該第１ガス分配プレートと該第２ガス分配プレートが共に蝋付けされた後に穿設されている、請求項４記載のフェースプレート。
- 半導体ウエハ処理システムのためのシャワーヘッドであって、
固体ニッケル成分から製造された一体的構造を有するフェースプレートであって、
該フェースプレートが、第１ガス分配プレートと第２ガス分配プレートを含み、各々がそれを通じて一列に並んで伸びている複数の第１穴を有し、
該第２ガス分配プレートが、その下部を通って形成された複数の第２穴と、その上部、該複数の第２穴の上方に形成された複数の相互連結流路を含み、
該第１ガス分配プレートが、該第２ガス分配プレートに結合したときに、円周空間を画成する下方凹表面を有し、該複数の第１穴によって画成された第２流路から独立した該フェースプレートを通る第１流路を形成するために、該第２ガス分配プレートの該相互連結流路が該複数の第２穴と該円周キャビティと流体連通している、前記フェースプレートと、
第１ガスを該第１ガス分配プレート中の該第１ガス穴へ、また、第２ガスを該第２ガス分配プレート中の該流路へ供給するために該フェースプレートに結合されたガス分配マニホールドアセンブリと、
を備えている、前記シャワーヘッド。 - 冷却プレートが、前記ガス分配マニホールドアセンブリに添着されている、請求項６記載のシャワーヘッド。
- 該第２ガス分配プレート中の該相互連結流路が、クリスクロスパターンに形成され、該第２ガス分配プレートの該上部において、該相互連結流路が切断されて正方形状凸部を形成している、請求項６記載のシャワーヘッド。
- 正方形状凸部が、該内部ガス分配キャビティ内へ伸び、それを通る流路を画成している、請求項８記載のシャワーヘッド。
- 該第１ガス分配プレートを該第２ガス分配プレートへ蝋付けすることにより該フェースプレートが形成されている、請求項６記載のシャワーヘッド。
- 該ガス分配マニホールドが、更に、該第１ガス分配プレート中の該複数の第１穴へ該第１ガスを供給する円筒形の第１ガス流路を備えている、請求項６記載のシャワーヘッド。
- 該ガス分配マニホールドが、更に、環状キャビティと、該第２ガスを該周囲プレナムへ供給する該環状キャビティから伸びている放射状流路と、を有する第２ガス流路を備えている、請求項１１記載のシャワーヘッド。
- 半導体ウエハ処理システムのためのシャワーヘッドであって、
上部ガス分配プレートに結合した下部ガス分配プレートを有するフェースプレートであって、
該下部ガス分配プレートと該上部ガス分配プレートの各々が、固体ニッケル成分から製造され、
該フェースプレートが、該下部ガス分配プレートと前記上部ガス分配プレートの双方を通って、一列に並んで伸びている複数の第１ガス穴と、複数の相互連結流路へ該下部ガス分配プレートを通って伸びている複数の第２ガス穴とを有し、該相互連結流路が該上部ガス分配プレートを通って伸びている第３ガス穴に接続されている周囲プレナムに結合されている、前記フェースプレートと、
前記上部ガス分配プレート中の該第１ガス穴に第１ガス、また、前記下部ガス分配プレート中の該第３ガス穴と流路に第２ガスを供給するために前記フェースプレートに結合されたガス分配マニホールドアセンブリと、
を備えている、前記シャワーヘッド。 - 該下部ガス分配プレート中の該相互連結流路が、クリスクロスパターンに形成されている、請求項１３記載のシャワーヘッド。
- 該相互連結流路が、該下部ガス分配プレートの上部において切断されて正方形状凸部を形成している、請求項１４記載のシャワーヘッド。
- 該フェースプレートが、該上部ガス分配プレートと該下部ガス分配プレートを蝋付けすることにより形成されている、請求項１３記載のシャワーヘッド。
- 該ガス分配マニホールドが、更に、
該第１ガスを該上部ガス分配プレート中の該複数の第１ガス穴へ供給する円筒形状の第１ガス流路と、
環状キャビティと、該第２ガスを該周囲プレナムに供給する該環状キャビティから伸びている放射状流路と、を有する第２ガス流路と、
を備えている、請求項１３記載のシャワーヘッド。 - 該上部ガス分配プレートと該下部ガス分配プレートを通る該複数の第１穴が、該上部ガス分配プレートと該下部ガス分配プレートが共に蝋付けされた後に穿設される、請求項１６記載のシャワーヘッド。
- 該固体ニッケル成分が、Ｎｉ２００シリーズ材料を含んでいる、請求項１３記載のシャワーヘッド。
- 該第１穴がそれを通って形成されたものの間の該上部ガス分配プレートの一部分が、該下部ガス分配プレートの該正方形状凸部の上表面に蝋付けされている、請求項１６記載のシャワーヘッド。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/901,768 US20060021703A1 (en) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005221989 Continuation | 2005-07-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3117331U true JP3117331U (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=35730810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005008118U Expired - Fee Related JP3117331U (ja) | 2004-07-29 | 2005-10-03 | 半導体ウエハ処理システムにおけるシャワーヘッドのためのデュアルガスフェースプレート |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060021703A1 (ja) |
| JP (1) | JP3117331U (ja) |
| CN (1) | CN2848367Y (ja) |
| TW (1) | TWM290304U (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009031413A1 (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | Tokyo Electron Limited | 天板及びこれを用いたプラズマ処理装置 |
| US8925351B2 (en) | 2006-01-20 | 2015-01-06 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing method of top plate of plasma processing apparatus |
| CN115516131A (zh) * | 2020-07-08 | 2022-12-23 | 应用材料公司 | 多通道喷头设计及其制造方法 |
| JP7529889B2 (ja) | 2020-07-21 | 2024-08-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体処理システム用の分配構成要素 |
Families Citing this family (475)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4306403B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2009-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置 |
| US20070234956A1 (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Dalton Jeremie J | Method and apparatus for providing uniform gas delivery to a reactor |
| CN100451163C (zh) * | 2006-10-18 | 2009-01-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于半导体工艺件处理反应器的气体分布装置及其反应器 |
| US20080099147A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-05-01 | Nyi Oo Myo | Temperature controlled multi-gas distribution assembly |
| JP2008186865A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| US7976631B2 (en) * | 2007-10-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas straight channel showerhead |
| CN101489344B (zh) * | 2008-01-14 | 2011-07-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体处理设备、其气体分配装置及工艺气体提供方法 |
| US20100018463A1 (en) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | Chen-Hua Yu | Plural Gas Distribution System |
| CN100568453C (zh) * | 2008-08-22 | 2009-12-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体处理设备、气体分配装置以及气体输送方法 |
| US9121096B2 (en) * | 2008-10-10 | 2015-09-01 | Alta Devices, Inc. | Concentric showerhead for vapor deposition |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| CN103352206B (zh) * | 2008-12-04 | 2015-09-16 | 威科仪器有限公司 | 用于化学气相沉积的进气口元件及其制造方法 |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| CN101643904B (zh) * | 2009-08-27 | 2011-04-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 深硅刻蚀装置和深硅刻蚀设备的进气系统 |
| US9449859B2 (en) * | 2009-10-09 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas centrally cooled showerhead design |
| US20110097487A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Fluid distribution manifold including bonded plates |
| US20110097488A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Fluid distribution manifold including mirrored finish plate |
| US20110198034A1 (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-18 | Jennifer Sun | Gas distribution showerhead with coating material for semiconductor processing |
| US8845806B2 (en) * | 2010-10-22 | 2014-09-30 | Asm Japan K.K. | Shower plate having different aperture dimensions and/or distributions |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| TWI461566B (zh) * | 2011-07-01 | 2014-11-21 | Ind Tech Res Inst | 鍍膜用噴灑頭以及鍍膜裝置 |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9109754B2 (en) | 2011-10-19 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for providing uniform flow of gas |
| US8955547B2 (en) | 2011-10-19 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for providing uniform flow of gas |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| US9447499B2 (en) | 2012-06-22 | 2016-09-20 | Novellus Systems, Inc. | Dual plenum, axi-symmetric showerhead with edge-to-center gas delivery |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US20140099794A1 (en) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Applied Materials, Inc. | Radical chemistry modulation and control using multiple flow pathways |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US10316409B2 (en) | 2012-12-21 | 2019-06-11 | Novellus Systems, Inc. | Radical source design for remote plasma atomic layer deposition |
| US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
| US9610591B2 (en) * | 2013-01-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable gas distribution plate |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9837559B2 (en) * | 2013-03-13 | 2017-12-05 | China Sunergy (Nanjing) Co. Ltd. | Soldering system |
| CN103219223A (zh) * | 2013-03-14 | 2013-07-24 | 上海华力微电子有限公司 | 一种去除晶圆残留溴化氢的装置及方法 |
| CN103451627A (zh) * | 2013-06-04 | 2013-12-18 | 北京希睿思科技有限公司 | 一体式气相沉积用喷淋头 |
| CN103320852A (zh) * | 2013-06-14 | 2013-09-25 | 光垒光电科技（上海）有限公司 | 用于外延沉积的反应腔 |
| US9677176B2 (en) * | 2013-07-03 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Multi-plenum, dual-temperature showerhead |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| JP6336719B2 (ja) * | 2013-07-16 | 2018-06-06 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
| US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
| US9353440B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Dual-direction chemical delivery system for ALD/CVD chambers |
| JP6219179B2 (ja) * | 2014-01-20 | 2017-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
| US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
| US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10497542B2 (en) * | 2016-01-04 | 2019-12-03 | Daniel T. Mudd | Flow control showerhead with integrated flow restrictors for improved gas delivery to a semiconductor process |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| USD790039S1 (en) | 2016-04-08 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | Showerhead for a semiconductor processing chamber |
| USD794753S1 (en) | 2016-04-08 | 2017-08-15 | Applied Materials, Inc. | Showerhead for a semiconductor processing chamber |
| USD793526S1 (en) | 2016-04-08 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Showerhead for a semiconductor processing chamber |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| CN110050333B (zh) | 2016-12-08 | 2023-06-09 | 应用材料公司 | 时间性原子层沉积处理腔室 |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10604841B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-03-31 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11694911B2 (en) * | 2016-12-20 | 2023-07-04 | Lam Research Corporation | Systems and methods for metastable activated radical selective strip and etch using dual plenum showerhead |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| US20180308661A1 (en) | 2017-04-24 | 2018-10-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with electrode filaments |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
| WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| KR20200087267A (ko) | 2017-12-08 | 2020-07-20 | 램 리써치 코포레이션 | 리모트 플라즈마 막 증착을 인에이블하도록 다운스트림 챔버로 라디칼 및 전구체 가스를 전달하기 위해 개선된 홀 패턴을 갖는 통합된 샤워헤드 |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| US10948824B2 (en) * | 2018-06-28 | 2021-03-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dispensing nozzle design and dispensing method thereof |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| WO2020028062A1 (en) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for ald processes |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| TWI728456B (zh) | 2018-09-11 | 2021-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 相對於基板的薄膜沉積方法 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11186910B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for multi-flow precursor dosage |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| TWI838458B (zh) | 2019-02-20 | 2024-04-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| JP2021111783A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP2021177545A (ja) | 2020-05-04 | 2021-11-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| WO2024010692A1 (en) * | 2022-07-08 | 2024-01-11 | Lam Research Corporation | Multi-plenum gas manifolds for substrate processing systems |
| WO2024158762A1 (en) * | 2023-01-27 | 2024-08-02 | Lam Research Corporation | Showerhead for supplying metastable activated radicals |
| CN117418217B (zh) * | 2023-12-18 | 2024-08-27 | 上海谙邦半导体设备有限公司 | 一种匀气装置及化学气相沉积匀气系统 |
Family Cites Families (85)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4209357A (en) * | 1979-05-18 | 1980-06-24 | Tegal Corporation | Plasma reactor apparatus |
| US4262631A (en) * | 1979-10-01 | 1981-04-21 | Kubacki Ronald M | Thin film deposition apparatus using an RF glow discharge |
| JPS59128281A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-24 | 信越化学工業株式会社 | 炭化けい素被覆物の製造方法 |
| US4570328A (en) * | 1983-03-07 | 1986-02-18 | Motorola, Inc. | Method of producing titanium nitride MOS device gate electrode |
| JPH07111957B2 (ja) * | 1984-03-28 | 1995-11-29 | 圭弘 浜川 | 半導体の製法 |
| US4759947A (en) * | 1984-10-08 | 1988-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound |
| US4892753A (en) * | 1986-12-19 | 1990-01-09 | Applied Materials, Inc. | Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition |
| US5871811A (en) * | 1986-12-19 | 1999-02-16 | Applied Materials, Inc. | Method for protecting against deposition on a selected region of a substrate |
| US5000113A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
| US4792378A (en) * | 1987-12-15 | 1988-12-20 | Texas Instruments Incorporated | Gas dispersion disk for use in plasma enhanced chemical vapor deposition reactor |
| US4951603A (en) * | 1988-09-12 | 1990-08-28 | Daidousanso Co., Ltd. | Apparatus for producing semiconductors |
| US5160544A (en) * | 1990-03-20 | 1992-11-03 | Diamonex Incorporated | Hot filament chemical vapor deposition reactor |
| US5304248A (en) * | 1990-12-05 | 1994-04-19 | Applied Materials, Inc. | Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions |
| US5314724A (en) * | 1991-01-08 | 1994-05-24 | Fujitsu Limited | Process for forming silicon oxide film |
| US5238866A (en) * | 1991-09-11 | 1993-08-24 | GmbH & Co. Ingenieurburo Berlin Biotronik Mess- und Therapiegerate | Plasma enhanced chemical vapor deposition process for producing an amorphous semiconductive surface coating |
| JPH0811718B2 (ja) * | 1992-02-27 | 1996-02-07 | 大同ほくさん株式会社 | ガスソース分子線エピタキシー装置 |
| US5453124A (en) * | 1992-12-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
| KR100324792B1 (ko) * | 1993-03-31 | 2002-06-20 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
| US5824158A (en) * | 1993-06-30 | 1998-10-20 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Chemical vapor deposition using inductively coupled plasma and system therefor |
| US5465680A (en) * | 1993-07-01 | 1995-11-14 | Dow Corning Corporation | Method of forming crystalline silicon carbide coatings |
| US5647911A (en) * | 1993-12-14 | 1997-07-15 | Sony Corporation | Gas diffuser plate assembly and RF electrode |
| KR950020993A (ko) * | 1993-12-22 | 1995-07-26 | 김광호 | 반도체 제조장치 |
| US5589002A (en) * | 1994-03-24 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate for semiconductor wafer processing apparatus with means for inhibiting arcing |
| GB9410567D0 (en) * | 1994-05-26 | 1994-07-13 | Philips Electronics Uk Ltd | Plasma treatment and apparatus in electronic device manufacture |
| US5665640A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
| US5628829A (en) * | 1994-06-03 | 1997-05-13 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films |
| GB9411911D0 (en) * | 1994-06-14 | 1994-08-03 | Swan Thomas & Co Ltd | Improvements in or relating to chemical vapour deposition |
| JP3247270B2 (ja) * | 1994-08-25 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びドライクリーニング方法 |
| US5746875A (en) * | 1994-09-16 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
| US5643394A (en) * | 1994-09-16 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
| US5660472A (en) * | 1994-12-19 | 1997-08-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate temperatures |
| JPH08181276A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08181210A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5818071A (en) * | 1995-02-02 | 1998-10-06 | Dow Corning Corporation | Silicon carbide metal diffusion barrier layer |
| US5653806A (en) * | 1995-03-10 | 1997-08-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Showerhead-type discharge assembly for delivery of source reagent vapor to a substrate, and CVD process utilizing same |
| JP3360098B2 (ja) * | 1995-04-20 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のシャワーヘッド構造 |
| US5792269A (en) * | 1995-10-31 | 1998-08-11 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution for CVD systems |
| US5906683A (en) * | 1996-04-16 | 1999-05-25 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for semiconductor processing chamber |
| US5780163A (en) * | 1996-06-05 | 1998-07-14 | Dow Corning Corporation | Multilayer coating for microelectronic devices |
| US5846332A (en) * | 1996-07-12 | 1998-12-08 | Applied Materials, Inc. | Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber |
| US6090210A (en) * | 1996-07-24 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas flow control in a process chamber |
| US5781693A (en) * | 1996-07-24 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween |
| US5711987A (en) * | 1996-10-04 | 1998-01-27 | Dow Corning Corporation | Electronic coatings |
| US5730792A (en) * | 1996-10-04 | 1998-03-24 | Dow Corning Corporation | Opaque ceramic coatings |
| US5776235A (en) * | 1996-10-04 | 1998-07-07 | Dow Corning Corporation | Thick opaque ceramic coatings |
| US5882411A (en) * | 1996-10-21 | 1999-03-16 | Applied Materials, Inc. | Faceplate thermal choke in a CVD plasma reactor |
| TW415970B (en) * | 1997-01-08 | 2000-12-21 | Ebara Corp | Vapor-phase film growth apparatus and gas ejection head |
| US6051286A (en) * | 1997-02-12 | 2000-04-18 | Applied Materials, Inc. | High temperature, high deposition rate process and apparatus for depositing titanium layers |
| JP3702068B2 (ja) * | 1997-04-09 | 2005-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板の処理装置 |
| US6024799A (en) * | 1997-07-11 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition manifold |
| US6080446A (en) * | 1997-08-21 | 2000-06-27 | Anelva Corporation | Method of depositing titanium nitride thin film and CVD deposition apparatus |
| US6258170B1 (en) * | 1997-09-11 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Vaporization and deposition apparatus |
| US6079356A (en) * | 1997-12-02 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Reactor optimized for chemical vapor deposition of titanium |
| US6140226A (en) * | 1998-01-16 | 2000-10-31 | International Business Machines Corporation | Dual damascene processing for semiconductor chip interconnects |
| US6340435B1 (en) * | 1998-02-11 | 2002-01-22 | Applied Materials, Inc. | Integrated low K dielectrics and etch stops |
| US6413583B1 (en) * | 1998-02-11 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Formation of a liquid-like silica layer by reaction of an organosilicon compound and a hydroxyl forming compound |
| US6303523B2 (en) * | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6627532B1 (en) * | 1998-02-11 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition |
| US6593247B1 (en) * | 1998-02-11 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low k films using an oxidizing plasma |
| US6054379A (en) * | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
| US6660656B2 (en) * | 1998-02-11 | 2003-12-09 | Applied Materials Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6287990B1 (en) * | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
| US6123259A (en) * | 1998-04-30 | 2000-09-26 | Fujitsu Limited | Electronic shopping system including customer relocation recognition |
| KR100505310B1 (ko) * | 1998-05-13 | 2005-08-04 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 성막 장치 및 방법 |
| US6159871A (en) * | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
| US6086677A (en) * | 1998-06-16 | 2000-07-11 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
| US6147009A (en) * | 1998-06-29 | 2000-11-14 | International Business Machines Corporation | Hydrogenated oxidized silicon carbon material |
| US6454860B2 (en) * | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
| US6364954B2 (en) * | 1998-12-14 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | High temperature chemical vapor deposition chamber |
| US6230651B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-05-15 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
| US6263829B1 (en) * | 1999-01-22 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture |
| US6565661B1 (en) * | 1999-06-04 | 2003-05-20 | Simplus Systems Corporation | High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method |
| US6206972B1 (en) * | 1999-07-08 | 2001-03-27 | Genus, Inc. | Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes |
| JP3645768B2 (ja) * | 1999-12-07 | 2005-05-11 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
| US6772827B2 (en) * | 2000-01-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
| AU2001247685A1 (en) * | 2000-03-30 | 2001-10-15 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for tunable gas injection in a plasma processing system |
| KR100406174B1 (ko) * | 2000-06-15 | 2003-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 강화 화학 기상 증착 장비에 사용되는 샤워 헤드 |
| US6461435B1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Showerhead with reduced contact area |
| US6641673B2 (en) * | 2000-12-20 | 2003-11-04 | General Electric Company | Fluid injector for and method of prolonged delivery and distribution of reagents into plasma |
| CN1302152C (zh) * | 2001-03-19 | 2007-02-28 | 株式会社Ips | 化学气相沉积设备 |
| US6562735B1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-05-13 | Lsi Logic Corporation | Control of reaction rate in formation of low k carbon-containing silicon oxide dielectric material using organosilane, unsubstituted silane, and hydrogen peroxide reactants |
| US6793733B2 (en) * | 2002-01-25 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Gas distribution showerhead |
| US7008484B2 (en) * | 2002-05-06 | 2006-03-07 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for deposition of low dielectric constant materials |
| US7270713B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
| US20040173313A1 (en) * | 2003-03-03 | 2004-09-09 | Bradley Beach | Fire polished showerhead electrode |
-
2004
- 2004-07-29 US US10/901,768 patent/US20060021703A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-07-26 TW TW094212681U patent/TWM290304U/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-07-27 CN CNU2005201148977U patent/CN2848367Y/zh not_active Expired - Lifetime
- 2005-10-03 JP JP2005008118U patent/JP3117331U/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8925351B2 (en) | 2006-01-20 | 2015-01-06 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing method of top plate of plasma processing apparatus |
| WO2009031413A1 (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | Tokyo Electron Limited | 天板及びこれを用いたプラズマ処理装置 |
| CN115516131A (zh) * | 2020-07-08 | 2022-12-23 | 应用材料公司 | 多通道喷头设计及其制造方法 |
| JP7529889B2 (ja) | 2020-07-21 | 2024-08-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体処理システム用の分配構成要素 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN2848367Y (zh) | 2006-12-20 |
| US20060021703A1 (en) | 2006-02-02 |
| TWM290304U (en) | 2006-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3117331U (ja) | 半導体ウエハ処理システムにおけるシャワーヘッドのためのデュアルガスフェースプレート | |
| JP5658701B2 (ja) | 半導体ウェーハ処理システムのシャワーヘッドのための上下続きの２つのガスのフェースプレート | |
| US6086677A (en) | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system | |
| US11501956B2 (en) | Semiconductor reaction chamber showerhead | |
| JP4564656B2 (ja) | デュアルチャネル・ガス分配プレート | |
| US6544340B2 (en) | Heater with detachable ceramic top plate | |
| JP4630226B2 (ja) | シャワーヘッドを用いた化学気相蒸着方法及びその装置 | |
| KR100629358B1 (ko) | 샤워 헤드 | |
| US8216419B2 (en) | Drilled CVD shower head | |
| US20100263588A1 (en) | Methods and apparatus for epitaxial growth of semiconductor materials | |
| TW201217062A (en) | Multiple section showerhead assembly | |
| KR20030007175A (ko) | 모듈형 인젝터 및 배기 어셈블리 | |
| US7588804B2 (en) | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces | |
| KR20140103080A (ko) | 온도 제어를 구비한 다중 플레넘 샤워헤드 | |
| KR20100099535A (ko) | 기판처리장치 및 그의 제조방법 | |
| KR20090031338A (ko) | 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 | |
| KR101765754B1 (ko) | 샤워헤드 및 이를 포함하는 반도체 기판 가공 장치 | |
| US11944988B2 (en) | Multi-zone showerhead | |
| US20230383406A1 (en) | Axially cooled metal showerheads for high temperature processes | |
| KR200398880Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 처리 시스템 내의 샤워헤드용 듀얼 가스페이스플레이트 | |
| TWM464459U (zh) | 金屬有機化學氣相沉積反應器的氣體分佈裝置及反應器 | |
| JP3498617B2 (ja) | ガス導入管及びこれを用いた薄膜成長装置 | |
| CN115672579A (zh) | 带有高密实度集气室的喷头 | |
| KR101486801B1 (ko) | 증착챔버의 노즐장치 및 그 제조방법 | |
| WO2024054344A1 (en) | Gas cooling cover for an exhaust line of a substrate processing system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081124 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101124 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101124 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111124 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111124 Year of fee payment: 6 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |